CN1855465A - 半导体器件和显示器 - Google Patents

Abstract

若一个衬底与一个FPC接合时出现连接端子的一个电极(焊盘)在线宽方向上对不准，则该FPC端子和该连接端子的连接区域变小，从而使接触电阻增大。具体地说，用作电源输入电源电位的连接端子的接触电阻增大会造成有缺陷的显示。鉴于上述，本发明的目标是减少电源线的电阻，以便抑制该电源线上的电压降，并避免有缺陷的显示，连接端子部分包括多个连接端子。该多个连接端子设有多个连接焊盘，它们是该连接端子的一部分。该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和其线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。该多个连接焊盘之间的间距彼此相等。

Description

半导体器件和显示器

技术领域

本发明涉及一种包括连接端子的半导体器件。具体地说，本发明涉及显示器件的连接端子的结构，该显示器件包括排列成矩阵的像素部分；并涉及外部端子和显示器件的连接端子之间连接的结构。

背景技术

显示器件可以具有这样一种结构，其中柔性印刷电路可导电地连接到显示面板，而信号和电力通过柔性印刷电路提供给该显示面板。

例如，该显示面板包括像素部分和驱动衬底上面的像素部分用的外围驱动电路，而该衬底在密封区域用密封剂附在反面衬底上。于是，至少像素部分与衬底、反面衬底和密封剂密封在一起。

该衬底包括与该反面衬底不重叠的区域，并在该区域形成连接端子部分。在该连接端子部分中，电极(连接焊盘)配置成带状。每一个电极都连接到一条导线，后者形成得从该密封区域内部向外延伸。

至于显示面板，在该连接端子部分中，端子的电极(连接焊盘)通过热压结合用各向异性导电薄膜连接到柔性印刷电路板端子的电极(FPC焊盘)。

然后，信号和电力便从该柔性印刷电路通过每一个连接端子和导线提供给该衬底上面的电路。

这里，为了运行像素、外围驱动电路等等，大量的电流流过电源线(电源路径)，包括提供用作该衬底上面的电路的电源的电源电位用的导线、该导线之间的连接部分、FPC端子和该衬底上面的连接端子之间的连接部分等等。

因此，若电源线的电阻高，则在该电源线上有显著的电压降。相应地，提供给该像素和该外围驱动电路的电源电位变得低于要求的电源电位。结果，输入该像素和该外围驱动电路的电源电位降低，引起显示缺陷。

因而，参考文献1和2公开了一种结构，其中电力是通过柔性印刷电路的多条导线和连接到输入用作衬底上电路电源的电源电位的连接端子的导线提供的，它们在密封区域彼此连接(参考文献1：日本专利特开No.2001-109395和参考文献2：日本专利申请书特开No.2001-102169)。

但是，即使按照上述结构，若在该衬底和FPC(柔性印刷电路)接合时在连接焊盘的线宽方向上对不准，则FPC端子和连接端子之间的连接区域变小，因而接触电阻增大。具体地说，被输入作为电源提供的电源电位的连接端子的接触电阻增大，是造成有缺陷的显示的一个原因。

发明内容

鉴于上述，本发明的目标是降低电源线的电阻，以便抑制电源线上的电压降，并避免有缺陷的显示。

本发明结构在下文中描述。

本发明的半导体器件包括连接端子部分，而该连接端子部分包括多个连接端子。该多个连接端子设有多个连接焊盘，其中每一个都是连接端子的一部分。该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。

另外，本发明的半导体器件包括连接端子部分，而该连接端子部分包括多个连接端子。该多个连接端子设有多个连接焊盘，其中每一个都是该连接端子的一部分。该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和其线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。该多个连接焊盘之间的间距彼此相等。

另外，本发明的半导体器件包括连接端子部分。该连接端子部分包括连接端子，其中多个连接焊盘具有相等的线宽，间隔相等地排列，而且该多个连接焊盘的两个或多个通过引入在该连接端子部分的导线彼此相联系。

另外，本发明的半导体器件包括连接端子部分。连接端子部分包括连接端子，其中多个连接焊盘具有相等的线宽，间隔相等地排列，而且该多个连接焊盘的两个或多个与一个电极在较低的层面通过接触孔彼此连接。

在按照上述配置的本发明的半导体器件中柔性印刷电路连接到该连接端子部分。

在按照上述配置的本发明的半导体器件中，在该连接端子部分中，至少一个连接端子连接到该柔性印刷电路的多个端子，而该连接端子和该柔性印刷电路的多个端子之间的接触电阻是5Ω或者更小。

本发明的显示器件包括像素部分、外围驱动电路和连接端子部分。该连接端子部分包括多个连接端子。该多个连接端子设有多个连接焊盘，其中每一个都是该连接端子的一部分。该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。

另外，本发明的显示器件包括像素部分、外围驱动电路和连接端子部分。该连接端子部分包括多个连接端子。该多个连接端子设有多个连接焊盘，其中每一个都是该连接端子的一部分。该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和其线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。该多个连接焊盘之间的间距彼此相等。

另外，本发明的显示器件包括像素部分、外围驱动电路和连接端子部分。该连接端子部分包括连接端子，其中多个线宽相等的连接焊盘间隔相等地排列，而且多个连接焊盘中的两个或多个与引入该连接端子部分的导线彼此连接。

另外，本发明的显示器件包括像素部分、外围驱动电路和连接端子部分。该连接端子部分包括连接端子，其中线宽相等的多个连接焊盘间隔相等地排列，而且该多个连接焊盘的两个或多个通过接触孔在较低的层面与一个电极彼此连接。

在按照上述配置的本发明显示器中，柔性印刷电路连接到连接端子部分。

在按照上述配置的本发明显示器中，在该连接端子部分中，至少一个连接端子连接到该柔性印刷电路的多个端子，而该连接端子和该柔性印刷电路的多个端子之间的接触电阻是5Ω或者更小。

另外，本发明的显示器件包括像素部分、外围驱动电路和连接端子部分。该连接端子部分包括多个连接端子。该多个连接端子设有多个连接焊盘，其中每一个都是该连接端子的一部分。该多个连接焊盘之间的间距彼此相等。该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和线宽大于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。多条导线电气连接到该第二连接焊盘。该多条导线电气连接到一个元件的反面电极。

请注意，要在本发明中描述的开关可以是不同的类型，其中一些示例是电气开关、机械开关等。换句话说，可以控制电流流动的任何开关都可以使用，不同的类型的开关都可以使用，而不限于一种特定的开关。例如，该开关可以是晶体管、二极管(诸如PN二极管、PIN二极管、Schottky二极管或连接二极管的晶体管)或逻辑电路，就是说，它们的组合。在利用晶体管作为开关的情况下，该晶体管只起开关作用。因此，该晶体管的极性(导电类型)没有特别限制。但是，在要求关断电流较少的情况下，最好使用具有关断电流较少的极性的晶体管。作为关断电流小的晶体管，可以使用设有LDD区域的晶体管、具有多栅极结构的晶体管等。另外，在其源极端子的电位接近电源较低的电位侧(诸如Vss，GND或0V)的状态下作为开关运行的情况下，最好使用n-沟道晶体管，而在其源极端子的电位接近于较高电位侧电源(诸如Vdd)的状态下运行的晶体管的情况下，最好采用p-沟道晶体管。这是因为，栅极-源极电压的绝对值可能增大，使得该晶体管轻易地作为开关工作。请注意，该开关可以是既利用n-沟道晶体管又利用p-沟道晶体管的CMOS类型。若该开关是CMOS类型，即使在状态改变的情况下，例如，要通过该开关输出的电压(换句话说，该开关的输入电压)高于或低于输出电压时，它也能适当地运行。

请注意，在本发明中，词组″被连接″是指电气连接的情况和直接连接的情况。因此，在本发明所公开的结构中，使电连接成为可能的另一个元件(诸如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻或二极管)可以插入预定的连接中。作为另一方案，组件可以在它们之间不插入另一个元件的电路中直接连接。请注意，只有组件之间不插入另一个使电连接成为可能的元件而使组件直接连接的情况，不包括电气连接的情况，才称作″被直接连接″。还要注意，词组″被电气连接″意味着组件电气连接和组件直接连接两种情况。

请注意，作为晶体管，在本发明中不同的类型的晶体管都可以使用。因此，对可应用的晶体管的类型没有限制。因而，利用以无定形硅薄膜或多晶硅薄膜为特征的非单晶半导体薄膜的薄膜晶体管(TFT)、利用半导体衬底或SOI衬底形成的MOS晶体管、结晶体管、双极性晶体管、利用化合物半导体诸如ZnO或a-InGaZnO的晶体管、利用有机半导体的晶体管或碳纳米管或其他晶体管都可以使用。请注意，非单晶半导体薄膜可能包含氢或卤素。另外，该晶体管可以是定位在不同的类型的衬底上，而且衬底的类型不限于特定一种。因此，该晶体管可以是定位在，例如，单晶衬底、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、纸衬底、玻璃纸衬底、石衬底等上面。另外，该晶体管可以在某些衬底上面形成，随后可以是转移到和定位在另一个衬底上面。

请注意，在本发明中假设像素是影像的最小单元。因此，在包括R(红)、G(绿)和B(蓝)颜色元件的全色显示器件的情况下，假设一个像素包括一个颜色元件R的点、一个颜色元件G的点和一个颜色元件B的点。请注意，这些颜色元件不限于3个颜色，可以多于3个颜色。例如，RGBW(W是白)、RGB加上黄色、青色或洋红等等都可以使用。请注意，一个像素可以包括多个某些颜色元件的点。在这种情况下，多个颜色元件可能每一个都具有贡献于显示的不同大小的区域。另外，阶度可以通过个别控制某些颜色元件的多个来表现。这称作区域灰度法。作为另一方案，可以通过向某些颜色元件多个点中的各个点提供略微不同的信号来增大观看角度。

请注意，词组″像素配置成矩阵″包括在所谓垂直带条和横向带条结合的所谓网格中带条的配置。它还包括在用3个颜色元件完成全色显示的情况下，对3个颜色元件(例如，RGB)的点的所谓增量配置。另外，它还包括Bayer排列的情况。请注意，该颜色元件不限于3个颜色，而且可以多于3个颜色。例如，可以使用RGBW(W是白)、加上黄色、青色或洋红的RGB等等。另外，颜色元件的点可能每一个都具有不同的大小的光发射区域。

请注意，在本发明中，术语″半导体器件″是指一个具有包括半导体元件(诸如晶体管或二极管)的电路的器件。另外，它还可能一般地指可以通过利用半导体特性运行的器件。该术语″显示器件″是指包括显示元件(诸如液晶元件或光发射元件)的器件。请注意，它还可能指显示面板的主体，其中在一个衬底上面形成多个像素，其中的每一个都包括显示元件，诸如液晶元件或EL元件；和用以驱动像素的外围驱动电路。另外，它可以包括其上附上柔性印刷电路(FPC)或印刷接线板(PWB)(诸如IC、电阻、电容器、电感器或晶体管)。另外，它还可以包括光学纸，诸如偏振平板或阻滞薄膜。另外，它可以包括背光(它可以包括导光平板、棱镜片、扩散片、反射片或光源(诸如LED或冷阴极管))。

可以通过缩小电源线的电阻和抑制该电源线上的电压降来防止缺陷显示。

附图说明

图1A和1B分别为表示本发明的显示面板的示意图和说明连接端子部分的示意图；

图2是本发明的显示器件的电路原理图；

图3是一个本发明的显示器件的电路原理图；

图4A至4C是示意图，说明连接端子部分；

图5A和5B是示意图，说明连接端子部分；

图6A至6F是示意图，说明连接端子部分；

图7是本发明的显示器件的电路原理图；

图8是一个示意图，表示本发明的显示面板；

图9是本发明的显示器件的一个电路原理图；

图10是说明连接端子部分的示意图；

图11是说明连接端子部分的示意图；

图12是说明连接端子部分的示意图；

图13是本发明的显示器件的电路原理图；

图14是本发明的显示器件的电路原理图；

图15是本发明的显示器件的电路原理图；

图16是本发明的显示器件的电路原理图；

图17是本发明的显示器件的电路原理图；

图18是本发明的显示器件的电路原理图；

图19是本发明的显示器件的电路原理图；

图20是本发明的显示器件的电路原理图；

图21是本发明的显示器件的电路原理图；

图22是本发明的显示器件的电路原理图；

图23是本发明的显示器件的电路原理图；

图24是本发明的显示器件的电路原理图；

图25是本发明的显示器件的电路原理图；

图26是本发明的显示器件的电路原理图；

图27是本发明的显示器件的电路原理图；

图28是本发明的显示器件的电路原理图；

图29是本发明的显示器件的电路原理图；

图30是本发明的显示器件的电路原理图；

图31是本发明的显示器件的电路原理图；

图32是本发明的显示器件的电路原理图；

图33是本发明的显示器件的电路原理图；

图34是本发明的显示器件的电路原理图；

图35A至35C是说明连接端子部分的示意图；

图36是说明连接端子部分的示意图；

图37是说明连接端子部分的示意图；

图38是说明连接端子部分的示意图；

图39A和39B是说明连接端子部分的示意图；

图40是本发明的显示器件的电路原理图；

图41是本发明的显示器件的电路原理图；

图42是说明信号线驱动电路的示意图；

图43A至43C是说明电流源电路的示意图；

图44是说明连接端子部分的示意图；

图45是说明连接端子部分的示意图；

图46是说明连接端子部分的示意图；

图47是说明连接端子部分的示意图；

图48是说明连接端子部分的示意图；

图49是说明连接端子部分的示意图；

图50是说明连接端子部分的示意图；

图51是说明连接端子部分的示意图；

图52A和52B是本发明的显示器件的剖面视图；

图53A和53B是本发明的显示器件的剖面视图；

图54A和54B是本发明的显示器件的剖面视图；

图55A和55B是本发明的显示器件的剖面视图；

图56A和56B是本发明的显示器件的剖面视图；

图57A和57B是本发明的显示器件的剖面视图；

图58A和58B是本发明的显示器件的剖面视图；

图59A和59B是本发明的显示器件的剖面视图；

图60A和60B是本发明的显示器件的剖面视图；

图61是说明连接端子部分的示意图；

图62表示EL模块的一个示例；

图63是一个方框示意图，表示EL电视接收机的主要结构；

图64表示可以应用本发明的移动电话的一个示例；

图65A至65H表示电子器件的一个示例；

图66A和66B分别为表示本发明显示面板结构的电路原理图和

表示本发明显示面板结构的电路原理图；

图67是说明连接端子部分的示意图；

图68A和68B是说明移位寄存器和缓冲区电路电源的示意图；

图69是表示本发明显示面板的示意图；

图70是表示本发明的显示面板的示意图；

图71A和71B是表示本发明的显示面板的示意图；

图72A和72B是表示光发射元件的示意图；

图73A至73C是显示器件的剖面视图；

图74是显示器件的剖面视图；

图75是显示器件的剖面视图；

图76A和76B是表示本发明的显示面板的示意图；

图77是本发明的显示面板的部分放大视图；

图78是本发明的显示面板的部分放大视图；

图79A至79C表示光发射元件的一个示例；

图80A至80C表示光发射元件的示例。

具体实施方式

在下文中，将参照附图说明本发明的实施方式。但是，本发明不限于以下描述。正如本专业的技术人员容易理解的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本发明的模式和细节可以以不同的方式改变。因而，说明本发明时不拟限于以下对实施方式的描述。

本发明的半导体器件，其中电路是在衬底上面形成的，包括要连接到FPC(柔性印刷电路)的连接端子部分。该连接端子部分包括多个连接端子，至少其中一个连接到多个FPC端子。在下文中，该连接端子称作组合连接端子。另外，在下文中成对地连接到一个FPC端子的一个连接端子称作基准连接端子。

正如上面描述的，通过连接多个FPC端子和一个组合连接端子可以降低接触电阻。

请注意，在一个连接端子中，要连接到FPC端子的表面电极称作连接焊盘。换句话说，作为连接端子的一部分的表面电极称作连接焊盘。另外，一个要连接到连接端子的FPC端子的表面电极称作FPC焊盘。换句话说，作为FPC端子的一部分的表面电极称作FPC焊盘。另外，相邻连接焊盘之间的宽度称作连接间距，而相邻FPC焊盘之间的宽度称作FPC间距。

尽管在本发明的半导体器件的一个连接端子部分中连接焊盘排列得具有相等连接间距，但不限于相等连接间距。

因此，FPC端子阵列不必改变，在本申请书中，可以不作任何变化地使用FPC。因而，FPC可以是做成通用的。

请注意，在上述说明中，作为示例，FPC连接在半导体器件的连接端子部分；但是，本发明不限于此。例如，可以连接IC(半导体集成电路)芯片、印刷接线板(PWB)、可编程逻辑器件(诸如现场可编程的门阵列(FPGA)或复杂的可编程逻辑器件(CPLD))等。

[实施模式1]

在该实施模式中，将说明把本发明应用于显示面板的情况。另外，在该实施模式中，将说明组合连接端子包括组合连接焊盘的结构。换句话说，说明这样的结构，其中组合连接端子包括连接焊盘(组合连接焊盘)，而该组合连接焊盘通过各向异性导电薄膜电气连接到多个FPC焊盘。

首先，在该实施模式中，其中显示面板连接到FPC的一个模块示于图1A。请注意，在本申请书中，这样的一个模块和显示面板的主体合称作显示器件。

在衬底101上面形成像素部分106和驱动该像素部分106用的外围驱动电路(扫描线驱动电路105和信号线驱动电路104)。然后，衬底101附在反面衬底102上。在该像素部分106中，在列方向上从该信号线驱动电路104延伸的多条信号线并排地排列在行方向上。另外，在该像素部分106中，在行方向上从扫描线驱动电路105延伸的多条扫描线并排地排列在列方向上。在像素部分106中，配置了包括显示元件的多个像素。

请注意，显示元件可以是不同的类型。例如，可以使用其中通过电磁作用改变对比度的显示介质，诸如EL元件(有机EL元件、无机EL元件或包含有机材料和无机材料的EL元件)、电子发射元件、液晶元件、电子墨水、光学衍射元件、放电元件、数字微镜器件(DMD)、压电元件或碳纳米管。请注意，利用上述显示元件的显示器件的示例如下：EL显示器，作为利用EL元件的EL-面板显示器件；场发射显示器(FED)或SED平板显示器(SED：表面导电电子发射显示器)，作为利用电子发射元件的显示器件；液晶显示器，作为利用液晶元件的液晶面板显示器件；电子纸张，作为利用电子墨水的数字纸张显示器件；光栅光阀(GLV)显示器，作为利用光学衍射元件的显示器件；等离子体显示器，作为利用放电元件的PDP(等离子体显示面板)显示器；数字光处理(DLP)显示器件，作为利用数字微镜器件的DMD-面板显示器件；压电陶瓷显示器，作为利用压电元件的显示器件；纳米发光显示器(NED)，作为利用碳纳米管的显示器件等等。

衬底101在连接端子部分连接到FPC 103。扫描线驱动电路105、信号线驱动电路104和像素部分106所需的信号和电力通过该FPC103提供给该显示面板。

随后，表示点线107附近衬底101和FPC 103之间的连接状态的部分截面的电路透视图示于图1B。请注意，与图1A中直线a-b对应的方向通过图1B中直线a-b表示，以便使剖面方向容易明白。

在该衬底101上面的形成多个连接焊盘。该多个连接焊盘包括基准连接焊盘112和组合连接焊盘113。该多个连接焊盘与插入它们之间的宽度大致相等的隔壁114一起排列。请注意，基准连接焊盘112和该组合连接焊盘113的排列顺序不限于这里图1B所示。

该FPC 103间隔相等地设有宽度大致相等的FPC焊盘111。然后，其上形成了连接焊盘(基准连接焊盘112和组合连接焊盘113)的衬底101的表面附在形成FPC焊盘111的FPC 103的表面上，使得彼此相对。

请注意，相应的FPC焊盘111成对地设置在基准连接焊盘112上面，以便面对基准连接焊盘112。另外，多个相应的FPC焊盘111设置在组合连接焊盘113上面，使之面对组合连接焊盘113。另外，连接焊盘(基准连接焊盘112和组合连接焊盘113)和FPC焊盘111用一个各向异性导电薄膜彼此电气连接。请注意，为了使该结构容易明白，该各向异性导电薄膜在这里没有示出。

随后，图1A和1B所示的显示面板的结构的电路原理图示于图2。在该衬底101上面形成扫描线驱动电路105、信号线驱动电路104和像素部分106。另外，在该衬底101上面形成连接端子部分201。连接端子部分201设有作为基准连接端子一部分的基准连接焊盘112和作为组合连接端子的一部分的组合连接焊盘113。请注意，在图2中，基准连接焊盘112和组合连接焊盘113的数目和阵列不限于该示意图所示。

多条扫描线206排列在行方向上，从扫描线驱动电路105延伸至像素部分106。另外，多条信号线207在列方向上排列，从信号线驱动电路104延伸至像素部分106。在该像素部分106中，多个像素205排列成矩阵，以便对应于扫描线206和信号线207。请注意，词组″像素排列成矩阵″包括三角形阵列的情况，其中在利用3个颜色元件的全色显示器的情况下作为影像的最小单元的3个颜色元件(例如，RGB)排列成三角形配置；以及带条阵列的情况，其中像素排列成垂直带条和横向带条结合的网格。

请注意，每一个像素205都设有一个像素电极。形成一个反面电极202，以便覆盖该像素部分106。于是，通过把显示介质夹在像素电极和反面电极202之间便形成显示元件。另外，像素部分106包括电源线208，通过它把电力提供给每一个像素205的像素电极。

因为连接端子部分201设有组合连接焊盘113，它是组合连接端子的一部分，该实施模式的显示面板可以降低功率消耗。因此，具体地说，向其输入电源电位作为电源的连接端子最好形成为组合连接端子。

另外，当输入控制像素205发光和不发光用的视频信号的连接端子也形成为组合连接端子时，可以防止有缺陷的显示。

在该实施模式的显示面板中，连接端子部分201可以在衬底201的边沿内形成，如图2所示，或者可以形成得与该衬底的边沿接触，如图3所示。另外，组合连接焊盘113可以设置在连接端子部分201的两端，如图7所示。另外，可以设置多个连接端子部分。例如，可以设置连接端子部分4001和连接端子部分4002，如图40所示。请注意，不同的FPC单独地连接到连接端子部分4001和连接端子部分4002。该连接端子部分的一个或两个都可以包括一个组合连接焊盘。

图1A和1B表示其中扫描线驱动电路105、信号线驱动电路104和像素部分106都集成该衬底上面的结构；但是，扫描线驱动电路105和信号线驱动电路104可以在一个IC芯片上形成，它可以通过COG(玻璃上的芯片)等安装，如图8所示。请注意，该IC芯片是指在衬底上面形成的集成电路和分离为一个芯片。具体地说，对于该IC芯片，利用单晶硅晶园片作为衬底通过元件分离形成的电路和通过切割单晶硅晶园片分离为任意形状是适当的。

另外，参照图4B和4C详细说明连接焊盘(基准连接焊盘112和组合连接焊盘113)和FPC焊盘111之间的连接结构。基准连接焊盘112和FPC焊盘111之间的电连接通过使用一个各向异性导电薄膜411加压结合而成。请注意，各向异性导电薄膜411可能包含导电颗粒421，如图4C所示。导电颗粒421是一个电阻比各向异性导电薄膜411低的颗粒。因此，基准连接焊盘112和FPC焊盘111之间的接触电阻可以减少。请注意，图4B和4C表示了基准连接焊盘112和FPC焊盘111之间连接部分，它同样适用于组合连接焊盘113和FPC焊盘111之间的连接。

另外，参照图4A说明在衬底101一侧连接端子部分的特性。图4A是衬底101连接端子部分的剖面视图。组合连接焊盘113a和113b，每一个都具有对应于图1B所示的组合连接焊盘113的不同宽度。

于是，假定基准连接焊盘112具有线宽401，组合连接焊盘113a具有线宽402，组合连接焊盘113b具有线宽403和在每一个连接焊盘(基准连接焊盘112和组合连接焊盘113a和113b)和一个相邻连接焊盘之间设置的隔壁114具有宽度404(另外，称作连接间距)，线宽402的长度对应于两个线宽401和该宽度404的总长度。另外，线宽403大致对应于3个线宽401和两个宽度404的总长度。换句话说，图中1B中组合连接焊盘113的线宽长度n(n是一个大于1的整数)个基准连接焊盘112的线宽和(n-1)的隔壁宽度(又称作连接间距)。

因此，图1B表示组合连接的焊盘113电气连接到两个FPC焊盘111；但是，不用说本发明不限于此。换句话说，组合连接焊盘113可以电气连接到3个FPC焊盘111、四个FPC焊盘111或四个以上FPC焊盘111。

组合连接焊盘113电气连接到两个FPC焊盘111的情况如图5A所示。组合连接焊盘113a通过各向异性导电薄膜411连接到两个FPC焊盘111。另外，组合连接焊盘113b电气连接到3个FPC焊盘111的情况如图5B所示。组合连接焊盘113b通过各向异性导电薄膜411连接到3个FPC焊盘111。请注意，各向异性导电薄膜411可能包含导电颗粒421，如图4C所示。

请注意，在该实施模式中所描述的显示面板的连接端子部分中，该组合连接端子的接触电阻可以做得低于基准连接端子的接触电阻。因此，在提供电源电位用作电源等，消耗大量电力的情况下，最好通过一个连接到多个FPC端子的组合连接端子向显示面板提供。换句话说，作为电源提供电源电位的连接端子可以形成为组合连接端子。照此，电源线的电阻可以减少，该电源线中的电压降可以降低，并可以防止有缺陷的显示。

当该组合连接端子包括组合连接焊盘时，即使显示面板附在该FPC上时该连接端子与该FPC端子在线宽方向上对不准，该组合连接端子的接触电阻也不增大。在下文中，参照图6A和6B进行说明。

图6A是一个剖面视图，表示在显示面板和该FPC接合时没有出现该连接端子与该FPC端子在线宽方向上对不准的情况下，彼此通过该各向异性导电薄膜连接的基准连接焊盘和该FPC焊盘。换句话说，该基准连接焊盘112的线宽中心几乎与该FPC焊盘111对准。于是，图6D对应于图6A的顶视图。请注意，该FPC焊盘111不重叠该基准连接焊盘112的区域具有宽度s。

图6B是一个剖面视图，表示在该显示面板和该FPC接合时出现该连接端子与该FPC端子在线宽方向上对不准的情况下，彼此连接通过该各向异性导电薄膜连接的基准连接焊盘和FPC焊盘。于是图6E对应于图6B的顶视图。如图6B和6E所示，与基准连接焊盘112成对地对应的FPC焊盘111，在线宽方向上对不准；因此，在该连接焊盘112上产生不重叠区域，而该不重叠区域具有宽度g。请注意，在该FPC焊盘111放大的不重叠区域具有宽度t。该宽度g和宽度t大致彼此相等。因此，连接区域减少了宽度g。

另一方面，图6C是一个剖面视图，表示在该显示面板和该FPC接合时该连接端子与该FPC端子在线宽方向上对不准的情况下，通过该各向异性导电薄膜彼此连接的组合连接焊盘和FPC焊盘。于是，图6F对应于图6C的顶视图。在图6C和6F所示的组合连接焊盘113和FPC焊盘111之间的连接中，即使出现对不准，不重叠区域也只在连接到组合连接焊盘113的多个FPC焊盘111中的一个产生。于是，不重叠区域具有宽度t。另外，当不出现对不准时，在FPC焊盘111宽于基准连接焊盘112的情况下，重叠该隔壁114的FPC焊盘111的区域重叠组合连接焊盘113。因此，连接区域放大了。放大的区域具有宽度s。随着连接到组合连接焊盘113的FPC焊盘111的数目增大，由于不重叠区域的产生而造成的连接区域减少的影响减轻了。在组合连接焊盘113中，可以放大连接区域。因此，即使该显示面板和FPC接合时该连接端子与该FPC端子在线宽方向上出现对不准，也可以减少该组合连接端子与该FPC端子的接触电阻。

相应地，在该实施模式中描述的组合连接端子和多个FPC端子的接触电阻可以做成5Ω或者更小，最好1Ω或者更小。

[实施模式2]

在该实施模式中，将详细说明作为在实施模式1描述的连接端子(基准连接端子和组合连接端子)的一部分的连接焊盘(基准连接焊盘112和组合连接焊盘113)的结构，和从该连接焊盘延伸入密封区域的导线。

请注意，在该实施模式中，要描述的显示面板特别适用于其中驱动像素用的外围驱动电路(扫描线驱动电路和信号线驱动电路)与像素部分集成在一起的这种结构的显示面板。换句话说，该外围驱动电路包括在形成包括在该像素中的薄膜晶体管的形成的同时形成的薄膜晶体管(又称TFT)等等。具有这样的结构的显示面板的电路原理图示于图9。请注意，连接端子部分201不一定像在该结构中那样在衬底101的边沿内形成，也可以形成得与衬底101的边沿接触，如图3所示。

在该结构的显示面板中，在该衬底101上面形成的像素部分106和外围驱动电路，夹在衬底101和反面衬底之间，并在密封区域901中密封。请注意，密封可以通过任何固体密封、真空密封、气体密封、液体密封等等完成。例如，可以用树脂等进行固体密封。另外，可以用He(氦)，Ar(氩)，N(氮)等进行气体密封。另外，可以使用液体石腊、硅液体等进行液体密封。

这里，点线902所包围的区域的一个放大视图示于图10。该连接端子部分包括基准连接焊盘112和组合连接焊盘(组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b)。该基准连接焊盘112和导线1001用连续的导电薄膜形成。导线1001的线宽小于基准连接焊盘112的线宽。具体地说，导线1001的线宽是基准连接焊盘112的线宽的一半或者更小，1/3或者更小更好。另外，组合连接焊盘113a和导线1002和组合连接焊盘113b和导线1003也各自用各自连续的导电薄膜形成。于是，导线1002和导线1003具有大致等于组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b的线宽。

请注意，组合连接焊盘113a具有基准连接焊盘112两个线宽的总宽度和一个连接间距的宽度；但是，本发明不限于此。另外，组合连接焊盘113b具有基准连接焊盘112三个线宽的总宽度和该连接间距的两个宽度；但是，本发明不限于此。另外，如图10所示，该连接端子部分可以包括具有不同的宽度的组合连接焊盘，或者可以包括多个具有相同宽度的组合连接焊盘。另外，该连接端子部分可以包括一个组合连接焊盘或更大。在接线部分中导线1001、导线1002和导线1003的线宽是密封区域901附近的宽度，而且它们可以具有不同的线宽进一步进入像素部分。另外，基准连接焊盘112、组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b的数目和阵列顺序不限于上述那些。

换句话说，在图10所示的结构中，用与该基准连接焊盘连续的导电薄膜形成的导线在密封区域中的宽度窄。另一方面，在该密封区域中，用与该组合连接焊盘连续的导电薄膜形成的导线可以具有与该组合连接焊盘相同的线宽。

因此，因为用与该基准连接焊盘112连续的导电薄膜形成的导线的区域在该密封区域中变小，衬底101和与之接合的反面衬底之间的粘结得以改善。另外，用与该组合连接焊盘(组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b)连续的各层形成的导线具有与该组合连接焊盘相同的宽度；因此，可以减少该导线的电阻。请注意，为了进一步改善粘结，该组合连接焊盘的数目最好小于基准连接焊盘112。

另外，点线902所包围的区域的另一种结构的放大视图示于图11。该结构可以进一步改善衬底101和与之接合的反面衬底之间的粘结。

在图11的结构中，用与基准连接焊盘112连续的导电薄膜形成的导线1001示于图10。于是，组合连接焊盘113a在该接线部分中包括一个窄的导线部分1101和一个宽的导线部分1102。另外，组合连接焊盘113b在该接线部分还包括一个窄的导线部分1103和一个宽的导线部分1104。

换句话说，在每一个组合连接焊盘(组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b)中，导线用跨越该密封区域901的相同的导电薄膜形成。该导线在该密封区域901是狭窄的，而在其中该衬底和反面衬底彼此接合的区域内是宽的。最好，窄导线的线宽是基准连接焊盘112线宽的三分之一或者更小，而该宽导线的线宽大致等于该组合连接焊盘的线宽。另外，在该范围内该窄导线的长度是密封区域901宽度的三倍至10倍。因而，该衬底和该反面衬底之间的粘结得到改善。另外，因为窄导线长度短，可以抑制电阻增大。

点线902所包围的区域的另一个结构的放大视图示于图12。该结构可以改善衬底101和与之接合的反面衬底之间的粘结，而同时抑制导线电阻的增大。

在图12所示的结构中，用与基准连接焊盘112连续的导电薄膜形成的导线1001与图10所示的相同。于是，组合连接焊盘113a在该接线部分中包括一个窄导线部分1201和一个宽导线部分。另外，组合连接焊盘113b在该接线部分中还包括一个窄导线部分1203和一个宽导线部分1204。

换句话说，在每一个组合连接焊盘(组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b)中，导线用跨越该密封区域901的相同的导电薄膜形成。该导线在该密封区域901中被分成多条窄导线，而多条窄导线收敛并变为衬底和彼此接合在一起的区域内的宽导线。每一条窄导线的线宽最好是该组合连接焊盘线宽的三分之一或者更小，而该宽导线的线宽大致等于该组合连接焊盘的线宽。另外，该窄导线的长度是密封区域901宽度的三倍至10倍的范围内。因而，该衬底和该反面衬底之间粘结得以改善。另外，因为窄导线的长度短，可以抑制电阻的增大。

尽管在图12所示的结构中，具有基准连接焊盘112两个线宽和一个连接间距宽度的总宽度的组合连接焊盘113a在密封区域901被分成两个狭窄的导线部分1201，但本发明不限于此。另外，具有基准连接焊盘112的三个线宽和两个连接间距宽度的总宽度的组合连接焊盘113b在密封区域901被分成3个狭窄的导线部分1203；但是，本发明不限于此。另外，如图44所示，在一个具有与组合连接焊盘113a相同宽度的导线部分中，可以除去与密封区域901相交的导线的一部分，以便形成多个狭窄的导线部分4401，而且该导线在像素部分可以有宽的导线部分4402。同样地，在具有与组合连接焊盘113b相同的宽度的导线部分中，可以除去与该密封区域901相交的导线的一部分，以便形成多个狭窄的导线部分4403，而且在像素部分中该导线可以有宽的导线部分4404。

请注意，在该显示器件利用RGB颜色元件完成全色显示的情况下，电源电位可以不同。在这种情况下，如图41所示，颜色元件R的电源电位通过一个连接到组合连接焊盘113的导线4101R、连接到导线4101R的导线4201R和连接到导线4201R的电源线208R提供给像素。另外，颜色元件G的电源电位通过导线4101G、连接到导线4101G的导线4201G和连接到导线4201G的电源线208G提供给像素。颜色元件B的电源电位通过导线4101B、连接到导线4101B的导线4201B和连接到导线4201B的电源线208B提供给像素。

在该连接端子部分中，为了改善与该FPC的粘结，在连接焊盘(基准连接焊盘112、组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b)中可以设置凹处4701，如图47所示。请注意，最好为一个连接焊盘提供多个凹处4701。但是，凹处4701的数目和形状不限于图47所示。因此，该凹处不仅可以有这样的圆形形状，如图47所示，而且可以呈正方形或三角形。作为另一方案，在与该连接焊盘线宽方向垂直的方向上，可以设置形成得呈带条形状的凹处5001，如图50所示，或者在该连接焊盘线宽方向上可以设置形成得呈带条形状的凹处5101，如图51所示。

另外，该组合连接焊盘的结构不限于上述。例如，该组合连接焊盘可以有这样一种结构，其中具有与基准连接焊盘相同形状的多个电极在电极结合部分3601结合，如图36所示。换句话说，每一个都具有与基准连接焊盘112相同线宽的两个电极，通过该电极结合部分3601结合，以此形成复合连接焊盘113a。另外，每一个都具有与该基准连接焊盘112相同线宽的3个电极，通过电极结合部分3601结合，以此形成复合连接焊盘113b。请注意，该组合连接焊盘可以利用导电薄膜形成为连续的，或者该电极和电极结合部分3601可以用不同的导电薄膜形成。

另外，形成该连接端子的用作该连接焊盘(基准连接焊盘112、组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b)的电极可以用不同于从每一个连接端子延伸的导线所用的导电薄膜形成。例如，该连接端子部分中的电极4801用与伸进密封区域的导线4802连续的导电薄膜形成，如图48所示。于是，用作焊盘的电极在电极4801上面形成。换句话说，基准连接焊盘112在形成该基准连接端子的电极4801上面形成，而每一个组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b在多个用作该组合连接端子的电极4801上面形成。

在这样的一种结构中，该连接焊盘(基准连接焊盘112、组合连接焊盘113a和组合连接焊盘113b)用底部发射显示器件的透明导电薄膜的材料形成，而电极4801和导线4802用金属材料形成。作为透明导电薄膜的示例，可以给出ITO、TZO、CTO等。

请注意，该连接焊盘不限于用导电薄膜形成的电极。换句话说，其它区域比电极4901小的导电薄膜4903可以在电极4901、电极4902a和电极4902b上面形成，如图49所示。换句话说，该基准连接焊盘用电极4901和导电薄膜4903形成。该组合连接焊盘用电极4902a和导电薄膜4903形成。该组合连接焊盘用电极4902b和导电薄膜4903形成。正如上面描述的，当该连接端子部分从上面看时，该连接焊盘还包括暴露的导电区域。

在这样一种结构中，电极4901、电极4902a和电极4902b用顶部发射显示器件的透明导电薄膜的材料形成，而该导电薄膜4903用辅助导线的材料形成。作为透明导电薄膜的示例，可以给出ITO，TZO，CTO等。

请注意，可以适用于本发明的连接焊盘和连接到该连接焊盘的导线的结构不限于上述。另外，上面描述的结构可以结合使用。

[实施模式3]

在该实施模式中，说明显示器件的一种结构。具体地说，在该实施模式中，说明集中在组合连接焊盘和反面电极之间的连接结构上。

首先，参照图13说明该实施模式的第一结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第一结构中，作为反面电极202的一部分的宽导线1301是跨越信号线驱动电路104形成的，并连接到从组合连接焊盘113通过接触孔1302延伸的导线上。在这种情况下，该宽导线1301最好形成得比组合连接焊盘113的线宽更宽。于是，可以减少接触电阻，因为可以放大接触孔1302。换句话说，如图45所示，从组合连接焊盘113b延伸的导线1204连接到宽导线1301，后者是通过该像素部分内接触孔4501的反面电极的一部分，跨越密封区域901。在这种情况下，导线1204可以形成得具有与组合连接焊盘113a的线宽相同的宽度；因此，该接触孔的宽度还可以放大。换句话说，该接触孔的宽度可以做得大于基准连接焊盘112的线宽。请注意，与图12共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。作为另一方案，导线1204和反面电极202可以不仅通过一个接触孔而且通过多个接触孔4601彼此连接，如图46所示。

随后，参照图14说明该实施模式的第二结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第二结构中，从组合连接焊盘113延伸的导线1401具有大致等于组合连接焊盘113的宽度，并且还包括宽导线1402。该导线1402的宽度大致等于信号线驱动电路104。于是，连接到导线1402的导线1403穿过信号线驱动电路104，并通过接触孔1404通过多层的接线结构连接到反面电极202。请注意，接触孔1404是在像素部分106和信号线驱动电路104之间的区域形成的。这样，因为组合连接焊盘113和导线1401和具有低导线电阻的导线1402是用不带接触孔的连续导电薄膜形成的，从组合连接焊盘113到反面电极202的线电阻可以减少。

随后，参照图15说明该实施模式的第三结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在第三个结构中，信号线驱动电路104在与连接端子部分201相反的一侧上与该像素部分106一起在它们之间形成。在这样的一种结构中，反面电极202连接到从组合连接焊盘113通过接触孔1501延伸的导线，而不跨越信号线驱动电路104延伸。另外，因为从组合连接焊盘113至反面电极202的线的长度是短的，所以该线的电阻降低。

随后，参照图16说明该实施模式的第四结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第四结构中，连接到组合连接焊盘113的导线1603连接到配置得包围信号线驱动电路104的导线1601。至少在信号线驱动电路104和像素部分106之间的区域，导线1601是宽的，其中它通过接触孔1602连接到反面电极202。请注意，当组合连接焊盘113、导线1603和导线1601用同一导电薄膜形成时，可以进一步减少电阻，因为不插入接触孔。

随后，参照图17说明该实施模式的第五结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第五结构中，连接到组合连接焊盘113的导线1703连接到一个配置得包围信号线驱动电路104和像素部分106的导线1701。至少在信号线驱动电路104和像素部分106之间的区域和在与此相反一侧的区域，连同它们之间的像素部分106，导线1701是宽的，其中它通过接触孔1702连接到反面电极202。请注意，当组合连接焊盘113、导线1703和导线1701用同一导电薄膜形成时，电阻可以进一步减少，因为不插入接触孔。按照该结构，导线1701引向像素部分106周围。因此，利用由导线1701用的低电阻材料形成的导电薄膜，反面电极202的平面内电位可以均衡。请注意，反面电极202和导线1701可以在另一个区域彼此连接。例如，如图18所示，至少在扫描线驱动电路105和像素部分106之间的区域和在与此相反一侧的区域，连同它们之间的像素部分106，导线1701是宽的，其中它可以通过接触孔1702连接到反面电极202。

随后，参照图19说明该实施模式的第六结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第六结构中，组合连接焊盘113配置在连接端子部分201的两端。另外，在扫描线驱动电路105和像素部分106之间形成宽导线1901a。另外，在与导线1901a相反一侧上，连同它们之间的像素部分106，形成宽导线1901b。

于是，连接到在两端形成的组合连接焊盘113中的一个的导线1903连接到导线1901a。另外，连接到在两端形成的其他组合连接焊盘113的导线1903连接到导线1901b。

于是，导线1901a和导线1901b通过接触孔1902连接到反面电极202。请注意，导线1901a和该导线1901b最好用低电阻导电薄膜形成。于是，可以减少电压降的影响，而反面电极202的平面内电位可以均衡。另外，可以设置导线1901a或导线1901b；但是，通过在像素部分106两侧配置导线，如图19所示，电压降的影响可以进一步减少。另外，本发明不限于两侧都设置导线的情况，像导线1901a和导线1901b，可以把该导线配置得包围像素部分106。在这种情况下，在包围像素部分106的导线2001，至少设置一个接触孔1902到以下每个区域，即，像素部分106和信号线驱动电路104之间的区域、在与信号线驱动电路104相反一侧的区域(连同它们之间的像素部分106)、扫描线驱动电路105和像素部分106之间的区域，和在与扫描线驱动电路105相反一侧的区域(连同它们之间的像素部分106)，如图20所示。于是，导线2001和反面电极202通过接触孔1902彼此连接。

请注意，可以应用本发明的显示器件的结构不限于上述。

[实施模式4]

在该实施模式中，说明显示器件的一种结构。具体地说，在该实施模式中，说明集中在组合连接焊盘和像素电极之间连接的结构上。

首先，参照图21说明该实施模式的结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第一结构中，导线2102形成得包围信号线驱动电路104。于是，连接到组合连接焊盘113的导线2101进一步连接到导线2102。至于导线2102，形成延伸至像素部分106的电源线208。采用这样的一种结构，可以减少电压降的影响，并可以均衡每一个电源线208的电位。另外，利用导线2102用的低电阻导电薄膜，可以进一步减少电压降的影响。另外，为了抑制提供给像素部分106每一行上的每一个像素的电源电位变动，导线2102可以在像素部分106周围引导。该情况如图22中导线2201所示。在这种情况下，导线2201和电源线208在像素部分106和信号线驱动电路104之间的一个区域彼此连接，而导线2201和电源线208也在与信号线驱动电路104相反一侧与它们之间的像素部分106连接。请注意，导线2201做得比电源线208的线宽更宽。作为另一方案，导线2201用的材料要比电源线208用的材料电阻低。作为另一方案，把这些加以结合。相应地，可以进一步减少电压降的影响。

随后，参照图23说明该实施模式的第二结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第二结构中，信号线驱动电路104在与连接端子部分201相反一侧，连同它们之间的像素部分106一起形成。另外，从组合连接焊盘113至宽导线2301和宽导线2302用一个连续的导电薄膜形成。另外，宽导线2301的线宽大致等于组合连接焊盘113的线宽，而宽导线2302的线宽大致等于在行方向上像素部分106的宽度。于是，连接到宽导线2302的电源线208形成得延伸到像素部分106。按照该结构，从连接焊盘113至电源线208可以用一个连续导线形成，而不带接触孔；因此，可以降低电阻。因而，可以进一步减少电压降的影响。

[实施模式5]

在该实施模式中，说明显示器件的一种结构。具体地说，在该实施模式中，说明集中在组合连接焊盘和该像素电极和该反面电极之间连接的结构上。

首先，参照图24说明该实施模式的第一结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在该第一结构中，信号线驱动电路104在与连接端子部分201相反一侧，连同它们之间的像素部分106一起形成。采用这样的一种结构，反面电极202连接到从组合连接焊盘113通过接触孔1501延伸的导线，而不跨越信号线驱动电路104延伸。另外，从组合连接焊盘113至宽导线2301和宽导线2302利用一个连续的导电薄膜形成。于是，宽导线2301的线宽大致等于组合连接焊盘113的线宽，而宽导线2302的线宽在行方向上大致等于像素部分106的宽度。于是，连接到宽导线2302的电源线208形成得延伸到像素部分106。按照该结构，从组合连接焊盘113至电源线208可以用一条连续导线形成，不带接触孔；因此，可以降低电阻。

随后，参照图25说明该实施模式的第二结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。该第二结构包括至少两个组合连接焊盘113。于是，从组合连接焊盘113中的一个至宽导线1401和宽导线1402用一个连续导电薄膜形成。于是，宽导线1401的线宽大致等于组合连接焊盘113的线宽，而宽导线1402的线宽在行方向上大致等于像素部分106的宽度。另外，连接到其他组合连接焊盘113的导线2101连接到形成得包围信号线驱动电路104的导线2102。于是，宽导线1402通过接触孔1404用具有多层结构的导线1403连接到反面电极202。接触孔1404在信号线驱动电路104和像素部分106之间形成。另外，电源线208形成得从导线2102延伸至像素部分106。

随后，参照图26说明该实施模式的第三结构。请注意，与图2共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。第三个结构包括至少两个组合连接焊盘113。作为反面电极202的一部分的宽导线1301跨越信号线驱动电路104而形成，并连接到从组合连接焊盘113中的一个通过接触孔1302延伸的导线。在这种情况下，宽导线1301最好形成得比组合连接焊盘113的线宽更宽。于是，可以降低接触电阻，因为接触孔1302可以放大。另外，连接到其他组合连接焊盘113的导线2101连接到形成得包围信号线驱动电路104的导线2102。另外，电源线208形成得从导线2102延伸至像素部分106。

[实施模式6]

在该实施模式中，更详细地说明连接端子的剖面结构。请注意，在该实施模式中，描述像素中具有EL元件像素的显示器件的部分和连接端子部分的剖面结构；但是，可以应用本发明的显示器件不限于此。

在可以应用本发明的显示器件中，包含在一个显示面板中的薄膜晶体管(又称TFT)的半导体层可以是一个结晶性半导体薄膜或无定形半导体薄膜。作为结晶性半导体薄膜，例如，可以使用多晶硅(p-Si)薄膜。作为无定形半导体薄膜，可以使用无定形硅(a-Si:H)薄膜。另外，可以使用所谓微晶硅薄膜。另外，该薄膜晶体管可以具有这样的结构，诸如其中栅极设置在半导体层上面的顶部栅极结构，或其中栅极设置在半导体层下面的底部栅极结构。

首先，在使用结晶性半导体薄膜作为半导体层的情况下，具有顶部栅极晶体管的显示面板的连接端子部分和像素部分的截面图示于图52A和52B。

在衬底5201上面形成基底薄膜5202。诸如玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底或陶瓷衬底等绝缘衬底、金属衬底、半导体衬底可以用作衬底5201。

该基底薄膜5202可以通过化学气相淀积法或溅射法形成。例如，可以使用通过化学气相淀积法利用SiH₄、N₂O、NH₃等用作源材料而形成的氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等。作为另一方案，可以使用其层叠。请注意，基底薄膜5202设置来避免杂质通过扩散从衬底5201进入半导体层，而在利用玻璃衬底或石英衬底作为衬底5201的情况下，不一定设置基底薄膜5202。

在基底薄膜5202上面形成一个岛形半导体层。在该半导体层中，形成一个其中形成沟道的沟道形成区域5203和用作源极区或漏极区的杂质区域5204。于是，在沟道形成区域5203上面形成栅极5206，它们之间带有一个栅极绝缘薄膜5205。

该栅极绝缘薄膜5205可以利用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等通过化学气相淀积法或溅射法形成。另外，可以利用铝(Al)薄膜、铜(Cu)薄膜、包含铝或铜作为它的主要成分的薄膜、铬(Cr)薄膜、钽(Ta)薄膜、氮化钽(TaN)薄膜、钛(Ti)薄膜、钨(W)薄膜、钼(Mo)薄膜等形成栅极5206。

请注意，可以在栅极5206的一侧形成侧壁。该侧壁可以通过形成诸如氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜的硅化合物覆盖栅极206，然后向后蚀刻它而形成。

第一夹层绝缘薄膜5207在栅极5206和栅极绝缘薄膜5205上面形成。第一夹层绝缘薄膜5207可以包括无机绝缘薄膜作为较低的层以及树脂薄膜作为上层。作为无机绝缘薄膜，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或它们的层叠薄膜。作为树脂薄膜，可以使用聚丙亚胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亚胺酰胺、环氧树脂等。

另外，导线5208在第一夹层绝缘薄膜5207上面形成，而导线5208通过接触孔电气连接到杂质区域5204。作为导线5208，可以使用钛(Ti)薄膜、铝(Al)薄膜、铜(Cu)薄膜、含钛铝薄膜等。导线5208最好具有三层结构，和具有一个包括钛(Ti)薄膜作为较低层、铝(Al)薄膜在其上，和钛(Ti)薄膜在其更上面的结构。采用该结构，与该杂质区域5204的导线电阻和接触电阻可以减少。

第二夹层绝缘薄膜5209在导线5208和第一夹层绝缘薄膜5207上面形成。作为该第二夹层绝缘薄膜5209，可以使用无机绝缘薄膜、树脂薄膜或其层叠层。作为该无机绝缘薄膜，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜或其层叠层。作为该树脂薄膜，可以使用聚丙亚胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亚胺酰胺、环氧树脂等。请注意，该树脂薄膜最好用于平面化。

像素电极5210在该第二夹层绝缘薄膜5209上面形成。最好把逸出功高的材料用于像素电极5210。于是，在使用底部发射，其中从衬底5201一侧提取光的情况下，用透明的导电薄膜作像素电极5210。作为另一方案，可以使用透明的导电薄膜的层叠和这样一个薄的金属薄膜来透射光。另外，在使用顶部发射，其中从与衬底5201相反一侧提取光的情况下，最好用反光金属薄膜作像素电极5210。

例如，作为透明导电薄膜的材料，可以使用在氧化铟中加入氧化锡的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(TO)等。利用ITO可以形成一个低电阻像素电极5210。另外，通过利用IZO，可以形成一个均匀的薄膜并完成微小处理。

例如，可以利用诸如氮化钛(TiN)薄膜、铬(Cr)薄膜、钨(W)薄膜、锌(Zn)薄膜或铂(Pt)薄膜等单层薄膜形成反光金属薄膜；氮化钛薄膜和包含铝作为它的主要成份的薄膜的层叠层；氮化钛薄膜、包含铝作为它的主要成份的薄膜和氮化钛薄膜的三层结构等。当像素电极210具有层叠结构时，它可以具有低电阻作为导线和形成有利的欧姆接触。另外，像素电极可以起阳极的作用。利用该反光金属薄膜，可以形成不透光的阳极。

形成绝缘5211覆盖像素电极5210的端部。例如，正片型光敏丙烯酸树脂薄膜可以用作绝缘5211。

在像素电极5210上面形成包含有机化合物的层5212。另外，在包含有机化合物的层5212上面形成反面电极5213。

对于反面电极5213，最好使用逸出功低的材料。例如，可以使用铝(Al)、银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、其合金，诸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF₂或Ca₃N₂等。

在采用底部发射的情况下，利用铝(Al)，银(Ag)，锂(Li)，钙(Ca)和诸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF₂或Ca₃N₂等其合金等金属薄膜形成反面电极5213，使之具有反射光的厚度。另外，在采用顶部发射的情况下，可以利用上述金属薄膜形成反面电极，使之具有透射光的厚度，或利用具有透射光的厚度的上述金属薄膜和透明的导电薄膜的结合形成反面电极。因而，可以形成可以透射光的反面电极5213。

在其中包含有机化合物，夹在反面电极5213和像素电极5210之间的层5212形成光发射元件5215。

另外，形成具有栅极5206、用作源极区或漏极区的杂质区域5204和沟道形成区域5203的晶体管5214。

随后，说明连接端子部分的一种结构。请注意，图52A所示的连接端子部分的剖面视图表示连接端子在线宽方向上的截面。

另外，在该连接端子部分中，该衬底5201上面形成基底薄膜5202，并在其上形成栅极绝缘薄膜5205。但是，在该连接端子部分中，不一定必要形成基底薄膜5202和栅极绝缘薄膜5205。

另外，在栅极绝缘薄膜5205上面形成第一电极5221、第一电极5223和第一电极5225，并分别在该第一电极5221、第一电极5223和第一电极5225形成第二电极5222、第二电极5224和第二电极5226。

于是，第一电极5221、第一电极5223和第一电极5225和第二电极5222、第二电极5224和第二电极5226在电气上通过由第一夹层绝缘薄膜5207和第二夹层绝缘薄膜5209形成的隔壁绝缘。

请注意，第一电极5221、第一电极5223和第一电极5225由与栅极5206相同的材料形成。另外，第二电极5222、第二电极5224和第二电极5226由与导线5208相同的材料形成。第二电极5222、第二电极5224和第二电极5226中的每一个最好都具有三层结构，在钛薄膜上面它可以包括铝薄膜和在其上的钛薄膜。

基准连接端子5227用第一电极221和第二电极5222形成。另外，组合连接端子5228用第一电极5223和第二电极5224形成。另外，基准连接端子5229用第一电极5225和第二电极5226形成。于是在如图52A所示的结构的情况下，第二电极5222和第二电极5226对应于基准连接焊盘，而第二电极5224对应于组合连接焊盘。

请注意，可以采用如图52B所示的结构，在图52A所示的结构中，它包括第二电极5222上面的第三电极5231、第二电极5224上面的第三电极5232和第二电极5226上面的第三电极5233。换句话说，基准连接端子5234用第一电极5221、第二电极5222和第三电极5231形成；组合连接端子5235用第一电极5223、第二电极5224和第三电极5232形成；而基准连接端子5236用第一电极5225、第二电极5226和第三电极5233形成。在图52B所示的结构的情况下，第三电极5231和第三电极5232对应于基准连接焊盘，而第三电极5233对应于组合连接焊盘。

请注意，第三电极5231、第三电极5232和第三电极5233由与像素电极5210相同的材料形成。第三电极5231、第三电极5232和第三电极5233最好从诸如氧化锡加到氧化铟中的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(TO)等氧化物形成。因为上述氧化物在化学上稳定，它可以保护该电极。

作为另一方案，可以采用如图53B所示的结构，在图52A所示的结构中，在第一电极5222下面具有半导体薄膜5311，第一电极5223下面的半导体薄膜和第一电极5225下面的半导体薄膜5313。换句话说，基准连接端子5314用第一电极5221、第二电极5222和半导体层5311形成；组合连接端子5315用第一电极5223、第二电极5224和半导体层5312形成；而基准连接端子5316用第一电极5225、第二电极5226和半导体层5313形成。

另外，连接端子部分可以具有图53A所示的结构。换句话说，第一电极5301、第一电极5303、和第一电极5305在第一夹层绝缘薄膜5207上面形成，另外，第二电极5302、第二电极5304和第二电极5306分别在第一电极5301、第一电极5303和第一电极5305上面形成。

另外，第一电极5301、第一电极5303和第一电极5305和第二电极5302、第二电极5304和第二电极5306在电气上用由第二夹层绝缘薄膜5209形成的隔壁绝缘。

请注意，第一电极5301、第一电极5303和第一电极5305由与导线5208相同的材料形成。另外，第二电极5302、第二电极5304和第二电极5306由与像素电极5210相同的材料形成。第二电极5302、第二电极5304和第二电极5036最好由诸如氧化锡加到氧化铟中的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(TO)等氧化物形成。因为上述氧化物在化学上是稳定的，它可以保护该电极。

基准连接端子5307用第一电极5301和第二电极5302形成。组合连接端子5308用第一电极5303和第二电极5304形成。基准连接端子5309用第一电极5305和第二电极5306形成。在图53A所示的结构的情况下，第二电极5302和第二电极5306对应于该基准连接焊盘，而第二电极5304对应于该组合连接焊盘。

不一定设置第二夹层绝缘薄膜5209。首先，参照图54A说明该像素部分的截面。在第一夹层绝缘薄膜5207上面形成导线5208的步骤类似于图52A所示。

另外，形成绝缘层5402，覆盖像素电极5401的端部。例如，正片型光敏丙烯酸树脂薄膜可以用作绝缘5402。

另外，在像素电极5401上面形成包含有机化合物的层5403。另外，在包含有机化合物的层5403上面形成反面电极5404。

随后，说明该连接端子部分的结构。请注意，图54A中的连接端子部分剖面视图表示连接端子在线宽方向上的断面。

另外，在该连接端子部分中，在衬底5201上面形成基底薄膜5202，而栅极绝缘薄膜5205在其上形成。但是，在该连接端子部分中，不一定要形成基底薄膜5202和栅极绝缘薄膜5205。

另外，第一电极5411、第一电极5413和第一电极5415在栅极绝缘薄膜5205上面形成，而第二电极5412、第二电极5414和第二电极5416分别在第一电极5411、第一电极5413和第一电极5415上面形成。

另外，第一电极5411、第一电极5413和第一电极5415，以及第二电极5412、第二电极5414和第二电极5416在电气上通过第一夹层绝缘薄膜5207绝缘。

请注意，第一电极5411、第一电极5413和第一电极5415由与栅极5206相同的材料形成。另外，第二电极5412、第二电极5414和第二电极5416由与导线5208相同的材料形成。第二电极5412、第二电极5414和第二电极5416中的每一个都具有三层结构，它可以包括钛薄膜上面的铝薄膜和在其上的钛薄膜。

基准连接端子5421用第一电极5411和第二电极5412形成。组合连接端子5422用第一电极5413和第二电极5414形成。基准连接端子5423用第一电极5415和第二电极5416形成。在图54A所示的结构的情况下，第二电极5412和第二电极5416对应于该基准连接焊盘，而第二电极5414对应于该组合连接焊盘。

请注意，可以使用图54B所示的结构，该图54A所示的结构中，它包括第二电极5412上面的第三电极5431、第二电极5414上面的第三电极和第二电极5416上面的第三电极5433。换句话说，基准连接端子5441用第一电极5411、第二电极5412和第三电极5431形成；组合连接端子5442用第一电极5413、第二电极5414和第三电极5432形成；而基准连接端子5443用第一电极5415、第二电极5416和第三电极5433形成。在图54B所示的结构的情况下，第三电极5431和第三电极5432对应于该基准连接焊盘，而第三电极5433对应于该组合连接焊盘。

请注意，第三电极5431、第三电极5432和第三电极5433由与像素电极5401相同的材料形成。第三电极5431、第三电极5432和第三电极5433最好由诸如其中氧化锡加到氧化铟中的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(TO)等氧化物形成。因为上述氧化物在化学上是稳定的，它可以保护该电极。

另外，该连接端子部分可以具有图55A所示的结构。换句话说，第一电极5501、第一电极5503和第一电极5505在第一夹层绝缘薄膜5207上面形成，另外，第二电极5502、第二电极5504和第二电极5506分别在第一电极5501、第一电极5503和第一电极5505上面形成。

第一电极5501、第一电极5503和第一电极5505以及第二电极5502、第二电极5504和第二电极5506在电气上用绝缘层5402绝缘。

请注意，第一电极5501、第一电极5503和第一电极5505由与导线5208相同的材料形成。第二电极5502、第二电极5504和第二电极5506由与像素电极5401相同的材料形成。第二电极5502、第二电极5504和第二电极5506最好由诸如其中氧化锡加到氧化铟中的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(TO)等氧化物形成。因为上述氧化物在化学上是稳定的，它可以保护该电极。

基准连接端子5511用第一电极5501和第二电极5502形成。组合连接端子5512用第一电极5503和第二电极5504形成。基准连接端子5513用第一电极5505和第二电极5506形成。在图55A所示的结构的情况下，第二电极5502和第二电极5506对应于该基准连接焊盘，而第二电极5504对应于该组合连接焊盘。

作为另一方案，可以使用图55B所示的结构，其中在图55A的结构中不设置第二电极5502、第二电极5504和第二电极5506。换句话说，基准连接端子5521用第一电极5501形成。组合连接端子5522用第一电极5503形成。基准连接端子5523用第一电极5505形成。在图55B所示的结构的情况下，第一电极5501和第一电极5505对应于该基准连接焊盘，而第一电极5503对应于该组合连接焊盘。

图56A和56B是利用一个具有以下结构的晶体管的显示面板的剖面视图，其中栅极夹在衬底和半导体层之间，就是说，具有底部栅极结构的晶体管，其中栅极定位半导体层下面，作为一个利用多晶硅(p-Si)作为其半导体层的晶体管的结构。

在衬底5601上面形成基底薄膜5602。然后，栅极5603在基底薄膜5602上面形成。作为栅极5603的材料，可以使用金属薄膜或其中加入磷的多晶硅。除多晶硅以外，也可以使用作为金属化合物的硅化物和硅。

然后，形成栅极绝缘薄膜5604，覆盖栅极5603。栅极绝缘薄膜5604利用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等形成。

在栅极绝缘薄膜5604上面形成半导体薄膜。该半导体薄膜包括沟道形成区域5606和杂质区域5605。请注意，可在沟道形成区域5606上面以完成沟道搀杂。

作为衬底，可以使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等。基底薄膜5602可以利用单一的氮化铝(AlN)层、氧化硅(SiO₂)、氮氧化物(SiO_xN_y)等或其层叠层形成。

形成第一夹层绝缘薄膜5600，来覆盖该半导体薄膜。在第一夹层绝缘薄膜5600中形成接触孔，通过接触孔导线5607与杂质区域5605接触。

另外，在第一夹层绝缘薄膜5600中形成开口5608。

形成第二夹层绝缘薄膜5609，覆盖第一夹层绝缘薄膜5600、导线5607和开口5608。像素电极5610通过接触孔在第二夹层绝缘薄膜5609上面形成。于是，形成绝缘层5611，覆盖像素电极5610的端部。例如，可以使用正片型光敏丙烯酸树脂薄膜。随后，在像素电极5610上面形成含有机化合物和反面电极5613的层5612，在其中包含有机化合物的层5612，夹在像素电极5610和反面电极5613之间。开口5608定位在光发射元件5614下面；相应地，在从该衬底侧提取光发射元件5614的发射光的情况下，由于开口5608的存在可以改善透明度。

接着，说明该连接端子部分的结构。请注意，图56A中连接端子部分的剖面视图表示在线宽方向上连接端子的断面。

另外，在该连接端子部分中，该衬底5601上面形成基底薄膜5602，而栅极绝缘薄膜5604在其上形成。但是，在该连接端子部分中，不一定要形成基底薄膜5602和栅极绝缘薄膜5604。

另外，在栅极绝缘薄膜5604上面形成半导体薄膜5615、半导体薄膜5617和半导体薄膜5619，另外，分别在半导体薄膜5615、半导体薄膜5617和半导体薄膜5619上面形成第一导电薄膜5616、第一导电薄膜5618和第一导电薄膜5620。

另外，半导体薄膜5615、半导体薄膜5617和半导体薄膜5619和第一导电薄膜5616、第一导电薄膜5618和第一导电薄膜5620在电气上通过从夹层绝缘薄膜5600和第二夹层绝缘薄膜5609隔壁绝缘。

请注意，半导体薄膜5615、半导体薄膜5617和半导体薄膜5619由与该晶体管的半导体层相同的材料形成。另外，第一导电薄膜5616、第一导电薄膜5618和第一导电薄膜5620由与导线5607相同的材料形成。

基准连接端子5621用半导体薄膜5615和第一导电薄膜5616形成。组合连接端子5622用半导体薄膜5617和第一导电薄膜5618形成。基准连接端子5623用半导体薄膜5619和第一导电薄膜5620形成。在图56A所示的结构的情况下，第一导电薄膜5616和第一导电薄膜5620对应于该基准连接焊盘，而第一导电薄膜5618对应于该组合连接焊盘。

请注意，可以使用如图56B所示的结构，在图56A所示的结构中，它包括第一导电薄膜5616上面的第二导电薄膜5631，第一导电薄膜5618上面的第二导电薄膜5631、第一导电薄膜5618上面的第二导电薄膜5632和第一导电薄膜5620上面的第二导电薄膜5633。换句话说，基准连接端子5641用半导体薄膜5615、第一导电薄膜5616和第二导电薄膜5631形成；组合连接端子5642用半导体薄膜5617、第一导电薄膜5618和第二导电薄膜5632形成；而基准连接端子5643用半导体薄膜5619、第一导电薄膜5620和第二导电薄膜5633形成。在图56B所示的结构的情况下，第二导电薄膜5631和第二导电薄膜5632对应于该基准连接焊盘，而该第二导电薄膜5633对应于该组合连接焊盘。

请注意，第二导电薄膜5631、第二导电薄膜5632和第二导电薄膜5633由与像素电极5610相同的材料形成。第二导电薄膜5631、第二导电薄膜5632和第二导电薄膜5633最好由诸如其中氧化锡加到氧化铟中的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(TO)等氧化物形成。因为上述氧化物在化学上是稳定的，它可以保护该电极。。

作为另一方案，可以使用图57B所示的结构，其中在图56B的结构中不设置半导体层5615、半导体层5617和半导体层5619。换句话说，基准连接端子5711用第一导电薄膜5616和第二导电薄膜5631形成。组合连接端子5712用第一导电薄膜5618和第二导电薄膜5632形成。基准连接端子5713用第一导电薄膜5620和第二导电薄膜5633形成。在图57B所示的结构的情况下，第二导电薄膜5631和第二导电薄膜5633对应于该基准连接焊盘，而该第二导电薄膜5632对应于该组合连接焊盘。

另外，该连接端子部分可以具有图57A所示的结构。换句话说，第一导电薄膜5701、第一导电薄膜5703和第一导电薄膜5705在第一夹层绝缘薄膜5600上面形成，另外，第二导电薄膜5702、第二导电薄膜5704和第二导电薄膜5706分别在第一导电薄膜5701、第一导电薄膜5703和第一导电薄膜5705上面形成。

另外，第一导电薄膜5701、第一导电薄膜5703和第一导电薄膜5705以及第二导电薄膜5702、第二导电薄膜5704和第二导电薄膜5706在电气上通过从该第二夹层绝缘薄膜5609形成的隔壁绝缘。

请注意，第一导电薄膜5701、第一导电薄膜5703和第一导电薄膜5705由与导线5607相同的材料形成。另外，第二导电薄膜5702、第二导电薄膜5704和该第二导电薄膜5706由与像素电极5610相同的材料形成。最好该第二导电薄膜5702、第二导电薄膜5704和第二导电薄膜5706由诸如其中氧化锡加到氧化铟中的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锌(ZnO)或(TO)等氧化物形成。因为上述氧化物在化学上是稳定的，它可以保护该电极。

基准连接端子5707用第一导电薄膜5701和第二导电薄膜5702形成。组合连接端子5708用第一导电薄膜5703和第二导电薄膜5704形成。基准连接端子5709用第一导电薄膜5705和第二导电薄膜5706形成。在图57A所示的结构的情况下，第二导电薄膜5702和第二导电薄膜5706对应于该基准连接焊盘，而第二导电薄膜5704对应于该组合连接焊盘。

随后，说明利用无定形硅(a-Si:H)薄膜作为晶体管半导体层的情况。

图58A是一个其半导体层利用无定形硅的顶部栅极晶体管的剖面视图。如图58A所示，基底薄膜5802在衬底5801上面形成。另外，像素电极5803在基底薄膜5802上面形成。

作为该衬底，可以使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等。基底薄膜5802可以利用单一层氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等或其层叠层形成。

导线5804在基底薄膜5802上面形成，像素电极5803的端部被导线5804覆盖。在导线5804的上面，形成具有n-型导电性能的n-型半导体层5806。另外，半导体层5805在n-型半导体层5806和基底薄膜5802上面形成。请注意，半导体层利用诸如无定形硅(a-Si:H)薄膜或微晶半导体(a-Si:H)薄膜等无定形半导体薄膜形成。于是，栅极绝缘薄膜5807在半导体层5805上面形成。请注意，氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等用作栅极绝缘薄膜5807。

在栅极绝缘薄膜5807上面，形成栅极5808。另外，形成绝缘层5809，以便覆盖像素电极5803和晶体管5812的端部。

在位于绝缘层5809开口的绝缘5809和像素电极5803上面，形成一个包含有机化合物和反面电极5811的层5810。在一个其中包含有机化合物的层5810夹在像素电极5803和反面电极5811之间的区域形成光发射元件5813。

接着，说明连接端子部分的一种结构。请注意，图58A中连接端子部分的剖面视图表示连接端子在线宽方向上的断面。

另外，在该连接端子部分中，基底薄膜5802在该衬底5801上面形成。但是，在该连接端子部分中，不一定形成基底薄膜5802。

另外，第一导电薄膜5814、第一导电薄膜5816和第一导电薄膜5818在基底薄膜5802上面形成，另外，第二导电薄膜5815、第二导电薄膜5817和第二导电薄膜5819分别在第一导电薄膜5814、第一导电薄膜5816和第一导电薄膜5818上面形成。

另外，第一导电薄膜5814、第一导电薄膜5816和第一导电薄膜5818以及第二导电薄膜5815、第二导电薄膜5817和第二导电薄膜5819在电气上通过绝缘物5809绝缘。

请注意，第一导电薄膜5814、第一导电薄膜5816和第一导电薄膜5818由与导线5804相同的材料形成。第二导电薄膜5815、第二导电薄膜5817和第二导电薄膜5819由与栅极5808相同的材料形成。基准连接端子5820用第一导电薄膜5814和第二导电薄膜5815形成。组合连接端子5821用第一导电薄膜5816和第二导电薄膜5817形成。基准连接端子5822用第一导电薄膜5818和第二导电薄膜5819形成。在图58A所示的结构的情况下，第二导电薄膜5815和第二导电薄膜5819对应于该基准连接焊盘，而第二导电薄膜5817对应于该组合连接焊盘。

作为另一方案，可以使用如图58B所示的结构，在图58A的结构中，它包括第一导电薄膜5814下面的第三导电薄膜5823、第一导电薄膜5816下面的第三导电薄膜5824和第一导电薄膜5818下面的第三导电薄膜5825。换句话说，基准连接端子5820用第一导电薄膜5814、第二导电薄膜5815和第三导电薄膜5823形成；组合连接端子5821用第一导电薄膜5816、第二导电薄膜5817和第三导电薄膜5824形成；而基准连接端子5822用导电薄膜5818、第二导电薄膜5819和第三导电薄膜5825形成。

图59A和59B是显示面板的部分剖面视图，它设有利用无定形硅作为其半导体层的底部栅极晶体管。

基底薄膜5902在衬底5901上面形成。在基底薄膜5902上面，形成栅极5903。作为栅极5903的材料，可以使用加了磷的多晶硅。除多晶硅以外，也可以使用作为金属化合物的硅化物和硅。

然后，形成栅极绝缘薄膜，来覆盖栅极5903。栅极绝缘薄膜5904利用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等形成。

半导体层5905在栅极绝缘薄膜5904上面形成。

作为该衬底，可以使用玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等。可以利用单一层氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等或其层叠层形成。

在半导体层5905上面形成具有n-型导电类型的n-型半导体层5906。

在该n-型半导体层5906上面形成导线5907。

导线5907的一个端部延伸，而像素电极5908在延伸的导线5907上形成。

形成绝缘层5909，来覆盖像素电极5908和晶体管5912的端部。

于是，在像素电极5908和绝缘5909上面形成包含有机化合物的层5910和反面电极5911。在一个其中包含有机化合物的层5910夹在像素电极5908和反面电极5911之间的区域形成光发射元件5913。

接着，说明连接端子部分的一种结构。请注意，图59A中连接端子部分的剖面视图表示连接端子在线宽方向上的断面。

另外，在该连接端子部分中，在该衬底5901上面形成基底薄膜5902。但是，在该连接端子部分中，不一定形成基底薄膜5902。

另外，在基底薄膜5902上面形成第一导电薄膜5914、第一导电薄膜5915和第一导电薄膜5916。

另外，第一导电薄膜5914、第一导电薄膜5915和第一导电薄膜5916在电气上通过绝缘壁5909绝缘。

请注意，第一导电薄膜5914、第一导电薄膜5915和第一导电薄膜5916由与导线5907相同的材料形成。

基准连接端子5917用第一导电薄膜5914形成。组合连接端子5918用第一导电薄膜5915形成。基准连接端子5919用第一导电薄膜5916形成。在图59A所示的结构的情况下，第一导电薄膜5914和第一导电薄膜5916对应于该基准连接焊盘，而第一导电薄膜5915对应于该组合连接焊盘。

作为另一方案，可以使用如图59B所示的结构，在图59A所示的结构中，它包括第一导电薄膜5914上面的第二导电薄膜5920、第一导电薄膜5915上面的第二导电薄膜5921和第一导电薄膜5916上面的第二导电薄膜5922。换句话说，基准连接端子5923用第一导电薄膜5914和第二导电薄膜5920形成；组合连接端子5924用第一导电薄膜5915和第二导电薄膜5921形成；而基准连接端子5925用第一导电薄膜5916和第二导电薄膜5922形成。

请注意，图59A和59B表示反向交错沟道蚀刻型晶体管，但是，可以使用沟道保护型晶体管。现参照图60A和60B说明沟道保护型晶体管的情况。

图60A和60B所示的沟道保护型晶体管6002不同于图59A和59B所示的沟道蚀刻型晶体管的方面在于，用作蚀刻掩模的绝缘6001设置在该半导体层5905中沟道形成区域的上面。其他共同的组件标以共同的引用号。

利用无定形半导体薄膜作为包括该本发明的像素内的晶体管半导体层(诸如沟道形成区域、源极区和漏极区)，可以降低制造成本。

请注意，应用本发明的显示面板不限于上述。

[实施模式7]

在该实施模式中，说明不同于实施模式1的组合连接端子的结构。

首先，参照图39A和39B说明该实施模式的第一结构。在衬底101上面的连接端子部分中，连接焊盘3901a、多个连接焊盘3902和连接焊盘3901b间隔相等地排列。另外，这些连接焊盘的线宽也大致彼此相等。

电极3903在连接焊盘3902下面形成，它们之间有一个绝缘薄膜。从连接焊盘3901a至连接焊盘3901b形成电极3903。于是，连接焊盘3901a通过接触孔3904a电气连接到电极3903，而连接焊盘3901b通过接触孔3904b电气连接到电极3903。因而，连接焊盘3901a和连接焊盘3901b电气上彼此连接。组合连接端子用连接焊盘3901a、连接焊盘3901b和电极3903形成。另外，该组合连接端子连接到FPC端子的部分是连接焊盘3901a和连接焊盘3901b。

请注意，在图39中，连接端子部分两端的连接焊盘电气上彼此连接，以此形成组合连接端子；但是，本发明不限于此。换句话说，可以通过在电气上使该连接端子部分中的任何连接焊盘彼此连接而形成组合连接端子。相应地，要电气连接的连接焊盘的数目不限于两个，可以是3个或更多。增大该数目，便可以放大带有FPC焊盘的连接区域；因此，可以降低接触电阻。

按照该结构，在该连接端子部分的较低的层面上，连接焊盘电气上彼此连接。因此，在导线不伸入密封区域3901包围的部分的情况下，可以实现间隔开的连接焊盘之间的连接。

请注意，该结构可以与实施模式2中描述连接端子部分的不同的结构结合。一个示例如图61所示。

在图61中，组合连接焊盘6101a、组合连接焊盘6101b、组合连接焊盘6102和基准连接焊盘6103间隔相等地排列在衬底101上面的连接端子部分中。

电极6104在组合连接焊盘6101a和组合连接焊盘6101b下面形成，它们之间有绝缘薄膜。电极6104由组合连接焊盘6101a至组合连接部分6101b形成。然后，组合连接焊盘6101a通过接触孔6105a电气连接到电极6104，而组合连接焊盘6101b通过接触孔6105b电气连接到电极6104。因而，组合连接焊盘6101a和组合连接焊盘6101b电气上彼此连接。组合连接端子用组合连接焊盘6101a、组合连接焊盘6101b和电极6104形成。另外，该组合连接端子连接到FPC端子的部分是组合连接焊盘6101a和组合连接焊盘6101b。

请注意，在这种情况下，接触孔6105a的宽度可以做得大于基准连接焊盘6103的线宽。因此，可以降低接触电阻。

请注意，在图61中，在该连接端子部分的两端，组合连接焊盘电气上彼此连接，以此形成组合连接端子；但是，本发明不限于此。换句话说，组合连接端子可以通过在电气上使在该连接端子部分中的任何连接焊盘彼此连接而形成。相应地，要电气连接的连接焊盘的数目不限于两个，可以是3个或更多。增大该数目，便可以放大带有FPC焊盘的连接区域；因此，可以降低接触电阻。

另外，尽管组合连接焊盘彼此连接，但是组合连接端子可以通过在电气上使组合连接焊盘和基准连接焊盘彼此连接而形成。

按照该结构，连接焊盘在连接端子部分的一个较低的层面电气连接。因此，可以在导线不伸入被密封区域901包围的部分的情况下，可以实现间隔开的连接焊盘之间的连接。

随后，参照图37说明该实施模式的第二结构。连接焊盘3701a、多个连接焊盘3702和连接焊盘3701b间隔相等地排列在衬底101上面的连接端子部分内。另外，这些连接焊盘的线宽也大致彼此相等。

连接焊盘3701a和连接焊盘3701b通过在该连接端子部分中在衬底101的周边形成的导线3703连接。请注意，导线3703由与连接焊盘3701a和连接焊盘3701b连续的导电薄膜形成；因此，导线3703、连接焊盘3701a和连接焊盘3701b不用接触孔电气上彼此连接。相应地，组合连接端子用连接焊盘3701a、连接焊盘3701b和导线3703形成。另外，组合连接端子连接到FPC端子的部分是连接焊盘3701a和连接焊盘3701b。

请注意，在图37中，连接端子部分两端的连接焊盘电气上彼此连接，以此形成组合连接端子；但是，本发明不限于此。换句话说，组合连接端子可以通过在电气上使在该连接端子部分中的任何连接焊盘彼此连接而形成。相应地，要电气连接的连接焊盘的数目不限于两个，可以是3个或更多。增大该数目，带有FPC焊盘的连接区域便可以放大；因此，可以降低接触电阻。

按照该结构，连接焊盘不用接触孔彼此连接；因此，允许间隔开的连接焊盘之间的连接，而又不增大接触电阻。因而，可以降低电阻。

请注意，该结构可以与实施模式2中所描述的连接端子部分的不同的结构结合。一个示例示于图38。

在图38中，组合连接焊盘3801a、组合连接焊盘3801b、组合连接焊盘3802和基准连接焊盘3803间隔相等地排列在衬底101上面的连接端子部分。

组合连接焊盘3801a和组合连接焊盘3801b通过在连接端子部分中衬底101周边形成的导线3804彼此连接。请注意，导线3804由与组合连接焊盘3801a和组合连接焊盘3801b连续的导电薄膜形成；因此，导线3804、组合连接焊盘3801a和组合连接焊盘3801b不通过接触孔电气上彼此连接。相应地，组合连接端子用组合连接焊盘3801a、组合连接焊盘3801b和导线3804形成。另外，组合连接端子连接到FPC端子的部分是组合连接焊盘3801a和组合连接焊盘3801b。

请注意，在图38中，连接端子部分两端的连接焊盘电气上彼此连接，以此形成组合连接端子；但是，本发明不限于此。换句话说，组合连接端子可以通过在电气上使连接端子部分中的任何组合连接焊盘彼此连接而形成。相应地，要电气连接的连接焊盘数目不限于两个，可以是3个或更多。作为另一方案，组合连接焊盘和基准连接焊盘可以是用设置在衬底周边的导线电气上彼此连接。请注意，增大该数目，便可以放大与FPC焊盘的连接区域，因此，可以降低接触电阻。

[实施模式8]

在该实施模式中，将说明使显示器件有缺陷的显示进一步改善成为可能的结构。

在该实施模式的结构中，外围驱动电路(扫描线驱动电路、信号线驱动电路等等)中的电流源电路和连接该电流源电路和电流源的导线不与反面电极重叠。

首先，该实施模式的第一结构如图27所示。请注意，与图13共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。在图27所示的结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。闩锁电路2701配置得离像素部分106比离移位寄存器2702更远的位置。为了有效使用显示面板区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间的距离短。因此，延伸到超出像素部分106的反面电极202部分地重叠该移位寄存器2702。但是，包括该电流源、电流源电路、连接它们用的导线等等的闩锁电路2701不与反面电极202重叠。

采用这样的一种结构，可以防止由于用该导线和反面电极202形成寄生电容的影响造成的有缺陷的显示，而同时有效地利用显示面板的区域。

这是因为，把输入的视频信号保持在闩锁电路每一级的闩锁电路2701用的时间，比把视频信号从该闩锁电路2701写入像素所需的时间短；因此，若与视频信号对应的信号电流小，则寄生电容的影响增大，故该视频信号一般不写入闩锁电路2701。

这里，信号线驱动电路104配置的一个示例如图42所示。移位寄存器2702包括多个触发器4201和触发器4202。时钟信号(CLK)和反转时钟信号(CLKB)输入移位寄存器2702。于是，开始脉冲(S_SP)输入第一级移位寄存器2702的触发器4201。然后，至于从第二级的触发器4202输出的脉冲，开始脉冲延迟一个脉冲。换句话说，当从触发器4202输出时，输入触发器4201的脉冲延迟一个脉冲；因此，该触发器4202的每一个输出都延迟一个脉冲。这用作采样脉冲，确定视频信号(视频数据)保持的定时。

另外，按照每一个信号线，闩锁电路2701包括写选择开关4203a、写选择开关4203b、采样开关4204a、采样开关4204b、电流源电路4205a、电流源电路4205b、读入选择开关4206a和读入选择开关4206b。

写选择开关4203a和写选择开关4203b中的一个接通，其他就截止。当写选择开关4203a接通时，写选择开关4203b截止，而电流源电路4205a被选定作为写入视频信号用的电流源电路。换句话说，采样开关4204a按照该定时接通，此时向闩锁电路2701输入采样脉冲，与该视频信号对应的电流便写入电流源电路4205a。同样地，当写选择开关4203b接通时，写选择开关4203a截止，而电流源电路4205b被选定作为写入视频信号用的电流源电路。换句话说，采样开关4204b按照向闩锁电路2701输入采样脉冲的定时接通，与该视频信号对应的电流便写入电流源电路4205b。

另外，当写选择开关4203a接通时，读入选择开关4206b接通，而读入选择开关4206a截止。于是，与写入电流源电路4205b的视频信号对应的电流输出至信号线。同样地，当写选择开关4203b接通时，读入选择开关4206a接通，而读入选择开关4206b截止。于是，与写入电流源电路4205a的视频信号对应的电流输出至信号线。

这里，当输入视频信号(视频数据)的视频线4207与该反面电极重叠时，产生寄生电容。当与视频信号对应的电流值小时，电流流动至寄生电容，这造成写入该电流源电路的视频信号不足。因而，引起有缺陷的显示。

但是，使用如图27所示实施模式的结构，便可以防止有缺陷的显示，因为反面电极202不重叠闩锁电路2701，即使试图有效地使用显示面板区域。

请注意，如图43A至43C所示的任何结构都可以应用于该电流源电路。图43A的电流源电路包括开关4304、晶体管4302和电容器4303。另外，写入该电流源电路是通过电流源4301完成的。图43B的电流源电路包括开关4313、晶体管4311和电容器4312。另外，写入该电流源电路是通过电流源4301完成的。图43C的电流源电路包括开关4324、晶体管4321、晶体管4322、电容器4323和开关4325。另外，写入该电流源电路是通过电流源4301完成的。

接着，实施模式的第二结构如图28所示。请注意，与图14共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。另外，在该结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。闩锁电路2701配置在离开像素部分106比离开移位寄存器2702更远的位置。为了有效地使用显示面板的区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间的距离是短的。因此，延伸超出像素部分106的反面电极202部分地重叠移位寄存器2702。但是，包括电流源、电流源电路、连接它们用的导线等等的闩锁电路2701不与反面电极202重叠。

在该结构中，导线1403通过移位寄存器2702中的接触孔1404连接到反面电极202。

接着，该实施模式的第三结构如图29所示。请注意，与图15共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。另外，在该结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。闩锁电路2701配置在离开像素部分106比离开移位寄存器2702更远的位置。为了有效地使用显示面板的区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间的距离是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面电极202部分地重叠移位寄存器2702。但是，包括电流源、电流源电路、连接它们用的导线等等的闩锁电路2701不与反面电极202重叠。

在该结构中，闩锁电路2701配置在与提供信号或电力的连接端子201相反一侧，它们之间带有像素部分106；因而，导致寄生电容产生的原因的导线不延伸得跨越闩锁电路2701。因此，可以进一步防止有缺陷的显示。

随后，该实施模式的第四结构如图30所示。请注意，与图16共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。另外，在该结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。闩锁电路2701配置在离开像素部分106比离开移位寄存器2702更远的位置。为了有效地使用显示面板的区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间距离是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面电极202部分地重叠移位寄存器2702。但是，包括电流源、电流源电路、连接它们用的导线等等的闩锁电路2701不与反面电极202重叠。因此，可以防止有缺陷的显示。

随后，该实施模式的第五结构示于图31。请注意，与图17共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。另外，在该结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。闩锁电路2701配置离开像素部分106比离开移位寄存器2702更远的位置。为了有效地使用显示面板的区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间的距离是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面电极202部分地重叠移位寄存器2702。但是，包括电流源、电流源电路、连接它们用的导线等等的闩锁电路2701不与反面电极202重叠。因此，可以防止有缺陷的显示。

随后，该实施模式的第六结构如图32所示。请注意，与图18共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。另外，在该结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。闩锁电路2701配置在离开像素部分106比离开移位寄存器2702更远的位置。为了有效地使用显示面板的区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间的距离是短的。因此，延伸到超出像素部分的反面电极202部分地重叠移位寄存器2702。但是，包括电流源、电流源电路、连接它们用的导线的闩锁电路2701不与反面电极202重叠。因此，可以防止有缺陷的显示。

随后，该实施模式的第七结构如图33所示。请注意，与图19共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。另外，在该结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。该闩锁电路2701配置离开像素部分106比离开移位寄存器2702更远的位置。为了有效地使用显示面板的区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间的距离是短的。因此，延伸到超出像素部分106反面电极202部分地重叠移位寄存器2702。但是，包括电流源、电流源电路、连接它们用的导线等等的闩锁电路2701不与反面电极202重叠。因此，可以防止有缺陷的显示。

随后，该实施模式的第八结构如图34所示。请注意，与图共同的组件标以共同的引用号，故其说明从略。另外，在该结构中，信号线驱动电路104包括闩锁电路2701和移位寄存器2702。闩锁电路2701配置在离开像素部分106比离开移位寄存器2702更远的位置。为了有效地使用显示面板的区域，信号线驱动电路104和像素部分106之间的距离是短的。因此，延伸到超出像素部分106的反面电极202部分地重叠移位寄存器2702。但是，包括电流源、电流源电路、连接它们用的导线等等的锁电路2701不与反面电极202重叠。因此，可以防止有缺陷的显示。

[实施例1]

在该实施例中，参照图35A至35C说明实施模式1中所描述的基准连接焊盘的线宽、组合连接焊盘的线宽、连接间距、FPC焊盘的线宽和FPC间距之间有利的数量关系。

图35A表示衬底101，设有连接到FPC103的电路。点线3501包围的区域的部分放大的示意图示于图35B。另外，其截面如图35C所示。

首先，参照图35C进行说明。连接焊盘(基准连接焊盘112和组合连接焊盘113)在衬底101上面形成，而隔壁114在这些连接焊盘之间的每一个形成。隔壁114具有绝缘特性并在这些连接焊盘之间保持绝缘。连接焊盘(基准连接焊盘112和组合连接焊盘113)通过各向异性导电薄膜411连接到各自相应的FPC焊盘111。请注意，这里在组合连接焊盘113连接到两个FPC焊盘111的情况下描述该结构；但是，本发明不限于此。另外，导电颗粒421可以在该各向异性导电薄膜411中混合。照此可以降低接触电阻。

在衬底101与FPC 103接合时在该焊盘线宽方向上不出现对不准的情况下，基准连接焊盘112的中央轴线与FPC焊盘111的中央轴线对准，如图35B和35C所示。

随后，参照图35B进行说明。直线3502指示该FPC的边沿。

基准连接焊盘112的线宽L1形成得小于连接间距L3。FPC焊盘111的线宽L2形成得大于FPC间距L4。另外，基准连接焊盘112的线宽L1形成得小于FPC焊盘111的线宽L2。换句话说，通过形成每一个焊盘来满足条件L1＜L3，L2＞L4，和L1＜L2，使相应的焊盘之间的电连接成为可能，并且即使衬底101与FPC 103接合时出现该焊盘在线宽方向上略微对不准，也可以减少产生与相邻焊盘短路的情况。

另外，按照该结构，组合连接焊盘113的线宽L5大致等于PFC焊盘111的线宽L2、基准连接焊盘112的线宽L1和FPC间距L4的总和。换句话说，满足L5＝L2+L1+L4。另外，组合连接焊盘113和两个FPC焊盘111之间的连接区域线宽是L2+L1。于是，L2大于L1；因此，组合连接焊盘113和两个FPC焊盘111之间连接区域是基准连接焊盘112和FPC焊盘111之间连接区域的两倍或更大。相应地，可以极大地减少组合连接焊盘113的接触电阻。请注意，在把组合连接焊盘113连接至3个或更多FPC焊盘111的情况下，连接区域也同样地极大地放大；因而，可以降低接触电阻。

[实施例2]

在该实施例中，在利用光发射元件作为显示元件的情况下，说明显示面板的结构。

在该实施例中，参照图66A和66B说明可应用于本发明的显示器件的显示面板。请注意，图66A是一个表示显示面板的顶视图，而图66B是一个沿着直线a-a′取出的图66A的剖面视图。该显示面板包括信号线驱动电路6601、像素部分6602、第二扫描线驱动电路6603和点线所指出的第一扫描线驱动电路6606。它还包括密封衬底6604和密封剂6605，而被密封剂6605包围的部分是空间6607。

请注意，导线6608是通过用作外部输入端子的FPC(柔性印刷电路)6609向第二扫描线驱动电路6603、第一扫描线驱动电路6606和信号线驱动电路6601传送信号和接收视频信号、时钟信号、开始信号等等用的导线。IC芯片(半导体芯片设有存储器电路、缓冲区电路等)6619用COG(玻璃上的芯片)封装在FPC 6609和该显示面板的结点上。请注意，这里表示FPC；但是，可以把一个印刷接线板(PWB)附在FPC上。在本申请书中，该显示器件不仅包括显示面板本身，而且包括带有FPC或与之接合的PWB的显示面板。另外，它还包括在其上安装了IC芯片等的显示面板。

接着，参照图66B说明剖面结构。像素部分6602和它的外围驱动电路(第二扫描线驱动电路6603、第一扫描线驱动电路6606和信号线驱动电路6601)在衬底6610上面形成；这里表示信号线驱动电路6601和像素部分6602。

请注意，作为信号线驱动电路6601，利用n-沟道TFT 6620和p-沟道TFT 6621形成CMOS电路。在该实施例中，描述了其中该外围驱动电路集成在该衬底上面的显示面板；但是，本发明不限于此。所有外围驱动电路或其一部分可以在一个IC芯片等上形成并通过COG等封装。

像素部分6602包括多个电路，每一个都形成包括TFT 6611和TFT6612的像素。请注意，TFT 6612的源极连接到第一电极6613。形成绝缘6614来覆盖层第一电极6613的端部。这里，使用正片型光敏丙烯酸树脂薄膜。

形成绝缘6614，使之具有一个曲面，在其上端部或下端部带有曲率，以便形成有利的覆盖。例如，在利用正片型光敏丙烯酸作为绝缘6614的材料的情况下，最好形成绝缘层6614，使之只在该上端部具有一个曲面(曲率半径0.2μm至3μm)。通过光照在蚀刻剂变成不溶性的负片类型或通过光照在蚀刻剂中变成可溶性的正片类型都可以用作绝缘层6614。

包含有机化合物和第二电极6617的层6616在第一电极6613上面形成。这里，逸出功高的材料最好用作起阳极作用的第一电极6613用的材料。例如，第一电极6613可以利用单层薄膜，诸如ITO(氧化铟锡)薄膜、氧化铟锌(IZO)薄膜、氮化钛薄膜、铬薄膜、钨薄膜、锌薄膜或铂薄膜；氮化钛薄膜和包含铝作为它的主要成份的薄膜的层叠层；氮化钛薄膜、包含铝作为它的主要成份的薄膜和氮化钛薄膜的三层结构等形成。当第一电极6613具有层叠结构时，它可以具有像导线一样低的电阻并形成一个有利的欧姆接触。另外，该第一电极可以起阳极的作用。

另外，包含有机化合物的层6616通过蒸发方法利用蒸发掩模或喷墨方法形成。属于周期表第4族的金属络合物用于包含有机化合物的层6616，此外，可以结合使用的材料可以是低分子材料或高分子材料。另外，作为用于包含有机化合物是层的材料，往往一般地使用有机化合物的单一层或层叠层，另外，该实施例还包括其中无机化合物用于由有机化合物形成的薄膜的一部分的结构。另外，还可以使用已知的三态材料。

作为在层6616上面形成包含有机化合物的第二电极(阴极)6617用的材料，可以使用逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或它们的合金，诸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF₂或Ca₃N₂)。在包含有机化合物的层6616产生的光通过第二电极6617传输的情况下，最好用厚度薄的金属薄膜和透明的导电薄膜(氧化铟和氧化锡(ITO)的合金、氧化铟和氧化锌的合金(ln₂O₃-ZnO)氧化锌(ZnO)等)作为第二电极(阴极)6617。

通过用密封剂6605把密封衬底6604与衬底6610接合，获得一种结构，其中光发射元件6618设置在被衬底6610、密封衬底6604和密封剂6605包围的空间6607内。请注意，还有一种情况，其中空间6607用密封剂6605以及惰性气体(诸如氮或氩)填充。

请注意，最好用环氧树脂基树脂作密封剂6605。该材料最好允许尽可能少的水份和氧渗透。作为密封衬底6604，除玻璃衬底或石英衬底外，可以使用由FRP(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、Myler、聚酯、丙烯酸等形成的塑料衬底。

可以如上所述地获得显示面板。

另外，可用作光发射元件6618的EL元件的一个示例示于图72A和72B。

该EL元件具有这样的元件结构，其中阳极7202、由空穴注入材料形成的空穴注入层7203、由空穴传输材料形成的空穴传输层7204、光发射层7205、由电子传输材料形成的电子传输层7206、由电子注入材料形成的电子注入层7207和阴极7208层叠在衬底7201上面。这里，光发射层7205可以只由一种类型的光发射材料形成；但是，它可以由两个或多个类型的材料形成。另外，本发明的元件结构不限于此。

除各图72A所示的各自功能层的层叠结构以外，在元件结构上有一个范围很宽的变动，诸如利用高分子化合物的元件或光发射层利用从三态激励状态发射光的三态光发射材料形成的高效元件。另外，本发明的元件结构还可以应用于通过用空穴封锁层控制载流子复合区把光发射区分为两个区域而实现的白光显示元件等。

在图72A所示的本发明的元件制造方法中，空穴注入材料、空穴传输材料和光发射材料依次蒸镀在已经设有阳极7202的衬底7201上面。然后，蒸镀电子传输材料和电子注入材料，最后，通过蒸镀形成阴极7208。

适用于空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料和光发射材料的材料开列于下。

作为空穴注入材料，在有机化合物当中卟啉化合物、酞菁染料在下文中称作″H₂Pc″)、铜酞菁染料(在下文中称作″CuPc″)等都是有效的。另外，电离化电位数值比要使用的空穴传输材料小的材料和具有空穴传输功能的材料也可以用作空穴注入材料。还有包括用聚苯乙烯磺酸酯(在下文中称作″PSS″)的聚乙烯二氧噻吩(在下文中称作″PEDOT″)、聚苯胺等等化学搀杂导电高分子化合物。另外，在阳极的平面化上绝缘高分子化合物也是有效的，并往往使用聚丙亚胺(在下文中称作″PI″)。另外，一种包括超薄氧化铝薄膜(在下文中称作″氧化铝″)以及诸如金或铂的金属薄膜的无机化合物也被采用。

作为空穴传输材料使用最广泛的材料是芳香胺基化合物(换句话说，具有一个苯环中氮键的化合物)。广泛使用的材料包括4，4′-双(二苯氨基)-联苯(在下文中称作″TAD″)、其衍生物，诸如4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基-联苯(在下文中称作″TPD″)或4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(在下文中称作″α-NPD″)，此外，星爆式芳香胺化合物，诸如4，4′，4″-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(在下文中称作″MTDATA″)。

作为电子传输材料，经常使用金属络合物，包括具有喹啉骨络或苯并喹啉骨络的金属络合物，诸如Alq₃、BAlq、三(4-甲基-8-喹啉根合(quinolinolato))铝(在下文中称作″Almq″)或双(10-羟基苯并[h]-喹啉根合(quinolinato))铍(在下文中称作″Bebq″)，和此外具有噁唑基或噻唑基配体的金属络合物，诸如双[2-(2-羟基苯基)-苯并噁唑根合(benzoxazolato)]锌(在下文中称作″Zn(BOX)₂″)或双[2-(2-羟基苯基)-苯并噻唑根合(benzothiazolato)]锌(在下文中称作″Zn(BTZ)₂″)。另外，除金属络合物以外，噁二唑衍生物，诸如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)1，3，4-噁二唑(在下文中称作″PBI″)或OXD-7，一种三唑衍生物，诸如TAZ或3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(在下文中称作″p-EtTAZ″)，和菲咯啉衍生物，诸如红菲咯啉(在下文中称作″BPhen″)或具有电子传输特性的BCP。

作为电子注入材料可以使用上面描述的电子传输材料。另外，经常使用超薄的绝缘薄膜，诸如金属卤化物，包括氟化钙、氟化铯等等，或包括氧化锂的碱金属氧化物等等。另外，碱金属络合物，诸如乙酰丙酮锂酯(在下文中称作″Li(acac)″)或8-喹啉锂酯(quinolinolato-lithium)也是有效的。

作为光发射材料，上面描述的金属络合物，诸如Alq3，Almq，BeBq，BAlq，Zn(BOX)₂或Zn(BTZ)₂以外，不同的荧光染料是有效的。这些荧光染料包括蓝色的4，4′-双(2，2-二苯-乙烯基)-联苯、橙红色的4-二氰亚甲基)-2-甲基-6-(p-二甲氨基苯乙烯)-吡喃等等。另外，三态光发射材料也是可能的，它主要是带有铂或铱作为中央金属的络合物。作为该三态光发射材料，已知有三(2-苯基吡啶)铱、双(2-(4′-tryl)吡啶-N，C²′)乙酰丙酮铱(在下文中称作″acacIr(tpy)₂″)、2，3，7，8，12，13，17，18-辛乙基-21H、23H-卟啉铂等等。

通过结合上面描述的具有各自功能的材料，可以制造高度可靠的显示元件。

另外，以与图72A相反顺序具有多层层叠的显示元件也可以像图72B所示那样使用。换句话说，在一个元件结构中，阴极7208、由电子注入材料形成的电子注入层7207、由电子传输材料形成的电子传输层7206、光发射层7205、由空穴传输材料形成的空穴传输层7204、由空穴注入材料形成的空穴注入层7203和阳极7202依次该衬底7201上面层叠。

另外，为了从光发射元件提取光发射，该阳极和该阴极中的至少一个可以是透明的。于是，在衬底上面形成TFT和显示元件。有具有顶部发射结构的光发射元件，其中光发射通过与该衬底相反的表面提取；具有底部发射结构的光发射元件，其中光发射通过衬底一侧的表面提取；和具有双发射结构的光发射元件，其中光发射通过与该衬底相反的表面和该衬底一侧的表面提取。本发明的像素配置可以应用于具有任何发射结构的显示元件。

现参照图73A描述具有顶部发射结构的光发射元件。

在衬底7300上面，形成一个TFT 7301，并形成一个第一电极7302与该TPT 7301的源极接触。在其上形成包含有机化合物的层7303和第二电极7304。

请注意，第一电极7302是该光发射元件的阳极，而该第二电极7304是该光发射元件的阴极。换句话说，该光发射元件是在这样一个区域内形成，其中包含有机化合物的层7303夹在第一电极7302和第二电极7304之间。

这里，起阳极的作用的第一电极7302最好利用逸出功高的材料形成。例如，可以使用单层薄膜，诸如氮化钛薄膜、铬薄膜、钨薄膜、锌薄膜或铂薄膜、氮化钛薄膜和包含铝作为它的主要成份的薄膜的层叠层、或氮化钛薄膜、包含铝作为它的主要成份的薄膜和氮化钛薄膜的三层结构等。请注意，当第一电极7302具有层叠结构时，它可以作为导线具有低的电阻，形成一个良好的欧姆接触并起阳极的作用。通过利用光反射金属薄膜，可以形成不透光的阳极。

起阴极的作用的第二电极7304最好利用由逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或其合金，诸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF₂或Ca₃N₂)形成的金属薄膜和透明的导电薄膜(氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等)形成。正如上面描述的，通过利用金属薄膜和透明的导电薄膜可以形成可以透射光的阴极。

因而，该光发射元件的光可以从顶面提取，正如图73A中的箭头所表明的。换句话说，在把该光发射元件应用于图71A和71B所示的显示面板的情况下，光向衬底7145一侧发射。因此，当显示器件使用具有顶部发射结构的光发射元件时，使用透射光的衬底作为衬底7145。

另外，在设置光学薄膜的情况下，可以在衬底7145上面设置光学薄膜。

请注意，第一电极7302可以利用由逸出功低的材料，诸如MgAg，MgIn或AlLi形成的金属薄膜形成，在实施模式7所描述的像素结构的情况下，起阴极的作用。在这种情况下，可以利用透明的导电薄膜，诸如氧化铟锡(ITO)薄膜或氧化铟锌(IZO)薄膜形成第二电极7304。因而，采用该结构，可以改善顶部发射的透明度。

现参照图73B描述具有底部发射结构的光发射元件。该描述是利用与图73A中的引用号完成的，因为除它的发射结构外结构相同。

这里，起阳极的作用的第一电极7302最好利用逸出功高的材料形成。例如，可以使用透明的导电薄膜，诸如氧化铟锡(ITO)薄膜或氧化铟锌(IZO)薄膜。通过利用透明的导电薄膜，可以形成可以透射光的阳极。

起阴极的作用的第二电极7304可以利用由逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或其合金，诸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF₂或Ca₃N₂)形成的金属薄膜形成。通过利用光反射金属薄膜，正如上面描述的，可以形成不透射光的阴极。

因而，该光发射元件的光可以从底部表面提取，正如图73B中的箭头所表明的。换句话说，在把该光发射元件应用于图71A和71B所示的显示面板的情况下，光是向衬底7100一侧发射的。因此，当该显示器件使用具有底部发射结构的光发射元件时，用透射光的衬底作衬底7100。

另外，在设置光学薄膜的情况下，该光学薄膜可以设置在该衬底7100上面。

现参照图73C说明具有双发射结构的光发射元件。描述是利用与图73A中相同的引用号完成的，因为除它的发射结构外，结构相同。

这里，起阳极的作用的第一电极7302最好利用逸出功高的材料形成。例如，可以使用透明的导电薄膜，诸如氧化铟锡(ITO)薄膜或氧化铟锌(IZO)薄膜。通过利用透明的导电薄膜，可以形成可以透射光的阳极。

起阴极作用的第二电极7304最好利用由逸出功低的材料(Al，Ag，Li，Ca或其合金，诸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF₂或Ca₃N₂)形成的金属薄膜、透明的导电薄膜(氧化铟锡(ITO)、氧化铟和氧化锌(In₂O₃-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)形成。通过利用金属薄膜和透明的导电薄膜，正如上面描述的，可以形成可以透射光的阴极。

因而，该光发射元件的光可以从两个表面提取，正如图73C中的箭头所表明的。换句话说，在把该光发射元件应用于图71A所示的光发射元件的情况下，光是向衬底7100一侧和衬底7145一侧发射的。因此，当该显示器件使用具有双发射结构的光发射元件时，用透射光的衬底作衬底7100和衬底7145。

另外，在设置光学薄膜的情况下，该光学薄膜可以设置在衬底7100和衬底7145两者的上面。

另外，本发明可以应用于利用白光发射元件和颜色滤光片达到全色显示的显示器件。

如图74所示，在衬底7400上面形成TFT 7401，并形成第一电极7403与该TFT 7401的源极接触。在其上形成包含有机化合物的层7404和第二电极7405。

请注意，第一电极7403是该光发射元件的阳极，而第二电极7405是该光发射元件的阴极。换句话说，在这样一个区域形成该光发射元件，其中包含有机化合物的层7404夹在第一电极7403和第二电极7405之间。采用图74所示的结构发射白光。在该光发射元件上面分别设置红色滤光片7406R、绿色滤光片7406G和蓝色滤光片7406B以达到全色显示。另外，设置黑矩阵(又称″BM″)7407，隔离这些颜色滤光片。

该光发射元件的上面描述的结构可以结合使用，并适当地用于本发明的显示面板。请注意，上述光发射元件仅仅是一些示例，还可以应用其他结构的显示器件。

[实施例3]

本发明的显示面板可以应用于不同的电子器件。具体地说，它可以应用于电子装置的显示部分。这样一种电子装置的示例如下：摄像机，诸如摄像机或数字摄像机、护眼罩型显示器(头戴式显示器)、浏览系统、声音重现装置(诸如汽车音频或音频组件)、计算机、游戏机、便携式信息终端(诸如移动式计算机、移动电话、便携式游戏机或电子书籍)、设有记录介质读出部分的影像重现装置(具体地说，可以复制记录介质的装置，诸如数字万用光盘(DVD)并包括能够显示其影像的发光器件)等等。

图65A表示发光器件，它包括机壳65001、支架65002、显示部分65003、扬声器部分65004、视频输入端子65005等等。本发明的显示器件可以用作显示部分65003。请注意，该发光器件发光器件包括在它的所有各类显示信息用的发光器件中，例如，用于个人计算机、电视广播接收机或广告显示器。利用本发明的显示面板用作显示部分65003的发光器件可以避免有缺陷的显示。

图65B表示摄像机，它包括主体65101、显示部分65102、影像接收部分65013、操作键65104、外部连接端口65105、快门65106等等。

利用本发明的显示面板用作显示部分65102的摄像机可以避免有缺陷的显示。

图65C表示计算机，它包括主体65201、机壳65202、显示部分65203、键盘65204、外部连接端口65205、指向鼠标65206等等。利用本发明的显示面板作为显示部分65203的计算机可以避免有缺陷的显示。

图65D表示移动式计算机，它包括主体65301、显示部分65302、开关65303、操作键65304、红外线端口65305等等。利用本发明的显示面板作为显示部分65302的移动式计算机可以避免有缺陷的显示。

图65E表示便携式影像重现装置，设有记录介质读出部分(DVD重现装置)，它包括主体65401、机壳65402、显示部A65403、显示部分B65404、记录介质(DVD等)、读出部分65405、操作键65406、扬声器部分65407等等。显示部分A65403主要显示影像信息，而显示部分B65404主要显示字符信息。利用本发明的显示面板作为显示部分A65403和显示部分B65404的影像重现装置可以避免有缺陷的显示。

图65F表示护眼罩型显示器，它包括主体65501、显示部分65502、臂部分65503等等。利用本发明的显示面板作为显示部分65502的护眼罩型显示器可以避免有缺陷的显示。

图65G表示摄像机，它包括主体652001、显示部分652002、机壳652003、外部连接端口652004、遥控装置接收部分652005、影像接收部分652006、电池组652007、音频输入部分652008、操作键652009等等。利用本发明的显示面板作为显示部分652002的摄像机可以避免有缺陷的显示。

图65H表示移动电话，它包括主体65701、机壳65702、显示部分65703、音频输入部分65704、音频输出部分65705、操作键65706、外部连接端口65707、天线65708等等。利用本发明的显示面板作为显示部分65703的移动电话可以避免有缺陷的显示。

正如上面描述的，本发明的显示面板可以应用于所有电子装置。

[实施例4]

在该实施例中，现参照图64说明在显示部分中具有本发明的显示面板的移动电话的结构的一个示例。

显示面板6410包含在外壳6400中，以便是可拆卸的。外壳6400的形状和尺寸可以按照显示面板6410的尺寸适当的改变。固定显示面板6410的外壳6400装有要作为一个模块装配的印刷电路板6401。

该显示面板6410通过FPC 6411连接到印刷电路板6401。在该印刷电路板6401上面，形成扬声器6402、微音器6403、发射和接收电路6404和包括CPU、控制器的信号处理电路6405。这样的一个模块、输入装置6406和电池组6407结合并贮存在机壳6409内。显示面板6410的像素部分配置得可从在机壳6409内形成的窗口观看。

请注意，在该实施例中，描述的结构是移动电话的一个示例，本发明的显示器件不仅可以应用于具有上面描述的结构的移动电话，而且可以应用于具有不同的结构类型的移动电话。

[实施例5]

图62表示一个EL模块，其中结合显示面板6201和印刷电路板6202。显示面板6201包括像素部分6203、扫描线驱动电路6204和信号线驱动电路6205。在印刷电路板6202上面，例如，形成控制电路6206、信号分配电路6207等等。显示面板6201和印刷电路板6202通过连接接线6208彼此连接。作为该接线，可以使用FPC等。

可以用该EL模块完成一个EL电视接收机。图63是一个方框示意图，表示该EL电视接收机的主要的结构。调谐器6301接收视频、音频信号。该视频信号由视频信号放大器电路6302、把视频信号放大器电路6302的输出信号转换为与红、绿和蓝每一个颜色对应的颜色信号视频信号处理电路6303，和把该视频信号转换为驱动电路输入规格说明的控制电路6206处理。控制电路6206向扫描线侧和信号线侧中的每一个输出一个信号。在数字驱动器的情况下，可以采用其中该信号除法电路6207设置在信号线侧上以便把输入数字信号分为m块的结构。

在由调谐器6301接收的信号当中音频信号传输至音频信号放大器电路6304，其输出通过音频信号处理电路6305提供给扬声器6306。控制电路6307从输入部分6308接收接收站(接收频率)的或声音音量的控制信息，并把信号发射至调谐器6301和音频信号处理电路6305。

通过把图62所示的该EL模块包括进入机壳65001，如图65A所示，可以完成电视接收机。显示部分65003用该EL模块形成。另外，适当设置扬声器65004、视频输入端子65005等等。

自然，本发明不限于电视接收机。并可以应用于不同的应用，特别是作为街上大尺寸显示介质，诸如训练站、机场等上的信息显示板器，或街上的广告显示板以及个人计算机的监视器。

[实施例6]

在该实施例中，说明显示面板有利的结构，其在连接端子部分中包括组合连接焊盘。

首先，参照图67说明显示面板连接端子部分中连接焊盘(基准连接焊盘和组合连接焊盘)的结构。

在衬底6701上面形成连续的导电薄膜，在连接端子部分的区域内导电薄膜起连接焊盘作用，而在接线部分的一个区域内导电薄膜起导线的作用。在图67中，基准连接焊盘6703和导线6706用一个连续导电薄膜形成。另外，组合连接焊盘6704、导线6707和导线6708用一个连续导电薄膜形成。另外，组合连接焊盘6705、导线6709、导线6710，和导线6711用一个连续导电薄膜形成。

一个密封区域6702中，在与衬底6701相对的地方设置的反面衬底用密封剂接合。

请注意，组合连接焊盘6704连接到两个FPC焊盘，而组合连接焊盘6705连接到3个FPC焊盘上。

这里，基准连接焊盘6703的线宽用W标示，组合连接焊盘6704的线宽用W′标示，而组合连接焊盘6705的线宽用W″标示。另外，相邻基准连接焊盘线宽中心之间的距离用L标示。

这里，组合连接焊盘6704线宽中心和基准连接焊盘线宽中心之间的距离是L的1.5倍，而组合连接焊盘6705线宽中心和该基准连接焊盘线宽中心之间的距离是L的两倍。因此，FPC端子阵列不必改变，而在本申请书中，FPC可以不作任何变化地使用。请注意，组合连接焊盘6704的线宽W′最好大于相邻基准连接焊盘线宽中心之间的距离。另外，组合连接焊盘6705的线宽W″最好是L的两倍以上。这可以降低该连接焊盘和FPC焊盘之间的接触电阻。

随后，说明显示面板上电气连接到组合连接焊盘的多条导线的作用。

在包括例如两个扫描线驱动电路的显示面板中，图67中的导线6707电气连接到这些扫描线驱动电路中的一个，而图67中的导线6708电气连接到其他扫描线驱动电路。换句话说，提供公用信号或公用电力到两个扫描线驱动电路用的各自导线电气连接到一个连接焊盘。因而，可以防止两个扫描线驱动电路的故障。

作为另一种结构，在包括驱动一个像素用的像素部分和外围驱动电路显示面板中，其中外围驱动电路包括移位寄存器和缓冲电路，图67中的导线6707电气连接到移位寄存器，而图67中的导线6708电气连接到该缓冲电路。换句话说，向该移位寄存器和该缓冲电路提供公用电力用的各自导线电气连接到一个连接焊盘。换句话说，如图68B所示，导线6804是一个向移位寄存器6801供电用的导线并电气连接到图67中的导线6707。另外，导线6805是向缓冲电路6802供电的导线，并电气连接到图67中的导线6708。这里，若电力通过图68A所示的导线6803提供给移位寄存器6801和缓冲电路6802，则当缓冲电路6802要输出一个大电流时，导线6803的电源电位降低。结果，移位寄存器6801不能正常运行，因而通过使用图68B所示的结构，该移位寄存器6801的故障便可以防止。

作为另一个结构，在包括像素中的液晶元件的液晶显示面板中，图67中的导线6707和导线6708电气连接到反面电极。换句话说，提供用作反面电极电源的电源电位用的各自导线，电气连接到连接焊盘。特别是在该液晶显示面板中，改变一个反面电极的电位，以便使液晶元件通过翻转适用于该液晶元件的电压的极性，达到较长的液晶元件寿命。通过降低与在该结构中电源线的电阻，可以减少功率消耗。

作为另一个结构，在一个像素中具有一个EL元件的EL显示面板上，图67中的导线6707和导线6708电气连接到电源线或反面电极。换句话说，提供用作反面电极的电源的电源电位用的各自导线或该电源线电气连接到连接焊盘。特别是该EL显示面板上，大量电流流动到该EL元件。因此，当电源线具有高电阻时，由于电压降而不能获得要求的电源电位。通过像在该结构中，降低该电源线的电阻，可以防止有缺陷的显示。

作为另一个结构，在包括像素中的光发射元件的显示面板上，图67中的导线6707电气连接到反面电极，而图67中的导线6708电气连接到一个设置得与该反面电极接触而设置的导线(称作辅助导线)。换句话说，向反面电极提供公用电力用的各自导线和该辅助导线电气连接到一个连接焊盘。请注意，参照图75说明在这种情况下该显示面板的剖面结构。

在衬底7501上面形成一个基底薄膜7502。一个绝缘衬底、金属衬底、半导体衬底等，诸如玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底或陶瓷衬底可以用作衬底7501。基底薄膜7502可以通过化学气相淀积法或溅射法形成。例如，可以使用通过化学气相淀积法利用SiH₄，N₂O，NH₃等作为源材料的氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等。作为另一方案，可以使用其层叠。请注意，设置基底薄膜7502来避免杂质从衬底7501进入半导体层，而在玻璃衬底或石英衬底作为衬底的情况下，不一定设置基底薄膜7502。

在基底薄膜7502上面形成一个岛形半导体层。在该半导体层中，形成沟道形成区域7505、用作源极区或漏极区的杂质区域7506、晶体管7503和沟道形成区域7508的低浓度杂质区域(LDD区域)7507、用作源极区或漏极区的杂质区域7509、晶体管7504的低浓度杂质区域(LDD区域)7510。然后，在该沟道形成区域7505和沟道形成区域7508上面用它们之间的栅极绝缘薄膜7511形成栅极7512和栅极7513。可以利用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等通过化学气相淀积法或溅射法形成栅极绝缘薄膜7511。另外，可以利用铝(Al)薄膜、铜(Cu)薄膜、包含铝或铜作为它的主要成份的薄膜、铬(Cr)薄膜、钽(Ta)薄膜、氮化钽(TaN)薄膜、钛(Ti)薄膜、钨(W)薄膜、钼(Mo)薄膜等形成栅极7512和栅极7513。

在栅极7512一侧形成侧壁7514，并在栅极7513一侧形成侧壁7515。可以通过形成硅化合物，诸如氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜，形成侧壁7514和侧壁7515，以便覆盖栅极7512和栅极7513，然后向后蚀刻它。

请注意，低浓度杂质区域7507和低浓度杂质区域7510分别定位在侧壁7514和侧壁7515的下面。换句话说，低浓度杂质区域7507和低浓度杂质区域7510以自对准的方式形成。请注意，设置侧壁7514和侧壁7515，以便以自对准方式形成低浓度杂质区域7507和低浓度杂质区域7510，而且不一定须要设置该侧壁。

在栅极7512、栅极7513、侧壁7514、侧壁7515和栅极绝缘薄膜7511的上面形成一夹层绝缘薄膜。第一夹层绝缘薄膜包括作为较低的层的无机绝缘薄膜7516和作为一个上层的树脂薄膜7517。作为无机绝缘薄膜7516，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或层叠薄膜。作为树脂薄膜7517，可以使用聚丙亚胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亚胺酰胺、环氧树脂等。

导线7518、导线7519和导线7520是在第一夹层绝缘薄膜上面形成的，而导线7518电气通过一个接触孔连接到该杂质区域7506；导线7519通过接触孔电气连接到杂质区域7506和杂质区域7509；导线7520通过接触孔电气连接到该杂质区域7509。可以利用钛(Ti)薄膜、铝(Al)薄膜、铜(Cu)薄膜、含Ti铝薄膜等形成导线7518、导线7519和导线7520。请注意，在诸如信号线等在与导线7518相同的层的情况下，导线7519和导线7520最好使用电阻低的铜。

在导线7518、导线7519、导线7520和第一夹层绝缘薄膜上面形成第二夹层绝缘薄膜7521。可以利用无机绝缘薄膜、树脂薄膜或层叠层形成第二夹层绝缘薄膜7521。作为无机绝缘薄膜，可以使用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或其层叠层。作为树脂薄膜，可以使用聚丙亚胺、聚酰胺、丙烯酸、聚丙亚胺酰胺、环氧树脂等。

在第二夹层绝缘薄膜7521上面形成像素电极7522和导线7523。像素电极7522和导线7523由相同的材料形成。换句话说，它们同时在相同的层内形成，最好把逸出功高的材料用于像素电极7522和导线7523。例如，可以使用：单层薄膜，诸如氮化钛(TiN)薄膜、铬(Cr)薄膜、钨(W)薄膜、锌(Zn)薄膜，或铂(Pt)薄膜；氮化钛薄膜和包含铝作为它的主要成份的薄膜的层叠层；氮化钛薄膜、包含铝作为它的主要成份的薄膜和氮化钛薄膜的三层结构等。当像素电极7522和导线7523具有层叠结构时，它们作为一个导线可以具有低电阻，并形成一个有利的欧姆接触。另外，该像素电极和该导线可以起阳极的作用。通过利用反光金属薄膜，可以形成不透射光的阳极。

形成绝缘7524，以便覆盖像素电极7522和导线7523。例如，可以用正片类型光敏丙烯酸树脂薄膜作为绝缘7524。

在像素电极7522上面形成包含有机化合物的层7525，而包含有机化合物的层7525的一部分重叠绝缘7524。请注意，包含有机化合物的层7525不在导线7523上面形成。

包含有机化合物、绝缘7524和导线7523的层7525的上面形成反面电极7526。对于反面电极7526，最好使用逸出功低的材料。例如，可以使用铝(Al)、银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、其合金，诸如MgAg，MgIn，AlLi，CaF₂或Ca₃N₂等。通过这样地利用金属薄膜，可以形成可以透射光的阴极。

在该层7525包含有机化合物的区域形成光发射元件7527，其中包含有机化合物的层7525夹在反面电极7526和像素电极7522之间。

在一个其中包含有机化合物的层7525通过绝缘体7524隔开的区域中，形成结部分7528，其中反面电极7526和导线7523彼此接触。因此，导线7523起反面电极7526的辅助电极的作用，可以降低反面电极7526的电阻。因而，反面电极7526的厚度可以做得薄，并可以增大其透射率。相应地，在一个具有光从光发射元件7527获得的光从该顶面提取的结构的显示面板上，可以获得较高的亮度。

请注意，反面电极7526可以利用金属薄膜和透明的导电薄膜(氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等)的层叠层形成，以便进一步降低其电阻。正如上面描述的，通过利用金属薄膜和透明的导电薄膜，也可以形成可以透射光的阴极。

请注意，杂质区域7506和杂质区域7509使用n-型杂质搀杂。因此，晶体管7503和晶体管7504是n-沟道晶体管。

请注意，用图75说明的显示面板，其中反面电极7526可以做得薄，与要从该顶面发射光的相比，呈现一个高的透光特性。相应地，该顶部发射的亮度可以增大。另外，通过把导线7523连接到反面电极7526，可以减少反面电极7526的电阻。相应地，可以降低功率消耗。请注意，导线7523是一条辅助导线。

接着，参照图76A和76B所示的概要的顶部视图说明显示面板的一种结构。在衬底7600上面形成信号线驱动电路7601、扫描线驱动电路7602和像素部分7603。请注意，衬底7600连接到FPC(柔性印刷电路)7604，而要输入的信号线驱动电路7601和扫描线驱动电路7602的信号，诸如视频信号、时钟信号和开始信号等通过FPC7604提供。在FPC 7604的结和衬底7600上，通过COG(玻璃上的芯片)等安装芯片(设有存储器电路、缓冲电路等的半导体芯片)7605。尽管这里只举例说明FPC 7604，印刷接线板(PWB)可以与FPC 7604接合。在本申请书中，显示器件不仅包括显示面板的主体，还包括设有FPC或PWB的显示面板，此外显示面板用芯片等安装。

在图76A所示显示面板的像素部分7603中，像素排列成矩阵，以便形成每一个颜色元件用的像素列。包含有机化合物的层7607设置在每一个颜色用的一列像素上面。另外，在该像素部分中，由与像素电极相同的材料形成的结部分和反面电极在设置包含有机化合物的层的7607区域以外的区域7606形成。换句话说，在图76B中，在区域7606形成图75剖面视图的结部分7528。该像素部分的概要顶视图示于图77。在图77中，导线7702由与像素电极7701相同的材料形成。另外，像素电极7701对应于图75中的像素电极7522，而导线7702对应于图75中的导线7523。包含有机化合物的层在一列像素电极7701上面形成，而光发射元件在一个其中包含有机化合物的层夹在像素电极7701和反面电极之间的区域形成。因为导线7702与反面电极在该结部分接触，所以可以减少反面电极的电阻。换句话说，导线7702起反面电极的辅助电极的作用。请注意，采用如图77所示的像素部分的结构，可以是设置孔径率高的其中反面电极的电阻减少的显示面板。

在图76B所示的显示面板的像素部分7603中，像素排列成矩阵，以便为每一个颜色元件形成像素列。包含有机化合物的层7617为每一个颜色用的一列像素设置。另外，在该像素部分中，由与像素电极相同的材料形成的导线的结部分和反面电极是在其中设置包含有机化合物的层7617以外的区域7616形成的。换句话说，图75剖面视图所示的结部分7528是在图76B中的区域7616形成的。该像素部分的概要顶视图示于图78。在图78中，导线7802是由与像素电极7801相同的材料形成的。另外，该像素电极7801对应于图75中像素电极7522，而导线7802对应于图75中的导线7523。包含有机化合物的层在每一个像素电极7801上面形成，而光发射元件在一个其中包含有机化合物的层夹在像素电极7801和反面电极之间的区域形成。因为导线7802与该结部分中的反面电极接触，可以减少反面电极的电阻。换句话说，导线7802起该反面电极的辅助电极的作用。请注意，通过使用如图78所示像素部分该结构，可以设置一个其中该反面电极的电阻可以减少的显示面板。

在该实施例中描述的显示面板中，其中反面电极具有一个高透光特性，具有高像素孔径率。因此，即使当亮度降低时，也可以获得必需的光强度。相应地，可以改善该光发射元件的可靠性。另外，可以降低反面电极的电阻；因而，也可以降低功率消耗。

另外，利用电路原理图说明该显示面板。

图69中的显示面板，在衬底6901上面，包括信号线驱动电路6903、第一扫描线驱动电路6904、第二扫描线驱动电路6905、像素部分6906和连接端子部分6907。衬底6901和反面衬底在密封区域6902彼此接合，密封信号线驱动电路6903、第一扫描线驱动电路，和第二扫描线驱动电路6905。

连接端子部分6907包括多个连接焊盘。在该多个连接焊盘当中，基准连接焊盘6908电气连接到导线6910。组合连接焊盘6909电气连接到导线6911和导线6912。导线6911和导线6912电气连接到信号线驱动电路6903。例如，如图68B所示，导线6911和导线6912中的一个电气连接到信号线驱动电路6903中移位寄存器的供电导线，而另一个电气连接到向信号线驱动电路6903中缓冲电路供电的导线。

在衬底7001上面，图70中的显示面板包括信号线驱动电路7003、第一扫描线驱动电路7004、第二扫描线驱动电路7005、像素部分7006和连接端子部分7007。衬底7001和反面衬底在密封区域7002彼此接合，并密封了信号线驱动电路7003、第一扫描线驱动电路7004和第二扫描线驱动电路7005。

连接端子部分7007包括多个连接焊盘。在该多个连接焊盘当中，基准连接焊盘7008电气连接到导线7010。组合连接焊盘7009电气连接到导线7011和导线7012。导线7011电气连接到第一扫描线驱动电路7004，而导线7012电气连接到第二扫描线驱动电路7005。

[实施例7]

在该实施例中，参照图79A至79C和图80A至80C说明可以应用于本发明的光发射元件的另一种结构。

利用电致发光的光发射元件，按照光发射元件是有机化合物还是无机化合物进行分类。一般，前者称作有机EL元件，而后者称作无机EL元件。

无机EL元件按照它们的元件结构分类为扩散无机EL元件和薄膜无机EL元件。它们差异在于，前者包括电致发光层，其中光发射材料粒子扩散在粘结剂中，而后者包括由光发射材料薄膜形成的电致发光层；但是，它们的共同点是，都要求通过高电场加速电子。请注意，可以获得光发射用的机构包括利用施主电平和受主电平的施主-受主复合光发射，并利用金属离子的内壳层电子渡越的定位光发射。一般，往往是扩散无机EL元件完成施主-受主复合光发射，而薄膜无机EL元件完成定位光发射。

可以在本发明中使用的光发射材料包括基底材料和用作光发射中心的杂质元素。不同颜色的光发射可以通过改变要包含的杂质元素获得。作为产生光发射材料用的方法，可以使用不同的方法，诸如固相法和液相法(共同淀积法)。另外，可以使用液相法，诸如喷射热解法、双分解法、采取前体热解的方法、反向胶束法、这些方法的结合方法和高温烘焙或冷冻烘干法。

固相法是这样一种方法，其中基底材料和杂质元素或包含杂质元素的化合物称重、在研钵中混合并加热反应并在电热炉中烘焙，制做包含在该基底材料中的杂质元素。该烘焙温度最好在700℃至1500℃的范围内。这是因为，当温度太低时，不会进行固相反应，该温度太高时，该基底材料会分解。请注意，该烘焙可以以粉末形式完成，但是烘焙最好以小丸形式完成。该方法要求在一个相对较高的温度下烘焙；但是，它是一种简单的方法。因此，该方法具有良好的生产率并适于大规模生产。

液相法(共同淀积法)是这样一种方法，其中基底材料或包含基底材料的化合物在一种带有杂质元素或包含杂质元素的化合物的溶液中反应，反应物烘干后烘焙。光发射材料的粒子均匀地分布，颗粒尺寸小，即使在低的烘焙温度下也能进行反应。

对于光发射材料，作为基底材料可以使用硫化物、氧化物或氮化物。作为硫化物例如，可以使用硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、硫化钙(CaS)、硫化钇(Y₂S₃)、硫化镓(Ga₂S₃)、硫化锶(SrS)、硫化钡(BaSBaS)等。作为氧化物，例如，可以使用氧化锌(ZnO)、氧化钇(Y₂O₃)等。作为氮化物，例如，可以使用氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)等。另外，也可以使用硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)等。它可以是三元混合的晶体，诸如硫化镓钙(CaGa₂S₄)、硫化镓锶(SrGa₂S₄)、硫化镓钡(BaGa₂S₄)等。

作为定位光发射的光发射中心，可以使用锰(Mn)、铜(Cu)、钐(Sm)、铽(Th)、铒(Er)、铥(Tm)、铕(Eu)、铈(Ce)、镨(Pr)等。请注意，可以增加诸如氟(F)或氯(Cl)的卤素元素，作为电荷补偿。

另一方面，作为施主-受主复合光发射的光发射中心，可以使用包含形成施主电平的第一杂质元素和形成受主电平的第二杂质元素的光发射材料。作为该第一杂质元素，例如，可以使用氟(F)、氯(Cl)、铝(Al)等。作为该第二杂质元素，例如，可以使用铜(Cu)、银(Ag)等。

在用固相法合成施主-受主复合光发射的光发射材料的情况下，基底材料、第一杂质元素或包含第一杂质元素的化合物和第二杂质元素或包含第二杂质元素的化合物单独称重、在研钵中混合并在电热炉中加热和烘焙。作为基底材料，可以使用上述基底材料。作为第一杂质元素或包含第一杂质元素的化合物，例如，可以使用氟(F)、氯(Cl)、硫酸铝(Al₂S₃)等。作为第二杂质元素或包含第二杂质元素的化合物，例如，可以使用铜(Cu)、银(Ag)、硫化铜(Cu₂S)、硫化银(Ag₂S)等。烘焙温度最好在700℃至1500℃的范围内。这是因为，当温度太低时，不会进行固相反应，而温度太高时，基底材料会分解。请注意，烘焙可以以粉末形式完成，但是烘焙最好以小丸形式完成。

在利用固相反应的情况下，作为杂质元素，可以使用包括第一杂质元素和第二杂质元素的化合物。在这种情况下，杂质元素轻易地扩散，而且固相反应容易进行，使得可以获得一种均匀的光发射材料。另外，可以获得高纯度光发射元件，因为不混合不必要的杂质元素。作为包括第一杂质元素和第二杂质元素的化合物，例如，可以使用氯化铜(CuCl)、氯化银(AgCl)等。

请注意，杂质元素对基底材料的浓度可以是在0.01原子％至10原子％，最好0.05原子％至5原子％的范围内。

作为具有施主-受主复合光发射的光发射中心的光发射材料，作为另一方案，可以使用包含第三杂质元素的光发射材料。在这种情况下，第三个杂质元素对基底材料的浓度最好在0.05原子％至5原子％的范围内。具有这样的一种结构的光发射材料使低电压下的光发射成为可能。相应地，可以获得可以在低驱动电压下发射光的光发射元件，并可以获得降低功率消耗的光发射元件。另外，还可以包括用作上面描述的定位光发射的光发射中心的杂质元素。

作为这样一种光发射材料，可以使用包含ZnS作为基底材料的光发射材料、Cl作为第一杂质元素、Cu作为第二杂质元素、Ga和As作为第三杂质元素和Mn作为定位光发射的光发射中心的光发射材料。可以用以下方法来形成这样的光发射材料。在光发射材料(ZnS:Cu，Cl)中加入Mn，在真空中烘焙两个至四个小时。烘焙温度最好在700℃至1500℃的范围内进行。该烘焙材料破碎为5μm至20μm、其中加入颗粒尺寸为1μm至3μm的GaAs，搅拌该混合物。在约500℃至800℃下，在包括硫气体的氮气流中烘焙该混合物两个至四个小时，获得光发射材料。用蒸镀法等利用该光发射材料形成薄膜，该薄膜可以用作光发射元件的光发射层。

在薄膜无机EL的情况下，电致发光层是一个包含上面描述的光发射材料的层，它可以通过真空蒸镀法，诸如电阻加热蒸镀法或电子束蒸镀(EB蒸镀)法、物理蒸气淀积(PVD)法，诸如溅射法、化学气相淀积(CVD)法，诸如有机金属化学气相淀积法或氢化物转移低压化学气相淀积、原子层外延(ALE)法等形成。

图79A至79C表示可以用作光发射元件的薄膜无机EL元素的示例。在图79A至79C中，每一个光发射元件都包括第一电极层50、电致发光层51和第二电极层53。

图79B和79C所示的光发射元件中，每一个都具有一个这样的结构，其中绝缘层设置在图79A中光发射元件的电极层和电致发光层之间。图79B所示的光发射元件包括第一电极层50和电致发光层52之间的绝缘层54。图79C所示的光发射元件包括第一电极层50和电致发光层52之间的绝缘层54a和第二电极层53和电致发光层52之间的绝缘层54b。正如上面描述的，该绝缘层可以设置在该电致发光层和夹着电致发光层的一对电极中的一个或两个之间。该绝缘层可以是单一层或多个层的层叠。

在图79B中，绝缘层54设置得与第一电极层50接触。但是，绝缘层54可以通过翻转该绝缘层和该电致发光层的顺序而设置得与第二电极层53接触。

在扩散无机EL元件的情况下，颗粒状光发射材料散布在粘结剂中，形成薄膜电致发光层。在通过光发射材料生产方法不能获得足够的要求尺寸的颗粒情况下，该材料可以通过在研钵中破碎等处理为粒子。该粘结剂是这样一种物质，它用以把颗粒状光发射材料以扩散方式固定，并作为电致发光层使该材料保持形状。光发射材料通过该粘结剂均匀地扩散和固定在该电致发光层中。

在扩散无机EL元件的情况下，电致发光层可以通过液滴释放方法(它可以选择性地形成电致发光层)、印刷方法(诸如丝网印刷或胶印)、涂敷方法(诸如旋涂法、浸渍法、分散法等)形成。其厚度没有特定限制，但是最好在10nm至1000nm的范围内。另外，在包含该光发射材料和该粘结剂的电致发光层中，该光发射材料的部分最好在50重量％至80重量％的范围内。

图80A至80C表示可以用作光发射元件的扩散无机EL元件的示例。图80A中的光发射元件具有第一电极层60、电致发光层62和第二电极层63，并包含在该电致发光层62中由粘结剂固定的光发射材料61的层叠结构。

作为可以在该实施例中使用的粘结剂，可以使用绝缘材料、有机材料或无机材料或有机材料和无机材料的混合材料。作为有机绝缘材料，可以使用介电常数相对较高的聚合物，诸如氰乙基纤维素树脂；或树脂，诸如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂或有助于亚乙烯基氟化物。作为另一方案，可以使用耐热高分子化合物，诸如芳香聚酰胺或聚苯并咪唑或硅氧烷树脂。请注意，硅氧烷树脂对应于包括Si-O-Si键的树脂。硅氧烷包括由硅(Si)和氧(O)键形成的骨络。可以用包含至少氢的有机族(例如，烷基族或芳香碳氢化合物)或氟族作为取代基，或可以用包含至少氢的有机族和氟族作为取代基。作为另一方案，可以使用树脂材料，诸如聚乙烯醇的乙烯基树脂、聚乙烯醇缩丁醛等、苯酚树脂、酚醛清漆树脂、丙烯酸树脂、蜜胺树脂、尿烷树脂或噁唑树脂(聚苯并噁唑)。另外，例如，可以使用光固化型树脂等。介电常数可以通过在上述树脂中适当混合介电常数高的细粒子，诸如钛酸钡(BaTiO₃)或钛酸锶(SrTiO₃)调整。

作为包括在该粘结剂中的无机绝缘材料，可以使用选自包含无机绝缘材料的物质的材料，诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、包含氧和氮的硅、氮化铝(AlN)、包含氧氮的铝、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、BaTiO₃、SrTiO₃、钛酸铅(PbTiO₃)、钕酸钾(KNbO₃)、钕酸铅(PbNbO₃)、氧化钽(Ta₂O₅)、钽酸钡(BaTa₂O₆)、钽酸锂(LiTaO₃)、氧化钇(Y₂O₃)、氧化锆(ZrO₂)或锌。包括光发射材料和粘结剂的电致发光层的介电常数可以通过形成有机材料，以便包含高介电常数无机材料来控制，使介电常数得以增大。

在生产过程中，光发射材料扩散在包括粘结剂的溶液中。作为包括可以在该实施例中使用的粘结剂的溶液的溶剂，可以适当选择其中粘结剂材料是可溶性，而且可以产生具有适用于形成该电致发光层(不同的湿处理)用的方法的粘度和要求厚度的溶液的溶剂。可以使用有机溶剂等。在利用时，例如，硅氧烷树脂作为该粘结剂的情况下，可以使用丙二醇乙二醇一甲基醚、丙二醇乙二醇一甲基醚醋酸盐(又称PGMEA)、3-甲氧(基)3-甲基-1-丁醇(又称MMB)等。

图80B和80C所示的光发射元件中的每一个都具有这样一种结构，其中在图80A中的光发射元件中，绝缘层设置在该电极层和该电致发光层之间。图80B所示的光发射元件包括第一电极层60和电致发光层62之间的绝缘层64。图80C所示的光发射元件包括第一电极层60和电致发光层62之间的绝缘层64a以及第二电极层63和电致发光层62之间的绝缘层64b。正如上面描述的，该绝缘层可以设置在该电致发光层和夹着该电致发光层的一对电极中的一个或两个之间。另外，该绝缘层可以是单一层或多个层的层叠。

在图80B中，绝缘层64设置得要与第一电极层60接触。但是，绝缘层64可以设置得通过翻转该绝缘层和该电致发光层的顺序与第二电极层63接触。

绝缘层，诸如图79A至79C中的绝缘层54或图80A至80C中的绝缘层64都没有特定限制，但是它最好具有高绝缘电阻和致密的薄膜质量。另外，它最好具有高的介电常数。例如，可以使用氧化硅(SiO₂)、氧化钇(Y₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铪(HfO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、钛酸钡(BaTiO₃)、钛酸锶(SrTiO₃)、钛酸铅(PbTiO₃)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化锆(ZrO₂)等、其混合的薄膜或两个或多个类型的层叠薄膜。这些绝缘薄膜可以通过溅射、蒸镀、化学气相淀积、CVD等形成。作为另一方案，该绝缘层可以通过把绝缘材料的粒子分散在粘结剂中而形成。粘结剂材料可以利用类似于包括在该电致发光层中的粘结剂的材料和方法形成。对厚度没有特定限制，但是它最好在10nm至1000nm的范围内。

在该实施例中描述的光发射元件，可以通过在夹着该电致发光层的一对电极层之间施加电压来提供光发射，可以通过直流驱动或通过交流驱动。

请注意，在该实施例中描述的光发射元件，可以应用于本专利说明书的光发射元件，并可以应用于例如实施例2中显示面板的光发射元件。在这种情况下，该实施例的电致发光层对应于包含图66A和66B所示的实施例2的有机化合物的层6616。

[实施例8]

在该实施例中，在利用液晶元件作为显示元件的情况下，说明显示面板的结构。

图71A表示一个液晶显示面板，其中信号线驱动电路7130、扫描线驱动电路7138和像素部分7131在第一衬底7100上面形成。

图71B是该液晶显示面板沿着直线A-A′的剖面视图，它表示信号线驱动电路7130设有CMOS电路，其在第一衬底7100上面包括n-沟道TFT 7121和p-沟道TFT 7122。该n-沟道TFT 7121和该p-沟道TFT 7122可以形成得包括结晶性半导体薄膜。形成信号线驱动电路7130或扫描线驱动电路7138的TFT可以用CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。

像素部分7131包括TFT 7123和电容器7158。该TFT 7123可以形成得包括结晶性半导体薄膜。电容器7158包括半导体薄膜，在其上加入杂质，而栅极绝缘薄膜夹在该半导体薄膜和栅极之间。

请注意，该像素部分7131的TFT 7123不必具有像信号线驱动电路7130和扫描线驱动电路7138那样高的结晶度。

另外，像素部分7131包括连接到该TFT 7123的一个电极的像素电极7111。然后，设置第三绝缘薄膜7109，以便覆盖该n-沟道TFT7121、p-沟道TFT 7122、像素电极7111、TFT 7123等等。

另外，准备一个用作反面衬底的第二衬底7145。在一个与至少该信号线驱动电路7130对应的位置上，第二衬底7145设有黑矩阵7151，在与至少该像素部分对应的位置上设有颜色滤光片7152，并进一步设有反面电极7153。在本发明中，该黑矩阵、颜色滤光片或反面电极不一定设置在第二衬底7145上面，可以设置在第一衬底7100一侧。此后，可以形成间隔物7156，用以保持衬底间隔。另外，可以同时形成突出部分7150，用来防止液晶材料的传导，以便避免混合在液晶材料中的有机铁电细粒子的分布偏压。作为间隔物7156，可以使用球形间隔物，或可以使用通过蚀刻绝缘薄膜形成的所谓柱状间隔物。另外，可以形成突出部分7150，以便具有一个等于液晶层7154的厚度的高度，使之具有像间隔物7156那样的作用。是间隔物7156和突出部分7150两个都单独形成，还是间隔物7156用突出部分7150替换，可以适当选定。

随后，对第二衬底7145进行定向处理，并用密封剂7143与第一衬底7100接合。作为密封剂7143，最好用环氧树脂。另外，第三绝缘薄膜7109的一部分可以在密封剂7143要形成的位置的左边。其结果是，接合区域放大了，可以增大接合强度。请注意，使衬底保持间隔用的间隔物7156可以在定向薄膜上完成定向处理之后形成。

在第一衬底7100和第二衬底7145之间注入液晶层7154。液晶层7154的注入最好在真空中完成。作为另一方案，在第一衬底7100上滴落液晶层之后，可以与第二衬底7145接合。特别是在利用大尺寸衬底的情况下，液晶层最好滴落，而不是注入。

另外，第一衬底7100或第二衬底7145都可以适当地设有偏振片或圆偏振片，以增强对比度。

柔性印刷电路(FPC)7146由各向异性导电薄膜(ACF)连接到设置在第一接合区域7132的导电薄膜7108。然后，作为外部输入信号的视频信号和时钟信号通过该FPC 7146提供。请注意，这里只表示FPC；但是，印刷接线板(PWB)是通过该FPC接合的。另外，外部信号产生电路安装在印刷接线板上。

在加压或加热接合该ACF中，需要留意，以免由于衬底的柔软性或通过加热软化而产生开裂。例如，至少在第一接合区域7132的下面可以设置刚度高的衬底。

在该实施例中，描述驱动器集成型发光器件在第一衬底7100上面设有信号线驱动电路7130和扫描线驱动电路7138。但是，信号线驱动电路和扫描线驱动电路可以用IC形成，并通过SOG方法或TAB方法可以连接到信号线、扫描线等。

正如上面描述的，可以制造液晶显示面板。

本申请书是根据序号No.2005-133741，2005年四月28日在日本专利厅归档的日本专利申请书，其整个内容附此作参考。

Claims (15)

1.一种半导体器件，包括：

连接端子部分，其中该连接端子部分包括多个连接端子，

其中该多个连接端子设有多个连接焊盘，每一个都是该连接端子的一部分，和

其中该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和其线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。

2.一种半导体器件，包括：

连接端子部分，其中连接端子部分包括多个连接端子，

其中该多个连接端子设有多个连接焊盘，每一个都是该连接端子的一部分，

其中该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和其线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘，和

其中该多个连接焊盘之间的间距彼此相等。

3.一种半导体器件，包括：连接端子部分，其中连接端子部分包括连接端子，其中具有相等线宽的多个连接焊盘配置得间距相等，该多个连接焊盘的两个或多个通过引入该连接端子部分的导线彼此相接。

4.一种半导体器件，包括：连接端子部分，其中连接端子部分包括连接端子，其中具有相等线宽的多个连接焊盘配置得间距相等，该多个连接焊盘的两个或多个通过接触孔用一个较低的层面上的电极彼此相接。

5.按照权利要求1至4中任何一项的半导体器件，其中柔性印刷电路连接到该连接端子部分。

6.按照权利要求1至4中任何一项的半导体器件，其中在该连接端子部分中的至少一个连接端子连接到柔性印刷电路的多个端子，

并且该连接端子和该柔性印刷电路的多个端子之间的接触电阻是5Ω或者更小。

7.按照权利要求1至4中任何一项的半导体器件，其中该半导体器件选自由摄像机、计算机、移动式计算机、护眼罩型显示器、摄像机、影像重现装置和移动电话构成的组的至少一个。

8.一种显示器件，包括：

像素部分；

驱动电路部分；和

连接端子部分，其中该连接端子部分包括多个连接端子，

其中该多个连接端子设有多个连接焊盘，每一个都是该连接端子的一部分，和

其中该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和其线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘。

9.一种显示器件，包括：

像素部分；

驱动电路部分；和

连接端子部分，其中该连接端子部分包括多个连接端子，

其中该多个连接端子设有多个连接焊盘，其中每一个都是该连接端子的一部分，

其中该多个连接焊盘包括第一连接焊盘和其线宽不同于该第一连接焊盘的第二连接焊盘，和

其中该多个连接焊盘之间的间距彼此相等。

10.一种显示器件，包括：

像素部分；

驱动电路部分；和

连接端子部分，其中连接端子部分包括一个连接端子，在其中具有相等线宽的多个连接焊盘间隔相等地排列，且该多个连接焊盘的两个或多个通过引入该连接端子部分的导线彼此相联系。

11.一种显示器件，包括：

像素部分；

驱动电路部分；和

连接端子部分，其中该连接端子部分包括连接端子，

其中线宽相等的多个连接焊盘间隔相等地排列，和

该多个连接焊盘中的两个或多个通过接触孔用一个较低的层面上的电极彼此连接。

12.按照权利要求8至11中任何一项的显示器件，其中柔性印刷电路连接到该连接端子部分。

13.按照权利要求8至11中任何一项的显示器件，其中在该连接端子部分中，至少一个连接端子连接到该柔性印刷电路的多个端子，

且该连接端子和该柔性印刷电路的多个端子之间的接触电阻是5Ω或者更小。

14.一种显示器件，包括：

像素部分；

驱动电路部分；和

连接端子部分，其中该连接端子部分包括多个连接端子，

其中该多个连接端子设有多个连接焊盘，每一个都是该连接端子的一部分，

其中该多个连接焊盘之间的间距彼此相等，

其中多个连接焊盘包括第一连接焊盘和线宽大于第一连接焊盘的第二连接焊盘，

其中多条导线电气连接到第二连接焊盘，

其中该多条导线电气连接到元件的反面电极。

15.按照权利要求8至11和14中任何一项的显示器件，其中该显示器件包含选自由摄像机、计算机、移动式计算机、护眼罩型显示器、摄像机、影像重现装置和移动电话构成的组的至少一个。

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