CN1330225C - 多层印刷电路板 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 987
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 820
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 820
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 440
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 334
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 279
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 135
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 97
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 17
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011799 hole material Substances 0.000 description 1045
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 139
- 239000010408 film Substances 0.000 description 124
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 122
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 118
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 description 117
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 101
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 101
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 99
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 93
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 93
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 83
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 76
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 63
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 57
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 56
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 49
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 47
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 44
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 41
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 40
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 38
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 37
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 36
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 35
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 34
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 33
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 31
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 29
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 29
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 28
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 28
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 28
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 27
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 26
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 25
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 23
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 22
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 19
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 19
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 18
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 238000011161 development Methods 0.000 description 17
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 16
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 16
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 15
- 125000000853 cresyl group Chemical class C1(=CC=C(C=C1)C)* 0.000 description 14
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 14
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 13
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 11
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 11
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 10
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 10
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 10
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 9
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 9
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N alpha-methacrylic acid Natural products CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L disodium;2-(carboxymethyl)-2-hydroxybutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 8
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 7
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 6
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 6
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 6
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 6
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229960003511 macrogol Drugs 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 6
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 5
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 5
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 5
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 4
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001260 acyclic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001399 aluminium compounds Chemical class 0.000 description 4
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 4
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 4
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 4
- 229940043430 calcium compound Drugs 0.000 description 4
- 150000001674 calcium compounds Chemical class 0.000 description 4
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 4
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- FSBVERYRVPGNGG-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[[oxido(oxo)silyl]oxy]silane hydrate Chemical compound O.[Mg+2].[Mg+2].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])=O FSBVERYRVPGNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 4
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 4
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 4
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 4
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanol Chemical class OCC1=NC=CN1 ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZXTHWIZHGLNEPG-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound O1CCN=C1C1=CC=CC=C1 ZXTHWIZHGLNEPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 3
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- UWKMXQVGHDYFTN-UHFFFAOYSA-N copper imidazol-3-ide Chemical compound [Cu++].c1c[n-]cn1.c1c[n-]cn1 UWKMXQVGHDYFTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960002163 hydrogen peroxide Drugs 0.000 description 3
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- JBFYUZGYRGXSFL-UHFFFAOYSA-N imidazolide Chemical class C1=C[N-]C=N1 JBFYUZGYRGXSFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 3
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 3
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 3
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 3
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 3
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 2
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 2
- 240000005373 Panax quinquefolius Species 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 150000003934 aromatic aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N nickel palladium Chemical compound [Ni].[Pd] BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 206010007247 Carbuncle Diseases 0.000 description 1
- 239000013040 bath agent Substances 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical group CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
一种多层印刷线路板(100),因为其导体电路的短线路距离、设计导体电路的高自由度以及在通孔附近的层间树脂绝缘层中显影时可能性极低的断裂,而具有良好的可靠性,而且它包含导体电路(105)和继续层叠在基片(101)上的层间树脂绝缘层(102),插入层间树脂绝缘层的导体电路通过通孔(107)被连接,它的特点是,所有通孔中在不同级别层中的通孔以层叠穿通结构形成,而且上述在不同级别层中的通孔中的至少一个通孔(1072)具有与其它通孔(1071,7073)不同的接合区直径。
Description
发明领域
本发明涉及多层印刷电路板。
发明背景
被称为多层组合电路基片的多层印刷电路板通过半添加等的方法制造,并在被称为核心的0.5到1.5mm厚的玻璃布加固的树脂基片上通过交互叠层铜等的导体电路和层间树脂绝缘层来生产。导体电路通过多层印刷电路板的层间树脂绝缘层的层间连接通过通孔完成。
传统上,组合的多层印刷电路板通过比如在JPH09-130050A中披露的方法进行生产。
也就是说,首先,在带铜箔的包铜层板中形成通孔,且紧接着,通过无电的镀铜处理进行镀敷以形成镀敷的穿通孔。接下来,通过在使用光刻技术以导体图案形式蚀刻基片的表面来形成导体电路。下一步,通过无电镀或蚀刻等将导体电路的表面粗糙化。接着,在带粗糙表面的导体电路上形成树脂绝缘层,且该树脂绝缘层随后被曝光并经过显影处理形成了通孔的开口部分,并在此后,通过UV固化和主固化形成了层间树脂绝缘层。
此外,在层间树脂绝缘层通过用酸或氧化剂的粗糙化处理进行粗糙化之后,便形成了无电镀薄膜,接着当在无电镀膜上形成了电镀抗蚀剂之后,通过电镀将无电镀膜加厚并在随后分离电镀抗蚀剂,进行蚀刻以形成通过通孔与下层导体电路连接的导体电路。
在重复了这些步骤之后,最终形成了保护该导体电路的阻焊剂层,用于连接诸如IC芯片的电子部件的裸露开口的部分或母板等被电镀以形成用于形成焊块的连接点,且随后通过在诸如IC芯片之类的电子部件的边上印刷焊锡膏来形成焊块从而制造组合的多层印刷电路板。此外,如果需要,也可以在母板侧形成焊块。
发明内容
最近,随着将高频引入IC芯片,需要一种具有高致密和高速性能的多层印刷电路板,而且作为满足这种要求的多层印刷电路板,已提出了一种带层叠穿通结构(在该结构中,在通孔上方直接形成通孔)通孔的印刷电路板(见图19)。
在具有这种层叠穿通结构通孔的多层印刷电路板中,由于可缩短信号传送的时间,所以可满足对于多层印刷电路板高速性能的要求,而且由于选择导体电路设计的空间增加了,可满足对于多层印刷电路板的高密度的要求。
然而,在具有这种层叠穿通结构通孔的多层印刷电路板中,在通孔附近的层间树脂绝缘层中会发生断裂。特别是,在热循环条件下在规定时间内放置多层印刷电路板的情况下,经常会发生断裂。此外,由于断裂,在通孔附近的导体电路中已发生了分离和断开。
也就是说,在带层叠穿通结构通孔的传统多层印刷电路板600(参考图19(a)和19(b))中,通孔1071到1073的接合区直径几乎相同,而且在最外层中通孔1071和通孔1071附近的导体电路105a之间非导体电路区域的较低区域(见图19中的区域A)中未出现导体电路,并且在较低区域中只形成了层间树脂绝缘层102,此外,在层间树脂绝缘层中无诸如玻璃纤维等加固材料,从而在区域A中的机械强度不够,并因此认为断裂等是容易产生的。
特别是,在形成层叠穿通结构的情况下,其中三层或更多层的通孔被层叠,断裂容易在最外层中的层间树脂绝缘层中产生,并且由于断裂,在最外层中层间树脂绝缘层附近的导体电路中经常会发生分离和断开。
本发明人已热心地作了调查并发现,通过使具有层叠穿通结构的通孔中的至少一个通孔的接合区直径与其它的接合区直径不同,可免除在通孔附近中层间树脂绝缘层中发生断裂等的麻烦,从而可实现在以下内容中总结的本发明。
那就是本发明第一方面的印刷电路板,它是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,通过上述的层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,其中:形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;而且上述在不同级别层中的通孔的至少一个的接合区直径与在不同级别层中其它通孔的接合区直径不同。
此外,本发明第二方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有:通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及通过上述基片由电镀穿通孔完成的上述导体电路的连接,其中:具有层叠穿通结构的通孔在上述的电镀穿通孔上方直接形成;且具有层叠穿通结构的上述通孔的至少一个的接合区直径不同于具有层叠穿通结构的其它通孔的接合区直径。
此外,本发明第三方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有:通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及通过上述基片和所述层间树脂绝缘层由电镀穿通孔完成上述导体电路的连接,其中:具有层叠穿通结构的通孔在上述电镀穿通孔的上方直接形成;而且上述具有层叠穿通结构的通孔的至少一个的接合区直径不同于具有层叠穿通结构的其它通孔的接合区直径。
在本发明第一方面至第三方面的多层印刷电路板中,希望至少一个通孔具有填满的通路的形状。
此外,本发明人已热心地作了调查并发现,在通孔附近层间树脂绝缘层中产生断裂等的麻烦,可通过形成具有层叠穿通结构的至少一个通孔的接合区同时延伸至形成于层叠穿通结构通孔边缘的非导体电路,来得到解决,也就是说,未形成导体电路的区域可通过由金属材料制成的通孔的放大接合区来得到加固,或者上述的问题也可以通过用通孔和通孔的接合区来填满非导体电路区域,从而实现本发明以下的内容。
那就是本发明第四方面的印刷电路板,它是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,其中:形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;而且形成上述在不同级别层中通孔的至少一个接合区使其在形成于带层叠穿通结构通孔边缘的无导体电路形成区域中延伸。
此外,本发明第五方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有:通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及通过上述基片由电镀穿通孔完成上述导体电路的连接,其中:具有层叠穿通结构的通孔在上述电镀穿通孔的上方直接形成;而且形成了上述带层叠穿通结构通孔的至少一个接合区,使其在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘内的无导体电路形成区域中延伸。
此外,本发明第六方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有:通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及通过上述基片和层间树脂绝缘层由电镀穿通孔完成上述导体电路的连接,其中:具有层叠穿通结构的通孔在上述电镀穿通孔的上方直接形成;而且形成了上述带层叠穿通结构通孔的至少一个接合区,使其在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘内的无导体电路形成区域中延伸。
在本发明第四方面到第六方面的多层印刷电路板中,在非导体电路的平面图中,希望在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘部分内的非导体电路区域的1/2或更多宽度的区域中出现以延伸方式形成的一部分通孔。
此外,在本发明第四到第六方面的多层印刷电路板中,希望至少一个通孔具有填满的通路的形状。也希望其上表面的粗糙度为理想的5um或更小。
此外,本发明人已在形成层叠穿通结构通孔的情况下,对在通孔附近的层间树脂绝缘层(特别是,在最外层中的层间树脂绝缘层)中产生断裂的原因进形成调查。
结果,发现:在层叠穿通结构的通孔中,由于通孔具有在其中它们被互相线性排列的结构,所以当由于层间树脂绝缘层和通孔之间的线性膨胀系数差而产生应力时,应力难以被缓解而且另外,由于在最外层中通孔的上部通常具有诸如焊块之类的外部终端,所以应力特别地难以缓解;而且这也被认为是在通孔边缘部分层间树脂绝缘层(特别是,在最外层中的层间树脂绝缘层)中容易产生断裂的原因。
本发明人认为,可以通过将层间树脂绝缘层的线性膨胀系数,特别是在最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数制作得较小,同时使层叠穿通结构通孔中的压力,特别是在最外层通孔中的应力难以产生,来消除上述的麻烦,从而实现本发明的以下内容。
那就是本发明第七方面的印刷电路板,它包括:基片,而且在其上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层;以及进一步在其上形成阻焊剂层作为最外层,具有通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,其中:形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;以及在上述层间绝缘层中,在最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数小于或等于在其它层中间层树脂绝缘层的线性膨胀系数。
此外,本发明第八方面的多层印刷电路板是这样的多层印刷电路板,它包括:基片,而且在其上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层;以及进一步在其上形成阻焊剂层作为最外层,具有通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,其中:形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;以及在上述层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的层间树脂绝缘层有100ppm/℃或更小的线性膨胀系数。
此外,本发明第九方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层;以及进一步在其上形成阻焊剂层作为最外层,具有通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,其中:形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;以及在上述层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的层间树脂绝缘层包含粒子和橡胶成分且具有100ppm/℃或更少的线性膨胀系数。
此外,在本发明第九方面的多层印刷电路板中,希望该粒子是无机粒子、树脂粒子和金属粒子中的至少一种。
此外,在本发明第七到第九方面的多层印刷电路板中,希望在最外层中的层间树脂绝缘层是由包括热固性树脂、光敏树脂、热固性树脂和热塑料树脂的树脂合成物以及热固性树脂和光敏树脂的树脂合成物中至少一种的树脂合成物制成。
此外,本发明人已对在通孔以层叠穿通结构形成的情况下,在通孔附近层间树脂绝缘层(特别是最外层中的层间树脂绝缘层)中产生断裂的原因作了调查。
结果发现:由于层叠穿通结构的通孔是彼此线性排列的,所以当由于层间树脂绝缘层和通孔之间的线性膨胀系数差而产生应力时,该应力不仅难以被缓解的,而且是非常难以被缓解,此外应力在最外层中的通孔内容易被集中,因为在其上通常会形成诸如焊块等的外部终端;而且这被认为是在通孔附近的层间树脂绝缘层(特别在最外层中的层间树脂绝缘层内)产生断裂的原因。
因此,本发明人发现,如果通孔在多层印刷电路板中不是线性排列的,在该多层印刷电路板的不同级别层中堆积通孔,也就是说,如果通孔在排列时它们的中心彼此移位,则在某些通孔中应力很难集中而且上述的问题可被消除,并从而实现本发明的以下的内容。
那就是本发明第十方面的多层印刷电路板,它是这样的多层印刷电路板,包含:基片,而且在其上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层;以及进一步在其上形成阻焊剂层作为最外层,具有通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,其中:将上述通孔中在不同级别层中的通孔彼此堆积;而且在上述堆积的通孔中,至少一个通孔与其它通孔堆积时其中心与其它通孔偏离,而且其它通孔彼此堆积时,它们的中心近似彼此重叠。
此外,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,希望在层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的的层间树脂绝缘层具有100ppm/℃或更小的线性膨胀系数。
此外,在上述的多层印刷电路板中,希望在层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的层间树脂绝缘层包含粒子和橡胶成分。
此外,希望该粒子是无机粒子、树脂粒子和金属粒子中的至少一种。
此外,在上述的多层印刷电路板中,希望在层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的层间树脂绝缘层是由包括热固性树脂、光敏树脂、热固性树脂和热塑料树脂的树脂合成物以及热固性树脂和光敏树脂的树脂合成物中至少一种的树脂合成物制成。
此外,本发明人已对在通孔以层叠穿通结构形成的情况下,在通孔附近层间树脂绝缘层(特别是最外层中的层间树脂绝缘层)中产生断裂的原因作了调查。
结果发现:关于层叠穿通结构的通孔,通常,将各个通孔的形状制作成适合于在其上直接形成通孔的填满的通孔形状,而且通孔具有彼此线性排列的结构,从而,当由于层间树脂绝缘层和通孔之间的线性膨胀系数差而产生应力时,该应力是难以被缓解的;该应力非常难以缓解而且容易在最外层中的通孔内集中,因为在其上通常会形成诸如焊块等之类的外部终端;而且它被认为是在通孔(特别是最外层中层间树脂绝缘层中的)附近层间树脂绝缘层中产生断裂的原因。
本发明人还发现,当在多层印刷电路板最外层中通孔的上表面形成凹面部分时,其中在不同级别层中的通孔彼此堆叠,可消除上述麻烦,且从而实现了本发明的以下内容。
那就是本发明第十一方面的多层印刷电路板,它是如下的多层印刷电路板,包括:基片,而且在其上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层;以及进一步在其上形成阻焊剂层作为最外层,具有通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,其中:将上述通孔中在不同级别层中的通孔彼此堆积;而且在上述堆积的通孔中,在最上层中的通孔内形成凹面部分。
此外,在本发明的多层印刷电路板中,希望堆积的通孔彼此堆积时其中心近似彼此重叠。
此外,在该多层印刷电路中,还希望在堆积的通孔中,至少一个通孔与其它通孔堆积时其中心偏离,而且其它的通孔彼此堆积时其中心近似彼此重叠。
在该多层印刷电路中,希望凹面部分的深度是5到25um。
此外,在该多层印刷电路中,希望在层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的层间树脂绝缘层具有100ppm/℃或更小的线性膨胀系数。
此外,在该多层印刷电路板中,希望在层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的层间树脂绝缘层包含粒子和橡胶成分,而且还希望该粒子是无机粒子、树脂粒子和金属粒子中的至少一种。
此外,在该多层印刷电路板中,希望在层间树脂绝缘层中,至少在最外层中的层间树脂绝缘层是由包括热固性树脂、光敏树脂、热固性树脂和热塑料树脂的树脂合成物以及热固性树脂和光敏树脂的树脂合成物中至少一种的树脂合成物制成。
附图简述
图1(a)是示出本发明第一方面多层印刷电路板的一部分实施例的部分剖面图,图1(b)是示出图1(a)所示的多层印刷电路板的通孔的立体图。
图2(a)是示出本发明第一方面多层印刷电路板的一部分实施例的部分剖面图,图2(b)是示出图2(a)所示的多层印刷电路板的通孔的立体图。
图3(a)是示出本发明第一方面多层印刷电路板的一部分实施例的部分剖面图,图3(b)是示出图3(a)所示的多层印刷电路板的通孔的立体图。
图4是示出本发明第二方面多层印刷电路板的一部分实施例的部分剖面图。
图5是示出本发明第三方面多层印刷电路板的一部分实施例的部分剖面图。
图6(a)到(e)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图7(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图8(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图9(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图10(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图11(a)到(e)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图12(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图13(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图14(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图15(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图16(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图17是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图18(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一个例子的剖面图。
图19(a)是示出传统多层印刷电路板的一个例子的剖面图,图19(b)是示出图19(a)所示的多层印刷电路板的通孔的立体图。
图20(a)到(e)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图21(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图22(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图23(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图24(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图25(a)到(e)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图26(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图27(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图28(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图29(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图30(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图31是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图32(a)是示出本发明第十方面多层印刷电路板的一个例子的剖面图,图32(b)是示出图32(a)所示的多层印刷电路板的通孔的立体图。
图33(a)是示出本发明第十方面多层印刷电路板的另一个例子的剖面图,图33(b)是示出图33(a)所示的多层印刷电路板的通孔的立体图。
图34(a)到(e)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图35(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图36(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图37(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图38(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图39(a)到(e)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图40(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图41(a)到(d)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图42(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图43(a)到(c)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图44(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图45(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图46是示出本发明第十一方面多层印刷电路板的一个例子的部分剖面图。
图47是示出本发明第十一方面多层印刷电路板的另一个例子的部分剖面图。
图48(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图49(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图50(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图51是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图52(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图53(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图54(a)和(b)是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
图55是示出本发明多层印刷电路板的一部分生产过程的剖面图。
符号的描述
1,21,41,61,81,121 基片
2,22,42,62,82,122 层间树脂绝缘层
3,23,43,63,83,123 电镀抗蚀剂
4,24,44,64,84,124 下层导体电路
5,25,45,65,85,125 导体电路
6,26,46,66,86,126 通孔的开口
7,27,47,67,87,127 通孔
8,28,48,68,88,128 铜箔
9,29,49,69,89,129 电镀穿通孔
10,30,50,70,90,130 树脂填料层
12,32,52,72,92,132 薄膜导电层
13,33,53,73,93,133 电镀膜
14,34,54,74,94,134 阻焊剂层
17,37,57,77,97,137 焊块
31,71,131 覆盖电镀层
发明的详细描述
首先,将描述本发明第一方面的多层印刷电路板。
本发明第一方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在其上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
形成上述通孔中在不同级别层中的通孔,从而形成层叠穿通结构;以及
上述在不同级别层中的通孔的至少一个接合区直径不同于在不同级别层中的其它通孔的接合区直径。
在本发明第一方面的多层印刷电路板中,在不同级别层中的通孔被彼此排列以形成层叠穿通结构。
如上所述,在以层叠穿通结构形成通孔的情况下,线路的距离变短,从而可缩短信号传送时间,而且可以增加对导体电路设计所选择的空间,并因此使处理高密度布线变得容易。
此外,在上述的多层印刷电路板中,至少一个在不同级别层内通孔的接合区直径不同于在不同级别层中其它通孔的接合区直径。
在通孔具有这种构造的情况下,具有较大接合区直径的通孔起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,并因此增加了层间树脂绝缘层的机械强度并特别地,在通孔附近的层间树脂绝缘层中几乎不产生断裂。
以下将参考附图对上述的内容进行描述。
关于图1到图3,那些标上(a)的图是示出本发明第一方面多层印刷电路板的一个实施例一部分的部分剖面图,而那些标上(b)的图是只示出在图(a)中所示多层印刷电路板通孔的立体图。
在本发明第一方面的多层印刷电路板中,至少一个在不同级别层中通孔的接合区直径不同于在不同级别层中的其它通孔的接合区直径。特别是,比如,如图1(a)和(b)所示,使内层中通孔1072的接合区直径大于最外层中通孔1071的接合区直径。在这种情况下,将各个级别层的通孔制成圆形并在平面视图中集中。
同样,比如,如图2(a)和(b)所示,可形成最底层中通孔1073的接合区直径从而具有比最外层中通孔1071大的接合区直径。在这种情况下,将各级别层中的各个通孔制成圆形且在平面视图中集中。
此外,如图3(a)和(b)所示,可将内层通孔1072的一部分接合区直径和最底层通孔1073的一部分接合区直径制作得大于在最外层的通孔1071和通孔1071附近导体电路105a之间的无导体电路形成区域的不同部分较低区(在图中,为A区)处最外层中的通孔1071的接合区直径。在这种情况下,形成的各个层的各个通孔在平面视图中具有圆形,但是其外轮缘的中心(即,平面视图中圆的中心)在不同的部分,也就是说,内层通孔的外部轮缘中心和最底层通孔的外部轮缘中心互相位于穿过最外层中通孔的外部轮缘中心的相对部位。顺便提及,内层中通孔的外部轮缘中心和最底层中通孔的外部轮缘中心,在平面视图中的定位可不同于它们在互相位于穿过最外层中通孔的外部轮缘中心的相对部位的位置。
在形成具有这种构造层叠穿通结构的通孔的情况下,在最外层通孔和通孔附近导体电路之间的无导体电路形成区域下的某些区域中(A区域),不仅出现了层间树脂绝缘层102,还出现了通孔的接合区部分1072a和1073a。在这种情况下,接合区部分起到层间树脂绝缘层的加固成分的作用,从而A区域的机械强度被改进,并由此可防止断裂的产生以及导体电路和通孔与层间树脂绝缘层的分离的产生。
顺便提及,在图1到3中,101表示基片,114表示阻焊剂层,117表示焊块。
通孔的形状并不一定局限于图1到3所示的形状,而且虽然没有被示出,但比如,内层中通孔1072的接合区直径和最底层中通孔1073的接合区直径都可被制作成大于最外层通孔的接合区直径。
各个级别层通孔的接合区直径可彼此不同。
在上述的例子中,平面视图中各个级别层通孔的形状被描述为圆形,但是其形状并不局限于圆形,可以是,比如,椭圆形、矩形等。
在本发明第一方面的多层印刷电路板中,具有层叠穿通结构通孔的层数没有被特别限定,如果它是两层或三层,则它可以如所述的多层印刷电路板一样为三层或两层或四层或更多层。
顺便提及,在本说明书中,“通孔的接合区直径”是指从通孔开口的外部轮缘到通孔的外部轮缘的距离,比如,它是指图1(a)所示的距离L。
上述通孔的接合区直径:最好是在A区域通孔侧的半区域内出现至少一个接合区部分的长度;更好的是至少一接合区部分穿过A区域的长度。
如上所述,在上述的多层印刷电路板中,通孔中在不同级别层中形成的通孔具有层叠的结构。
因此,为了制得高度可靠的通孔,在下级别层中通孔(即其上直接形成另一通孔的通孔)的形状最好是填满的通路的形状。那是因为在装满形状的情况下,由于通孔的上表面近似扁平,所以直接在其上分层另一通孔是容易的。
此外,通常通过在稍后进行描述的电镀处理形成通孔,而且在该情况下制得的通孔具有填满的通路的形状;填满的通路的形状可由电镀处理形成;或者在上表面具有凹面部分形状的通孔之后,可用含糊剂的导体等对凹面部分进行填充以使通孔的形状为填满的通路。
在形成填满的通路形通孔的情况下使用的电镀溶剂将在稍后进行描述。
此外,还可以接受的是:首先,形成的通孔不是填满的通路形,而是在上表面具有凹面部分的通孔,而且随后用树脂填料等填满凹面部分,并在其后,形成覆盖电镀层以覆盖填满的树脂并使通孔的上表面扁平。
在上述的通孔中,在形状被制成填满的通路形或在通孔上形成覆盖电镀层的情况下,上表面的平均粗糙度较佳地为5um或更低。
因为该值适合于形成带层叠穿通结构的通孔,而且能够提供带层叠穿通结构通孔的良好的连接可靠性。
在本发明第一方面的多层印刷电路板中,不必使所有不同级别层中形成的通孔都具有层叠穿通结构,而且可有一些在其上不形成其它通孔的通孔。
将按照各个工序的顺序来描述生产本发明第一方面多层印刷电路板的方法。
(1)首先,在使用诸如玻璃环氧树脂基片、聚酰亚胺基片、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)基片、氟树脂基片或包铜层压板之类的树脂基片作为原材料的基片上形成导体电路。
特别地,比如,在通过无电镀等在基片的两个面上都形成了呈展开状态的导电层之后,在导电层上形成相关于导体电路图案的抗腐蚀剂,且在其后,进行蚀刻以形成导体电路。
此外,可将包铜层压板用作在其上以展开状态形成导电层的基片。
此外,在执行上述无电镀处理的时候,在绝缘基片上预先形成通孔以便在通孔的壁面经受无电镀处理并形成用于电气连接夹在基片中导体电路的镀敷的穿通孔。
此外,在镀敷的穿通孔形成之后,最好用树脂填料填满镀敷的穿通孔。在此时,树脂填料最好在无导体电路形成区域被包装。
上述树脂填料的例子包括树脂合成物以及包含环氧树脂、固化剂以及无机粒子等的合成物。
(2)接下来,根据需要,进行导体电路的表面粗糙处理。粗糙处理可以是,例如,去变黑(氧化)处理,使用包含有机酸和铜复合物的溶剂混合物进行的蚀刻处理,Cu-Ni-P针状合金电镀的处理等。
(3)下一步,在导体电路上形成包含热固性树脂或树脂复合物的非固化树脂层或包含热塑料树脂的树脂层。
上述的非固化树脂层可通过用辊筒、幕涂机等或通过热连接非固化(半固化)树脂膜从而施加非固化树脂来形成。此外,通过形成诸如铜箔之类的金属层获得的树脂膜可连接于非固化树脂膜的一个表面。
包含热塑料树脂的树脂层最好通过在其上热连接成形于膜状的树脂形成体来形成。
在施加上述非固化树脂的情况中,在施加了树脂之后,进行热处理。
上述热处理的执行使热固化非固化树脂成为可能。
顺便提及,上述的热固化可在稍后将要描述的通孔开口形成之后进行。
用于形成这种树脂层的热固性树脂的实际例子包括,例如,环氧树脂、苯酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、双马来酰亚胺树脂、聚烯烃型树脂、聚苯树脂等。
上述环氧树脂的例子包括甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚线性酚醛清漆型环氧树脂、烷基线性酚醛清漆型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、萘型环氧树脂、双茂型环氧树脂、酚和包含酚羟基团的芳香族醛的冷凝物的环氧酯化合物、异氰脲酸三缩水甘油酯、脂环族环氧树脂等。它们可被单独使用或以它们的两个或更多组合起来使用。因此,可提供良好的热阻抗。
上述聚烯烃型树脂的例子包括聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚异丁烯、聚丁二烯、聚异戊二烯、环烯型树脂,以及这些树脂材料的共聚物等。
此外,上述热塑料树脂的例子包括苯氧基树脂、甲苯基醚砜、聚砜等。
此外,热固性树脂和热塑料树脂的复合物(树脂复合物)可不被特别地限制,只要它们包含热固性树脂和热塑料树脂且它们的实际例子包括用于形成粗糙表面的树脂合成物。
上述用于形成粗糙表面的树脂合成物包括,比如,那些其中,在包含至少选自酸、碱以及氧化剂中一种的粗糙化溶剂中可溶的物质分布于基质中,该基质是非固化的耐热树脂基质,它在包含至少选自酸、碱以及氧化剂中一种的粗糙化溶剂中几乎不溶解。
顺便提及,术语“几乎不溶解”和“可溶的”,指的是在两种物质在相同时间内被插入同一粗糙化溶剂中,那些具有相对较高溶解速度的物质为了方便起见被称为可溶的,而那些具有相对较低溶解速度的物质为了方便起见被称为几乎不可溶解。
上述抗热的树脂基质最好是那些能够在使用上述粗糙化溶剂在层间树脂绝缘层上形成粗糙化表面的时候保持粗糙化表面形状的物质,而且树脂基质的例子包括热固性树脂、热塑料树脂以及它们的复合物等。此外,它可以是光敏树脂。因为开口可以通过在形成通孔开口过程中的曝光和显影来形成,所以该过程将在以后描述。
上述热固性树脂的例子包括环氧树脂、酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、氟树脂等。此外,通过向这些热固性树脂材料提供光敏性而得到的树脂,即,可使用通过用(甲基)丙烯酸、丙烯酸等对热固化族进行丙烯酸化而得到的树脂。特别地,(甲基)丙烯酸的环氧树脂是理想的,且另外环氧树脂在一个分子中包含两个或更多环氧族就更好了。
上述热塑料树脂的例子包括苯氧基树脂、聚乙醚基醚砜、聚砜、聚苯基醚砜、聚苯硫、聚苯醚、聚醚酰亚胺等。它们可以被单独使用或两个或更多地组合使用。
上述可溶物质的例子包括无机粒子、树脂粒子、金属粒子、橡胶粒子、液相树脂、液相橡胶等。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述无机粒子的例子包括诸如氧化铝、氢氧化铝之类的铝化合物;诸如碳酸钙、氢氧化钙之类的钙化合物;诸如碳酸钾之类的钾化合物;诸如氧化镁、白云石、碱性碳酸镁、硅酸镁等之类的镁化合物;诸如二氧化硅、沸石等之类的硅化合物。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的氧化铝粒子可在氢氟酸中溶解且可被其去除,而碳酸钙可在盐酸中溶解且可被其去除。含钠的二氧化硅和白云石可在水碱性溶液中溶解且可被其去除。
上述树脂粒子的例子包括那些包含热固性树脂和热塑料树脂的物质,而且那些在浸入含至少选自酸、碱以及氧化剂中一种化合物的粗糙化溶剂中的情况下具有的溶解速度高于上述抗热树脂基质的,可不作任何特定限制而被使用,且特别地,例子包括氨基树脂(三聚氰胺树脂、尿素树脂、三聚氰二胺树脂等)、环氧树脂、酚树脂、苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂等。它们可被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的树脂粒子需要预先进行固化处理。那是因为,如果不进行固化,则上述的树脂粒子将在溶解树脂基质的溶剂中溶解且被均匀地混合,并因此,树脂粒子不能被选择性地单独溶解并除去。
上述金属粒子的例子包括金、银、铜、锡、锌、不锈钢、铝、镍、铁、铅等。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
此外,上述的金属粒子可与树脂一起被涂层到表面层上以保证绝缘的特性。
(4)下一步,在使用热固性树脂或其材料的树脂复合物形成层间树脂绝缘层的情况下,通过固化处理固化非固化树脂层,且在同时形成通孔的开口以获得层间树脂绝缘层。
上述通孔的开口最好通过激光处理形成。上述的激光处理可在上述的固化处理之前或在固化处理之后进行。
此外,在形成由光敏树脂制成的层间树脂绝缘层的情况下,通孔的开口可通过曝光和显影处理来形成。顺便提及,在该情况下,在上述固化处理前进行曝光和显影处理。
此外,在将热塑料树脂用作该层材料从而形成层间树脂绝缘层的情况下,在包含热塑料树脂的树脂层中通过激光处理形成通孔的开口从而获得层间树脂绝缘层。
在此时应用的激光器包括,比如,二氧化碳激光器、准分子激光器、UV激光器、YAG激光器等。它们可以在考虑所形成通孔的开口形状等的前提下被正确地应用。
在形成上述通孔开口的情况下,通过掩模的全息图方法中准分子激光器得到的激光束辐射可以马上形成大量的通孔开口。
此外,在使用二氧化碳激光器的短脉冲形成通孔开口的情况下,开口中余下的树脂可以是少量的,而且对开口边缘部分中树脂的损坏是极少的。
在通过光学系统透镜和掩模辐射激光束的情况下,可马上形成大量的通孔开口。
那是因为,对光学系统透镜和掩模的使用可以对多个部分成以相同角度辐射相同强度的激光束。
此外,虽然上述层间树脂绝缘层的厚度未被特别限制,但总的来说,最好是5到50um。同时,虽然通孔开口的开口直径不被特别限制,但最好是40到200um。
(5)接下来,通过根据需要使用酸或氧化剂的表面粗糙化处理来将包括通孔开口内壁的层间树脂绝缘层的表面粗糙化。
顺便提及,形成粗糙化表面是为了提高层间树脂绝缘层与在其上形成的薄膜导电层的粘合特性,并且因此,如果粘合强度在层间树脂绝缘层和薄膜导电层之间是足够的,则不需要形成粗糙化表面。
上述酸的例子包括硫酸、硝酸、盐酸、磷酸、甲酸等,而上述氧化剂的例子包括铬酸、铬酸混合物、诸如高锰酸钠等之类的高锰酸盐。
在形成粗糙化表面之后,最好用水碱性溶液、中和溶液等将层间树脂绝缘层的表面中和。
那是因为,避免酸和氧化剂在下一步产生影响。
此外,对于上述粗糙化表面的形成,可应用等离子处理等。
(6)接下来,在其中形成通孔开口的层间树脂绝缘层的表面形成薄膜导电层。
上述的薄膜导电层可通过无电镀、溅射或汽相沉积来形成。顺便提及,在层间树脂绝缘层的表面不经过表面粗糙化的情况下,上述的薄膜导电层最好通过溅射形成。
顺便提及,在通过无电镀形成薄膜导电层的情况下,预先向要镀的目标表面施加催化剂。上述催化剂的例子包括氯化钯等。
虽然上述薄膜导电层的厚度没有被特别限制,但在通过无电镀形成薄膜导电层的情况下,较佳为0.6到1.2um,而且在通过溅射形成的情况下,较佳为0.1到1.0um。
此外,上述薄膜导电层材料的例子包括Cu、Ni、P、Pd、Co、W等。在其中,Cu和Ni是较佳的。
(7)接下来,在上述的薄膜导电层的一部分使用干膜形成电镀抗蚀剂,而且在此后,用上述的薄膜导电层作为电镀导线进行电解电镀从而在无电镀抗蚀剂形成区域内形成电镀层。
此处,形成电镀抗蚀剂以形成带理想接合区直径的通孔。也就是说,在特定级别层中,如果形成了具有大接合区直径的通孔,则应将无电镀抗蚀剂形成区域的宽度弄宽。
此外,在该工序中,通孔的开口可通过电镀填满以形成填满的通路的结构,或在形成了在上表面具有凹面部分的通孔之后,该凹面部分可用含糊剂的导体填满以形成填满的通路的结构。此外,在形成了在上表面具有凹面部分的通孔之后,该凹面部分可用树脂填料等填满,且另外可在其上形成覆盖电镀层,以便形成带扁平上表面的通孔。
在电镀时以填满的通路结构形成通孔的情况下,比如,应用带以下合成物的电镀溶剂来进行电镀处理
也就是说,应用含50到300g/l的硫酸铜电镀溶剂、30到200g/l的硫酸、25到90mg/l的氯离子、以及包含至少均化剂和光亮剂的1到1000mg/l的添加剂来进行电镀处理。
通过这样合成的电镀溶剂,具有填满的通路结构通孔的形成可与以下无关:通孔的开口直径;树脂绝缘层的材料和厚度;以及有没有层间树脂绝缘层的粗糙表面。
另外,由于电镀溶剂含高浓度的铜离子,所以可向通孔的开口提供足够的铜离子,而且对通孔开口的电镀可以40到100um/小时的电镀速度进行,从而获得高速电镀的工序。
上述的电镀溶剂最好具有含100到250g/l硫酸铜、50到150g/l硫酸、30到70mg/l氯离子的合成物,以及包含至少均化剂和光亮剂的1到600mg/l的添加剂。
此外,在上述的电镀溶剂中,上述的添加剂可包含至少均化剂和光亮剂且可包括其它的合成物。
上述的均化剂包括,比如,聚乙烯、凝胶以及它们衍生物等。
同样,上述的光亮剂包括,比如,氧化硫及其相关的化合物、硫化氢及其相关化合物和其它硫的化合物等。
上述均化剂的混合量较佳为1到1000mg/l,上述明亮剂的混合量较佳为0.1到100mg/l,而两者的混合比较佳为(2∶1)到(10∶1)。
(8)下一步,分离电镀抗蚀剂并通过蚀刻除去在电镀抗蚀剂下的薄膜导电层以形成独立的导体电路。蚀刻溶剂的例子包括水硫酸-过氧化氢溶剂、诸如过硫酸铵等之类的过硫酸盐的水溶液、三氯化铁、氯化铜、盐酸等。此外,可将含上述铜复合物和有机酸的混合溶剂用作蚀刻溶剂。
此外,代替上述在(7)和(8)中描述的方法,可应用以下的方法以形成导体电路。
也就是,在上述薄膜导电层的整个表面上形成电镀层之后,使用干膜在电镀层的一部分形成抗腐蚀剂,并随后通过蚀刻除去在无抗腐蚀剂形成区域下的薄膜导电层和电镀层,并另外分离抗腐蚀剂以形成独立的导体电路。
(9)在那以后,将上述(3)到(8)的工序重复一次或两次或更多以生产基片,在该基片上形成在最外层具有导体电路的层间树脂绝缘层。顺便提及,重复上述工序(3)到(8)的次数可根据多层印刷电路板的设计进行适当地选择。
在这种情况下,在存在的通孔上方直接形成各个通孔,从而形成带层叠穿通结构的通孔。对通孔接合区直径的调整可如上所述,通过在形成电镀抗蚀剂时调整无电镀抗蚀剂形成区域的大小来得到调节。
(10)接着,在具有最外层导体电路的基片上,形成具有多个焊块开口的阻焊剂层。
特别地,在此后:通过辊筒、幕涂机等施加非固化阻焊剂合成物;或者形成于膜状的阻焊剂合成物用压力连接,通过激光处理、以及曝光和显影处理形成焊块的开口,以及根据需要进行固化处理以形成阻焊剂层。
上述阻焊剂层的形成可使用阻焊剂合成物,它包含,比如,聚苯醚树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、热塑料合成弹性体树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。
此外,除了上述的以外阻焊剂合成物还包括:比如,含包含(甲基)丙烯酸脂酚醛树脂清漆型环氧树脂的热固性树脂的糊状液体、咪唑固化剂、双功能(甲基)丙烯酸酯单体、一个分子重量大约为500到5000的(甲基)丙烯酸酯聚合物、双酚型环氧树脂及其类似的、诸如多价丙烯酸单体之类的光敏单体以及乙二醇醚型溶剂,并且其粘性在25℃较佳地被调节为1到10Pa.s。
上述的阻焊剂合成物可包含弹性体和无机填料。
此外,可将商业上提供的阻焊剂合成物用作阻焊剂合成物。
此外,用于形成上述焊块开口的激光可与在形成上述通孔开口时使用的一样。
接下来,根据需要,在裸露于上述焊块开口下表面内的导体电路的表面形成焊点。
可通过用诸如镍、钯、金、银、铂等之类的耐蚀金属覆盖上述的导体电路,从而形成上述的焊点。
特别理想的是使用诸如镍-金、镍-银、镍-钯、镍-钯-金等之类的金属材料来形成。
此外,可通过,比如,电镀、汽相沉积、电解沉积等来形成上述的焊点,在它们当中,以涂层均匀为最佳的观点看来电镀是理想的。
(11)接下来,在安装导电管脚之后,将焊锡膏填入上述焊块的开口中并使之经历回流处理以形成焊块或BGA(球栅阵列)或PGA(针栅阵列)。
可进行用于形成稍后产品识别的文字印刷处理和用等离子氧以及四氯化碳的处理,从而改进阻焊剂层。
经过这样的工序,可生产出本发明第一方面的多层印刷电路板。
接下来,将描述本发明第二方面的多层印刷电路板。
本发明第二方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有:
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及
通过上述基片由电镀穿通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
在上述电镀穿通孔的上方直接形成带层叠穿通结构的通孔;并且
上述带层叠穿通结构通孔的至少一个的接合区直径与其它带层叠穿通结构通孔的接合区直径不同。
因此,本发明第二方面的多层印刷电路板是不同于本发明第一方面的多层印刷电路板,就在于一点,即具有层叠穿通结构的通孔是在电镀穿通孔的上方直接形成的。
图4是示出本发明第二方面多层印刷电路板一部分实施例的部分剖面图。
在多层印刷电路板400中,形成了用于连接插入基片的导体电路的电镀穿通孔109,且在该电镀穿通孔的上方直接形成带层叠穿通结构的通孔1071到1073。此外,为了形成带层叠穿通结构的通孔,在电镀穿通孔109上形成覆盖电镀层118。此外,在电镀穿通孔109的内侧填入树脂填料层110。
在具有这种结构的多层印刷电路板中,由于带层叠穿通结构的通孔是直接在电镀穿通孔的上方形成的,所以插入基片的导体电路的线路距离被缩短,而且在同时可缩短信号传送时间,增加了设计导体电路的选择空间,从而该多层印刷电路板可容易地满足高密度的线路要求。
此外,在本发明第二方面的多层印刷电路板中,至少一个上述带层叠穿通结构的通孔的接合区直径是不同于其它带层叠穿通结构通孔的接合区直径。特别地,比如,它具有与本发明第一方面多层印刷电路板相同的结构。也就是说,正如图4所示的多层印刷电路板400那样,可允许的结构是,内层中通孔1072的接合区直径宽于最外层中通孔1071的接合区直径,而且通孔1072的接合区部分1072a出现在A区域,最底层中通孔的接合区直径大于最外层中通孔的接合区直径,且通孔的接合区部分出现在A区域,内层中通孔接合区直径和最外层中通孔的接合区直径的某些部分大于各个不同A区域中最外层通孔的接合区直径。
此外,内层中通孔的接合区直径和最底层中通孔的接合区直径都大于最外层中通孔的接合区直径。
顺便提及,上述的A区域是只由通孔附近的层间树脂绝缘层组成的区域,而且在本发明的第二方面中,A区域指的是较窄的区域,或者1)在最外层中通孔和在上述通孔附近导体电路之间的区域下的区域,或者2)当被假设为平行于电镀穿通孔和上述区域相同的级别层而移动时,在电镀穿通孔和最外层中导体电路位置之间的区域。在图4所示的多层印刷电路板的情况中,上述提到的2)区域成为A区域。
在通孔具有这种结构的情况下,类似于本发明第一方面的多层印刷电路板,具有大接合区直径的通孔起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,且提高了层间树脂绝缘层的机械强度,而且特别地,在通孔附近的层间树脂绝缘层中很难产生断裂。那是因为,通孔的接合区部分出现在最外层通孔和通孔附近导体电路之间的无导体电路形成区域之下的一部分区域中(见图4,A区域),从而接合区部分的区域起到加固层间树脂绝缘层材料的作用。
同样,在本发明第二方面的多层印刷电路板中,具有层叠穿通结构的通孔的层数不受限制,如果它是两层或更多层,则它可以是如所示的多层印刷电路板中的为三层,或两层或四层或更多层。
此外,类似于本发明第一方面的多层印刷电路板,上述通孔的接合区直径最好是在A区域通孔侧的半区域或更宽区域内出现至少一个接合区部分的长度;更好的是至少一接合区部分穿过A区域的整个区域的长度。
此外,在本发明第二方面的多层印刷电路板中,由于通孔具有层叠穿通结构,下层通孔的形状较佳为填满的通路的形状。
在本发明第二方面的多层印刷电路板中,在电镀穿通孔的上方直接形成带层叠穿通结构的通孔,而且为了使多层印刷电路板具有优秀的连接可靠性,较佳地在电镀穿通孔上形成覆盖电镀层。那是因为,覆盖电镀层具有扁平的表面,因此适合于在其上形成通孔。此外,上述的覆盖电镀层可由一层或两层或更多层组成。
此外,较佳地是在电镀穿通孔内形成树脂填料层。那是因为,上述覆盖电镀层的形成适合于用树脂填料填满电镀穿通孔。
在本发明第二方面的多层印刷电路板中,带层叠穿通结构的通孔不必在所有的通孔上方直接形成,而且允许:出现无其它任何通孔在其上方直接形成的电镀穿通孔;或者出现在其上方无通孔直接形成的通孔。
接下来,描述本发明第二方面多层印刷电路板的制造方法。如上所述,本发明第二方面的多层印刷电路板不同于本发明第一方面的印刷电路板,在于一点,即带层叠穿通结构的通孔在电镀穿通孔的上方直接形成。
因此,本发明第二方面的多层印刷电路板可通过类似于制造本发明第一方面多层印刷电路板的方法制得,除了一点不同,即通孔在电镀穿通孔的上方直接形成。
特别除了以下几点:在制造本发明第一方面多层印刷电路板的方法的工序(1)和(2)中,形成了连接插入基片的导体电路的电镀穿通孔,而且,根据需要,在树脂填料层形成且导体电路表面粗糙化处理之后,在电镀穿通孔上形成覆盖电镀层;而且在本发明第一方面多层印刷电路板的工序(4)中,在形成通孔开口的时候,在上述的覆盖电镀层上形成通孔的开口,本发明第二方面的多层印刷电路板可用类似于制造本发明第一方面多层印刷电路板的方法制得。
顺便提及,上述的覆盖电镀层可通过以下的工序(a)到(c)形成。
那就是,(a)在基片内形成电镀穿通孔且在电镀穿通孔内形成树脂填料层之后,在包括树脂填料层裸露面在内的基片表面上通过无电镀处理或溅射处理形成薄膜导电层。在进行无电镀处理的情况下,预先向要涂层的目标表面施加催化剂。
(b)接着,在除了电镀穿通孔(包括树脂填料层)的部分内形成电镀抗蚀剂,而且将上述的薄膜导电层用作电镀导线进行电镀。
(c)下一步,在完成了电镀之后,除去电镀抗蚀剂和在电镀抗蚀剂之下的薄膜导电层以形成包含薄膜导电层和电镀层的覆盖电镀层。
从供应催化剂到除去薄膜导电层,可替换工序(a)到(c),用类似于本发明第一方面多层印刷电路板的方法(6)到(8)的方法进行。
在形成包含一层的覆盖电镀层的情况中,比如,在向包括树脂填料层裸露表面在内的基片表面提供催化剂之后,在除了电镀穿通孔的部分内形成电镀抗蚀剂,且随后可进行对无电镀处理和电镀抗蚀剂的除去工作。
接着,将描述本发明第三方面的多层印刷电路板。
本发明第三方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有:
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及
通过上述基片和层间树脂绝缘层由电镀穿通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
在上述电镀穿通孔的上方直接形成带层叠穿通结构的通孔;并且
上述在不同级别层中带层叠穿通结构通孔的至少一个的接合区直径与其它在不同级别层中带层叠穿通结构通孔的接合区直径不同。
本发明第三方面的多层印刷电路板不同于本发明第一方面的多层印刷电路板,在于一点,即具有层叠穿通结构的通孔是在连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路的电镀穿通孔的上方直接形成的。
图5是示出本发明第三方面多层印刷电路板一部分实施例的部分剖面图。
在多层印刷电路板500中,形成了用于连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路的电镀穿通孔109,且在该电镀穿通孔的上方直接形成了带层叠穿通结构的通孔1071到1072。为了形成带层叠穿通结构的通孔,在电镀穿通孔109上形成覆盖电镀层118。同时,在电镀穿通孔109的内侧形成树脂填料层110。
在具有这种结构的多层印刷电路板中,由于带层叠穿通结构的通孔是直接在电镀穿通孔的上方形成的,所以插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路的线路距离被缩短,而且在同时可缩短信号传送时间,增加了设计导体电路的选择空间,从而该多层印刷电路板可容易地满足高密度的线路要求。
此外,在本发明第三方面的多层印刷电路板中,至少一个上述带层叠穿通结构的通孔的接合区直径是不同于其它带层叠穿通结构通孔的接合区直径。特别地,比如,在图5所示的多层印刷电路板500中,内层中通孔1072的接合区直径宽于最外层中通孔1071的接合区直径,而且通孔1072的接合区部分1072a出现在A区域。
此外,虽然在图5所示的多层印刷电路板500中形成了两层通孔,但可形成包含三层或更多层的通孔,从而在本发明第三方面的多层印刷电路板中具有层叠穿通结构,而且在三层具有层叠穿通结构通孔的情况下,该结构可类似于本发明第一方面多层印刷电路板的结构。也就是说,允许以下的结构:内层中通孔的接合区直径大于最外层通孔的接合区直径,且通孔的接合区部分出现在A区域;最底层通孔的接合区直径大于最外层通孔的接合区直径;内层中通孔以及最外层通孔的接合区直径的某些部分大于A区域各个不同部分中最外层的通孔接合区直径。
此外,内层中通孔的接合区直径和最底层中通孔的接合区直径都可大于最外层通孔的接合区直径。
顺便提及,A区域是只由通孔附近的层间树脂绝缘层组成的区域,而且它所指的与本发明第二方面多层印刷电路板中的A区域相同。
在通孔具有这种结构的情况下,类似于本发明第一方面的多层印刷电路板,具有较大接合区直径的通孔起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,且提高了层间树脂绝缘层的机械强度,而且特别地,在通孔附近的层间树脂绝缘层中很难产生断裂。即,通孔的接合区部分出现在最外层通孔和通孔附近导体电路之间的无导体电路形成区域之下的一部分区域中(见图5,A区域),从而该部分起到加固层间树脂绝缘层材料的作用。
在本发明第三方面的多层印刷电路板中,具有层叠穿通结构的通孔的层数不受限制,如果它是两层或更多层,则它可以是如所示的多层印刷电路板中的,该层可以是两层或三层或更多层。
类似于本发明第一方面的多层印刷电路板,上述通孔的接合区直径最好是在A区域通孔侧的半区域或更宽区域内出现至少一个接合区部分的长度;更好的是至少一接合区部分穿过A区域的长度。
此外,在本发明第三方面的多层印刷电路板中,由于形成通孔具有层叠穿通结构,所以下层中通孔的形状较佳为填满的通路的形状。
在本发明第三方面的多层印刷电路板中,在电镀穿通孔的上方直接形成带层叠穿通结构的通孔,而且为了使多层印刷电路板具有优秀的连接可靠性,较佳地在电镀穿通孔上形成覆盖电镀层。那是因为,覆盖电镀层具有扁平的表面,因此适合于在其上形成通孔。
此外,较佳地是在电镀穿通孔内形成树脂填料层。那是因为,上述覆盖电镀层的形成适合于用树脂填料填满电镀穿通孔。
在本发明第三方面的多层印刷电路板中,带层叠穿通结构的通孔不必在所有的通孔上方直接形成,而且可出现在其上未叠加其它通孔的通孔在其上方直接形成的电镀穿通孔或无通孔在其上方直接形成的电镀穿通孔。
以安装加工的顺序对本发明第三方面多层印刷电路板的制造方法进行描述。
(1)首先,类似于本发明第一方面多层印刷电路板的制造方法的工序(1),在基片上形成导体电路。
由于本发明第三方面的多层印刷电路板具有连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路的电镀穿通孔,所以是不同于本发明第一方面多层印刷电路的制造方法的,在该工序中,不需要形成电镀穿通孔。
