JPH08508363A - インコヒーレント放出放射源の作動方法 - Google Patents

インコヒーレント放出放射源の作動方法

Info

Publication number
JPH08508363A
JPH08508363A JP6521545A JP52154594A JPH08508363A JP H08508363 A JPH08508363 A JP H08508363A JP 6521545 A JP6521545 A JP 6521545A JP 52154594 A JP52154594 A JP 52154594A JP H08508363 A JPH08508363 A JP H08508363A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge
electrodes
dielectric
electrode
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6521545A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3298886B2 (ja
Inventor
フオルコンマー、フランク
ヒチユケ、ロタール
Original Assignee
パテント‐トロイハント‐ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6484818&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH08508363(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by パテント‐トロイハント‐ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング filed Critical パテント‐トロイハント‐ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Publication of JPH08508363A publication Critical patent/JPH08508363A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3298886B2 publication Critical patent/JP3298886B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/46Devices characterised by the binder or other non-luminescent constituent of the luminescent material, e.g. for obtaining desired pouring or drying properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7777Phosphates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7797Borates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/44Devices characterised by the luminescent material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/70Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr
    • H01J61/76Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr having a filling of permanent gas or gases only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/046Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/26Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/2806Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without electrodes in the vessel, e.g. surface discharge lamps, electrodeless discharge lamps
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、インコピーレント放出放射源、特に紫外線、赤外線又は可視光線を放射する放電ランプの作動方法に関する。放電は休止時間により中断される一連の電圧パルスによって放電管の内部に発生させられる。その場合、片側又は両側誘電体妨害形電極が使用される。充填物、電極構成、火花長、誘電体の種類及び厚み、時聞に依存する電圧振幅、パルス時間ならびに休止時間を適当に選定することによって、65%以上の紫外線発生効率が達成される。

