JP2006319243A - メモリモジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 情報を格納するためのメモリコアチップ10a〜10dと、データの入出力を制御するインターフェースチップ30と、外部との間でデータを送受信するインターポーザチップ40と、インターポーザチップの最近傍に設けられた外部接続用端子46とを有するメモリモジュールにおいて、インターフェースチップ30の最近傍に放熱板20が設けられ、インターポーザチップ40は、メモリコアチップと同質の半導体材料を基板とし、一方の面に外部接続用端子を保持するためのランド41、外部用接続端子に接続された配線44、および配線を絶縁するための絶縁膜が一体形成されている構成である。
【選択図】 図1
Description
前記メモリコアチップ、前記インターフェースチップおよび前記インターポーザチップのうち該インターフェースチップの最近傍に放熱板が設けられ、
前記インターポーザチップは、前記メモリコアチップと同質の半導体材料を基板とし、該インターポーザチップの一方の面に前記外部接続用端子を保持するためのランド、該外部用接続端子に接続された配線、および該配線を絶縁するための絶縁膜が一体形成されている構成である。
前記メモリコアチップ、前記インターフェースチップおよび前記インターポーザチップのうち該インターフェースチップの最近傍に放熱板が設けられ、
前記インターポーザチップは、前記メモリコアチップと同質の半導体材料の基板に、該基板よりも厚みが薄く、かつ前記外部接続用端子を保持するためのランドと該外部用接続端子に接続された配線とが予め形成された樹脂テープまたは樹脂基板が貼り合わされている構成である。
前記インターフェースチップのバンプ形成面の反対側の面を支持体に接着する工程と、
前記インターフェースチップの前記バンプ形成面に前記メモリコアチップを載せ、該インターフェースチップおよび該メモリコアチップのバンプ同士を熱圧着する工程と、
前記メモリコアチップ上に前記インターポーザチップを載せ、該メモリコアチップおよび該インターポーザチップのバンプ同士を熱圧着する工程と、
を有するものである。
前記支持体に前記インターフェースチップを接着する工程で複数の該インターフェースチップを該支持体に接着し、
前記メモリコアチップおよび前記インターポーザチップの熱圧着工程の後、前記インターフェースチップ、該メモリコアチップおよび該インターポーザチップの積層チップの側面を樹脂封止する工程と、
前記樹脂封止を行った積層チップに対応して前記支持体を切断する工程と、
を有することとしてもよい。
10a〜10d メモリコアチップ
12 貫通電極
13、14、32 バンプ
15 導電性材
17、37、47 支持基板
18 保護膜
19、46、48 絶縁膜
20 リードフレーム(支持体)
30 インターフェースチップ
40 インターポーザチップ
41 ランド
44 配線
45 埋込導電部
46 半田ボール
49 スズ
50 アンダーフィル
52 モールド樹脂
Claims (14)
- 情報を格納するためのメモリコアチップと、該メモリコアチップのデータの入出力を制御するインターフェースチップと、該インターフェースチップと外部との間で前記データを送受信するインターポーザチップと、外部と電気的に接続するために該インターポーザチップの最近傍に設けられた外部接続用端子とを有するメモリモジュールにおいて、
前記メモリコアチップ、前記インターフェースチップおよび前記インターポーザチップのうち該インターフェースチップの最近傍に放熱板が設けられ、
前記インターポーザチップは、前記メモリコアチップと同質の半導体材料を基板とし、該インターポーザチップの一方の面に前記外部接続用端子を保持するためのランド、該外部用接続端子に接続された配線、および該配線を絶縁するための絶縁膜が一体形成されていることを特徴とするメモリモジュール。 - 情報を格納するためのメモリコアチップと、該メモリコアチップのデータの入出力を制御するインターフェースチップと、該インターフェースチップと外部との間で前記データを送受信するインターポーザチップと、外部と電気的に接続するために該インターポーザチップの最近傍に設けられた外部接続用端子とを有するメモリモジュールにおいて、
前記メモリコアチップ、前記インターフェースチップおよび前記インターポーザチップのうち該インターフェースチップの最近傍に放熱板が設けられ、
前記インターポーザチップは、前記メモリコアチップと同質の半導体材料の基板に、該基板よりも厚みが薄く、かつ前記外部接続用端子を保持するためのランドと該外部用接続端子に接続された配線とが予め形成された樹脂テープまたは樹脂基板が貼り合わされていることを特徴とするメモリモジュール。 - 前記インターポーザチップにおける前記外部接続用端子が形成された面と反対側に、少なくとも1以上の前記メモリコアチップが積層され、さらに1以上の該メモリコアチップの最上層チップ上に前記インターフェースチップおよび前記放熱板が順に積層されていることを特徴とする請求項1または2に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリコアチップ、前記インターフェースチップおよび前記インターポーザチップを含む積層チップにおける全てのチップの側壁が樹脂で覆われていることを特徴とする請求項3に記載のメモリモジュール。
- 前記樹脂は、前記積層チップのすき間を埋める第1の樹脂と、該第1の樹脂よりも外側に設けられ、少なくとも前記インターポーザチップの外部接続用端子形成面と前記放熱板における前記インターフェースチップの積層面の反対側の面とを除いてモジュールの外形を構成する、該第1の樹脂よりも粘度の高い第2の樹脂とを有することを特徴とする請求項4に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリコアチップは、上層および下層の少なくともいずれか一方のチップと電気的に接続するための貫通電極を有することを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載のメモリモジュール。
- 前記メモリコアチップおよび前記インターポーザチップの前記基板の半導体材料がシリコンであることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のメモリモジュール。
- 前記放熱板は鉄を主成分とする金属材料であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のメモリモジュール。
- 前記インターポーザチップの厚さは、0.1mm以下であり、前記メモリコアチップよりも厚いことを特徴とする請求項3から8のいずれか1項に記載のメモリモジュール。
- 情報を格納するためのメモリコアチップと該メモリコアチップのデータの入出力を制御するインターフェースチップと該インターフェースチップと外部との間で前記データを送受信するインターポーザチップとを有するメモリモジュールの製造方法において、
前記インターフェースチップのバンプ形成面の反対側の面を支持体に接着する工程と、
前記インターフェースチップの前記バンプ形成面に前記メモリコアチップを載せ、該インターフェースチップおよび該メモリコアチップのバンプ同士を熱圧着する工程と、
前記メモリコアチップ上に前記インターポーザチップを載せ、該メモリコアチップおよび該インターポーザチップのバンプ同士を熱圧着する工程と、
を有することを特徴とするメモリモジュールの製造方法。 - 前記メモリコアチップおよび前記インターポーザチップのバンプ同士を熱圧着した後、前記インターフェースチップ、前記メモリコアチップおよび前記インターポーザチップの側面を樹脂封止する工程を有することを特徴とする請求項10記載のメモリモジュールの製造方法。
- 前記支持体に前記インターフェースチップを接着する工程で複数の該インターフェースチップを該支持体に接着し、
前記メモリコアチップおよび前記インターポーザチップの熱圧着工程の後、前記インターフェースチップ、該メモリコアチップおよび該インターポーザチップの積層チップの側面を樹脂封止する工程と、
前記樹脂封止を行った積層チップに対応して前記支持体を切断する工程と、
を有することを特徴とする請求項10に記載のメモリモジュールの製造方法。 - 前記樹脂封止する工程の後、前記インターポーザチップの最近傍に外部と電気的に接続するための外部接続用端子を搭載する工程を有することを特徴とする請求項11または12記載のメモリモジュールの製造方法。
- 前記支持体が金属板であることを特徴とする請求項10から13のいずれか1項に記載のメモリモジュールの製造方法。
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