CN106653810B - Oled显示面板以及oled显示装置 - Google Patents

Oled显示面板以及oled显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106653810B
CN106653810B CN201611159955.7A CN201611159955A CN106653810B CN 106653810 B CN106653810 B CN 106653810B CN 201611159955 A CN201611159955 A CN 201611159955A CN 106653810 B CN106653810 B CN 106653810B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
thin film
film transistor
gate
oled display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611159955.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106653810A (zh
Inventor
梁博
李骏
王威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201611159955.7A priority Critical patent/CN106653810B/zh
Priority to US15/325,080 priority patent/US20180197931A1/en
Priority to PCT/CN2017/070525 priority patent/WO2018107554A1/zh
Publication of CN106653810A publication Critical patent/CN106653810A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106653810B publication Critical patent/CN106653810B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种OLED显示面板以及OLED显示装置。该OLED显示面板包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管。本发明的GOA区域采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板具有良好的弯折性，并且降低成本。

Description

OLED显示面板以及OLED显示装置
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，特别是涉及一种OLED显示面板以及OLED显示装置。
背景技术
目前，显示装置所采用的薄膜晶体管的背板需要考虑显示装置的电性均一性，漏电流，有效驱动长度，面积效率，迟滞作用等多方面的因素。针对不同显示技术的显示装置，需要采用不同的薄膜晶体管结构，以达到期望的目的。
现有技术的柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置需要具备良好的弯折稳定性，采用OTFT(有机薄膜晶体管)，由于OTFT相对于无机薄膜晶体管的电子迁移率低，导致无法提供足够的栅极驱动电流。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED显示面板以及OLED显示装置，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，其包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管。
其中，第一薄膜晶体管包括：
柔性基板；
阻挡层，设置在柔性基板上；
第一多晶硅层，设置在阻挡层上；
第一源漏极层，设置在阻挡层上，第一源漏极位于第一多晶硅层的两侧；
第一绝缘层，设置在第一多晶硅层和第一源漏极层上；
第一栅极层，设置在第一绝缘层上，并且设置在第一多晶硅层的上方。
其中，第二薄膜晶体管包括：
柔性基板和阻挡层；
第二多晶硅层，设置在阻挡层上；
第一绝缘层设置在第二多晶硅层上；
第二栅极层，设置在第一绝缘层上，并且设置在第二多晶硅层的上方；
ILD层，设置在第二栅极层和第一绝缘层上；
IOBP层，设置在ILD层上；
第二源漏极层，设置在IOBP层上。
其中，第一栅极层和第二栅极层为同一层设置。
其中，第一绝缘层为栅极绝缘层。
其中，第一薄膜晶体管包括：
柔性基板；
阻挡层，设置在柔性基板上；
IGZO层，设置在阻挡层上；
第一绝缘层，设置在IGZO层上；
第一栅极层，设置在第一绝缘层上，并且设置在IGZO层的上方；
ILD层，设置在第一栅极层和第一绝缘层上；
IOBP层，设置在ILD层上；
第一通孔和第二通孔，均穿过IOBP层、ILD层以及第一绝缘层，并且设置在第一栅极层的两侧；
第一源极层，设置在IOBP层上，并通过第一通孔与IGZO层连接；
第一漏极层，设置在IOBP层上，并通过第二通孔与IGZO层连接。
其中，第二薄膜晶体管包括：
柔性基板、阻挡层以及第一绝缘层；
第二栅极层，设置在第一绝缘层上；
ILD层，设置在第二栅极层和第一绝缘层上；
IOBP层，设置在ILD层上；
第二源漏极层，设置在IOBP层上。
其中，第一栅极层和第二栅极层为同一层设置。
其中，ILD层和IOBP层为栅极绝缘层。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示装置，其包括上述OLED显示面板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的OLED显示面板包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管；在同一个OLED显示面板中，GOA区域采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板具有良好的弯折性，并且降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要采用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本发明第一实施例的OLED显示面板的结构示意图；
图2是图1中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的剖面图；
