CZ286740B6 - Operation process of non-coherently radiating radiation source - Google Patents

Operation process of non-coherently radiating radiation source Download PDF

Info

Publication number
CZ286740B6
CZ286740B6 CZ19952421A CZ242195A CZ286740B6 CZ 286740 B6 CZ286740 B6 CZ 286740B6 CZ 19952421 A CZ19952421 A CZ 19952421A CZ 242195 A CZ242195 A CZ 242195A CZ 286740 B6 CZ286740 B6 CZ 286740B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
discharge
voltage
electrodes
upn
electrode
Prior art date
Application number
CZ19952421A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ242195A3 (en
Inventor
Frank Vollkommer
Lothar Hitzschke
Original Assignee
Frank Vollkommer
Lothar Hitzschke
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6484818&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ286740(B6) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Frank Vollkommer, Lothar Hitzschke filed Critical Frank Vollkommer
Publication of CZ242195A3 publication Critical patent/CZ242195A3/cs
Publication of CZ286740B6 publication Critical patent/CZ286740B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/46Devices characterised by the binder or other non-luminescent constituent of the luminescent material, e.g. for obtaining desired pouring or drying properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7777Phosphates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7797Borates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/44Devices characterised by the luminescent material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/70Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr
    • H01J61/76Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr having a filling of permanent gas or gases only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/046Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/26Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/2806Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without electrodes in the vessel, e.g. surface discharge lamps, electrodeless discharge lamps
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)

Description

Způsob provozu nekoherentně vyzařujícího zdroje záření
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu provozu nekoherentně vyzařujícího zdroje záření, zejména výbojky, pomocí dielektricky bráněného výboje, při němž je alespoň částečně průsvitná výbojková baňka z elektricky nevodivého materiálu naplněná plynnou náplní, při němž jsou alespoň dvě elektrody umístěny u plynné náplně a pomocí přívodů jsou spojeny se zdrojem elektrické energie, a při 10 němž mezi alespoň jednou elektrodou a plynnou náplní je uspořádána dielektrická vrstva.
K vyvolání záření slouží výboj, který je utvořen uvnitř výbojky, přičemž mezi alespoň jednou elektrodou a výbojem je připravena dielektrická vrstva, díky níž je tento typ výboje jmenován také tichý nebo dielektricky bráněný výboj nebo bariérový výboj. Nekoherentně vyzařujícími zdroji záření rozumíme ultrafialové a infračervené zářiče, jakož i výbojky, které vyzařují zejména viditelné světlo. Vynález se hodí jak pro podtlakové plynové náplně, tak pro přetlakové plynové náplně a pro všechny tlaky plynu, které leží v oblasti mezi podtlakem a přetlakem.
Dosavadní stav techniky
Vybuzení podobných výbojů nastává obyčejně pomocí střídavého napětí, jak například vyplývá ze spisů DE 40 22 279 a DE 42 03 594 a z patentového spisu US 5 117 160. Tam je frekvence buzení volena mezi frekvencemi technických střídavých proudů a frekvencemi řádově v MHz (DE 40 22 279), například mezi 20 a 100 kHz (US 5 117 160).)
Nevýhodou tohoto druhu provozu je, že požadované účinnosti záření jsou relativně nízké při technicky relevantních hustotách výkonů. Typické UV účinnosti činí 10 % při plošných hustotách výkonů o 1 kW/m2 a 15% při 10W/m2, viz 3. zasedání členů komise UV a IR v Lichttechnischen Institut der Universitat Karlsruhe ze 7. 10. 1992 a „Dielectric Barrier 30 Discharges: An Unusual Light Source“, M. Neiger, LTI, Universitat Karlsruhe, 6Λ Intemational Symposium on The Science and Technology of Light Sources, Budapešť, 1992.
EP-A-0 302 748 popisuje lampovitou indikační jednotku s elektricky izolovanou elektrodou, která pracuje za pomoci dielektricky bráněného výboje. K zapálení výboje je na elektrodu 35 výbojky přiloženo vysokofrekvenční napětí se špičkovým napětím řádově od 300 V do 6 kV.
Elektrody lampovité indikační jednotky jsou spojeny se sekundárním vinutím transformátoru. Primární vinutí transformátoru je spojeno se zdrojem proudu přes spínací tranzistor. Báze spínacího tranzistoru je nastavena impulzním generátorem, který opakovaně vysílá unipolámí obdélníkové impulzy s opakovači frekvencí 0,5 kHz a 20 kHz. Doby impulzu a mezer nejsou 40 specifikovány.
Podstata vynálezu
Vynález se zakládá na úkolu podstatně zlepšit efektivitu žádané produkce záření. Tento úkol řeší způsob provozu nekoherentně vyzařujícího zdroje záření, zejména výbojky, pomocí dielektricky bráněného výboje, při němž je alespoň částečně průsvitná výbojková baňka z elektricky nevodivého materiálu naplněna plynnou náplní, při němž jsou alespoň dvě elektrody umístěny u plynné náplně a pomocí přívodů jsou spojeny se zdrojem elektrické energie, a při němž mezi alespoň jednou elektrodou a plynnou náplní je uspořádána dielektrická vrstva, podle vynálezu, jehož podstatou je, že zdroj elektrické energie vysílá řadu impulzů napětí Up„(t) na obě elektrody, přičemž jednotlivý impulz n je charakterizován časovým průběhem napětí Up„(t) a dobou Tpn s hodnotami řádově od 1 ns do 50 ps a impulz n je od následujícího impulzu n+1 oddělen
-1 CZ 286740 B6 nevyužitou dobou Ton s hodnotami řádově od 500 ns do 1 ms a průběhu napětí Uon(t), přičemž během doby Tp„ se průběhy napětí Up„(t) zvolí tak, že do plynné náplně se během doby Tpn přenese zejména elektrický výkon, zatímco během nevyužitých dob Ton se průběhy napětí Uon(t) zvolí tak, že plynná náplň se vrací do stavu, který odpovídá stavu před předešlým impulzem napětí Upn(t).
Základní myšlenka vynálezu je ta, že dielektricky bráněný výboj je impulzně opakován, takže po sobě jdoucí elektrické přenosy energie jsou přerušeny i při vysokých hustotách výkonů, definovaných v jednotlivých výbojích, časovými úsek Ton, dále označovanými jako „nevyužitá doba“. Trvání jednotlivých časových úseků vyplývají z požadavků, aby přenos energie, nebo přesněji řečeno přenos činného výkonu, se v podstatě ukončil,, jakmile má přenos další elektrické energie za následek méně efektivní přeměnu v žádané záření, respektive, aby „nevyužitá doba“ se ukončila, jakmile je plynová náplň tak dalece zrelaxovaná, aby mohla být znovu vybuzena k efektivnější emisi žádaného záření, takže v časovém průměru je efektivita záření optimalizována. Tímto způsobem se například dají docílit účinnosti pro přeměnu elektrické energie na UV záření 65 % a více, což představuje několikanásobné zvýšení proti konvenčním postupům u dielektricky bráněného výboje.
V normálním případě se jedná o řadu stejných nebo jen polaritu měnících impulzů napětí, přičemž celkový počet napěťových impulzů n není principiálně omezen. Pro speciální případy je možno použít i řadu pravidelně se měnících impulzů napětí. Rada impulzů může být konečně úplně nepravidelná (např. při světelných efektech, kdy je více impulzů spojeno do jednoho svazku, takže vznikne pro lidské oko rozpoznatelný světelný efekt).
Během impulzní doby T^ je na elektrody přiložen napěťový impulz Upn(t), přičemž je přenášen činný výkon. Časový průběh impulzu není principiálně stanoven, může být volen různě, jako například:
a) unipolámí průběhy, to znamená, že napětí nemění svou polaritu během impulzních dob Tm. Sem mimo jiné patří lichoběžníkové, trojúhelníkové, do tvaru luku prohnuté napěťové impulzy, především napěťové impulzy ve tvaru paraboly a sinusové půlvlny, přičemž jsou vhodné jak kladné, tak záporné hodnoty (viz obr. 6a, kde jsou příkladně zobrazeny jen záporné hodnoty).
b) bipolámí průběhy, to znamená, že napětí mění svou polaritu během impulzních dob Tgn, přičemž průběhy mohou začít jak s kladnou, tak se zápornou hodnotou. To jsou například obě půlvlny sinusovky, dva bezprostředně na sebe navazující trojúhelníky s opačnými polaritami, dva bezprostředně na sebe navazující „obdélníky“ nebo lichoběžníky s opačnými polaritami, přičemž doby čela mohou mít různé vzrůstové, respektive sestupové časy (viz obr. 6b).
c) časový průběh z jednotlivých prvků za, a b, (výhodně dva nebo tři), přičemž napětí Up/ť) mohou nabývat různých hodnot, krátce i hodnotu 0, takže jednotlivé prvky mohou být také odděleny časovými úseky, ve kterých má napětí hodnotu 0 (viz obr. 6c). Zejména se mohou jednotlivé prvky opakovat.
Na obrázcích 6a - c je příkladně představen pouze výběr možných průběhů napětí. Z nich je patrné velké množství dalších průběhů. Zejména v praxi mají elektrické signály stále konečné vzrůstové a sestupové časy, překmity a zákmity, což na obrázcích 6a - c není zobrazeno.
Na průběh napětí během nevyužitých dob Tm, je kladen požadavek, že napětí Unn(t) je tak voleno, že v podstatě nenásleduje přenos činného výkonu. Stejně tak mohou trvat delší čas nízké hodnoty napětí, které jsou menší než napětí potřebné k novému zapálení, případně celou nevyužitou dobu Ton- Přitom není vyloučeno, že se krátkodobě, to v podstatě znamená menší čas než je impulzní doba Tpn, mohou vyskytnout napěťové špičky během nevyužité doby.
-2CZ 286740 B6
Typické absolutní hodnoty Upn jsou řádově kV. Uon leží nejlépe v blízkosti 0 V. Hodnoty Τω a Ton leží v oblasti ps, přičemž v normálním případě je Tgn zřetelně kratší než Ton·
Režimy provozu výboje podle vynálezu jsou v podstatě docíleny vhodnou volbou budicích parametrů T^, Ton a amplitudou napětí Upn, přičemž pro zvlášť efektivní provoz jsou veličiny navzájem vhodně sladěny. Vedle toho hraje svou roli také průběh impulzů. Ojediněle závisí volené hodnoty budicích parametrů Tpn, Tgp a Urn(t) na geometrii výboje, druhu plynné náplně, konfiguraci elektrod a druhu a síle dielektrické vrstvy. Pracuje-li výboj v provozním režimu podle vynálezu, je výtěžnost žádaného záření optimální.
Přírůstky nárazových procesů ve výboji pro danou náplň výbojky a následně také emise záření jsou v podstatě určovány hustotou elektronů ne a rozdělením energie elektronů. Způsob provozu podle vynálezu umožňuje tyto časově proměnné veličiny pro produkci záření optimálně nastavit pomocí odpovídajícího výběru T^,, T^ a amplitudou napětí U^, respektive průběhem impulzů.
V porovnání s provozem se střídavým napětím používá vynález úmyslně jeden parametr navíc, nevyužitou dobu T2, se kterou se může i při vysokých hustotách výkonů cíleně ovlivňovat časový a prostorový průběh hustoty nosičů náboje, stejně jako distribuční funkce energie. V provedení podle stavu techniky, ve kterém je použito střídavé napětí, je cílený vliv na veličiny možný pouze velice omezeně pomocí frekvence. Pouze předložený vynález umožňuje tak dalece vědomě zvyšovat účinnost dielektricky bráněných výbojů s technicky zajímavými hustotami výkonů, že vznikají alternativy ke konvenčním zdrojům záření.
Provozní režimy podle vynálezu se dají poznat podle toho, že se mezi elektrodami místo různě stavěných výbojových struktur, typicky tvaru vlákna nebo šroubu, vyskytuje značný počet stejných, v půdorysu (tedy kolmo k výboji) deltovitých výbojových struktur, které se šíří ve směru (okamžité) anody. Jelikož se tyto výbojové struktuiy vybuzují nejlépe s opakovači frekvencí v oblasti kHz, považuje pozorovatel za skutečnou tu výbojovou strukturu, která odpovídá „průměrné“ výbojové struktuře v časovém rozkladu lidského oka, podobně, jako ji ukazuje fotografické zobrazení na obr. 9a. V případě měnící se polarity napěťových impulzů oboustranně dielektricky bráněného výboje se vizuálně zobrazí překrytí dvou deltovitých struktur. Stojí-li například rovnoběžně proti sobě dvě podélné elektrody, které mohou býtjednonebo oboustranně dielektricky bráněné, objeví se tak jednotlivé výbojové struktury příčně orientované k podélným elektrodám, srovnané vedle sebe (viz obr. 9a,b). Při vhodné volbě parametrů, například při vhodném nízkém tlaku, se dá docílit toho, že seskupení jednotlivých struktur do řady vede kjednomu difusně vyvstalému výboji. Výbojové struktury mohou být přímo pozorovány například v průhledné baňce výbojky.
