TW201417268A - 薄膜電晶體陣列面板及包含其之有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

一種薄膜電晶體陣列面板包括；基板；設置在基板上之閘極電極；設置在閘極電極上之閘極絕緣層；設置在閘極絕緣層上之氧化物半導體；設置在氧化物半導體上之第一層間絕緣層；設置在第一層間絕緣層上之資料線；設置在資料線上之第二層間絕緣層；設置在第二層間絕緣層上且透過通過第二層間絕緣層之第一接觸孔連接氧化物半導體及資料線之源極電極；以及設置在第二層間絕緣層上且透過通過第二層間絕緣層之第二接觸孔連接半導體之汲極電極。

Description

薄膜電晶體陣列面板及包含其之有機發光二極體顯示器
本發明一般關於一種薄膜電晶體陣列面板及包含其之有機發光二極體顯示器。
薄膜電晶體(TFT)被使用在各種電子裝置如平板顯示器。舉例來說，薄膜電晶體在平板顯示器如液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體顯示器(OLED顯示器)、電泳顯示器及其類似物中用以作為切換或驅動元件。
薄膜電晶體包括連接至傳輸掃描信號之閘極線之閘極電極、連接至傳輸要施加於像素電極的信號之資料線之源極電極、面向源極電極之汲極電極、及電性連接於源極電極及汲極電極之半導體。
半導體為定義薄膜電晶體特性之重要元件。矽(Si)最常用於作為這樣的半導體。根據其晶相，矽被分類為非晶矽及多晶矽。雖然相關製程簡易，但由於材料之電荷遷移率低，非晶矽在製造高效能元件之用途上受到限制。使用多晶矽容許高電荷遷移率，但因為需要結晶矽故相關製程具一定複雜性且為高成本。
為了互補非晶矽及多晶矽之使用作為製造高效能元件之選項，進行為氧化物半導體，具有高電子遷移率，於相關裝置中相較於非晶矽展現高電流開關比(on/off ratio of current)，且相較於多晶矽具有低成本及高均勻性之薄膜電晶體半導體之研究。
此外，藉由使用低阻抗金屬形成連接導線來尋找改善電流傳導效率之方法於此情形中亦非常重要。
然而，當金屬導線之厚度提升以形成低阻抗導線時，會發生因濕蝕刻期間斜切(skew)所造成之底切(undercut)。底切減少導線中流動之電流；為了補足減少之電流，導線之尺寸隨著底切量盡可能提升，但電晶體之尺寸接著相對應地增加。
此外，當電晶體之尺寸提升，寄生電容亦隨之提高。為了解決此問題，電路中電容之電容量應按比例提高，且由提升電容面積來達成。
進一步，當電晶體之尺寸及電容之面積提升，像素之孔徑比下降。
以上揭露於先前技術部分之資訊只用於增強對所述技術背景之理解，且因此其可包括不構成此領域具有通常知識者所已知之先前技術之資訊。
鑒於上述限制，本發明提供一種藉由減少包括薄膜電晶體陣列面板之氧化物半導體電晶體之尺寸來提升對應顯示裝置之像素之孔徑比，而不會使電晶體之操作特性劣化之薄膜電晶體陣列面板、及包括其之有機發光二極體(OLED)顯示器。
此外，與矽及多晶矽薄膜電晶體陣列面板比較，本發明提供一種能夠在不增加電容面積下提升電容之電容量之薄膜電晶體陣列面板、及包括其之有機發光二極體顯示器。
根據例示性實施例，一種薄膜電晶體陣列面板包括：基板；設置在基板上之閘極電極；設置在閘極電極上之閘極絕緣層；設置在閘極絕緣層上之氧化物半導體；設置在氧化物半導體上之第一層間絕緣層；設置在第一層間絕緣層上之資料線；設置在資料線上之第二層間絕緣層；設置在第二層間絕緣層上，且透過第二層間絕緣層之第一接觸孔連接於氧化物半導體及資料線之源極電極；及設置於第二層間絕緣層上且透過第二層間絕緣層之第二接觸孔連接於半導體之汲極電極。
薄膜電晶體陣列面板進一步包括設置於第二層間絕緣層上之像素電極，且像素電極可與汲極電極一體成形。
源極電極、汲極電極及像素電極可以透明導電材料形成。
源極電極、汲極電極及像素電極可由氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)之至少之一製成。
源極電極、汲極電極及像素電極可薄於資料線。
根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器可包括：基板；設置於基板上之第一信號線；交錯第一信號線之第二信號線及第三信號線；連接於第一信號線及第二信號線之第一電晶體；連接於第一電晶體及第三信號線之第二電晶體；以及連接於第二電晶體之有機發光元件，且第一電晶體及第二電晶體之源極電極及汲極電極、以及與第二電晶體連接之有機發光元件之第一電極可以相同材料形成於相同層上。
第一電晶體及第二電晶體之至少之一之源極電極及汲極電極以及與第二電晶體連接之有機發光元件之第一電極可由透明導電材料形成。
第一電晶體及第二電晶體之源極電極及汲極電極可薄於第二信號線及第三信號線。
透明導電材料可包括氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)之至少之一。
有機發光二極體顯示器可進一步包括設置於第二及第三信號線上之層間絕緣層，且第一電晶體及第二電晶體之至少之一之源極電極及汲極電極以及連接於第二電晶體之有機發光元件之第一電極可設置於層間絕緣層上。
第一電晶體之源極電極可透過層間絕緣層之第一接觸孔連接於第二信號線，且第二電晶體之源極電極可透過層間絕緣層之第二接觸孔與第三信號線連接。
第二信號線可為資料信號施加至其中之資料線，且第三信號線可為恆電壓施加至其中之共用電源線。
有機發光二極體顯示器可進一步包括電容，電容由設置在基板上之第一電容導體、設置在第一電容導體上之閘極絕緣層、設置在閘極絕緣層上之第一層間絕緣層、設置在第一層間絕緣層上之第二電容導體、設置在第二電容導體上之第二層間絕緣層及設置在第二層間絕緣層上之第三電容導體形成。
第一電容導體可由與第一信號線相同之材料形成，第二電容導體可由與第二及第三信號線相同之材料形成，且第三電容導體可由與第一電極相同之材料形成。
第一電容導體可透過形成通過閘極絕緣層、第一層間絕緣層及第二層間絕緣層之第三接觸孔而電性連接第三電容導體。
根據例示性實施例，薄膜電晶體之尺寸可減少，而不會使薄膜電晶體之電性特性劣化，且提供相應之薄膜電晶體陣列面板。
70．．．有機發光元件
710．．．第一電極
720．．．有機發光層
730．．．第二電極
75．．．第二電容導體
80．．．電容
810．．．像素定義層
91．．．第二汲極電極
93．．．第一源極電極
95．．．第一汲極電極
97．．．第三電容導體
99．．．第二源極電極
100．．．基板
121．．．閘極線
123．．．第一電容導體
124．．．閘極電極
126．．．第一閘極電極
128．．．第二閘極電極
140．．．閘極絕緣層
154、157、159．．．半導體
160．．．第一層間絕緣層
161、163、165、167、181、183、185、187及189．．．接觸孔
171．．．資料線
172．．．共用電源線
173．．．源極電極
175．．．汲極電極
180．．．第二層間絕緣層
191．．．像素電極
195．．．開口
1001．．．有機發光二極體顯示器
Q1、Q2．．．薄膜電晶體
藉由詳細說明例示性實施例並參考附圖，將可使以上及其他本發明之特點及優點更加清楚，其中：
第1圖為根據例示性實施例之薄膜電晶體陣列面板之佈局圖。
第2圖為第1圖沿著線段II-II所截取之剖面圖。
第3圖為根據例示性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之像素之等效電路圖。
第4圖為第3圖之有機發光二極體(OLED)顯示器之像素之佈局圖。
第5圖為第4圖沿著線段V-V所截取之剖面圖。
第6圖為第4圖沿著線段VI-VI所截取之剖面圖。
本發明將參考附圖而於下文中充分說明，其中示出本發明之例示性實施例。此技術領域具有通常知識者將瞭解的是，所述實施例可以各種不同方式進行修改，全不脫離本發明之精神或範疇。
在圖中，層、膜、面板、區域等之厚度為了清楚起見而誇大。通篇說明書中同樣的參考符號代表同樣的元件。將理解的是，當元件例如層、膜、區域或基板被稱作是在另一元件「上」時，其可以直接位於另一元件上，或亦可存在中間元件。相對的，當元件被稱作是「直接在」其他元件「上」，則不存在中間元件。
首先，根據例示性實施例之薄膜電晶體陣列面板將參考第1圖而說明。
第1圖為根據例示性實施例之薄膜電晶體陣列面板之佈局圖，且第2圖為第1圖沿著線段II-II所截取之剖面圖。
如第1圖所示，複數個閘極線121形成在以透明玻璃或塑膠形成的絕緣基板100上。
閘極線121可傳輸閘極信號且基本上沿基板之一維延伸，彼此平行延展(running)。各閘極線121可包括由閘極線121突出之複數個閘極電極124及用以連接另一層或外部驅動電路之寬端部分(未表示)。
閘極線121可以選自鋁系金屬(aluminum-based metal)如鋁(Al)或鋁合金、銀系金屬如銀(Ag)或銀合金、銅系金屬如銅(Cu)或銅合金、鉬系金屬如鉬(Mo)或鉬合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)及鈦(Ti)之金屬所製成。然而，閘極線121可具有包括具不同物理特性之至少二導電層之多層結構。
閘極絕緣層140形成於閘極線121之上。
閘極絕緣層140可包括絕緣材料如氧化矽(SiOx)，氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiON)。閘極絕緣層140可使用蒸鍍法(sputtering)或類似方法形成。
由氧化物半導體形成的複數個半導體154可於閘極絕緣層140上形成。
可由選自選擇鋅(Zn）、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)及鈦(Ti)的金屬之氧化物及像是鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)等之金屬組合及其氧化物之材料來形成氧化物半導體。舉例來說，氧化物半導體可包括氧化鋅(ZnO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅銦(ZIO)、氧化銦(InO)、氧化鈦(TiO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)及氧化銦鋅錫(ZTO)中之至少之一。
第一層間絕緣層160可形成於半導體154上。第一層間絕緣層160可以單層或多層選自氮化矽及氧化矽之絕緣材料所形成。
複數個資料線171可形成在第一層間絕緣層160及半導體154上。
資料線171可傳輸資料信號且可交叉閘極線121，基本上垂直於閘極線121而延伸。各資料線171可包括寬端部分(未示出)以連結另一層或外部驅動電路。
資料線171可形成為低阻抗金屬如銅、鈦、鉬、鋁、及類似物之單層或多層。在此情況下，資料線171之寬度可大於5000埃。
第二層間絕緣層180可形成於資料線171上。
第二層間絕緣層180可以無機絕緣體如氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiOx)之其中之一、有機絕緣體、低介電絕緣體及其類似物製成。有機絕緣體及低介電絕緣體可以足以平坦化基板之厚度形成。
複數個接觸孔183及185可形成於第一層間絕緣層160及第二層間絕緣層180內以暴露半導體154，且可於第二層間絕緣層180中形成暴露資料線171之接觸孔181。
源極電極173及像素電極191可形成於第二層間絕緣層180上。
源極電極173可透過接觸孔181及183連接資料線171及半導體154之源極部分。
除此之外，像素電極191可透過接觸孔185與半導體154之汲極部分連接，且可包括面對源極電極173之一部分。面對源極電極173之一部分可變成電晶體之汲極電極175。
像素電極191及源極電極173可以包含ITO及IZO之至少其一之透明導電材料形成，且各可具有小於500埃之厚度。
一個閘極電極124、一個源極電極173及一個汲極電極可形成一個薄膜電晶體(TFT)，且源極電極173及汲極電極175間可於半導體154中形成薄膜電晶體之通道。
以雜質摻雜之氧化物半導體可設置於源極電極173、汲極電極175及半導體154彼此接觸之區塊。
於例示性實施例中，源極電極173及汲極電極175可於同一層中以相同於像素電極191之材料形成，使用於形成接觸孔以連接汲極電極與像素電極之製程可被省略。
除此之外，在例示性實施例中，資料線171可以低阻抗厚金屬形成，且源極電極173及汲極電極175可以如同用作為像素電極191之透明導電材料形成，源極電極173及汲極電極175薄於資料線171，使得由於濕蝕刻期間所發生之斜切造成的底切之形成可最小化。換句話說，隨著源極電極173及汲極電極175之厚度上升，在濕蝕刻期間由於斜切可能會增加底切之尺寸，然而，於例示性實施例中，藉由形成薄於資料線之源極電極及汲極電極，由斜切造成之底切之尺寸可最小化。
因此，當源極電極及汲極電極在尺寸上縮減，薄膜電晶體之尺寸不需依蝕刻中由斜切所造成之資料線之厚度上之縮減來按比例提高，且因此，在最小化顯示裝置之像素之孔徑比之任何相應損減下可減小電晶體之尺寸。
除此之外，在例示性實施例中，資料線可以低阻抗導線形成且電晶體之源極電極及汲極電極皆可以透明導電材料形成，如此資料線中因阻抗造成之信號延遲便不會發生。
以上所述之薄膜電晶體陣列面板可以用作液晶顯示器(LCD)之下基板及有機發光二極體(OLED)顯示器之基板之其中之一。
以下，將參考第3圖至第6圖進一步詳細說明包括第1圖及第2圖之薄膜電晶體陣列面板之有機發光二極體顯示器。
第3圖為根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之等效電路圖。
如第3圖所示，根據例示性實施例之像素具有2Tr-1Cap結構，其中包括有機發光元件70、兩個薄膜電晶體Q1及Q2、及一個電容80。然而，例示性實施例並不以此為限。因此，在另一個例示性實施例中，有機發光二極體顯示器1001之一像素可具有其中設置三個以上之薄膜電晶體及兩個以上之電容之結構，且可使用具額外導線之各種結構。另外形成之薄膜電晶體及另外之電容可形成補償電路。
補償電路藉由改善各像素中形成之有機發光元件70之均勻性而抑制圖像品質之偏差。一般而言，補償電路可包括2至8個薄膜電晶體。
有機發光元件70可包括為電洞注入電極之陽極、為電子注入電極之陰極、以及設置於陽極及陰極之間之有機發光層。
根據例示性實施例之各像素可包括第一薄膜電晶體Q1及第二薄膜電晶體Q2。
第一薄膜電晶體Q1及第二薄膜電晶體Q2各包括閘極電極、半導體、源極電極及汲極電極。此外，第一薄膜電晶體Q1及第二薄膜電晶體Q2之至少之一之薄膜電晶體之半導體可由氧化物半導體形成。此外，第一薄膜電晶體Q1及第二薄膜電晶體Q2之至少之一之源極電極及汲極電極可包括至少一種透明導電材料(如ITO及IZO)，且可與有機發光元件之陽極以相同材料形成。
資料線171可與第一薄膜電晶體Q1之源極電極連接，且第一薄膜電晶體Q1之閘極電極可與閘極線121連接。第一薄膜電晶體Q1之汲極電極可與電容80連接。第一薄膜電晶體Q1之汲極電極與電容80之間可形成一節點，且第二薄膜電晶體Q2之閘極電極可連接於該節點。共用電源線172可連結於第二薄膜電晶體Q2之源極電極，且第二薄膜電晶體Q2之汲極電極可連接於有機發光元件70之陽極。
第一薄膜電晶體Q1可用於切換以選擇發光之像素。
在例示性實施例中，當第一薄膜電晶體Q1瞬間打開時，電容80充電且此時電容中儲存之電量與由資料線171施加之電位成比例。此外，當各訊框週期在第一薄膜電晶體Q1之關閉狀態下輸入電壓上升信號至電容線(未示出)時，第二薄膜電晶體Q2之閘極電位隨施加通過電容線之電壓而上升。於此，此電壓具有參考電容80中充電之電位所施加之電壓位準。當閘極電位超過臨界電壓時，第二薄膜電晶體Q2開啟。接著，施加於共用電源線172之電壓透過第二薄膜電晶體Q2施加於有機發光元件70，使有機發光元件70發光。
以下，根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器將參考第4圖至第6圖進一步詳細說明。
第4圖為第3圖之有機發光二極體顯示器之像素之佈局圖，第5圖為第4圖沿著線段V-V所截取之剖面圖，且第6圖為第4圖沿著線段VI-VI所截取之剖面圖。
參考第4圖至第6圖，閘極線121、第二閘極電極128及第一電容導體123可形成於基板100上。
基板100可為以玻璃、石英、陶瓷或塑膠形成之絕緣材料，或基板100可為以不鏽鋼形成之金屬基板。
閘極線121包括從閘極線突出之第一閘極電極126。閘極線121、第二閘極電極128及第一電容導體123可以鋁系金屬如鋁(Al)或鋁合金、銀系金屬如銀(Ag)或銀合金、銅系金屬如銅(Cu)或銅合金、鉬系金屬如鉬(Mo)或鉬合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等製成。
然而，閘極線121、第二閘極電極128及第一電容導體123可具有多層結構，其包括具有不同物理特性之至少兩導電層。
閘極絕緣層140形成於閘極線121、第二閘極電極128及第一電容導體123之上。
閘極絕緣層140可包括選自氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)和氮氧化矽(SiON)之絕緣材料。閘極絕緣層140可使用蒸鍍形成。
以氧化物半導體形成之複數個第一半導體157及第二半導體159可形成於閘極絕緣層140上。
氧化物半導體可為金屬氧化物半導體，且可以金屬氧化物如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)及類似物或金屬組合如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)等及其氧化物製成。舉例來說，氧化物半導體可包括氧化鋅(ZnO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅銦(ZIO)、氧化銦(InO)、氧化鈦(TiO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)及氧化銦鋅錫(IZTO)之至少之一。
第一層間絕緣層160可形成於半導體157及159上。第一層間絕緣層160可以氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiO2)之其中之一製成，且可具有單層或多層結構。
複數個資料線及複數個共用電源線172可形成於第一層間絕緣層160及半導體157及159上。
資料線171可傳輸資料信號且可依交錯閘極線121之方向延伸。
共用電源線172可傳輸恆電壓(constant voltage)且可與資料線171離一段距離平行地延伸。
資料線171及共用電源線172可以低阻抗金屬如銅、鈦、鉬、鋁及類似物製成且可具有單層或多層結構。各資料線171及共用電源線172之厚度可大於5000埃。
第二層間絕緣層180可形成於資料線171及共用電源線172上。
第二層間絕緣層180可以無機絕緣體如氮化矽及氧化矽之其中之一、有機絕緣體、低介電絕緣體及其類似物製成。有機絕緣體及低介電絕緣體可以適用於平坦化基板之厚度形成。
複數個接觸孔183、185、163及165可形成於第一層間絕緣層160及第二層間絕緣層180中以暴露半導體157及159，複數個接觸孔181、167及187可形成於第二層間絕緣層180中以暴露資料線171、共用電源線172及第二電容導體75，且接觸孔161可形成於第一層間絕緣層160及閘極絕緣層140中以暴露第二閘極電極128。
第一源極電極93、第一汲極電極95、第三電容導體97、第二源極電極99、第二汲極電極91及第一電極710可形成於第二層間絕緣層180上。
第一源極電極93可透過接觸孔181及183連接於資料線171及第一半導體157之源極部分以傳輸從資料線171傳輸之資料信號至第一汲極電極95。
第一汲極電極95可透過接觸孔185及187連接於第一半導體157之汲極部分及第二電容導體75，且第二電容導體75可透過接觸孔187及161連接於第一汲極電極95及第二閘極電極128。
因此，傳輸至第一汲極電極95之信號可透過第二電容導體75傳輸至第二閘極電極128。
此外，第一電容導體123及第三電容導體97可透過接觸孔189彼此電性連接。因此，第二電容導體75可使用閘極絕緣層140及第一層間絕緣層160做為介電材料而與第一電容導體123形成下電容，且可使用第二層間絕緣層180作為介電材料與第三電容導體97形成上電容。下電容與上電容可並聯(connected in parallel)以提升電容之電容量。
第二源極電極99可透過接觸孔167及163連接於共用電源線172及第二半導體159之源極部分，且可傳輸從共用電源線傳輸之信號至第二汲極電極91。
第二汲極電極91可透過接觸孔165連接於第二半導體之汲極部分。第二汲極電極91可與第一電極710一體成形且可傳輸從第二汲極電極91傳輸之信號至第一電極710。第一電極可變成有機發光元件70之陽極。
第一源極電極93、第一汲極電極95、第三電容導體97、第二源極電極99、第二汲極電極91及第一電極710可以包括ITO及IZO之至少之一之透明導電材料製成，且各厚度可小於500埃。
像素定義層810可形成於有機發光元件70之第一電極710上。
像素定義層810可包括暴露第一電極710之開口195。像素定義層810可藉由混合樹脂如聚丙烯酸酯(polyacrylate)及聚亞醯胺(polyimide)之其中之一與二氧化矽基無機物質(silica-based inorganic substance)而形成。
有機發光層720可形成於像素定義層810之開口195中。
有機發光層720可形成為包括發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)中之一或多層之多層結構。
若有機發光層720包括所有前述之層，電子注入層可設置在第一電極710上方，電子傳輸層、有機發光層、電洞傳輸層及電洞注入層便可依序堆疊於其上。
第二電極730可形成於像素定義層810及有機發光層720上。
第二電極730可變成有機發光元件70之陰極。因此，第一電極710、有機發光層720及第二電極730可形成有機發光元件70。
第二電極730可由反射層、透明層、半透明層之一形成。
反射層及半透明層可以鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)、鋁(Al)及其合金之至少之一形成。各層之反射及半透明特性可由形成之層的厚度決定，且半透明層可具有小或等於200奈米之厚度。透光度隨著層厚度下降而提升，但當厚度過薄時阻抗提升。
透明層可以選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)及氧化鋅(ZnO)之材料形成。
雖然此揭露已配合目前被認為可實行之例示性實施例而說明，應理解的是本發明並不限於所揭露之實施例，而是相反的，旨在涵蓋包括於申請專利範圍之精神與範圍內之各種修改與等效配置。
100．．．基板
124．．．閘極電極
140．．．閘極絕緣層
154．．．半導體
160．．．第一層間絕緣層
173．．．源極電極
180．．．第二層間絕緣層
171．．．資料線
181、183、185．．．接觸孔
191．．．像素電極

Claims (15)

  1. 【第1項】
    一種薄膜電晶體陣列面板，其包括：
    一基板；
    一閘極電極，設置在該基板上；
    一閘極絕緣層，設置在該閘極電極上；
    一氧化物半導體，設置在該閘極絕緣層上；
    一第一層間絕緣層，設置在該氧化物半導體上；
    一資料線，設置在該第一層間絕緣層上；
    一第二層間絕緣層，設置在該資料線上；
    一源極電極，設置在該第二層間絕緣層上，且透過通過該第二層間絕緣層之一第一接觸孔連接於該氧化物半導體及該資料線；以及
    一汲極電極，設置於該第二層間絕緣層上，且透過通過該第二層間絕緣層之一第二接觸孔連接於該氧化物半導體。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包括設置於該第二層間絕緣層上之一像素電極，該像素電極與該汲極電極一體成形。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該源極電極、該汲極電極及該像素電極以一透明導電材料形成。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第3項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該源極電極、該汲極電極及該像素電極由氧化銦錫及氧化銦鋅之至少之一製成。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體陣列面板，其中該源極電極、該汲極電極及該像素電極薄於該資料線。
  6. 【第6項】
    一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包括：
    一基板；
    一第一信號線，設置於該基板上；
    一第二信號線及一第三信號線，交錯該第一信號線；
    一第一電晶體，連接於該第一信號線及該第二信號線；
    一第二電晶體，連結於該第一電晶體及該第三信號線；及
    一有機發光元件，連接於該第二電晶體，
    其中該第一電晶體之一源極電極及一汲極電極以及該第二電晶體之一源極電極及一汲極電極、以及與該第二電晶體連接之該有機發光元件之一第一電極以相同材料形成於相同層上。
  7. 【第7項】
    如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電晶體及該第二電晶體之至少之一之該源極電極及該汲極電極、以及與該第二電晶體連接之該有機發光元件之該第一電極係由一透明導電材料形成。
  8. 【第8項】
    如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電晶體及該第二電晶體之該源極電極及該汲極電極薄於該第二信號線及該第三信號線。
  9. 【第9項】
    如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示器，其中該透明導電材料包括氧化銦錫及氧化銦鋅之至少之一。
  10. 【第10項】
    如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包括設置於該第二信號線及該第三信號線上之一層間絕緣層，
    該第一電晶體及該第二電晶體之至少之一之該源極電極及該汲極電極、以及連接於該第二電晶體之該有機發光元件之該第一電極係設置於該層間絕緣層上。
  11. 【第11項】
    如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電晶體之該源極電極透過通過該層間絕緣層之一第一接觸孔連接於該第二信號線，且該第二電晶體之該源極電極透過通過該層間絕緣層之一第二接觸孔與該第三信號線連接。
  12. 【第12項】
    如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二信號線為一資料信號施加至其中之一資料線，且該第三信號線為一恆電壓施加至其中之一共用電源線。
  13. 【第13項】
    如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包括一電容係由下列所形成：
    一第一電容導體，設置在該基板上；
    一閘極絕緣層，設置在該第一電容導體上；
    一第一層間絕緣層，設置在該閘極絕緣層上；
    一第二電容導體，設置在該第一層間絕緣層上；
    一第二層間絕緣層，設置在該第二電容導體上；及
    一第三電容導體，設置在該第二層間絕緣層上。
  14. 【第14項】
    如申請專利範圍第13項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電容導體由與該第一信號線相同之材料形成，該第二電容導體由與該第二信號線及該第三信號線相同之材料形成，且該第三電容導體由與該第一電極相同之材料形成。
  15. 【第15項】
    如申請專利範圍第14項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電容導體透過形成於該閘極絕緣層、該第一層間絕緣層及該第二層間絕緣層中之一第三接觸孔來電性連接於該第三電容導體。
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