JP2006113571A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、上層と、上層よりも広い幅を有する下層とからなる2層構造とする。TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。上層の端面から突出させた下層部分と、ITOとを接合させる。
【選択図】 図1
Description
前記半導体装置は、前記半導体薄膜と接する第1導電層と、前記第1導電層上に接する第2導電層とを積層した電極または配線を有し、前記第1導電層は、前記第2導電層より広い幅(W1、或いはW3)を有し、前記第1導電層において前記第2導電層の端部から延在している部分に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置である。
ここでは、アクティブマトリクス型の発光装置の例に本発明を説明することとする。
ここでは、実施の形態1とは2層構造の電極の形状が異なる例を図2(A)および図2(B)を用いて以下に説明する。
ここでは、透明導電膜と、2層構造の電極との間にもう一層の絶縁膜を設けた例を図3を用いて以下に説明する。
11 下地絶縁膜
12 ゲート絶縁膜
13 第1の層間絶縁膜
14a 導電層
14b 導電層
16 平坦化絶縁膜
17 p型の高濃度不純物領域
18 p型の高濃度不純物領域
19 チャネル形成領域
22a 第1導電層
22b 第2導電層
23R 第1の電極
23G 第1の電極
24R 有機化合物を含む層
24G 有機化合物を含む層
25 第2の電極
27 領域
29 絶縁物
33 封止基板
34 酸化アルミニウム膜
222a 第1導電層
222b 第2導電層
320 平坦化絶縁膜
323R 第1の電極
323G 第1の電極
329 絶縁物
610 基板
616 平坦化絶縁膜
623 第1の電極
624 有機化合物を含む層
625 第2の電極
626 透明保護層
627 充填材
628 シール材
629 絶縁物
632 FPC
633 封止基板
636 nチャネル型TFT
637 pチャネル型TFT
701 第1の基板
702 下地絶縁膜
703 TFT
705 ゲート絶縁膜
706 層間絶縁膜
707 平坦化絶縁膜
708 画素電極
710 配向膜
711 液晶材料
712 配向膜
714 柱状スペーサ
716 第2の基板
720 チャネル形成領域
721 ソース領域またはドレイン領域
722 ソース領域またはドレイン領域
723a ゲート電極の下層
723b ゲート電極の上層
724a ドレイン配線、またはソース配線の下層
724b ドレイン配線、またはソース配線の下層
725 低濃度不純物領域
726 低濃度不純物領域
731 光学フィルム
732 光学フィルム
734 導光板
735 LED
1001 第1の基板
1002 下地絶縁膜
1003R TFT
1003G TFT
1003B TFT
1005 ゲート絶縁膜
1006 層間絶縁膜
1007 平坦化絶縁膜
1008 第1の電極
1009 隔壁
1010 第2の電極
1011 保護膜
1012 保護膜
1014 間隔
1015R 有機化合物を含む層
1015G 有機化合物を含む層
1015B 有機化合物を含む層
1016 第2の基板
1020 チャネル形成領域
1021 ソース領域またはドレイン領域
1022 ソース領域またはドレイン領域
1023a ゲート電極の下層
1023b ゲート電極の上層
1024a ドレイン配線、またはソース配線の下層
1024b ドレイン配線、またはソース配線の上層
1201 ソース側駆動回路
1202 画素部
1203 ゲート側駆動回路
1204 封止基板
1205 シール材
1207 接続領域
1208 端子部
1209 FPC
1210 基板
1301 駆動IC
1302 画素部
1304 封止基板
1305 シール材
1307 接続領域
1308 端子部
1309 FPC
1310 基板
Claims (12)
- 絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を有する複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、
前記半導体装置は、前記半導体薄膜と接する第1導電層と、前記第1導電層上に接する第2導電層とを積層した電極または配線を有し、
前記第1導電層は、前記第2導電層より広い幅を有し、
前記第1導電層において前記第2導電層の端部から延在している部分に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を有する複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、
前記半導体装置は、前記半導体薄膜と接する第1導電層と、前記第1導電層上に接する第2導電層とを積層した電極または配線を有し、
前記第1導電層は、前記第2導電層の端部から突出している部分を有し、
前記第1導電層において前記第2導電層の端部から突出している部分に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を有する複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、
前記半導体装置は、前記半導体薄膜と接する第1導電層と、前記第1導電層上に接する第2導電層とを積層した電極または配線を有し、
前記第1導電層の側面部は、前記第2導電層の側面部におけるテーパー角より小さいテーパ角を有しており、
前記第1導電層の側面部に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を有する複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、
前記半導体装置は、前記半導体薄膜と接する第1導電層と、前記第1導電層上に接する第2導電層とを積層した電極または配線と、
前記電極または配線の一部上に平坦化絶縁膜と、
前記平坦化絶縁膜上に透明導電膜とを有し、
前記平坦化絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記電極または配線と前記透明導電膜とが接し、且つ、前記コンタクトホール内に、前記電極または配線の端部が位置していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、前記第1導電層は、チタン、またはモリブデンを含む合金、或いはチタン、またはモリブデンの単体であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記第2導電層は、アルミニウムを含む合金、或いはアルミニウムの単体であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記透明導電膜を陽極または陰極とする発光素子とを有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記透明導電膜を画素電極とする液晶素子とを有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記透明導電膜は、インジウム錫酸化物、またはインジウム亜鉛酸化物であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至9のいずれか一において、前記第2導電層の表面は酸化膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至10のいずれか一において、前記第1導電層と前記第2導電層は、同じスパッタ装置内で連続して形成されたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至11のいずれか一において、前記半導体装置は、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、またはパーソナルコンピュータであることを特徴とする半導体装置。
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