JP3714952B2 - 誘電体妨害放電蛍光ランプ - Google Patents

誘電体妨害放電蛍光ランプ Download PDF

Info

Publication number
JP3714952B2
JP3714952B2 JP52154694A JP52154694A JP3714952B2 JP 3714952 B2 JP3714952 B2 JP 3714952B2 JP 52154694 A JP52154694 A JP 52154694A JP 52154694 A JP52154694 A JP 52154694A JP 3714952 B2 JP3714952 B2 JP 3714952B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
vacuum ultraviolet
wavelength
fluorescent lamp
lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP52154694A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08508307A (ja
Inventor
ツアヒアウ、マルチン
シユミツト、デイーター
ミユラー、ウルリツヒ
Original Assignee
パテント‐トロイハント‐ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6484818&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3714952(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by パテント‐トロイハント‐ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング filed Critical パテント‐トロイハント‐ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Publication of JPH08508307A publication Critical patent/JPH08508307A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3714952B2 publication Critical patent/JP3714952B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/46Devices characterised by the binder or other non-luminescent constituent of the luminescent material, e.g. for obtaining desired pouring or drying properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7777Phosphates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7797Borates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/44Devices characterised by the luminescent material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/70Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr
    • H01J61/76Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr having a filling of permanent gas or gases only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/046Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/26Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/2806Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without electrodes in the vessel, e.g. surface discharge lamps, electrodeless discharge lamps
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Description

