DE19826808C2 - Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden - Google Patents
Entladungslampe mit dielektrisch behinderten ElektrodenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Entladungslampe gemäß dem Oberbegriff des
Anspruchs 1.
Der Begriff "Entladungslampe" umfaßt dabei Quellen elektromagnetischer
Strahlung auf der Basis von Gasentladungen. Das Spektrum der Strahlung
kann dabei sowohl den sichtbaren Bereich als auch den
UV(Ultraviolett)/VUV(Vakuumultraviolett)-Bereich sowie den IR(Infrarot)-
Bereich umfassen. Ferner kann auch eine Leuchtstoffschicht zur Konvertie
rung unsichtbarer in sichtbare Strahlung vorgesehen sein.
Es handelt sich dabei um Entladungslampen mit sogenannten dielektrisch
behinderten Elektroden. Die dielektrisch behinderten Elektroden sind typi
scherweise in Form dünner metallischer Streifen realisiert, von denen zumin
dest ein Teil auf der Innenwandung des Entladungsgefäßes angeordnet ist.
Zumindest ein Teil dieser Innenwandungselektroden ist gegenüber dem In
nern des Entladungsgefäßes mit einer dielektrischen Sperrschicht vollständig
abgedeckt.
Sind nur die Elektroden einer einzigen Polarität - vorzugsweise die An
oden - mit einer dielektrischen Sperrschicht abgedeckt, bildet sich im vor
zugsweisen unipolaren Betrieb eine sogenannte einseitig dielektrisch behin
derte Entladung aus. Sind hingegen alle Elektroden, d. h. Elektroden beiderlei Polarität,
mit einer dielektrischen Sperrschicht abgedeckt, bildet sich sowohl im unipo
laren als auch im bipolaren Betrieb eine zweiseitig dielektrisch behinderte
Entladung aus.
Auf der dielektrischen Sperrschicht und im allgemeinen auch auf weiteren
Teilen der Innenwand des Entladungsgefäßes ist mindestens eine weitere
funktionelle Schicht aufgebracht, z. B. eine Schicht aus einem Leuchtstoff oder
Leuchtstoffgemisch und/oder eine oder auch mehrere Reflexionsschichten
für sichtbare Strahlung (Licht) und/oder UV-Strahlung. Die Reflexions
schicht dient dem Zweck, sichtbares Licht gezielt nach außen zu bringen, d. h.
nur in eine bestimmte Vorzugsrichtung der Lampe.
Die geometrische Form des Entladungsgefäßes unterliegt keinen besonderen
Einschränkungen. Gebräuchlich sind beispielsweise rohrförmige oder auch
flache Entladungsgefäße, letztere sind u. a. als sog. Flachlampen zur Hintergrund
beleuchtung von Flüssigkristallbildschirmen geeignet.
Die Ausgangsmaterialien sowohl für die Reflektor- als auch für die Leucht
stoffschicht bzw. -schichten liegen zunächst als Pulver in geeigneter Korn
größe vor. Diese Pulver werden dann als Suspension, meist mit einem orga
nischen Binder versetzt, in definierter Schichtdicke auf die Innenwandung
der Lampe bzw. auf die zuvor aufgebrachten anderen funktionellen Schich
ten, z. B. Elektroden und dielektrische Sperrschicht, aufgebracht. Die
Schichtdicke der Reflektor- bzw. Leuchtstoffschicht wird über die Viskosität
der Suspension gesteuert, angepaßt an das jeweilige Beschichtungsverfahren.
Nach dem Trocknen und Ausheizen liegen Reflektor- und/oder Leuchtstoff
schicht als poröse Pulverschicht bzw. -schichten vor.
Neben der Leuchtstoffschichtdicke, ist auch die Geschlossenheit der Reflek
tor- und/oder Leuchtstoffschicht sowie deren mechanische Haftung, die mit
zunehmender Schichtdicke abnimmt, eine wichtige Voraussetzung, um eine
optimale Umwandlung von UV-Licht in sichtbares Licht zu erzielen.
Die dielektrische Sperrschicht besteht üblicherweise aus Glasfritten, vor
zugsweise Bleiborsilikatglas (Pb-B-Si-O).
