CN109725450B - 显示面板与其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板与其制造方法，其中显示面板的第一导电层位于基板上，且包括扫描线与触控感测线。第一绝缘层位于第一导电层上，具有第一开口以暴露出触控感测线以作为第一连接部。第二导电层位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于第一绝缘层与第二导电层上，具有第二开口以对应至第一开口。第一透明电极位于第二绝缘层之上，具有至少部分地重叠于第二开口的第三开口。第三绝缘层形成于第一透明电极上，并具有第四开口以暴露出第一透明电极以作为第二连接部，第四开口至少部分地重叠于第三开口。第二透明电极形成于第三绝缘层之上，通过第四开口、第三开口、第二开口与第一开口连接第一连接部与第二连接部。本发明的制造工艺更少。

Description

显示面板与其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种内嵌式(in-cell)触控显示面板与其制造方法。
背景技术
内嵌式(in-cell)触控显示装置是将提供触控功能的触控电极设置在像素结构当中，触控电极会通过导线连接至一个电路，此电路可以侦测触控电极上电容的变化以判断触控显示装置上对应的位置是否被触碰。一般来说，当在触控侦测期间，上述的触控电极是用来侦测触碰，而在显示期间触控电极则会被施加一个共同电压来作为共同电极。然而，如何制作显示面板使其中的像素结构具有上述的功能又同时能降低成本，为此领域技术人员所关心的议题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种显示面板与其制造方法，可用较少的工艺来制作出内嵌式触控显示面板。
本发明的实施例提出一种显示面板，具有显示区与非显示区。此显示面板包括以下元件。像素结构位于显示区。第一导电层位于基板上，且包括扫描线与触控感测线。第一绝缘层位于第一导电层上，第一绝缘层具有第一开口以暴露出至少部分的触控感测线以作为第一连接部。第二导电层位于第一绝缘层上，且包括数据线。第二绝缘层位于第一绝缘层与第二导电层上，第二绝缘层具有第二开口以对应至第一开口。第一透明电极位于第二绝缘层之上，第一透明电极具有第三开口，第三开口至少部分地重叠于第二开口。第三绝缘层形成于第一透明电极上，并具有第四开口，第四开口暴露出至少部分的第一透明电极以作为第二连接部。第四开口至少部分地重叠于第三开口。第二透明电极形成于第三绝缘层之上，第二透明电极通过第四开口、第三开口、第二开口与第一开口连接第一连接部与第二连接部。
在一些实施例中，第二连接部被第四开口所暴露出来的面积占第四开口的面积的比值是介于0.1～1。
在一些实施例中，第二透明电极与第一连接部接触的面积是第一接触面积，第二透明电极与第二连接部接触的面积为第二接触面积，第一接触面积与第二接触面积的比值是介于0.1～10。
在一些实施例中，栅极由第一导电层所形成。源极与漏极由第二导电层所形成。半导体层与栅极绝缘。像素电极形成于第三绝缘层之上，且像素电极具有狭缝图案，其中像素电极与第二透明电极是同一道工艺所形成。第二绝缘层还包括第五开口以暴露出部分的漏极，第一透明导电层包括和第五开口重叠的第六开口，第三绝缘层包括和第五开口重叠的第七开口。像素电极通过第五开口、第六开口与第七开口连接至漏极。
在一些实施例中，触控感测线是至少部分地重叠于漏极与像素电极。
在一些实施例中，触控感测线包含延伸垫，且延伸垫与第四开口在垂直基板的方向上有重叠。
在一些实施例中，延伸垫从触控感测线往扫描线的方向延伸出去。
在一些实施例中，第二透明电极的面积大于第四开口的面积，第二透明电极包括第一部分、第二部分与第三部分。第一部分通过第四开口连接至第一透明电极。第二部分重叠于第四开口与第三开口，并且连接至触控感测线，其中第二部分不连接至第一部分。第三部分不重叠于第四开口，第三部分形成在第三绝缘层之上并且连接至第一部分与第二部分。
在一些实施例中，扫描线与触控感测线沿着第一方向延伸，数据线沿着第二方向延伸，第一方向实质上垂直于第二方向。
在一些实施例中，显示面板还包括栅极垫、整合栅极驱动器、触控感测垫与源极垫。整合栅极驱动器设置于显示区的一侧，用以电性连接至扫描线，并电性连接至栅极垫。触控感测垫，沿着第二方向排列并设置于显示区的另一侧，用以电性连接至触控扫描线。源极垫于非显示区中沿着第二方向排列。其中触控感测垫是设置于源极垫之间。
在一些实施例中，多个栅极垫在非显示区沿着第一方向排列。多个触控感测垫在非显示区沿着第一方向排列。多个源极垫在非显示区沿着第一方向排列。源极垫设置于触控感测垫之间，且设置于栅极垫之间。
以另外一个角度来说，本发明的实施例提出显示面板的制造方法，包括：提供基板；在基板上形成图案化的第一导电层，其中图案化的第一导电层包括扫描线、触控感测线与栅极；在图案化的第一导电层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成图案化的半导体层；在第一绝缘层上形成图案化的第二导电层，其中图案化的第二导电层包括漏极、源极与数据线，并且数据线连接至源极；在第一绝缘层与图案化的第二导电层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成图案化的第一透明电极，图案化的第一透明电极包括第三开口，第三开口部分地重叠于触控感测线；在图案化的第一透明电极上形成第三绝缘层；实施蚀刻程序，借此在第三绝缘层中形成第四开口，在第二绝缘层中形成第二开口，并且在第一绝缘层中形成第一开口，其中第一开口暴露出部分的触控感测线以做为第一连接部，第四开口是至少部分地重叠于第三开口，第四开口暴露出部分的第一透明电极以做为第二连接部；以及在第三绝缘层上形成一图案化的第二透明电极，其中图案化的第二透明电极包括连接电极，用以电性连接第一连接部与第二连接部。
在一些实施例中，第二连接部被第四开口所暴露出来的面积占第四开口的面积的比值是介于0.1～1。
在一些实施例中，第二透明电极与第一连接部接触的面积是第一接触面积，第二透明电极与第二连接部接触的面积为第二接触面积，第一接触面积与第二接触面积的比值是介于0.1～10。