本発明は、ランプガラス球の内壁面上に蛍光被膜を備え、ランプガラス球の内部に145nm〜185nmの領域の波長を持つ真空紫外線放射が作られる誘電体妨害放電蛍光ランプに関する。
本発明は、誘電体妨害放電用の新作動方式が記載されているドイツ連邦共和国特許出願第P4311197.1号に密接に関係している。この先願で詳細に説明された理論は、とりわけ、特にエキシマー、例えばXe2 *によって紫外線もしくは真空紫外線の明らかに効率的な発生を可能にする。このXe2 *は従来可能であったように172nmの領域の分子帯域放射を放出する。以下において用語“真空紫外線”は特に約145nm〜185nmの領域の波長を持つ電磁放射を表している。
照明技術における今日の蛍光体、すなわち短波電磁放射を光に変換するための今日の蛍光体の主要な利用分野は蛍光ランプである。この蛍光ランプはエネルギーを専ら紫外線の形で放出する水銀低圧放電を基礎としている。この紫外線は主として約254nmの波長を持つ原子スペクトル線の放射である。
環境意識の高まりに配慮するために、最近では益々無水銀形紫外線及び真空紫外線源が開発されている。従来では何れにしても水銀低圧放電(約70%)に比較して比較的僅かな紫外線もしくは真空紫外線発生量(技術的に重要な出力密度の場合約10%〜20%)しか得られていない。一般照明用蛍光ランプを構成する際にこの無水銀形紫外線もしくは真空紫外線放射器を使用することはそれゆえ経済的ではなく、従来では考慮されていなかった。従って従来は真空紫外線領域で良好に励起可能でありかつ放射特性が一般照明に適するような蛍光体を探す必要性が無かった。上述した特許出願において説明されている作動方式を用いたら初めて無水銀形放電においても同様に、特に65%以上の真空紫外線を発生するための効率が得られるようになった。高い真空紫外線発生量は特にXe2 *エキシマーの非常に効率的な発生によって実現される。放射パワーの主要部は約145nm〜185nmの波長範囲で放出される。その結果、効率的な放射発生に関して従来の水銀低圧放電との純粋な代替えが認められる。新方式の放射源を一般照明用に使用するためには何れにしても短波真空紫外線を光へ、すなわち光スペクトルの可視領域へ変換する必要がある。
本発明の課題は、一般照明に適した蛍光体被膜を備え、約145nm〜185nmの領域の波長を特に発生する真空紫外線放射源を基礎とする蛍光ランプを提供することにある。
この課題は、本発明によれば、ランプガラス球の内壁面上に蛍光被膜を備え、この蛍光被膜が一般式(YxGdyTbz3Al512(ここで0.1≦x≦0.99、0≦y≦0.9、0.01≦z≦0.4及びx+y+z≒1)による混合アルミン酸塩を含み、ランプガラス球の内部にキセノンを含む封入物が封入され、ランプガラス球の内部にキセノンの誘電体妨害放電によって145nm〜185nmの領域の波長を持つ真空紫外線放射が作られることによって解決される。
電磁放射の蛍光体によって変換する効率を表す量はその波長に依存する励起性である。この励起性は吸収と量子効率との積に比例する。量子効率は、短波長(高エネルギー)の光子が吸収された後、蛍光体によって光子を発生するための確率である。それゆえ最大励起性は、吸収及び量子効率が100%の大きさである場合、すなわち入射した各光子が吸収されて長波長(低エネルギー)の光子へ変換される場合に現れる。
事前調査において、水銀低圧放電を用いた従来の蛍光ランプ内に真空紫外線を持つ通常の蛍光体を使用するために多数の励起性が測定により目的に適うように調査された。その際、全ての蛍光体において、入射する放射の波長が減少すると吸収は主として増大し、しかしながら励起性は限界波長を下回ると意外にも強烈に減少することが判明した。この挙動は図1乃至図3に例示的に示されている。標準化された励起性がそれぞれ赤色蛍光体(Y23:Eu3+)、緑色蛍光体(GdMgB510:Ce、Tb)及び青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)の波長の関数として示されている。結論として、従来の蛍光ランプに有利に使用されていた幾つかの蛍光体、例えば緑色蛍光体(CeMgAl1119:Tb3+)は真空紫外線による不十分な励起性しか有していない。この場合、励起性の低下は殆ど全真空紫外線領域に亘って広がっている。他の蛍光体はそれに対して真空紫外線によって良好に励起することができる。というのは、低下は真空紫外線領域の短波端部で初めて生ずるからである。このための例は同様に公知の青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu2+)である(図3参照)。
観察された挙動を基礎とする物理現象はまだ完全に解明されていない。今のところ、考え得る理由は限界波長以下の波長を持つ放射に対する根本的に異なった吸収メカニズムにあるものと推定されている。波長254nmを持つ従来の水銀低圧放電において蛍光体励起にとって重要なスペクトル線の放射パワーは主として発光中心としても作用する活性剤原子又は場合によっては存在する共活性剤(増感剤)を励起する。この増感剤は励起エネルギーを活性剤原子へ転移する。限界波長以下では吸収はホスト格子によって飛躍的に増大する(吸収係数は105cm-1以上の大きさの値に達する)。限界波長はそれゆえ簡略的には電子をホスト格子の価電子帯から真っ直ぐに伝導帯へ励起することができるようにするために最大で1つの光子を有してもよいような波長であると解釈することができる。価電子帯と伝導体との間の適当なエネルギー差は以下においては光バンドギャップと称し、そして限界波長は光帯域端と称する。
ホスト格子の電子が適当なエネルギーの光子を吸収することによって、そのホスト格子の電子が価電子帯から伝導帯へ励起されると、“電子−正孔対”が生成し、電子及び正孔は自由に又は励起子として結合され得る(このための詳細は例えばチャールス・キッテル著「固体物理への入門書」オルデンボウルク出版社、ミュンヘン、第5版、1980年発行、第359頁以下参照)。励起子は電気的に中性であり、そのために格子の内部で比較的自由に移動することができ、そのエネルギーを衝突相手、例えば活性剤原子へ引渡すことができる。この活性剤原子はエネルギーを光の形で放射する。光子エネルギーの増大に関して(吸収された放射の波長の減少に関して)、光子エネルギーが光バンドギャップより大きくなる(すなわち光子の波長が光帯域端より小さくなる)と直ちに、励起性が明らかに減少することが実験により突き止められた。何らかの理論的な説明が行われることなく、今のところ、表面不純物及び体積不純物がこの観察の原因とされている。この不純物は、励起子がそのエネルギーを活性剤原子(すなわち発光中心)へ引渡す前に、ますます自由電子及び正孔もしくは励起子を“捕捉”する。汚染物、混合物等であり得る不純物からエネルギーは放射なく別の損失チャネル内へ達し、結局は蛍光体を不所望に加熱することになる。
ここで、真空紫外線によって効率的に励起することのできるその照明用蛍光体を目的に適うように利用する本発明の理論を説明する。本発明においては、冒頭で述べた知識に基づいて、ホスト格子の光バンドギャップが真空紫外線のエネルギースペクトルの低エネルギー限界以上、特に6.7eV以上のところに位置するような蛍光体が使用される。好適なホスト格子は例えばホウ酸塩、リン酸塩、アルミン酸塩ならびにケイ酸塩である。ホスト格子は発光中心として機能して通常活性剤と称される少なくとも1つの補助物質をドープされる。活性剤を適当に選択することによって、ルミネセンスの光スペクトルは目的に適うように制御可能になる。その際ルミネセンスの色は当該蛍光体を表すのに使われる。3原色の赤、緑及び青が照明技術にとって特に注目されている。何故ならば、それらを用いて、例えば装飾照明又は信号照明用のそれぞれ任意の混色ならびに白色(一般照明にとっては特に重要)を原理的に発生することができるからである。このために種々異なった蛍光体成分が適当に組み合わせられ、例えば混合、又は交互に配置される。好適な活性剤は、例えば赤色蛍光体用のEu3+、緑色蛍光体用のTb3+及び青色蛍光体用のEu2+である。特にその活性剤を用いて、発光スペクトルが3波長域発光形蛍光体に良好に適するように、このような蛍光体が活性化される。ランプ効率及び一般照明用3波長域発光形蛍光ランプの演色を最適化するために、赤色蛍光体の主放出は約610nm、緑色蛍光体の主放出は約540nm、青色蛍光体の主放出は約450nmに位置しなければならない(例えば、エイ・ダブリュ・トルントン「J.Opt.Soc.Am.61」(1971年)第1155頁参照)。
他の実施形態においてはホスト格子に1つ又は複数の他のドーピング物質が添加される。その場合同様に活性剤すなわち発光中心が使用される。このようにして同様に1つの蛍光体のみに用いて、異なった活性剤を適当に選択することによって原理的に任意の混色を得ることが可能になる。緑色発光活性剤及び赤色発光活性剤を有する蛍光体からは例えば黄色光が発生される。白色光用にはさらに少なくとも1つの第3の青色発光活性剤が必要である。
ここで注目される真空紫外線領域の内部での光帯域端の位置に応じて、本発明による(すなわち効率的に励起可能な)真空紫外線蛍光体は概略的に2つのクラスに区分することができる。第1のクラスでは、入射した真空紫外線放射パワーの50%以上はホスト格子によって吸収され、このホスト格子から発光中心へ転移される。真空紫外線放射パワーの残余量は例えば活性剤原子によって直接吸収される。このための例は赤色蛍光体(YxGdyEuz)BO3である。三価ユーロピウムEu3+を用いて活性化した混合ホウ酸塩が使用される。x、y及びzに適した値は0≦x≦0.99、0≦y≦0.99、0.01≦z≦0.2、特に0.55≦x≦0.87、0.1≦y≦0.3及び0.03≦z≦0.15であり、その場合それぞれ境界条件x+y+z≒1が満たされる。青色蛍光体用の例は二価ユーロピウムEu2+を用いて活性化した混合アルミン酸塩(BaxEuy)MgAl1017である。x及びyに適した値は0.6≦x≦0.97、0.03≦y≦0.4、特に0.8≦x≦0.95、0.05≦y≦0.2であり、それぞれx+y≒1が当てはまる。三価テルビウムTb3+を用いて活性化した緑色蛍光体用の例は、
1)混合アルミン酸塩(YxGdyTbz31512、0.1≦x≦0.99、0≦y≦0.9、0.03≦z≦0.4及びx+y+z≒1、特にy=0、0.8≦x≦0.99、0.01≦z≦0.2及びx+z≒1が当てはまり、
2)混合ケイ酸塩(YxScyTbz2SiO5、0.6≦x≦0.99、0≦y≦0.1、0.01≦z≦0.4及びx+y+z≒1が当てはまり、
3)混合ホウ酸塩(YxGdyTbz)BO3、0≦x≦0.99、0≦y≦0.99、0.01≦z≦0.4、特に0.55≦x≦0.8、0.1≦y≦0.3、0.03≦z≦0.2及びx+y+z≒1が当てはまる。
光帯域端が真空紫外線波長領域の上限に接近すればする程、ホスト格子による真空紫外線の吸収が多くなる。極端な場合、専らホスト格子吸収が現れる、すなわち活性剤が有っても無くても同じ吸収が生ずる。
それに対して第2のクラスでは、入射した真空紫外線放射パワーの50%以上は活性剤(すなわち発光中心)によって直接吸収される。真空紫外線放射パワーの残余量は例えばホスト格子及び場合によっては他のドーピング物質によって吸収され得る。このような状態はホスト格子の光帯域端が真空紫外線波長領域の上限より明らかに小さい場合に現れる。蛍光体のこのクラスの例としては一般式(LnxCeyScwTbz)PO4に応じて三価テルビウムTb3+を用いて活性化した混合リン酸塩がある。なお、Lnは元素ランタンLa、イットリウムY又はガドリニウムGdの1つ、又はこれらの元素の混合物を表す。x、y、w及びzに適した値は0.35≦x≦0.95、0≦y≦0.5、0≦w≦0.2、0.05≦z≦0.5、特にw=0、0.45≦x≦0.8、0.1≦y≦0.3、0.1≦z≦0.25でありw+x+y+z≒1が当てはまる。励起パワーは殆ど専ら活性剤Tb3+自体によって吸収される。波長254nmの放射によって励起する際に増感剤として必要なCe3+ はこのクラスの蛍光体に対する真空紫外線励起にはそれ程重要ではなく、ランプ効率を変えることなく、多分省略することができる。Ce3+がこれに関連してそもそも(たとえ小さくても)改善をもたらすか否かはまだ最終的に解明されていない。
優れた実施形態においては上述した蛍光体の1つ又は複数が蛍光体被膜へ加工される。蛍光体の選択は、真空紫外線が特に好適なスペクトル領域へ変換されるように行われる。このために蛍光体被膜がランプガラス球の内壁上に有利に塗布され、その場合ランプガラス球の内部では特に約145nm〜185nmの領域の波長を持つ真空紫外線が発生される。この短波放射は空気内及び大抵のランプガラス管材料内で殆ど多量に吸収され、それゆえ外壁上の被膜は特殊な、従って高価な真空紫外線透過材料、例えばSUPRASIL(登録商標)(ヘラオイス社)のような特殊石英ガラスを必要とするであろう。さらに、ランプはこの場合接触に対する被膜保護のために補助的な外管を有しなければならないであろう。
特に優れた実施形態においては白色光を発生するために3波長域発光形蛍光体被膜が使用される。この蛍光体被膜は次の本発明による蛍光体、すなわち赤色成分R、特に(Y、Gd)BO3:Eu3+、緑色成分G、特にLaPO4:(Tb3+、Ce3+)及び青色成分B、特にBaMgAl1017:Eu2+から構成され、混合物の重量割合は0.2<R<0.5、0.4<G<0.7、0.05<B<0.15及びR+G+B=1が当てはまる。蛍光体被膜は良好な真空紫外線励起性の他に良好な演色を特徴とし、このことは特に照明技術においては非常に重要である。さらに、蛍光体のすなわち個々の蛍光体粒子及び/又は塗布された蛍光体被膜の表面に、真空紫外線を十分に透過させ得る例えばMgF2から成る保護膜を設けると有利である。
本発明を以下において幾つかの実施例に基づいて詳細に説明する。最初にXe2 *エキシマー放射を用いた励起により求められた蛍光体の光データを示す。EXeの値は、真空紫外線放射を用いた励起性(145nm〜185nmの波長領域におけるXe2 *エキシマー放射のスペクトルを用いて重み付けされた平均)が所定の離散的波長の際に達成される最大励起性に比較してどの位大きいかを示す。それゆえ、EXeは、蛍光体が励起最大の波長の放射ではなく145nm〜185nmの波長領域におけるエキシマー放射の全連続体を照射された場合に蛍光体の励起性が減少していく値である。QXe *は近似的な量子効率(この量子効率は蛍光体の調製によってコントロールされ、最適化されず、それゆえ呈示した値は下限値と理解するべきである。)を表す。
図1は赤色蛍光体Y23:Eu3+の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図2は緑色蛍光体CeMgAl1119:Tb3+の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図3は青色蛍光体BaMgAl1017:Eu2+の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図4は赤色蛍光体(Y0.72Gd0.2Eu0.08)BO3の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図5は緑色蛍光体(La0.43Ce0.39Tb0.18)PO4の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図6aは本発明による3波長域発光形蛍光体被膜を備えた新形蛍光ランプの側面図を示す。
図6bは図6aのA−A線に沿って示した蛍光ランプの断面図を示す。
図7は図6a及び図6bに示された3波長域発光形蛍光ランプの発光スペクトルを示す。
例1
第1の実施例は好適な発光スペクトルを有する赤色蛍光体である。この赤色蛍光体は三価ユーロピウムを用いて活性化した希土類−混合ホウ酸塩である。表1は異なった組成を有する蛍光体を示し、最初の組成はイットリウムY及びガドリニウムGdを含み、次の2つの組成はイットリウムのみ、又はガドリニウムのみを含む。図4には蛍光体No.1の励起スペクトルが示されている。
Figure 0003714952
例2
第2の実施例は好適な発光スペクトルを有する緑色蛍光体である。この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した希土類−混合リン酸塩である。表2は異なった組成を有する蛍光体を示し、その組成は一部がさらに共活性剤として三価セリウム又はスカンジウムをドープされている。最初の4つの蛍光体はランタンLaを含んでいる。次の4つの蛍光体ではランタンはイットリウムYによって置換され、蛍光体No.8はさらにスカンジウムScを添加されている。最後の3つの蛍光体ではランタンはガドリニウムGdによって置換され、最後の蛍光体にはさらにスカンジウムScが添加されている。図5は蛍光体(La0.44Ce0.43Tb0.13)PO4の励起スペクトルを示す。
Figure 0003714952
例3
第3の実施例は非常に好適な発光スペクトルを有する緑色蛍光体である。表3に示されているように、この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した2つのホウ酸イットリウムであり、No.2はさらにガドリニウムを含んでいる。
Figure 0003714952
例4
第4の実施例は別の緑色蛍光体である。この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した希土類−混合ケイ酸塩であり、これは組成(Y0.924Sc0.002Tb0.074)SiO5に従ってイットリウム及びスカンジウムを含んでいる。次の値が検出された。EXe=0.94、QXe *=0.8。
例5
第5の実施例は2つの別の緑色蛍光体である。この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した希土類−混合アルミン酸塩である。第1の蛍光体は次の組成(Y0.9Tb0.13Al512を持つアルミン酸イットリウムである。次の値が検出された。EXe=0.94、QXe *=0.76。特性上同じである第2の蛍光体ではイットリウムがガドリニウムによって20%置換されている。即ち(Y0.7Gd0.2Tb0.13Al512である。
例6
第6の実施例は青色蛍光体である。この青色蛍光体は組成(Ba0.94Eu0.06)MgAl1017に従って二価ユーロピウムを用いて活性化した混合アルミン酸塩である。次の値が検出された。EXe=0.96、QXe *=0.86。
例7
図6aには特に照明用に適する蛍光ランプ1の側面図が示され、図6bにはその断面図が示されている。円筒状放電管2は0.7mmの厚みのDURAN(登録商標)ガラス(ショット社)から構成されて、約50mmの直径を有し、173hPaの圧力でキセノンが封入されている。放電管2の内部の中心軸線上には円形断面と2mmの直径とを有する特殊鋼製の棒から構成された内部電極3が配設されている。放電管2の外壁上には軸平行で12個に均等に分割された1mm幅及び8cm長の高導電性銀条帯が外部電極4として配設されている。放電管2の内壁は蛍光体膜6で被覆されている。この蛍光体膜6は青色成分B:(Ba0.94Eu0.06)MgAl1017、緑色成分G:(La0.43Ce0.39Tb0.18)PO4及び赤色成分R:(Y0.72Gd0.2Eu0.08)BO3を有する3波長域発光形蛍光体混合物である。各成分はB:G:R=0.085:0.555:0.36の比で混合されている。内部電極3はエジソンねじ込み口金7によってパルス状の周期的な電圧が印加され、この電圧は外部電極に対して約4kVの大きさであり、約1.2μsの平均パルス継続時間と約25kHzのパルス周波数とを有している。それによって、40lm/Wのランプ効率が得られた。色温度は4000K、CIEに基づく標準色度図による色位置は座標x=0.38、y=0.377である。このランプの発光スペクトルは図に示されている。

Claims (4)

  1. ランプガラス球の内壁面上に蛍光被膜を備え、この蛍光被膜が一般式(YxGdyTbz3Al512(ここで0.1≦x≦0.99、0≦y≦0.9、0.01≦z≦0.4及びx+y+z≒1)による混合アルミン酸塩を含み、ランプガラス球の内部にキセノンを含む封入物が封入され、ランプガラス球の内部にキセノンの誘電体妨害放電によって145nm〜185nmの領域の波長を持つ真空紫外線放射が作られることを特徴とする誘電体妨害放電蛍光ランプ。
  2. y=0でx、zが0.8≦x≦0.99、0.01≦z≦0.2の範囲内にあり、x+z≒1であることを特徴とする請求項1記載の誘電体妨害放電蛍光ランプ。
  3. 蛍光体の表面及び/又は蛍光被膜の表面が保護被膜を備えていることを特徴とする請求項1又は2記載の誘電体妨害放電蛍光ランプ。
  4. 保護被膜がMgF2から成ることを特徴とする請求項3記載の誘電体妨害放電蛍光ランプ。
JP52154694A 1993-04-05 1994-04-05 誘電体妨害放電蛍光ランプ Expired - Fee Related JP3714952B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4311197A DE4311197A1 (de) 1993-04-05 1993-04-05 Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle
DE4311197.1 1993-04-05
PCT/DE1994/000382 WO1994022975A1 (de) 1993-04-05 1994-04-05 Leuchtstoffe für beleuchtungszwecke

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004162736A Division JP2004303737A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2004162737A Division JP2004296446A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2005166606A Division JP2005276846A (ja) 1993-04-05 2005-06-07 蛍光ランプ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08508307A JPH08508307A (ja) 1996-09-03
JP3714952B2 true JP3714952B2 (ja) 2005-11-09

Family

ID=6484818

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52154694A Expired - Fee Related JP3714952B2 (ja) 1993-04-05 1994-04-05 誘電体妨害放電蛍光ランプ
JP52154594A Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja) 1993-04-05 1994-04-05 インコヒーレント放出放射源の作動方法
JP2001347842A Expired - Lifetime JP3715231B2 (ja) 1993-04-05 2001-11-13 インコヒーレント放出放射源の作動方法
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) 1993-04-05 2005-06-07 蛍光ランプ

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52154594A Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja) 1993-04-05 1994-04-05 インコヒーレント放出放射源の作動方法
JP2001347842A Expired - Lifetime JP3715231B2 (ja) 1993-04-05 2001-11-13 インコヒーレント放出放射源の作動方法
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) 1993-04-05 2004-06-01 蛍光ランプ
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) 1993-04-05 2005-06-07 蛍光ランプ

Country Status (10)

Country Link
US (2) US5604410A (ja)
EP (4) EP0733266B1 (ja)
JP (6) JP3714952B2 (ja)
KR (1) KR100299151B1 (ja)
CN (1) CN1066854C (ja)
CA (2) CA2159906C (ja)
CZ (1) CZ286740B6 (ja)
DE (5) DE4311197A1 (ja)
HU (1) HU215307B (ja)
WO (2) WO1994023442A1 (ja)

Families Citing this family (467)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19517515A1 (de) * 1995-05-12 1996-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe und Verfahren zum Betreiben derartiger Entladungslampen
DE19526211A1 (de) * 1995-07-18 1997-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler
US6153971A (en) * 1995-09-21 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source with only two major light emitting bands
DE19543342A1 (de) * 1995-11-22 1997-05-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren und Strahlungsanordnung zur Erzeugung von UV-Strahlen zur Körperbestrahlung sowie Verwendung
DE19548003A1 (de) 1995-12-21 1997-06-26 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsspannungsfolgen, insbesondere für den Betrieb von dielektrisch behinderten Entladungen
JP3277788B2 (ja) * 1996-01-16 2002-04-22 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
EP1439586B1 (de) 1996-06-26 2014-03-12 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19636965B4 (de) * 1996-09-11 2004-07-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle
JP3546610B2 (ja) * 1996-09-20 2004-07-28 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電装置
DE19651552A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe
JP3355976B2 (ja) * 1997-02-05 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
DE19711892A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
DE19711893A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
US5998921A (en) * 1997-03-21 1999-12-07 Stanley Electric Co., Ltd. Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode
JP3264938B2 (ja) 1997-03-21 2002-03-11 パテント―トロイハント―ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング バックライト用平形蛍光ランプ及びこの平形蛍光ランプを備えた液晶表示装置
DE19718395C1 (de) * 1997-04-30 1998-10-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb
CN1183807C (zh) * 1997-07-22 2005-01-05 电灯专利信托有限公司 包括介电隔离放电灯和脉冲电压序列产生电路的照明系统
DE19734885C1 (de) 1997-08-12 1999-03-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
DE19734883C1 (de) * 1997-08-12 1999-03-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
EP1030339B1 (en) * 1997-11-06 2004-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor material, phosphor material powder, plasma display panel, and processes for producing these
EP0926705A1 (de) 1997-12-23 1999-06-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahler mit örtlich modulierter Flächenleuchtdichte
EP0932185A1 (de) 1997-12-23 1999-07-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Signallampe und Leuchtstoffe dazu
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
JP3353684B2 (ja) * 1998-01-09 2002-12-03 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
JP3521731B2 (ja) 1998-02-13 2004-04-19 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
DE19811520C1 (de) 1998-03-17 1999-08-12 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19817480B4 (de) * 1998-03-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern
DE19817475B4 (de) * 1998-04-20 2004-04-15 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe
DE19817476B4 (de) * 1998-04-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke
DE19817477A1 (de) 1998-04-20 1999-10-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe mit auf die geometrische Entladungsverteilung abgestimmter Leuchtstoffschichtdicke
DE19826809A1 (de) * 1998-06-16 1999-12-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE19826808C2 (de) * 1998-06-16 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19839329A1 (de) 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19839336A1 (de) * 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19843419A1 (de) 1998-09-22 2000-03-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19844720A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
DE19844721A1 (de) 1998-09-29 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration
DE19844725A1 (de) 1998-09-29 2000-03-30 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Gasentladungslampe mit steuerbarer Leuchtlänge
DE19905219A1 (de) 1998-09-30 2000-08-31 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE19845228A1 (de) * 1998-10-01 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
DE69915030T2 (de) * 1998-10-20 2004-11-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Plasma anzeigetafel
DE19858810A1 (de) 1998-12-21 2000-06-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren
JP2002540583A (ja) * 1999-03-25 2002-11-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
US6191539B1 (en) * 1999-03-26 2001-02-20 Korry Electronics Co Fluorescent lamp with integral conductive traces for extending low-end luminance and heating the lamp tube
DE19916877A1 (de) * 1999-04-14 2000-10-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Sockel
DE19919169A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-02 Philips Corp Intellectual Pty Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe
DE19927791A1 (de) * 1999-06-18 2000-12-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Farbanzeige mit sequentieller Primärfarberzeugung
DE19928438A1 (de) * 1999-06-23 2000-12-28 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe
EP1176853B1 (en) 1999-10-18 2008-04-02 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Dielectric barrier discharge lamp light source
DE19953531A1 (de) 1999-11-05 2001-05-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Elektrodenhalterung
DE19955108A1 (de) * 1999-11-16 2001-05-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit verbesserter Temperaturhomogenität
DE19960053A1 (de) 1999-12-13 2001-06-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE10005975A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-16 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Betriebsverfahren für eine Entladungslampe mit mindestens einer dielektrisch behinderten Elektrode
DE10011484A1 (de) * 2000-03-09 2001-09-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verbessertes Pulsbetriebsverfahren für eine Stille Entladungslampe
DE10014407A1 (de) * 2000-03-24 2001-09-27 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe
US6541924B1 (en) 2000-04-14 2003-04-01 Macquarie Research Ltd. Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
AU2001250151B2 (en) * 2000-04-14 2004-07-22 Macquarie Research Ltd Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
WO2001080606A1 (en) * 2000-04-14 2001-10-25 Macquarie Research Ltd Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
WO2001082331A1 (en) 2000-04-19 2001-11-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. High-pressure discharge lamp
DE10023504A1 (de) * 2000-05-13 2001-11-15 Philips Corp Intellectual Pty Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe
DE10026913A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht
US6961441B1 (en) 2000-09-29 2005-11-01 General Electric Company Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data
DE10048410A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe
DE10048409A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation
JP3818043B2 (ja) * 2000-10-12 2006-09-06 株式会社日立製作所 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置
JP2002212553A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Kasei Optonix Co Ltd 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ
DE10104364A1 (de) * 2001-02-01 2002-08-14 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht
JP3471782B2 (ja) * 2001-02-13 2003-12-02 Nec液晶テクノロジー株式会社 平面型蛍光ランプユニット及びそれを用いた液晶表示装置
DE10111191A1 (de) 2001-03-08 2002-09-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren mit Kontaktsystem
DE10121095A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10122211A1 (de) 2001-05-08 2002-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung mit Spiegelfläche
US6833677B2 (en) * 2001-05-08 2004-12-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. 150W-1000W mastercolor ceramic metal halide lamp series with color temperature about 4000K, for high pressure sodium or quartz metal halide retrofit applications
DE10126159A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-05 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10129630A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-02 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung
DE10133326A1 (de) 2001-07-10 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10133411A1 (de) * 2001-07-13 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs
DE10133949C1 (de) * 2001-07-17 2003-03-20 Inst Niedertemperatur Plasmaph Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen, die nach dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung aufgebaut ist, für Lichtquellen und Sichtanzeigeeinrichtungen
DE10134965A1 (de) * 2001-07-23 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Entladungslampe
DE10140355A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10140356A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe
JP4727093B2 (ja) * 2001-09-12 2011-07-20 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
TW558732B (en) 2001-09-19 2003-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light source apparatus and liquid crystal display apparatus using the same
US6891334B2 (en) 2001-09-19 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display employing the same
DE10147961A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verfahren sowie Schaltunggsanordnung zum Zünden und Betreiben dieser Lampe
US6806648B2 (en) * 2001-11-22 2004-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display device
US6906461B2 (en) * 2001-12-28 2005-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device with inner and outer electrodes and liquid crystal display device
DE10214156A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur
JP3889987B2 (ja) * 2002-04-19 2007-03-07 パナソニック フォト・ライティング 株式会社 放電灯装置及びバックライト
JP2003336052A (ja) * 2002-05-17 2003-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイ装置
DE10222100A1 (de) 2002-05-17 2003-11-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Sockel
DE10236420A1 (de) * 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
TWI230962B (en) * 2002-08-30 2005-04-11 Harison Toshiba Lighting Corp Lighting device
DE10254208A1 (de) * 2002-11-20 2004-06-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verwendung dieser Lampe für die Röntgenbildbetrachtung
US6827877B2 (en) * 2003-01-28 2004-12-07 Osram Sylvania Inc. Red-emitting phosphor blend for plasma display panels
JP3793880B2 (ja) * 2003-02-06 2006-07-05 松永 浩 点灯装置
US6730458B1 (en) 2003-03-03 2004-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction
DE10312720A1 (de) * 2003-03-21 2004-09-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Quetschdichtung
US6831421B1 (en) 2003-03-24 2004-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Shunt-induced high frequency excitation of dielectric barrier discharges
ES2283674T3 (es) * 2003-04-30 2007-11-01 Centrum Fur Angewandte Nanotechnologie (Can) Gmbh Nanoparticulas de cucleos/recubrimientos luminiscentes.
DE10324832A1 (de) * 2003-06-02 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Leuchtstoff
DE10326755A1 (de) * 2003-06-13 2006-01-26 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
EP1647044A2 (en) * 2003-07-15 2006-04-19 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Colour tunable lighting element
DE10336088A1 (de) * 2003-08-06 2005-03-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäß
DE10347636A1 (de) * 2003-10-09 2005-05-04 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit mindestens einer Außenelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7964112B2 (en) * 2003-10-21 2011-06-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphor and phosphor paste
US7863816B2 (en) * 2003-10-23 2011-01-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
JP3872472B2 (ja) * 2003-11-12 2007-01-24 日亜化学工業株式会社 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管
DE10359882A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanordnung zum Betreiben von elektrischen Lampen
DE102004020398A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US7196473B2 (en) * 2004-05-12 2007-03-27 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102004025266A1 (de) * 2004-05-19 2005-12-08 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einem Gehäuse und einer darin angeordneten Flachlampe
JP2008500422A (ja) * 2004-05-27 2008-01-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Uv−a蛍光体を有する低圧水銀蒸気放電ランプ
US7446477B2 (en) 2004-07-06 2008-11-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement
US20060006804A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Lajos Reich Dielectric barrier discharge lamp
KR20060004791A (ko) * 2004-07-08 2006-01-16 삼성코닝 주식회사 평판 램프
US7390437B2 (en) * 2004-08-04 2008-06-24 Intematix Corporation Aluminate-based blue phosphors
JP4575123B2 (ja) * 2004-11-29 2010-11-04 浜松ホトニクス株式会社 誘電体バリア放電ランプ
WO2006072892A2 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Segmented dielectric barrier discharge lamp
JP2008537286A (ja) * 2005-03-30 2008-09-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放電ランプ並びにそのような放電ランプを含むディスプレイ装置を背面照明するためのバックライトユニット
DE102005034505A1 (de) 2005-07-20 2007-02-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanorndung mit transformatorlosem Wandler mit Drossel für den gepulsten Betrieb von dielektrischen Barriere-Entladungslampen
KR100725763B1 (ko) 2005-12-05 2007-06-08 주식회사 신안유브이 전계 자외선 방전등
US7495396B2 (en) * 2005-12-14 2009-02-24 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102006010791A1 (de) * 2006-03-08 2007-09-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202006005212U1 (de) * 2006-03-31 2006-07-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit dielektrischer Barriere-Entladungslampe, Betriebsgerät und Verbindungskabel
JP2009533812A (ja) * 2006-04-11 2009-09-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Uv蛍光体を含む放電ランプ
US20080174226A1 (en) 2007-01-23 2008-07-24 Nulight Technology Corporation Mercury-free flat fluorescent lamps
DE102007006861B3 (de) * 2007-02-12 2008-05-29 Universität Karlsruhe (Th) Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung
DE202007002131U1 (de) * 2007-02-13 2007-04-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202007004236U1 (de) * 2007-03-22 2007-06-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Zündhilfe
JP4668287B2 (ja) * 2008-02-18 2011-04-13 シャープ株式会社 照明装置および液晶表示装置
US8946993B2 (en) * 2008-05-15 2015-02-03 Rutgers, The State University Fluorescent excimer lamps
WO2009146744A1 (de) * 2008-06-05 2009-12-10 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur behandlung von oberflächen, strahler für dieses verfahren sowie bestrahlungssystem mit diesem strahler
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5195371B2 (ja) * 2008-12-05 2013-05-08 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
DE102009030310A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Entladungsräumen
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI569301B (zh) 2010-06-04 2017-02-01 通路實業集團國際公司 感應耦合介電質屏障放電燈
JP5504095B2 (ja) * 2010-08-10 2014-05-28 株式会社オーク製作所 放電ランプ
DE102010043215A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen
DE102010043208A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
JP6055170B2 (ja) * 2011-06-15 2016-12-27 セイコーエプソン株式会社 光源装置、放電灯の駆動方法およびプロジェクター
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
KR20130009648A (ko) * 2011-07-13 2013-01-23 가부시키가이샤 지에스 유아사 자외선 조사 장치
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
DE102012018854B4 (de) * 2012-09-25 2018-02-15 Berger GmbH & Co.KG Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit drei Elektroden und zwei Gasräumen
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
WO2014068622A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Empire Technology Development Llc Light guide structure and illuminating device
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1022399A (en) * 1911-08-18 1912-04-09 Joseph T Thomasson Animal-shoeing apparatus.
AT258368B (de) * 1963-12-31 1967-11-27 Philips Nv Leuchtschirm
JPS5915951B2 (ja) * 1974-12-10 1984-04-12 松下電器産業株式会社 ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置
JPS5941474B2 (ja) * 1976-04-30 1984-10-06 大日本塗料株式会社 気体放電発光素子
US4161457A (en) * 1977-03-15 1979-07-17 Dai Nippon Toryo Co., Ltd. Process for preparing a divalent europium activated alkaline earth metal aluminate phosphor
US4423349A (en) * 1980-07-16 1983-12-27 Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith
EP0062993A1 (en) * 1981-04-09 1982-10-20 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Cathode ray tube phosphor layers
JPS5813688A (ja) * 1981-07-20 1983-01-26 Mitsubishi Chem Ind Ltd 螢光体の製造方法
JPS5834560A (ja) * 1981-08-21 1983-03-01 周 成祥 放電灯ディスプレイ装置
CA1198148A (en) * 1982-06-28 1985-12-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrostatic printing process
US4583026A (en) * 1983-07-19 1986-04-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Low-pressure mercury vapor discharge lamp
JPS6155839A (ja) * 1984-08-26 1986-03-20 Osamu Tada 螢光ランプの製造方法
JPH079795B2 (ja) * 1986-12-01 1995-02-01 東芝ライテック株式会社 放電ランプ
AU607520B2 (en) * 1987-08-06 1991-03-07 Shing Cheung Chow Discharge lamp type display device
DE3855685T2 (de) * 1987-08-10 1997-03-20 Mitsubishi Electric Corp Grünlichtausstrahlende entladungsbirne mit seltenem gas
CH675504A5 (ja) * 1988-01-15 1990-09-28 Asea Brown Boveri
JPH02135277A (ja) * 1988-11-17 1990-05-24 Sanyo Electric Co Ltd 蛍光ランプ
US5117160C1 (en) * 1989-06-23 2001-07-31 Nec Corp Rare gas discharge lamp
JP2671575B2 (ja) * 1989-11-22 1997-10-29 日本電気株式会社 ガス放電表示素子の駆動方法
KR930005688B1 (ko) * 1990-02-06 1993-06-24 삼성전관 주식회사 녹색 발광 형광체
FR2672281B1 (fr) * 1991-02-04 1993-04-16 Rhone Poulenc Chimie Phosphate mixte de lanthane, terbium et cerium, procede de fabrication de celui-ci.
US5047173A (en) * 1991-03-08 1991-09-10 Gte Products Corporation Method of reducing the powder weight of europium activated strontium tetraborate phosphor
KR930008163B1 (ko) * 1991-04-02 1993-08-26 삼성전관 주식회사 방전관
DE4209763A1 (de) * 1991-06-18 1992-12-24 Hartmut Dipl Phys Schmidt Elektronisch betriebene kompaktleuchtstofflampe
US5132043A (en) * 1991-12-24 1992-07-21 Gte Products Corporation Method of preparing small particle size borate phosphor
US5436532A (en) * 1993-03-26 1995-07-25 Rockwell International Corporation Fluorescent lamp with improved efficiency

Also Published As

Publication number Publication date
KR100299151B1 (ko) 2001-10-22
CA2155340C (en) 2000-10-03
CA2159906A1 (en) 1994-10-13
CA2159906C (en) 2004-03-30
JP2004303737A (ja) 2004-10-28
JP2005276846A (ja) 2005-10-06
DE59405921D1 (de) 1998-06-10
JP2004296446A (ja) 2004-10-21
WO1994022975A1 (de) 1994-10-13
CA2155340A1 (en) 1994-10-13
EP1078972A2 (de) 2001-02-28
JPH08508363A (ja) 1996-09-03
JPH08508307A (ja) 1996-09-03
CZ242195A3 (en) 1996-07-17
EP1076084A2 (de) 2001-02-14
US5604410A (en) 1997-02-18
EP1078972B1 (de) 2005-10-26
EP0733266B1 (de) 1998-05-06
EP0733266A1 (de) 1996-09-25
KR960702169A (ko) 1996-03-28
EP1078972A3 (de) 2002-03-27
HU215307B (hu) 1998-11-30
EP0738311B1 (de) 2002-08-21
EP1076084A3 (de) 2002-01-23
EP0738311A1 (de) 1996-10-23
CZ286740B6 (en) 2000-06-14
CN1120873A (zh) 1996-04-17
WO1994023442A1 (de) 1994-10-13
EP1076084B1 (de) 2002-10-09
HU9502905D0 (en) 1995-12-28
US5714835A (en) 1998-02-03
CN1066854C (zh) 2001-06-06
DE59410196D1 (de) 2002-11-14
DE59410414D1 (de) 2005-12-01
JP2002216985A (ja) 2002-08-02
JP3715231B2 (ja) 2005-11-09
HUT71766A (en) 1996-01-29
JP3298886B2 (ja) 2002-07-08
DE4311197A1 (de) 1994-10-06
DE59410172D1 (de) 2002-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3714952B2 (ja) 誘電体妨害放電蛍光ランプ
US6734631B2 (en) Low-pressure gas discharge lamp with phosphor coating
JP5952902B2 (ja) コーティングを含むルミネッセンス物質粒子及び当該ルミネッセンス物質を含む照明ユニット
JP2005108843A (ja) ナノメートルサイズのvuvを吸収する蛍光体を備えた光源
JP4235748B2 (ja) 表示装置
US20070247052A1 (en) Low-Pressure Gas Discharge Lamp Comprising a Uv-B Phosphor
US6777879B2 (en) Gas discharge lamp comprising a phosphor layer
US6822385B2 (en) Gas discharge lamp with down conversion luminophore
EP1797160A1 (en) Light emitting device with a eu(iii)-activated phosphor and second phosphor
US7141920B2 (en) Gas discharge lamp with downconversion phosphor
US5159237A (en) Green-light-emitting rare gas discharge lamp
CN100380569C (zh) 具有改进颜色重现性的介电势垒放电灯
KR20030031147A (ko) 수명 동안에 감소된 색 변화를 갖는 디스플레이 장치
US6940216B2 (en) Gas discharge lamp for dielectrically impeded discharges comprising a blue phosphor
JP2002348571A (ja) 真空紫外線励起紫外蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2006052406A (ja) 量子分裂フッ化物基蛍光体、その製造方法、およびそれを内蔵する装置
KR20030040040A (ko) 산화물계 격자 형광체
EP4125112A1 (en) Mercury free cold cathode lamp internally coated with a luminescent down shifting layer
JP2003272559A (ja) 蛍光ランプ
WO2007080649A1 (ja) 緑色蛍光体及びプラズマディスプレイパネル
JP3430545B2 (ja) 蛍光ランプ
JP2000133204A (ja) 蛍光ランプおよび光源装置
JPH0864173A (ja) 水銀蒸気放電灯およびこれを用いた照明装置
JP2005089692A (ja) 緑色蛍光体及びそれを用いた装置
JPS6351347B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20040227

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20040430

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041207

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050302

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050607

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050726

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050824

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees