JP2002329674A - 半導体処理チャンバ用のバルブ制御システム - Google Patents

半導体処理チャンバ用のバルブ制御システム

Info

Publication number
JP2002329674A
JP2002329674A JP2002109810A JP2002109810A JP2002329674A JP 2002329674 A JP2002329674 A JP 2002329674A JP 2002109810 A JP2002109810 A JP 2002109810A JP 2002109810 A JP2002109810 A JP 2002109810A JP 2002329674 A JP2002329674 A JP 2002329674A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
valve
electrically controlled
programmable logic
logic controller
command
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002109810A
Other languages
English (en)
Inventor
Siqing Lu
ル シクィン
Yu Chang
チャン ユ
Dongxi Sun
サン ドンシ
Vinh Dang
ダン ヴィン
Michael X Yang
エックス ヤング マイケル
Anzhong Chang
チャン アンツォーン
Anh N Nguyen
エヌ ングイェン アン
Shi Min
シ ミン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2002329674A publication Critical patent/JP2002329674A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00—Control of flow ratio
    • G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/131—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components
    • G05D11/133—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components with discontinuous action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
    • Y10T436/10—Composition for standardization, calibration, simulation, stabilization, preparation or preservation; processes of use in preparation for chemical testing
    • Y10T436/104998—Glucose, ketone, nitrate standard or control
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
    • Y10T436/12—Condition responsive control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体処理チャンバ用のバルブ制御システム
を提供すること。 【解決手段】 本発明のバル制御システム１０は、シス
テム制御コンピュータ１８及び処理チャンバに関連した
電気的に制御される複数のバルブ１２を有する。本シス
テムは、更に、システム制御コンピュータ１８と通信を
し、電気的に制御されるバルブ１２に動作的に結合され
たプログラマブル論理コントローラ（ＰＬＣ）２０を有
する。バルブの制御のためのリフレッシュタイムは１０
ミリ秒以下である。その結果、バルブの制御動作は、原
子層の堆積プロセスにおける非常に速い繰返しサイクル
に必要な時間期間を著しく長くしない。ハードウエアイ
ンターロック３４がプログラマブル論理コントローラ２
０の出力電源（ＰＳ）３２によって実現される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造プロ
セスに関し、特に、堆積チャンバを制御するための装置
および方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体デバイスは、コンピュータ、モニ
ター等に使用される基板、例えばシリコンウエハまたは
ガラス板上に作られる。これらのデバイスは、製造ステ
ップ、例えば薄膜の堆積、酸化またはニトロ化、エッチ
ング、ポリッシング（研磨）、および熱とリソグラフィ
処理のシーケンスによって作られる。
【０００３】薄膜の堆積は、一般的に低圧の処理チャン
バ内で行なわれる。化学気相堆積において、ウエハまた
は他の基板が処理チャンバにロードされ、そしてウエハ
上に薄膜の形態でプロセスガスまたはプロセスガスの成
分の堆積に対して好適な条件の下でプロセスガスに曝さ
れる。
【０００４】化学気相堆積法には多くの異なる種類があ
り、近年に開発された化学気相堆積法は、原子層堆積(a
tomic layer deposition: ALD)または原子層化学気相堆
積(atomic layer chemical vapor deposition: ALCVD)
と呼ばれる。原子層堆積において、多くの薄膜層は、ウ
エハが１以上のプロセスガスに交互に曝される反復プロ
セスでウエハ上に堆積される。ＡＬＤプロセスの各サイ
クルは、プロセスガスまたはパージガスの処理チャンバ
への流れを制御する多くのバルブの開閉を伴っている。
各々のサイクルは何回も繰り返されるので、バルブの開
閉命令を発生し、送り及び実行するのに必要な時間は、
ＡＬＤプロセスを完了するのに必要な全体の経過時間に
おける重要なファクターである。本願の発明者は、ＡＬ
Ｄプロセスに対するスループットを改善するキーは、バ
ルブの制御命令に対するリフレッシュ時間を短くするこ
とにあることを認識した。ここで、“リフレッシュ時
間”とは、命令を発生し、送り且つ実行するのに必要な
時間である。
【０００５】
【発明の概要】本発明によれば、半導体処理チャンバ用
のバルブ制御システムが提供される。このバルブ制御シ
ステムは、システム制御コンピュータ、およびプロセス
チャンバと関連した電気的に制御される複数のバルブを
有する。バルブ制御システムは、更に、システム制御コ
ンピュータと通信し、電気的に制御されるバルブに動作
的に結合されるプログラマブル論理コントローラを有す
る。このプログラマブル論理コントローラは、１０ミリ
秒より小さなリフレッシュ時間、好ましくは１ミリ秒の
オーダのリフレッシュ時間で電気的に制御されるバルブ
を制御することができる。
【０００６】さらに、バルブ制御システムは、プログラ
マブル論理コントローラを電気的に制御されるバルブに
結合するインタフェースボード及び駆動回路を有する。
インタフェースボードはソリッドステートリレーを有す
ることができる。プログラマブル論理コントローラは、
プログラマブル論理コントローラからの出力信号を与え
るのに適した出力電源を有する。バルブ制御システム
は、さらに、出力電源に動作的に結合され、且つインタ
ロック状態の発生に応じて出力電源をディスエーブルす
るのに適したインターロック回路を有する。
【０００７】システム制御コンピュータは、プログラマ
ブル論理コントローラの出力電源に動作的に結合され、
オペレータの入力信号に応答して出力電源をディスエー
ブルするようにされる。バルブ制御システムは、システ
ム制御コンピュータに動作的に結合され、人間のオペレ
ータからの入力を受信するようにされる。
【０００８】バルブ制御システムの電気的に制御される
複数のバルブは、第１のバルブ、第２のバルブ、および
第３のバルブを有している。第１のバルブは第１のプロ
セスガス源に結合され、第２のバルブは第２のプロセス
ガス源に結合され、そして第３のバルブはパージガス源
に結合されている。
【０００９】本発明の他の特徴によれば、半導体処理チ
ャンバに関連したバルブを動作する方法が提供される。
この方法は、バルブ用の動作命令を発生し、発生した動
作命令をバルブへ送り、そしてバルブにおいて送られた
動作命令を実行する。発生し送り、そして実行するステ
ップは、全て１０ミリ秒を越えない時間周期内に行なわ
れる。
【００１０】本発明の更に他の特徴によれば、半導体処
理チャンバと関連したバルブを動作する方法が提供され
る。この方法は、電気的に制御されるバルブを備え、且
つシステム制御コンピュータからプログラマブル論理コ
ントローラへのプロセスレシピ命令をダウンロードする
ステップを有する。この方法は、更に、ダウンロードさ
れたプロセスレシピ命令にしたがってプログラマブル論
理コントローラにおいて開閉命令を繰返し発生するステ
ップを有する。更に、この方法には、プログラマブル論
理コントローラから電気的に制御されるバルブへ開閉命
令を送るステップ、および送られた開閉命令に応答して
電気的制御されたバルブを繰返し開閉するステップが含
まれる。
【００１１】本発明のこの特徴による方法は、更に、電
気的に制御されるバルブの開に応答して、プロセスガス
またはパージガスを半導体処理チャンバへ流すステップ
を有する。
【００１２】本発明に従って配列されたバルブ制御シス
テムの場合、プロセスガスまたはパージガス用の開閉バ
ルブへの命令は、１ミリ秒のオーダのリフレッシュ時間
で発生され、実行される。このような急速なリフレッシ
ュ時間では、ＡＬＤに必要な繰り返しのガスフローサイ
クルは、効率的な方法で行なわれ、それによりスループ
ットを増大する。
【００１３】本発明の特徴は、安全性の条件が満たされ
るように、プログラマブル論理コントローラの出力電源
によって動作するハードウエアのインターロックを必要
とする。さらに、本発明の特徴によれば、ソリッドステ
ートリレーがＰＬＣをバルブと相互接続するインタフェ
ース回路に用いられる。ソリッドステートリレーの使用
によって、本システムは、ＡＬＤ処理が非常に多くの開
閉サイクルが必要とされるにも拘わらず、長時間動作す
ること（長寿命）が可能になる。
【００１４】本発明の他の特徴及び利点は、以下の好適
な実施の形態の詳細な説明、請求項及び図面から明らか
になるであろう。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の実施の
形態によって設けられたバルブ制御システムを説明す
る。図１は、本発明のバルブ制御システムの概略ブロッ
ク図である。図１において、参照符号１０は、一般にバ
ルブ制御システムと呼ぶ。このバルブ制御システムは、
処理チャンバ１４に関連して備えられる電気的に制御さ
れる、複数のバルブ１２を制御するためのものである。
処理チャンバ１４は、ＡＬＤ処理に対してスループット
を最適にするように変更された、従来の化学気相堆積チ
ャンバであればよい。処理チャンバ１４の変更は、処理
チャンバ１４の蓋に直接バルブ１２を設置し、処理チャ
ンバ１４におけるガス分配備品（図示せず）に非常に近
い基板（図示せず）のための処理位置を設けることを含
んでいる。これらの変更の何れもガスに曝すサイクル時
間を最小にするよう設計されている。
【００１６】前述のように、バルブ１２は電気的に制御
されるバルブであり、カリフォルニア州サンタクララに
あるFujikin of America Inc.から利用可能である好適
な形式のＮＣバルブである。各バルブ１２は、それぞれ
のガス源１６に接続されている。ガス源１６は、２つ以
上のプロセスガス源及びパージガス源を有することがで
きる。
【００１７】バルブ制御システム１０は、システム制御
コンピュータ１８、および通信チャネル２２を介してシ
ステム制御コンピュータ１８とデータ通信をするプログ
ラマブル論理コントローラ（ＰＬＣ）２０を有する。シ
ステム制御コンピュータ１８およびＰＬＣ２０は、シス
テム制御コンピュータ１８がバルブ１２の制御をＰＬＣ
２０にさせるように、マスタースレーブ装置に従って動
作するようプログラムされる。特に、システム制御コン
ピュータ１８はバルブ動作のレシピを定めるデータをＰ
ＬＣ２０にダウンロードすることができ、その後ＰＬＣ
２０はバルブ１２を制御してダウンロードされたバルブ
制御レシピを遂行する。
【００１８】システム制御コンピュータ１８は、処理チ
ャンバ１４の動作を制御するようにプログラムされた従
来のパーソナルコンピュータであってもよい。ＰＬＣ１
０にさせるプロセス及びパージガスのバルブ制御機能と
は別に、システム制御コンピュータ１８は、例えばヒー
タ、リフト、ポンプおよびバルブ、例えばＰＬＣ２０に
よって制御されるバルブ１２とは異なる排気バルブを含
む、処理チャンバ１４の他の全ての機能を制御すること
ができる。オペレータの入力を受け取るようにされた従
来の制御パネル２４が、システム制御コンピュータ１８
に接続されている。
【００１９】ＰＬＣ２０は、インタフェースボード２６
と駆動装置２８を介してバルブ１２へ接続されている。
駆動装置２８は、Fujikinによって販売されたモデル番
号23‐6C‐DRの回路によって構成することができる。イ
ンタフェースボード（Ｉ／Ｆ回路）２６のレイアウト
は、図２に概略示されている。図２は明らかであるが、
しかしインタフェースボード２６の各信号チャネルはそ
れぞれソリッドステートリレー３０を有していることが
判るであろう。インタフェースボード２６は、駆動装置
２８からＰＬＣ２０の出力を分離するように働く。
【００２０】図１に戻って、ＰＬＣ２０は、従来の装
置、例えばAllen Bradley-MicroLogixmodel 1500によっ
て構成することができる。ＰＬＣ２０は、図示されてい
ない電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）を介してＰＬＣ
２０によって出力される信号用の電力を与える出力電源
３２を有する。インターロック回路３４は、ＰＬＣ２０
の電源３２に接続される。従来例によれば、インターロ
ック回路３４はプロセス動作の瞬時の停止が必要とされ
る状態を示すセンサー信号を受け取るようにされてい
る。この状態は、“インターロック状態”、例えばガス
キャビネットのドア（図示せず）の開放、と呼ばれる。
本発明によれば、インターロック状態を示す信号を受け
取るインターロック回路３４の場合、インターロック回
路３４は、ＰＬＣ２０の電源３２をディスエーブルに
し、それにより全ての開のバルブ１２を直ちに閉めるよ
うにする。
【００２１】また、システム制御コンピュータ１８は、
電源３２をディスエーブルにするためにＰＬＣ２０の電
源に接続されており、それにより、制御パネル２４を介
して人間のオペレータからの運転停止信号を受け取る
と、開いている全てのバルブ１２を閉める。
【００２２】システム制御コンピュータ１８は、通信チ
ャネル２２を介してＡＬＣプロセス中にバルブ動作のた
めのレシピを有しているＰＬＣ２０へ命令をダウンロー
ドすることができる。さらに、ＰＬＣ２０は、データメ
ッセージを、通信チャネル２２を介してシステム制御コ
ンピュータ１８へ送ることができる。このデータメッセ
ージは、確認メッセージ及び状態メッセージ、例えば、
プロセスにおけるレシピから行なわれた多くのガス露出
サイクル、またはレシピが完了したことを示すメッセー
ジを含むことができる。
【００２３】動作において、システム制御コンピュータ
１８は、チャンバ１４内で処理するためにウエハをロー
ディングするステップ、チャンバ１４の正しい場所にウ
エハを位置決めするステップ、およびチャンバ１４から
排気するステップなどの機能を達成するために、プロセ
スチャンバ１４の要素を制御する。チャンバ１４が原子
層堆積プロセスを行なうように用意できたときに、シス
テム制御コンピュータ１８は、バルブ１２の制御による
プロセスのレシピを示すデータをＰＬＣ２０へダウンロ
ードする。ダウンロードされたデータに基づいて、ＰＬ
Ｃ２０は、インタフェースボード２６と駆動装置２８に
よって、命令信号をバルブ１２へ出力し、バルブ１２を
選択的に開閉し、それにより処理チャンバ１４内のウエ
ハをガス源１６からのガスへ選択的に曝す。
【００２４】図３は、処理チャンバ１４において行なわ
れるＡＬＤプロセスに関してＰＬＣ２０によって開始さ
れる機能のシーケンスを示すフローチャートである。
【００２５】ステップ５０が図３のプロセスにおける最
初のステップである。ステップ５０において、ＰＬＣ２
０は、初期化手続（図示せず）においてリセットされた
カウンタをインクリメントする。ステプ５０の次のステ
ップ５２において、ＰＬＣ２０はバルブ１２の第１のバ
ルブを開ける命令を発生し、出力する。バルブ１２の第
１のバルブは、例えば、シラン（ＳＩＨ4）またはジボ
ラン（Ｂ2Ｈ2）である第１のプロセスガス源に接続され
ているとする。その後、ＰＬＣ２０からの命令に応答し
て、第１のバルブが開き、そして第１のプロセスガスが
第１の処理チャンバ１４へ入り、ウエハに影響を与えて
ウエハ上に第１の薄膜を堆積する。
【００２６】第１のバルブは、所定の時間期間、例えば
数十ミリ秒の間開いた状態に保持される。その後、レシ
ピによる所定のタイミングで、ＰＬＣ２０は第１のバル
ブを閉じる命令を発生して送る（ステップ５４）。第１
のバルブは、閉じる命令に応答して、閉じる。同時に、
ＰＬＣ２０は、パージガス、例えばアルゴンの源に接続
されている第２のバルブを開ける命令を発生する（ステ
ップ５６）。その後、パージガスはチャンバ１４へ流
れ、数１００ミリ秒の所定の時間期間パージングが続
く。その後、所定のタイミングで、ＰＬＣ２０は第２の
バルブを閉める命令を発生し、それによりパージングを
終了する。
【００２７】ステップ５８にづづくステップ６０におい
て、ＰＬＣ２０はバルブ１２の第３のバルブを開ける命
令を発生して送る。第３のバルブは、第２のプロセスガ
ス、例えばフッ化タングステン（ＷＦ6）、の源に接続
されているとする。第３のバルブが開くと、第２のプロ
セスガスはチャンバ１４へ入り、ウエハに影響を与え
て、ウエハ上に第２の薄膜を堆積する。第３のバルブ
は、数十ミリ秒の所定の時間期間開いた位置に保持され
る。その後、所定のタイミングで、ＰＬＣ２０は第３の
バルブを閉める命令を発生し（ステップ６２）、同時
に、他のパージングを開始するために、第２のバルブを
開ける命令を発生する。ステップ５６のパージングと同
じ所定の時間期間の間続き、その後、ＰＬＣ２０が第２
のバルブを閉める命令を発生（ステップ６６）すると、
このパージングは終わる。
【００２８】ステップ５２‐ステップ６６において行な
ったものを概略すると、第１のプロセスガスを用いて、
薄膜がウエハ上に堆積される短いステージに、パージン
グステージが続き、その後、第２のプロセスガスを用い
て、薄膜がウエハ上に堆積される第２の短いステージが
続き、さらに第２のパージングが続く。これらの４つの
ステージは、１つのサイクルを構成すると考えられ、バ
ルブを開く４つの命令とバルブを閉める４つの命令を伴
う。１つの特徴として、制御システムが配列され、バル
ブ１２が選択され、その結果、バルブの開閉命令を発生
して送り、且つ実行するのに必要なリフレッシュ時間は
１０ミリ秒以下かかる。例えば、命令の発生と送信は１
ミリ秒以下かかり、バルブによる命令の実行は約３ミリ
秒かかる。このことは、従来の実施による、開閉する各
々のバルブに対するバルブ動作信号がシステム制御コン
ピュータ１８によって発生され、そしてシステム制御コ
ンピュータ１８から送られた場合とは異なる。この点に
関して従来の実施は、命令の発生および各々のバルブの
制御命令に１秒まで必要としたかもしれない。本発明に
より与えられた第１のリフレッシュ時間は、上において
言及された形式のバルブ１２および駆動装置２８の選択
によって、またインタフェースボード２６のソリッドス
テートリレーの使用によってサポートされる。
【００２９】ステップ６６にづづくステップは、決定ブ
ロック６８で、そこで、ＡＬＤプロセスに対するレシピ
が完了したか否かが判断される。もし、完了していない
（即ち、さらにサイクルが必要とされる）なら、図３の
手順は、カウンターがインクレメントされ、ステップ５
２‐６６のサイクルが再び行なわれるように決定ブロッ
ク６８からステップ５０へ戻る。ＡＬＤプロセスに対す
る代表的なレシピは１０〜２０サイクル程度の少なさ
か、または２００〜３００サイクル程度の多さあるいは
それ以上必要とする。レシピによって必要とされるサイ
クル数が行なわれると、ポジティブの決定がステップ６
８においてなされ、ＡＬＤプロセスが完了する（ステッ
プ７０）。これは、例えば、処理チャンバ１４からウエ
ハを取出すステップを含んでいる。
【００３０】プロセスガス及びパージガスのバルブを開
閉する命令ためのリフレッシュサイクルは、本発明の装
置では非常に短いので、ＡＬＤに対して必要な多くのバ
ルブ動作サイクルが速く行なわれ、それによりＡＬＤプ
ロセスに対するスループットを増大する。更に、本発明
の制御システムは、ハードウエアインターロックがＰＬ
Ｃ２０の出力電源を介して与えられるように、配列され
る；結果としてハードウエアインターロックを必要とす
る安全性の調節を受け入れる。更に、ＰＬＣ２０からバ
ルブ１２への信号通路は、高速で長寿命のソリッドステ
ートリレーによって実現され、その結果、短いリフレッ
シュ時間が達成され、且つ制御システムは、リレーに要
求される非常に多くの繰返し動作にもかかわらず、長持
ちする。
【００３１】さらに、本発明のシステムのために選択さ
れるバルブは、リフレッシュ時間が最小にされるように
動作命令の信号に非常に素早く応答する。
【００３２】また、ＡＬＤの処理に必要とされる非常に
多くの繰返し命令はシステム制御コンピュータ１８より
むしろＰＬＣ２０によって発生されるので、本発明のバ
ルブ制御装置は、システム制御コンピュータ上の処理負
担を軽減する利点を有する。
【００３３】図３に関して説明したサイクル動作モード
はＡＬＤ動作のための利点であるけれども、非サイクル
動作モーどの制御システム１０を動作することも考えら
れ、非サイクル動作モードでは、バルブ１２を直接開閉
する命令はシステム制御コンピュータ１８によって発生
され、ＰＬＣ２０、インタフェースボード２６および駆
動装置を介して１つづつ送られる。
【００３４】以上の説明は、本発明の好適な実施の形態
のみを説明しているが、本発明の範囲内にある上述の装
置の変更は当業者に容易に明らかであろう。従って、本
発明は、好適な実施の形態に関して説明されたけれど
も、他の実施の形態が、請求項によって定義された本発
明の精神及び範囲に入ることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に備えられたバルブ制御シ
ステムの概略ブロック図である。
【図２】図１のシステムの一部であるインタフェースの
概略図である。
【図３】ＡＬＤプロセスのためのバルブ制御動作を示す
フローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユ チャン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ フィールズ ドライ ヴ 1493 (72)発明者 ドンシ サン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ ホワイト フィ ア コート 21058 (72)発明者 ヴィン ダン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95133 サン ホセ ケイプ ハテラス ウェイ 1949 (72)発明者 マイケル エックス ヤング アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94306 パロ アルト セレザ ドライヴ 793 (72)発明者 アンツォーン チャン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ ランドルスウッド コート 5847 (72)発明者 アン エヌ ングイェン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95035 ミルピタス コロンブス ドライ ヴ 1075 (72)発明者 ミン シ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95035 ミルピタス ボウメン ウェイ 138 Ｆターム(参考） 4K030 EA03 JA20 KA41 5F045 AA03 BB08 EE17

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体処理チャンバ用のバルブ制御システ
    ムであって、 システム制御コンピュータと、 処理チャンバに関連する電気的に制御される複数のバル
    ブと、 前記システム制御コンピュータと通信をし、且つ電気的
    に制御されたバルブに動作的に結合されたプログラマブ
    ル論理コントローラと、を有することを特徴とするバル
    ブ制御システム。
  2. 【請求項２】前記プログラマブル論理コントローラは、
    １０ミリ秒以下のリフレッシュ時間で電気的に制御され
    るバルブを制御することを特徴とする請求項１に記載の
    バルブ制御システム。
  3. 【請求項３】さらに、前記プログラマブル論理コントロ
    ーラを電気的に制御されるバルブに接続するインタフェ
    ースボードと駆動回路を有することを特徴とする請求項
    １に記載のバルブ制御システム。
  4. 【請求項４】前記インタフェースボードは、ソリッドス
    テートリレーを有することを特徴とする請求項３に記載
    のバルブ制御システム。
  5. 【請求項５】前記プログラマブル論理コントローラは、
    前記プログラマブル論理コントローラからの出力信号を
    与えるようにされた出力電源を有し、さらに、前記出力
    電源に動作的に結合され、インターロック状態が発生す
    ると前記出力電源をディスエーブルするようにされたイ
    ンターロック回路を有することを特徴とする請求項１に
    記載のバルブ制御システム。
  6. 【請求項６】前記システム制御コンピュータは、前記出
    力電源に動作的に結合され、且つ、オペレータの入力信
    号に応答して、前記出力電源をディスエーブルするよう
    にされることを特徴とする請求項５に記載のバルブ制御
    システム。
  7. 【請求項７】さらに、前記システム制御コンピュータに
    動作的に結合され、且つ人間のオペレータからの入力を
    受け取るようにされている制御パネルを有することを特
    徴とする請求項６に記載のバルブ制御システム。
  8. 【請求項８】前記電気的に制御される、複数のバルブ
    は、第１のバルブ、第２のバルブおよび第３のバルブを
    有し、 第１のバルブは、第１のプロセスガス源に結合されてお
    り、 第２のバルブは、第２のプロセスガス源に結合されてお
    り、且つ、 第３のバルブは、パージガス源に結合されていることを
    特徴とする請求項１に記載のバルブ制御システム。
  9. 【請求項９】半導体処理チャンバと関連したバルブを動
    作する方法であって、 前記バルブに対する動作命令を発生するステップと、 前記発生した動作命令を前記バルブへ送るステップと、 前記送られた動作命令を前記バルブにおいて実行するス
    テップと、を有し、 前記発生するステップ、送るステップ、および実行する
    ステプは、全て１０ミリ秒を越えない時間期間内に行な
    われることを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】前記実行するステップは、前記バルブを
    開くステップを含むことを特徴とする請求項９に記載の
    方法。
  11. 【請求項１１】前記実行するステップは、前記バルブを
    閉じるステップを含むことを特徴とする請求項９に記載
    の方法。
  12. 【請求項１２】さらに、前記発生するステップ、送るス
    テップ、および実行するステプを少なくとも１０サイク
    ル繰返すことを特徴とする請求項９に記載の方法。
  13. 【請求項１３】前記発生するステップ、送るステップ、
    および実行するステプは、少なくとも２００サイクル繰
    返されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
  14. 【請求項１４】半導体処理チャンバと関連したバルブを
    動作する方法であって、 電気的に制御されるバルブを設けるステップと、 システム制御コンピュータからプログラマブル論理コン
    トローラへのプロセスレシピ命令をダウンロードするス
    テップと、 前記ダウンロードされたプロセスレシピ命令に従って、
    前記プログラマブル論理コントローラにおいて開閉命令
    を繰返し発生するステップと、 前記プログラマブル論理コントローラから電気的に制御
    されるバルブへ前記開閉命令を送るステップと、 前記送られた開閉命令に応答して、電気的に制御される
    バルブを繰返し開閉するステップと、を有することを特
    徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 さらに、電気的に制御されるバルブの
    開きに応答して、前記半導体処理チャンバへプロセスガ
    スを流すステップを有することを特徴とする請求項１４
    に記載の方法。
  16. 【請求項１６】さらに、電気的に制御されるバルブの開
    きに応答して、前記半導体処理チャンバへパージガスを
    流すステップを有することを特徴とする請求項１４に記
    載の方法。
  17. 【請求項１７】システム制御コンピュータおよび半導体
    処理チャンバと関連した少なくとも１つの電気的に制御
    されるバルブと通信するようにされたプログラマブル論
    理コントローラを有する装置であって、 前記プログラマブル論理コントローラは、さらに、前記
    少なくとも１つのバルブに対して動作命令を発生し、且
    つ、 前記少なくとも１つのバルブへ前記発生した動作命令を
    送って、前記少なくとも１つのバルブにおいて前記送ら
    れた動作命令を実行するようにされており、且つ、 前記発生、送り、および実行のステップは、全て１０ミ
    リ秒を越えない時間期間内に行なわれることを特徴とす
    る装置。
  18. 【請求項１８】システム制御コンピュータおよび半導体
    処理チャンバと関連した少なくとも１つの電気的に制御
    されるバルブと通信するようにされたプログラマブル論
    理コントローラを有する装置であって、 前記プログラマブル論理コントローラは、さらに、前記
    システム制御コンピュータからプロセスレシピ命令をダ
    ウンロードし、 前記ダウンロードされたプロセスレシピ命令に従って開
    閉命令を繰返し発生し、且つ、 前記少なくとも１つの電気的に制御されるバルブへ前記
    開閉命令を送って、前記少なくとも１つの電気的に制御
    されるバルブを繰返し開閉するようにすることを特徴と
    する装置。
  19. 【請求項１９】半導体処理チャンバと関連した少なくと
    も１つの電気的に制御されるバルブ、およびシステム制
    御コンピュータおよび前記少なくとも１つの電気的に制
    御されるバルブと通信するようにされたプログラマブル
    論理コントローラを有するシステムであって、 前記プログラマブル論理コントローラは、さらに、前記
    少なくとも１つのバルブに対して動作命令を発生し、前
    記少なくとも１つのバルブへ前記発生した動作命令を送
    り、および前記少なくとも１つのバルブにおいて前記送
    られた動作命令を実行するようにようにされており、且
    つ、 前記発生、送り、および実行のステップは、全て１０ミ
    リ秒を越えない時間期間内に行なわれることを特徴とす
    るシステム。
  20. 【請求項２０】前記プログラマブル論理コントローラ
    は、少なくとも１つのソリッドステートリレーを介して
    前記少なくとも１つの電気的に制御されるバルブと通信
    するようにされていることを特徴とする請求項１９に記
    載のシステム。
  21. 【請求項２１】半導体処理チャンバと関連した少なくと
    も１つの電気的に制御されるバルブ、およびシステム制
    御コンピュータおよび前記少なくとも１つの電気的に制
    御されるバルブと通信するようにされたプログラマブル
    論理コントローラを有するシステムであって、 前記プログラマブル論理コントローラは、前記システム
    制御コンピュータからのプロセスレシピ命令をダウンロ
    ードし、 前記ダウンロードされたプロセスレシピ命令にしたがっ
    て、開閉命令を繰返し発生し、且つ、 前記少なくとも１つの電気的に制御されるバルブへ前記
    開閉命令を送って、前記少なくとも１つの電気的に制御
    されるバルブを繰返し開閉するようにされていることを
    特徴とするシステム。
  22. 【請求項２２】前記プログラマブル論理コントローラ
    は、少なくとも１つのソリッドステートリレーを介して
    前記少なくとも１つの電気的に制御されるバルブと通信
    をするようにされていることを特徴とする請求項２１に
    記載のシステム。
  23. 【請求項２３】半導体処理チャンバに関連した電気に制
    御される複数のバルブと、 前記電気に制御される複数のバルブに結合された複数の
    駆動装置と、 前記複数の駆動装置に結合された複数のソリッドステー
    トリレーと、 システム制御コンピュータおよび前記電気に制御される
    複数のバルブと通信をするようにされ、前記複数のソリ
    ッドステートリレーに結合されたプログラマブル論理コ
    ントローラと、を有するシステムであって、 前記プログラマブル論理コントローラは、各々の電気的
    に制御されるバルブに対して、前記バルブに対して動作
    命令を発生し、前記バルブに前記発生された動作命令を
    送り、および前記バルブにおいて前記送られた動作命令
    を実行するようにようにされており、且つ前記発生、送
    り、および実行ステップは、全て１０ミリ秒を越えない
    時間期間内に行なわれることを特徴とするシステム。
  24. 【請求項２４】半導体処理チャンバと関連した電気に制
    御される複数のバルブと、 前記電気に制御される複数のバルブに結合された複数の
    駆動装置と、 前記複数の駆動装置に結合された複数のソリッドステー
    トリレーと、 システム制御コンピュータおよび前記電気に制御される
    複数のバルブと通信をするようにされ、前記複数のソリ
    ッドステートリレーに結合されたプログラマブル論理コ
    ントローラと、を有するシステムであって、 前記プログラマブル論理コントローラは、前記システム
    制御コンピュータからのプロセスレシピ命令をダウンロ
    ードし、 前記ダウンロードされたプロセスレシピ命令に従って、
    開閉命令を繰返し発生し、且つ、 前記電気的に制御された複数のバルブの１つまたはそれ
    以上へ前記開閉命令を送って、前記電気的に制御された
    複数のバルブの１つまたはそれ以上を繰返し開閉するよ
    うにすることを特徴とするシステム。
JP2002109810A 2001-03-07 2002-03-07 半導体処理チャンバ用のバルブ制御システム Pending JP2002329674A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/800,881 US6734020B2 (en) 2001-03-07 2001-03-07 Valve control system for atomic layer deposition chamber
US09/800881 2001-03-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002329674A true JP2002329674A (ja) 2002-11-15

