DE19826808A1 - Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden - Google Patents

Abstract

Eine Entladungslampe, geeignet für den Betrieb mittels dielektrisch behinderter Entladung, mit auf der Wand des Entladungsgefäßes angeordneten Elektroden weist mindestens eine dielektrische Schicht auf, die zumindest einen Teil der Elektroden und optional zusätzlich der Entladungsgefäßwand bedeckt. Auf der mindestens einen dielektrischen Schicht ist eine Leuchtstoff- und/oder Reflexionsschicht angeordnet. Erfindungsgemäß besteht zumindest die unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- bzw. Reflexionsschicht angeordnete dielektrische Schicht aus einem Glaslot, dessen Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel ist, insbesondere aus einer Sinterglaskeramik. Dadurch wird verhindert, daß diese Schicht während des Fertigungsprozesses erneut aufschmilzt und dadurch die darüberliegenden porösen Reflektor- und/oder Leichtstoffschichten aufreißen.

Description

Technisches Gebiet

Die Erfindung betrifft eine Entladungslampe gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Der Begriff "Entladungslampe" umfaßt dabei Quellen elektromagnetischer Strahlung auf der Basis von Gasentladungen. Das Spektrum der Strahlung kann dabei sowohl den sichtbaren Bereich als auch den UV(Ultraviolett)/VUV(Vakuumultraviolett)-Bereich sowie den IR(Infrarot)- Bereich umfassen. Ferner kann auch eine Leuchtstoffschicht zur Konvertie­ rung unsichtbarer in sichtbare Strahlung vorgesehen sein.

Es handelt sich dabei um Entladungslampen mit sogenannten dielektrisch behinderten Elektroden. Die dielektrisch behinderten Elektroden sind typi­ scherweise in Form dünner metallischer Streifen realisiert, von denen zumin­ dest ein Teil auf der Innenwandung des Entladungsgefäßes angeordnet ist. Zumindest ein Teil dieser Innenwandungselektroden ist gegenüber dem In­ nern des Entladungsgefäßes mit einer dielektrischen Sperrschicht vollständig abgedeckt.

Sind nur die Elektroden einer einzigen Polarität - vorzugsweise die An­ oden - mit einer dielektrischen Sperrschicht abgedeckt, bildet sich im vor­ zugsweisen unipolaren Betrieb eine sogenannte einseitig dielektrisch behin­ derte Entladung aus. Sind hingegen alle Elektroden, d. h. beiderlei Polarität, mit einer dielektrischen Sperrschicht abgedeckt, bildet sich sowohl im unipo­ laren als auch im bipolaren Betrieb eine zweiseitig dielektrisch behinderte Entladung aus.

Auf der dielektrischen Sperrschicht und im allgemeinen auch auf weiteren Teilen der Innenwand des Entladungsgefäßes ist mindestens eine weitere funktionelle Schicht aufgebracht, z. B. eine Schicht aus einem Leuchtstoff oder Leuchtstoffgemisch und/oder eine oder auch mehrere Reflexionsschichten für sichtbare Strahlung (Licht) und/oder UV-Strahlung. Die Reflexions­ schicht dient dem Zweck, sichtbares Licht gezielt nach außen zu bringen, d. h. nur in einer bestimmten Vorzugsrichtung der Lampe.

Die geometrische Form des Entladungsgefäßes unterliegt keinen besonderen Einschränkungen. Gebräuchlich sind beispielsweise rohrförmige oder auch flache Entladungsgefäße, letztere sind u. a. als sog. Flachlampen zur Hinter­ leuchtung von Flüssigkristallbildschirmen geeignet.

Stand der Technik

Die Ausgangsmaterialien sowohl für die Reflektor- als auch für die Leucht­ stoffschicht bzw. -schichten liegen zunächst als Pulver in geeigneter Korn­ größe vor. Diese Pulver werden dann als Suspension, meist mit einem orga­ nischen Binder versetzt, in definierter Schichtdicke auf die Innenwandung der Lampe bzw. auf die zuvor aufgebrachten anderen funktionellen Schich­ ten, z. B. Elektroden und dielektrische Sperrschicht, aufgebracht. Die Schichtdicke der Reflektor- bzw. Leuchtstoffschicht wird über die Viskosität der Suspension gesteuert, angepaßt an das jeweilige Beschichtungsverfahren. Nach dem Trocknen und Ausheizen liegen Reflektor- und/oder Leuchtstoff­ schicht als poröse Pulverschicht bzw. -schichten vor.

Neben der Leuchtstoffschichtdicke, ist auch die Geschlossenheit der Reflek­ tor- und/oder Leuchtstoffschicht sowie deren mechanische Haftung, die mit zunehmender Schichtdicke abnimmt, eine wichtige Voraussetzung, um eine optimale Umwandlung von UV-Licht in sichtbares Licht zu erzielen.

Die dielektrische Sperrschicht besteht üblicherweise aus Glasfritten, vor­ zugsweise Bleiborsilikatglas (Pb-B-Si-O).

Bei Flachlampen, deren Entladungsgefäße jeweils aus einem im wesentlichen planen Grundglas, einem ebensolchen Frontglas und optional einem Rahmen bestehen, wird das Grundglas mit einem sogenannten Lotrand versehen, der ebenfalls aus einer Glasfritte, vorzugsweise Pb-B-Si-O besteht. Dieser Lotrand hat die Aufgabe, die Bestandteile des Entladungsgefäßes (Grundglas, Rah­ men, Frontglas) beim Fügevorgang vakuumdicht zu verbinden. Bei diesem Fügevorgang erfolgt eine Temperaturbehandlung, bei der der Lotrand defi­ niert "aufgeschmolzen", d. h. eine definierte Viskosität erreicht wird.

Die Aufbringung von Reflektor- und/oder Leuchtstoffschichten erfolgt meist vor diesem Fügeprozeß. Dadurch wird bei der Fügetemperatur neben dem Lotrand auch die dielektrische Sperrschicht wieder niederviskos. Dadurch wiederum reißen die darüberliegenden porösen Reflektor- und/oder Leuchtstoffschichten durch die "Bewegung" in der dielektrischen Sperr­ schicht auf ("Eisschollenbildung"). Grund hierfür ist, daß die porösen Schich­ ten keinen Zusammenhalt besitzen und deshalb diese Bewegung nicht zer­ störungsfrei mitmachen können, sondern aufreißen und/oder sogar teilweise in die dielektrische Sperrschicht einsinken. Dadurch ist die Geschlossenheit der Reflektor- und Leuchtstoffschicht nicht mehr gegeben, was Lichtverluste zur Folge hat. Zudem sind diese "Eisschollen" beim Lampenbetrieb deutlich als Leuchtdichteinhomogenität, beispielsweise auf der Leuchtseite einer Flachlampe, erkennbar.

Darstellung der Erfindung

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die genannten Nachteile zu ver­ meiden und eine Entladungslampe gemaß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bereitzustellen, die eine hinsichtlich der Homogenität verbesserte Leucht­ stoff- und/oder Reflexionsschicht aufweist.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängi­ gen Ansprüchen.

Erfindungsgemäß besteht diejenige Schicht, welche im wesentlichen unmit­ telbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexionsschicht der Entladungslam­ pe angeordnet ist, aus einem Glaslot, dessen Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel ist. Dieses Merkmal ist weiter unten näher erläutert. Der Einfachheit halber wird diese Schicht im folgenden auch als "tragende" Schicht oder "Anti-Eisschollenschicht" bezeichnet.

Im wesentlichen unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexions­ schicht der Entladungslampe bedeutet in diesem Zusammenhang, daß zwi­ schen der "tragenden" Schicht und der porösen Leuchtstoff- bzw. Refle­ xionsschicht möglichst keine weitere Schicht sein sollte, allenfalls nur noch eine sehr dünne. Die höchste zulässige Dicke einer zusätzlichen Schicht rich­ tet sich nach der Bedingung, daß die unmittelbar darüber angeordnete porö­ se Leuchtstoff- bzw. Reflexionsschicht beim Erwärmen der Lampe (Ausheizen, Fügevorgang etc.) nicht durch zu starkes "Bewegen" aufgrund des Erweichens der zusätzlichen Schicht aufreißen darf. Je nach Beschaffen­ heit und Zusammensetzung sollte die Dicke einer zusätzlichen Schicht 100 µm, besser 50 µm nicht übersteigen. Bevorzugt ist die "tragende" Schicht allerdings unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexionsschicht an­ geordnet, d. h. ohne jegliche zusätzliche Schicht zwischen "tragender" Schicht und Leuchtstoff- bzw. Reflexionsschicht.

Diese "tragende" Schicht ("Anti-Eisschollenschicht") kann entweder durch die für die Entladung als dielektrische Behinderung wirkende Sperrschicht selbst oder durch eine zwischen dielektrischer Sperrschicht einerseits und Reflexions- und/oder Leuchtstoffschicht andererseits angeordneten Zwi­ schenschicht realisiert sein.

Diese Zwischenschicht sollte mindestens die gesamte dielektrische Sperr­ schicht abdecken, kann aber auch "ganzflächig" aufgebracht werden. Für die erfindungsgemäße Wirkung hat es sich als ausreichend erwiesen, wenn die Dicke dieser "tragenden" Zwischenschicht in der Größenordnung von ca. 10 µm oder mehr beträgt. Die Aufbringung des typischerweise pastösen Sy­ stems erfolgt durch Standardverfahren wie Sprühen, Dispensen, Walzen, Sieb- oder Schablonendruck usw.

Die dielektrische Sperrschicht kann sowohl streifenförmig auf die einzelnen Elektroden aufgebracht sein (für einseitige und zweiseitige dielektrische Be­ hinderung) als auch - im Falle der zweiseitig dielektrisch behinderten Entla­ dung - "ganzflächig" mittels einer einzigen zusammenhängenden Sperr­ schicht, die sämtliche Innenwandungselektroden überdeckt. Die Wahl der geeigneten Dicke der Sperrschicht wird im wesentlichen von entladungs­ physikalischen Anforderungen bestimmt und liegt typischerweise in der Größenordnung von 100 µm und mehreren hundert µm. Außerdem kann - im Falle der zweiseitig dielektrisch behinderten Entladung - die Dicke der Sperrschicht(en) für Anoden bzw. Kathoden auch unterschiedlich gewählt werden. Bevorzugt ist bei unipolarem Impulsbetrieb (WO94/23442) die Sperrschicht für die Anoden dicker als jene für die Kathoden.

Der Vorteil der ersten Lösung, d. h. die dielektrische Sperrschicht ist gleich­ zeitig als "tragende" Schicht ("Anti-Eisschollenschicht") ausgeführt, besteht im wesentlichen darin, daß kein zusätzlicher Fertigungs- bzw. Druckschritt erforderlich ist. Die Lösung mit der zusätzlichen Zwischenschicht bietet hin­ gegen einen zusätzlichen Freiheitsgrad für die gezielte Materialauswahl der dielektrischen Sperrschicht, insbesondere im Hinblick auf die die Entladung beeinflussenden dielektrischen sowie elektrischen Eigenschaften.

Zum besseren Verständnis der Erfindung sei zunächst das Verhalten der üb­ licherweise als tragende Glasschicht für die porösen Schichten verwendeten Glaslote erläutert. Normalerweise, so auch bei Pb-B-Si-O-Gläsern sinkt die Viskosität mit steigender Temperatur. Dieses Verhalten ist reproduzierbar, sofern die Temperatur nicht so hoch war, daß bereits eine Entglasung statt­ findet. Reproduzierbar heißt, daß der Temperaturbereich in dem das Glas bei definierter Viskosität erweicht, auch bei Wiederholungen, d. h. nach jeweils entsprechender vorheriger Abkühlung, nahezu konstant ist.

Die erfindungsgemäß vorgeschlagenen Glaslote zeigen dagegen dieses Ver­ halten nicht. Vielmehr ist deren Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel. Hier sinkt zwar anfangs die Viskosität mit steigender Tempera­ tur. Danach findet aber - auch bei weiter steigender Temperatur - wieder eine Viskositätserhöhung statt.

Dieses Verhalten der Viskosität bezüglich der Temperatur zeigen insbeson­ dere auch an sich bekannte kristallisierende Glaslote, deren Verwendung als Schicht, welche unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- oder Reflexions­ schicht der Entladungslampe angeordnet ist, erfindungsgemäß vorgeschla­ gen wird. Die erwähnte Viskositätserhöhung bei gleichbleibender oder sogar steigender Temperatur wird bei kristallisierenden Glasloten durch das Ein­ setzen des Kristallisationsvorganges bewirkt. Durch eine definierte Tempera­ turführung kann zudem das Kristallwachstum sowie der Phasenbestand und die Kristallitgröße gesteuert werden. Die auf diese Weise erzielte sogenannte Sinterglaskeramik zeichnet sich dadurch aus, daß sie bei einer nachfolgenden Temperaturbehandlung jetzt erst bei höheren Temperaturen, typisch ca. 50 -100°C und mehr höhere Temperaturen, zu erweichen beginnt.

Dies schafft die Voraussetzung, um eine bei Fügetemperatur feste, d. h. hö­ herviskose, "tragfähige" Schicht zu erhalten, auf die die porösen Schichten aufgedruckt werden können. Durch den Einsatz solcher Sinterglaskeramik­ schichten erhält man, insbesondere nach dem Fügevorgang, geschlossene Refklektor- und/oder Leuchtstoffschichten.

Als besonders geeignetes kristallisierendes Glaslot hat sich Wismutborsili­ katglas (Bi-B-Si-O) erwiesen. Weitere geeignete kristallisierende Glaslote sind beispielsweise Zinkwismutborsilikatglas (Zn-Bi-B-Si-O) und Zinkborsilikat­ glas (Zn-B-Si-O).

Gute Ergebnisse sind auch mit bestimmten Kompositloten mit ähnlichem Viskositäts-Temperaturverhalten erzielt worden.

Beschreibung der Zeichnungen

Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele nä­ her erläutert werden. Es zeigen:

Fig. 1a eine schematische Darstellung einer teilweise durchbrochenen Draufsicht einer erfindungsgemäßen, flachen Entladungslampe mit auf der Grundplatte angeordneten Elektroden,

Fig. 1b eine schematische Darstellung einer Seitenansicht der Flachlampe aus Fig. 1a,

Fig. 1c eine Teilschnittdarstellung der Flachlampe aus Fig. 1a längs der Linie AA,

Fig. 2 eine Teilschnittdarstellung einer Variante der Flachlampe aus Fig. 1a längs der Linie AA.

Die Fig. 1a, 1b und 1c zeigen in schematischer Darstellung eine Drauf­ sicht, eine Seitenansicht bzw. einen Teilschnitt längs der Linie AA einer fla­ chen Leuchtstofflampe, die im Betrieb weißes Licht emittiert. Sie ist als Hin­ tergrundbeleuchtung für ein LCD (Liquid Crystal Display = Flüssigkristall­ bildschirm) konzipiert.

Die Flachlampe 1 besteht aus einem flachen Entladungsgefäß 2 mit rechtec­ kiger Grundfläche, vier streifenartigen metallischen Kathoden 3, 4 (-) sowie Anoden (+), wovon drei als längliche Doppelanoden 5 und zwei als einzelne streifenartige Anoden 6 ausgebildet sind. Das Entladungsgefäß 2 besteht sei­ nerseits aus einer Grundplatte 7, einer Frontplatte 8 und einem Rahmen 9. Grundplatte 7 und Frontplatte 8 sind jeweils mittels Glaslot 10 mit dem Rahmen 9 gasdicht verbunden derart, daß das Innere 11 des Entladungsge­ fäßes 2 quaderförmig ausgebildet ist. Die Grundplatte 7 ist größer als die Frontplatte 8 derart, daß das Entladungsgefäß 2 einen umlaufenden freiste­ henden Rand aufweist. Der Durchbruch in der Frontplatte 8 dient lediglich darstellerischen Zwecken und gibt den Blick auf einen Teil der Kathoden 3, 4 und Anoden 5, 6 frei.

Die Kathoden 3, 4 und Anoden 5, 6 sind abwechselnd und parallel auf der Innenwandung der Grundplatte 7 angeordnet. Die Anoden 6, 5 und Katho­ den 3, 4 sind jeweils an ihrem einen Ende verlängert und auf der Grundplat­ te 7 aus dem Innern 11 des Entladungsgefäßes 2 beidseitig nach außen ge­ führt. Auf dem Rand der Grundplatte 7 gehen die Elektrodenstreifen 3, 4, 5, 6 in je eine kathodenseitige 13 bzw. anodenseitige 14, busartige äußere Strom­ zuführung über. Die beiden äußeren Stromzuführungen 13, 14 dienen als Kontakte für die Verbindung mit einer elektrischen Versorgungsquelle (nicht dargestellt).

Im Innern 11 des Entladungsgefäßes 2 sind die Elektroden 3-6 vollständig mit einer Sinterglaskeramikschicht 61 aus Bi-B-Si-O bedeckt (vgl. Fig. 1c), deren Dicke ca. 250 µm beträgt. Diese Schicht wirkt zum einen der "Eisschollenbildung" entgegen. Zum anderen wirkt die Sinterglaskeramik­ schicht 61 gleichzeitig als dielektrische Sperrschicht für alle Elektroden 3-6. Es handelt sich hier also um eine beidseitig dielektrische Behinderung. Auf der Sinterglaskeramikschicht 61 ist eine Reflektorschicht 62 aus TiO₂ aufge­ bracht, deren Dicke ca. 4 µm beträgt. Auf der Reflektorschicht 62 wiederum sowie auf der Innenwandung der Frontplatte 8 ist eine Leuchtstoffgemisch­ schicht 63 aufgebracht (die Schichten sind in Fig. 1a der besseren Übersicht wegen nicht dargestellt; vgl. Fig. 1c), welches die von der Entladung er­ zeugte UV/VUV-Strahlung in sichtbares weißes Licht konvertiert. Es handelt sich dabei um einen Dreibandenleuchtstoff mit der Blaukomponente BAM (BaMgAl₁₀O₁₇: Eu²⁺), der Grünkomponente LAP (LaPO₄: [Tb³⁺, Ce³⁺]) und der Rotkomponente YOB ([Y, Gd]BO₃: Eu³⁺). Die Dicke der Leucht­ stoffgemischschicht 63 beträgt ca. 30 µm.

Die Elektroden 3-6 inklusive Durchführungen und äußere Stromzuführun­ gen 13, 14 sind als jeweils zusammenhängende kathoden- bzw. anodenseiti­ ge, leiterbahnähnliche schichtartige Struktur ausgebildet. Diese beiden schichtartigen Strukturen sowie die darauffolgenden anderen funktionellen Schichten - dielektrische Sperrschicht 61, Reflexionsschicht 62 sowie Leucht­ stoffschicht 63 sind mittels Siebdrucktechnik direkt auf der Grundplatte 7 bzw. Frontplatte 8 aufgebracht.

Nach dem Aufbringen der Schichten 61-63 wird die Grundplatte 7 mit dem Rahmen 9 und dieser wiederum mit der Frontplatte 8 jeweils mittels Glas­ lot 10 zur kompletten Flachlampe 1 verschmolzen. Der Fügevorgang erfolgt beispielsweise in einem Vakuumofen. Vor dem Verschmelzen der Kompo­ nenten des Entladungsgefäßes wird das Innere 11 der Flachlampe 1 mit Xe­ non mit einem Fülldruck von 10 kPa gefüllt.

Die beiden Anodenstreifen 5a, 5b jedes Anodenpaares 5 sind in Richtung zu den beiden Rändern 15, 16 der Flachlampe 1, die senkrecht zu den Elektro­ denstreifen 3-6 orientiert sind verbreitert und zwar asymmetrisch aus­ schließlich in Richtung auf den jeweiligen Partnerstreifen 5b bzw. 5a zu. Der gegenseitige größte Abstand der beiden Streifen jedes Anodenpaares 5 be­ trägt ca. 4 mm, der kleinste Abstand beträgt ca. 3 mm. Die beiden einzelnen Anodenstreifen 6 sind jeweils in unmittelbarer Nähe der beiden zu den Elek­ trodenstreifen 3-6 parallelen Rändern 17, 18 der Flachlampe 1 angeordnet.

Die Kathodenstreifen 3; 4 weisen nasenartige, der jeweils benachbarten An­ ode 5; 6 zugewandte halbkreisförmige Fortsätze 19 auf. Sie bewirken lokal begrenzte Verstärkungen des elektrischen Feldes und folglich, daß die im Betrieb gemäß WO 94/23442 entstehenden deltaförmigen Einzelentladungen (in Fig. 1a nicht dargestellt) ausschließlich an diesen Stellen zünden. Der Abstand zwischen den Fortsätzen 19 und dem jeweiligen unmittelbar be­ nachbarten Anodenstreifen beträgt ca. 6 mm. Der Radius der halbkreisförmi­ gen Fortsätze 19 beträgt ca. 2 mm.

Fig. 2 zeigt eine Teilschnittdarstellung einer Variante der Flachlampe aus Fig. 1a längs der Linie AA. Gleiche Merkmale sind mit den gleichen Be­ zugszeichen versehen. Im Unterschied zur Darstellung in Fig. 1c ist hier zwischen der dielektrischen Sperrschicht 61' und der Reflexionsschicht 62 eine zusätzliche 12 µm dicke Zwischenschicht 64 aus Bi-B-Si-O angeordnet. Die dielektrischen Sperrschicht 61' besteht hier aus Bleiborsilikatglas. Die Funktion der kristallisierenden Schicht, welche die "Eisschollenbildung" verhindert, wird hier also durch die Zwischenschicht 64 übernommen.

In einer Variante (nicht dargestellt) ist zwischen der TiO₂-Schicht und der Leuchtstoffschicht eine weitere Reflexionsschicht aus Al₂O₃ angeordnet. Auf diese Weise wird die Reflexionswirkung verbessert. Die Dicke der Al₂O₃- Schicht beträgt ca. 5 µm.

Im Rahmen der Erfindung sind noch weitere zusätzliche Schichten und Schichtanordnungen denkbar, ohne daß die vorteilhafte Wirkung der Erfin­ dung verloren ginge. Wesentlich ist hier nur, daß diejenige dielektrische Schicht, deren Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel ist und dadurch die "Eisschollenbildung" verhindert, unmittelbar unterhalb der Leuchtstoff- bzw. Reflexionsschicht angeordnet ist ("tragende" Schicht).

Für reine UV-Strahler entfällt zudem die Leuchtstoffschicht auf der Grund- und Frontplatte. Auf der oder den dielektrischen Schichten verbleiben somit lediglich eine oder mehrere Reflexionsschichten.

An dieser Stelle sei nochmals darauf hingewiesen, daß die in den Fig. 1c und 2 stark schematisch dargestellten Schichten nicht notwendiger Weise über die gesamte Fläche der Grundplatte ausgedehnt sein müssen. Wesent­ lich ist nur, daß zumindest die jeweils betreffende Elektrode vollständig mit den entsprechenden Schichten bedeckt ist. Im Falle der einseitig dielektri­ schen Behinderung sind nur die Elektroden einer Polarität, bevorzugt die Anoden, mit einer "tragenden" dielektrischen Schicht bedeckt.

Ferner müssen die einzelnen Schichten nicht notwendiger Weise völlig plan sein, wie dies in den Fig. 1c und 2 vereinfachend dargestellt ist. Vielmehr können die einzelnen Schichten, insbesondere die sehr dünnen Schichten, in der Praxis auch in sich uneben sein. Dies tritt besonders dann zu Tage, wenn eine oder mehrere Schichten dünner als die Elektroden sind und die Schicht(en) folglich die Oberflächenform der Grundplatte mit den Elektroden noch erkennbar abbilden.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel (nicht dargestellt) handelt es sich um eine rohrförmige Aperturlampe. Abgesehen von der unterschiedlichen Form des Entladungsgefäßes besteht der Hauptunterschied gegenüber der Flachlampe aus Fig. 1 im auf die geänderte Gefäßform abgestimmten Her­ stellverfahren. Insbesondere wird der Leuchtstoff hier mittels Beschlämmen auf die Innenwandung bzw. die zuvor darauf angeordneten funktionellen Schichten aufgebracht. Die prinzipielle Reihenfolge sowie Funktion der ein­ zelnen funktionellen Schichten, insbesondere die erfindungsgemäße Wir­ kung der "tragenden" Schicht, welche die "Eisschollenbildung" verhindert, entsprechen derjenigen aus Fig. 1.

Claims (6)

1. Entladungslampe (1), geeignet für den Betrieb mittels dielektrisch be­ hinderter Entladung, mit

• - einem zumindest teilweise aus einem elektrisch nichtleitenden Ma­ terial bestehenden Entladungsgefäß (2),
• - Elektroden (3-6), die auf der Wand (7) des Entladungsgefäßes (2) an­ geordnet sind,
• - mindestens einer dielektrischen Schicht (61; 64), die zumindest einen Teil der Elektroden (3-6) und optional zusätzlich der Entladungsge­ fäßwand (7) bedeckt,
• - einer Leuchtstoff- (63) und/oder Reflexionsschicht (62), welche die mindestens eine dielektrische Schicht (61; 61, 64) bedeckt,

dadurch gekennzeichnet, daß

zumindest die im wesentlichen unmittelbar unterhalb der Leucht­ stoff- bzw. Reflexionsschicht (62) angeordnete dielektrische Schicht (61; 64) aus einem Glaslot besteht, dessen Viskositätsverlauf bezüglich der Temperatur irreversibel ist.

2. Entladungslampe nach Anspruch 1, wobei die Erweichungstemperatur des Glaslotes (61; 64) bei wiederholter Erwärmung um mehr als ca. 25°C höher liegt, als die Erweichungstemperatur des Glaslotes beim er­ sten Aufschmelzprozeß.

3. Entladungslampe nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Glaslot (61; 64) aus einem kristallisierenden Glaslot (Sinterglaskeramik) besteht.

4. Entladungslampe nach Anspruch 3, wobei die Sinterglaskeramik (61; 64) aus Bi-B-Si-O besteht.

5. Entladungslampe nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Glaslot (61; 64) aus einem Komposit-Glaslot besteht.