JP3714952B2 - 誘電体妨害放電蛍光ランプ - Google Patents
誘電体妨害放電蛍光ランプ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3714952B2 JP3714952B2 JP52154694A JP52154694A JP3714952B2 JP 3714952 B2 JP3714952 B2 JP 3714952B2 JP 52154694 A JP52154694 A JP 52154694A JP 52154694 A JP52154694 A JP 52154694A JP 3714952 B2 JP3714952 B2 JP 3714952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- vacuum ultraviolet
- wavelength
- fluorescent lamp
- lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
- H01J61/46—Devices characterised by the binder or other non-luminescent constituent of the luminescent material, e.g. for obtaining desired pouring or drying properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7777—Phosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7797—Borates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
- H01J61/44—Devices characterised by the luminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/70—Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr
- H01J61/76—Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr having a filling of permanent gas or gases only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/046—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
- H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
- H05B41/2806—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without electrodes in the vessel, e.g. surface discharge lamps, electrodeless discharge lamps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Description
本発明は、誘電体妨害放電用の新作動方式が記載されているドイツ連邦共和国特許出願第P4311197.1号に密接に関係している。この先願で詳細に説明された理論は、とりわけ、特にエキシマー、例えばXe2 *によって紫外線もしくは真空紫外線の明らかに効率的な発生を可能にする。このXe2 *は従来可能であったように172nmの領域の分子帯域放射を放出する。以下において用語“真空紫外線”は特に約145nm〜185nmの領域の波長を持つ電磁放射を表している。
照明技術における今日の蛍光体、すなわち短波電磁放射を光に変換するための今日の蛍光体の主要な利用分野は蛍光ランプである。この蛍光ランプはエネルギーを専ら紫外線の形で放出する水銀低圧放電を基礎としている。この紫外線は主として約254nmの波長を持つ原子スペクトル線の放射である。
環境意識の高まりに配慮するために、最近では益々無水銀形紫外線及び真空紫外線源が開発されている。従来では何れにしても水銀低圧放電(約70%)に比較して比較的僅かな紫外線もしくは真空紫外線発生量(技術的に重要な出力密度の場合約10%〜20%)しか得られていない。一般照明用蛍光ランプを構成する際にこの無水銀形紫外線もしくは真空紫外線放射器を使用することはそれゆえ経済的ではなく、従来では考慮されていなかった。従って従来は真空紫外線領域で良好に励起可能でありかつ放射特性が一般照明に適するような蛍光体を探す必要性が無かった。上述した特許出願において説明されている作動方式を用いたら初めて無水銀形放電においても同様に、特に65%以上の真空紫外線を発生するための効率が得られるようになった。高い真空紫外線発生量は特にXe2 *エキシマーの非常に効率的な発生によって実現される。放射パワーの主要部は約145nm〜185nmの波長範囲で放出される。その結果、効率的な放射発生に関して従来の水銀低圧放電との純粋な代替えが認められる。新方式の放射源を一般照明用に使用するためには何れにしても短波真空紫外線を光へ、すなわち光スペクトルの可視領域へ変換する必要がある。
本発明の課題は、一般照明に適した蛍光体被膜を備え、約145nm〜185nmの領域の波長を特に発生する真空紫外線放射源を基礎とする蛍光ランプを提供することにある。
この課題は、本発明によれば、ランプガラス球の内壁面上に蛍光被膜を備え、この蛍光被膜が一般式(YxGdyTbz)3Al5O12(ここで0.1≦x≦0.99、0≦y≦0.9、0.01≦z≦0.4及びx+y+z≒1)による混合アルミン酸塩を含み、ランプガラス球の内部にキセノンを含む封入物が封入され、ランプガラス球の内部にキセノンの誘電体妨害放電によって145nm〜185nmの領域の波長を持つ真空紫外線放射が作られることによって解決される。
電磁放射の蛍光体によって変換する効率を表す量はその波長に依存する励起性である。この励起性は吸収と量子効率との積に比例する。量子効率は、短波長(高エネルギー)の光子が吸収された後、蛍光体によって光子を発生するための確率である。それゆえ最大励起性は、吸収及び量子効率が100%の大きさである場合、すなわち入射した各光子が吸収されて長波長(低エネルギー)の光子へ変換される場合に現れる。
事前調査において、水銀低圧放電を用いた従来の蛍光ランプ内に真空紫外線を持つ通常の蛍光体を使用するために多数の励起性が測定により目的に適うように調査された。その際、全ての蛍光体において、入射する放射の波長が減少すると吸収は主として増大し、しかしながら励起性は限界波長を下回ると意外にも強烈に減少することが判明した。この挙動は図1乃至図3に例示的に示されている。標準化された励起性がそれぞれ赤色蛍光体(Y2O3:Eu3+)、緑色蛍光体(GdMgB5O10:Ce、Tb)及び青色蛍光体(BaMgAl10O17:Eu)の波長の関数として示されている。結論として、従来の蛍光ランプに有利に使用されていた幾つかの蛍光体、例えば緑色蛍光体(CeMgAl11O19:Tb3+)は真空紫外線による不十分な励起性しか有していない。この場合、励起性の低下は殆ど全真空紫外線領域に亘って広がっている。他の蛍光体はそれに対して真空紫外線によって良好に励起することができる。というのは、低下は真空紫外線領域の短波端部で初めて生ずるからである。このための例は同様に公知の青色蛍光体(BaMgAl10O17:Eu2+)である(図3参照)。
観察された挙動を基礎とする物理現象はまだ完全に解明されていない。今のところ、考え得る理由は限界波長以下の波長を持つ放射に対する根本的に異なった吸収メカニズムにあるものと推定されている。波長254nmを持つ従来の水銀低圧放電において蛍光体励起にとって重要なスペクトル線の放射パワーは主として発光中心としても作用する活性剤原子又は場合によっては存在する共活性剤(増感剤)を励起する。この増感剤は励起エネルギーを活性剤原子へ転移する。限界波長以下では吸収はホスト格子によって飛躍的に増大する(吸収係数は105cm-1以上の大きさの値に達する)。限界波長はそれゆえ簡略的には電子をホスト格子の価電子帯から真っ直ぐに伝導帯へ励起することができるようにするために最大で1つの光子を有してもよいような波長であると解釈することができる。価電子帯と伝導体との間の適当なエネルギー差は以下においては光バンドギャップと称し、そして限界波長は光帯域端と称する。
ホスト格子の電子が適当なエネルギーの光子を吸収することによって、そのホスト格子の電子が価電子帯から伝導帯へ励起されると、“電子−正孔対”が生成し、電子及び正孔は自由に又は励起子として結合され得る(このための詳細は例えばチャールス・キッテル著「固体物理への入門書」オルデンボウルク出版社、ミュンヘン、第5版、1980年発行、第359頁以下参照)。励起子は電気的に中性であり、そのために格子の内部で比較的自由に移動することができ、そのエネルギーを衝突相手、例えば活性剤原子へ引渡すことができる。この活性剤原子はエネルギーを光の形で放射する。光子エネルギーの増大に関して(吸収された放射の波長の減少に関して)、光子エネルギーが光バンドギャップより大きくなる(すなわち光子の波長が光帯域端より小さくなる)と直ちに、励起性が明らかに減少することが実験により突き止められた。何らかの理論的な説明が行われることなく、今のところ、表面不純物及び体積不純物がこの観察の原因とされている。この不純物は、励起子がそのエネルギーを活性剤原子(すなわち発光中心)へ引渡す前に、ますます自由電子及び正孔もしくは励起子を“捕捉”する。汚染物、混合物等であり得る不純物からエネルギーは放射なく別の損失チャネル内へ達し、結局は蛍光体を不所望に加熱することになる。
ここで、真空紫外線によって効率的に励起することのできるその照明用蛍光体を目的に適うように利用する本発明の理論を説明する。本発明においては、冒頭で述べた知識に基づいて、ホスト格子の光バンドギャップが真空紫外線のエネルギースペクトルの低エネルギー限界以上、特に6.7eV以上のところに位置するような蛍光体が使用される。好適なホスト格子は例えばホウ酸塩、リン酸塩、アルミン酸塩ならびにケイ酸塩である。ホスト格子は発光中心として機能して通常活性剤と称される少なくとも1つの補助物質をドープされる。活性剤を適当に選択することによって、ルミネセンスの光スペクトルは目的に適うように制御可能になる。その際ルミネセンスの色は当該蛍光体を表すのに使われる。3原色の赤、緑及び青が照明技術にとって特に注目されている。何故ならば、それらを用いて、例えば装飾照明又は信号照明用のそれぞれ任意の混色ならびに白色(一般照明にとっては特に重要)を原理的に発生することができるからである。このために種々異なった蛍光体成分が適当に組み合わせられ、例えば混合、又は交互に配置される。好適な活性剤は、例えば赤色蛍光体用のEu3+、緑色蛍光体用のTb3+及び青色蛍光体用のEu2+である。特にその活性剤を用いて、発光スペクトルが3波長域発光形蛍光体に良好に適するように、このような蛍光体が活性化される。ランプ効率及び一般照明用3波長域発光形蛍光ランプの演色を最適化するために、赤色蛍光体の主放出は約610nm、緑色蛍光体の主放出は約540nm、青色蛍光体の主放出は約450nmに位置しなければならない(例えば、エイ・ダブリュ・トルントン「J.Opt.Soc.Am.61」(1971年)第1155頁参照)。
他の実施形態においてはホスト格子に1つ又は複数の他のドーピング物質が添加される。その場合同様に活性剤すなわち発光中心が使用される。このようにして同様に1つの蛍光体のみに用いて、異なった活性剤を適当に選択することによって原理的に任意の混色を得ることが可能になる。緑色発光活性剤及び赤色発光活性剤を有する蛍光体からは例えば黄色光が発生される。白色光用にはさらに少なくとも1つの第3の青色発光活性剤が必要である。
ここで注目される真空紫外線領域の内部での光帯域端の位置に応じて、本発明による(すなわち効率的に励起可能な)真空紫外線蛍光体は概略的に2つのクラスに区分することができる。第1のクラスでは、入射した真空紫外線放射パワーの50%以上はホスト格子によって吸収され、このホスト格子から発光中心へ転移される。真空紫外線放射パワーの残余量は例えば活性剤原子によって直接吸収される。このための例は赤色蛍光体(YxGdyEuz)BO3である。三価ユーロピウムEu3+を用いて活性化した混合ホウ酸塩が使用される。x、y及びzに適した値は0≦x≦0.99、0≦y≦0.99、0.01≦z≦0.2、特に0.55≦x≦0.87、0.1≦y≦0.3及び0.03≦z≦0.15であり、その場合それぞれ境界条件x+y+z≒1が満たされる。青色蛍光体用の例は二価ユーロピウムEu2+を用いて活性化した混合アルミン酸塩(BaxEuy)MgAl10O17である。x及びyに適した値は0.6≦x≦0.97、0.03≦y≦0.4、特に0.8≦x≦0.95、0.05≦y≦0.2であり、それぞれx+y≒1が当てはまる。三価テルビウムTb3+を用いて活性化した緑色蛍光体用の例は、
1)混合アルミン酸塩(YxGdyTbz)3A15O12、0.1≦x≦0.99、0≦y≦0.9、0.03≦z≦0.4及びx+y+z≒1、特にy=0、0.8≦x≦0.99、0.01≦z≦0.2及びx+z≒1が当てはまり、
2)混合ケイ酸塩(YxScyTbz)2SiO5、0.6≦x≦0.99、0≦y≦0.1、0.01≦z≦0.4及びx+y+z≒1が当てはまり、
3)混合ホウ酸塩(YxGdyTbz)BO3、0≦x≦0.99、0≦y≦0.99、0.01≦z≦0.4、特に0.55≦x≦0.8、0.1≦y≦0.3、0.03≦z≦0.2及びx+y+z≒1が当てはまる。
光帯域端が真空紫外線波長領域の上限に接近すればする程、ホスト格子による真空紫外線の吸収が多くなる。極端な場合、専らホスト格子吸収が現れる、すなわち活性剤が有っても無くても同じ吸収が生ずる。
それに対して第2のクラスでは、入射した真空紫外線放射パワーの50%以上は活性剤(すなわち発光中心)によって直接吸収される。真空紫外線放射パワーの残余量は例えばホスト格子及び場合によっては他のドーピング物質によって吸収され得る。このような状態はホスト格子の光帯域端が真空紫外線波長領域の上限より明らかに小さい場合に現れる。蛍光体のこのクラスの例としては一般式(LnxCeyScwTbz)PO4に応じて三価テルビウムTb3+を用いて活性化した混合リン酸塩がある。なお、Lnは元素ランタンLa、イットリウムY又はガドリニウムGdの1つ、又はこれらの元素の混合物を表す。x、y、w及びzに適した値は0.35≦x≦0.95、0≦y≦0.5、0≦w≦0.2、0.05≦z≦0.5、特にw=0、0.45≦x≦0.8、0.1≦y≦0.3、0.1≦z≦0.25であり、w+x+y+z≒1が当てはまる。励起パワーは殆ど専ら活性剤Tb3+自体によって吸収される。波長254nmの放射によって励起する際に増感剤として必要なCe3+ はこのクラスの蛍光体に対する真空紫外線励起にはそれ程重要ではなく、ランプ効率を変えることなく、多分省略することができる。Ce3+がこれに関連してそもそも(たとえ小さくても)改善をもたらすか否かはまだ最終的に解明されていない。
優れた実施形態においては上述した蛍光体の1つ又は複数が蛍光体被膜へ加工される。蛍光体の選択は、真空紫外線が特に好適なスペクトル領域へ変換されるように行われる。このために蛍光体被膜がランプガラス球の内壁上に有利に塗布され、その場合ランプガラス球の内部では特に約145nm〜185nmの領域の波長を持つ真空紫外線が発生される。この短波放射は空気内及び大抵のランプガラス管材料内で殆ど多量に吸収され、それゆえ外壁上の被膜は特殊な、従って高価な真空紫外線透過材料、例えばSUPRASIL(登録商標)(ヘラオイス社)のような特殊石英ガラスを必要とするであろう。さらに、ランプはこの場合接触に対する被膜保護のために補助的な外管を有しなければならないであろう。
特に優れた実施形態においては白色光を発生するために3波長域発光形蛍光体被膜が使用される。この蛍光体被膜は次の本発明による蛍光体、すなわち赤色成分R、特に(Y、Gd)BO3:Eu3+、緑色成分G、特にLaPO4:(Tb3+、Ce3+)及び青色成分B、特にBaMgAl10O17:Eu2+から構成され、混合物の重量割合は0.2<R<0.5、0.4<G<0.7、0.05<B<0.15及びR+G+B=1が当てはまる。蛍光体被膜は良好な真空紫外線励起性の他に良好な演色を特徴とし、このことは特に照明技術においては非常に重要である。さらに、蛍光体のすなわち個々の蛍光体粒子及び/又は塗布された蛍光体被膜の表面に、真空紫外線を十分に透過させ得る例えばMgF2から成る保護膜を設けると有利である。
本発明を以下において幾つかの実施例に基づいて詳細に説明する。最初にXe2 *エキシマー放射を用いた励起により求められた蛍光体の光データを示す。EXeの値は、真空紫外線放射を用いた励起性(145nm〜185nmの波長領域におけるXe2 *エキシマー放射のスペクトルを用いて重み付けされた平均)が所定の離散的波長の際に達成される最大励起性に比較してどの位大きいかを示す。それゆえ、EXeは、蛍光体が励起最大の波長の放射ではなく145nm〜185nmの波長領域におけるエキシマー放射の全連続体を照射された場合に蛍光体の励起性が減少していく値である。QXe *は近似的な量子効率(この量子効率は蛍光体の調製によってコントロールされ、最適化されず、それゆえ呈示した値は下限値と理解するべきである。)を表す。
図1は赤色蛍光体Y2O3:Eu3+の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図2は緑色蛍光体CeMgAl11O19:Tb3+の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図3は青色蛍光体BaMgAl10O17:Eu2+の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図4は赤色蛍光体(Y0.72Gd0.2Eu0.08)BO3の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図5は緑色蛍光体(La0.43Ce0.39Tb0.18)PO4の真空紫外線励起スペクトルを示す。
図6aは本発明による3波長域発光形蛍光体被膜を備えた新形蛍光ランプの側面図を示す。
図6bは図6aのA−A線に沿って示した蛍光ランプの断面図を示す。
図7は図6a及び図6bに示された3波長域発光形蛍光ランプの発光スペクトルを示す。
例1
第1の実施例は好適な発光スペクトルを有する赤色蛍光体である。この赤色蛍光体は三価ユーロピウムを用いて活性化した希土類−混合ホウ酸塩である。表1は異なった組成を有する蛍光体を示し、最初の組成はイットリウムY及びガドリニウムGdを含み、次の2つの組成はイットリウムのみ、又はガドリニウムのみを含む。図4には蛍光体No.1の励起スペクトルが示されている。
例2
第2の実施例は好適な発光スペクトルを有する緑色蛍光体である。この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した希土類−混合リン酸塩である。表2は異なった組成を有する蛍光体を示し、その組成は一部がさらに共活性剤として三価セリウム又はスカンジウムをドープされている。最初の4つの蛍光体はランタンLaを含んでいる。次の4つの蛍光体ではランタンはイットリウムYによって置換され、蛍光体No.8はさらにスカンジウムScを添加されている。最後の3つの蛍光体ではランタンはガドリニウムGdによって置換され、最後の蛍光体にはさらにスカンジウムScが添加されている。図5は蛍光体(La0.44Ce0.43Tb0.13)PO4の励起スペクトルを示す。
例3
第3の実施例は非常に好適な発光スペクトルを有する緑色蛍光体である。表3に示されているように、この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した2つのホウ酸イットリウムであり、No.2はさらにガドリニウムを含んでいる。
例4
第4の実施例は別の緑色蛍光体である。この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した希土類−混合ケイ酸塩であり、これは組成(Y0.924Sc0.002Tb0.074)SiO5に従ってイットリウム及びスカンジウムを含んでいる。次の値が検出された。EXe=0.94、QXe *=0.8。
例5
第5の実施例は2つの別の緑色蛍光体である。この緑色蛍光体は三価テルビウムを用いて活性化した希土類−混合アルミン酸塩である。第1の蛍光体は次の組成(Y0.9Tb0.1)3Al5O12を持つアルミン酸イットリウムである。次の値が検出された。EXe=0.94、QXe *=0.76。特性上同じである第2の蛍光体ではイットリウムがガドリニウムによって20%置換されている。即ち(Y0.7Gd0.2Tb0.1)3Al5O12である。
例6
第6の実施例は青色蛍光体である。この青色蛍光体は組成(Ba0.94Eu0.06)MgAl10O17に従って二価ユーロピウムを用いて活性化した混合アルミン酸塩である。次の値が検出された。EXe=0.96、QXe *=0.86。
例7
図6aには特に照明用に適する蛍光ランプ1の側面図が示され、図6bにはその断面図が示されている。円筒状放電管2は0.7mmの厚みのDURAN(登録商標)ガラス(ショット社)から構成されて、約50mmの直径を有し、173hPaの圧力でキセノンが封入されている。放電管2の内部の中心軸線上には円形断面と2mmの直径とを有する特殊鋼製の棒から構成された内部電極3が配設されている。放電管2の外壁上には軸平行で12個に均等に分割された1mm幅及び8cm長の高導電性銀条帯が外部電極4として配設されている。放電管2の内壁は蛍光体膜6で被覆されている。この蛍光体膜6は青色成分B:(Ba0.94Eu0.06)MgAl10O17、緑色成分G:(La0.43Ce0.39Tb0.18)PO4及び赤色成分R:(Y0.72Gd0.2Eu0.08)BO3を有する3波長域発光形蛍光体混合物である。各成分はB:G:R=0.085:0.555:0.36の比で混合されている。内部電極3はエジソンねじ込み口金7によってパルス状の周期的な電圧が印加され、この電圧は外部電極に対して約4kVの大きさであり、約1.2μsの平均パルス継続時間と約25kHzのパルス周波数とを有している。それによって、40lm/Wのランプ効率が得られた。色温度は4000K、CIEに基づく標準色度図による色位置は座標x=0.38、y=0.377である。このランプの発光スペクトルは図7に示されている。
Claims (4)
- ランプガラス球の内壁面上に蛍光被膜を備え、この蛍光被膜が一般式(YxGdyTbz)3Al5O12(ここで0.1≦x≦0.99、0≦y≦0.9、0.01≦z≦0.4及びx+y+z≒1)による混合アルミン酸塩を含み、ランプガラス球の内部にキセノンを含む封入物が封入され、ランプガラス球の内部にキセノンの誘電体妨害放電によって145nm〜185nmの領域の波長を持つ真空紫外線放射が作られることを特徴とする誘電体妨害放電蛍光ランプ。
- y=0でx、zが0.8≦x≦0.99、0.01≦z≦0.2の範囲内にあり、x+z≒1であることを特徴とする請求項1記載の誘電体妨害放電蛍光ランプ。
- 蛍光体の表面及び/又は蛍光被膜の表面が保護被膜を備えていることを特徴とする請求項1又は2記載の誘電体妨害放電蛍光ランプ。
- 保護被膜がMgF2から成ることを特徴とする請求項3記載の誘電体妨害放電蛍光ランプ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4311197A DE4311197A1 (de) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle |
DE4311197.1 | 1993-04-05 | ||
PCT/DE1994/000382 WO1994022975A1 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Leuchtstoffe für beleuchtungszwecke |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004162736A Division JP2004303737A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2004162737A Division JP2004296446A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2005166606A Division JP2005276846A (ja) | 1993-04-05 | 2005-06-07 | 蛍光ランプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08508307A JPH08508307A (ja) | 1996-09-03 |
JP3714952B2 true JP3714952B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=6484818
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52154694A Expired - Fee Related JP3714952B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | 誘電体妨害放電蛍光ランプ |
JP52154594A Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
JP2001347842A Expired - Lifetime JP3715231B2 (ja) | 1993-04-05 | 2001-11-13 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) | 1993-04-05 | 2005-06-07 | 蛍光ランプ |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52154594A Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
JP2001347842A Expired - Lifetime JP3715231B2 (ja) | 1993-04-05 | 2001-11-13 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) | 1993-04-05 | 2005-06-07 | 蛍光ランプ |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5604410A (ja) |
EP (4) | EP0733266B1 (ja) |
JP (6) | JP3714952B2 (ja) |
KR (1) | KR100299151B1 (ja) |
CN (1) | CN1066854C (ja) |
CA (2) | CA2159906C (ja) |
CZ (1) | CZ286740B6 (ja) |
DE (5) | DE4311197A1 (ja) |
HU (1) | HU215307B (ja) |
WO (2) | WO1994023442A1 (ja) |
Families Citing this family (467)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19517515A1 (de) * | 1995-05-12 | 1996-11-14 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe und Verfahren zum Betreiben derartiger Entladungslampen |
DE19526211A1 (de) * | 1995-07-18 | 1997-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler |
US6153971A (en) * | 1995-09-21 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source with only two major light emitting bands |
DE19543342A1 (de) * | 1995-11-22 | 1997-05-28 | Heraeus Noblelight Gmbh | Verfahren und Strahlungsanordnung zur Erzeugung von UV-Strahlen zur Körperbestrahlung sowie Verwendung |
DE19548003A1 (de) | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsspannungsfolgen, insbesondere für den Betrieb von dielektrisch behinderten Entladungen |
JP3277788B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2002-04-22 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ点灯装置 |
EP1439586B1 (de) | 1996-06-26 | 2014-03-12 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
DE19636965B4 (de) * | 1996-09-11 | 2004-07-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle |
JP3546610B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2004-07-28 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電装置 |
DE19651552A1 (de) * | 1996-12-11 | 1998-06-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe |
JP3355976B2 (ja) * | 1997-02-05 | 2002-12-09 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ点灯装置 |
DE19711892A1 (de) | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahler |
DE19711893A1 (de) | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahler |
US5998921A (en) * | 1997-03-21 | 1999-12-07 | Stanley Electric Co., Ltd. | Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode |
JP3264938B2 (ja) | 1997-03-21 | 2002-03-11 | パテント―トロイハント―ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | バックライト用平形蛍光ランプ及びこの平形蛍光ランプを備えた液晶表示装置 |
DE19718395C1 (de) * | 1997-04-30 | 1998-10-29 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb |
CN1183807C (zh) * | 1997-07-22 | 2005-01-05 | 电灯专利信托有限公司 | 包括介电隔离放电灯和脉冲电压序列产生电路的照明系统 |
DE19734885C1 (de) | 1997-08-12 | 1999-03-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung |
DE19734883C1 (de) * | 1997-08-12 | 1999-03-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung |
EP1030339B1 (en) * | 1997-11-06 | 2004-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor material, phosphor material powder, plasma display panel, and processes for producing these |
EP0926705A1 (de) | 1997-12-23 | 1999-06-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Flachstrahler mit örtlich modulierter Flächenleuchtdichte |
EP0932185A1 (de) | 1997-12-23 | 1999-07-28 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Signallampe und Leuchtstoffe dazu |
US6045721A (en) * | 1997-12-23 | 2000-04-04 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh | Barium magnesium aluminate phosphor |
JP3353684B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2002-12-03 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ光源装置 |
JP3521731B2 (ja) | 1998-02-13 | 2004-04-19 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ光源装置 |
DE19811520C1 (de) | 1998-03-17 | 1999-08-12 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19817480B4 (de) * | 1998-03-20 | 2004-03-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern |
DE19817475B4 (de) * | 1998-04-20 | 2004-04-15 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe |
DE19817476B4 (de) * | 1998-04-20 | 2004-03-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke |
DE19817477A1 (de) | 1998-04-20 | 1999-10-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe mit auf die geometrische Entladungsverteilung abgestimmter Leuchtstoffschichtdicke |
DE19826809A1 (de) * | 1998-06-16 | 1999-12-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren |
DE19826808C2 (de) * | 1998-06-16 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
DE19839329A1 (de) | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19839336A1 (de) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19843419A1 (de) | 1998-09-22 | 2000-03-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
DE19844720A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
DE19844721A1 (de) | 1998-09-29 | 2000-04-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration |
DE19844725A1 (de) | 1998-09-29 | 2000-03-30 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Gasentladungslampe mit steuerbarer Leuchtlänge |
DE19905219A1 (de) | 1998-09-30 | 2000-08-31 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung |
DE19845228A1 (de) * | 1998-10-01 | 2000-04-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
DE69915030T2 (de) * | 1998-10-20 | 2004-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Plasma anzeigetafel |
DE19858810A1 (de) | 1998-12-21 | 2000-06-29 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren |
JP2002540583A (ja) * | 1999-03-25 | 2002-11-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明装置 |
US6191539B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-02-20 | Korry Electronics Co | Fluorescent lamp with integral conductive traces for extending low-end luminance and heating the lamp tube |
DE19916877A1 (de) * | 1999-04-14 | 2000-10-19 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Sockel |
DE19919169A1 (de) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Philips Corp Intellectual Pty | Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe |
DE19927791A1 (de) * | 1999-06-18 | 2000-12-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Farbanzeige mit sequentieller Primärfarberzeugung |
DE19928438A1 (de) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe |
EP1176853B1 (en) | 1999-10-18 | 2008-04-02 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Dielectric barrier discharge lamp light source |
DE19953531A1 (de) | 1999-11-05 | 2001-05-10 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Elektrodenhalterung |
DE19955108A1 (de) * | 1999-11-16 | 2001-05-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit verbesserter Temperaturhomogenität |
DE19960053A1 (de) | 1999-12-13 | 2001-06-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung |
DE10005975A1 (de) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Betriebsverfahren für eine Entladungslampe mit mindestens einer dielektrisch behinderten Elektrode |
DE10011484A1 (de) * | 2000-03-09 | 2001-09-13 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verbessertes Pulsbetriebsverfahren für eine Stille Entladungslampe |
DE10014407A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe |
US6541924B1 (en) | 2000-04-14 | 2003-04-01 | Macquarie Research Ltd. | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
AU2001250151B2 (en) * | 2000-04-14 | 2004-07-22 | Macquarie Research Ltd | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
WO2001080606A1 (en) * | 2000-04-14 | 2001-10-25 | Macquarie Research Ltd | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
WO2001082331A1 (en) | 2000-04-19 | 2001-11-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | High-pressure discharge lamp |
DE10023504A1 (de) * | 2000-05-13 | 2001-11-15 | Philips Corp Intellectual Pty | Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe |
DE10026913A1 (de) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht |
US6961441B1 (en) | 2000-09-29 | 2005-11-01 | General Electric Company | Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data |
DE10048410A1 (de) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe |
DE10048409A1 (de) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation |
JP3818043B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2006-09-06 | 株式会社日立製作所 | 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置 |
JP2002212553A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Kasei Optonix Co Ltd | 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ |
DE10104364A1 (de) * | 2001-02-01 | 2002-08-14 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht |
JP3471782B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-12-02 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 平面型蛍光ランプユニット及びそれを用いた液晶表示装置 |
DE10111191A1 (de) | 2001-03-08 | 2002-09-19 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren mit Kontaktsystem |
DE10121095A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
DE10122211A1 (de) | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung mit Spiegelfläche |
US6833677B2 (en) * | 2001-05-08 | 2004-12-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | 150W-1000W mastercolor ceramic metal halide lamp series with color temperature about 4000K, for high pressure sodium or quartz metal halide retrofit applications |
DE10126159A1 (de) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
DE10129630A1 (de) * | 2001-06-20 | 2003-01-02 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung |
DE10133326A1 (de) | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe |
DE10133411A1 (de) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs |
DE10133949C1 (de) * | 2001-07-17 | 2003-03-20 | Inst Niedertemperatur Plasmaph | Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen, die nach dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung aufgebaut ist, für Lichtquellen und Sichtanzeigeeinrichtungen |
DE10134965A1 (de) * | 2001-07-23 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Entladungslampe |
DE10140355A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Zündhilfe |
DE10140356A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe |
JP4727093B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2011-07-20 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
TW558732B (en) | 2001-09-19 | 2003-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light source apparatus and liquid crystal display apparatus using the same |
US6891334B2 (en) | 2001-09-19 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device and liquid crystal display employing the same |
DE10147961A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verfahren sowie Schaltunggsanordnung zum Zünden und Betreiben dieser Lampe |
US6806648B2 (en) * | 2001-11-22 | 2004-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device and liquid crystal display device |
US6906461B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device with inner and outer electrodes and liquid crystal display device |
DE10214156A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur |
JP3889987B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2007-03-07 | パナソニック フォト・ライティング 株式会社 | 放電灯装置及びバックライト |
JP2003336052A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
DE10222100A1 (de) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Sockel |
DE10236420A1 (de) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe |
TWI230962B (en) * | 2002-08-30 | 2005-04-11 | Harison Toshiba Lighting Corp | Lighting device |
DE10254208A1 (de) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verwendung dieser Lampe für die Röntgenbildbetrachtung |
US6827877B2 (en) * | 2003-01-28 | 2004-12-07 | Osram Sylvania Inc. | Red-emitting phosphor blend for plasma display panels |
JP3793880B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2006-07-05 | 松永 浩 | 点灯装置 |
US6730458B1 (en) | 2003-03-03 | 2004-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction |
DE10312720A1 (de) * | 2003-03-21 | 2004-09-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Quetschdichtung |
US6831421B1 (en) | 2003-03-24 | 2004-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Shunt-induced high frequency excitation of dielectric barrier discharges |
ES2283674T3 (es) * | 2003-04-30 | 2007-11-01 | Centrum Fur Angewandte Nanotechnologie (Can) Gmbh | Nanoparticulas de cucleos/recubrimientos luminiscentes. |
DE10324832A1 (de) * | 2003-06-02 | 2004-12-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit Leuchtstoff |
DE10326755A1 (de) * | 2003-06-13 | 2006-01-26 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff |
EP1647044A2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-04-19 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Colour tunable lighting element |
DE10336088A1 (de) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäß |
DE10347636A1 (de) * | 2003-10-09 | 2005-05-04 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit mindestens einer Außenelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US7964112B2 (en) * | 2003-10-21 | 2011-06-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Phosphor and phosphor paste |
US7863816B2 (en) * | 2003-10-23 | 2011-01-04 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
JP3872472B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2007-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管 |
DE10359882A1 (de) * | 2003-12-19 | 2005-07-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanordnung zum Betreiben von elektrischen Lampen |
DE102004020398A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe |
US11158768B2 (en) | 2004-05-07 | 2021-10-26 | Bruce H. Baretz | Vacuum light emitting diode |
US7196473B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-03-27 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
DE102004025266A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-08 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einem Gehäuse und einer darin angeordneten Flachlampe |
JP2008500422A (ja) * | 2004-05-27 | 2008-01-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Uv−a蛍光体を有する低圧水銀蒸気放電ランプ |
US7446477B2 (en) | 2004-07-06 | 2008-11-04 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement |
US20060006804A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Lajos Reich | Dielectric barrier discharge lamp |
KR20060004791A (ko) * | 2004-07-08 | 2006-01-16 | 삼성코닝 주식회사 | 평판 램프 |
US7390437B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-06-24 | Intematix Corporation | Aluminate-based blue phosphors |
JP4575123B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2010-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ |
WO2006072892A2 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Segmented dielectric barrier discharge lamp |
JP2008537286A (ja) * | 2005-03-30 | 2008-09-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放電ランプ並びにそのような放電ランプを含むディスプレイ装置を背面照明するためのバックライトユニット |
DE102005034505A1 (de) | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanorndung mit transformatorlosem Wandler mit Drossel für den gepulsten Betrieb von dielektrischen Barriere-Entladungslampen |
KR100725763B1 (ko) | 2005-12-05 | 2007-06-08 | 주식회사 신안유브이 | 전계 자외선 방전등 |
US7495396B2 (en) * | 2005-12-14 | 2009-02-24 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
DE102006010791A1 (de) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen |
DE202006005212U1 (de) * | 2006-03-31 | 2006-07-20 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit dielektrischer Barriere-Entladungslampe, Betriebsgerät und Verbindungskabel |
JP2009533812A (ja) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Uv蛍光体を含む放電ランプ |
US20080174226A1 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Nulight Technology Corporation | Mercury-free flat fluorescent lamps |
DE102007006861B3 (de) * | 2007-02-12 | 2008-05-29 | Universität Karlsruhe (Th) | Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung |
DE202007002131U1 (de) * | 2007-02-13 | 2007-04-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen |
DE202007004236U1 (de) * | 2007-03-22 | 2007-06-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Zündhilfe |
JP4668287B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 照明装置および液晶表示装置 |
US8946993B2 (en) * | 2008-05-15 | 2015-02-03 | Rutgers, The State University | Fluorescent excimer lamps |
WO2009146744A1 (de) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur behandlung von oberflächen, strahler für dieses verfahren sowie bestrahlungssystem mit diesem strahler |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
JP5195371B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2013-05-08 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ装置 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
DE102009030310A1 (de) | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Entladungsräumen |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
TWI569301B (zh) | 2010-06-04 | 2017-02-01 | 通路實業集團國際公司 | 感應耦合介電質屏障放電燈 |
JP5504095B2 (ja) * | 2010-08-10 | 2014-05-28 | 株式会社オーク製作所 | 放電ランプ |
DE102010043215A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Osram Ag | Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen |
DE102010043208A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Osram Ag | Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
JP6055170B2 (ja) * | 2011-06-15 | 2016-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、放電灯の駆動方法およびプロジェクター |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
KR20130009648A (ko) * | 2011-07-13 | 2013-01-23 | 가부시키가이샤 지에스 유아사 | 자외선 조사 장치 |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
DE102012018854B4 (de) * | 2012-09-25 | 2018-02-15 | Berger GmbH & Co.KG | Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit drei Elektroden und zwei Gasräumen |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US20140099798A1 (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Asm Ip Holding B.V. | UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
WO2014068622A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | Empire Technology Development Llc | Light guide structure and illuminating device |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1022399A (en) * | 1911-08-18 | 1912-04-09 | Joseph T Thomasson | Animal-shoeing apparatus. |
AT258368B (de) * | 1963-12-31 | 1967-11-27 | Philips Nv | Leuchtschirm |
JPS5915951B2 (ja) * | 1974-12-10 | 1984-04-12 | 松下電器産業株式会社 | ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置 |
JPS5941474B2 (ja) * | 1976-04-30 | 1984-10-06 | 大日本塗料株式会社 | 気体放電発光素子 |
US4161457A (en) * | 1977-03-15 | 1979-07-17 | Dai Nippon Toryo Co., Ltd. | Process for preparing a divalent europium activated alkaline earth metal aluminate phosphor |
US4423349A (en) * | 1980-07-16 | 1983-12-27 | Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. | Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith |
EP0062993A1 (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-20 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Cathode ray tube phosphor layers |
JPS5813688A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 螢光体の製造方法 |
JPS5834560A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-01 | 周 成祥 | 放電灯ディスプレイ装置 |
CA1198148A (en) * | 1982-06-28 | 1985-12-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electrostatic printing process |
US4583026A (en) * | 1983-07-19 | 1986-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Low-pressure mercury vapor discharge lamp |
JPS6155839A (ja) * | 1984-08-26 | 1986-03-20 | Osamu Tada | 螢光ランプの製造方法 |
JPH079795B2 (ja) * | 1986-12-01 | 1995-02-01 | 東芝ライテック株式会社 | 放電ランプ |
AU607520B2 (en) * | 1987-08-06 | 1991-03-07 | Shing Cheung Chow | Discharge lamp type display device |
DE3855685T2 (de) * | 1987-08-10 | 1997-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | Grünlichtausstrahlende entladungsbirne mit seltenem gas |
CH675504A5 (ja) * | 1988-01-15 | 1990-09-28 | Asea Brown Boveri | |
JPH02135277A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 蛍光ランプ |
US5117160C1 (en) * | 1989-06-23 | 2001-07-31 | Nec Corp | Rare gas discharge lamp |
JP2671575B2 (ja) * | 1989-11-22 | 1997-10-29 | 日本電気株式会社 | ガス放電表示素子の駆動方法 |
KR930005688B1 (ko) * | 1990-02-06 | 1993-06-24 | 삼성전관 주식회사 | 녹색 발광 형광체 |
FR2672281B1 (fr) * | 1991-02-04 | 1993-04-16 | Rhone Poulenc Chimie | Phosphate mixte de lanthane, terbium et cerium, procede de fabrication de celui-ci. |
US5047173A (en) * | 1991-03-08 | 1991-09-10 | Gte Products Corporation | Method of reducing the powder weight of europium activated strontium tetraborate phosphor |
KR930008163B1 (ko) * | 1991-04-02 | 1993-08-26 | 삼성전관 주식회사 | 방전관 |
DE4209763A1 (de) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | Hartmut Dipl Phys Schmidt | Elektronisch betriebene kompaktleuchtstofflampe |
US5132043A (en) * | 1991-12-24 | 1992-07-21 | Gte Products Corporation | Method of preparing small particle size borate phosphor |
US5436532A (en) * | 1993-03-26 | 1995-07-25 | Rockwell International Corporation | Fluorescent lamp with improved efficiency |
-
1993
- 1993-04-05 DE DE4311197A patent/DE4311197A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-04-05 JP JP52154694A patent/JP3714952B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-05 CZ CZ19952421A patent/CZ286740B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1994-04-05 DE DE59410196T patent/DE59410196D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 WO PCT/DE1994/000380 patent/WO1994023442A1/de active IP Right Grant
- 1994-04-05 US US08/491,872 patent/US5604410A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 JP JP52154594A patent/JP3298886B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 CA CA002159906A patent/CA2159906C/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 HU HU9502905A patent/HU215307B/hu unknown
- 1994-04-05 CN CN94191696A patent/CN1066854C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 CA CA002155340A patent/CA2155340C/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 DE DE59410414T patent/DE59410414D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 US US08/525,757 patent/US5714835A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 DE DE59405921T patent/DE59405921D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 EP EP94911103A patent/EP0733266B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 EP EP94911105A patent/EP0738311B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 WO PCT/DE1994/000382 patent/WO1994022975A1/de active IP Right Grant
- 1994-04-05 KR KR1019950704400A patent/KR100299151B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-04-05 DE DE59410172T patent/DE59410172D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 EP EP00121142A patent/EP1078972B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 EP EP00124154A patent/EP1076084B1/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347842A patent/JP3715231B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-01 JP JP2004162737A patent/JP2004296446A/ja not_active Withdrawn
- 2004-06-01 JP JP2004162736A patent/JP2004303737A/ja active Pending
-
2005
- 2005-06-07 JP JP2005166606A patent/JP2005276846A/ja active Pending
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3714952B2 (ja) | 誘電体妨害放電蛍光ランプ | |
US6734631B2 (en) | Low-pressure gas discharge lamp with phosphor coating | |
JP5952902B2 (ja) | コーティングを含むルミネッセンス物質粒子及び当該ルミネッセンス物質を含む照明ユニット | |
JP2005108843A (ja) | ナノメートルサイズのvuvを吸収する蛍光体を備えた光源 | |
JP4235748B2 (ja) | 表示装置 | |
US20070247052A1 (en) | Low-Pressure Gas Discharge Lamp Comprising a Uv-B Phosphor | |
US6777879B2 (en) | Gas discharge lamp comprising a phosphor layer | |
US6822385B2 (en) | Gas discharge lamp with down conversion luminophore | |
EP1797160A1 (en) | Light emitting device with a eu(iii)-activated phosphor and second phosphor | |
US7141920B2 (en) | Gas discharge lamp with downconversion phosphor | |
US5159237A (en) | Green-light-emitting rare gas discharge lamp | |
CN100380569C (zh) | 具有改进颜色重现性的介电势垒放电灯 | |
KR20030031147A (ko) | 수명 동안에 감소된 색 변화를 갖는 디스플레이 장치 | |
US6940216B2 (en) | Gas discharge lamp for dielectrically impeded discharges comprising a blue phosphor | |
JP2002348571A (ja) | 真空紫外線励起紫外蛍光体およびそれを用いた発光装置 | |
JP2006052406A (ja) | 量子分裂フッ化物基蛍光体、その製造方法、およびそれを内蔵する装置 | |
KR20030040040A (ko) | 산화물계 격자 형광체 | |
EP4125112A1 (en) | Mercury free cold cathode lamp internally coated with a luminescent down shifting layer | |
JP2003272559A (ja) | 蛍光ランプ | |
WO2007080649A1 (ja) | 緑色蛍光体及びプラズマディスプレイパネル | |
JP3430545B2 (ja) | 蛍光ランプ | |
JP2000133204A (ja) | 蛍光ランプおよび光源装置 | |
JPH0864173A (ja) | 水銀蒸気放電灯およびこれを用いた照明装置 | |
JP2005089692A (ja) | 緑色蛍光体及びそれを用いた装置 | |
JPS6351347B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040227 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050302 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050824 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |