JP2006274152A

JP2006274152A - 表示装置、蛍光体及びその製造方法

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Publication number: JP2006274152A
Application number: JP2005098108A
Authority: JP
Inventors: Shinya Fukuda; 晋也福田; Toshiaki Onimaru; 俊昭鬼丸; Tomoya Misawa; 智也三澤; Hironori Sakata; 浩憲坂田; Shigeo Kasahara; 滋雄笠原
Original assignee: Hitachi Plasma Patent Licensing Co Ltd
Current assignee: Hitachi Plasma Patent Licensing Co Ltd
Priority date: 2005-03-30
Filing date: 2005-03-30
Publication date: 2006-10-12

Abstract

【課題】輝度及び色味を向上させた蛍光体及びこれを含む表示装置の提供。
【解決手段】マグネトプランバイト型結晶構造を有する、例えばＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉：Ｔｂで表される第１蛍光体としての核と、該核を覆い、かつ複数の発光中心がある場合にはそのうち少なくとも１種類の発光中心濃度が第１蛍光体より高濃度である、例えばＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉を母体とし、賦活元素としてＭｎを少なくとも含む第２蛍光体とからなる蛍光体、並びに該蛍光体が紫外線照射により蛍光を発する表示装置。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置、蛍光体及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉等のマグネトプランバイト型結晶構造の母体とする蛍光体、その製造方法及びそれを用いた表示装置に関する。

マグネトプランバイト型結晶構造を有する蛍光体は、β−アルミナ型結晶構造を有するものとともに代表的なアルミン酸塩の蛍光体として使用されている。そのうち、緑色蛍光体としては賦活元素としてＭｎ又はＴｂをＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉、ＣｅＭｇＡｌ₁₁Ｏ₁₉、ＳｒＡｌ₁₂Ｏ₁₉、ＣａＡｌ₁₂Ｏ₁₉等で表される母体に賦活させた蛍光体が知られている。

例えば、特開２００３−３４２５６６号公報（特許文献１）では、ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉：Ｔｂ，Ｍｎで表される蛍光体が報告されている。

また、発光中心濃度について表面から深さ方向に意図的に分布を持たせようという公知例は、これまで複数存在している。例えば、特開平９−３２３８６１号公報（特許文献２）、特開平７−１３３４８４号公報（特許文献３）のように表面の発光中心を高めた方が輝度向上によいという公知例、特開２００４−９１６２２号公報（特許文献４）のように表面の発光中心濃度を弱めた方が輝度維持率によいという公知例、特開２００４−１７５５９４号公報（特許文献５）のように表面から励起光侵入長の半分程度までの発光中心濃度が低いことが輝度向上に有効という様に様々な公知例がある。しかし、それらはお互い矛盾しているように見える内容を含み、当分野に従事している者に混乱を与えるような状況である。

特開２００３−３４２５６６号公報特開平９−３２３８６１号公報特開平７−１３３４８４号公報特開２００４−９１６２２号公報特開２００４−１７５５９４号公報

蛍光体は、通常Ｘｅの波長１４７ｎｍの原子線、波長１７２ｎｍの分子線、又はその両方のエネルギー線により励起され、可視光を発するが、上記ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉：Ｍｎ，Ｔｂで表される蛍光体は、波長１４７ｎｍでは、輝度及び残光特性が十分でなく、一方、波長１７２ｎｍでは、色度座標のｙ値が低く、色味が黄緑色であり、緑色蛍光体として使用するには色味が悪いという課題があった。

かくして本発明によれば、少なくとも蛍光体層を有する表示装置であって、蛍光体層が、ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉等で表されるマグネトプランバイト結晶構造の第１蛍光体としての核と、該核を覆う発光中心濃度が第１蛍光体より高いマグネトプランバイト結晶構造の第２蛍光体とからなる蛍光体を含むことを特徴とする表示装置が提供される。

更に、本発明によれば、ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉等で表されるマグネトプランバイト結晶構造の第１蛍光体としての核と、該核を覆う発光中心濃度が第１蛍光体より高いマグネトプランバイト結晶構造の第２蛍光体とからなる蛍光体を含むことを特徴とする蛍光体が提供される。

また、本発明によれば、ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉等で表されるマグネトプランバイト結晶構造の第１蛍光体としての核に、発光中心濃度が第１蛍光体より高いマグネトプランバイト型結晶構造の第２蛍光体の原料粒子を付着させ、焼成することで、第１蛍光体としての核を第２蛍光体で覆うことを特徴とする蛍光体の製造方法が提供される。

