JP2002216985A - インコヒーレント放出放射源の作動方法 - Google Patents
インコヒーレント放出放射源の作動方法Info
- Publication number
- JP2002216985A JP2002216985A JP2001347842A JP2001347842A JP2002216985A JP 2002216985 A JP2002216985 A JP 2002216985A JP 2001347842 A JP2001347842 A JP 2001347842A JP 2001347842 A JP2001347842 A JP 2001347842A JP 2002216985 A JP2002216985 A JP 2002216985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- voltage
- electrodes
- electrode
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
- H01J61/46—Devices characterised by the binder or other non-luminescent constituent of the luminescent material, e.g. for obtaining desired pouring or drying properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7777—Phosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7797—Borates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
- H01J61/42—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
- H01J61/44—Devices characterised by the luminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/70—Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr
- H01J61/76—Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr having a filling of permanent gas or gases only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/046—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
- H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
- H05B41/2806—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without electrodes in the vessel, e.g. surface discharge lamps, electrodeless discharge lamps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(=10mbar)以上であり、電極3、4間に一連の
両極性の電圧パルスが供給され、個々の電圧パルスnは
電圧Upn(t)とパルス時間Tpnとで表され、電圧パ
ルスnは500ns〜1msの大きさの値と電圧Uon
(t)とを持つ休止時間Tonによってその後続の電圧
パルスn+1から分離され、パルス時間Tpnの期間中
電圧Upn(t)は封入ガス5内へ有効電力が入力さ
れ、休止時間Tonの期間中電圧Uon(t)は封入ガス
5がその前の電圧パルス前の状態に似た状態へ復帰する
ように選定され、Upn(t)、Tpn、Uon(t)、
Tonの大きさは電極3、4間にガス室に対して鮮明に
区画された細く明るく発光する放電線条に比較して低い
電流密度の放電パターンが生成するように設定される。
Description
載されたインコヒーレント放出放射源の作動方法に関す
る。放射発生メカニズムとして放電容器の内部に発生し
た放電が使用され、その場合少なくとも1つの電極と放
電との間に誘電体層が配置され、それゆえこの型の放電
は無声放電又は誘電体妨害放電又は誘電体バリア放電と
称されている。インコヒーレント放出放射源とは紫外線
及び赤外線放射器ならびに特に可視光線を放射する放電
ランプである。本発明は低圧封入ガスならびに高圧封入
ガスおよび低圧と高圧の間の範囲に位置する全てのガス
圧に適する。
連邦共和国特許出願公開第4022279号公報及び第
4203594号公報ならびに米国特許第511716
0号明細書に記載されているように交流電圧によって行
われる。励起周波数は交流電流の周波数と数MHzとの
間の範囲(ドイツ連邦共和国特許出願公開第40222
79号公報参照)又は20〜100kHzの範囲(米国
特許第5117160号明細書参照)に選定される。
密度の際の所望の放射発生量が比較的少ない点である。
標準的な紫外線効率は1kW/m2の面積出力密度の場
合の10%と10W/m2の20%との間の大きさであ
る(1992年10月7日のカールスルーエ大学の光技
術研究所での研究サークルUV、IRの第3会期、及び
1992年にブタペストで開催された光源の科学及びテ
クノロジーに関する第6回国際シンポジウムで発表され
たカールスルーエ大学のエム・ナイガー、LTIの「誘
電体バリア放電:特殊光源」参照)。
放射発生の効率を著しく改善することにある。
ば請求項1の特徴事項によってことによって解決され
る。本発明の有利な実施態様は請求項2以下に記載され
ている。
返してパルス作動され、それにより連続的な電気エネル
ギーの入力自体が個別放電の高い出力密度にも拘わらず
期間Ton(以下においいては“休止時間”と称する)
によって規定されて中断されることにある。個々の期間
の長さは、別の電気エネルギーの入力が所望の放射へ僅
かな効率で変換されると直ちにエネルギーの入力又は詳
細に言えば有効電力の入力がほぼ終了するようにすると
いう要求、もしくは所望の放射の効率的な放出を新たに
励起することができる(それにより時間平均で放射効率
が最適化される)ようにするために、封入ガスが再び緩
和されると直ちに“休止時間”が終了するようにすると
いう要求から与えられる。このようにして電気エネルギ
ーを紫外線に変換するために例えば65%以上の効率が
得られ、このことは従来方式で作動される誘電体妨害放
電に比べて何倍もの増大になる。
性のみが変わる一連の電圧パルスが使用され、その場合
電圧パルスの全個数nは原理上制限されない。しかしな
がら特別な事例では規則的に変化する一連の電圧パルス
も使用可能である。またパルス列は完全に不規則であっ
てもよい。(例えば装飾照明の場合には人間の目で認識
可能な光効果が生ずるように複数のパルスが1つの束に
纏められる。)
圧パルスUpn(t)が印加され、その場合有効電力が
入力される。その時間的経過は原理上固定されず、例え
ば次のような色々の形状から選択することができる。
ない。これにはとりわけ台形状、三角形状、湾曲状の電
圧パルス、特に放物線状電圧パルス及び正弦波状半波が
属し、その場合正及び負の値がある(例示的に負の値み
のが示されている図6a参照)。
え、その場合形状は正符号ならびに負符号で始まること
ができる。このための例は、図6bに示されているよう
に、1つの正弦波の正の半波と負の半波とが直ぐに続く
2つの半波、正の三角波と負の三角波とが直ぐに続く2
つの三角波、正の矩形波”又は台形波と負の矩形波”又
は台形波とが直ぐに続く2つの“矩形波”又は台形波で
あり、その場合エッジは異なった立上がり時間もしくは
立下がり時間を持つことができる。
には2つ又は3つ)の波形要素の時間的な連なり。 この電圧Upn(t)は種々異なった値を取ることがで
き、特に短時間の間は値0を取ることもでき、それゆえ
個々の波形要素は、電圧が値0を持つ時間領域によって
も分離することができる(図6c参照)。特に個々の波
形要素は繰返すことができる。
選択が示されている。さらに多くの個数の別の波形を考
えることができる。特に電気信号は、図6a〜cには示
されていないが、実際上何時も有限の立上がり時間及び
立下がり時間、オーバーシュート及びアンダーシュート
を有している。
主として有効電力が入力されないように電圧Uo
n(t)が選定されることが要求される。再点弧電圧よ
り小さい適当な低電圧値が長時間の間、場合によって全
休止時間Tonの期間中続けられる。その際休止時間の
期間中短時間でも、すなわちパルス時間Tpnより著し
く短い時間でも、同様に電圧ピークが発生することは排
除されない。
Uonは好適には0V近辺の値である。Tpn及びTon
の値は標準的にはμs範囲にあり、通常TpnはTonよ
り明らかに短い。
励起パラメータTpn、Ton及び電圧振幅Upnを適当
に選定することによって達成され、その場合これらの大
きさは特に効率的な作動に適するように互いに調整され
る。さらにパルス波形が重要である。
タTpn、Ton及びUpn(t)のために選定されるべ
き値は、放電の形状、封入ガスの種類及びガス圧、なら
びに電極構成、及び誘電体層の種類及び厚みに依存す
る。本発明の作動規準による放電が起こると、所望の放
射発生量は最高になる。
内で起こる衝突の割合及びその結果としての放射発生の
割合も主として電子密度ne及び電子のエネルギー分布
によって決定される。本発明による作動方法によれば、
時間に依存するこれらの大きさは、Tpn、Ton及び電
圧振幅Upnもしくは放射発生用のパルス波形を適当に
選定することによって、最適に調整することが可能であ
る。
に補助パラメータすなわち“休止時間”Toを利用す
る。この補助パラメータを用いることによって初めて高
出力密度の場合でも目的に適うようにキャリヤ密度の時
間的及び空間的変化ならびにエネルギー分布関数をコン
トロールすることができる。交流電圧を使用する従来技
術の場合、この大きさの目的に適ったコントロールは周
波数に関して大きく制限されていた。本発明によって初
めて、技術的に注目される出力密度を持つ誘電体妨害放
電の効率を、従来の放射源との交換性が与えられるよう
に、増大させることが可能になる。
は、種々に形成された標準的には線条状又はねじ状放電
パターンの代わりに、多数の同種の、平面図においてす
なわち放電に垂直に、デルタ(Δ)状放電パターンが発
生し、この放電パターンは(瞬時的な)陽極方向へそれ
ぞれ広がることがわかる。この放電パターンは好適には
kHz範囲の繰返し周波数で発生するので、観察者は図
9aの写真図に示されているような人間の目の時間的分
解能に相当する“平均”放電パターンだけに気付くこと
になる。両側誘電体妨害放電の電圧パルスの極性が変わ
る場合、2つのデルタ状放電パターンの重なりが見え
る。1つ又は2つの誘電体によって妨害される例えば2
つの縦長の電極が平行に対向配置されると、個々の放電
パターンは縦長の電極に対して横切るように向けられて
互いに並んで現れる(図9a、b参照)。パラメータを
適当に選定すると、例えば適当な低圧力を選べば、個別
パターンの並列は拡散するように見える唯一つの放電に
なる。放電パターンは例えば透明なランプガラス球内で
直接観察することができる。
る電力密度の変化に対して個々の放電パターンの特別な
安定性にある。電圧パルスの振幅Upnが大きくなって
も、個々の放電パターンはその基本的な形状を変えな
い。閾値を上回ると放電パターンの1つから別の類似の
パターンが生じる。電圧パルスの振幅の増大によって入
力電力が増大すると、主として上述した個々の放電パタ
ーンの個数が増大する。その場合このパターンの品質、
特にその外観及びその効率的な放射特性は変わらないま
まである。
する3個以上の電極を使用することによって、予め定め
られた放電体積内へ入力可能な電力を有意義により一層
高めることを初めて可能にする。例えば、放電容器の内
部の中心に配置された1つの内部電極に複数の外部電極
を放電容器の外壁上に対称に配置して対向させることが
できる。若干の個数の外部電極を用いることによって、
放電容器の体積から最大に引出し可能な放射パワーを高
めることができる。というのは、放電パターンは中心の
内部電極から出発してそれぞれ外部電極へ向かって燃焼
し、それゆえ適当な電力入力の場合放電容器の体積を益
々占めるようになるからである。
場合、電力及び光束が放電容器の長さに比例して変化す
るという別の利点が得られる。この場合電界は放電容器
の長手軸線にほぼ垂直に位置するので、放電容器の長さ
はほぼ任意に長くすることができ、その場合例えば従来
の管状放電ランプの場合には通常行われていたように必
要な点弧電圧を相応して高めることは必要ない。それゆ
え、動作特性のためにこの種の放電の場合放電容器の体
積ならびに電極の個数もしくは放電パターンの燃焼が起
こる平面の個数が考慮されなければならない。50cm
の長さ、24mmの直径及び封入ガスとしてのキセノン
を有する管状ランプの場合、“放電面”当たり標準的に
15Wの有効電力を入力することができる。
n(t)が好適に選定されない場合、ガス室に対して鮮
明に区画された細く明るく発光する1つ又は複数の“放
電線条”が統計的に現れる。この放電線条は本発明によ
る放電パターンを犠牲にして図10bの写真図から分か
るように放電容器の内部の広範囲に亘って延びる。それ
ゆえ、この“放電線条”はその形状ならびにそのスペク
トル放射分布が本発明の作動規準による放電形状とは明
らかに異なって見え、望ましくない。というのは、その
放電線条は電流輸送を小さな横断面内へ集中させ、これ
によって高いキャリヤ密度がとりわけ高い消光率と共に
生じ、その結果所望の放射の発生効率が減少するからで
ある。
びTonに関して本発明の作動規準に好適な値を得るた
めの一般的な規定を導出することができる。放電点弧
後、Upn(t)、Tpn及びTonは、本発明の作動規
準における所望の電力が入力されるように、すなわち上
述した放電パターンが見えるように選定されるべきであ
る。すなわち驚くべきことにこの放電パターンが丁度存
在する時、電子密度と電子のエネルギー分布関数とは損
失を最小にする値を取ることが判明した。
ャリヤ密度の時間的及び空間的パターンならびに電子の
エネルギー分布関数をコントロールする。上述した大き
さに対するそれぞれのコントロールは大きく異なるの
で、パラメータの選択は効率的な放電モードを達成する
ための残りのパラメータの値範囲を粗く決定する。
m火花長及びパスカル封入圧当たり約0.01〜2Vの
範囲であり、パルス時間Tpnは約1ns〜50μsの
大きさであり、そして休止時間Tonは約500ns〜
1msの大きさである。本発明の作動規準のために作動
圧力は100Pa〜3MPaの範囲、特に約1kPa
(=10mbar)以上であるのが有利である。中圧範
囲(例えば10kPa)では、これは特にcm火花長当
たり100V〜20kVの範囲の電圧パルスの振幅Up
nを意味する。高圧範囲(例えば1MPa)では、これ
は特にcm火花長当たり10kV〜200kVの範囲の
電圧パルスの振幅Upnを意味する。
適にはアース電位に接続され、内部電極は高電圧に接続
される。これによって電圧印加部分の十分な接触保護が
可能になる。放電容器は電極を含めて外管の内部に配置
することができる。これによって外部電極がアース電位
に接続されていない場合にも接触保護が図れる。導電性
電極材料として電流の流れ得る全ての材料、及び電解質
を使用することができる。
1つの誘電体非妨害形電極のために、放電容器の内部す
なわちガス室ではさらに、この内部電極はパルス時間の
開始時に(放電容器の内部又は外部の)誘電体妨害形電
極に対して負極性を含むようにされる(電力入力に関し
て重要ではないが起こり得る正の針状前駆パルスは除
く)。その後極性はパルス時間の期間中変えることがで
きる。
れることなく又は有利な作用を失うことなく、両側誘電
体妨害放電(全電極が誘電体によって放電から分離さ
れ、その場合この誘電体は放電容器自体であってもよ
い。)にも適する。全ての電極が誘電体によって妨害さ
れる場合、極性の時間的な連なり及び極性自体は重要で
はない。
えば放電容器の外表面上に、又は電極の或る個数を放電
容器の外部におよび或る個数を放電容器の内部に、なら
びに全てを放電容器の内部すなわちガス室内に設けるこ
とができる。最後の事例においては、少なくとも1つの
電極は誘電体によって覆われ、残りの電極に対して逆極
性を取る必要がある。
する場合のために、電極が媒質に直接接触しないように
すると有利である。というのは、内部電極の腐食が有効
に防止され得るからである。このことは全ての電極が放
電容器の外部に配置されるか又は放電容器内に設けられ
た電極が誘電体層によって覆われることにより達成され
る。
る。電極によって遮られる放射の量は非常に少ない。誘
電体妨害形電極のために、全電極面積と誘電体に接触す
る電極面積との比は有利にはできる限り小さくされる。
特に優れた実施例においては誘電体妨害形電極は放電容
器の外壁上に設けられた狭い条帯として実施される。同
様に格子状外部電極、例えば金網、孔明き板又は類似の
ものも適する。放電容器の体積を最高に利用し得るため
に、内部電極は好適には放電の方向にできる限り小さい
広がりを有する。特に優れた実施例においては内部電極
は棒として実施される。
放電容器形状、特に、従来方式で作動させられる誘電体
妨害放電の場合例えばヨーロッパ特許出願公開第038
5205号公報、ヨーロッパ特許第0312732号明
細書、ヨーロッパ特許出願公開第0482230号、第
0363832号、第0458140号、第04490
18号及び第0489184号公報に開示されているよ
うな全ての放電容器形状を使用することができる。
極は対応する陽極と陰極との間の間隔ができる限り大き
くなるように配置される。例えば、小さい横断面を持つ
円筒状放電容器に対しては内部電極は好適には放電容器
の内部に偏心して配置され、外部電極は直径方向に対向
して外壁上に固定される。放電路の伸長は電極を区分す
ることによって補助的に助成することができる。このた
めに内部電極及び外部電極は放電を始めるかもしくは抑
制する2つの異なった領域を交互に有する。電極はその
場合それぞれ2つの異なった領域が対向するように配置
される。これによって半径方向の放電パターンが抑制さ
れる。放電はむしろ対向電極の最も近い隣りの領域に対
して斜めに起こる。このことは例えば電極が補助誘電体
層を備えた領域を交互に有することによって実現するこ
とができる。
電容器の内部の中心に配置され、その場合複数の外部電
極が外壁上に、その外周に亘って対称に分散されて固定
されると有利である。
める必要はない。用途に応じて、放電容器壁は所望の放
射に対して(少なくともアパーチュアーの内部で)必要
な透明性を有する材料から構成されなければならない。
誘電体障壁としては、例えばホウケイ酸塩ガラス(例え
ばDURAN(登録商標)(ショット社))、石英ガラ
ス、Al2O3、MgF2、LiF、BaTiO3等のよう
な、使用された高電圧による破壊に耐える電気絶縁性材
料(誘電体)が適する。誘電体の種類及び厚みによって
放電パターンをコントロールすることができる。特に、
適当に小さい比誘電率を持つ特に十分な厚みの誘電体
は、比較的小さい電子密度を有する本発明による放電パ
ターンの形成を助成するのに、すなわち高い電子密度及
び電流密度を有する不所望な放電パターンの形成を防止
するのに適する。簡単に言うと、このことは一方では、
変移電流密度によって惹き起こされる誘電体での局部的
電圧降下が誘電体の厚みに比例しその誘電率に反比例す
ることから生じる。他方では、誘電体での電圧降下は電
流密度の増大を妨げる。
に依存し、例えば可視光線、赤外線又は紫外線領域に位
置することができる。封入ガスとして原理上例えばドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第4022279号公報、ヨ
ーロッパ特許出願公開第0449018号、第0254
111号、第0324953号、及び第0312732
号公報に開示されている従来方式で作動させられる誘電
体体妨害放電に使用することのできる全ての封入物、な
らびにエキシマーレーザもしくはエキシプレックスレー
ザにおいて既に使用されている封入物(例えばアイ・エ
ス・ラコバ及びエス・アイ・ヤコブレンコ著「エキシプ
レックスレーザの活性媒質(レビュー)」Sov.J.
Quantum Electron.10(4)、19
80年4月発行、第389頁ならびにシーエッチ・ケー
・ローデス著「エキシマーレーザ」シュプリンガー社、
198年発行参照)が適する。これにはとりわけ希ガス
及びその混合物、希ガスとハロゲン又はハロゲン化合物
との混合物、金属蒸気及びその混合物、希ガスと金属蒸
気との混合物、希ガスと金属蒸気及びハロゲン又はハロ
ゲン化合物との混合物、さらに上述した封入物に添加す
ることのできる次の元素、すなわち水素、デューテリウ
ム、酸素、窒素、窒素酸化物、一酸化炭素、二酸化炭
素、硫黄、ヒ素、セレン及びリンのうちの1つ又はそれ
らの組合わせが属する。特に、エキシマー放電での本発
明による作動方法に基づく非常に効率的な紫外線発生
は、例えばヨーロッパ特許出願公開第0482230号
公報に記載されている紫外線高出力放射器の別の応用分
野を開く。これにはとりわけレジストの硬化、表面の変
化、飲料水等の無生化、及び環境内の公害物質の紫外線
による分解のような光化学プロセスが属する。特に最後
に挙げた使用範囲のために、放電を照射されるべき媒質
の直ぐ近くにもたらすこと、すなわち放射の短波成分の
管壁による減衰を防止するために、気密に閉鎖された放
電容器を無くすと有利である。特に紫外線もしくは真空
紫外線発生の際に別の重要な利点、すなわち本発明の作
動方法により得ることのできる高い紫外線発生量が示さ
れる。すなわち従来技術による比較可能な放射輝度の紫
外線もしくは真空紫外線とは異なり、水による冷却を無
くすことができる。他の有利な用途は、紫外線が適当な
蛍光体によって電磁スペクトルの可視領域へ変換される
ことによる照明である。
要としない点、ランプを調光可能である点、複数のラン
プの並列点灯を1つの電源のみで可能である点、そして
放射発生の高効率を光技術において同時に必要な出力密
度と共に得ることができる点である。
器は放電の際に発生する光を特に好適なスペクトル範囲
へ転移させるために蛍光体膜を備える。蛍光体被膜は低
圧ランプならびに高圧ランプにおいても使用することが
できる。この場合、公知の蛍光体もしくは混合物を使用
することができる。蛍光ランプにとって青、緑及び赤を
発光する蛍光体の組合わせは特に有効である。好適な青
色蛍光体は特に二価ユーロピウムを用いて活性化された
アルミン酸バリウムマグネシウム(BaMgAl
10O17:Eu2+)である。緑色成分として特にテルビウ
ム又はマンガンで活性化された蛍光体を使用することが
できる。例えばテルビウムで活性化されたケイ酸イット
リウム(Y2SiO5:Tb)又はリン酸ランタン(La
PO4:Tb)もしくは二価マンガンを用いて活性化さ
れたケイ酸亜鉛(Zn2SiO4:Mn)又はアルミン酸
マグネシウム(MgAl2O4:Mn)がある。有利な赤
色成分は、三価ユーロピウムを用いて活性化された蛍光
体、例えば酸化イットリウム(Y 2O3:Eu3+)、又は
イットリウム及び/又はガドリニウムのホウ酸塩があ
る。詳細にはYBO3:Eu3+、GdBO3:Eu3+及び
混合されたホウ酸塩(Gd、Y)BO3:Eu3+であ
る。
少なくするか又は完全に省略することができる(通常の
蛍光ランプにおいて知られている処置方法に相当す
る)。
ペクトル領域で放出する成分、例えば二価ユーロピウム
を用いて活性化された蛍光体が適する。この用途にはリ
ン酸ストロンチウムボロSr6BP5O20:Eu2+が好適
である。
与える。封入物は水銀を無くすこと、及びそれにも拘わ
らず従来の蛍光ランプの内部紫外線効率に相当する内部
紫外線効率を得ることに初めて成功した。従来の蛍光ラ
ンプに比較してそれによってさらに次の付加的な利点が
もたらされる。周囲温度の光束への影響及びガラス球黒
化を生ずることなく、問題のないコールドスタートが可
能となる。さらに、寿命を制限する電極(例えば発光体
ペーストを備えた白熱陰極)、重金属及び放射性部品
(グロースタータ)を必要としない。白熱電球及び白熱
陰極を持つ放電ランプとは異なり、放射は電極への点灯
電圧の印加直後に大きな遅れなく放出される(純粋放電
の発光遅れは約10μs、蛍光体を含めて約6msであ
る。これに比較して白熱電球の応答時間は約200ms
の範囲にある。)。このことは特に灯光信号装置、交通
・信号照明装置にとって利点がある。
施例に基づいて詳細に説明する。図1は新しい方法に基
づいて作動させることのできる棒状放電容器の本発明に
よる実施例の一部を断面で示した概略縦断面図である。
図2aは図1に示された放電容器のA−A線に沿った概
略横断面図である。図2bは本発明による放電容器の他
の実施例の概略横断面図である。図2cは本発明による
放電容器の別の実施例の概略横断面図である。図3aは
図1に示された片側誘電体妨害形放電ランプの陰極−陽
極間の本発明による優れた電圧波形の概略図である。図
3bは両側誘電体妨害形放電ランプを本発明によって点
灯するために使用することのできる電圧波形の概略図で
ある。図4aは本発明による方法に基づいて点灯するこ
とのできる平面形放射器の形をした放電ランプの本発明
による他の実施例の一部の概略縦断面図である。図4b
は図4aに示された放電ランプの横断面図である。図5
aは本発明による方法に基づいて点灯することのできる
エジソンねじ込み口金を備えた従来のランプの形をした
放電ランプの本発明による別の実施例の側面図である。
図5bは図5aに示された放電ランプのA−A線に沿っ
た横断面図である。図6aは負の値を持つ本発明による
電圧パルスUp(t)の幾つかの単極性波形の概略図で
ある。図6bは本発明による電圧パルスUp(t)の幾
つかの両極性波形の概略図である。図6cは図6a及び
図6bに示された個々の波形要素の組合わせによって発
生された電圧パルスUp(t)の本発明による波形の概
略図である。図7は本発明による点灯方式(173hP
aのXe、パルス周波数25kHz)で電圧U(t)、
電流I(t)及び電力P(t)=U(t)・I(t)を
測定した時間変化図である。図8は時間軸を変えて示し
た図7に相当する図である。図9a、bは本発明による
放電パターンの写真図である。図10a〜dは不所望な
放電パターンへの移行を示す写真図である。
で説明する。200hPaの圧力でキセノンを封入され
た中圧放電ランプ1の一部が縦断面図にて示されてい
る。590mmの長さ、24mmの直径及び0.8mm
の壁厚を有し長手軸線を規定するガラス製円筒状放電容
器2の内部には、2.2mmの直径を有する特殊鋼製の
棒の形態の軸線平行な内部電極3が配置されている。放
電容器2の外部には、軸線平行に配置されて電源に電気
的に接続される2mm幅の2つの高導電性銀製条帯4
a、4bから構成された外部電極が配設されている。個
々の高導電性銀条帯4a、4bはこの実施例に示されて
いるように金属リングによって相互に結合されて電源に
共通に電気的に接続される。その際、放電を乱さないよ
うにするために、金属リングを十分狭く成形するように
注意する必要がある。変形例として高導電性銀条帯4
a、4bは供給電圧に別々に接続することもできる。内
部電極3は弓形金具状リード線14に電気的に接続する
ことができる。このリード線14は皿状封着部16によ
って放電容器2に気密に結合された挟搾部15を介して
外部へ導かれている。
ングの領域に例えば膨出部の形の径大部を有する。これ
によってこの領域に擾乱的な寄生放電が生成するのが阻
止される。上記実施例の特に優れた変形例では棒状内部
電極は一方の端部のみが第1皿状封着部に固定結合され
る。他方の自由端部は中心軸線で第2皿状封着部に固定
された円筒状スリーブ内へ(間隙嵌めのように)緩く導
かれる。このことは内部電極が例えば高電力の連続作動
にて加熱される際に軸線方向へ妨げられることなく膨張
することができるという利点を有する。そうでなければ
放電容器内に不所望な材料応力が発生するか電極が曲げ
られてしまうおそれがある。因みにこの変形例の上述し
た利点はその有利な作用が本発明による作動方式に限定
されるのではなく、類似の型の全てのランプに原理上適
している。
面図を示す。内部電極3は中心に配置され、放電容器2
の外壁上には2つの電極4a、4bがその外壁の周囲上
に対称に分割されて配置されている。
めに必要な電圧供給の原理構成は同様に図1に概略的に
示されている。一連のパルス、すなわち電圧パルスの形
状及び期間と休止時間の期間とはパルス発生器10で発
生され、次の電力増幅器11によって増幅される。一連
のパルスが内部電極3に印加される様子が概略的に示さ
れている。高電圧変圧器12は電力増幅器11の信号を
必要な高電圧に変換する。ランプはパルス状直流電圧で
点灯される。図3aに示されている負の矩形パルスが使
用される。この矩形パルスは次のパラメータすなわちパ
ルス時間Tp=2μs、休止時間To=25μs、Tp
期間中の電圧振幅Up−3kV及びTo期間中の電圧振
幅Up0Vを有している。
て被覆されている。この実施例において放電によって特
に放出された紫外線は蛍光体膜6によって光スペクトル
の可視領域に変換され、それゆえランプは特に照明用に
適している。その場合次の成分を有する3波長域発光形
蛍光体が使用される。青色成分はBaMgAl10O17:
Eu2+、緑色成分はY2SiO5:Tb、及び赤色成分は
Y2O3:Eu3+である。これによって37lm/Wのラ
ンプ効率が得られる。演色性として4000Kの色温度
の際にRa>80を達成することができた。蛍光体によ
って検出された真空紫外線発生量は約65%である。こ
のランプの幾つかの他の封入物の例及び作動データは表
1に示されている。この表においてpはガス圧、Upは
電圧パルスの最大値、upは火花長(1.2cm)及び
圧力に関する電圧パルスの最大値、そしてηVUVは得ら
れた真空紫外線発生量を表す。入力電力はそれぞれ18
W、パルス期間Tp(最大値のそれぞれ10%の立上が
りと立下がりとの間の時間)は約1.5μs(1μsの
半値幅の場合)、休止時間Toは約27μsである。
電極3´は内壁の近くへ偏心しかつ円筒状放電容器の長
手軸線に平行に配置され、外部電極4´は直径上に対向
配置されて外壁に固定されている。このような配置は小
断面の円筒状放電容器の場合に特に有利である。という
のは、一方では放電は放電容器の内部を直径上に延び、
他方では外壁は外部電極としての1つの高導電性銀条帯
のみによって覆われている、すなわち放射面が図2aの
ように第2の外部電極によってより一層縮小されないか
らである。
は、図2aと同じように内部電極3は放電容器2の内部
の中心に配置されている。放電容器2の外壁の周囲に対
称的に分散されて4つの外部電極4´a、4´b、4´
c、4´dが設けられており、それゆえこの構成は大断
面、従って大外被面を持つ放電容器に特に適している。
これによって放電は図2a及び図2bのように第1面だ
けでなく、他の第2面でも発生し、それによって放電容
器2の体積は放射発生のために図2a及び図2bの実施
例の場合よりも良好に利用される。
形ランプの内壁は蛍光体被膜6の代わりに例えばMgF
2、Al2O3又はCaF2から成る紫外線及び真空紫外線
反射被膜を有する。その場合、内壁に設けられた特にラ
ンプ軸線に平行な狭い1つの条帯だけは被覆されない。
外部電極は紫外線及び真空紫外線が妨げられずにこの条
帯を透過して放出されるように配置される。この実施例
は広げられた対象物の効率的な真空紫外線照射、例えば
リソグラフィにおける露光に特に好適である。この実施
例の優れた変形例においては、内部電極は第2の外部電
極によって置換される。これによって紫外線及び真空紫
外線は妨げられずに被膜で反射され、条帯状透明領域を
透過して外部へ放出される。
本発明による内部電極(陰極)−外部電極(陽極)間の
電圧パルス波形が概略的に示されている。電圧波形は、
内部電極の電圧パルスが負符号で開始しかつ休止時間に
よって分離されるならば、図3aの実施例の波形とは異
ならせることができる。
ス波形が概略的に示されている。このパルス波形は両側
誘電体妨害放電のみに適し、その場合最初のパルスは任
意の極性で開始できる。
される片側誘電体妨害形放電ランプの他の実施例の平面
図、図4bにはその断面図が示されている。このランプ
は、上側放射面7a及びこれに平行な下側放射面7bを
有し、これらに対して内部電極3及び外部電極4が垂直
に向けられて多数の平行な放電室8を形成するように交
互に配置されている平面形放射器である。それぞれ隣接
する外部電極及び内部電極は誘電体層及びガス封入放電
室8によって分離され、隣接する内部電極は誘電体層の
みによって分離されている。本発明による作動方法は単
一の電源13のみを用いて多数の並列接続された放電室
8への給電を可能にする。放電容器の内壁は蛍光体膜6
によって被覆されている。平面形放射器は両側誘電体妨
害放電室を結合することによっても同様に実現可能であ
る。
図、図5bにはその横断面図が示されている。この放電
ランプは外部形状がエジソン口金9を有する従来のラン
プに似ており、新しい方法によって点灯することができ
る。放電容器2の内部には中心に、断面が対称十字の形
に一致する細長い内部電極3が配置されている。放電容
器2の外壁には、4つの外部電極4´a、4´b、4´
c、4´dが内部電極の4つの長手側面に対向配置され
て放電パターンが互いに垂直でランプ軸線を横切る2つ
の平面内でほぼ発生するようにその4つの外部電極が設
けられている。
ては、内部電極は円形断面及び2mmの直径を持つ特殊
鋼製の棒から構成される。この棒は0.7mmの厚みの
ガラスから成る円筒状放電容器2の内部の中心軸線に配
置される。放電容器は約50mmの直径を有し、反口金
側端部にポンプ短管を有し、このポンプ短管内には内部
電極の反口金側端部が導入される。放電容器の内部は1
73hPaの圧力でキセノンが封入される。外部電極は
軸平行でかつ放電容器の外壁上に均等に分割して配置さ
れた12個の1mm幅かつ8cm長の高導電性銀条帯に
よって実現される。外部電極は口金の領域において外壁