图3是本发明第二实施例的OLED显示面板中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的剖面图；
图4是本发明第一实施例的OLED显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图1-2所示，图1是本发明第一实施例的OLED显示面板的结构示意图；图2是图1中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的剖面图。如图1所示，本实施例所揭示的OLED显示面板10包括显示区域12和GOA(Gate on Array，闸极驱动电路基板)区域11，显示区域12用于显示画面，GOA区域11用于产生驱动信号，该驱动信号用于驱动显示区域12显示画面。其中，GOA区域11设置有至少一个第一薄膜晶体管111，显示区域12设置有至少一个第二薄膜晶体管121，第一薄膜晶体管111为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管121为有机薄膜晶体管。
如图2所示，第一薄膜晶体管111为LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)晶体管，第二薄膜晶体管121为OTFT。第一薄膜晶体管111包括柔性基板1111、阻挡层1112、第一多晶硅层1113、第一源漏极层1114、第一绝缘层1115以及第一栅极层1116，其中，阻挡层1112设置在柔性基板1111上，阻挡层1112能够降低柔性基板1111的粗糙度，并且起到阻挡水氧的作用；第一多晶硅层(ploy-Si)1113设置在阻挡层1112上；第一源漏极层1114设置在阻挡层1112上，并且第一源漏极层1114位于第一多晶硅层1113的两侧，以形成第一薄膜晶体管111的源极和漏极；第一绝缘层1115设置在第一多晶硅层1113和第一源漏极层1114上；第一栅极层1116设置在第一绝缘层1115上，并且设置在第一多晶硅层1113的上方，以形成第一薄膜晶体管111的栅极。第一薄膜晶体管111采用的是顶栅结构，以保证第一多晶硅层1113的平整和均匀性。此外，第一栅极层1116与第一多晶硅层1113组成电容。
第二薄膜晶体管121包括柔性基板1111、阻挡层1112、第二多晶硅层1211、第一绝缘层1115、第二栅极层1212、ILD(层间绝缘层)层1213、IOBP(Inorganic BarrierPassivation Layer,无机阻隔钝化层)层1214以及第二源漏极层1215。其中，柔性基板1111以及阻挡层1112与第一薄膜晶体管111的柔性基板1111以及阻挡层1112相同。第二多晶硅层1211设置在阻挡层1112上，第一绝缘层1115设置在第二多晶硅层1211上；第二栅极层1212设置在第一绝缘层1115上，并且设置在第二多晶硅层1211的上方，以形成第二薄膜晶体管121的栅极；ILD层1213设置在第二栅极层1212和第一绝缘层1115上；IOBP层1214设置在ILD层1213上；第二源漏极层1215设置在IOBP层1214上，以形成第二薄膜晶体管121的源极和漏极；第二薄膜晶体管121采用的是底栅结构。
其中，第一栅极层1116和第二栅极层1212为同一层设置。此外，第一绝缘层1115为栅极绝缘层。
在本实施例中，在完成第一栅极层1116和第二栅极层1212后，先完成GOA区域11的第一薄膜晶体管111的阵列，然后完成显示区域12的第二薄膜晶体管121的阵列。
本实施例的OLED显示面板10包括显示区域12和GOA区域11，GOA区域11设置有至少一个第一薄膜晶体管111，显示区域12设置有至少一个第二薄膜晶体管121，第一薄膜晶体管111为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管121为有机薄膜晶体管；在同一个OLED显示面板10中，GOA区域11采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域12采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板10具有良好的弯折性。此外，GOA区域11和显示区域12采用不同的薄膜晶体管结构，制造的温度不同，优选进行高温制程，并且有机薄膜晶体管和无机薄膜晶体管的部分制程可以同时实现，例如第一栅极层1116和第二栅极层1212，降低成本。
本发明还提供第二实施例的OLED显示面板，本实施例所揭示的OLED显示面板与第一实施例所揭示的OLED显示面板10不同之处在于：如图3所示，第一薄膜晶体管211为IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)晶体管，第二薄膜晶体管221为OTFT。
第一薄膜晶体管211包括柔性基板2111、阻挡层2112、IGZO层2113、第一绝缘层2114、第一栅极层2115、ILD层2116、IOBP层2117、第一通孔2118、第二通孔2119、第一源极层2200以及第一漏极层2201。其中，阻挡层2112设置在柔性基板2111上；IGZO层2113设置在阻挡层2112上；第一绝缘层2114设置在IGZO层2113和阻挡层2112上；第一栅极层2115设置在第一绝缘层2114上，并且设置在IGZO层2113的上方；ILD层2116设置在第一栅极层2115和第一绝缘层2114上；IOBP层2117设置在ILD层2116上；第一通孔2118和第二通孔2119均穿过IOBP层2117、ILD层2116以及第一绝缘层2114，并且设置在第一栅极层2115的两侧；第一源极层2200设置在IOBP层2117上，并通过第一通孔2118与IGZO层2113连接；第二源极层2201设置在IOBP层2117上，并通过第二通孔2119与IGZO层2113连接。由于ILD层2116和IOBP层2117为栅极绝缘层，厚度较大，因此第一薄膜晶体管211采用顶栅结构。
第二薄膜晶体管221包括柔性基板2111、阻挡层2112、第一绝缘层2114、第二栅极层2211、ILD层2116、IOBP层2117以及第二源漏极层2212。其中，柔性基板2111和阻挡层2112与第一薄膜晶体管211的柔性基板2111和阻挡层2112相同；第一绝缘层2114设置在阻挡层2112上；第二栅极层2211设置在第一绝缘层2114上；ILD层2116设置在第二栅极层2211和第一绝缘层2114上；IOBP层2117设置在ILD层2116上；第二源漏极层2212设置在IOBP层2117上。
其中，第一栅极层2115和第二栅极层2211为同一层设置。
在本实施例中，在完成第二源漏极层2212后，先完成GOA区域21的第一薄膜晶体管211的阵列，然后完成显示区域22的第二薄膜晶体管221的阵列。
如图4所示，本发明一实施例的OLED显示装置的结构示意图。如图4所示，该OLED显示装置40包括上述实施例所描述的OLED显示面板，在此不再赘述。该OLED显示装置40为柔性OLED显示装置。
综上所述，本发明的OLED显示面板包括显示区域和GOA区域，GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管；在同一个OLED显示面板中，GOA区域采用无机薄膜晶体管，能够提高电子迁移率，保证足够的栅极驱动电流，显示区域采用有机薄膜晶体管，保证OLED显示面板具有良好的弯折性，并且降低成本。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括显示区域和GOA区域，所述GOA区域设置有至少一个第一薄膜晶体管，所述显示区域设置有至少一个第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为无机薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为有机薄膜晶体管；
其中，所述第一薄膜晶体管包括：
柔性基板；
阻挡层，设置在所述柔性基板上；
第一多晶硅层，设置在所述阻挡层上；
第一源漏极层，设置在所述阻挡层上，所述第一源漏极位于所述第一多晶硅层的两侧；
第一绝缘层，设置在所述第一多晶硅层和所述第一源漏极层上；
第一栅极层，设置在所述第一绝缘层上，并且设置在所述第一多晶硅层的上方，所述第一栅极层与所述第一多晶硅层组成电容；
所述第一薄膜晶体管为顶栅结构，以保证所述第一多晶硅层的平整和均匀性；
所述第二薄膜晶体管包括：
所述柔性基板和所述阻挡层；
第二多晶硅层，设置在所述阻挡层上；
所述第一绝缘层设置在所述第二多晶硅层上；
第二栅极层，设置在所述第一绝缘层上，并且设置在所述第二多晶硅层的上方；
ILD层，设置在所述第二栅极层和所述第一绝缘层上；
IOBP层，设置在所述ILD层上；
第二源漏极层，设置在所述IOBP层上，且所述第二源漏极层间隔设置于所述第二栅极层上方两侧，以形成所述第二薄膜晶体管的源极和漏极；
所述第二薄膜晶体管为底栅结构，所述第一栅极层和所述第二栅极层为同一层设置。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层为栅极绝缘层。
3.一种OLED显示装置，其特征在于，所述OLED显示装置包括如权利要求1-2任意一项所述的OLED显示面板。
CN201611159955.7A 2016-12-15 2016-12-15 Oled显示面板以及oled显示装置 Active CN106653810B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611159955.7A CN106653810B (zh) 2016-12-15 2016-12-15 Oled显示面板以及oled显示装置
US15/325,080 US20180197931A1 (en) 2016-12-15 2017-01-07 Oled display panel and oled display apparatus
PCT/CN2017/070525 WO2018107554A1 (zh) 2016-12-15 2017-01-07 Oled显示面板以及oled显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611159955.7A CN106653810B (zh) 2016-12-15 2016-12-15 Oled显示面板以及oled显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106653810A CN106653810A (zh) 2017-05-10
CN106653810B true CN106653810B (zh) 2020-09-04

Family

ID=58823360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611159955.7A Active CN106653810B (zh) 2016-12-15 2016-12-15 Oled显示面板以及oled显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180197931A1 (zh)
CN (1) CN106653810B (zh)
WO (1) WO2018107554A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107134460B (zh) * 2017-04-11 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其goa电路
CN108231693B (zh) * 2018-01-03 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2019167279A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 シャープ株式会社 表示装置
CN108807420B (zh) 2018-06-05 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制作方法、可折叠显示装置
CN109659347B (zh) * 2018-12-19 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板以及显示装置
CN110068970B (zh) * 2019-04-18 2020-09-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板及显示面板
CN111402821B (zh) * 2020-04-27 2021-09-03 杭州领挚科技有限公司 一种led背光板及制备毫米级以下led背光板的方法
CN114220830B (zh) * 2021-12-08 2023-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312958A (zh) * 1998-06-19 2001-09-12 薄膜电子有限公司 集成无机/有机互补薄膜晶体管电路及其制造方法
CN101202296A (zh) * 2006-12-11 2008-06-18 株式会社日立制作所 薄膜晶体管装置、图像显示装置及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP4281320B2 (ja) * 2002-10-15 2009-06-17 凸版印刷株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法
JP3933667B2 (ja) * 2004-04-29 2007-06-20 三星エスディアイ株式会社 発光表示パネル及び発光表示装置
TWI336953B (en) * 2006-03-29 2011-02-01 Pioneer Corp Organic electroluminescent display panel and manufacturing method thereof
TWI624936B (zh) * 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
CN103715226A (zh) * 2013-12-12 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
US20150380563A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-31 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method for manufacturing the same
CN104538401B (zh) * 2014-12-23 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板结构
CN105914134B (zh) * 2016-05-27 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 电子器件、薄膜晶体管、以及阵列基板及其制作方法
CN106057825A (zh) * 2016-08-03 2016-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置的阵列基板及其制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312958A (zh) * 1998-06-19 2001-09-12 薄膜电子有限公司 集成无机/有机互补薄膜晶体管电路及其制造方法
CN101202296A (zh) * 2006-12-11 2008-06-18 株式会社日立制作所 薄膜晶体管装置、图像显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018107554A1 (zh) 2018-06-21
US20180197931A1 (en) 2018-07-12
CN106653810A (zh) 2017-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106653810B (zh) Oled显示面板以及oled显示装置
TWI618123B (zh) 陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法
US9589995B2 (en) TFT substrate having three parallel capacitors
US9960195B2 (en) Method for manufacturing TFT backplane and structure of TFT backplane
US9768202B2 (en) TFT backplate structure comprising transistors having gate isolation layers of different thicknesses and manufacture method thereof
CN105470196B (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、和显示装置
TW200703660A (en) TFT array panel, liquid crystal display including same, and method of manufacturing TFT array panel
CN106920802B (zh) 薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示器
JP2011119675A5 (zh)
WO2017024658A1 (zh) 有机发光显示器及其制造方法
US9705008B2 (en) Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate
US20150311322A1 (en) Method of manufacturing thin film transistor and organic light emitting diode display
JP2011103433A (ja) 薄膜トランジスタ及びこれを備えた有機電界発光表示装置
US9812541B2 (en) Array substrate, method for fabricating the same and display device
US10644237B2 (en) Array substrate for OLED display device
CN104022124B (zh) 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
US9236492B2 (en) Active device
JP2009122256A5 (zh)
CN103560112B (zh) 薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板
US20170133515A1 (en) Thin film transistor, array substrate and liquid crystal display panel
US9793411B2 (en) Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate
US9082664B2 (en) Method for manufacturing thin-film transistor substrate and thin-film transistor substrate manufactured with same
TWI703735B (zh) 半導體基板、陣列基板、逆變器電路及開關電路
CN110649003A (zh) 半导体基板、阵列基板、逆变器电路及开关电路
CN104157611A (zh) 氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant