FI105313B - Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi - Google Patents
Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI105313B FI105313B FI981262A FI981262A FI105313B FI 105313 B FI105313 B FI 105313B FI 981262 A FI981262 A FI 981262A FI 981262 A FI981262 A FI 981262A FI 105313 B FI105313 B FI 105313B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- layer
- srs
- cerium
- precursor
- ale
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/7716—Chalcogenides
- C09K11/7718—Chalcogenides with alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
Description
105313
Menetelmä ohutkalvo-elektroluminenssirakenteiden kasvattamiseksi Tämä keksintö koskee valoa emittoivia loisteainekalvoja, joilla on tasainen ja kirkas emissio. Erityisesti keksintö koskee menetelmää cerium-seostettujen SrS-loiste-5 ainekerrosten tuottamiseksi ohutkalvoelektroluminenssilaitteille.
Litteitä ohutkalvo-elektroluminenssi paneelinäyttöjä (TFEL) käytetään sovelluksissa, joissa laaja katselukulma, laaja käyttölämpötila-alue ja luja rakenne ovat tärkeitä. Kaikki markkinoilla olevat keltaista emittoivat yksiväri- ja punaista ja vihreää 10 emittoivat moniväri-TFEL-näytöt perustuvat valoa emittoivan ZnS:Mn-loisteaineen käyttöön.
Sinistä emittoivan TFEL-loisteaineen kehittämiseksi on tehtyjä tehdään merkittävää työtä, sillä sinistä emittoiva TFEL loisteaine on välttämätön toteutettaessa täysväri-15 TFEL-näyttöä. Lupaavin loisteaine tähän tarkoitukseen on SrS:Ce(R.O. Törnqvist, TFEL “ Color by White”, SID 1997 DIGEST, p. 855), jolla on laaja siniseltä spektri-alueelta punaiselle ulottuva emissiospektri, jonka karakteristinen huippu on lähellä 500nm:ä.
20 Täysväri-TFEL-näyttörakenne sisältää ZnS:Mn ja SrS:Ce loisteaineita pinottuna (tl « t f t T'. toinen toisensa päälle. Päävärit saadaan aikaan käyttämällä värisuotimia edessä. Tätä t « t “väriä valkoisesta”-TFEL-järjestelyä sovelletaan kehitteillä olevissa täysvärisissä • · suoraan katseltavissa sekä aktiivimatriisi-TFEL-näytöissä.
• · · • · · • · · 25 SrS:Ce-ohutkalvoja on tuotettu fysikaalisilla kaasufaasikasvatustekniikoilla, kuten lämpöhöyrystyksellä (Thermal Evaporation) ((molekyylisuihku-epitaksialla tai • · · kuuma-seinäkasvatusolosuhteissa (Hot Wall Deposition conditions)), elektroni- : suihkuhöyrystyksellä ja sputteroimalla, kemiallisilla kaasufaasikasvatustekniikoilla, • · * · : : kuten metalliorgaaninen kemiallinen kaasufaasikasvatus ja atomikerrosepitaksia, 30 josta jatkossa käytetään lyhennettä ALE (Atomic Layer Epitaxy) ja yhdistetyillä :' “: tekniikoilla, kuten kemikaalisuihkuepitaksia (Chemical Beam Epitaxy) ja reaktiivinen 2 105313 höyrystys. Parhaat pisteluminanssi-ja pisteluminanssin tehokkuustulokset saavutetaan molekyylisäde-epitaksialla MBE (Molecular Beam Epitaxy)(K.O.VeIthaus, B. Huttl, U. Troppenz, R.Hernnan and R.Mauch New deposition process for very blue and bright SrS:Ce, Cl TFEL devices, SID 1997 DIGEST, p. 411). Näissä laitteissa 5 lisäseostus tehdään klorilla, mangaanilla ja hopealla SrS-matriisin stökiometrian ja kiteisyyden parantamiseksi ja Ce3+:n varauskompensaation aikaansaamiseksi (Ag+:lla. Lähtöaineet ovat Sr, S, CeCl3, Mn ja Ag. Mahdollisuuksia tämän prosessin toteuttamiseksi suuremmassa mittakaavassa ei tunneta Melko hyviä tuloksia on saavutettu sputteroimalla ja elektronisuihkuhöyrystyksellä valmistetulla SrS:Ce:llä. 10 MOCVDrssä Sr(thd)2 ja Ce(thd)4 (joissa merkintä thd tarkoittaa 2,2,6,6-tetrametyyli- 3,5-heptanedionaattia) on käytetty SrS.Ce EL-kalvojen kasvattamiseksi(R. Hiskes.
S.A. DiCarolis, R. Muller-Mach, V. Mazzi, K. Nauka and G.O. Muller, A Novel deposition Method for Thin Film Electroluminescent Devices, Extended Abstracts, Γ' Int Conference on Science and Technology of Display Phosphors, San Diego 15 1995, p. 137), mutta mitään merkittäviä tuloksia ei ole raportoitu. SrS.Ce.n TFEL- suorituskyvyn väitetään parantuneen Sr(Cp)2:n korkeamman höyrynpaineen ja paremman kontrolloitavuuden takia, kun strontiumbissyklopentadienyyliä, Sr(Cp)2:a, ja Ce(thd)4:ää on käytetty Sr(thd)2:n ja Ce(thd)4:n tilalla (US patentti 5.496.582, Mizutani K. et ai.). Tunnetussa tekniikassa annetaan ainoastaan kvalitatiivisia tulok-
« I
20 siä.
1(1 « « « φ « « • « III • Il Tähän mennessä parhaita ALE-menetelmällä tehtyjä SrS:Ce EL-ohutkalvoja on tehty • · käyttämällä Sr(thd)2:a, Ce(thd)4:ää ja rikkivetyä lähdeaineina eli prekursoreina (E. Soininen, M. Leppänen, and A. Pakkala, Bright and stable electroluminescent 25 displays (M. Leppänen, G. Härkönen, A. Pakkala, E. Soininen and R. Törnqvist, Broadband double layer phosphor for an inverted filtered RGB electroluminescent display, 13th international Display Research Conference 1993, p. 229, Haaranen et al., • ;'; 521 (x3) x 256 RGB multicolor TFEL display based on ” Color by White”, SID 1995
« « I I
:: Digest p. 883, and Harju et. Ah, Bright 320(x3) x 240 RGB TFEL display based on 30 ”Color by White”, SID 1997 Digest p. 859). Loisteainekalvon kasvatuksesssa
I I
kalvon pintaa altistetaan vuorotellen Sr(thd)2-höyrylle ja rikkivedylle. Ensin Sr- 3 105313 lähdeaine adsorboituu kalvon pinnalle ja reagoi sitten H2S:n kanssa muodostaen isäntämateriaalia, SrS:a. Seosteaine lisätään rakenteeseen altistamalla SrS-pinta jaksottaisesti Ce(thd)4:lle ja rikkivedylle.
5 EL-näyttöpaneelien teollisessa tuotannossa hyvän ohutkalvojen tasaisuuden aikaansaaminen on tärkeää sekä tuotantokustannusten minimoimiseksi että paneelien suorituskyvyn parantamiseksi. Suurimpana vaikeutena ALE-menetelmällä tehdyissä TFEL-väripaneeleissa on ollut SrS:Ce-kaIvon vahva luminanssiprofiili. Esimerkiksi Ce(thd)4:Ila seostettaessa vähentyy luminanssi substraatilla kaasun sisääntulo-osassa. 10 Tämän uskotaan johtuvan joko Ce(thd)4:n kiinnittymisestä ja lämpöhajoamisommai-suuksista tämän saavuttaessa substraatin tai haitallisten lisäaineiden kulkeutumisesta kalvon pinnalle Ce-prekursorin välityksellä. Epäideaalisen SrS:Ce-ohutkalvon tasaisuuden on jäljitetty johtuvan käytetystä Ce-prekursorista.
15 Toinen seikka on, että siinä lämpötilassa ja paineessa, jossa saavutetaan sopiva lähdeaineen haihtuvuus, tähän asti käytetyt cerium-prekursorit ovat olleet kiinteitä, mikä ei ole toivottavaa teollisen tuotantoprosessin kannalta. Partikkelien likaantumisen vähentämiseksi ja työkustannusten alentamiseksi neste-ja kaasumaisten lähdeai-, , neiden käyttö on mielekkäämpää.
I | 20 f > ['; ALE on tehokas ohutkalvojen kasvatusmenetelmä seoste/isäntäaine -suhteen räätä-
t I I
löimiseksi. ALE:lla saadaan sijoitetuksi seosteaine molekyylikerroksen tarkkuudella . .*. haluttuun paikkaan isäntäaineessa, sillä kasvatussuunta on kohtisuorassa substraatin • · • ’i*: pintaan nähden. Tätä on hyödynnetty isäntäaineen kiteisyyden parantamisessa 25 tasomaisella seostuksella. (Härkönen G et. ai., Green emitting thin film electrolu- • · * minescent device grown by Atomic Layer Epitaxy, SID 1990 Digest p. 232). On • · · *.,.: vaikeampaa kontrolloida seosteaineen pitoisuutta substraatin pinnan kanssa saman- _j suuntaisessa seostetasossa, koska tällöin lähdeaineen pintakonsentraatio riippuu «Il 'fIf: kyseisen yhdisteen adsorptio/desorptio -kinetiikasta, kiinnittymisestä substraatin :1 , J 30 pintaan, reaktiivisuudesta ja termisestä stabiilisuudesta. Ce:n tapauksessa alle yhden * « ;"': kerroksen adsorptio on toivottavaa. Jos vuorovaikutusta rinnakkaisten Ce-ionien
I I I
4 105313 välillä esiintyy, väri siirtyy kohti korkeampia aallonpituuksia. Käytetyissä lämpötiloissa (< 520 ”C) Ce ei termisesti diffuntoidu SrS-isäntäaineeseen, joten ylimääräinen prekursori täytyy poistaa substraatin pinnalta ellei syötetty materiaalipulssi ole jo valmiiksi riittävän vähäinen. Hyvää tasaisuutta ei voida saavuttaa thd-prekursoria 5 käyttämällä.
Höyrystyviä, termisesti stabiileita, mutta toisaalta riittävän reaktiivisia Ce:n prekurso-reita ei ole runsaasti tarjolla. Monet testatut β-diketonaatit ja amidikompleksit eivät ole tuottaneet riittävästi luminanssia, lukuunottamatta ALE-kasvatetun SrS:Ce:n 10 hyväksyttävää yhtenäistä luminanssia. Muilla tavoin (R.H. Mauch, K.O.Velthaus, G. Bilger, and H.W. Schock, High efficiency SrS,SrSCe:CeC13 based thin film electroluminescent devices, J. Cryst. Growth 117 (1992) 964-968) on osoitettu, että Ce:n määrää alentamalla sinistä värikomponenttia voidaan vahvistaa. Tämä ei ole ollut mahdollista Ce(thd)4-prekursoria käytettäessä.
15
Keksinnön tarkoituksena on parantaa ALE-menetelmällä kasvateltujen SrS.Ce-kalvojen suorituskykyä, erityisesti luminanssin tasaisuutta käyttämällä sellaisia ceriumyhdisteitä, joita ei ole aikaisemmin käytetty.
c « 1 ' ' 20 Toinen keksinnön tarkoitus on saada aikaan uusi menetelmä valoa emittoivien loisteainekalvojen tuottamiseksi.
• ·
Kolmas keksinnön tarkoitus on saada aikaan syklopentadienyliyhdisteiden uusi • · käyttö.
25 ! ^ 11! Nämä ja muut tavoitteet, sekä niiden avulla saavutetut edut tunnettuihin menetelmiin • · · nähden saavutetaan keksinnöllä kuten seuraavassa kuvataan ja patenttivaatimuksissa esitetään.
: ; 30 Keksintö perustuu sellaisen ALE-menetelmällä kasvatettavan SrS-ohutkalvon :'": seosteaineen prekursoriksi soveltuvan organometallisen ceriumyhdisteen käyttöön, 5 105313 joka käsittää ainakin yhden syklopentadienyyli-tyyppisen ligandin. Yllättäen on havaittu, että Ce:n syklopentadienyyliprekursoreiden adsorptio/desorptio-käyttäyty-minen vastaa hyvältä ALE-seosteaineen prekursorilta edellytettävää käyttäytymistä substraatin pinnalla, jossa Ce:n määrää substraatin pinnalla voidaan säädellä. Tunne-5 tun tekniikan ongelmat voidaan ratkaista käyttämällä Ce:n syklopentadienyliyhdis-teitä; seostus on kontrolloidumpaa ja SrS:Ce-kalvojen suorituskyky parantuu.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnölle on tunnusomaista se, mikä on kuvattu patenttivaatimusten 1 ja 5 tunnusmerkkiosissa.
10
Keksinnön avulla saavutetaan merkittäviä etuja. Useita prekursoreita testattaessa ja tuloksia kalvoilta analysoitaessa havaittiin, että syklopentadienyyli-tyyppisiä cerium- yhdisteitä voidaan käyttää ALE-prekursoreina n. 400 °C substraattilämpötiloissa ilman havaittavaa lämpenemisestä johtuvaa hajoamista prosessin aikana. Tämä 15 osoitettiin mittaamalla hiilen ja vedyn pitoisuuksia SIMSdlä (Secondary Ion Mass
Spectroscopy), jolloin todennettiin, ettei näiden epäpuhtauksien määrä ollut suurempi kuin vertailunäytteissä, jota ei oltu seostettu ceriumilla. Lisätodiste, joka tukee hyvää lämpöstabiilisuutta, on yhdenmukainen ceriumpitoisuus koko substraatin alueella , , käytettäessä näitä cerium-yhdisteitä (katso esim. 3) « « / / 20 t Luminanssitaso on noussut ja Iuminanssin yhtenäisyys on merkittävästi parantunut.
< Värisävyä voidaan hallitusti muuttaa ja valmistusmenetelmä on luotettava.
• · * · • · · • · · • · ;*·*; Huomattiin myös, että vaikka syklopentadienyli-tyyppiset ceriumyhdisteet ovat hyvin 25 happi- ja kosteusherkkiä, niitä on mahdollista käyttää ALE-tuotantolaitteistossa. On
• «I
ί.,,ί kehitetty yksinkertainen ja edullinen inertti latausjärjestelmä ja liitetty se ALE- • « · tuotantolaitteistoon (katso kuvio 2).
; Edelleen muutamat syklopentadienyli-tyyppiset ceriumyhdisteet ovat edullisesti Γ ;' , I 30 nestemäisessä muodossa höyrystymislämpötiloissaan, jolloin minimoidaan mahdolli- c l :' ‘': set partikkeliperäiset tuotannon alenemat.
6 105313
Seuraavaksi keksintöä tarkastellaan lähemmin yksityiskohtaisen kuvauksen avulla ja viitataan muutamaan keksinnön mukaiseen käytännön sovellukseen.
Oheisissa kuvioissa 5
Kuvio 1 on poikittaiskuva ohutkalvoelektroluminenssilaitteesta, josta ilmenee keksinnön yhden sovellusmuodon mukainen loisteaine/eriste/elektrodi-kerrosrakenne.
10 Kuvio 2 on kaavio, joka osoittaa kuinka inerttiä latauslaitteistoa käytetään ALE-reaktorin kanssa ilmaherkkien prekursorien käsittelyn mahdollistamiseksi esimerkeissä kuvailtujen EL-kalvojen kasvattamisessa.
Kuvio 3 esittää luminanssitason ja luminanssin yhtenäisyyden eri puolilla substraattia 15 käytettäessä Ce(thd)4 ja Ce(tmCp), -prekursoreita esimerkissä 1 kuvatulla tavalla.
Kuvio 4 esittää esimerkeissä 2 ja 3 kuvatulla tavalla valmistettujen SrSrCe EL-laitteistojen CIE 1931 värikoordinaatit ja luminanssit.
« I I i
t I I
20 Kuvio 5 esittää Ce-pitoisuuden vaihtelun SrS-ohutkalvoilla substraattilasilla tulo- i < < !'' osasta (lähde) ulosmenoon (imu).
i ( • ·
Esillä oleva keksintö kuvaa menetelmän SrS:Ce elektroluminenssiohutkalvojen • · kasvattamiseksi. Uuden prosessin yksityiskohdat on kuvattu seuraavassa: 25 : ’": SrS:Ce -ohutkalvo kasvatetaan ALE-menetelmää käyttäen eli käytetään pulssinomai- ··· siä anioni- ja kationilähdeaineiden syöttöä vuorottelevissa sarjoissa siten, että este-ι'ι tään reaktiokammiossa olevan substraatin altistuminen samanaikaisesti kummallekin * i c ;" ‘: lähdeaineelle. Ohutkalvon kasvatusprosessissa on strontiumsulfidikerrosten kasva- c . \ t j 30 tusvaiheita ja näiden jälkeen tulee ceriumseostusvaihe, jolloin vaiheita toistetaan c f ;'"; vuorottelevissa sarjoissa kunnes haluttu kalvon paksuus saavutetaan. ALE-menetelmä < * t 7 105313 on yksityiskohtaisesti kuvattu US-patenteissa nro. 4.058.430 ja 4.389.973, joita tässä sisällytetään viittauksella.
Kasvatusprosessia säädetään ja se pidetään riittävän korkealla estämään prekursorin 5 kondensoituminen substraatin pinnalle, mutta samanaikaiseksi riittävän alhaisena lämpenemisestä johtuvan hajoamisen estämiseksi. Substraatin lämpötila SrS:Ce:n kasvatusprosessissa on tyypillisesti välillä 250 °C - 450 °C. Pintareaktioita esiintyy tyypillisesti matalassa paineessa välillä 0,1 torr- 10 torr.
10 Höyrystyvää Sr-yhdistettä käytetään Sr-prekursorina yhdessä H2S:n kanssa SrS:n aikaansaamiseksi ja syklopentadienyyli-tyyppistä Ce-prekursoria käytetään SrS-isäntäaineen seostamisessa. Ce-prekursori on yleensä seuraavan kaavan (I) mukainen:
CeCPnR3.n (I) 15 jossa: R tarkoittaa hiilivetyradikaalia n on kokonaisluku välillä 1-3 js Cp on kaavan (II) mukainen radikaali Λ 20 C5R'xR2yH5.z OI) i \ « * 4 « jossa: x ja y ovat toisistaan riippumattomasti kokonaislukuja välillä 1 -5 •V. x+y=zz<5,ja • · ·*:*· R1 ja R2 tarkoittavat kukin toisistaan riippumattomasti alempaa 25 alkyyliä »·« » · • · ··· ··♦ Täten keksinnössä käytetään syklopentadienyyli-tyyppistä ceriumprekursoria, joka .: ίr! voi olla ceriumin MonoCp-, DiCp- tai TriCp-yhdiste. Edullisesti Ce-prekursori on I u ί 111 · trisyklopentadienyyli tai ceriumin alkyylisubstituoitu trisyklopentadienyylijohdan- i 30 nainen. Esimerkit ovat tetrametyyli- ja isopropyylisubstituoituja Ce-trisyklo- V « : "': pentadienyyliyhdisteitä.
s 105313
Ilmaherkkien prekursoreiden käyttöönotto ALE-tuotantolaitteistossa (-reaktorissa) tehdään inertisti käyttämällä inerttiä latausjärjestelmää, joka sisältää N2-kaapin ja sellaisen joustavan liitäntäletkun ALE-reaktorin tulopäähän, joka on muokattu 5 erityisesti tähän tarkoitukseen sopivaksi.
Tämän keksinnön avulla voidaan valmistaa ohutkalvoelektroluminenssikomponentti, joka käsittää substraatin, joka voi olla lasia, keraamista materiaalia, esim Al203:a tai piitä. Substraatin mukaisesti siinä on tai ei ole diffuusioestekerrosta. Ensimmäiset ja 10 toiset kohdakkain asetetut kuvioidut elektrodit on tehty johtavasta materiaalista esim. indiumtinaoksidista, seostetusta sinkkioksidista, Aksta, W:sta tai Mo:sta. Elektrodien väliset eristekerrokset ja valoa emittoiva kerros koostuu yhdestä tai useammasta metallicksidista, tai metallioksidien komposiittirakenteesta, esim. alumiinioksidi-titaanioksidi monikerrosrakenteista, Al*TiyOz:sta, tantaalioksidista ja strontiumti-15 taanioksidista. SrS:Ce-kerros on kerrostettu käyttämällä ylläkuvattua tekniikkaa. Ylimääräisiä valoa emittoivia kerroksia esim. ZnS:Mn-kerroksia voidaan lisätä SrS:Ce-kerroksen ala- ja/tai yläpuolelle valoa emittoivan monikerroksisen lois-teainetason muodostamiseksi. Loisteainekerrosten välillä voidaan käyttää eristeker-rosta. Edullisesti edellä mainittuun rakenteeseen lisättävä eristekerros sijoitetaan ‘ 20 cerium-seostetun loisteainekerroksen ja ylimääräisen loisteainekerroksen väliin.
« f I
;", Ylimääräinen loisteainekerros voi olla SrS:Ce; SrS:X; ZnS:Mn tai SrS:Ce,X, jossa
• · I
• « I
X voi olla yksi tai useampi ylimääräinen seosaine.
* * • * · • · · • t
Ensimmäisessä loisteainekerroksessa voi olla lisäseostetta Z. Lisäseoste Z voi olla • · 25 Na, K, F, Cl, Ga tai Ag.
• · · • · • m • · * • * * *: Yhteenvetona voidaan todeta, että edullisen sovellutusmuodon mukainen menetelmä : . , ceriumseostetun loisteainekerroksen sisältävän valoa emittoivan ohutkalvoelektrolu- 4 a · taa a minenssikomponentin kasvattamiseksi ALE-prosessilla, jolloin ceriumseostetun ,·! ; 30 loisteainekerroksen prekursoreina käytetään haihtuvia yhdisteitä, käsittää seuraavat a aa a a .··, vaiheet: aa a a a 9 105313 - tuotetaan substraatti, - muodostetaan ensimmäiset elektrodit substraatin päälle, - muodostetaan ensimmäinen eristekerros ensimmäisten elektrodien päälle, kasvatetaan ensimmäinen loisteainekerros ensimmäisen eristekerroksen päälle, 5 . seostetaan ensimmäinen loisteainekerros ceriumilla käyttäen organometallista ceriumyhdistettä, joka käsittää ainakin yhden syklopentadienyyli-tyyppisen li-gandin, muodostetaan toinen eristekerros ensimmäisen loisteainekerroksen päälle ja muodostetaan toiset elektrodit toisen eristekerroksen päälle.
10
Seuraavat esimerkit havainnollistavat keksintöä sitä kuitenkaan rajoittamatta: Esimerkki 1 15 Vertailu ALE:lla kasvatettujen SrS:Ce TFEL-laitteiden välillä, joissa on käytetty joko β-diketonato-kompleksia tai syklopentadienyliyhdistettä ceriumpre-kursorina.
SrS:Ce TFEL laitteet valmistettiin kuvion 1 mukaisesti sijoittamalla A1203- • * 20 ionidiffuusioeste 2 natronkalkkisubstraattiin 1. Läpinäkyvä ITO-johde 3 sijoitetaan 1 f <
I I I
;", estekerroksen päälle ja kuvioidaan litografisessa prosessissa. Dielektrinen AlxTivOz i i r l f^ j :sta koostuva komposiittikerros 4 kasvatetaan ALE:lla ITO-elektrodin päälle. Valoa • · emittoiva SrS:Ce loisteainekerros 5 kasvatetaan ALE:lla 400 °C lämpötilassa 1,0 • · · • · torrpaineessa alemman dielektrisen kerroksen päälle tapauksessa A Sr(thd)2:sta, « 25 Ce(thd)4:stä ja H2S:stä ja tapauksessa B Sr(thd)2:sta, Ce(tmCp)3:sta ja H2S:stä. Loisteainekerroksen kasvattamiseksi tehdään seuraavat toimenpiteet: Sr(thd)2 ja * * * H2S-pulsseja syötetään N kierrosta sarjoissa jaksottaisesti substraatin pinnalle ja • | r saadaan aikaan SrS:ää. Tämän jälkeen syötetään substraatin pinnalle M kierrosta
Ce-prekursoripulssia, jota seuraa H2S-pulssi. Näitä toimenpiteitä toistetaan L-kertaa , *, : 30 halutun loisteainekalvon paksuuden aikaansaamiseksi. Loisteainekerroksen päälle ;''': kasvatetaan ALE-menetelmällä ohut AI20,-kerros. jonka päälle sijoitetaan AT,F.:11a 10 105313 ylempi dielektrinen AlxTiyOx -kerros 7. Tämän kalvopinon päälle sijoitetaan AI elektrodi 8 ja kuvioidaan se. Elektrodit yhdistetään jännitelähteeseen 9.
Kun ilmaherkkää Ce(tmCP)3:a ladataan ALE-reaktoriin, käytetään kuviossa 2 esi-5 tettyä inerttiä latausjärjestelmää. Syklopentadienyyliprekursori 11 sijoitetetaan ensin N2:lla täytettyyn kaappiin 12 ja N2-kaappi altistetaan voimakkaalle N2-virtaukselle(15 SLM) hienoisen ylipaineen ja jatkuvan huuhtelun aikaansaamiseksi N2-kaapin läpi. Kun typpikaapin sisältämä happi/vesihöyry-määrä on riittävän alhainen, ilmalle herkkää prekursoria ladataan lähdeputkeen 13, jota tyypillisesti 10 käytetään ALE reaktorissa 10. ALE-reaktorin sisäisen paineen annetaan ylittää ulkoinen ilmanpaine sillä pienellä määrällä, joka aiheutuu N2:n syötöstä ja ainoastaan pienen laipan 14, joka edeltää pumppuun 20 kytkettyä pumppauslinjaa 15 sallitaan avautua ilmalle reaktorissa muodostuvan N2-paineen johdosta. Tämä muodostaa reaktorille ilmalukon. ALE- lähdeputki, jossa on haluttua prekursoria voi-15 daan ladata/syöttää ALE-reaktorin lähdeuuniin 16 N2-kaapin 12 kautta avaamalla (N2-kaappiin johtava) source end lock 17 ja asentamalla lähdeputki reaktoriin joustavan letkun 18 sekä N2-lokeron ja ALE-reaktorin yhdistävän sovituskappaleen 19 läpi.
f I
' / 20 Tapauksessa A, kun käytetään Ce(thd)4-prekursoria, optimaaliset prosessiparametrit • · « • f · , * ovat N=80, M=1, ja L=185. Tapauksessa B, jossa Ce(tmCp)3:a käytetään Ce:nä, ^ j parametrit ovat N=40, M=1 ja L=371. Tämä johtuu siitä, että halutaan varmistua, • · « että Ce:n kokonaispitoisuus pysyy kummassakin tapauksessa samana n. 0,25 %:ssa, • · · joka arvo saadaan määritetyksi kalibroidulla röngenfluoresenssispektrometrillä 25 (XRF).
t · • · • · • · < • · · * J Kuviossa 3 esitetään molempien kasvatustyyppien A ja B luminanssitulokset sekä r luminanssiarvojen kehitys substraatissa kaasu-virtauksen suuntaisesti tarkasteltuna.
;"c; ” Lähde” tarkoittaa tulo-osaa, jossa prekursorit ensimmäisen kerran osuvat laseihin . \ ; 30 ja ” imu” ulosmeno-osaa, jossa prekursori osuu laseihin viimeistä kertaa. Mittauksia ( i c i < . ·' *. käynnistettäessä komponenteille syötetään 60Hz pulssimuotoinen jännite ja lumi- 11 105313 nanssi Lj0 määritetään luminanssiksi, joka esiintyy 50V kynnysjännitteen yläpuolella. Kynnysjännite määritellään jännitteeksi, jolla saavutetaan 5cd/m2 luminanssi.
Tapauksessa B syklopentadienyyli-tyyppistäprekursoria käytettäessä luminanssin 5 epätasaisuutta substraatilla kuvaava luku LNU, (LNU=((Lmax-Lmin)/Lmax)* 100%, jossa Lmax ja Lmin ovat käytetyllä 195 mm x 265 mm substraatilla esiintyvät suurin ja pienin luminanssi), on 16 %, kun tapauksessa A betadiketonato-tyyppistä prekur-soria käytettäessä LNU saa arvon 59 %. Tapauksessa B keskimääräinen luminans-sitaso on 120cd/m2, kun tapauksessa A se on ainoastaan 75cd/m2, koska tapaukses-10 sa A luminanssi on huomattavan alhainen erityisesti substraatin ” lähde” päässä.
Tämä esimerkki osoittaa, että syklopentadienyyli-tyyppistä Ce-prekursoria, esim. Ce(tmCp)3:a, käytettäessä, saavutetaan parempi luminanssikäyttäytyminen kuin käytettäessä β-diketonato-tyyppistä prekursoria, esim. Ce(thd)4:ää. Luminanssitaso 15 nousee ja luminanssin yhtenäisyys paranee.
Esimerkki 2
SrS:Ce emissiovärin siirtäminen sinistä kohti Ce(Cp)3:n seostussuhdetta säätämällä.
·';· 20
SrS :Ce EL-laitteita valmistettiin samanlaisissa olosuhteissa, samalla tavalla ja niistä « « ‘ . tehtiin samanpaksuisia ja samanlaisia yhdistelmiä kuin esimerkissä 1, paitsi että • · #·#·# käytettiin Ce(Cp)3:a Ce-prekursorina. Tässä esimerkissä M=1, N=20,40 tai 80 ja • · · L vastaavasti 742, 371 tai 181. Ce:Sr-seossuhteet ovat tällöin 1:20, 1:40 ja 1:80.
« « · 25 Näin kasvatetuissa SrS:Ce-kalvoissa Ce-pitoisuudet olivat 0,4,0,2 ja 0,1 % ja ne määritettiin kalibroiduilla röntgenfluoresenssimittauksilla. Luminanssi LJ0>joka
• M
mitattiin vastaavasti kuin esimerkissä 1 oli suurinpiirtein 90 cd/m2 näillä kaikilla . : kolmella laitteistolla.
: 30 Kuviossa 4 näytetään SrS:Ce EL-laitteiden CIE 1931 värikoordinaatit ja luminans- « <« . ‘. sit. Kolmiot kuvaavat värikoordinaatteja ja kuvion oikeassa alakulmassa oleva 1« t 12 105313 taulukko L40 luminanssia kolmella eri Ce:Sr seostussuhteella. Neliöt kuvaavat värikoordinaatteja ja kuvion vasemmassa yläkulmassa oleva taulukko kuvaa viiden erituisilla Ce-lähdeainepulsseilla valmistetun EL-laitteen tuottamaa luminanssia käytettäessä Ce:Sr-seossuhdetta 1:40.
5
Kuten kuviosta 4 ilmenee, CE 1931 värikoordinaatit olivat (0.33,0.54), (0.30,0.53) ja (0.28, 0.51) laitteistoilla, joissa vastaavat Ce:Sr -seossuhteet olivat 1:20,1:40 ja 1:80. Täten saavutettiin pääaallonpituuteen 12 nm sinisiirtymä ilman luminanssi-heikkenemää.
10
On mahdollista käyttää Ce:Sr pulssi suhdetta emissiovärin sävyn säätöön myös Ce(thd)4:n avulla tehdyissä SrS:Ce-laitteissa. Vastaavaan sinisiirtymään tällä tavoin toteutettuna liittyy kuitenkin luminanssitason heikkeneminen yli 50 %:lla.
15 Tämä esimerkki osoittaa, että käyttämällä jotakin keksinnön mukaista SrS:Ce -kerrostusmenetelmää, EL-emission väriä voidaan siirtää sinistä kohti ilman kokonaisluminanssin heikkenemää. Voidaan esimerkiksi kohentaa sinistä luminanssia. Vastaavaa sinisen luminanssin vahvistumaa ei voida saavuttaa Ce:Sr pulssisuhdetta muuttamalla tunnetulla Ce(thd)4:n käyttöön perustuvalla SrS:Ce - • · 20 kerrostusmenetelmällä.
« · • i t
I I
I « 4 1« '' '' Esimerkki 3 • · * « a · · • · a I.I SrS:Ce:n emission siirto sinistä kohti Ce(Cp)3-prekursorin annostelun kestoa • · · 25 säätelemällä.
• a · • · • · ·«·
SrS.Ce EL laitteet valmistettiin samanlaisissa olosuhteissa, samalla tavalla, saman • · · : ’' r paksuisiksi ja tehtiin samanlaisia yhdistelmiä kuin esimerkissä 1, sillä poikkeuksella
1 * C
. ”. että viimeinen kasvatettu eriste oli ainoastaan 1 OOnm paksu A1203 ja seosteen pre- /. 30 kursori oli Ce(Cp)3. Ce(Cp)3 ja H2S passitettiin reaktoriin käyttämällä jäijestelyä, jossa N=40, M=1 ja L=186. Tässä koesarjassa Ce(Cp)3:n pulssinpituus vaihteli 13 105313 välillä 0,05s - 0,5s. Tämän on arvioitu aiheuttavan kertaluokaltaan kaksin-kolminkertaisen eron Ce(Cp)3:n kokonaisannostuksessa.
Kasvatettujen SrS:Ce-kalvojen Ce-pitoisuudet mitattiin kolmesta kohdasta sub-5 straattilaseilta, nimittäin ’’lähde”-kohdasta (tulo-osa, jossa prekursorit osuvat ensimmäistä kertaa laseihin), keskikohdasta ja ” imu” -kohdasta, jossa (ulosmeno-osa, jossa prekursorit osuvat viimeistä kertaa laseihin). Tulokset on esitetty kuviossa 5. Kuvion 5 tulokset ovat viidestä ajosta, joissa on käytetty eripituisia Ce-pulsseja, mutta Ce:Sr seossuhde on pidetty kaikissa ajoissa samana 1:40:ssä, kuten esimer-10 kissä 3 on kuvattu. Esimerkin 1 mukaisella tavalla mitattu LJ0-luminanssi oli n. 100cd/m2 näissä kaikissa kolmessa laitteistossa, (katso kuvio 4).
Myös CIE 1931 värikoordinaatit on piirretty kuvioon 4. Pääaallonpituudella saavutetaan noin 4 nm emission sinisiirtymä ilman luminanssiheikkenemää. Myös 15 Ce(thd)4:n avulla tehdyissä laitteistoissa on mahdollista käyttää Ce prekursorin annostelua emissiovärisävyn säätöön, muttei kontrolloitavalla tavalla. Kuitenkin toteutettuna vastaava sinisiirtymä Viimeksimainitulla tavalla luminanssi heikkenee yli 50 %. Ce-jakauma sekä luminanssijakauma substraatin pinnalla ovat huomatta-, , van epätasaisia.
20 * ( t / / - Esimerkit 2 ja 3 osittavat, että on kaksi keksinnön mukaisen sovelluksen mukaista tapaa siirtää EL-emission väriä sinistä kohti heikentämättä luminanssia esim. lisää- • · m määllä Sr- ja H2S-pulssien määrää Ce-seostusvaiheiden välissä ja lyhentämällä Ce • · pulssin pituutta. Esimerkki 3 edelleen todistaa, että keksintö mahdollistaa huomat- * 25 tavan tasaisen Ce-jakauman eri Ce-pitoisuuksilla SrS:Ce:n seostustasoilla, laajoilla ·#· : : substraattialueilla.
M· • · « « · 9 9 ♦ ; : ; Ei ole esitetty, kuinka Ce voitaisiin sijoittaa tasaisesti seostustasoille käyttämällä f tr : ; tunnettua Ce(thd)4:n käyttöön perustuvaa kerrostustekniikkaa, kun Ce pitoisuus ;' > t 30 pidetään matalana.
« I f I · f I < 14 105313
Esimerkki 4 Käytetään lisäseostusta yhdessä sykJopentadienyyli-tyyppisten prekursoreiden kanssa. Natrium-lisäseostuksen tarkoituksena on kompensoida SrS-isäntäaineessa oleva Ce3+:n ja Sr21:!! välinen varauksen epätasapaino.
5
SrS:Ce,X EL-laitteet valmistettiin samalla tavalla ja samoissa olosuhteissa kuin esimerkissä 1. Valoa emittoiva SrS:Ce-loisteaine lisäseostettiin X:llä, joka tässä esimerkissä on natrium-ioni. Loisteainekerroksen kasvattamiseksi tehdyt toimenpiteet olivat sellaiset, että N jaksoa peräkkäisiä Sr(thd)2 ja H2S-pulsseja syötettiin 10 substraatin pinnalle. Näin muodostui SrS:a ja tämän jälkeen substraatin pinnalle syötettiin M jaksoa Ce(Cp)3-pulssia, jonka jälkeen syötettiin vielä H2S-pulssi. Loisteaineohutkalvon valmistusta jatkettiin L:llä kierroksella H2S:a ja näiden päälle pulssitettiin peräkkäin K-kerrosta Na(thd):a ja H2S:a. Nämä toimenpiteet toistettiin P kertaa halutun loisteainekalvonpaksuuden aikaansaamiseksi.
15 r ; • · • · • · · • · 1 • · • · · • · · • · 1 «II • · • • · · • · · • · • · · f r • «
• t I
I · I • « « ( • · « ·
Claims (17)
1. Menetelmä ceriumseostetun SrS-loisteainekerroksen kasvattamiseksi atomiker-rosepitaksialla (Atomic Layer Epitaxy), tunnettu siitä, että käytetään ainakin yhden syklopentadienyyli-tyyppisen ligandin sisältävää organometallista ceriumyh-distettä ceriumin seosteaineen prekursorina.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että Ce-prekursorilla on kaava (I) CeCpnR3.n (I) jossa R tarkoittaa hiilivetyradikaalia n on kokonaisluku välillä 1-3 ja Cp on kaavan (II) mukainen radikaali CSR\R\HS.Z (II) jossa x ja y ovat kumpikin kokonaislukuja välillä 1 -5 toisistaan riippumatta x+y=z ja z< 5 ' _ R1 ja R2 tarkoittavat kumpikin toisistaan riippumatta alempaa alkyyliä
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että Ce- • * , ·, ·, prekursori käsittää trisyklopentadienyyliä tai alkyylisubstituoituja ceriumin trisyklo- I I I • t pentadienyylijohdannaisia.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että Ce-prekursori on tetrametyyli- ja isopropyylisubstituoitu Ce-trisyklopentadienyyliyhdiste. I r I
5. Menetelmä ceriumseostetun loisteainekerroksen sisältävän valoa emittoivan « « < , \ ; ohutkalvoelektroluminenssikomponentin kasvattamiseksi ALE-menetelmällä käyt- « < . ’". tämällä höyrystyviä yhdisteitä ceriumseostetun loisteainekerroksen prekursoreina, • · · 105313 jonka menetelmän mukaan - tuotetaan substraatti, - muodostetaan ensimmäiset elektrodit substraatin päälle, muodostetaan ensimmäinen eristekerros ensimmäisten elektrodien päälle, - kasvatetaan loisteainekerros ensimmäisen eristekerroksen päälle, - muodostetaan toinen eristekerros loisteainekerroksen päälle ja - muodostetaan toiset elektrodit toisen eristekerroksen päälle, tunnettu siitä, että - seostetaan loiteainekerro ceriumilla käyttämällä organometallista ce- riumyhdistetty, joka sisältää ainakin yhtä syklopentadienyyli-tyyppistä ligandia.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatti on lasia, keraamista materiaalia tai piitä.
7. Patenttivaatimuksen 5 tai 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että elektrodit ovat indiumtinaoksidia, seostettua sinkkioksidia, alumiinia, volframia tai molybdeeniä, näiden seoksia tai komposiittirakenteita.
« « ' / 8. Jonkin patenttivaatimuksen 5-7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että « < · eristekerrokset ovat alumiinioksidi-titaanioksidi-monikerrosrakenteita, tantaalioksidia tai strontiumtitaanioksidia. • · • · • · · • · · • ·
9. Jonkin patenttivaatimuksen 5 - 8 mukainen menetelmä, t u n n e 11 u siitä, että loisteainekerros käsittää SrS:Ce-kerroksen. • · · 0 0 • · ··· ···
10. Jonkin patenttivaatimuksen 5-9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että [ :'; EL-komponenttiin on liitetty ainakin yksi ylimääräinen loisteainekerros.
« < , \ : 11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ylimääräi- I Γ ( « i '; nen loisteainekerros on sijoitettu ceriumseostetun loisteainekerroksen ala- tai ylä- 105313 puolelle.
12. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ylimääräiset loisteainekerrokset on toteutettu yhtenä tai useampana monikerrosrakenteena, joissa on ceriumseostettu Ioisteainekerros.
13. Patenttivaatimuksen 10 tai 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ceriumseostetun loisteainekerroksen ja ylimääräisten loisteainekerrosten väliin on sovitettu lisäeristekerros.
14. Jonkin patenttivaatimuksen 10-13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ylimääräinen Ioisteainekerros on SrS:Ce; SrS:X tai SrS:Ce, X, jossa X on yksi tai useampi ylimääräinen seosteaine, tai Zns:Mn.
15. Patenttivaatimuksen 1-14 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen Ioisteainekerros sisältää lisäseostetta Z.
16. Patenttivaatimuksen 14 tai 15 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että lisäseoste Z on Na, K, F, Cl, Ga tai Ag. I t
17. Jonkin patenttivaatimuksen 1-16 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI981262A FI105313B (fi) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi |
| US09/323,821 US6248605B1 (en) | 1998-06-03 | 1999-06-02 | Method of growing thin film electroluminescent structures |
| DE19925430A DE19925430A1 (de) | 1998-06-03 | 1999-06-02 | Verfahren zum Wachsenlassen von Dünnfilm-Elektrolumineszenz-Strukturen |
| JP15668299A JP4213295B2 (ja) | 1998-06-03 | 1999-06-03 | 薄膜エレクトロルミネセンス構造を成長させる方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI981262A FI105313B (fi) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi |
| FI981262 | 1998-06-03 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI981262A0 FI981262A0 (fi) | 1998-06-03 |
| FI981262A FI981262A (fi) | 1999-12-04 |
| FI105313B true FI105313B (fi) | 2000-07-14 |
Family
ID=8551895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI981262A FI105313B (fi) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6248605B1 (fi) |
| JP (1) | JP4213295B2 (fi) |
| DE (1) | DE19925430A1 (fi) |
| FI (1) | FI105313B (fi) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8383525B2 (en) | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI117979B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US20020083897A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Applied Materials, Inc. | Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6825447B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
| US20020127336A1 (en) * | 2001-01-16 | 2002-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
| US6811814B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US6828218B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a thin film using atomic layer deposition |
| KR100522765B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2005-10-19 | 주식회사 컴텍스 | 반도체소자용 기판의 제조방법 |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US7780785B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
| US6620670B2 (en) | 2002-01-18 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3 |
| US6998014B2 (en) * | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6827978B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films |
| US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US20030194825A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Kam Law | Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US6869838B2 (en) * | 2002-04-09 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7279432B2 (en) | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
| US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| US6863825B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-03-08 | Union Oil Company Of California | Process for removing arsenic from aqueous streams |
| US7294360B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-11-13 | Planar Systems, Inc. | Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same |
| US7582161B2 (en) | 2006-04-07 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited titanium-doped indium oxide films |
| US8066874B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-11-29 | Molycorp Minerals, Llc | Apparatus for treating a flow of an aqueous solution containing arsenic |
| US8349764B2 (en) | 2007-10-31 | 2013-01-08 | Molycorp Minerals, Llc | Composition for treating a fluid |
| US8252087B2 (en) | 2007-10-31 | 2012-08-28 | Molycorp Minerals, Llc | Process and apparatus for treating a gas containing a contaminant |
| TWI467045B (zh) * | 2008-05-23 | 2015-01-01 | Sigma Aldrich Co | 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法 |
| WO2009143452A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Sigma-Aldrich Co. | High-k dielectric films and methods of producing using cerium-based precursors |
| US9233863B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-01-12 | Molycorp Minerals, Llc | Rare earth removal of hydrated and hydroxyl species |
| US9478419B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Sulfur-containing thin films |
| US9245742B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-01-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sulfur-containing thin films |
| EP3113859A4 (en) | 2014-03-07 | 2017-10-04 | Secure Natural Resources LLC | Cerium (iv) oxide with exceptional arsenic removal properties |
| US10490475B2 (en) | 2015-06-03 | 2019-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for semiconductor passivation by nitridation after oxide removal |
| US9711350B2 (en) | 2015-06-03 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for semiconductor passivation by nitridation |
| US9711396B2 (en) * | 2015-06-16 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device |
| US9741815B2 (en) | 2015-06-16 | 2017-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Metal selenide and metal telluride thin films for semiconductor device applications |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH086086B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1996-01-24 | 株式会社リコー | 白色エレクトロルミネツセンス素子 |
| EP0267377B1 (en) * | 1986-09-16 | 1993-02-03 | Hitachi, Ltd. | Electroluminescent display apparatus and process for producing the same |
| JPH05315075A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス発光膜の成膜方法 |
| JP3618110B2 (ja) | 1993-08-30 | 2005-02-09 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子の製法 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
| US5677594A (en) * | 1995-08-01 | 1997-10-14 | Sun; Sey-Shing | TFEL phosphor having metal overlayer |
-
1998
- 1998-06-03 FI FI981262A patent/FI105313B/fi not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-06-02 US US09/323,821 patent/US6248605B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-02 DE DE19925430A patent/DE19925430A1/de not_active Withdrawn
- 1999-06-03 JP JP15668299A patent/JP4213295B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8383525B2 (en) | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6248605B1 (en) | 2001-06-19 |
| FI981262A0 (fi) | 1998-06-03 |
| JP4213295B2 (ja) | 2009-01-21 |
| DE19925430A1 (de) | 1999-12-09 |
| FI981262A (fi) | 1999-12-04 |
| JP2000087029A (ja) | 2000-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI105313B (fi) | Menetelmä ohutkalvo-elektroluminesenssirakenteiden kasvattamiseksi | |
| JP2812585B2 (ja) | エレクトロルミネセントディスプレイコンポーネントのけい光体層 | |
| US5496582A (en) | Process for producing electroluminescent device | |
| JP2858397B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP2840185B2 (ja) | 蛍光体薄膜とこれを用いた薄膜ｅｌパネル | |
| JP2005520924A (ja) | イットリウム置換バリウムチオアルミネート蛍光体材料 | |
| JP2004522826A (ja) | 多元成膜法 | |
| US5834053A (en) | Blue light emitting thiogallate phosphor | |
| US7597969B2 (en) | Oxygen substituted barium thioaluminate phosphor materials | |
| CA2447626A1 (en) | Single source sputtering of thioaluminate phosphor films | |
| Saanila et al. | Atomic layer epitaxy growth of BaS and BaS: Ce thin films from in situ synthesized Ba (thd) 2 | |
| US6025677A (en) | Blue light emitting thiogallate phosphor including a thin nucleation layer of strontium sulfide | |
| Ihanus et al. | Electroluminescent SrS and BaS thin films deposited by ALD using cyclopentadienyl precursors | |
| JP4247315B2 (ja) | マグネシウムカルシウムチオアルミネート蛍光体 | |
| US7282849B2 (en) | Alkaline earth aluminate phosphor, phosphor paste composition and vacuum ultraviolet excitation light emitting element | |
| FI108356B (fi) | Menetelmõ valoa emittoivien ohutkalvo-EL-komponenttien valmistamiseksi | |
| KR100760870B1 (ko) | 알루민산염 형광체 및 그 제조방법, 형광체 페이스트조성물 그리고 진공 자외선여기 발광장치 | |
| Huang | Investigation on composition and structure of ZnSá: áMn evaporation films with sulfur supply | |
| Niinistö et al. | Atomic layer epitaxy in the growth of complex thin film structures for electroluminescent applications | |
| Endisch et al. | Mocvd SrS: Ce for Applications in Electroluminescent Devices | |
| Samuels et al. | MOCVD OF SrS and SrS: Ce Thin Films for Eelctroluminescent Flat Panel displays | |
| Ihanus | Atomic Layer Deposition of Electroluminescent ZnS, SrS, and BaS Thin Films | |
| Moss et al. | MOCVD of the Blue Electro-luminescent Phosphor CaGa2 S4: Ce from a Liquid Reagent Delivery System | |
| Liu et al. | 42.3: High‐Luminance Green Electroluminescence of Sputtered ZnS: TbOF | |
| Chaichimansour | Electro-optical characterization of alternating-current thin-film electroluminescence (ACTFEL) devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: BENEQ OY |
|
| MM | Patent lapsed |