本発明の蛍光体を表示装置の蛍光体層として使用すれば、マグネトプランバイト結晶構造蛍光体の輝度、残光特性等を改善できる。特に、ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉：Ｔｂ，Ｍｎで表される従来の蛍光体より、輝度、残光特性及び色味が向上した表示装置を得ることができる。

一般に真空紫外光は、多くの無機物のバンド間遷移、電荷移動遷移のエネルギーに相当するため、表面からせいぜい１０００Å程度の深さで吸収される。従って、この励起光吸収領域に発光中心を配置するのが、高効率な発光には最適と考えられる。なぜなら、この領域がデッドレイヤーになるからといって、内部に発光中心を配置した場合、デッドレイヤーでエネルギーの損失を招くので、発光効率の点から望ましくない。また、内部の発光中心は、発光中心間で共鳴輻射を起こして光の閉じ込め効果を招くので、発光効率の点から望ましくない。従って、表面に発光中心が局在化しているのが、効率の点で最も効率的である。

しかし、蛍光体結晶には欠陥が存在し、キャリアがトラップされて燐光成分を伴うのが一般的である。表面のみに発光中心があると、表面で励起光が吸収されて内部に拡散過程で伝搬されるエネルギー（キャリア）は、発光中心がないため欠陥に蓄積される量が多くなり、その結果、燐光成分が多くなるという問題を引き起こしやすくなる。燐光成分が大きいことは、ディスプレイの高速応答を阻害するので、望ましくない。

従って、ディスプレイ用の蛍光体としては、燐光成分抑制のため、内部にもある程度発光中心がある方が望ましい。Ｔｂは濃度消光しにくい発光中心として有名である。従って、Ｍｎ、Ｔｂ同時付活が容易なマグネトプランバイト型結晶の蛍光体において、Ｔｂの濃度制御は基本的にせずに、Ｍｎのみの濃度制御を行うことは、発光効率、燐光成分抑制の点で有効である。このとき、表面に局在化したＭｎにより、残光特性及び色味も向上できることを見い出している。加えて、このような改善は、全体にＭｎを含む蛍光体では、実現できないことを実験により見い出している。

まず、核となる第１蛍光体は、例えばＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉：Ｍｎ，Ｔｂで表される（Ｍｎ、Ｔｂは賦活元素）Ｍｎ及びＴｂが賦活されたマグネトプランバイト型結晶蛍光体である。好ましい第１蛍光体は、（Ｌａ_1-xＴｂ_x）(Ｍｇ_1-yＭｎ_y)Ａｌ₁₁Ｏ₁₉（ｘは０〜０．６、ｙは０〜０．２）である。ここで、ｘが０．２より小さい場合、発光効率の低下と高い燐光発光を招くので好ましくなく、０．５より大きい場合、発光効率の低下を招くので好ましくない。より好ましいｘの範囲は、０．２〜０．５である。ｙは、Ｍｎを表面に局在化させることを考えると、低い方が望ましく、０．０５以下が望ましい。

核の大きさは、特に限定されないが、平均粒子径として、０．０１〜５０μｍの範囲であることが好ましく、０．１〜１０μｍであることがより好ましい。

次に、第２蛍光体は、例えばＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉：Ｍｎ，Ｔｂで表される（Ｍｎ、Ｔｂは賦活元素）Ｍｎ及びＴｂが賦活されたマグネトプランバイト型結晶蛍光体で、賦活元素としてＭｎを少なくとも含む。好ましい第２蛍光体は、（Ｌａ_1-aＴｂ_a）（Ｍｇ_1-bＭｎ_b）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉である。aは０〜０．６、ｂは０〜１である。aが０．６より大きい場合、発光効率の点で望ましくなく、より好ましいaの範囲は、０〜０．５である。ｂは０．１以下では色度改善効果が少なく、より好ましくは０．１〜１である。

第２蛍光体は、核である第１蛍光体の表面を覆っている。第２蛍光体が覆う範囲は、第１蛍光体全面でもよいが、一部でもよい。本発明の効果をより発揮させるには、第１蛍光体表面の約５０％以上が第２蛍光体で覆われていることが好ましく、被覆率は高いほど好ましい。

また、第１蛍光体を覆う第２蛍光体の厚さは、本発明の効果を奏しさえすれば特に限定されないが、０μｍより大きく１μｍ以下であることが好ましく、０．０１〜０．３μｍであることがより好ましい。第２蛍光体の厚さは、ＸＰＳ、オージェ分光等による元素の深さ分析により測定可能である。

また、第１蛍光体、第２蛍光体ともに蛍光体母体はマグネトプランバイト型結晶であれば、特にＬａＭｇＡｌ₁₁Ｏ₁₉に限定される必要はなく、ＣｅＭｇＡｌ₁₁Ｏ₁₉、ＳｒＡｌ₁₂Ｏ₁₉、ＣａＡｌ₁₂Ｏ₁₉、ＬａαＡｌβＯγ（α：β：γ＝０．５〜１．２：１１〜１２：１８〜１９．５）等やそれらの混晶で構わない。また、発光中心としては、Ｍｎ、Ｔｂ以外にもＥｕ等を用いてもよい。また、輝度、残光特性等の特性改善のため、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ等を添加してもよい。また、合成温度低下のため、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等の化合物を融剤として添加してもよい。

本発明の表示装置では、蛍光体層に上記蛍光体を含むことを特徴としている。その場合、単独でなく、他の蛍光体を必要に応じて任意に混合してよい。
他の蛍光体としては、赤色蛍光体としては、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ₄：Ｅｕ等、緑色蛍光体としては、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｔｂ、ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺，Ｍ、Ｙ₃（Ａｌ，Ｇａ）₅Ｏ₁₂：Ｃｅ，Ｔｂ等、青色蛍光体としてはＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ、ＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆：Ｅｕ²⁺等が挙げられる。

本発明の蛍光体は、公知の方法で形成できる。例えば、母材を構成する元素及び賦活元素を含有する化合物を所望のモル比になるように秤量する。これら化合物を混合し、焼成する。次いで、得られた蛍光体の焼結体を粉砕及び分級することにより、上記蛍光体を得ることができる。

焼成の条件は、元素の種類により適宜調整されるが、一般には、適当な雰囲気下で、１３００〜１６００℃で、１〜１０時間、大気圧下が好ましい。なお、焼成温度を下げるために、ＡｌＦ₃、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＮａＦ等のハロゲン化物あるいはＢ₂Ｏ₃、Ｐ₂Ｏ₅等の低融点酸化物からなる反応促進剤を、本発明の効果を妨げない範囲内で使用してもよい。

更に、第２蛍光体で第１蛍光体を覆う方法としては、例えば、
（１）第２蛍光体を形成するための化合物を所定の媒体に溶解又は分散させた溶液を、第１蛍光体にスプレー、浸漬等の手段で第１蛍光体に付着させることで前駆体膜とし、前駆体膜を焼成することで第２蛍光体に変換する方法、
（２）第２蛍光体を形成するための原料となる化合物を第１蛍光体に混合後、上記条件で焼成することで第２蛍光体に変換する方法、

（３）第１蛍光体より小さい粒子径の第２蛍光体を用意し、この第２蛍光体を第１蛍光体に付着させた後、上記条件で焼成する方法
等が挙げられる。上記方法（１）、（２）、（３）は、所望の厚さとなるまで繰り返し行ってもよい。また、（１）は適切な条件で行えば、（２）、（３）の方法よりも低温で第２蛍光体になる点が優れているが、スプレー装置等の余分な装置が必要になる。方法（３）において、第２蛍光体の粒子径は、第１蛍光体の粒子径以下であることが好ましい。
上記方法の内、方法（２）が好ましい。

本発明の表示装置は、蛍光体層を有しさえすれば、公知の表示装置のいずれにも使用できる。例えば、ＰＤＰ、ＣＲＴ、蛍光表示管、Ｘ線撮像管等の表示装置に用いることができる。以下では、図１のＰＤＰに本発明の蛍光体を適用した例について述べる。

図１のＰＤＰは、３電極ＡＣ型面放電ＰＤＰである。なお、本発明は、このＰＤＰに限らず、蛍光体を含むＰＤＰであればどのような構成にも適用できる。例えば、ＡＣ型に限らずＤＣ型でもよく、反射型及び透過型のいずれのＰＤＰにも使用できる。

図１のＰＤＰ１００は、前面基板と背面基板とから構成される。
まず、前面基板は、一般的に、基板１１上に形成された複数本の表示電極、表示電極を覆うように形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に形成され放電空間に露出する保護層１８とからなる。

基板１１は、特に限定されず、ガラス基板、石英ガラス基板、シリコン基板等が挙げられる。
表示電極は、ＩＴＯのような透明電極４１からなる。また、表示電極の抵抗を下げるために、透明電極４１上にバス電極（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造）４２を形成してもよい。

誘電体層１７は、ＰＤＰに通常使用されている材料から形成される。具体的には、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを基板上に塗布し、焼成することにより形成できる。

保護層１８は、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するために設けられる。保護層１８は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。

次に、背面基板は、一般的に、基板２１上に前記表示電極と交差する方向に形成された複数本のアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａを覆う誘電体層２７、隣接するアドレス電極Ａ間で誘電体層２７上に形成された複数のストライプ状の隔壁２９、隔壁２９間に壁面を含めて形成された蛍光体層２８とからなる。

基板２１及び誘電体層２７には、前記前面基板を構成する基板１１及び誘電体層１７と同種類のものを使用できる。
アドレス電極Ａは、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属層や、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造からなる。

隔壁２９は、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを誘電体層２７上に塗布し、乾燥した後、サンドブラスト法で切削することにより形成できる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した後、焼成することにより形成することも可能である。

図２では、隔壁２９間に蛍光体層２８が形成されているが、本発明の蛍光体はこの蛍光体層２８の原料として使用できる。蛍光体層２８の形成方法は、特に限定されず、公知の方法が挙げられる。例えば、溶媒中にバインダが溶解された溶液に蛍光体を分散させたペーストを、隔壁２９間に塗布し、空気雰囲気下で焼成することにより蛍光体層２８を形成できる。

次に、上記前面基板と背面基板を、表示電極（４１、４２）とアドレス電極Ａが直交するように、両電極を内側にして対向させ、隔壁２９により囲まれた空間３０に放電ガスを充填することによりＰＤＰ１００を形成できる。

なお、上記ＰＤＰでは放電空間を規定する隔壁、誘電体層及び保護膜の内、背面基板側の隔壁と誘電体層上に蛍光体層を形成しているが、同様の方法により前面基板側の保護膜上にも蛍光体層を形成してもよい。

以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１
下記表１に示す原料混合物を、窒素雰囲気で１４００℃で４時間保持し、得られた焼成物を軽く粉砕した後、再度窒素雰囲気で１４００℃で４時間保持することで、第１蛍光体を作製した。なお、第１蛍光体は（Ｌａ_0.6Ｔｂ_0.4）ＭｇＡｌ₁₁Ｏ₁₉で、平均粒径２μｍである。それを、破砕・分級後、第２蛍光体の原料と共に混合後、第１蛍光体の焼成条件とほぼ同じ条件で焼成して、本発明の蛍光体を得た。第１の蛍光体と第２の蛍光体原料を混合する際、反応促進のため、余分にＭｇＦ₂を添加してもよい。

第２蛍光体の原料は、最終的に得られる蛍光体全体に含まれるＭｎの平均濃度が、２、５、７、１０、１２．５及び１６原子％となるように調製した。また、これら平均濃度は、付着した第２蛍光体の厚さに換算すると、それぞれ、約２、４、６、９、１２及び１６層の結晶層の厚さに対応している。

なお、図２にＭｎの平均濃度が１０原子％の場合の蛍光体の深さ方向のＸＰＳを示す。図から、蛍光体表面より深さ約３００Åの範囲において、Ｍｎ量が徐々に減少していることがわかる。

得られた蛍光体を波長１４７ｎｍ又は１７２ｎｍで励起した場合の輝度及び色度座標のｙ値を測定した。また、第１蛍光体のみの場合のこれら値も測定した（この場合、Ｍｎの平均濃度は０原子％）。

図３に、波長１４７ｎｍの場合のＭｎの平均濃度に対する輝度及び色度座標のｙ値を記載した。輝度は、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎに対する比で示した。また、図４に、波長１７２ｎｍの場合の輝度及び色度座標のｙ値を記載した。

比較例１
下記表２に示す原料混合物を、窒素雰囲気で１４００℃で４時間保持し、得られた焼成物を軽く粉砕した後、再度窒素雰囲気で１４００℃で４時間保持することで、比較蛍光体を作製した。なお、比較蛍光体は（Ｌａ_0.6Ｔｂ_0.4）（Ｍｇ_1-0.8Ｍｎ_0-0.2）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉である。また、Ｍｎ濃度は、０、０．５、１、２、３、４、５、７．５、１０、２０原子％に変化させた。

得られた比較蛍光体の輝度と色度座標のｙ値を実施例１と同様にして測定した。
図５に、波長１４７ｎｍの場合のＭｎの平均濃度に対する輝度及び色度座標のｙ値を記載した。輝度は、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎに対する比で示した。また、図６に、波長１７２ｎｍの場合の輝度及び色度座標のｙ値を記載した。

（考察）
図３及び４から、第２蛍光体で覆うことで、Ｍｎ平均濃度０原子％の覆わない場合より、ｙ値を改善できることがわかった。また、図３と５、図４と６のｙ値を比べると、特に、Ｍｎ濃度が５原子％以下の領域で、ｙ値を改善できることがわかった。

更に、図３及び４から、特に２〜７原子％の範囲において、輝度を改善できることがわかった。また、図３と５、図４と６の輝度を比較すると、特に２〜７原子％の範囲において、輝度を改善できることがわかった。また、特にデータは載せないが、本発明は残光特性にも改善傾向が認められている。

本発明の蛍光体は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のような表示装置に好適に使用できる。

ＰＤＰの概略斜視図である。実施例１の蛍光体のＸＰＳである。実施例１のＭｎ平均濃度と、ｙ値及び輝度との関係を示すグラフである。実施例１のＭｎ平均濃度と、ｙ値及び輝度との関係を示すグラフである。比較例１のＭｎ濃度と、ｙ値及び輝度との関係を示すグラフである。比較例１のＭｎ濃度と、ｙ値及び輝度との関係を示すグラフである。

符号の説明

１１、２１基板
１７、２７誘電体層
１８保護層
２８蛍光体層
２９隔壁
３０空間
４１透明電極
４２バス電極
１００ＰＤＰ
Ａアドレス電極

Claims

少なくとも蛍光体層を有する表示装置であって、蛍光体層が、マグネトプランバイト型結晶構造を有する第１蛍光体としての核と、該核を覆い、かつ、複数の発光中心がある場合にそのうち少なくとも１種類の発光中心濃度が第１蛍光体より高濃度である第２蛍光体とからなる蛍光体を含むことを特徴とする表示装置。
第１蛍光体より第２蛍光体の方が高濃度な発光中心がＭｎであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
第１蛍光体にＴｂが含まれることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
前記第１蛍光体が、式（Ｌａ_1-xＴｂ_x）（Ｍｇ_1-yＭｎ_y）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉（ｘは０〜０．６、ｙは０〜０．２）で表され、第２蛍光体が、式（Ｌａ_1-aＴｂ_a）（Ｍｇ_1-bＭｎ_b）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉（ａは０〜０．６、ｂは０〜１）で表される請求項２に記載の表示装置。
前記蛍光体が、真空紫外線の照射により蛍光を発する請求項１に記載の表示装置。
マグネトプランバイト型結晶構造を有する第１蛍光体としての核と、該核を覆い、かつ、複数の発光中心がある場合にそのうち少なくとも１種類の発光中心濃度が第１蛍光体より高濃度である第２蛍光体とからなることを特徴とする蛍光体。
第１蛍光体より第２蛍光体の方が高濃度な発光中心がＭｎであることを特徴とする請求項６に記載の蛍光体。
前記第１蛍光体が、式（Ｌａ_1-xＴｂ_x）（Ｍｇ_1-yＭｎ_y）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉（ｘは０〜０．６、ｙは０〜０．２）で表され、第２蛍光体が、式（Ｌａ_1-aＴｂ_a）（Ｍｇ_1-bＭｎ_b）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉（ａは０〜０．６、ｂは０〜１）で表される請求項７記載の蛍光体。
式（Ｌａ_1-xＴｂ_x）（Ｍｇ_1-yＭｎ_y）Ａｌ₁₁Ｏ₁₉（ｘは０〜０．６、yは０〜０．２）で表され第１蛍光体と、ＬａＭｇＡ１₁₁Ｏ₁₉：Ｍｎ，Ｔｂで表され、かつ、第１蛍光体よりＭｎを高濃度に含む第２蛍光体原料を混合後、焼成することで、第１蛍光体としての核を第２蛍光体で覆うことを特徴とする蛍光体の製造方法。