JP2001143874A5 - 表示装置及びその作製方法 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上及び該絶縁膜に形成されたコンタクトホールに設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第２の電極、発光層及び第３の電極とを有し、
前記絶縁膜上及び前記コンタクトホール内において、前記第１の電極の表面はテクスチャ構造であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、かつ前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第２の電極、発光層及び第３の電極とを有し、
前記絶縁膜上及び前記コンタクトホール内において、前記第１の電極の表面はテクスチャ構造であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
ＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、かつ前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続される第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第２の電極、発光層及び第３の電極とを有し、
前記第１の電極、前記第２の電極、前記発光層及び前記第３の電極は、前記ＴＦＴと重なるように設けられ、
前記第２の電極はアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含んでおり、
前記絶縁膜上及び前記コンタクトホール内において、前記第１の電極の表面はテクスチャ構造であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の端部及び上面の一部に設けられた配線と、
前記第１の絶縁膜及び前記配線上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上及び該第２の絶縁膜に形成された第１コンタクトホールに設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第２の電極、発光層及び第３の電極と、を有し、
前記第３の電極は、前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記配線と接続され、
前記第２の絶縁膜上及び前記第２コンタクトホール内において、前記第１の電極の表面はテクスチャ構造であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の電極は陰極であり、前記第３の電極は陽極であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の電極は、アルミニウムを主成分とする膜、又はシリコン、ニッケル若しくは銅のいずれかを含むアルミニウム膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第２の電極は、マグネシウム、リチウム又はカルシウムを含む金属膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第３の電極は酸化インジウムと酸化スズの化合物、又は、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記テクスチャ構造における起伏部の間隔は、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記テクスチャ構造における起伏部と、前記第１の電極が設けられた基板表面に平行な線とがなす角は３０°以上７０°以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上及び該絶縁膜に形成されたコンタクトホールに、表面がテクスチャ構造である第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第２の電極、発光層及び第３の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
ＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上及び該絶縁膜に形成されたコンタクトホールに、該コンタクトホールを介して前記ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、かつ、表面がテクスチャ構造である第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第２の電極、発光層及び第３の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
ＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴ上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上及び該絶縁膜に形成されたコンタクトホールに、該コンタクトホールを介して前記ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、かつ、表面がテクスチャ構造である第１の電極を、前記ＴＦＴと重なるように形成し、
前記第１の電極上に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に発光層及び第３の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
第１の絶縁膜を形成し、
第１の絶縁膜の端部及び上面の一部に配線を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記配線上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上及び該第２の絶縁膜に形成された第１コンタクトホールに表面がテクスチャ構造である第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第２の電極及び発光層を形成し、
前記発光層上に、前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記配線と接続する第３の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記テクスチャ構造はフォトリソグラフィ、ホログラフィ、プラズマ処理又はエッチング処理により形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか一において、前記第２の電極は陰極であり、前記第３の電極は陽極であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至１６のいずれか一において、前記第１の電極は、アルミニウムを主成分とする膜、又はシリコン、ニッケル若しくは銅のいずれかを含むアルミニウム膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至１７のいずれか一において、前記第２の電極は、マグネシウム、リチウム又はカルシウムを含む金属膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至１８のいずれか一において、前記第３の電極は酸化インジウムと酸化スズの化合物、又は、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１１乃至１９のいずれか一において、前記テクスチャ構造における起伏部の間隔は、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１１乃至２０のいずれか一において、前記テクスチャ構造における起伏部と、前記第１の電極が設けられた基板表面に平行な線とがなす角は３０°以上７０°以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。