JP2010066766A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板の表面に配置されており、少なくとも１つの画素電極を定める第１の層と、
   前記第１の層に電気的に接続しているディスプレイ材料を含んだ少なくとも１つの画素能動領域と、
   前記第１の層と接触しており、前記ディスプレイ材料を少なくとも部分的に囲んでいる第２の層であって、複数の絶縁サブレイヤを含む第２の層と
   を有している電極。
2. 前記第２の層が、前記第１の層の伝導率よりも高い伝導率を持つ材料をさらに含んでいる、請求項１に記載の電極。
3. 前記ディスプレイ材料が、電界発光素子か、発光ダイオードか、電界放射素子か、プラズマ素子か、陰極ルミネッセンス素子かである発光材料を含んでいる、請求項１に記載の電極。
4. 前記ディスプレイ材料が、発光材料と液晶と光反射材料とのいずれかを含んでいる、請求項１に記載の電極。
5. 前記第１の層と電気接触している接触サブレイヤと、少なくとも１つの追加的なサブレイヤとを含んだ複数の導電性サブレイヤを前記第２の層が含んでおり、
   前記接触サブレイヤが、前記第１の仕事関数と、前記少なくとも１つの追加的なサブレイヤの仕事関数との間の仕事関数を有していることにより、前記第１の層と前記第２の層との間の仕事関数の一致が改良されている、請求項１に記載の電極。
6. 前記第１の層が、少なくとも１つの透過性ウインドを定める第１の透明電極層を含んでおり、
   前記電極が、前記第１の透明電極層上に形成されており、当該第１の透明電極層と電気接触している正確なパターン内の流体のアイランドをさらに有しており、
   前記第２の層が、前記流体のアイランドを限定するための低い表面エネルギーを有した材料を含んでいる、請求項１に記載の電極。
7. 前記低い表面エネルギーを有した材料が、前記流体のアイランドの表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを有している、請求項６に記載の電極。
8. 前記流体が、液晶材料と、有機の発光ダイオード材料と、電子トランスポート層材料と、正孔トランスポート層材料と、絶縁体材料と、色フィルタ材料とのうちの少なくとも１つを含んでいる、請求項７に記載の電極。
9. 前記低い表面エネルギーを有した材料が、ポリアミド又はテフロン（登録商標）の少なくとも一方を含んでいる、請求項８に記載の電極。
10. 前記第２の層が、前記正確なアイランドパターン内の流体と電気的に接続している導体を含んでいる、請求項６に記載の電極。
11. 前記導体がアルミニウム層を含んでおり、
    前記材料が、テフロン（登録商標）を含む低い表面エネルギーを有している、請求項１０に記載の電極。
12. 前記第２の層が、前記第１の層と接触しているチタニウムタングステン層をさらに有している、請求項１１に記載の電極。
13. 前記第２の層が片側にギャップを有している、請求項１に記載の電極。
14. 前記第１の層が連続的ではない、請求項１に記載の電極。
15. 請求項１〜１４のいずれか一項に記載の電極を製造する方法であって、
    前記基板の表面に前記第１の層を形成して、前記少なくとも１つの画素電極を定めるステップと、
    前記少なくとも１つの画素能動領域を形成するステップと、
    前記第１の層の上に前記第２の層を形成するステップと
    を含む方法。
16. 前記少なくとも１つの画素能動領域を形成するステップが、互いに分離された複数の画素能動領域を形成するステップを含むものである、請求項１５に記載の方法。
17. 前記第１の層を形成するステップが、不連続な複数の箇所に前記第１の層を形成するステップを含むものである、請求項１５又は１６に記載の方法。
18. 前記第２の層を形成するステップが、前記第１の層の上に複数のサブレイヤを堆積させて当該第２の層を形成するステップを含むものである、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 前記第１の層を形成するステップが、
    前記基板の表面にインジウム−すず酸化物（ＩＴＯ）のフィルムを堆積させるステップと、
    前記ＩＴＯのフィルムを選択的にエッチングして、少なくとも１つの透過性ウインドを定めるステップと
    を含むものである、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の方法。
20. 前記少なくとも１つの画素能動領域を形成するステップが、前記ディスプレイ材料を液体又はパウダーとして堆積させるステップを含むものである、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の方法。