Description

【発明の詳細な説明】 インコヒーレント放出放射源の作動方法 本発明は請求項1の上位概念部に記載されたインコヒーレント放出放射源の作 動方法に関する。放射発生メカニズムとして放電管の内部で発生された放電が使 用され、その場合少なくとも1つの電極と放電との間に誘電体膜が配置され、そ れゆえこの型の放電は無声放電又は誘電体妨害放電又は障壁放電と称されている 。インコヒーレント放出放射源とは紫外線及び赤外線放射器ならびに特に可視光 線を放射する放電ランプである。本発明は低圧ガス封入ならびに高圧ガス封入お よび低圧と高圧の間の範囲に位置する全てのガス圧に適する。 この種の放電の励起は通常例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第40222 79号公報及び第4203594号公報ならびに米国特許第5117160号明 細書に記載されているように交流電圧によって行われる。励起周波数は交流電流 の周波数と数MHzとの間の範囲(ドイツ連邦共和国特許出願公開第40222 79号公報参照)又は20〜100kHzの範囲(米国特許第5117160号 明細書参照)に選定される。 この作動方式の欠点は技術的に重要な出力密度の際の所望の放射発生量が比較 的少ない点である。標準的な紫外線効率は1kW/m2の面積出力密度の場合の 10%と10W/m2の20%との間の大きさである(1992年10月7日の カールスルーエ大学の光技術研究所での研究サークルUV、IRの第3会期、及 び1992年にブタペストで開催された光源の科学及びテクノロジーに関する第 6回国際ジンポジウムで発表されたカールスルーエ大学のエム・ナイガー、LT Iの「誘電体障壁放電:特殊光源」参照)。 本発明の課題は所望の放射発生の効率を著しく改善することにある。 この課題は本発明によれば請求項1の特徴事項により解決される。本発明の他 の有利な実施態様は請求項2以下に記載されている。 本発明の基本思想は、誘電体妨害放電が繰返してパルス作動され、それにより 連続的な電気エネルギーの入力自体が個別放電の高い出力密度にも拘わらず時間 間隔Ton(以下においいては“休止時間”と称する)によって規定されて中断 されることにある。個々の時間間隔の長さは、別の電気エネルギーの入力が所望 の放射へ僅かな効率で変換されると直ちにエネルギーの入力又は詳細に言えば有 効電力の入力がほぼ終了するようにするという要求、もしくは所望の放射の効率 的な放出を新たに励起することができる(それにより時間平均で放射効率が最適 化される)ようにするために、ガス充填物が再び緩和されると直ちに“休止時間 ”が終了するようにするという要求から与えられる。このようにして電気エネル ギーを紫外線に変換するために例えば65%以上の効率が得られ、このことは従 来方式で作動される誘電体妨害放電に比べて何倍もの増大になる。 通常は同一又は単に極性の変わる一連の電圧パルスが使用され、その場合電圧 パルスの全個数nは原理上制限されない。しかしながら特別な事例では規則的に 変化する一連の電圧パルスも使用可能である。またパルス列は完全に不規則であ ってもよい。(例えば装飾照明の場合には人間の目で認識可能な光効果が生ずる ように複数のパルスが1つの束に纏められる。) パルス時間Tpnの期間中、電極間には電圧パルスUpn(t)が印加され、そ の場合有効電力が入力される。その時間的変化は原理上固定されず、例えば次の ような色々の形状から選択することができる。 a)単極性形状。すなわちこの電圧はパルス時間Tpnの期間中はその符号を変 えない。これにはとりわけ台形状、三角形状、湾曲状の電圧パルス、特に放物線 状電圧パルス及び正弦波状半波が属し、その場合正及び負の値がある(例示的に 負の値みのが示されている図6a参照)。 b)両極性形状。すなわちこの電圧はパルス時間Tpnの期間中はその符号を変 え、その場合形状は正符号ならびに負符号で始まることができる。このための例 は1つの正弦波の両半波、反対符号を持つ2つの直ぐに続く三角波、反対符号を 持つ2つの直ぐに続く“矩形波”又は台形波であり、その場合エッジは異なった 立上がり時間もしくは立下がり時聞を持つことができる(図6b参照)。 c)上記a)及びb)から成る幾つか(好適には2つ又は3つ)の波形要素の時 間的な連なり。この電圧Upn(t)は種々異なった値を取ることができ、特に 短時間の間は値0を取ることもでき、それゆえ個々の波形要素は、電圧が値0を 持つ時間領域によっても分離することができる(図6c参照)。特に個々の波形 要素は繰返すことができる。 図6a〜cには例として可能な電圧波形の選択が示されている。さらに多くの 個数の別の波形を考えることができる。特に電気信号は、図6a〜cには示され ていないが、実際上何時も有限の立上がり時間及び立下がり時間、オーバーシュ ート及びアンダーシュートを有している。 休止時聞Tonの期間中の電圧波形には、主として有効電力が入力されないよ うに電圧Uon(t)が選定されることが要求される。再点弧電圧より小さい適 当な低電圧値が長時間の間、場合によって全休止時間Tonの期間中続けられる 。その際休止時間の期間中短時間でも、すなわちパルス時間Tpnより著しく短 い時間でも、同様に電圧ピークが発生することは排除されない。 Upnの標準的な絶対値は数kVである。Uonは好適には0V近辺の値である 。Tpn及びTonの値は標準的にはμs範囲にあり、通常TpnはTonより明ら かに短い。 放電に対する本発明の作動規準は主として励起パラメータTpn、Ton及び電 圧振幅Upnを適当に選定することによって達成され、その場合これらの大きさ は特に効率的な作動に適するように互いに調整される。さらにパルス波形が重要 である。 個々の事例において、3つの励起バラメータTpn、Ton及びUpn(t)の ために選定されるべき値は、放電の形状、ガス充填物の種類及びガス圧、ならび に電極構成、及び誘電体膜の種類及び厚みに依存する。本発明の作動規準による 放電が起こると、所望の放射発生量は最高になる。 予め定められたランプ充填物のために放電内で起こる衝突の割合及びその結果 としての放射発生の割合も主として電子密度ne及び電子のエネルギー分布によ って決定される。本発明による作動方法によれば、時聞に依存するこれらの大き さは、Tpn、Ton及び電圧振幅Upnもしくは放射発生用のパルス波形を適当 に選定することによって、最適に調整することが可能である。 交流電圧点灯に比較して、本発明は意識的に補助パラメータすなわち“休止時 間”Toを利用する。この補助バラメータを用いることによって初めて高出力密 度の場合でも目的に適うようにキャリヤ密度の時間的及び空間的変化ならびにエ ネルギー分布関数をコントロールすることができる。交流電圧を使用する従来技 術の場合、この大きさの目的に適ったコントロールは周波数に関して大きく制限 されていた。本発明によって初めて、技術的に注目される出力密度を持つ誘電体 妨害放電の効率を、従来の放射源との交換性が与えられるように、増大させるこ とが可能になる。 本発明の作動規準においては、電極間には、種々に形成された標準的には線条 状又はねじ状放電パターンの代わりに、多数の同種の、平面図においてすなわち 放電に垂直に、デルタ状放電パターンが発生し、この放電パターンは(瞬時的な )陽極方向へそれぞれ広がることがわかる。この放電パターンは好適にはkHz 範囲の繰返し周波数で発生するので、観察者は図9aの写真図に示されているよ うな人間の目の時間的分解能に相当する“平均”放電パターンだけに気付くこと になる。両側誘電体妨害放電の電圧パルスの極性が変わる場合、2つのデルタ状 パターンの重なりが見えるように現れる。1つ又は2つの誘電体によって妨害さ れ得る例えば2つの縦長の電極が平行に対向配置されると、個々の放電パターン は縦長の電極に対して横切るように向けられて互いに並んで現れる(図9a、b 参照)。パラメータを適当に選定すると、例えば適当な低圧力を選定すると、個 別パターンの並列は拡散するように見える唯一つの放電になる。放電パターンは 例えば透明なランプガラス球内で直接観察することができる。 本発明の重要な利点は放電管内へ入力する電力密度の変化に対して個々の放電 パターンの特別な安定性にある。電圧パルスの振幅Upnが大きくなっても、個 々の放電パターンはその基本的な形状を変えない。閾値を上回ると放電パターン の1つから別の類似のパターンが生じる。電圧パルスの振幅の増大によって入力 電力が増大すると、主として上述した個々の放電パターンの個数が増大する。そ の場合このパターンの品質、特にその外観及びその効率的な放射特性は変わらな いままである。 このような挙動は、放電体積を最適に利用する3個以上の電極を使用すること によって、予め定められた放電体積内へ入力可能な電力を有意義により一層高め ることを初めて可能にする。例えば、放電管の内部の中心に配置された1つの内 部電極に複数の外部電極を放電管の外壁上に対称に配置して対向させることがで きる。若干の個数の外部電極を用いることによって、放電管の体積から最大に引 出し可能な放射パワーを高めることができる。というのは、放電パターンは中心 の内部電極から出発してそれぞれ外部電極へ向かって燃焼し、それゆえ適当な電 力入力の場合放電管の体積を益々占めるようになるからである。 このことの他に、電極を軸平行に配置した場合、電力及び光束が放電管の長さ に比例して変化するという別の利点が得られる。この場合電界は放電管の長手軸 線にほぼ垂直に位置するので、放電管の長さはほぼ任意に長くすることができ、 その場合例えば従来の管状放電ランプの場合には通常行われていたように必要な 点弧電圧を相応して高めることは必要ない。それゆえ、動作特性のためにこの種 の放電の場合放電管の体積ならびに電極の個数もしくは放電パターンの燃焼が起 こる平面の個数が考慮されなければならない。50cmの長さ、24mmの直径 及び充填ガスとしてのキセノンを有する管状ランプの場合、“放電面”当たり標 準的に15Wの有効電力を入力することができる。 Tpn及び/又はTon及び/又はUpn(t)が好適に選定されない場合、ガ ス室に対して鮮明に区画された薄くかつ明るく発光する1つ又は複数の“放電線 条”が統計的に現れる。この放電線条は本発明による放電パターンを犠牲にして 図10bの写真図から分かるように放電管の内部の広範囲に亘って延びる。それ ゆえ、この“放電線条”はその形状ならびにそのスペクトル放射分布が本発明の 作動規準による放電形状とは明らかに異なって見え、望ましくない。というのは 、その放電線条は電流輸送を小さな横断面内へ集中させ、これによって高いキャ リヤ密度がとりわけ高いクエンチング率と共に生じ、その結果所望の放射の発生 効率が減少するからである。 このような現象からUpn(t)、Tpn及びTonに関して本発明の作動規準 に好適な値を得るための一般的な規定を導出することができる。放電点弧後、U pn(t)、Tpn及びTonは、本発明の作動規準における所望の電力が入力さ れるように、すなわち上述した放電パターンが見えるように選定されるべきであ る。すなわち驚くべきことにこの放電パターンが丁度存在する時、電子密度及び 電子のエネルギー分布関数は損失を最小にする値を取ることが判明した。 上述した3つの作動パラメータの各々はキャリヤ密度の時間的及び空間的パタ ーンならびに電子のエネルギー分布関数をコントロールする。上述した大きさに 対するそれぞれのコントロールは大きく異なるので、パラメータの選択は効率的 な放電モードを達成するための残りのパラメータの値範囲を粗く決定する。 電圧パルスの振幅Upnの標準的な値はcm火花長及びパスカル充填圧当たり 約0.01〜2Vの範囲であり、パルス時間Tpnは約1ns〜50μsの大き さであり、そして休止時間Tonは約500ns〜1msの大きさである。本発 明の作動規準のために作動圧力は100Pa〜3MPaであるのが有利である。 中圧範囲(例えば10kPa)では、これは特にcm火花長当たり100V〜2 0kVの範囲の電圧パルスの振幅Upnを意味する。高圧範囲(例えば1MPa )では、これは特にcm火花長当たり10kV〜200kVの範囲の電圧パルス の振幅Upnを意味する。 電気的な安全性の理由から、外部電極は好適にはアース電位に接続され、内部 電極は高電圧に接続される。これによって電圧印加部分の十分な接触保護が可能 になる。放電管は電極を含めて外管の内部に配置することができる。これによっ て外部電極がアース電位に接続されていない場合にも接触保護が図れる。導電性 電極材料として電流の流れ得る全ての材料、及び電解質を使用することができる 。 片側誘電体妨害放電、すなわち少なくとも1つの誘電体非妨害形電極のために 、放電管の内部すなわちガス室ではさらに、この内部電極はパルス時間の開始時 に(放電管の内部又は外部の)誘電体妨害形電極に対して負極性を含むようにさ れる(電力入力に関して重要ではないが起こり得る正の針状前駆パルスは除く) 。その後極性はパルス時間の期間中変えることができる。 本発明による作動方法は、原則的に変えられることなく又は有利な作用を失う ことなく、両側誘電体妨害放電(全電極が誘電体によって放電から分離され、そ の場合この誘電体は放電管自体であってもよい。)にも適する。全ての電極が誘 電体によって妨害される場合、極性の時間的な連なり及び極性自体は重要ではな い。 原則的に電極は全てをガス室の外部に、例えば放電管の外表面上に、又は電極 の或る個数を放電管の外部におよび或る個数を放電管の内部に、ならびに全てを 放電管の内部すなわちガス室内に設けることができる。最後の事例においては、 少なくとも1つの電極は誘電体によって覆われ、残りの電極に対して逆極性を取 る必要がある。 特に、放電管の内部に腐食性媒質が存在する場合のために、電極が媒質に直接 接触しないようにすると有利である。というのは、内部電極の腐食が有効に防止 され得るからである。このことは全ての電極が放電管の外部に配置されるか又は 放電管内に設けられた電極が誘電体膜によって覆われることにより達成される。 本発明においては大面積の電極は無くされる。電極によって遮られる放射の量 は非常に少ない。誘電体妨害形電極のために、全電極面積と誘電体に接触する電 極面積との比は有利にはできる限り小さくされる。特に優れた実施例においては 誘電体妨害形電極は放電管の外壁上に設けられた狭い条帯として実施される。同 様に格子状外部電極、例えば金網、孔明き板又は類似のものも適する。放電管の 体積を最高に利用し得るために、内部電極は好適には放電の方向にできる限り小 さい広がりを有する。特に優れた実施例においては内部電極は棒として実施され る。 片側又は両側妨害放電はできる限り多数の放電管形状、特に、従来方式で作動 される誘電体妨害放電の場合例えばヨーロッパ特許出願公開第0385205号 公報、ヨーロッパ特許第0312732号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0 482230号、第0363832号、第0458140号、第0449018 号及び第0489184号公報に開示ざれているような全ての放電管形状を使用 することができる。 横断面の小さい放電管内には好適には電極は対応する陽極と陰極との間の間隔 ができる限り大きくなるように配置される。例えば、小さい横断面を持つ円筒状 放電管に対しては内部電極は好適には放電管の内部に偏心して配置され、外部電 極は直径方向に対向して外壁上に固定される。放電路の伸長は電極を区分するこ とによって補助的に助成することができる。このために内部電極及び外部電極は 放電を始めるかもしくは抑制する2つの異なった領域を交互に有する。電極はそ の場合それぞれ2つの異なった領域が対向するように配置される。これによって 半径方向の放電パターンが抑制される。放電はむしろ対向電極の最も近い隣りの 領域に対して斜めに起こる。このことは例えば電極が補助誘電体膜を備えた領域 を交互に有することによって実現することができる。 大きい横断面の場合内部電極は好適には放電管の内部の中心に配置され、その 場合複数の外部電極が外壁上に、その外周に亘って対称に分散されて固定される と有利である。 放電管の形状は原則的には無理に予め定める必要はない。用途に応して、放電 管壁は所望の放射に対して(少なくともアパーチュアーの内部で)必要な透明性 を有する材料から構成されなければならない。誘電体障壁としては、例えばホウ ケイ酸塩ガラス(例えばDURAN(登録商標)(ショット社))、石英ガラス 、Al23、MgF2、LiF、BaTiO3等のような、使用された高電圧によ る破壊に耐える電気絶縁性材料(誘電体)が適する。誘電体の種類及び厚みによ って放電パターンをコントロールすることができる。特に、適当に小さい比誘電 率を持つ特に十分な厚みの誘電体は、比較的小さい電子密度を有する本発明によ る放電パターンの形成を助成するのに、すなわち高い電子密度及び電流密度を有 する不所望な放電パターンの形成を防止するのに適する。簡単に言うと、このこ とは一方では、変移電流密度によって惹き起こされる誘電体での局部的電圧降下 が誘電体の厚みに比例しその誘電率に反比例することから生じる。他方では、誘 電体での電圧降下は電流密度の増大を妨げる。 放射のスペクトル組成は主としてガス充填物に依存し、例えば可視光線、赤外 線又は紫外線領域に位置することができる。ガス充填物として原理上例えばドイ ツ連邦共和国特許出願公開第4022279号公報、ヨーロッパ特許出願公開第 0449018号、第0254111号、第0324953号、及び第0312 732号公報に開示されている従来方式で作動される誘電体体妨害放電に使用す ることのできる全ての充填物、ならびにエキシマーレーザもしくはエキソプレッ クスレーザにおいて既に使用されている充填物(例えばアイ・エス・ラコバ及び エス・アイ・ヤコブレンコ著「エキソプレックスレーザの活性媒質(レビュー) 」Sov.J.Quantum Electron.10(4)、1980年4 月発行、第389真ならびにシーエッチ・ケー・ローデス著「エキシマーレーザ 」シュプリンガー社、198年発行参照)が適する。これにはとりわけ希ガス及 び その混合物、希ガスとハロゲン又はハロゲン化合物との混合物、金属蒸気及びそ の混合物、希ガスと金属蒸気との混合物、希ガスと金属蒸気及びハロゲン又はハ ロゲン化合物との混合物、さらに上述した充填物に添加することのできる次の元 素、すなわち水素、デューテリウム、酸素、窒素、窒素酸化物、一酸化炭素、二 酸化炭素、硫黄、ヒ素、セレン及びリンのうちの1つ又はそれらの組合わせが属 する。特に、エキシマー放電での本発明による作動方法に基づく非常に効率的な 紫外線発生は、例えばヨーロッパ特許出願公開第0482230号公報に記載さ れている紫外線高出力放射器の別の応用分野を開く。これにはとりわけレジスト の硬化、表面の変化、飲料水等の無生化、及び環境内の公害物質の紫外線による 分解のような光化学プロセスが属する。特に最後に挙げた使用範囲のために、放 電を照射されるべき媒質の直ぐ近くにもたらすこと、すなわち放射の短波成分の 管壁による減衰を防止するために、気密に閉鎮された放電管を無くすと有利であ る。特に紫外線もしくは真空紫外線発生の際に別の重要な利点、すなわち本発明 の作動方法により得ることのできる高い紫外線発生量が示される。すなわち従来 技術による比較可能な放射輝度の紫外線もしくは真空紫外線とは異なり、水によ る冷却を無くすことができる。他の有利な用途は、紫外線が適当な蛍光体によっ て電磁スペクトルの可視領域へ変換されることによる照明である。 本発明の別の利点は、外部の電流制限を必要としない点、ランプを調光可能で ある点、複数のランプの並列点灯を1つの電源のみで可能である点、そして放射 発生の高効率を光技術において同時に必要な出力密度と共に得ることができる点 である。 本発明の優れた実施形態において、放電管は放電の際に発生する光を特に好適 なスペクトル範囲へ転移させるために蛍光体膜を備える。蛍光体被膜は低圧ラン プならびに高圧ランプにおいても使用することができる。この場合、公知の蛍光 体もしくは混合物を使用することができる。蛍光ランプにとって青、緑及び赤を 発光する蛍光体の組合わせは特に有効である。好適な青色蛍光体は特に二価ユー ロピウムを用いて活性化されたアルミン酸バリウムマグネシウム(BaMgAl1017:Eu2+)である。緑色成分として特にテルビウム又はマンガンで活性化 された蛍光体を使用することができる。例えばテルビウムで活性化されたケイ酸 イットリウム(Y2SiO5:Tb)又はリン酸ランタン(LaPO4:Tb)も しくは二価マンガンを用いて活性化されたケイ酸亜鉛(Zn2SiO4:Mn)又 はアルミン酸マグネシウム(MgAl24:Mn)がある。有利な赤色成分は、 三価ユーロピウムを用いて活性化された蛍光体、例えば酸化イットリウム(Y2 3:Eu3+)、又はイソトリウム及び/又はガドリニウムのホウ酸塩がある。 詳細にはYBO3:Eu3+、GdBO3:Eu3+及び混合されたホウ酸塩(Gd、 Y)BO3:Eu3+である。 温光色のランプのために、通常の蛍光ランプにおいて知られている処置方法に 相当するが、青色成分の量は少なくするか、又は完全に省略することができる。 特殊演色性を有するランプには、青緑色スペクトル領域で放出する成分、例え ば二価ユーロピウムを用いて活性化された蛍光体が適する。この用途にはリン酸 ストロンチウムボロSr6BP520:Eu2+が好適である。 本発明は特に蛍光ランプの分野に突破口を与える。充填物は水銀を無くすこと 、及びそれにも拘わらず従来の蛍光ランプの内部紫外線効率に相当する内部紫外 線効率を得ることに初めて成功した。従来の蛍光ランプに比較してそれによって さらに次の付加的な利点がもたらされる。周囲温度の光束への影響及びガラス球 黒化を生ずることなく、問題のないコールドスタートが可能となる。さらに、寿 命を制限する電極(例えば発光体ペーストを備えた白熱陰極)、重金属及び放射 性部品(グロースタータ)を必要としない。白熱電球及び白熱陰極を持つ放電ラ ンプとは異なり、放射は電極への点灯電圧の印加直後に大きな遅れなく放出され る(純粋放電の発光遅れ約10μs、蛍光体を含めて約6ms。これに比較して 白熱電球の応答時間は約200msの範囲にある。)。このことは特に灯光信号 装置、交通・信号照明装置にとって利点がある。 本発明を以下において幾つかの実施例に基づいて詳細に説明する。 図1は新しい方法に基づいて作動させることのできる棒状放電管の本発明によ る実施例の一部を断面で示した概略縦断面図である。 図2aは図1に示された放電管のA−A線に沿った概略横断面図である。 図2bは本発明による放電管の他の実施例の概略横断面図である。 図2cは本発明による放電管の別の実施例の概略横断面図である。 図3aは図1に示された片側誘電体妨害形放電ランプの陰極−陽極間の本発明 による優れた電圧波形の概略図である。 図3bは両側誘電体妨害形放電ランプを本発明によって点灯するために使用す ることのできる電圧波形の概略図である。 図4aは新しい方法に基づいて点灯することのできる平面形放射器の形をした 放電ランプの本発明による他の実施例の一部の概略縦断面図である。 図4bは図4aに示された放電ランプの横断面図である。 図5aは新しい方法に基づいて点灯することのできるエジソンねじ込み口金を 備えた従来のランプの形をした放電ランプの本発明による別の実施例の側面図で ある。 図5bは図5aに示された放電ランプのA−A線に沿った横断面図である。 図6aは負の値を持つ本発明による電圧パルスUp(t)の幾つかの単極性波 形の概略図である。 図6bは本発明による電圧パルスUp(t)の幾つかの両極性波形の概略図で ある。 図6cは図6a及び図6bに示された個々の波形要素の組合わせによって発生 された電圧パルスUp(t)の本発明による波形の概略図である。 図7は本発明による点灯方式(173hPaのXe、パルス周波数25kHz )による電圧U(t)、電流I(t)及び電力P(t)=U(t)・I(t)の 測定された時間変化図である。 図8は時間軸を変えて示した図7に相当する図である。 図9a、bは本発明による放電パターンの写真図である。 図10a〜dは不所望な放電パターンへの移行を示す写真図である。 図1に基づいて本発明を特に簡単な実施例で説明する。200hPaの圧力で キセノンを封入された中圧放電ランプ1の一部が縦断面図にて示されている。5 90mmの長さ、24mmの直径及び0.8mmの肉厚を有する長手軸線を規定 するガラス製円筒状放電管2の内部には、2.2mmの直径を有する特殊鋼製の 棒の形態の軸平行な内部電極3が配置されている。放電管2の外部には、軸平行 に配置されて電源に電気的に接続される2mm幅の2つの高導電性銀製条帯4a 、 4bから構成された外部電極が配設されている。