JP2987379B2 - 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 - Google Patents
半導体結晶のエピタキシャル成長方法Info
- Publication number
- JP2987379B2 JP2987379B2 JP3342448A JP34244891A JP2987379B2 JP 2987379 B2 JP2987379 B2 JP 2987379B2 JP 3342448 A JP3342448 A JP 3342448A JP 34244891 A JP34244891 A JP 34244891A JP 2987379 B2 JP2987379 B2 JP 2987379B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- growth
- light
- wavelength
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 4
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】この発明は、結晶成長装置内に原料又は原
料ガスを導入して結晶成長を行うエピタキシャル結晶成
長方法に係り、とくに結晶成長時に成長膜厚の成長速
度，混晶組成比及び不純物密度を制御する半導体結晶の
エピタキシャル成長方法に関するものである。
料ガスを導入して結晶成長を行うエピタキシャル結晶成
長方法に係り、とくに結晶成長時に成長膜厚の成長速
度，混晶組成比及び不純物密度を制御する半導体結晶の
エピタキシャル成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体結晶のエピタキシャル成長方法に
おいて、結晶成長時に成長膜厚の成長速度を制御するこ
とは、非常に重要である。従来は、分子線エピタキシャ
ル成長法，マイグレーション・エンハンスト・エピタキ
シャル成長法において、反射高エネルギー電子線回折
（Ｒｅｆｌｅｃｔ−ｉｏｎ Ｈｉｇｈ−Ｅｎｅｒｇｙ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ: 以下、Ｒ
ＨＥＥＤという）の振動を利用して結晶成長膜厚を測定
しつつ、その測定結果に基づき原料の蒸発量を調整する
ことにより、単分子層程度で成長膜厚の成長速度を制御
していた。
おいて、結晶成長時に成長膜厚の成長速度を制御するこ
とは、非常に重要である。従来は、分子線エピタキシャ
ル成長法，マイグレーション・エンハンスト・エピタキ
シャル成長法において、反射高エネルギー電子線回折
（Ｒｅｆｌｅｃｔ−ｉｏｎ Ｈｉｇｈ−Ｅｎｅｒｇｙ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ: 以下、Ｒ
ＨＥＥＤという）の振動を利用して結晶成長膜厚を測定
しつつ、その測定結果に基づき原料の蒸発量を調整する
ことにより、単分子層程度で成長膜厚の成長速度を制御
していた。
【０００３】これは、例えば坂本統徳他の論文〔Ｔ．Ｓ
ａｋａｍｏｔｏ， ｅｔａｌ；Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．９ ＰＰＬ６５７〜Ｌ
６５９（１９８４）〕において報告されている。実際に
は、結晶膜厚の面内均一性を確保すべく、結晶基板を回
転させながら結晶成長を行っている。
ａｋａｍｏｔｏ， ｅｔａｌ；Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．９ ＰＰＬ６５７〜Ｌ
６５９（１９８４）〕において報告されている。実際に
は、結晶膜厚の面内均一性を確保すべく、結晶基板を回
転させながら結晶成長を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
に結晶基板を回転させながら結晶成長を行うと、結晶軸
の方向と高エネルギー電子線の方向とが回転により変化
してしまうため、ＲＨＥＥＤによる測定結果では、結晶
の成長膜厚の成長速度を正確に制御することは事実上不
可能であった。
に結晶基板を回転させながら結晶成長を行うと、結晶軸
の方向と高エネルギー電子線の方向とが回転により変化
してしまうため、ＲＨＥＥＤによる測定結果では、結晶
の成長膜厚の成長速度を正確に制御することは事実上不
可能であった。
【０００５】したがって現状では、結晶基板を回転させ
ない時に得られた成長条件と同一条件で結晶の成長膜厚
の成長速度を制御している。そのため、極めて精密に温
度制御されたるつぼ等により結晶成長装置内での原料蒸
発量を調整する必要があり、成長膜厚の成長速度の制御
が面倒であるという問題があった。また、成長膜の表面
に高エネルギー電子線を照射するため、その影響で結晶
中に欠陥が誘起されるという問題があった。加えて、電
子線を使用するため、結晶成長装置内を超高真空に保持
しなければならないという問題もあった。さらに、ＲＨ
ＥＥＤによる測定の場合一種類の原料による結晶成長を
対象にしているため、複数種類の原料による結晶成長を
対象にした時、成長した結晶の混晶組成比及び不純物密
度等を測定することは不可能であり、勿論それらを制御
することは不可能であった。
ない時に得られた成長条件と同一条件で結晶の成長膜厚
の成長速度を制御している。そのため、極めて精密に温
度制御されたるつぼ等により結晶成長装置内での原料蒸
発量を調整する必要があり、成長膜厚の成長速度の制御
が面倒であるという問題があった。また、成長膜の表面
に高エネルギー電子線を照射するため、その影響で結晶
中に欠陥が誘起されるという問題があった。加えて、電
子線を使用するため、結晶成長装置内を超高真空に保持
しなければならないという問題もあった。さらに、ＲＨ
ＥＥＤによる測定の場合一種類の原料による結晶成長を
対象にしているため、複数種類の原料による結晶成長を
対象にした時、成長した結晶の混晶組成比及び不純物密
度等を測定することは不可能であり、勿論それらを制御
することは不可能であった。
【０００６】上述のような課題に鑑みて、本発明は、容
易に結晶膜厚の面内均一性を確保すべく、結晶基板を回
転させながら結晶を成長させることができて、成長膜厚
の成長速度の制御が容易であり、且つ結晶成長時に結晶
に何ら悪影響を与えず、また超高真空中に限らず常圧で
も適用することができ、さらに複数種類の原料による結
晶成長を対象にした時、成長した結晶の混晶組成比及び
不純物密度等を測定することができ、それらの制御が可
能である半導体結晶のエピタキシャル成長方法を提供す
ることを目的としている。
易に結晶膜厚の面内均一性を確保すべく、結晶基板を回
転させながら結晶を成長させることができて、成長膜厚
の成長速度の制御が容易であり、且つ結晶成長時に結晶
に何ら悪影響を与えず、また超高真空中に限らず常圧で
も適用することができ、さらに複数種類の原料による結
晶成長を対象にした時、成長した結晶の混晶組成比及び
不純物密度等を測定することができ、それらの制御が可
能である半導体結晶のエピタキシャル成長方法を提供す
ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による化合物のエ
ピタキシャル成長方法は、結晶成長装置内に、原料又は
原料ガスを所定の時間間隔で交互に導入して単分子層の
結晶成長を行う半導体結晶のエピタキシャル成長方法に
おいて、結晶成長時に、先ず結晶成長膜に可変波長光源
からの少なくとも一本の光をその波長を変化させつつ少
なくとも一つの所定の方向から照射し、同時にその反射
光強度または散乱光強度の波長依存性を測定して結晶成
長における複数の吸着分子の種類に応じた最適の複数の
測定波長を選定し、次に該測定波長の光を結晶成長膜に
照射してその吸着分子層の成長に対応した反射光強度ま
たは散乱光強度の時間変化をそれぞれの測定波長ごとに
測定しつつ、該時間変化に基づいて上記各原料又は原料
ガスの供給量を調整することにより、成長膜厚の成長速
度，混晶組成比及び不純物密度を制御するようにしたこ
とを特徴としている。
ピタキシャル成長方法は、結晶成長装置内に、原料又は
原料ガスを所定の時間間隔で交互に導入して単分子層の
結晶成長を行う半導体結晶のエピタキシャル成長方法に
おいて、結晶成長時に、先ず結晶成長膜に可変波長光源
からの少なくとも一本の光をその波長を変化させつつ少
なくとも一つの所定の方向から照射し、同時にその反射
光強度または散乱光強度の波長依存性を測定して結晶成
長における複数の吸着分子の種類に応じた最適の複数の
測定波長を選定し、次に該測定波長の光を結晶成長膜に
照射してその吸着分子層の成長に対応した反射光強度ま
たは散乱光強度の時間変化をそれぞれの測定波長ごとに
測定しつつ、該時間変化に基づいて上記各原料又は原料
ガスの供給量を調整することにより、成長膜厚の成長速
度，混晶組成比及び不純物密度を制御するようにしたこ
とを特徴としている。
【０００８】尚、上記可変波長光源は、白色光源と分光