但是,由于本发明第三方面的多层印刷电路板并未排除连接只插入基片的导体电路的结构,所以可根据需要形成电气连接于插入基片的导体电路的电镀穿通孔。
此外,在形成导体电路以后,根据需要,可用与本发明第一方面多层印刷电路板的制造方法中的工序(2)相同的方法将导体电路的表面粗糙化。
(2)接下来,通过应用本发明第一方面多层印刷电路板的制造方法的相同工序(3)和(4),在导体电路上形成热固性树脂和树脂复合物的非固化树脂层或热塑料树脂的树脂层,而且形成通孔的开口以获得层间树脂绝缘层。
在形成层间树脂绝缘层之后,形成了穿过层间树脂绝缘层和基片的通孔。该通孔可以通过钻孔工序和激光处理形成。
(3)下一步,通过在包括通孔开口内壁的层间树脂绝缘层和通孔内壁的表面用根据需要的酸或氧化剂实施从而形成粗糙化表面。
通过实施形成粗糙化表面,是为了增加层间树脂绝缘层和在稍后工序中所形成薄膜导电层的粘附强度,因此,如果层间树脂绝缘层和薄膜导电层的粘附强度是足够的,则不必进行该工序。
顺便提及,可使用上述那些用于本发明第一方面多层印刷电路板的制造方法工序(5)中的酸和氧化剂。
(4)接下来,在其中形成通孔开口的层间树脂绝缘层的表面和通孔的内壁面上形成薄膜导电层。
上述薄膜导电层的形成可用与本发明第一方面多层印刷电路板制造方法的工序(6)中使用的相同方法进行实施,即,无电镀、溅射以及汽相沉积方法等。
此外,较佳的是:在通孔上形成薄膜导电层以形成电镀穿通孔;并随后用树脂填料填满电镀穿通孔内,且更加理想的是,在这之后在电镀穿通孔上形成覆盖该树脂填料的覆盖电镀层。
因为那适合于直接在其上形成带层叠穿通结构的通孔。
此外,在该工序中形成的电镀穿通孔可不仅用于连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路,还可用于连接包括该两层导体电路和分别在基片的两个面上形成的两层导体电路的总共四层电路。
(5)接着,使用干膜在上述薄膜导电层的一部分中形成电镀抗蚀剂,并自此后,将上述的薄膜导电层用作电镀导线进行电解电镀以便在无电阻形成区域中形成电解电镀。
此处,也可在形成于通孔壁面中的薄膜导电层上形成电解电镀层,从而将电镀穿通孔的厚度变厚。
(6)在形成了电镀层之后,分离电镀抗蚀剂,并随后可通过蚀刻除去在电镀抗蚀剂下的金属薄膜导电层以便形成独立的导体电路。
可将本发明第一方面多层印刷电路板的制造方法的工序(8)中使用的相同蚀刻溶液用作此处的蚀刻溶液。
以上形成的插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路通过电镀穿通孔连接。
可通过使用以下的方法来代替上述在(5)和(6)中描述的工序以形成该导体电路。
也就是说,在上述薄膜导电层的整个表面上形成了电镀层之后,使用干膜在电镀层的一部分上形成抗腐蚀剂,并在此后,通过蚀刻将无抗腐蚀剂形成区域下的电镀层和薄膜导电层除去,且随后再分离抗腐蚀剂以形成单独的导体电路。
此外,如上所述,在形成了导体电路之后,较佳的是用树脂填料填满电镀穿通孔内,并在此后,在电镀穿通孔(包括树脂填料层)上形成覆盖电镀层。
可通过以下的工序(a)到(c)形成上述的覆盖电镀层。
即,(a)在形成穿过基片和层间树脂绝缘层的电镀穿通孔以及在电镀穿通孔内形成树脂填料层之后,通过无电镀处理或溅射等在包括树脂填料层裸露表面在内的电路板的表面形成薄膜导电层。顺便提及,在应用无电镀处理的情况下,预先对要镀的目标表面施加催化剂。
(b)接着,在除了电镀穿通孔(包括树脂填料层)的部分形成电镀抗蚀剂,并进一步将上述的薄膜电镀层用作电镀导线来进行电镀。
(c)接下来,在完成电镀之后,分离电镀抗蚀剂并除去电镀抗蚀剂之下的薄膜导电层以形成包含薄膜导电层和电镀层的覆盖电镀层。
顺便提及,从供应催化剂到除去薄膜导电层的这些工序(a)到(c)可通过与本发明第一方面多层印刷电路板的工序(6)到(8)相同的工序来进行。
上述的覆盖电镀层可以是单层,类似于本发明第二方面的多层印刷电路板。
(7)在其后,重复上述的工序(2)到(6)一次或两次或更多次以加工基片,在该基片上,在层间树脂绝缘层上形成最外层的导体电路。重复上述工序(2)到(6)的次数可根据多层印刷电路板的设计进行适当地选择。
此处,在形成电镀抗蚀剂的情况中,形成电镀抗蚀剂以便在通孔的上方直接形成通孔。此外,形成电镀抗蚀剂以便形成带理想接合区直径的通孔。也就是说,在特定的级别层中,如果要形成带大接合区直径的通孔,则应将无电镀抗蚀剂形成区域的宽度制得宽大。
在形成通孔的时候,理想的是使通孔具有填满的通路的结构。特别地,通孔的开口可通过电镀来填满从而具有填满的通路的结构,或者一旦在上表面形成了具有凹痕的通孔之后,该凹痕就随后用含糊剂的导体填满从而具有填满的通路的结构。
此外,在上表面形成了具有凹痕的通孔之后,可用树脂填料填满凹痕,而且可在其上形成覆盖电镀层以形成带扁平上表面的通孔。
在通过电镀形成带填满的通路结构通孔的情况中,较佳地是使用与本发明第一方面多层印刷电路板生产方法的工序(7)中使用的电镀溶液类似的电镀溶液。
(8)下一步,使用本发明第一方面多层印刷电路板生产方法中的相同工序(10)和(11),形成阻焊剂层并进一步形成焊块、BGA、PGA等以获得多层印刷电路板。
接着,将描述本发明第四方面的多层印刷电路板。
本发明第四方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;以及
上述在不同级别层中通孔的至少一个接合区的形成是在形成于带层叠穿通结构通孔边缘的无导体电路形成区域中延伸的。
也就是说,在本发明第四方面的多层印刷电路板中,形成通孔以便通过通孔的放大接合区加固无导体电路形成区,或者形成通孔以便用通孔和通孔的接合区占据无导体电路形成区。
在本发明第四方面的多层印刷电路板中,形成的不同级别层中的通孔具有层叠穿通结构。
在通孔以该方式形成具有层叠穿通结构的情况中,线路距离变短了,从而可缩短信号传送的时间,并且可增加设计导体电路所选择的空间,并因此可使处理高密度线路变得容易。
此外,在上述的多层印刷电路板中,扩大不同级别层中通孔的至少一个接合区从而加固形成于带层叠穿通结构通孔的边缘的无导体电路形成区域,或者覆盖无导体电路形成区域。
在通孔具有这种结构的情况中,通孔及其接合区起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,并因此提高了层间树脂绝缘层的机械强度,而且特别地,在通孔附近的层间树脂绝缘层中很难产生断裂。
接下来,将参考附图来描述本发明第四方面的多层印刷电路板。本发明第四方面多层印刷电路板的实施例的例子是那些在本发明第一方面多层印刷电路板的描述中涉及的图1到图3中所示的部分剖面图。因此,在这里,将参考图1到图3对本发明第四方面的多层印刷电路板进行描述。
在本发明第四方面的多层印刷电路板中,不同级别层中通孔的至少一个接合区在形成的同时被扩大至形成于带层叠穿通结构通孔附近的无导体电路形成区域。
特别是,比如,如图1(a)和图1(b)所示,形成内层中通孔1072的接合区以便将其扩大至大于最外层中通孔1071的接合区。在该情况下,各个级别层中形成的各个通孔在平面图中为圆形而且为同心圆。
此外,比如,如图2(a)和图2(b)所示,可在最底层中形成通孔1073的接合区以便将其扩大至大于最外层中通孔1071的接合区。在该情况下,在各个级别层中形成的各个通孔在平面图中为圆形且为同心圆。
此外,如图3(a)和图3(b)所示,内层中通孔1072接合区以及最底层中通孔1073的接合区的某些一部分,可被扩大至大于在最外层通孔1071和通孔1071附近的导体电路105a之间的无导体电路形成区域下的不同部分区域(在图中,为A区域)中的最外层通孔1071的接合区。在该情况中,各个级别层的各个通孔在平面图中具有圆形,但是它们的中心却位于不同的点上,即,内层中通孔的外轮中心和最底层中通孔的外轮中心形成于彼此相对的位置,同时在其中间具有最外层通孔的外轮中心。顺便提及,内层中通孔的外轮中心和最底层中通孔的外轮中心,可位于不是彼此相对位置的位置上,同时在它们当中具有最外层通孔的外轮中心。
以这种方式,在具有层叠穿通结构的至少一个通孔的接合区被扩大的情况中,不仅是层间树脂绝缘层102还有通孔的接合区部分1072a和1073a都将出现在最外层中通孔和通孔附近的导体电路之间的无导体电路形成区域下的区域部分(A区域)。在这种情况下,带层叠穿通结构的整个通孔可提供如上所述的作用和效果。也就是说,由于通孔及其接合区部分起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,所以可增加A区域的机械强度,而且可避免断裂的产生以及导体电路和通孔与层间树脂绝缘层的分离。
顺便提及,在图1到图3中,101表示基片;114表示阻焊剂层;以及117表示焊块。
通孔的形状并不止那些在图1到图3中所示的,而且虽然它们未被显示,但内层通孔1072的接合区和最底层通孔1073的接合区可被扩大至大于最外层中通孔的接合区。
各个级别层通孔的接合区直径可以彼此相同或彼此不同。
此外在上述的例子中,各个不同级别层通孔的形状在平面图中是圆形的,但是平面图中通孔的形状并不只是圆形,也可以是椭圆或者矩形。
在本发明第四方面的多层印刷电路板中,具有层叠穿通结构的通孔的层数不受限制,如果它是两层或更多,则它可以如所示的多层印刷电路板的为三层或者两层或四层或更多层。
此外,扩大的一部分通孔较佳地出现在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘部分的无导体电路形成区域的平面图中无导体电路形成区域的一半宽度或更宽的区域中,更佳的是出现在上述无导体电路形成的整个区域中。
那是因为:扩大通孔使接合区部分出现在这样的区域,保证了对上述无导体电路形成区域的加固;而且上述无导体电路形成区域肯定被通孔及其接合区所覆盖。
上述在图1到图3所示的多层印刷电路板部分以外的结构与本发明第一方面多层印刷电路板的相同,因此将其描述省略了。
此外,在本发明第四方面的多层印刷电路板中,不是所有级别层中的不同通孔都具有层叠穿通结构,却会出现一些在其上无其它通孔堆积的通孔。
接下来,将描述本发明第四方面多层印刷电路板的生产方法。
本发明第四方面的多层印刷电路板如上所述地不同于本发明第一方面的多层印刷电路板,就在于一点,即在形成不同级别层中至少一个通孔的接合区的同时将其扩大至形成于带层叠穿通结构通孔的边缘的无导体电路形成区域。
因此,本发明第四方面的多层印刷电路板可通过与本发明第一方面多层印刷电路板相同的方法进行制造,除了一点不同,即在形成不同级别层中至少一个通孔的接合区的同时将其扩大至无导体电路形成区域。
特别地,在本发明第一方面的多层印刷电路板的生产方法的工序(7)到(9)当中,在形成通孔接合区且同时将其扩大的情况下,除了在形成电镀抗蚀剂的同时将无电镀抗蚀剂形成区域制得较宽以外,可使用与生产本发明第一方面多层印刷电路板相同的方法。
顺便提及,在本发明第一方面多层印刷电路板生产方法的表面粗糙化工序(2)之中,粗糙化表面或要形成的粗糙化层的粗糙度较佳为0.1到5um。
接下来,将描述本发明第五方面的多层印刷电路板。
本发明第五方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及
通过上述基片由电镀穿通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
在上述电镀穿通孔的上方直接形成带层叠穿通结构的通孔;并且
形成至少一个具有层叠穿通结构的上述通孔的接合区,以便使它在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘的无导体电路形成区域中延伸。
因此,本发明第五方面的多层印刷电路板不同于本发明第四方面的多层印刷电路板就在于一点,即带层叠穿通结构的通孔是在电镀穿通孔的上方直接形成的。
接下来,将参考附图对本发明第五方面的多层印刷电路板进行描述。本发明第五方面多层印刷电路板的实施例的例子包括在本发明第二方面多层印刷电路板的描述中提到的图4的部分剖面图所示的实施例。因此,在此处,将参考图4对本发明第五方面的多层印刷电路板进行描述。
在本发明第五方面的多层印刷电路板中,在形成具有层叠穿通结构的至少一个通孔的接合区的同时,将其扩大至形成于带层叠穿通结构通孔边缘的无导体电路形成区域。也就是说,形成通孔以通过通孔的扩大接合区加固无导体电路形成区域,或者覆盖带通孔及通孔接合区的无导体电路形成区。
特别地,比如,本发明第五方面的多层印刷电路板具有与本发明第四方面的多层印刷电路板相同的结构。也就是说,就像图4所示的多层印刷电路板400,该结构可以如下:在形成内层中通孔1072的接合区的同时,将其扩大从而使通孔1072的接合区部分1072a出现在A区域;在形成最底层中通孔的接合区的同时,将其扩大从而使通孔的接合区部分出现在A区域;在形成内层中通孔的某些部分接合区和最外层中通孔的某些部分接合区的同时,将其扩大至大于A区中各个不同区域内最外层中通孔的接合区。
顺便提及,上述的A区域是指,仅由形成于带层叠穿通结构通孔边缘的层间树脂绝缘层组成的无导体电路形成区,而且它的意思与本发明第二方面多层印刷电路板中A区域的意思相同。
此外,该结构可以是,当形成内层中通孔的接合区和最底层中通孔的同时,将其扩大至大于最外层中通孔的接合区。
在形成通孔接合区同时将其扩大的情况下,类似于本发明第四方面的多层印刷电路板,通孔及通孔的接合区起到加固层间树脂绝缘层材料的作用且层间树脂绝缘层的机械强度得到提高,而且特别地,在通孔附近的层间树脂绝缘层中很少产生断裂。那是因为,通孔的接合区部分出现在最外层通孔和通孔附近导体电路之间的无导体电路形成区以下的一部分区域中(在图4中为A区),而且该部分起到加固层间树脂绝缘层材料的作用。
同时,在本发明第五方面的多层印刷电路板中,具有层叠穿通结构通孔的层数不受特别限制,如果它是两层或更多层,则它可以如多层印刷电路板所示的为三层或两层或四层或更多层。
此外,同样在本发明第五方面的多层印刷电路板中,一部分的扩大通孔最好出现在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘部分的无导体电路形成区域的平面图中无导体电路形成区域的一半宽度或更宽的区域中,更佳的是出现在上述无导体电路形成的整个区域中。
顺便提及,上述在图4所示的多层印刷电路板部分之外的结构与本发明第二方面的多层印刷电路板相同,它的描述也被省略了。
顺便提及,在本发明第五方面的多层印刷电路板中,带层叠穿通结构的通孔不必在所有的电镀穿通孔上方直接形成,而且可出现在其上未直接堆积其它通孔的电镀穿通孔或者在其上未直接形成通孔的电镀穿通孔。
接下来,将描述本发明第五方面多层印刷电路板的生产方法。
本发明第五方面的多层印刷电路板不同于本发明第四方面的多层印刷电路板,如上所述,在于一点,即在电镀穿通孔的上方直接形成具有层叠穿通结构的通孔。
因此,本发明第五方面的多层印刷电路板可通过与本发明第四方面多层印刷电路板的生产方法相同的生产方法进行生产,除了一点不同,即在电镀穿通孔的上方直接形成通孔。
特别除了一点不同,即在本发明第四方面的多层印刷电路板中,形成了连接插入晶片的导体电路的电镀穿通孔,而且此外,根据需要,在形成了树脂填料层且进行了导体电路表面的表面粗糙化之后,在电镀穿通孔上形成覆盖电镀层,而且,在形成于基片上的树脂层中形成通孔开口的时候,在上述的覆盖电镀层上形成通孔的开口,多层印刷电路板可通过与本发明第四方面多层印刷电路板的生产方法相同的方法进行生产。
覆盖电镀层可通过与本发明第二方面多层印刷电路板的生产方法中形成覆盖电镀层的工序相同的工序来形成。
接着,将描述本发明第六发面的多层印刷电路板。
本发明第六方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接;以及
通过上述基片和上述层间树脂绝缘层由电镀穿通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
在上述电镀穿通孔的上方直接形成带层叠穿通结构的通孔;并且
形成至少一个具有层叠穿通结构的上述通孔的接合区,以便使它在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘的无导体电路形成区域中延伸。
因此,本发明第六方面的多层印刷电路板不同于本发明第四方面的多层印刷电路板就在于一点,即带层叠穿通结构的通孔是在连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路的电镀穿通孔的上方直接形成的。
接下来,将参考附图对本发明第六方面的多层印刷电路板进行描述。本发明第六方面多层印刷电路板的实施例的例子包括在本发明第三方面多层印刷电路板的描述中提到的图5的部分剖面图所示的实施例。因此,在此处,将参考图5对本发明第六方面的多层印刷电路板进行描述。
在本发明第六方面的多层印刷电路板中,在形成具有层叠穿通结构的至少一个通孔的接合区的同时,将其扩大至形成于带层叠穿通结构通孔边缘的无导体电路形成区域。也就是说,形成通孔以便通过通孔的扩大接合区加固无导体电路形成区域,或者覆盖带通孔及通孔接合区的无导体电路形成区。
特别地,比如,如图5的多层印刷电路板500中所示的,在形成通孔1072的接合区的同时,将其扩大至大于最外层中通孔1071的接合区,而且通孔1072的接合区部分1072a在A区中出现。
此外,在图5所示的多层印刷电路板中,形成两层的通孔,而且形成的本发明第五方面的多层印刷电路板可以具有三层或更多层的带层叠穿通结构的通孔,而且在形成三层具有层叠穿通结构通孔情况中的结构可以与本发明第四方面多层印刷电路的结构相同。也就是说,该结构如下:在形成内层中通孔的接合区的同时,将其扩大至大于最外层中通孔的接合区,并且因此在A区域中出现通孔的接合区部分;在形成最底层中通孔的接合区的同时,将其扩大至大于最外层中通孔的接合区;而且内层中通孔的接合区以及最外层中通孔的接合区的某些部分大于A区域各个不同部分中最外层内通孔的接合区。
此外,内层中通孔的接合区和最底层中通孔的接合区都大于最外层中通孔的接合区。
顺便提及,上述的A区域是仅由具有层叠穿通结构通孔附近的层间树脂绝缘层组成的无导体电路形成区,而且它所指的A区域与本发明第五方面多层印刷电路板中的A区域相同。
在形成通孔接合区以便被扩大的情况下,类似于本发明第三方面的多层印刷电路板,通孔及其接合区起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,且层间树脂绝缘层的机械强度得到提高,而且特别地,在通孔附近的层间树脂绝缘层中很少产生断裂。那是因为,通孔的接合区部分出现在最外层通孔和通孔附近导体电路之间的无导体电路形成区以下的一部分区域中(在图5中为A区),而且该部分起到加固层间树脂绝缘层材料的作用。
同时,在本发明第六方面的多层印刷电路板中,具有层叠穿通结构通孔的层数不受特别限制,如果它是两层或更多层,则它可以如多层印刷电路板所示的为两层或三层或更多层。
此外,同样在本发明第六方面的多层印刷电路板中,一部分扩大通孔的接合区最好出现在形成于带层叠穿通结构通孔的边缘部分的无导体电路形成区域的平面图中无导体电路形成区域的一半宽度或更宽的区域中,更佳的是出现在上述无导体电路形成的整个区域中。
上述在图5所示的多层印刷电路板部分之外的结构与本发明第三方面的多层印刷电路板相同,因此它的描述被省略了。
此外,在本发明第六方面的多层印刷电路板中,带层叠穿通结构的通孔不必在所有的电镀穿通孔上方直接形成,而且允许出现在其上未直接堆积其它通孔的电镀穿通孔或者在其上未直接形成通孔的电镀穿通孔。
接下来,将描述本发明第六方面多层印刷电路板的生产方法。
本发明第六方面的多层印刷电路板可通过与本发明第三方面多层印刷电路板的生产方法相同的生产方法进行生产,除了一点不同,即至少一个在不同级别层中通孔中的通孔在形成的同时被扩大至无导体电路形成区域。
特别地,除了一点不同:在本发明第三方面多层印刷电路板的制造方法的工序(7)中,在电镀抗蚀剂形成的时候,形成电镀抗蚀剂以使它在电镀穿通孔的上方直接形成通孔;且当将通孔的接合区形成得较宽时,在电镀抗蚀剂形成的同时,将无电镀抗蚀剂形成区域制得宽一些,应用与本发明第三方面多层印刷电路板的制造方法相同的方法来制造该多层印刷电路板。
接下来,将描述本发明第七方面的多层印刷电路板。
本发明第七方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,具有
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;以及
在上述层间树脂绝缘层中,最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数小于或等于其它层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数。
在本发明第七方面的多层印刷电路板中,最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数小于其它层间树脂绝缘层的线性膨胀系数。因此,在形成的具有层叠穿通结构的通孔中,在最上层中的通孔中,由于层间树脂绝缘层中线性膨胀系数的差异所产生的应力较小,因此在最外层中的层间树脂绝缘层中很少发生断裂。
另外,在本发明第七方面的多层印刷电路板中,在不同级别层中形成的通孔具有层叠穿通结构。因此,如上所述,线路距离变短了,从而可缩短信号传送的时间,而且可增加设计导体电路的选择空间,并因此使处理高密度布线变得容易。
此外,在本发明第七方面的多层印刷电路板中,在最外层除外的层间树脂绝缘层(上述的其它层间树脂绝缘层)的线性膨胀系数为小的情况下,上述最外层的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数与其它层间树脂绝缘层的线性膨胀系数可以相同。
那是因为,在该情况下,在包括最外层中层间树脂绝缘层在内的所有层间树脂绝缘层中很少发生断裂。
在本发明第七方面的多层印刷电路板中,导体电路和层间树脂绝缘层连续地层叠在一基片上,而且插入上述层间树脂绝缘层的导体电路通过通孔连接,而且在最外层中形成阻焊剂层。
上述基片的例子包括诸如玻璃环氧树脂、聚酰亚胺基片、双马来酰亚胺三嗪树脂基片、氟树脂基片等。
上述导体电路是由比如,Cu、Ni、P、Pd、Co、W及其合金以及通过电镀处理形成的物质等制成。稍后将描述导体电路的实际形成方法。
可在基片上形成连接层叠于上述基片两个面的导体电路的电镀穿通孔,而且该电镀穿通孔内最好用树脂填料填满。
在上述的多层印刷电路板中,将在稍后进行描述的具有层叠穿通结构的通孔可在电镀穿通孔上方直接形成,且在该情况下,最好用树脂填料层填充电镀穿通孔的内侧并在电镀穿通孔上形成覆盖电镀层。那是因为,覆盖电镀层的形成能使通孔和电镀穿通孔之间具有可靠性良好的连接。
上述层间树脂绝缘层可由,比如含热固性树脂的树脂合成物、光敏树脂、热塑料树脂、热固性树脂和热塑料树脂的树脂复合物以及热固性树脂和光敏树脂的树脂复合物制成。
上述热固性树脂的实际例子包括环氧树脂、苯酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、双马来酰亚胺树脂、聚烯烃型树脂、聚苯树脂等。
上述的环氧树脂包括,比如,甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚线性酚醛清漆型环氧树脂、烷基线性酚醛清漆型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、萘型环氧树脂、双茂型环氧树脂、酚和包含酚羟基团的芳香族醛的冷凝物的环氧酯化合物、异氰脲酸三缩水甘油酯、脂环族环氧树脂等。它们可被单独使用或以它们的两个或更多组合起来使用。相应地,它们的抗热性是很好的。
上述聚烯烃型树脂的例子包括聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚异丁烯、聚丁二烯、聚异戊二烯、环烯型树脂,以及这些树脂材料的共聚物等。
上述的光敏树脂包括,比如,丙烯酸树脂等。
此外,通过向上述热固性树脂材料提供光敏性而得到的树脂可被用作光敏树脂。实际的例子包括那些通过用热固性树脂的热固性族(比如,环氧树脂的环氧族)与甲基丙酸烯或丙烯酸反应从而引入丙烯酸族而得到的物质。
上述热塑料树脂包括,比如,苯氧基树脂、聚甲苯基醚砜、聚砜等。
热固性树脂和热塑料树脂的树脂复合物例子包括,比如,那些获得上述热固性树脂和上述热塑料树脂的物质。尤其是,那些包含环氧树脂和/或苯酚树脂作为热固性树脂以及苯氧基树脂和/或聚甲苯基醚砜(PES)作为热塑料树脂是理想的。
此外,上述光敏树脂和热塑料树脂的复合物包括,比如,那些包含上述光敏树脂和上述热塑料树脂的材料。
上述树脂合成物的一个例子包括用于形成粗糙化表面的树脂合成物。上述用于形成粗糙化表面的树脂合成物包括,比如,那些其中,在包含至少选自酸、碱以及氧化剂中一种的粗糙化溶剂中可溶的物质分布于基质中,该基质是非固化的耐热树脂基质,它在包含至少选自酸、碱以及氧化剂中一种的粗糙化溶剂中几乎不溶解。
顺便提及,术语“几乎不溶解”和“可溶的”,指的是在两种物质在相同时间内被插入同一粗糙化溶剂中,那些具有相对较高溶解速度的物质为了方便起见被称为可溶的,而那些具有相对较低溶解速度的物质为了方便起见被称为几乎不可溶解。
上述抗热的树脂基质最好是那些能够在使用上述粗糙化溶剂在层间树脂绝缘层上形成粗糙化表面的时候保持粗糙化表面形状的物质,而且树脂基质的例子包括热固性树脂、热塑料树脂以及它们的复合物等。此外,它可以是光敏树脂。因为开口可以通过在形成通孔开口过程中的曝光和显影来形成。
上述热固性树脂的例子包括环氧树脂、苯酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、氟树脂等。此外,通过向这些热固性树脂材料提供光敏性而得到的树脂,即,可使用通过用甲基丙烯酸、丙烯酸等对热固化族进行(甲基)丙烯酸化而得到的树脂。特别地,(甲基)丙烯酸的环氧树脂是理想的,且另外环氧树脂在一个分子中包含两个或更多环氧族就更好了。
上述热塑料树脂的例子包括苯氧基树脂、聚甲苯基醚砜、聚砜、聚苯基醚砜、聚苯硫、聚苯醚、聚醚酰亚胺等。它们可以被单独使用或两个或更多地组合使用。
上述可溶物质的例子包括无机粒子、树脂粒子、金属粒子、橡胶粒子、液相树脂、液相橡胶等。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述无机粒子的例子包括诸如氧化铝、氢氧化铝等之类的铝化合物;诸如碳酸钙、氢氧化钙之类的钙化合物;诸如碳酸钾之类的钾化合物;诸如氧化镁、白云石、碱性碳酸镁、硅酸镁等之类的镁化合物;诸如二氧化硅、沸石等之类的硅化合物。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的氧化铝粒子可在氢氟酸中溶解且被其去除,而碳酸钙可在盐酸中溶解且可被其去除。含钠的二氧化硅和白云石可在水碱性溶液中溶解且可被其去除。
上述树脂粒子的例子包括那些包含热固性树脂和热塑料树脂的物质,而且那些在浸入含至少选自酸、碱以及氧化剂中一种化合物的粗糙化溶剂中的情况下具有的溶解速度高于上述抗热树脂基质的,可不作任何特定限制而被使用,且特别地,例子包括氨基树脂(三聚氰胺树脂、尿素树脂、三聚氰二胺树脂等)、环氧树脂、酚树脂、苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂等。它们可被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的树脂粒子需要预先进行固化处理。那是因为,如果不进行固化,则上述的树脂粒子将在溶解树脂基质的溶剂中溶解且被均匀地混合,并因此,树脂粒子不能被选择性地单独溶解并除去。
上述金属粒子的例子包括金、银、铜、锡、锌、不锈钢、铝、镍、铁、铅等。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
此外,上述的金属粒子可与树脂一起被涂层到表面层上以保证绝缘的特性。
在将包括热固性树脂的树脂合成物用作树脂合成物的情况下,最好使用那些具有的玻璃过渡温度不高于180℃的材料。
那是因为,在具有的玻璃过渡温度高于180℃的树脂合成物的情况下,由于用于热固化的温度超过200℃,所以基片有时在加热的同时被弯曲,或者在溶解的时候带来不方便的结果。
此外,在上述的多层印刷电路板中,最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数小于或者等于其它层间树脂绝缘层的线性膨胀系数。
因此,对于本发明第七方面的多层印刷电路板来说,树脂合成物能形成其中最外层的层间树脂绝缘层和其它的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数满足上述关系的层间树脂绝缘层。
由于在具有层叠穿通结构的通孔中很少产生应力,特别是,在具有这种层间树脂绝缘层的多层印刷电路板的最外层的通孔中,在层间树脂绝缘层中很少发生断裂,而且可提供良好的连接可靠性。
此外,在上述的多层印刷电路板中,形成的不同级别层中的通孔具有层叠穿通结构。
在具有层叠穿通结构的通孔中,可缩短信号传送的时间,而且可提高设计导体电路的空间选择,并因此容易处理高密度的布线。
此外,在上述具有层叠穿通结构的通孔中,上述具有层叠穿通结构通孔的至少一个接合区直径不同于具有层叠穿通结构的其它通孔。
那是因为,在通孔具有这种结构的情况下,具有较大接合区直径的通孔起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,并因此增加了层间树脂绝缘层的机械强度,并特别地,在通孔附近的层间树脂绝缘层中几乎不产生断裂。
上述多层印刷电路板通孔的结构最好是填满的通路结构。那是因为,具有填满的通路结构的通孔具有扁平的上表面,因此它们适合于形成具有层叠穿通结构的通孔。
此外,上述的通孔由诸如Cu、Ni、P、Pd、Co、W及其合金之类的材料制成,而且通过电镀等形成,这类似于上述的导体电路。稍后将描述通孔的实际形成方法。
顺便提及,在本发明第七方面的多层印刷电路板中,不必使所有级别层中的不同通孔都具有层叠穿通结构,而且允许出现在其上无堆积其它通孔的通孔。
接下来,将按照工序的顺序来描述本发明第七方面多层印刷电路板的生产方法。
(1)首先,将上述树脂基片或在两面都有铜箔的包铜层压板用作起始材料,而且在该基片上形成导体电路。
特别地,比如,在通过无电镀等在基片的两个面上都形成了呈展开状态的导电层之后,在导电层上形成相关于导体电路图案的抗腐蚀剂,且在其后进行蚀刻。
此外,可将包铜层压板用作具有呈展开状态导电层的基片。
此外,在形成电镀穿通孔以连接形成于基片两个面之上的导体电路的情况中,预先形成通孔,且随后同样在通孔的壁面进行无电镀,从而形成用于连接插入基片的导体电路的电镀穿通孔。
在电镀穿通孔形成之后,最好用树脂填料填满电镀穿通孔的内侧。在此时,最好在无导体电路形成区域内也填入树脂填料。
上述树脂填料的例子包括树脂合成物以及包含环氧树脂、固化剂以及无机粒子等的合成物。
此外,在用树脂填料填满电镀穿通孔及无导体电路形成区域内的情况中,电镀穿通孔的壁面和导体电路的侧面要接受表面粗糙化处理。这是因为可提高树脂填料和电镀穿通孔之间的粘合强度。
顺便提及,可通过类似于稍后将描述的工序(2)中所应用的方法来进行表面粗糙化处理。
在电镀穿通孔上形成覆盖电镀层的情况下,可通过比如,以下的工序(a)到(c)来形成覆盖电镀层。
也就是说,(a)在上述形成在内部包含树脂填料层的电镀穿通孔的工序之后,在包括树脂填料层裸露表面的基片表面上通过无电镀、溅射等形成了薄膜导电层。顺便提及,当应用无电镀的时候,预先向要镀的表面供应催化剂。
(b)接着,在除了电镀穿通孔(包括树脂填料层)的部分形成电镀抗蚀剂,并将上述的薄膜电镀层用作电镀导线来进行电镀。
(c)紧接着,在完成电镀之后,分离电镀抗蚀剂并除去电镀抗蚀剂之下的薄膜导电层以形成包含薄膜导电层和电镀层的覆盖电镀层。
通过工序(a)到(c),可形成包含薄膜导电层和电镀层两层的覆盖电镀层。
从供应催化剂到除去薄膜导电层的工序(a)到(c)可通过那些将在稍后进行描述的与应用于工序(6)到(8)中方法相同的方法来进行。
此外,在形成包含一层的电镀抗蚀剂的情况中,比如,在向包括树脂填料层裸露面的基片表面提供催化剂之后,在除了电镀穿通孔的部分形成电镀抗蚀剂,且随后可进行对无电镀和电镀抗蚀剂的除去。
(2)接下来,根据需要进行导体电路的表面粗糙化。粗糙化处理的方法包括,例如,去变黑(氧化)处理,使用包含有机酸和铜复合物的溶剂混合物进行的蚀刻处理,Cu-Ni-P针状合金电镀的处理等。进行表面粗糙化处理是为了保证与形成于稍后工序中的层间树脂绝缘层的粘合强度,因此,如果导体电路和层间树脂绝缘层之间的粘合强度是足够的话,就不必进行该工序。
(3)下一步,在导体电路上形成包含热固性树脂或树脂复合物的非固化树脂层或热塑料树脂的树脂层。
上述的非固化树脂层可通过用辊筒、幕涂机等或通过热连接非固化(半固化)树脂膜从而施加非固化树脂来形成。此外,通过形成诸如铜箔之类的金属层获得的树脂膜可连接于非固化树脂膜的一个表面。
包含热塑树脂的树脂层较好的是采用在其上热粘合成形为薄膜状的树脂形成体加以形成。
(4)下一步,在使用热固性树脂或含热固性树脂的树脂复合物来形成层间树脂绝缘层的情况下,通过固化处理固化非固化树脂层,且在同时形成通孔的开口以获得层间树脂绝缘层。
上述通孔的开口最好通过激光处理形成。上述的激光处理可在上述的固化处理之前或在固化处理之后进行。
同时,在形成光敏树脂及包含光敏树脂的树脂复合物的层间树脂绝缘层的情况下,通孔的开口可通过进行曝光和显影处理来形成。顺便提及,在该情况下,在上述固化处理前进行曝光和显影处理。
此外,在将热塑料树脂用作该层材料从而形成层间树脂绝缘层的情况下,在包含热塑料树脂的树脂层中通过激光处理形成通孔的开口从而获得层间树脂绝缘层。
在该情况下使用的激光器包括,比如,二氧化碳激光器、准分子激光器、UV激光器、YAG激光器等。它们可以在考虑所形成通孔的开口形状等的前提下被正确地应用。
在形成上述通孔开口的情况下,通过掩模的全息方法中准分子激光器得到的激光束辐射可以马上形成大量的通孔开口。
此外,在使用二氧化碳激光器的短脉冲形成通孔开口的情况下,开口中余下的树脂可以是少量的,而且对开口边缘部分中树脂的损坏是极少的。
在通过光学系统透镜和掩模辐射激光束的情况下,可马上形成大量的通孔开口。
那是因为,对光学系统透镜和掩模的使用可以对多个部分形成以相同角度辐射相同强度的激光束。
此外,虽然上述层间树脂绝缘层的厚度未被特别限制,但总的来说,最好是5到50um。另外,虽然通孔开口的开口直径不被特别限制,但总的来说,最好是40到200um。
在形成连接插入基片和层间树脂层的导体电路的电镀穿通孔的情况下,在该工序中形成穿过层间树脂层和基片的通孔。该通孔可通过钻孔工序、激光处理等形成。
(5)接下来,通过根据需要使用酸或氧化剂的表面粗糙化处理来将包括通孔开口内壁的在内层间树脂绝缘层的表面粗糙化。
顺便提及,形成粗糙化表面是为了提高层间树脂绝缘层与在其上形成的薄膜导电层的粘合特性,并且因此,如果粘合强度在层间树脂绝缘层和薄膜导电层之间是足够的,则不需要形成粗糙化表面。
上述酸的例子包括硫酸、硝酸、盐酸、磷酸、甲酸等,而上述氧化剂的例子包括铬酸、铬酸混合物、诸如高锰酸钠等之类的高锰酸盐。
在表面粗糙化之后,最好用水碱性溶液、中和溶液等将层间树脂绝缘层的表面中和。那是因为,避免酸和氧化剂在下一步产生影响。
此外,对于上述粗糙化表面的形成,可应用等离子处理等。
(6)接下来,在其中形成通孔开口的层间树脂绝缘层的表面形成薄膜导电层。
上述的薄膜导电层可通过无电镀、溅射或汽相沉积等来形成。顺便提及,在层间树脂绝缘层的表面不经过表面粗糙化的情况下,上述的薄膜导电层最好通过溅射形成。
顺便提及,在通过无电镀形成薄膜导电层的情况下,预先向要镀的目标表面施加催化剂。上述催化剂的例子包括氯化钯等。
虽然上述薄膜导电层的厚度没有被特别限制,但在通过无电镀形成薄膜导电层的情况下,较佳为0.6到1.2um,而且在通过溅射形成的情况下,较佳为0.1到1.0um。
此外,在上述工序(4)中形成穿过基片和层间树脂绝缘层的通孔的情况下,在通孔上形成薄膜导电层以便形成电镀穿通孔.顺便提及,在该情况下,最好在电镀穿通孔内形成树脂填料层,而且可在电镀穿通孔上形成覆盖电镀层.
顺便提及,在以这种方式形成的电镀穿通孔不仅连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路,还连接总共四层导体电路,即,两层这样的导体电路层和两层形成于基片两面上的导体电路层。
(7)接下来,在上述的薄膜导电层的一部分使用干膜形成电镀抗蚀剂,而且在此后,用上述的薄膜导电层作为电镀导线进行电解电镀从而在无电镀抗蚀剂形成区域内形成电镀层。
此处,形成电镀抗蚀剂以形成带理想接合区直径的通孔。也就是说,在特定级别层中,如果形成了具有大接合区直径的通孔,则应将无电镀抗蚀剂形成区域的宽度弄宽。
此外,在该工序中,通孔的开口最好通过电镀填满以形成填满的通路的结构,从而使在该工序中形成的通孔形状为填满的通路的形状。那是因为,具有填满的通路结构的通孔适合于形成层叠穿通结构。
同样,在该工序中,在形成了在上表面具有凹面部分的通孔之后,该凹面部分可用含糊剂的导体填满以便使上表面扁平,或者一旦形成了在上表面具有凹面部分的电镀层之后,可随后用树脂填料等填满该凹面部分,且另外可形成覆盖电镀层以便使上表面扁平。
在进行电镀用于填满的情况下,比如,应用带以下合成物的电镀溶剂来进行电镀处理
也就是说,应用含50到300g/l的硫酸铜电镀溶剂、30到200g/l的硫酸、25到90mg/l的氯离子、以及包含至少均化剂和光亮剂的1到1000mg/l的添加剂来进行电镀处理。
通过这样合成的电镀溶剂,具有填满的通路结构通孔的形成可与以下无关:通孔的开口直径;树脂绝缘层的材料和厚度;以及有没有层间树脂绝缘层的粗糙表面。
另外,由于电镀溶剂含高浓度的铜离子,所以可向通孔的开口提供足够的铜离子,而且对通孔开口的电镀可以40到100um/小时的电镀速度进行,从而获得高速电镀的工序。
上述的电镀溶剂最好具有含100到250g/l硫酸铜、50到150g/l硫酸、30到70mg/l氯离子的合成物,以及包含至少均化剂和光亮剂的1到600mg/l的添加剂。
此外,在上述的电镀溶剂中,上述的添加剂可包含至少均化剂和光亮剂且可包括其它的合成物。
上述的均化剂包括,比如,聚乙烯、凝胶以及它们衍生物等。
同样,上述的光亮剂包括,比如,氧化硫及其相关的化合物、氢化硫及其相关化合物和其它硫的化合物等。
上述均化剂的混合量较佳为1到1000mg/l,上述明亮剂的混合量较佳为0.1到100mg/l,而两者的混合比较佳为(2∶1)到(10∶1)。
(8)下一步,分离电镀抗蚀剂并通过蚀刻除去在电镀抗蚀剂下的薄膜导电层以形成独立的导体电路。蚀刻溶剂的例子包括水硫酸-过氧化氢溶剂、诸如过硫酸铵等之类的过硫酸盐的水溶液、三氯化铁、氯化铜、盐酸等。此外,可将含上述铜复合物和有机酸的混合溶剂用作蚀刻溶剂。
此外,代替上述在(7)和(8)中描述的方法,可应用以下的方法以形成导体电路。
也就是,在上述薄膜导电层的整个表面上形成电镀层之后,使用干膜在电镀层的一部分形成抗腐蚀剂,并随后通过蚀刻除去在无抗腐蚀剂形成区域下的电镀层和薄膜导电层,并随后另外分离抗腐蚀剂以形成独立的导体电路。
(9)在那以后,将上述(3)到(8)的工序重复一次或两次或更多以生产基片,在该基片上形成在最外层具有导体电路的层间树脂绝缘层。顺便提及,重复上述工序(3)到(8)的次数可根据多层印刷电路板的设计进行适当地选择。
在这种情况下,在其它通孔的上方直接形成各个通孔,从而形成带层叠穿通结构的通孔。此外,在上述的工序(7)和(8)之中,在形成穿过基片和层间树脂绝缘层的电镀穿通孔的情况下,可在电镀穿通孔上形成带层叠穿通结构的通孔。
此外,当形成带层叠穿通结构通孔的时候,且在使至少一个通孔的接合区直径不同于其它通孔的情况下,可在形成电镀抗蚀剂的同时调节无电镀抗蚀剂形成区的大小。
此外,在重复的工序中,在最外层中形成层间树脂绝缘层的时候,最外层中形成的层间树脂绝缘层所具有的线性膨胀系数小于其它层间树脂绝缘层的线性膨胀系数。因此,在考虑了其它层间树脂绝缘层的线性膨胀系数之后来选择层间树脂绝缘层的材料。
顺便提及,如果上述其它层间树脂绝缘层的线性膨胀系数足够小,则最外层中的层间树脂绝缘层和其它的层间树脂绝缘层可用相同的材料制成。
(10)接着,在具有最外层导体电路的基片上,形成具有多个焊块开口的阻焊剂层。
特别地,在此后:通过辊筒、幕涂机等施加非固化阻焊剂合成物;或者形成于膜状的阻焊剂合成物用压力连接,通过激光处理、以及曝光和显影处理形成焊块的开口,并且根据需要进行固化处理以形成阻焊剂层。
上述阻焊剂层的形成可使用阻焊剂合成物,它包含,比如,聚苯醚树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、热塑料合成弹性体树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。
此外,除了上述的以外阻焊剂合成物还包括:比如,含包含(甲基)丙烯酸脂酚醛树脂清漆型环氧树脂的热固性树脂的糊状液体、咪唑固化剂、双功能(甲基)丙烯酸酯单体、一个分子重量大约为500到5000的(甲基)丙烯酸酯聚合物、双酚型环氧树脂及其类似的、诸如多价丙烯酸单体之类的光敏单体以及乙二醇醚型溶剂,并且其粘性在25℃时较佳地被调节为1到10Pa.s。
上述的阻焊剂合成物可包含弹性体和无机填料。
此外,可将商业上提供的阻焊剂合成物用作阻焊剂合成物。
此外,用于形成上述焊块开口的激光可与在形成上述通孔开口时使用的一样。
接下来,根据需要,在裸露于焊块开口下表面内的导体电路的表面形成焊点。
可通过用诸如镍、钯、金、银、铂等之类的耐蚀金属覆盖上述的导体电路,从而形成上述的焊点。
特别理想的是使用诸如镍-金、镍-银、镍-钯、镍-钯-金等之类的金属材料来形成。
此外,可通过,比如,电镀、汽相沉积、电解沉积等来形成上述的焊点,在它们当中,以涂层均匀为最佳的观点看来电镀是理想的。
(11)接下来,在安装导电管脚以形成焊块或BGA(球栅阵列)或PGA(针栅阵列)之后,将焊锡膏填入上述焊块的开口中并使之经历回流处理。
可进行用于形成稍后产品识别的文字印刷处理和用等离子氧以及四氯碳等的处理,从而改进阻焊剂层。
经过这样的工序,可生产出本发明第七方面的多层印刷电路板。
接下来,将描述本发明第八方面的多层印刷电路板。
本发明第八方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层进而在其上形成阻焊剂层作为最外层,具有:
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
形成上述通孔中在不同级别层中的通孔以便形成层叠穿通结构;并且
在上述层间树脂绝缘层中,至少最外层中的层间树脂绝缘层具有100ppm/℃或更小的线性膨胀系数。
在上述的本发明第八方面的多层印刷电路板中,至少最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数是100ppm/℃或更小,该值很低。因此,在形成的具有层叠穿通结构的通孔中,在最外层的通孔中,由于层间树脂绝缘层线性膨胀系数的差异所产生的应力很小,且在最外层的层间树脂绝缘层中很少产生断裂。
本发明第八方面的多层印刷电路板也以不同级别层中的通孔具有层叠穿通结构的方式形成。因此,如上所述,由于可缩短信号传送时间,所以线路距离变短了。因此,可以满足高速度性能多层印刷电路板的要求,而且可以提高设计导体电路的选择空间,并且因此可以满足高密度布线的要求。
本发明第八方面的多层印刷电路板不同于本发明第七方面的多层印刷电路板仅在于一点,即最外层层间树脂绝缘层的线性膨胀系数不高于100ppm/℃,而且除了上述特征之外的整个结构与本发明第七方面的多层印刷电路板相同。因此,在这里,将只详细描述多层印刷电路板最外层的层间树脂绝缘层,而将省略其它结构成分和整个结构的描述。
上述最外层的层间树脂绝缘层的材料不受限制,只要它能够形成带上述范围内线性膨胀系数的层间树脂绝缘层即可,比如,可在类似于形成本发明第七方面多层印刷电路板的层间树脂绝缘层中应用的树脂合成物中,适当地选择所得线性膨胀系数为100ppm/℃或更少的树脂合成物。
特别地,例子包括通过混合甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂所得的树脂合成物——含光敏单体的混合合成物;含聚甲苯基醚砜(PES)的混合合成物——树脂粒子(聚合体,由Sanyo化学工业有限公司制造)等,以及含固化剂和其它添加剂的混合合成物。
上述的线性膨胀系数较佳在30到90ppm/℃。
如果线性膨胀系数小于30ppm/℃,而且刚度高,比如,在表面被表面粗糙化的情况下,无法维持粗糙化表面的不规则性。另一方面,如果它在上述的范围内,则抗碎裂性是良好的,而且粗糙化表面形状维持特性是良好的。
此外,在本发明第八方面的多层印刷电路板中,除最外层之外的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数也较佳为100ppm/℃或更小。
那是因为,在层间树脂绝缘层和通孔之间很少产生应力,而且可向多层印刷电路板提供更加良好的可靠性。
此外,可用与生产本发明第七方面多层印刷电路板的相同方法来生产包含这种层间树脂绝缘层的本发明第八方面的多层印刷电路板,除了一点不同例外,即最外层的层间树脂绝缘层是通过使用能够用诸如上述的线性膨胀系数来形成层间树脂绝缘层的树脂合成物来形成的。
接下来,将描述本发明第九方面的多层印刷电路板。
本发明第九方面的多层印刷电路板是包含基片的多层印刷电路板,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,以及在其上作为最外层形成的阻焊剂层,具有:
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
形成上述通孔中在不同级别层中的通孔以便形成层叠穿通结构;并且
在上述层间树脂绝缘层中,至少最外层中的层间树脂绝缘层包含粒子和橡胶成分,并具有100ppm/℃或更小的线性膨胀系数。
在上述的本发明第九方面的多层印刷电路板中,至少最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数低到100ppm/℃或更小,并且因此,在形成的具有层叠穿通结构的通孔中,在最外层的通孔中,由于层间树脂绝缘层线性膨胀系数的差异所产生的应力很小,且在最外层的层间树脂绝缘层中很少产生断裂。
另外,由于向上述多层印刷电路板的层间树脂绝缘层添加粒子,因此形状保持特性是良好的,而且因为添加了橡胶成分,由于橡胶成分的灵活性和弹性变形,所以即使应力影响了层间树脂绝缘层,该应力也可被吸收或缓和。
上述的多层印刷电路板也以不同级别层中的通孔具有层叠穿通结构的方式形成。因此,如上所述,线路距离变短了。因此,由于可缩短信号传送时间,所以可以满足高速度性能多层印刷电路板的要求,而且可以提高设计导体电路的选择空间,并且因此可以容易地满足高密度布线的要求。
本发明第九方面的多层印刷电路板不同于本发明第七方面的多层印刷电路板仅在于一点,即向最外层的层间树脂绝缘层添加了粒子和橡胶成分,以及最外层层间树脂绝缘层的线性膨胀系数不高于100ppm/℃,而且除了上述特征之外的整个结构与本发明第七方面的多层印刷电路板相同。因此,在这里,将只详细地描述多层印刷电路板最外层的层间树脂绝缘层,而将省略其它结构成分和整个结构的描述。
上述最外层的层间树脂绝缘层的材料不受限制,只要它包含粒子和橡胶成分并且能够形成带上述范围内线性膨胀系数的层间树脂绝缘层即可,比如,可在类似于形成本发明第七方面多层印刷电路板的层间树脂绝缘层中应用的树脂合成物中,适当地选择一包含粒子和橡胶成分的树脂合成物,且该合成物所给出的线性膨胀系数为100ppm/℃或更小。
向上述层间树脂绝缘层添加的粒子最好为选自无机粒子、树脂粒子和金属粒子中的至少一种。
上述的无机粒子包括,比如,诸如氧化铝、氢氧化铝等之类的铝化合物;诸如碳酸钙、氢氧化钙等之类的钙化合物;诸如碳酸钾等之类的钾化合物;诸如氧化镁、白云石、碱性碳酸镁、硅酸镁等之类的镁化合物;诸如二氧化硅、沸石等之类的硅化合物。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的树脂粒子包括,比如,氨基树脂(三聚氰胺树脂、尿素树脂、三聚氰二胺树脂等)、环氧树脂、酚树脂、苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂等。它们可被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的金属粒子包括,比如,那些金、银、铜、锡、锌、不锈钢、铝、镍、铁、铅等。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
可将上述的金属粒子与树脂等一起在表面上进行涂层以保证绝缘特性。
在使用树脂形成层间树脂绝缘层用于本发明第七方面多层印刷电路板中描述的表面粗糙化的情况下,由于用于表面粗糙化的树脂合成物包含粒子,因此在这个时候就不必再添加粒子了。
添加到上述层间树脂绝缘层的橡胶成分包括,比如,丙烯腈聚丁橡胶、氯丁橡胶、聚异戊二烯橡胶、丙烯酸类橡胶、复硫化物型人工合成橡胶、氟橡胶、氨基甲酸乙酯橡胶、硅橡胶、ABS树脂等。
此外,可使用聚丁二烯橡胶;诸如环氧改进的、氨基甲酸乙酯改进的、(甲基)丙烯腈改进的之类多种改进的聚丁二烯橡胶;具有羧基族等(甲基)的丙烯腈聚丁橡胶。
含这种粒子和橡胶成分的层间树脂绝缘层材料的实际例子包括,比如,通过将聚丁二烯和二氧化硅粒子等与含——比如——双酚A型环氧树脂、甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂以及线性酚醛清漆型环氧树脂的树脂合成物混合而得到的树脂合成物。
上述粒子和橡胶成分的混合比不作特定限制,但是,根据形成层间树脂绝缘层之后的混合量,粒子所占重量较佳为1到25%,而橡胶成分所占重量较佳为5到20%。那是因为,在这些范围内,可获得上述的特征性质,而且可调节基片和阻焊剂层之间的热膨胀系数,同时可以缓解在形成层间树脂绝缘层时由于固化收缩所产生的应力。更加理想的混合量是粒子占重量的3到18%,橡胶成分占重量的7到18%。
同样在本发明第九方面的多层印刷电路板中,类似于本发明的第八方面,最外层层间树脂绝缘层的线性膨胀系数较佳为30到90ppm/℃。
此外,在本发明第九方面的多层印刷电路板中,除最外层以外的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数也最好不高于100ppm/℃。因为在层间树脂绝缘层和通孔之间很少产生应力。
此外,在上述的多层印刷电路板中,除最外层以外的层间树脂绝缘层最好包含粒子和橡胶成分。因为上述的效果可在除最外层之外的层间树脂绝缘层中获得。
包含这种层间树脂绝缘层的本发明第九方面的多层印刷电路板可通过与生产本发明第七方面多层印刷电路板相同的方法进行生产,除了一点不同,即最外层的层间树脂绝缘层是使用含粒子和橡胶成分的树脂合成物形成的,从而能够形成线性膨胀系数在上述范围内的层间树脂绝缘层。
顺便提及,在本发明第八和第九方面的多层印刷电路板中,不必使不同级别层中所有的通孔都具有层叠穿通结构,而且允许出现在其上未堆积其它通孔的通孔。
接下来,将描述本发明第十方面的多层印刷电路板。
本发明第十方面的多层印刷电路板是这样的多层印刷电路板:它包含基片,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层;还包括在其上作为最外层形成的阻焊剂层,具有:
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
上述通孔中在不同级别层中的通孔彼此堆积;并且
在上述堆积的通孔中,至少一个通孔堆积在其它通孔上时其中心与其它通孔的中心偏离,而且其它通孔彼此堆积时它们的中心近似互相重叠。
在本发明第十方面的多层印刷电路板中,在不同级别层中的至少一个通孔在堆积时其中心偏离于其它通孔的中心,从而由于通孔和层间树脂绝缘层的线性膨胀系数差所产生的应力可被分散,而且在某些通孔之上,尤其在最外层中通孔之上的高应力的集中可被防止,因此,很少发生由于应力集中而带来的层间树脂绝缘层的断裂,同时为该多层印刷电路板提供了良好的可靠性。
此外,在上述的多层印刷电路板中,除堆积时其中心偏离的通孔之外的通孔在堆积时,它们的中心近似互相重叠,而且具有了以该方式堆积的通孔之后,布线距离变短了,从而可缩短信号传送时间,而且可增加设计导体电路的空间选择,并因此可容易地处理高密度布线。
此后,将参考附图描述本发明第十方面的多层印刷电路板。
图32和图33分别显示了(a)示出本发明第十方面多层印刷电路板的一部分实施例的剖面示意图和(b)仅示出(a)中所示多层印刷电路板的一个通孔的立体示意图。
如图32所示,在多层印刷电路板700中,导体电路205和层间树脂绝缘层202被连续地层叠在基片201上,而且插入层间树脂绝缘层202的导体电路205分别通过通孔连接。此外,在最外层中,形成带焊块217的阻焊剂层214。
此外,在多层印刷电路板700中,通过互相堆积形成的通孔207a到207d以如下的方式形成,即最外层中的通孔207d(第四层中的通孔)在形成的同时其中心偏离于前一通孔之下的层中的通孔207c(第三层中的通孔),而且不同级别层中内层中的通孔207a到207c(第一到第三层的通孔)在堆加的同时,它们的中心近似互相重叠。
以这样的方式,由于最外层中的通孔在堆积的同时其中心偏离于最外层下方层中通孔的中心,所以在一部分堆积通孔中的高应力集中可被抑制。
此外,通孔207(207a到207d)具有填满的通路的形状。具有填满的通路形状的通孔具有扁平的表面并因此适合于彼此堆积。
此外,如图33所示,在本发明的多层印刷电路板800中,允许堆积通孔307a到307d以如下的方式形成:最外层中的通孔307d(第四层中的通孔)堆积在最外层之下的层中的通孔307c(第三层中的通孔)上,同时它们的中心近似重叠;通孔307c堆积在通孔307b(第二层中的通孔)之上,同时它们的中心彼此偏离;而内层中的通孔307a和307b(第一和第二层中的通孔)彼此堆积,同时其中心近似重叠。在这种结构的多层印刷电路板800中,可获得上述抑制应力集中的效果。
此外,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,堆积通孔的形状不止限制于那些以上所描述的,而且在通孔在四层中堆积的情况下,允许以下的安排:比如,第二到第四层通孔的中心近似重叠,而且只有第一层的中心是偏离的;或者第二到第四层各个通孔的中心偏离于它们下层中通孔的中心。当然,所堆积通孔的层数不作限制,它可以是两层或三层或五层或更多层。
在本发明第十方面的多层印刷电路板中,最好是通孔在堆积的同时,其中心以下层通孔的非接合区部分的外轮缘(图32中,如A1所示)和下层通孔的底表面(在图32中,如B1所示)不重叠的方式被偏离。
在下层通孔非接合区部分的外轮缘与下层通孔的底表面重叠的情况下,各个通孔中产生的应力很可能被集中在一部分重叠的通孔上(比如,上层中的通孔),而在下层通孔非接合区部分的外轮缘与上层通孔底表面不重叠的情况下,在各个通孔中的应力被分散且很难在某些堆积通孔上集中,因此便很少发生由于应力集中所带来的麻烦。
此外,下层通孔非接合区部分的外轮缘和上层通孔底表面的外轮缘之间的距离(在图32中,如L3所示)特别理想地为5到70um,比如,在本例中下层通孔非接合区部分的直径大约为40到200um。
那是因为,如果它在上述的范围内,则该应力如上所述地难以在一部分堆积的通孔上集中,从而可保证对设计的空间选择。
接下来,将描述本发明第十方面多层印刷电路板的构成部分。
在本发明第十方面的多层印刷电路板中,导体电路和层间树脂绝缘层连续地层叠在一基片上,插入上述层间树脂绝缘层的上述导体电路通过通孔连接,而且在最外层中形成阻焊剂层。
上述基片和上述导体电路材料的例子包括那些类似于用于本发明第七方面多层印刷电路板的基片和导体电路材料的材料。同样,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,可形成带与本发明第七方面的多层印刷电路板相似结构的的电镀穿通孔以连接插入基片的导体电路。
此外,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,可形成穿过上述基片和层间树脂绝缘层的电镀穿通孔。这种电镀穿通孔的形成可以电气连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路。
此外,上述层间树脂绝缘层可包括那些类似于本发明第七方面多层印刷电路板的层间树脂绝缘层的材料。此处,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,至少最外层中的层间树脂绝缘层最好具有100ppm/℃或更小的线性膨胀系数,更加理想的是,所有的层间树脂绝缘层都具有100ppm/℃或更小的线性膨胀系数。
在层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为低的情况下,由于层间树脂绝缘层、通孔、基片以及导体电路之间不同线性膨胀系数的差异而产生的应力很少产生,因此,层间树脂绝缘层和通孔之间的分离以及层间树脂绝缘层中的断裂很少发生。因此,包含线性膨胀系数在上述范围内的层间树脂绝缘层的多层印刷电路板提供了良好的可靠性。
上述层间树脂绝缘层的线性膨胀系数更理想地为30到90ppm/℃。如果线性膨胀系数小于30ppm/℃,则刚度高,比如,在表面被粗糙化的情况下,粗糙化表面的不规则性就不能被保持,而相反如果线性膨胀系数在上述范围内,则抗碎裂性就是良好的而且粗糙化表面的形状维持特性也是良好的。
此外,最好将粒子和橡胶成分添加到上述的层间树脂绝缘层中。
如果添加了粒子,可改进层间树脂绝缘层的形状维持特性,如果添加了橡胶成分,则由于橡胶成分的灵活性和弹性变形,即使应力会影响层间树脂绝缘层,该应力也可被吸收或缓和。
上述的粒子较佳为无机粒子、树脂粒子以及金属粒子中的至少一种。
上述的无机粒子包括,比如,氧化铝、氢氧化铝之类的铝化合物;诸如碳酸钙、氢氧化钙之类的钙化合物;诸如碳酸钾之类的钾化合物;诸如氧化镁、白云石、碱性碳酸镁、硅酸镁等之类的镁化合物;诸如二氧化硅、沸石等之类的硅化合物。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的树脂粒子包括,比如,氨基树脂(三聚氰胺树脂、尿素树脂、三聚氰二胺树脂等)、环氧树脂、酚树脂、苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂等。它们可被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
上述的金属粒子包括,比如,那些金、银、铜、锡、锌、不锈钢、铝、镍、铁、铅等。它们可以被单独使用也可以两个或更多地组合使用。
可将上述的金属粒子与树脂一起在表面上进行涂层以保证绝缘特性。
此外,上述的橡胶成分包括,比如,丙烯腈聚丁橡胶、氯丁橡胶、聚异戊二烯橡胶、丙烯酸类橡胶、复硫化物型人工合成橡胶、氟橡胶、氨基甲酸乙酯橡胶、硅橡胶、ABS树脂等。
此外,可使用聚丁二烯橡胶;诸如环氧改进的、氨基甲酸乙酯改进的、(甲基)丙烯腈改进的之类多种改进的聚丁二烯橡胶;具有羧基族等(甲基)的丙烯腈聚丁橡胶。
上述粒子和橡胶成分的混合比不作特定限制,但是,说到根据形成层间树脂绝缘层之后的混合量,粒子所占重量较佳为1到25%,而橡胶成分所占重量较佳为5到20%。那是因为,在这些范围内,可调节基片和阻焊剂层的热膨胀系数,同时可以缓解在形成层间树脂绝缘层时由于固化收缩所产生的应力。更加理想的混合量是粒子占重量的3到18%,橡胶成分占重量的7到18%。
上述的通孔由,比如类似于上述导体电路的Cu、Ni、Pd、Co、W及其合金的材料制成,并通过电镀等形成。顺便提及,稍后将详细描述通孔形成的实际方法。
在上述堆积的通孔中,它们当中至少一个通孔最好具有与其它通孔不同的接合区直径。如果堆积的通孔具有这样的结构,则具有大接合区直径的通孔起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,而且层间树脂绝缘层的机械强度被提高了,从而在通孔附近的层间树脂绝缘层中很少发生断裂。
上述多层印刷电路板通孔的形状最好是填满的通路的形状。那是因为,具有填满的通路形状的通孔具有扁平的表面,因此适合于彼此堆积通孔。
顺便提及,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,不必堆积不同级别层中的所有通孔,而且可以出现在其上无堆积其它通孔的通孔。
上述阻焊剂层的形成可使用比如阻焊剂合成物来完成,它包含,比如,聚苯醚树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、热塑料合成弹性体树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。
此外,除了上述以外的阻焊剂合成物还包括:比如,含包含(甲基)丙烯酸脂酚醛树脂清漆型环氧树脂的热固性树脂的糊状液体、咪唑固化剂、双功能(甲基)丙烯酸酯单体、一个分子重量大约为500到5000的(甲基)丙烯酸酯聚合物、双酚型环氧树脂及其类似的、诸如多价丙烯酸单体之类的光敏单体以及乙二醇醚型溶剂,并且其粘度在25℃时较佳地被调节为1到10Pa.s。
上述的阻焊剂合成物可包含弹性体和无机填料。
此外,可将商业上提供的阻焊剂合成物用作阻焊剂合成物。
接下来,将描述生产本发明第十方面的多层印刷电路板的方法。
本发明第十方面的多层印刷电路板可用与生产本发明第七方面多层印刷电路板的相同方法进行生产,除了一点不同,即上述堆积通孔中至少一个通孔在被重叠时其中心偏离于其它通孔的中心,而且剩余的通孔在堆积时其中心近似彼此重叠。
特别地,它可用与生产本发明第七方面多层印刷电路板的相同方法进行生产,除了一点不同,即,在生产本发明第七方面多层印刷电路板方法的工序(9)中通过重复本发明第七方面多层印刷电路板的生产方法的工序(3)到(8)来形成通孔的时候,在至少一个重复的工序中,在形成通孔的同时,其中心偏离于下层中通孔的中心。
像这样的方法,比如,在形成通孔开口的时候,开口的形成位置可偏离于下层中通孔的中心。
在生产本发明第七方面多层印刷电路板的方法中的工序(7)和(8)中,在形成穿过基片和层间树脂绝缘层的电镀穿通孔的情况下,可在电镀穿通孔的上方直接形成通孔。
此外,在稍后工序中在穿通孔的上方直接形成通孔的情况中,较佳形成一覆盖电镀层。
此外,在生产本发明第七方面多层印刷电路板的方法的工序(7)中,通孔的开口可以通过电镀填满,从而使在稍后工序中形成的通孔的形状为填满的通路形状。
那是因为,如果通孔具有填满的通路的形状,则通孔容易被堆积在上面。
接下来,将描述本发明第十一方面的多层印刷电路板。
本发明第十一方面的多层印刷电路板是这样的多层印刷电路板:它包含基片,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层;还包括在其上作为最外层形成的阻焊剂层,具有:
通过上述层间树脂绝缘层由通孔完成上述导体电路的连接,
其中:
上述通孔中在不同级别层中的通孔彼此堆积;并且
在上述堆积的通孔中,最上层中的通孔在其上形成凹面部分。
在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,堆积不同级别层中的通孔,而且在堆积的通孔中,最上层中的通孔在上表面具有凹面部分,从而与带填满的通路结构的通孔相比(在该带填满的通路结构的通孔中,上表面是扁平的,而且里面被装满,因此容易缓解由于通孔和层间树脂绝缘层的线性膨胀系数差所产生的应力),容易被改变形状。因此,本发明第十一方面的多层印刷电路板,可防止高应力集中在最上层中的通孔之上,而且在层间树脂绝缘层中很少发生由于应力集中引起的断裂,因此可靠性变良好了。
此外,由于通过堆积不同级别层中的通孔,使布线距离变短了,所以可缩短信号传送的时间,还可增加设计导体电路的空间选择,因此处理高密度布线变容易了。
下文中,将参考附图详细描述本发明第十一方面的多层印刷电路板。
图46和图47分别是显示本发明第十一方面多层印刷电路板的一个例子的剖面示意图。
如图46所示,在多层印刷电路板900中,导体电路405和层间树脂绝缘层402被连续地层叠在基片401上,而且插入层间树脂绝缘层402的导体电路405通过通孔互相连接。此外,在最外层中,形成带焊块417的阻焊剂层414。
此外,在多层印刷电路板900中,堆积的通孔407a到407d中,以在上表面形成凹面部分的方式形成在最上层中的通孔407d(第四层中的通孔)。
具有这种凹面部分的最上层中的通孔容易缓解应力,因此,可防止高应力被集中在最上层中的通孔上。因此,由于上述集中所带来的麻烦,即在最上层通孔附近的层间树脂绝缘层中发生的断裂,或者由于断裂造成的层间树脂绝缘层附近的导体电路的分离或断开,很难产生。
形成于上述最上层中通孔上表面的凹面部分深度不作特定地限制,但是最好在5到25um。
如果上述凹面部分的深度小于5um,则在某些情况下,缓解应力的效果不够,另一方面,如果该深度超过了25um,则在通孔中发生断开,或者通孔和层间树脂绝缘层彼此分离,从而在某些情况下将导致可靠性的破坏。
此外,在多层印刷电路板900中,通孔407a到407d在堆积的同时,它们的中心近似彼此重叠。
在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,各个级别层的通孔最好在彼此堆积的同时它们的中心重叠,而且在这种情况下,由于布线距离变短了,所以可缩短信号传送的时间,同时可增加设计导体电路的空间选择,因此处理高密度布线也变容易了。
此外,如图47所示,在本发明的多层印刷电路板1000中,堆积通孔507a到507d以如下的方式形成,最上层中的通孔507d堆积在最上层之下的层中的通孔,同时它们的中心偏离于下层通孔的中心。
因此,在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,同样较佳的是,堆积通孔中至少一个通孔在堆积的同时其中心偏离于剩余通孔的中心,而且剩余通孔在堆积的同时,它们的中心近似互相重叠。
以这种方式,在至少一个通孔在堆积的同时其中心偏离的情况下,由于通孔和层间树脂绝缘层之间的线性膨胀系数差所产生的应力被分散,且高应力很难被集中在一部分堆积通孔上,从而,难以产生由于应力集中所带来的在层间树脂绝缘层中的断裂。
此外,在至少一个通孔在堆积的同时其中心偏离于其它的中心的情况下,其结构并非局限于如多层印刷电路板1000般的情况,其中:只有最上层中的通孔堆积在下层中的通孔上,同时其中心偏离于那些在下层中通孔的中心;并且其它的通孔在堆积的同时,它们的中心近似互相重叠,而且也允许以下的情况:在通孔堆积在四层中的情况下,比如,最上层中的通孔和第三层中的通孔互相堆积,同时它们的中心近似互相重叠,同时,它们被堆积在下层中的通孔之上(第二层中的通孔),同时它们的中心偏离于第二层的通孔的中心,而且第一和第二层的通孔彼此堆积,同时它们的中心近似互相重叠。另外,也允许以下的情况:第二层到第四层的通孔彼此堆积,同时它们的中心近似互相重叠,并且它们在堆积于第一层通孔之上的同时它们的中心偏离于第一层通孔的中心:或者第二到第四通孔中的各个通孔在堆积的同时,它们的中心偏离于各个下层中通孔的中心。
此外,堆积的通孔的层数不受限制,可以是两层或三层和五层或更多层。
顺便提及,在本发明第十和第十一方面的多层印刷电路板中,通孔的中心指的是,通孔平面图中通孔非接合区部分的中心。
此外,在本发明第十和第十一方面的多层印刷电路板中,在通孔在堆积的同时其中心近似重叠的情况下,不仅包括上层和下层中通孔的中心在堆积的同时刚好重叠的情况,还包括上层和下层中通孔的中心在堆积的同时其中心距在5um或更短距离内的情况。
因此,在本发明第十和第十一方面的多层印刷电路板中,通孔在堆积的同时其中心偏离的情况是指,堆积通孔之间的中心距超过5um。
此外,在本说明中,通孔彼此堆积的结构是指,关于上层和下层中的堆积通孔,下层中通孔的上表面(不管是接合区部分还是非接合区部分)以及上层中通孔的底表面被电气连接。
在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,堆积的同时其中心偏离的通孔最好以以下的方式堆积,即下层中通孔的非接合区部分的外轮缘(图47中,如A2所示)以及上层中通孔的底表面(图47中,如B2所示)不重叠。
在下层中通孔的非接合区部分的外轮缘和下层中通孔的底表面被粘在一起从而重叠的情况下,在各个通孔中产生的应力可能会被集中在一部分堆积通孔之上(比如上层中的通孔),而在下层中通孔的非接合区部分的外轮缘和上层中通孔的底表面不重叠的情况下,应力分布在各个通孔中,因此应力很难集中在某些堆积的通孔上,且很难产生由于应力集中所带来的麻烦。
此外,下层中通孔的非接合区部分的外轮缘和上层中通孔的底表面之间的距离(在图47中,如L4所示),在通孔的非接合区部分的直径大约为40到200um的情况下,特别较佳地为5到70um。
那是因为,在该范围内,如上所述,应力几乎不会集中在一部分的堆积通孔上,也可保证设计的空间选择。
接下来,将描述构成本发明第十一方面多层印刷电路板的构成部分。
在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,在一基片上连续地层叠导体电路和层间树脂绝缘层,上述插入各个层间树脂绝缘层的导体电路通过通孔连接,并且在最外层中形成阻焊剂层。
上述基片和上述导体电路的材料包括与所展示的本发明第七方面多层印刷电路板的基片和导体电路的材料类似的材料。同样,在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,可形成带与本发明第七方面多层印刷电路板类似结构的电镀穿通孔以便连接插入基片的导体电路。
此外,在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,可形成穿过上述基片和层间树脂绝缘层的电镀穿通孔。这种电镀穿通孔的形成可以电气连接插入基片和层间树脂绝缘层的导体电路。
此外,如上述的层间树脂绝缘层,可举例说明那些类似于本发明第七方面多层印刷电路板的层间树脂绝缘层。在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,最好是至少最外层的层间树脂绝缘层具有不高于100ppm/℃的线性膨胀系数,而且更加理想的是,所有的层间树脂绝缘层具有不高于100ppm/℃的线性膨胀系数。
在层间树脂绝缘层的线性膨胀系数与刚才描述的一样低的情况下,在层间树脂绝缘层、通孔、基片以及导体电路之间很少产生由于不同线性膨胀系数的差异而产生的应力,因此,层间树脂绝缘层和通孔之间的分离以及层间树脂绝缘层中的断裂很少发生。因此,包含线性膨胀系数在上述范围内的层间树脂绝缘层的多层印刷电路板被提供了良好的可靠性。
另外,上述的线性膨胀系数更加理想地为30到90ppm/℃。如果线性膨胀系数小于30ppm/℃,则刚度太高,比如,在表面被粗糙化的情况下,粗糙化表面的不规则性就不能被保持,而相反如果线性膨胀系数在上述范围内,则抗碎裂性就是良好的而且粗糙化表面的形状维持特性也是良好的。
此外,最好将粒子和橡胶成分添加到上述的层间树脂绝缘层中。
在添加粒子的情况下,可进一步改进层间树脂绝缘层的形状维持特性,而在添加橡胶成分的情况下,由于橡胶成分的灵活性和弹性变形,即使应力会影响层间树脂绝缘层,该应力也可被吸收或缓和。
如上述的例子,无机粒子、树脂粒子以及金属粒子中的至少一种为较佳。
上述的无机粒子、树脂粒子和金属粒子,比如,可应用那些在本发明第十方面的多层印刷电路板中所示例的物质。
此外,类似于上述的导体电路,上述的通孔由诸如Cu、Ni、Pd、C0、W及其合金之类的材料制成,并通过电镀等形成。
此外,在重叠通孔中,在最上层中通孔的上表面形成凹面部分,但是其它通孔的形状不作特别限定,可以是在上表面形成凹面部分的形状或填满的通路形状。
此处,如果除最上层中通孔之外的通孔形状为填满的通路形状,由于上表面是扁平的,因此它们适合于在其上堆积通孔。
顺便提及,在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,不必将不同级别层中的所有通孔制成层叠穿通结构,而且还可以出现在其上无其它通孔堆积的通孔。
顺便提及,将在稍后描述在上表面具有凹面部分的通孔及带填满的通路结构通孔的各个形成方法。
在上述堆积的通孔中,上述堆积通孔中至少一个接合区直径较佳地不同于其它堆积通孔的接合区直径。那是因为,如果堆积的通孔具有这样的结构,则带大接合区直径的通孔起到加固层间树脂绝缘层材料的作用,并因此,提高了层间树脂绝缘层的机械强度,同时在通孔附近的层间树脂绝缘层中几乎不发生断裂。
顺便提及,在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,并不堆积所有不同级别层中的通孔,而且可存在在其上无其它通孔堆积的通孔。
接下来,将描述生产本发明第十一方面多层印刷电路板的方法。
本发明第十一方面的多层印刷电路板可用与生产本发明第七方面多层印刷电路板的相同方法进行生产,除了一点不同,即在最上层通孔的上表面形成凹面部分。
特别地,比如,该生产可用与生产本发明第七方面多层印刷电路板的相同方法进行,除了一点不同,即,在生产本发明第七方面多层印刷电路板方法的工序(7)中,通过适当选择电镀溶剂的合成物从而在上表面形成带凹面部分的电镀层,或者除了一点不同,即,在生产本发明第七方面多层印刷电路板方法的工序(9)中,在最后一次重复工序中的(3)到(8)的时候,即在形成最外层层间树脂绝缘层和最上层通孔的工序中形成电镀层(上述的工序(7))的时候,形成了在上表面具有凹面部分的电镀层。
例如,在使用电解铜电镀溶剂形成电解铜电镀层的情况下,上述电镀层的形成可使用含硫酸、硫酸铜和添加剂的电解铜电镀溶剂来进行。
在使用上述电解铜电镀溶剂中的含诸如特定均化剂和光亮剂之类添加剂的电解铜电镀溶剂的情况中,可形成带扁平上表面的电解铜电镀层。也就是说,对含50到300g/l硫酸铜、30到200g/l硫酸、25到90mg/l氯离子以及包含至少均化剂和光亮剂的1到1000mg/l添加剂的使用可以形成带扁平上表面的电解铜电镀层。
带这种合成物的电解铜电镀溶剂能够完全填填满的通路孔的开口而与以下情况无关:通孔的开口直径;树脂绝缘层的材料和厚度;以及有没有层间树脂绝缘层的粗糙表面。
另外,由于上述的电解铜电镀溶剂含高浓度的铜离子,所以可向通孔的开口提供足够的铜离子,而且对通孔开口的电镀可以40到100um/小时的电镀速度进行,从而获得高速电镀的工序。
此外,上述的电解铜电镀溶剂较佳地含有100到250g/l的硫酸铜、50到150g/l的硫酸、30到70mg/l的氯离子,以及包含至少均化剂和光亮剂的1到600mg/l的添加剂。
此外,在上述的电镀溶剂中,上述的添加剂可包含至少均化剂和光亮剂且可包括其它的合成物。
上述的均化剂包括,比如,聚乙烯、凝胶以及它们衍生物等。
同样,上述的光亮剂包括,比如,氧化硫及其相关的化合物、氢化硫及其相关化合物和其它硫的化合物等。
上述均化剂的混合量较佳为1到1000mg/l,上述光亮剂的混合量较佳为0.1到100mg/l,而两者的混合比较佳为(2∶1)到(10∶1)。
在通过使用这种电解铜电镀溶剂来形成带扁平上表面的电解层的情况中,通过稍后工序形成的通孔的形状变成填满的通路的形状。
顺便提及,在形成在上表面具有凹面部分的电镀层的情况下,比如,可应用常规上已知的电解铜电镀溶剂,即含120到250g/l硫酸、30到100g/l硫酸铜以及多种添加剂等的电解铜电镀溶剂。
此外,在该工序中,在一旦形成了在上表面具有凹面部分的电镀层之后,凹面部分可用含糊剂的导体填充从而形成带扁平上表面的电镀层,或者在一旦形成了在上表面具有凹面部分的电镀层之后,该凹面部分可用树脂填料等填充并进一步在其上形成覆盖电镀层从而形成带扁平上表面的电镀层。
此外,在生产本发明第七方面多层印刷电路板的方法的工序(7)、(8)中,如果形成了穿过基片和层间树脂绝缘层的电镀穿通孔,则可直接在电镀穿通孔的上形成通孔。
实施本发明的最佳方式
下文中,将进一步详述本发明。
(例1)
A.层间树脂绝缘层的树脂膜的生产
在溶解30重量份双酚A型环氧树脂(由YuKa Shell树脂公司制造的环氧当量469、Epikote 1001)、40重量份甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂(由Dainippon墨水及化学有限公司制造的环氧当量215、EpichlonN-673)以及30重量份含三嗪结构的线性酚醛清漆型树脂(由Dainipon墨水和化学公司生产的酚羟基等价物120和Phenolite KA 7052)的同时,在搅拌条件下的20重量份的乙基乙二醇乙酸酯和20重量份的溶剂石脑油中加热,并随后添加15重量份的末端环氧的聚丁二烯橡胶(由Nagase化学公司制造;Denalex R-45EPT)和1.5重量份的2-苯基-4和5-双(羟甲基)咪唑、2重量份微细的二氧化硅以及0.5重量份硅型去泡沫剂以制备环氧树脂合成物。
在向38um厚的PET膜施加所得环氧树脂合成物以便在烘干之后用辊筒将厚度调节至50um之后,将得到的膜在80到120℃干燥10分钟以产生层间树脂绝缘层的树脂膜。
B.树脂填料的制备
将一容器装载100重量份的双酚F型环氧单体(由Yuka Shell Epoxy Co制造的YL983U;分子重量:310)、72重量份的用硅烷耦合剂涂层且平均粒子直径为1.6um最大粒子直径为15um或更小的SiO2球粒(由Admatechs Co.,Ltd制造:CRS 1101-CE)以及1.5重量份的均化剂(由San Nopco Ltd制造的PerenolS4),而且将它们搅拌并混合以制备在25±1℃下30到80Pa.S粘度的树脂填料。
顺便提及,应用6.5重量份的咪唑固化剂(由Shikoku Chemicals Corp制造:2E4MZ-CN)作为固化剂。
C.印刷电路板的生产方法
(1)将由在基片1两侧上均层叠18um厚铜箔8的由0.8mm厚的玻璃环氧树脂或BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂制成的基片1所构成的包铜层板用作起始材料(参考图6(a))。首先,打钻包铜层板以产生孔,随后进行无电镀处理和图案蚀刻以便在基片1和电镀穿通孔9的两面上均产生下层导体电路4(参考图6(b))。
(2)在其中形成电镀穿通孔9和下层导体电路4的基片用水清洗并烘干,随后使用含NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3PO4(6g/l)的水溶液作为黑化液对其进行变黑处理,并使用含NaOH(10g/l)和NaBH4(6g/l)的水溶液作为还原浴对其进行还原处理,从而在包括电镀穿通孔9在内的下层导体电路4的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。
(3)接下来,在制备了在描述B中描述的树脂填料之后,在制备之后的24小时内,通过以下的方法在电镀穿通孔9和基片1的无导体电路形成区域以及下层导体电路4的边缘部分内形成树脂填料。
也就是说,首先,用刮刀将树脂填料推入电镀穿通孔并随后将该树脂填料在100℃的条件下干燥20分钟。接着,在基片上设置具有对应于无导体电路形成区的开口的掩模,并且使用刮刀在无导体电路形成区中形成树脂填料层10’,该树脂填料层为一凹面部分,并将其在100℃的条件下干燥20分钟(参考图6(c))。
(4)刚完成上述处理(3)的基片的一侧通过使用#600带式打磨纸的带式打磨器(由Sankyo Chemical Engneering Co制造)进行打磨,从而不让树脂填料留在下层导体电路4的表面和电镀穿通孔9的接合区表面,随后进行磨光以除去通过上述带式打磨器打磨的擦痕。对基片的另一面以相同的方式进行这一系列打磨步骤。
接着,进行在100℃下进行加热处理1小时,在150℃下进行加热处理1小时以形成树脂填料层10。
以这种方式,形成于电镀穿通孔9和无导体电路形成区域中的树脂填料层10的表层部分和下层导体电路4的表面被制成扁平,且树脂填料层10和下层导体电路4的侧面4a通过粗糙化表面彼此牢牢地粘在一起,同时电镀通孔9的内壁面9a和树脂填料层10通过粗糙化表面彼此牢牢地粘在一起从而得到绝缘基片(参考图6(d))。即,通过该工序,树脂填料层10的表面和下层导体电路的表面处于一个单一的平面中。
(5)在上述的基片用水清洗并用酸脱脂之后进行软蚀刻,随后在基片的两面喷射蚀刻溶液从而蚀刻下层导体电路4的表面和电镀穿通孔9的接合区表面以便在下层导体电路4的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。顺便提及,将含10重量份咪唑铜(II)复合物和7重量份乙醇酸以及5重量份氯化钾的蚀刻溶液(由Meck Co和Meck etch bond制造)用作蚀刻溶液。
(6)下一步,在基片的两个面上设置尺寸稍大于由上述工序A所生产的基片的层间树脂绝缘层的树脂膜,在0.4MPa压力、80℃温度以及10秒的压力连接时间的条件下将该层间树脂绝缘层进行暂时地压力连接并切割,并在此后,通过以下使用真空层压设备的方法进行层叠并紧接着接受热固性处理以形成层间树脂绝缘层2(参考图6(e))。也就是说,在67Pa度真空、0.4MPa压力、80℃温度以及60秒压力连接时间的条件下,通过主压力连接在基片上层叠层间树脂绝缘层的树脂膜,并进一步在170℃接受热固性处理30分钟。
(7)下一步,在4.0mm束直径、顶环模式、8.0us脉冲宽度、1.0mm直径的掩模穿通孔以及一次通过的条件下,通过辐射穿过带穿通孔的1.2mm厚掩模的10.4um波长的CO2气体激光,在层间树脂绝缘层2中,形成80um直径通孔6的开口部分(参考图7(a))。
(8)此外,在其中形成通孔开口6的基片在80℃时被浸入到含60g/l高锰酸的溶液中10分钟,从而溶解并除去出现在层间树脂绝缘层2表面上的环氧树脂粒子,并随后在包括通孔开口6的内壁在内的层间树脂绝缘层2上形成粗糙化表面(未示出)。
(9)接着,经受上述处理的基片被浸入到中和溶液(由Shiplay Co.,Inc制造)中并用水清洗。
此外,向经受表面粗糙化处理(粗糙化深度3um)的基片表面提供钯催化剂(由Atotech Co制造),从而该钯催化剂粘附于层间树脂绝缘层2的表面和通孔开口6的内壁表面。
(10)下一步,将该基片浸入到具有以下合成物的无电铜镀水溶液中以便在整个粗糙化表面上形成厚度为0.6到3.0um的薄膜导电层12(参考图7(b))。
[无电镀溶液]
NiSO4 0.003mol/l
酒石酸 0.200mol/l
硫酸铜 0.030mol/l
HCHO 0.050mol/l
NaOH 0.100mol/l
α,α’-联吡啶 40mg/l
聚乙烯二醇(PEG) 0.10g/l
[无电镀的条件]
在35℃的液体温度下40分钟
(11)接着,将商业化的光敏干膜粘于薄膜导电层12并在其上设置掩模,同时进行100mJ/cm2剂量的曝光和水占0.8%的碳酸钠溶液的显影以形成电镀抗蚀剂3。顺便提及,形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状在平面图中为圆形,而且直径L1为150um(参考图7(c))。
(12)然后,在50℃用水清洗基片以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再次用硫酸清洗,并在此后使基片在以下的条件下经受电解铜电镀以便形成电解铜电镀层13(参考图7(d))。
[电镀溶液]
CuSO4.5H2O 210g/l
硫酸 150g/l
Cl- 40mg/l
聚乙烯二醇 300mg/l
双二硫化物 100mg/l
[电镀的条件]
电流密度 1.0A/dm2
时间 60分钟
温度 25℃
(13)接下来,分离电镀抗蚀剂3并将其在50℃的水40g/1 NaOH溶液中除去。此后,对基片在150℃下进行1小时的加热处理,并使用含水硫酸-过氧化氢溶液的蚀刻溶液,将在电镀抗蚀剂之下的薄膜导电层除去以便形成独立的导体电路和带填满的通路形状的通孔(参考图8(a))。顺便提及,所形成通孔的接合区直径为35um。
(14)重复上述的工序(5)到(11)以便在进一步的上层中形成层间树脂绝缘层2和薄膜导电层12,并在此后,在薄膜导电层12上形成电镀抗蚀剂3。形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状在平面图中为圆形,而且其直径L2为250um(参考图8(b))。
(15)下一步,以与上述工序(12)和(13)相同的方式进行电解铜电镀处理和分离并除去电镀抗蚀剂以及蚀刻薄膜导电层,从而形成单独的导体电路和带填满的通路形状的通孔(参考图8(c)到图9(a))。在该情况下形成的通孔的接合区直径是85um。
(16)接着,重复上述的工序(5)到(11)以便在进一步的上层中形成层间树脂绝缘层2和薄膜导电层12,并在此后,在薄膜导电层12上形成电镀抗蚀剂3。用于形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状在平面中为圆形,且其直径为150um。紧接着,在50℃下用水清洗基片以便使其脱脂,在25℃下用水清洗,用硫酸进一步清洗,并在此后,在以下的条件下使基片经受电解电镀以便在无电镀抗蚀剂3形成的区域上形成电解铜电镀层13。(参考图9(b)到(c))。
[电镀溶剂]
硫酸 2.24mol/l
硫酸铜 0.26mol/l
添加剂 19.5ml/l
(由Atotech日本CO.制造,Cupracid GL)
[电镀的条件]
电流密度 1A/dm2
时间 65分钟
温度 22±2℃
(17)接着,以与上述工序(13)相同的方法,进行分离和除去电镀抗蚀剂3以及蚀刻薄膜导电层从而形成导体电路和通孔。顺便提及,在该工序中形成通孔具有35um的接合区直径以及在其上表面具有凹面部分的形状。另外,在形成于该工序中的通孔和附近的导体电路之间的距离为50um(参考图10(a))。
(18)下一步,在一容器内装载:46.67重量份的被提供光敏性的低聚物(分子量;4000),它通过丙烯酸化50%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂(由Nippon Kayaku有限公司制造)的环氧族得到,在60%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中溶解;溶解在80%重量浓度丁酮中的15.0重量份的双酚A型环氧树脂(商标:由YukaShell Epoxy Co制造);1.6重量份的咪唑固化剂(商标:由Shikoku Chemical公司制造的2E4MZ-CN);3.0重量份的多价丙烯酸单体,它是光敏单体(商标:R604,由Nippon Kayaku有限公司制造);1.5重量份的相似多价丙烯酸单体(商标:由Kyoei Chemical有限公司制造的DPE6A);以及0.71重量份的分散型去泡沫剂(由San Nopco有限公司制造,S-65),它们被搅拌并混合以制备混合的合成物。随后,向混合的合成物添加作为光致聚合引发剂的2.0重量份的苯甲酮(由Kanto化学Co.,Inc.制造)和作为光敏剂的0.2重量份的Michler’s酮,以获得在25℃下调节至具有2.0Pa.s粘度的阻焊剂合成物。
使用B型粘度计(由Tokyo Instruments Co.Ltd制造的DVL-B型)的粘度测量在60/分钟-1(rpm)情况下使用4号转子进行,在6/分钟-1(rpm)情况下使用3号转子进行。
(19)接着,对多层印刷电路板的两面都施加20um厚度的上述阻焊剂合成物,并在70℃条件下干燥20分钟,在70℃下再干燥30分钟,随后将绘制对应于焊点图案的5mm厚遮光膜紧紧地粘附于阻焊剂层,随后再进行1000mJ/cm2剂量的UV射线曝光和用DMTG溶液的显影,以形成80um直径的开口。
此外,通过分别在80℃下1小时、100℃下1小时、120℃下1小时以及150℃下3小时的条件下加热处理来固化阻焊剂层,从而形成具有焊块开口的20um厚的阻焊剂层14。
(20)接下来,将在其上形成阻焊剂层14的基片浸入含过硫酸钠作为主要成分的蚀刻溶液1分钟,以便在导体电路的表面上形成平均粗糙度(Ra)为1um的粗糙化表面(未示出)。
此外,将得到的基片浸入到具有4.5pH值并含氯化镍(2.3×10-1mol/l)、次磷酸钠(2.8×10-1mol/l)以及柠檬酸钠(1.6×10-1mol/l)的无电镍镀溶液中20分钟,从而在开口中形成5um厚的镍镀层15。此外,将得到的基片在80℃的条件下浸入到含氰基金酸钾(7.6×10-3mol/l)、氯化铵(1.9×10-1mol/l)、柠檬酸钠(1.2×10-1mol/l)以及次磷酸钠(1.7×10-1mol/l)的无电金镀液剂中长达7.5分钟,以便在镍镀层15上形成0.03um厚的金镀层16,从而得到焊点。
(21)此后,在阻焊剂层14上设置掩模,并使用活塞式压力注入型打印机在焊块的开口中打印阻焊剂。随后,该阻焊剂在250℃下经受回流并进一步进行冲稀以获得包含焊块的多层印刷电路板(参考图10(b))。
(例2)
多层印刷电路板用与例1相同的方式进行生产,除了一点不同,即在例1的工序(1)到(4)之后,通过以下的方式在电镀穿通孔(包括树脂填料层)上形成覆盖电镀层,并在工序(7)中在覆盖电镀层上形成通孔的开口。
[覆盖电镀层的形成]
在电镀穿通孔和无导体电路形成区中形成树脂填料层,以使每个导体电路的表面(包括电镀穿通孔的接合区部分)以及每个树脂填料层的表面在同一平面,对基片的表面提供钯催化剂(由Atotech日本公司制造),从而使催化剂核粘附于导体电路表面和树脂填料层的表面。
接着,将基片浸入到所含成分与例1中工序(10)中应用的无电镀溶液相同的无电铜电镀水溶液中,以便在整个表面上形成厚度为0.6到3.0um的薄膜导电层。
下一步,使用商业化的光敏干膜在除电镀穿通孔以外的部分形成电镀抗蚀剂。
在50℃下对所得基片用水清洗以使其脱脂,在25℃下用水清洗,并进一步用硫酸清洗,在其后,使该基片在以下的条件下经受电解铜电镀,以便在电镀穿通孔上形成电解铜电镀层。
[电镀溶液]
硫酸 2.24mol/l
硫酸铜 0.26mol/l
添加剂 19.5ml/l
(由Atotech日本公司制造,Cupracid GL)
[电镀的条件]
电流密度 1A/dm2
时间 65分钟
温度 22+2℃
此外,在50℃下在40g/l的NaOH水溶液中分离并除去电镀抗蚀剂,并在随后,使用含水硫酸过氧化氢溶液的蚀刻溶液,除去在电镀抗蚀剂之下的薄膜导电层以便形成覆盖电镀层。
(例3)
用与例1相同的方式生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例1的工序(6)和(7)中,用以下的方式形成具有通孔开口的层间树脂绝缘层。
也就是说,在例1的工序(1)到(5)之后,产生了光敏树脂合成物B(粘度:1.5Pa.s),并通过辊筒在产生后24小时内进行施加,并在水平状态保持20分钟,在60℃下干燥(预烘)30分钟。随后,产生光敏树脂合成物A(粘度:7Pa.s)并用辊筒在产生后的24小时内进行施加,并在水平状态下保持20分钟,在60℃下干燥(预烘)30分钟,以便形成包含两层半固化状态层的树脂层。
接着,将在其上印刷80um直径黑圈的遮光膜紧紧放在具有半固化状态树脂层的基片的两个面上,在使用超高压汞灯进行500mJ/cm2剂量曝光之后,使用DMDG溶液进行喷射显影。在此后,用超高压汞灯使得到的基片进一步接受3000mJ/cm2剂量的曝光并在100℃下进行加热处理1小时、在120℃下加热处理1小时以及在150℃下加热处理3小时,以便形成带80um直径通孔开口的层间树脂绝缘层,这在那些遮光膜的尺寸精确度上是良好的。
光敏树脂合成物A和B通过以下的方式生产。
[光敏树脂合成物A的生产]
(i)将一容器装载35重量份的通过将25%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂的丙烯酸化合物(由Nippon Kayaku有限公司制造;分子量:2500)溶解在80%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中得到的树脂溶液,3.15重量份的光敏单体(由Toagosei化学工业有限公司制造,AronixM315),0.5重量份的去泡沫剂(由SanNopco公司制造,S-65),以及3.6重量份的N-甲基吡咯烷酮(NMP),随后,将它们搅拌并混合以制备混合的合成物。
(ii)将另一容器装载12重量份的聚甲苯基醚砜(PES)、平均粒子大小为1.0um的7.2重量份的环氧树脂粒子(Polymerpol,由Sanyo化学工业有限公司制造)以及平均粒子大小为0.5um的3.09重量份的环氧树脂粒子,并将它们搅拌并混合。随后,再将30重量份的NMP加入到所得到的溶液中,通过珠磨将它们搅拌并混合以制备另一混合的合成物。
(iii)再将另一容器装载2重量份的咪唑固化剂(由Shikoku化学公司制造:2E4MZ-CN)、2重量份的光致聚合作用引发剂(由Chiba Specialty化学公司制造,Irgacure I-907)、0.2重量份的光敏剂(由Nippon Kayaku有限公司制造的DETX-S)以及1.5重量份的NMP,并将它们搅拌并混合以制备混合的合成物。
将(i)、(ii)和(iii)生产的混合合成物进行混合以获得光敏树脂合成物。
[光敏树脂合成物B的生产]
(i)将一容器装载35重量份的通过将25%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂的丙烯酸化合物(由Nippon Kayaku有限公司制造;分子量:2500)溶解在80%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中得到的树脂溶液,4重量份的光敏单体(由Toagosei化学工业有限公司制造,AronixM315),0.5重量份的去泡沫剂(由SanNopco公司制造,S-65),以及3.6重量份的N-甲基吡咯烷酮(NMP),随后,将它们搅拌并混合以制备混合的合成物。
(ii)将另一容器装载12重量份的聚甲苯基醚砜(PES)以及平均粒子大小为0.5um的14.49重量份的环氧树脂粒子(Polymerpol,由Sanyo化学工业有限公司制造),并将它们搅拌并混合。随后,再将30重量份的NMP加入到所得到的溶剂中,通过珠磨(bead mill)将它们搅拌并混合以制备另一混合的合成物。
(iii)再将另一容器装载2重量份的咪唑固化剂(由Shikoku化学公司制造:2E4MZ-CN)、2重量份的光致聚合作用引发剂(由Chiba Specialty化学公司制造,Irgacure I-907)、0.2重量份的光敏剂(由Nippon Kayaku有限公司制造的DETX-S)以及1.5重量份的NMP,并将它们搅拌并混合以制备混合的合成物。
将(i)、(ii)和(iii)生产的混合合成物进行混合以获得光敏树脂合成物。
(例4)
A.层间树脂绝缘层树脂膜的生产以及树脂填料的制备
以与例1相同的方式进行层间树脂绝缘层树脂膜的生产以及树脂填料的生产。
B.印刷电路板的生产
(1)将包含0.8mm厚玻璃环氧树脂或BT树脂的基片以及在绝缘基片21两面上均层叠18um厚铜箔28的包铜层板用作起始材料(参考图11(a))。首先,以下层导电层电路图案对包铜层板进行蚀刻以便在基片的两面上均形成下层导体电路24(参考图11(b))。
(2)在其上形成下层导体电路24的基片用水清洗并烘干,随后使用含NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3PO4(6g/l)的水溶液作为黑化液对其进行变黑处理,并使用含NaOH(10g/l)和NaBH4(6g/l)的水溶液作为还原浴对其进行还原处理,从而在下层导体电路24的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。
(3)接下来,在0.5MPa下通过真空压层叠对在上述A中生产的层间树脂绝缘层的树脂膜进行层叠,同时温度从50增加到150℃以便形成层间树脂绝缘层22(参考图11(c))。
此外,使在其上形成层间树脂绝缘层22的基片21经受钻孔工序以便形成直径为300um的穿通孔39。
(4)下一步,在层间树脂绝缘层上设置带穿通孔的1.2mm厚掩模,并在4.0mm束直径、顶环模式、8.0us脉冲宽度、1.0mm直径的掩模穿通孔以及一次通过的条件下,用10.4um波长的CO2气体激光处理层间树脂绝缘层22,以便形成带80um直径通孔的开口部分26(参考图11(d))。
(5)此外,在其上形成通孔开口部分26的基片在80℃时被浸入到含60g/l高锰酸的溶液中10分钟,从而进行穿通孔39壁面的去涂抹处理并溶解和除去出现在层间树脂绝缘层21表面上的环氧树脂粒子,便形成包括通孔开口部分26的内壁在内的粗糙化表面(未示出)。
(6)接着,经受上述处理的基片被浸入到中和溶液(由Shiplay Co.,Inc制造)中并用水清洗。
此外,向经受表面粗糙化处理(粗糙化深度3um)的基片表面提供钯催化剂,从而使该催化剂核粘附于层间树脂绝缘层22的表面(包括通孔开口部分26的内壁面)以及穿通孔39的壁面(未示出)。也就是说,将上述的基片浸入到含氯化钯(PdCl2)和氯化锡(SnCl2)的催化剂溶液中以沉积钯金属并提供催化剂。
(7)下一步,将该基片在34℃下浸入到无电铜镀水溶液中40分钟,以便在层间树脂绝缘层22(包括通孔开口26的内壁面)的表面和穿通孔39的内壁面形成厚度为0.6到3.0um的薄膜导电层32(参考图11(e))。顺便提及,应用与例1的工序(10)中使用的相同无电铜镀溶液作为无电铜电镀溶液。
(8)接着,将商业化的光敏干膜粘于具有薄膜导电层32的基片,并在其上设置掩模,同时进行100mJ/cm2剂量的曝光和水占0.8%的碳酸钠溶液的显影以形成电镀抗蚀剂23。(参考图12(a))。
(9)然后,在50℃用水清洗基片以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再次用硫酸清洗,并在此后使基片在与例1工序(12)相同的条件下经受电解电镀以便在无电镀抗蚀剂23形成区中形成电解铜电镀层33(参考图12(b))。
(10)接下来,分离电镀抗蚀剂23并将其用5%的KOH除去,此后,使用含硫酸和过氧化氢的蚀刻溶液,对在电镀抗蚀剂23之下的无电镀膜进行蚀刻以形成电镀穿通孔29和导体电路25(包括通孔27)。
(11)接着,将在其中形成电镀穿通孔29的基片30浸入到蚀刻溶液中从而将电镀穿通孔29和导体电路25(包括通孔27)的表面粗糙化。顺便提及,可将由Meck公司制造的Meck蚀刻粘剂用作蚀刻溶液。
(12)下一步,在制备在描述A中描述的树脂填料之后,通过以下的方法,在制备后24小时内,在电镀穿通孔29和无导体电路形成区以及层间树脂绝缘层22上导体电路的边缘部分内形成树脂填料层。
也就是说,首先,用刮刀将树脂填料推入电镀穿通孔并随后将该树脂填料在100℃的条件下干燥20分钟。接着,使用具有对应于无导体电路形成区开口的掩模以及刮刀,在无导体电路形成区中形成树脂填料层,该树脂填料层为一凹面部分,将其在100℃的条件下干燥20分钟。
紧接着,以与上述例1的工序(4)相同的方法,将电镀穿通孔29的表层部分和形成于无导体电路形成区域中的树脂填料层30以及导体电路25的表面制成扁平,从而将每个树脂填料层30和每个导体电路25的表面在同一平面(参考图12(c))。
(13)接着,通过与上述(6)的相同处理对层间树脂绝缘层22的表面和树脂填料层30的裸露表面提供钯催化剂(未示出)。接着,用与(7)中描述的相同条件进行无电镀处理以便在树脂填料层30的裸露表面和导体电路25的上表面形成薄膜导电层32。
(14)下一步,在与上述工序(8)相同的方法中,在薄膜导电层32上形成电镀抗蚀剂23(参考图12(d))。紧接着,在50℃下用水清洗该基片以使其脱脂,并在25℃下用水清洗,再用硫酸清洗,在此后,在下列条件下使该基片经受电解电镀以便在无电镀抗蚀剂23形成区中形成电解铜电镀膜33(参考图13(a))。
[电镀溶液]
硫酸 2.24mol/l
硫酸铜 0.26mol/l
添加剂 19.5ml/l
(由Atotech日本公司制造,Cupracid GL)
[电镀条件]
电流密度 1A/dm2
时间 65分钟
温度 22+2℃
(15)下一步,在用5%KOH分离并除去电镀抗蚀剂33之后,并通过用硫酸和过硫化氢的混合溶液进行蚀刻来溶解并除去电镀抗蚀剂33之下的无电镀膜,从而形成覆盖电镀层31(参考图13(b))。
(16)接着,使用蚀刻溶液(Meck蚀刻粘剂)对覆盖电镀层31的表面进行粗糙化。
(17)重复上述的工序(3)到(11)两次以便形成层间树脂绝缘层22以及在其上层的导体电路25(包括通孔27)(参考图13(c)到图16(a))。顺便提及,在该工序中,无电镀穿通孔形成。考虑到在该工序中形成的电镀抗蚀剂,形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状在平面图中为圆形,且其直径为250um。并且,形成的通孔具有85um的接合区直径和填满的通路的形状。
(18)此外,重复上述的工序(3)到(11),除了一点不同,即在下列条件下进行电镀以便形成层间树脂绝缘层22以及在其上层的导体电路(包括通孔27),并且获得多层印刷电路板(参考图16(b))。顺便提及,在该工序中,无电镀穿通孔形成。
[电镀溶液]
硫酸 2.24mol/l
硫酸铜 0.26mol/l
添加剂 19.5ml/l
(由Atotech日本公司制造,Cupracid GL)
[电解条件]
电流密度 1A/dm2
时间 65分钟
温度 22±2℃
顺便提及,考虑到形成于该工序中的电镀抗蚀剂,形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状在平面图中是圆形,而且其直径为150um。并且,形成的通孔具有35um的接合区直径以及一带凹痕的上表面。此外,在形成的通孔和附近的导体电路之间的距离是50um。
(19)下一步,以与上述例1的工序(18)到(21)中相同的方法获得包含焊块的多层印刷电路板(参考图17)。
(例5)
以与例4中相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即当在例4的工序(17)中重复两次工序(3)到(11)时,形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状被制成在平面中为圆形并具有150um直径。由此,可得到在形成的具有层叠穿通结构的通孔中,在最下层中具有85um接合区直径通孔,在内层和最外层中具有35um接合区直径通孔的多层印刷电路板(参考图18(a))。
(例6)
用与例4相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同:在第一次重复的工序中,用于形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状被制成在平面图中为圆形,且该圆的直径为200um,最大接合区直径为85um;当在例4的工序(17)中重复两次工序(3)到(11)时,在第二次重复的工序中,用于形成通孔的无电镀抗蚀剂形成区的形状被制成在平面图中为圆形,且该圆具有200um的直径,85um的最大接合区直径,而且该最大接合区直径被设置在形成于第一次重复工序中的最大接合区直径的反方向上。
由此,所得的多层印刷电路板,在最下层和内层中形成的具有层叠穿通结构的通孔,其具有的通孔接合区直径,最大为85um,最小为35um,而且在最下层中的通孔的和在内层中的通孔之间的最大接合区直径的方向互相反向(参考图18(b))。
(比较例1)
用与例2相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即该接合区直径在所有具有层叠穿通结构的通孔中都被制成35um。
(比较例2)
用与例4相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即该接合区直径在所有具有层叠穿通结构的通孔中都被制成35um。在对通过例1到例6以及比较例1和2得到的多层印刷电路板的热循环测试之前或之后,进行对带层叠穿通结构通孔的横截面的形状观察和电气连续性的测试。
评价方法
(1)热循环测试
将包含在-65℃下保持3分钟以及在130℃下保持3分钟的步骤循环重复1000次。
(2)电气连续性测试
在生产了多层印刷电路板之后,在上述热循环测试之前和之后使用检验器进行电气连续性的测试,以便从显示在监测器上的结果评价电气连接的状态。
(3)形状的观察
在生产了多层印刷电路板之后,切割该多层印刷电路板以便在上述热循环测试之前和之后穿过具有层叠穿通结构的通孔,并使用100到400放大倍数的光学显微镜观察横截面。
结果,在例1到例6的多层印刷电路板中,在热循环测试之前和之后未发现短路和断路,这显示了良好的电气连接状态。此外,在横截面形状的观察中,未观察到层间树脂绝缘层中断裂的发生和层间树脂绝缘层和通孔之间分离的发生。
另一方面,在比较例1和2的多层印刷电路板中,在热循环测试之后发现了由于短路和断路引起的电气连续的缺陷。在对横截面形状的观察中,发现在最外层中的通孔和电路附近的导体电路之间的无导体电路形成区的较低区域中发生了断裂,而且在层间树脂绝缘层和通孔之间观察到了分离。
(例7)
A.光敏树脂合成物A的制备
(i)将一容器装载35重量份的通过将25%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂的丙烯酸化合物(由Nippon Kayaku有限公司制造;分子量:2500)溶解在80%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中得到的树脂溶液,3.15重量份的光敏单体(由Toagosei化学工业有限公司制造,AronixM315),0.5重量份的去泡沫剂(由SanNopco公司制造,S-65),以及3.6重量份的N-甲基吡咯烷酮(NMP),随后,将它们搅拌并混合以制备混合的合成物。
(ii)将另一容器装载12重量份的聚甲苯基醚砜(PES)、平均粒子大小为1.0um的7.2重量份的环氧树脂粒子(Polymerpol,由Sanyo化学工业有限公司制造)以及平均粒子大小为0.5um的3.09重量份的环氧树脂粒子,并将它们搅拌并混合。随后,再将30重量份的NMP加入到所得到的溶液中,通过珠磨将它们搅拌并混合以制备另一混合的合成物。
(iii)再将另一容器装载2重量份的咪唑固化剂(由Shikoku化学公司制造:2E4MZ-CN)、2重量份的光致聚合作用引发剂(由Chiba Specialty化学公司制造,Irgacure I-907)、0.2重量份的光敏剂(由Nippon Kayaku有限公司制造的DETX-S)以及1.5重量份的NMP,并将它们搅拌并混合以生产混合的合成物。
将(i)、(ii)和(iii)生产的混合合成物进行混合以获得光敏树脂合成物A。
B.光敏树脂合成物B的生产
(i)将一容器装载35重量份的通过将25%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂的丙烯酸化合物(由Nippon Kayaku有限公司制造;分子量:2500)溶解在80%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中得到的树脂溶液,4重量份的光敏单体(由Toagosei化学工业有限公司制造,AronixM315),0.5重量份的去泡沫剂(由SanNopco公司制造,S-65),以及3.6重量份的N-甲基吡咯烷酮(NMP),随后,将它们搅拌并混合以制备混合的合成物。
(ii)将另一容器装载12重量份的聚甲苯基醚砜(PES)以及平均粒子大小为0.5um的14.49重量份的环氧树脂粒子(Polymerpol,由Sanyo化学工业有限公司制造),并将它们搅拌并混合。随后,再将30重量份的NMP加入到所得到的溶液中,通过珠磨(bead mill)将它们搅拌并混合以制备另一混合的合成物。
(iii)再将另一容器装载2重量份的咪唑固化剂(由Shikoku化学公司制造:2E4MZ-CN)、2重量份的光致聚合作用引发剂(由Chiba Specialty化学公司制造,Irgacure I-907)、0.2重量份的光敏剂(由Nippon Kayaku有限公司制造的DETX-S)以及1.5重量份的NMP,并将它们搅拌并混合以制备混合的合成物。
将(i)、(ii)和(iii)生产的混合合成物进行混合以获得光敏树脂合成物B。
C.树脂填料的制备
将一容器装载100重量份的双酚F型环氧树脂单体(由Yuka Shell EpoxyK.K.制造的YL983U;分子重量:310)、72重量份的用硅烷耦合剂涂层且平均粒子直径为1.6um最大粒子直径为15um或更小的SiO2球粒(由Adotex Co.制造的CRS 1101-CE)以及1.5重量份的均化剂(由San Nopco Ltd制造的Perenol S4),而且将它们搅拌并混合以制备在25±1℃下有30到80Pa.S粘度的树脂填料。
顺便提及,应用6.5重量份的咪唑固化剂(由Shikoku Chemicals Corp制造的2E4MZ-CN)作为固化剂。
D.印刷电路板的生产方法
(1)将包含0.8mm厚玻璃环氧树脂或BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂的基片41以及在基片41两面上均层叠的18um厚铜箔48的包铜层板用作起始材料(参考图20(a))。首先,打钻包铜层板以产生孔,随后进行无电镀处理和图案蚀刻以便在基片41和电镀穿通孔49的两面上均形成下层导体电路44(参考图20(b))。
(2)在其上形成电镀穿通孔49和下层导体电路44的基片用水清洗并烘干,随后使用含NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3PO4(6g/l)的水溶液作为黑化液对其进行变黑处理,并使用含NaOH(10g/l)和NaBH4(6g/l)的水溶液作为还原浴对其进行还原处理,从而在包括电镀穿通孔49在内的下层导体电路44的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。
(3)接下来,在制备了在描述C中描述的树脂填料之后,在制备之后的24小时内,通过以下的方法在电镀穿通孔49和基片41的无导体电路形成区域以及下层导体电路44的边缘部分内形成树脂填料。
也就是说,首先,用刮刀将树脂填料推入电镀穿通孔并随后将该树脂填料在100℃的条件下干燥20分钟。接着,在基片上设置具有对应于无导体电路形成区的开口的掩模,并且使用刮刀在无导体电路形成区中形成树脂填料层50’,该树脂填料层为一凹面部分,并将其在100℃的条件下干燥20分钟(参考图20(c))。
(4)经受上述处理(3)的基片的一个面通过使用#600带式打磨纸的带式打磨器(由Sankyo Chemical Rikagaku Co制造)进行打磨,从而不让树脂填料留在下层导体电路44的表面上和电镀穿通孔49的接合区表面,随后进行磨光以除去通过上述带式打磨器打磨的擦痕。对相同基片的另一面以相同的方式进行这一系列打磨步骤。
接着,在100℃下进行加热处理1小时,在150℃下进行加热处理1小时以形成树脂填料层50。
以这种方式,形成于电镀穿通孔49和无导体电路形成区域中的树脂填料层50的表层部分和下层导体电路40的表面被制成扁平,且树脂填料层50和下层导体电路44的侧面44a通过粗糙化表面彼此牢牢地粘在一起,同时电镀穿通孔49的内壁表面49a和树脂填料层50通过粗糙化表面彼此牢牢地粘在一起从而得到绝缘基片(参考图20(d))。即,通过该工序,树脂填料层50的表面和下层导电层40的表面处于同一平面中。
(5)在上述的基片用水清洗并用酸脱脂之后进行软蚀刻,随后在基片的两面喷射蚀刻溶液从而蚀刻下层导电层44的表面和电镀穿通孔49的接合区表面以便在下层导电层44的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。顺便提及,将含10重量份咪唑铜(II)复合物和7重量份乙醇酸以及5重量份氯化钾的蚀刻溶液(由Meck Co和Meck etch制造)用作蚀刻溶液。
(6)接着,将在上述B中制备的光敏树脂合成物B(粘度:1.5Pa.s),通过辊筒在制备后24小时内向基片的两个面进行施加,并在水平状态保持20分钟,在60℃下干燥(预烘)30分钟。随后,将在上述A中产生的光敏树脂合成物A(粘度:7Pa.s)用辊筒在产生后的24小时内进行施加,并在水平状态下保持20分钟,在60℃下干燥(预烘)30分钟,以便形成包含两层半固化状态层的树脂层(参考图20(e))。
(7)接着,将在其上印刷80um直径黑圈的遮光膜紧紧放在具有半固化状态树脂层42a和42b的基片的两个面上,在使用超高压汞灯进行500mJ/cm2剂量曝光之后,使用DMDG溶液进行喷射显影。在此后,用超高压汞灯使得到的基片进一步接受3000mJ/cm2剂量的曝光并在100℃下进行加热处理1小时、在120℃下加热处理1小时以及在150℃下加热处理3小时,以便形成带80um直径通孔开口部分46的层间树脂绝缘层42,这在那些遮光膜的尺寸精确度上是良好的。(参考图21(a))
顺便提及,在该工序中形成的每层树脂绝缘层42的线性膨胀系数都是70ppm/℃。
(8)紧接着,在其上形成通孔开口部分46的基片在80℃时被浸入到含60g/l高锰酸的溶液中10分钟,从而溶解并除去出现在层间树脂绝缘层42表面上的环氧树脂粒子,并随后在包括通孔开口部分46的内壁在内的层间树脂绝缘层42上形成粗糙化表面(未示出)。
(9)接着,经受上述处理的基片被浸入到中和溶液(由Shiplay Co.,Inc制造)中并用水清洗。
此外,向经受表面粗糙化处理(粗糙化深度3um)的基片表面提供钯催化剂(由Atotech日本Co制造),从而该钯催化剂粘附于层间树脂绝缘层42的表面和通孔开口部分46的内壁面。
(10)下一步,将该基片浸入到具有以下合成物的无电铜镀水溶液中以便在整个粗糙化表面上形成厚度为0.6到3.0um的薄膜导电层52(参考图21(b))。
[无电镀溶液]
NiSO4 0.003mol/l
酒石酸 0.200mol/l
硫酸铜 0.030mol/l
HCHO 0.050mol/l
NaOH 0.100mol/l
a,α’-联吡啶 40mg/l
聚乙烯二醇(PEG) 0.10g/l
[无电镀的条件]
在35℃的液体温度下40分钟
(11)接着,将商业化的光敏干膜粘于薄膜导电层52并在其上设置掩模,同时进行100mJ/cm2剂量的曝光和水占0.8%的碳酸钠溶液的显影以形成电镀抗蚀剂43(参考图21(c))。
(12)然后,在50℃用水清洗基片以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再次用硫酸清洗,并在此后使基片在以下的条件下经受电解铜电镀以便形成电解铜电镀层53(参考图21(d))。
[电镀溶液]
CuSO4.5H2O 210g/l
硫酸 150g/l
Cl- 40mg/l
聚乙烯二醇 300mg/l
双二硫化物 100mg/l
[电镀的条件]
电流密度 1.0A/dm2
时间 60分钟
温度 25℃
(13)接下来,分离电镀抗蚀剂43并将其在50℃的水40g/l NaOH溶液中除去。此后,对基片在150℃下进行1小时的加热处理,并使用含水硫酸-过氧化氢溶液的蚀刻溶液,将在电镀抗蚀剂之下的薄膜导电层除去以便形成独立的导体电路45和带填满的通路形状的通孔47(参考图22(a))。
(14)重复上述的工序(5)到(11)以便在进一步的上层中形成层间树脂绝缘层42和薄膜导电层52,并在此后,在薄膜导电层52上形成电镀抗蚀剂43(参考图22(b))。顺便提及,在该工序中形成的层间树脂绝缘层42的线性膨胀系数为70ppm/℃。
(15)下一步,以与上述工序(12)和(13)相同的方式进行电解铜电镀处理和分离并除去电镀抗蚀剂以及蚀刻薄膜导电层,从而形成单独的导体电路和带填满的通路形状的通孔(参考图22(c)到图23(a))。
(16)接着,重复上述的工序(5)到(11)以便在进一步的上层中形成层间树脂绝缘层42和薄膜导电层52,并在此后,在薄膜导电层52上形成电镀抗蚀剂43。顺便提及,在该工序中形成的层间树脂绝缘层42的线性膨胀系数为70ppm/℃(参考图23(b))。
(17)接着,以与上述工序(12)和(13)相同的方法,进行电解铜电镀处理、分离和除去电镀抗蚀剂43以及蚀刻薄膜导电层,从而形成独立的导体电路和填满的通路形状的通孔。(参考图23(c)到图24(a))。
(18)下一步,在一容器内装载:46.67重量份的被提供光敏性的低聚物(分子量;4000),它通过丙烯酸化50%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂(由Nippon Kayaku有限公司制造)的环氧族得到,在60%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中溶解;溶解在80%重量浓度丁酮中的15.0重量份的双酚A型环氧树脂(商标:由YukaShell Epoxy Co制造的Epikote1001);1.6重量份的咪唑固化剂(商标:由Shikoku Chemical公司制造的2E4MZ-CN);3.0重量份的多价丙烯酸单体,它是光敏单体(商标:R604,由Nippon Kayaku有限公司制造);1.5重量份的相似多价丙烯酸单体(商标:由Kyoei Chemical有限公司制造的DPE6A);以及0.71重量份的分散型去泡沫剂(由San Nopco有限公司制造,S-65),它们被搅拌并混合以制备混合的合成物。随后,向混合的合成物添加作为光致聚合引发剂的2.0重量份的苯甲酮(由Kanto化学Co.,Inc.制造)和作为光敏剂的0.2重量份的Michler’s酮,以获得在25℃下调节至具有2.0Pa.s粘度的阻焊剂合成物。使用B型粘度计(由Tokyo Instruments Co.Ltd制造的DVL-B型)的粘度测量在60/分钟-1(rpm)情况下使用4号转子进行,在4.6/分钟-1(rpm)情况下使用3号转子进行。
(19)接着,对多层印刷电路板的两个面都施加20um厚度的上述阻焊剂合成物,并在70℃条件下干燥20分钟,在70℃下再干燥30分钟,随后将绘制对应于焊点图案的5mm厚遮光膜紧紧地粘附于阻焊剂层,随后再进行1000mJ/cm2剂量的UV射线曝光和带DMTG溶液的显影,以形成80um直径的开口。
此外,通过分别在80℃下1小时、100℃下1小时、120℃下1小时以及150℃下3小时的条件下加热处理来固化阻焊剂层,从而形成具有焊块开口的20um厚的阻焊剂层54。
(20)接下来,将在其上形成阻焊剂层54的基片浸入含过硫酸钠作为主要成分的蚀刻溶液长度1分钟,以便在导体电路的表面上形成平均粗糙度(Ra)为1um或更小的粗糙化表面(未示出)。
此外,将得到的基片浸入到具有4.5pH值并含氯化镍(2.3×10-1mol/l)、次磷酸钠(2.8×10-1mol/l)以及柠檬酸钠(1.6×10-1mol/l)的无电镍镀溶液中20分钟,从而在开口中形成5um厚的镍镀层15。此外,将得到的基片在80℃的条件下浸入到含氰基金酸钾(7.6×10-3mol/l)、氯化铵(1.9×10-1mol/l)、柠檬酸钠(1.2×10-1mol/l)以及次磷酸钠(1.7×10-1mol/l)的无电金镀溶液中长达7.5分钟,以便在镍镀层55上形成0.03um厚的金镀层56,并形成焊点。
(21)此后,在阻焊剂层54上设置掩模,并使用活塞式压力注入型打印机在焊块的开口中打印阻焊剂。随后,该阻焊剂在250℃下经受回流并进一步进行冲洗以获得包含焊块的多层印刷电路板(参考图24(b))。
(例8)
A.层间树脂绝缘层的树脂膜a(内层)的生产
在溶解30重量份双酚A型环氧树脂(由YuKa Sell树脂K.K制造的环氧当量469、Epikote1001)、40重量份甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂(由Dainippon墨水及化学有限公司制造的环氧当量215、EpichlonN-673)以及30重量份含三嗪结构的线性酚醛清漆型树脂(由Dainippon墨水和化学公司生产的酚羟基等价物120和Phenolite KA-7052)的同时,在搅拌条件下的20重量份的乙基乙二醇乙酸酯和20重量份的溶液石脑油中加热,并随后添加15重量份的末端环氧的聚丁二烯橡胶(由Nagase化学公司;Denalex R-45EPT制造)和1.5重量份的2-苯基-4和5-双(羟甲基)咪唑、2重量份微细的二氧化硅以及0.5重量份硅型去泡沫剂以制备环氧树脂合成物。
在向38um厚的PET膜施加所得环氧树脂合成物以便在烘干之后用辊筒将厚度调节至50um之后,将得到的膜在80到120℃干燥10分钟以产生层间树脂绝缘层的树脂膜。
B.层间树脂绝缘层树脂膜b(最外层)的生产
用与上述A相同的方法生产层间树脂绝缘层的树脂膜b(最外层),除了一点不同,即末端环氧的聚丁二烯的添加量被改成12重量份,微细的二氧化硅的添加量被改为4重量份。
C.树脂填料的制备
用与例7相同的方法制备树脂填料。
D.多层印刷电路板的生产
(1)将由0.8mm厚玻璃环氧树脂或BT树脂制成的绝缘基片61(并且在该绝缘基片61的两面上均层叠18um厚铜箔68)构成的包铜层板用作起始材料(参考图25(a))。首先,以下层导电层电路图案对包铜层板进行蚀刻以便在基片的两面上均形成下层导电层64(参考图25(b))。
(2)在其上形成下层导体电路64的基片61用水清洗并烘干,随后使用含NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3PO4(6g/l)的水溶液作为黑化液(氧化液)对其进行变黑处理,并使用含NaOH(10g/l)和NaBH4(6g/l)的水溶液作为还原浴对其进行还原处理,从而在下层导体电路64的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。
(3)接下来,在0.5MPa下通过真空压层叠对在上述A中生产的层间树脂绝缘层的树脂膜进行层叠,同时温度从50增加到150℃以便形成层间树脂绝缘层62(参考图25(c))。另外,在该工序中形成的层间树脂绝缘层62的线性膨胀系数为112ppm/℃。
此外,在基片61上形成具有300um直径的穿通孔79,具有层间树脂绝缘层62的基片61通过钻孔形成。
(4)下一步,在层间树脂绝缘层62上设置带穿通孔的1.2mm厚的掩模,并在4.0mm束直径、顶环模式、8.0us脉冲宽度、1.0mm直径的掩模穿通孔以及一次通过的条件下,用10.4um波长的CO2气体激光在层间树脂绝缘层62上形成带80um直径的通孔开口部分66(参考图25(d))。
(5)此外,在其上形成通孔开口66的基片在80℃时被浸入到含60g/l高锰酸的溶液中10分钟,从而进行穿通孔79壁面的去涂抹处理并溶解和除去出现在层间树脂绝缘层62表面上的环氧树脂粒子,便形成包括表面上通孔开口66的内壁在内的粗糙化表面(未示出)。
(6)接着,经受上述处理的基片被浸入到中和溶液(由Shiplay Co.,Inc制造)中并用水清洗。
此外,向经受表面粗糙化处理(粗糙化深度3um)的基片表面提供钯催化剂,从而使该催化剂核粘附于层间树脂绝缘层62的表面(包括通孔开口66的内壁面)以及穿通孔79的壁面(未示出)。也就是说,将上述的基片浸入到含氯化钯(PdCl2)和氯化锡(SnCl2)的催化剂溶液中以沉积钯金属并提供催化剂。
(7)下一步,将该基片在34℃下浸入到无电铜镀水溶液中40分钟,以便在层间树脂绝缘层62(包括通孔开口66的内壁面)的表面和穿通孔79的内壁面形成厚度为0.6到3.0um的薄膜导电层72(参考图25(e))。顺便提及,应用与例7的工序(10)中使用的相同无电铜镀溶液作为无电铜镀溶液。
(8)接着,将商业化的光敏干膜粘于具有薄膜导电层72的基片,并在其上设置掩模,同时进行100mJ/cm2剂量的曝光和水占0.8%的碳酸钠溶液的显影以形成电镀抗蚀剂63。(参考图26(a))。
(9)然后,在50℃用水清洗基片以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再用硫酸清洗,并在此后使基片在与例7工序(12)相同的条件下经受电解电镀以便在无电镀抗蚀剂63形成区中形成电解铜电镀膜73(参考图26(b))。
(10)接下来,分离电镀抗蚀剂63并将其用5%的KOH除去,此后,使用含硫酸和过氧化氢的蚀刻溶液,对在电镀抗蚀剂63之下的无电镀膜进行蚀刻以形成电镀穿通孔69和导体电路65(包括通孔67)。
(11)接着,将在其中形成电镀穿通孔69的基片70浸入到蚀刻溶液中从而在电镀穿通孔69和导体电路65(包括通孔67)的表面形成粗糙化表面(未示出)。顺便提及,可将由Meck公司制造的Meck蚀刻粘剂用作蚀刻溶液。
(12)下一步,在制备在描述C中描述的树脂填料之后,通过以下的方法,在制备后24小时内,在电镀穿通孔69和无导体电路形成区以及层间树脂绝缘层62上导体电路65的边缘部分内形成树脂填料层。
也就是说,首先,用刮刀将树脂填料推入电镀穿通孔并随后将该树脂填料在100℃的条件下干燥20分钟。接着,使用具有对应于无导体电路形成区开口的掩模以及刮刀,在无导体电路形成区中形成树脂填料层,该树脂填料层为一凹面部分,将其在100℃的条件下干燥20分钟。
紧接着,以与上述例7的工序(4)相同的方法,将形成于电镀穿通孔和无导体电路形成区内的树脂填料层的表层部分以及导体电路65的表面制成扁平,从而通过加热处理使每个树脂填料层70和每个导体电路65的表面在同一平面(参考图26(c))。
(13)接着,通过与上述(6)的相同处理向层间树脂绝缘层62的表面和树脂填料层70的裸露表面提供钯催化剂。接着,用与上述(7)中描述的相同条件进行无电镀处理以便在树脂填料层70的裸露表面和导体电路65的上表面形成薄膜导电层72。
(14)下一步,在与上述工序(8)相同的方法中,在薄膜导电层72上形成电镀抗蚀剂63(参考图26(d))。紧接着,在50℃下用水清洗该基片以使其脱脂,并在25℃下用水清洗,再用硫酸清洗,在此后,在下列条件下使该基片经受电解电镀以便在无电镀抗蚀剂63形成区中形成电解铜电镀膜73(参考图27(a))。
[电镀溶液]
硫酸 2.24mol/l
硫酸铜 0.26mol/l
添加剂 19.5ml/l
(由Atotech日本公司制造,Cupracid GL)
[电镀条件]
电流密度 1A/dm2
时间 65分钟
温度 22+2℃
(15)下一步,在用5%KOH分离并除去电镀抗蚀剂73之后,通过用硫酸和过硫化氢的混合溶液进行蚀刻来溶解并除去电镀抗蚀剂73之下的无电镀膜,从而形成覆盖电镀层71(参考图27(b))。
(16)接着,使用蚀刻溶液(Meck蚀刻粘剂)对覆盖电镀层71的表面进行粗糙化。
(17)重复上述的工序(3)到(11)两次以便形成层间树脂绝缘层62以及在其上层的导体电路65(包括通孔67)(参考图27(c)到图30(a))。顺便提及,在该工序中形成的层间树脂绝缘层62的线性膨胀系数为112ppm/℃。
同样,在该工序中,无电镀穿通孔形成。
(18)此外,再次重复上述的工序(3)到(11)以便在最外层和导体电路65中形成层间树脂绝缘层62a,从而获得多层印刷电路板(参考图30(b))。顺便提及,此处,代替层间树脂绝缘层的树脂膜a,对层间树脂绝缘层使用了在上述B中生产的树脂膜b,而且在该工序中形成的在最外层中的层间树脂绝缘层62a的线性膨胀系数为60ppm/℃。顺便提及,在该工序中,无电镀穿通孔形成。
(19)下一步,以与上述例7的工序(18)到(21)中相同的方法获得包含焊块的多层印刷电路板(参考图31)。
(例9)
用例8相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在工序(3)和(17)中树脂膜粘附的时候使用在例8的B中产生的层间树脂绝缘层的树脂膜b来代替在例8的A中产生的层间树脂绝缘层的树脂膜a。
因此,在本例中产生的多层印刷电路板中,所有的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数都是60ppm/℃。
(例10)
用与例8相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即用以下方法生产的层间树脂绝缘层的树脂膜c来代替在例8工序(18)中的层间树脂绝缘层的树脂膜b。在本例中生产的多层印刷电路板中,最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数都是100ppm/℃。
层间树脂绝缘层树脂膜c(最外层)的生产
用与例8的A相同的方法(树脂膜a的生产)生产层间树脂绝缘层的树脂膜c,除了一点不同,即添加粒子直径为0.5um的10重量份的环氧树脂粒子代替2重量份的微细二氧化硅。
(例11)
用与例8相同的方式来生产多层印刷电路板,除了一点不同,即用通过以下方法生产的多层印刷电路板的树脂膜d来代替例8工序(18)中层间树脂绝缘层的树脂膜b。顺便提及,在本例的多层印刷电路板中,最外层中的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为30ppm/℃。
层间树脂绝缘层的树脂膜d的生产(最外层)
用与例8的A相同的方法(层间树脂绝缘层的树脂膜a的生产)来生产层间树脂绝缘层的树脂膜d,除了一点不同,即微细二氧化硅的添加量被改为8重量份。
(例12)
用与例2的相同方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即使用通过以下方法生产的层间树脂绝缘层的树脂膜e来代替例8工序(18)中层间树脂绝缘层的树脂膜b。顺便提及,在本例中生产的多层印刷电路板中,最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为90ppm/℃。
层间树脂绝缘层的树脂膜e(最外层)的生产
用与例8的A相同的方式(层间树脂绝缘层的树脂膜a的生产)生产层间树脂绝缘层的树脂膜e,除了一点不同,即微细二氧化硅的添加量被变为3重量份。
关于在例7到12中获得的多层印刷电路板,在热循环测试以前和以后进行对层间树脂绝缘层的形状的观察、对带层叠穿通结构通孔的横截面的观察以及对电气连续性的测试。
结果,在例7到12的多层印刷电路板中,在热循环测试进行前和后未发现短路和断路,这表明其良好的电气连接状态。此外,在对横截面形状的观察中,没有观察到在包括最外层的层间树脂绝缘层在内的所有层间树脂绝缘层中断裂的发生以及层间树脂绝缘层和通孔的分离的发生。
(例13)
A.光敏树脂合成物A的制备
用与例7相同的方法制备光敏树脂合成物A。
B.光敏树脂合成物B的制备
用与例7相同的方法制备光敏树脂合成物B。
C.树脂填料的制备
用与例7相同的方法制备树脂填料。
D.生产印刷电路板的方法
(1)将由在基片81两面上均层叠18um厚铜箔88的由0.8mm厚玻璃环氧树脂或BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂制成的基片81所有构成的包铜层板用作起始材料(参考图34(a))。首先,打钻包铜层板以产生孔,随后进行无电镀处理和图案蚀刻以便在基片81和电镀穿通孔89的两面上均形成下层导电层84(参考图34(b))。
(2)将在其上形成电镀穿通孔89和下层导电层84的基片用水清洗并烘干,随后使用含NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3PO4(6g/l)的水溶液作为黑化液(氧化剂)对其进行变黑处理,并使用含NaOH(10g/l)和NaBH4(6g/l)的水溶液作为还原浴对其进行还原处理,从而在包括电镀穿通孔89在内的下层导电层84的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。
(3)接下来,在制备了在上述C中描述的树脂填料之后,在制备之后的24小时内,通过以下的方法在电镀穿通孔89内和基片81的无导体电路形成区域以及下层导电层84的边缘部分内形成树脂填料层90’。
也就是说,首先,用刮刀将树脂填料推入电镀穿通孔并随后将该树脂填料在100℃的条件下干燥20分钟。接着,在基片上设置具有对应于无导体电路形成区的开口的掩模,并且在无导体电路形成区中形成树脂填料层90’,该树脂填料层为一凹面部分,使用刮刀并将其在100℃的条件下干燥20分钟(参考图34(c))。
(4)经受上述处理(3)的基片的一个面通过使用#600带式打磨纸的带式打磨器(由Sankyo Rikagaku Co制造)进行打磨,从而不让树脂填料留在下层导电层84的表面上和电镀穿通孔89的接合区表面,随后进行磨光以除去通过上述带式打磨器打磨的擦痕。对基片的另一面以相同的方式进行这一系列打磨步骤。
接着,在100℃下进行加热处理1小时,在150℃下进行加热处理1小时以形成树脂填料层90。
以这种方式,形成于电镀穿通孔9和无导体电路形成区域中的树脂填料层90的表层部分和下层导电层84的表面被制成扁平,且树脂填料层90和下层导电层84的侧面84a通过粗糙化表面彼此牢牢地粘在一起,同时电镀穿通孔89的内壁表面89a和树脂填料层90通过粗糙化表面彼此牢牢地粘在一起从而得到绝缘基片(参考图34(d))。即,通过该工序,树脂填料层90的表面和下层导电层80的表面处于同一平面中。
(5)在上述的基片用水清洗并用酸脱脂之后进行软蚀刻,随后在基片的两面喷射蚀刻溶液从而蚀刻下层导电层84的表面和电镀穿通孔89的接合区表面以便在下层导电层84的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。顺便提及,将含10重量份咪唑铜(II)复合物和7重量份乙醇酸以及5重量份氯化钾的蚀刻溶液(由Meck Co制造;Meck etch粘剂)用作蚀刻溶液。
(6)接着,将在上述B中制备的光敏树脂合成物B(粘度:1.5Pa.s),通过辊筒在制备后24小时内向基片的两个面进行施加,并在水平状态下保持20分钟,在60℃下干燥(预烘)30分钟。随后,将在上述A中产生的光敏树脂合成物A(粘度:7Pa.s)用辊筒在产生后的24小时内进行施加,并在水平状态下保持20分钟,在60℃下干燥(预烘)30分钟,以便形成包含两层半固化状态层82a和82b的树脂层(参考图34(e))。
(7)接着,将在其上印刷80um直径黑圈的遮光膜紧紧放在具有半固化状态树脂层82a和82b的基片的两个面上,在使用超高压汞灯进行500mJ/cm2剂量曝光之后,使用DMDG溶液进行喷射显影。在此后,用超高压汞灯使得到的基片进一步接受3000mJ/cm2剂量的曝光并在100℃下进行加热处理1小时、在120℃下加热处理1小时以及在150℃下加热处理3小时,以便形成包含2层的层间树脂绝缘层82,这2层具有尺寸精确的对应于遮光膜上通孔的80um直径的通孔开口86(参考图35(a))。
(8)此外,将在其上形成通孔开口86的基片在80℃时被浸入到含60g/l高锰酸的溶液中10分钟,从而溶解并除去出现在层间树脂绝缘层82表面上的环氧树脂粒子,该层间树脂绝缘层82的表面将成为包括通孔开口部分86的内壁在内的层间树脂绝缘层82的粗糙化表面(未示出)。
(9)接着,经受上述处理的基片被浸入到中和溶液(由Shiplay Co.,Inc制造)中并用水清洗。
此外,向经受表面粗糙化处理(粗糙化深度3um)的基片表面提供钯催化剂(由Atotech日本Co制造),从而该催化剂核粘附于层间树脂绝缘层82的表面和通孔开口86的内壁面。
(10)下一步,将该基片浸入到具有以下合成物的无电铜镀水溶液中以便在整个粗糙化表面上形成厚度为0.6到3.0um的薄膜导电层92(参考图35(b))。
[无电镀溶液]
NiSO4 0.003mol/l
酒石酸 0.200mol/l
硫酸铜 0.030mol/l
HCHO 0.050mol/l
NaOH 0.100mol/l
α,α’-联吡啶 40mg/l
聚乙烯二醇(PEG) 0.10g/l
[无电镀的条件]
在35℃的液体温度下40分钟
(11)接着,将商业化的光敏干膜粘于薄膜导电层92并在其上设置掩模,同时进行100m5/cm2剂量的曝光和水占0.8%的碳酸钠溶液的显影以形成电镀抗蚀剂83(参考图35(c))。
(12)然后,在50℃用水清洗基片以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再用硫酸清洗,并在此后使基片在以下的条件下经受电解铜电镀以便形成电解铜电镀层93(参考图35(d))。
[电镀溶液]
CuSO4.5H2O 210g/l
硫酸 150g/l
Cl- 40mg/l
聚乙烯二醇 300mg/l
双二硫化物 100mg/l
[电镀的条件]
电流密度 1.0A/dm2
时间 60分钟
温度 25℃
(13)接下来,分离电镀抗蚀剂83并将其在50℃的水40g/l NaOH溶液中除去。此后,对基片在150℃下进行1小时的加热处理,并使用含水硫酸-过氧化氢溶液的蚀刻溶液,将在电镀抗蚀剂之下的薄膜导电层除去以便形成独立的导体电路85和带填满的通路形状的通孔87(参考图36(a))。顺便提及,在该工序中形成的通孔87的非接合区部分的直径(在图36(a)中,如d所示)为80um。
(14)下一步,重复上述的工序(5)到(13)以便在进一步的上层中形成层间树脂绝缘层82和薄膜导体电路85,并从而形成了独立的导体电路85和带填满的通路形状的通孔87。(参考图36(b)到37(a))。
在该工序中,可调节通孔开口的形成位置,从而在堆积通孔的同时使它们的中心近似互相重叠。
(15)此外,重复上述的工序(5)到(13)以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层82、独立的导体电路85以及带填满的通路形状的通孔87(参考图37(b)到图37(c))。
在该工序中,可调节通孔开口的形成位置,从而在堆积通孔的同时可使它们的中心与下层中的中心偏离。顺便提及,形成于该工序中的通孔(第三层中的通孔)的底表面的外轮缘和下层中通孔(第二层中的通孔)的非接合区部分的外轮缘之间的距离为5um。
(16)此外,再次重复上述的工序(5)到(13)以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层82、独立的导体电路85和带填满的通路形状的通孔87(参考图38(a))。
在该工序中,调节通孔开口的形成位置,从而在堆积通孔的同时,使其中心与下层中的通孔近似重叠。
(17)下一步,在一容器内装载:46.67重量份的被提供光敏性的低聚物(分子量;4000),它通过丙烯酸化50%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂(由Nippon Kayaku有限公司制造)的环氧族得到,在60%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中溶解;溶解在80%重量浓度丁酮中的15.0重量份的双酚A型环氧树脂(商标:由YukaShell Epoxy Co制造的Epikote1001);1.6重量份的咪唑固化剂(商标:由Shikoku Chemical公司制造的2E4MZ-CN);3.0重量份的多价丙烯酸单体,它是光敏单体(商标:R604,由Nippon Kayaku有限公司制造);1.5重量份的相似多价丙烯酸单体(商标:由Kyoei Chemical有限公司制造的DPE6A);以及0.71重量份的分散型去泡沫剂(由San Nopco有限公司制造,S-65),它们被搅拌并混合以制备混合的合成物。随后,向混合的合成物添加作为光致聚合引发剂的2.0重量份的苯甲酮(由Kanto化学Co.,Inc.制造)和作为光敏剂的0.2重量份的Michler’s酮,以获得在25℃下具有2.0Pa.s粘度的阻焊剂合成物。顺便提及,使用B型粘度计(由Tokyo Instruments Co.Ltd制造的DVL-B型)的粘度测量在60/分钟-1(rpm)情况下使用4号转子进行,在4.6/分钟-1(rpm)情况下使用3号转子进行。
(18)接着,对多层印刷电路板的两个面都施加20um厚度的上述阻焊剂合成物,并在70℃条件下干燥20分钟,在70℃下再干燥30分钟,随后将绘制对应于焊点图案的5mm厚遮光膜紧紧地粘附于阻焊剂层,随后再进行1000mJ/cm2剂量的UV射线曝光和带DMTG溶液的显影,以形成80um直径的开口。
此外,通过分别在80℃下1小时、100℃下1小时、120℃下1小时以及150℃下3小时的条件下加热处理来固化阻焊剂层,从而形成具有焊块开口的20um厚的阻焊剂层14。
(19)接下来,将具有阻焊剂层94的基片浸入含过硫酸钠作为主要成分的蚀刻溶液1分钟,以便在导体电路的表面上形成平均粗糙度(Ra)为1um或更小的粗糙化表面(未示出)。
此外,将得到的基片浸入到具有4.5pH值并含氯化镍(2.3×10-1mol/l)、次磷酸钠(2.8×10-1mol/l)以及柠檬酸钠(1.6×10-1mol/l)的无电镍镀溶液中20分钟,从而在开口中形成5um厚的镍电镀层95。此外,将得到的基片在80℃的条件下浸入到含氰基金酸钾(7.6×10-3mol/l)、氯化铵(1.9×10-1mol/l)、柠檬酸钠(1.2×10-1mol/l)以及次磷酸钠(1.7×10-1mol/l)的无电金镀溶液中长达7.5分钟,以便在镍镀层55上形成0.03um厚的金镀层56,并形成焊点。
(20)此后,在阻焊剂层94上设置掩模,并使用活塞式压力注入型打印机在焊块的开口中打印阻焊剂。随后,该阻焊剂在250℃下经受回流并进一步进行冲洗以获得包含焊块97的多层印刷电路板(参考图38(b))。
顺便提及,在本例中生产的多层印刷电路板的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为70ppm/℃。
(例14)
A.层间树脂绝缘层的树脂膜的生产
在溶解30重量份双酚A型环氧树脂(由YuKa Sell环氧K.K制造的环氧当量469、Epikote1001)、40重量份甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂(由Dainippon墨水及化学有限公司制造的环氧当量215、EpichlonN-673)以及30重量份含三嗪结构的线性酚醛清漆型树脂(由Dainippon墨水和化学公司生产的酚羟基等价物120和Phenolite KA-7052)的同时,在搅拌条件下的20重量份的乙基乙二醇乙酸酯和20重量份的溶液石脑油中加热,并随后添加12重量份的末端环氧的聚丁二烯橡胶(由Nagase化学公司制造的Denalex R-45EPT)和1.5重量份的2-苯基-4和5-双(羟甲基)咪唑、2重量份微细二氧化硅以及0.5重量份硅型去泡沫剂以制备环氧树脂合成物。
在向38um厚的PET膜施加所得环氧树脂合成物以便在烘干之后用辊筒将厚度调节至50um之后,将得到的膜在80到120℃干燥10分钟以产生层间树脂绝缘层的树脂膜。
B.树脂填料的生产
用与例7相同的方法生产树脂填料。
C.多层印刷电路板的生产
(1)将由0.8mm厚玻璃环氧树脂或BT树脂制成的绝缘基片121(并且在该绝缘基片121的两面上均层叠18um厚铜箔128)构成的包铜层板用作起始材料(参考图39(a))。首先,对包铜层板进行图案蚀刻以便在基片的两面上均形成下层导电层124(参考图39(b))。
(2)在其中形成下层导电层124的基片121用水清洗并烘干,随后使用含NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、Na3PO4(6g/l)的水溶液作为黑化液(氧化液)对其进行变黑处理,并使用含NaOH(10g/l)和NaBH4(6g/l)的水溶液作为还原浴对其进行还原处理,从而在下层导电层124的整个表面上形成粗糙化表面(未示出)。
(3)接下来,在0.5MPa下通过真空压对在上述A中生产的层间树脂绝缘层的树脂膜进行层叠,同时温度从50增加到150℃以便形成层间树脂绝缘层122(参考图39(c))。
此外,在具有层间树脂绝缘层122的基片121上通过钻孔形成具有300um直径的穿通孔139。
(4)下一步,在层间树脂绝缘层122上设置带穿通孔的1.2mm厚的掩模,并在4.0mm束直径、顶环模式、8.0us脉冲宽度、1.0mm直径的掩模穿通孔以及一次通过的条件下,用10.4um波长的CO2气体激光形成带80um直径的通孔开口126(参考图39(d))。
(5)此外,在其中形成通孔开口126的基片在80℃时被浸入到含60g/l高锰酸的溶液中10分钟,从而进行穿通孔139壁面的去涂抹处理并溶解和除去出现在层间树脂绝缘层122表面上的环氧树脂粒子,便形成包括通孔开口126的内壁在内的粗糙化表面(未示出)。
(6)接着,经受上述处理的基片被浸入到中和溶液(由Shiplay Co.,Inc制造)中并用水清洗。
此外,向经受表面粗糙化处理(粗糙化深度3um)的基片表面提供钯催化剂,从而使该催化剂核粘附于层间树脂绝缘层122的表面(包括通孔开口126的内壁面)以及穿通孔139的壁面(未示出)。也就是说,将上述的基片浸入到含氯化钯(PdCl2)和氯化锡(SnCl2)的催化剂溶液中以沉积钯金属并提供催化剂。
(7)下一步,将该基片在34℃下浸入到无电铜镀水溶液中,以便在层间树脂绝缘层122(包括通孔开口126的内壁面)的表面和穿通孔139的内壁面形成厚度为0.6到3.0um的薄膜导电层132(参考图39(e))。
(8)接着,将商业化的光敏干膜粘于具有薄膜导电层132的基片,并在其上设置掩模。随后进行100mJ/cm2剂量的曝光和水占0.8%的碳酸钠溶液的显影以形成电镀抗蚀剂123。(参考图40(a))。
(9)然后,在50℃用水清洗基片以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再用硫酸清洗,并在此后使基片在与例13工序(12)相同的条件下经受电解电镀以便在无电镀抗蚀剂123形成区中形成电解铜电镀膜133(参考图40(b))。
(10)接下来,分离电镀抗蚀剂123并将其用5%的KOH除去,此后,使用含硫酸和过氧化氢的蚀刻溶液,对在电镀抗蚀剂123之下的无电镀膜进行蚀刻以形成电镀穿通孔129和导体电路125(包括通孔127)。
(11)接着,将在其中形成电镀穿通孔129的基片浸入到蚀刻溶液中从而在电镀穿通孔129和导体电路125(包括通孔127)的表面形成粗糙化表面(未示出)。顺便提及,可将由Meck公司制造的Meck蚀刻粘剂用作蚀刻溶液。
(12)下一步,在制备在上述B中描述的树脂填料之后,通过以下的方法,在制备后24小时内,在电镀穿通孔129内和无导体电路形成区内以及层间树脂绝缘层122上导体电路125的边缘部分形成树脂填料层。
也就是说,首先,用刮刀将树脂填料推入电镀穿通孔并随后将该树脂填料在100℃的条件下干燥20分钟。接着,使用具有对应于无导体电路形成区开口的掩模以及刮刀,在无导体电路形成区中形成树脂填料层,该树脂填料层为一凹面部分,将其在100℃的条件下干燥20分钟。
紧接着,以与上述例13的工序(4)相同的方法,将形成于电镀穿通孔内和无导体电路形成区内的树脂填料层的表层部分以及导体电路125的表面制成扁平,从而通过加热形成树脂填料层130,该层的表面与导体电路125的表面在同一平面内(参考图40(c))。
(13)接着,通过与上述(6)的相同处理向层间树脂绝缘层122的表面和树脂填料层130的裸露表面提供钯催化剂。接着,用与上述(7)中描述的相同条件进行无电镀处理以便在树脂填料层130的裸露表面和导体电路125的上表面形成薄膜导电层132。
(14)下一步,在与上述工序(8)相同的方法中,在薄膜导电层132上形成电镀抗蚀剂123(参考图40(d))。紧接着,在50℃下用水清洗该基片以使其脱脂,并在25℃下用水清洗,再用硫酸清洗,在此后,在下列条件下使该基片经受电镀以便在无电镀抗蚀剂123形成区中形成电解铜电镀膜133(参考图41(a))。
[电镀溶液]
硫酸 2.24mol/l
硫酸铜 0.26mol/l
添加剂 19.5ml/l
(由Atotech日本公司制造,Cupracid GL)
[电镀条件]
电流密度 1A/dm2
时间 65分钟
温度 22+2℃
(15)下一步,在用5%KOH分离并除去电镀抗蚀剂133之后,通过用硫酸和过硫化氢的混合溶液进行蚀刻来溶解并除去电镀抗蚀剂133之下的无电镀膜,从而形成覆盖镀层131(参考图41(b))。
(16)接着,使用蚀刻溶液(Meck蚀刻粘剂)对覆盖电镀层131的表面进行粗糙化(未示出)。
(17)下一步,重复上述的工序(3)到(11)以便形成层间树脂绝缘层122以及在更上层中的导体电路125(包括通孔127)(参考图41(c)到图42(c))。顺便提及,通孔127的非接合区部分的直径为80um。此外,在该工序中,在覆盖电镀层131的上方直接形成通孔。
(18)接着,重复上述的工序(3)到(11)两次以便在上层形成层间树脂绝缘层122和导体电路125(包括通孔127)(参考图43(a)到图44(a)。顺便提及,通孔127的非接合区部分的直径为80um。
此外,在该工序中,可调节通孔开口的形成位置,从而在堆积通孔的同时使其中心近似与下层中的中心重叠。
在该工序中,无电镀穿通孔形成。
(19)此外,再次重复上述的工序(3)到(11)以便在最外层中形成层间树脂绝缘层122a和导体电路125(包括通孔127)(参考图44(b))。顺便提及,通孔127的非接合区部分的直径为80um。
此外,在该工序中,可调节通孔开口的形成位置,从而在堆积通孔的同时可使其中心偏离于下层的中心。顺便提及,形成于该工序中的通孔(第四层中的通孔)底表面的外缘和下层中通孔(第三层中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离为8um。
