JP2006113571A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 絶縁表面を有する基板上に、
   半導体層を有する薄膜トランジスタと、
   前記半導体層上に接する第１導電層と、前記第１導電層上に接する第２導電層との積層からなる電極又は配線と、
   透明導電膜とを有し、
   前記第１導電層は、前記第２導電層より広い幅を有し、
   前記透明導電膜は、前記第１導電層において前記第２導電層の端部から延在している部分に接することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面を有する基板上に、
   半導体層を有する薄膜トランジスタと、
   前記半導体層上に接する第１導電層と、前記第１導電層上に接する第２導電層との積層からなる電極又は配線と、
   透明導電膜とを有し、
   前記第１導電層は、前記第２導電層の端部から突出している部分を有し、
   前記透明導電膜は、前記第１導電層において前記第２導電層の端部から突出している部分に接することを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁表面を有する基板上に、
   半導体層を有する薄膜トランジスタと、
   前記半導体層上に接する第１導電層と、前記第１導電層上に接する第２導電層との積層からなる電極又は配線と、
   透明導電膜とを有し、
   前記第１導電層は、前記第２導電層の端部から突出している部分を有し、
   前記第１導電層の側面部は、前記第２導電層の側面部におけるテーパー角より小さいテーパー角を有し、
   前記透明導電膜は、前記第１導電層の側面部に接することを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁表面を有する基板上に、
   半導体層を有する薄膜トランジスタと、
   前記半導体層上に接する第１導電層と、前記第１導電層上に接する第２導電層との積層からなる電極又は配線と、
   透明導電膜とを有し、
   前記第１導電層は、前記第２導電層の端部から突出している部分を有し、
   前記第１導電層の側面部は、前記第２導電層の側面部におけるテーパー角より大きいテーパー角を有し、
   前記透明導電膜は、前記第１導電層において前記第２導電層の端部から突出している部分の上面部及び側面部に接することを特徴とする半導体装置。
5. 絶縁表面を有する基板上に、
   半導体層を有する薄膜トランジスタと、
   前記半導体層上に接する第１導電層と、前記第１導電層上に接する第２導電層との積層からなる電極又は配線と、
   前記電極又は配線の一部上に平坦化絶縁膜と、
   前記平坦化絶縁膜上に透明導電膜とを有し、
   前記平坦化絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記電極又は配線と前記透明導電膜とが接し、且つ、前記コンタクトホール内に、前記電極又は配線の端部が位置していることを特徴とする半導体装置。
6. 絶縁表面を有する基板上に、
   半導体層を有する薄膜トランジスタと、
   前記半導体層上に接する第１導電層と、前記第１導電層上に接する第２導電層との積層からなる電極又は配線と、
   前記電極又は配線の一部上に平坦化絶縁膜と、
   前記平坦化絶縁膜上に透明導電膜とを有し、
   前記第１導電層は、前記第２導電層の端部から突出している部分を有し、
   前記平坦化絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記第１導電層において前記第２導電層の端部から突出している部分と前記透明導電膜とが接し、且つ、前記コンタクトホール内に前記電極又は配線の端部が位置していることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１導電層は、前記第２導電層よりも高融点の金属又は金属化合物であることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、前記第２導電層は、前記第１導電層よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１導電層は、チタン、若しくはモリブデンを含む合金、又はチタン、若しくはモリブデンの単体であることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一において、前記第２導電層は、アルミニウムを含む合金、又はアルミニウムの単体であることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、前記透明導電膜を陽極または陰極とする発光素子とを有していることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１乃至１０のいずれか一において、前記透明導電膜を画素電極とする液晶素子とを有していることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一において、前記透明導電膜は、インジウム錫酸化物、またはインジウム亜鉛酸化物であることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一において、前記第２導電層の表面は酸化膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一において、前記第１導電層と前記第２導電層は、同じスパッタ装置内で連続して形成されたことを特徴とする半導体装置。
16. 請求項１乃至１５のいずれか一に記載の前記半導体装置と、操作キー又は操作スイッチとを有する電子機器。