JP2010245288A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の半導体基板11の表面側に複数の第1の集積回路17を作製する工程と、第2の半導体基板1に設けられた分離層2の上に形成された半導体層3に、複数の第2の集積回路7を作製する工程と、2つの半導体基板を接合部同士が接合するように貼り合せ、貼り合わせ構造体を得る工程と、前記分離層で前記貼り合せ構造体から前記第2の半導体基板を分離することにより、前記複数の第2の集積回路が作製された半導体層3を前記第1の半導体基板11に移設する工程と、前記第1の半導体基板11をダイシングして、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路とを有する積層チップを得る工程、とを含む半導体装置の製造方法である。
【選択図】図1
Description
第1の半導体基板11の表面側に複数の第1の集積回路17を作製する工程と、
第2の半導体基板1に設けられた分離層2の上に形成された半導体層3に、複数の第2の集積回路7を作製する工程と、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを、前記第1の集積回路の接合部16と前記第2の集積回路の接合部6とを接合するように貼り合せ、貼り合わせ構造体を得る工程と、
前記分離層で前記貼り合せ構造体から前記第3の半導体基板を分離することにより、前記複数の第2の集積回路が作製された半導体層3を前記第1の半導体基板11に移設する工程と、
前記複数の第2の集積回路が移設された前記第1の半導体基板11をダイシングして、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路とを有する積層チップを得る工程、とを含む半導体装置の製造方法である。
第1の半導体基板11の表面側に複数の第1の集積回路17を作製する工程と、
第2の半導体基板1に設けられた第1の分離層2の上に形成された第1の半導体層3に、複数の第2の集積回路7を作製する工程と、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを、前記第1の集積回路の接合部16と前記第2の集積回路の接合部6とを接合するように貼り合せ、第1の貼り合わせ構造体を得る工程と、
前記第1の分離層で前記第1の貼り合せ構造体から前記第2の半導体基板をを分離することにより、前記複数の第2の集積回路が作製された第1の半導体層3を前記第1の半導体基板11に移設する工程と、
第3の半導体基板21に設けられた第2の分離層22の上に形成された第2の半導体層23に、複数の第3の集積回路27を作製する工程と、
前記第1の半導体層3と前記第2の半導体層23とを、前記第2の集積回路の接合部8と前記第3の集積回路の接合部28とを接合するように貼り合せ、第2の貼り合わせ構造体を得る工程と、
前記第2の分離層で前記第2の貼り合せ構造体から前記第3の半導体基板をを分離することにより、前記複数の第3の集積回路27が作製された第2の半導体層23を前記第1の半導体基板に移設する工程と、
前記複数の第2及び第3の集積回路が移設された前記第1の半導体基板をダイシングして、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路と前記第3の集積回路とを有する積層チップを得る工程と、を含む半導体装置の製造方法である。
図1は、本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。
その後、必要に応じて残留する分離層2をエッチング等により除去し、半導体層3の裏面を露出させる。貫通電極4が露出するまで、半導体層3の裏面をエッチングし、貫通電極4を露出させた後、はんだや金などにより接合部8を形成する。
本実施形態は、3層以上の集積回路が作製された半導体層または半導体基板を積層するものである。
本実施形態は、本発明の半導体装置の製造方法により得られた積層チップの一部拡大図である。
2 分離層
3 半導体層
6 接合部
7 第2の集積回路
11 第1の半導体基板
16 接合部
17 第1の集積回路
Claims (7)
- 第1の半導体基板の表面側に複数の第1の集積回路を作製する工程と、
第2の半導体基板に設けられた分離層の上に形成された半導体層に、複数の第2の集積回路を作製する工程と、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを、前記第1の集積回路の接合部と前記第2の集積回路の接合部とを接合するように貼り合せ、貼り合わせ構造体を得る工程と、
前記分離層で前記貼り合せ構造体から前記第2の半導体基板を分離することにより、前記複数の第2の集積回路が作製された半導体層を前記第1の半導体基板に移設する工程と、
前記複数の第2の集積回路が移設された前記第1の半導体基板をダイシングして、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路とを有する積層チップを得る工程と、を含む半導体装置の製造方法。 - 前記接合部の無い領域において、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを接着剤で接着する工程を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接合部の無い領域に粒子状の接着剤を配置して、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを接着剤で接着する工程を含む請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の集積回路の接合部と前記第2の集積回路の接合部とを接合するように貼り合せ、前記貼り合わせ構造体の周囲に封止部材を設け、前記封止部材に設けられた開口から接着剤を前記接合部の無い領域に導入して、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを接着剤で接着する工程を含む請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の集積回路は、前記接合部に接続された貫通電極を有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の半導体基板の表面側に複数の第1の集積回路を作製する工程と、
第2の半導体基板に設けられた第1の分離層の上に形成された第1の半導体層に、複数の第2の集積回路を作製する工程と、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを、前記第1の集積回路の接合部と前記第2の集積回路の接合部とを接合するように貼り合せ、第1の貼り合わせ構造体を得る工程と、
前記第1の分離層で前記第1の貼り合せ構造体から前記第2の半導体基板を分離することにより、前記複数の第2の集積回路が作製された第1の半導体層を前記第1の半導体基板に移設する工程と、
第3の半導体基板に設けられた第2の分離層の上に形成された第2の半導体層に、複数の第3の集積回路を作製する工程と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とを、前記第2の集積回路の接合部と前記第3の集積回路の接合部とを接合するように貼り合せ、第2の貼り合わせ構造体を得る工程と、
前記第2の分離層で前記第2の貼り合せ構造体から前記第3の半導体基板を分離することにより、前記複数の第3の集積回路が作製された第2の半導体層を前記第1の半導体基板に移設する工程と、
前記複数の第2及び第3の集積回路が移設された前記第1の半導体基板をダイシングして、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路と前記第3の集積回路とを有する積層チップを得る工程と、を含む半導体装置の製造方法。 - 最上部に位置する半導体層の表面に貫通電極と短絡させた電気シールド層を形成する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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