Bei Flachlampen, deren Entladungsgefäße jeweils aus einem im wesentlichen
planen Grundglas, einem ebensolchen Frontglas und optional einem Rahmen
bestehen, wird das Grundglas mit einem sogenannten Lotrand versehen, der
ebenfalls aus einer Glasfritte, vorzugsweise Pb-B-Si-O besteht. Dieser Lotrand
hat die Aufgabe, die Bestandteile des Entladungsgefäßes (Grundglas, Rah
men, Frontglas) beim Fügevorgang vakuumdicht zu verbinden. Bei diesem
Fügevorgang erfolgt eine Temperaturbehandlung, bei der der Lotrand defi
niert "aufgeschmolzen", d. h. eine definierte Viskosität erreicht wird.
Die Aufbringung von Reflektor- und/oder Leuchtstoffschichten erfolgt meist
vor diesem Fügeprozeß. Dadurch wird bei der Fügetemperatur neben dem
Lotrand auch die dielektrische Sperrschicht wieder niederviskos. Dadurch
wiederum reißen die darüberliegenden porösen Reflektor- und/oder
Leuchtstoffschichten durch die "Bewegung" in der dielektrischen Sperr
schicht auf ("Eisschollenbildung"). Grund hierfür ist, daß die porösen Schich
ten keinen Zusammenhalt besitzen und deshalb diese Bewegung nicht zer
störungsfrei mitmachen können, sondern aufreißen und/oder sogar teilweise
in die dielektrische Sperrschicht einsinken. Dadurch ist die Geschlossenheit
der Reflektor- und Leuchtstoffschicht nicht mehr gegeben, was Lichtverluste
zur Folge hat. Zudem sind diese "Eisschollen" beim Lampenbetrieb deutlich
als Leuchtdichteinhomogenität, beispielsweise auf der Leuchtseite einer
Flachlampe, erkennbar.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die genannten Nachteile zu ver
meiden und eine Entladungslampe gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1
bereitzustellen, die eine hinsichtlich der Homogenität verbesserte Leucht
stoff- und/oder Reflexionsschicht aufweist.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1
gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängi
gen Ansprüchen.
Erfindungsgemäß besteht diejenige Schicht, welche im wesentlichen unmit
telbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexionsschicht der Entladungslam
pe angeordnet ist, aus einem Glaslot, dessen Viskositätsverlauf bezüglich der
Temperatur irreversibel ist. Dieses Merkmal ist weiter unten näher erläutert.
Der Einfachheit halber wird diese Schicht im folgenden auch als "tragende"
Schicht oder "Anti-Eisschollenschicht" bezeichnet.
"Im wesentlichen unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexions
schicht der Entladungslampe" bedeutet in diesem Zusammenhang, daß zwi
schen der "tragenden" Schicht und der porösen Leuchtstoff- bzw. Refle
xionsschicht möglichst keine weitere Schicht sein sollte, allenfalls nur noch
eine sehr dünne. Die höchste zulässige Dicke einer zusätzlichen Schicht rich
tet sich nach der Bedingung, daß die unmittelbar darüber angeordnete porö
se Leuchtstoff- bzw. Reflexionsschicht beim Erwärmen der Lampe
(Ausheizen, Fügevorgang etc.) nicht durch zu starkes "Bewegen" aufgrund
des Erweichens der zusätzlichen Schicht aufreißen darf. Je nach Beschaffen
heit und Zusammensetzung sollte die Dicke einer zusätzlichen Schicht
100 µm, besser 50 µm nicht übersteigen. Bevorzugt ist die "tragende" Schicht
allerdings unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexionsschicht angeordnet,
d. h. ohne jegliche zusätzliche Schicht zwischen "tragender"
Schicht und Leuchtstoff- bzw. Reflexionsschicht.
Diese "tragende" Schicht ("Anti-Eisschollenschicht") kann entweder durch
die für die Entladung als dielektrische Behinderung wirkende Sperrschicht
selbst oder durch eine zwischen dielektrischer Sperrschicht einerseits und
Reflexions- und/oder Leuchtstoffschicht andererseits angeordnete Zwi
schenschicht realisiert sein.
Diese Zwischenschicht sollte mindestens die gesamte dielektrische Sperr
schicht abdecken, kann aber auch "ganzflächig" aufgebracht werden. Für die
erfindungsgemäße Wirkung hat es sich als ausreichend erwiesen, wenn die
Dicke dieser "tragenden" Zwischenschicht in der Größenordnung von ca.
10 µm oder mehr beträgt. Die Aufbringung des typischerweise pastösen Sy
stems erfolgt durch Standardverfahren wie Sprühen, Dispensen, Walzen,
Sieb- oder Schablonendruck usw..
Die dielektrische Sperrschicht kann sowohl streifenförmig auf die einzelnen
Elektroden aufgebracht sein (für einseitige und zweiseitige dielektrische Be
hinderung) als auch - im Falle der zweiseitig dielektrisch behinderten Entla
dung - "ganzflächig" mittels einer einzigen zusammenhängenden Sperr
schicht, die sämtliche Innenwandungselektroden überdeckt. Die Wahl der
geeigneten Dicke der Sperrschicht wird im wesentlichen von entladungs
physikalischen Anforderungen bestimmt und liegt typischerweise in der
Größenordnung von 100 µm und mehreren hundert µm. Außerdem kann -
im Falle der zweiseitig dielektrisch behinderten Entladung - die Dicke der
Sperrschicht(en) für Anoden bzw. Kathoden auch unterschiedlich gewählt
werden. Bevorzugt ist bei unipolarem Impulsbetrieb (siehe z. B. WO 094/23442 A1) die
Sperrschicht für die Anoden dicker als jene für die Kathoden.
Der Vorteil der ersten Lösung, d. h. die dielektrische Sperrschicht ist gleich
zeitig als "tragende" Schicht ("Anti-Eisschollenschicht") ausgeführt, besteht
im wesentlichen darin, daß kein zusätzlicher Fertigungs- bzw. Druckschritt
erforderlich ist. Die Lösung mit der zusätzlichen Zwischenschicht bietet hin
gegen einen zusätzlichen Freiheitsgrad für die gezielte Materialauswahl der
dielektrischen Sperrschicht, insbesondere im Hinblick auf die die Entladung
beeinflussenden dielektrischen sowie elektrischen Eigenschaften.
Zum besseren Verständnis der Erfindung sei zunächst das Verhalten der üb
licherweise als tragende Glasschicht für die porösen Schichten verwendeten
Glaslote erläutert. Normalerweise, so auch bei Pb-B-Si-O-Gläsern, sinkt die
Viskosität mit steigender Temperatur. Dieses Verhalten ist reproduzierbar,
sofern die Temperatur nicht so hoch war, daß bereits eine Entglasung statt
findet. Reproduzierbar heißt, daß der Temperaturbereich, in dem das Glas bei
definierter Viskosität erweicht, auch bei Wiederholungen, d. h. nach jeweils
entsprechender vorheriger Abkühlung, nahezu konstant ist.
Die erfindungsgemäß vorgeschlagenen Glaslote zeigen dagegen dieses Ver
halten nicht. Vielmehr ist deren Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur
irreversibel. Hier sinkt zwar anfangs die Viskosität mit steigender Tempera
tur. Danach findet aber - auch bei weiter steigender Temperatur - wieder
eine Viskositätserhöhung statt.
Dieses Verhalten der Viskosität bezüglich der Temperatur zeigen insbeson
dere auch an sich bekannte kristallisierende Glaslote, deren Verwendung als
Schicht, welche unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexions
schicht der Entladungslampe angeordnet ist, erfindungsgemäß vorgeschla
gen wird. Die erwähnte Viskositätserhöhung bei gleichbleibender oder sogar
steigender Temperatur wird bei kristallisierenden Glasloten durch das Ein
setzen des Kristallisationsvorganges bewirkt. Durch eine definierte Tempera
turführung kann zudem das Kristallwachstum sowie der Phasenbestand und
die Kristallitgröße gesteuert werden. Die auf diese Weise erzielte sogenannte
Sinterglaskeramik zeichnet sich dadurch aus, daß sie bei einer nachfolgenden
Temperaturbehandlung jetzt erst bei höheren Temperaturen, typisch ca. 50-
100°C und mehr, zu erweichen beginnt.
Dies schafft die Voraussetzung, um eine bei Fügetemperatur feste, d. h. hö
herviskose, "tragfähige" Schicht zu erhalten, auf die die porösen Schichten
aufgedruckt werden können. Durch den Einsatz solcher Sinterglaskeramik
schichten erhält man, insbesondere nach dem Fügevorgang, geschlossene
Reflektor- und/oder Leuchtstoffschichten.
Als besonders geeignetes kristallisierendes Glaslot hat sich Wismutborsili
katglas (Bi-B-Si-O) erwiesen. Weitere geeignete kristallisierende Glaslote sind
beispielsweise Zinkwismutborsilikatglas (Zn-Bi-B-Si-O) und Zinkborsilikat
glas (Zn-B-Si-O).
Gute Ergebnisse sind auch mit bestimmten Kompositloten mit ähnlichem
Viskositäts-Temperaturverhalten erzielt worden.
Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele nä
her erläutert werden. Es zeigen:
Fig. 1a eine schematische Darstellung einer teilweise durchbrochenen
Draufsicht einer erfindungsgemäßen, flachen Entladungslampe mit
auf der Grundplatte angeordneten Elektroden,
Fig. 1b eine schematische Darstellung einer Seitenansicht der Flachlampe
aus Fig. 1a,
Fig. 1c eine Teilschnittdarstellung der Flachlampe aus Fig. 1a längs der
Linie AA,
Fig. 2 eine Teilschnittdarstellung einer Variante der Flachlampe aus
Fig. 1a längs der Linie AA,
Die Fig. 1a, 1b und 1c zeigen in schematischer Darstellung eine Drauf
sicht, eine Seitenansicht bzw. einen Teilschnitt längs der Linie AA einer fla
chen Leuchtstofflampe, die im Betrieb weißes Licht emittiert. Sie ist als Hin
tergrundbeleuchtung für ein LCD (Liquid Crystal Display = Flüssigkristall
bildschirm) konzipiert.
Die Flachlampe 1 besteht aus einem flachen Entladungsgefäß 2 mit rechtec
kiger Grundfläche, vier streifenartigen metallischen Kathoden 3, 4 (-) sowie
Anoden (+), wovon drei als längliche Doppelanoden 5 und zwei als einzelne
streifenartige Anoden 6 ausgebildet sind. Das Entladungsgefäß 2 besteht sei
nerseits aus einer Grundplatte 7, einer Frontplatte 8 und einem Rahmen 9.
Grundplatte 7 und Frontplatte 8 sind jeweils mittels Glaslot 10 mit dem
Rahmen 9 gasdicht verbunden derart, daß das Innere 11 des Entladungsge
fäßes 2 quaderförmig ausgebildet ist. Die Grundplatte 7 ist größer als die
Frontplatte 8 derart, daß das Entladungsgefäß 2 einen umlaufenden freiste
henden Rand aufweist. Der Durchbruch in der Frontplatte 8 dient lediglich
darstellerischen Zwecken und gibt den Blick auf einen Teil der Kathoden 3, 4
und Anoden 5, 6 frei.
Die Kathoden 3, 4 und Anoden 5, 6 sind abwechselnd und parallel auf der
Innenwandung der Grundplatte 7 angeordnet. Die Anoden 6, 5 und Katho
den 3, 4 sind jeweils an ihrem einen Ende verlängert und auf der Grundplat
te 7 aus dem Innern 11 des Entladungsgefäßes 2 beidseitig nach außen ge
führt. Auf dem Rand der Grundplatte 7 gehen die Elektrodenstreifen 3, 4, 5, 6
in je eine kathodenseitige 13 bzw. anodenseitige 14, busartige äußere Strom
zuführung über. Die beiden äußeren Stromzuführungen 13, 14 dienen als
Kontakte für die Verbindung mit einer elektrischen Versorgungsquelle (nicht
dargestellt).
Im Innern 11 des Entladungsgefäßes 2 sind die Elektroden 3-6 vollständig
mit einer Sinterglaskeramikschicht 61 aus Bi-B-Si-O bedeckt (vgl. Fig. 1c),
deren Dicke ca. 250 µm beträgt. Diese Schicht wirkt zum einen der
"Eisschollenbildung" entgegen. Zum anderen wirkt die Sinterglaskeramik
schicht 61 gleichzeitig als dielektrische Sperrschicht für alle Elektroden 3-6.
Es handelt sich hier also um eine beidseitig dielektrische Behinderung. Auf
der Sinterglaskeramikschicht 61 ist eine Reflektorschicht 62 aus TiO2 aufge
bracht, deren Dicke ca. 4 µm beträgt. Auf der Reflektorschicht 62 wiederum
sowie auf der Innenwandung der Frontplatte 8 ist eine Leuchtstoffgemisch
schicht 63 aufgebracht (die Schichten sind in Fig. 1a der besseren Übersicht
wegen nicht dargestellt; vgl. Fig. 1c), welche die von der Entladung er
zeugte UV/VUV-Strahlung in sichtbares weites Licht konvertiert. Es handelt
sich dabei um einen Dreibandenleuchtstoff mit der Blaukomponente BAM
(BaMgAl10O17 : Eu2+), der Grünkomponente LAP (LaPO4 : [Tb3+, Ce3+])
und der Rotkomponente YOB([Y, Gd]BO3 : Eu3+). Die Dicke der Leucht
stoffgemischschicht 63 beträgt ca. 30 µm.
Die Elektroden 3-6 inklusive Durchführungen und äußere Stromzuführun
gen 13, 14 sind als jeweils zusammenhängende kathoden- bzw. anodenseiti
ge, leiterbahnähnliche und schichtartige Struktur ausgebildet. Diese beiden
schichtartigen Strukturen sowie die darauffolgenden anderen funktionellen
Schichten - dielektrische Sperrschicht 61, Reflexionsschicht 62 sowie Leucht
stoffschicht 63 - sind mittels Siebdrucktechnik direkt auf der Grundplatte 7
bzw. Frontplatte 8 aufgebracht.
Nach dem Aufbringen der Schichten 61-63 wird die Grundplatte 7 mit dem
Rahmen 9 und dieser wiederum mit der Frontplatte 8 jeweils mittels Glas
lot 10 zur kompletten Flachlampe 1 verschmolzen. Der Fügevorgang erfolgt
beispielsweise in einem Vakuumofen. Vor dem Verschmelzen der Komponenten
des Entladungsgefäßes wird das Innere 11 der Flachlampe 1 mit Xe
non mit einem Fülldruck von 10 kPa gefüllt.
Die beiden Anodenstreifen 5a, 5b jedes Anodenpaares 5 sind in Richtung zu
den beiden Rändern 15, 16 der Flachlampe 1, die senkrecht zu den Elektro
denstreifen 3-6 orientiert sind, verbreitert und zwar asymmetrisch aus
schließlich in Richtung auf den jeweiligen Partnerstreifen 5b bzw. 5a zu. Der
gegenseitige größte Abstand der beiden Streifen jedes Anodenpaares 5 be
trägt ca. 4 mm, der kleinste Abstand beträgt ca. 3 mm. Die beiden einzelnen
Anodenstreifen 6 sind jeweils in unmittelbarer Nähe der beiden zu den Elek
trodenstreifen 3-6 parallelen Rändern 17, 18 der Flachlampe 1 angeordnet.
Die Kathodenstreifen 3; 4 weisen nasenartige, der jeweils benachbarten An
ode 5; 6 zugewandte halbkreisförmige Fortsätze 19 auf. Sie bewirken lokal
begrenzte Verstärkungen des elektrischen Feldes und folglich, daß die im
Betrieb gemäß WO 94/23442 A1 entstehenden deltaförmigen Einzelentladungen
(in Fig. 1a nicht dargestellt) ausschließlich an diesen Stellen zünden. Der
Abstand zwischen den Fortsätzen 19 und dem jeweiligen unmittelbar be
nachbarten Anodenstreifen beträgt ca. 6 mm. Der Radius der halbkreisförmi
gen Fortsätze 19 beträgt ca. 2 mm.
Fig. 2 zeigt eine Teilschnittdarstellung einer Variante der Flachlampe aus
Fig. 1a längs der Linie AA. Gleiche Merkmale sind mit den gleichen Be
zugszeichen versehen. Im Unterschied zur Darstellung in Fig. 1c ist hier
zwischen der dielektrischen Sperrschicht 61' und der Reflexionsschicht 62
eine zusätzliche, 12 µm dicke Zwischenschicht 64 aus Bi-B-Si-O angeordnet.
Die dielektrischen Sperrschicht 61' besteht hier aus Bleiborsilikatglas. Die
Funktion der kristallisierenden Schicht, welche die "Eisschollenbildung"
verhindert, wird hier also durch die Zwischenschicht 64 übernommen.
In einer Variante (nicht dargestellt) ist zwischen der TiO2-Schicht und der
Leuchtstoffschicht eine weitere Reflexionsschicht aus Al2O3 angeordnet. Auf
diese Weise wird die Reflexionswirkung verbessert. Die Dicke der Al2O3-
Schicht beträgt ca. 5 µm.
Im Rahmen der Erfindung sind noch weitere zusätzliche Schichten und
Schichtanordnungen denkbar, ohne daß die vorteilhafte Wirkung der Erfin
dung verloren ginge. Wesentlich ist hier nur, daß diejenige dielektrische
Schicht, deren Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel ist
und dadurch die "Eisschollenbildung" verhindert, unmittelbar unterhalb der
Leuchtstoff- bzw. Reflexionsschicht angeordnet ist ("tragende" Schicht).
Für reine UV-Strahler entfällt zudem die Leuchtstoffschicht auf der Grund-
und Frontplatte. Auf der oder den dielektrischen Schichten verbleiben somit
lediglich eine oder mehrere Reflexionsschichten.
An dieser Stelle sei nochmals darauf hingewiesen, daß die in den Fig. 1c
und 2 stark schematisch dargestellten Schichten nicht notwendigerweise
über die gesamte Fläche der Grundplatte ausgedehnt sein müssen. Wesent
lich ist nur, daß zumindest die jeweils betreffende Elektrode vollständig mit
den entsprechenden Schichten bedeckt ist. Im Falle der einseitig dielektri
schen Behinderung sind nur die Elektroden einer Polarität, bevorzugt die
Anoden, mit einer "tragenden" dielektrischen Schicht bedeckt.
Ferner müssen die einzelnen Schichten nicht notwendigerweise völlig plan
sein, wie dies in den Fig. 1c und 2 vereinfachend dargestellt ist. Vielmehr
können die einzelnen Schichten, insbesondere die sehr dünnen Schichten, in
der Praxis auch in sich uneben sein. Dies tritt besonders dann zu Tage, wenn
eine oder mehrere Schichten dünner als die Elektroden sind und die
Schicht(en) folglich die Oberflächenform der Grundplatte mit den Elektroden
noch erkennbar abbilden.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel (nicht dargestellt) handelt es sich um
eine rohrförmige Aperturlampe. Abgesehen von der unterschiedlichen Form
des Entladungsgefäßes besteht der Hauptunterschied gegenüber der
Flachlampe aus Fig. 1 im auf die geänderte Gefäßform abgestimmten Her
stellverfahren. Insbesondere wird der Leuchtstoff hier mittels Beschlämmen
auf die Innenwandung bzw. die zuvor darauf angeordneten funktionellen
Schichten aufgebracht. Die prinzipielle Reihenfolge sowie Funktion der ein
zelnen funktionellen Schichten, insbesondere die erfindungsgemäße Wir
kung der "tragenden" Schicht, welche die "Eisschollenbildung" verhindert,
entsprechen derjenigen aus Fig. 1.
Claims (5)
1. Entladungslampe, geeignet für den Betrieb mittels dielektrisch be
hinderter Entladung, mit
einem zumindest teilweise aus einem elektrisch nichtleitenden Ma terial bestehenden Entladungsgefäß (2),
Elektroden (3-6), die auf der Wand (7) des Entladungsgefäßes (2) an geordnet sind,
mindestens einer dielektrischen Schicht (61; 64), die zumindest einen Teil der Elektroden (3-6) und optional zusätzlich der Entladungsge fäßwand (7) bedeckt,
einer Leuchtstoff- (63) und/oder Reflexionsschicht (62), welche die mindestens eine dielektrische Schicht (61; 61', 64) bedeckt,
dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest die im wesentlichen unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- (63) bzw. Reflexionsschicht (62) angeordnete dielektrische Schicht (61; 64) aus einem Glaslot besteht, dessen Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel ist.
einem zumindest teilweise aus einem elektrisch nichtleitenden Ma terial bestehenden Entladungsgefäß (2),
Elektroden (3-6), die auf der Wand (7) des Entladungsgefäßes (2) an geordnet sind,
mindestens einer dielektrischen Schicht (61; 64), die zumindest einen Teil der Elektroden (3-6) und optional zusätzlich der Entladungsge fäßwand (7) bedeckt,
einer Leuchtstoff- (63) und/oder Reflexionsschicht (62), welche die mindestens eine dielektrische Schicht (61; 61', 64) bedeckt,
dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest die im wesentlichen unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- (63) bzw. Reflexionsschicht (62) angeordnete dielektrische Schicht (61; 64) aus einem Glaslot besteht, dessen Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel ist.
2. Entladungslampe nach Anspruch 1, wobei die Erweichungstemperatur
des Glaslotes (61; 64) bei wiederholter Erwärmung um mehr als ca.
25°C höher liegt als die Erweichungstemperatur des Glaslotes beim er
sten Aufschmelzprozeß.
3. Entladungslampe nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Glaslot (61; 64)
aus einem kristallisierenden Glaslot (Sinterglaskeramik) besteht.
4. Entladungslampe nach Anspruch 3, wobei die Sinterglaskeramik (61;
64) aus Bi-B-Si-O besteht.
5. Entladungslampe nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Glaslot (61; 64)
aus einem Komposit-Glaslot besteht.
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