KR960702169A - 비간섭성 방출 방사원의 동작방법(process for operating an incoherently emitting radiation source) - Google Patents

Abstract

특히, UV, IR 혹은 VIS 방사를 전도하는 방전램프의 비간섭성 방출 방사원의 동작방법, 이 방전은 방전관 내부에서 아이들 시간에 의해 제지되어, 전압펄스의 트레인에 의해 발생된다; 한단부 혹은 양단부에 유전체로 방해받은 전극이 사용될 수 있다. 충전물, 전극구성, 스파킹 거리, 유전체의 형태와 두께, 시간종속 전압 진폭, 펄스와 아이들 시간들의 적절한 선택으로, 65% 및 더 이상의 UV 발생의 효율이 얻어진다.

Description

비간섭성 방출 방사원의 동작방법(PROCESS FOR OPERATING AN INCOHERENTLY EMITTING RADIATION SOURCE)

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따른 막대모양의 방전램프의 한 실시예의 세로부분 단면도이며, 노벨방법으로 작동될 수 있다.

Claims (25)

1. 적어도 비전도성 물질의 일부투명 방전관(2)이 가스충전물(5)으로 채워지며, 적어도 두 전극(3,4)는 가스충전물(5)의 경계에 배치되어 있고 전기적 에너지 공급장치(10-12)에 공급라인에 의해 연결되어 있고, 유전체층이 적어도 하나의 전극(4)와 가스충전물(5) 사이에 놓여있는 방전등(1)과 같은 비간섭성 방출 방사원을 유전체로 방해받은 방전에 의하여 동작시키는 방법에 있어서, 전극(3,4) 사이의 전기적 에너지 공급장치는 전압펄스 트레인을 공급하며, 각각의 펄스(n)은 전압 Upn(t)와 지속시간 Tpn은 약 1ns에서 50㎲의 크기 값으로 특징지워지며, 각각 펄스(n)은 전압주기 Uon(t) 및 약 500ns에서 1ms의 크기 값을 갖는 아이들 시간의 지속시간 Ton에 의해 연속자(n+1)로 부터 분리되며; 지속시간 Tpn 중에, 전압주기 Upn(t)는 Tpn 중에 우세하게 유효 전력이 가스충전물(5)로 도입되게 선택되며, 반면 아이들 시간 Ton 중에 역으로, 전압주기 Uon(t)는 가스충전물(5)가 특히 이전 전압펄스 Upn(t)에 앞선 상태와 유사한 상태로 복귀할 수 있게 선택되어지며, 변수Upn(t), Tpn, Uon(t), Ton은 전극(3,4) 사이에 비교적 저전류 밀도의 방전구조가 생성되게 서로 조정되는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 전압주기 Upn(t)는 단극이며, 단극의 경우에서 방전은 각각 삼각형 모양의 구조를 발전하고, 각각 상응하는 양단부에 유전체 손상 방전의 주어진 교류극성이 모래시계와 유사한 구조가 거울상과 비슷한 2개의 중첩을 만들어내고, 각각 구조사이의 거리는 제한된 경우에서, 모든 방전평면이 일종의 "커텐" 모양구조에 방사되는 식으로 감소될 수 있는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 지속시간 Ton은 각각 방전 구조의 부피의 전시간에 대해 평균값이 최대가 되게 선택될 수 있는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 지속시간 Tpn 중에, 전극(3,4)중에 전압주기 Upt(t)에 대해, 전압값은 방전의 점화(reignition) 전압에 적응되게 선택되어진다.
5. 제4항에 있어서, 지속시간 Tpn과 Ton 및 전압주기 Upn(t)와 Uon(t)는 충전압, 충전형태, 스파킹거리, 유전체, 전극 구성에 적용되게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제5항에 있어, 전압주기 Upn(t)는 직접 혹은 근접으로 아래의 기본형태 : 삼각형, 사각형, 사다리꼴, 계단형, 아아크형, 포물선향, 사인파형등 하나 또는 그 이상의 구성을 특징으로 하는 방법.
7. 제6항에 있어서, 지속시간 Tpn 중에, 전극(3,4) 사이의 전압펄스 Upn(t)에 대한 최대값은 적어도 유전체에 의해 야기되는 점화전압과 전압강하에 동등하게 선택되어지는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제7항에 있어서, 전압펄스의 최대값은 충전압의 단위 파스칼당 및 스파킹 거리의 단위 센티미터당 0.01과 2V 사이의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 전술하는 항 중 어느 한 항에 있어서, 비교적 저전류 밀도의 방전구조의 발전은 유전체층의 적합한 두께와 상대적으로 적합한 저 유전체 상수에 의해 강화되는 것을 특징으로 하는 방법.
10. 제1항에 있어, 전압주기는 주기적인 것을 특징으로 하는 방법.
11. 제1항에 있어서, 적어도 한 전극에 대해 유전체 층을 방전관(2)의 벽에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 제1항에 있어서, 이 전극 표면의 원주주변에 유전체와 접촉하는 전극 표면의 영역의 비율이 가능한 낮은 것을 특징으로 하는 방법.
13. 제1항에 있어서, 한 단부에 유전체 손상 방전관의 경우에서, 유전체 손상되지 않은 전극 혹은 전극들(3)의 전압주기 Upn(t)는 전력의 도입이 효율적인 전력도입에 의하여 양 전압 피크를 제외한 음 전압으로 시작하는 중에 유전체 손상 전극 혹은 전극들(4)와 비교하여 측정되는 것을 특징으로 하는 방법.
14. 제1항에 있어서, 한 단부에 유전체 손상 방전관의 경우에서, 유전체 손상되지 않은 전극 혹은 전극들(3)의 전압주기 Upn(t)는 전력도입이 효율적인 전력도입에 의한 양 전압 피크를 제외한 배타적인 음 전압인 중에 유전체 손상된 전극 혹은 전극들(4)로 향하여 측정되는 것을 특징으로 하는 방법.
15. 제1항에 있어서, 다수의 유전체 손상된 전극이 사용된 경우에 있어서, 교류극성을 갖는 극성, 또는 단일 전극 또는 쌍극 전압펄스는 양단부에 유전체 손상된 전극사이에 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
16. 제1항에 있어서, 다수의 유전체 손상된 전극이 사용된 경우에 있어, 쌍극 젼압펄스가 양단부에 유전체 손상된 전극 사이에 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
17. 전술하는 항 중 어느 한 항에 있어서, 특히 막대 혹은 스트립 모양에서 방전관에 놓여진 하나 또는 그 이상의 전극이 사용된 경우에 있어, 그들은 중심에 배치되거나 중심에서 약간 벗어나게 배치되고, 하나 또는 그 이상의 전극이 유전체적으로 덮어질 수 있는 것을 특징으로 하는 방법.
18. 전술하는 항 중 어느 한 항에 있어서, 특히 제1항 또는 제12항 또는 제17항에 있어서, 방전관 외부에 위치한 하나 또는 그 이상 전극이 사용된 경우에 있어, 그들은 형태에 있어 스트립모양이다.
19. 제1항에 있어, 방전관(2)는 내부전극(3)의 세로축에 위치되고, 적어도 외부전극(4)의 외부벽에 배치되는 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
20. 제1항에 있어서, 방전관(2)은 측면과 2개의 덮개면(7a,7b)에 의해 한정되는 일반적으로 벽들모양의 평평한 구조를 갖고 있고, 방사는 덮개면의 오른각에서 발생하고, 내부 및 외부전극(3 및 4)는 각각 다수의 평행방전 챔버(8)이 생성되는 방식으로 배치되며, 방사면에 평행하게, 혹은 다른말로 하면 벽돌모양의 평평한 구조의 덮개면(7a,7b)의 면에 배치되고, 전위가 서로 다르고 각각 서로 인접한 전극(3,4)는 유전체층과 가스충전된 방전챔버(8)에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 방법.
21. 제20항에 있어, 전극들은 유전체층에 의해 가스 충전된 방전 챔버로 부터 분리되는 것을 특징으로 하는 방법.
22. 제1항에 있어서, 방전관은 원통형모양이고 베이스(9)를 한단부에 제공되며, 방전관 내부에 막대모양의 내부전극(3)이 바람직하게 한 단부의 중앙에 배치되고, 적어도 하나의 스트림 모양 전극(4'a,4'b,4'd,4'e)이 방전관의 외부벽에 위치하는 것을 특징으로 하는 방법.
23. 제22항에 있어서, 내부전극(3)은 원형 단면부를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
24. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 가스챔버를 한정하는 벽들은 적어도 부분적으로 형광물질(6)으로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
25. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 가스 충전물의 동작압은 100pa와 3MPa 사이의 범위에 있고, 특히 약 1kPa 이상인 것을 특징으로 하는 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.