HU215307B - Eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére - Google Patents

Eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére Download PDF

Info

Publication number
HU215307B
HU215307B HU9502905A HU9502905A HU215307B HU 215307 B HU215307 B HU 215307B HU 9502905 A HU9502905 A HU 9502905A HU 9502905 A HU9502905 A HU 9502905A HU 215307 B HU215307 B HU 215307B
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
discharge
electrodes
voltage
electrode
dielectrically
Prior art date
Application number
HU9502905A
Other languages
English (en)
Other versions
HU9502905D0 (en
HUT71766A (en
Inventor
Lothar Hitzschke
Frank Vollkommer
Original Assignee
Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6484818&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=HU215307(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH filed Critical Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH
Publication of HU9502905D0 publication Critical patent/HU9502905D0/hu
Publication of HUT71766A publication Critical patent/HUT71766A/hu
Publication of HU215307B publication Critical patent/HU215307B/hu

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/46Devices characterised by the binder or other non-luminescent constituent of the luminescent material, e.g. for obtaining desired pouring or drying properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7777Phosphates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7797Borates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/38Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/42Devices for influencing the colour or wavelength of the light by transforming the wavelength of the light by luminescence
    • H01J61/44Devices characterised by the luminescent material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/70Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr
    • H01J61/76Lamps with low-pressure unconstricted discharge having a cold pressure < 400 Torr having a filling of permanent gas or gases only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/046Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14Circuit arrangements
    • H05B41/26Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/2806Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps without electrodes in the vessel, e.g. surface discharge lamps, electrodeless discharge lamps
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)

Abstract

A találmány tárgya eljárás inkőherens fényt kibőcsátó fényfőrrás,különösen kisülőlámpa működtetésére dielektrőmősan gátőlt kisüléssel,amelynél a legalább részben áttetsző, villamősan nem v zető anyagbólkészült kisülési edény gáztöltéssel van feltöltve és legalább kételektróda van a gáztöltés közelében elhelyezve és árambevezetőkönkeresztül villamős energiafőrrásra csatlakőztatva, és ahől legalább azegyik elektróda és a gáztöltés között dielektrőmős réteg vanelhelyezve. A találmány szerinti eljárásnál a villamősenergiafőrrásból feszültségimpűlzűsők őlyan sőrőzatát jűttatjűk azelektródákra (3, 4a, 4b), amelynek az egyes impűlzűsai (n) TPn = 1ns... 50 <F"Symből" ms idejű UPn(t) feszültséglefűtásúak, és az egyesfeszültségimpűlzűsőkat TOn = 500 ns... 1 ms hőltidejű UOn(t)feszültséglefűtású szünet követi és választja el, ahől a TPn idő alattUPn(t) feszültségfüggvényeket úgy választjűk meg, hőgy a TPn idő alatta gáztöltésbe (5) lényegében hatásős teljesítményt csatőlűnk be, míg aTOn hőlt idő alatti UOn(t) feszültségfüggvén eket úgy választjűk meg,hőgy a gáztöltés (5) visszatérhessen egy őlyan állapőtba, amely azelőző UPn(t) feszültségimpűlzűs előtti állapőthőz hasőnlít, és azUPn(t), TPn, UOn(t), TOn é tékeket úgy választjűk meg egymáshőzképest, hőgy az elektródák (3, 4a, 4b) között viszőnylag kisáramsűrűségű kisülési strűktúrák jönnek létre. ŕ

Description

A találmány tárgya eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás, különösen kisülőlámpa működtetésére dielektromosan gátolt kisüléssel, amelynél a legalább részben áttetsző, villamosán nem vezető anyagból készült kisülési edény gáztöltéssel van feltöltve és legalább két elektróda van a gáztöltés közelében elhelyezve és árambevezetőkön keresztül villamos energiaforrásra csatlakoztatva, és ahol legalább az egyik elektróda és a gáztöltés között dielektromos réteg van elhelyezve.
Sugárzáskeltő mechanizmusként kisülési edényben létrehozott kisülés szolgál, ahol legalább egy elektróda és a kisülőcső között dielektromos réteg van elhelyezve, aminek következtében az ilyen kisülést csendes, dielektromosan gátolt vagy korlátolt kisülésnek is nevezik. Inkoherens módon emittáló fényforrás alatt ultraibolya (UV) és infravörös (IR) sugárzókat, valamint olyan kisülési lámpákat értünk, amelyek elsősorban látható fényt bocsátanak ki. A találmány mind kisnyomású, mind nagynyomású lámpák esetében, a kisnyomás és nagynyomás közti minden gáznyomáson alkalmazható.
Az ilyen kisülés gerjesztése szokásosan váltakozó feszültséggel történik, amint azt például a DE 40 22 279 és a DE 42 03 594 közzétételi irat, valamint az US 5,117,160 szabadalmi leírás ismerteti. Ezeknél a 35 gerjesztő frekvencia a műszaki váltóáram frekvenciája és néhány MHz (DE 4022279), illetve 20 és 100 kHz (US 5,117,160) között van.
Ennek az üzemmódnak az a hátránya, hogy a kívánt sugárzási nyereség a műszakilag elfogadható teljesítménysűrűségeknél viszonylag alacsony. A jellemző UVhatásfok 10% 1 kW/m2 felületi teljesítménysűrűségnél és 15% 10 W/m2 mellett, lásd az Universitát Karlsruhe Fénytechnikai Intézet UV és IR munkacsoportjának 3. ülését 1992. 10. 07-én, és a „Dielektromosan gátolt kisülések: szokatlan fényforrás”, M. Neiger, LTI, Universitát Karlsruhe, 6. Nemzetközi Fényforrás-tudományi és -technológiai Szimpózium, Budapest, 1992.
Az EP-A 0 302 748 szabadalmi leírás olyan, elektromosan szigetelt elektródájú, lámpaszerű kijelzőt ismertet, amelyet dielektromosan gátolt kisüléssel üzemeltetnek. A kisülés beindításához a lámpaelektródák között nagyfrekvenciás feszültséget alkalmaznak, amelynek csúcsértékei 300 V és 6 kV között vannak. Ehhez a lámpaszerű kijelző elektródái egy transzformátor szekunder tekercsével vannak összekötve. A transzformátor primer tekercse kapcsolótranzisztoron keresztül áramforráshoz csatlakozik. A kapcsolótranzisztor bázisát impulzusgenerátor vezérli, amely ismételt unipoláris négyszögimpulzusokat szolgáltat 0,5 kHz és kHz közötti ismétlési frekvenciával. A négyszögfeszültség pulzus- és szünetideje nincs meghatározva.
A találmány célja olyan eljárás megadása inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére, amely15 nek hatásfoka lényegesen nagyobb az ismert fényforrásokénál.
A találmány célját olyan, inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére alkalmas eljárással érhetjük el, melynek során a villamos energiaforrásból fe20 szültségimpulzusok olyan sorozatát juttatjuk az elektródákra, amelynek az egyes impulzusai Tp„ = 1 ns... 50 fls idejű UPn(t) feszültség-lefutásúak, és az egyes feszültségimpulzusokat Tq,, = 500 ns... 1 ms holtidejű Uo„(t) feszültség-leíütású szünet követi és választja el, ahol a 25 TPn idő alatti UPn(t) feszültségfüggvényeket úgy választjuk meg, hogy a Tj^ idő alatt a gáztöltésbe lényegében hatásos teljesítményt csatolunk be, míg a Tq,, holt idő alatti UOn(t) feszültségfüggvényeket úgy választjuk meg, hogy a gáztöltés visszatérhessen egy olyan álla30 pótba, amely az előző Up,,(t) feszültségimpulzus előtti állapothoz hasonlít, és az UPn(t), T^,, UOn(t), Tq,, értékeket úgy választjuk meg egymáshoz képest, hogy az elektródák között viszonylag kis áramsűrűségű kisülési struktúrák jönnek létre.
A találmány alapgondolata azon alapul, hogy a dielektromosan gátolt kisülést ismételt impulzusokkal üzemeltetjük úgy, hogy az egymást követő villamos energiabecsatolásokat még az egyes kisülések magas teljesítménysűrűsége esetén is Tón időköz, a továbbiak40 bán „holtidő” választja el határozottan egymástól. A megszakító időközök időtartama abból a követelményből adódik, hogy az energia vagy pontosabban a hatásos teljesítmény becsatolása lényegében befejeződik, amint további villamos energia becsatolása kevésbé 45 effektív módon alakul át a kívánt sugárzássá, illetve a „holtidő” befejeződik, amint a gáztöltés annyira relaxálódott, hogy ismét alkalmas a kívánt sugárzás hatékony létrehozását eredményező gerjesztésre, tehát időátlagban a sugárzási hatékonyság optimálva van. Ily 50 módon például 65%-os és még ennél magasabb hatásfok is elérhető a villamos energia UV-sugárzássá alakítása során, ami sokszorosa a dielektromosan gátolt kisüléseknél hagyományosan elérhető hatásfoknak.
Normális esetben azonos vagy csak a polaritásukat 55 váltó feszültségimpulzusok sorozatát alkalmazzuk, ahol a feszültségimpulzusok n számát nem korlátozzuk. Speciális esetekben azonban szabályosan változó feszültségimpulzusok sorozatát is felhasználhatjuk. Végül a feszültségimpulzusok sorozata teljesen sza60 bálytalan is lehet (pl. effektusvilágításnál, ahol több
HU 215 307 Β feszültségimpulzus úgy van összefoglalva egy csoportba, hogy az emberi szem számára felismerhető fényhatás jöjjön létre).
A Tp„ impulzusidők alatt az elektródákra U^/t) feszültségimpulzust adunk, miközben hatásos teljesítményt csatolunk be. Ennek időfüggvénye nincs pontosan meghatározva, több különböző forma közül választhatunk:
a) unipoláris formák, azaz a feszültségimpulzusok nem váltanak előjelet a Tpn impulzusidő alatt. Ide tartoznak többek között a trapéz-, a háromszög és az ív alakú feszültségimpulzusok, különösen a parabola alakú feszültségimpulzusok és a szinuszos félhullámok, ahol mind a pozitív, mind a negatív értékek megfelelnek (lásd a 6a ábrát, ahol például csak negatív értékek vannak ábrázolva),
b) bipoláris formák, azaz a feszültségimpulzusok előjele változik a impulzusidő alatt, ahol az impulzussorozat pozitív vagy negatív feszültségértékkel is kezdődhet. Ilyen jelalakok lehetnek például a szinuszos jel mindkét félhulláma, két egymást követő ellentétes előjelű háromszögjel, két egymást követő ellentétes előjelű négyszög- és trapézjel, ahol a felfutó és a lefutó élek meredeksége eltérő lehet (lásd 6b ábra), valamint
c) az a) és b) változat néhány (előnyösen kettő vagy három) elemének időbeli kombinációja, ahol az Up„(t) feszültségfüggvények a legkülönbözőbb értékeket vehetik fel, így rövid ideig a 0 értéket is, és így az egyes elemek például a 0 feszültségértékekkel jellemezhető időtartományokkal választhatók el egymástól (lásd 6c ábra). Az egyes elemek adott esetben ismétlődhetnek is.
A 6a-c ábrákon csupán példaként látható néhány kiválasztott lehetséges feszültségforma. Ezenkívül természetesen számos más feszültségforma is elképzelhető. A gyakorlatban a villamos jelek mindig véges felfutási és lefutási meredekséggel, valamint az átmenetek utáni felső és alsó hullámokkal rendelkeznek, amit a 6a-c ábrákon nem ábrázoltunk.
A Tqo holtidő alatti feszültségformával szemben támasztott követelmény szerint az UOn(t) feszültségfüggvényt úgy választjuk meg, hogy lényegében ne történjen hatásos teljesítménybecsatolás. Eléggé kis feszültségértékek, amelyek az újragyújtási feszültség alatt vannak, hosszabb ideig fennállhatnak, adott esetben a teljes Τθη holtidőt kitölthetik. Az sem kizárt, hogy rövid ideig, azaz a Tp,, impulzusidőnél lényegesen rövidebb ideig, a holtidő alatt is fellépjenek feszültségcsúcsok.
Az Up„ feszültségfüggvény tipikus abszolút értékei néhány kV-ig terjednek. A holtidő alatti Uon feszültség előnyösen 0 V közelében van. A TPn és TOn idők értékei tipikusan a ps-tartományban vannak, és Tpn értéke általában lényegesen kisebb mint TOn.
A találmány szerinti üzemeltetésnél a kisülést a gerjesztőjel paramétereinek (T^, Tc>n, UpJ megfelelő megválasztásával érjük el, miközben a paramétereket különösen jó hatásfok elérése érdekében egymással is egyeztetjük. Eközben az impulzusok formája is szerepet játszik.
Az egyes esetekben a három gerjesztési paraméter [Tp„, Το„, Upn(t)] kiválasztandó értékei a kisülési geometriától, a gáztöltés fajtájától, a gáznyomástól, az elektróda konfigurációtól, valamint a dielektromos réteg fajtájától és vastagságától függnek. Ha a kisülés a találmány szerinti üzemben történik, a kívánt sugárzás nyeresége optimálisan alakul.
A megadott lámpatöltés mellett a kisülés közben lejátszódó ütközési folyamatokat és ezáltal a létrehozott sugárzást lényegében a ne elektronsűrűség és az elektronok energiaeloszlása határozza meg. A találmány szerinti üzemeltetési eljárás lehetővé teszi, hogy ezeket az időfüggő értékeket a Tp„, T^ idők és az UPn feszültségamplitúdó, valamint az impulzusalak megfelelő megválasztásával optimálisan állítsuk be a sugárzás létrehozása érdekében.
A váltakozó feszültségű üzemmel ellentétben a találmány szerinti eljárás során tudatosan egy további paramétert, a To holtidőt is felhasználhatjuk, amellyel még a nagy teljesítménysűrűségek esetén is célzottan befolyásolhatjuk a töltéshordozók időbeli és térbeli eloszlását, valamint az energiaeloszlási függvényt. A technika állása szerint, ahol váltakozó feszültséget alkalmaznak, ezeket az értékeket célzottan csak nagyon korlátozottan, a frekvencián keresztül lehet befolyásolni. Csak a jelen találmány teszi lehetővé, hogy a dielektromosan gátolt kisülések hatásfokát olyan mértékben növeljük műszakilag érdekes teljesítménysűrűségek mellett, hogy ezzel a hagyományos fényforrásokkal összemérhető alternatívát kapjunk.
A találmány szerinti üzemeltetési eljárás arról ismerhető fel, hogy az elektródák közötti különböző alakú, jellegzetesen szál- vagy csavarszerű kisülési struktúrák helyett sok azonos, felülnézetben, azaz a kisülésre merőlegesen, deltaszerű kisülési struktúra jön létre, amely a (pillanatnyi) anód irányában kiszélesedik. Mivel ezek a kisülési struktúrák általában a kHz tartományba eső ismétlődési frekvenciával jönnek létre, a szemlélő a szem felbontásának megfelelően csak egy „középső” kisülési struktúrát lát, ahhoz hasonlóan, amint az a 9a ábra szerinti fényképfelvételen látható. A kétoldalt dielektromosan gátolt kisülésnél váltakozó polaritású feszültségimpulzusok alkalmazása esetén vizuálisan két delta alakú kisülési struktúra összegződése jelenik meg. Ha például két hosszanti elektróda, amelyek egyoldali vagy kétoldalt dielektromosan gátoltak, párhuzamosan egymással szemben helyezkedik el, akkor az egyes kisülési struktúrák keresztirányban jönnek létre a hosszanti elektródákhoz képest, sorban egymás mellett (lásd 9a, b ábra). A paraméterek megfelelő megválasztása esetén, például megfelelően kis nyomásnál elérhető, hogy az egyes struktúrák egymás melletti sora egyetlen, diffúz megjelenésű kisüléshez vezet. A kisülési struktúrák például áttetsző lámpafej esetén közvetlenül is megfigyelhetők.
A találmány figyelemre méltó előnye, hogy az egyes kisülési struktúrák különösen stabilak a kisülési edénybe csatolt villamos teljesítménysűrűség változásával szemben. A feszültségimpulzusok U^ amplitúdójának növekedésével nem változik az egyes kisülési struktúrák formája. Egy küszöbérték átlépése után a kisülési struktúrák egyikéből további hasonló struktúrák
HU 215 307 Β jönnek létre. A becsatolt villamos teljesítmény növelése a feszültségimpulzusok amplitúdójának növelése útján tehát lényegében a fent leírt egyes kisülési struktúrák számának növekedéséhez vezet, miközben ezen kisülési struktúrák minősége, különösen azok külső megjelenési formája és fénykibocsájtási tulajdonsága változatlan marad.
Ez a viselkedés teszi lehetővé először, hogy a meghatározott kisülési térfogatba becsatolható villamos teljesítményt célszerűen tovább növeljük azáltal, hogy kettőnél több elektródát alkalmazunk, amelyek a kisülési térfogatot optimálisan kihasználják. Például a kisülési edényben centrikusán elhelyezett belső elektróda mellett több, a kisülési edény külső falán szimmetrikusan elrendezett külső elektróda lehet elhelyezve. A külső elektródák számával a kisülési edény térfogatából maximálisan kivehető sugárzási teljesítmény növelhető, mivel a kisülési struktúrák a központi belső elektródától indulnak ki és az egyes külső elektródák felé terjednek, és megfelelő teljesítmény becsatolása esetén a kisülési edény térfogatát fokozott mértékben kitöltik.
Ennél a lehetőségnél párhuzamos tengelyű elektródák esetén további előnyt jelent, hogy a villamos teljesítmény és a fényáram a kisülési edény hosszával arányosan változik. Mivel ebben az esetben az elektromos tér lényegében merőleges a kisülési edény hossztengelyére, a kisülési edény hossza tetszőlegesen növelhető anélkül, hogy a szükséges gyújtófeszültség, amint az például egy hagyományos kisülési csőnél szokásos, szintén megnőne. A teljesítmény megadásához tehát ennél a kisülési fajtánál figyelembe kell venni a kisülési edény térfogatát, és az elektródák számát, illetve a kisülési struktúrákat hordozó síkok számát is. Egy cső alakú 50 cm hosszú, 24 mm átmérőjű, xenonnal feltöltött lámpánál kisülési síkonként általában 15 W villamos hatásos teljesítményt lehet becsatolni.
Ha a Tp„ és/vagy TOn és/vagy Up„(t) értékét nem megfelelően választjuk meg, akkor stochasztikusan egy vagy több, a gáztérből élesen kiváló, vékony és fényesen világító ,,kisülési szál” jön létre. Ezek a találmány szerinti kisülési struktúrák rovására széles tartományban kiterjedhetnek a kisülési edényben, amint az a 10b ábra szerinti fényképfelvételen látható. Ezek a „kisülési szálak” tehát vizuálisan különböznek a találmány szerinti üzemeltetési eljárással létrehozott kisülési struktúrák alakjától és fényeloszlásától, és nem kívánatosak, mivel az áramot kis keresztmetszeti felületre koncentrálják, ami a töltéshordozók koncentrációjának növekedését eredményezi és csökkenti a kívánt sugárzás létrehozásának hatékonyságát.
Ebből a meggondolásból levezethető egy általános előírás a találmány szerinti üzemeltetési eljáráshoz alkalmas Upn(t), Tpn és Tq,, értékek megválasztására. A kisülés begyújtása után az Uj^/t), TPn és TOn értékeket úgy kell megválasztani, hogy a kívánt villamos teljesítmény a találmány szerinti üzemeltetéshez becsatolható legyen, azaz a fent leírt kisülési struktúrák láthatóvá váljanak. Meglepő módon ugyanis kiderült, hogy éppen ezen kisülési struktúrák megjelenésekor jön létre olyan elektronsűrűség és az elektronok energiaeloszlási függvényének olyan értéke, ami a veszteségeket minimálisra csökkenti.
Mind a három fent említett üzemi paraméter befolyásolja a töltéshordozó-sűrűség időbeli és térbeli szerkezetét és az elektronok energiaeloszlási függvényét is. Mivel ezek befolyása az említett értékekre különböző erősségű, az egyik paraméter megválasztása durva értékhatárokat szab a többi paraméter választható értékeinek, amelyek még hatékony kisülési üzem elérését biztosítják.
Az UPn amplitúdó tipikus értékei 0,01 és 2 V között vannak átütési távolság cm-enként és töltőnyomás Paonként, a TPn impulzusidő és a holtidő pedig 1 ns és 50 ps között, illetve 500 ns és 1 ms között lehet. A találmány szerinti üzemeltetési eljárásnál a töltőnyomás előnyösen 100 Pa és 3 MPa között van. Közepes nyomásértékek (pl. 10 kPa) mellett az UPn feszültségimpulzusok amplitúdója átütési távolság cm-enként 100 V és 20 kV közötti értéket vehet fel. Magas nyomásértékek (pl. 1 MPa) mellett az U^, feszültségimpulzusok amplitúdója átütési távolság cm-enként 10 kV és 200 kV közötti értéket vehet fel.
Villamos biztonságtechnikai okokból a külső elektródákat általában testpotenciálra, a belső elektródát pedig nagyfeszültségre kötik. Ezáltal lehetővé válik a feszültség alatti elemek hatásos érintésvédelme. A kisülési edény az elektródákkal együtt egy külső burkoló lámpafejben is elhelyezhető. Ezáltal akkor is biztosított az érintésvédelem, ha a külső elektródák nincsenek összekötve a testpotenciállal. Vezető elektródaként bármely áramvezető képességű anyag, tehát elektrolit is felhasználható.
Az egyoldali dielektromosan gátolt kisülésnél ilyenkor legalább egy dielektromosan nem gátolt elektróda van a kisülési edény belsejében, a gáztérben - ezenkívül követelmény, hogy a belső elektróda a pulzusidő kezdetén negatív polaritású legyen a dielektromosan gátolt (a kisülési edényen belüli vagy kívüli) elektródával szemben (eltekintve a teljesítménybecsatolás szempontjából lényegtelen lehetséges pozitív tűszerű előimpulzusoktól). Ezt követően, az impulzusidő alatt változhat a polaritás.
A találmány szerinti üzemeltetési eljárás kétoldalt dielektromosan gátolt kisülésnél is alkalmazható (az összes elektróda dielektrikummal el van választva a kisüléstől, ami maga a kisülési edény is lehet) anélkül, hogy azon elvileg változtatni kellene vagy az előnyös hatása elveszne. Abban az esetben, amikor minden elektróda dielektromosan gátolt, a polaritás és annak időbeli sorrendje nem játszik szerepet.
Elvileg az elektródák mindegyike lehet a gáztéren kívül, például a kisülési edény külső felületén, de lehetséges az is, hogy az elektródák egy része kívül és egy része belül, vagy akár mindegyik belül a kisülési edényben, a gáztérben van. Ez utóbbi esetben fontos, hogy legalább az egyik elektróda dielektrikummal legyen bevonva és a többi elektródához képest ellentétes polaritást kapjon.
Különösen abban az esetben, ha a kisülési edényben agresszív közegek találhatók, előnyös, ha az elektródák
HU 215 307 Β egyike sem érintkezik közvetlenül a közeggel, és így a belső elektróda korróziója hatékonyan meggátolható. Ez például úgy érhető el, hogy az elektródák mindegyike a kisülési edényen kívül helyezkedik el, vagy ha a kisülési edényben lévő elektródák dielektromos réteggel vannak körülvéve.
A találmánynál nem alkalmazunk nagy felületű elektródákat. Az elektródák árnyékoló hatása ezért nagyon csekély. A dielektromosan gátolt elektródáknál a dielektrikummal érintkezésben álló elektródafelület aránya a teljes elektródafelülethez képest célszerűen viszonylag kicsi. Egy különösen előnyös kiviteli példánál a dielektromosan gátolt elektródák a kisülési edény külső falára felvitt vékony csíkok. Alkalmasak a rácsszerű külső elektródák is, mint például a rácshálók, lyuggatott lemezek vagy hasonlók. Annak érdekében, hogy a kisülési edény térfogatát optimálisan ki lehessen használni, a belső elektróda lehetőleg kis kiteqedéssel rendelkezik a kisülés irányában. Egy különösen előnyös kiviteli példánál a belső elektróda rúd alakú.
Az egyoldali vagy kétoldalt dielektromosan gátolt kisülés nagyszámú kisülési edény geometria megvalósítását teszi lehetővé, többek között olyanokat, amelyek hagyományosan üzemeltetett dielektromosan gátolt kisülési lámpáknál kerültek alkalmazásra és például az EP-A 0385 205, EP-PS 0312732, EP-A 0482230, EP-A 0363 832, EP-A 0458140, EP-A 0449018 és az EP-A 0 489 184 ismertet.
Kis keresztmetszetű kisülési edényeknél az elektródákat célszerű úgy elrendezni, hogy a megfelelő anódok és katódok távolsága lehetőleg nagy legyen. Például kis keresztmetszetű hengeres kisülési edényeknél a belső elektródát célszerű acentrikusan a kisülési edényen belül, a külső elektródát pedig azzal szemben átlósan a külső falon rögzíteni. A kisülési út hossza az elektródák szakaszolásával tovább növelhető. Ehhez a belső- és külső elektróda váltakozva két különböző tartománnyal rendelkezik, amelyeken belül a kisülés megindul, illetve el van nyomva. Az elektródák úgy vannak elrendezve, hogy két egymással ellentétes szakasz kerüljön egymással szembe, miáltal a radiális kisülési struktúrák elnyomhatok. A kisülés ilyenkor ferde ívet alkot a legközelebbi ellenelektróda szomszédos szakaszáig. Ez például úgy érhető el, hogy az elektródákon felváltva van kiegészítő dielektromos réteg.
Nagyobb keresztmetszetek esetén a belső elektróda előnyösen központosán van elhelyezve a kisülési edényben, és több külső elektróda van a kisülési edény külső falára rögzítve, amelyek célszerűen szimmetrikusan és egyenletesen vannak elosztva.
A kisülési edény formája nincs kötelezően meghatározva. Az alkalmazási cél függvényében az edényfalakat olyan anyagból kell kialakítani, amely a kívánt sugárzáshoz - legalább egy meghatározott aperturán belül - kellőképpen átlátszó. Dielektromos korlátként az alkalmazott nagyfeszültségen is átütésbiztos, villamosán szigetelő anyagok (dielektrikumok), mint például boroszilikátüvegek, például DURAN® (Schott művek), kvarcüveg A12O3, MgF2, LiF, BaTiO3 stb. használhatók. A dielektrikum fajtájával és vastagságával is befolyásolni lehet a kisülési struktúrát. Különösen a kellően vastag, megfelelően alacsony dielektromos állandójú dielektrikumok alkalmasak a találmány szerinti, viszonylag kis elektronsűrűségű kisülési struktúra támogatására, illetve arra, hogy a nagy elektronsűrűségű és áramsűrűségű nem kívánt kisülési struktúrákat megakadályozzuk. Leegyszerűsítve, ez egyrészt abból adódik, hogy az eltolási áramsűrűség által okozott helyi feszültségesés a dielektrikumon egyenesen arányos annak vastagságával és fordítottan arányos annak dielektromos állandójával. Másrészt a dielektrikumon eső feszültség az áramsűrűség növekedése ellen hat.
A sugárzás spektrális összetétele lényegében a gáztöltéstől függ, és például a látható infravörös (IR) vagy ultraibolya (UV) tartományba eshet. Gáztöltésként elvileg bármely töltés megfelel, amelyet a hagyományosan működtetett dielektromosan gátolt kisülési lámpákban lehet alkalmazni, és például a DE-OS 40 22 279, EP-A 0449018, EP-A 0254111, EP-A 0324953 és az EP-A 0312 732 ismertet, valamint olyan töltőgázok, amelyeket az excimer-, illetve exciplex-lézerekben alkalmaztak (például I. S. Lakóba és S. I. Yakovlenko, „Exciplex lézerek aktív közegei (áttekintés)”, Sov. J. Quantum Electron. 10(4), 1980. április, 389. o., valamint Ch. K. Rhodes, Ed., „Excimer lézerek”, Springer, 1984). Ide tartoznak többek között a nemesgázok és azok keverékei, nemesgáz és halogének vagy halogénvegyületek keverékei, fémgőzök és azok keverékei, nemesgázok és fémgőzök keverékei, nemesgázok és fémgőzök, valamint halogének vagy halogénvegyületek keverékei, továbbá a következő elemek önmagukban vagy egymással kombinálva, amelyek az előbb említett töltőgázokhoz is hozzáadhatok: hidrogén, deutérium, oxigén, nitrogén, nitrogén-oxidok, szén-monoxid, szén-dioxid, kén, arzén, szelén és foszfor. Különösen a találmány szerinti üzemeltetési eljárás következtében igen hatékony, az excimer kisülésnél is alkalmazható UVsugárzás széles alkalmazási területet nyit meg a nagyteljesítményű UV-sugárzók előtt, amilyent az EP-A 0482230 is említ. Ehhez tartoznak többek között a fotokémiai eljárások, mint például lakkok kikeményítése, felületek megváltoztatása, az ivóvíz vagy hasonlók csírátlanítása, és a káros anyagok lebontása a környezetben UV-sugárzással. Különösen az utóbbi alkalmazási területen előnyös, ha a kisülést a besugárzandó közeg közvetlen közelébe tudjuk vinni, azaz ha nem alkalmazunk hermetikusan zárt kisülési edényt és ezáltal nem csökkentjük az edényfalakkal a sugárzás rövidhullámú összetevőjét. Különösen UV- vagy VUV-sugárzás előállításánál jelentkezik a találmány szerinti üzemeltetési eljárással elérhető magas UV-nyereség további lényeges előnye: a technika állása szerinti, hasonló fénysűrűségű UV- vagy VUV-sugárzókkal szemben a találmány szerinti megoldásnál nincs szükség vízhűtésre. Egy másik előnyös alkalmazási terület a világítás, amihez az UV-sugárzást megfelelő világító anyag segítségével az elektromágneses spektrum látható tartományába lehet konvertálni.
A találmány további előnyei: nincs szükség külső áramhatárolásra, a lámpa dimmelhető, több lámpa pár5
HU 215 307 Β huzamos üzeménél is csak egy feszültségforrásra van szükség, a világítástechnikában szükséges teljesítménysűrűség mellett nagy hatékonyságú sugárzáselőállítás lehetséges.
A találmány egyik előnyös kiviteli példájánál a kisülési edény fala világító anyagréteggel van bevonva annak érdekében, hogy a kisülésnél keletkező sugárzás a megfelelő spektrális tartományba transzformáljuk. A világítóréteges bevonat mind a kisnyomású, mind pedig a nagynyomású lámpáknál alkalmazható. Ehhez önmagukban ismert világító anyagok vagy keverékek alkalmazhatók. Világító anyagokat tartalmazó lámpáknál (fénycsöveknél) különösen beváltak a kék, zöld és piros fényt kibocsátó világító anyagok. Megfelelő kéken világitó anyag például a kétértékű európiummal aktivált bárium-magnézium-aluminát (BaMgAl10Oi7:Eu2+). Zöld komponensként főként terbiummal vagy mangánnal aktivált világító anyagok alkalmazhatók. Példaként említjük a terbiummal aktivált ittrium-oxid-szilikátot (Y2SiO5:Tb) vagy a lantánfoszfátot (LaPO4:Tb), illetve a kétértékű mangánnal aktivált cink-szilikátot (Zn2SiO4:Mn) vagy magnéziumaluminátot (MgAl2O4:Mn). Előnyös piros komponens található például a háromértékű európiummal aktivált világító anyagok között, ilyen például az ittrium-oxid (Y2O3:Eu3+) vagy az ittrium és/vagy gadolinium borátjai között. Ilyen anyagok például az YBO3:Eu3+, a GdBO3:Eu3+ és a (Gd,Y)BO3:Eu3+ borát keverék.
Meleg fényű lámpákhoz - az ismert fénycsöveknél ismert eljárásnak megfelelően - a kék komponenst tartalmazó rész csökkenthető vagy akár teljesen el is hagyható.
Speciális színhatású lámpákhoz olyan komponensek alkalmasak, amelyek a kékeszöld spektrumtartományban emittálnak. Ilyenek például a kétértékű európiummal aktivált világító anyagok. Ilyen célra előnyösen alkalmazható a stroncium-borofoszfát Sr6BP502o:Eu2+.
A találmány áttörést jelent a világító anyagú lámpák (fénycsövek) területén. Első alkalommal sikerült a töltésből teljesen kiküszöbölni a higanyt, és ennek ellenére olyan belső UV-sugárzási hatásfokot elérni, ami megfelel a hagyományos fénycsövekének. A hagyományos fénycsövekkel összehasonlítva ezáltal még a következő előnyök adódnak. Problémamentes a hidegindítás, anélkül, hogy a környezeti hőmérséklet hatással lenne a fényáramra vagy burafeketedés lépne fel. Nincs szükség az élettartamot korlátozó elektródákra (pl. emittáló pasztás izzókatódok), nehézfémekre és radioaktív elemekre (glimmgyújtó). Az izzólámpákkal és az izzókatódos kisülési lámpákkal ellentétben a sugárzás jelentősebb késleltetés nélkül indul meg, közvetlenül az üzemi feszültség elektródákra kapcsolása után (a kisülési világítás késleltetése körülbelül 10 ps, világító anyaggal körülbelül 6 ms). Ezzel szemben az izzólámpák felgyulladási ideje körülbelül 200 ms. Ez különösen előnyös a fénykijelző berendezésekben, mint például közlekedési jelzőlámpákban való alkalmazása esetén.
A találmányt a továbbiakban a mellékelt rajzon bemutatott kiviteli példák alapján ismertetjük részletesebben, ahol az
1. ábra a találmány szerinti kisülési lámpa rúd alakú kiviteli példájának részben metszett oldalnézeti rajza, a
2a ábra az 1. ábra szerinti kisülési lámpa A-A vonal menti keresztmetszeti rajza, a
2b ábra a találmány szerinti kisülési lámpa másik kiviteli példájának keresztmetszeti rajza, a
2c ábra a találmány szerinti kisülési lámpa további kiviteli példájának keresztmetszeti rajza, a
3a ábra az 1. ábra szerinti egyoldali dielektromosan gátolt kisülési lámpa katódja és anódja közötti feszültség találmány szerinti előnyös alakjának vázlatos rajza, a
3b ábra kétoldalt dielektromosan gátolt kisülési lámpánál alkalmazható feszültségforma vázlatos rajza, a
4a ábra a találmány szerinti kisülési lámpa lapos sugárzóként kialakított kiviteli példájának részben metszett felülnézeti rajza, a
4b ábra a 4a ábra szerinti kisülési lámpa keresztmetszeti rajza, az
5a ábra a találmány szerinti kisülési lámpa Edison-menetes fejű, hagyományos kiviteli példájának oldalnézete, az
5b ábra az 5 a ábrán látható kisülési lámpa A-A vonal menti keresztmetszeti rajza, a
6a ábra a találmány szerinti eljárásnál alkalmazott, negatív értékű unipoláris feszültségimpulzusok UP(t) néhány lehetséges formájának sematikus rajza, a
6b ábra a találmány szerinti eljárásnál alkalmazott, bipoláris feszültségimpulzusok UP(t) néhány lehetséges formájának sematikus rajza, a
6c ábra a 6a és a 6b ábra szerinti jelalakok kombinációjával létrehozott, találmány szerinti feszültségimpulzusok UP(t) néhány lehetséges formájának sematikus rajza, a
7. ábra az U(t) feszültség, az I(t) áram és a P(t) =
U(t) · I(t) teljesítmény találmány szerinti eljárásnál mért időfüggvénye (173 hPa Xe, 25 kHz impulzusfrekvencia), a
8. ábra a 7. ábra szerinti függvények módosított időtengelyen, a
9a, b ábra a találmány szerinti kisülési struktúrák fényképfelvétele, és a lOa-dábraa nem kívánt kisülési struktúrák átmeneti állapotainak fényképfelvétele.
Az 1. ábra alapján a találmány legegyszerűbb kiviteli alakja ismerhető meg. Az ábrán egy közepes nyomású 1 kisülőlámpa látható részben metszett oldalnézeti rajzon, amely 200 hPa nyomású xenonnal van feltöltve. A hossztengelyt meghatározó, 590 mm hosszú, 24 mm átmérőjű 0,8 mm vastag üvegfalú hengeres 2 kisülési edényben a tengellyel párhuzamos 3 belső elektróda található, amely 2,2 mm átmérőjű nemesacélrúdból van kialakítva. A 2 kisülési edényen kívül 4 külső elektróda található, amely két, egyenként 2 mm széles 4a, b vezető ezüstcsíkból van kialakítva, amelyek ugyancsak a tengellyel párhuzamosan vannak elrendezve és a feszültségforrásra vannak csatlakoztatva. Az egyes 4a, b vezető ezüstcsíkok, amint az a jelen kiviteli példánál is látható, fémgyűrűvel összeköthetők és közösen is csat6
HU 215 307 Β lakoztathatók a feszültségforrásra. Eközben ügyelni kell arra, hogy a fémgyűrű elég vékony legyen és ne zavarja a kisülést. A 4a, b vezető ezüstcsíkok egy másik kiviteli példánál külön-külön is rácsatlakoztathatok a feszültségforrásra. A 3 belső elektróda kengyelformájú 14 árambevezetővel van villamos vezető kapcsolatban. A 14 árambevezető 15 lapításon keresztül van kivezetve, amely tányér alakú 16 véglezárással csatlakozik gáztömören a 2 kisülési edényhez.
A bemutatott kiviteli példa egyik változatánál a 2 kisülési edény a fémgyűrűnél nagyobb keresztmetszetű dudorral rendelkezik. Ezáltal a zavaró parazita kisülések létrejötte megakadályozható ebben a tartományban. A fenti kiviteli példa egy különösen előnyös változatánál a rúd alakú 3 belső elektróda csak egyik végén van mereven összekötve a tányér alakú 16 véglezárással. A másik, szabad vég a második tányér alakú véglezárással összekötött tengelyirányú hengeres csőben van - laza illesztéshez hasonlóan - lazán megvezetve. Ennek az az előnye, hogy a 3 belső elektróda a nagyteljesítményű tartós üzem közbeni felmelegedés hatására akadálytalanul kitágulhat tengelyirányban. Ellenkező esetben nemkívánatos feszültségek ébredhetnek a 2 kisülési edényben és/vagy a 3 belső elektróda meghajolhat. Egyébként az előbb említett jellemzők előnyös hatása nem korlátozódik a találmány szerint üzemeltetett lámpákra, hanem elvileg minden hasonló típusú lámpánál is alkalmazható.
A 2a ábrán az 1. ábra szerinti 1 kisülőlámpa keresztmetszete látható. A 3 belső elektróda központosán van elhelyezve, és a 2 kisülési edény külső falán két 4 külső elektróda van szimmetrikusan és a külső falon egyenletes elosztással elrendezve.
Az 1 kisülőlámpa találmány szerinti üzemét biztosító feszültségforrás elvi felépítése is az 1. ábrán látható. Az impulzussorozatot, azaz a feszültségimpulzusok alakját, időtartamát és a holtidők idejét 10 impulzusgenerátor határozza meg, annak jelét pedig az impulzusgenerátorhoz csatlakozó 11 teljesítményerősítő erősíti fel. Az impulzussorozatot sematikusan úgy ábrázoltuk, ahogy az a 3 belső elektródán megjelenik. All teljesítményerősítő jelét 12 nagyfeszültségű transzformátor transzformálja a szükséges nagyfeszültségre. A lámpát pulzált egyenfeszültséggel üzemeltetjük. Ehhez negatív négyszögjeleket állítunk elő, amint az a 3a ábrán látható. A feszültségimpulzus paraméterei: impulzusidő TP = 2 ps, holtidő To = 25 ps, feszültségamplitúdó a TP impulzusidő alatt UP = -3 kV és To holtidő alatt Uo = 0V.
A 2 kisülési edény belső fala járulékosan 6 világító bevonattal van ellátva. Az ennél a kiviteli példánál kibocsátott UV-sugárzás ezáltal az optikai spektrum látható tartományába konvertálódik, így a lámpa elsősorban világítási célra alkalmas. Jelen esetben három komponensű világító anyagot alkalmaztunk, amelynek összetevői: BaMgAl10O17:Eu2+ kék összetevőként, Y2SiO5:Tb zöld összetevőként és Y2O3:Eu3+ piros összetevőként. Ezzel 37 lm/W fénykinyerés érhető el. A fény visszaadó tulajdonság értéke 4000 K színhőmérsékleten Ra > 80. A világító anyaggal meghatározott
VUV-kinyerés értéke 65%. Néhány további feltöltési példa és üzemi adat az alábbi táblázatban található. A táblázatban használt jelölések közül p a gáznyomás, UP a feszültségimpulzus maximális értéke, uP feszültségimpulzus átütési távolságra (1,2 cm) és a nyomásra vonatkoztatott maximális értéke, ftvuv pedig az elérhető VUV-kinyerés értéke. A becsatolt villamos teljesítmény minden esetben 18 W, az impulzusidő TP (a maximális érték 10%-át elérő felfutójel és leíutójel közötti idő) körülbelül 1,5 ps (félértékszélesség 1 ps) és a holtidő To körülbelül 27 ps.
Táblázat
p(Xe) [hPa] p(Ne) [hPa] Up[kV] Up [V/cmPa] Πνυν
100 - 2,41 0,200 55
133 - 2,39 0,150 60
200 - 2,95 0,123 65
200 733 3,50 0,031 60
Egy további kiviteli példa látható a 2b ábrán, ahol a 3’ belső elektróda a belső fal közelében és nem központosán, de a hengeres 2 kisülési edény hossztengelyével párhuzamosan helyezkedik el, és a 4’ külső elektróda átlósan szemközt, a külső falon van rögzítve. Ez az elrendezés különösen a kis keresztmetszetű hengeres kisülési edényeknél alkalmazható előnyösen, mert a kisülési út ilyenkor a kisülési edényben átlósan megnő, és a kisülési edény külső fala csupán egyetlen vezető ezüstcsíkból kialakított külső elektródát hordoz, tehát a kisugárzó felületet nem korlátozza egy második külső elektróda, mint a 2a ábra szerinti kiviteli példánál.
A 2c ábrán látható további kiviteli példánál a 2a ábra szerinti változathoz hasonlóan a 3 belső elektróda a 2 kisülési edény belsejében van elhelyezve. A 2 kisülési edény külső falán szimmetrikusan és egyenletesen négy 4’a, 4’b, 4’d, 4’e külső elektróda van elrendezve, ami különösen nagy keresztmetszetű és ezáltal nagy palástfelületű kisülőlámpáknál előnyös. Az ilyen elrendezésnél a kisülés nem csupán egyetlen síkban jön létre, mint például a 2a és 2b ábra szerinti kiviteli példáknál, hanem egy második síkban is, miáltal a 2 kisülési edény térfogata még jobban kihasználható a sugárzás előállításához, mint a 2a és 2b ábra szerinti kiviteli példáknál.
Az 1. ábra szerinti kiviteli példa egy további változatánál a rúd alakú lámpa belső falán a 6 világító bevonat helyett UV-, illetve VUV-sugárzást visszaverő réteg van kialakítva például MgF2, A12O3 vagy CaF2 vegyületekből, és csak keskeny, célszerűen a lámpatengellyel párhuzamos csík marad bevonat nélkül a belső falon. A külső elektródák úgy vannak elrendezve, hogy az UV-, illetve VUV-sugárzás akadálytalanul áthatolhasson ezen a csíkon. Ez a kiviteli forma különösen alkalmas nagyobb kiterjedésű tárgyak hatékony VUV-besugárzására, például litográfiái megvilágításra. Ezen kiviteli példa egyik előnyös változatánál a belső elektródát egy második külső elektróda helyettesíti, miáltal az UV-, illetve VUV-sugárzás akadálytalanul visszaverőd7
HU 215 307 Β hét a tükröző bevonaton és a csíkszerű átlátszó résen kifelé emittálható.
A 3a ábrán az egyoldali dielektromosan gátolt kisülési lámpa belső elektródája (katódja) és külső elektródája (anódja) közötti feszültség találmány szerinti előnyös alakjának vázlatos rajza. A feszültségimpulzus jelalakja eltérhet a 3a ábrán látható példáktól, amíg a feszültségimpulzusok negatív értékekkel kezdődnek és az egyes impulzusokat To holtidő választja el egymástól.
A 3b ábra olyan impulzusformát mutat, ahol a polaritás impulzusonként váltakozik. Ez a jelalak csak a kétoldalt dielektromosan gátolt kisülési lámpáknál alkalmazható, ahol az első impulzus tetszőleges polaritással kezdődhet.
A 4a ábrán a találmány szerinti, egyoldali dielektromosan gátolt, a találmány szerinti eljárással üzemeltethető kisülési lámpa további kiviteli példájának felülnézete, a 4b ábrán pedig annak keresztmetszete látható. Ez tulajdonképpen egy lapos sugárzó, amelynek felső 7a kisugárzó felülete és alsó 7b kisugárzó felülete van, amelyekre merőlegesek a 3 belső elektródák és a 4 külső elektródák, amelyek felváltva úgy vannak elrendezve, hogy több egymással párhuzamos 8 kisülési kamra jön létre. Az egymással szomszédos külső elektródák és belső elektródák dielektromos réteggel és gázzal töltött 8 kisülési kamrával, a szomszédos 3 belső elektródák pedig csupán dielektromos réteggel vannak egymástól elválasztva. A találmány szerinti üzemeltetési eljárás lehetővé teszi, hogy több egymással párhuzamosan kapcsolt 8 kisülési kamrát egyetlen közös 13 feszültségforrásról tápláljunk. A kisülési edény belső fala 6 világító bevonattal van ellátva. A felületi sugárzó kétoldalt dielektromosan gátolt kisülési kamrák összeillesztésével is megvalósítható.
Az 5a ábrán oldalnézetben, az 5b ábrán pedig keresztmetszetben látható a találmány szerinti kisülési lámpa egy további kiviteli alakja. Ez külső formájában hasonlít a 9 Edison-lámpafejjel ellátott hagyományos lámpákhoz és az új eljárás szerint is üzemeltethető. A 2 kisülési edény belsejében hosszúkás 3 belső elektróda van központosán elhelyezve, amelynek keresztmetszete egy szimmetrikus keresztet alkot. A 2 kisülési edény külső falán négy 4’a, 4’b, 4’d, 4’e külső elektróda van elrendezve úgy, hogy azok a 3 belső elektróda négy hosszanti oldalával szemben állnak, és ezáltal a kisülési struktúrák lényegében két egymásra merőleges, a lámpa hossztengelyében egymást metsző síkban jönnek létre.
A fenti kiviteli példa egy másik előnyös változatánál a belső elektróda körkeresztmetszetű és 2 mm átmérőjű nemesacél rúdból van kialakítva, és egy 0,7 mm falvastagságú hengeres kisülési edényben van központosán elhelyezve. A kisülési edény átmérője körülbelül 50 mm, a fejjel ellentétes végén szívócsonk van, amelybe a belső elektróda fejjel ellentétes vége benyúlik. A kisülési edény belseje 173 hPa nyomáson xenonnal van feltöltve. A külső elektródákat tizenkét 1 mm széles, 8 mm hosszú vezető ezüstcsík alkotja, amelyek a tengellyel párhuzamosan és a kisülési edény külső falán egyenletes elosztással vannak elrendezve. A külső elektródák a lámpafej tartományában egymással villamosán vezető módon össze vannak kötve egy, a kisülési edény külső falára felhúzott vezető ezüstgyűrű által. A 2 kisülési edény belső fala 6 világító bevonattal van ellátva. Ennél a kiviteli példánál három komponensű világító anyagot alkalmaztunk, amelynek összetevői: BaMgAl10O17:Eu2+ kék összetevőként, LaPO4:(Tb3+,Ce3+) zöld összetevőként és (Gd,Y)Bo3:Eu3+ piros összetevőként. Ezzel 40 lm/W fénykinyerés érhető el. A színhőmérséklet 4000 K és a színhely a CIE szabványos színtáblán x=0,38 és y=0,377 koordinátákkal határozható meg. Az U(t) feszültség, az I(t) áram és a P(t) = U(t) · I(t) teljesítmény idő függvénye a 7. ábrán, módosított időtengellyel pedig a 8. ábrán látható. A belső elektróda külső elektródára vonatkoztatott feszültségének maximális értéke körülbelül -4 kV. Az impulzusidő (a maximális érték feléhez tartozó idő) és a holtidő körülbelül 1,2 ps, illetve 37,5 ps. A 8. ábrán ezenkívül az U(t) feszültségfuggvény második főimpulzusa előtt négy, kisebb amplitúdójú előimpulzus látható. Amint az I(t) áram és P(t) teljesítmény függvényeinél megfigyelhető, az előimpulzusok alatt nem folyik áram, és így nem csatolódik villamos teljesítmény sem a gázba. Ennek köszönhetően az ilyen előimpulzusok nem károsak a találmány szerinti eljárásnál. 25 kHz-es impulzusfrekvencia mellett körülbelül 65%-os VUV-kinyerés érhető el.
Az előbbi kiviteli példa egy további változatánál a kisülési edény az UV- és a VUV-sugárzás számára átlátszó (transzparens) anyagból, például a SUPRASIL® - kvarcüvegből (Heraeus Quarzschmelze GmbH) készül. Ez alkalmas a VUV-sugárzóknál, például a fotokémiában. Egy másik változatnál a belső elektróda üveggel van bevonva. Ez különösen agresszív közegek, mint például nemesgáz-halogenidek alkalmazása esetén előnyös, mert így a belső elektróda korróziója meggátolható.
A 9a, b ábrákon fényképfelvételek láthatók a találmány szerint unipoláris feszültségimpulzusokkal létrehozott kisülési struktúrákról. A 9a ábrán kétoldalt dielektromosan gátolt kisülés látható. Körhenger alakú csőszerű üveg kisülési edény külső falán két egymással átlósan szemközti tengelyirányú csíkszerű külső elektródával van ellátva. A kisülési edény belsejében és a két külső elektródát összekötő síkban vannak egy sorban a zöldes delta-alakú kisülési struktúrák. A delta-alakú kisülési struktúrák keskeny talppontjai a katódoldali belső falon kezdődnek és kiszélesedve az anódoldali belső falig terjednek. A 9b ábrán egyoldali dielektromosan gátolt kisülés látható. A kisülési elrendezés abban különbözik a 9a ábra szerintitől, hogy ennél egy további, fémes belső elektróda van a kisülési edény belsejében központosán elhelyezve, amely katódként működik. A belső elektróda felületétől kezdődően kiszélesedő delta-alakú kisülési struktúrák láthatók mindkét külső elektróda irányában. A 9b ábrán különösen jól látható, hogy ezek a struktúrák lényegében egyenletesen diffúz fényt adnak, és csak a katódoldali csúcsnál van egy valamivel fényesebb tartományuk. Ezenkívül figyelemre méltó a struktúrák nagyfokú egyenletessége, ami
HU 215 307 Β egyrészt az egyes struktúrák egymás közötti távolságára, másrészt pedig a fénysűrűség eloszlására vonatkozik egymáshoz képest.
Az egyforma kisülési struktúrák ilyen sokasága szemmel láthatóan ellentétben áll a lOa-d ábrákon látható fényképfelvételekkel. Ezeken az ábrákon látható a fokozatos átmenet a nem kívánatos kisülési struktúrák irányában. A 10a ábrán - amelyhez a 9b ábrának megfelelő kisülési elrendezés tartozik - még megfigyelhető néhány találmány szerinti delta-alakú kisülési struktúra. Baloldalt alul a kisülési elrendezés képén viszont már látható egy Y-alakú kisülési struktúra kialakulása. A kép felső részén, a kép közepétől kissé balra, már kialakult egy szálszerű fényes kisülési struktúra néhány, eredetileg jobb oldalt létrejött delta-alakú kisülési struktúra rovására. A megnövekedett fényerő a kisülési edény belső falán ebben a tartományban csúszó kisülés kialakulására utal. A 10b ábrán látható kisülés a 10a ábrához képes további UV-sugárzási hatásfokcsökkenést mutat. Az ebben a tartományban korábban kialakult delta-alakú kisülési struktúrák száma tovább csökkent. A 10c és lOd ábrákon kétoldalt dielektromosan gátolt kisülés (a kisülési elrendezés megfelel a 9a ábra szerintinek), illetve egyoldali dielektromosan gátolt kisülés látható. Mindkét esetben már csak egy szál alakú kisülési struktúra látható. Az anód tartományában egykét csíkszerű csúszó kisülés ismerhető fel a kisülési edény belső falán. Ezek Y-alakban torkollnak egy fényesen világító ív alakú struktúrába, ami a szemközti katódoldali belső falon ismét két hasonló csíkszerű csúszó kisülésre osztódik (10c ábra) vagy - egyoldali dielektromosan gátolt kisülés esetén - a katódon végződik.
A találmány nem korlátozódik az itt bemutatott kiviteli példákra. Szakember számára nyilvánvaló, hogy az egyes kiviteli példák jellemzői megfelelő módon egymással kombinálhatók.

Claims (25)

  1. SZABADALMI IGÉNYPONTOK
    1. Eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás, különösen kisülőlámpa (1) működtetésére dielektromosan gátolt kisüléssel, amelynél a legalább részben áttetsző, villamosán nem vezető anyagból készült kisülési edény (2) gáztöltéssel (5) van feltöltve és legalább két elektróda van a gáztöltés (5) közelében elhelyezve és árambevezetőkön (14) keresztül villamos energiaforrásra csatlakoztatva, és ahol legalább az egyik elektróda és a gáztöltés (5) között dielektromos réteg van elhelyezve, azzal jellemezve, hogy a villamos energiaforrásból feszültségimpulzusok olyan sorozatátjuttatjuk az elektródákra, amelynek az egyes impulzusai (η) Tp,, = 1 ns... 50 ps idejű UPn(t) feszültséglefutásúak, és az egyes feszültségimpulzusokat TOn = 500 ns... 1 ms holtidejű Uon(t) feszültséglefutású szünet követi és választja el, ahol a Tp„ idő alatti Up„(t) feszültségfüggvényeket úgy választjuk meg, hogy a Tp„ idő alatt a gáztöltésbe (5) lényegében hatásos teljesítményt csatolunk be, míg a Tqh holtidő alatti UoJt) feszültségfüggvényeket úgy választjuk meg, hogy a gáztöltés (5) visszatérhessen egy olyan állapotba, amely az előző Up„(t) feszültségimpulzus előtti állapothoz hasonlít, és az Upjt), Tp„, UOn(t), értékeket úgy választjuk meg egymáshoz képest, hogy az elektródák között viszonylag kis áramsűrűségű kisülési struktúrák jönnek létre.
  2. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az UPn(t) feszültségfüggvények unipolárisak, és az unipoláris esetben a kisülés egyes Δ-szerű kisülési struktúrákat hoz létre, és kétoldalt dielektromosan korlátozott kisülés váltakozó polaritása esetén ennek megfelelően két ilyen kisülési struktúra tükörképszerű egymásra rakodása jön létre, ami egy Z-ra hasonlít, ahol az egyes ilyen kisülési struktúrák egymás közötti távolsága annyira lecsökkenhet, hogy határesetben az egész kisülési sík „függöny”-szerű struktúrát alkot.
  3. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a Το„ időket úgy választjuk meg, hogy az egyes kisülési struktúrák térfogatának időbeli középértéke maximális legyen.
  4. 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az elektródák (3,4) között, a Tpn idő alatt alkalmazott Up„(t) feszültségfüggvényeknek a kisülés újragyújtási feszültségének megfelelő értékeit választjuk.
  5. 5. A 4. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az Upn(t) és az U^jt) feszültségfüggvényeket, valamint a Tp„ és Tqh időket a töltőnyomásnak, a töltés fajtájának, az átütési távolságnak, a dielektrikumnak és az elektróda konfigurációnak megfelelően választjuk meg.
  6. 6. Az 5. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egy vagy több alapformából - mint például háromszög, négyszög, trapéz, lépcső, ív, parabola, szinusz - közvetlenül vagy közelítőleg összetett Uprft) feszültségfüggvényeket választunk.
  7. 7. A 6. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az elektródák (3, 4) között a Τρπ idők alatti Upjt) feszültségfüggvények maximumát legalább az újragyújtási feszültségnek megfelelően választjuk meg, és ehhez hozzáadjuk a dielektrikum által okozott feszültségesést is.
  8. 8. A 7. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a feszültségimpulzusok maximális értékeit 0,01 és 2 V között választjuk meg átütési távolság cm-enként és töltőnyomás Pa-onként.
  9. 9. Az 1-8. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a viszonylag kis áramsűrűségű kisülési struktúrák kialakulását kellően vastag dielektromos rétegekkel és elegendően alacsony relatív dielektromos állandó megválasztásával is támogatjuk.
  10. 10. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a feszültségfüggvény periodikus.
  11. 11. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a dielektromos réteget legalább az egyik elektródánál a kisülési edény (2) fala képezi.
  12. 12. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a dielektrikummal kapcsolatban álló elektródafelület és az elektróda kerület aránya viszonylag kicsi.
    HU 215 307 Β
  13. 13. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az egyoldalt dielektromosan gátolt kisülés esetében a dielektromosan nem gátolt elektróda és a dielektromosan gátolt elektróda közötti Up„(t) feszültségfüggvények a teljesítmény becsatolás alatt negatív értékekkel kezdődnek - eltekintve az esetleges pozitív, a hatásos teljesítményre vonatkoztatva jelentéktelen feszültségcsúcsoktól.
  14. 14. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az egyoldalt dielektromosan gátolt kisülés esetében a dielektromosan nem gátolt elektróda és a dielektromosan gátolt elektróda közötti UPn(t) feszültségamplitúdók a teljesítmény becsatolás alatt kizárólag negatívak - eltekintve az esetleges pozitív, a hatásos teljesítményre vonatkoztatva jelentéktelen feszültségcsúcsoktól.
  15. 15. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a kétoldalt dielektromosan gátolt elektródák között több dielektromosan gátolt elektróda alkalmazása esetén unipoláris vagy bipoláris feszültségimpulzusokat vagy változó polaritású feszültségimpulzusokat alkalmazunk.
  16. 16. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a kétoldalt dielektromosan gátolt elektródák között több dielektromosan gátolt elektróda alkalmazása esetén bipoláris feszültségimpulzusokat alkalmazunk.
  17. 17. Az 1-16. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egy vagy több, a kisülési edényben (2) elhelyezett, különösen rúd alakú vagy csík alakú elektróda alkalmazása esetén az elektródákat centrikusán vagy acentrikusan helyezzük el, és egy vagy több elektródát dielektromosan körülveszünk.
  18. 18. Az 1-17. igénypontok bármelyike, különösen az 1. vagy 12. vagy 17. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egy vagy több, a kisülési edényen (2) kívül elhelyezett elektróda esetén az elektródák csík alakúak.
  19. 19. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a kisülési edényt (2) cső alkotja, amelynek hossztengelyében belső elektróda (3) van elrendezve, és annak külső falán legalább egy külső elektróda (4) van elhelyezve.
  20. 20. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a kisülési edénynek (2) négyszögletes felületi szerkezete van, amelyet oldallapok és két fedőlapot alkotó kisugárzó felületek (7a, 7b) határolnak, és ahol a fedőlapokra merőlegesen a belső elektródák (3) és a külső elektródák (4) úgy vannak elhelyezve, hogy több, négyszögletes felületi szerkezet kisugárzó felületével (7a, 7b), azaz a fedőlapjaival párhuzamos közös síkban elhelyezkedő, párhuzamos kisülési kamra (8) jön létre, ahol az egymással szomszédos és eltérő potenciálú elektródákat (3, 4) gázzal töltött kisülési kamra (8) és dielektromos réteg választja el egymástól.
  21. 21. A 20. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy az elektródákat dielektromos réteg választja el a gázzal töltött kisülési kamrától (8).
  22. 22. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a kisülési edény (2) lényegében hengeres, és egyik végén fejelt (9), továbbá a kisülési edényen (2) belül előnyösen egyoldalt rögzített, centrikus rúd alakú belső elektróda (3) van és a kisülési edény (2) külső falán legalább egy csík alakú elektróda van elhelyezve.
  23. 23. A 22. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a belső elektróda (3) körkeresztmetszetű.
  24. 24. Az 1-23. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a gázteret határoló falak legalább részben világító bevonattal (6) vannak bevonva.
  25. 25. Az 1-24. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a gáztöltés (5) üzemi nyomása 100 Pa és 3 MPa között van, előnyösen több mint 1 kPa.
HU9502905A 1993-04-05 1994-04-05 Eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére HU215307B (hu)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4311197A DE4311197A1 (de) 1993-04-05 1993-04-05 Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle

Publications (3)

Publication Number Publication Date
HU9502905D0 HU9502905D0 (en) 1995-12-28
HUT71766A HUT71766A (en) 1996-01-29
HU215307B true HU215307B (hu) 1998-11-30

Family

ID=6484818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9502905A HU215307B (hu) 1993-04-05 1994-04-05 Eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére

Country Status (10)

Country Link
US (2) US5714835A (hu)
EP (4) EP0738311B1 (hu)
JP (6) JP3714952B2 (hu)
KR (1) KR100299151B1 (hu)
CN (1) CN1066854C (hu)
CA (2) CA2155340C (hu)
CZ (1) CZ286740B6 (hu)
DE (5) DE4311197A1 (hu)
HU (1) HU215307B (hu)
WO (2) WO1994023442A1 (hu)

Families Citing this family (493)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19517515A1 (de) * 1995-05-12 1996-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe und Verfahren zum Betreiben derartiger Entladungslampen
DE19526211A1 (de) * 1995-07-18 1997-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben von Entladungslampen bzw. -strahler
US6153971A (en) * 1995-09-21 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source with only two major light emitting bands
DE19543342A1 (de) * 1995-11-22 1997-05-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren und Strahlungsanordnung zur Erzeugung von UV-Strahlen zur Körperbestrahlung sowie Verwendung
DE19548003A1 (de) * 1995-12-21 1997-06-26 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsspannungsfolgen, insbesondere für den Betrieb von dielektrisch behinderten Entladungen
JP3277788B2 (ja) * 1996-01-16 2002-04-22 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
CN1534803B (zh) 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
DE19636965B4 (de) * 1996-09-11 2004-07-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektrische Strahlungsquelle und Bestrahlungssystem mit dieser Strahlungsquelle
JP3546610B2 (ja) * 1996-09-20 2004-07-28 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電装置
DE19651552A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe
JP3355976B2 (ja) * 1997-02-05 2002-12-09 ウシオ電機株式会社 放電ランプ点灯装置
US5998921A (en) * 1997-03-21 1999-12-07 Stanley Electric Co., Ltd. Fluorescent lamp with coil shaped internal electrode
CN1267967C (zh) * 1997-03-21 2006-08-02 电灯专利信托有限公司 背景照明用的平面荧光灯和带有该荧光灯的液晶显示装置
DE19711892A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
DE19711893A1 (de) 1997-03-21 1998-09-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flachstrahler
DE19718395C1 (de) * 1997-04-30 1998-10-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb
JP2001502843A (ja) * 1997-07-22 2001-02-27 パテント―トロイハント―ゲゼルシャフト フュール エレクトリッシェ グリューラムペン ミット ベシュレンクテル ハフツング パルス電圧列の発生方法およびそのための回路装置
DE19734883C1 (de) * 1997-08-12 1999-03-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
DE19734885C1 (de) * 1997-08-12 1999-03-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Erzeugen von Impulsspannungsfolgen für den Betrieb von Entladungslampen und zugehörige Schaltungsanordnung
DE69837500T2 (de) * 1997-11-06 2007-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Phosphormaterial und Plasma-Anzeigetafel
EP0926705A1 (de) 1997-12-23 1999-06-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahler mit örtlich modulierter Flächenleuchtdichte
EP0932185A1 (de) 1997-12-23 1999-07-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Signallampe und Leuchtstoffe dazu
US6045721A (en) * 1997-12-23 2000-04-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fur Elekrische Gluhlampen Mbh Barium magnesium aluminate phosphor
JP3353684B2 (ja) * 1998-01-09 2002-12-03 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
JP3521731B2 (ja) 1998-02-13 2004-04-19 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ光源装置
DE19811520C1 (de) * 1998-03-17 1999-08-12 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19817480B4 (de) * 1998-03-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Flachstrahlerlampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit Abstandshaltern
DE19817475B4 (de) * 1998-04-20 2004-04-15 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden sowie Beleuchtungssystem mit einer solchen Entladungslampe
DE19817476B4 (de) 1998-04-20 2004-03-25 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke
DE19817477A1 (de) * 1998-04-20 1999-10-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe mit auf die geometrische Entladungsverteilung abgestimmter Leuchtstoffschichtdicke
DE19826808C2 (de) * 1998-06-16 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19826809A1 (de) * 1998-06-16 1999-12-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE19839329A1 (de) 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19839336A1 (de) 1998-08-28 2000-03-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Elektronisches Vorschaltgerät für Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Entladungen
DE19843419A1 (de) 1998-09-22 2000-03-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit dielektrisch behinderten Elektroden
DE19844721A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration
DE19844720A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
DE19844725A1 (de) * 1998-09-29 2000-03-30 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Gasentladungslampe mit steuerbarer Leuchtlänge
DE19905219A1 (de) 1998-09-30 2000-08-31 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE19845228A1 (de) * 1998-10-01 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dimmbare Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen
JP4587567B2 (ja) * 1998-10-20 2010-11-24 三星エスディアイ株式会社 プラズマ表示パネル
DE19858810A1 (de) 1998-12-21 2000-06-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren
WO2000058998A1 (en) * 1999-03-25 2000-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting arrangement
US6191539B1 (en) * 1999-03-26 2001-02-20 Korry Electronics Co Fluorescent lamp with integral conductive traces for extending low-end luminance and heating the lamp tube
DE19916877A1 (de) * 1999-04-14 2000-10-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Sockel
DE19919169A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-02 Philips Corp Intellectual Pty Vorrichtung zur Desinfektion von Wasser mit einer UV-C-Gasentladungslampe
DE19927791A1 (de) 1999-06-18 2000-12-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Farbanzeige mit sequentieller Primärfarberzeugung
DE19928438A1 (de) * 1999-06-23 2000-12-28 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe
EP1176853B1 (en) 1999-10-18 2008-04-02 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Dielectric barrier discharge lamp light source
DE19953531A1 (de) 1999-11-05 2001-05-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Elektrodenhalterung
DE19955108A1 (de) * 1999-11-16 2001-05-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit verbesserter Temperaturhomogenität
DE19960053A1 (de) 1999-12-13 2001-06-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung
DE10005975A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-16 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Betriebsverfahren für eine Entladungslampe mit mindestens einer dielektrisch behinderten Elektrode
DE10011484A1 (de) 2000-03-09 2001-09-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verbessertes Pulsbetriebsverfahren für eine Stille Entladungslampe
DE10014407A1 (de) * 2000-03-24 2001-09-27 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe
CA2406194A1 (en) * 2000-04-14 2001-10-25 Macquarie Research Ltd. Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
US6541924B1 (en) 2000-04-14 2003-04-01 Macquarie Research Ltd. Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
AU2001250151B2 (en) * 2000-04-14 2004-07-22 Macquarie Research Ltd Methods and systems for providing emission of incoherent radiation and uses therefor
EP1277224B1 (en) 2000-04-19 2007-08-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. High-pressure discharge lamp
DE10023504A1 (de) * 2000-05-13 2001-11-15 Philips Corp Intellectual Pty Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe, Verfahren zum Herstellen einer Edelgas-Niederdruck-Entladungslampe Lampe sowie Verwendung einer Gasentladungslampe
DE10026913A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-06 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Leuchtstoffschicht
US6961441B1 (en) 2000-09-29 2005-11-01 General Electric Company Method and apparatus for steganographic embedding of meta-data
DE10048409A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation
DE10048410A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe
JP3818043B2 (ja) * 2000-10-12 2006-09-06 株式会社日立製作所 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置
JP2002212553A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Kasei Optonix Co Ltd 真空紫外線用燐酸ランタン蛍光体及び希ガス放電ランプ
DE10104364A1 (de) * 2001-02-01 2002-08-14 Philips Corp Intellectual Pty Plasmabildschirm mit einer Leuchtstoffschicht
JP3471782B2 (ja) * 2001-02-13 2003-12-02 Nec液晶テクノロジー株式会社 平面型蛍光ランプユニット及びそれを用いた液晶表示装置
DE10111191A1 (de) 2001-03-08 2002-09-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren mit Kontaktsystem
DE10121095A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10122211A1 (de) 2001-05-08 2002-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Beleuchtungsvorrichtung mit Spiegelfläche
US6833677B2 (en) * 2001-05-08 2004-12-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. 150W-1000W mastercolor ceramic metal halide lamp series with color temperature about 4000K, for high pressure sodium or quartz metal halide retrofit applications
DE10126159A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-05 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10129630A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-02 Philips Corp Intellectual Pty Niederdruckgasentladungslampe mit Leuchtstoffbeschichtung
DE10133326A1 (de) 2001-07-10 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10133411A1 (de) * 2001-07-13 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verwendung eines UVA-Leuchtstoffs
DE10133949C1 (de) * 2001-07-17 2003-03-20 Inst Niedertemperatur Plasmaph Vorrichtung zur Erzeugung von Gasentladungen, die nach dem Prinzip der dielektrisch behinderten Entladung aufgebaut ist, für Lichtquellen und Sichtanzeigeeinrichtungen
DE10134965A1 (de) * 2001-07-23 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Flache Entladungslampe
DE10140355A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit Zündhilfe
DE10140356A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe
JP4727093B2 (ja) * 2001-09-12 2011-07-20 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
US6891334B2 (en) 2001-09-19 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display employing the same
EP1296357A2 (en) 2001-09-19 2003-03-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display employing the same
DE10147961A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verfahren sowie Schaltunggsanordnung zum Zünden und Betreiben dieser Lampe
US6806648B2 (en) * 2001-11-22 2004-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and liquid crystal display device
US6906461B2 (en) * 2001-12-28 2005-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device with inner and outer electrodes and liquid crystal display device
DE10214156A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-09 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit gewellter Deckenplattenstruktur
JP3889987B2 (ja) * 2002-04-19 2007-03-07 パナソニック フォト・ライティング 株式会社 放電灯装置及びバックライト
JP2003336052A (ja) * 2002-05-17 2003-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイ装置
DE10222100A1 (de) 2002-05-17 2003-11-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Sockel
DE10236420A1 (de) 2002-08-08 2004-02-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit verbesserter Farbwiedergabe
TWI230962B (en) * 2002-08-30 2005-04-11 Harison Toshiba Lighting Corp Lighting device
DE10254208A1 (de) * 2002-11-20 2004-06-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe und Verwendung dieser Lampe für die Röntgenbildbetrachtung
US6827877B2 (en) * 2003-01-28 2004-12-07 Osram Sylvania Inc. Red-emitting phosphor blend for plasma display panels
JP3793880B2 (ja) * 2003-02-06 2006-07-05 松永 浩 点灯装置
US6730458B1 (en) 2003-03-03 2004-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction
DE10312720A1 (de) * 2003-03-21 2004-09-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Quetschdichtung
US6831421B1 (en) 2003-03-24 2004-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Shunt-induced high frequency excitation of dielectric barrier discharges
EP1473348B1 (en) * 2003-04-30 2007-03-21 Centrum für Angewandte Nanotechnologie (CAN) GmbH Luminescent core/shell nanoparticles
DE10324832A1 (de) * 2003-06-02 2004-12-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Leuchtstoff
DE10326755A1 (de) 2003-06-13 2006-01-26 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
JP2007531205A (ja) * 2003-07-15 2007-11-01 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色調整可能な照明素子
DE10336088A1 (de) * 2003-08-06 2005-03-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäß
DE10347636A1 (de) * 2003-10-09 2005-05-04 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit mindestens einer Außenelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7964112B2 (en) * 2003-10-21 2011-06-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphor and phosphor paste
US7863816B2 (en) * 2003-10-23 2011-01-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
JP3872472B2 (ja) * 2003-11-12 2007-01-24 日亜化学工業株式会社 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管
DE10359882A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanordnung zum Betreiben von elektrischen Lampen
DE102004020398A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Außenelektroden und Beleuchtungssystem mit dieser Lampe
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US7196473B2 (en) * 2004-05-12 2007-03-27 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102004025266A1 (de) * 2004-05-19 2005-12-08 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einem Gehäuse und einer darin angeordneten Flachlampe
CN1961056A (zh) * 2004-05-27 2007-05-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含uv-a磷光体的低压汞蒸气放电灯
US20060006804A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Lajos Reich Dielectric barrier discharge lamp
US7446477B2 (en) * 2004-07-06 2008-11-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement
KR20060004791A (ko) * 2004-07-08 2006-01-16 삼성코닝 주식회사 평판 램프
US7390437B2 (en) * 2004-08-04 2008-06-24 Intematix Corporation Aluminate-based blue phosphors
JP4575123B2 (ja) * 2004-11-29 2010-11-04 浜松ホトニクス株式会社 誘電体バリア放電ランプ
CN101238548B (zh) * 2005-01-07 2012-05-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 分段的介质阻挡放电灯
KR20070117691A (ko) * 2005-03-30 2007-12-12 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 방전 램프 및 그러한 방전 램프를 포함하는 디스플레이장치를 백라이팅하기 위한 백라이팅 유닛
DE102005034505A1 (de) 2005-07-20 2007-02-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanorndung mit transformatorlosem Wandler mit Drossel für den gepulsten Betrieb von dielektrischen Barriere-Entladungslampen
KR100725763B1 (ko) 2005-12-05 2007-06-08 주식회사 신안유브이 전계 자외선 방전등
US7495396B2 (en) * 2005-12-14 2009-02-24 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp
DE102006010791A1 (de) * 2006-03-08 2007-09-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202006005212U1 (de) * 2006-03-31 2006-07-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit dielektrischer Barriere-Entladungslampe, Betriebsgerät und Verbindungskabel
CN101421374A (zh) * 2006-04-11 2009-04-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 包含uv-磷光体的放电灯
US20080174226A1 (en) 2007-01-23 2008-07-24 Nulight Technology Corporation Mercury-free flat fluorescent lamps
DE102007006861B3 (de) * 2007-02-12 2008-05-29 Universität Karlsruhe (Th) Transparente Strahlungsquelle und Verfahren zur Strahlungserzeugung
DE202007002131U1 (de) * 2007-02-13 2007-04-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungssystem mit einer Flachlampe und einem Rahmen
DE202007004236U1 (de) * 2007-03-22 2007-06-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Zündhilfe
JP4668287B2 (ja) * 2008-02-18 2011-04-13 シャープ株式会社 照明装置および液晶表示装置
WO2009139908A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Rutgers, The State University Fluorescent excimer lamps
US20110056513A1 (en) * 2008-06-05 2011-03-10 Axel Hombach Method for treating surfaces, lamp for said method, and irradiation system having said lamp
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5195371B2 (ja) * 2008-12-05 2013-05-08 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
DE102009030310A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Dielektrische Barriere-Entladungslampe mit Entladungsräumen
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9493366B2 (en) 2010-06-04 2016-11-15 Access Business Group International Llc Inductively coupled dielectric barrier discharge lamp
JP5504095B2 (ja) * 2010-08-10 2014-05-28 株式会社オーク製作所 放電ランプ
DE102010043208A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Vorrichtung zum Bestrahlen von Oberflächen
DE102010043215A1 (de) 2010-11-02 2012-05-03 Osram Ag Strahler mit Sockel für die Bestrahlung von Oberflächen
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
JP6055170B2 (ja) * 2011-06-15 2016-12-27 セイコーエプソン株式会社 光源装置、放電灯の駆動方法およびプロジェクター
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
TW201310497A (zh) * 2011-07-13 2013-03-01 Gs Yuasa Int Ltd 紫外線照射裝置
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
DE102012018854B4 (de) * 2012-09-25 2018-02-15 Berger GmbH & Co.KG Flächige Gasentladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit drei Elektroden und zwei Gasräumen
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
WO2014068622A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Empire Technology Development Llc Light guide structure and illuminating device
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1022399A (en) * 1911-08-18 1912-04-09 Joseph T Thomasson Animal-shoeing apparatus.
AT258368B (de) * 1963-12-31 1967-11-27 Philips Nv Leuchtschirm
JPS5915951B2 (ja) * 1974-12-10 1984-04-12 松下電器産業株式会社 ディスプレイ用真空紫外線励起螢光体装置
JPS5941474B2 (ja) * 1976-04-30 1984-10-06 大日本塗料株式会社 気体放電発光素子
US4161457A (en) * 1977-03-15 1979-07-17 Dai Nippon Toryo Co., Ltd. Process for preparing a divalent europium activated alkaline earth metal aluminate phosphor
US4423349A (en) * 1980-07-16 1983-12-27 Nichia Denshi Kagaku Co., Ltd. Green fluorescence-emitting material and a fluorescent lamp provided therewith
EP0062993A1 (en) * 1981-04-09 1982-10-20 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Cathode ray tube phosphor layers
JPS5813688A (ja) * 1981-07-20 1983-01-26 Mitsubishi Chem Ind Ltd 螢光体の製造方法
JPS5834560A (ja) * 1981-08-21 1983-03-01 周 成祥 放電灯ディスプレイ装置
CA1198148A (en) * 1982-06-28 1985-12-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrostatic printing process
US4583026A (en) * 1983-07-19 1986-04-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Low-pressure mercury vapor discharge lamp
JPS6155839A (ja) * 1984-08-26 1986-03-20 Osamu Tada 螢光ランプの製造方法
JPH079795B2 (ja) * 1986-12-01 1995-02-01 東芝ライテック株式会社 放電ランプ
AU607520B2 (en) * 1987-08-06 1991-03-07 Shing Cheung Chow Discharge lamp type display device
WO1989001700A1 (en) * 1987-08-10 1989-02-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Green light emitting rare gas discharge lamp
CH675504A5 (hu) * 1988-01-15 1990-09-28 Asea Brown Boveri
JPH02135277A (ja) * 1988-11-17 1990-05-24 Sanyo Electric Co Ltd 蛍光ランプ
US5117160C1 (en) * 1989-06-23 2001-07-31 Nec Corp Rare gas discharge lamp
JP2671575B2 (ja) * 1989-11-22 1997-10-29 日本電気株式会社 ガス放電表示素子の駆動方法
KR930005688B1 (ko) * 1990-02-06 1993-06-24 삼성전관 주식회사 녹색 발광 형광체
FR2672281B1 (fr) * 1991-02-04 1993-04-16 Rhone Poulenc Chimie Phosphate mixte de lanthane, terbium et cerium, procede de fabrication de celui-ci.
US5047173A (en) * 1991-03-08 1991-09-10 Gte Products Corporation Method of reducing the powder weight of europium activated strontium tetraborate phosphor
KR930008163B1 (ko) * 1991-04-02 1993-08-26 삼성전관 주식회사 방전관
DE4209763A1 (de) * 1991-06-18 1992-12-24 Hartmut Dipl Phys Schmidt Elektronisch betriebene kompaktleuchtstofflampe
US5132043A (en) * 1991-12-24 1992-07-21 Gte Products Corporation Method of preparing small particle size borate phosphor
US5436532A (en) * 1993-03-26 1995-07-25 Rockwell International Corporation Fluorescent lamp with improved efficiency

Also Published As

Publication number Publication date
DE59410172D1 (de) 2002-09-26
KR960702169A (ko) 1996-03-28
KR100299151B1 (ko) 2001-10-22
EP0738311B1 (de) 2002-08-21
JP2004303737A (ja) 2004-10-28
HU9502905D0 (en) 1995-12-28
DE4311197A1 (de) 1994-10-06
WO1994022975A1 (de) 1994-10-13
JP3714952B2 (ja) 2005-11-09
US5604410A (en) 1997-02-18
EP0738311A1 (de) 1996-10-23
CA2159906A1 (en) 1994-10-13
EP1078972A3 (de) 2002-03-27
CZ242195A3 (en) 1996-07-17
CA2155340A1 (en) 1994-10-13
CA2159906C (en) 2004-03-30
JP2004296446A (ja) 2004-10-21
EP1076084A3 (de) 2002-01-23
JP2005276846A (ja) 2005-10-06
EP0733266A1 (de) 1996-09-25
EP0733266B1 (de) 1998-05-06
HUT71766A (en) 1996-01-29
JP3715231B2 (ja) 2005-11-09
JPH08508363A (ja) 1996-09-03
US5714835A (en) 1998-02-03
CA2155340C (en) 2000-10-03
DE59405921D1 (de) 1998-06-10
EP1076084A2 (de) 2001-02-14
DE59410414D1 (de) 2005-12-01
CN1066854C (zh) 2001-06-06
EP1078972B1 (de) 2005-10-26
JP3298886B2 (ja) 2002-07-08
JPH08508307A (ja) 1996-09-03
WO1994023442A1 (de) 1994-10-13
EP1078972A2 (de) 2001-02-28
CZ286740B6 (en) 2000-06-14
EP1076084B1 (de) 2002-10-09
CN1120873A (zh) 1996-04-17
JP2002216985A (ja) 2002-08-02
DE59410196D1 (de) 2002-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HU215307B (hu) Eljárás inkoherens fényt kibocsátó fényforrás működtetésére
KR100363751B1 (ko) 조명시스템을동작시키기위한방법과그에적합한조명시스템
CA2157208C (en) Neon fluorescent lamp and method of operating
US5610477A (en) Low breakdown voltage gas discharge device and methods of manufacture and operation
US20090223901A1 (en) Dielectric barrier discharge lamp comprising an uv-b phosphor
US20110254449A1 (en) Fluorescent excimer lamps
US7495396B2 (en) Dielectric barrier discharge lamp
JPH10255723A (ja) 白色光を発生するネオンガス放電ランプ
US5565741A (en) Method of operating a neon discharge lamp particularly useful on a vehicle
US7122951B2 (en) Dielectric barrier discharge lamp with improved color reproduction
US6130511A (en) Neon discharge lamp for generating amber light
US6531823B2 (en) Fluorescent colortone lamp with reduced mercury
US4099089A (en) Fluorescent lamp utilizing terbium-activated rare earth oxyhalide phosphor material
US3814969A (en) Gas discharge tube with phosphor coating and elongate electrodes
WO1988000758A1 (en) A high-frequency fluorescent lamp
KR19990024229A (ko) 플라즈마를 이용한 램프
KR20040005488A (ko) 평판형 무전극 자외선 램프