CN113867564B - 触控显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种触控显示面板，其包括第一基板、液晶和第二基板，第一基板位于触控显示面板的出光侧；第二基板位于触控显示面板的入光侧；第一基板包括第一衬底、触控结构层、薄膜晶体管层和像素电极层，触控结构层和薄膜晶体管层均设置在第一衬底靠近液晶的一面，像素电极层设置在薄膜晶体管层上；触控结构层包括触控电极，触控电极复用为公共电极。本申请实施例将具有薄膜晶体管层的第一基板设置在出光侧，且将触控结构层制备于第一基板中，降低了第二基板的公共电极对触控电极的干扰，进而提高了触控效果。

Description

触控显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种触控显示面板。

背景技术

目前的触控传感器，小尺寸显示器件，如手机等都采用触控的功能，触控技术发展从On-glass到On-cell，直到现在的In-cell模式，而将触控的功能集成在大屏显示之中的发展趋向于缓慢，目前普遍采用的On-glass的方式，而In-cell具有低的模组厚度及高信噪比，但是这种触控方式主要集中在IPS/FFS的液晶显示模式之中。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，液晶显示面板的VA显示模式，因其在彩膜侧具有整面的公共电极，对触控，特别是电容式的触控具有屏蔽的效应，进而降低了触控效果。

发明内容

本申请实施例提供一种触控显示面板，可以提高液晶显示面板的触控效果。

本申请实施例提供一种触控显示面板，其包括：

第一基板，所述第一基板位于所述触控显示面板的出光侧；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述第二基板位于所述触控显示面板的入光侧；以及

液晶，所述液晶设置在所述第一基板和所述第二基板之间；

其中，所述第一基板包括第一衬底、触控结构层、薄膜晶体管层和像素电极层，所述触控结构层和所述薄膜晶体管层均设置在所述第一衬底靠近所述液晶的一面，所述像素电极层设置在所述薄膜晶体管层和所述触控结构层靠近所述液晶的一面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述触控结构层包括触控电极和触控走线，所述触控走线与所述触控电极异层设置，所述触控走线连接于所述触控电极，所述触控电极复用为公共电极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述触控结构层制备于所述薄膜晶体管层中。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管层设置在所述触控结构层远离所述第一衬底的一面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一金属层上，所述有源层设置在所述第一绝缘层上，所述第二金属层设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖所述有源层和所述第二金属层，所述像素电极层设置在所述第二绝缘层上；

所述第一金属层包括栅极和所述触控电极，所述第二金属层包括源极、漏极和触控走线，所述源极和所述漏极连接于所述有源层，所述触控走线设置在所述第一绝缘层上，且与所述有源层间隔设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素电极层包括像素电极，所述触控电极与所述像素电极部分重叠设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述触控电极的部分于所述第一衬底所在平面的正投影与所述像素电极的部分于所述第一衬底所在平面的正投影互补。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述触控电极包括第一框体、第一主干电极和第一分支电极，所述第一主干电极连接在所述第一框体内，所述第一分支电极的一端连接于所述第一主干电极，所述第一分支电极的另一端连接于所述第一框体，多个所述第一分支电极间隔排布设置；

所述像素电极包括第二框体、第二主干电极和第二分支电极，所述第二主干电极连接在所述第二框体内，所述第二分支电极的一端连接于所述第二主干电极，所述第二分支电极的另一端连接于所述第二框体，多个所述第二分支电极间隔排布设置；

其中，所述第一框体与所述第二框体重叠设置，所述第一主干电极和所述第二主干电极重叠设置，所述第一分支电极于所述第一衬底所在平面的正投影与所述第二分支电极于所述第一衬底所在平面的正投影交替设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述触控结构层还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述触控电极、所述第一绝缘层和所述触控走线、所述第二绝缘层依次层叠设置在所述第一衬底上；

所述薄膜晶体管层包括第一金属层、第三绝缘层、有源层、第二金属层和第四绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第一金属层上，所述有源层设置在所述第三绝缘层上，所述第二金属层设置在所述第三绝缘层上，所述第四绝缘层覆盖所述有源层和所述第二金属层，所述像素电极层设置在所述第四绝缘层上；

所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极连接于所述有源层；所述像素电极连接于所述漏极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素电极与所述触控电极的材料相同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二基板包括第二衬底和设置在所述第二衬底靠近所述液晶一侧的公共电极层；

所述触控显示面板还包括彩膜层，所述彩膜层制备于所述第一基板或所述第二基板中。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述触控显示面板还包括显示触控芯片，所述显示触控芯片连接于所述触控走线。

本申请实施例的触控显示面板，其包括第一基板、液晶和第二基板，第一基板位于触控显示面板的出光侧；第二基板位于触控显示面板的入光侧；第一基板包括第一衬底、触控结构层、薄膜晶体管层和像素电极层，触控结构层和薄膜晶体管层均设置在第一衬底靠近液晶的一面，像素电极层设置在薄膜晶体管层上；触控结构层包括触控电极，触控电极复用为公共电极。

本申请实施例的触控显示面板，将具有薄膜晶体管层的第一基板设置在出光侧，且将触控结构层制备于第一基板中；也即在将制备有触控结构的阵列基板设置在出光侧，将制备有公共电极的对向基板设置在入光侧，降低了第二基板的公共电极对触控电极的干扰，进而提高了触控效果；而将触控电极复用为公共电极起到简化结构的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请第一实施例提供的触控显示面板的结构示意图；

图2是本申请第一实施例提供的触控显示面板的平面结构示意图；

图3是本申请第一实施例提供的触控显示面板的像素电极的结构示意图；

图4是本申请第一实施例提供的触控显示面板的触控电极的结构示意图；

图5是本申请第一实施例提供的触控显示面板的像素电极和触控电极的正投影的结构示意图；

图6是本申请第一实施例提供的触控显示面板的第一基板的制备流程示意图；

图7是本申请第二实施例提供的触控显示面板的结构示意图；

图8是本申请第二实施例提供的触控显示面板的第一基板的制备流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种触控显示面板，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

需要说明的是，本申请实施例的薄膜晶体管层113/213可以包括顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管和双栅型薄膜晶体管中的一种，本申请实施例以底栅型薄膜晶体管为例进行说明，但不限于此。

另外，本申请实施例中的薄膜晶体管可以是P型薄膜晶体管，也可以是N型薄膜晶体管。本申请实施例以P型薄膜晶体管为例进行说明，但不限于此。

请参照图1，本申请第一实施例提供一种触控显示面板100，其包括第一基板11、第二基板12和液晶13。

第一基板11位于触控显示面板100的出光侧。第二基板12与第一基板11相对设置。第二基板12位于触控显示面板100的入光侧。液晶13设置在第一基板11和第二基板12之间。

其中，第一基板11包括第一衬底111、触控结构层112、薄膜晶体管层113和像素电极层114。触控结构层112和薄膜晶体管层113均设置在第一衬底111靠近液晶13的一面。像素电极层114设置在薄膜晶体管层113和触控结构层112靠近液晶13的一面。

本第一实施例的触控显示面板100，将具有薄膜晶体管层113的第一基板11设置在出光侧，且将触控结构层112制备于第一基板11中；也就是说，将触控结构层112集成在阵列基板侧，并将阵列基板作为出光侧，降低了第二基板12的公共电极层122对触控电极Ts的干扰，进而提高了触控效果。

可选的，第二基板12包括第二衬底121和设置在第二衬底121靠近液晶13一侧的公共电极层122。

触控显示面板100还包括彩膜层Cf，彩膜层Cf制备于第一基板11或第二基板12中。

彩膜层Cf制备于第一基板11时，彩膜层Cf设置在薄膜晶体管层113和像素电极层114之间；也即，触控显示面板100为COA型的液晶触控显示面板。彩膜层Cf制备于第二基板12时，彩膜层Cf设置在第二衬底121和公共电极层122之间；也即，触控显示面板100为非COA型的液晶触控显示面板。

其中本申请实施例的触控显示面板100以非COA型的液晶触控显示面板为例进行说明，但不限于此。

可选的，第一衬底111和第二衬底121的材料可以是玻璃、蓝宝石和硅中的一种。

可选的，触控结构层112包括触控电极Ts和触控走线Tl。触控走线Tl与触控电极Ts异层设置。触控走线Tl连接于触控电极Ts。触控电极Ts复用为公共电极。

将触控电极Ts复用为公共电极节省了制程步骤以及简化了触控显示面板100的内部结构。

其中，在一帧时间内，一帧时间包括显示时间和触控时间，当触控显示面板100处于显示阶段时，触控电极Ts作为公共电极；当触控显示面板100处于触控阶段时，触控电极Ts进行触控操作。

可选的，请参照图2，触控显示面板100还包括显示触控芯片14。显示触控芯片14连接于触控走线Tl。

可选的，触控电极Ts呈阵列式排布。每一触控走线Tl连接一个触控电极Ts；每一触控走线Tl对应连接显示触控芯片14的一引脚。

可选的，显示触控芯片14可以是TDDI芯片。

可选的，触控电极Ts的长度介于2毫米至9毫米之间，比如2毫米、3毫米、4毫米、5毫米、6毫米、7毫米、8毫米或9毫米。触控电极Ts的宽度介于2毫米至9毫米之间，比如2毫米、3毫米、4毫米、5毫米、6毫米、7毫米、8毫米或9毫米。

可选的，薄膜晶体管层113设置在触控结构层112远离第一衬底111的一面。

本实施例的触控显示面板100件触控结构层112独立制备，便于实现大尺寸面板的触控。另外，触控结构层112设置得更为靠近第一衬底111，以提高触控效果。

可选的，触控结构层112还包括第一绝缘层Tj1和第二绝缘层Tj2。触控电极Ts、第一绝缘层Tj1、触控走线Tl和第二绝缘层Tj2依次层叠设置在第一衬底111上。

薄膜晶体管层113包括第一金属层11a、第三绝缘层11b、有源层11c、第二金属层11d和第四绝缘层11f。第三绝缘层11b设置在第一金属层11a上。有源层11c设置在第三绝缘层11b上。第二金属层11d设置在第三绝缘层11b上。第四绝缘层11f覆盖有源层11c和第二金属层11d。像素电极层114设置在第四绝缘层11f上。

第一金属层11a包括栅极Ga。第二金属层11d包括源极So和漏极Tr。源极So和漏极Tr连接于有源层11c。像素电极层114包括像素电极Px。像素电极Px连接于漏极Tr。

可选的，有源层11c的材料包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的一种。

可选的，像素电极层114包括像素电极Px。触控电极Ts与像素电极Px部分重叠设置；以减少寄生电容。

可选的，触控电极Ts的部分于第一衬底111所在平面的正投影与像素电极Px的部分于第一衬底111所在平面的正投影互补。

其中触控电极Ts和像素电极Px部分的正投影互补，一方面降低了触控电极Ts和像素电极Px重叠的面积，进而降低了寄生电容；另一方面，可保障触控电极Ts的触控面积，进而保证触控电极Ts的触控精准度。

可选的，像素电极Px与触控电极Ts的材料相同。比如可以是氧化铟锡、氧化锌锡或氧化铟镓锌等。

可选的，像素电极Px与触控电极Ts的材料也可以不相同。比如触控电极Ts的材料是金属，像素电极Px的材料是氧化铟锡等金属氧化物。

可选的，请参照图3和图4，触控电极Ts包括第一框体Ts1、第一主干电极Ts2和第一分支电极Ts3。第一主干电极Ts2连接在第一框体Ts1内。第一分支电极Ts3的一端连接于第一主干电极Ts2，第一分支电极Ts3的另一端连接于第一框体Ts1。多个第一分支电极Ts3间隔排布设置。

可选的，触控电极Ts还包括第三主干电极Ts4，第三主干电极Ts4与第一主干电极Ts2交叉连接设置。第一主干电极Ts2和第三主干电极Ts4将触控电极Ts划分为第一触控区s1、第二触控区s2、第三触控区s3和第四触控区s4，位于第一触控区s1的第一分支电极Ts3、位于第二触控区s2的第一分支电极Ts3、位于第三触控区s3的第一分支电极Ts3和位于第四触控区s4的第一分支电极Ts3的延伸方向不同。

像素电极Px包括第二框体Px1、第二主干电极Px2和第二分支电极Px3。第二主干电极Px2连接在第二框体Px1内。第二分支电极Px3的一端连接于第二主干电极Px2。第二分支电极Px3的另一端连接于第二框体Px1。多个第二分支电极Px3间隔排布设置。

可选的，像素电极Px还包括第四主干电极Px4，第四主干电极Px4与第二主干电极Px2交叉连接设置。第二主干电极Px2和第四主干电极Px4将像素电极Px划分为第一像素区x1、第二像素区x2、第三像素区x3和第四像素区x4，位于第一像素区x1的第二分支电极Px3、位于第二像素区x2的第二分支电极Px3、位于第三像素区x3的第二分支电极Px3和位于第四像素区x4的第二分支电极Px3的延伸方向不同。

其中，可参照图5，第一框体Ts1与第二框体Px重叠设置。第一主干电极Ts2和第二主干电极Px重叠设置。

第一分支电极Ts3于第一衬底111所在平面的正投影与第二分支电极Px3于所述第一衬底111所在平面的正投影交替设置。也就是说，第一分支电极Ts3和第二分支电极Px3互补设置。

可选的，第一触控区s1对应第一像素区x1，第二触控区s2对应第二像素区x2，第三触控区s3对应第三像素区x3，第四触控区s4对应第四像素区x4。

在第一触控区s1和第一像素区x1的重叠区域中，第一分支电极Ts3和第二分支电极Px3交替且互补设置。同样的，在第二触控区s2和第二像素区x2的重叠区域中，第一分支电极Ts3和第二分支电极Px3交替且互补设置；在第三触控区s3和第三像素区x3的重叠区域中，第一分支电极Ts3和第二分支电极Px3交替且互补设置；在第四触控区s4和第四像素区x4的重叠区域中，第一分支电极Ts3和第二分支电极Px3交替且互补设置。

可选的，第二分支电极Px3的宽度大于第一分支电极Ts3的宽度。由于第二分电极Px3的宽度大于第一分支电极Ts3的宽度，使得第二分支电极Px3之间的狭缝宽度小于第一分支电极Ts3之间的狭缝的宽度，提高透光率。

在一些实施例中，触控电极Ts和像素电极Px也可以是两畴结构，或单畴结构等。

在一些实施例中，触控电极Ts也与薄膜晶体管层113中的薄膜晶体管重叠设置，以节省空间。

请参照图6，本第一实施例的触控显示面板100的第一基板11制备过程如下：

步骤B1，在第一衬底111上依次形成触控电极Ts、第一绝缘层Tj1、触控走线Tl和第二绝缘层Tj2，以形成触控结构层112。随后转入步骤B2。

可选的，触控电极Ts的材料可以是氧化铟锡、氧化铟锌等氧化物；还可以为各种导电特性的金属、合金以及化合物及其混合物，例如可以使用金、银或铂等。

可选的，第一绝缘层Tj1和第二绝缘层Tj2的材料可以包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。

可选的，触控走线Tl的材料可以是金属、金属合金或金属氧化物，比如可以是金、银、钨、铜、钼、铁、铝、铝-硅、铝-钛、氧化铟锡、氧化铟锌等。

步骤B2，在触控结构层112上依次形成第一金属层11a、第三绝缘层11b、有源层11c、第二金属层11d和第四绝缘层11f。随后转入步骤B3。

第一金属层11a包括栅极Ga。第二金属层11d包括源极So和漏极Tr。源极So和漏极Tr连接于有源层11c。

其中栅极Ga、源极So、漏极Tr和有源层11c用于形成薄膜晶体管。

步骤B3，在薄膜晶体管层113上形成像素电极层114。像素电极层114包括像素电极Px。像素电极Px连接于漏极Tr。

这样便完成了本申请第一实施例的触控显示面板100的第一基板11的制备过程。

请参照图7，本第二实施例的触控显示面板200，其包括第一基板21、液晶23和第二基板22。第一基板21位于触控显示面板200的出光侧。第二基板22位于触控显示面板200的入光侧。第一基板21包括第一衬底211、触控结构层212、薄膜晶体管层213和像素电极层214。触控结构层212和薄膜晶体管层213均设置在第一衬底211靠近液晶23的一面。像素电极层214设置在薄膜晶体管层213上。触控结构层212包括触控电极Ts，触控电极Ts复用为公共电极。

本第二实施例的触控显示面板200，将具有薄膜晶体管层213的第一基板21设置在出光侧，且将触控结构层212制备于第一基板21中，降低了第二基板22的公共电极222对触控电极Ts的干扰，进而提高了触控效果。

本第二实施例的触控显示面板200与第一实施例的触控显示面板100的不同之处在于：触控结构层212制备于薄膜晶体管层213中；以达到节省制程步骤的效果，且降低了触控显示面板200的厚度。

可选的，薄膜晶体管层213包括第一金属层21a、第一绝缘层21b、有源层21c、第二金属层21d和第二绝缘层21f。第一绝缘层21b设置在第一金属层21a上。有源层21c设置在第一绝缘层21b上。第二金属层21d设置在第一绝缘层21b上。第二绝缘层21f覆盖有源层21c和第二金属层21d。像素电极层214设置在第二绝缘层21f上。

第一金属层21a包括栅极Ga和触控电极Ts。第二金属层21d包括源极So、漏极Tr和触控走线Tl。源极So和漏极Tr连接于有源层21c。触控走线Tl设置在第一绝缘层21b上，且与有源层21c间隔设置。

请参照图8，本第二实施例的触控显示面板200的第一基板21制备过程如下：

步骤B10，在第一衬底211上依次形成第一金属层21a、第一绝缘层21b、有源层21c、第二金属层21d和第二绝缘层21f。随后转入步骤B20。

第一金属层21a包括栅极Ga和触控电极Ts。第二金属层21d包括源极So、漏极Tr和触控走线Tl。源极So和漏极Tr连接于有源层21c。

其中，栅极Ga和触控电极Ts采用同一光罩制备形成；源极So、漏极Tr和触控走线Tl采用同一光罩制备形成。

其中栅极Ga、源极So、漏极Tr和有源层21c用于形成薄膜晶体管。触控电极Ts和触控走线Tl用于形成触控结构层212。

可选的，第一绝缘层21b和第二绝缘层21f的材料可以包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。

可选的，第一金属层21a和第二金属层21d的材料可以是金属或金属合金，比如可以是金、银、钨、铜、钼、铁、铝、铝-硅和铝-钛等。

步骤B20，在薄膜晶体管层213上形成像素电极层214。像素电极层214包括像素电极Px。像素电极Px连接于漏极Tr。

这样便完成了本申请第二实施例的触控显示面板200的第一基板21的制备过程。

以上对本申请实施例所提供的一种触控显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板位于所述触控显示面板的出光侧；

第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述第二基板位于所述触控显示面板的入光侧；以及

液晶，所述液晶设置在所述第一基板和所述第二基板之间；

其中，所述第一基板包括第一衬底、触控结构层、薄膜晶体管层和像素电极层，所述触控结构层和所述薄膜晶体管层均设置在所述第一衬底靠近所述液晶的一面，所述像素电极层设置在所述薄膜晶体管层和所述触控结构层靠近所述液晶的一面；

所述触控结构层包括触控电极和触控走线，所述触控走线与所述触控电极异层设置，所述触控走线连接于所述触控电极；

所述像素电极层包括像素电极，所述触控电极与所述像素电极部分重叠设置，所述触控电极包括第一框体、第一主干电极和第一分支电极，所述第一主干电极连接在所述第一框体内，所述第一分支电极的一端连接于所述第一主干电极，所述第一分支电极的另一端连接于所述第一框体，多个所述第一分支电极间隔排布设置；

所述像素电极包括第二框体、第二主干电极和第二分支电极，所述第二主干电极连接在所述第二框体内，所述第二分支电极的一端连接于所述第二主干电极，所述第二分支电极的另一端连接于所述第二框体，多个所述第二分支电极间隔排布设置；

其中，所述第一框体与所述第二框体重叠设置，所述第一主干电极和所述第二主干电极重叠设置，所述第一分支电极于所述第一衬底所在平面的正投影与所述第二分支电极于所述第一衬底所在平面的正投影交替且互补设置。

2.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控电极复用为公共电极。

3.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控结构层制备于所述薄膜晶体管层中。

4.根据权利要求2所述的触控显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层设置在所述触控结构层远离所述第一衬底的一面。

5.根据权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一金属层上，所述有源层设置在所述第一绝缘层上，所述第二金属层设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖所述有源层和所述第二金属层，所述像素电极层设置在所述第二绝缘层上；

所述第一金属层包括栅极和所述触控电极，所述第二金属层包括源极、漏极和触控走线，所述源极和所述漏极连接于所述有源层，所述触控走线设置在所述第一绝缘层上，且与所述有源层间隔设置。

6.根据权利要求4所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控结构层还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述触控电极、所述第一绝缘层和所述触控走线、所述第二绝缘层依次层叠设置在所述第一衬底上；

所述薄膜晶体管层包括第一金属层、第三绝缘层、有源层、第二金属层和第四绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第一金属层上，所述有源层设置在所述第三绝缘层上，所述第二金属层设置在所述第三绝缘层上，所述第四绝缘层覆盖所述有源层和所述第二金属层，所述像素电极层设置在所述第四绝缘层上；

所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极连接于所述有源层；所述像素电极连接于所述漏极。

7.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述第二基板包括第二衬底和设置在所述第二衬底靠近所述液晶一侧的公共电极层；

所述触控显示面板还包括彩膜层，所述彩膜层制备于所述第一基板或所述第二基板中。

8.根据权利要求1所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括显示触控芯片，所述显示触控芯片连接于所述触控走线。