個々の高導電性銀条帯4a、4 bはこの実施例に示されているように金属リングによって相互に結合されて電源 に共通に電気的に接続される。その際、放電を乱さないようにするために、金属 リングを十分狭く成形するように注意する必要がある。変形例として高導電性銀 条帯4a、4bは供給電圧に別々に接続することもできる。内部電極3は弓形金 具状リード線14に電気的に接続することができる。このリード線14は皿状封 着部16によって放電管2に気密に結合された挟搾部15を介して外部へ導かれ ている。 この実施例の変形例では放電管は金属リングの領域に例えば膨出部の形の径大 部を有する。これによってこの領域に擾乱的な寄生放電が生成するのが阻止され る。上記実施例の特に優れた変形例では棒状内部電極は一方の端部のみが第1皿 状封着部に固定結合される。他方の自由端部は中心軸線で第2皿状封着部に固定 された円筒状スリーブ内へ(間隙嵌めのように)緩く導かれる。このことは内部 電極が例えば高電力の連続運転にて加熱される際に軸線方向へ妨げられることな く膨張することができるという利点を有する。そうでなければ放電管内に不所望 な材料応力が発生するか電極が曲げられてしまうおそれがある。因みにこの変形 例の上述した利点はその有利な作用が本発明による作動方式に限定されるのでは なく、類似の型の全てのランプに原理上適している。 図2aは図1に示された放電ランプの横断面図を示す。内部電極3は中心に配 置され、放電管2の外壁上には2つの電極4a、4bがその外壁の周囲上に対称 に分割されて配置されている。 放電ランプ1を本発明によって点灯するために必要な電圧供給の原理構成は同 様に図1に概略的に示されている。一連のパルス、すなわち電圧パルスの形状及 び期間と休止時間の期間とはパルス発生器10で発生され、次の電力増幅器11 によって増幅される。一連のパルスが内部電極3に印加される様子が概略的に示 されている。高電圧変圧器12は電力増幅器11の信号を必要な高電圧に変換す る。ランプはパルス状直流電圧で点灯される。図3aに示されている負の矩形パ ルスが使用される。この矩形パルスは次のパラメータすなわちパルス時聞Tp= 2μs、休止時間To=25μs、Tp期間中の電圧振幅Up−3kV及びTo 期間中の電圧振幅Up0Vを有している。 放電管の内壁はさらに蛍光体膜6によって被覆されている。この実施例におい て放電によって特に放出された紫外線は蛍光体膜6によって光スペクトルの可視 領域に変換され、それゆえランプは特に照明用に適している。その場合次の成分 を有する3波長域発光形蛍光体が使用される。青色成分はBaMgAl1017: Eu2+、緑色成分はY2SiO5:Tb、及び赤色成分はY23:Eu3+である。 これによって37lm/Wのランプ効率が得られる。演色性として4000Kの 色温度の際にRa>80を達成することができた。蛍光体によって検出された真 空紫外線発生量は約65%である。このランプの幾つかの他の充填物の例及び作 動データは次表に示されている。この表においてpはガス圧、Upは電圧パルス の最大値、upは火花長(1.2cm)及び圧力に関する電圧パルスの最大値、 そしてηvuvは得られた真空紫外線発生量を表す。入力電力はそれぞれ18W、 パルス期間Tp(最大値のそれぞれ10%の立上がりと立下がりとの間の時間) は約1.5μs(1μsの半値幅の場合)、休止時間Toは約27μsである。 もう一つの実施例が図2bに示されている。内部電極3′は内壁の近くへ偏心 しかつ円筒状放電管の長手軸線に平行に配置され、外部電極4′は直径上に対向 配置されて外壁に固定されている。このような配置は小断面の円筒状放電管の場 合に特に有利である。というのは、一方では放電は放電管の内部を直径上に延び 、他方では外壁は外部電極としての1つの高導電性銀条帯のみによって覆われて いる、すなわち放射面が図2aのように第2の外部電極によってより一層縮小さ れないからである。 図2cに示された更に別の実施例においては、図2aと同じように内部電極3 は放電管2の内部の中心に配置されている。放電管2の外壁の周囲に対称的に分 散されて4つの外部電極4′a、4′b、4′c、4′dが設けられており、そ れゆえこの構成は大断面、従って大外被面を持つ放電管に特に適している。これ によって放電は図2a及び図2bのように第1面だけでなく、他の第2面でも発 生し、それによって放電管2の体積は放射発生のために図2a及び図2bの実施 例の場合よりも良好に利用される。 別の実施例においては、図1に示された棒形ランプの内壁は蛍光体被膜6の代 わりに例えばMgF2、Al23又はCaF2から成る紫外線及び真空紫外線反射 被膜を有する。その場合、内壁に設けられた特にランプ軸線に平行な狭い1つの 条帯だけは被覆されない。外部電極は紫外線及び真空紫外線が妨げられずにこの 条帯を透過して放出され得るように配置される。この実施例は広げられた対象物 の効率的な真空紫外線照射、例えばリソグラフィにおける露光に特に好適である 。この実施例の優れた変形例においては、内部電極は第2の外部電極によって置 換される。これによって紫外線及び真空紫外線は妨げられずに被膜で反射され、 条帯状透明領域を透過して外部へ放出され得る。 図3aには片側誘電体妨害放電用に好適な本発明による内部電極(陰極)−外 部電極(陽極)間の電圧パルス波形が概略的に示されている。電圧波形は、内部 電極の電圧パルスが負符号で開始しかつ休止時間によって分離されるならば、図 3aの実施例の波形とは異ならせることができる。 図3bには極性がパルス毎に変化するパルス波形が概略的に示されている。こ のパルス波形は両側誘電体妨害放電のみに適し、その場合最初のパルスは任意の 極性で開始することができる。 図4aには新しい方法によって点灯され得る片側誘電体妨害形放電ランプの他 の実施例の平面図、図4bにはその断面図が示されている。このランプば、上側 放射面7a及びこれに平行な下側放射面7bを有し、これらに対して内部電極3 及び外部電極4が垂直に向けられて多数の平行な放電室8を形成するように交互 に配置されている平面形放射器である。それぞれ隣接する外部電極及び内部電極 は誘電体膜及びガス封入放電室8によって分離され、隣接する内部電極は誘電体 膜のみによって分離されている。本発明による作動方法は単一の電源13のみを 用いて多数の並列接続された放電室8への給電を可能にする。放電管の内壁は蛍 光体膜6によって被覆されている。平面形放射器は両側誘電体妨害放電室を結合 することによっても同様に実現可能である。 図5aには放電ランプの他の実施例の側面図、図5bにはその横断面図が示さ れている。この放電ランプは外部形状がエジソン口金9を有する従来のランプに 似ており、新しい方法によって点灯することができる。放電管2の内部には中心 に、断面が対称十字の形に一致する細長い内部電極3が配置されている。放電管 2の外壁には、4つの外部電極4′a、4′b、4′c、4′dが内部電極の4 つの長手側面に対向配置されて放電パターンが互いに垂直でランプ軸線を横切る 2つの平面内でほぼ発生するようにその4つの外部電極が設けられている。 上述した実施例の別の優れた変形例においては、内部電極は円形断面及び2m mの直径を持つ特殊鋼製の棒から構成される。この棒は0.7mmの厚みのガラ スから成る円筒状放電管2の内部の中心軸線に配置される。放電管は約50mm の直径を有し、反口金側端部にポンプ短管を有し、このポンプ短管内には内部電 極の反口金側端部が導入される。放電管の内部は173hPaの圧力でキセノン が封入される。外部電極は軸平行でかつ放電管の外壁上に均等に分割して配置さ れた12個の1mm幅かつ8cm長の高導電性銀条帯によって実現される。外部 電極は口金の領域において外壁に設けられたリング状高導電性銀条帯によって相 互に電気的に接続される。放電管の内壁は蛍光体膜6によって被覆される。その 場合、青色成分BaMgAl1017:Eu2+、緑色成分LaPO4:(Tb3+、 Ce3+)、及び赤色成分(Gd、Y)BO3:Eu3+を有する3波長域発光形蛍 光体が使用される。それによって40lm/Wのランプ効率が得られた。色温度 は4000Kであり、、CIEに基づく標準色度図による色位置は座標x=0. 38及びy=0.377を有する。電圧U(t)、電流I(t)及び電力P(t )の時間変化は図7に示され、また時間尺度を変えて図8に示されている。外部 電極に対する内部電極の電圧最大値は約−4kVである。パルス時間(半最大値 の際の時間)及び休止時間はそれぞれ約1.2μs及び約37.5μsである。 図8においてはさらに電圧特性線U(t)の第2の主パルスの前に小振幅の4つ の前駆パルスが明らかに認められる。電流I(t)及び電力P(t)の対応する 変化から明らかなように、この前駆バルスの期間中には電流は流れず、従って同 様に電力はガス中へ与えられない。それゆえ、この種の前駆バルスは本発明によ る点灯方式にとって害にならない。25kHzのパルス周波数の場合、約65% の真空紫外線発生量が達成された。 上述した実施例の別の変形例においては、放電管は紫外線及び真空紫外線透過 材料、例えばSUPRASIL(登録商標)石英ガラス(ヘラオイス・クヴァル ツシュメルツエ有限会社)から構成される。この変形例は例えば光化学における 真空紫外線放射器として好適である。別の変形例においては内部電極はガラスに よって覆われる。このことは腐食性媒質、例えば希ガスハロゲン化物を使用する 際に特に有利である。というのは、このようにして内部電極の腐食が防止される からである。 図9a、bは単極性電圧パルスを用いて発生された本発明による放電パターン の写真図を示す。図9aの場合には両側誘電体妨害放電が使用されている。円筒 管状ガラス製放電管はその外壁に直径上に対向して軸線方向に配置された2つの 外部電極を備えている。放電管の内部で両外部電極の結合面内には緑がかったΔ 状放電パターンが一列に配置されている。Δ状放電パターンの狭い最下点はそれ ぞれ陰極側内壁で開始して放電管の内壁の陽極側にまで広がっている。図9bの 場合には片側誘電体妨害放電が使用されている。放電装置は図9aの放電装置と は金属製の棒状補助内部電極だけが異なっている。この内部電極は陰極として作 用し、放電管の内部の中心軸線に配置されている。内部電極の表面から個々のΔ 状放電パターンが両外部電極のそれぞれ1つへ広がっている。特に図9bからは っきり分かるように、これらのパターンはほぼ均一に拡散して発光している。そ のパターンは狭い陰極側終点にそれぞれ1つのパーセント的に非常に小さい若干 明るい発光領域を有している。さらに、高い一様性は注目に値する。この一様性 は個々のパターンの相互間隔並びに相互比較による個々のパターンの形状及び輝 度分布に関係する。 この多数の同種のパターンが明白なコントラストにて図10a〜dの写真図に 示されている。これらの図はこの順序にて不所望な放電パターンへ徐々に移行す る様子を示している。図10a(この放電装置は図9bにおける放電装置と同じ である)では、本発明による幾つかのΔ状放電パターンがまだ認められる。放電 装置の図の左下領域では既にYに似たパターンが形成されている。図の上領域( 図中央部の若干左側)では、線条状に明るく発光するパターンが幾つかの元々右 側に隣接するΔ状放電パターンを犠牲にして形成されている。放電管の内壁での 高い輝度はこの領域での沿面放電を示唆している。図10bに示された放電領域 は図10aに比べてさらに減少した紫外線効率を有している。元々この領域に存 在するパターンの個数はさらに減少している。図10c及び図10dでは両側( 放電装置は図9aにおける放電装置と同じ)もしくは片側誘電体妨害放電が使用 されている。両ケースにおいてはまだ線条状パターンが見られる。陽極の領域で は放電管の内壁上にそれぞれ2つの条帯状沿面放電が認められる。これらは明る く発光する湾曲状パターン内へY状に繋がっている。このパターンは対向する陰 極側内壁上で2つの類似の条帯状沿面放電(図10c参照)に分割され、もしく は片側誘電体妨害放電の場合には陰極上で終了する。 本発明は上述した実施例に限定されない。特に、異なった実施例の個々の利点 は互いに適当に組合わせることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヒチユケ、ロタール ドイツ連邦共和国 デー‐81739 ミユン ヘン アルノ‐アスマン‐シユトラーセ 13

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.非導電性材料から成る少なくとも部分的に透明な放電管(2)がガス充填物 (5)を封入され、少なくとも2つの電極(3、4)がガス充填物(5)の近く に設けられてリード線によって電気エネルギー供給源(10〜12)に接続され 、少なくとも1つの電極(4)とガス充填物(5)との間には誘電体膜が配置さ れているような誘電体妨害放電によってインコヒーレント放出放射源、特に放電 ランプ(1)を作動する方法において、電気エネルギー供給源は電極(3、4) 間に一連の電圧パルスを供給し、その場合個々のパルスnは約1ns〜約50μ sの大きさの値を持つ電圧Upn(t)及び期間Tpnの時間変化を有し、それぞ れパルスnは約500ns〜1msの大きさの値及び電圧特性線Uon(t)を 持つ期間Tonの休止時間によってその後続のパルスn+1から分離され、期間 Tpnの期間中電圧特性線Upn(t)はガス充填物(5)内へ特に有効電力が入 力されるように選定され、それに対して休止時間Tonの期間中電圧特性線Uon (t)はガス充填物(5)がそれぞれその前の電圧パルスUpn(t)前の状態 に似た状態へ復帰し得るように選定され、大きさUpn(t)、Tpn、Uon( t)、Tonは電極(3、4)間で比較的低い電流密度の放電パターンが生成す るように調整されることを特徴とするインコヒーレント放出放射源の作動方法。 2.電圧特性線Upn(t)は単極性であり、放電は単極性の場合個々のΔ状パ ターンを形成し、両側誘電体妨害放電の極性が変化する場合それに応じてΔの頂 点と逆向きΔの頂点とを向かい合わせて配置した形状に似た2つの同種のパター ンの鏡像的な重なりをそれぞれ生じ、これらの個々のパターンの間隔は、極端な 場合には全放電面が“カーテン”状パターンで放射するように減少することがで きることを特徴とする請求項1記載の方法。 3.期間Tonは個々の放電パターンの体積の時間平均値が最大になるように選 定されることを特徴とする請求項1又は2記載の方法。 4.期間Tpnの期間中、電極間(3、4)の電圧特性線Upn(t)として、放 電の再点弧電圧に合わせた値が選定されることを特徴とする請求項1乃至3の1 つに記載の方法。 5.電圧特性線Upn(t)、Uon(t)及び期間Tpn、Tonは封入圧力、充 填物の種類、火花長、誘電体及び電極構成に合わせられることを特徴とする請求 項4記載の方法。 6.電圧特性線Upn(t)は次の基本形状、すなわち二角形状、矩形状、台形 状、階段状、湾曲状、放物線状、正弦波状等の形状の1つ又は複数から直接に又 は近似的に構成されることを特徴とする請求項5記載の方法。 7.期間Tpnの期間中、電極(3、4)間の電圧特性線Upn(T)として、誘 電体によって惹起された電圧降下を加えて、少なくとも再点弧電圧に相当する最 大値が選定されることを特徴とする請求項6記載の方法。 8.電圧パルスの最大値はcm火花長及びパスカル封入圧当たり0.01〜2V の範囲にあることを特徴とする請求項7記載の方法。 9.誘電体膜の十分な厚み及び適当に低い比誘電率によって比較的低い電流密度 の放電パターンの形成が助成されることを特徴とする請求項1乃至8の1つに記 載の方法。 10.電圧特性線は周期的であることを特徴とする請求項1記載の方法。 11.少なくとも1電極の場合、誘電体膜は放電管(2)の壁によって形成され ることを特徴とする請求項1記載の方法。 12.全電極面積と誘電体に接触する電極面積との比はできる限り小さいことを 特徴とする請求項1記載の方法。 13.片側誘電体妨害放電の場合、誘電体非妨害形電極(3)の電圧特性線Upn (t)は誘電体妨害形電極(4)に対して、電力入力期間中、有効電力入力に 関して重要ではない正の電圧ピークを除いて、負の値で開始することを特徴とす る請求項1記載の方法。 14.片側誘電体妨害放電の場合、誘電体非妨害形電極(3)の電圧特性線Upn (t)は誘電体妨害形電極(4)に対して、電力入力期間中、有効電力入力に 関して重要ではない正の電圧ピークを除いて、専ら負であることを特徴とする請 求項1記載の方法。 15.複数の誘電体妨害形電極を使用する場合、両側誘電体妨害形電極間に単極 性又は両極性電圧パルス又は変化する極性を持つ電圧パルスが印加されることを 特徴とする請求項1記載の方法。 16.複数の誘電体妨害形電極を使用する場合、両側誘電体妨害形電極間に両極 性電圧パルスが印加されることを特徴とする請求項1記載の方法。 17.放電管(2)内に配置された1つ又は複数の特に棒状又は条帯状電極を使 用する場合、この電極は中心に又は偏心して配置され、その場合電極の1つ又は 複数は誘電体によって被覆することができることを特徴とする請求項1乃至16 の1つに記載の方法。 18.放電管の外部に配置された1つ又は複数の電極を使用する場合、この電極 は条帯状に形成されることを特徴とする請求項1乃至17の1つに記載の方法。 19.放電管(2)は管から構成され、その長手軸線に内部電極(3)が配置さ れ、その外壁に少なくとも1つの外部電極(4)が設けられることを特徴とする 請求項1記載の方法。 20.放電管(2)は側面及び2つのカバー面(7a、7b)によって画成され た平面形直方体状構造を有し、放射は主としてカバー面を通って行われ、その場 合放射面すなわ平ち平面形直方体状構造のカバー面(7a、7b)に平行な一平 面内に多数の平行な放電室(8)が形成されるようにカバー面に垂直に内部電極 (3)及び外部電極(4)が配置され、異なった電位を持つそれぞれ隣接する電 極(3、4)はガス封入放電室(8)及び誘電体膜によって分離されることを特 徴とする請求項1記載の方法。 21.電極は誘電体膜によってガス封入放電室から分離されることを特徴とする 請求項20記載の方法。 22.放電管はほぼ円筒状をして一端部に口金(9)を備え、放電管の内部には 特に片側を固定された中心棒状内部電極(3)が設けられ、放電管の外壁には少 なくとも1つの条帯状電極(4′a、4′b、4′c、4′d)が配置されるこ とを特徴とする請求項1記載の方法。 23.内部電極(3)は円形断面を有することを特徴とする請求項22記載の方 法。 24.ガス室を画成する壁は少なくとも一部分が蛍光体(6)によって被覆され ることを特徴とする請求項1乃至23の1つに記載の方法。 25.ガス充填物(5)の作動圧力は100Pa〜3MPaの範囲、特に約1k Pa以上であることを特徴とする請求項1乃至24の1つに記載の方法。
JP52154594A 1993-04-05 1994-04-05 インコヒーレント放出放射源の作動方法 Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4311197A DE4311197A1 (de) 1993-04-05 1993-04-05 Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle
DE4311197.1 1993-04-05
PCT/DE1994/000380 WO1994023442A1 (de) 1993-04-05 1994-04-05 Verfahren zum betreiben einer inkohärent emittierenden strahlungsquelle

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001347842A Division JP3715231B2 (ja) 1993-04-05 2001-11-13 インコヒーレント放出放射源の作動方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08508363A true JPH08508363A (ja) 1996-09-03
JP3298886B2 JP3298886B2 (ja) 2002-07-08

Family

ID=6484818

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52154594A Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja) 1993-04-05 1994-04-05 インコヒーレント放出放射源の作動方法
JP52154694A Expired - Fee Related JP3714952B2 (ja) 1993-04-05 1994-04-05 誘電体妨害放電蛍光ランプ
JP2001347842A Expired - Lifetime JP3715231B2 (ja) 1993-04-05 2001-11-13 インコヒーレント放出放射源の作動方法
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) 1993-04-05 2005-06-07 蛍光ランプ

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52154694A Expired - Fee Related JP3714952B2 (ja) 1993-04-05 1994-04-05 誘電体妨害放電蛍光ランプ
JP2001347842A Expired - Lifetime JP3715231B2 (ja) 1993-04-05 2001-11-13 インコヒーレント放出放射源の作動方法
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) 1993-04-05 2005-06-07 蛍光ランプ

Country Status (10)

Country Link
US (2) US5604410A (ja)
EP (4) EP1078972B1 (ja)
JP (6) JP3298886B2 (ja)
KR (1) KR100299151B1 (ja)
CN (1) CN1066854C (ja)
CA (2) CA2155340C (ja)
CZ (1) CZ286740B6 (ja)
DE (5) DE4311197A1 (ja)
HU (1) HU215307B (ja)
WO (2) WO1994022975A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153234A (ja) * 2008-02-18 2008-07-03 Sharp Corp 照明装置および液晶表示装置
JP2013034989A (ja) * 2011-07-13 2013-02-21 Gs Yuasa Corp 紫外線照射装置

Families Citing this family (491)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19517515A1 (de) * 1995-05-12 1996-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe und Verfahren zum Betreiben derartiger Entladungslampen
DE19526211A1 (de) * 1995-07-18 1997-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler
US6153971A (en) * 1995-09-21 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source with only two major light emitting bands
DE19543342A1 (de) * 1995-11-22 1997-05-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren und Strahlungsanordnung zur Erzeugung von UV-Strahlen zur Körperbestrahlung sowie Verwendung
DE19548003A1 (de) * 1995-12-21 1997-06-26 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsspannungsfolgen, insbesondere für den Betrieb von dielektrisch behinderten Entladungen
JP3277788B2 (ja) * 1996-01-16 2002-04-22 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
KR100643442B1 (ko) 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19636965B4 (de) * 1996-09-11 2004-07-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle
JP3546610B2 (ja) * 1996-09-20 2004-07-28 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電装置
DE19651552A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe
JP3355976B2 (ja) * 1997-02-05 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
DE19711893A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
US5998921A (en) * 1997-03-21 1999-12-07 Stanley Electric Co., Ltd. Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode
KR100375615B1 (ko) * 1997-03-21 2003-04-18 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 백그라운드조명을위한평면형형광램프와이러한평면형형광램프를포함하는액정디스플레이장치
DE19711892A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
DE19718395C1 (de) * 1997-04-30 1998-10-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb
DE59801941D1 (de) 1997-07-22 2001-12-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungssystem mit einer dielektrisch behinderten entladungslampe und einer schaltungsanordnung zum erzeugen von impulsspannungsfolgen.
DE19734885C1 (de) * 1997-08-12 1999-03-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
DE19734883C1 (de) * 1997-08-12 1999-03-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
DE69824053T2 (de) * 1997-11-06 2005-05-12 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Lumineszenzmittel, pulverförmiges Lumineszenzmittel, Plasma-Anzeigetafel, und Herstellungsverfahren derselben
EP0926705A1 (de) 1997-12-23 1999-06-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahler mit örtlich modulierter Flächenleuchtdichte
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
EP0932185A1 (de) 1997-12-23 1999-07-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Signallampe und Leuchtstoffe dazu
JP3353684B2 (ja) * 1998-01-09 2002-12-03 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
JP3521731B2 (ja) 1998-02-13 2004-04-19 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
DE19811520C1 (de) * 1998-03-17 1999-08-12 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19817480B4 (de) * 1998-03-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern
DE19817475B4 (de) * 1998-04-20 2004-04-15 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe
DE19817477A1 (de) 1998-04-20 1999-10-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe mit auf die geometrische Entladungsverteilung abgestimmter Leuchtstoffschichtdicke
DE19817476B4 (de) * 1998-04-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke
DE19826809A1 (de) 1998-06-16 1999-12-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE19826808C2 (de) * 1998-06-16 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19839336A1 (de) 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19839329A1 (de) * 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19843419A1 (de) 1998-09-22 2000-03-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19844721A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration
DE19844725A1 (de) 1998-09-29 2000-03-30 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Gasentladungslampe mit steuerbarer Leuchtlänge
DE19844720A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
DE19905219A1 (de) 1998-09-30 2000-08-31 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE19845228A1 (de) 1998-10-01 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
WO2000024025A1 (en) * 1998-10-20 2000-04-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Plasma display panel
DE19858810A1 (de) 1998-12-21 2000-06-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren
EP1082752A1 (en) * 1999-03-25 2001-03-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting arrangement
US6191539B1 (en) * 1999-03-26 2001-02-20 Korry Electronics Co Fluorescent lamp with integral conductive traces for extending low-end luminance and heating the lamp tube
DE19916877A1 (de) 1999-04-14 2000-10-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Sockel
DE19919169A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-02 Philips Corp Intellectual Pty Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe
DE19927791A1 (de) * 1999-06-18 2000-12-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Farbanzeige mit sequentieller Primärfarberzeugung
DE19928438A1 (de) * 1999-06-23 2000-12-28 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe
DE69938465T2 (de) 1999-10-18 2009-06-04 Ushio Denki K.K. Dielektrisch behinderte entladungslampe und lichtquelle
DE19953531A1 (de) 1999-11-05 2001-05-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Elektrodenhalterung
DE19955108A1 (de) * 1999-11-16 2001-05-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit verbesserter Temperaturhomogenität
DE19960053A1 (de) 1999-12-13 2001-06-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE10005975A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-16 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Betriebsverfahren für eine Entladungslampe mit mindestens einer dielektrisch behinderten Elektrode
DE10011484A1 (de) 2000-03-09 2001-09-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verbessertes Pulsbetriebsverfahren für eine Stille Entladungslampe
DE10014407A1 (de) * 2000-03-24 2001-09-27 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe
US6541924B1 (en) 2000-04-14 2003-04-01 Macquarie Research Ltd. Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
AU2001250151B2 (en) * 2000-04-14 2004-07-22 Macquarie Research Ltd Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
US20040183461A1 (en) * 2000-04-14 2004-09-23 Kane Deborah Maree Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
DE60130204T2 (de) 2000-04-19 2008-05-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hochdruckentladungslampe
DE10023504A1 (de) * 2000-05-13 2001-11-15 Philips Corp Intellectual Pty Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe
DE10026913A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht
US6961441B1 (en) 2000-09-29 2005-11-01 General Electric Company Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data
DE10048409A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation
DE10048410A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe
JP3818043B2 (ja) * 2000-10-12 2006-09-06 株式会社日立製作所 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置
JP2002212553A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Kasei Optonix Co Ltd 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ
DE10104364A1 (de) * 2001-02-01 2002-08-14 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht
JP3471782B2 (ja) * 2001-02-13 2003-12-02 Nec液晶テクノロジー株式会社 平面型蛍光ランプユニット及びそれを用いた液晶表示装置
DE10111191A1 (de) 2001-03-08 2002-09-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren mit Kontaktsystem
DE10121095A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
US6833677B2 (en) * 2001-05-08 2004-12-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. 150W-1000W mastercolor ceramic metal halide lamp series with color temperature about 4000K, for high pressure sodium or quartz metal halide retrofit applications
DE10122211A1 (de) 2001-05-08 2002-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung mit Spiegelfläche
DE10126159A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-05 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10129630A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-02 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung
DE10133326A1 (de) 2001-07-10 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10133411A1 (de) * 2001-07-13 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs
DE10133949C1 (de) * 2001-07-17 2003-03-20 Inst Niedertemperatur Plasmaph Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen, die nach dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung aufgebaut ist, für Lichtquellen und Sichtanzeigeeinrichtungen
DE10134965A1 (de) * 2001-07-23 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Entladungslampe
DE10140355A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10140356A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe
JP4727093B2 (ja) * 2001-09-12 2011-07-20 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
TW558732B (en) * 2001-09-19 2003-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light source apparatus and liquid crystal display apparatus using the same
US6891334B2 (en) 2001-09-19 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display employing the same
DE10147961A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verfahren sowie Schaltunggsanordnung zum Zünden und Betreiben dieser Lampe
US6806648B2 (en) * 2001-11-22 2004-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display device
US6906461B2 (en) * 2001-12-28 2005-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device with inner and outer electrodes and liquid crystal display device
DE10214156A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur
JP3889987B2 (ja) * 2002-04-19 2007-03-07 パナソニック フォト・ライティング 株式会社 放電灯装置及びバックライト
JP2003336052A (ja) * 2002-05-17 2003-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイ装置
DE10222100A1 (de) 2002-05-17 2003-11-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Sockel
DE10236420A1 (de) 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
TWI230962B (en) * 2002-08-30 2005-04-11 Harison Toshiba Lighting Corp Lighting device
DE10254208A1 (de) * 2002-11-20 2004-06-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verwendung dieser Lampe für die Röntgenbildbetrachtung
US6827877B2 (en) * 2003-01-28 2004-12-07 Osram Sylvania Inc. Red-emitting phosphor blend for plasma display panels
JP3793880B2 (ja) * 2003-02-06 2006-07-05 松永 浩 点灯装置
US6730458B1 (en) 2003-03-03 2004-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction
DE10312720A1 (de) * 2003-03-21 2004-09-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Quetschdichtung
US6831421B1 (en) 2003-03-24 2004-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Shunt-induced high frequency excitation of dielectric barrier discharges
DE60312648T2 (de) * 2003-04-30 2007-11-22 Centrum Für Angewandte Nanotechnologie (Can) Gmbh Lumineszente Kern-Mantel-Nanoteilchen
DE10324832A1 (de) * 2003-06-02 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Leuchtstoff
DE10326755A1 (de) 2003-06-13 2006-01-26 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
WO2005006388A2 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Colour tunable lighting element
DE10336088A1 (de) * 2003-08-06 2005-03-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäß
DE10347636A1 (de) * 2003-10-09 2005-05-04 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit mindestens einer Außenelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2005037956A1 (ja) * 2003-10-21 2005-04-28 Sumitomo Chemical Company, Limited 蛍光体及び蛍光体ペースト
US7863816B2 (en) * 2003-10-23 2011-01-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
JP3872472B2 (ja) * 2003-11-12 2007-01-24 日亜化学工業株式会社 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管
DE10359882A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanordnung zum Betreiben von elektrischen Lampen
DE102004020398A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US7196473B2 (en) * 2004-05-12 2007-03-27 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102004025266A1 (de) * 2004-05-19 2005-12-08 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einem Gehäuse und einer darin angeordneten Flachlampe
WO2005116164A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-08 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Low-pressure mercury vapor discharge lamp comprising uv-a phosphor
US20060006804A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Lajos Reich Dielectric barrier discharge lamp
US7446477B2 (en) 2004-07-06 2008-11-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement
KR20060004791A (ko) * 2004-07-08 2006-01-16 삼성코닝 주식회사 평판 램프
US7390437B2 (en) * 2004-08-04 2008-06-24 Intematix Corporation Aluminate-based blue phosphors
JP4575123B2 (ja) * 2004-11-29 2010-11-04 浜松ホトニクス株式会社 誘電体バリア放電ランプ
JP5244398B2 (ja) * 2005-01-07 2013-07-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ セグメント化された誘電バリア放電ランプ
JP2008537286A (ja) * 2005-03-30 2008-09-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放電ランプ並びにそのような放電ランプを含むディスプレイ装置を背面照明するためのバックライトユニット
DE102005034505A1 (de) * 2005-07-20 2007-02-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanorndung mit transformatorlosem Wandler mit Drossel für den gepulsten Betrieb von dielektrischen Barriere-Entladungslampen
KR100725763B1 (ko) 2005-12-05 2007-06-08 주식회사 신안유브이 전계 자외선 방전등
US7495396B2 (en) * 2005-12-14 2009-02-24 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102006010791A1 (de) * 2006-03-08 2007-09-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202006005212U1 (de) * 2006-03-31 2006-07-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit dielektrischer Barriere-Entladungslampe, Betriebsgerät und Verbindungskabel
CN101421374A (zh) * 2006-04-11 2009-04-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含uv-磷光体的放电灯
US20080174226A1 (en) 2007-01-23 2008-07-24 Nulight Technology Corporation Mercury-free flat fluorescent lamps
DE102007006861B3 (de) * 2007-02-12 2008-05-29 Universität Karlsruhe (Th) Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung
DE202007002131U1 (de) * 2007-02-13 2007-04-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202007004236U1 (de) * 2007-03-22 2007-06-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Zündhilfe
WO2009139908A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Rutgers, The State University Fluorescent excimer lamps
WO2009146744A1 (de) * 2008-06-05 2009-12-10 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur behandlung von oberflächen, strahler für dieses verfahren sowie bestrahlungssystem mit diesem strahler
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5195371B2 (ja) * 2008-12-05 2013-05-08 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
DE102009030310A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Entladungsräumen
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9493366B2 (en) 2010-06-04 2016-11-15 Access Business Group International Llc Inductively coupled dielectric barrier discharge lamp
JP5504095B2 (ja) * 2010-08-10 2014-05-28 株式会社オーク製作所 放電ランプ
DE102010043208A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen
DE102010043215A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
JP6055170B2 (ja) * 2011-06-15 2016-12-27 セイコーエプソン株式会社 光源装置、放電灯の駆動方法およびプロジェクター
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
DE102012018854B4 (de) * 2012-09-25 2018-02-15 Berger GmbH & Co.KG Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit drei Elektroden und zwei Gasräumen
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9133389B2 (en) * 2012-10-31 2015-09-15 Empire Technology Development Llc Light guide structure and illuminating device
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1022399A (en) * 1911-08-18 1912-04-09 Joseph T Thomasson Animal-shoeing apparatus.
CH451374A (de) * 1963-12-31 1968-05-15 Philips Nv Leuchtstoff
JPS5915951B2 (ja) * 1974-12-10 1984-04-12 松下電器産業株式会社 ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置
JPS5941474B2 (ja) * 1976-04-30 1984-10-06 大日本塗料株式会社 気体放電発光素子
US4161457A (en) * 1977-03-15 1979-07-17 Dai Nippon Toryo Co., Ltd. Process for preparing a divalent europium activated alkaline earth metal aluminate phosphor
US4423349A (en) * 1980-07-16 1983-12-27 Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith
EP0062993A1 (en) * 1981-04-09 1982-10-20 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Cathode ray tube phosphor layers
JPS5813688A (ja) * 1981-07-20 1983-01-26 Mitsubishi Chem Ind Ltd 螢光体の製造方法
JPS5834560A (ja) * 1981-08-21 1983-03-01 周 成祥 放電灯ディスプレイ装置
CA1198148A (en) * 1982-06-28 1985-12-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrostatic printing process
US4583026A (en) * 1983-07-19 1986-04-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Low-pressure mercury vapor discharge lamp
JPS6155839A (ja) * 1984-08-26 1986-03-20 Osamu Tada 螢光ランプの製造方法
JPH079795B2 (ja) * 1986-12-01 1995-02-01 東芝ライテック株式会社 放電ランプ
AU607520B2 (en) * 1987-08-06 1991-03-07 Shing Cheung Chow Discharge lamp type display device
EP0331738B1 (en) * 1987-08-10 1996-11-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Green light emitting rare gas discharge lamp
CH675504A5 (ja) * 1988-01-15 1990-09-28 Asea Brown Boveri
JPH02135277A (ja) * 1988-11-17 1990-05-24 Sanyo Electric Co Ltd 蛍光ランプ
US5117160C1 (en) * 1989-06-23 2001-07-31 Nec Corp Rare gas discharge lamp
JP2671575B2 (ja) * 1989-11-22 1997-10-29 日本電気株式会社 ガス放電表示素子の駆動方法
KR930005688B1 (ko) * 1990-02-06 1993-06-24 삼성전관 주식회사 녹색 발광 형광체
FR2672281B1 (fr) * 1991-02-04 1993-04-16 Rhone Poulenc Chimie Phosphate mixte de lanthane, terbium et cerium, procede de fabrication de celui-ci.
US5047173A (en) * 1991-03-08 1991-09-10 Gte Products Corporation Method of reducing the powder weight of europium activated strontium tetraborate phosphor
KR930008163B1 (ko) * 1991-04-02 1993-08-26 삼성전관 주식회사 방전관
DE4209763A1 (de) * 1991-06-18 1992-12-24 Hartmut Dipl Phys Schmidt Elektronisch betriebene kompaktleuchtstofflampe
US5132043A (en) * 1991-12-24 1992-07-21 Gte Products Corporation Method of preparing small particle size borate phosphor
US5436532A (en) * 1993-03-26 1995-07-25 Rockwell International Corporation Fluorescent lamp with improved efficiency

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153234A (ja) * 2008-02-18 2008-07-03 Sharp Corp 照明装置および液晶表示装置
JP4668287B2 (ja) * 2008-02-18 2011-04-13 シャープ株式会社 照明装置および液晶表示装置
JP2013034989A (ja) * 2011-07-13 2013-02-21 Gs Yuasa Corp 紫外線照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1076084A2 (de) 2001-02-14
DE59410172D1 (de) 2002-09-26
CN1066854C (zh) 2001-06-06
EP1076084B1 (de) 2002-10-09
HU215307B (hu) 1998-11-30
EP1078972A2 (de) 2001-02-28
CA2159906C (en) 2004-03-30
KR100299151B1 (ko) 2001-10-22
CZ286740B6 (en) 2000-06-14
EP1076084A3 (de) 2002-01-23
EP0733266A1 (de) 1996-09-25
DE59410196D1 (de) 2002-11-14
US5714835A (en) 1998-02-03
EP1078972A3 (de) 2002-03-27
JP2002216985A (ja) 2002-08-02
DE59405921D1 (de) 1998-06-10
EP1078972B1 (de) 2005-10-26
EP0733266B1 (de) 1998-05-06
HU9502905D0 (en) 1995-12-28
CA2155340C (en) 2000-10-03
CZ242195A3 (en) 1996-07-17
WO1994023442A1 (de) 1994-10-13
EP0738311A1 (de) 1996-10-23
JP3298886B2 (ja) 2002-07-08
US5604410A (en) 1997-02-18
CN1120873A (zh) 1996-04-17
CA2155340A1 (en) 1994-10-13
DE59410414D1 (de) 2005-12-01
CA2159906A1 (en) 1994-10-13
EP0738311B1 (de) 2002-08-21
WO1994022975A1 (de) 1994-10-13
JP3715231B2 (ja) 2005-11-09
JP3714952B2 (ja) 2005-11-09
HUT71766A (en) 1996-01-29
KR960702169A (ko) 1996-03-28
JP2004296446A (ja) 2004-10-21
JPH08508307A (ja) 1996-09-03
JP2005276846A (ja) 2005-10-06
DE4311197A1 (de) 1994-10-06
JP2004303737A (ja) 2004-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08508363A (ja) インコヒーレント放出放射源の作動方法
CA2157208C (en) Neon fluorescent lamp and method of operating
US5965988A (en) Discharge lamp with galvanic and dielectric electrodes and method
US7855497B2 (en) Dielectric barrier discharge lamp comprising an UV-B phosphor
EP1532224B1 (en) Device for generating radiation
JP2004269845A (ja) 蛍光灯用途の青−緑蛍光体
JP5137391B2 (ja) 誘電体バリア放電ランプ
US6034471A (en) Neon gas discharge lamp providing white light with improved phosphor
JP5850539B2 (ja) 放電ランプ、使用方法及びシステム
JPS5916707B2 (ja) 高圧水銀けい光ランプ
US5565741A (en) Method of operating a neon discharge lamp particularly useful on a vehicle
US6130511A (en) Neon discharge lamp for generating amber light
CA2294850C (en) Discharge lamp having dielectrically impeded electrodes
US5637965A (en) Low pressure sodium-mercury lamp yielding substantially white light
JPH0785843A (ja) 可変光色蛍光ランプ及びその点灯方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080419

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090419

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100419

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110419

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120419

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120419

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130419

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130419

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140419

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term