Family

ID=25179620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002109810A Pending JP2002329674A (ja) 2001-03-07 2002-03-07 半導体処理チャンバ用のバルブ制御システム

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6734020B2 (ja)
JP (1) JP2002329674A (ja)
KR (1) KR20020071765A (ja)
CN (1) CN1529839A (ja)
AU (1) AU2002255664A1 (ja)
TW (1) TW569310B (ja)
WO (1) WO2002073329A2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243119A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2011159279A (ja) * 2010-01-07 2011-08-18 Canon Anelva Corp 真空処理装置及びｐｌｃでのパラメータ処理方法
JP2013151723A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びプロセス状態の確認方法
JP2013543540A (ja) * 2010-09-29 2013-12-05 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド 複数流路パルスガス供給システムのための方法およびその装置
US8834631B2 (en) 2012-01-16 2014-09-16 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and valve operation checking method
US8997686B2 (en) 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10031531B2 (en) 2011-02-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery
US10126760B2 (en) 2011-02-25 2018-11-13 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10353408B2 (en) 2011-02-25 2019-07-16 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
KR20200120514A (ko) 2019-04-11 2020-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치 및 처리 방법

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6671223B2 (en) * 1996-12-20 2003-12-30 Westerngeco, L.L.C. Control devices for controlling the position of a marine seismic streamer
JP3741253B2 (ja) * 1999-12-24 2006-02-01 富士通株式会社 薬品製造装置
US6951804B2 (en) * 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US7037574B2 (en) 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
JP2005504885A (ja) * 2001-07-25 2005-02-17 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US7780789B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Vortex chamber lids for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US7175713B2 (en) * 2002-01-25 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
ES2263734T3 (es) * 2002-03-15 2006-12-16 Vhf Technologies Sa Aparato y procedimiento para fabricar dispositivos semi-conductores flexibles.
US6861094B2 (en) * 2002-04-25 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming thin layers of materials on micro-device workpieces
KR100445298B1 (ko) * 2002-05-03 2004-08-21 씨앤에스엔지니어링 주식회사 인터페이스 보드
US7354555B2 (en) * 2002-05-08 2008-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas flow control system with interlock
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US20040069227A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US7071118B2 (en) * 2003-11-12 2006-07-04 Veeco Instruments, Inc. Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
ATE444380T1 (de) * 2004-06-28 2009-10-15 Cambridge Nanotech Inc Atomlagenabscheidungssystem und -verfahren
GB0500223D0 (en) * 2005-01-07 2005-02-16 Imi Norgren Ltd Communication system
US20060216548A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Ming Mao Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition
US20060272577A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Ming Mao Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film
KR100694666B1 (ko) * 2005-08-24 2007-03-13 삼성전자주식회사 원자층 증착 챔버의 에어 밸브 장치
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) * 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
CN101448977B (zh) * 2005-11-04 2010-12-15 应用材料股份有限公司 用于等离子体增强的原子层沉积的设备和工艺
KR100725102B1 (ko) * 2006-01-24 2007-06-04 삼성전자주식회사 이온주입설비의 러핑밸브 오동작 감지장치
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7601648B2 (en) 2006-07-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
TWI410518B (zh) * 2006-10-24 2013-10-01 Applied Materials Inc 用於原子層沉積的渦流室蓋
US7775508B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US7692222B2 (en) * 2006-11-07 2010-04-06 Raytheon Company Atomic layer deposition in the formation of gate structures for III-V semiconductor
US20080206987A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
US20100059059A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Perry Baromedical Corporation Hyperbaric chamber
GB0819183D0 (en) * 2008-10-20 2008-11-26 Univ Gent Atomic layer deposition powder coating
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US20100266765A1 (en) * 2009-04-21 2010-10-21 White Carl L Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate
US9284643B2 (en) * 2010-03-23 2016-03-15 Pneumaticoat Technologies Llc Semi-continuous vapor deposition process for the manufacture of coated particles
US8936831B2 (en) * 2012-02-03 2015-01-20 Uchicago Argonne, Llc Method for fluidizing and coating ultrafine particles, device for fluidizing and coating ultrafine particles
US20130237063A1 (en) * 2012-03-09 2013-09-12 Seshasayee Varadarajan Split pumping method, apparatus, and system
WO2014143002A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Numatics, Incorporated Valve manifold circuit board with serial communication circuit line
US10006557B2 (en) * 2013-03-15 2018-06-26 Asco, L.P. Valve manifold circuit board with serial communication and control circuit line
KR101456939B1 (ko) * 2013-09-16 2014-11-03 대진대학교 산학협력단 코어-쉘 구조를 갖는 나노 입자의 인시튜 제조시스템 및 그 방법
JP6697706B2 (ja) * 2015-12-07 2020-05-27 凸版印刷株式会社 原子層堆積装置
US10256075B2 (en) 2016-01-22 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves
CN111101115B (zh) * 2018-10-25 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 气路切换装置及其控制方法、半导体加工设备
JP6789354B1 (ja) * 2019-06-25 2020-11-25 株式会社アルバック 表面処理方法
US11586573B2 (en) * 2020-11-18 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Distributed input/output (IO) control and interlock ring architecture
CN115562107A (zh) * 2022-09-27 2023-01-03 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 基于Ether CAT极速控制技术的阀控系统

Family Cites Families (207)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI117944B (fi) 1999-10-15 2007-04-30 Asm Int Menetelmä siirtymämetallinitridiohutkalvojen kasvattamiseksi
FI118158B (sv) 1999-10-15 2007-07-31 Asm Int Förfarande för modifiering av utgångsämneskemikalierna i en ALD-prosess
SE393967B (sv) 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
FI57975C (fi) 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
US4263091A (en) 1980-01-25 1981-04-21 Phillips Petroleum Company Fluid flow control
US4389973A (en) 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
FI64878C (fi) 1982-05-10 1984-01-10 Lohja Ab Oy Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
JPS6065712A (ja) 1983-09-20 1985-04-15 Toshiba Corp 酸化けい素被膜の形成方法
US4542044A (en) * 1983-11-17 1985-09-17 Owens-Corning Fiberglas Corporation Method and apparatus to automatically apply a liquid dust inhibitor to fiberglass blowing wool
US5259881A (en) 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US4571319A (en) 1984-04-05 1986-02-18 General Motors Corporation Method and apparatus for producing polymer articles having different properties in different regions of the articles
US5693139A (en) 1984-07-26 1997-12-02 Research Development Corporation Of Japan Growth of doped semiconductor monolayers
JPH0766910B2 (ja) 1984-07-26 1995-07-19 新技術事業団 半導体単結晶成長装置
GB2162207B (en) 1984-07-26 1989-05-10 Japan Res Dev Corp Semiconductor crystal growth apparatus
US5294286A (en) 1984-07-26 1994-03-15 Research Development Corporation Of Japan Process for forming a thin film of silicon
US5250148A (en) 1985-05-15 1993-10-05 Research Development Corporation Process for growing GaAs monocrystal film
JPS6291495A (ja) 1985-10-15 1987-04-25 Nec Corp 半導体薄膜気相成長法
US4829022A (en) 1985-12-09 1989-05-09 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method for forming thin films of compound semiconductors by flow rate modulation epitaxy
US4835701A (en) 1986-04-23 1989-05-30 Kawasaki Steel Corp. Post-mix method and system for supply of powderized materials
US4917556A (en) 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4838983A (en) 1986-07-03 1989-06-13 Emcore, Inc. Gas treatment apparatus and method
US4767494A (en) 1986-07-04 1988-08-30 Nippon Telegraph & Telephone Corporation Preparation process of compound semiconductor
JPH0834180B2 (ja) 1986-08-26 1996-03-29 セイコー電子工業株式会社 化合物半導体薄膜の成長方法
JPH0639357B2 (ja) 1986-09-08 1994-05-25 新技術開発事業団 元素半導体単結晶薄膜の成長方法
US5246536A (en) 1986-09-08 1993-09-21 Research Development Corporation Of Japan Method for growing single crystal thin films of element semiconductor
JP2587623B2 (ja) 1986-11-22 1997-03-05 新技術事業団 化合物半導体のエピタキシヤル結晶成長方法
JP2929291B2 (ja) 1986-12-04 1999-08-03 セイコーインスツルメンツ株式会社 絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4951601A (en) 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US5882165A (en) 1986-12-19 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Multiple chamber integrated process system
US5923985A (en) 1987-01-05 1999-07-13 Seiko Instruments Inc. MOS field effect transistor and its manufacturing method
DE3704505A1 (de) 1987-02-13 1988-08-25 Leybold Ag Einlegegeraet fuer vakuumanlagen
JPH0727861B2 (ja) 1987-03-27 1995-03-29 富士通株式会社 ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体結晶の成長方法
JPH0812844B2 (ja) 1987-03-27 1996-02-07 日本電気株式会社 ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体およびその形成方法
DE3721637A1 (de) 1987-06-30 1989-01-12 Aixtron Gmbh Gaseinlass fuer eine mehrzahl verschiedener reaktionsgase in reaktionsgefaesse
US5348911A (en) 1987-06-30 1994-09-20 Aixtron Gmbh Material-saving process for fabricating mixed crystals
JPH0666274B2 (ja) 1987-07-01 1994-08-24 日本電気株式会社 ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体の形成方法
EP0297867B1 (en) 1987-07-01 1993-10-06 Nec Corporation A process for the growth of iii-v group compound semiconductor crystal on a si substrate
FI81926C (fi) 1987-09-29 1990-12-10 Nokia Oy Ab Foerfarande foer uppbyggning av gaas-filmer pao si- och gaas-substrater.
DE3743938C2 (de) 1987-12-23 1995-08-31 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zum Atomschicht-Epitaxie-Aufwachsen einer III/V-Verbindungshalbleiter-Dünnschicht
FR2626110A1 (fr) 1988-01-19 1989-07-21 Thomson Csf Procede de realisation par epitaxie d'une couche d'un materiau supraconducteur
US5166092A (en) 1988-01-28 1992-11-24 Fujitsu Limited Method of growing compound semiconductor epitaxial layer by atomic layer epitaxy
US5130269A (en) 1988-04-27 1992-07-14 Fujitsu Limited Hetero-epitaxially grown compound semiconductor substrate and a method of growing the same
DE3851701T2 (de) 1988-06-03 1995-03-30 Ibm Verfahren zur Herstellung künstlicher Hochtemperatur-Supraleiter mit mehrschichtiger Struktur.
US4927670A (en) 1988-06-22 1990-05-22 Georgia Tech Research Corporation Chemical vapor deposition of mixed metal oxide coatings
US5234561A (en) 1988-08-25 1993-08-10 Hauzer Industries Bv Physical vapor deposition dual coating process
US4931132A (en) 1988-10-07 1990-06-05 Bell Communications Research, Inc. Optical control of deposition of crystal monolayers
US5071320A (en) 1988-11-03 1991-12-10 Bahm, Inc. Control system and method for chemical injectors
US5013683A (en) 1989-01-23 1991-05-07 The Regents Of The University Of California Method for growing tilted superlattices
JPH0824191B2 (ja) 1989-03-17 1996-03-06 富士通株式会社 薄膜トランジスタ
US5186718A (en) 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
EP0413982B1 (en) 1989-07-27 1997-05-14 Junichi Nishizawa Impurity doping method with adsorbed diffusion source
US5028565A (en) 1989-08-25 1991-07-02 Applied Materials, Inc. Process for CVD deposition of tungsten layer on semiconductor wafer
JP2926798B2 (ja) 1989-11-20 1999-07-28 国際電気株式会社 連続処理エッチング方法及びその装置
EP0430274A3 (en) 1989-12-01 1993-03-24 Seiko Instruments Inc. Method of producing bipolar transistor
US5290748A (en) 1990-01-16 1994-03-01 Neste Oy Polymerization catalyst for olefines
FI84562C (fi) 1990-01-16 1991-12-27 Neste Oy Foerfarande och anordning foer framstaellning av heterogena katalysatorer.
FI87892C (fi) 1991-07-16 1993-03-10 Neste Oy Foerfarande foer framstaellning av heterogena katalysatorer med oenskad metallhalt
US5338389A (en) 1990-01-19 1994-08-16 Research Development Corporation Of Japan Method of epitaxially growing compound crystal and doping method therein
JPH07105497B2 (ja) 1990-01-31 1995-11-13 新技術事業団 半導体デバイス及びその製造方法
JP2822536B2 (ja) 1990-02-14 1998-11-11 住友電気工業株式会社 立方晶窒化ホウ素薄膜の形成方法
US5316615A (en) 1990-03-23 1994-05-31 International Business Machines Corporation Surfactant-enhanced epitaxy
US5173474A (en) 1990-04-18 1992-12-22 Xerox Corporation Silicon substrate having an epitaxial superconducting layer thereon and method of making same
JPH042699A (ja) 1990-04-18 1992-01-07 Mitsubishi Electric Corp 結晶成長方法
US5091320A (en) 1990-06-15 1992-02-25 Bell Communications Research, Inc. Ellipsometric control of material growth
US5225366A (en) 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
US5483919A (en) 1990-08-31 1996-01-16 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Atomic layer epitaxy method and apparatus
DE4027628A1 (de) 1990-08-31 1992-03-05 Wolters Peter Fa Vorrichtung zur steuerung oder regelung von laepp-, hon- oder poliermaschinen
US5085885A (en) 1990-09-10 1992-02-04 University Of Delaware Plasma-induced, in-situ generation, transport and use or collection of reactive precursors
US5286296A (en) 1991-01-10 1994-02-15 Sony Corporation Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means
US5705224A (en) 1991-03-20 1998-01-06 Kokusai Electric Co., Ltd. Vapor depositing method
US5316793A (en) 1992-07-27 1994-05-31 Texas Instruments Incorporated Directed effusive beam atomic layer epitaxy system and method
US5270247A (en) 1991-07-12 1993-12-14 Fujitsu Limited Atomic layer epitaxy of compound semiconductor
US6001669A (en) 1991-09-09 1999-12-14 Philips Electronics North America Corporation Method for producing II-VI compound semiconductor epitaxial layers having low defects
US5311055A (en) 1991-11-22 1994-05-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Trenched bipolar transistor structures
JP2987379B2 (ja) 1991-11-30 1999-12-06 科学技術振興事業団 半導体結晶のエピタキシャル成長方法
US5336324A (en) 1991-12-04 1994-08-09 Emcore Corporation Apparatus for depositing a coating on a substrate
US5397428A (en) 1991-12-20 1995-03-14 The University Of North Carolina At Chapel Hill Nucleation enhancement for chemical vapor deposition of diamond
US5480818A (en) 1992-02-10 1996-01-02 Fujitsu Limited Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor
US5256244A (en) 1992-02-10 1993-10-26 General Electric Company Production of diffuse reflective coatings by atomic layer epitaxy
US5458084A (en) 1992-04-16 1995-10-17 Moxtek, Inc. X-ray wave diffraction optics constructed by atomic layer epitaxy
DE69328929T2 (de) 1992-05-22 2000-11-02 Minnesota Mining & Mfg Ii-vi laserdioden mit durch atomlagen- und migrationsverstaerkte epitaxie aufgewachsenen quantum wells
US5278435A (en) 1992-06-08 1994-01-11 Apa Optics, Inc. High responsivity ultraviolet gallium nitride detector
FI91422C (fi) 1992-06-18 1994-06-27 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laitteisto nestemäisten reagenssien syöttämiseksi kemialliseen reaktoriin
JPH0750690B2 (ja) 1992-08-21 1995-05-31 日本電気株式会社 ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピタキシャル成長方法とその装置
JP3405466B2 (ja) 1992-09-17 2003-05-12 富士通株式会社 流体切替弁および半導体装置の製造装置
US5532511A (en) 1992-10-23 1996-07-02 Research Development Corp. Of Japan Semiconductor device comprising a highspeed static induction transistor
US5455072A (en) 1992-11-18 1995-10-03 Bension; Rouvain M. Initiation and bonding of diamond and other thin films
JPH06177349A (ja) 1992-12-02 1994-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高密度ｄｒａｍの製造方法および高密度ｄｒａｍ
US5607009A (en) 1993-01-28 1997-03-04 Applied Materials, Inc. Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor
JP3265042B2 (ja) 1993-03-18 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP3124861B2 (ja) 1993-03-24 2001-01-15 富士通株式会社 薄膜成長方法および半導体装置の製造方法
US5443647A (en) 1993-04-28 1995-08-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method and apparatus for depositing a refractory thin film by chemical vapor deposition
US5330610A (en) 1993-05-28 1994-07-19 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method of digital epilaxy by externally controlled closed-loop feedback
JPH0729897A (ja) 1993-06-25 1995-01-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6130147A (en) 1994-04-07 2000-10-10 Sdl, Inc. Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials
JP3181171B2 (ja) 1994-05-20 2001-07-03 シャープ株式会社 気相成長装置および気相成長方法
US5665640A (en) 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
JP3008782B2 (ja) 1994-07-15 2000-02-14 信越半導体株式会社 気相成長方法およびその装置
US5796116A (en) 1994-07-27 1998-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility
US5641984A (en) 1994-08-19 1997-06-24 General Electric Company Hermetically sealed radiation imager
TW295677B (ja) 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5730801A (en) 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US5644128A (en) 1994-08-25 1997-07-01 Ionwerks Fast timing position sensitive detector
US6158446A (en) 1994-11-14 2000-12-12 Fsi International Ultra-low particle semiconductor cleaner
JPH08148431A (ja) 1994-11-24 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp Ｍｂｅ装置、及びガス分岐配管装置
FI97730C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI100409B (fi) 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI97731C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
WO1996018756A1 (en) 1994-12-16 1996-06-20 Nkt Research Center A/S A PA-CVD PROCESS FOR DEPOSITION OF A SOLID METAL-CONTAINING FILM ONTO A SUBSTRATE CONTAINING AT LEAST 50 % of Fe or WC
JP3288200B2 (ja) 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JPH0922896A (ja) 1995-07-07 1997-01-21 Toshiba Corp 金属膜の選択的形成方法
US6050283A (en) * 1995-07-07 2000-04-18 Air Liquide America Corporation System and method for on-site mixing of ultra-high-purity chemicals for semiconductor processing
KR100310249B1 (ko) 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US5672054A (en) 1995-12-07 1997-09-30 Carrier Corporation Rotary compressor with reduced lubrication sensitivity
US6084302A (en) 1995-12-26 2000-07-04 Micron Technologies, Inc. Barrier layer cladding around copper interconnect lines
FI107533B (fi) 1996-04-03 2001-08-31 Fortum Oil & Gas Oy Kemiallisten reaktioiden suorittamiseen tarkoitetut funktionaaliset pinnat ja menetelmä niiden valmistamiseksi
US5667592A (en) 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5788799A (en) 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US6062798A (en) 1996-06-13 2000-05-16 Brooks Automation, Inc. Multi-level substrate processing apparatus
US5747113A (en) 1996-07-29 1998-05-05 Tsai; Charles Su-Chang Method of chemical vapor deposition for producing layer variation by planetary susceptor rotation
US5830270A (en) 1996-08-05 1998-11-03 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. CaTiO3 Interfacial template structure on semiconductor-based material and the growth of electroceramic thin-films in the perovskite class
US5916365A (en) 1996-08-16 1999-06-29 Sherman; Arthur Sequential chemical vapor deposition
JP2923753B2 (ja) 1996-08-21 1999-07-26 工業技術院長 Ｉｉｉ族原子層の形成方法
KR100216542B1 (ko) 1996-08-27 1999-08-16 정선종 펄스 레이저 증착장치용 멀티 타겟 구동장치
FI100758B (fi) 1996-09-11 1998-02-13 Planar Internat Oy Ltd Menetelmä ZnS:Mn-loisteainekerroksen kasvattamiseksi ohutkalvoelektrol uminenssikomponentteja varten
US5835677A (en) 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
US5923056A (en) 1996-10-10 1999-07-13 Lucent Technologies Inc. Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US5807792A (en) 1996-12-18 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Uniform distribution of reactants in a device layer
US6043177A (en) 1997-01-21 2000-03-28 University Technology Corporation Modification of zeolite or molecular sieve membranes using atomic layer controlled chemical vapor deposition
US6051286A (en) 1997-02-12 2000-04-18 Applied Materials, Inc. High temperature, high deposition rate process and apparatus for depositing titanium layers
US5879459A (en) 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
US5855675A (en) 1997-03-03 1999-01-05 Genus, Inc. Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes
US6174377B1 (en) 1997-03-03 2001-01-16 Genus, Inc. Processing chamber for atomic layer deposition processes
JPH10308283A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Denso Corp Ｅｌ素子およびその製造方法
US5866795A (en) 1997-03-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Liquid flow rate estimation and verification by direct liquid measurement
US6026762A (en) 1997-04-23 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved remote microwave plasma source for use with substrate processing systems
US5851849A (en) 1997-05-22 1998-12-22 Lucent Technologies Inc. Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography
US6140237A (en) 1997-06-16 2000-10-31 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Damascene process for forming coplanar top surface of copper connector isolated by barrier layers in an insulating layer
US5882413A (en) 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US5904565A (en) 1997-07-17 1999-05-18 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Low resistance contact between integrated circuit metal levels and method for same
US6287965B1 (en) 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
KR100385946B1 (ko) 1999-12-08 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자
KR100269306B1 (ko) 1997-07-31 2000-10-16 윤종용 저온처리로안정화되는금속산화막으로구성된완충막을구비하는집적회로장치및그제조방법
US5904569A (en) 1997-09-03 1999-05-18 National Semiconductor Corporation Method for forming self-aligned vias in multi-metal integrated circuits
US5801634A (en) 1997-09-08 1998-09-01 Sony Corporation Signal tower controller
KR100274603B1 (ko) 1997-10-01 2001-01-15 윤종용 반도체장치의제조방법및그의제조장치
US6110556A (en) 1997-10-17 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries
KR100252049B1 (ko) 1997-11-18 2000-04-15 윤종용 원자층 증착법에 의한 알루미늄층의 제조방법
US5972430A (en) 1997-11-26 1999-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Digital chemical vapor deposition (CVD) method for forming a multi-component oxide layer
US6099904A (en) 1997-12-02 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Low resistivity W using B2 H6 nucleation step
FI104383B (fi) 1997-12-09 2000-01-14 Fortum Oil & Gas Oy Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi
TW439151B (en) 1997-12-31 2001-06-07 Samsung Electronics Co Ltd Method for forming conductive layer using atomic layer deposition process
KR100269328B1 (ko) 1997-12-31 2000-10-16 윤종용 원자층 증착 공정을 이용하는 도전층 형성방법
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6117244A (en) 1998-03-24 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Deposition resistant lining for CVD chamber
US6316098B1 (en) 1998-03-27 2001-11-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions
US6025627A (en) 1998-05-29 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Alternate method and structure for improved floating gate tunneling devices
FI105313B (fi) 1998-06-03 2000-07-14 Planar Systems Oy Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi
US6086677A (en) 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
JP2000031387A (ja) 1998-07-14 2000-01-28 Fuji Electric Co Ltd 誘電体薄膜コンデンサの製造方法
KR100275738B1 (ko) 1998-08-07 2000-12-15 윤종용 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법
KR20000013654A (ko) 1998-08-12 2000-03-06 윤종용 원자층 증착 방법으로 형성한 알루미나/알루미늄나이트라이드복합 유전체막을 갖는 캐패시터와 그제조 방법
KR100327105B1 (ko) 1998-08-14 2002-03-09 오길록 고휘도 형광체 및 그 제조방법
US6291876B1 (en) 1998-08-20 2001-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices with composite atomic barrier film and process for making same
FI105643B (fi) 1998-08-21 2000-09-15 Planar Systems Oy Ohutkalvo-elektroluminesenssilaite ja menetelmä sen valmistamiseksi
KR20000022003A (ko) 1998-09-10 2000-04-25 이경수 금속과규소를포함한3성분질화물막의형성방법
FI108375B (fi) 1998-09-11 2002-01-15 Asm Microchemistry Oy Menetelmõ eristõvien oksidiohutkalvojen valmistamiseksi
KR100273474B1 (ko) 1998-09-14 2000-12-15 이경수 화학기상 증착장치의 가스 공급장치와 그 제어방법
JP2995300B1 (ja) 1999-02-03 1999-12-27 工業技術院長 機械要素部品の表面改善方法
US6200893B1 (en) 1999-03-11 2001-03-13 Genus, Inc Radical-assisted sequential CVD
US6305314B1 (en) 1999-03-11 2001-10-23 Genvs, Inc. Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition
KR100273473B1 (ko) 1999-04-06 2000-11-15 이경수 박막 형성 방법
KR100347379B1 (ko) 1999-05-01 2002-08-07 주식회사 피케이엘 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치
FI118342B (fi) 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JP2000340883A (ja) 1999-05-27 2000-12-08 Fujitsu Ltd 多波長発振光半導体装置
US6124158A (en) 1999-06-08 2000-09-26 Lucent Technologies Inc. Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants
JP2000353666A (ja) 1999-06-11 2000-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜およびその製造方法
US6142162A (en) 1999-06-18 2000-11-07 Odoreyes Technology, Inc. System and method for odorizing natural gas
WO2000079576A1 (en) 1999-06-19 2000-12-28 Genitech, Inc. Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same
US6071808A (en) 1999-06-23 2000-06-06 Lucent Technologies Inc. Method of passivating copper interconnects in a semiconductor
AU6336700A (en) 1999-06-24 2001-01-09 Gadgil, Prasad Narhar Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
KR100319494B1 (ko) 1999-07-15 2002-01-09 김용일 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
US6391785B1 (en) 1999-08-24 2002-05-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
DE10049257B4 (de) 1999-10-06 2015-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Verfahren zur Dünnfilmerzeugung mittels atomarer Schichtdeposition
FI117942B (fi) 1999-10-14 2007-04-30 Asm Int Menetelmä oksidiohutkalvojen kasvattamiseksi
KR100795534B1 (ko) 1999-10-15 2008-01-16 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. 상감법 금속화를 위한 균일한 라이닝층
WO2001029280A1 (en) 1999-10-15 2001-04-26 Asm America, Inc. Deposition of transition metal carbides
WO2001029893A1 (en) 1999-10-15 2001-04-26 Asm America, Inc. Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces
US6203613B1 (en) 1999-10-19 2001-03-20 International Business Machines Corporation Atomic layer deposition with nitrate containing precursors
TW468212B (en) 1999-10-25 2001-12-11 Motorola Inc Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
KR20010047128A (ko) 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
FI118804B (fi) 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
WO2001050109A2 (en) * 2000-01-05 2001-07-12 Tokyo Electron Limited Wafer band-edge measurement using spectroscopy and a process of uniform wafer temperature control
JP4817210B2 (ja) 2000-01-06 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP4776054B2 (ja) 2000-02-04 2011-09-21 株式会社デンソー 原子層成長による薄膜形成方法
JP4362919B2 (ja) 2000-02-04 2009-11-11 株式会社デンソー 原子層エピタキシャル成長法による成膜方法
US6492283B2 (en) 2000-02-22 2002-12-10 Asm Microchemistry Oy Method of forming ultrathin oxide layer
JP4211185B2 (ja) 2000-02-29 2009-01-21 株式会社デンソー Ｃｖｄ，ａｌｅ装置用ガラス基板収納治具
WO2001066832A2 (en) 2000-03-07 2001-09-13 Asm America, Inc. Graded thin films
JP4556282B2 (ja) 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法
KR100363088B1 (ko) 2000-04-20 2002-12-02 삼성전자 주식회사 원자층 증착방법을 이용한 장벽 금속막의 제조방법
JP2001328900A (ja) 2000-05-15 2001-11-27 Denso Corp 薄膜の形成方法
US6676760B2 (en) * 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6998580B2 (en) * 2002-03-28 2006-02-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus and thermal processing method

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243119A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2011159279A (ja) * 2010-01-07 2011-08-18 Canon Anelva Corp 真空処理装置及びｐｌｃでのパラメータ処理方法
US9348339B2 (en) 2010-09-29 2016-05-24 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for multiple-channel pulse gas delivery system
JP2013543540A (ja) * 2010-09-29 2013-12-05 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド 複数流路パルスガス供給システムのための方法およびその装置
US8997686B2 (en) 2010-09-29 2015-04-07 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10031531B2 (en) 2011-02-25 2018-07-24 Mks Instruments, Inc. System for and method of multiple channel fast pulse gas delivery
US10126760B2 (en) 2011-02-25 2018-11-13 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10353408B2 (en) 2011-02-25 2019-07-16 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US10969799B2 (en) 2011-02-25 2021-04-06 Mks Instruments, Inc. System for and method of fast pulse gas delivery
US8834631B2 (en) 2012-01-16 2014-09-16 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and valve operation checking method
JP2013151723A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びプロセス状態の確認方法
US9708711B2 (en) 2012-01-25 2017-07-18 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and process status checking method
KR20200120514A (ko) 2019-04-11 2020-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치 및 처리 방법
US11276592B2 (en) 2019-04-11 2022-03-15 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method

Also Published As

Publication number Publication date
US7201803B2 (en) 2007-04-10
TW569310B (en) 2004-01-01
AU2002255664A1 (en) 2002-09-24
WO2002073329A2 (en) 2002-09-19
KR20020071765A (ko) 2002-09-13
US20040143370A1 (en) 2004-07-22
CN1529839A (zh) 2004-09-15
US6734020B2 (en) 2004-05-11
WO2002073329A3 (en) 2003-12-11
US20020127745A1 (en) 2002-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002329674A (ja) 半導体処理チャンバ用のバルブ制御システム
JP6959362B2 (ja) 高圧処理によるタングステンの脱フッ素化
US5685912A (en) Pressure control system for semiconductor manufacturing equipment
EP1066550B1 (en) Method and apparatus for pressure control in vaccum processors
KR100694666B1 (ko) 원자층 증착 챔버의 에어 밸브 장치
US8904955B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4417434B2 (ja) 真空プロセッサの圧力を制御する方法及び装置
JP5383979B2 (ja) 処理システム
JP2005534174A (ja) フォトレジスト・アッシング装置
JPH10312968A (ja) 排気切換方法及び排気切換装置
CN109659254B (zh) 对被处理体进行处理的方法
JPH0969515A (ja) 半導体製造装置用真空処理装置
JP2003059997A (ja) 処理装置および処理方法
US6833030B2 (en) Liquid delivery system having safe unit and operating method thereof
JP2008288282A (ja) 基板処理装置
JPH02151027A (ja) 半導体装置の製造装置
KR19980016560A (ko) 반도체 공정챔버용 진공장치
JP2003007625A (ja) 基板処理装置
JP2001085342A (ja) ガスライン自動パージシステム
JPH02229983A (ja) 真空装置
JPH10335203A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2002203795A (ja) プラズマ反応炉システムの運転制御方法及び装置
JP2000306853A (ja) 基板処理装置
KR101207772B1 (ko) 기판처리장치의 제어시스템
KR20050036006A (ko) 반도체 제조설비의 웨트 스테이션 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070910

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071210

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080310

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080407