Za povšimnutí stojí výhoda vynálezu, která spočívá ve zvláštní stabilitě jednotlivých výbojových struktur při změně elektrických hustot výkonů, které jsou přeneseny do výbojového prostoru. Jeli zvýšena amplituda napěťových impulzů Ugn, nezmění výbojové struktury svůj principiální tvar. Z jedné z výbojových struktur vzniknou při překročení mezní hodnoty další jí podobné struktury. Zvětšení amplitudy napěťových impulzů má za následek zvýšení vloženého elektrického výkonu, což tedy v podstatě vede ke zvětšení počtu jednotlivých popsaných výbojových struktur, přičemž kvalita struktur zůstává nezměněna, především jejich vzhled a efektivní vyzařovací vlastnosti.
Toto chování umožňuje dále rozumně stupňovat elektrický výkon, který je možno přenést do předem daného objemu výboje. Výkon se stupňuje tím, že jsou použity více jak dvě elektrody, které optimálně využijí objem výboje. Například může být proti jedné středově, doprostřed výbojového prostoru vsazené vnitřní elektrodě postaveno více vnějších elektrod, které jsou symetricky rozmístěny na vnější straně výbojového prostoru. S počtem vnějších elektrod se tedy dá zvýšit vyzařovací výkon, jež je maximálně dosažitelný z objemu výbojkové baňky, jelikož
-3 CZ 286740 B6 výbojové struktury hoří ve směru momentálních vnějších elektrod a tedy při odpovídajícím výkonovém přenosu stále vyplňují objem výbojky, vycházejíce od středové vnitřní elektrody.
Vedle této možnosti je další výhoda v osově rovnoběžném uspořádání elektrod v tom, že se elektrický výkon a světelný tok mění proporciálně s délkou výbojového prostoru. Jelikož v tomto případě je elektrické pole v podstatě kolmé k podélné ose výbojkové baňky, může být délka výbojkové baňky skoro libovolně zvětšena, aniž by muselo odpovídajícím způsobem narůst zapalovací napětí, jak je to například obvyklé u konvenčních rourovitých výbojek. Pro zadání výkonu je třeba u tohoto druhu výboje mít na paměti jak objem výbojkové baňky, tak také počet elektrod, respektive rovin, ve kterých hoří výbojové struktury. U rourovitých výbojem s délkou 50 cm, průměrem 24 mm a xenonem jako plynovou náplní může být vloženo typicky 15 W elektrického činného výkonu na jednu „výbojovou rovinu“.
Nejsou-li Τβη a/ nebo T™ a/nebo Ugnít) vhodně zvoleny, vznikne tak pravděpodobně jedno nebo více tenkých a světle svítících „výbojových vláken“, ostře ohraničených od plynného prostředí. Mohou se rozprostírat do velké dálky uvnitř výbojkové baňky na úkor výbojových struktur podle vynálezu, jak je to možné spatřit na fotografickém zobrazení na obr. 10b. Tato „výbojová vlákna“ se tedy zřetelně liší jak vizuálně, tak svým tvarem či spektrálním rozdělením záření od výboje v pracovním režimu podle vynálezu. Jsou nežádoucí, jelikož koncentrují tok proudu do malé průřezové plochy, z čehož vznikají místa zvýšené hustoty nosičů náboje, spojeno mimo jiné se zvýšenými úbytky záření a následně klesá efektivita vyzařování žádaného záření.
Z tohoto fenoménu se dá vyvodit obecný postup k získání vhodných hodnot pro Ugnft), T^ a Tgn pro provoz podle vynálezu. Po zapálení výboje je třeba zvolit Upn(t), T^ a Tgn tak, aby v režimu podle vynálezu byl požadovaný elektrický výkon vložen, to znamená, že výše popsané výbojové struktury jsou viditelné. Překvapivě se totiž objevilo, že právě při existenci těchto výbojových struktur nabývá hustota elektronů, stejně jako distribuční funkce energie elektronů hodnot, které minimalizují ztrátové procesy.
Každý zvýše tří jmenovaných provozních parametrů ovlivňuje jak časovou a prostorovou strukturu hustot nosičů nábojů, tak distribuční funkci energie elektronů. Jelikož jejich okamžité vlivy na jmenované veličiny jsou různě velké, stanoví výběr jednoho parametru hrubší oblast hodnot zbývajících parametrů, aby se docílilo efektivního modu výboje.
Typické hodnoty amplitudy napěťových impulzů Upn leží v oblasti mezi asi 0,1 V a 2 V na cm doskoku výboje a Pascal tlaku náplně, impulzní doby T^ a nevyužité doby Tgn leží řádově asi od 1 ns do 50 ps, respektive od asi 500 ns do 1 ms. Pro provozní režimy podle vynálezu je provozní tlak nejlépe mezi 100 Pa a 3 MPa. V oblasti středního tlaku (např. 10 kPa) to znamená zejména amplitudu napěťových impulzů Upn v oblasti mezi 100 V a 20 kV na jeden cm doskoku výboje. V oblasti přetlaku (např. 1 MPa) to znamená zejména amplitudu napěťových impulzů Ugn v oblasti mezi 10 kV a 200 kV najeden cm doskoku výboje.
Z důvodů elektrické bezpečnosti jsou vnější elektrody s výhodou přednostně spojeny s potenciálem země a vnitřní elektrody s vysokým napětím. Tím je možná dalekosáhlá ochrana před dotekem živých částí. Výbojový prostor, včetně elektrod, může být také postaven uvnitř obalové baňky. Tím je také daná ochrana před dotekem, když není/nejsou vnější elektroda/elektrody spojena/spojeny s potenciálem země. Jako vodivý materiál pro elektrody mohou být použity všechny materiály schopné vést elektrický proud, tedy také elektrolyty.
Z toho je nutné pro jednostranně dielektrickou elektricky bráněný výboj (to znamená uvnitř výbojkové baňky, v plynné náplni, výskyt alespoň jedné dielektricky nebráněné elektrody), aby tato vnitřní elektroda dostala na začátku periody negativní polaritu vzhledem k dielektricky bráněné elektrodě (uvnitř nebo vně výbojkové baňky), nehledě na možné pozitivní jehlovité a
-4 CZ 286740 B6 v pohledu na výkonové přenosy nepodstatné předimpulzy. Potom se může polarita během impulzní doby měnit.
Způsob provozu podle vynálezu je vhodný také pro oboustranně elektricky bráněné výboje (veškeré elektrody jsou dielektrikem odděleny od výboje, přičemž to může být také samotnou výbojkovou baňkou), aniž by se musel principiálně změnit nebo by se ztratily jeho výhodné účinky. V případě, že by byly všechny elektrody dielektricky bráněné, nehrála by roli časová posloupnost polarity a ani polarita sama.
Principiálně se mohou elektrody nacházet všechny vně plynového prostoru, například na vnější ploše výbojkové baňky, nebo určitý počet z nich vně a určitý počet uvnitř, stejně jako se mohou všechny elektrody nacházet uvnitř výbojkové baňky, v plynném prostoru. V posledním případě je nutné, aby alespoň jedna z nich byla potažena dielektrikem a aby jedna zodpovídajících zbývajících elektrod dostala opačnou polaritu.
Je výhodné především pro případ, kdy se uvnitř výbojkové baňky nachází agresivní prostředí, když žádná z elektrod nemá přímý kontakt s prostředí, protože se tak dá účinně zabránit korozi vnitřní elektrody/vnitřních elektrod. Toho se dá dosáhnout, když jsou buď všechny elektrody postaveny vně výbojkové baňky, anebo ty, které jsou ve výbojkové baňce, jsou obklopeny dielektrickou vrstvou.
U vynálezu se odstoupilo od velkoplošných elektrod. Stínění záření elektrodami je mizivé. U dielektricky bráněných elektrod je poměr mezi plochami elektrod, které jsou v kontaktu s dielektrikem, a celkovou plochou elektrod výhodně co možná nejmenší. Ve zvláště žádoucím provedení jsou dielektricky bráněné elektrody provedeny jako úzké proužky, nanesené na vnější stěnu výbojkové baňky. Vhodné jsou i mřížovité vnější elektrody, například mřížkové sítě, děrované plíšky a podobně. Aby se mohl optimálně využít objem výbojkové baňky, mají vnitřní elektrody s výhodou co možná nejmenší roztažitelnost ve směru výboje. Ve zvláště výhodném provedení je vnitřní elektroda provedena jako tyčka.
Jednostranně, respektive oboustranně bráněné výboje umožňují realizaci velkého množství tvarů výbojkových baněk, zejména všech těch, které jsou zmíněny u konvenčních použitích dielektricky bráněných výbojů, například v EP-A 0 385 205, EP-PS 0 312 732, EP-A 0 482 230, EP-A 0 363 832, EP-A 0 458 140, EP-A 0 449 018 a EP-A 0 489 184.
Ve výbojkových baňkách s malými průřezy jsou elektrody tak výhodně uspořádány, že odstup mezi odpovídající anodou a katodou je co možná největší. Například v cylindrických výbojkových baňkách s malými průřezy je vnitřní elektroda výhodně postavena excentricky uvnitř výbojkové baňky a vnější elektroda je upevněna diametrálně proti ní na vnější stěně. Prodloužení výbojové cesty může být navíc podpořeno členěním elektrod. Navíc mají vnitřní a vnější elektrody střídavě dvě různé zóny, v nichž je výboj nasazován, respektive potlačován. Elektrody jsou potom tak postaveny, že proti sobě stojí právě dvě odlišné zóny. Tím jsou potlačeny radiální výbojové struktury. Výboj hoří spíše šikmo k další sousedící zóně protilehlé elektrody. To může být například realizováno tím, že elektrody mají střídavě zóny s přídavnou dielektrickou vrstvou.
U větších průřezů je vnitřní elektroda raději umístěna středově uvnitř výbojkové baňky, přičemž je výhodně více vnějších elektrod připevněno na vnější stěnu a jsou symetricky rozděleny kolem obvodu.
Tvar výbojkové baňky není nutně principiálně dán. Podle použití musí být stěny výbojkové baňky z materiálů, které mají potřebnou průsvitnost pro žádané záření, alespoň v místě vyzařování. Jako dielektrické bariéry se hodí proti použitému vysokému napětí průrazuvzdomé, elektricky izolující materiály (dielektrika), jako například borokřemičitá skla - například
-5 CZ 286740 B6
DURAN® (fa Schott), křemenné sklo, A12O3, MgF2, LiF, BaTiO3 atd. Druhem a sílou dielektrika může být ovlivněna výbojová struktura. Především dostatečně tlustá dielektrika s optimálně nízkou relativní dielektrickou konstantou jsou vhodná k podpoře tvorby výbojových struktur podle vynálezu s porovnatelně nízkými hustotami elektronů, to znamená zabraňovat tvorbě nežádoucích výbojových struktur s vysokými hustotami elektronů a hustotami proudů. Jednoduše řečeno, vyplývá to dílem z toho, že lokální pokles napětí nad dielektrikem, způsobený hustotou posuvného proudu, je přímo úměrný kjeho tloušťce a nepřímo úměrný kjeho dielektrickým konstantám. Dílem to také vyplývá z toho, že pokles napětí na dielektriku působí proti vzrůstu proudové hustoty.
Spektrální složení záření v podstatě závisí na plynné náplni a může ležet ve viditelné, infračervené či ultrafialové oblasti. Jako plynná náplň se principiálně hodí všechny náplně, které mohou být použity pro konvenčně provozované dielektrický bráněné výboje, jako například ve spisech DE-OS 40 22 279, EP-A 0 449 018, EP-A 0 254 111, EP-A 0 324 953 a EPA 0 312 732. Stejně tak mohou být použity náplně, které již byly použity u Excimer, respektive u Exciplex laserů (např. I. S. Lakoba and S. I. Yakovlenko, „Active media of exciplex lasers (review), Sov. J. uantum Electron. 10(4), Duben 1980, pp. 389, stejně jako Ch. K. Rhodes, Ed., „Excimer lasers“, Springer, 1984). Sem patří mimo jiné vzácné plyny a jejich směsi, směsi vzácných plynů s párami kovů a halogeny nebo halovými sloučeninami, kromě toho samotné následující prvky či jejich kombinace, které mohou být také přidáno ke dříve jmenovaným náplním: vodík, deutérium, kyslík, dusík, oxidy dusíku, oxid uhelnatý, oxid uhličitý, síra, arzen, selen a fosfor. Především díky způsobu provozu podle vynálezu otevírá vysoce efektivní UV produkce v excimerových výbojích široké pole použití UY vysokovýkonových zářičů, jaké je například uvedeno v EP-A 0 482 230. Sem patří mimo jiné fotochemické procesy jako tvrzení nátěrů, změny ploch, sterilizace vody, atd. nebo odbourávání škodlivých látek UV zářením v technice v přírodním prostředí. Zejména pro posledně jmenované oblasti nasazení může být výhodné přivést výboj do bezprostřední blízkosti ozařovaného objektu, to znamená vzdát se hermeticky uzavřené výbojkové baňky, aby se zabránilo zeslabení krátkodobě působícího záření stěnami výbojového prostoru. Zvláště u produkce UV záření, respektive VUV záření se ukazuje další rozhodující výhoda: díky vysokým dosažitelným UV výtěžnostem při způsobu provozu podle vynálezu se můžeme vzdát chlazení vodou oproti UV zářičům, respektive VUV zářičům podle dosavadního stavu techniky a s porovnatelnými hustotami záření. Další výhodné použití je osvětlení, při němž je UV záření přeměněno pomocí vhodného luminoforu do viditelné oblasti elektromagnetického spektra.
Další výhody vynálezu jsou: není potřebné vnější omezení proudu, výbojka může být tlumitelná, paralelní provoz více výbojek je možný pouze s jedním zdrojem napětí aje docílena vysoká efektivita produkce záření při hustotách výkonů, které jsou nyní požadované ve světelné technice.
V jednom výhodném provedení vynálezu je výbojková baňka opatřena vrstvou luminiscenční látky, aby se ve výboji vzniklé světlo transformováno do zvláště vhodných spektrálních oblastí. Vrstva luminoforu se dá použít jak u podtlakových výbojek, tak i u přetlakových výbojek. Mohou zde být použity známé luminofory, respektive směsi. Zvlášť dobře se u zářivek osvědčila kombinace z modře, zeleně a červeně emitujících luminoforů. Vhodná modrá luminiscenční látka je zejména hlinitan barya a hořčíku, aktivovaný dvojmocným europiem (BaMgAll00l7:Eu2+.). Jako zelené komponenty mohou být použity zejména luminofory aktivované terbiem a manganem. Příklady jsou terbiem aktivovaný křemičitan oxidu yttria (Y2SiO5:Tb) nebo fosforečnan lathanitý (LaPO^Tb), respektive dvojmocným manganem aktivovaný křemičitan zinečnatý (Zn2SiO4.Mn) nebo hlinitan hořečnatý (MgAl2O4:Mn). Výhodné červené komponenty se nacházejí mezi luminofory aktivovanými třímocným europiem, jako například oxid yttritý (Y2O3:Eu3+) nebo boridy yttria a/nebo gadolinia. Jednotlivě se jedná o YBO3:Eu3+, GdBo3:Eu3+ a smíšený borid (Gd,Y)BO3:Eu3+.
-6CZ 286740 B6
Pro výbojky s teplejší barvou světla může být podíl modrých komponentů zmenšen nebo popřípadě úplně vynechán, odpovídaje předem danému postupu u obvyklých zářivek.
Pro výbojky se speciálními vlastnostmi barev produkovaného světla se hodí komponenty, které emitují v modrozelené oblasti spektra, například luminoforu, které jsou aktivované dvojmocným europiem. Pro toto použití je upřednostňován fosforečnan stroncia a boru Sr6BP502o:Eu2+.
Vynález znamená novou etapu na poli zářivek. Poprvé se podařilo upustit u náplní od rtuti a přesto docílit vnitřní UV účinnosti, které odpovídají účinnostem konvenčních zářivek. V porovnání s konvenčními zářivkami tak dostaneme ještě následující výhody. Je možný bezproblémový start za studená, aniž by teplota okolí měla vliv na světelný tok nebo aby vyvstalo zčemávání baňky. Mimoto nejsou potřebné životnost omezující elektrody (například žhavené katody s emitující pastou), těžké kovy nebo radioaktivní součásti (doutnavkový startér). Kromě toho je oproti žárovkám a výbojkám se žhavenými katodami záření emitováno bez jmenovitého zpoždění, bezprostředně po přiložení provozního napětí na elektrody (zpoždění svitu čistého výboje: asi 10 ps, s luminiscenční látkou: asi 6 ms. V porovnání ktomu činí doba odezvy žárovky asi 200 ms). To je především výhodné pro použití světelné signalizace zařízení, u dopravního a signalizačního osvětlení.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude dále blíže vysvětlen na základě jednotlivých příkladů provedení. Ty velmi schematizované ukazují:
Obr. 1 podélný pohled s částečným řezem na výbojku v provedení podle vynálezu ve tvaru tyčky, výbojka pracuje podle nového způsobu provozu.
Obr.2a řez A - A výbojkou, která je zobrazena na obr. 1.
Obr. 2b řez dalším provedením výbojky podle vynálezu.
Obr. 2c řez dalším provedením výbojky podle vynálezu.
Obr. 3a schematické zobrazení průběhu napětí mezi katodou a anodou, který je nejvhodnější pro jednostranně dielektricky bráněnou výbojku z obr. 1.
Obr. 3b schematické zobrazení průběhu napětí, který může být použit jen pro provoz oboustranně dielektricky bráněných výbojek.
Obr. 4a půdorys dalšího provedení výbojky podle vynálezu s částečným řezem, výbojka je ve tvaru plošného zářiče, který může pracovat podle nového způsobu provozu.
Obr. 4b řez výbojkou, která je zobrazena na obr. 4a.
Obr. 5a bokorys dalšího provedení výbojky podle vynálezu ve tvaru konvenční lampy s Edisonovou šroubovou paticí, výbojka může pracovat podle nového způsobu provozu.
Obr. 5b řez A - A výbojkou, která je zobrazena na obr. 5a.
Obr. 6a schematické zobrazení některých unipolámích průběhů napěťových impulzů Uc(t) podle vynálezu se zápornými hodnotami.
-7CZ 286740 B6
Obr. 6b schematické zobrazení některých bipolámích průběhů napěťových impulzů Uc(ť) podle vynálezu.
Obr. 6c schematické zobrazení některých průběhů napěťových impulzů Uc(ť) podle vynálezu, vytvořených kombinacemi jednotlivých prvků z obr. 6a a 6b.
Obr. 7 naměřené časové průběhy napětí U(ť). proudu I(t) a výkonu P(ť)= U(t)* I(t) při provozu podle vynálezu (173 kPa, Xe, frekvence impulzů: 25 kHz).
Obr. 8 zobrazení odpovídající obr. 8, aleje změněna osa času.
Obr. 9a,bfotografické zobrazení výbojových struktur podle vynálezu.
Obr. lOa-d fotografické zobrazení přechodu k nežádoucím výbojovým strukturám.
Příklady provedení vynálezu
Na základě obr. 1 se dá objasnit vynález ve zvláště jednoduchém provedení. Výbojka pro střední tlaky 1, která je naplněna xenonem o tlaku 200 hPa, je ukázána v podélném pohledu s částečným řezem. Uvnitř cylindrické výbojkové baňky 2 ze skla, s délkou 590 mm, průměrem 24 mm a tloušťkou stěny 0,8 mm, se nachází vnitřní elektroda 3 v podobě tyčky z ušlechtilé oceli o průměru 2,2 mm. Podélná osa výbojky je rovnoběžná s vnitřní elektrodou. Vně výbojkové baňky 2 se nachází vnější elektroda, která se skládá ze dvou proužků 4a,b vodivého stříbra které jsou 2 mm široké, jsou postaveny rovnoběžně s osou a jsou vodivě spojeny se zdrojem napětí. Jednotlivé proužky 4a,b z vodivého stříbra mohou být spolu spojeny prstencem z kovu a společně kontaktovány k napájecímu napětí, jako u předloženého příkladu provedení. Přitom je ale potřeba dávat pozor na to, aby kovový prstenec byl dostatečně úzce tvarován, aby výboj nebyl rušen. Jako varianta mohou být také proužky 4a,b z vodivého stříbra připojeny odděleně k napájecímu napětí. Vnitřní elektroda 3 je vodivě spojena s přiváděčem proudu 14 ve tvaru luku. Přiváděč proudu 14 je vyveden ven výliskem 15, který je pomocí talířovitého zátavu 16 plynotěsně spojen s výbojkovou baňkou 2.
Ve variantě tohoto příkladu provedení má výbojková baňka v oblasti kovového prstence zvětšený průměr, například ve tvaru vyboulení. Tím je v této oblasti potlačen vznik rušivých parazitních výbojů. Ve zvláště výhodné variantě výše jmenovaného příkladu provedení je tyčkovitá vnitřní elektroda připevněna pevně pouze k prvnímu talířovitému zátavu. Druhý volný konec je vyveden svůlí do cylindrické objímky, připevněné centricky osově na druhém talířovitém zátavu, obdobně jako je tomu u hybného uložení. To má tu výhodu, že se vnitřní elektroda může při oteplení, například při dlouhém provozu s velkými elektrickými výkony, bez potíží protáhnout ve směru osy. Jinak mohou ve výbojkové baňce vzniknout nežádoucí napětí v materiálech a/nebo elektroda se může prohnout. Výše jmenované body těchto variant se neomezují se svými výhodnými účinky jen na způsob provozu podle vynálezu, nýbrž se principiálně hodí pro všechny výbojky podobného typu.
Obrázek 2a ukazuje průřez výbojkou z obr. 1. Vnitřní elektroda 3 centricky umístěna, přičemž na vnějších stěnách výbojkové baňky 2 jsou dvě elektrody 4 a,b, které jsou symetricky rozděleny po obvodu.
Principiální složení žádaného napájecího napětí pro provoz výbojky 1 podle vynálezu je též schematicky zobrazeno na obr. 1. Posloupnost impulzů, to znamená tvar a délka napěťových impulzů a délka nevyužitých dob, je vytvořena v impulzním generátoru 10 a zesílena následujícím výkonovým zesilovačem U. Řada impulzů je schematicky zobrazena tak jak je
-8CZ 286740 B6 přiložena na vnitřní elektrodu 3. Vysokonapěťový transformátor 12 transformuje signál z výkonového zesilovače 11 na požadované vysoké napětí. Lampa pracuje s pulzujícím jednocestným napětím. Jedná se o negativní obdélníky podle obr. 3a. Ty mají následující parametry: impulzní doba Tp = 2 ps, nevyužitá doba To = 25 ps, amplituda napětí Up během Tp: -3 kV a amplituda napětí Uo během To: OV.
Vnitřní stěna výbojkové baňky je navíc potažena vrstvou luminoforu 6. V tomto příkladu provedení je od výboje žádoucí, aby emitoval UV-záření. Záření je pak vrstvou konvertováno do viditelné oblasti optického spektra, takže výbojka je vhodná pro osvětlovací účely. Jedná se o třívrstvou luminiscenční látku s následujícími komponenty: modrý komponent je BaMgAlioO]7:Eu2+, zelený komponent je Y2SiOs:Tb a červený komponent je Y2O3:Eu3+. Tím je dosažena světelná výtěžnost 37 lm/W. Při teplotě barvy 4000 K může být dosaženo Ra > 80.S pomocí luminoforu činí získaná VUV účinnost asi 65%. Některé další příklady náplní a provozních dat této výbojky jsou viditelné na následující tabulce. V ní p znamená tlak plynu, Up maximální hodnotu napěťového impulzu, up maximální hodnotu napěťového impulzu vztaženou na doskok výboje (1,2 cm) a tlak a ηνυν označuje dosaženou VUV účinnost. Přenesený elektrický výkon činil 18W, doba impulzu Tp (čas mezi vzestupem a poklesem na 10% maximální hodnoty) je asi 1,5 ps (při pološířce 1 ps) a nevyužitá doba To je asi 27 ps.
Tabulka
p (Xe) [hPa] p(Ne) [hPa] Up [kV] Up [V/cm Pa] η vuv [%]
100 2,41 0,200 55
133 - 2,39 0,150 60
200 2,95 0,123 65
200 733 3,50 0,031 60
Další příklad provedení vynálezu ukazuje obr. 2b. Vnitřní elektroda 3' je excentricky v blízkosti vnitřní stěny a je postavena rovnoběžně s podélnou osou cylindrického výbojového prostoru 2, přičemž vnější elektroda 4' je připevněna diametrálně na protější vnější stěně. Tato sestava je zvláště výhodná u cylindrických výbojkových baněk s malým průřezem, poněvadž výboj se diametrálně rozloží uvnitř výbojového prostoru a vnější sténaje potažena jen jedním proužkem z vodivého stříbra jako vnější elektrodou, to znamená, že vyzařující plocha není dále zmenšována druhou vnější elektrodou, jako na obr. 2a.
V dalším příkladu provedení vynálezu na obr. 2c je vnitřní elektroda 3 položena centricky uvnitř výbojkové baňky 2, podobně jako na obr. 2a. Na obvod vnější stěny výbojkové baňky 2 jsou připevněny čtyři vnější elektrody 4'a, 4'b, 4'd, 4'e, které jsou symetricky rozděleny kolem obvodu, takže tato konfigurace se hodí především pro výbojkové baňky s velkým průřezem a tím i velkou plochou pláště. Výboj nehoří pouze v první rovině jako na obr. 2a, respektive obr. 2b, nýbrž ještě ve druhé rovině, čímž je objem výbojkové baňky 2 využit ještě lépe k produkci záření, než jak je tomu u obr. 2a a u obr. 2b.
V dalším příkladu provedení je místo luminiscenční vrstvy 6 na vnitřní stěně tyčovité výbojky z obr. 1 UV, respektive VUV záření reflektující vrstva, například zMgF2, AI2O3 nebo CaF2, přičemž není potažen jenom úzký pruh vnitřní stěny, výhodně paralelní s osou výbojky. Vnější elektrody jsou postaveny tak, že UV, respektive VUV záření může být bez překážek emitováno ven tímto proužkem. Tato forma provedení se dobře hodí pro efektivní VUV ozařování rozsáhlých objektů, například při osvětlování v litografii. Ve výhodné variantě tohoto příkladu provedení je vnitřní elektroda nahrazena druhou vnější elektrodou UV, respektive VUV záření tak může být bez problémů reflektováno na vrstvě a emitováno ven proužkovou průsvitnou zónou.
-9CZ 286740 B6
Na obr. 3a je schematicky ukázán průběh napětí mezi vnitřní elektrodou (katodou) a vnější elektrodou (anodou), který je vhodný pro jednostranně dielektricky bráněný výboj podle vynálezu. Průběh napětí se může odchylovat od příkladu průběhu na obr. 3a, dokud napěťové impulzy na vnitřní elektrodě začínají se záporným znaménkem a jsou odděleny nevyužitou dobou.
Na obr. 3b je schematicky ukázán průběh impulzů, jejichž polarita se mění od impulzu k impulzu. Hodí se pouze pro oboustranně dielektricky bráněný výboj, přičemž první impulz může mít libovolnou polaritu.
Na obr. 4a je ukázán půdorys a na obr. 4b řez dalšího příkladu provedení výbojky pro jednostranně dielektricky bráněný výboj, která může pracovat podle nového způsobu provozu. Jedná se o plošný zářič, který obsahuje horní vyzařovací plochu 7a a paralelní spodní vyzařovací plochu 7b, k nimž jsou pravoúhle orientovány vnitřní elektrody 3 a vnější elektrody 4. Ty jsou střídavě postaveny tak, že vzniká značný počet paralelních výbojových komor 8. Sousedící vnější a vnitřní elektrody jsou odděleny dielektrickou vrstvou a plynem naplněnou výbojovou komorou 8, sousední vnitřní elektrody jsou odděleny pouze dielektrickou vrstvou. Způsob provozu podle vynálezu dovoluje elektrické napájení více paralelně zapojených výbojových komor 8 pouze zjednoho napájecího zdroje 13. Vnitřní stěna výbojového prostoru je potažena vrstvou luminoforu 6. Plošný zářič je taktéž realizovatelný sloučením oboustranně dielektricky bráněných výbojových komor.
Na obr. 5a je ukázán bokorys a na obr. 5b řez dalšího příkladu provedení výbojky. Svým vnějším provedením se podobá konvenčním lampám s Edisonovou paticí 9 a může pracovat podle nového způsobu provozu. Uvnitř výbojkové baňky 2 je centricky postavena podlouhlá vnitřní elektroda 3, jejíž průřez odpovídá tvaru symetrického kříže. Na vnější stěnu výbojkové baňky 2 jsou tak připevněny čtyři vnější elektrody 4'a, 4'b, 4'd. 4'e, že stojí proti čtyřem stranám vnitřní elektrody 3 a výbojové struktury tak hoří v podstatě ve dvou rovinách, které jsou k sobě kolmé a protínají se v podélné ose výbojky.
V další výhodné variantě výše jmenovaného příkladu provedení se vnitřní elektroda skládá z tyčky z ušlechtilé oceli s kruhovým průřezem a průměrem 2 mm. Je postavena centricky osově uvnitř kruhového a cylindrického výbojového prostoru z 0,7 mm tlustého skla. Výbojková baňka má průměr asi 50 mm a má zatavení na konci, který je na druhé straně než je patice a do kterého je zaveden odpovídající konec vnitřní elektrody. Výbojková baňkaje vyplněna xenonem o tlaku 173 hPa. Vnější elektrody jsou realizovány dvanácti 1 mm širokými a 8 cm dlouhými proužky z vodivého stříbra, které jsou postaveny rovnoběžně s osou a jsou rovnoměrně rozděleny na vnější stěně výbojkové baňky. Vnější elektrody jsou v oblasti patice na vnější stěně dohromady elektricky propojeny pomocí prstencovitého proužku vodivého stříbra. Vnitřní stěna výbojkové baňky je potažena vrstvou luminoforu 6. Jedná se o třívrstvý luminofor s modrým komponentem BaMgAl]0Oi7:Eu2+, zeleným komponentem LaPO4:(Tb3+,Ce3+) a červeným komponentem (Gb,Y)BO3:Eu3+. Tím je docílena světelná výtěžnost 40 lm/W. Teplota barvy činí 4000 K a barva má koordináty x = 0,38 a y = 0,377 podle tabulky norem barev podle CIE. Časové průběhy napětí U(t), proudu I(t) a výkonu P(t) = U(t)*I(t) jsou na obr. 7 a se změněným měřítkem času na obr. 8. Maximální hodnota napětí mezi vnitřní elektrodou a vnějšími elektrodami činí asi -4 kV. Doba impulzu (doba trvání při polovině maximální hodnoty) a nevyužitá doba činí asi 1,2 ps, respektive asi 37,5 ps. Na obr. 8 jsou před druhým hlavním impulzem v průběhu napětí zřetelně rozpoznatelné ještě čtyři předimpulzy smenší amplitudou. Jak se dá poznat zodpovídajících průběhů proudu I(t) a výkonu P(t), neteče během těchto předimpulzů proud a do plynu tedy není přenesen elektrický výkon. Proto jsou předimpulzy tohoto druhu neškodné pro provoz podle vynálezu. Při frekvenci impulzů 25 kHz je docílena VUV účinnost asi 65 %.
-10CZ 286740 B6
V další variantě výše jmenovaného příkladu provedení vynálezu se výbojková baňka skládá z materiálu, který je průsvitný pro UV, respektive VUV záření, například SUPRASIL® křemíkové sklo (firma Heraeus Quarzschmelze Gmbh). Tato výbojková baňka se hodí jako VUV zářič, například ve fotochemii. V další variantě je vnitřní elektroda potažena sklem. To je zvláště výhodné při použití agresivních prostředí, jelikož se tímto způsobem zabrání korozi vnitřní elektrody.
Obrázky 9 a,b ukazují fotografické zobrazení výbojových struktur podle vynálezu, kterých bylo dosaženo unipolámími napěťovými impulzy. U obr. 9a se jedná o oboustranně dielektricky bráněný výboj. Cylindrická výbojková baňka ze skla ve tvaru kruhové roury je na vnější stěně opatřena dvěma osově postavenými vnějšími elektrodami ve tvaru proužků, které leží diametrálně proti sobě. Uvnitř výbojkové baňky jsou v rovině, jež spojuje obě vnější elektrody, postaveny v řadě přesné výbojové struktury, které jsou podobné tvaru Δ. Úzké paty výbojových struktur, jež jsou podobné Δ, začínají na katodové straně vnitřní stěny a šíří se až k anodové straně vnitřní stěny výbojového prostoru. Na obr. 9b se jedná o jednostranně dielektricky bráněný výboj. Uspořádání výbojů se liší od toho na obr. 9a pouze v přídavné kovové vnitřní elektrodě ve tvaru tyčky. Působí jako katoda a je centricky postavena uvnitř výbojkové baňky. Z povrchu vnitřní elektrody se šíří jednotlivé výbojové struktury, které jsou podobné Δ, k jedné z obou vnějších elektrod. Zejména na obr. 9b je zřetelně rozpoznatelné, že tyto struktury v podstatě rovnoměrně září. Pouze na jejich úzkých koncích na katodové straně mají trochu jasněji svítící oblast, která však je procentuálně jen velmi málo jasnější. Za pozornost stojí vysoká stejnorodost výbojových struktur, a to jak co se týče odstupu struktur od sebe, tak i tvaru a rozdělení jasu jednotlivých struktur mezi sebou.
Značný počet stejnorodých struktur je v patrném kontrastu na fotografických zobrazeních na obrázcích 10 a-d. Ukazují v této posloupnosti pozvolný přechod k nežádoucím výbojovým strukturám. Na obr. 10a, který odpovídá uspořádání výbojů obr. 9, jdou ještě rozpoznat některé výbojové struktury podle vynálezu, které jsou podobné Δ. V levé spodní části zobrazení uspořádání výbojů se právě vytvořila výbojová struktura, která se podobí V. V horní části zobrazení, trochu vlevo od středu obrázku, se právě vytvořila jasně svítící struktura, která je podobná vláknům, na úkor původně vpravo sousedící výbojové struktury, která je podobná Δ. Zvýšený jas na vnitřních stěnách výbojového prostoru poukazuje na klouzavý výboj v této oblasti. Výbojová oblast, zobrazená na obr. 10b, má oproti obr. 10a ještě více sníženou UV účinnost. Počet struktur, které se původně vyskytovaly v této oblasti, se dále zmenšil. Na obr. 10c a lOd se jedná o oboustranně, respektive jednostranně dielektricky bráněný výboj (uspořádání výbojů odpovídá uspořádání na obr. 9a). V obou případech je už pouze vidět struktura podobná vláknům. V oblasti anody jdou na vnitřních stěnách výbojkové baňky rozpoznat dva proužkovité klouzavé výboje. Ty ústí ve tvaru Y do jasně svítící lukovité struktury. Ta se dělí na protilehlé katodové vnitřní stěně znovu ve dva podobné proužkovité klouzavé výboje (obr. 10c), respektive při jednostranném dielektrickém bránění končí na katodě.
Vynález se neomezuje na uvedené příklady provedení. Především mohou být jednotlivé body různých příkladů provedení vhodným způsobem kombinovány.

Claims (13)

1. Způsob provozu nekoherentně vyzařujícího zdroje záření, zejména výbojky (1), pomocí dielektricky bráněného výboje, při němž je alespoň částečně průsvitná výbojková baňka (2) z elektricky nevodivého materiálu naplněna plynnou náplní (5), při němž jsou alespoň dvě elektrody (3, 4) umístěny u plynné náplně (5) a pomocí přívodů jsou spojeny se zdrojem elektrické energie, a při němž mezi alespoň jednou elektrodou (4) a plynnou náplní (5) je uspořádána dielektrická vrstva, vyznačující se tím, že zdroj elektrické energie vysílá řadu impulzů napětí Upn(t) na obě elektrody (3, 4), přičemž jednotlivý impulz n je charakterizován časovým průběhem napětí Upn(t) a dobou Tp„ s hodnotami řádově od 1 ns do 50 ps a impulz n je od následujícího impulzu n+1 oddělen nevyužitou dobou Ton s hodnotami řádově od 500 ns do 1 ms a průběhem napětí Uon(t), přičemž během doby Tpn se průběhy napětí Upn(t) zvolí tak, že do plynné náplně (5) se během doby Τρη přenese zejména elektrický výkon, zatímco během nevyužitých dob Ton se průběhy napětí Uon(t) zvolí tak, že plynná náplň (5) se vrací do stavu, který odpovídá stavu před předešlým impulzem napětí Up„(t).
2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že průběhy napětí Upn(t) jsou unipolámí a v unipolámím případě tvoří výboj jednotlivé výbojové struktury podobné tvaru řeckého písmene delta, a při měnící se polaritě oboustranně dielektricky bráněného výboje vznikne tomu odpovídající zrcadlové překrytí dvou takových struktur podobných tvaru řeckého písmene delta, přičemž odstupy těchto jednotlivých struktur se změnou parametrů výboje zmenší, a přičemž v mezním případě vyzařuje celá rovina výboje ve struktuře podobné zácloně.
3. Způsob podle nároku 1 nebo 2, vyznačující se tím, že nevyužité doby T%n se zvolí v rozsahu od 500 ns do 1 ms tak, že časová střední hodnota objemu jedné jednotlivé výbojové struktury je maximální.
4. Způsob podle alespoň jednoho z nároků laž3, vyznačující se tím, že během dob se pro průběhy napětí Upn(t) mezi elektrodami (3, 4) zvolí hodnoty, které odpovídají znovuzapálení výboje, včetně úbytku napětí, způsobeného dielektrikem.
5. Způsob podle alespoň jednoho z nároků laž4, vyznačující se tím, že průběhy napětí Upn(t) sestávají z alespoň jednoho z následujících základních průběhů: trojúhelníkový, obdélníkový, lichoběžníkový, stupňovitý, lukovitý, parabolový, sinusový.
6. Způsob podle nároku 5, vyznačující se tím, že pro impulzy napětí Uj>n(t) mezi elektrodami (3, 4) se během doby Tp„ zvolí maximální hodnoty, které odpovídají alespoň hodnotám pro znovuzapálení, včetně úbytku napětí, způsobeného dielektrikem.
7. Způsob podle nároku 6, vyznačující se tím, že maximální hodnoty impulzů napětí Upn(t) leží v oblasti mezi 0,01 V a 2 V na jeden cm doskokové vzdálenosti a na jeden Pascal tlaku náplně.
8. Způsob podle alespoň jednoho z nároků laž7, vyznačující se tím, že tvorba výbojových struktur se srovnatelně nízkými proudovými hustotami se dosahuje zvětšením tlouštěk dielektrických vrstev a snížením dielektrických konstant.
9. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že průběh napětí mezi elektrodami (3, 4), mezi nimiž se vytvářejí jednotlivé výboje, je periodický.
-12CZ 286740 B6
10. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, žeu alespoň jedné elektrody je dielektrická vrstva vytvořena stěnou výbojkové baňky (2).
11. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že v případě jednostranně dielektricky bráněného výboje začínají průběhy napětí Upn(t) na dielektricky nebráněné elektrodě/elektrodách (3) se zápornými hodnotami, měřeno proti dielektricky bráněné elektrodě/elektrodám (4) během výkonového přenosu, nehledě na eventuální kladné napěťové špičky, které jsou bezvýznamné z hlediska přenosu činného výkonu.
12. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že v případě jednostranně dielektricky bráněného výboje jsou impulzy napětí Upn(t) na dielektricky nebráněné elektrodě/elektrodách (3) výhradně záporné, měřeno proti dielektricky bráněné elektrodě/elektrodám (4) během výkonového přenosu, nehledě na eventuální kladné napěťové špičky, které jsou bezvýznamné z hlediska přenosu činného výkonu.
13. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že v případě uspořádání více dielektricky bráněných elektrod se mezi oboustranně dielektricky bráněné elektrody přivádějí unipolámí nebo bipolámí impulzy napětí Upn(t).
CZ19952421A 1993-04-05 1994-04-05 Operation process of non-coherently radiating radiation source CZ286740B6 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4311197A DE4311197A1 (de) 1993-04-05 1993-04-05 Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ242195A3 CZ242195A3 (en) 1996-07-17
CZ286740B6 true CZ286740B6 (en) 2000-06-14

Family

ID=6484818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ19952421A CZ286740B6 (en) 1993-04-05 1994-04-05 Operation process of non-coherently radiating radiation source

Country Status (10)

Country Link
US (2) US5714835A (cs)
EP (4) EP0738311B1 (cs)
JP (6) JP3714952B2 (cs)
KR (1) KR100299151B1 (cs)
CN (1) CN1066854C (cs)
CA (2) CA2155340C (cs)
CZ (1) CZ286740B6 (cs)
DE (5) DE4311197A1 (cs)
HU (1) HU215307B (cs)
WO (2) WO1994023442A1 (cs)

Families Citing this family (493)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19517515A1 (de) * 1995-05-12 1996-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe und Verfahren zum Betreiben derartiger Entladungslampen
DE19526211A1 (de) * 1995-07-18 1997-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler
US6153971A (en) * 1995-09-21 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source with only two major light emitting bands
DE19543342A1 (de) * 1995-11-22 1997-05-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren und Strahlungsanordnung zur Erzeugung von UV-Strahlen zur Körperbestrahlung sowie Verwendung
DE19548003A1 (de) * 1995-12-21 1997-06-26 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsspannungsfolgen, insbesondere für den Betrieb von dielektrisch behinderten Entladungen
JP3277788B2 (ja) * 1996-01-16 2002-04-22 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
CN1534803B (zh) 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
DE19636965B4 (de) * 1996-09-11 2004-07-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle
JP3546610B2 (ja) * 1996-09-20 2004-07-28 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電装置
DE19651552A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe
JP3355976B2 (ja) * 1997-02-05 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
US5998921A (en) * 1997-03-21 1999-12-07 Stanley Electric Co., Ltd. Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode
CN1267967C (zh) * 1997-03-21 2006-08-02 电灯专利信托有限公司 背景照明用的平面荧光灯和带有该荧光灯的液晶显示装置
DE19711892A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
DE19711893A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
DE19718395C1 (de) * 1997-04-30 1998-10-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb
JP2001502843A (ja) * 1997-07-22 2001-02-27 パテント―トロイハント―ゲゼルシャフト フュール エレクトリッシェ グリューラムペン ミット ベシュレンクテル ハフツング パルス電圧列の発生方法およびそのための回路装置
DE19734883C1 (de) * 1997-08-12 1999-03-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
DE19734885C1 (de) * 1997-08-12 1999-03-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
DE69837500T2 (de) * 1997-11-06 2007-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Phosphormaterial und Plasma-Anzeigetafel
EP0926705A1 (de) 1997-12-23 1999-06-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahler mit örtlich modulierter Flächenleuchtdichte
EP0932185A1 (de) 1997-12-23 1999-07-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Signallampe und Leuchtstoffe dazu
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
JP3353684B2 (ja) * 1998-01-09 2002-12-03 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
JP3521731B2 (ja) 1998-02-13 2004-04-19 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
DE19811520C1 (de) * 1998-03-17 1999-08-12 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19817480B4 (de) * 1998-03-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern
DE19817475B4 (de) * 1998-04-20 2004-04-15 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe
DE19817476B4 (de) 1998-04-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke
DE19817477A1 (de) * 1998-04-20 1999-10-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe mit auf die geometrische Entladungsverteilung abgestimmter Leuchtstoffschichtdicke
DE19826808C2 (de) * 1998-06-16 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19826809A1 (de) * 1998-06-16 1999-12-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE19839329A1 (de) 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19839336A1 (de) 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19843419A1 (de) 1998-09-22 2000-03-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19844721A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration
DE19844720A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
DE19844725A1 (de) * 1998-09-29 2000-03-30 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Gasentladungslampe mit steuerbarer Leuchtlänge
DE19905219A1 (de) 1998-09-30 2000-08-31 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE19845228A1 (de) * 1998-10-01 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
JP4587567B2 (ja) * 1998-10-20 2010-11-24 三星エスディアイ株式会社 プラズマ表示パネル
DE19858810A1 (de) 1998-12-21 2000-06-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren
WO2000058998A1 (en) * 1999-03-25 2000-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting arrangement
US6191539B1 (en) * 1999-03-26 2001-02-20 Korry Electronics Co Fluorescent lamp with integral conductive traces for extending low-end luminance and heating the lamp tube
DE19916877A1 (de) * 1999-04-14 2000-10-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Sockel
DE19919169A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-02 Philips Corp Intellectual Pty Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe
DE19927791A1 (de) 1999-06-18 2000-12-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Farbanzeige mit sequentieller Primärfarberzeugung
DE19928438A1 (de) * 1999-06-23 2000-12-28 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe
EP1176853B1 (en) 1999-10-18 2008-04-02 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Dielectric barrier discharge lamp light source
DE19953531A1 (de) 1999-11-05 2001-05-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Elektrodenhalterung
DE19955108A1 (de) * 1999-11-16 2001-05-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit verbesserter Temperaturhomogenität
DE19960053A1 (de) 1999-12-13 2001-06-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE10005975A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-16 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Betriebsverfahren für eine Entladungslampe mit mindestens einer dielektrisch behinderten Elektrode
DE10011484A1 (de) 2000-03-09 2001-09-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verbessertes Pulsbetriebsverfahren für eine Stille Entladungslampe
DE10014407A1 (de) * 2000-03-24 2001-09-27 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe
CA2406194A1 (en) * 2000-04-14 2001-10-25 Macquarie Research Ltd. Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
US6541924B1 (en) 2000-04-14 2003-04-01 Macquarie Research Ltd. Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
AU2001250151B2 (en) * 2000-04-14 2004-07-22 Macquarie Research Ltd Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
EP1277224B1 (en) 2000-04-19 2007-08-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. High-pressure discharge lamp
DE10023504A1 (de) * 2000-05-13 2001-11-15 Philips Corp Intellectual Pty Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe
DE10026913A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht
US6961441B1 (en) 2000-09-29 2005-11-01 General Electric Company Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data
DE10048409A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation
DE10048410A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe
JP3818043B2 (ja) * 2000-10-12 2006-09-06 株式会社日立製作所 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置
JP2002212553A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Kasei Optonix Co Ltd 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ
DE10104364A1 (de) * 2001-02-01 2002-08-14 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht
JP3471782B2 (ja) * 2001-02-13 2003-12-02 Nec液晶テクノロジー株式会社 平面型蛍光ランプユニット及びそれを用いた液晶表示装置
DE10111191A1 (de) 2001-03-08 2002-09-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren mit Kontaktsystem
DE10121095A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10122211A1 (de) 2001-05-08 2002-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung mit Spiegelfläche
US6833677B2 (en) * 2001-05-08 2004-12-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. 150W-1000W mastercolor ceramic metal halide lamp series with color temperature about 4000K, for high pressure sodium or quartz metal halide retrofit applications
DE10126159A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-05 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10129630A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-02 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung
DE10133326A1 (de) 2001-07-10 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10133411A1 (de) * 2001-07-13 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs
DE10133949C1 (de) * 2001-07-17 2003-03-20 Inst Niedertemperatur Plasmaph Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen, die nach dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung aufgebaut ist, für Lichtquellen und Sichtanzeigeeinrichtungen
DE10134965A1 (de) * 2001-07-23 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Entladungslampe
DE10140355A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10140356A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe
JP4727093B2 (ja) * 2001-09-12 2011-07-20 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
US6891334B2 (en) 2001-09-19 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display employing the same
EP1296357A2 (en) 2001-09-19 2003-03-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display employing the same
DE10147961A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verfahren sowie Schaltunggsanordnung zum Zünden und Betreiben dieser Lampe
US6806648B2 (en) * 2001-11-22 2004-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display device
US6906461B2 (en) * 2001-12-28 2005-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device with inner and outer electrodes and liquid crystal display device
DE10214156A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur
JP3889987B2 (ja) * 2002-04-19 2007-03-07 パナソニック フォト・ライティング 株式会社 放電灯装置及びバックライト
JP2003336052A (ja) * 2002-05-17 2003-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイ装置
DE10222100A1 (de) 2002-05-17 2003-11-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Sockel
DE10236420A1 (de) 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
TWI230962B (en) * 2002-08-30 2005-04-11 Harison Toshiba Lighting Corp Lighting device
DE10254208A1 (de) * 2002-11-20 2004-06-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verwendung dieser Lampe für die Röntgenbildbetrachtung
US6827877B2 (en) * 2003-01-28 2004-12-07 Osram Sylvania Inc. Red-emitting phosphor blend for plasma display panels
JP3793880B2 (ja) * 2003-02-06 2006-07-05 松永 浩 点灯装置
US6730458B1 (en) 2003-03-03 2004-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction
DE10312720A1 (de) * 2003-03-21 2004-09-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Quetschdichtung
US6831421B1 (en) 2003-03-24 2004-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Shunt-induced high frequency excitation of dielectric barrier discharges
EP1473348B1 (en) * 2003-04-30 2007-03-21 Centrum für Angewandte Nanotechnologie (CAN) GmbH Luminescent core/shell nanoparticles
DE10324832A1 (de) * 2003-06-02 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Leuchtstoff
DE10326755A1 (de) 2003-06-13 2006-01-26 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
JP2007531205A (ja) * 2003-07-15 2007-11-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色調整可能な照明素子
DE10336088A1 (de) * 2003-08-06 2005-03-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäß
DE10347636A1 (de) * 2003-10-09 2005-05-04 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit mindestens einer Außenelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7964112B2 (en) * 2003-10-21 2011-06-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphor and phosphor paste
US7863816B2 (en) * 2003-10-23 2011-01-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
JP3872472B2 (ja) * 2003-11-12 2007-01-24 日亜化学工業株式会社 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管
DE10359882A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanordnung zum Betreiben von elektrischen Lampen
DE102004020398A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US7196473B2 (en) * 2004-05-12 2007-03-27 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102004025266A1 (de) * 2004-05-19 2005-12-08 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einem Gehäuse und einer darin angeordneten Flachlampe
CN1961056A (zh) * 2004-05-27 2007-05-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含uv-a磷光体的低压汞蒸气放电灯
US20060006804A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Lajos Reich Dielectric barrier discharge lamp
US7446477B2 (en) * 2004-07-06 2008-11-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement
KR20060004791A (ko) * 2004-07-08 2006-01-16 삼성코닝 주식회사 평판 램프
US7390437B2 (en) * 2004-08-04 2008-06-24 Intematix Corporation Aluminate-based blue phosphors
JP4575123B2 (ja) * 2004-11-29 2010-11-04 浜松ホトニクス株式会社 誘電体バリア放電ランプ
CN101238548B (zh) * 2005-01-07 2012-05-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 分段的介质阻挡放电灯
KR20070117691A (ko) * 2005-03-30 2007-12-12 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 방전 램프 및 그러한 방전 램프를 포함하는 디스플레이장치를 백라이팅하기 위한 백라이팅 유닛
DE102005034505A1 (de) 2005-07-20 2007-02-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanorndung mit transformatorlosem Wandler mit Drossel für den gepulsten Betrieb von dielektrischen Barriere-Entladungslampen
KR100725763B1 (ko) 2005-12-05 2007-06-08 주식회사 신안유브이 전계 자외선 방전등
US7495396B2 (en) * 2005-12-14 2009-02-24 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102006010791A1 (de) * 2006-03-08 2007-09-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202006005212U1 (de) * 2006-03-31 2006-07-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit dielektrischer Barriere-Entladungslampe, Betriebsgerät und Verbindungskabel
CN101421374A (zh) * 2006-04-11 2009-04-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含uv-磷光体的放电灯
US20080174226A1 (en) 2007-01-23 2008-07-24 Nulight Technology Corporation Mercury-free flat fluorescent lamps
DE102007006861B3 (de) * 2007-02-12 2008-05-29 Universität Karlsruhe (Th) Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung
DE202007002131U1 (de) * 2007-02-13 2007-04-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202007004236U1 (de) * 2007-03-22 2007-06-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Zündhilfe
JP4668287B2 (ja) * 2008-02-18 2011-04-13 シャープ株式会社 照明装置および液晶表示装置
WO2009139908A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Rutgers, The State University Fluorescent excimer lamps
US20110056513A1 (en) * 2008-06-05 2011-03-10 Axel Hombach Method for treating surfaces, lamp for said method, and irradiation system having said lamp
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5195371B2 (ja) * 2008-12-05 2013-05-08 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
DE102009030310A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Entladungsräumen
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9493366B2 (en) 2010-06-04 2016-11-15 Access Business Group International Llc Inductively coupled dielectric barrier discharge lamp
JP5504095B2 (ja) * 2010-08-10 2014-05-28 株式会社オーク製作所 放電ランプ
DE102010043208A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen
DE102010043215A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
JP6055170B2 (ja) * 2011-06-15 2016-12-27 セイコーエプソン株式会社 光源装置、放電灯の駆動方法およびプロジェクター
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
TW201310497A (zh) * 2011-07-13 2013-03-01 Gs Yuasa Int Ltd 紫外線照射裝置
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
DE102012018854B4 (de) * 2012-09-25 2018-02-15 Berger GmbH & Co.KG Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit drei Elektroden und zwei Gasräumen
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
WO2014068622A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Empire Technology Development Llc Light guide structure and illuminating device
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1022399A (en) * 1911-08-18 1912-04-09 Joseph T Thomasson Animal-shoeing apparatus.
AT258368B (de) * 1963-12-31 1967-11-27 Philips Nv Leuchtschirm
JPS5915951B2 (ja) * 1974-12-10 1984-04-12 松下電器産業株式会社 ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置
JPS5941474B2 (ja) * 1976-04-30 1984-10-06 大日本塗料株式会社 気体放電発光素子
US4161457A (en) * 1977-03-15 1979-07-17 Dai Nippon Toryo Co., Ltd. Process for preparing a divalent europium activated alkaline earth metal aluminate phosphor
US4423349A (en) * 1980-07-16 1983-12-27 Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith
EP0062993A1 (en) * 1981-04-09 1982-10-20 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Cathode ray tube phosphor layers
JPS5813688A (ja) * 1981-07-20 1983-01-26 Mitsubishi Chem Ind Ltd 螢光体の製造方法
JPS5834560A (ja) * 1981-08-21 1983-03-01 周 成祥 放電灯ディスプレイ装置
CA1198148A (en) * 1982-06-28 1985-12-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrostatic printing process
US4583026A (en) * 1983-07-19 1986-04-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Low-pressure mercury vapor discharge lamp
JPS6155839A (ja) * 1984-08-26 1986-03-20 Osamu Tada 螢光ランプの製造方法
JPH079795B2 (ja) * 1986-12-01 1995-02-01 東芝ライテック株式会社 放電ランプ
AU607520B2 (en) * 1987-08-06 1991-03-07 Shing Cheung Chow Discharge lamp type display device
WO1989001700A1 (en) * 1987-08-10 1989-02-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Green light emitting rare gas discharge lamp
CH675504A5 (cs) * 1988-01-15 1990-09-28 Asea Brown Boveri
JPH02135277A (ja) * 1988-11-17 1990-05-24 Sanyo Electric Co Ltd 蛍光ランプ
US5117160C1 (en) * 1989-06-23 2001-07-31 Nec Corp Rare gas discharge lamp
JP2671575B2 (ja) * 1989-11-22 1997-10-29 日本電気株式会社 ガス放電表示素子の駆動方法
KR930005688B1 (ko) * 1990-02-06 1993-06-24 삼성전관 주식회사 녹색 발광 형광체
FR2672281B1 (fr) * 1991-02-04 1993-04-16 Rhone Poulenc Chimie Phosphate mixte de lanthane, terbium et cerium, procede de fabrication de celui-ci.
US5047173A (en) * 1991-03-08 1991-09-10 Gte Products Corporation Method of reducing the powder weight of europium activated strontium tetraborate phosphor
KR930008163B1 (ko) * 1991-04-02 1993-08-26 삼성전관 주식회사 방전관
DE4209763A1 (de) * 1991-06-18 1992-12-24 Hartmut Dipl Phys Schmidt Elektronisch betriebene kompaktleuchtstofflampe
US5132043A (en) * 1991-12-24 1992-07-21 Gte Products Corporation Method of preparing small particle size borate phosphor
US5436532A (en) * 1993-03-26 1995-07-25 Rockwell International Corporation Fluorescent lamp with improved efficiency

Also Published As

Publication number Publication date
DE59410172D1 (de) 2002-09-26
KR960702169A (ko) 1996-03-28
KR100299151B1 (ko) 2001-10-22
EP0738311B1 (de) 2002-08-21
JP2004303737A (ja) 2004-10-28
HU9502905D0 (en) 1995-12-28
DE4311197A1 (de) 1994-10-06
WO1994022975A1 (de) 1994-10-13
JP3714952B2 (ja) 2005-11-09
US5604410A (en) 1997-02-18
EP0738311A1 (de) 1996-10-23
CA2159906A1 (en) 1994-10-13
EP1078972A3 (de) 2002-03-27
CZ242195A3 (en) 1996-07-17
CA2155340A1 (en) 1994-10-13
CA2159906C (en) 2004-03-30
JP2004296446A (ja) 2004-10-21
EP1076084A3 (de) 2002-01-23
JP2005276846A (ja) 2005-10-06
HU215307B (hu) 1998-11-30
EP0733266A1 (de) 1996-09-25
EP0733266B1 (de) 1998-05-06
HUT71766A (en) 1996-01-29
JP3715231B2 (ja) 2005-11-09
JPH08508363A (ja) 1996-09-03
US5714835A (en) 1998-02-03
CA2155340C (en) 2000-10-03
DE59405921D1 (de) 1998-06-10
EP1076084A2 (de) 2001-02-14
DE59410414D1 (de) 2005-12-01
CN1066854C (zh) 2001-06-06
EP1078972B1 (de) 2005-10-26
JP3298886B2 (ja) 2002-07-08
JPH08508307A (ja) 1996-09-03
WO1994023442A1 (de) 1994-10-13
EP1078972A2 (de) 2001-02-28
EP1076084B1 (de) 2002-10-09
CN1120873A (zh) 1996-04-17
JP2002216985A (ja) 2002-08-02
DE59410196D1 (de) 2002-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ286740B6 (en) Operation process of non-coherently radiating radiation source
KR100399243B1 (ko) 방전램프및그의동작방법
JP3856473B2 (ja) インコヒーレント放射源の点灯方法およびこれに適した照明装置
KR100356960B1 (ko) 고휘도의무전극저압력광원및이를작동하는방법
CA2157208C (en) Neon fluorescent lamp and method of operating
US8946993B2 (en) Fluorescent excimer lamps
GB1583283A (en) Electrodeless fluorescent lamps
EP1532224B1 (en) Device for generating radiation
JP5137391B2 (ja) 誘電体バリア放電ランプ
JPH10255723A (ja) 白色光を発生するネオンガス放電ランプ
JPS5916707B2 (ja) 高圧水銀けい光ランプ
US5565741A (en) Method of operating a neon discharge lamp particularly useful on a vehicle
US4099089A (en) Fluorescent lamp utilizing terbium-activated rare earth oxyhalide phosphor material
US5760547A (en) Multiple-discharge electrodeless fluorescent lamp
RU2336592C2 (ru) Газовые разряды, излучающие в ультрафиолетовом диапазоне, и люминесцентные лампы, содержащие такие газовые разряды
JP2003100258A (ja) 蛍光ランプおよび電球形蛍光ランプ
Masoud et al. High efficiency, fluorescent excimer lamps, an alternative to CFLs and white light LEDs
WO1988000758A1 (en) A high-frequency fluorescent lamp
KR101039570B1 (ko) 전기 램프 어셈블리
US20090072703A1 (en) Low-pressure discharge lamp
KR19990024229A (ko) 플라즈마를 이용한 램프
JPH06283137A (ja) パルス点灯式希ガス放電灯装置
JP2005183316A (ja) 無電極放電ランプ
KR20060100063A (ko) 직관형 무전극 형광램프

Legal Events

Date Code Title Description
IF00 In force as of 2000-06-30 in czech republic
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20090405