器から成るか、または可変波長レーザ光源から成ってい
る。また、上記結晶成長装置に、好ましくは分子層エピ
タキシャル成長装置、ＭＯ−ＣＶＤ装置，クロライド法
気相成長装置または分子線エピタキシャル成長装置を採
用すると共に、各装置に前記可変波長光源と受光器とを
備え、該受光器により反射光強度または散乱光強度の波
長依存性及び時間的変化を測定するようにしている。
器から成るか、または可変波長レーザ光源から成ってい
る。また、上記結晶成長装置に、好ましくは分子層エピ
タキシャル成長装置、ＭＯ−ＣＶＤ装置，クロライド法
気相成長装置または分子線エピタキシャル成長装置を採
用すると共に、各装置に前記可変波長光源と受光器とを
備え、該受光器により反射光強度または散乱光強度の波
長依存性及び時間的変化を測定するようにしている。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、光即ち赤外光，可視光，紫
外光を使用して成長膜の反射光強度または散乱光強度を
測定するため、結晶成長おいて結晶中に何ら悪影響を及
ぼさない。また、上記光即ち赤外光，可視光，紫外光を
使用するので、従来のＲＨＥＥＤのように結晶成長装置
内を超高真空に保持する必要がなく、結晶成長装置の外
部から結晶成長膜に光を照射するため、装置内の圧力は
問題にならず常圧及びそれ以上の広い圧力範囲における
結晶成長に適用することができる。
外光を使用して成長膜の反射光強度または散乱光強度を
測定するため、結晶成長おいて結晶中に何ら悪影響を及
ぼさない。また、上記光即ち赤外光，可視光，紫外光を
使用するので、従来のＲＨＥＥＤのように結晶成長装置
内を超高真空に保持する必要がなく、結晶成長装置の外
部から結晶成長膜に光を照射するため、装置内の圧力は
問題にならず常圧及びそれ以上の広い圧力範囲における
結晶成長に適用することができる。
【００１０】また、従来のＲＨＥＥＤは電子線回折であ
るため、結晶軸の方向と高エネルギー電子線の方向とを
合わせる必要があり、結晶基板を回転させながら結晶成
長を行うことはできなかったが、本発明方法では反射光
強度または散乱光強度の変化が一部の特殊な場合を除き
上記結晶軸とは無関係であるので、結晶基板を回転させ
ながら結晶成長を行うことができ、結晶膜厚の面内均一
性を確保することができる。また、その結果単分子層以
下の精度で成長膜厚の成長速度を容易に制御することが
可能になる。
るため、結晶軸の方向と高エネルギー電子線の方向とを
合わせる必要があり、結晶基板を回転させながら結晶成
長を行うことはできなかったが、本発明方法では反射光
強度または散乱光強度の変化が一部の特殊な場合を除き
上記結晶軸とは無関係であるので、結晶基板を回転させ
ながら結晶成長を行うことができ、結晶膜厚の面内均一
性を確保することができる。また、その結果単分子層以
下の精度で成長膜厚の成長速度を容易に制御することが
可能になる。
【００１１】さらに、この発明によれば、光は吸着分子
の種類に対して反射光強度または散乱光強度の波長依存
性を有するので、該波長依存性を測定して結晶成長測定
における吸着分子の種類に応じた最適の測定波長を選定
してやれば、ドーピング時における不純物の混入量や混
晶組成比を測定してそれらを制御することができる。ま
た、半導体デバイス作製等においては非常に平坦な成長
膜表面を得ることが必要であるが、成長膜表面に結晶核
が生じた場合それによる光の散乱のために反射光強度の
低下または散乱光強度の増加が起こるので、反射光強度
の低下または散乱光強度の増加ができるだけ小さくなる
ように制御することによりステップフロー成長状態をつ
くり出すことができ、その結果原子レベルで平坦な成長
膜表面を得ることができる。
の種類に対して反射光強度または散乱光強度の波長依存
性を有するので、該波長依存性を測定して結晶成長測定
における吸着分子の種類に応じた最適の測定波長を選定
してやれば、ドーピング時における不純物の混入量や混
晶組成比を測定してそれらを制御することができる。ま
た、半導体デバイス作製等においては非常に平坦な成長
膜表面を得ることが必要であるが、成長膜表面に結晶核
が生じた場合それによる光の散乱のために反射光強度の
低下または散乱光強度の増加が起こるので、反射光強度
の低下または散乱光強度の増加ができるだけ小さくなる
ように制御することによりステップフロー成長状態をつ
くり出すことができ、その結果原子レベルで平坦な成長
膜表面を得ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の半導体結晶のエピタキシャ
ル成長方法の好適な実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。具体例として、本発明によりＧａＡｓのエピタキシ
ャル成長を実施する場合について説明する。
ル成長方法の好適な実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。具体例として、本発明によりＧａＡｓのエピタキシ
ャル成長を実施する場合について説明する。
【００１３】図１は、ＧａＡｓ分子層エピタキシャル成
長装置の一例を示している。この装置は、例えば西澤潤
一他の論文〔Ｊ．Ｎｉｓｈｉｚａｗａ，Ｈ．Ａｂｅａｎ
ｄ Ｔ．Ｋｕｒａｂａｙａｓｈｉ；Ｊ．Ｅｌｅｃｔｏｒ
ｏｃｈｅｍ．Ｓoc.１３２（１９８５）１１９７〜１２
００〕において報告されている。図示されているよう
に、ＧａＡｓ分子層エピタキシャル成長装置３０の本体
は密閉容器３１からなっている。
長装置の一例を示している。この装置は、例えば西澤潤
一他の論文〔Ｊ．Ｎｉｓｈｉｚａｗａ，Ｈ．Ａｂｅａｎ
ｄ Ｔ．Ｋｕｒａｂａｙａｓｈｉ；Ｊ．Ｅｌｅｃｔｏｒ
ｏｃｈｅｍ．Ｓoc.１３２（１９８５）１１９７〜１２
００〕において報告されている。図示されているよう
に、ＧａＡｓ分子層エピタキシャル成長装置３０の本体
は密閉容器３１からなっている。
【００１４】この密閉容器３１には、ゲートバルブ１３
が介設され、このゲートバルブ１３の下方にはターボ分
子ポンプ等の真空排気装置１４が設けられ、上方には結
晶成長室３２が設けられている。上記結晶成長室３２の
内部には、ＧａＡｓ単結晶基板用サセプタ１１及びＧａ
Ａｓ単結晶基板１０が収容されている。
が介設され、このゲートバルブ１３の下方にはターボ分
子ポンプ等の真空排気装置１４が設けられ、上方には結
晶成長室３２が設けられている。上記結晶成長室３２の
内部には、ＧａＡｓ単結晶基板用サセプタ１１及びＧａ
Ａｓ単結晶基板１０が収容されている。
【００１５】また、上記結晶成長室３２には、この単結
晶基板１０に臨んで原料ガス導入ノズル９ａと、不純物
ガス導入ノズル９ｂとが、相対向して設けられている。
これら原料ガス導入ノズル９ａ及び不純物ガス導入ノズ
ル９ｂには、コントロールバルブ８ａ，８ｂがそれぞれ
備えられている。これらコントロールバルブ８ａ，８ｂ
は、それぞれ制御システム１２に接続されている。
晶基板１０に臨んで原料ガス導入ノズル９ａと、不純物
ガス導入ノズル９ｂとが、相対向して設けられている。
これら原料ガス導入ノズル９ａ及び不純物ガス導入ノズ
ル９ｂには、コントロールバルブ８ａ，８ｂがそれぞれ
備えられている。これらコントロールバルブ８ａ，８ｂ
は、それぞれ制御システム１２に接続されている。
【００１６】また、上記結晶成長室３２の上部には、Ｇ
ａＡｓ単結晶基板加熱用ランプ７が設けられており、こ
のＧａＡｓ単結晶基板加熱用ランプ７の両側には光の通
過する入射用窓６ａ及び取出し用窓６ｂが設けられてい
る。これら入射用窓６ａ及び取出し用窓６ｂは、これら
を通過する光が上記ＧａＡｓ単結晶基板１０に対して所
定の入射角θ1 ，反射角θ2 となるように角度設定して
設けられている。すなわち、ＧａＡｓ単結晶基板１０の
成長膜には後述する可変波長光源３５から任意波長の光
が所定の方向から照射されるようになっている。この可
変波長光源３５は、白色光源１とミラー５と分光器１′
とミラー５′とから構成されており、白色光源１からの
光を分光器１′で分光することにより任意波長の光を取
り出すようになっている。
ａＡｓ単結晶基板加熱用ランプ７が設けられており、こ
のＧａＡｓ単結晶基板加熱用ランプ７の両側には光の通
過する入射用窓６ａ及び取出し用窓６ｂが設けられてい
る。これら入射用窓６ａ及び取出し用窓６ｂは、これら
を通過する光が上記ＧａＡｓ単結晶基板１０に対して所
定の入射角θ1 ，反射角θ2 となるように角度設定して
設けられている。すなわち、ＧａＡｓ単結晶基板１０の
成長膜には後述する可変波長光源３５から任意波長の光
が所定の方向から照射されるようになっている。この可
変波長光源３５は、白色光源１とミラー５と分光器１′
とミラー５′とから構成されており、白色光源１からの
光を分光器１′で分光することにより任意波長の光を取
り出すようになっている。
【００１７】上記入射用窓６ａの外部には、これに臨ん
で可変波長光源３５が設けられており、これら入射用窓
６ａと可変波長光源３５との間には、光をチョッピング
するためのチョッパ２が介設されている。また、上記取
出し用窓６ｂの外部には、これに臨んでＧａＡｓ単結晶
基板１０の成長膜での反射光を受けるための受光器４が
設けられている。
で可変波長光源３５が設けられており、これら入射用窓
６ａと可変波長光源３５との間には、光をチョッピング
するためのチョッパ２が介設されている。また、上記取
出し用窓６ｂの外部には、これに臨んでＧａＡｓ単結晶
基板１０の成長膜での反射光を受けるための受光器４が
設けられている。
【００１８】上記チョッパ２及び受光器４は、それぞれ
ロックインアンプ３に接続されている。このロックイン
アンプ３にはディスプレイ１５及びレコーダ１６が備え
られており、このロックインアンプ３は上記制御システ
ム１２に接続されている。
ロックインアンプ３に接続されている。このロックイン
アンプ３にはディスプレイ１５及びレコーダ１６が備え
られており、このロックインアンプ３は上記制御システ
ム１２に接続されている。
【００１９】本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長
方法は、一例として示した上記ＧａＡｓ分子層エピタキ
シャル成長装置３０を使用して次のように行う。まず、
制御システム１２により不純物ガス及び原料ガスのコン
トロールバルブ８ａ，８ｂの制御が行われる。これによ
り、Ｇａを含む原料ガスと、Ａｓを含む原料ガスとが、
上記ＧａＡｓ単結晶基板加熱用ランプ７により温度制御
されたＧａＡｓ単結晶基板１０上へ交互に導入され、Ｇ
ａＡｓのエピタキシャル成長が行われる。
方法は、一例として示した上記ＧａＡｓ分子層エピタキ
シャル成長装置３０を使用して次のように行う。まず、
制御システム１２により不純物ガス及び原料ガスのコン
トロールバルブ８ａ，８ｂの制御が行われる。これによ
り、Ｇａを含む原料ガスと、Ａｓを含む原料ガスとが、
上記ＧａＡｓ単結晶基板加熱用ランプ７により温度制御
されたＧａＡｓ単結晶基板１０上へ交互に導入され、Ｇ
ａＡｓのエピタキシャル成長が行われる。
【００２０】ＧａＡｓ結晶表面での反射光強度の測定で
は、先ず反射光強度の波長依存性を測定する。即ち、密
閉容器３１の外部に置かれた可変波長光源３５から光を
その波長を変化させながら取り出してチョッパ２でチョ
ッピングする。そして、このチョッピングした光を上記
入射用窓６ａを通してＧａＡｓ単結晶成長膜に照射し、
その反射光強度をもう一方の取出し用窓６ｂを通して上
記Ｓｉホトダイオード等の受光器４で検出する。
は、先ず反射光強度の波長依存性を測定する。即ち、密
閉容器３１の外部に置かれた可変波長光源３５から光を
その波長を変化させながら取り出してチョッパ２でチョ
ッピングする。そして、このチョッピングした光を上記
入射用窓６ａを通してＧａＡｓ単結晶成長膜に照射し、
その反射光強度をもう一方の取出し用窓６ｂを通して上
記Ｓｉホトダイオード等の受光器４で検出する。
【００２１】この受光器４の検出出力がロックインアン
プ３により信号処理され、その後当該ロックインアンプ
３から制御システム１２やディスプレイ１５やレコーダ
１６に逐次出力されるが、この時、可変波長光源３５の
分光器１′より光の波長に相当する信号を取り出して、
ディスプレイ１５やレコーダ１６には光反射強度−波長
特性を出力するようにする。そして、この光反射強度−
波長特性を観察してＧａＡｓ単結晶の成長の測定に最適
な測定波長（多くの場合、最大振幅波長がこれに相当す
る。）を選定し、その後該測定波長の光をＧａＡｓ単結
晶成長膜に照射してその反射光強度の時間変化を測定す
る。
プ３により信号処理され、その後当該ロックインアンプ
３から制御システム１２やディスプレイ１５やレコーダ
１６に逐次出力されるが、この時、可変波長光源３５の
分光器１′より光の波長に相当する信号を取り出して、
ディスプレイ１５やレコーダ１６には光反射強度−波長
特性を出力するようにする。そして、この光反射強度−
波長特性を観察してＧａＡｓ単結晶の成長の測定に最適
な測定波長（多くの場合、最大振幅波長がこれに相当す
る。）を選定し、その後該測定波長の光をＧａＡｓ単結
晶成長膜に照射してその反射光強度の時間変化を測定す
る。
【００２２】図２は図１に示したＧａＡｓ分子層エピタ
キシャル成長装置３０によって、ＧａＡｓのエピタキシ
ャル成長を行ったときに観察される反射光強度変化及び
原料ガスの導入シーケンスを示すものである。図示のよ
うに、照射光の波長がλ1 の場合、Ｇａを含む原料ガス
として使用したトリエチルガリウム（ＴＥＧ）の導入と
共に反射光強度が増加し、Ａｓを含む原料ガスとして使
用したアルシン（ＡｓＨ3 ）の導入と共に反射光強度が
減少する。また、照射光の波長がλ2 の場合は、むしろ
トリエチルガリウム（ＴＥＧ）を導入した時に反射光強
度が減少し、アルシン（ＡｓＨ3 ）の導入と共に反射光
強度が増加する。
キシャル成長装置３０によって、ＧａＡｓのエピタキシ
ャル成長を行ったときに観察される反射光強度変化及び
原料ガスの導入シーケンスを示すものである。図示のよ
うに、照射光の波長がλ1 の場合、Ｇａを含む原料ガス
として使用したトリエチルガリウム（ＴＥＧ）の導入と
共に反射光強度が増加し、Ａｓを含む原料ガスとして使
用したアルシン（ＡｓＨ3 ）の導入と共に反射光強度が
減少する。また、照射光の波長がλ2 の場合は、むしろ
トリエチルガリウム（ＴＥＧ）を導入した時に反射光強
度が減少し、アルシン（ＡｓＨ3 ）の導入と共に反射光
強度が増加する。
【００２３】さらに、図３は図１で示したＧａＡｓ分子
層エピタキシャル成長装置３０により、ＧａＡｓのエピ
タキシャル成長を行ったときに観察される、照射光の波
長がλ1 及びλ2 の場合の反射光強度のベースライン
（結晶成長反応が起こらない時の反射光強度）に対する
変化率と１サイクル当たりの成長膜厚との相関関係の一
例を示したものである。
層エピタキシャル成長装置３０により、ＧａＡｓのエピ
タキシャル成長を行ったときに観察される、照射光の波
長がλ1 及びλ2 の場合の反射光強度のベースライン
（結晶成長反応が起こらない時の反射光強度）に対する
変化率と１サイクル当たりの成長膜厚との相関関係の一
例を示したものである。
【００２４】従って、以上の結果から得られた、導入さ
れる原料ガス即ち吸着分子の種類に対応する反射光強度
の波長依存性と、１サイクル当たりの成長膜厚と反射光
強度の変化率との相関関係を利用して、結晶成長中に、
ドーピングにおける不純物混入量や混晶組成についての
情報が得られるので、これらの制御を行うことができ
る。
れる原料ガス即ち吸着分子の種類に対応する反射光強度
の波長依存性と、１サイクル当たりの成長膜厚と反射光
強度の変化率との相関関係を利用して、結晶成長中に、
ドーピングにおける不純物混入量や混晶組成についての
情報が得られるので、これらの制御を行うことができ
る。
【００２５】また、以上の結果に基づき、可変波長光源
３５から出射される光の波長を最適測定波長即ち最大振
幅波長λ1 に固定して、例えば図１において、ロックイ
ンアンプ３の出力を制御システム１２に入力し、所望の
１サイクル当たりの成長膜厚に対応する波長λ1 におけ
る反射光強度の変化をあらかじめ制御システム１２に記
憶させておき、ロックインアンプ３からの出力変化がそ
の値に達すると原料ガスの導入を停止するようにして単
分子層以下の精度で成長膜厚の成長速度を制御すれば、
所望の成長膜厚を得ることができる。
３５から出射される光の波長を最適測定波長即ち最大振
幅波長λ1 に固定して、例えば図１において、ロックイ
ンアンプ３の出力を制御システム１２に入力し、所望の
１サイクル当たりの成長膜厚に対応する波長λ1 におけ
る反射光強度の変化をあらかじめ制御システム１２に記
憶させておき、ロックインアンプ３からの出力変化がそ
の値に達すると原料ガスの導入を停止するようにして単
分子層以下の精度で成長膜厚の成長速度を制御すれば、
所望の成長膜厚を得ることができる。
【００２６】また、成長膜表面に結晶核が生じた場合、
それによる光の散乱のために反射光強度の低下が起こる
ので、反射光強度を測定しながらその低下ができるだけ
小さくなるように制御することによりステップフロー成
長状態をつくり出すことができ、その結果原子レベルで
平坦な成長膜表面を得ることができる。
それによる光の散乱のために反射光強度の低下が起こる
ので、反射光強度を測定しながらその低下ができるだけ
小さくなるように制御することによりステップフロー成
長状態をつくり出すことができ、その結果原子レベルで
平坦な成長膜表面を得ることができる。
【００２７】さらに、光即ち赤外光，可視光，紫外光を
使用して成長膜の反射光強度を測定するため、結晶成長
おいて結晶中に何ら悪影響を及ぼさない。また、光即ち
赤外光，可視光，紫外光を使用するので、従来のＲＨＥ
ＥＤのように結晶成長装置内を超高真空に保持する必要
がなく、結晶成長装置の外部から結晶成長膜に光を照射
するため、装置内の圧力は問題にならず常圧及びそれ以
上の広い圧力範囲における結晶成長に適用することがで
きる。
使用して成長膜の反射光強度を測定するため、結晶成長
おいて結晶中に何ら悪影響を及ぼさない。また、光即ち
赤外光，可視光，紫外光を使用するので、従来のＲＨＥ
ＥＤのように結晶成長装置内を超高真空に保持する必要
がなく、結晶成長装置の外部から結晶成長膜に光を照射
するため、装置内の圧力は問題にならず常圧及びそれ以
上の広い圧力範囲における結晶成長に適用することがで
きる。
【００２８】しかも、反射光強度の変化が一部の特殊な
場合を除き結晶軸とは無関係であるので、結晶基板を回
転させながら結晶成長を行うことができ、結晶膜厚の面
内均一性を確保することができる。また、その結果単分
子層以下の精度で成長膜厚の成長速度を容易に制御する
ことが可能になる。
場合を除き結晶軸とは無関係であるので、結晶基板を回
転させながら結晶成長を行うことができ、結晶膜厚の面
内均一性を確保することができる。また、その結果単分
子層以下の精度で成長膜厚の成長速度を容易に制御する
ことが可能になる。
【００２９】尚、上記エピタキシャル成長装置３０はＳ
ｉ層エピタキシャル成長装置としても用いることがで
き、その場合、ＧａＡｓ単結晶基板１０の代わりにＳｉ
単結晶基板が用いられ、結晶成長室３２には、Ｇａを含
む原料ガスとＡｓを含む原料ガスの代わりにＳｉを含む
原料ガスと水素などが導入される。
ｉ層エピタキシャル成長装置としても用いることがで
き、その場合、ＧａＡｓ単結晶基板１０の代わりにＳｉ
単結晶基板が用いられ、結晶成長室３２には、Ｇａを含
む原料ガスとＡｓを含む原料ガスの代わりにＳｉを含む
原料ガスと水素などが導入される。
【００３０】また、図４はＧａＡｓ気相成長法の一つで
あるＭＯ−ＣＶＤ装置（気相成長装置）３０′を示し、
この装置を用いて本発明の半導体結晶のエピタキシャル
成長方法を実施する。
あるＭＯ−ＣＶＤ装置（気相成長装置）３０′を示し、
この装置を用いて本発明の半導体結晶のエピタキシャル
成長方法を実施する。
【００３１】図示するように、このＭＯ−ＣＶＤ装置３
０′の本体は円筒体状の石英反応管２０からなり、その
一端部にはガス導入口３３が、他端部にはガス排出口３
４が設けられている。このガス導入口３３には、ＧａＡ
ｓ結晶成長用原料ガス及びドーパントを含むガスの供給
ノズル２１が接続され、複数のコントロールバルブ２３
が備えられている。これらのコントロールバルブ２３は
それぞれ制御システム１２′に接続されている。
０′の本体は円筒体状の石英反応管２０からなり、その
一端部にはガス導入口３３が、他端部にはガス排出口３
４が設けられている。このガス導入口３３には、ＧａＡ
ｓ結晶成長用原料ガス及びドーパントを含むガスの供給
ノズル２１が接続され、複数のコントロールバルブ２３
が備えられている。これらのコントロールバルブ２３は
それぞれ制御システム１２′に接続されている。
【００３２】また、上記石英反応管２０の内部には、石
英サセプタ１８及びＧａＡｓ単結晶基板１７が収容され
ている。そして、この石英反応管２０の周囲には、加熱
用ヒータ１９が設けられている。上記石英反応管２０の
加熱用ヒータ１９の両側の上部には、光の通過する入射
用窓２２ａ及び取出し用窓２２ｂが設けられており、こ
れら入射用窓２２ａ及び取出し用窓２２ｂは、これらを
通過する光が上記ＧａＡｓ単結晶基板１７に対して所定
の入射角θ1 ′，反射角θ2 ′となるよう角度設定され
ている。すなわち、ＧａＡｓ単結晶基板１７の成長膜に
は、図１に示した可変波長光源３５と同じ構成の可変波
長光源３５′から任意波長の光が所定の方向から照射さ
れるようになっている。
英サセプタ１８及びＧａＡｓ単結晶基板１７が収容され
ている。そして、この石英反応管２０の周囲には、加熱
用ヒータ１９が設けられている。上記石英反応管２０の
加熱用ヒータ１９の両側の上部には、光の通過する入射
用窓２２ａ及び取出し用窓２２ｂが設けられており、こ
れら入射用窓２２ａ及び取出し用窓２２ｂは、これらを
通過する光が上記ＧａＡｓ単結晶基板１７に対して所定
の入射角θ1 ′，反射角θ2 ′となるよう角度設定され
ている。すなわち、ＧａＡｓ単結晶基板１７の成長膜に
は、図１に示した可変波長光源３５と同じ構成の可変波
長光源３５′から任意波長の光が所定の方向から照射さ
れるようになっている。
【００３３】上記入射用窓２２ａの外部には、これに臨
んで可変波長光源３５′が設けられており、これら入射
用窓２２ａと可変波長光源３５′との間には、光をチョ
ッピングするためのチョッパ２が介設されている。ま
た、上記取出し用窓２２ｂの外部には、これに臨んでＧ
ａＡｓ単結晶基板１７の成長膜での反射光を受けるため
の受光器４が設けられている。上記チョッパ２及び受光
器４は、それぞれロックインアンプ３に接続されてい
る。このロックインアンプ３には、ディスプレイ１５及
びレコーダ１６が備えられており、このロックインアン
プ３は上記制御システム１２′に接続されている。
んで可変波長光源３５′が設けられており、これら入射
用窓２２ａと可変波長光源３５′との間には、光をチョ
ッピングするためのチョッパ２が介設されている。ま
た、上記取出し用窓２２ｂの外部には、これに臨んでＧ
ａＡｓ単結晶基板１７の成長膜での反射光を受けるため
の受光器４が設けられている。上記チョッパ２及び受光
器４は、それぞれロックインアンプ３に接続されてい
る。このロックインアンプ３には、ディスプレイ１５及
びレコーダ１６が備えられており、このロックインアン
プ３は上記制御システム１２′に接続されている。
【００３４】このようなＭＯ−ＣＶＤ装置３０′の一例
を使用して、本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長
方法は次のように行う。まず、制御システム１２′によ
り石英反応管２０のガス導入時間，排気時間がコントロ
ールされ、ＧａＡｓ単結晶上に、Ｇａを含む原料ガスと
Ａｓを含む原料ガスとが交互に供給されてＧａＡｓのエ
ピタキシャル成長が行われる。
を使用して、本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長
方法は次のように行う。まず、制御システム１２′によ
り石英反応管２０のガス導入時間，排気時間がコントロ
ールされ、ＧａＡｓ単結晶上に、Ｇａを含む原料ガスと
Ａｓを含む原料ガスとが交互に供給されてＧａＡｓのエ
ピタキシャル成長が行われる。
【００３５】次にＧａＡｓ結晶表面での反射光強度の波
長依存性を測定する。即ち、密閉容器３１の外部に置か
れた可変波長光源３５′から光をその波長を変化させな
がら入射用窓２２ａを通してＧａＡｓ単結晶基板１７に
照射し、その反射光強度を取り出し用窓２２ｂを通して
Ｓｉホトダイオード等の受光器４により測定する。
長依存性を測定する。即ち、密閉容器３１の外部に置か
れた可変波長光源３５′から光をその波長を変化させな
がら入射用窓２２ａを通してＧａＡｓ単結晶基板１７に
照射し、その反射光強度を取り出し用窓２２ｂを通して
Ｓｉホトダイオード等の受光器４により測定する。
【００３６】この受光器４の反射光強度の検出出力はロ
ックインアンプ３で信号処理され、その後当該ロックイ
ンアンプ３からディスプレイ１５やレコーダ１６に逐次
出力されるが、この時、可変波長光源３５′の分光器
１′より光の波長に相当する信号を取り出して、ディス
プレイ１５やレコーダ１６には光反射強度−波長特性を
出力するようにする。
ックインアンプ３で信号処理され、その後当該ロックイ
ンアンプ３からディスプレイ１５やレコーダ１６に逐次
出力されるが、この時、可変波長光源３５′の分光器
１′より光の波長に相当する信号を取り出して、ディス
プレイ１５やレコーダ１６には光反射強度−波長特性を
出力するようにする。
【００３７】そして、この光反射強度−波長特性を観察
してＧａＡｓ単結晶の成長の測定に最適な測定波長を選
定し、その後該測定波長の光をＧａＡｓ単結晶成長膜に
照射してその反射光強度の時間変化を測定すると共に、
導入される原料ガス即ち吸着分子の種類に対応する反射
光強度の波長依存性と、１サイクル当たりの成長膜厚と
反射光強度の変化率との相関関係を利用して、ドーピン
グにおける不純物混入量や混晶組成についての情報を
得、結晶成長中にこれらの制御を行う。
してＧａＡｓ単結晶の成長の測定に最適な測定波長を選
定し、その後該測定波長の光をＧａＡｓ単結晶成長膜に
照射してその反射光強度の時間変化を測定すると共に、
導入される原料ガス即ち吸着分子の種類に対応する反射
光強度の波長依存性と、１サイクル当たりの成長膜厚と
反射光強度の変化率との相関関係を利用して、ドーピン
グにおける不純物混入量や混晶組成についての情報を
得、結晶成長中にこれらの制御を行う。
【００３８】また、最適測定波長における反射光強度の
変化が上記ロックインアンプ３から制御システム１２′
にも入力され、所望の１サイクル当たりの成長膜厚に対
応する反射光強度変化に達すればコントロールバルブ２
３を閉成してＧａＡｓ結晶成長用原料ガス及びドーパン
トを含むガスの導入を停止するようにして、成長膜厚の
成長速度を制御し、所望の成長膜厚を得ることができ
る。尚、この発明方法はＧａＣｌ3 およびＡｓＨ3 を用
いた気相成長, Ｇａ−ＡｓＣｌ3 −Ｈ2 によるクロライ
ド法気相成長，Ｇａ−ＡｓＨ3 −ＨＣｌを用いたハイド
ライド法気相成長においても同様に適用することができ
る。
変化が上記ロックインアンプ３から制御システム１２′
にも入力され、所望の１サイクル当たりの成長膜厚に対
応する反射光強度変化に達すればコントロールバルブ２
３を閉成してＧａＡｓ結晶成長用原料ガス及びドーパン
トを含むガスの導入を停止するようにして、成長膜厚の
成長速度を制御し、所望の成長膜厚を得ることができ
る。尚、この発明方法はＧａＣｌ3 およびＡｓＨ3 を用
いた気相成長, Ｇａ−ＡｓＣｌ3 −Ｈ2 によるクロライ
ド法気相成長，Ｇａ−ＡｓＨ3 −ＨＣｌを用いたハイド
ライド法気相成長においても同様に適用することができ
る。
【００３９】次に、図５はＧａＡｓ気相成長法の一つで
ある分子線エピタキシャル成長装置３０″を示し、この
装置を用いて本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長
方法を実施する。図示するように、分子線エピタキシャ
ル成長装置３０″の本体は、密閉容器からなる超高真空
成長チャンバ２６にて形成されている。そして、この超
高真空成長チャンバ２６の底部には、イオンポンプやタ
ーボ分子ポンプ等の真空排気装置２９が接続されてい
る。
ある分子線エピタキシャル成長装置３０″を示し、この
装置を用いて本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長
方法を実施する。図示するように、分子線エピタキシャ
ル成長装置３０″の本体は、密閉容器からなる超高真空
成長チャンバ２６にて形成されている。そして、この超
高真空成長チャンバ２６の底部には、イオンポンプやタ
ーボ分子ポンプ等の真空排気装置２９が接続されてい
る。
【００４０】この超高真空成長チャンバ２６内の天井部
には、基板加熱用ヒータ２４が設けられており、この基
板加熱用ヒータ２４に近接して下方に臨んでＧａＡｓ単
結晶基板２５が設けられている。また、上記超高真空成
長チャンバ２６内の底部には、複数の原料加熱用るつぼ
２７が支持固定されている。これら原料加熱用るつぼ２
７の開口部には、分子線の供給を制御するシャッタ２８
がそれぞれ備えられている。
には、基板加熱用ヒータ２４が設けられており、この基
板加熱用ヒータ２４に近接して下方に臨んでＧａＡｓ単
結晶基板２５が設けられている。また、上記超高真空成
長チャンバ２６内の底部には、複数の原料加熱用るつぼ
２７が支持固定されている。これら原料加熱用るつぼ２
７の開口部には、分子線の供給を制御するシャッタ２８
がそれぞれ備えられている。
【００４１】超高真空成長チャンバ２６の相対向する側
壁には、光の通過する入射用窓２９ａ及び取出し用窓２
９ｂが設けられている。これらの入射用窓２９ａ及び取
出し用窓２９ｂは、これらを通過する光が上記ＧａＡｓ
単結晶基板２５に対して、所定の入射角θ1 ″，反射角
θ2 ″となるように角度設定して設けられている。
壁には、光の通過する入射用窓２９ａ及び取出し用窓２
９ｂが設けられている。これらの入射用窓２９ａ及び取
出し用窓２９ｂは、これらを通過する光が上記ＧａＡｓ
単結晶基板２５に対して、所定の入射角θ1 ″，反射角
θ2 ″となるように角度設定して設けられている。
【００４２】すなわち、ＧａＡｓ単結晶基板２５の成長
膜に図１に示した可変波長光源３５と同じ構成の可変波
長光源３５″から任意波長の光が所定の方向から照射さ
れるようになっている。上記入射用窓２９ａの外部に
は、これに臨んで可変波長光源３５″が設けられてお
り、これら入射用窓２９ａと可変波長光源３５″との間
には、光をチョッピングするためのチョッパ２が介設さ
れている。また、上記取出し用窓２９ｂの外部には、こ
れに臨んでＧａＡｓ単結晶基板２５の成長膜での反射光
を受けるための受光器４が設けられている。
膜に図１に示した可変波長光源３５と同じ構成の可変波
長光源３５″から任意波長の光が所定の方向から照射さ
れるようになっている。上記入射用窓２９ａの外部に
は、これに臨んで可変波長光源３５″が設けられてお
り、これら入射用窓２９ａと可変波長光源３５″との間
には、光をチョッピングするためのチョッパ２が介設さ
れている。また、上記取出し用窓２９ｂの外部には、こ
れに臨んでＧａＡｓ単結晶基板２５の成長膜での反射光
を受けるための受光器４が設けられている。
【００４３】チョッパ２及び受光器４は、それぞれロッ
クインアンプ３に接続されている。このロックインアン
プ３には、ディスプレイ１５及びレコーダ１６が備えら
れており、このロックインアンプ３は上記制御システム
１２″に接続されている。さらに、この制御システム１
２″は、上記超高真空成長チャンバ２６の電気系に接続
されている。この電気系は、上記超高真空成長チャンバ
２６に内装されたシャッタ２８等の付属装置と結線され
ている。
クインアンプ３に接続されている。このロックインアン
プ３には、ディスプレイ１５及びレコーダ１６が備えら
れており、このロックインアンプ３は上記制御システム
１２″に接続されている。さらに、この制御システム１
２″は、上記超高真空成長チャンバ２６の電気系に接続
されている。この電気系は、上記超高真空成長チャンバ
２６に内装されたシャッタ２８等の付属装置と結線され
ている。
【００４４】このような分子線エピタキシャル成長装置
３０″を使用して、本発明の半導体結晶のエピタキシャ
ル成長方法は次のように行う。まず制御システム１２″
によりシャッタ２８の開閉動作がコントロールされてＧ
ａ及びＡｓの分子線が交互にＧａＡｓ単結晶基板２５上
に供給され、ＧａＡｓエピタキシャル成長が行われる。
３０″を使用して、本発明の半導体結晶のエピタキシャ
ル成長方法は次のように行う。まず制御システム１２″
によりシャッタ２８の開閉動作がコントロールされてＧ
ａ及びＡｓの分子線が交互にＧａＡｓ単結晶基板２５上
に供給され、ＧａＡｓエピタキシャル成長が行われる。
【００４５】次にＧａＡｓ結晶表面での反射光強度の波
長依存性を測定する。即ち、密閉容器２６の外部に置か
れた可変波長光源３５″から光をその波長を変化させな
がら入射用窓２９ａを通してＧａＡｓ単結晶基板２５に
照射し、その反射光強度を取り出し用窓２９ｂを通して
Ｓｉホトダイオード等の受光器４により測定する。
長依存性を測定する。即ち、密閉容器２６の外部に置か
れた可変波長光源３５″から光をその波長を変化させな
がら入射用窓２９ａを通してＧａＡｓ単結晶基板２５に
照射し、その反射光強度を取り出し用窓２９ｂを通して
Ｓｉホトダイオード等の受光器４により測定する。
【００４６】この受光器４の反射光強度の検出出力はロ
ックインアンプ３で信号処理され、その後当該ロックイ
ンアンプ３からディスプレイ１５やレコーダ１６に逐次
出力されるが、この時、可変波長光源３５″の分光器
１′より光の波長に相当する信号を取り出して、ディス
プレイ１５やレコーダ１６には光反射強度−波長特性を
出力するようにする。
ックインアンプ３で信号処理され、その後当該ロックイ
ンアンプ３からディスプレイ１５やレコーダ１６に逐次
出力されるが、この時、可変波長光源３５″の分光器
１′より光の波長に相当する信号を取り出して、ディス
プレイ１５やレコーダ１６には光反射強度−波長特性を
出力するようにする。
【００４７】そして、この光反射強度−波長特性を観察
してＧａＡｓ単結晶の成長の測定に最適な測定波長を選
定し、その後該測定波長の光をＧａＡｓ単結晶成長膜に
照射してその反射光強度の時間変化を測定する。そし
て、導入される原料ガス、即ち吸着分子の種類に対応す
る反射光強度の波長依存性と、１サイクル当たりの成長
膜厚と反射光強度の変化率との相関関係を利用して、ド
ーピングにおける不純物混入量や混晶組成についての情
報を得、結晶成長中にこれらの制御を行う。
してＧａＡｓ単結晶の成長の測定に最適な測定波長を選
定し、その後該測定波長の光をＧａＡｓ単結晶成長膜に
照射してその反射光強度の時間変化を測定する。そし
て、導入される原料ガス、即ち吸着分子の種類に対応す
る反射光強度の波長依存性と、１サイクル当たりの成長
膜厚と反射光強度の変化率との相関関係を利用して、ド
ーピングにおける不純物混入量や混晶組成についての情
報を得、結晶成長中にこれらの制御を行う。
【００４８】また、最適測定波長における反射光強度の
変化が上記ロックインアンプ３から制御システム１２″
にも入力され、所望の１サイクル当たりの成長膜厚に対
応する反射光強度変化に達すればシャッタ２８を閉成す
るようにする。このようにして結晶成長中に成長膜厚の
成長速度を制御すれば、単分子層以下の精度で所望の結
晶膜厚を得ることができる。
変化が上記ロックインアンプ３から制御システム１２″
にも入力され、所望の１サイクル当たりの成長膜厚に対
応する反射光強度変化に達すればシャッタ２８を閉成す
るようにする。このようにして結晶成長中に成長膜厚の
成長速度を制御すれば、単分子層以下の精度で所望の結
晶膜厚を得ることができる。
【００４９】さらに従来のＲＨＥＥＤは電子線回折であ
るため、結晶軸の方向と高エネルギー電子線の方向とを
合わせる必要があり、ＧａＡｓ単結晶基板１０，１７，
２５を回転させながら結晶成長を行うことはできなかっ
たが、本発明方法では反射光強度の変化が上記結晶軸と
は無関係であるので、ＧａＡｓ単結晶基板１０，１７，
２５を回転させながら結晶成長を行うことができ、結晶
膜厚の面内均一性を確保することができる。尚、本発明
は、ＭＬＥやＶＰＥにも適用できることはいうまでもな
い。また、反射光強度の変化の代わりに散乱光強度の変
化を測定するようにしても、同様に成長パラメータのモ
ニタが可能である。
るため、結晶軸の方向と高エネルギー電子線の方向とを
合わせる必要があり、ＧａＡｓ単結晶基板１０，１７，
２５を回転させながら結晶成長を行うことはできなかっ
たが、本発明方法では反射光強度の変化が上記結晶軸と
は無関係であるので、ＧａＡｓ単結晶基板１０，１７，
２５を回転させながら結晶成長を行うことができ、結晶
膜厚の面内均一性を確保することができる。尚、本発明
は、ＭＬＥやＶＰＥにも適用できることはいうまでもな
い。また、反射光強度の変化の代わりに散乱光強度の変
化を測定するようにしても、同様に成長パラメータのモ
ニタが可能である。
【００５０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体結晶
のエピタキシャル成長方法によれば、容易に結晶膜厚の
面内均一性を確保すべく、結晶基板を回転させながら結
晶を成長させることができて成長膜厚の成長速度の制御
が容易であり且つ結晶成長時に結晶に何ら悪影響を与え
ず、また超高真空中に限らず常圧でも適用することがで
き、さらに複数種類の原料による結晶成長を対象にした
時、成長した結晶の混晶組成比及び不純物密度等を測定
することができ、それらの制御が可能である。
のエピタキシャル成長方法によれば、容易に結晶膜厚の
面内均一性を確保すべく、結晶基板を回転させながら結
晶を成長させることができて成長膜厚の成長速度の制御
が容易であり且つ結晶成長時に結晶に何ら悪影響を与え
ず、また超高真空中に限らず常圧でも適用することがで
き、さらに複数種類の原料による結晶成長を対象にした
時、成長した結晶の混晶組成比及び不純物密度等を測定
することができ、それらの制御が可能である。
【図１】本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長方法
に使用するＧａＡｓの分子層エピタキシャル成長装置の
一例を示す概略構成図である。
に使用するＧａＡｓの分子層エピタキシャル成長装置の
一例を示す概略構成図である。
【図２】上記分子層エピタキシャル成長装置を使用した
場合の、ＧａＡｓの結晶成長時に観察される反射光強度
変化の一例を示す図である。
場合の、ＧａＡｓの結晶成長時に観察される反射光強度
変化の一例を示す図である。
【図３】上記分子層エピタキシャル成長装置を使用した
場合の、反射光強度の変化率と１サイクル当たりの成長
膜厚との相関関係の一例を示した図である。
場合の、反射光強度の変化率と１サイクル当たりの成長
膜厚との相関関係の一例を示した図である。
【図４】本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長方法
に使用するＭＯ−ＣＶＤ装置の一例を示す概略構成図で
ある。
に使用するＭＯ−ＣＶＤ装置の一例を示す概略構成図で
ある。
【図５】本発明の半導体結晶のエピタキシャル成長方法
に使用する分子線エピタキシャル成長装置の一例を示す
概略構成図である。 １ 光源 １′ 分光器 ２ チョッパ ３ ロックインアンプ ４ 受光器 ５，５′ ミラー １０，１７，２５ ＧａＡｓ単結晶基板 １２，１２′，１２″ 制御システム １５ ディスプレイ １６ レコーダ ３０ 分子層エピタキシャル成長装置 ３０′ ＭＯ−ＣＶＤ装置 ３０″ 分子線エピタキシャル成長装置 ３５ 可変波長光源
に使用する分子線エピタキシャル成長装置の一例を示す
概略構成図である。 １ 光源 １′ 分光器 ２ チョッパ ３ ロックインアンプ ４ 受光器 ５，５′ ミラー １０，１７，２５ ＧａＡｓ単結晶基板 １２，１２′，１２″ 制御システム １５ ディスプレイ １６ レコーダ ３０ 分子層エピタキシャル成長装置 ３０′ ＭＯ−ＣＶＤ装置 ３０″ 分子線エピタキシャル成長装置 ３５ 可変波長光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西澤 潤一 宮城県仙台市青葉区米ケ袋１丁目６番16 号 (72)発明者 倉林 徹 宮城県仙台市太白区八木山南１丁目９番 23号 松屋南八木山203 (56)参考文献 特開 昭49−31272（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−189723（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−164497（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−41720（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 結晶成長装置内に、原料又は原料ガスを
所定の時間間隔で交互に導入して単分子層の結晶成長を
行う半導体結晶のエピタキシャル成長方法において、 結晶成長時に、先ず結晶成長膜に可変波長光源からの少
なくとも一本の光をその波長を変化させつつ少なくとも
一つの所定の方向から照射し、同時にその反射光強度ま
たは散乱光強度の波長依存性を測定して結晶成長におけ
る複数の吸着分子の種類に応じた最適の複数の測定波長
を選定し、次に該測定波長の光を結晶成長膜に照射して
その吸着分子層の成長に対応した反射光強度または散乱
光強度の時間変化をそれぞれの測定波長ごとに測定しつ
つ、該時間変化に基づいて上記各原料又は原料ガスの供
給量を調整することにより、成長膜厚の成長速度、混晶
組成比及び不純物密度を制御するようにしたことを特徴
とする、半導体結晶のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項２】 前記可変波長光源が白色光源と分光器か
ら成ることを特徴とする、請求項１に記載の半導体結晶
のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項３】 前記可変波長光源が可変波長レーザ光源
であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体結晶
のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項４】 前記結晶成長装置に、分子層エピタキシ
ャル成長装置、ＭＯ−ＣＶＤ装置，クロライド法気相成
長装置または分子線エピタキシャル成長装置を採用する
と共に、各装置に前記可変波長光源と受光器とを備え、
該受光器により反射光強度または散乱光強度の波長依存
性及び時間的変化を測定するようにしたことを特徴とす
る、請求項１乃至３の何れかに記載の半導体結晶のエピ
タキシャル成長方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342448A JP2987379B2 (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 |
| DE69228467T DE69228467T2 (de) | 1991-11-30 | 1992-11-25 | Verfahren zum epitaktischen Wachsen eines Halbleiterkristalls |
| EP92120034A EP0545238B1 (en) | 1991-11-30 | 1992-11-25 | Method of epitaxially growing a semiconductor crystal |
| US07/983,331 US5254207A (en) | 1991-11-30 | 1992-11-30 | Method of epitaxially growing semiconductor crystal using light as a detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342448A JP2987379B2 (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152221A JPH05152221A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2987379B2 true JP2987379B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=18353822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3342448A Expired - Fee Related JP2987379B2 (ja) | 1991-11-30 | 1991-11-30 | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5254207A (ja) |
| EP (1) | EP0545238B1 (ja) |
| JP (1) | JP2987379B2 (ja) |
| DE (1) | DE69228467T2 (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382542A (en) * | 1993-07-26 | 1995-01-17 | Hughes Aircraft Company | Method of growth of II-VI materials on silicon using As passivation |
| US5480813A (en) * | 1994-06-21 | 1996-01-02 | At&T Corp. | Accurate in-situ lattice matching by reflection high energy electron diffraction |
| US5985025A (en) * | 1995-02-01 | 1999-11-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor growth method |
| US5936716A (en) * | 1996-05-31 | 1999-08-10 | Pinsukanjana; Paul Ruengrit | Method of controlling multi-species epitaxial deposition |
| US6075588A (en) * | 1996-05-31 | 2000-06-13 | The Regents Of The University Of California | Integrated multi-channel optical-based flux monitor and method |
| DE19706973A1 (de) * | 1997-02-21 | 1998-08-27 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer glatten Oberfläche einer Probe |
| KR20010006155A (ko) * | 1998-02-13 | 2001-01-26 | 야스카와 히데아키 | 반도체장치의 제조방법 및 열처리장치 |
| US6316098B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-11-13 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Molecular layer epitaxy method and compositions |
| US6783849B2 (en) * | 1998-03-27 | 2004-08-31 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Molecular layer epitaxy method and compositions |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US6825447B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6765178B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6660126B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-12-09 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| DE10124609B4 (de) * | 2001-05-17 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden aktiver Schichten auf Substraten |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
| US6620670B2 (en) | 2002-01-18 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3 |
| US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6827978B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition of tungsten films |
| US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US6846516B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
| US6875271B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Simultaneous cyclical deposition in different processing regions |
| US6869838B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7279432B2 (en) | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
| US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7211508B2 (en) | 2003-06-18 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tantalum based barrier materials |
| US7459175B2 (en) * | 2005-01-26 | 2008-12-02 | Tokyo Electron Limited | Method for monolayer deposition |
| JP5184431B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-04-17 | シャープ株式会社 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
| JP7039865B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2022-03-23 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4931272A (ja) * | 1972-03-02 | 1974-03-20 | ||
| US4068125A (en) * | 1975-02-18 | 1978-01-10 | Diax Corporation | Laser absorption spectroscopy employing varying absorption conditions |
| US4159919A (en) * | 1978-01-16 | 1979-07-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Molecular beam epitaxy using premixing |
| JPH0766910B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-07-19 | 新技術事業団 | 半導体単結晶成長装置 |
| JPH0766906B2 (ja) * | 1984-07-26 | 1995-07-19 | 新技術事業団 | ＧａＡｓエピタキシャル成長方法 |
| JPH0722133B2 (ja) * | 1986-02-15 | 1995-03-08 | ソニー株式会社 | 気相成長装置 |
| CA1302803C (en) * | 1986-02-15 | 1992-06-09 | Hiroji Kawai | Method and apparatus for vapor deposition |
| GB8606748D0 (en) * | 1986-03-19 | 1986-04-23 | Secr Defence | Monitoring surface layer growth |
| US4931132A (en) * | 1988-10-07 | 1990-06-05 | Bell Communications Research, Inc. | Optical control of deposition of crystal monolayers |
| JPH0731050B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1995-04-10 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式膜厚測定装置 |
| JPH0341720A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体薄膜形成装置 |
| JPH0751478B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1995-06-05 | 新技術事業団 | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法 |
| US5047639A (en) * | 1989-12-22 | 1991-09-10 | Wong Jacob Y | Concentration detector |
| JP2750935B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1998-05-18 | 富士通株式会社 | 分子線制御方法及び分子線結晶成長装置 |
| JPH07115990B2 (ja) * | 1990-06-11 | 1995-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 結晶表面検査方法および結晶成長装置 |
| US5171399A (en) * | 1990-08-15 | 1992-12-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflection mass spectrometry technique for monitoring and controlling composition during molecular beam epitaxy |
-
1991
- 1991-11-30 JP JP3342448A patent/JP2987379B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-11-25 EP EP92120034A patent/EP0545238B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-25 DE DE69228467T patent/DE69228467T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-30 US US07/983,331 patent/US5254207A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0545238A2 (en) | 1993-06-09 |
| EP0545238A3 (en) | 1995-04-19 |
| DE69228467D1 (de) | 1999-04-01 |
| JPH05152221A (ja) | 1993-06-18 |
| US5254207A (en) | 1993-10-19 |
| EP0545238B1 (en) | 1999-02-24 |
| DE69228467T2 (de) | 1999-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2987379B2 (ja) | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 | |
| US4806321A (en) | Use of infrared radiation and an ellipsoidal reflection mirror | |
| US4975252A (en) | Semiconductor crystal growth apparatus | |
| US5525156A (en) | Apparatus for epitaxially growing a chemical compound crystal | |
| US5463977A (en) | Method of and apparatus for epitaxially growing chemical compound crystal | |
| US5200021A (en) | Method and apparatus for vapor deposition | |
| Jackson et al. | In situ monitoring and control for MBE growth of optoelectronic devices | |
| Jensen et al. | Excimer laser‐assisted metalorganic vapor phase epitaxy of CdTe and HgTe on (100) GaAs | |
| JP2934740B2 (ja) | 半導体結晶のエピタキシャル成長装置 | |
| Irvine et al. | In situ characterization techniques for monitoring and control of VPE growth of Hg1-xCdxTe | |
| Schmidt et al. | A compact VCE growth system for in situ studies of epitaxy | |
| JPS5961919A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| Teraji | Ultrapure homoepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition for quantum device application | |
| Karlicek Jr et al. | Remote optical monitoring of reactants in a vapor phase epitaxial reactor | |
| ASPNES | REAL-TIME SURFACE AND NEAR-SURFACE OPTICAL DIAGNOSTICS | |
| Aspnes | Real-Time Surface and Near-Surface Optical Diagnostics for Epitaxial Growth | |
| JP2004200480A (ja) | 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置並びに赤外線発光素子及び赤外線受光素子 | |
| Courboulès et al. | Monolayer thickness control of In x Ga1− x As/GaAs quantum wells grown by metalorganic molecular beam epitaxy | |
| Gotoh et al. | Growth mechanism of a Ag crystal particle containing a twin plane grown on a Mo (110) surface | |
| Hill et al. | A technique for the epitaxial growth of zinc sulphide on silicon | |
| Pohl et al. | In Situ Growth Analysis | |
| JPS6278186A (ja) | 粒子線エピタキシヤル装置 | |
| Torres-Delgado et al. | Photoluminescence and photoreflectance studies of defects in GaAs epitaxial layers grown by liquid phase epitaxy at different supercooling temperatures | |
| JPH05160040A (ja) | 半導体結晶成長装置および該装置を用いた結晶成長方法 | |
| JPH06280014A (ja) | 薄膜成長表面その場評価法及び薄膜形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |