CN1893145A

CN1893145A - 发光器件的制造方法

Info

Publication number: CN1893145A
Application number: CNA2006101031322A
Authority: CN
Inventors: 坂田淳一郎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-07-04
Filing date: 2006-07-04
Publication date: 2007-01-10
Anticipated expiration: 2026-07-04
Also published as: US9196858B2; CN1893145B; US20070000487A1; US20130011942A1; US8288180B2

Abstract

本发明的目的为对于具有金属氧化物和有机化合物的混合层的发光器件实现提高可靠性，而不降低生产率。本发明在形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层之后，将前述混合层在不暴露于氧的情况下暴露于氮气气氛，然后在不暴露于氧的情况下并且在真空中形成之后的叠层膜，以解决上述问题。在制造发光器件时，例如形成阳极，在所述阳极上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，然后在使混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在该混合层上形成空穴传输层，在所述空穴传输层上形成发光层，并且在所述发光层上形成阴极。

Description

发光器件的制造方法

技术领域

本发明涉及一种电致发光型发光器件(电致发光发光器件，在下文中也缩写为“发光器件”)的制造方法，所述发光器件用于平面光源和显示元件。

背景技术

在电致发光发光器件中，发光层由有机化合物等构成。该发光器件由于在低电压驱动下能够实现大面积显示元件，从而引人注目。

Tang等提出了一种结构，其中，层叠了具有不同载流子传输性能的有机化合物，从阳极电极层和阴极电极层平衡性良好地分别注入空穴和电子，以便使元件高效率化。并且，将有机层的膜厚度设定为200nm或更薄，以在10V或更小的施加电压下实现1000cd/m²的发光亮度和1％的外部量子效率(例如非专利文献1)。

据认为，在进行对上述高效率元件的开发上，将来自阴极电极层的电子或来自阳极电极层的空穴无能垒地注入到有机层的技术很重要。

城户等由金属氧化物和有机化合物的混合膜形成空穴注入层。通过采用这个结构可以降低元件的驱动电压并且调整空穴注入层的膜厚度，以可以大大地减少在阴极电极层和阳极电极层之间发生电短路的危险性，而不使驱动电压上升(专利文献1)。

然而，上述结构具有亮度半衰期缩短的问题(专利文献2)。

[非专利文献1]Appl.Phys.Lett.，51，913(1987)

[专利文献1]日本发明专利申请特开2005-123095号公报

[专利文献2]日本发明专利申请特开2005-166641号公报

[专利文献3]日本发明专利申请特开2000-68068号公报

[专利文献4]日本发明专利申请特开平11-8065号公报

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于使具有金属氧化物和有机化合物的混合层的发光器件实现提高可靠性，而不降低生产率。在本发明中，在形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层之后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮(N₂)气氛中，然后在使它不暴露于含氧的气氛的情况下并且在真空中或减压下形成叠层膜，以解决上述问题。这里，含氧的气氛指的是含有氧原子的气氛，例如含有氧气体、NO₂气体或N₂O气体等。通过在形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层之后使它暴露于氮(N₂)气氛，提高膜质量并且提高可靠性，而不降低生产率。

在本发明的一个技术方案中，形成阳极；在所述阳极上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成发光层；并且在所述发光层上形成阴极。

在本发明的另一技术方案中，形成阳极；在所述阳极上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成空穴传输层，在所述空穴传输层上形成发光层；并且在所述发光层上形成阴极。

在本发明的另一技术方案中，形成阳极；在所述阳极上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成发光层；在所述发光层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成阴极。

在本发明的另一技术方案中，形成阳极；在所述阳极上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成发光层；在所述发光层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在不使所述第一混合层暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成阴极。

阳极、空穴传输层、发光层、混合层、第一混合层、第二混合层、电子传输层、电子注入层以及阴极优选在真空中或减压下制造。

可以在对所述阳极进行加热处理之后也可以形成所述混合层。优选在真空中或减压下进行加热处理。

在所述混合层和所述电子传输层之间形成电子注入层。电子注入层在真空中或减压下形成。

可以在使所述混合层、第一混合层、以及第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它们暴露于氮气气氛。

可以对混合层、第一混合层、以及第二混合层喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有有机化合物和金属氧化合物的混合层；然后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；并且在所述发光层上形成阳极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成具有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；在所述发光层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成阳极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成电子注入层；在所述电子注入层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；在所述发光层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成阳极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成电子注入层；在所述电子注入层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；并且在所述发光层上形成阳极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；在所述发光层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成阳极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；在所述发光层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成阳极。

阳极、空穴传输层、发光层、混合层、第一混合层、第二混合层、电子传输层、电子注入层、以及阴极优选在真空中或减压下制造。

可以在使混合层、所述第一混合层、以及所述第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它们暴露于氮气气氛。

在本发明的另一技术方案中，形成阳极；在所述阳极上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成发光层；在所述发光层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成阴极。

可以在对所述阳极进行加热处理之后形成所述第一混合层。优选在真空中或减压下进行加热处理。

可以在所述第二混合层和所述电子传输层之间形成电子注入层。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层上不暴露于含氧的气氛的情况下形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；在所述发光层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成阳极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成电子注入层；在所述电子注入层上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层；在所述发光层上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成阳极。

可以在使所述第一混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它暴露于氮气气氛。还可以在使第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它暴露于氮气气氛。

可以对所述第一混合层和第二混合层喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

阳极、空穴传输层、发光层、混合层、第一混合层、第二混合层、电子传输层、电子注入层、以及阴极优选在真空中或减压下制作。

第一混合层可以由具有有机化合物和金属氧化物的第三混合层与具有有机化合物和金属氧化物的第四混合层层叠而成。此外，第二混合层可以由具有有机化合物和金属氧化物的第五混合层与具有有机化合物和金属氧化物的第六混合层层叠而成。

此时，可以形成第三混合层，在使所述第三混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，随后可以在使所述第三混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成第四混合层，并且在使所述第四混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，然后在使所述第四混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成之后的层。

此外，可以形成第五混合层，在使所述第五混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，随后在使所述第五混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成第六混合层，在使所述第六混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，然后在使所述第六混合层不暴露于含氧的气氛的情况下形成之后的层。

可以在使所述第三混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它暴露于氮气气氛，还可以在使所述第四混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它暴露于氮气气氛。

可以在使所述第五混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它暴露于氮气气氛，在使所述第六混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它暴露于氮气气氛中。

可以对所述第三混合层和第四混合层喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

可以对所述第五混合层和第六混合层喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

在本发明的另一技术方案中，形成阳极；在所述阳极上形成具有发光层的第一发光单元；在所述第一发光单元上形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层；在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成第二发光单元；并且在所述第二发光单元上形成阴极。

在本发明的另一技术方案中，形成阳极；在所述阳极上形成具有发光层的第一发光单元；在所述第一发光单元上形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层；在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成第二发光单元；在所述第二发光单元上形成阴极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有发光层的第一发光单元；在所述第一发光单元上形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层；在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成第二发光单元；在所述第二发光单元上形成阳极。

在本发明的另一技术方案中，形成阴极；在所述阴极上形成具有发光层的第一发光单元；在所述第一发光单元上形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层；在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成第二混合层；在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；然后，在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成第二发光单元；在所述第二发光单元上形成阳极。

可以在使所述混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它暴露于氮气气氛。

可以对所述混合层喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

可以在对所述阳极进行加热处理之后形成所述发光单元。优选在真空中或减压下进行加热处理。

每个发光单元是具有发光层的构成。可以形成电子传输层和空穴传输层。此外，也可以在阴极和电子传输层之间形成电子注入层。可以在阳极和空穴传输层之间形成空穴注入层。

此外，可以在使所述第一混合层和第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它们暴露于氮气气氛。

此外，可以对所述第一混合层和第二混合层喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

阳极、发光单元、混合层、第一混合层、第二混合层、以及阴极优选在真空中或减压下制作。

暴露于氮气气氛时优选在室温下进行，而不加热。如果加热，认为特性就容易改变，而且发光器件的特性容易发生不均匀性。另外，包含在氮气中的水分量为40ppm或更少，优选为3ppm或更少。

小川等在形成空穴注入性的CuPc有机膜后使用氮气进行第一气体漂洗处理，然后使用NO₂气体进行第二气体漂洗处理，以使NO₂气体渗透在CuPc有机膜中(专利文献3)。然而本发明在形成混合层之后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，然后在不暴露于含氧的气氛的情况下形成叠层膜。因此，与在使用氮气进行第一气体漂洗处理、然后暴露于含氧的气氛的专利文献3完全不同。

此外，栗林等提议一种技术，既当将呈现三原色发光的有机电致发光形成在相同的基板上时，在所有的步骤中不暴露于大气可以在真空中、减压空间中或干燥氮气气氛中制造有机电场发光(专利文献4)。然而栗林等公开了在真空中或减压空间中形成空穴注入层、发光层、以及Alq₃的叠层体，而不暴露于大气，还公开了在形成对电极之后在干燥氮中进行处理。然而，没有公开在形成混合层之后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，然后不暴露于含氧的气氛的情况下形成之后的叠层膜。

通过在形成混合层之后，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，然后不暴露于含氧的气氛的情况下形成之后的叠层膜，而可以不使生产性降低而且不使发光器件的特性劣化地提高发光亮度寿命。

附图说明

图1为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图2为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图3为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图4为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图5为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图6为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图7为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图8为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图9为描述制造本发明的发光器件时所使用的装置的图；

图10为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图11为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图12为描述发光器件的图；

图13为描述发光器件的像素部分的图；

图14为描述发光器件的图；

图15为描述发光器件的像素电路的图；

图16为描述发光器件的像素电路的保护电路的图；

图17为描述可以使用根据本发明制造的发光器件的电子机器等的图；

图18为描述可以使用根据本发明制造的发光器件的电子机器等的图；

图19为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图20为描述实施例的发光器件1和2的可靠性的图；

图21为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图22为描述本发明的发光器件的制造方法的图；

图23为描述本发明的发光器件的制造方法的图。

符号说明：

1.基板

2.阳极

3.混合层

4.空穴传输层

5.发光层

6.电子传输层

7.阴极

8.钝化膜

9.树脂

10.干燥剂或粒子

11.基板

15.第一层

16.电子注入层

17a.第一混合层

17b.第二混合层

20.阳极

21.阴极

22.第一发光单元

23.电荷产生层

24.第二发光单元

25.具有电子给予性物质和电子传输性物质的层

26.混合层

50.基板

51a.绝缘层

51b.绝缘层

52.半导体层

53.栅极绝缘层

54.栅极

55.源极区域

56.漏极区域

57.LDD区域

59.绝缘膜

60.绝缘层

61a.连接部分

61b.布线

63.绝缘层

64.阳极

65.隔壁

66.发光叠层体

67.阴极

70.薄膜晶体管

88.树脂

89.干燥剂

90.偏光板

91.保护膜

93.发光器件

94.相对基板

101.传送室

102.基板·掩模储存室

103.前处理室

104.第一蒸镀室

105.第二蒸镀室

106.第三蒸镀室

107.CVD室

108.密封玻璃储存室

109.密封室

110.第四蒸镀室

111.传送机器人

1001.晶体管

1002.晶体管

1003.栅信号线

1004.源信号线

1005.电流供给线

1006.电极

1401.开关用TFT

1402.电容器元件

1403.驱动用TFT

1404.电流控制用TFT

1405.发光器件

1406.TFT

1410.信号线

1411.电源线

1412.电源线

1414.扫描线

1415.扫描线

1500.像素部分

1554.共用电势线

1555.共用电势线

1561.二极管

1562.二极管

3001.框体

3003.显示部分

3004.扬声器部分

3101.机身

3102.框体

3103.显示部分

3104.声音输入部分

3105.声音输出部分

3106.操作键

3107.红外线通讯端口

3108.天线

3110.机身

3111.像素部分

3112.驱动集成电路

3113.接收单元

3114.薄膜电池

3201.机身

3202.框体

3203.显示部分

3204.键盘

3205.外接端口

3206.鼠标

3301.机身

3302.显示部分

3303.开关

3304.操作键

3305.红外线端口

3401.框体

3402.显示部分

3403.扬声器部分

3404.操作键

3405.记录介质插入部分

4001.基板

4002.像素部分

4003.信号线驱动电路

4004.扫描线驱动电路

4005.密封剂

4006.相对基板

4007.填充材料

4008.薄膜晶体管

4010.薄膜晶体管

4011.发光器件

4014.引导线

4015a.引导线

4015b.引导线

4016.连接端子

4018.FPC

4019.各向异性导电膜

4020.驱动电路

5541.支撑体

5542.显示部分

5543.集成电路芯片

5544.集成电路

5545.集成电路

5551.显示部分

5552.机身

5553.天线

5554.声音输出部分

5555.声音输入部分

5556.操作开关

5557.操作开关

具体实施方式

下面，关于本发明的实施方式将参照附图给予说明。但是，本发明可以通过多种不同的方式来实施，所属技术领域的技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式所记载的内容中。

实施方式1

在此，说明发光器件的制造方法，所述发光器件具有阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的发光层、以及设置在所述阳极和发光层之间的具有有机化合物和金属氧化物的混合层，其中在形成所述混合层之后暴露于氮气气氛。

在基板1上以10至1000nm形成阳极2(图1A)。作为基板1，可以使用例如石英、玻璃或塑料等。另外，只要是在发光器件的制造步骤中用作支撑体的材料，就可以使用上述材料以外的其它材料。

阳极2具有将空穴注入到发光层中的功能，作为该阳极2可以使用各种金属、合金、导电化合物、以及它们的金属混合物。例如，可以使用铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、以及钛(Ti)等具有导电性的金属、或铝-硅(Al-Si)、铝-钛(Al-Ti)、以及铝-硅-铜(Al-Si-Cu)等上述金属的合金、或者氮化钛(TiN)等金属材料的氮化物、ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、含有氧化硅的ITO(ITSO)、以及将氧化锌(ZnO)混合在氧化铟中的IZO(Indium ZincOxide，铟锌氧化物)等的金属化合物等。

一般，阳极优选由功函数大(功函数为4.0eV或更大)的材料形成，以便可以注入空穴。然而，在本发明中由于将混合层3形成在阳极2上，所以阳极2不局限于功函数大的材料，也可以使用功函数小的材料。

在通过溅射法或CVD法将上述材料成膜在基板1上后，使用光刻法和蚀刻法形成阳极2。

在此，当形成混合层3之前进行加热处理，以便除去包含在基板1和阳极2中的水分(图1B)。例如在真空中或减压下以100至200℃、如150℃可以进行加热处理。该加热处理之后，在真空中或减压下在不暴露于大气下形成各个层。

接下来，具有有机化合物和金属氧化物的混合层3在真空中或减压下形成(图1C)。由此，可以防止由形成在阳极2的表面上的凹凸和残留在电极表面上的外部杂质导致阳极2和阴极7短路。混合层3的膜厚度优选为60nm或更厚。此外，更优选为120nm或更厚。即使使混合层厚膜化，也不引起发光器件的驱动电压的上升，而且不引起耗电量的上升。

作为金属氧化物，优选为迁移金属的氧化物。具体而言，优选为氧化锆、氧化铪、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化钛、氧化锰、以及氧化铼。

作为有机化合物还可以使用例如4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(缩写：NPB)、4，4’-双[N-(3-甲基苯)-N-苯氨基]联苯(缩写：TPD)、4，4’，4”-三(N，N-二苯氨基)三苯胺(缩写：TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯)-N-苯氨基]三苯胺(缩写：MTDATA)、4，4’-双{N-[4-(N，N-二-m-甲苯氨基)苯基]-N-苯氨基}联苯(缩写：DNTPD)、1，3，5-三[N，N-二(m-甲苯基)氨基]苯(缩写：m-MTDAB)、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺(缩写：TCTA)等的具有芳基氨基的有机材料、酞菁(缩写：H₂Pc)、酞菁铜(缩写：CuPc)、以及钒氧酞菁(缩写：VOPc)等。

此外，也可以优选使用下述的通式(1)表示的有机材料，作为其具体实例，可以举出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基咔唑(缩写：PCzPCA2)等。具有上述结构的有机化合物热稳定性优异，可靠性好。

(在通式1中，R¹和R³可以互相相同或不同，并且表示氢、碳数为1至6的烷基、碳数为6至25的芳基、碳数为5至9的杂芳基、芳烷基、碳数为1至7的酰基中的任何一种，Ar¹表示碳数为6至25的芳基、碳数为5至9的杂芳基中的任何一种，R²表示氢、碳数为1至6的烷基、碳数为6至12的芳基中的任何一种，R⁴表示氢、碳数为1至6的烷基、碳数为6至12的芳基、下述通式2所示的取代基中的任何一种，在通式2所示的取代基中，R⁵表示氢、碳数为1至6的烷基、碳数为6至25的芳基、碳数为5至9的杂芳基、芳烷基、碳数为1至7的酰基中的任何一种，Ar²表示碳数为6至25的芳基、碳数为5至9的杂芳基中的任何一种，以及R⁶表示氢、碳数为1至6的烷基、碳数为6至12的芳基中的任何一种。)

可采用各种反应作为咔唑衍生物的合成方法。例如，可以举出下述的反应图解(A-1)和反应图解(A-2)所示的方法。然而，用于本发明的咔唑衍生物的合成方法不局限于这些方法。

此外，还可以适当使用如下述通式3至6中的任何一个所示的有机材料。作为下述通式3至6中的任何一个所示的有机化合物的具体实例，可以举出N-(2-萘基)咔唑(缩写：NCz)、4，4’-二(N-咔唑基)联苯(缩写：CBP)、9，10-双[4-(N-咔唑基)苯基]蒽(缩写：BCPA)、3，5-双[4-(N-咔唑基)苯基]联苯(缩写：BCPBi)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(缩写：TCPB)等。

在通式3中Ar³表示碳数为6至42的芳香族烃基，n表示1至3的自然数，R¹¹和R¹²表示氢、或碳数为1至4的烷基、或碳数为6至12的芳基。

但，在通式4中Ar⁴表示碳数为6至42的一价芳香族烃基，R²¹和R²²表示氢、或碳数为1至4的烷基、或碳数为6至12的芳基。

但，在通式5中Ar⁵表示碳数为6至42的二价芳香族烃基，R³¹至R³⁴表示氢、或碳数为1至4的烷基、或碳数为6至12的芳基。

但，在通式6中Ar⁶表示碳数为6至42的三价芳香族烃基，R⁴¹至R⁴⁶表示氢、或碳数为1至4的烷基、或碳数为6至12的芳基。

还可以使用例如蒽、9，10-二苯基蒽(缩写：DPA)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(缩写：t-BuDNA)、并四苯、红荧烯、以及并五苯等的芳香族烃。

可以通过共同气相沉积法等将位阻大的化合物添加到混合层3中。由此，可以防止混合层3的结晶化。作为位阻大(即，具有与平面结构不同的空间扩展的结构)的化合物，优选为5，6，11，12-四苯基并四苯(缩写：红荧烯)。但，除了上述以外，也可以为六苯基苯(hexaphenylbenzene)、二苯基蒽、叔丁基二萘嵌苯、9，10-二(苯基)蒽、以及香豆素545T等。此外，使用树枝状聚合物等也有效。

可以通过上述金属氧化物和有机化合物的共同气相沉积法而制造混合层3。此外，还可以通过湿法、液滴喷射法等形成混合层3，然而必需使它不暴露于含氧的气氛。在通过气相沉积法形成的情况下，将金属等掩模设置在蒸发源和基板之间而形成图形。另外，在混合层3中，有机化合物和金属氧化物的重量比率优选为95∶5至20∶80，更优选为90∶10至50∶50。

接下来，在使混合层3不暴露于含氧的气氛的情况下，在室温下不加热地暴露于氮气气氛(图1D)。在图1D中，用圆形标记模式地表示氮(N₂)。在图3、5、6以及8中也用圆形标记模式地表示氮(N₂)。将氮气引入到安装了基板1的室内，所述基板1形成有混合层3。氮气优选为尽量除去水分的气体，其水分量为40ppm或更少，优选为3ppm或更少。以1至500sccm的流量将氮气引入到室内，以使室内的压力达到1×10^-1至1×10⁶Pa。在将室内的压力保持在上述压力的情况下，放置1至24小时，然后使混合层3暴露于氮气气氛。或者，还可以对混合层3喷射氮气。在此情况下，无须放置1至24小时，而喷射10至180分钟即可。还可以在暴露于氮气气氛之后，除去室内的氮气以使真空或减压下，如上所述那样再使它暴露于氮气气氛。由此，可以延长发光器件的寿命。

接着，在使混合层3不暴露于含氧的气氛的情况下并且在真空中或减压下，通过气相沉积法等以5至50nm形成空穴传输层4(图2(A))。空穴传输层4为传输空穴功能优异的层，例如由NPB、TPD、TDATA、MTDATA、BSPB等的芳香胺(即，具有苯环-氮键)的化合物构成的层。这里所述的物质为主要具有1×10^-6至10cm²/Vs的空穴迁移率的物质。然而，只要空穴传输性高于电子传输性的物质，也可以使用上述以外的物质。另外，不仅单层，而且将由上述物质构成的层层叠两层或更多层而成的叠层也可以用作空穴传输层4。

接下来，在真空中或减压下通过气相沉积法等以5至100nm形成发光层5(图2(A))。对发光层5没有特别的限定。用作发光层的层大致分为两种类型。一种为在由一种材料(主体材料)构成的层中分散有发光材料的主体-客体型的层，所述主体材料的能隙大于成为发光中心的发光物质(掺杂剂材料)(所具有的能隙)，另一种为仅仅由发光材料构成发光层的层。前者因为不容易发生浓度猝灭而成为优选的结构。作为成为发光中心的发光物质，可以举出4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-烯基(enyl))-4H-吡喃(缩写：DCJT)、4-二氰基亚甲基-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定(julolidyl)-9-烯基(enyl))-4H-吡喃、吡啶醇(periflanthene)、2，5-二氰基-1，4-双(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-enyl)苯、N，N’-二甲基喹吖啶酮(缩写：DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-喹啉醇合(quinolinolato))铝(缩写：Alq₃)、9，9′-二蒽基、9，10-二苯基蒽(缩写：DPA)、9，10-双(2-萘基)蒽(缩写：DNA)、以及2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(缩写：TBP)等。

作为掺杂剂材料，还可以使用双[2-(3，5-双(三氟甲基)苯基)吡啶醇(pyridinato)-N，C^2’]铱(III)吡啶甲酸(缩写：Ir(CF₃ppy)2(pic))、双[2-(4，6-二氟苯基)吡啶醇-N，C^2’]铱(III)乙酰丙酮(FIr(acac))、双[2-(4，6-二氟苯基)吡啶醇-N，C^2’]铱(III)吡啶甲酸(FIr(pic))、以及三(2-苯吡啶基-N，C^2’)铱(缩写：Ir(ppy)₃)等的发磷光的物质。

作为上述主体材料，可以使用9，10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDNA)等的蒽衍生物、4，4’-双(N-咔唑基)联苯(缩写：CBP)等的咔唑衍生物、三(8-喹啉醇合)铝(缩写：Alq₃)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)铝(缩写：Almq₃)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(缩写：BeBq₂)、双(2-甲基-8-喹啉醇合)-4-苯基苯酚(phenylphenolato)-铝(缩写：BAlq)、双[2-(2-羟基苯基)吡啶醇]锌(缩写：Znpp₂)、以及双[2-(2-羟基苯基)-苯并唑]锌(缩写：ZnBOX)等的金属配合物等。此外，作为可以仅仅由发光物质构成发光层5的材料包括三(8-喹啉醇合)铝(缩写：Alq₃)、9，10-双(2-萘基)蒽(缩写：DNA)、以及双(2-甲基-8-喹啉醇合)-4-苯基苯酚-铝(缩写：BAlq)等。

在真空中或减压下，在发光层5上通过气相沉积法等以5至100nm形成电子传输层6(图2(A))。电子传输层6为传输电子的功能优异的层，例如由具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等构成的层，如三(8-喹啉醇合)铝(缩写：Alq₃)、三(5-甲基-8-喹啉醇合)铝(缩写：Almq₃)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(缩写：BeBq₂)、双(2-甲基-8-喹啉醇合)-4-苯基苯酚-铝(缩写：BAlq)等。另外，还可以使用其他具有唑或噻唑配体的金属配合物等，如双[2-(2-羟基苯基)-苯并唑]锌(缩写：ZnBOX)、双[2-(2-羟基苯基)-苯并噻唑]锌(缩写：Zn(BTZ)₂)等。再者，除了金属配合物之外，还可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑(缩写：PBD)、或1，3-双[5-(p-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑-2-基]苯(缩写：OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写：TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(缩写：p-EtTAZ)、红菲绕啉(缩写：BPhen)、以及浴铜灵(缩写：BCP)等。在此所述的物质主要是具有1×10^-6至10cm²/Vs的电子迁移率的物质。另外，只要电子传输性能高于空穴传输性能的物质，就可以使用除了上述物质以外的其他物质作为电子传输层6。此外，电子传输层6可以是单层，也可以是由上述物质构成的层层叠两层或更多层而成的叠层。

在真空中或减压下，在电子传输层6上通过气相沉积法等以10至200nm形成阴极7，以完成发光器件(图2(A))。可以使用具有低功函数(功函数小于或等于3.8eV)的金属、合金、导电化合物或它们的混合物等形成阴极7。作为这种阴极材料的具体例子，可以举出属于周期表第1或第2族的元素，即碱金属如锂(Li)或铯(Cs)等、碱土金属如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)等、或含这些元素的合金(Mg:Ag、Al:Li)。然而，通过在阴极7和发光层5之间形成优异于注入电子的功能的层(电子注入层，未图示)，并使它与阴极7层叠进行设计，可以使用各种导电材料作为阴极7，其中包括作为阳极2的材料被举出的材料如Al、Ag、ITO或含硅的ITO等，而不必考虑功函数的大小。

另外，作为电子注入功能优异的层，可以使用碱金属或碱土金属的化合物，如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF₂)等。另外，除此之外，，可以使用由具有电子传输性能的物质中包含碱金属或碱土金属的物质，例如Alq₃中含有镁(Mg)的物质等。

混合层3、空穴传输层4、发光层5、以及电子传输层6可以通过气相沉积法形成。除了上述以外的方法，还可以通过液滴喷射法或旋转涂敷法等湿法形成。然而，混合层3以及在其上层叠的层必须在不暴露于含氧的气氛的情况下形成。此外，也可以采用各个电极或各个层都不同的成膜方法来形成。

发光器件由于有时由水分等引起劣化，所以如下所述那样可以形成钝化膜或进行密封。

在此，通过等离子体CVD法、溅射法等以10至1000nm形成含氮的氧化硅膜作为钝化膜8。在使用含氮的氧化硅膜的情况下，通过等离子体CVD法形成由SiH₄、N₂O、NH₃制成的氧氮化硅膜、由SiH₄、N₂O制成的氧氮化硅膜、或由使用Ar稀释SiH₄、N₂O的气体形成的氧氮化硅膜即可。

或者，也可以使用由SiH₄、N₂O、H₂制成的氧氮氢化硅膜。当然，钝化膜不局限于单层结构，还可以以单层结构或叠层结构使用其他含硅的绝缘层。此外，还可以形成氮化碳膜和氧化硅膜的多层膜、或苯乙烯聚合物的多层膜、氮化硅膜、或类金刚石的碳薄膜而代替含氮的氧化硅膜。

随后，进行密封，以便保护发光器件免受水等促进劣化的物质所造成的影响(图2(B))。在此，使用相对基板11进行密封，并且通过使用绝缘密封剂，贴合相对基板11以暴露外部连接部分。可以用干燥氮气等惰性气体填充相对基板11和基板1之间的空间，或者在整个表面上涂敷密封剂或具有透光性的树脂9使相对基板11贴上。对于密封剂，优选使用紫外线固化树脂等。也可以将干燥剂10或用于保持固定的间隙的颗粒10混合在密封剂中。随后，柔性线路板被贴合到外部连接部分。该发光器件由于在形成混合层3之后，在不暴露于氧和水的情况下暴露于氮气气氛，所以可以延长寿命。

在上文中，在基板1上形成阳极2，并且在阳极2上形成混合层3。然而，本发明还可以适用于一种发光器件，其中在基板1上形成阴极7，在阴极7上形成电子传输层6，在电子传输层6上形成发光层5，在发光层5上形成空穴传输层4，在空穴传输层4上形成混合层3，在混合层3上形成阳极2(图21)。

在形成混合层3之后，在不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于尽量减少水分的氮气气氛，然后在不暴露于含氧的气氛的情况下形成阳极2。

作为使所述混合层3暴露于氮气气氛的方法，可以使用上述的方法。此外，在使所述混合层3暴露于氮气气氛之后，排氮气，再暴露于氮气气氛。此外，还可以对所述混合层3喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

在这种情况下，作为基板1、阴极7、电子传输层6、发光层5、空穴传输层4、混合层3、以及阳极2，可以使用上述材料。此外，如上所述，所述发光器件可以通过气相沉积法等在真空中或减压下制造。

此外，还可以在阴极7和电子传输层6之间形成电子注入层。

实施方式2

在本实施方式中，说明与示出于实施方式1的结构不同的结构。在本实施方式所示出的结构中，与阴极接触地设置混合层3。

图3(A)示出发光器件的结构的一个实例。这个结构中在阳极2和阴极7之间层叠有空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、第一层15、以及混合层3。实施方式1所示的阳极2、阴极7、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、以及混合层3可以适用于本实施方式。

第一层15为电子注入层，而且为含有电子给予性物质和电子传输性物质的层。作为包含在第一层15中的电子给予性物质，优选为碱金属或碱土金属、以及它们的氧化物和盐。具体而言，可以举出锂、铯、钙、锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物、以及碳酸铯等。作为电子传输性物质可以使用可适用于实施方式1的电子传输层的化合物。第一层15通过气相沉积法等以1至100nm形成。

如实施方式1所示，在形成第一层15后，在真空中或减压下形成混合层3。随后，在使混合层3不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于氮气气氛(图3B)。氮气中的水分量为40ppm或更少，优选为3ppm或更少。将氮气引入到设置了基板1的室内，所述基板1形成有混合层3。氮气以1至500sccm的流量被引入，以室内的压力达到1×10^-1至1×10⁶Pa。

在室内的压力保持在上述压力的情况下，放置1至24小时，以使混合层3暴露于氮气气氛。或者，还可以对混合层3喷射氮气。在这种情况下，无须放置1至24小时，而喷射10至180分钟即可。

还可以在暴露于氮气气氛之后，除去室内的氮气使室内真空或减压状态，然后如上所述再使它暴露于氮气气氛。由此，可以延长发光器件的寿命。

随后，在使混合层3不暴露于含氧的气氛的情况下并且在真空中或减压下形成阴极7，以完成发光器件。此外，如实施方式1，可以形成钝化膜8，接着进行密封，以便保护免受水等促进劣化的物质所造成的影响。

在上文中在基板1上形成阳极2，在阳极2上方形成混合层3和阴极7。然而，本发明还可以适用于一种发光器件，其中在基板1上形成阴极7，在阴极7上形成混合层3，在混合层3上形成第一层15，在第一层15上形成电子传输层6，在电子传输层6上形成发光层5，在发光层5上形成空穴传输层4，并且在空穴传输层4上形成阳极2(图22)。

在形成混合层3之后，在不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于尽量减少水分量的氮气气氛，然后在不暴露于含氧的气氛的情况下形成第一层。

作为使所述混合层3暴露于氮气气氛的方法，可以使用上述方法。此外，还可以在使所述混合层3暴露于氮气气氛之后，排氮气，再使它暴露于氮气气氛。此外，也可以对所述混合层3喷射氮气，以暴露于氮气气氛。

基板1、阴极7、混合层3、第一层15、电子传输层6、发光层5、空穴传输层4、以及阳极2可以使用上述材料。此外，如上所述，可以通过气相沉积法等在真空中或减压下制造该发光器件。

还可以在空穴传输层4和阳极2之间形成空穴注入层。

实施方式3

在本实施方式中与阳极和阴极接触地设置混合层。

图4示出发光器件的结构的一个实例。形成在阳极2和阴极7之间层叠有第一混合层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、第一层15、以及第二混合层3的结构。各个层可以使用实施方式1和2中所示的层。此外，用于第一混合层和第二混合层的有机化合物、金属氧化物可以相同，也可以不同。

当在真空中或减压下形成第一混合层3和第二混合层3后，如实施方式1和2所示地在使混合层3不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于氮气气氛(图5(A)和5(B))。在氮气中的水分量为40ppm或更少，优选为3ppm或更少。在设置了基板1的室内引入氮气，所述基板1形成有混合层3。优选使用尽量除去水分的氮气。以1至500sccm的流量引入氮气，使在室内的压力为1×10^-1至1×10⁶Pa。

在使室内压力保持上述压力的情况下，放置1至24小时并且使混合层3暴露于氮气气氛。或者，还可以对混合层3喷射氮气。在这种情况下，无须放置1至24小时而喷射10至180分钟即可。

也可以在暴露于氮气气氛之后除去室内的氮气使室内真空或减压下，然后再如上述那样暴露于氮气气氛。随后，在使混合层不暴露于含氧的气氛的情况下并且在真空中或减压下形成空穴传输层4和阴极7，以制造发光器件。由此可以延长发光器件的寿命。

在上文中，在基板1上形成阳极2，并且在阳极2上方形成阴极7。然而，本发明还可以适用于一种发光器件，其中在基板1上形成阴极7，在阴极7上形成第一混合层3，在第一混合层3上形成第一层15，在第一层15上形成电子传输层6，在电子传输层6上形成发光层5，在发光层5上形成空穴传输层4，在空穴传输层4上形成第二混合层3，并且在第二混合层3上形成阳极2(图23)。

在形成第一混合层3之后，在不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于氮气气氛，然后在不暴露于含氧的气氛的情况下形成第一层15。此外，在形成第二混合层3之后，在不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛，然后在不暴露于含氧的气氛的情况下形成阳极2。

作为将第一和第二混合层3暴露于氮气气氛的方法，可以使用上述方法。此外，也可以在使所述混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使它们暴露于氮气气氛。此外，还可以对所述混合层喷射氮气，以暴露于氮气气氛。此外，包含在氮气中的水分量为40ppm或更少，优选为3ppm或更少。

此外，如上所述，可以通过气相沉积法等在真空中或减压下制造这种发光器件。

实施方式4

通过与实施方式1至3所示的方法不同的方法形成混合层3。在本实施方式中，对混合层3不是以一次形成、而是以多次成膜方法进行说明。

如图1(A)和1(B)所示，在基板1上形成阳极2。在真空中或减压下对阳极2进行加热处理而除去水分等后，在真空中或减压下形成例如10至30nm的第一混合层17a。然后在不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于氮气气氛，该氮气为如上述实施方式所示那样尽量减少水分量的氮气(图6(A))。

接下来，在使第一混合层17a不暴露于含氧的气氛的情况下，在真空中或减压下形成例如10至30nm的第二混合层17b。然后，通过上述实施方式所示的方法，在不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于尽量减少水分的氮气气氛，以形成混合层3(图6(B))。在如上述实施方式所示地将室内保持固定的压力下，将第一混合层或第二混合层放置1至24小时而暴露于氮气气氛，或者还可以对第一混合层或第二混合层喷射氮气。

此外，可以在使第一混合层或第二混合层暴露于氮气气氛之后，除去室内的氮气使它真空或减压状态，然后再使它们如上述那样暴露于氮气气氛。

接下来，在使第二混合层17b不暴露于含氧的气氛的情况下在真空中或减压下形成空穴传输层等，以制造发光器件。由此，可以延长发光器件的寿命。

此外，本发明在与阴极接触地形成混合层3的情况下也可以适用。就是说，在形成第一层(电子注入层)15之后形成第一混合层，暴露于氮气气氛，形成第二混合层，暴露于氮气气氛，最后形成阴极。无需说明的是，本实施方式可以适用于上述实施方式所示的结构。

此外，本发明也可以适用于一种发光器件，其中在基板1上形成阳极2，在阳极2上形成空穴传输层，在空穴传输层上形成发光层，在发光层上形成电子传输层，在电子传输层上形成第一层，在第一层上形成第一混合层3，在室温下暴露于氮气气氛，形成第二混合层，暴露于尽量减少水分量的氮气气氛，并且形成阴极7。

此外，本发明也可以适用于一种发光器件，其中在基板1上形成阴极7，在阴极7上形成第一混合层3，在室温下暴露于氮气气氛，形成第二混合层，暴露于氮气气氛，形成第一层15，在第一层15上形成电子传输层6，在电子传输层6上形成发光层5，在发光层5上形成空穴传输层4，并且在空穴传输层4上形成阳极2。

此外，本发明还可以适用于一种发光器件，其中在基板1上形成阴极7，在阴极7上形成电子传输层6，在电子传输层6上形成发光层5，在发光层5上形成空穴传输层4，在空穴传输层4上形成第一混合层3，在室温下暴露于氮气气氛，形成第二混合层，在室温下暴露于尽量减少水分量的氮气气氛，形成阳极2。

实施方式5

在本实施方式中，说明与上述实施方式所示的结构不同的结构。对层叠了多个发光单元的结构的发光器件(以下也称作串联发光器件)进行说明。换句话说，在阳极和阴极之间具有多个发光单元。图7示出层叠了两个发光单元的串联发光器件。多个发光单元中间夹着电荷产生层串联连接，并且具有有机化合物和金属氧化物的混合层适用于电荷产生层。

图7中，第一发光单元22和第二发光单元24层叠在阳极20和阴极21之间。在第一发光单元22和第二发光单元24之间形成电荷产生层23。

阳极20和阴极21可以使用上述实施方式所示的材料。

第一发光单元22和第二发光单元24具有从阳极20一侧层叠了空穴传输层、发光层、以及电子传输层的结构，即具有阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电荷产生层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及阴极的叠层结构。在此，空穴传输层和电子传输层不是不可缺少的结构，根据需要而设置即可。此外，还可以根据需要来设置空穴注入层和电子注入层等。此外，作为用于发光单元的材料，可以使用上述实施方式所示的材料。

组合上述实施方式所示的具有有机化合物和金属氧化物的混合层与具有电子给予性物质和电子传输性物质而形成电荷产生层23。电荷产生层23还可以组合混合层和透明导电膜而成。由于混合层对可见光具有高透过率，从而对由第一发光单元和第二发光单元发射的光具有高透过率，由此，可以提高外部提取效率(extraction efficiency)。

作为电子给予性物质，优选为碱金属或碱土金属、以及它们的氧化物和盐。具体而言，可以举出锂、铯、钙、锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物、以及碳酸铯等。此外，可以用于电子传输层的物质可以适用于电子传输性物质。

在基板上形成阳极20和第一发光单元22，然后在真空中或减压下通过气相沉积法等形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层25。其次，在真空中或减压下通过其气相沉积法等形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层26(图8(A))。

接下来，通过上述实施方式所示的方法，在不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于尽量减少水分量的氮气气氛(图8(B))。由此，可以延长发光器件的寿命。

接下来，在混合层26不暴露于含氧的气氛的情况下并且在真空中或减压下形成第二发光单元24，然后形成阴极21，以完成图7所示的发光器件。另外，对密封处理，可以采用上述实施方式中的方法。

此外，如实施方式4所示，可以进行多次成膜形成混合层26。

在本实施方式中，对具有两个发光单元的发光器件进行说明，同样，本发明的材料也同样可以适用于层叠了三个或更多的发光单元的发光元件。例如，在层叠了三个发光单元的发光器件中按顺序层叠有第一发光单元、第一电荷产生层、第二发光单元、第二电荷产生层、以及第三发光单元。然而具有有机化合物和金属氧化物的混合层可以只包括在任一个电荷产生层中，也可以包括在所有的电荷产生层中。另外，本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。

具有第一发光单元22和第二发光单元24的叠层体可以具有电子传输层、发光层、空穴传输层这样的结构。

此外，本发明还可以适用于一种发光器件，其中形成阴极，在所述阴极上形成具有发光层的第一发光单元，在所述第一发光单元上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层，在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下并且在室温下暴露于尽量减少水分量的氮气气氛，然后在不暴露于含氧的气氛的情况下形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层，在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成第二发光单元，并且在所述第二发光单元上形成阳极。

实施方式6

在本实施方式中，说明本发明公开的发光器件的制造步骤的一个实例，以及这时使用的多室方式的制造装置。在此，在投入基板并且连续地进行混合层和发光层等的成膜处理后，将它与相对基板合在一起而进行密封处理，所述相对基板与基板分开投入。

图9所示的发光器件的制造装置有：传送室101(附带用来传送基板、相对基板、以及金属掩模的传送机器人111)、通过门阀(gatevalve)连接到该传送室的基板·掩模储存室102、前处理室103、第一蒸镀室104、第二蒸镀室105、第三蒸镀室106、第四蒸镀室110、CVD室107、密封玻璃储存室108、以及密封室109。

首先，在基板·掩模储存室102中进行基板和气相沉积用金属掩模的投入。基板·掩模储存室102也可以进行将基板投入到室内外以及将它从室内外取出。

基板·掩模储存室呈升降机结构，并且基板和掩模兼用呈升降机结构的各段。基板和掩模合计最多能收容10至15个。另外，在室外面，阳极形成在所述基板上。

另一方面，在封密封玻璃储存室108中进行相对基板的投入。密封玻璃储存室呈升降机结构，各段中收容前处理(具有代表性的指贴合吸收面板内外的水分用的干燥剂、以及形成与基板贴合用的密封剂)结束后的相对基板。

在本制造装置中，对投入的所有的基板先结束成膜处理，将其称为“沉积方式”。该沉积方式结束后，进入与相对基板贴合的“密封方式”。

在下文中，对沉积方式进行说明。首先，对传送室101、前处理室103、第一蒸镀室104、第二蒸镀室105、第三蒸镀室106、第四蒸镀室110、以及CVD室107进行排气直到例如1×10^-5至1×10^-6Pa的高真空。在沉积方式中，传送室一直保持高真空状态。另外，设置在各个蒸镀室中的每个蒸发材料被预热到比各自的蒸发开始温度低30℃的温度。该预热时间优选为12个小时或更长。此目的在于除去附着在蒸发材料上的水分。

接下来，对基板·掩模储存室102进行真空排气后，将掩模传送给各个蒸镀室。在完成了以上的准备后，将基板传送给前处理室103。在前处理室103中进行使用灯加热器等的真空中或减压下基板加热。另外，关于基板加热，也可以在基板·掩模储存室102中进行。

接下来，将基板从前处理室103经由传送室101传送到第四蒸镀室110，使用掩模和CCD摄像机的调准处理(alignmen ttreatment)结束后，形成混合层。在第四蒸镀室110中，将有机化合物和金属氧化物从固定的蒸发源蒸发，以在设置于上方的基板上形成膜。在蒸发过程中，基板旋转，由此提高形成在基板上的膜厚度的面内分布。

其次，在不暴露于含氧的气氛的情况下，将基板经由传送室101传送到CVD室107。在基板被传送到CVD室107之前，CVD室107排气成高真空。传送基板后，将尽量减少水分量的高纯度的氮气例如以1至500sccm供给于CVD室。在供给氮气之间，也用涡轮增压泵使CVD室排气的话，CVD室内的压力就保持恒定。压力优选为1×10^-1至1×10⁶Pa。将氮气对基板喷上10至180分钟并使它暴露于氮气后，停止氮气的供给。

或者，排氮气而使CVD室内成高真空后，也可以再次供给氮气并使基板暴露于氮气。另外，在对基板不喷射氮气的情况下，可以一边将氮气供给到CVD室内一边使它保持上述压力而暴露1至24小时在氮气气氛。

另外，在CVD室107中，可以在基板的整个表面上形成CVD膜。还可以进行使用多种气体的等离子体处理。利用它可以在阴极上形成例如作为保护膜的氮化硅膜或氧化硅膜等。此外，作为对基板的前处理，也可以进行使用多种气体的等离子体处理(例如，Ar+O₂等离子体处理)。

接下来，在使混合层不暴露于含氧的气氛的情况下，将基板经由传送室101传送到第二蒸镀室105。在调准处理结束后，形成空穴传输层。

接下来，将基板经由传送室101传送到第一蒸镀室104。蒸镀室的机构及成膜处理方法与其他蒸镀室相同。这里，在形成发光层后，也形成电子传输层。发光层也可以通过共沉积主体材料和掺杂剂材料而形成。此外，只要将附属于蒸发源的蒸发源挡板关闭，就可以顺利地进行从发光层向电子传输层的转换。

接下来，将基板经由传送室101传送到第三蒸镀室106。在这里，形成阴极。蒸镀室的结构以及成膜处理方法与其他蒸镀室相同。

如上所述的必要处理结束后的基板，经由传送室101再返回出发点的基板·掩模储存室102。这里，虽然示出了为了获得发光的单色面板所必要的一系列处理，但不特别限定。

对投入的所有的基板完成了同样的处理，并且从各蒸镀室将掩模回收到基板·掩模储存室102中，沉积方式就结束，本制造装置接着进入密封方式。

以下，说明密封方式。首先将传送室101、基板·掩模储存室102、以及密封玻璃储存室108由氮气加压而成大气压。关于传送室及基板·掩模储存室，在沉积方式结束后立刻进行此处理即可。另外，关于密封玻璃储存室，通过尽量在即将密封之前安装前处理结束了的相对基板，而可以抑制密封剂和干燥剂的劣化。在安装后，通过多次进行密封玻璃储存室的排气以及使用氮气的加压处理，可以减少密封方式时的在传送室中的水分浓度。再者，还可以进行形成在相对基板上的密封剂的脱气。

接下来，基板和相对基板分别从基板·掩模储存室102和密封玻璃储存室108经由传送室101分别传送到密封室109中。在密封室中将基板的端部彼此对齐，基板和相对基板的调准处理结束后，将基板和相对基板贴合起来，通过加压进行密封。再者，从相对基板一侧(下侧)照射紫外线，使密封剂(在本实施例中为紫外线固化树脂)固化。此时，使用遮光掩膜，可以只对密封剂的部分选择性地实施紫外线照射。

通过上述密封处理，基板和相对基板成为被一体化了的面板。将该面板从密封室109经由传送室101传送到基板·掩模储存室102中。以下，对于下一个基板和相对基板也进行同样的处理。最后面板被收容在基板·掩模储存室中，密封方式结束。在密封方式结束后，将完成了的面板从基板·掩模储存室中取出即可。

实施方式7

本实施方式中，对于本发明的发光器件，参照图10至11一边示出其制造方法一边进行说明。另外，本实施方式示出的是制造一种有源矩阵型发光器件的例子。

首先，在基板50上形成第一基底绝缘层51a和第二基底绝缘层51b，进一步在第二基底绝缘层51b上形成半导体层(图10(A))。

作为基板50的材料，可以采用玻璃、石英或塑料(如聚酰亚胺，丙烯酸类(アクリル)，聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚碳酸酯，聚丙烯酸酯、聚醚砜等)等。根据需要，可以由CMP等研磨而使用这些基板。在本实施方式中，采用玻璃基板。

为了防止对半导体膜的特性产生负面影响的元素，例如，基板50中的碱金属或碱土金属，扩散到半导体层中，而设置第一基底绝缘层51a和第二基底绝缘层51b。作为所述基底绝缘层的材料，可采用氧化硅，氮化硅，含氮的氧化硅或含氧的氮化硅等。在本实施方式中，第一基底绝缘层51a由氮化硅形成，而第二基底绝缘层51b由氧化硅形成。虽然在本实施方式中基底绝缘层由第一基底绝缘层51a和第二基底绝缘层51b的两层形成，但是基底绝缘层可以形成为单层结构，也可以为包括两层或多层的多层结构。此外，当来自基板的杂质的扩散不造成明显的问题时，基底绝缘层就没有必要了。

在本实施方式中，随后形成的半导体层通过使非晶硅膜激光结晶化而得到。在第二基底绝缘层51b上以25至100nm(优选以30至60nm)的膜厚度形成非晶硅膜。作为制造方法，可以使用公知的方法如溅射法、减压CVD方法或等离子体CVD法等。然后，以500℃进行1小时的加热处理，以脱氢。

接着，使用激光辐照器使非晶硅膜结晶化以形成晶体硅膜。在本实施方式中，采用受激准分子激光器来进行激光结晶化。通过将发出的激光束使用光学系统调制成线状的光束斑并且将它照射到非晶硅膜，形成晶体硅膜而用作半导体层。

此外，作为使非晶硅膜结晶化的另一方法还有如下方法：仅仅靠热处理进行结晶化的方法；以及使用促进结晶化的催化剂元素进行加热处理的方法。作为促进结晶化的元素，可以举出镍、铁、钯、锡、铅、钴、铂、铜、金等。通过使用此种元素，与在仅仅靠热处理进行结晶化的情况相比，以更低的温度而且更短的时间进行结晶化。因此，对玻璃基板等的损伤很少。在仅仅靠热处理使结晶化的情况下，采用耐高温的石英基板等作为基板50即可。

接着，根据需要，将少量的杂质添加到半导体层中，即进行所谓的沟道掺杂，以便控制阈值。为了获得所要求的阈值，通过离子掺杂法等添加呈现N型或P型的杂质(例如，磷、硼等)。

随后，如图10(A)所示，将半导体层加工为预定的形状，以获得岛状的半导体层52。该加工处理通过如下步骤而进行，即在半导体层上涂敷光抗蚀剂，曝光并焙烧预定的掩模形状，在半导体层上形成抗蚀剂掩模，以及使用该掩模进行蚀刻。

接着，覆盖半导体层52地形成栅极绝缘层(gate insulatinglayer)53。采用等离子体CVD法或溅射法由含硅的绝缘层形成栅极绝缘层53，其厚度为40至150nm。在本实施方式中，采用氧化硅而形成栅极绝缘层53。

接下来，在栅极绝缘层53上形成栅极54。栅极54可以由选自钽、钨、钛、钼、铝、铜、铬、以及铌的元素形成，或者可以由以上述元素为主要成分的合金材料或化合物材料形成。此外，也可以采用以掺杂磷等的杂质元素的多晶硅膜为代表的半导体膜。再者，也可以采用Ag-Pd-Cu合金。

此外，在本实施方式中虽然由单层形成栅极54，但也可以是以钨作为下层，以钼等作为上层的2层或更多层的层叠结构。。即使在以层叠结构形成栅极的情况下，也优选使用上述材料。此外，其组合也可适当的选择。对栅极54的加工通过使用以光抗蚀剂形成的掩模蚀刻进行。

接着，以栅极54作为掩模在半导体层52中添加高浓度杂质。通过上述步骤，形成包括半导体层52、栅极绝缘层53、以及栅极54的薄膜晶体管70。这里，通过使用低速离子掺杂法和高速离子掺杂法，除了源极区域55和漏极区域56以外，还可以设置LDD区域57。

另外，对薄膜晶体管的制造步骤没有特别的限定，而可以适当地改变，以便能够制造具有所要求的结构的晶体管。

本实施方式采用一种使用通过激光结晶化而得到的晶体硅膜的顶栅型薄膜晶体管，然而，也可以采用一种使用非晶半导体膜的底栅型薄膜晶体管。不仅硅而且硅锗也可以用作非晶体半导体。当使用硅锗时，锗的浓度优选大致为0.01至4.5atomic％。

另外，还可以使用在非晶半导体中可以观察0.5至20nm的结晶粒子的微晶半导体薄膜(半晶半导体(semiamorphous semiconductor))。可以观察0.5至20nm的结晶粒子的微晶又称作所谓微小结晶(μc)。

作为半晶半导体的半晶硅(也书写为SAS)，可以通过将硅烷系气体用辉光放电(glow discharging)分解而得到。典型的硅烷系气体为SiH₄，并且还可以使用Si2H₆、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiCl₄、或SiF₄等。采用以氢或氢和一种或多种选自氦、氩、氪和氖的稀有气体元素稀释上述气体，可容易地形成SAS。优选以稀释率在10倍～1000倍的范围内稀释硅烷系气体。用辉光放电分解来形成的膜的反应生成可在0.1至133Pa的压力范围进行。作为用于形成辉光放电的电力，可以供应1至120MHz，优选以13至60MHz的高频电力。基板加热温度优选为300℃或更低，更优选为100至250℃。

如此形成的SAS的拉曼光谱向低于520cm^-1的波数一侧偏移。按照X射线衍射，将观察到来源于Si晶格的(111)和(220)的衍射峰。加入至少1原子％或更多的氢或卤素，以终止悬空键(dangling bond)。薄膜中的氧、氮和碳等大气成分的杂质浓度优选等于或小于1×10²⁰cm^-1，尤其是，氧气浓度等于或小于5×10¹⁹cm^-3，优选等于或小于1×10¹⁹cm^-3。

此种SAS可以在以激光进一步结晶以后使用。

接着，由氮化硅形成绝缘膜(氢化膜)59，以覆盖栅极54和栅极绝缘层53。在形成绝缘膜(氢化膜)59以后，以480℃进行1个小时左右的加热，以进行杂质元素的激活和半导体层52的氢化。

接着，形成覆盖绝缘膜(氢化膜)59的第一层间绝缘层60。作为形成第一层间绝缘层60的材料，优选采用氧化硅、丙烯酸类、聚酰亚胺、硅氧烷、或低介电常数材料等。在本实施方式中，形成氧化硅膜作为第一层间绝缘层(图10(B))。

接下来，形成到达半导体层52的接触孔。接触孔可以用抗蚀剂掩模进行蚀刻直到半导体层52露出而形成。并且可以由湿蚀刻或干蚀刻的任一种形成。另外，根据条件可以进行一次或多次蚀刻。此外，当进行多次蚀刻时，可以进行湿蚀刻和干蚀刻两者(图10(C))。

随后，形成覆盖该接触孔和第一层间绝缘层60的导电层。通过将该导电层加工为所要求的形状，形成连接部分61a，布线61b等。该布线可以是由铝，铜，铝、碳和镍的合金或者铝、碳和钼的合金等形成的单层。该布线还可以具有从基板一侧依次层叠钼、铝和钼的叠层结构或者钛、铝和钛，钛、氮化钛、铝和钛这样的结构(图10(D))。

随后，形成第二层间绝缘层63，以覆盖连接部分61a、布线61b、以及第一层间绝缘层60。作为第二层间绝缘层63的材料，优选使用具有自平坦性的涂布膜，例如，丙烯酸类、聚酰亚胺、硅氧烷等的薄膜。在本实施方式中，作为第二层间绝缘层63使用硅氧烷(图10(E))。

接着，在第二层间绝缘层63上可以由氮化硅等形成绝缘层(未图示)。这层是为了防止在以后的蚀刻像素电极的步骤中，第二层间绝缘层63被蚀刻得超过所需要的程度而形成的。因此，当像素电极和第二层间绝缘层之间的蚀刻比率的差异很大时不特别地设计也可以。接着，形成穿过第二层间绝缘层63到达连接部分61a的接触孔。

随后，在形成了有透光性的导电层以覆盖该接触孔和第二层间绝缘层63(或绝缘层)之后，将该有透光性的导电层加工为阳极64。这里，阳极64与连接部分61a电接触。

作为阳极64的材料，可以由在实施方式1所示的导电膜形成，即如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钛(Ti)等的具有导电性的金属，或者铝-硅(Al-Si)、铝-钛(Al-Ti)、铝-硅-铜(Al-Si-Cu)等上述金属的合金，或者氮化钛(TiN)等的金属材料的氮化物，ITO、含有氧化硅的ITO(ITSO)、IZO等的金属化合物等。

此外，在取出发光一侧的电极可以由具有透明性的导电膜形成。作为该导电膜，除了ITO、ITSO、IZO等的金属化合物以外，也可以使用Al、Ag等的金属极薄膜。另外，在从阴极一侧取出发光的情况下，可以使用具有高反射比率的材料(例如Al、Ag等)。在本实施方式中，将ITSO用作阳极64(图11(A))。

接下来，覆盖第二层间绝缘层63(或绝缘层)和阳极64地形成由有机化合材料或无机化合材料构成的绝缘层。接着，使阳极64的一部分露出地加工该绝缘层，以形成分隔壁65。作为分隔壁65的材料，优选采用有感光性的有机材料(例如，丙烯酰类或聚酰亚胺等)。然而，也可以由没有感光性的有机材料或无机材料形成。另外，还可以将钛黑或氮化碳等的黑色颜料或染料使用分散材料等分散到分隔壁65的材料中，使分隔壁65变成黑色，从而用于黑阵(black matrix)。隔壁65优选具有锥形状，其朝向阳极的端表面具有曲率并且其曲率连续变化(图11(B))。随后，在真空中或减压下对基板加热以除去水分等。

接下来，在真空中或减压下形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层，以覆盖从隔壁65中露出的阳极64。该混合层具有实施方式1所记载的结构，在本实施方式中，使用DNTPD作为有机化合物，使用三氧化钼作为金属氧化物。该混合层通过共沉积法形成，相对DNTPD的三氧化钼的比率为10至80wt％。当然，混合层也可以由实施方式1所记载的其他材料形成。

随后，通过上述实施方式中所示的方法，在使混合层不暴露于含氧的气氛的情况下、在室温下暴露于氮气气氛。将氮气引入到设置有基板的室内。氮气优选如上述实施方式那样尽量除去水分。

接着，在使混合层不暴露于含氧的气氛的情况下并且在真空中或减压下，以10至100nm的膜厚度气相沉积NPB而作为传输空穴的机能很优越的层，以35至100nm的膜厚度气相沉积重量比率为1∶0.005的Alq₃和香豆素6而作为发光层，并且以10至100nm的膜厚度气相沉积Alq₃而作为电子传输层。因此，由混合层、空穴传输层、发光层、以及电子传输层而成的发光叠层体66形成在阳极64上。

接着，形成覆盖发光叠层体66的阴极67(图11(C))。因此，可以制造在阳极64和阴极67之间夹有包括发光层的有机层的发光器件93，并且对阳极施加比阴极高的电压而可以得到发光。作为用作阴极67的电极材料，可以使用和阳极材料相同的材料。在本实施方式中，将铝用作阴极。通过上述过程，完成发光器件。

随后，通过等离子体CVD法形成含氮的氧化硅膜作为钝化膜。在采用含氮的氧化硅膜的情况下，优选通过等离子体CVD法形成由SiH₄、N₂O和NH₃制造的氧氮化硅膜、或者由SiH₄和N₂O制造的氧氮化硅膜、或者由以Ar稀释SiH₄和N₂O的气体而制造的氧氮化硅膜。

此外，作为钝化膜，通过等离子体CVD法由SiH₄、N₂O和H₂制造的氧氮氢化硅膜也可以适用。该钝化膜的结构不局限于单层结构，也可以将另一含硅的绝缘层为单层结构或者为多层结构而使用。此外，也可以形成氮化碳膜和氮化硅膜的多层膜、或苯乙烯聚合物的多层膜、氮化硅膜或类金刚石碳膜，以替代含氮的氧化硅膜。

接着，为了保护发光器件避免受水等促进劣化的物质的影响，密封显示部分。当使用相对基板进行密封时，使用绝缘性密封剂以使外部连接部分露出地贴合。可以在相对基板和元件基板之间的空间填充干燥了的氮等惰性气体，也可以在像素部分的整个表面上形成密封剂，从而贴合相对基板。密封剂优选使用紫外线固化树脂等。也可以在密封剂中混入干燥剂或使基板之间的间距保持恒定的微粒。接着，将柔性布线基板贴合到外部连接部分上。

将参照图12说明如此制造的发光器件的结构的一个实例。另外，对于即使形状不同但呈现相同功能的部分使用相同的符号，并省略其说明。在本实施方式中，具有LDD结构的薄膜晶体管70通过连接部分61a连接在发光器件93上。

在图12(A)中，阳极64由具有透光性的导电膜形成，并且具有从发光叠层体66发出的光被取出到基板50一侧的结构。另外，符号94为相对基板，在发光器件93形成在基板50上以后，使用密封剂等将相对基板固定到基板50上。通过在相对基板94和元件之间填充具有透光性的树脂88等来密封，可以防止发光器件93因水分而劣化。此外，树脂88优选具有吸湿性。再者，当将透光性好的干燥剂89散布在树脂88中，则能够进一步抑制水分的影响，所以这是更优选的。

在图12(B)中，阳极64和阴极67两者都由具有透光性的导电膜形成，并且具有从基板50和相对基板94两两可以取出光的结构。此外，在此结构中，通过在基板50和相对基板94外面设置偏光板90就可以防止屏面透过，从而增加可见度。保护膜91优选设置在偏光板90外面。

另外，对在像素部分中的晶体管和发光元件等的布置没有特别的限定，但是可以如图13的俯视图所示那样布置。在图13中，第一晶体管1001的第一电极连接到源信号线1004上，第二电极连接到第二晶体管1002的栅极上。此外，第二晶体管的第一电极连接到电流供给线1005上，第二电极连接到发光元件的电极1006上。栅信号线1003的一部分用作第一晶体管1001的栅极。

另外，模拟视频信号或数字视频信号都可以用于具有显示功能的本发明的发光器件。在使用数字视频信号的情况下，可以分成使用电压的视频信号和使用电流的视频信号。当发光器件发光时，作为输入到像素中的视频信号有恒定电压的视频信号和恒定电流的视频信号。其中视频信号为恒定电压的信号有施加到发光器件的电压为恒定的视频信号和流过发光器件中的电流为恒定的视频信号。此外，视频信号为恒定电流的信号有施加到发光器件的电压为恒定的视频信号和流过发光器件中的电流为恒定的视频信号。所述施加到发光器件的电压为恒定的视频信号为恒压驱动，流过发光器件中的电流为恒定的视频信号为恒流驱动。当恒流驱动时，在发光器件中流过恒定电流，而不受发光器件的电阻变化的影响。由电压驱动的方法和由电流驱动的方法都可以用于本发明的发光器件和其驱动方法。此外，也可以使用恒压驱动和恒流驱动这两种方法中任何一种方法。

通过上述制造方法而作出的本发明的发光器件其特征不劣化，延长了发光寿命。此外，本实施方式可以与上述实施方式组合而使用。

实施方式8

在本实施方式中，将使用图14对具有本发明的发光器件的面板的外观进行说明。图14为面板的俯视图，其中形成在基板上的晶体管和发光元件被形成在基板和相对基板4006之间的密封剂密封。图14(B)对应于沿图14(A)中的虚线A-A’的截面图。此外，安装在该面板上的发光器件的结构为如实施方式7中所示的结构。

围绕形成在基板4001上的像素部分4002、信号线驱动电路4003、以及扫描线驱动电路4004地提供密封剂4005。此外，相对基板4006形成在像素部分4002、信号线驱动电路4003、以及扫描线驱动电路4004上。因此，由基板4001、密封剂4005、以及相对基板4006将像素部分4002、信号线驱动电路4003、以及扫描线驱动电路4004与填充材料4007密封在一起。

设置在基板4001上的像素部分4002、信号线驱动电路4003、以及扫描线驱动电路4004具有多个薄膜晶体管。图14(B)中示出包括在信号线驱动电路4003中的薄膜晶体管4008和包括在像素部分4002中的薄膜晶体管4010。

此外，发光器件4011与薄膜晶体管4010电连接。

此外，引导线4014对应于用于给像素部分4002、信号线驱动电路4003、以及扫描线驱动电路4004供应信号或电源电压的布线。引导线4014通过引导线4015a和4015b连接到连接端子4016上。连接端子4016通过各向异性导电膜4019电连接到柔性印刷电路(FPC)4018的端子。

此外，作为填充材料4007，除了氮和氩等的惰性气体之外还可以使用紫外固化树脂或热固化树脂。例如，可以使用聚氯乙烯、丙烯酸类、聚酰亚胺、环氧树脂、硅树脂、聚乙烯醇缩丁醛、或乙烯-醋酸乙烯酯。

另外，本发明的发光器件在其范围内包括形成有具有发光元件的像素部分的面板和在该面板上安装有IC的模块。

具有这种结构的本发明的发光器件可以抑制产生暗点，而不引起驱动电压和耗电量的上升。

本实施方式可以与上述实施方式组合而使用。

实施方式9

在本实施方式中，对实施方式8所示的面板和模块中的像素电路和保护电路、以及其操作进行说明。另外，图10、图11为示出驱动用TFT 1403和发光器件1405的截面图。

在图15(A)所示的像素中布置有沿列方向的信号线1410、电源线1411和1412、以及沿行方向的扫描线1414。此外，该像素还包括开关用TFT 1401、驱动用TFT 1403、电流控制用TFT 1404、电容器元件1402、以及发光器件1405。

在图15(C)中所示的像素除下述不同外，具有与图15(A)中所示的像素同样的结构，不同的是，驱动用TFT 1403的栅极连接到沿行方向布置的电源线1412。换句说话，图15(A)和15(C)所示的像素具有相同的等效电路图。然而，在将电源线1412沿列方向布置(图15(A))的情况下，和将电源线1412沿行方向布置的情况下(图15(C))，各自的电源线由不同的层的导电膜构成。这里，着眼于连接驱动用TFT1403的栅极的布线，并将其结构分别示出于图15(A)和15(C)中，旨在展示制造这些布线的层是不同的。

作为图15(A)和15(C)所示的像素的特征，驱动用TFT 1403和电流控制用TFT 1404在像素内串联连接，并且优选调整驱动用TFT1403的沟道长度L(1403)和沟道宽度W(1403)以及电流控制用TFT1404的沟道长度L(1404)和沟道宽度W(1404)，使之满足L(1403)/W(1403)∶L(1404)/W(1404)＝5至6000∶1。

驱动用TFT 1403在饱和区域工作，并且起到控制流入到发光器件1405中的电流值的作用。电流控制用TFT 1404在线性区域工作，并且起到控制对发光器件1405的电流供应的作用。这两个TFT在制造步骤中优选具有相同导电类型，而在本实施方式中，作为n沟道型TFT形成该TFT。此外，驱动用TFT 1403不仅使用增强型TFT，而且还可以使用耗尽型TFT。由于具有上述结构的发光器件的电流控制用TFT1404在线性区域工作，故电流控制用TFT 1404的Vgs的轻微的波动不影响到发光器件1405的电流值。就是说，发光器件1405的电流值可以由工作在饱和区域的驱动用TFT 1403决定。凭借上述结构，可以提供改善由TFT的特性的波动造成的发光元件的亮度不均匀性，提高了图像质量的发光器件。

在图15(A)至15(D)所示的像素中，开关用TFT 1401用于控制对像素输入视频信号，当开关用TFT 1401接通(ON)时该视频信号被输入到像素中。随后，其视频信号的电压被保持在电容器元件1402中。虽然图15(A)和15(C)中显示设有电容器元件1402的结构，但本发明不局限于此情况。当栅极电容等能够供给保持视频信号的电容量时，电容器元件1402就不必设置了。

图15(B)所示的像素除了下述不同外，具有与图15(A)所示的像素相同的结构，不同的是增加了TFT 1406和扫描线1415。同样，图15(D)所示的像素除了下述不同外，具有与图15C所示的像素相同的结构，不同的是，增加了TFT 1406和扫描线1415。

TFT 1406的接通/断开由新被设置的扫描线1415控制。当TFT 1406接通时，电容器元件1402中保持的电荷放掉，从而断开电流控制TFT1404。换句说话，通过设置TFT 1406，可以强制地产生电流不流过发光器件1405中的状态。因此，TFT 1406可以称作消去用TFT。结果，在图15B和15D所示的结构中，发光周期可以与写入周期同时或刚好在其开始以后开始，而不必等待信号写入到所有像素中，因此可以提高负载比(duty ratio)。

在图15(E)所示的像素中，信号线1410和电源线1411布置在列方向，而扫描线1414布置在行方向。此外，像素包括开关用TFT1401、驱动用TFT 1403、电容器元件1402和发光器件1405。图15(F)所示的像素除了下述不同外，具有与图15(E)所示的像素相同的结构，不同的是，增加了TFT 1406和扫描线1415。在图15(F)所示的结构中，因设置TFT 1406也可以提高负载比。

如上所述，可以使用各种不同像素电路。尤其是，在由非晶半导体膜成形薄膜晶体管的情况下，用于驱动用TFT 1403的半导体膜优选要大。因此在上述像素电路中，优选采用顶面发光型，其中来自发光叠层体的光从密封基板一侧射出。

这种有源矩阵型发光器件当像素密度增加时由于在每一个像素中都设置有TFT可在低电压下驱动。因此，认为有源矩阵型发光器件是有利的。

本实施方式中虽然描述了有源矩阵型的发光器件，其中一个像素中设置有各TFT，但也可成形一种无源矩阵型的发光器件。因为在无源矩阵型的发光器件中每个像素都没有TFT，因此可获得高开口率(high aperture ratio)。在从发光叠层体两面射出光的发光器件的情况下，使用无源矩阵型发光器件的透射率得到提高。

在还包括这种像素电路的本发明的发光器件中，作为该发光器件所具有的发光元件的电极，可以使用与该发光元件所具有的结构以及它需要的性能合适的材料，再加上，可以当做具有上述各个特征的发光器件。

下面，使用图15E所示的等效电路描述一种情况，其中在扫描线和信号线上提供二极管作为保护电路。

在图16中，在像素部分1500中提供有开关用TFT 1401和1403、电容器元件1402、以及发光器件1405。二极管1561和1562提供在信号线1410上。类似于开关用TFT 1401或1403，二极管1561和1562根据上述实施方式制造，并且具有栅极、半导体层、源极和漏极等。二极管1561和1562通过将栅极与漏极或源极彼此连接而作为二极管工作。

连接到二极管1561和1562的共用电势线1554和1555由与栅极相同的层形成。因此，为了连接到二极管的源极或漏极，必须在栅极绝缘层中形成接触孔。

设置在扫描线1414上的二极管1563和1564也具有类似的结构。

如上所述，根据本发明，可以同时形成设置在输入段上的保护二极管。形成保护二极管的位置不限于此，也可设置在驱动电路与像素之间。

在具有这种保护电路的本发明的发光器件中，因为该发光器件可以长时间安定地驱动而可靠性高。再者，通过具有上述结构，而可以更提高作为发光器件的可靠性。

实施方式10

作为具有搭载了上述实施方式中一例所示的模块的本发明的发光器件的电子器具，可以举出照相机、数字照相机等照相机、护目镜型显示器(头盔显示器(a head mounted display))、导航系统、声音再现装置(汽车音响系统等)、电脑、游戏机、便携式信息终端(移动计算机、手机、便携式游戏机或电子书籍等)、以及配备记录介质的图像再现设备(具体地举出，具有可以再生数字通用光盘(DVD)等的记录介质而且显示其图像的显示器的装置)等。图17至18示出这些电子器具的具体例子。

图17(A)为电视图像接收机或个人电脑的监视器等。其包括框体3001、显示部分3003、以及扬声器部分3004等。有源矩阵型显示器件设置在显示部分3003中。显示部分3003中的每个像素具有适用本发明的制造方法的发光器件和TFT。由于具有本发明的发光器件，可以得到特性恶化少且发光寿命长的电视机。

图17(B)为手机，包括机身3101、框体3102、显示部分3103、声音输入部分3104、声音输出部分3105、操作键3106、以及天线3108等。有源矩阵型显示器件设置在显示部分3103中。显示部分3103中的每个像素具有使用本发明的制造方法的发光器件和TFT。由于具有本发明的发光器件，可以得到特性恶化少且发光寿命长的手机。

图17(C)为电脑，包括机身3201、框体3202、显示部分3203、键盘3204、外接端口3205、以及鼠标3206等。有源矩阵型显示器件设置在显示部分3203中。显示部分3203中的每个像素具有使用本发明的制造方法的发光器件和TFT。由于具有本发明的发光器件，可以得到特性恶化少且发光寿命长的电脑。

图17(D)为移动计算机(mobile computer)，包括机身3301、显示部分3302、开关3303、操作键3304、以及红外线端口3305等。有源矩阵型显示器件设置在显示部分3302中。显示部分3302中的每个像素具有使用本发明的制造方法的发光器件和TFT。由于具有本发明的发光器件，可以得到特性恶化少且发光寿命长的移动计算机。

图17(E)为便携式游戏机，包括框体3401、显示部分3402、扬声器部分3403、操作键3404、以及记录介质插入部分3405等。有源矩阵型显示器件设置在显示部分3402中。显示部分3402中的每个像素具有使用本发明的制造方法的发光器件和TFT。由于具有本发明的发光器件，可以得到特性恶化少且发光寿命长的便携式游戏机。

图18(A)为柔性显示器，包括机身3110、像素部分3111、驱动集成电路(driver IC)3112、接收单元3113、以及薄膜电池3114等。接收单元可以接收从上述手机的红外线通讯端口3107发射的信号。有源矩阵型显示器件设置在像素部分3111中。像素部分3111中的每个像素具有使用本发明的制造方法的发光器件和TFT。由于具有本发明的发光器件，可以得到特性恶化少且发光寿命长的柔性显示器。

图18(B)为应用本发明而制成的身份证，由支撑体5541、显示部分5542、以及嵌入在支撑体5541中的集成电路芯片5543等构成。

有源矩阵型显示器件设置在显示部分5542中。显示部分5542中的每个像素具有使用本发明的制造方法的发光器件和TFT。由于具有本发明的发光器件，可以得到特性恶化少且发光期间长的身份证。

如上所述，本发明的适用范围很宽，并且可以用于所有领域的电子器具中。

实施例

作为有机化合物使用DNTPD，并且作为金属氧化物使用三氧化钼、具有高位阻的物质的红荧稀而形成混合层，然后调查了两个发光器件的亮度的随时间变化，所述两个发光器件为如下两种：在暴露于氮气气氛中后形成空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、以及阴极的发光器件；不暴露于氮气气氛中地制造的发光器件。

在玻璃基板1上形成由ITO构成的阳极2，然后在减压下以150℃的温度下加热30分钟(图1(A)和(B))。接下来，在减压下共同气相淀积DNTPD、三氧化钼、以及红荧稀，以形成120nm的混合层3(图1(C))。以DNTPD∶三氧化钼∶红荧稀＝1∶0.5∶0.02(质量比率)的比率混合了DNTPD、三氧化钼、以及红荧稀。然后在不暴露于含氧的气氛的情况下在室温下而且大气压力下将混合层3暴露一夜在氮气气氛中(图1(D))。此外，包含在氮气中的水分量为0.5ppm左右。

接下来，在不将混合层3暴露于含氧的气氛下，减压下通过气相淀积法形成10nm的NPB作为空穴传输层4(图19)。以Alq₃为主体并且以DMQd为掺杂剂材料通过气相淀积法形成37.5nm的发光层5(图19)。以Alq₃∶DMQd＝1∶0.003(质量比率)的比率形成Alq₃和DMQd。

作为电子传输层6，在减压下通过气相淀积法形成37.5nm的Alq₃。接下来，作为电子注入层16在真空中形成1nm的CaF₂，并且作为阴极7在真空中或减压下形成200nm的Al，以制造发光器件1(图19)。

另一方面，作为比较例，制造发光器件2，该发光器件2在形成混合层3之后不暴露于氮气气氛中地形成发光层、电子传输层、电子注入层、以及阴极。发光器件2的制造条件除了将混合层3部暴露于氮气气氛中以外，与发光器件1相同。

图20对本实施例中制造的发光器件1和2的发光亮度随时间变化的结果。另外，符号1表示发光器件1，符号2表示发光器件2。另外，横轴示出经过时间(小时)，而纵轴示出发光亮度。发光亮度以相对起始亮度被设定为100时起始亮度的相对值来表示。另外，此测定通过如下步骤而进行，即将固定的电流密度连续流过发光器件中，每任意的时间测定发光器件的亮度。作为电流密度使用了起始亮度成为3000cd/m²时的数值。

在将当与起始亮度(100)相比时亮度为70的时间作为发光寿命的情况下，可知发光器件2的发光寿命为530个小时，而发光器件1的发光寿命为710个小时。因此，通过使混合层3暴露于氮气气氛，发光寿命提高了1.3倍左右。

Claims

1.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光层；以及

在所述发光层上形成阴极。

2.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；

在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；

在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光层；以及

在所述发光层上形成阴极。

3.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；以及

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成阴极。

4.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下暴露于氮气气氛；以及

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成阴极。

5.根据权利要求1的发光器件的制造方法，其中在对所述阳极进行加热处理之后形成所述混合层。

6.根据权利要求2的发光器件的制造方法，其中在对所述阳极进行加热处理之后形成所述第一混合层。

7.根据权利要求3的发光器件的制造方法，其中在所述混合层和所述电子传输层之间形成电子注入层。

8.根据权利要求4的发光器件的制造方法，其中在所述第二混合层和所述电子传输层之间形成电子注入层。

9.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阴极；

在所述阴极上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成电子注入层；

在所述电子注入层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成空穴传输层；以及

在所述空穴传输层上形成阳极。

10.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阴极；

在所述阴极上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成电子注入层；

在所述电子注入层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成空穴传输层；以及

在所述空穴传输层上形成阳极。

11.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阴极；

在所述阴极上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成阳极。

12.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阴极；

在所述阴极上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成阳极。

13.根据权利要求1的发光器件的制造方法，其中在使所述混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述混合层暴露于氮气气氛。

14.根据权利要求3的发光器件的制造方法，其中在使所述混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述混合层暴露于氮气气氛。

15.根据权利要求9的发光器件的制造方法，其中在使所述混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述混合层暴露于氮气气氛。

16.根据权利要求11的发光器件的制造方法，其中在使所述混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述混合层暴露于氮气气氛。

17.根据权利要求2的发光器件的制造方法，其中在使所述第一混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第一混合层暴露于氮气气氛，并且在使所述第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第二混合层暴露于氮气气氛。

18.根据权利要求4的发光器件的制造方法，其中在使所述第一混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第一混合层暴露于氮气气氛，并且在使所述第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第二混合层暴露于氮气气氛。

19.根据权利要求10的发光器件的制造方法，其中在使所述第一混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第一混合层暴露于氮气气氛，并且在使所述第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第二混合层暴露于氮气气氛。

20.根据权利要求12的发光器件的制造方法，其中在使所述第一混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第一混合层暴露于氮气气氛，并且在使所述第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第二混合层暴露于氮气气氛。

21.根据权利要求1的发光器件的制造方法，其中对所述混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

22.根据权利要求3的发光器件的制造方法，其中对所述混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

23.根据权利要求9的发光器件的制造方法，其中对所述混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

24.根据权利要求11的发光器件的制造方法，其中对所述混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

25.根据权利要求2的发光器件的制造方法，其中对所述第一混合层和所述第二混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

26.根据权利要求4的发光器件的制造方法，其中对所述第一混合层和所述第二混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

27.根据权利要求10的发光器件的制造方法，其中对所述第一混合层和所述第二混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

28.根据权利要求12的发光器件的制造方法，其中对所述第一混合层和所述第二混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

29.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阳极；

在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；

30.根据权利要求29的发光器件的制造方法，其中在对所述阳极进行加热处理之后形成所述第一混合层。

31.根据权利要求29的发光器件的制造方法，其中在所述第二混合层和所述电子传输层之间形成电子注入层。

32.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阴极；

在使所述第一混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第一混合层上形成电子注入层；

在所述电子注入层上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成发光层；

在所述发光层上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第二混合层；

33.根据权利要求29的发光器件的制造方法，其中在使所述第一混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第一混合层暴露于氮气气氛，并且在使所述第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第二混合层暴露于氮气气氛。

34.根据权利要求32的发光器件的制造方法，其中在使所述第一混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第一混合层暴露于氮气气氛，并且在使所述第二混合层暴露于氮气气氛之后排氮气，再使所述第二混合层暴露于氮气气氛。

35.根据权利要求29的发光器件的制造方法，其中对所述第一混合层和所述第二混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

36.根据权利要求32的发光器件的制造方法，其中对所述第一混合层和所述第二混合层喷射氮气以暴露于氮气气氛。

37.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成具有发光层的第一发光单元；

在所述第一发光单元上形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层；

在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成第二发光单元；以及

在所述第二发光单元上形成阴极。

38.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阳极；

在所述阳极上形成具有发光层的第一发光单元；

在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成第二发光单元；以及

在所述第二发光单元上形成阴极。

39.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阴极；

在所述阴极上形成具有发光层的第一发光单元；

在所述第一发光单元上形成具有有机化合物和金属氧化物的混合层；

在使所述混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述混合层上形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层；

在所述具有电子给予性物质和电子传输性物质的层上形成第二发光单元；以及

在所述第二发光单元上形成阳极。

40.一种发光器件的制造方法，包括：

形成阴极；

在所述阴极上形成具有发光层的第一发光单元；

在所述第一发光单元上形成具有有机化合物和金属氧化物的第一混合层；

在使所述第二混合层不暴露于含氧的气氛的情况下在所述第二混合层上形成具有电子给予性物质和电子传输性物质的层；

在所述第二发光单元上形成阳极。