に設けられたリング状高導電性銀条帯によって相互に電
気的に接続される。放電容器の内壁は蛍光体膜6によっ
て被覆される。その場合、青色成分BaMgAl
10O17:Eu2+、緑色成分LaPO4:(Tb3+、Ce
3+)、及び赤色成分(Gd、Y)BO3:Eu3+を有す
る3波長域発光形蛍光体が使用される。それによって4
0lm/Wのランプ効率が得られた。色温度は4000
Kであり、CIEに基づく標準色度図による色位置は座
標x=0.38及びy=0.377を有する。電圧U
(t)、電流I(t)及び電力P(t)の時間的変化は
図7に示され、また時間尺度を変えて図8に示されてい
る。外部電極に対する内部電極の電圧最大値は約−4k
Vである。パルス時間(最大値の半分の際の時間)及び
休止時間はそれぞれ約1.2μs及び約37.5μsで
ある。図8においてはさらに電圧U(t)の第2の主パ
ルスの前に小振幅の4つの前駆パルスが明らかに認めら
れる。電流I(t)及び電力P(t)の対応する変化か
ら明らかなように、この前駆パルスの期間中には電流は
流れず、従って同様に電力はガス中へ与えられない。そ
れゆえ、この種の前駆パルスは本発明による点灯方式に
とって害にならない。25kHzのパルス周波数の場
合、約65%の真空紫外線発生量が達成された。
放電容器は紫外線及び真空紫外線透過材料、例えばSU
PRASIL(登録商標)石英ガラス(ヘラオイス・ク
ヴァルツシュメルツエ有限会社)から構成される。この
変形例は例えば光化学における真空紫外線放射器として
好適である。別の変形例においては内部電極はガラスに
よって覆われる。このことは腐食性媒質、例えば希ガス
ハロゲン化物を使用する際に特に有利である。というの
は、このようにして内部電極の腐食が防止されるからで
ある。
生された本発明による放電パターンの写真図を示す。図
9aの場合には両側誘電体妨害放電が使用されている。
円筒管状ガラス製放電容器はその外壁に直径上に対向し
て軸線方向に配置された2つの外部電極を備えている。
放電容器の内部で両外部電極の結合面内には緑がかった
Δ状放電パターンが一列に配置されている。Δ状放電パ
ターンの狭い最下点はそれぞれ陰極側内壁で開始して放
電容器の内壁の陽極側にまで広がっている。図9bの場
合には片側誘電体妨害放電が使用されている。放電装置
は図9aの放電装置とは金属製の棒状補助内部電極だけ
が異なっている。この内部電極は陰極として作用し、放
電容器の内部の中心軸線に配置されている。内部電極の
表面から個々のΔ状放電パターンが両外部電極のそれぞ
れ1つへ広がっている。特に図9bからはっきり分かる
ように、これらのパターンはほぼ均一に拡散して発光し
ている。そのパターンは狭い陰極側終点にそれぞれ1つ
のパーセント的に非常に小さい若干明るい発光領域を有
している。さらに、高い一様性は注目に値する。この一
様性は個々のパターンの相互間隔並びに相互比較による
個々のパターンの形状及び輝度分布に関係する。
ラストにて図10a〜dの写真図に示されている。これ
らの図はこの順序にて不所望な放電パターンへ徐々に移
行する様子を示している。図10a(この放電装置は図
9bにおける放電装置と同じである)では、本発明によ
る幾つかのΔ状放電パターンがまだ認められる。放電装
置の図の左下領域では既にYに似たパターンが形成され
ている。図の上領域(図中央部の若干左側)では、線条
状に明るく発光するパターンが幾つかの元々右側に隣接
するΔ状放電パターンを犠牲にして形成されている。放
電容器の内壁での高い輝度はこの領域での沿面放電を示
唆している。図10bに示された放電領域は図10aに
比べてさらに減少した紫外線効率を有している。元々こ
の領域に存在するパターンの個数はさらに減少してい
る。図10c及び図10dでは両側(放電装置は図9a
における放電装置と同じ)もしくは片側誘電体妨害放電
が使用されている。両ケースにおいてはまだ線条状パタ
ーンが見られる。陽極の領域では放電容器の内壁上にそ
れぞれ2つの条帯状沿面放電が認められる。これらは明
るく発光する湾曲状パターン内へY状に繋がっている。
このパターンは対向する陰極側内壁上で2つの類似の条
帯状沿面放電(図10c参照)に分割され、もしくは片
側誘電体妨害放電の場合には陰極上で終了する。
特に、異なった実施例の個々の利点は互いに適当に組合
わせることができる。
面で示した概略縦断面図
沿った概略横断面図、図2bは本発明による放電容器の
他の実施例の概略横断面図、図2cは本発明による放電
容器の別の実施例の概略横断面図
ランプの陰極−陽極間の本発明による優れた電圧波形の
概略図、図3bは両側誘電体妨害形放電ランプを本発明
によって点灯するために使用することのできる電圧波形
の概略図
ことのできる平面形放射器の形をした放電ランプの本発
明による他の実施例の一部の概略縦断面図、図4bは図
4aに示された放電ランプの横断面図
ことのできるエジソンねじ込み口金を備えた従来のラン
プの形をした放電ランプの本発明による別の実施例の側
面図、図5bは図5aに示された放電ランプのA−A線
に沿った横断面図
Up(t)の幾つかの単極性波形の概略図、図6bは本
発明による電圧パルスUp(t)の幾つかの両極性波形
の概略図、図6cは図6a及び図6bに示された個々の
波形要素の組合わせによって発生された電圧パルスUp
(t)の本発明による波形の概略図
(t)及び電力P(t)=U(t)・I(t)を測定し
た時間変化図
Claims (18)
- 【請求項1】 非導電性材料から成る少なくとも部分的
に透明な放電容器(2)が封入ガス(5)を封入され、
少なくとも2つの電極(3、4)が封入ガス(5)の近
くに設けられてリード線によって電気エネルギー供給源
(10〜12)に接続され、電極(4)と封入ガス
(5)との間には誘電体層が配置されているインコヒー
レント放出放射源を誘電体妨害放電によって作動させる
方法において、封入ガス(5)の作動圧力は約1kPa
以上であり、電気エネルギー供給源は電極(3、4)間
に一連の両極性の電圧パルスを供給し、個々の電圧パル
スnは電圧Upn(t)と1ns〜50μsの大きさの
パルス時間Tpnとで表され、それぞれ電圧パルスnは
500ns〜1msの大きさの値と電圧Uon(t)と
を持つ休止時間Tonによってその後続の電圧パルスn
+1から分離され、パルス時間Tpnの期間中電圧Upn
(t)は封入ガス(5)内へ有効電力が入力するように
選定され、休止時間Tonの期間中電圧Uon(t)は封
入ガス(5)がそれぞれその前の電圧パルスUp
n(t)前の状態に似た状態へ復帰し得るように選定さ
れ、Upn(t)、Tpn、Uon(t)、Tonの大きさ
は電極(3、4)間にガス室に対して鮮明に区画された
細く明るく発光する放電線条に比較して低い電流密度の
放電パターンが生成するように設定されることを特徴と
するインコヒーレント放出放射源の作動方法。 - 【請求項2】 Δの頂点と逆向きΔの頂点とを向かい合
わせて配置した形状である2つのΔ状放電パターンの鏡
像的な重なりから成る 状放電パターンが生じることを特徴とする請求項1記載
の方法。 - 【請求項3】 個々の放電パターンの間隔がUp
n(t)、Tpn、Uon(t)、Tonの大きさの選定に
よって、ガス圧力の低い際に全放電面が“カーテン”状
放電パターンで放射するように減少させられ得ることを
特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 休止時間Tonは個々の放電パターンの
体積の時間平均値が最大になるように選定されることを
特徴とする請求項1乃至3の1つに記載の方法。 - 【請求項5】 パルス時間Tpnの期間中、電極(3、
4)間の電圧Upn(t)として、放電の再点弧電圧に
合わせた値が選定されることを特徴とする請求項1乃至
4の1つに記載の方法。 - 【請求項6】 電圧Upn(t)、Uon(t)及びパル
ス時間Tpn、休止時間Tonは封入圧力、封入物の種
類、火花長、誘電体及び電極構成に合わせられることを
特徴とする請求項5記載の方法。 - 【請求項7】 電圧Upn(t)は三角形状、矩形状、
台形状、階段状、湾曲状、放物線状、正弦波状の形状の
1つ又は複数から直接に又は近似的に構成されることを
特徴とする請求項6記載の方法。 - 【請求項8】 パルス時間Tpnの期間中、電極(3、
4)間の電圧Upn(T)として、誘電体によって惹起
された電圧降下を加えて、少なくとも再点弧電圧に相当
する最大値が選定されることを特徴とする請求項7記載
の方法。 - 【請求項9】 電圧パルスの最大値はcm火花長及びパ
スカル封入圧当たり0.01〜2Vの範囲にあることを
特徴とする請求項8記載の方法。 - 【請求項10】 電圧は周期的であることを特徴とする
請求項1記載の方法。 - 【請求項11】 少なくとも1つの電極においては誘電
体層が放電容器(2)の壁によって形成されることを特
徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項12】 全電極面積と誘電体に接触する電極面
積との比はできる限り小さいことを特徴とする請求項1
記載の方法。 - 【請求項13】 放電容器(2)内に配置された1つ又
は複数の棒状又は条帯状の電極を使用する場合、この電
極は中心に又は偏心して配置され、電極が誘電体によっ
て被覆されていることを特徴とする請求項1乃至12の
1つに記載の方法。 - 【請求項14】 放電容器の外部に配置された1つ又は
複数の電極を使用する場合、この電極は条帯状に形成さ
れていることを特徴とする請求項1又は12又は13記
載の方法。 - 【請求項15】 放電容器(2)は管から構成され、そ
の長手軸線に内部電極(3)が配置され、その外壁に少
なくとも1つの外部電極(4)が設けられていることを
特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項16】 放電容器はほぼ円筒状をして一端部に
口金(9)を備え、放電容器の内部には片側を固定され
た中心棒状内部電極(3)が設けられ、放電容器の外壁
には少なくとも1つの条帯状電極(4´a、4´b、4
´c、4´d)が配置されることを特徴とする請求項1
記載の方法。 - 【請求項17】 内部電極(3)は円形断面を有するこ
とを特徴とする請求項16記載の方法。 - 【請求項18】 ガス室を画成する壁は少なくとも一部
分が蛍光体(6)によって被覆されていることを特徴と
する請求項1乃至17の1つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4311197A DE4311197A1 (de) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle |
DE4311197.1 | 1993-04-05 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52154594A Division JP3298886B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002216985A true JP2002216985A (ja) | 2002-08-02 |
JP3715231B2 JP3715231B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=6484818
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52154694A Expired - Fee Related JP3714952B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | 誘電体妨害放電蛍光ランプ |
JP52154594A Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
JP2001347842A Expired - Lifetime JP3715231B2 (ja) | 1993-04-05 | 2001-11-13 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) | 1993-04-05 | 2005-06-07 | 蛍光ランプ |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52154694A Expired - Fee Related JP3714952B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | 誘電体妨害放電蛍光ランプ |
JP52154594A Expired - Lifetime JP3298886B2 (ja) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | インコヒーレント放出放射源の作動方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004162736A Pending JP2004303737A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2004162737A Withdrawn JP2004296446A (ja) | 1993-04-05 | 2004-06-01 | 蛍光ランプ |
JP2005166606A Pending JP2005276846A (ja) | 1993-04-05 | 2005-06-07 | 蛍光ランプ |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5714835A (ja) |
EP (4) | EP1076084B1 (ja) |
JP (6) | JP3714952B2 (ja) |
KR (1) | KR100299151B1 (ja) |
CN (1) | CN1066854C (ja) |
CA (2) | CA2159906C (ja) |
CZ (1) | CZ286740B6 (ja) |
DE (5) | DE4311197A1 (ja) |
HU (1) | HU215307B (ja) |
WO (2) | WO1994023442A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005056845A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 紫外線放射器 |
US6961441B1 (en) | 2000-09-29 | 2005-11-01 | General Electric Company | Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data |
JP2006156120A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 誘電体バリア放電ランプ |
JP2010135236A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Ushio Inc | エキシマランプ装置 |
Families Citing this family (474)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19517515A1 (de) * | 1995-05-12 | 1996-11-14 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe und Verfahren zum Betreiben derartiger Entladungslampen |
DE19526211A1 (de) * | 1995-07-18 | 1997-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler |
US6153971A (en) * | 1995-09-21 | 2000-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source with only two major light emitting bands |
DE19543342A1 (de) * | 1995-11-22 | 1997-05-28 | Heraeus Noblelight Gmbh | Verfahren und Strahlungsanordnung zur Erzeugung von UV-Strahlen zur Körperbestrahlung sowie Verwendung |
DE19548003A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsspannungsfolgen, insbesondere für den Betrieb von dielektrisch behinderten Entladungen |
JP3277788B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2002-04-22 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ点灯装置 |
BRPI9715293B1 (pt) | 1996-06-26 | 2016-11-01 | Osram Ag | elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico |
DE19636965B4 (de) * | 1996-09-11 | 2004-07-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle |
JP3546610B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2004-07-28 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電装置 |
DE19651552A1 (de) * | 1996-12-11 | 1998-06-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe |
JP3355976B2 (ja) * | 1997-02-05 | 2002-12-09 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ点灯装置 |
DE19711893A1 (de) | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahler |
DE19711892A1 (de) | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flachstrahler |
JP3264938B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2002-03-11 | パテント―トロイハント―ゲゼルシヤフト フユア エレクトリツシエ グリユーランペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | バックライト用平形蛍光ランプ及びこの平形蛍光ランプを備えた液晶表示装置 |
US5998921A (en) * | 1997-03-21 | 1999-12-07 | Stanley Electric Co., Ltd. | Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode |
DE19718395C1 (de) * | 1997-04-30 | 1998-10-29 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb |
US6323600B1 (en) | 1997-07-22 | 2001-11-27 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Process for generating voltage pulse sequences and circuit assembly therefor |
DE19734883C1 (de) * | 1997-08-12 | 1999-03-18 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung |
DE19734885C1 (de) | 1997-08-12 | 1999-03-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung |
DE69837500T2 (de) * | 1997-11-06 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Phosphormaterial und Plasma-Anzeigetafel |
EP0926705A1 (de) | 1997-12-23 | 1999-06-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Flachstrahler mit örtlich modulierter Flächenleuchtdichte |
US6045721A (en) * | 1997-12-23 | 2000-04-04 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh | Barium magnesium aluminate phosphor |
EP0932185A1 (de) | 1997-12-23 | 1999-07-28 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Signallampe und Leuchtstoffe dazu |
JP3353684B2 (ja) | 1998-01-09 | 2002-12-03 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ光源装置 |
JP3521731B2 (ja) | 1998-02-13 | 2004-04-19 | ウシオ電機株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ光源装置 |
DE19811520C1 (de) * | 1998-03-17 | 1999-08-12 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19817480B4 (de) * | 1998-03-20 | 2004-03-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern |
DE19817475B4 (de) | 1998-04-20 | 2004-04-15 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe |
DE19817477A1 (de) | 1998-04-20 | 1999-10-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstofflampe mit auf die geometrische Entladungsverteilung abgestimmter Leuchtstoffschichtdicke |
DE19817476B4 (de) | 1998-04-20 | 2004-03-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke |
DE19826809A1 (de) | 1998-06-16 | 1999-12-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren |
DE19826808C2 (de) | 1998-06-16 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
DE19839329A1 (de) | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19839336A1 (de) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen |
DE19843419A1 (de) | 1998-09-22 | 2000-03-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden |
DE19844725A1 (de) | 1998-09-29 | 2000-03-30 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Gasentladungslampe mit steuerbarer Leuchtlänge |
DE19844720A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
DE19844721A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration |
DE19905219A1 (de) | 1998-09-30 | 2000-08-31 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung |
DE19845228A1 (de) * | 1998-10-01 | 2000-04-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen |
DE69915030T2 (de) * | 1998-10-20 | 2004-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Plasma anzeigetafel |
DE19858810A1 (de) | 1998-12-21 | 2000-06-29 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren |
EP1082752A1 (en) * | 1999-03-25 | 2001-03-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting arrangement |
US6191539B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-02-20 | Korry Electronics Co | Fluorescent lamp with integral conductive traces for extending low-end luminance and heating the lamp tube |
DE19916877A1 (de) | 1999-04-14 | 2000-10-19 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Sockel |
DE19919169A1 (de) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Philips Corp Intellectual Pty | Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe |
DE19927791A1 (de) | 1999-06-18 | 2000-12-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Farbanzeige mit sequentieller Primärfarberzeugung |
DE19928438A1 (de) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe |
KR100562879B1 (ko) | 1999-10-18 | 2006-03-24 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 유전체 배리어 방전램프 광원장치 |
DE19953531A1 (de) | 1999-11-05 | 2001-05-10 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Elektrodenhalterung |
DE19955108A1 (de) * | 1999-11-16 | 2001-05-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit verbesserter Temperaturhomogenität |
DE19960053A1 (de) | 1999-12-13 | 2001-06-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung |
DE10005975A1 (de) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Betriebsverfahren für eine Entladungslampe mit mindestens einer dielektrisch behinderten Elektrode |
DE10011484A1 (de) | 2000-03-09 | 2001-09-13 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verbessertes Pulsbetriebsverfahren für eine Stille Entladungslampe |
DE10014407A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe |
AU2001250151B2 (en) * | 2000-04-14 | 2004-07-22 | Macquarie Research Ltd | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
CA2406194A1 (en) * | 2000-04-14 | 2001-10-25 | Macquarie Research Ltd. | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
US6541924B1 (en) | 2000-04-14 | 2003-04-01 | Macquarie Research Ltd. | Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor |
KR100825132B1 (ko) | 2000-04-19 | 2008-04-24 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 고압 방전 램프 |
DE10023504A1 (de) * | 2000-05-13 | 2001-11-15 | Philips Corp Intellectual Pty | Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe |
DE10026913A1 (de) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht |
DE10048409A1 (de) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation |
DE10048410A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe |
JP3818043B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2006-09-06 | 株式会社日立製作所 | 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置 |
JP2002212553A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Kasei Optonix Co Ltd | 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ |
DE10104364A1 (de) * | 2001-02-01 | 2002-08-14 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht |
JP3471782B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-12-02 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 平面型蛍光ランプユニット及びそれを用いた液晶表示装置 |
DE10111191A1 (de) | 2001-03-08 | 2002-09-19 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verfahren mit Kontaktsystem |
DE10121095A1 (de) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
DE10122211A1 (de) | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Beleuchtungsvorrichtung mit Spiegelfläche |
US6861805B2 (en) * | 2001-05-08 | 2005-03-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Coil antenna/protection for ceramic metal halide lamps |
DE10126159A1 (de) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
DE10129630A1 (de) * | 2001-06-20 | 2003-01-02 | Philips Corp Intellectual Pty | Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung |
DE10133326A1 (de) | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe |
DE10133411A1 (de) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs |
DE10133949C1 (de) * | 2001-07-17 | 2003-03-20 | Inst Niedertemperatur Plasmaph | Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen, die nach dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung aufgebaut ist, für Lichtquellen und Sichtanzeigeeinrichtungen |
DE10134965A1 (de) * | 2001-07-23 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Flache Entladungslampe |
DE10140356A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe |
DE10140355A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit Zündhilfe |
JP4727093B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2011-07-20 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
EP1296357A2 (en) * | 2001-09-19 | 2003-03-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device and liquid crystal display employing the same |
US6891334B2 (en) | 2001-09-19 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device and liquid crystal display employing the same |
DE10147961A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verfahren sowie Schaltunggsanordnung zum Zünden und Betreiben dieser Lampe |
US6806648B2 (en) * | 2001-11-22 | 2004-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device and liquid crystal display device |
US6906461B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source device with inner and outer electrodes and liquid crystal display device |
DE10214156A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur |
JP3889987B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2007-03-07 | パナソニック フォト・ライティング 株式会社 | 放電灯装置及びバックライト |
JP2003336052A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
DE10222100A1 (de) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Sockel |
DE10236420A1 (de) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe |
TWI230962B (en) * | 2002-08-30 | 2005-04-11 | Harison Toshiba Lighting Corp | Lighting device |
DE10254208A1 (de) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verwendung dieser Lampe für die Röntgenbildbetrachtung |
US6827877B2 (en) * | 2003-01-28 | 2004-12-07 | Osram Sylvania Inc. | Red-emitting phosphor blend for plasma display panels |
JP3793880B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2006-07-05 | 松永 浩 | 点灯装置 |
US6730458B1 (en) | 2003-03-03 | 2004-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction |
DE10312720A1 (de) * | 2003-03-21 | 2004-09-30 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Quetschdichtung |
US6831421B1 (en) | 2003-03-24 | 2004-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Shunt-induced high frequency excitation of dielectric barrier discharges |
EP1473348B1 (en) | 2003-04-30 | 2007-03-21 | Centrum für Angewandte Nanotechnologie (CAN) GmbH | Luminescent core/shell nanoparticles |
DE10324832A1 (de) * | 2003-06-02 | 2004-12-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit Leuchtstoff |
