CN208207465U - 阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素阵列和辅助导电结构；所述像素阵列包括呈阵列分布的多个像素单元和多个像素电极，所述多个像素单元中的每个包括所述多个像素电极中的至少一个；所述辅助导电结构围绕所述多个像素电极中的至少一个，且与所述多个像素电极绝缘；所述辅助导电结构的材料的电阻率小于或等于所述像素电极的材料的电阻率。辅助导电结构可以接收与传导像素电极周围的干扰电荷，使这些干扰电荷远离像素电极，从而防止或减少这些干扰电荷对像素电极的干扰。

Description

阵列基板及显示装置
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
在显示面板中，例如ADS显示模式的液晶显示面板中，为了更好避免数据线、栅线等信号线对像素电极工作的影响，通常在数据线、栅线等信号线与像素电极之间增加绝缘层，该绝缘层通常要求具有一定的厚度以达到减小干扰的目的，但这会增加显示面板的厚度，不利于薄化显示面板和显示装置。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素阵列和辅助导电结构；所述像素阵列包括呈阵列分布的多个像素单元和多个像素电极，所述多个像素单元中的每个包括所述多个像素电极中的至少一个；所述辅助导电结构围绕所述多个像素电极中的至少一个，且与所述多个像素电极绝缘；所述辅助导电结构的材料的电阻率小于或等于所述像素电极的材料的电阻率。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述辅助导电结构与所述多个像素电极同层设置。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括：多条栅线和多条数据线；多条栅线和多条数据线设置于所述衬底基板上，且彼此交叉以限定出所述多个像素单元；所述辅助导电结构包括多个条形部，所述多个条形部分别沿所述多条数据线和多条栅线的延伸方向延伸。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述辅助导电结构的平面形状包括围绕所述多个像素电极中的至少一个的封闭的环形。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述多个像素单元包括相邻的第一像素单元和第二像素单元；所述第一像素单元和第二像素单元中的每个包括第一像素电极和第二像素电极；所述辅助导电结构的平面形状包括围绕位于所述第一像素单元中的所述第二像素电极和位于所述第二像素单元中的所述第一像素电极的封闭的环形。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述辅助导电结构的所述多个条形部与所述多条栅线和多条数据线不重叠。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述辅助导电结构的所述多个条形部与所述多条栅线和多条数据线至少部分重叠。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括与所述多个像素电极不同层设置的公共电极；所述辅助导电结构的所述多个条形部中的至少一个条形部包括彼此间隔且贯穿所述至少一个条形部的多个镂空区域；并且在垂直于所述衬底基板的方向上，所述镂空区域与所述栅线、所述数据线和所述公共电极中的至少之一的至少部分重叠。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述多个镂空区域中相邻两个镂空区域之间的距离相等；或者，在与所述至少一个条形部的延伸方向垂直的方向上，所述多个镂空区域的每个的宽度小于所述至少一个条形部的宽度。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述多个像素单元的每个还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述多个像素电极中的至少一个连接；所述辅助导电结构是不透明的且覆盖至少部分所述薄膜晶体管。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述薄膜晶体管的栅极与所述多条栅线中的一条电连接，并且所述薄膜晶体管的源极与所述多条数据线中的一条电连接；所述辅助导电结构的所述多个条形部包括：第一条形部和第二条形部；第一条形部沿所述多条栅线的延伸方向延伸；以及第二条形部，沿所述多条数据线的延伸方向延伸；其中，所述第一条形部的在垂直于其延伸方向上的宽度大于所述第二条形部在垂直于其延伸方向上的宽度。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述第一条形部到所述多个像素电极中与所述第一条形部相邻的两个像素电极的距离不相等；或者，所述第二条形部到所述多个像素电极中与所述第二条形部相邻的两个像素电极的距离不相等；或者，相邻的两个所述第一条形部或相邻的两个所述第二条形部到位于其之间的同一像素电极的距离不相等。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述多个像素单元中的至少一个像素单元包括靠近所述薄膜晶体管的起始端、在所述辅助导电结构的所述多个条形部中的至少一个条形部的延伸方向上远离所述起始端的终点端和位于所述起始端与所述终点端之间的连线的中点的中间位置；
所述至少一个条形部包括沿从所述至少一个像素单元的起始端到所述至少一个像素单元的中间位置延伸的第一部分和沿从所述至少一个像素单元的中间位置到所述至少一个像素单元的终点端延伸的第二部分，所述第一部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上具有第一宽度，所述第二部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；或者，所述至少一个条形部包括沿从所述至少一个像素单元的起始端到所述至少一个像素单元的终点端的方向延伸且依次排列的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上的宽度、所述第二部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上的宽度和所述第三部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上的宽度依次减小。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括：遮挡物和彩膜阵列。遮挡物位于所述多个像素单元当中相邻的像素单元之间；彩膜阵列包括多个彩膜，其中，所述多个像素单元中的每个包括所述多个彩膜中的一个；其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述辅助导电结构的所述多个条形部与所述遮挡物重叠；所述遮挡物为黑矩阵或由所述多个彩膜中相邻的两个彩膜交叠形成。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述多个像素电极中的至少一个像素电极的平面形状具有凹槽，所述辅助导电结构包括位于所述多个条形部的朝向所述至少一个像素电极的一侧且与所述凹槽相对应的突出部；
或者，所述多个像素电极中的至少一个像素电极的平面形状具有突出部，所述辅助导电结构包括位于所述多个条形部的朝向所述至少一个像素电极的一侧且与所述突出部相对应的凹槽。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括凸起物，凸起物沿远离所述衬底基板的方向凸起，其中，所述凸起物设置于所述辅助导电结构上。
例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括引线，其中，所述辅助导电结构通过所述引线接地或被施加固定电压,设置在所述基板上的数据驱动元件或栅驱动元件，其中，所述辅助导电结构通过所述引线接地或被施加固定电压，至少一条所述引线位于相邻的所述数据驱动元件或相邻的所述栅驱动元件之间。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示面板包括本公开实施例提供的任意一种阵列基板。
例如，本公开至少一实施例提供的显示装置包括：对置基板、液晶层以及公共电极。对置基板与所述阵列基板相对设置；液晶层设置在所述阵列基板和所述对置基板之间；以及公共电极，设置在所述阵列基板和/或所述对置基板上，所述公共电极与所述多个像素电极形成控制所述液晶层中的液晶分子偏转的电场，其中，施加到所述辅助导电结构的电信号与施加到所述公共电极的电信号相同。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图；
图1B为沿图1A中的A-A’线的剖面示意图；
图1C为沿图1A中的B-B’线的剖面示意图；
图1D为图1A中的A-A’线的另一种剖面示意图；
图2为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的平面示意图；
图3为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图；
图4A为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图；
图4B为沿图4A中的A-A’线的剖面示意图；
图4C为沿图4A中的B-B’线的剖面示意图；
图5A为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图；
图5B为沿图5A中的A-A’线的一种剖面示意图；
图5C为沿图5A中的B-B’线的一种剖面示意图；
图5D为沿图5A中的A-A’线的另一种剖面示意图；
图5E为沿图5A中的B-B’线的另一种剖面示意图；
图5F为沿图5A中的A-A’线的又一种剖面示意图；
图6A为本公开一实施例提供的一种阵列基板的一个像素单元的一种平面示意图；
图6B为本公开一实施例提供的一种阵列基板的一个像素单元的另一种平面示意图；
图6C为本公开一实施例提供的一种阵列基板的一个像素单元的又一种平面示意图；
图6D为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图；
图6E为沿图6D中的A-A’线的一种剖面示意图；
图6F为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图；
图6G为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图；
图7为本公开一实施例提供的一种显示面板示意图；
图8A为本公开一实施例提供的一种显示面板的剖面示意图；
图8B为本公开一实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图；
图8C为本公开一实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图；
图9为本公开一实施例提供的一种显示装置示意图。
附图标记
1-衬底基板；101-对置基板；2-像素单元；201-第一像素单元；202-第二像素单元；21-像素电极；2011/2021-第一像素电极；2012/2022-第二像素电极；3-辅助导电结构；31-第一条形部；32-第二条形部；4-信号线；41-栅线；42-数据线；60-栅驱动元件；61-数据驱动元件；62-接地端；5-薄膜晶体管；6-遮挡物；7-彩膜；8-钝化层；9-平坦层；10-阵列基板；11-镂空区域；12-凸起物；13-公共电极；14-显示面板；15-栅绝缘层；16-显示装置；17-引线；18-液晶层。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利中请说明书以及权利要求书中使用的"第一"、"第二"以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。"内"、"外"等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开中的附图并不是严格按实际比例绘制，像素单元的个数也不限于是图中所示的个数，各个结构的具体地尺寸和数量可根据实际需要进行确定。本公开中所描述的附图仅是结构示意图。
本公开至少一实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板、设置于衬底基板上的像素阵列和辅助导电结构。像素阵列包括呈阵列分布的多个像素单元和多个像素电极，多个像素单元中的每个包括多个像素电极中的至少一个；辅助导电结构围绕多个像素电极中的至少一个，且与多个像素电极绝缘。例如，该阵列基板可以为显示基板，用于显示装置中。
示范性地，图1A为本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图，图1B为沿图1A中的A-A’线的剖面示意图，图1C为沿图1A中的B-B’线的剖面示意图。如图1A所示，阵列基板10包括衬底基板1、设置于衬底基板1上的像素阵列和辅助导电结构3。像素阵列包括呈阵列分布的多个像素单元2和多个像素电极21，多个像素单元2中的每个包括多个像素电极21中的一个。例如，阵列基板10包括多个辅助导电结构3。每个辅助导电结构3围绕多个像素电极21中的一个，且与多个像素电极21绝缘，辅助导电结构3的材料的电阻率小于或等于像素电极21的材料的电阻率。例如，辅助导电结构3与像素电极21之间存在间隙，以使辅助导电结构3与像素电极21绝缘。如此，辅助导电结构3可以接收并传导像素电极21周围的干扰电荷，使这些干扰电荷远离像素电极21，从而防止或减少这些干扰电荷对像素电极21的干扰，当阵列基板10应用于显示装置中时，达到更准确、更稳定的显示效果。当辅助导电结构3的电阻率小于像素电极21的电阻率时，辅助导电结构3比像素电极21更容易吸附周围的干扰电荷，从而更有利于防止或减少这些干扰电荷对像素电极21的干扰。
例如，像素电极21的材料可以是透明导电材料。例如：氧化铟锡ITO，其电阻率约为5×10-5～5×10-4(Ω.·m)，辅助导电结构的材料可以是铝、银、铂、铜、石墨烯、氧化铟锡ITO等中的至少之一，其电阻率小于氧化铟锡ITO。例如，银的电阻率约为1.6×10-8(Ω·m)，铂的电阻率约为1.0×10-7(Ω·m)；铜的电阻率约为5.0×10-7(Ω·m)；铁的电阻率约为1.0×10-7(Ω·m)，铝的电阻率约为2.9×10-8(Ω·m)，石墨烯的电阻率约为(8～13)×10-6(Ω·m)。当然，在一个实施例中，辅助导电结构3的材料和像素电极21的材料也可以相同。
例如，如图1A所示，阵列基板10还包括多条信号线4。例如，多条信号线4包括多条栅线41和多条数据线42，该多条栅线41和多条数据线42设置于衬底基板1上，且彼此交叉以限定出多个像素单元2。例如，每个辅助导电结构3包括多个条形部，多个条形部分别沿多条栅线41和多条数据线42的延伸方向延伸。例如，多个条形部包括第一条形部31和第二条形部32。第一条形部31沿栅线41的延伸方向延伸，第二条形部32沿数据线42的延伸方向延伸。如此，辅助导电结构3的多个条形部可以接收并传导像素电极21周围的来自栅线41和数据线42的干扰电荷，使这些干扰电荷远离像素电极21，对像素电极21产生静电屏蔽的作用，从而防止或减少这些干扰电荷对像素电极21的干扰，达到更准确、更稳定的显示效果。
例如，在图1A所示的实施例中，每个辅助导电结构3可以位于其围绕的像素电极21所在的像素单元2中，以充分利用像素单元的闲置空间，并且，在这种情况下，辅助导电结构3距离像素电极21更近，能够更有效地接收和疏散像素电极21周围的干扰电荷。例如，每个辅助导电结构3围绕多个像素电极21中的一个，即，每个像素电极21均对应一个辅助导电结构3，以获得较大的辅助导电结构3的排布密度，达到使阵列基板的工作区域中的各个像素电极21均能够防止受到其周围干扰电荷的干扰的效果。
例如，辅助导电结构3的平面形状包括围绕多个像素电极中的至少一个的封闭的环形。例如，辅助导电结构3的平面形状包括围绕多个像素电极的每个的多个封闭的环形。示范性地，如图1A所示，辅助导电结构3的平面形状包括多个封闭的环形，每个封闭的环形围绕多个像素电极21中的一个。辅助导电结构3的平面形状包括封闭环形，可以使得辅助导电结构同时屏蔽整个像素电极周围的干扰电荷，例如同时为像素电极屏蔽来自栅线41和数据线42的静电。例如，在图1A中，多个封闭的环形的形状和大小相同，以便于在制作辅助导电结构过程中的图案化。当然，在本公开的其他实施例中，多个封闭的环形的形状和大小也可以不同。
例如，如图1B和图1C所示，辅助导电结构3与多个像素电极21同层设置。这样，无需为了设置辅助导电结构3而增加另外的层，有利于阵列基板10的薄化以及简化阵列基板10的制备工艺。例如，辅助导电结构3与多个像素电极21可以同时形成，有利于简化阵列基板10的制备工艺。
例如，如图1A.-1C所示，在垂直于衬底基板1的方向上，辅助导电结构3的多个条形部与多条栅线41和多条数据线42不重叠，以防止辅助导电结构3与栅线41和数据线42重叠形成寄生电容而对像素电极21的工作造成干扰。
例如，多个像素单元2的每个还包括薄膜晶体管5，薄膜晶体管5与多个像素电极21中的一个连接，例如，薄膜晶体管5与其所在的像素单元2中的像素电极21连接。例如，像素电极21与薄膜晶体管5的漏极电连接，例如，像素电极21通过过孔(未示出)与薄膜晶体管5的漏极电连接，本领域技术人员可参考常规技术进行设计。例如，辅助导电结构3是不透明的且覆盖至少部分薄膜晶体管5，以更好地遮挡薄膜晶体管5的沟道区，从而防止薄膜晶体管5的沟道区的半导体材料见光而产生泄漏电流。
阵列基板10还包括遮挡物6，位于多个像素单元2当中相邻的像素单元之间；在垂直于衬底基板1的方向上，辅助导电结构3的多个条形部与遮挡物6重叠。例如，在图1A-1C所示的实施例中，遮挡物6为位于相邻的像素单元之间的黑矩阵。阵列基板10还包括位于每个像素单元2中的彩膜7，黑矩阵将相邻像素单元2中的彩膜7间隔开，以防止相邻像素单元2中的光发生串扰。辅助导电结构3与黑矩阵有交叠且辅助导电结构3的宽度小于黑矩阵的宽度，以使得辅助导电结构3位于非显示区，这样，当阵列基板10应用于显示装置中时，即使辅助导电结构3采用不透明导电材料也不会影响显示装置的开口率。
例如，阵列基板还包括彩膜阵列，彩膜阵列包括多个彩膜7，多个像素单元21中的每个包括多个彩膜7中的一个。例如，在图1D所示的实施例中，遮挡物6也可以由相邻的像素单元2中的彩膜7交叠而形成，以防止相邻像素单元2中的光发生串扰。当然，本公开实施例对遮挡物6的具体类型不作限定。
可以理解的是，遮挡物6可以为黑矩阵，或由多个彩膜7中相邻的两个彩膜交叠形成；也可以是遮挡物6包括黑矩阵，还包括相邻的彩膜7交叠，例如，辅助导电结构3位于相邻的彩膜7交叠层以及黑矩阵之间。
例如，阵列基板10还包括覆盖栅线41的栅绝缘层15、覆盖薄膜晶体管5和数据线42的钝化层8以及覆盖彩膜7和遮挡物6的平坦层9。平坦层9的远离衬底基板1的表面为平坦表面，在该平坦表面上设置像素电极21和辅助导电结构3。
例如，在本公开的其他实施例中，也可以不是每一个像素电极都对应一个辅助导电结构。在本公开的其他实施例中，也可以是一个封闭的环形辅助导电结构3围绕多个像素电极21，即多个像素电极21共用一个辅助导电结构3。
图2为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的平面示意图。如图2所示，该阵列基板10与图1A中的阵列基板的不同之处在于，不是每个像素电极21都对应一个辅助导电结构3，而是一部分像素电极21被辅助导电结构3围绕。例如，位于像素阵列的第奇数列的像素单元2中的像素电极21被辅助导电结构3围绕，而位于像素阵列的第偶数列的像素单元2中的像素电极21不被辅助导电结构3围绕。图2所示的阵列基板10的其他特征可以与图1A中的阵列基板的相同，请参考之前的描述。可以理解的是，图1A和图2中的辅助导电结构3可以相互独立，或者，部分或全部的辅助导电结构3之间电连接。例如，第m列的像素单元2对应的辅助导电结构3相互连接；第n列的像素单元2对应的辅助导电结构3相互连接(m不等于n，n为自然数)。以下实施例类同，不再赘述。
图3为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图。如图2所示，该阵列基板10与图1A中的阵列基板的不同之处在于，辅助导电结构3的平面形状包括围绕多个像素电极中的多个的封闭的环形。例如，辅助导电结构3包括多个封闭的环形，每个封闭的环形围绕两个相邻的像素单元2中的像素电极21。当然，在本公开的其他实施例中，每个辅助导电结构3所围绕的像素电极21的个数不限于是两个。图3所示的阵列基板10的其他特征均与图1A中的阵列基板的相同，请参考之前的描述。
例如，图4A为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图，图4B为沿图4A中的A-A’线的剖面示意图，图4C为沿图4A中的B-B’线的剖面示意图。在图4A-图4C中，阵列基板10与图1A中的阵列基板的不同之处在于，辅助导电结构3包括多个封闭的环形，每个封闭的环形围绕四个相邻的像素单元2中的像素电极21；在垂直于衬底基板1的方向上，辅助导电结构3的多个条形部与多条栅线41和多条数据线42重叠，有利于更好地接收并传导来自栅线和数据线的干扰电荷，从而更好地防止或减少这些干扰电荷对像素电极的干扰。当然，在本公开实施例中，辅助导电结构3的多个条形部可以与多条栅线41和多条数据线42的部分或全部重叠。图4A所示的阵列基板10的其他特征均与图1A中的阵列基板的相同，请参考之前的描述。
图5A为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图，图5B为沿图5A中的A-A’线的一种剖面示意图，图5C为沿图5A中的B-B’线的一种剖面示意图。图5A-5C中，阵列基板10与图1A中的阵列基板的区别在于，辅助导电结构3包括多个条形部，多个条形部分别沿多条栅线41和多条数据线42的延伸方向延伸，并且，辅助导电结构3的多个条形部位于相邻的像素单元2之间的非显示区，在降低对开口率的影响的同时，有利于更好地接收与传导来自栅线和数据线的干扰电荷，更好地防止或减少这些干扰电荷对像素电极的干扰。
例如，在图5A中，在垂直于衬底基板1的方向上，辅助导电结构3的多个条形部与多条栅线41和多条数据线42的部分重叠，有利于更好地接收并传导来自栅线和数据线的干扰电荷，从而更好地防止或减少这些干扰电荷对像素电极的干扰。例如，栅线41和数据线42均与薄膜晶体管5电连接；辅助导电结构3的多个条形部包括第一条形部31和第二条形部32，第一条形部31沿多条栅线41的延伸方向延伸，第二条形部32沿多条数据线42的延伸方向延伸。例如，在图5A所示的实施例中，第一条形部31与栅线41的至少部分重叠；第二条形部32与数据线42的至少部分重叠。第一条形部31的在垂直于其延伸方向上的宽度L1大于第二条形部32在垂直于其延伸方向上的宽度L2。栅线42的一部分对应于薄膜晶体管的沟道区，这样有利于使第一条形部31更充分地覆盖遮挡薄膜晶体管5的沟道区，从而防止或减少薄膜晶体管5的沟道区的半导体材料见光而产生泄漏电流。
例如，在本公开至少一个实施例中，第一条形部到多个像素电极中与该第一条形部相邻的两个像素电极的距离不相等。或者，类似地，第二条形部到多个像素电极中与该第二条形部相邻的两个像素电极的距离不相等。示范性地，如图5A所示，第一条形部31到多个像素电极21中与该第一条形部31相邻的两个像素电极的距离分别为D1和D2，D1与D2不相等。
例如，相邻的两个第一条形部或相邻的两个第二条形部到位于其之间的同一像素电极的距离不相等。第一条形部和第二条形部中的至少一个，其到同一像素电极的距离不相等。例如，相邻的两个第一条形部31到位于其之间的同一像素电极的距离分别为S1和S2，S1和S2不相等。例如，D1、D2、S1和S2可以均不相等。当然，本公开实施例对D1、D2、S1和S2之间的数量关系不作限定。
例如，如图5A所示，阵列基板10还包括引线17，辅助导电结构3通过引线17接地或被施加固定电压，以使施加于辅助导电结构3的电压为零或者为该固定电压。例如，阵列基板10还包括驱动元件，用于控制像素单元的工作情况。例如驱动元件为驱动电路。辅助导电结构3通过引线17接入驱动电路的接地端，以使施加于辅助导电结构3的电压为零；或者，在阵列基板10中，辅助导电结构3通过引线17接入驱动电路中的固定电压，例如，公共电压(当阵列基板还包括公共电极时，施加于公共电极上的电压)，这种情况下，施加到辅助导电结构3的电压与施加到公共电极13的电压相同。
需要说明的是，在图1A中，阵列基板10也可以包括引线，例如，阵列基板10包括多条引线，多条引线中的每一个分别与一个辅助导电结构3对应，辅助导电结构3通过与其对应的引线接地或被施加固定电压。
图5D为沿图5A中的A-A’线的另一种剖面示意图，图5E为沿图5A中的B-B’线的另一种剖面示意图。图5D和图5E所示的实施例与图5B和图5C的区别在于，阵列基板10还包括遮挡物6和彩膜7。该遮挡物6和彩膜7与之前的实施例中的相同，请参考之前的描述。
图5F为沿图5A中的A-A’线的又一种剖面示意图。图5F所示的实施例与图5D和图5E所示的实施例的区别在于，阵列基板10还包括凸起物12，凸起物12设置于辅助导电结构3上并沿远离衬底基板1的方向凸起。例如，当该阵列基板10应用于显示装置中时，凸起物12为隔垫物，例如，短条状或柱状隔垫物。如此，无需单独为凸起物12设置垫高层，以简化结构阵列基板和显示装置的结构。例如，在垂直于衬底基板1的方向上，凸起物12与薄膜晶体管5对应，以使凸起物12位于非显示区，有利于更好地遮挡薄膜晶体管5的沟道区以及提高显示装置的开口率。
图6A为本公开一实施例提供的一种阵列基板的一个像素单元的一种平面示意图，图6B为本公开一实施例提供的一种阵列基板的一个像素单元的另一种平面示意图。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，可以是每个像素单元都如图6A所示，也可以是一部分像素单元如图6A所示。如图6A所示，多个像素单元2中的每个包括靠近薄膜晶体管5的起始端O、在辅助导电结构3的多个条形部中的至少一个条形部，以第二条形部32为例，第二条形部32的延伸方向上远离起始端O的终点端T和位于起始端O与终点端T之间的连线的中点的中间位置M。第二条形部32包括沿从像素单元2的起始端O到像素单元2的中间位置M延伸的第一部分321和沿从像素单元2的中间位置M到像素单元2的终点端T延伸的第二部分322，第一部分321在垂直于第二条形部32的延伸方向上具有第一宽度W1，第二部分322在垂直于第二条形部32的延伸方向上具有第二宽度W2，第一宽度W1大于第二宽度W2。一方面，第一宽度W1大于第二宽度W2有利于使该第一部分322有效遮挡薄膜晶体管5，避免薄膜晶体管5的沟道区的半导体材料见光产生泄漏电流；另一方面，起始端O的位置可以设置上述凸起物，起始端O的位置的条形部的第一部分322的第一宽度W1宽度较大有利于凸起物的结构的稳定和避免制作工艺误差。例如，如图6B所示，至少一个条形部，以第二条形部32为例，包括沿从像素单元2的起始端O到像素单元的终点端T的方向延伸且依次排列的第一部分321、第二部分322和第三部分323，该第一部分321在垂直于第二条形部32的延伸方向上的宽度W1、该第二部分322在垂直于第二条形部32的延伸方向上的宽度W2和该第三部分在垂直于第二条形部32的延伸方向上的宽度W3依次减小，即W1>W2>W3。当然，在本公开的其他实施例中，不限于是第二条形部32包括该第一部分、第二部分和第三部分，也可以是第一条形部31包括该第一部分、第二部分和第三部分。并且，例如，多个条形部中的至少一个也可以包括沿从像素单元2的起始端O到像素单元的终点端T的方向依次排列的多个部分，不限于三个部分，沿从像素单元2的起始端O到像素单元的终点端T的方向排列的该多个部分的宽度依次减小；当然，也不局限于第一部分必需从起始端O开始，第一部分从像素单元2的起始端O到像素单元的终点端T的方向上任一点开始即可。当然，该实施例也同样适用于一个像素单元包括两个及以上像素电极的情况。
图6C为本公开一实施例提供的一种阵列基板的一个像素单元的又一种平面示意图。如图6C所示，像素电极21的平面形状具有凹槽20，辅助导电结构3包括位于条形部的朝向像素电极21的一侧且与凹槽20相对应的突出部30。即，突出部30与凹槽20的形状形成互补，使得辅助导电结构3的条形部的朝向像素电极21的一侧的轮廓形状沿像素电极21的轮廓设置，以更好地防止像素电极21周围的干扰电荷。当然，在另一个实施例中，也可以是辅助导电结构包括位于条形部的朝向像素电极的一侧的凹槽，像素电极的平面形状具有与该凹槽相对应的突出部，该突出部与该凹槽的形成互补。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，可以是每个像素单元都具有如图6C所示的凹槽，也可以是一部分像素单元具有如图6A所示的凹槽。
图6D为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图，图6E为沿图6D中的A-A’线的一种剖面示意图。如图6D和图6E所示，该阵列基板10与图5A所示的阵列基板的区别在于，辅助导电结构3的多个条形部中的至少一个条形部包括彼此间隔且贯穿该至少一个条形部的多个镂空区域11。如图6E所示，例如，阵列基板10还包括与多个像素电极21不同层设置的公共电极13，并且在垂直于衬底基板1的方向上，镂空区域11与栅线41、数据线42和公共电极13中的至少之一至少部分重叠。
例如，如图6D所示，在垂直于该至少一个条形部的延伸方向上，多个镂空区域11的每个的宽度d1小于该至少一个条形部的宽度d2。例如，每个第一条形部31包括多个上述镂空区域11；这样，能够减小辅助导电结构3与栅线41重叠部分的面积，从而减小由于辅助导电结构3与栅线41重叠而产生的寄生电容。并且，d1<d1能够使围绕各个的像素电极的辅助导电结构3保持电导通，从而经由一条引线17即可将辅助导电结构3接地或者被施加固定电压，有利于简化阵列基板的结构。类似地，本公开的在其他实施例中，辅助导电结构在与除了栅线和数据线之外的其他结构交叠的区域也可以设置镂空区域。例如：在辅助导电结构3的与公共电极线交叠的情况下，这两者的交叠区域，辅助导电结构3设置有镂空区域。
例如，多个镂空区域11的平面形状可以相同，并且多个镂空区域11中相邻两个镂空区域11之间的距离可以相等。如此，针对干扰电荷对像素电极21的干扰问题以及由于辅助导电结构3与栅线41重叠而产生的寄生电容问题，能够在整个阵列基板10的工作区域内形成比较均匀的改善效果，例如，当将该阵列基板应用于显示装置中时，可以在整个显示区域内获得均匀一致的显示效果。
例如，如图6D所示，阵列基板10还包括驱动元件和引线17。驱动元件包括栅驱动元件60和数据驱动元件61。栅驱动元件60与栅线41连接，以控制像素单元2的工作的开启与关闭。驱动元件为驱动电路，数据驱动元件61与数据线42该连接，以给像素单元2提供数据信号。例如，栅驱动元件60为栅驱动电路，数据驱动元件61为数据驱动电路。例如，驱动电路还包括接地端62，辅助导电结构3通过引线17接入驱动电路的接地端62，以使施加于辅助导电结构3的电压为零；或者，在阵列基板10中，辅助导电结构3通过引线17接入驱动电路中的固定电压，例如，公共电压(当阵列基板还包括公共电极时，施加于公共电极上的电压)，这种情况下，施加到辅助导电结构3的电压与施加到公共电极13的电压相同。例如：至少一条引线17位于相邻的所述数据驱动元件61或相邻的所述栅驱动元件60之间。
图6F为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图，图6G为本公开一实施例提供的又一种阵列基板的平面示意图。例如，如图6F和6G所示，多个像素单元包括相邻的第一像素单元201和第二像素单元202；第一像素单元201包括第一像素电极2011和第二像素电极2012；第二像素单元202包括第一像素电极2021和第二像素电极2022。辅助导电结构3的平面形状包括围绕位于第一像素单元201中的第二像素电极2012和位于第二像素单元202中的第一像素电极2021的封闭的环形。如此，在一个像素单元包括两个像素电极的情况下，也能够通过辅助导电结构实现使像素电极周围的干扰电荷远离像素电极，从而防止或减少这些干扰电荷对像素电极的干扰。
例如，在图6F和图6G所示的阵列基板中，第一像素单元201中的薄膜晶体管(图未示出)与第一像素单元201中的第一像素电极2011和第二像素电极2012均连接，第二像素单元202中的薄膜晶体管(图未示出)与第二像素单元202中的第一像素电极2021和第二像素电极2022均电连接。例如，以第一像素单元201为例。每个第一像素单元201包括两个薄膜晶体管，分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管的漏极与第一像素电极2011电连接，第二薄膜晶体管的漏极与第二像素电极2012电连接。第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极均与栅线41中的一条连接。第一薄膜晶体管的源极和第二薄膜晶体管的源极均与数据线42中的一条电连接。
例如，如图6F所示，多个封闭的环形可以通过第一条形部31彼此连接。或者，如图6G所示，辅助导电结构3还包括连接部33，多个封闭的环形通过该连接部33彼此连接。关于图6F和图6G中的阵列基板的再次没有描述的特征，均与之前的实施例中的相同，可参考之前的描述。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括本公开实施例提供的任意一种阵列基板。
例如，图7为本公开一实施例提供的一种显示面板示意图。如图7所示，显示面板14包括本公开实施例提供的任意一种阵列基板10。在本公开实施例提供的显示面板14中，辅助导电结构3可以接收与传导像素电极周围的干扰电荷，使这些干扰电荷远离像素电极，从而防止或减少这些干扰电荷对像素电极的干扰，使得显示面板14达到更准确、更稳定的显示效果。例如，该显示面板14可以是液晶显示面板。
图8A为本公开一实施例提供的一种显示面板的剖面示意图。例如，如图8A所示，例如显示面板14为液晶显示面板，此时，显示面板14还包括对置基板101、液晶层18和公共电极13。对置基板101与阵列基板10相对设置；液晶层18设置在阵列基板10和对置基板101之间；公共电极13设置在阵列基板10上。公共电极13与多个像素电极21形成控制液晶层18中的液晶分子偏转的电场。例如，通过驱动电路向公共电极13和辅助导电结构3均施加公共电压信号，这种情况下，施加到辅助导电结构3的电信号与施加到公共电极13的电信号相同。
例如，在图8A所示的显示面板中，彩膜7和遮挡物6(例如在液晶显示面板中可为黑矩阵)位于阵列基板上。例如，凸起物12具有一定的高度，用于支撑对置基板101、维持显示面板的液晶盒厚以及间隔各个像素单元对应的液晶。凸起物12设置于辅助导电结构3上，辅助导电结构3将凸起物12垫高，从而无需单独为凸起物12设置垫高层，从而简化显示面板的结构。
图8B为本公开一实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图。例如，在图8B所示的显示面板中，公共电极13也可以设置在对置基板101上。例如，公共电极13为覆盖多个像素单元的整面形成的结构。
图8C为本公开一实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图。例如，在图8C所示的显示面板中，公共电极13、彩膜7和遮挡物6可以均设置在置基板101上。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的任意一种显示面板。
例如，图9本公开一实施例提供的一种显示装置示意图。如图9示，显示装置16本公开实施例提供的任意一种显示面板14。本公开实施例提供的显示装置16中，辅助导电结构3可以接收与传导像素电极周围的干扰电荷，使这些干扰电荷远离像素电极，从而防止或减少这些干扰电荷对像素电极的干扰，使得显示装置16达到更准确、更稳定的显示效果。例如，该显示装置16可以是液晶显示装置。例如，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (19)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板、设置于所述衬底基板上的像素阵列和辅助导电结构；
其中，所述像素阵列包括呈阵列分布的多个像素单元和多个像素电极，所述多个像素单元中的每个包括所述多个像素电极中的至少一个；
所述辅助导电结构围绕所述多个像素电极中的至少一个，且与所述多个像素电极绝缘；所述辅助导电结构的材料的电阻率小于或等于所述像素电极的材料的电阻率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助导电结构与所述多个像素电极同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
多条栅线和多条数据线，设置于所述衬底基板上，且彼此交叉以限定出所述多个像素单元；
其中，所述辅助导电结构包括多个条形部，所述多个条形部分别沿所述多条数据线和多条栅线的延伸方向延伸。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助导电结构的平面形状包括围绕所述多个像素电极中的至少一个的封闭的环形。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述多个像素单元包括相邻的第一像素单元和第二像素单元；
所述第一像素单元和第二像素单元中的每个包括第一像素电极和第二像素电极；
所述辅助导电结构的平面形状包括围绕位于所述第一像素单元中的所述第二像素电极和位于所述第二像素单元中的所述第一像素电极的封闭的环形。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述辅助导电结构的所述多个条形部与所述多条栅线和多条数据线不重叠。
7.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述辅助导电结构的所述多个条形部与所述多条栅线和多条数据线至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述多个像素电极不同层设置的公共电极；
所述辅助导电结构的所述多个条形部中的至少一个条形部包括彼此间隔且贯穿所述至少一个条形部的多个镂空区域；并且
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述镂空区域与所述栅线、所述数据线和所述公共电极中的至少之一的至少部分重叠。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述多个镂空区域中相邻两个镂空区域之间的距离相等；
或者，在与所述至少一个条形部的延伸方向垂直的方向上，所述多个镂空区域的每个的宽度小于所述至少一个条形部的宽度。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
所述多个像素单元的每个还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述多个像素电极中的至少一个连接；
所述辅助导电结构覆盖至少部分所述薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，
所述薄膜晶体管的栅极与所述多条栅线中的一条电连接，并且所述薄膜晶体管的源极与所述多条数据线中的一条电连接；
所述辅助导电结构的所述多个条形部包括：
第一条形部，沿所述多条栅线的延伸方向延伸；以及
第二条形部，沿所述多条数据线的延伸方向延伸；
其中，所述第一条形部的在垂直于其延伸方向上的宽度大于所述第二条形部在垂直于其延伸方向上的宽度。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条形部到所述多个像素电极中与所述第一条形部相邻的两个像素电极的距离不相等；或者，所述第二条形部到所述多个像素电极中与所述第二条形部相邻的两个像素电极的距离不相等；或者，相邻的两个所述第一条形部或相邻的两个所述第二条形部到位于其之间的同一像素电极的距离不相等。
13.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述多个像素单元中的至少一个像素单元包括靠近所述薄膜晶体管的起始端、在所述辅助导电结构的所述多个条形部中的至少一个条形部的延伸方向上远离所述起始端的终点端和位于所述起始端与所述终点端之间的连线的中点的中间位置；
所述至少一个条形部包括沿从所述至少一个像素单元的起始端到所述至少一个像素单元的中间位置延伸的第一部分和沿从所述至少一个像素单元的中间位置到所述至少一个像素单元的终点端延伸的第二部分，所述第一部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上具有第一宽度，所述第二部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；
或者，所述至少一个条形部包括沿从所述至少一个像素单元的起始端到所述至少一个像素单元的终点端的方向延伸且依次排列的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上的宽度、所述第二部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上的宽度和所述第三部分在垂直于所述至少一个条形部的延伸方向上的宽度依次减小。
14.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
遮挡物，位于所述多个像素单元当中相邻的像素单元之间；以及
彩膜阵列，包括多个彩膜，其中，所述多个像素单元中的每个包括所述多个彩膜中的一个；
其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述辅助导电结构的所述多个条形部与所述遮挡物重叠；
所述遮挡物为黑矩阵或由所述多个彩膜中相邻的两个彩膜交叠形成。
15.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述多个像素电极中的至少一个像素电极的平面形状具有凹槽，所述辅助导电结构包括位于所述多个条形部的朝向所述至少一个像素电极的一侧且与所述凹槽相对应的突出部；
或者，所述多个像素电极中的至少一个像素电极的平面形状具有突出部，所述辅助导电结构包括位于所述多个条形部的朝向所述至少一个像素电极的一侧且与所述突出部相对应的凹槽。
16.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括凸起物，沿远离所述衬底基板的方向凸起，其中，所述凸起物设置于所述辅助导电结构上。
17.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括引线，设置在所述基板上的数据驱动元件或栅驱动元件，其中，所述辅助导电结构通过所述引线接地或被施加固定电压，至少一条所述引线位于相邻的所述数据驱动元件或相邻的所述栅驱动元件之间。
18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-7、10-17任一所述的阵列基板。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
对置基板；与所述阵列基板相对设置；
液晶层，设置在所述阵列基板和所述对置基板之间；
以及公共电极，设置在所述阵列基板和/或所述对置基板上，所述公共电极与所述多个像素电极形成控制所述液晶层中的液晶分子偏转的电场，其中，
施加到所述辅助导电结构的电信号与施加到所述公共电极的电信号相同。
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