在一些实施例中，触控感测线是至少部分地重叠于漏极与像素电极。
在一些实施例中，触控感测线包含延伸垫，且延伸垫与第四开口于垂直基板的方向上有重叠。
在一些实施例中，延伸垫从触控感测线往扫描线的方向延伸出去。
在一些实施例中，连接电极的面积大于第四开口的面积，连接电极包括第一部分至第三部分。第一部分通过第四开口连接至图案化的第一透明电极。第二部分重叠于第四开口与第三开口，并且连接至触控感测线。第三部分不重叠于第四开口，第三部分形成在第三绝缘层之上并且连接至第一部分与第二部分。
本发明的实施例也提出另一个显示面板的制造方法，包括：提供基板；实施第一道图案化工艺，在基板上形成图案化的第一导电层，其中图案化的第一导电层包括扫描线、触控感测线与栅极；实施第二道图案化工艺，在图案化的第一导电层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成图案化的半导体层；实施第三道图案化工艺，在第一绝缘层中形成第一开口，其中第一开口暴露出部分的触控感测线以做为第一连接部；实施第四道图案化工艺，在第一绝缘层上形成图案化的第二导电层，其中图案化的第二导电层包括漏极、源极与数据线，并且数据线连接至源极，在非显示区中的图案化的第二导电层通过第一开口直接连接至图案化的第一导电层；在第一绝缘层与图案化的第二导电层上形成第二绝缘层；实施第五道图案化工艺，在第二绝缘层上形成图案化的第一透明电极，此图案化的第一透明电极包括第三开口，第三开口部分地重叠于触控感测线；在图案化的第一透明电极上形成第三绝缘层；实施第六道图案化工艺，在第三绝缘层中形成第四开口并且在第二绝缘层中形成第二开口，其中第四开口是至少部分地重叠于第三开口，第四开口暴露出部分的第一透明电极以做为第二连接部；以及实施第七道图案化工艺，在第三绝缘层上形成图案化的第二透明电极，其中图案化的第二透明电极包括一连接电极，用以电性连接第一连接部与第二连接部。
本发明的显示面板与其制造方法与现有技术相比，具有可以用较少的工艺来制作出内嵌式触控显示面板的有益效果。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据一实施例绘示内嵌式触控显示面板中数据线与触控感测线的连接示意图。
图2A、3A、4A、5A、6A、7A是根据一实施例绘示制作像素结构的中间步骤的俯视图。
图2B、3B、4B、5B、6B、7B是根据一实施例绘示制作像素结构的中间步骤的剖面图。
图6C是根据一实施例绘示图6A中蚀刻范围ET1附近的放大图。
图7C是图7A中蚀刻范围ET1附近的放大图。
图7D是根据一实施例绘示接触结构中导通路径的立体示意图。
图8A是根据一实施例绘示多个触控电极与像素结构的俯视示意图。
图8B是根据一实施例绘示触控电极交界处的放大示意图。
图9是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。
图10A至图10G是根据另一实施例绘示制作像素结构的中间步骤的剖面图。
图11A是根据一实施例绘示在横向模式中显示面板的俯视图。
图11B是根据一实施例绘示在纵向模式中显示面板的俯视图。
具体实施方式
关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特别指次序或顺位的意思，其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。
图1是根据一实施例绘示内嵌式触控显示面板中数据线与触控感测线的连接示意图。请参照图1，内嵌式触控显示面板100包括显示区101与非显示区102，非显示区102是位于显示区101的至少一侧边。在此先说明显示区101，显示区101中包括多个像素结构 P11～P14、P21～P24、P31～P34、P41～P44；多条沿着X方向(也称第一方向)延伸的扫描线 G1～G4；多条沿着Y方向(也称第二方向)延伸的数据线D1～D4；以及多条沿着X方向延伸的触控感测线S1～S4。其中，第二方向与触控感测线S1～S4的夹角可以是介于75度至105 度之间，图1中所示是夹角90度的实施方式。每个像素结构中都具有一个薄膜晶体管，每条数据线D1～D4会电性连接至对应薄膜晶体管的源极，并且每条扫描线G1～G4会电性连接至对应薄膜晶体管的栅极。举例来说，像素结构P11具有薄膜晶体管T1，薄膜晶体管 T1具有栅极T1G与源极T1S，扫描线G1是电性连接栅极T1G，而数据线D1是电性连接至源极T1S。
内嵌式触控显示面板100还包括触控电极C11、C12、C21、C22，每个触控电极是对应至多个像素结构，每个触控电极所对应的这些像素结构是整个显示区的像素结构的一部分，并且每个触控电极会通过接触孔ch电性连接至一条触控感测线。举例来说，触控电极C11是对应至像素结构P11～P14且通过接触孔ch1电性连接至触控感测线S1，亦即像素结构P11～P14各包含触控电极C11的一部分，换个说法也就是触控电极C11被多个像素结构 P11～P14所共用，作为显示期间的共同电极；触控电极C12是对应至像素结构P21～P24且通过接触孔ch2电性连接至触控感测线S2，亦即像素结构P21～P24各包含触控电极C12 的一部分；触控电极C21是对应至像素结构P31～P34且通过接触孔ch3电性连接至触控感测线S3，亦即像素结构P31～P34各包含触控电极C21的一部分；触控电极C22是对应至像素结构P44～P44且通过接触孔ch4电性连接至触控感测线S4，亦即像素结构P41～P44 各包含触控电极C22的一部分。依本发明概念，每个触控电极对应到的像素结构的数量并不予以限制，可以依照设计需求而定。举例来说，实务上一个解析度720(数据线)×3(RGB) ×1,280(扫描线)的内嵌式触控显示面板可被设计成包含18(X方向)×32(Y方向)＝576 个触控电极。这些触控电极对应至720×3＝2,160条数据线以及1,280条扫描线，也就是有2160×1280＝2,764,800像素结构。换句话说，一个触控电极对应40×3×40＝ 4,800个像素结构(子像素)。亦即每个触控电极在X方向对应40×3＝120行(column) 的像素结构，在Y方向对应40列(row)的像素结构。上述举例只是说明触控电极与像素结构的对应关系，实务上每个触控电极对应的像素结构数量可以依照设计需求再进行微调。此外，触控电极C11、C12、C21、C22的面积可以都一致相同，也可以是不同的尺寸大小，例如C11小于C12，C11大于C21…，同样可以依照设计需求而定。此时C11所对应的像素结构数量也会不等于C12或C21所对应的像素结构数量。
在非显示区102中有多个源极垫121～124、多个触控垫131～134与多个栅极垫151～154。源极垫121～124是分别电性连接至数据线D1～D4，而触控垫131～134是分别电性连接至触控感测线S1～S4，栅极垫151～154是分别电性连接至栅极线G1～G4。在此实施例中，栅极线G1～G4与触控感测线S1～S4是属于同一层金属层，因此在非显示区102中还设置有连接结构141～144，用以将触控感测线S1～S4转接至另一层金属层(例如与数据线同一层的金属层)，借此在非显示区102中栅极线G1～G4与触控感测线S1～S4可彼此交错。在其他实施例中，连接结构141～144也可以设置在栅极线G1～G4上，本发明并不在此限。源极垫121～124、触控垫131～134与栅极垫151～154都会电性连接至驱动电路110，驱动电路 110可设置在可挠式(flexible)电路板上，例如在卷带承载封装(Tape Carrier Package，TCP)或晶粒软模封装(Chip on Film，COF)上，或者驱动电路110也可以设置在薄膜晶体管基板上。
一个帧(frame)的期间可至少被分为一个或多个显示期间与一个或多个触控期间。在显示期间，触控电极C11、C12、C21、C22会耦接至共同电压来作为共同电极。以另外一个角度来说，每个像素结构中都具有一个共同电极与一个像素电极(电性连接至薄膜晶体管的漏极)，共同电极与像素电极之间的电压差是用以决定显示的亮度。在图1的实施例中，相邻的4个像素结构中的共同电极是彼此连接并属于同一个触控电极，例如，像素结构 P11～P14中的共同电极都属于触控电极C11，因此在显示期间像素结构P11～P14中所有共同电极上的电压都相同(等于共同电压)。扫描线G1～G4上的电压是用以依序导通对应的薄膜晶体管，而像素数据会通过数据线D1～D4传送至对应的像素电极。另一方面，在触控期间，触控电极C11、C12、C21、C22是用以侦测内嵌式触控显示面板100上的触控操作，触控电极C11、C12、C21、C22上的电压变化(电容值的改变所造成)会通过触控感测线S1～S4 传送至驱动电路110，借此产生触控感测信号。换言之，触控操作的空间解析度是由触控电极的数目来决定，显示的空间解析度则是由像素结构的数目来决定。更明确地说，本发明可以是采用电容式触控技术的内嵌式触控显示面板。
图1仅是一范例，本发明并不限于图1的架构。例如，在图1中每个触控电极是对应至四个像素结构，但在其他实施例中每个触控电极也可以对应至更多或更少个像素结构。此外，在一般情况下每个像素结构(即子像素)只会显示单一个颜色，而三个子像素才会构成一个像素，这三个子像素通常是沿着X方向排列，因此像素结构在X方向上的解析度会大于在Y方向上的解析度。本发明也不限制显示区101中有几个像素。
图2A～图7A是根据一实施例绘示制作像素结构的中间步骤的俯视图，图2B～图7B是根据一实施例绘示制作像素结构的中间步骤的剖面图。请参照图2A与图2B，在显示区101中的是像素结构，而在非显示区102中的是连接结构(例如是图1的连接结构141)。图2B 所绘示的是沿着图2A中切线AA’以及切线BB’的剖面图。Z轴方向是垂直于基板SUB 的方向，图2A即是从Z轴方向来看基板SUB所得到的示意图。显示面板的形成方法如下。首先，提供基板SUB，其中，此基板SUB可以包含玻璃基板、塑胶基板(例如材质是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)…等)或是薄膜基板(例如材质是聚酰亚胺(Polyimide)，3～35(μm)微米厚度)。接下来，以第一道图案化工艺在基板SUB上形成图案化的第一导电层(金属或是非金属皆可)，例如金属层M1(也称第一金属层)。此图案化工艺可以例如是一道光刻(photolithography)工艺。其中，金属层M1可以是单层的金属层或是多层的金属层堆叠而成，材料可包含铝、钼、铜、铌、钕、钛等金属或合金，并不予以限制。在显示区101中，金属层M1包括了扫描线210G、触控感测线210S与栅极211。在一些实施例中，触控感测线210S还具有延伸垫212，此延伸垫212可朝向扫描线210G的方向延伸，但在其他实施例中也可以朝向相反于扫描线 210G的方向延伸，或者触控感测线210S也可以不具有延伸垫212。在此实施例中，触控感测线210S的线宽是等于扫描线210G的线宽，但在一些实施例中触控感测线210S的线宽也可以大于扫描线210G的线宽，这是为了阻抗的匹配。在非显示区102中，金属层M1 包括导线213。
请参照图3A与图3B，接下来在基板SUB与金属层M1上形成绝缘层INS1(也称第一绝缘层)，并且在绝缘层INS1上形成图案化的半导体层220(第二道图案化工艺)。图3B中的半导体层220仅为示意用，在另一实施例中，半导体层220的上方还设置有欧姆接触层，并且两者是用同一道图案化工艺形成(未绘示)。半导体层220是做为薄膜晶体管的通道且至少部分地重叠于栅极211。其中，半导体层220可以是由非晶硅(a-Si)或是由氧化物半导体(oxide semiconductor)例如是氧化铟镓锌(IGZO)的金属氧化物材料所形成，其中IGZO材料符合化学式In2-xMxO3(Zn1-yO)F，M是硼(B),铝(Al),或镓(Ga)；0≦x≦2；0≦y≦1； F＝0～6。例如x＝1,M＝Ga,y＝0,F＝1时，IGZO材料就是InGaZnO4。此外，图3A中关于半导体层220的形状仅是一范例，在其他实施例中半导体层220可以具有任意的形状。
在本说明书中所有实施例里所提到的“重叠”，所指的是垂直于基板SUB的方向上的视角，也就是Z轴方向的视角。例如，若提到“第一元件至少部分地重叠第二元件”，所指的是在垂直于基板SUB的方向上(即沿着基板SUB的上表面的法向量，Z轴方向)第一元件至少部分地重叠第二元件。换言之，第一元件在基板SUB上的投影是至少部分地重叠于第二元件在基板SUB上的投影。若提到“第一元件重叠第二元件”，所指的是在垂直于基板SUB的方向上，第一元件可以部分地重叠第二元件，也可以全部地重叠第二元件。此外，本说明书中所提到“第一元件覆盖第二元件”，则表示第一元件在第二元件上方，且在垂直于基板SUB的方向上第一元件至少部分地重叠第二元件。在本发明中，第一元件与第二元件可以例如是透明电极、绝缘层、金属层、开口、触控感测线、数据线、扫描线…等。
请参照图4A与图4B，接下来在绝缘层INS1上以第三道图案化工艺形成图案化的第二导电层(金属或是非金属皆可)，例如金属层M2(也称第二金属层)。其中，金属层M2可以是单层的金属层或是多层的金属层堆叠而成，并不予以限制。在显示区101中，金属层 M2包括了漏极230D、源极230S、数据线231，其中数据线231连接至源极230S；在非显示区102中，金属层M2包括导线232。在一些实施例中，漏极230D会覆盖触控感测线 210S的一部分。
请参照图5A与图5B，接下来在绝缘层INS1与金属层M2上形成绝缘层INS2(也称第二绝缘层)，并且在绝缘层INS2上形成图案化的透明电极TE1(也称第一透明电极或是共同电极)(第四道图案化工艺)。透明电极TE1具有开口OP3(也称第三开口)与开口OP6(也称第六开口)。在垂直于基板SUB的方向上，开口OP6会至少部分地重叠于漏极230D、半导体层220与源极230S。在此实施例中，开口OP3是部分地重叠于延伸垫212，但在其他实施例中开口OP3也可以完全地重叠于延伸垫212。在一些实施例中，开口OP6的面积会大于开口OP3的面积。在其他实施例中，延伸垫212被取消，触控感测线210S与开口OP3 部分重叠(未绘示)。开口OP6的目的是可以降低透明电极TE1(共同电极或是像素电极) 与半导体层220之间的感应电流。当半导体层220的感应电流是在容许范围内，可以减少薄膜晶体管在关闭期间的漏电流，解决显示面板亮度不均匀以及串扰(cross-talk)等问题。
请参照图6A与图6B，接下来在透明电极TE1上形成绝缘层INS3(也称第三绝缘层)。在非显示区102中，对应于绝缘层INS3～INS3的材料在蚀刻范围ET3、ET4内实施蚀刻程序(第五道图案化工艺)，借此在绝缘层INS1～INS3中形成开口以暴露出导线213、232。
在显示区101内，对应于绝缘层INS1～INS3的材料在蚀刻范围ET1、ET2内实施蚀刻程序(第五道图案化工艺)，借此在绝缘层INS3中形成开口OP4(也称第四开口)与开口 OP7(也称第七开口)，并且在绝缘层INS2中形成开口OP2(也称第二开口)与开口OP5(也称第五开口)，并且在绝缘层INS1中形成开口OP1(也称第一开口)。在本实施例中，优选是采用干蚀刻(dry etching)程序，但湿蚀刻(wet etching)程序也可。具体来说，请参照图6B，开口OP7重叠于蚀刻范围ET2，开口OP5重叠于开口OP6与开口OP7，开口OP5暴露出部分的漏极230D。另外，由垂直于基板SUB的方向上(Z轴方向)俯视看，开口OP4是重叠于蚀刻范围ET1，开口OP4所围绕的区域是部分地重叠于开口OP3所围绕的区域，而在开口OP4中无重叠于开口OP3的区域会暴露出部分的透明电极TE1。在此，被开口 OP4暴露出来的透明电极TE1的部分是定义为一第二连接部720。此外，延伸垫212与开口OP4在垂直基板SUB的方向上有重叠，而被开口OP1暴露出来的金属层M1(延伸垫212/ 触控感测线210S)的部分是定义为一第一连接部710。在开口OP3中未与开口OP4重叠的区域中，绝缘层INS3是直接接触绝缘层INS2。而开口OP4与开口OP3彼此重叠的区域是至少部分地重叠于开口OP2所围绕的区域。以另一个角度来说，当在蚀刻范围ET1内蚀刻绝缘层INS1～INS3时，被开口OP4暴露出来的透明电极TE1(即第二连接部720)是做为一个遮蔽层。举例来说，绝缘层INS1～INS3的材质可以是氧化硅(SiOx)或是氮化硅(SiNy) 或是前述两种材质的堆叠层，透明电极TE1的材质可以例如是铟锡氧化物(ITO)。当采用干蚀刻程序时，透明电极TE1的第二连接部720功能类似遮罩，可以抵挡干蚀刻过程中的非等向性物理轰击，保护第二连接部720正下方的绝缘层INS2。但蚀刻程序仍会通过透明电极TE1的开口OP3来蚀刻绝缘层INS2以形成开口OP2。此时，被开口OP4所暴露出的第二连接部720在垂直基板SUB的方向上部分重叠于开口OP2。一般状况下，在形成开口 OP2与OP1的蚀刻程序中，在平行该基板的方向(X或Y方向)仍会横向侵蚀绝缘层INS2，使得透明电极TE1的下方有些许的底切(under cutting)现象。在理想状况下，底切现象也有可能不会发生。当采用湿蚀刻程序时，蚀刻液等向性地侵蚀绝缘层INS2会使得透明电极 TE1的下方有比较明显的底切现象，造成第二连接部720的上下表面可能都会暴露出来。在此实施例中，蚀刻范围ET1(即开口OP4所围绕的区域)与延伸垫212、开口OP3有重叠，借此形成开口OP2、OP1以暴露出部分的延伸垫212/触控感测线210S。此外，当底切现象存在时，第二连接部720的一部分会与开口OP2有部分重叠。
请参照图6C，图6C是根据一实施例绘示图6A中蚀刻范围ET1附近的放大图。从图6C中，在垂直基板SUB的方向上，可以看出开口OP4的轮廓与开口OP3的轮廓有至少两个交叉重叠之处(CX1、CX2)，且部分的开口OP4的轮廓位于开口OP3所围绕的区域内。请合并参照图6B与图6C，从俯视的角度来看(Z轴方向)，在蚀刻范围ET1附近的局部区域并依据开口OP3与开口OP4的范围包含不同的材料。首先，不位于开口OP4内的材料为绝缘层INS3；第二，同时位于开口OP1与开口OP4内的材料为延伸部212；第三，位于开口OP4内但不位于开口OP3内的材料为透明电极TE1；第四，位于开口OP4内形成斜坡的绝缘层INS1、INS2及INS3。在图6C中，所暴露出来的延伸部212被称为第一连接部710，而被开口OP4所暴露出来的透明电极TE1被称为第二连接部720。在图6C 中第一连接部710与第二连接部720上所绘示的虚线是用以表示上述“底切”若发生时的所在位置。在一些实施例中，第二连接部720被开口OP4所暴露出来的面积占开口OP4 的面积的比值是介于0.1～1。
请参照图7A与图7B，接着在绝缘层INS3(第三绝缘层)上形成图案化的透明电极TE2(第六道图案化工艺)，也称第二透明电极。在非显示区102中，透明电极TE2包括连接电极242，用以电性连接导线213与导线232。
在显示区101中，透明电极TE2包括连接电极242与像素电极PE。像素电极PE通过开口OP7、开口OP6、开口OP5电性连接至漏极230D。在一些实施例中，像素电极PE 也具有狭缝图案(slit pattern)，也就是说像素电极PE具有一个或是一个以上的狭缝243S，例如本实施例图中显示有两个狭缝243S。此时，透明电极TE1是可作为共同电极，像素电极PE与共同电极之间的电场是用以旋转液晶分子。此外，触控感测线210S是至少部分地重叠于漏极230D与像素电极PE。本实施例图中的狭缝243S是纵向延伸，但在另一实施例中(未绘示)，狭缝243S的延伸方向也可以是任意的方向，例如延伸方向与扫描线夹一0～90度的角度。
连接电极242通过开口OP1～OP4使第一连接部710与第二连接部720相互电性连接。具体来说，图7C是图7A中蚀刻范围ET1附近的放大图，此部分也被称为接触结构700。接触结构700包含下述元件的一部分或是全部：连接电极242、绝缘层INS3、透明电极TE1 的连接部710、绝缘层INS2、触控感测线210S/延伸部212(第二金属层的第一连接部720)。请参照图6C与图7C，连接电极242所围绕的范围是至少部分地重叠于开口OP4与开口 OP3，从垂直基板SUB的方向的俯视角度来看(Z轴方向)，连接电极242可包含三个部分。其中位于开口OP4中但不位于开口OP3的第一部分810是直接接触第二连接部720；连接电极242中同时位于开口OP4与开口OP3内的第二部分820是直接接触第一连接部 710；连接电极372不位于开口OP4的第三部分830是直接接触绝缘层INS3。另外，为了简化清楚叙述，位于开口OP4内形成斜坡的绝缘层INS1、INS2及INS3则在图7C中予以忽略。特别的是，图示中第一部分810与第二部分820之间的虚线是用以表示若上述底切现象有发生时的位置，据此第一部分810与第二部分820并不一定会彼此有效电性连接，但第一部分810与第二部分820都会连接至第三部分830，因此第一部分810可以通过第三部分830(沿着导通路径840)电性连接至第二部分820。亦即，当底切现象产生时，连接电极242可能会无法将第一透明电极TE1与触控感测线210S有效电性连接。在此，无法有效电性连接例如是连接电极242的第一部分810与第二部分820之间完全断线或是虽然第一部分810与第二部分820之间未断线但是局部区域(虚线位置)的电极厚度过薄导致阻抗过高。如此一来，就算连接电极242的第一部分810与第二部分820之间完全断线，属于第一金属层的延伸部212/触控感测线210S仍可以顺利电性连接至透明电极TE1(即触控电极)。
在一些实施例中，透明电极TE2与第一连接部710接触的面积是第一接触面积，透明电极TE2与第二连接部720接触的面积为第二接触面积，而第一接触面积与第二接触面积的比值是介于0.1～10。
图7D是根据一实施例绘示接触结构中导通路径的立体示意图。请参照图7C与图7D，图7D中由虚线所指出的区域730便具有上述底切的现象，亦即绝缘层INS2被过蚀刻形成底切，这使得透明电极TE2(连接电极242)无法在区域730内连接至延伸部212。然而，透明电极TE2(连接电极242)可以通过导通路径840电性连接至延伸部212。因此，请参照回图7C，在上述实施例中，开口OP4与开口OP3必须部分地彼此重叠，并且开口OP4 与开口OP3重叠的部分也必须部分地重叠于延伸部212。此外，连接电极242必须涵盖开口OP3的至少一部分与开口OP4的至少一部分。在一些实施例中，连接电极242的面积大于开口OP4的面积。在一些实施例中，连接电极242涵盖了开口OP4中1/2以上的面积，并至少接触了开口OP4中的第一连接部710、第二连接部720以及部分的绝缘层INS1～INS3。
由上述实施例可知，通过本发明概念的工艺方法，可以最少仅使用六道图案化工艺(图 2A～图7B)即可制作出包含触控电极的显示面板，例如是具内嵌式触控功能的边界电场切换广视角(Fringe Field Switching,FFS)技术的液晶显示面板，大大降低制造成本并提高良率。
在上述的实施例中，基板SUB的材料例如包括玻璃、聚合物(polymer)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚砜(polyether sulfone，PES)、三醋酸纤维素(triacetyl cellulose，TAC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(polyethylene)、环烯烃聚合物(COP)、聚亚酰胺(polyimide，PI)，以及聚碳酸酯(PC)与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成的复合材料等等，本发明并不在此限。透明电极TE1、TE2 的材料可包括氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zincoxide,IZO)、氧化锑 锡(antimony tin oxide,ATO)、氧化氟锡(fluorine tin oxide,FTO)或其他导电且透明的材料，例如纳米金属丝(纳米银丝、纳米铜丝)。
在本说明书中提到的金属层可为铝、铜、钛、钨等单一金属层或者是钼/铝/钼、钛/铝钛、钛/铜/钛、钛/铜…等复合金属层，本发明并不在此限。另一方面，在本说明书中提到的绝缘层可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他合适的绝缘层，并且在图示中的一层绝缘层可以包含两层以上材料不同且彼此堆叠的绝缘层。此外，在本案提到“暴露”时，所指的可以是部分暴露下方的元件，或者是依照需求完全暴露下方的元件，本发明并不在此限。
图8A是根据一实施例绘示多个触控电极与像素结构的俯视示意图。请参照图8A，在图8A的实施例中绘示了2个触控电极850、851，每个触控电极中都包含有6个像素结构中的透明电极TE1以及3个接触结构。为简化起见，在图8A中仅绘示了数据线871～876、触控感测线881、882、触控电极850、851、接触结构861～866与栅极线891、892，并省略薄膜晶体管、像素电极、触控电极的开口等。此外，接触结构861～866的详细内容请参照图7A～图7C，在图8A并没有绘示接触结构861～866中的每个元件。
在一些实施例中，为了减少视觉效果上的不均匀，在一列子像素都会设置一条触控感测线，也就是说栅极线的数目与触控感测线的数目是一样多。但本发明并不在此限，在其他实施例中，栅极线的数目是N倍于触控感测线的数目，N可以是任意的正数。这里的触控感测线指的是有实际接收触控感测信号的走线，没有接收触控感测信号的浮接(floating)或虚拟(dummy)走线不予以计入。
每个触控电极至少对应于一个接触结构。例如，触控电极850是通过接触结构861～863 电性连接至触控感测线881，而触控电极851是通过接触结构864～866电性连接至触控感测线882。触控感测线881在触控电极851的范围内并没有设置接触结构，而触控感测线882在触控电极850的范围内并没有设置接触结构。其他实施例中，每条触控电极也可以通过更多或更少个接触结构来电性连接至一个触控感测线。在图8A的实施例中，触控感测线881在触控电极851的范围内也设置有延伸垫，但在其他实施例中这些延伸垫也可以取消，只要触控感测线881的宽度是足够的。类似的，触控感测线882在触控电极850的范围内的延伸垫也可以取消。
触控电极850、851彼此之间保有间隔距离，因此触控电极850、851是相互电性绝缘，各自从对应的触控感测线881、882接收显示期间的共同电压(Vcom signal)信号以及触控期间的触控感测信号(touch sensing signal)。
显示面板中还具有黑色矩阵层BM，用以覆盖数据线、触控感测线、扫描线与薄膜晶体管等。为了清楚起见，图8A中仅绘示了黑色矩阵层BM在外围的位置，可理解的是这些黑色矩阵层会横向(X方向)或纵向(Y方向)的延伸。例如，黑色矩阵BM会纵向的延伸以覆盖数据线871～876，并横向的延伸以覆盖触控感测线881、882与扫描线891、892。
图8B是根据一实施例绘示触控电极交界处的放大示意图。请参照图8B，触控电极850～853彼此电性绝缘，其中触控电极852与触控电极853相隔距离w2，数据线873的宽度为w1，而纵向延伸的黑色矩阵BM的宽度为w3。特别的是，这三者之间的关系为 w3>w2>w1，并且触控电极852、853并不会覆盖数据线873，这是为了避免触控电极852、 853上的电压干扰了数据线873上的讯号。然而，在一些实施例中，触控电极852、853也可以部分地覆盖数据线873。
另一方面，横向延伸的黑色矩阵BM会覆盖扫描线892与触控感测线882。触控电极850、851会覆盖触控感测线882但不会覆盖扫描线892。在一些实施例中，触控电极852、 853的上边缘与扫描线892的上边缘相隔至少0.5微米，并且触控电极850、851的下边缘与触控感测线882(包含延伸垫8821)的下边缘相隔至少0.5微米。
图9是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。在图9的实施例中，触控感测线210S 是设置在像素结构的上方，也就是说像素电极PE是设置在触控感测线210S与扫描线210G 之间。因此，连接结构1010是设置在像素结构的左上角。在此实施例中，像素电极PE具有在纵向方向以及方向1021上延伸的狭缝243S，显示面板中的配向膜(alignment film)的方向为1022，而方向1021与方向1022之间的夹角是介于30至80度之间。由于像素电极 PE是从左下延伸至右上，因此在像素结构的左上角具有空间，将连接结构1010设置在像素结构的左上角较不会影响像素电极PE上的电压。
图10A至图10G是根据另一实施例绘示制作像素结构的中间步骤的剖面图。在上述图 2B至图7B的实施例中共使用6道图案化工艺，但在图10A至图10G的实施例中共使用7 道图案化工艺，由于差异之处从俯视图并看不出来，因此在此仅绘示剖面图。
首先，图10A与图2B相同，提供基板SUB，并实施第一道图案化工艺，形成图案化的第一金属层M1(第一导电层)。图10B与图3B相同，实施第二道图案化工艺，形成绝缘层INS1与半导体层220。
在图10C中，实施第三道图案化工艺以在绝缘层INS1中形成开口OP1与开口1001(第一开口)。开口OP1暴露出部分的延伸垫212，而开口1001暴露出导线213。
图10D与图4B类似，实施第四道图案化工艺，形成图案化的第二金属层M2(第二导电层)。但不同之处在于，在图10D中导线232是通过开口1001连接导线213，亦即非显示区102中的金属层M2(第二导电层)通过此开口1101直接连接至金属层M1(第一导电层)。
图10E与图5B类似，实施第五道图案化工艺，形成绝缘层INS2与图案化的透明导电层TE1。透明导电层TE1包含触控电极/共同电极。
图10F与图6B类似，形成绝缘层INS3以后，在蚀刻范围ET1与ET2内实施第六道图案化工艺。不同之处在于，由于开口OP1已经形成，因此图10F的光刻程序所需的时间可以缩短，避免形成直径太大的开口，甚至或可避免透明导电层TE1下方的绝缘层INS2 形成底切现象。
图10G与图7B类似，实施第七道图案化工艺，形成图案化的透明导电层TE2。透明导电层TE2包含连接电极242以及像素电极PE。
这样的设计可以实现非显示区102窄额缘(slim border)。可以有效降低成本并同时提高良率，一举两得，对产品的设计与推广有显著的贡献。
图11A是根据一实施例绘示在横向模式中显示面板的俯视图。请参照图11A，在此说明非显示区102的走线设置。一般来说依照面板的使用方向，可分为横向(landscape)与纵向(portrait)两种，图11A所绘示的是横向的方向，所适用的电子装置例如为笔记型电脑、电视屏幕、平板电脑等等。在图11A中显示区101在Y方向的长度是大于X方向的长度，但图11A仅是范例，在其他实施例中显示区101在Y方向的长度是小于X方向的长度。此外，在图11A的实施例中采用整合栅极驱动器(Integrated Gate Driver，IGD)的技术方案，因此在非显示区中设置有IGD电路1101。虽然在图11A中仅绘示一个IGD电路1101，但在其他实施例中也设置多个IGD电路。显示区101中的扫描线是属于同一个金属层(例如第一金属层)，然而在非显示区中部分的扫描线可通过上述的连接结构转接至其他的金属层，例如相邻的两条扫描线1111、1112在非显示区中可分别属于第一金属层与第二金属层。这些扫描线在非显示区中会连接至IGD电路1101，而IGD电路1101会再通过多条导线1131 电性连接至栅极垫分布区1102内的多个栅极垫(未绘示)。类似地，显示区101中的触控感测线是属于同一个金属层(例如第一金属层)，然而在非显示区中部分的触控感测线可通过连接结构转接至其他的金属层，例如相邻的两条触控感测线1121、1122在非显示区中可分别属于第一金属层与第二金属层。这些触控感测线会连接至触控感测垫分布区1103内的多个触控感测垫(未绘示)。此外，多个源极垫分布区1104内的多个源极垫(未绘示)则是设置在触控感测垫分布区1103的上下两侧，用以电性连接至数据线1132。源极垫分布区1104中的源极垫与触控感测垫分布区1103中的触控感测垫都是沿着Y方向排列，且触控感测垫是设置在源极垫中间。特别的是，IGD电路1101是设置在显示区101的一侧，而触控感测垫分布区1103是设置在显示区101的另一侧，如此一来导线1131不会在垂直于基板的方向上重叠或相交于触控感测线或是数据线1132。在此实施例中，为了附图清楚简化起见，上述的多个栅极垫、多个触控感测垫、多个源极垫并未予以一个个的绘示出来，仅以所在的位置的分布区予以代表。
图11B是根据一实施例绘示在纵向模式中显示面板的俯视图。在图11B的实施例中所采用的是纵向模式，所适用的电子装置例如为智慧型手机。在图11B的实施例中，IGD电路1101是设置在显示区101的左右两侧，这些IGD电路1101会电性连接至显示区101下方的栅极垫分布区1102内的多个栅极垫(未绘示)，并且电性连接至扫描线(为了简化起见，图11B中并未绘示扫描线)。此外，显示区101内的触控感测线是沿着X方向延伸，在非显示区102中触控感测线会向下延伸并电性连接至触控感测垫分布区1103内的多个触控感测垫(未绘示)。显示区101内的数据线是沿着Y方向延伸，而在非显示区102中会电性连接至源极垫分布区1104内的多个源极垫(未绘示)。换个角度来说，在图11B的实施例中，栅极垫、触控感测垫与源极垫都是沿着X方向排列，并且源极垫是设置在触控感测垫之间，并且源极垫也设置在栅极垫之间。同样地，在此实施例中，为了附图清楚简化起见，上述的多个栅极垫、多个触控感测垫、多个源极垫并未予以一个个的绘示出来，仅以所在的位置的分布区予以代表。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求书所界定的为准。

Claims (17)

1.一种显示面板，具有显示区与非显示区，其特征在于，包括：
基板；
像素结构，位于所述显示区，所述像素结构包含：
第一导电层，位于所述基板上，且包括扫描线与触控感测线；
第一绝缘层，位于所述第一导电层上，所述第一绝缘层具有第一开口以暴露出至少部分的所述触控感测线以作为第一连接部；
第二导电层，位于所述第一绝缘层上，且包括数据线；
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层与所述第二导电层上，所述第二绝缘层具有第二开口以对应至所述第一开口；
第一透明电极，位于所述第二绝缘层之上，所述第一透明电极具有第三开口，所述第三开口至少部分地重叠于所述第二开口；
第三绝缘层，形成于所述第一透明电极上，所述第三绝缘层具有第四开口，所述第四开口暴露出至少部分的所述第一透明电极以作为第二连接部，所述第四开口至少部分地重叠于所述第三开口；以及
第二透明电极，形成于所述第三绝缘层之上，所述第二透明电极通过所述第四开口、所述第三开口、所述第二开口与所述第一开口连接所述第一连接部与所述第二连接部，所述第二透明电极的面积大于所述第四开口的面积，所述第二透明电极包括：
第一部分，通过所述第四开口连接至所述第一透明电极；
第二部分，重叠于所述第四开口与所述第三开口，并且连接至所述触控感测线，所述第二部分不连接至所述第一部分；以及
第三部分，不重叠于所述第四开口，所述第三部分形成在所述第三绝缘层之上并且连接至所述第一部分与所述第二部分。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二连接部被所述第四开口所暴露出来的面积占所述第四开口的面积的比值是介于0.1～1。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二透明电极与所述第一连接部接触的面积是第一接触面积，所述第二透明电极与所述第二连接部接触的面积为一第二接触面积，所述第一接触面积与所述第二接触面积的比值是介于0.1～10。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，包含：
栅极，由所述第一导电层所形成；
源极与漏极，由所述第二导电层所形成；
半导体层，与所述栅极绝缘；以及
像素电极，形成于所述第三绝缘层之上，且所述像素电极具有狭缝图案，所述像素电极与所述第二透明电极是同一道工艺所形成；
其中所述第二绝缘层还包括第五开口以暴露出部分的所述漏极，所述第一透明电极包括和所述第五开口重叠的第六开口，所述第三绝缘层包括和第五开口重叠的第七开口，
所述像素电极通过所述第五开口、所述第六开口与所述第七开口连接至所述漏极。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述触控感测线是至少部分地重叠于所述漏极与所述像素电极。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述触控感测线包含延伸垫，且所述延伸垫与所述第四开口在垂直所述基板的方向上有重叠。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述延伸垫从所述触控感测线往所述扫描线的方向延伸出去。
8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述扫描线与所述触控感测线沿着第一方向延伸，所述数据线沿着第二方向延伸，所述第一方向实质上垂直于所述第二方向。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
多个栅极垫；
整合栅极驱动器，设置于所述显示区的一侧，用以电性连接至所述扫描线，并电性连接至所述多个栅极垫；
多个触控感测垫，沿着所述第二方向排列并设置于所述显示区的另一侧，用以电性连接至所述触控感测线；以及
多个源极垫，在所述非显示区沿着所述第二方向排列，
其中所述多个触控感测垫设置于所述多个源极垫之间。
10.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
多个栅极垫，在非显示区沿着所述第一方向排列；
多个触控感测垫，在所述非显示区沿着所述第一方向排列；以及
多个源极垫，在所述非显示区沿着所述第一方向排列，
其中所述多个源极垫设置于所述多个触控感测垫之间，且设置于所述多个栅极垫之间。
11.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成图案化的第一导电层，所述图案化的第一导电层包括扫描线、触控感测线与栅极；
在图案化的所述第一导电层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成图案化的半导体层；
在所述第一绝缘层上形成图案化的第二导电层，其中所述图案化的第二导电层包括漏极、源极与数据线，并且所述数据线连接至所述源极；
在所述第一绝缘层与所述图案化的第二导电层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成图案化的第一透明电极，所述图案化的第一透明电极包括第三开口，所述第三开口部分地重叠于所述触控感测线；
在所述图案化的第一透明电极上形成第三绝缘层；
实施蚀刻程序，借此在所述第三绝缘层中形成第四开口，在所述第二绝缘层中形成第二开口，并且在所述第一绝缘层中形成第一开口，其中所述第一开口暴露出部分的所述触控感测线以做为第一连接部，所述第四开口是至少部分地重叠于所述第三开口，所述第四开口暴露出部分的所述第一透明电极以做为第二连接部；以及
在所述第三绝缘层上形成图案化的第二透明电极，其中所述图案化的第二透明电极包括连接电极，用以电性连接所述第一连接部与所述第二连接部，所述连接电极的面积大于所述第四开口的面积，所述第二透明电极包括：
第一部分，通过所述第四开口连接至所述第一透明电极；
第二部分，重叠于所述第四开口与所述第三开口，并且连接至所述触控感测线，所述第二部分不连接至所述第一部分；以及
第三部分，不重叠于所述第四开口，所述第三部分形成在所述第三绝缘层之上并且连接至所述第一部分与所述第二部分。
12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述第二连接部被所述第四开口所暴露出来的面积占所述第四开口的面积的比值是介于0.1～1。
13.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述第二透明电极与所述第一连接部接触的面积是第一接触面积，所述第二透明电极与所述第二连接部接触的面积为第二接触面积，所述第一接触面积与所述第二接触面积的比值是介于0.1～10。
14.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述触控感测线是至少部分地重叠于所述漏极与像素电极。
15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述触控感测线包含延伸垫，且所述延伸垫与所述第四开口于垂直所述基板的方向上有重叠。
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述延伸垫从所述触控感测线往所述扫描线的方向延伸出去。
17.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供基板；
实施第一道图案化工艺，在所述基板上形成图案化的第一导电层，其中所述图案化的第一导电层包括扫描线、触控感测线与栅极；
在图案化的所述第一导电层上形成第一绝缘层；
实施第二道图案化工艺，在所述第一绝缘层上形成图案化的半导体层；
实施第三道图案化工艺，在所述第一绝缘层中形成第一开口，其中所述第一开口暴露出部分的所述触控感测线以做为第一连接部；
实施第四道图案化工艺，在所述第一绝缘层上形成图案化的第二导电层，其中所述图案化的第二导电层包括漏极、源极与数据线，并且所述数据线连接至所述源极，其中在非显示区中的所述图案化的第二导电层通过所述第一开口直接连接至所述图案化的第一导电层；
在所述第一绝缘层与所述图案化的第二导电层上形成第二绝缘层；
实施第五道图案化工艺，在所述第二绝缘层上形成图案化的第一透明电极，所述图案化的第一透明电极包括第三开口，所述第三开口部分地重叠于所述触控感测线；
在所述图案化的第一透明电极上形成第三绝缘层；
实施第六道图案化工艺，借此在所述第三绝缘层中形成第四开口并且在所述第二绝缘层中形成第二开口，所述第四开口是至少部分地重叠于所述第三开口，所述第四开口暴露出部分的所述第一透明电极以做为第二连接部；以及
实施第七道图案化工艺，在所述第三绝缘层上形成图案化的第二透明电极，其中所述图案化的第二透明电极包括连接电极，用以电性连接所述第一连接部与所述第二连接部，所述连接电极的面积大于所述第四开口的面积，所述第二透明电极包括：
第一部分，通过所述第四开口连接至所述第一透明电极；
第二部分，重叠于所述第四开口与所述第三开口，并且连接至所述触控感测线，所述第二部分不连接至所述第一部分；以及
第三部分，不重叠于所述第四开口，所述第三部分形成在所述第三绝缘层之上并且连接至所述第一部分与所述第二部分。
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