DE10326755A1 (de) * | 2003-06-13 | 2006-01-26 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff |
WO2005006388A2 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Colour tunable lighting element |
DE10347636A1 (de) * | 2003-10-09 | 2005-05-04 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe mit mindestens einer Außenelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
AU2003304505A1 (en) * | 2003-10-21 | 2005-05-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Fluorescent material and fluorescent material paste |
US7863816B2 (en) * | 2003-10-23 | 2011-01-04 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
JP3872472B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2007-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管 |
DE10359882A1 (de) * | 2003-12-19 | 2005-07-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanordnung zum Betreiben von elektrischen Lampen |
DE102004020398A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe |
US11158768B2 (en) | 2004-05-07 | 2021-10-26 | Bruce H. Baretz | Vacuum light emitting diode |
US7196473B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-03-27 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
DE102004025266A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-08 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einem Gehäuse und einer darin angeordneten Flachlampe |
EP1758965A1 (en) * | 2004-05-27 | 2007-03-07 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Low-pressure mercury vapor discharge lamp comprising uv-a phosphor |
US7446477B2 (en) | 2004-07-06 | 2008-11-04 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement |
US20060006804A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Lajos Reich | Dielectric barrier discharge lamp |
KR20060004791A (ko) * | 2004-07-08 | 2006-01-16 | 삼성코닝 주식회사 | 평판 램프 |
US7390437B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-06-24 | Intematix Corporation | Aluminate-based blue phosphors |
JP5244398B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2013-07-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | セグメント化された誘電バリア放電ランプ |
KR20070117691A (ko) * | 2005-03-30 | 2007-12-12 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 방전 램프 및 그러한 방전 램프를 포함하는 디스플레이장치를 백라이팅하기 위한 백라이팅 유닛 |
DE102005034505A1 (de) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanorndung mit transformatorlosem Wandler mit Drossel für den gepulsten Betrieb von dielektrischen Barriere-Entladungslampen |
KR100725763B1 (ko) | 2005-12-05 | 2007-06-08 | 주식회사 신안유브이 | 전계 자외선 방전등 |
US7495396B2 (en) | 2005-12-14 | 2009-02-24 | General Electric Company | Dielectric barrier discharge lamp |
DE102006010791A1 (de) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen |
DE202006005212U1 (de) * | 2006-03-31 | 2006-07-20 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit dielektrischer Barriere-Entladungslampe, Betriebsgerät und Verbindungskabel |
WO2007116331A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-18 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Discharge lamp comprising uv-phosphor |
US20080174226A1 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Nulight Technology Corporation | Mercury-free flat fluorescent lamps |
DE102007006861B3 (de) * | 2007-02-12 | 2008-05-29 | Universität Karlsruhe (Th) | Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung |
DE202007002131U1 (de) * | 2007-02-13 | 2007-04-19 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen |
DE202007004236U1 (de) * | 2007-03-22 | 2007-06-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Zündhilfe |
JP4668287B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 照明装置および液晶表示装置 |
WO2009139908A1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Rutgers, The State University | Fluorescent excimer lamps |
US20110056513A1 (en) * | 2008-06-05 | 2011-03-10 | Axel Hombach | Method for treating surfaces, lamp for said method, and irradiation system having said lamp |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
DE102009030310A1 (de) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Entladungsräumen |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
TWI569301B (zh) | 2010-06-04 | 2017-02-01 | 通路實業集團國際公司 | 感應耦合介電質屏障放電燈 |
JP5504095B2 (ja) * | 2010-08-10 | 2014-05-28 | 株式会社オーク製作所 | 放電ランプ |
DE102010043208A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Osram Ag | Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen |
DE102010043215A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-03 | Osram Ag | Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
JP6055170B2 (ja) * | 2011-06-15 | 2016-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置、放電灯の駆動方法およびプロジェクター |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
KR20130009648A (ko) * | 2011-07-13 | 2013-01-23 | 가부시키가이샤 지에스 유아사 | 자외선 조사 장치 |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
DE102012018854B4 (de) * | 2012-09-25 | 2018-02-15 | Berger GmbH & Co.KG | Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit drei Elektroden und zwei Gasräumen |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US20140099798A1 (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Asm Ip Holding B.V. | UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9133389B2 (en) * | 2012-10-31 | 2015-09-15 | Empire Technology Development Llc | Light guide structure and illuminating device |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1022399A (en) * | 1911-08-18 | 1912-04-09 | Joseph T Thomasson | Animal-shoeing apparatus. |
DK106921C (da) * | 1963-12-31 | 1967-04-03 | Philips Nv | Skærm med luminescerende materiale. |
JPS5915951B2 (ja) * | 1974-12-10 | 1984-04-12 | 松下電器産業株式会社 | ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置 |
JPS5941474B2 (ja) * | 1976-04-30 | 1984-10-06 | 大日本塗料株式会社 | 気体放電発光素子 |
US4161457A (en) * | 1977-03-15 | 1979-07-17 | Dai Nippon Toryo Co., Ltd. | Process for preparing a divalent europium activated alkaline earth metal aluminate phosphor |
US4423349A (en) * | 1980-07-16 | 1983-12-27 | Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. | Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith |
EP0062993A1 (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-20 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Cathode ray tube phosphor layers |
JPS5813688A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 螢光体の製造方法 |
JPS5834560A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-01 | 周 成祥 | 放電灯ディスプレイ装置 |
CA1198148A (en) * | 1982-06-28 | 1985-12-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electrostatic printing process |
US4583026A (en) * | 1983-07-19 | 1986-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Low-pressure mercury vapor discharge lamp |
JPS6155839A (ja) * | 1984-08-26 | 1986-03-20 | Osamu Tada | 螢光ランプの製造方法 |
JPH079795B2 (ja) * | 1986-12-01 | 1995-02-01 | 東芝ライテック株式会社 | 放電ランプ |
AU607520B2 (en) * | 1987-08-06 | 1991-03-07 | Shing Cheung Chow | Discharge lamp type display device |
DE3855685T2 (de) * | 1987-08-10 | 1997-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | Grünlichtausstrahlende entladungsbirne mit seltenem gas |
CH675504A5 (ja) * | 1988-01-15 | 1990-09-28 | Asea Brown Boveri | |
JPH02135277A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 蛍光ランプ |
US5117160C1 (en) * | 1989-06-23 | 2001-07-31 | Nec Corp | Rare gas discharge lamp |
JP2671575B2 (ja) * | 1989-11-22 | 1997-10-29 | 日本電気株式会社 | ガス放電表示素子の駆動方法 |
KR930005688B1 (ko) * | 1990-02-06 | 1993-06-24 | 삼성전관 주식회사 | 녹색 발광 형광체 |
FR2672281B1 (fr) * | 1991-02-04 | 1993-04-16 | Rhone Poulenc Chimie | Phosphate mixte de lanthane, terbium et cerium, procede de fabrication de celui-ci. |
US5047173A (en) * | 1991-03-08 | 1991-09-10 | Gte Products Corporation | Method of reducing the powder weight of europium activated strontium tetraborate phosphor |
KR930008163B1 (ko) * | 1991-04-02 | 1993-08-26 | 삼성전관 주식회사 | 방전관 |
DE4209763A1 (de) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | Hartmut Dipl Phys Schmidt | Elektronisch betriebene kompaktleuchtstofflampe |
US5132043A (en) * | 1991-12-24 | 1992-07-21 | Gte Products Corporation | Method of preparing small particle size borate phosphor |
US5436532A (en) * | 1993-03-26 | 1995-07-25 | Rockwell International Corporation | Fluorescent lamp with improved efficiency |
-
1993
- 1993-04-05 DE DE4311197A patent/DE4311197A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-04-05 CN CN94191696A patent/CN1066854C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 WO PCT/DE1994/000380 patent/WO1994023442A1/de active IP Right Grant
- 1994-04-05 JP JP52154694A patent/JP3714952B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-05 JP JP52154594A patent/JP3298886B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 DE DE59410196T patent/DE59410196D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 KR KR1019950704400A patent/KR100299151B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-04-05 CA CA002159906A patent/CA2159906C/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 CA CA002155340A patent/CA2155340C/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 US US08/525,757 patent/US5714835A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 EP EP00124154A patent/EP1076084B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 EP EP94911103A patent/EP0733266B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 CZ CZ19952421A patent/CZ286740B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1994-04-05 US US08/491,872 patent/US5604410A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 EP EP94911105A patent/EP0738311B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 DE DE59410172T patent/DE59410172D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 HU HU9502905A patent/HU215307B/hu unknown
- 1994-04-05 EP EP00121142A patent/EP1078972B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 DE DE59405921T patent/DE59405921D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 WO PCT/DE1994/000382 patent/WO1994022975A1/de active IP Right Grant
- 1994-04-05 DE DE59410414T patent/DE59410414D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347842A patent/JP3715231B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-01 JP JP2004162736A patent/JP2004303737A/ja active Pending
- 2004-06-01 JP JP2004162737A patent/JP2004296446A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-06-07 JP JP2005166606A patent/JP2005276846A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6961441B1 (en) | 2000-09-29 | 2005-11-01 | General Electric Company | Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data |
JP2005056845A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 紫外線放射器 |
JP2006156120A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 誘電体バリア放電ランプ |
JP4575123B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2010-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 誘電体バリア放電ランプ |
JP2010135236A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Ushio Inc | エキシマランプ装置 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3298886B2 (ja) | インコヒーレント放出放射源の作動方法 | |
US5965988A (en) | Discharge lamp with galvanic and dielectric electrodes and method | |
CA2157208C (en) | Neon fluorescent lamp and method of operating | |
US20110254449A1 (en) | Fluorescent excimer lamps | |
US5923118A (en) | Neon gas discharge lamp providing white light with improved phospher | |
JP5137391B2 (ja) | 誘電体バリア放電ランプ | |
US5565741A (en) | Method of operating a neon discharge lamp particularly useful on a vehicle | |
US7122951B2 (en) | Dielectric barrier discharge lamp with improved color reproduction | |
US6130511A (en) | Neon discharge lamp for generating amber light | |
KR100602395B1 (ko) | 유전체 장애 전극을 가진 방전 램프 | |
US5637965A (en) | Low pressure sodium-mercury lamp yielding substantially white light | |
RU2336592C2 (ru) | Газовые разряды, излучающие в ультрафиолетовом диапазоне, и люминесцентные лампы, содержащие такие газовые разряды | |
US20050093443A1 (en) | Plasma display device and control method therefor | |
JPH06283137A (ja) | パルス点灯式希ガス放電灯装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20040406 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20040413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050824 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |