JP7240346B2 - 銅及びスルーシリコンビア用途のための化学機械研磨 - Google Patents
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Description
本出願は、2019年2月28日に提出された米国出願番号第62/811,874号の利益を主張する。出願番号第62/798,638号の開示を参照により本明細書に取り込む。
本発明は、一般に、半導体ウエハの化学機械的平坦化又は化学機械研磨(CMP)に関する。より具体的には、本発明は、広範又は高度ノード銅又はスルーシリコンビア(TSV)CMP用途のための高度かつ調整可能なCu膜除去速度に関する。CMP研磨配合物、CMP研磨組成物又はCMP研磨スラリーは本発明において交換可能である。
本明細書には、銅及びスルーシリコンビア(TSV)CMP用途のためのCMP研磨組成物、方法及びシステムが記載されている。
a)研磨剤、
b)少なくとも2つのキレート剤、
c)酸化剤、
d)水、
を含み、場合により、
e)腐食防止剤、
f)有機第四級アンモニウム塩、
g)殺生物剤、及び、
h)pH調整剤、
を含み、
前記少なくとも2つのキレート剤は、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選ばれ、ここで、少なくとも1つのキレート剤はアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、そして
前記組成物のpHは3.0~12.0であり、好ましくは5.5~7.5であり、より好ましくは7.0~7.35である、組成物を提供する。
i.半導体基材を提供すること、
ii.研磨パッドを提供すること、
iii.a)研磨剤、
b)酸化剤、
c)少なくとも2つのキレート剤、及び、
d)水、
を含み、場合により、
e)腐食防止剤、
f)有機第四級アンモニウム塩、
g)殺生物剤、及び、
h)pH調整剤、
を含む、化学機械研磨(CMP)組成物であって、
前記少なくとも2つのキレート剤は、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選ばれ、ここで、少なくとも1つのキレート剤はアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、そして
前記組成物のpHは3.0~12.0であり、好ましくは5.5~7.5であり、より好ましくは7.0~7.35である、組成物を提供すること、
iv.前記半導体基材を前記研磨パッド及び前記化学機械研磨組成物と接触させること、及び、
v.前記半導体基材を研磨すること、
の工程を含み、
前記少なくとも1つの銅又は銅含有表面の少なくとも一部は、前記研磨パッド及び前記化学機械研磨組成物の両方と接触される、方法を提供する。
a)第一の材料及び少なくとも1つの第二の材料を含む少なくとも1つの表面を有する半導体基材を提供すること、
b)研磨パッドを提供すること、
c)化学機械研磨又はスルーシリコンビア(TSV)組成物であって、
i.研磨剤、
ii.酸化剤、
iii.少なくとも2つのキレート剤、及び、
iv.水、
を含み、場合により、
v.腐食防止剤、
vi.有機第四級アンモニウム塩、
vii.殺生物剤、及び、
viii.pH調整剤、
を含み、前記少なくとも2つのキレート剤は、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選ばれ、ここで、少なくとも1つのキレート剤は、アミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、
前記組成物のpHは3.0~12.0であり、好ましくは5.5~7.5であり、より好ましくは7.0~7.35である組成物を提供すること、
d)前記半導体基材を研磨して、前記第一の材料を選択的に除去すること、
の工程を含み、
前記第一の材料の除去速度/前記第二の材料の除去速度は500:1以上であり、好ましくは1000:1以上であり、より好ましくは3000:1以上であり、そして、
前記第一の材料は銅であり、前記第二の材料は、Ta、TaN、Ti及びTiN膜などのバリア層、TEOS、低-k膜及び超低-k膜などの誘電体層からなる群より選ばれる、方法は提供される。
1)半導体基材、
2)研磨パッド、
3)a)研磨剤、
b)酸化剤、
c)少なくとも2つのキレート剤、及び、
d)水、
を含み、場合により、
e)腐食防止剤、
f)有機第四級アンモニウム塩、
g)殺生物剤、
h)pH調整剤、
を含む、化学機械研磨(CMP)組成物であって、
前記少なくとも2つのキレート剤は、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選ばれ、ここで、少なくとも1つのキレート剤はアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、
前記組成物のpHは3.0~12.0であり、好ましくは5.5~7.5であり、より好ましくは7.0~7.35である、組成物、
を含み、前記少なくとも1つの銅又は銅含有表面の少なくとも一部を前記研磨パッド及び前記化学機械研磨組成物の両方と接触させる、システムは提供される。
業界標準はより小さなデバイス特徴に向かう傾向があるので、広範及び高度ノード用途で高い調整可能なCu除去速度を提供する新規のCuバルク金属研磨スラリーに対するニーズが継続的に高まっている。
a)酸化剤、
b)少なくとも2つのキレート剤、及び、
c)水、
を含み、場合により、
d)腐食防止剤、
e)有機第四級アンモニウム塩、
f)殺生物剤、及び、
g)pH調整剤、
を含み、前記少なくとも2つのキレート剤は、アミノ酸、アミノ酸誘導体、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選ばれ、ここで、少なくとも1つのキレート剤はアミノ酸又はアミノ酸誘導体であり、そして、
前記組成物のpHは3.0~12.0であり、好ましくは5.5~7.5であり、より好ましくは7.0~7.35である。
実験セクション
研磨パッド 研磨パッド、IC1010パッド又はその他の研磨パッドをCu CMPで使用し、ダウケミカルズカンパニーから供給された。
パラメータ:
Å:オングストローム-長さの単位
BP:psi単位の背圧
CMP:化学機械平坦化=化学機械研磨
CS:キャリア速度
DF:ダウンフォース:CMP中に課される圧力、単位psi
min:分
ml:ミリリットル
mV:ミリボルト
psi:ポンド/平方インチ
PS:研磨ツールのプラテン回転速度、rpm単位(1分あたりの回転数)
SF:研磨液の流量、ml/分
除去速度
Cu RR1.0psi CMPツールの下向き圧力1.0psiで測定された銅除去速度
Cu RR2.0psi CMPツールの下向き圧力2.0psiで測定された銅除去速度
Cu RR3.0psi CMPツールの下向き圧力3.0psiで測定された銅除去速度
Cu RR4.0psi CMPツールの下向き圧力4.0psiで測定された銅除去速度
組成物中のすべての百分率は特に明記しない限り質量%である。
この実施例において、参照1スラリーは3.78wt%(1×として)の単一キレート剤グリシン、0.18915wt%(1×として)のアミトロール(又は3-アミノ-1,2,4-トリアゾール)、0.00963wt%(1×として)の重炭酸コリン(CBC)、0.037575wt%(1×として)の高純度コロイドシリカ及び0.0001wt%の殺生物剤を含み、pHは7.2に調整されていた。
この実施例では、参照3のスラリーは、3.78wt%の単一キレート剤アラニン、0.18915wt%のアミトロール、0.00963wt%の重炭酸コリン、0.037575wt%の高純度コロイドシリカ及び0.0001wt%の殺生物剤を含み、そしてpHは7.2に調整されていた。
例3において、両方のCu CMP研磨組成物は、それぞれ3.78wt%及び0.004wt%の同じwt%濃度で2つのキレート剤であるグリシン及びエチレンジアミン(EDA)、0.00963wt%の重炭酸コリン、0.0001wt%の殺生物剤及び0.037575wt%の高純度コロイドシリカを含んだ。アミトロールは、実施例組成物3では使用されたが、実施例組成物4では使用されなかった。両方の研磨組成物は約7.2のpH値を有する。
ベース組成物は:それぞれ3.78wt%及び0.004wt%のグリシン及びエチレンジアミン(EDA)の2つのキレート剤、0.00963wt%の重炭酸コリン、0.0001wt%の殺生物剤、0.037575wt%の高純度コロイドシリカ、0.18915wt%のアミトロールを含んだ(H2O2なし)。異なる濃度の過酸化水素(H2O2)をベース組成物に添加して、表4に示すような様々な組成物を形成した。それらの組成物を使用して2.0psiのダウンフォースでのCu除去速度を測定した。
表4に示す結果のように、試験されたH2O2の範囲である1.0wt%~3.0wt%で高いCu除去速度は得られた。
例5において、非常に高いCu膜研磨除去速度を達成するように、表5に記載されているような実施例の銅CMP研磨組成物は調整及び変更された。
例6において、グリシン及びエチレンジアミンをデュアルキレート剤として使用する実施例のCMP研磨組成物(表6に示すとおり)を使用して、2.0psiのDF条件でCu:Ta及びCu:TEOS選択性を得た。
Claims (21)
- a)研磨剤、
b)少なくとも2つのキレート剤、
c)酸化剤、及び、
d)水、
f)有機第四級アンモニウム塩、
を含み、任意選択で、
g)殺生物剤、
h)pH調整剤、
を含む、銅バルク化学機械研磨(CMP)組成物であって、
前記少なくとも2つのキレート剤は、(1)少なくとも1つの有機アミン、及び(2)少なくとも1つのアミノ酸、少なくとも1つのアミノ酸誘導体、及び、少なくとも1つのアミノ酸と少なくとも1つのアミノ誘導体との組み合わせからなる群より選ばれる1つを含む、
前記有機第四級アンモニウム塩は、コリン塩、コリンと他のアニオン性対イオンとの間で形成される塩及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして
前記組成物のpHは5.5~7.5及び7.0~7.35からなる群より選ばれ、前記組成物が腐食防止剤を含まない、組成物。 - 前記アミノ酸又はアミノ酸誘導体は、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして
前記有機アミンは:
それらの組み合わせからなる群より選ばれる一般分子構造を有する、
請求項1記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 前記コリン塩は下記に示す一般分子構造:
前記酸化剤は、過ヨウ素酸、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸、硝酸カリウム及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、
前記殺生物剤は、5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる活性成分を有し、そして
前記pH調整剤は、(1)pHを酸性に向けて調整するための硝酸、塩酸、硫酸、リン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるか、又は、(2)pHをアルカリ性に向けて調整するための水素化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラアルキルアンモニウム、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるかのいずれかである、請求項1記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 前記有機アミンは、エチレンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、2-メチル-プロパンジアミン、2-メチル-ブタンジアミン、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジアミン、2,3-ジメチル-2,3-ブタンジアミン、2,2-ジメチル-プロパンジアミン、2,2-ジメチル-ブタンジアミン、2,3-ジメチル-ブタン-1,4-ジアミン、2,3-ジメチル-ペンタン-1,5-ジアミン、2,2-ジメチル-1,4-ブタンジアミン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして
前記アミノ酸又はアミノ酸誘導体は、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 0.0025wt%~2.5wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.001~18.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン及びブチレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも1つの有機アミン及び(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも1つのアミノ酸、
0.001wt%~0.05wt%の重炭酸コリン塩、
を含み、前記組成物のpHは5.5~7.5である、請求項1記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 0.0025wt%~2.5wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.5~10.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン及びブチレンジアミンから選ばれる少なくとも1つの有機アミン及び(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも1つのアミノ酸、
0.001wt%~0.05wt%の重炭酸コリン塩、
含み、前記組成物のpHは5.5~7.5である、請求項1記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 0.0005wt%~0.15wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.5~10.0wt%のエチレンジアミン、グリシン又はアラニン、
0.002wt%~0.01wt%の重炭酸コリン塩、
0.5wt%~3.0wt%の過ヨウ素酸又は過酸化水素、
0.001wt%~0.5wt%の3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール又はベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、
0.0001wt%~0.025wt%の5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる活性成分を有する殺生物剤、
を含み、前記組成物のpHは7.0~7.35である、請求項1記載の銅化学機械研磨(CMP)組成物。 - 銅(Cu)又は銅含有材料及び少なくとも1つの第二の材料を含む少なくとも1つの表面を有する半導体基材を化学機械研磨する方法であって、
1)半導体基材を提供すること、
2)研磨パッドを提供すること、
3)a)研磨剤、
b)少なくとも2つのキレート剤、
c)酸化剤、及び、
d)水、
f)有機第四級アンモニウム塩、
を含み、任意選択で、
g)殺生物剤、
h)pH調整剤、
を含む、Cu化学機械研磨(CMP)組成物であって、
前記少なくとも2つのキレート剤は、(1)少なくとも1つの有機アミン、及び(2)少なくとも1つのアミノ酸、少なくとも1つのアミノ酸誘導体、及び、少なくとも1つのアミノ酸と少なくとも1つのアミノ誘導体との組み合わせからなる群より選ばれる1つを含む、
前記アミノ酸又はアミノ酸誘導体は、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして
前記有機アミンは、
それらの組み合わせからなる群より選ばれる一般分子構造を有し、
前記有機第四級アンモニウム塩はコリン塩、コリンと他のアニオン性対イオンとの間で形成される塩及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして、
前記組成物のpHは5.5~7.5及び7.0~7.35からなる群より選ばれ、前記組成物が腐食防止剤を含まない、組成物を提供すること、
4)前記少なくとも1つの表面を前記研磨パッド及び前記Cu化学機械研磨組成物と接触させること、及び、
5)前記少なくとも1つの表面を研磨して、銅又は銅含有材料を除去すること、
の工程を含む、方法。 - 前記コリン塩は下記に示す一般分子構造:
前記酸化剤は、過ヨウ素酸、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸、硝酸カリウム及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、
前記殺生物剤は、5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる活性成分を有し、そして
前記pH調整剤は、(1)pHを酸性に向けて調整するための硝酸、塩酸、硫酸、リン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるか、又は、(2)pHをアルカリ性に向けて調整するための水素化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラアルキルアンモニウム、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるかのいずれかである、請求項8記載の化学機械研磨する方法。 - 前記有機アミンは、エチレンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、2-メチル-プロパンジアミン、2-メチル-ブタンジアミン、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジアミン、2,3-ジメチル-2,3-ブタンジアミン、2,2-ジメチル-プロパンジアミン、2,2-ジメチル-ブタンジアミン、2,3-ジメチル-ブタン-1,4-ジアミン、2,3-ジメチル-ペンタン-1,5-ジアミン、2,2-ジメチル-1,4-ブタンジアミン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして
前記アミノ酸又はアミノ酸誘導体は、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項8記載の化学機械研磨する方法。 - Cu化学機械研磨組成物は、
0.0025wt%~2.5wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.001~18.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン及びブチレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも1つの有機アミン及び(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも1つのアミノ酸、
0.001wt%~0.05wt%の重炭酸コリン塩、
を含み、前記組成物のpHは5.5~7.5である、請求項8記載の化学機械研磨する方法。 - Cu化学機械研磨組成物は、
0.0025wt%~2.5wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.5~10.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン及びブチレンジアミンから選ばれる少なくとも1つの有機アミン及び(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも1つのアミノ酸、
0.001wt%~0.05wt%の重炭酸コリン塩、
含み、前記組成物のpHは5.5~7.5である、請求項8記載の化学機械研磨する方法。 - Cu化学機械研磨組成物は、
0.0005wt%~0.15wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.5~10.0wt%のエチレンジアミン、グリシン又はアラニン、
0.002wt%~0.01wt%の重炭酸コリン塩、
0.5wt%~3.0wt%の過ヨウ素酸又は過酸化水素、
0.001wt%~0.5wt%の3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール又はベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、
0.0001wt%~0.025wt%の5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる活性成分を有する殺生物剤、
を含み、前記組成物のpHは7.0~7.35である、請求項8記載の化学機械研磨する方法。 - 前記第二の材料は、Ta、TaN、Ti及びTiN膜からなる群より選ばれるバリア層、及び、TEOS、低-k及び超低-k膜からなる群より選ばれる誘電体層からなる群より選ばれ、そして、Cuの除去速度対第二の材料の除去速度は、500:1以上である、請求項8記載の化学機械研磨する方法。
- 銅(Cu)又は銅含有材料及び少なくとも1つの第二の材料を含む少なくとも1つの表面を有する半導体基材を化学機械研磨するためのシステムであって、
1)半導体基材を提供すること、
2)研磨パッドを提供すること、
3)a)研磨剤、
b)少なくとも2つのキレート剤、
c)酸化剤、及び、
d)水、
f)有機第四級アンモニウム塩、
を含み、任意選択で、
g)殺生物剤、
h)pH調整剤、
を含む、Cu化学機械研磨(CMP)組成物であって、
前記少なくとも2つのキレート剤は、(1)少なくとも1つの有機アミン、及び(2)少なくとも1つのアミノ酸、少なくとも1つのアミノ酸誘導体、及び、少なくとも1つのアミノ酸と少なくとも1つのアミノ誘導体との組み合わせからなる群より選ばれる1つを含む、
前記アミノ酸又はアミノ酸誘導体は、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして
前記有機アミンは、
それらの組み合わせからなる群より選ばれる一般分子構造を有し、
前記有機第四級アンモニウム塩はコリン塩、コリンと他のアニオン性対イオンとの間で形成される塩及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして、
前記組成物のpHは5.5~7.5及び7.0~7.35からなる群より選ばれ、前記組成物が腐食防止剤を含まない、組成物を提供すること、
の工程を含み、前記銅(Cu)又は銅含有材料及び少なくとも1つの第二の材料を含む前記少なくとも1つの表面の少なくとも一部を前記研磨パッド及び前記Cu化学機械研磨組成物の両方と接触させる、システム。 - 前記コリン塩は下記に示す一般分子構造:
前記酸化剤は、過ヨウ素酸、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸、硝酸カリウム及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、
前記殺生物剤は、5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる活性成分を有し、そして
前記pH調整剤は、(1)pHを酸性に向けて調整するための硝酸、塩酸、硫酸、リン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるか、又は、(2)pHをアルカリ性に向けて調整するための水素化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラアルキルアンモニウム、有機アミン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるかのいずれかである、請求項15記載のシステム。 - 前記有機アミンは、エチレンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、2-メチル-プロパンジアミン、2-メチル-ブタンジアミン、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジアミン、2,3-ジメチル-2,3-ブタンジアミン、2,2-ジメチル-プロパンジアミン、2,2-ジメチル-ブタンジアミン、2,3-ジメチル-ブタン-1,4-ジアミン、2,3-ジメチル-ペンタン-1,5-ジアミン、2,2-ジメチル-1,4-ブタンジアミン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、そして
前記アミノ酸又はアミノ酸誘導体は、グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項15記載のシステム。 - 0.0025wt%~2.5wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.001~18.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン及びブチレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも1つの有機アミン及び(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン、バリン、ロイシン、イソルシエン、フェニルアミン、プロリン、セリン、スレオニン、チロシン、グルタミン、アスパラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、トリプトファン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、メチオニン、システイン、イミノ二酢酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも1つのアミノ酸、
0.001wt%~0.05wt%の重炭酸コリン塩、
を含み、前記組成物のpHは5.5~7.5である、請求項15記載のシステム。 - 0.0025wt%~2.5wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.5~10.0wt%の、(1)エチレンジアミン、プロピレンジアミン及びブチレンジアミンから選ばれる少なくとも1つの有機アミン及び(2)グリシン、D-アラニン、L-アラニン、DL-アラニン、β-アラニン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも1つのアミノ酸、
0.001wt%~0.05wt%の重炭酸コリン塩、
含み、前記組成物のpHは5.5~7.5である、請求項15記載のシステム。 - 0.0005wt%~0.15wt%のコロイドシリカ又は高純度コロイドシリカ、
合計で0.5~10.0wt%のエチレンジアミン、グリシン又はアラニン、
0.002wt%~0.01wt%の重炭酸コリン塩、
0.5wt%~3.0wt%の過ヨウ素酸又は過酸化水素、
0.001wt%~0.5wt%の3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール又はベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体、
0.0001wt%~0.025wt%の5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン、2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる活性成分を有する殺生物剤、
を含み、前記組成物のpHは7.0~7.35である、請求項15記載のシステム。 - 前記第二の材料は、Ta、TaN、Ti及びTiN膜からなる群より選ばれるバリア層、及び、TEOS、低-k及び超低-k膜からなる群より選ばれる誘電体層からなる群より選ばれ、そして、Cuの除去速度対第二の材料の除去速度は、500:1以上である、請求項15記載のシステム。
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