在该工序中,无电镀穿通孔形成。
(20)下一步,在与例13的工序(17)到(20)相同的方法中,可获得包含焊块的多层印刷电路板(参考图45(a)和45(b))。
顺便提及,通过本例生产的多层印刷电路板中的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为60ppm/℃。
(例15)
用例13相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例13的工序(15)中堆积通孔,从而将第三层中通孔的底表面的外缘和下层中通孔(第二层中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离调节为20um。
(例16)
用与例14相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例14的工序(19)中堆积通孔,从而将在形成的第四层中通孔的底表面的外缘和下层中通孔(第三次中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离调节至40um。
(例17)
用与例13相同的方式来生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例13中的工序(15)中堆积通孔,从而将第三层中通孔的底表面的外缘和下层中通孔(第二层中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离调节至70um。
关于例13到17中生产的多层印刷电路板,进行热循环测试,随后在热循环测试以前和以后进行对层间树脂绝缘层和通孔的形状的观察以及电气连续性的测试。
关于例13到17中获得的多层印刷电路板,通过在热循环测试之前和之后对横截面形状的观察,在包括最外层中层间树脂绝缘层在内的所有层间树脂绝缘层中,没有观察到包括层间树脂绝缘层在内的绝缘层断裂的发生以及层间树脂绝缘层和通孔之间的分离。此外,在热循环测试以前和以后,未发生任何短路或断路,表明良好的电气连接状态。
(例18)
A.光敏树脂合成物A的制备
用与例7相同的方法制备光敏树脂合成物A。
B.光敏树脂合成物B的制备
用与例7相同的方法制备光敏树脂合成物B。
C.树脂填料的制备
用与例7相同的方法制备树脂填料。
D.生产印刷电路板的方法
(1)通过进行例7的相同工序(1)到(13)来形成独立的导体电路45和带填满的通路形状的通孔47等(参考图20(a)到图22(a))。
(2)然后,重复例7的工序(5)到(13),以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层42和独立的导体电路45以及带填满的通路形状的通孔47(参考图22(b)到图23(a))。
顺便提及,此处调节通孔开口的形成位置,从而以通孔中心近似重叠在第一层中通孔中心上的方式在第一层中的通孔上堆积第二层中的通孔。
(3)此外,重复例7的工序(5)到(11)从而在更上一层中形成层间树脂绝缘层42和薄膜导电层52,并在此后,在薄膜导电层52上设置电镀抗蚀剂43(参考图48(a))。
(4)然后,将在其上形成电镀抗蚀剂43的基片在50℃用水清洗以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再用硫酸清洗,在此后使基片在以下的条件下经受电解铜电镀以便形成电解铜电镀层53(参考图48(d))。顺便提及,在通孔开口中形成了在上表明具有凹面部分的电解铜电镀层53a。
[电镀溶液]
硫酸 2.24mol/l
硫酸铜 0.26mol/l
添加剂 19.5ml/l
(由Atotech日本公司制造,Cupracid GL)
[电镀的条件]
电流密度 1.0A/dm2
时间 65分钟
温度 22±2℃
(5)接着,在例7相同的工序(13)中,在分离并除去电镀抗蚀剂43之后,蚀刻薄膜导电层52以便形成独立的导体电路和在其上表明具有凹面部分的通孔47a(参考图49(a))。顺便提及,此处调节通孔开口的形成位置,从而以通孔中心近似重叠于第二层中通孔中心的方式将第二层中的通孔上堆积上层中的通孔。
(6)下一步,在一容器内装载:46.67重量份的被提供光敏性的低聚物(分子量;4000),它通过丙烯酸化50%甲酚线性酚醛清漆型环氧树脂(由Nippon Kayaku有限公司制造)的环氧族得到,在60%重量浓度的二甘醇二甲醚(DMDG)中溶解;溶解在80%重量浓度丁酮中的15.0重量份的双酚A型环氧树脂(商标:由YukaShell Epoxy Co制造的Epikotel001);1.6重量份的咪唑固化剂(商标:由Shikoku Chemical公司制造的2E4MZ-CN);3.0重量份的多价丙烯酸单体,它是光敏单体(商标:R604,由Nippon Kayaku有限公司制造);1.5重量份的相似多价丙烯酸单体(商标:由Kyoei Chemical有限公司制造的DPE6A);以及0.71重量份的分散型去泡沫剂(由San Nopco有限公司制造,S-65),它们被搅拌并混合以制备混合的合成物。随后,向混合的合成物添加作为光致聚合引发剂的2.0重量份的苯甲酮(由Kanto化学Co.,Inc.制造)和作为光敏剂的0.2重量份的Michler’s酮,以获得在25℃下具有2.0Pa.s粘度的阻焊剂合成物。使用B型粘度计(由Tokyo Instruments Co.Ltd制造的DVL-B型)的粘度测量在60/分钟-1(rpm)情况下使用4号转子进行,在4.6/分钟-1(rpm)情况下使用3号转子进行。
(7)接着,对多层印刷电路板的两个面都施加20um厚度的上述阻焊剂合成物,并在70℃条件下干燥20分钟,在70℃下再干燥30分钟,随后将绘制对应于焊点图案的5mm厚遮光膜紧紧地粘附于阻焊剂层,随后对阻焊剂层进行1000mJ/om2剂量的UV射线曝光和带DMTG溶液的显影,以形成80um直径的开口。
此外,通过分别在80℃下1小时、100℃下1小时、120℃下1小时以及150℃下3小时的条件下进行加热处理来固化阻焊剂层,从而形成20um厚的阻焊剂层54。
(8)接下来,将具有阻焊剂层54的基片浸入含过硫酸钠作为主要成分的蚀刻溶液1分钟,以便在导体电路的表面上形成平均粗糙度(Ra)为lum或更小的粗糙化表面(未示出)。
此外,将得到的基片浸入到具有4.5pH值并含氯化镍(2.3×10-1mol/l)、次磷酸钠(2.8×10-1mol/l)以及柠檬酸钠(1.6×10-1mol/l)的无电镍镀溶液中20分钟,从而在开口中形成5um厚的镍镀层55。此外,将得到的基片在80℃的条件下浸入到含氰基金酸钾(7.6×10-3mol/l)、氯化铵(1.9×10-1mol/l)、柠檬酸钠(1.2×10-1mol/l)以及次磷酸钠(1.7×10-1mol/l)的无电金镀溶液中长达7.5分钟,以便在镍镀层55上形成0.03um厚的金镀层56,并形成焊点。
(9)此后,在阻焊剂层54上设置掩模,并使用活塞式压力注入型打印机在焊块的开口中打印阻焊剂。随后,该阻焊剂在250℃下经受回流并进一步进行冲洗以获得包含焊块的多层印刷电路板(参考图49(b))。
顺便提及,在本例中形成的多层印刷电路板的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为70ppm/℃。
(例19)
A.层间树脂绝缘层的树脂膜的制备
用与例14相同的方法制备层间树脂绝缘层的树脂膜。
B.树脂填料的制备
用与例7相同的方法制备树脂填料。
C.多层印刷电路板的生产
(1)通过进行例8的相同工序(1)到(16)来形成独立的导体电路65和带填满的通路形状的通孔67、覆盖电镀层71等(参考图25(a)到图27(b))。
(2)然后,重复例8的工序(3)到(11)两次,以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层62和独立的导体电路65以及带填满的通路形状的通孔67(参考图27(c)到图30(a))。顺便提及,此处调节通孔开口的形成位置,从而在第一次重复过程中在覆盖电镀层71的上方直接形成通孔;并在第二次重复过程中以通孔中心近似重叠的方式在下层中通孔上的第二层中形成通孔。在该工序中,无电镀穿通孔形成。
(3)此外,重复例8的工序(3)到(8),从而在更上一层中形成层间树脂绝缘层62和薄膜导电层72,并在此后,在薄膜导电层72上形成电镀抗蚀剂63(参考图50(a))。
(4)然后,将在其上形成电镀抗蚀剂63的基片在50℃用水清洗以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再用硫酸清洗,在此后使基片在与例18工序(4)中相同的条件下经受电解电镀以便形成电解铜电镀层。顺便提及,在通孔开口中形成了在上表面具有凹面部分的电解铜电镀层。
(5)接着,在例8相同的工序(10)中,在分离并除去电镀抗蚀剂63之后,蚀刻薄膜导电层72以便形成独立的导体电路65和在其上表面具有凹面部分的通孔67a(参考图50(b))。此外,以与例8的相同工序(11),在导体电路65和通孔67a的表面形成粗糙化表面(未示出)。
(6)下一步,以例18的相同工序(6)到(9)获得包含焊块77的多层印刷电路板(参考图51)。
在该例中形成的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为60ppm/℃。
(例20)
A.光敏树脂合成物A和B的制备
用与例7相同的方法制备光敏树脂合成物。
B.树脂填料的制备
用与例7相同的方法制备树脂填料。
C.多层印刷电路板的生产方法
(1)通过进行例13的相同工序(1)到(13)在基片上形成独立的导体电路85和带填满的通路形状的通孔87等(参考图34(a)到图36(a))。
(2)然后,重复例13的工序(5)到(13),以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层82和独立的导体电路85以及带填满的通路形状的通孔87(参考图36(b)到图37(a))。顺便提及,此处调节通孔开口的形成位置,从而以通孔中心近似重叠的方式在下层中通孔上的第二层中形成通孔。
(3)此外,重复例13的工序(5)到(13),从而在更上一层中形成层间树脂绝缘层82和独立的导体电路85以及带填满的通路形状的通孔87(参考图52(a))。
顺便提及,此处调节通孔开口的形成位置,从而在第三层中堆积通孔时,使该通孔的中心偏离于第二层中通孔的中心。同时,在该工序中形成的通孔(第三层中的通孔)的底表面的外缘和下层中通孔(第二层中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离为5um。
(4)此外,再次重复例13的工序(5)到(11),以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层82和薄膜导电层92,在此后,在薄膜导电层92上形成电镀抗蚀剂83。
(5)接下来,将在其上形成电镀抗蚀剂83的基片在50℃用水清洗以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再用硫酸清洗,在此后使基片在与例18工序(4)中相同的条件下经受电解铜电镀以便形成电解铜电镀层93(参考图52(b))。顺便提及,在通孔开口中形成了在上表面具有凹面部分的电解铜电镀层93a。
紧接着,以与例13工序(13)相同的方式,在分离并除去电镀抗蚀剂83之后,蚀刻薄膜导电层以便形成独立的导体电路和在其上表面具有凹面部分的通孔87a(参考图53(a))。顺便提及,此处在最上层中形成的通孔,使其中心近似重叠于下层中通孔的中心。
(6)下一步,以与例18的工序(6)到(9)相同的方式,获得包含焊块97的多层印刷电路板(参考图53(a))。在该例中形成的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为70ppm/℃。
(例21)
A.层间树脂绝缘层的树脂膜的制备
用与例14相同的方法制备层间树脂绝缘层的树脂膜。
B.树脂填料的制备
用与例7相同的方法生产树脂填料。
C.多层印刷电路板的生产
(1)通过进行例14的相同工序(1)到(16)来形成独立的导体电路125、带填满的通路形状的通孔127、覆盖电镀层131等(参考图39(a)到图41(b))。
(2)然后,重复例14的工序(3)到(11),以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层122、导体电路125以及带填满的通路形状的通孔127(参考图41(c)到图42(c))。顺便提及,此处调节通孔开口的形成位置,从而在覆盖电镀层131的上方直接形成通孔。在该工序中,无电镀穿通孔形成。
(3)此外,重复例14的工序(3)到(11)两次,从而在更上一层中形成层间树脂绝缘层122、导体电路125以及带填满的通路形状的通孔127(参考图43(a)到(c))。顺便提及,此处调节通孔开口的形成位置,从而在下层中的通孔上堆积通孔时,它们的中心近似重叠。
在该步骤中,无电层穿通孔形成。
(4)此外,再次重复例14的工序(3)到(8),以便在更上一层中形成层间树脂绝缘层122和薄膜导电层132,并在此后,在薄膜导电层132上形成电镀抗蚀剂123(参考图54(a))。
(5)接着,将在其上形成电镀抗蚀剂123的基片在50℃用水清洗以将其脱脂,在25℃用水清洗,并再用硫酸清洗,在此后使基片在与例18工序(4)中相同的条件下经受电解电镀以便形成电解铜电镀层。顺便提及,在通孔开口中形成了在上表面具有凹面部分的电解电镀层。
(6)此后,用与例14的工序(10)相同的方法,分离并除去电镀抗蚀剂123,并蚀刻薄膜导电层132以便形成独立的导体电路125和在其上表面具有凹面部分的通孔127a(参考图54(b))。此外,以与例14的工序(11)相同的方法,在导体电路125和通孔127a的表面形成粗糙化表面(未示出)。
顺便提及,在一系列工序(4)到(6)中,调节通孔开口的形成位置,从而在堆积通孔的时候,使其中心偏离于下层中通孔的中心。顺便提及,形成于该工序中最上层中通孔(第四层中的通孔)的底表面的外缘和下层中通孔(第三层中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离为8um。
(7)下一步,以例18的工序(6)到(9)相同的方法获得包含焊块77的多层印刷电路板(参考图55)。
在该例中形成的多层印刷电路板的层间树脂绝缘层的线性膨胀系数为60ppm/℃。
(例22)
用与例20相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例20的工序(3)中堆积通孔,从而将第三层中通孔的底表面的外缘和下层中通孔(第二层中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离调节为20um。
(例23)
用与例21相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例2 1的工序(6)中堆积通孔,从而将在第四层中通孔的底表面的外缘和下层中通孔(第三次中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离调节至40um。
(例24)
用与例20相同的方式来生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例20的工序(3)中堆积通孔,从而将第三层中通孔的底表面的外缘和下层中通孔(第二层中的通孔)的非接合区部分的外缘之间的距离调节至70um。
(例25)
用与例20相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例20的工序(3)中堆积通孔,从而将第三层中通孔的中心与下层中通孔(第二层中的通孔)的中心之间在水平方向上的距离调节至70um。
(例26)
用与例21相同的方法生产多层印刷电路板,除了一点不同,即在例21的工序(6)中堆积通孔,从而将最上层中通孔(第四层中的通孔)的中心和下层中通孔(第三层中的通孔)的中心之间在水平方向上的距离调节至70um。
关于例18到26中生产的多层印刷电路板,进行热循环测试,随后在热循环测试以前和以后进行对层间树脂绝缘层和通孔的形状的观察以及电气连续性的测试。
结果,在例18到26中生产的多层印刷电路板中,在热循环测试以前和以后对横截面形状的观察中,在包括上层通孔附近的层间树脂绝缘层在内的层间树脂绝缘层中,没有观察到断裂的发生以及层间树脂绝缘层和通孔之间的分离。此外,在热循环测试以前和以后,未发生任何短路或断路,表明良好的电气连接状态。
工业应用性
如上所述,在本发明第一到第六方面的多层印刷电路板中,由于在不同级别层中形成的通孔具有层叠穿通结构,所以缩短了导体电路的布线距离,同时缩短了信号的传送时间,从而增加了设计导体电路的空间选择,由此多层印刷电路板可容易得满足高密度的布线要求。
此外,在本发明的第一到第三方面的多层印刷电路板中,在不同级别层中的通孔中,至少一个通孔具有不同于其它通孔的接合区直径,带大接合区直径的通孔起到加固层间树脂绝缘层分层的作用,并因此,提高了层间树脂绝缘层的机械强度,并可防止在通孔附近的层间树脂绝缘层中发生的断裂。
此外,在本发明第四到第六方面的多层印刷电路板中,由于在带层叠穿通结构的通孔中,至少一个通孔在形成的同时被扩大至在带层叠穿通结构通孔附近形成的无导体电路形成区,具有扩大接合区部分的通孔起到加固层间树脂绝缘层分层的作用,可提高层间树脂绝缘层的机械强度,并可防止在通孔附近的层间树脂绝缘层中发生的断裂。
此外,在本发明第二、第三、第五以及第六方面的多层印刷电路板中,由于在电镀穿通孔上形成了带层叠穿通结构的通孔,所以可进一步缩短信号传送的时间,且多层印刷电路板可容易地满足高密度的布线要求。
此外,在本发明第七到第九方面的多层印刷电路板中,由于如上所述最外层中层间树脂绝缘层的线性膨胀系数小,所以在以层叠穿通结构形成的通孔中,在最上层中的通孔中,由于层间树脂绝缘层中线性膨胀系数的差异所产生的应力小,因此在最外层的层间树脂绝缘层中很少发生断裂。因此,在本发明第七到第九方面的多层印刷电路板中,由于在层间树脂绝缘层中产生的断裂所引起的导体电路(包括通孔)和层间树脂绝缘层之间的分离、连接的失效、短路等都不会发生,从而提供了良好的可靠性。
另外,在本发明第九方面的多层印刷电路板中,由于在最外层中的层间树脂绝缘层中结合了粒子和橡胶成分,所以该多层印刷电路板在形状保持性和缓解所产生应力的特性方面是良好的。
此外,在本发明第七到第九方面的多层印刷电路板中,由于所形成的在不同级别层中的通孔具有层叠穿通结构,所以可缩短导体电路的布线距离,同时可缩短信号传送时间,同时提高了设计导体电路的空间选择,从而该多层印刷电路板可容易地满足高密度的布线要求。
此外,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,由于至少一个在不同级别层中的通孔在与其它通孔堆积的同时其中心是偏离的,所以由于通孔和层间树脂绝缘层之间的线性膨胀系数差异所引起的应力可被分散,且可以防止在堆积通孔,特别在最上层中通孔上的高应力的集中,并因此,很少发生由于压力集中而引起的在层间树脂绝缘层中的断裂,该多层印刷电路板具有良好的可靠性。
此外,在本发明第十方面的多层印刷电路板中,除通孔在堆积时其中心偏离以外的通孔在堆积的同时,其中心近似重叠于其它通孔的中心,而且在以这种方式堆积的通孔中,缩短了布线距离,同时可缩短信号传送时间,增加了设计导体电路的空间选择,从而该多层印刷电路板可容易地满足高密度的布线要求。
此外,在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,堆积不同级别层中的通孔,在该堆积的通孔中,最上层的通孔在其上表面具有凹面部分,从而由于通孔和层间树脂绝缘层之间的线性膨胀系数差所引起的应力可被缓解,而且可避免最上层中通孔的高应力集中,因此很少发生由于应力集中而引起的层间树脂绝缘层的断裂,该多层印刷电路板提供了良好的可靠性。
此外,在本发明第十一方面的多层印刷电路板中,由于堆积了不同级别层中的通孔,所以缩短了布线距离,而且可缩短信号传送时间,同时,增加了导体电路的空间选择,从而该多层印刷电路板可容易地满足高密度的布线要求。
Claims (4)
1.一种多层印刷电路板,包含基片,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,还具有
通过所述的层间树脂绝缘层由通孔完成所述导体电路的连接,
其特征在于:
形成上述通孔中在不同级别层中的通孔从而形成层叠穿通结构;而且
除了在最外层中的通孔,上述在不同级别层中的通孔,至少有一个的接合区直径大于在最外层中所述通孔的接合区直径。
2.一种多层印刷电路板,包含基片,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,还具有
通过所述层间树脂绝缘层由通孔完成所述导体电路的连接;以及
通过所述基片由电镀穿通孔完成所述导体电路的连接,
其特征在于:
在上述的电镀穿通孔上方直接形成带层叠穿通结构的通孔;而且
除了在最外层中的通孔,所述具有层叠穿通结构通孔的至少一个接合区的直径大于在最外层中所述通孔的接合区直径。
3.一种多层印刷电路板,它包含基片,而且在该基片上依次以交替的方式重复组合导体电路和层间树脂绝缘层,还具有:
通过所述层间树脂绝缘层由通孔完成所述的导体电路的连接;以及
通过所述基片和所述层间树脂绝缘层由电镀穿通孔完成所述的导体电路的连接,
其特征在于:
具有层叠穿通结构的通孔在上述电镀穿通孔的上方直接形成;而且
除了在最外层中的通孔,所述具有层叠穿通结构的通孔的至少一个接合区直径大于在最外层中所述通孔的接合区直径。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求的多层印刷电路板,其特征在于,至少一个所述的通孔具有填满的通路的形状。
Applications Claiming Priority (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP073066/2001 | 2001-03-14 | ||
JP073066/01 | 2001-03-14 | ||
JP2001073066A JP4817516B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 多層プリント配線板 |
JP075856/01 | 2001-03-16 | ||
JP2001075856A JP4817517B2 (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | 多層プリント配線板 |
JP075856/2001 | 2001-03-16 | ||
JP209953/01 | 2001-07-10 | ||
JP2001209954A JP2003023252A (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 多層プリント配線板 |
JP209954/2001 | 2001-07-10 | ||
JP2001209955A JP5191074B2 (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 多層プリント配線板 |
JP2001209953A JP2003023251A (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 多層プリント配線板 |
JP209954/01 | 2001-07-10 | ||
JP209953/2001 | 2001-07-10 | ||
JP209955/2001 | 2001-07-10 | ||
JP209955/01 | 2001-07-10 |
Related Child Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200910159472 Division CN101631423A (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
CN201110366014.1A Division CN102523677B (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
CN 200710127915 Division CN101203089B (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
CN2010101674569A Division CN101848602B (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1462574A CN1462574A (zh) | 2003-12-17 |
CN1330225C true CN1330225C (zh) | 2007-08-01 |
Family
ID=27531832
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB028014944A Expired - Lifetime CN1330225C (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
CN2010101674569A Expired - Lifetime CN101848602B (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
CN201110366014.1A Expired - Lifetime CN102523677B (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010101674569A Expired - Lifetime CN101848602B (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
CN201110366014.1A Expired - Lifetime CN102523677B (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | 多层印刷电路板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7371974B2 (zh) |
EP (4) | EP1791410B1 (zh) |
KR (5) | KR100917081B1 (zh) |
CN (3) | CN1330225C (zh) |
DE (4) | DE60234281D1 (zh) |
WO (1) | WO2002074029A1 (zh) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60234281D1 (de) | 2001-03-14 | 2009-12-17 | Ibiden Co Ltd | Mehrschichtige Leiterplatte |
EP1473977A3 (en) * | 2003-04-28 | 2007-12-19 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Electronic package with strengthened conductive pad |
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- 2002-03-13 DE DE60232383T patent/DE60232383D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-13 KR KR1020077024252A patent/KR100868611B1/ko active IP Right Grant
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
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