KR100683009B1 - 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 필름 게터와 금속전극층 사이의 간격을 증가시키는 탑 에미션 방식의 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 기판, 인듐주석산화물층, 유기물층, 금속전극층, 절연막, 격벽 및 필름 게터를 포함한다. 상기 기판에는 복수의 오목부들이 형성된다. 상기 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층은 상기 오목부들이 형성된 기판 위에 순차적으로 증착된다. 상기 절연막은 상기 오목부들 사이에서 상기 인듐주석산화물층 위에 형성되며, 상기 격벽은 상기 절연막 위에 형성된다. 상기 필름 게터는 상기 격벽 위에 위치한다. 상기 유기 전계 발광 소자는 기판에 오목부들을 형성한 후 상기 오목부들 위에 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층을 순차적으로 증착시키므로, 필름 게터가 휘어지는 경우에도 상기 휘어진 필름 게터에 의해 상기 금속전극층이 손상되지 않는다.
기판, 오목부, 필름 게터

Description

유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 필름 게터와 금속전극층 사이의 간격을 증가시키는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 소정 전압이 인가되는 경우, 소정 파장의 빛을 발생시킨다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 기판(100), 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film: 102, ITO층), 유기물층(104), 금속전극층(106), 절연막(108), 격벽(110) 및 필름 게터(Film Getter, 112)를 포함한다.
ITO층(102)은 애노드에 해당하며, 기판(100) 위에 증착되고, 외부로부터 소정의 양의 전압이 인가되는 경우 정공들을 유기물층(104)에 제공한다.
유기물층(104)은 ITO층(102) 위에 증착된다.
금속전극층(106)은 캐소드에 해당하며, 유기물층(104) 위에 형성되고, 외부로부터 소정의 음의 전압이 인가되는 경우 전자들을 유기물층(104)에 제공한다.
유기물층(104)은 ITO층(102)으로부터 제공된 정공들과 금속전극층(106)으로부터 제공된 전자들을 재결합하여 소정 파장의 빛을 발생시킨다.
절연막(108)은 절연체로서, ITO층(102) 위에 형성된다.
격벽(110)은 오버행 구조를 가지며, 절연막(108) 위에 형성된다.
필름 게터(112)는 격벽(110) 위에 형성된다.
다만, 필름 게터(112)가 매우 얇기 때문에 필름 게터(112)가 격벽들(110) 사이에서 기판(100) 방향으로 휘어질 수 있고, 그래서 필름 게터(112)가 금속전극층(106)의 표면에 접촉될 수 있었다.
이 경우, 금속전극층(106)이 산화되거나 그의 표면이 필름 게터(112)에 의해 스크래치(Scratch)될 수 있었다. 그 결과, 금속전극층(106)이 손상되어 제기능을 수행하지 못할 수 있었다.
그러므로, 필름 게터가 금속전극층에 접촉되지 않는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법이 요구된다.
본 발명의 목적은 기판에 오목부들을 형성하여 필름 게터와 금속전극층들 사이의 간격을 증가시키는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판, 인듐주석산화물층, 유기물층, 금속전극층, 절연막, 격벽 및 필름 게터를 포함한다. 상기 기판에는 복수의 오목부들이 형성된다. 상기 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층은 상기 오목부들이 형성된 기판 위에 증착된다. 상기 절연막은 상기 오목부들 사이에서 상기 인듐주석산화물층 위에 형성되며, 상기 격벽은 상기 절연막 위에 형성된다. 상기 필름 게터는 상기 격벽 위에 위치한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 기판에 오목부들을 형성한 후 상기 오목부들 위에 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층을 순차적으로 증착시키므로, 필름 게터가 휘어지는 경우에도 상기 휘어진 필름 게터에 의해 상기 금속전극층이 손상되지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(200), 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film: 202, ITO층), 유기물층(204), 금속전극층(206), 절연막(208), 격벽(210) 및 필름 게터(Film Getter, 212)를 포함한다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자가 탑 에미션 방식(Top Emission Method)인 경우에는, 유기물층(204)로부터 발생된 빛은 필름 게터(212)를 통하여 외부로 발산한다.
기판(200)은 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 오목부들(214)을 가진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 오목부들(214)은 기판(200)을 샌드블래스팅(Sandblasting)함에 의해 기판(200)에 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 오목부들(214)은 기판(200)을 에칭함에 의해 기판(200)에 형성될 수 있다.
ITO층(202)은 애노드에 해당하며, 기판(200) 위에 증착된다.
유기물층(204)은 ITO층(202) 위에 증착된다.
또한, 유기물층(204)은 순차적으로 형성된 정공수송층(Hole Transporting Layer,HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL) 및 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다.
또는, 유기물층(204)은 순차적으로 형성된 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다.
금속전극층(206)은 캐소드에 해당하며, 유기물층(204) 위에 형성된다.
이하, 상기 유기 전계 발광 소자의 발광 과정을 통하여 유기물층(204)의 기능에 대하여 상술하겠다.
ITO층(202)에 소정의 양의 전압이 인가되고, 금속전극층(206)에 소정의 음의 전압이 인가된다.
이어서, ITO층(202)은 정공들을 상기 정공주입층에 제공하며, 금속전극층(206)은 전자들을 상기 전자주입층에 제공한다.
계속하여, 상기 정공주입층은 상기 정공수송층에 상기 제공된 정공들을 원활하게 주입하고, 상기 전자주입층은 상기 전자수송층에 상기 제공된 전자들을 원활하게 주입한다.
이어서, 상기 정공수송층은 상기 주입된 정공들을 상기 발광층으로 수송하고, 상기 전자수송층은 상기 주입된 전자들을 상기 발광층으로 수송한다.
상기 발광층에서, 상기 수송된 정공들과 전자들이 재결합하여 소정 파장의 빛을 발생시킨다.
도 2에 도시된 바와 같이, 절연막(208)은 부도체로서, 오목부들(214) 사이에서 ITO층(202) 위에 형성된다.
격벽(210)은 오버행 구조(Overhang Structure)를 가지며, 그래서 픽셀들 사이를 절연시킨다.
또한, 격벽(210)은 절연막(208) 위에 형성된다.
필름 게터(212)는 격벽(210) 위에 위치하며, 수분 등을 제거하여 상기 픽셀들을 보호한다.
또한, 필름 게터(212)는 투명하다.
다만, 필름 게터(212)는 두께가 매우 얇으므로, 기판(200) 방향으로 휘어질 수 있다.
위에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서, 기판(100) 위에 오목부들(214)이 형성되고, 그런 후 ITO층(202), 유기물층(204) 및 금속전극층(206)이 도 2에 도시된 바와 같이 기판(100) 위, 상세하게는 오목부들(214) 위에 형성된다.
또한, 본 발명의 절연막(208)이 오목부들(214) 사이에서 ITO층(202) 위에 형성된다. 그러므로, 본 발명의 필름 게터(212)의 절연막(208)으로부터의 높이는 종래의 필름 게터의 높이와 동일하다.
반면에, ITO층(202), 유기물층(204) 및 금속전극층(206)이 오목부들(214) 위에 형성되므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서 금속전극층(106)의 위치는 종래의 유기 전계 발광 소자에서보다 낮은 높이에서 형성된다.
즉, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자에 비하여 필름 게터(212)와 금속전극층(206) 사이의 간격이 증가한다.
그 결과, 필름 게터(212)가 기판(200) 방향으로 휘어지는 경우에도, 필름 게터(212)가 금속전극층(206)의 표면에 접촉되지 않기때문에 금속전극층(206)이 손상되지 않는다.
이하, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 상술하겠다.
기판(200)을 샌드블래스팅하여 기판(200)에 오목부들(214)을 형성한다.
이어서, 오목부들(214)이 형성된 기판(200) 위에 ITO층(202)이 증착된다.
계속하여, 절연막(208)이 오목부들(214) 사이에서 ITO층(202) 위에 형성된다.
이어서, 절연막(208) 위에 격벽(210)이 형성된다.
계속하여, 유기물층(204)이 오목부들(214)에서 ITO층(202) 위에 증착된다.
이어서, 금속전극층(206)이 오목부들(214)에서 유기물층(204) 위에 형성된다.
계속하여, 격벽(210) 위에 필름 게터(212)가 형성된다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 기판에 오목부들을 형성한 후 상기 오목부들 위에 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층을 순차적으로 증착시키므로, 필름 게터가 휘어지는 경우에도 상기 휘어진 필름 게터에 의해 상기 금속전극층이 손상되지 않는 장점이 있다.

Claims (3)

  1. 복수의 오목부들이 형성된 기판;
    상기 오목부들이 형성된 기판 위에 순차적으로 증착되는 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층;
    상기 오목부들 사이에서 상기 인듐주석산화물층 위에 형성된 절연막;
    상기 절연막 위에 형성된 격벽; 및
    상기 격벽 위에 위치하는 필름 게터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 오목부들은 샌드블래스팅 방법을 이용함에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 필름 게터는 투명 필름 게터인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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