JP2005089692A - 緑色蛍光体及びそれを用いた装置 - Google Patents

緑色蛍光体及びそれを用いた装置

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晋也 福田
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Abstract

【課題】実用上十分な色純度を確保しつつ、輝度、発光強度、寿命等の特性が優れた緑色蛍光体を提供することを課題とする。
【解決手段】(La1-a-bTbabx(Mg1-s-tMnsZntyAlzy+1.5(x+z)(式中、Aは、Y又はCe、0≦a≦0.6、0<b≦0.1、0<s+t<1、0.8≦x≦1.2、0<y≦1、8≦z≦30)で表される緑色蛍光体により上記課題を解決する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、緑色蛍光体及びそれを用いた装置に関する。更に詳しくは、本発明は、照射された光を、それより低エネルギー(長波長)の光に変換しうる緑色蛍光体及びそれを用いた装置に関する。
蛍光体は、種々の分野で広く使用されている。例えば、蛍光ランプのような照明装置用蛍光体、PDPのような表示装置用蛍光体、X線撮像管用蛍光体として使用されている。
このような蛍光体のうち、真空紫外光を励起源とする緑色蛍光体として、Zn2SiO4:Mnがよく知られている。この蛍光体は、色純度が高く(色度座標で(0.21、0.72))、発光効率が高いという利点を有する。しかし、輝度の経時変化が速く、短寿命であり、また、励起光を強くした場合、発光効率が落ち輝度飽和するという問題があった。
別の緑色蛍光体としてBaAl1219:Mnが知られている。この蛍光体も色純度及び発光効率は高いが、短寿命であるという問題があった。
寿命と発光効率を両方改善する蛍光体として、マグネトプランバイト(Magnetoplumbite)型の構造を有する結晶に、発光中心と増感剤として、希土類元素と遷移金属とを同時に添加した蛍光体が知られている。具体的には、古い例としてLaAl1119:Eu2+,Mn(JJAP,13(1974)pp.950−956)(非特許文献1)、SrAl1219:La,Eu2+,Mn(Philips Technical Review,37(1977)pp.221−233)(非特許文献2)が挙げられる。これら蛍光体によれば、適当な励起光でEu2+を発光させて青い光を得、青い光でMn2+を励起させて緑の光を得ることができる。なお、青い光はMn2+の励起に使用されて外部にはほとんど出ない。
また、上記以外の蛍光体としてSrAl1219:Mn,Ln(Ln:3価希土類元素Ce3+,Pr3+,Gd3+,Tb3+)が知られている(特開2001−139942号公報、特許文献1)。この蛍光体では希土類元素からMnへエネルギーが移動して、Mnだけの蛍光体より多い緑色光が得られる。
Tb3+からの発光を強める増感元素としてCe3+がよく用いられている。例えば、CeMgAl1119:Tbは、J.Luminescence,9(1974)pp.415−419(非特許文献3)やPhilips Technical Review,37(1977)pp.221−233(非特許文献2)に記載されている。この蛍光体では、Ceの発光光のエネルギー準位が、Tbのfd遷移のエネルギー準位にほぼ等しいため、高効率でCeからTbへのエネルギー遷移が行われる。この蛍光体は長寿命であるが、真空紫外光による励起では発光効率がZn2SiO4:Mnに比べて落ちる。更に、発光スペクトルが540nmという黄緑色の輝線がメインピーク(5475の遷移に基づく)で、480nmの青(5476の遷移に基づく)、580nmの黄(5474の遷移に基づく)、600nmの赤のサブピーク(5473の遷移に基づく)を有するため色純度が悪い(色座標で(0.33,0.61))。そのため表示装置用には不適当である。
希土類元素を含むホウ酸塩(YBO3、LuBO3)にTbを入れたものは高効率であるが、色純度が悪く表示装置用途には不適当である。
(Ce1-xTbx)(Mg1-a-bZnaMnb)Al2a2.5+3a(但し、0<x≦0.6、0<a+b<1、4.5≦z≦15)で表される蛍光体が、特開平5−86366号公報(特許文献2)に記載されている。この蛍光体はTbの発光光にMnからのピーク波長515nm発光光が加えられたスペクトルを有している。そのため色度は上記蛍光体より改善されている。しかし、真空紫外光による励起での発光量は、Zn2SiO4:Mnに比べて20%程度劣るという課題がある。
以上より、実用上十分な色純度を確保しつつ、輝度、発光効率及び寿命が改善された緑色蛍光体の提供が望まれていた。
特開2001−139942号公報 特開平5−86366号公報 JJAP,13(1974)pp.950−956 Philips Technical Review,37(1977)pp.221−233 J.Luminescence,9(1974)pp.415−419
本発明の発明者等は、鋭意検討の結果、特定の組成式の緑色蛍光体が、上記要求を満たすことを意外にも見い出し本発明に至った。
かくして、本発明によれば、(La1-a-bTbabx(Mg1-s-tMnsZntyAlzy+1.5(x+z)(式中、Aは、Y又はCe、0≦a≦0.6、0<b≦0.1、0<s+t<1、0.8≦x≦1.2、0<y≦1、8≦z≦30)で表される緑色蛍光体が提供される。
本発明によれば、実用上十分な色純度を確保しつつ、輝度、発光効率、寿命等の特性が優れた緑色蛍光体を提供できる。
以下、本発明を説明する。
本発明の緑色蛍光体は、以下の組成式で表される。
(La1-a-bTbabx(Mg1-s-tMnsZntyAlzy+1.5(x+z)(式中、Aは、Y又はCe、0≦a≦0.5、0<b≦0.1、0<s+t<1、0.8≦x≦1.2、0<y≦1、8≦z≦30)
上記緑色蛍光体では、特にY又はCeを0<b≦0.1の範囲で含んでいる。この範囲でY又はCeを含むことで、含まない緑色発光体より輝度及び発光強度を向上できる。ここで、Yは0<b≦0.03の範囲で、Ceは0<b≦0.01の範囲で緑色蛍光体に含まれていることより好ましい。なお、0<b≦0.1の範囲内であれば、Y又はCeを両方含んでいてもよい。
本発明の緑色蛍光体は、La、Mg、Alと、Y又はCeのいずれかを必ず含んでいる。更に、Tb、Mn、Znを任意に含んでいる。この緑色蛍光体において、La、Mg及びAlは母材であり、他の元素は発光中心元素である。緑色蛍光体は、Tb及びMnを含んでいることが好ましい。上記組成式の緑色蛍光体の内、母材がマグネトプランバイト型の結晶構造(図1参照)を有するものを使用することが好ましい。
上記元素の内、Laは、真空紫外線のような紫外光より大きなエネルギーをピーク波長350nmのエネルギー(約3.5eV)に変換する作用があることを本発明の発明者等は見い出している。この作用はLaのCTS(Charge Transfer State)遷移により奏されるものであると考えられる。3.5eVのエネルギーはTbのfd遷移エネルギーに相当するため、LaはTbによる発光の増感作用を有すると考えられる。また、このCTS遷移(エネルギー伝達機構)は、約7eV以上のエネルギーならば発現される。そのため、励起源は特に真空紫外線に限定されずに、約7eV以上の電子線、X線等を励起源としてよい。
本発明の緑色蛍光体に任意に含まれるMnの発光の強度は、d軌道の結晶場分裂により決定される。特に、Mnをマグネトプランバイト型の結晶構造を有する母材に使用することでより色純度の高い緑色発光が得られることを見い出している。なお、広義の欠陥により電子及び/又はホールがトラップされたり非発光減衰したりする場合や、発光中心元素が励起された場合、発光せずに隣接する発光中心元素にエネルギーを輸送するエネルギー移動や共鳴放射による輝度飽和が蛍光体の発光効率において問題となる。MnとTbは互いの発光光の干渉部分が少ないため、MnとTb間のエネルギー移動が少ない。その結果、MnとTbを独立で使用した場合より、輝度飽和特性を改善できるので、併用することが好ましい。
また、Tbを使用せず、Mnのみを使用した場合、燐光が生じる場合がある。この観点からも、併用することが好ましい。燐光の抑制は、PDPのような表示装置に大きな利点をもたらす。
TbとMnを併用する場合、上記組成式において、aが0〜0.6の範囲であり、sが0〜0.15の範囲であることが好ましい。
更に、発光中心元素としてZnを使用することで、発光量を最大10%以上改善できることも見い出している。その理由は、以下によると考えられる。すなわち、Znの励起子が、Wannier励起子であり、その軌道はZn周辺に局在せず蛍光体中に広く存在すると考えられる。この励起子が、蛍光体中の欠陥や不純物等に基づく非発光によるエネルギー減衰を抑制するため、発光量が増加すると考えられる。
なお、本発明の緑色蛍光体を構成する母材にCaAl1219、SrAl1219等の他の母材を適当な割合で混晶させてもよい。混晶させることでLaの母材中の割合を減らすことができ、それに伴って発光中心元素であるTbの使用量も減らすことができる。Tbは高価な元素であるので、使用量を減らすことにより緑色蛍光体のコストを下げることができる。また、発光中心元素であるMnの使用量が相対的に増加するので、色純度の優れた緑色蛍光体を得ることができる。
本発明の緑色蛍光体は、公知の方法で形成できる。例えば、緑色蛍光体を構成する元素を含有する化合物を所望のモル比になるように秤量する。これら化合物を焼成する。次いで、得られた蛍光体の焼結体を粉砕及び分級することにより、所定粒子径の蛍光体を得ることができる。
具体的には、焼成温度は、1400〜1700℃で1〜10時間、大気圧下、還元雰囲気下又は窒素雰囲気下で焼成することが好ましい。なお、焼成温度を下げるために、AlF2、MgF2、LiF、NaF等のハロゲン化物からなる反応促進剤を、本発明の効果を妨げない範囲内で使用してもよい。
なお、蛍光体がZnを含む場合、その原料を還元性雰囲気下で900℃以上で焼成すると、Znが蒸発する場合があるので、窒素雰囲気下で行うことが好ましい。また、焼成温度はZnの蒸発を防ぐために1400℃以下が好ましい。
本発明の蛍光体は、蛍光ランプのような照明装置、PDP、CRT、蛍光表示管、X線撮像管等の表示装置に用いることができる。以下では、図2のPDPに本発明の蛍光体を適用した例について述べる。
図2のPDPは、3電極AC型面放電PDPである。なお、本発明は、このPDPに限らず、蛍光体を含むPDPであればどのような構成にも適用できる。例えば、AC型に限らずDC型でもよく、反射型及び透過型のいずれのPDPにも使用できる。
図2のPDP100は、前面基板と背面基板とから構成される。
まず、前面基板は、一般的に、基板11上に形成された複数本の表示電極、表示電極を覆うように形成された誘電体層17、誘電体層17上に形成され放電空間に露出する保護層18とからなる。
基板11は、特に限定されず、ガラス基板、石英ガラス基板、シリコン基板等が挙げられる。
表示電極は、ITOのような透明電極41からなる。また、表示電極の抵抗を下げるために、透明電極41上にバス電極(例えば、Cr/Cu/Crの3層構造)42を形成してもよい。
誘電体層17は、PDPに通常使用されている材料から形成される。具体的には、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを基板上に塗布し、焼成することにより形成できる。
保護層18は、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層17を保護するために設けられる。保護層18は、例えば、MgO、CaO、SrO、BaO等からなる。
次に、背面基板は、一般的に、基板21上に前記表示電極と交差する方向に形成された複数本のアドレス電極A、アドレス電極Aを覆う誘電体層27、隣接するアドレス電極A間で誘電体層27上に形成された複数のストライプ状の隔壁29、隔壁29間に壁面を含めて形成された蛍光体層28とからなる。なお、隔壁29は、マトリックス状、デルタ状等の他の構造を有していてもよい。また、誘電体層27を設けず、基板上に直接隔壁29を形成してもよい。
基板21及び誘電体層27には、前記前面基板を構成する基板11及び誘電体層17と同種類のものを使用できる。
アドレス電極Aは、例えば、Al、Cr、Cu等の金属層や、Cr/Cu/Crの3層構造からなる。
隔壁29は、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを誘電体層27上に塗布し、乾燥した後、サンドブラスト法で切削することにより形成できる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した後、焼成することにより形成することも可能である。
図2では、隔壁29間に蛍光体層28が形成されているが、本発明の蛍光体はこの蛍光体層28の原料として使用できる。蛍光体層28の形成方法は、特に限定されず、公知の方法が挙げられる。例えば、溶媒中にバインダが溶解された溶液に蛍光体を分散させたペーストを、隔壁29間に塗布し、空気雰囲気下で焼成することにより蛍光体層28を形成できる。
次に、上記前面基板と背面基板を、表示電極(41、42)とアドレス電極Aが直交するように、両電極を内側にして対向させ、隔壁29により囲まれた空間に放電ガスを充填することによりPDP100を形成できる。
なお、上記PDPでは放電空間を規定する隔壁、誘電体層及び保護膜の内、背面基板側の隔壁と誘電体層上に蛍光体層を形成しているが、同様の方法により前面基板側の保護膜上にも蛍光体層を形成してもよい。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1
蛍光体製造用の原料(La23、Tb47、Ce23、MgO、MnO及びAl23)にエタノールを適量加えて3時間混合した。
混合物を2体積%の水素を含む窒素雰囲気下、1450℃で6時間焼成し、得られた焼結体を粉砕することで(La0.65-bTb0.35Ceb)(Mg0.97Mn0.03)Al1119で表され、bが、0、0.001、0.01及び0.1である4種の蛍光体を作製した。
得られた4種の蛍光体は、マグネトプランバイト型の結晶構造を有していることをX線回折で確認した。これらの蛍光体に、147nm、172nm及び254nmの波長の光を照射したところ、緑色の発光が得られた。図3には、147nm、172nm及び254nmの波長の光を照射した場合の発光強度のCeを含まない蛍光体の発光強度に対する比を示す。図3中、●は147nmを、□は172nmを、▲は254nmの波長の光を照射した場合を意味する。図3から、Ceを微量に含む緑色蛍光体は、含まないものより、147nm及び172nmの真空紫外線の照射による発光強度が向上していることがわかる。また、254nm励起での輝度が向上しているので、製造上紫外線照射での発光観察による印刷状態のチェックにも有用である。
実施例2
以下の条件で、原料(La23、Tb47、Y23、MgO、MnO及びAl23)にエタノールを適量加えて3時間混合した。
混合物を2体積%の水素を含む窒素雰囲気下、1450℃で6時間焼成し、得られた焼結体を粉砕することで(La0.6-bTb0.4b)(Mg0.97Mn0.03)Al1119で表され、bが、0及び0.01である2個の蛍光体を作製した。
得られた2個の蛍光体は、マグネトプランバイト型の結晶構造を有していることをX線回折で確認した。これらの蛍光体に、147nm及び172nmの波長の光を照射したところ、緑色の発光が得られた。表2に得られた蛍光体に147nm及び172nmの波長の光を照射した場合の輝度を示す。b=0.01の蛍光体の輝度は、b=0の蛍光体の輝度を1とした場合の相対値を意味する。
Figure 2005089692
上記表2から、Yを含ませれば輝度を改善できることがわかる。
本発明の蛍光体は、蛍光ランプのようなガス放電装置、プラズマディスプレイパネル(PDP)のような表示装置に好適に使用することができる。
本発明の緑色蛍光体の結晶構造の概略図である。 本発明のPDPの概略斜視図である。 実施例1の緑色蛍光体のCe3+の添加量と発光強度との関係を示すグラフである。
符号の説明
11、21 基板
17、27 誘電体層
18 保護層
28 蛍光体層
29 隔壁
41 透明電極
42 バス電極
100 PDP
A アドレス電極

Claims (5)

  1. (La1-a-bTbabx(Mg1-s-tMnsZntyAlzy+1.5(x+z)(式中、Aは、Y又はCe、0≦a≦0.6、0<b≦0.1、0<s+t<1、0.8≦x≦1.2、0<y≦1、8≦z≦30)で表される緑色蛍光体。
  2. 前記緑色蛍光体が、真空紫外光を励起源とする請求項1に記載の緑色蛍光体。
  3. 前記aが0〜0.6の範囲であり、sが0〜0.15の範囲である請求項1又は2に記載の緑色蛍光体。
  4. 請求項1〜3のいずれかの緑色蛍光体を用いたガス放電装置。
  5. 請求項1〜3のいずれかの緑色蛍光体を用いた表示装置。
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