CN109557728A - 像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置。该像素结构包括：衬底基板；触控电极，其位于所述衬底基板上且沿第一方向延伸；像素电极，其位于所述衬底基板上、与所述触控电极绝缘并且包括相对的外边缘，所述外边缘沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交。在所述第二方向上，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极的外边缘在所述衬底基板上的正投影之间。该像素结构可以避免或减小像素电极与其两侧的信号线之间的耦合电容之间的差异。

Description

像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置
技术领域
本公开实施例涉及一种像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置。
背景技术
触控技术提供了一种高效、便利的人机交互方式。目前，触控技术已广泛应用在手机、平板电脑等电子设备中。面板内触控显示(即将触控结构设置于显示面板的内部)技术因可以节约成本和产能而具有很大的应用空间。
液晶式触控屏是目前比较常用的一种触控屏，其主要包括用于实现触控功能的触控部分和用于实现液晶显示功能的显示部分。液晶显示面板包括相互对置的阵列基板和对向基板(例如彩膜基板)，以及设置于阵列基板和对向基板之间的液晶层。液晶显示装置通过对公共电极和像素电极加载电压以控制液晶分子的偏转，进而控制光线。例如，阵列基板上可以设置有开关元件阵列、栅线、数据线、公共电极和像素电极等结构。
发明内容
本公开实施例提供一种像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置，本公开实施例可以避免或减小像素电极与其两侧的信号线之间的耦合电容之间的差异。
本公开的至少一个实施例提供一种像素结构，其包括：衬底基板；触控电极，其位于所述衬底基板上且沿第一方向延伸；以及像素电极，其位于所述衬底基板上、与所述触控电极绝缘并且包括相对的外边缘，所述外边缘沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交。在所述第二方向上，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极的外边缘在所述衬底基板上的正投影之间。
例如，所述的像素结构还包括与所述像素电极相邻设置的信号线，所述信号线都沿所述第一方向延伸；沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
例如，所述信号线都为数据线或栅线。
例如，所述的像素结构还包括黑矩阵，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影之外。
例如，所述的像素结构还包括位于所述衬底基板上的公共电极，所述公共电极与所述像素电极位于不同的层中。
例如，所述像素电极和所述公共电极中更靠近所述衬底基板的被称为第一透明电极，所述第一透明电极包括电连接的第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极之间设置有沿所述第一方向延伸的条状开口；沿所述第二方向，所述触控电极位于所述第一子电极和所述第二子电极之间。
例如，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述触控电极位于所述衬底基板与所述第一透明电极之间。
例如，所述触控电极的至少部分与所述第一透明电极同层设置且形成材料相同。
例如，所述触控电极包括沿所述第一方向依次排列且依次连接的第一连接部、透明部和第二连接部，所述透明部与所述第一透明电极同层设置且形成材料相同，并且所述第一连接部和所述第二连接部都与所述透明部不同层设置。
本公开的至少一个实施例还提供一种像素结构的制作方法，其包括：在衬底基板上形成沿第一方向延伸的触控电极；以及在所述衬底基板上形成像素电极，所述像素电极与所述触控电极绝缘并且包括相对的外边缘，所述外边缘沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交。在所述第二方向上，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极的外边缘在所述衬底基板上的正投影之间。
例如，通过同一薄膜在所述衬底基板上形成所述触控电极和相邻的信号线，使所述信号线都沿所述第一方向延伸；在所述衬底基板上形成第一透明电极，使得在与所述衬底基板垂直的方向上，所述信号线和所述触控电极都位于所述衬底基板和所述第一透明电极之间；以及在所述衬底基板上形成第二透明电极，使得在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一透明电极位于所述衬底基板和所述第二透明电极之间。所述第一透明电极和所述第二透明电极之一为所述像素电极；沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
例如，通过同一薄膜，在所述衬底基板上形成所述触控电极的第一连接部和第二连接部、以及相邻的信号线，所述信号线都沿所述第一方向延伸；通过同一薄膜，在所述衬底基板上形成第一透明电极和所述触控电极的透明部，所述透明部与所述第一连接部和第二连接部电连接；在所述衬底基板上形成第二透明电极，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一透明电极位于所述衬底基板和所述第二透明电极之间。所述第一透明电极和所述第二透明电极之一为所述像素电极；沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
例如，通过同一薄膜，在所述衬底基板上形成第一透明电极和所述触控电极；以及在所述衬底基板上形成第二透明电极，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一透明电极位于所述衬底基板和所述第二透明电极之间。所述第一透明电极和所述第二透明电极之一为所述像素电极；沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
本公开的至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括衬底基板；触控电极，其位于所述衬底基板上且沿第一方向延伸；像素电极，其位于所述衬底基板上、与所述触控电极绝缘并且包括相对的外边缘，其中，所述外边缘沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交。在所述第二方向上，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极的外边缘在所述衬底基板上的正投影之间。
本公开的至少一个实施例提供一种触控显示装置，其包括以上任一所述的像素结构或以上所述的阵列基板。
本公开实施例提供一种像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置。在本公开实施例中，触控电极被设置在像素电极的相对的外边缘之间，未设置在像素电极与沿触控电极的延伸方向延伸的信号线(例如数据线或栅线)之间，从而避免触控电极的导入导致或增大像素电极与其两侧的信号线之间的耦合电容之间的差异。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为一种像素结构的剖视图；
图1B为图1A中部分结构的平面示意图；
图2为本公开实施例提供的像素结构的平面示意图；
图3A为本公开实施例提供的像素结构的剖视示意图一；
图3B为图3A中部分结构的平面示意图；
图4A为本公开实施例提供的像素结构的剖视示意图二；
图4B为图4A中部分结构的平面示意图；
图5为本公开实施例提供的像素结构的剖视示意图三；
图6为本公开实施例提供的像素结构的制作方法的流程图一；
图7为本公开实施例提供的像素结构的制作方法的流程图二；
图8为本公开实施例提供的像素结构的制作方法的流程图三；
图9A为本公开实施例提供的阵列基板的平面示意图一；
图9B为本公开实施例提供的阵列基板的平面示意图二。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1A为一种像素结构的剖视示意图，该像素结构可以用于实现显示功能以及触控功能；图1B为图1A所示像素结构中的部分结构的平面示意图。如图1A所示，该像素结构包括阵列基板30和对向基板20，对向基板20包括衬底基板21和位于衬底基板21面向阵列基板30一侧的黑矩阵BM，阵列基板30包括衬底基板31以及位于衬底基板31面向对向基板20一侧的栅绝缘层GI、数据线33、触控电极32、覆盖数据线33和触控电极32的树脂层RS、位于树脂层RS上的像素电极34、覆盖像素电极34的钝化层PVX、位于钝化层PVX上的公共电极35。如图1B所示，阵列基板还包括栅线36和开关元件37，像素电极34位于相邻的栅线36和相邻的数据线33限定的区域中并且与开关元件37电连接，由此开关元件37控制是否将数据线33上施加的数据信号传输至像素电极34。
在研究中，本申请的发明人注意到，在图1A和图1B所示的像素结构中，为了避免金属材料制作的触控电极32影响显示效果，将触控电极32设置在数据线33的旁边，并且利用黑矩阵BM遮挡触控电极32；然而，由于像素电极34(例如图1B中的右侧的像素电极)的一侧与数据线33之间设置有触控电极32，然而相对的另一侧与数据线33之间未设置触控电极32，这使得同一像素电极34与其相对的两侧的数据线33之间的距离相差较大，从而导致像素电极34与其两侧的数据线33之间的耦合电容Cpd之间的差异较大，由此产生画面显示不良。
本公开实施例提供一种像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置。在本公开实施例中，触控电极被设置在像素电极的相对的外边缘之间，未设置在像素电极与沿触控电极的延伸方向延伸的信号线(例如数据线或栅线)之间，从而避免触控电极的导入导致或增大像素电极与其两侧的信号线之间的耦合电容之间的差异。
图2为本公开实施例提供的像素结构的平面示意图。参见图2，本公开的至少一个实施例提供一种像素结构，该像素结构包括衬底基板31和位于衬底基板31上的触控电极32和像素电极90。触控电极32沿第一方向延伸，其例如为沿第一方向延伸的线状结构；或者在其他示例中，触控电极在沿第一方向延伸情况下，可以在非显示区包括在不同于第一方向的方向上的延伸部分，在不影响显示面板的开口率的情况下，提高触控检测精度。像素电极90与触控电极32绝缘并且包括相对的一对外边缘90A、90B，例如外边缘90A、90B都大致沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，第二方向与第一方向相交(例如第二方向与第一方向垂直)；在第二方向上，触控电极32在衬底基板31上的正投影位于像素电极90的外边缘90A、90B在衬底基板31上的正投影之间。
需要说明的是，像素电极90的外边缘90A、90B为像素电极90在第二方向上相距最远的边缘。
像素电极90与触控电极32可以分别位于不同的层中或者可以位于同一层中。也就是说，可以分别通过不同的薄膜或者通过同一薄膜形成像素电极90和触控电极32。
例如，像素电极90包括彼此电连接的第一部分91和第二部分92，第一部分91和第二部分92之间设置有开口93(例如为沿第一方向延伸的条形开口)；触控电极32在衬底基板31上的正投影位于像素电极90的第一部分91和第二部分92在衬底基板31上的正投影之间，从而与开口93在衬底基板31上的正投影交叠。在像素电极90和触控电极32分别位于不同的层中的情况下，通过设置开口93可以减小触控电极32与像素电极90的交叠面积，以减小触控电极32与像素电极90之间的寄生电容，从而减小功耗。在像素电极90和触控电极32位于同一层中的情况下，开口93用于容纳像素电极90。
像素电极90的第一部分91和第二部分92彼此电连接是指第一部分91和第二部分92在工作时例如通过同一开关元件37被施加同一电信号(数据信号)，从而用于同一个子像素(例如红、绿或蓝色子像素)的显示操作，即二者属于同一个子像素而非属于不同的子像素。在一个示例中，像素电极90的第一部分91和第二部分92之间可以直接连接以实现二者之间的电连接，例如，如图2所示，第一部分91和第二部分92的末端直接连接在一起。在一个示例中，像素电极90的第一部分91和第二部分92之间可以通过桥接线连接以实现二者之间的电连接，该桥接线与像素电极90位于不同层中，例如，该桥接线为金属桥接线，以减小桥接线的电阻。在一个示例中，像素电极90的第一部分91和第二部分92也可以通过与同一开关元件37电连接来实现二者之间的电连接。例如，像素结构还包括开关元件37(例如晶体管)，像素电极90的第一部分91和第二部分92都与该开关元件37的同一电极(例如源极或漏极)电连接，从而二者通过该开关元件37被施加同一工作信号。
例如，如图2所示，本公开的至少一个实施例提供的像素结构还包括与像素电极90相邻设置的信号线330，信号线330都大致沿第一方向延伸；在第二方向上，像素电极90位于信号线330之间，从而像素电极90的外边缘90A、90B也位于信号线330之间，并且像素电极90的外边缘90A、90B分别为像素电极90的距离其两侧的信号线330最近的边缘。由于触控电极32未设置在像素电极90与每个信号线330之间的区域内，因此像素电极90与两侧的信号线330之间的耦合电容不会因触控电极32的引入而产生差异或导致差异增大；另一方面，由于像素电极90与信号线330之间未设置触控电极32，因此，在第二方向上，像素电极90与信号线330之间的距离差可以小于触控电极32的宽度，例如，该距离差大致为0，也就是说，像素电极90与信号线330之间的距离大致相等。
信号线330在工作时被施加相同类型的电信号，例如，信号线330在工作时都被输入栅扫描信号或者数据信号，即信号线330都为栅线或者都为数据线。
例如，触控电极32与信号线330同层设置。从而触控电极32和信号线330可以通过对同一薄膜进行构图工艺形成，以减少制作工艺、降低成本。
例如，如图2所示，本公开的至少一个实施例提供的像素结构还包括另一种相邻的信号线360，其大致沿第二方向延伸并且沿第一方向依次排列，信号线360在工作时与信号线330被施输入不同类型的电信号。例如，信号线360为栅线，则信号线330为数据线；或者，信号线360为数据线，则信号线330为栅线。在如图2所示的实施例中，信号线360为栅线，信号线330为数据线，相邻的栅线360和相邻的数据线330交叉限定一个子像素，即一个像素结构。触控电极32与数据线的延伸方向一致并且未设置在像素电极90与数据线之间，因此可以避免触控电极32的引入增大像素电极90与两侧的数据线之间的耦合电容Cpd之间的差异。
例如，如图3A、4A、5所示，本公开的至少一个实施例提供的像素结构还包括黑矩阵BM，触控电极32在衬底基板31上的正投影位于黑矩阵BM在衬底基板31上的正投影之外。也就是说，触控电极32位于像素结构的显示区(未被黑矩阵BM遮挡的区域)而非位于被黑矩阵BM遮挡的非显示区。
为了避免影响显示，信号线330被黑矩阵BM遮挡，即信号线330在衬底基板31上的正投影位于黑矩阵BM在衬底基板31上的正投影之内。
例如，如图3A、4A、5所示，本公开的至少一个实施例提供的像素结构包括相对的阵列基板30和对向基板20，二者之间例如设置有液晶层(图中未示出)。该对向基板例如为彩膜基板。黑矩阵BM可以位于对向基板20中，例如位于对向基板20的衬底基板21面向阵列基板30的一侧，参见图3A、4A、5；或者，黑矩阵BM也可以位于阵列基板30中。
例如，本公开的至少一个实施例提供的像素结构可以采用FFS(Fringe FieldSwitching)模式，在这种情况下，像素结构的阵列基板30包括在不同层中设置的像素电极和公共电极。
例如，触控电极32在触摸工作时与触控检测芯片电连接由此被施加触控驱动信号，触控检测芯片可根据从触控电极32采集的信号来判断触摸位置。例如，在显示面板分时进行显示操作以及触控操作的示例中，在显示操作时间内，触控电极32可以被悬空，或者可以被施加公共电压(例如接地或一个低电压)。
例如，如图3A、4A和5所示，像素结构的阵列基板30包括位于衬底基板31上的第一透明电极340、第二透明电极350以及二者之间的钝化绝缘层PVX；在垂直于衬底基板31的方向上，第一透明电极340位于衬底基板31和第二透明电极350之间，第一透明电极340和第二透明电极350之一为像素电极(参见图3A、5中的第一透明电极340和图4A中的第二透明电极350)且第一透明电极340和第二透明电极350中的另一个为公共电极(参见图3A、5中的第二透明电极350和图4A中的第一透明电极340)，即像素电极和公共电极中更靠近衬底基板31的被称为第一透明电极；像素电极与信号线330在衬底基板31上的正投影不交叠，公共电极与信号线330在衬底基板31上的正投影可以交叠或不交叠。由于第二透明电极350位于上层，在施加了电信号之后，第二透明电极350具有狭缝结构以与第一透明电极340之间形成FFS电场，例如，如图3A、4A和5所示，第二透明电极350包括分别被开口隔开的多个子电极。
在像素结构采用FFS模式的情况下，触控电极32的至少一部分可以与第一透明电极340同层设置且形成材料相同(即通过同一薄膜形成)，这使得像素结构具有更大的开口率和透过率并且可以减少制作工艺；或者，触控电极32可以与第一透明电极340和第二透明电极350中的每个都不同层设置，在这种情况下，例如，触控电极32采用金属制作，以获取较小的电阻。
例如，如图3A所示，在垂直于衬底基板31的方向上，触控电极32位于衬底基板31与第一透明电极340(例如像素电极90)之间。通过将触控电极32设置在第一透明电极340的下方，便于利用阵列基板30包括的位于第一透明电极340下方的金属层来制作触控电极32。在触控电极32的形成材料为金属的情况下，触控电极32可以制备得相对比较细小，或者起到黑矩阵的作用，不会影响显示效果；并且，由于黑矩阵BM不需要遮挡触控电极32，与图1A所示的像素结构相比，黑矩阵BM的宽度可以制作得更窄，因此，图3A所示的像素结构的开口率总体上并未减小。
例如，可以利用信号线330所在的金属层制作触控电极32，即，如图3A所示，触控电极32与信号线330同层设置且形成材料相同。
例如，在图3A所示的实施例中，信号线330为数据线，在这种情况下，例如，衬底基板31上设置有覆盖栅线(图中未示出)的栅绝缘层GI，信号线330和触控电极32位于同一层(数据金属层)中且都位于栅绝缘层GI上，衬底基板31上还设置有覆盖信号线30和触控电极32的绝缘层，例如树脂层RS，第一透明电极340、钝化绝缘层PVX和第二透明电极350依次设置于树脂层RS上。在其它示例中，信号线330可以为栅线，那么触控电极32和信号线330都位于栅金属层中。
例如，如图3B所示，第一透明电极340包括电连接的第一子电极341和第二子电极342，例如二者通过桥接线344(如图3B所示)电连接或直接电连接或通过同一开关元件37电连接，第一子电极341和第二子电极342之间设置有沿第一方向延伸的条状开口343；沿第二方向，触控电极32位于第一子电极341和第二子电极342之间，即触控电极32在衬底基板31上的正投影位于第一子电极341和第二子电极342在衬底基板31上的正投影之间。
由于触控电极32位于第一透明电极340的下方，通过设置条形开口343，可以减小触控电极32与第一透明电极340之间的交叠面积，以减小功耗，且避免二者的干扰；另一方面，由于触摸位置位于触控电极32的上侧(远离衬底基板31的一侧)，通过设置条形开口343，也可以避免触控信号被第一透明电极340屏蔽。
例如，在图3A中的第一透明电极340为像素电极90的情况下，第一透明电极340包括的第一子电极341、第二子电极342和条状开口343分别为上述像素电极90的第一部分91、第二部分92和开口93。
例如，如图4A所示，触控电极32的一部分可以与第一透明电极340(例如公共电极)同层设置且形成材料相同。由于触控电极32的该部分是透明的，因此可以提高像素结构的透过率和开口率。
例如，在图4A所示的实施例中，信号线330为数据线，在这种情况下，例如，衬底基板31上设置有覆盖栅线(图中未示出)的栅绝缘层GI，信号线330位于栅绝缘层GI上，衬底基板31上还设置有覆盖信号线30的绝缘层，例如树脂层RS，触控电极32和第一透明电极340位于树脂层RS上，钝化绝缘层PVX覆盖触控电极32和第一透明电极340，第二透明电极350位于钝化绝缘层PVX上。在其它示例中，信号线330可以为栅线，触控电极32和信号线330都位于栅金属层中。
例如，如图4B所示，触控电极32包括沿第一方向依次排列且依次连接的第一连接部321、透明部323(例如在第一方向上位于信号线360之间)和第二连接部322，透明部323与第一透明电极340同层设置且形成材料相同，并且第一连接部321和第二连接部322都与透明部323不同层设置。例如，第一连接部321和第二连接部322的形成材料都包括金属，例如第一连接部321和第二连接部322与信号线330同层设置且形成材料相同。
需要说明的是，图4B中只示出了作为公共电极的第一透明电极340(例如，其覆盖开关元件37的一部分)，未示出与开关元件37电连接的作为像素电极的第二透明电极350。
在本公开实施例中，触控电极32具有与第一透明电极340同层设置的透明部323，该透明部323与第一透明电极340通过对同一薄膜进行图案化处理形成，因此可以减少制作流程、降低成本；在第一透明电极340为公共电极的情况下，位于显示区的触控电极32也可以在显示操作过程中复用作为公共电极使用，并且与第二透明电极350之间形成FFS电场，从而提高像素结构的透过率以及显示品质，也就是说，触控电极32具有公共电极和触控电极的双重功能；第一连接部321和第二连接部322采用金属制作，有利于降低触控电极32的电阻、提高触控电极32的导电性。
例如，第一连接部321和第二连接部322都通过过孔与透明部323电连接。例如，第一连接部321和第二连接部322被黑矩阵BM遮挡。
例如，如图4A和图4B所示，第一透明电极340包括电连接的第一子电极341和第二子电极342，例如二者通过桥接线(如图4B所示)电连接或者二者通过公共电极线电连接，第一子电极341和第二子电极342之间设置有沿第一方向延伸的条状开口343；沿第二方向，触控电极32位于第一子电极341和第二子电极342之间。在本公开实施例中，条形开口343用于容纳触控电极32，以使触控电极32和第一、二子电极341、342同层设置。
例如，如图5所示，整个触控电极32与第一透明电极340(例如像素电极90)同层设置且形成材料相同。由于整个触控电极32是透明的，因此可以提高像素结构的透过率和开口率。
在本公开实施例中，整个触控电极32与第一透明电极340同层设置，因此二者可以通过对同一薄膜进行图案化处理形成，以减少制作流程、降低成本；在第一透明电极340为像素电极的情况下，触控电极32也可以在显示操作过程中复用作为公共电极使用，并且与第一透明电极340之间形成IPS电场，从而提高像素结构的透过率，也就是说，触控电极32具有公共电极和触控电极的双重功能。
例如，在图5所示的实施例中，信号线330为数据线，在这种情况下，例如，衬底基板31上设置有覆盖栅线(图中未示出)的栅绝缘层GI，信号线330、第一透明电极340和触控电极32位于栅绝缘层GI上，衬底基板31上还设置有覆盖信号线330、第一透明电极340和触控电极32的钝化绝缘层PVX，第二透明电极350位于钝化绝缘层PVX上。在其它示例中，信号线330可以为栅线，触控电极32和信号线330都位于栅金属层中。
例如，图5所示像素结构中的触控电极32、信号线330和第一透明电极340的平面示意图可以参照图3B。重复之处不再赘述。
例如，在图5中的第一透明电极340为像素电极90的情况下，第一透明电极340包括的第一子电极341、第二子电极342和条状开口343分别为上述像素电极90的第一部分91、第二部分92和开口93。
本公开的至少一个实施例还提供一种像素结构的制作方法，以图2所示的像素结构为例，该方法包括：在衬底基板31上形成沿第一方向延伸的触控电极32；在衬底基板31上形成像素电极90，使像素电极90与触控电极32绝缘并且包括相对的外边缘90A、90B，外边缘90A、90B大致沿第一方向延伸且沿第二方向(其与第一方向相交)依次排列，并且在第二方向上，触控电极32在衬底基板31上的正投影位于外边缘90A、90B在衬底基板31上的正投影之间。
例如，触控电极32可以利用像素结构中的金属层和/或透明导电层形成，从而无需额外增加单独制作触控电极32的掩膜板，以减少工艺、降低成本。
例如，参见图3A，整个触控电极32可以与像素结构包括的信号线330通过同一薄膜形成，在这种情况下，像素结构的制作方法例如包括如图6所示的步骤S61至步骤S63。
步骤S61：通过同一薄膜在衬底基板31上形成触控电极32和相邻的信号线330，使信号线330都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，触控电极32位于信号线330之间。
步骤S62：在衬底基板31上形成第一透明电极340，使在与衬底基板31垂直的方向上，信号线330和触控电极32位于衬底基板31和第一透明电极340之间。
步骤S63：在衬底基板31上形成第二透明电极350，其中，在垂直于衬底基板31的方向上，第一透明电极340位于衬底基板31和第二透明电极350之间。
在以上步骤中，第一透明电极340和第二透明电极350之一为像素电极；沿第二方向，像素电极位于信号线330之间。
例如，参见图4A和图4B，触控电极32可以包括与信号线330通过同一薄膜形成的部分且包括与第一透明电极340通过同一薄膜形成的部分，从而在这种情况下，像素结构的制作方法例如包括如图7所示的步骤S71至步骤S73。
步骤S71：通过同一薄膜，在衬底基板31上形成触控电极32的第一连接部321和第二连接部322、相邻的信号线330，使信号线330都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，第一连接部321和第二连接部322位于信号线330之间。
步骤S72：通过同一薄膜，在衬底基板31上形成第一透明电极340和触控电极32的透明部323，使透明部323与第一连接部321和第二连接部322电连接。
步骤S73：在衬底基板31上形成第二透明电极350，其中，在垂直于衬底基板31的方向上，第一透明电极340位于衬底基板31和第二透明电极350之间。
在以上步骤中，第一透明电极340和第二透明电极350之一为像素电极；并且，沿第二方向，像素电极位于信号线330之间。
例如，参见图5，整个触控电极32可以与像素结构包括的第一透明电极340通过同一薄膜形成，在这种情况下，像素结构的制作方法例如包括如图8所示的步骤S81至步骤S62。
步骤S81：通过同一薄膜，在衬底基板31上形成第一透明电极340和触控电极32。
步骤S82：在衬底基板31上形成第二透明电极350，其中，在垂直于衬底基板31的方向上，第一透明电极340位于衬底基板31和第二透明电极350之间，其中，第一透明电极340和第二透明电极350之一为像素电极90。
本公开的至少一个实施例还提供一种阵列基板，如图9A所示，该阵列基板包括衬底基板31和位于衬底基板31上的触控电极32和像素电极90。触控电极32沿第一方向延伸。像素电极90与触控电极32绝缘并且包括相对的外边缘90A、90B，外边缘90A、90B都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列；在第二方向(外边缘90A、90B的排列方向)上，触控电极32在衬底基板31上的正投影位于外边缘90A、90B在衬底基板31上的正投影之间。
例如，如图9A所示，该阵列基板包括相邻的所述像素结构(图9A中示出了两个像素结构)，该相邻的像素结构之间设置有一条信号线330，并且该信号线330与每个像素结构的像素电极90之间未设置触控电极32。
例如，该阵列基板可以采用FFS模式，即阵列基板包括第一透明电极340(如图9A所示)和第二透明电极350(如图9B所示)，其中的一个为像素电极且另一个为公共电极，图9A以第一透明电极340为像素电极为例，图9B以第二透明电极350为公共电极为例。
本公开实施例的阵列基板中各部件的设置可参考像素结构的实施例中的相关描述，重复之处不再赘述。
本公开的至少一个实施例还提供一种触控显示装置，其包括以上所述的阵列基板。
例如，该触控显示装置为内嵌式(In cell)触控显示装置，也就是说，触控电极位于触控显示装置包括的显示面板的内部，例如，显示面板包括如图3A、4A和5所示的阵列基板30和对向基板20，触控电极32位于阵列基板30的衬底基板31和对向基板20的衬底基板21之间。
本公开实施例提供的触控显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有触控和显示功能的产品或部件。
上述像素结构及其制作方法、阵列基板和触控显示装置的实施例可以互相参照。
综上所述，本公开的实施例通过优化像素结构及触控电极结构，可以避免或减小像素电极与其两侧的信号线之间的耦合电容之间的差异，从而避免画面显示问题，确保良率；另一方面，本公开的一些实施例可以提升开口率，实现透过率提升。
有以下几点需要说明：(1)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度并非按照实际比例绘制，而是被一定程度放大；(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (15)

1.一种像素结构，包括：
衬底基板；
触控电极，其位于所述衬底基板上且沿第一方向延伸；以及
像素电极，其位于所述衬底基板上、与所述触控电极绝缘并且包括相对的外边缘，其中，所述外边缘沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交；
其中，在所述第二方向上，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极的外边缘在所述衬底基板上的正投影之间。
2.根据权利要求1所述的像素结构，还包括与所述像素电极相邻设置的信号线，其中，
所述信号线都沿所述第一方向延伸；
沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其中，所述信号线都为数据线或栅线。
4.根据权利要求1所述的像素结构，还包括黑矩阵，其中，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影之外。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的像素结构，还包括位于所述衬底基板上的公共电极，其中，所述公共电极与所述像素电极位于不同的层中。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其中，
所述像素电极和所述公共电极中更靠近所述衬底基板的被称为第一透明电极，所述第一透明电极包括电连接的第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极之间设置有沿所述第一方向延伸的条状开口；
沿所述第二方向，所述触控电极位于所述第一子电极和所述第二子电极之间。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其中，
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述触控电极位于所述衬底基板与所述第一透明电极之间。
8.根据权利要求6所述的像素结构，其中，所述触控电极的至少部分与所述第一透明电极同层设置且形成材料相同。
9.根据权利要求8所述的像素结构，其中，所述触控电极包括沿所述第一方向依次排列且依次连接的第一连接部、透明部和第二连接部，
所述透明部与所述第一透明电极同层设置且形成材料相同，并且
所述第一连接部和所述第二连接部都与所述透明部不同层设置。
10.一种像素结构的制作方法，包括：
在衬底基板上形成沿第一方向延伸的触控电极；以及
在所述衬底基板上形成像素电极，其中，所述像素电极与所述触控电极绝缘并且包括相对的外边缘，所述外边缘沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交；
其中，在所述第二方向上，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极的外边缘在所述衬底基板上的正投影之间。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，
通过同一薄膜在所述衬底基板上形成所述触控电极和相邻的信号线，其中，所述信号线都沿所述第一方向延伸；
在所述衬底基板上形成第一透明电极，其中，在与所述衬底基板垂直的方向上，所述信号线和所述触控电极都位于所述衬底基板和所述第一透明电极之间；以及
在所述衬底基板上形成第二透明电极，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一透明电极位于所述衬底基板和所述第二透明电极之间，
其中，所述第一透明电极和所述第二透明电极之一为所述像素电极；沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，
通过同一薄膜，在所述衬底基板上形成所述触控电极的第一连接部和第二连接部、以及相邻的信号线，其中，所述信号线都沿所述第一方向延伸；
通过同一薄膜，在所述衬底基板上形成第一透明电极和所述触控电极的透明部，其中，所述透明部与所述第一连接部和第二连接部电连接；以及
在所述衬底基板上形成第二透明电极，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一透明电极位于所述衬底基板和所述第二透明电极之间，
其中，所述第一透明电极和所述第二透明电极之一为所述像素电极；沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，
通过同一薄膜，在所述衬底基板上形成第一透明电极和所述触控电极；以及
在所述衬底基板上形成第二透明电极，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一透明电极位于所述衬底基板和所述第二透明电极之间，
其中，所述第一透明电极和所述第二透明电极之一为所述像素电极；沿所述第二方向，所述像素电极位于所述信号线之间。
14.一种阵列基板，包括衬底基板；
触控电极，其位于所述衬底基板上且沿第一方向延伸；以及
像素电极，其位于所述衬底基板上、与所述触控电极绝缘并且包括相对的外边缘，其中，所述外边缘沿第二方向依次排列，所述第二方向与所述第一方向相交；
其中，在所述第二方向上，所述触控电极在所述衬底基板上的正投影位于所述像素电极的外边缘在所述衬底基板上的正投影之间。
15.一种触控显示装置，包括根据权利要求1-9中任一所述的像素结构或根据权利要求14所述的阵列基板。
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