JP5479233B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

配線層を被覆する絶縁層に、前記配線層の一部を露出する開口部が形成された配線基板及びその製造方法に関する。

図１は、従来の配線基板を例示する断面図である。図１を参照するに、従来の配線基板１００は、第１絶縁層１１０と、配線層１２０と、第２絶縁層１３０とが順次積層した構造を有する。

第１絶縁層１１０は、配線層１２０を形成するための基体となる層であり、例えば非感光性の絶縁性樹脂等により構成されている。配線層１２０は、例えば銅（Ｃｕ）等から構成されている。第２絶縁層１３０は、第１絶縁層１１０上に配線層１２０を覆うように形成されている。第２絶縁層１３０は開口部１３０ｘを有し、開口部１３０ｘ内には配線層１２０の一部が露出している。第２絶縁層１３０は、感光性の絶縁性樹脂により構成され、開口部１３０ｘはフォトリソグラフィ法により形成されることが一般的である。

なお、第１絶縁層１１０の下側に更に配線層と絶縁層が積層される場合があるが、最上層の第２絶縁層１３０のみが感光性の絶縁性樹脂により構成され、最上層の第２絶縁層１３０以外の絶縁層（第１絶縁層１１０も含めて）は、非感光性の絶縁性樹脂により構成されるのが一般的である。

特開２００８−１４０８８６号公報 特開２０００−２８６３６２号公報

図２は、開口部内にピンを挿入した様子を模式的に示す断面図である。図２において、ピン１９０は、例えば開口部１３０ｘ内に露出する配線層１２０を所謂ＬＧＡ（Land grid array：以下同様）のランドとした場合の、ソケット側のピンである。図２に示すように、フォトリソグラフィ法により形成された開口部１３０ｘの側壁の断面は、配線層１２０上面に対して垂直に近い直線的な形状であり、ピン１９０を挿入し難く、又、ピン１９０が開口部１３０ｘ内に露出する配線層１２０まで到達し難いため、挿入不良や接触不良が発生する問題があった。

又、ピン１９０から、配線層１２０と第２絶縁層１３０との界面Ａに力が加わりやすいため、配線層１２０と第２絶縁層１３０とが密着不良を起こし、界面Ａが剥離する問題があった。

このように、フォトリソグラフィ法により開口部を形成すると、開口部へのピンの挿入不良や接触不良、開口部近傍の配線層とそれを覆う絶縁層との密着不良等が生じ、これは、配線基板１００を他の配線基板（実装基板）等と接続する際の接続信頼性を低下させる。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、マザーボード等の実装基板や半導体チップ等の電子部品等との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。

本配線基板は、複数の配線層と、絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、最上層の配線層を被覆する最上層の絶縁層には、前記最上層の配線層の一部を露出する開口部が形成され、前記開口部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、前記開口部内に露出する前記最上層の配線層には凹部が形成され、各絶縁層は、同一組成の非感光性の絶縁性樹脂からなり、同一組成のフィラーを含有していることを要件とする。

本配線基板の製造方法は、複数の配線層と、絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とを交互に積層する第１工程と、最上層の配線層を被覆する最上層の絶縁層に、ブラスト処理により側壁の断面が凹型Ｒ形状の開口部を形成し、前記開口部内に前記最上層の配線層の一部を露出させる第２工程と、前記第２工程に引き続き、前記開口部内に露出する前記最上層の配線層に、ブラスト処理により凹部を形成する第３工程と、を有することを要件とする。

開示の技術によれば、マザーボード等の実装基板や半導体チップ等の電子部品等との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法を提供できる。

従来の配線基板を例示する断面図である。 開口部内にピンを挿入した様子を模式的に示す断面図である。 第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 図３の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。 レーザ加工法で形成した開口部近傍を拡大して例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。 第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の開口部に導電性ボールを配置した状態を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板の開口部近傍を拡大して例示する平面図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板にキャパシタを実装した状態を例示する断面図である。 第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 図２０の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。 ガラスクロスを例示する断面図である。 レーザ加工法で形成した開口部近傍のガラスクロスを拡大して例示する断面図である。 第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。 第４の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。 実施例１に係る配線基板の開口部近傍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）である。 比較例１に係る配線基板の開口部近傍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態では、本発明を、半導体チップを搭載することにより半導体パッケージとなる配線基板に適用する例を示す。

［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図３は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図３を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１０は、第１配線層１１、第１絶縁層１２、第２配線層１３、第２絶縁層１４、第３配線層１５、第３絶縁層１６が順次積層された構造を有する。

配線基板１０において、第１配線層１１は、最下層に形成されている。第１配線層１１は、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成されている。第１層１１ａとしては、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が配線基板１０の外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いることができる。第２層１１ｂとしては、例えば銅（Ｃｕ）層等を含む導電層を用いることができる。

第１配線層１１の一部（第１層１１ａ）は第１絶縁層１２から露出しており、半導体チップ等（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１の平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１のピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。第１配線層１１の厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

第１絶縁層１２は、第１配線層１１の上面（第２配線層１３のビア配線と接続される面）と側面とを覆い、下面（第２配線層１３のビア配線と接続される面の反対面）を露出するように形成されている。第１絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いることができる。第１絶縁層１２の材料である非感光性の絶縁性樹脂としては、例えば熱硬化性樹脂を用いることができる。第１絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

第１絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有している。フィラーの含有量は、例えば２０〜７０ｖｏｌ％程度とすることができる。フィラーの粒径は最小粒径０．１μｍ、最大粒径５μｍ、平均粒径０．５〜２μｍ程度であることが好ましい。フィラーの含有量を調整することにより、第１絶縁層１２の熱膨張係数を調整できる（フィラーの含有量を増やすと熱膨張係数が小さくなる）。フィラーの含有量を調整して、第１絶縁層１２の熱膨張係数を第２配線層１３等を構成する銅（Ｃｕ）の熱膨張係数（１７ｐｐｍ／℃程度）に近づけることにより、配線基板１０に生ずる反りを低減できる。なお、特記した場合を除き、本明細書における熱膨張係数は２５〜１５０℃の範囲における値を示すものとする。

第２配線層１３は、第１絶縁層１２上に形成されている。第２配線層１３は、第１絶縁層１２を貫通し第１配線層１１の上面を露出する第１ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成されている。第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘ内に露出した第１配線層１１と電気的に接続されている。第２配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第２配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

第２絶縁層１４は、第１絶縁層１２上に、第２配線層１３を覆うように形成されている。第２絶縁層１４の材料としては、第１絶縁層１２と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第２絶縁層１４は、第１絶縁層１２が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第２絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

第３配線層１５は、第２絶縁層１４上に形成されている最上層の配線層（又は、最外層の配線層）である。第３配線層１５は、第２絶縁層１４を貫通し第２配線層１３の上面を露出する第２ビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び第２絶縁層１４上に形成された配線パターンを含んで構成されている。第３配線層１５は、第２ビアホール１４ｘ内に露出した第２配線層１３と電気的に接続されている。第３配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第３配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

第３絶縁層１６は、第２絶縁層１４上に、第３配線層１５を覆うように形成されている最上層の絶縁層（又は、最外層の絶縁層）である。第３絶縁層１６の材料としては、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第３絶縁層１６は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第３絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

第３絶縁層１６は開口部１６ｘを有し、開口部１６ｘの底部には第３配線層１５の凹部１５ｘが露出している。凹部１５ｘは、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。必要に応じ、凹部１５ｘ上に、金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。

更に、凹部１５ｘ上に（凹部１５ｘ上に金属層等が形成されている場合には、金属層等の上に）はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。但し、外部接続端子は、必要なときに形成すれば良い。

配線基板１０において、各絶縁層に形成されたビアホール１２ｘ及び１４ｘは、第３絶縁層１６側（最上層の絶縁層側）に開口されていると共に、他層の配線層の表面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部となっている。又、この凹部内にビア配線が形成されている。

図４は、図３の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。図４を参照するに、開口部１６ｘは、第３配線層１５側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。開口部１６ｘは、例えば半球状に形成することができる。開口部１６ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径（開口端の直径）は例えば２２０〜１１００μｍ程度とすることができる。

凹部１５ｘは、底面側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。凹部１５ｘの外縁部は第３絶縁層１６の下部に入り込むことはなく、凹部１５ｘの側壁の最外縁部は開口部１６ｘの側壁の最内縁部と一致している。凹部１５ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００μｍ〜１０００μｍ程度とすることができる。凹部１５ｘのピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。第３配線層１５の上面を基準とした凹部１５ｘの最深部の深さは、例えば０．５〜４μｍ程度とすることができる。

開口部１６ｘの側壁の断面が凹型Ｒ形状となるのは、後述のように、本実施の形態では、開口部１６ｘをブラスト処理により形成するためである。又、開口部１６ｘが形成されると、引き続き第３配線層１５の上面をブラスト処理により研磨するため、開口部１６ｘと連続する凹部１５ｘが形成される。

ところで、レーザ加工法により開口部を形成することも考えられるが、これは好ましくない。以下にその理由を説明する。図５は、レーザ加工法で形成した開口部近傍を拡大して例示する断面図である。図５を参照するに、開口部１６ｗの側壁の断面は、第３配線層１５上面に対して垂直に近い直線的な形状であり、第３配線層１５の開口部１６ｗ内に露出する部分には凹部１５ｗが形成されている。凹部１５ｗは、図４に示す凹部１５ｘとは異なり、外縁部が第３絶縁層１６の下部に入り込んでいる（図５の領域Ｂの部分）。領域Ｂの部分は所謂ハローイングと称され、領域Ｂの部分において、第３配線層１５と第３絶縁層１６との界面は密着不良の状態である。

ハローイングは、以下の過程により発生する。すなわち、レーザ加工法で開口部１６ｗを形成すると、開口部１６ｗ内に露出する第３配線層１５の表面に、第３絶縁層１６を構成する材料の残渣が残る。それを除去するためにデスミア処理を行うが、デスミア処理に用いるエッチング液が第３配線層１５の一部を溶解し、凹部１５ｗが形成される。エッチング液は、領域Ｂの部分の第３配線層１５と第３絶縁層１６との界面にも浸透するため、第３絶縁層１６の下方の第３配線層１５が溶解し、ハローイングが発生する。

ハローイングが発生すると、領域Ｂの部分の第３配線層１５と第３絶縁層１６とが密着不良の状態となり、第３配線層１５と第３絶縁層１６との界面が剥離する虞がある。これは、配線基板１０を実装基板や電子部品等と接続する際の接続信頼性を低下させる。

そこで、本実施の形態では、ブラスト処理により、開口部１６ｘを形成している。ブラスト処理ではデスミア処理のようにエッチング液を使用しないため、ハローイングは発生しない。開口部１６ｘと凹部１５ｘとは、ブラスト処理により連続的に形成されるため、凹部１５ｘの外縁部は第３絶縁層１６の下部に入り込むことはなく、凹部１５ｘの側壁の最外縁部は開口部１６ｘの側壁の最内縁部と一致している。以下に、開口部１６ｘと凹部１５ｘがこのような形状を有することによる効果について説明する。

図４を図２及び図５と比較するとわかるように、開口部内に露出する配線層上面の面積が等しければ、それを覆う絶縁層上面の位置（開口端の位置）における開口部の面積は、側壁の断面が直線的な形状である開口部１３０ｘや開口部１６ｗよりも、側壁の断面が凹型Ｒ形状である開口部１６ｘの方が広くなる。そのため、開口部１３０ｘや開口部１６ｗと比べて、開口部１６ｘには所謂ＬＧＡ用ソケットのピンを挿入し易く、ピン挿入不良やピン接触不良の発生を低減できる。

又、開口部１６ｘにおいて、第３配線層１５と第３絶縁層１６との界面には図５に示すようなハローイングは発生せず、第３配線層１５と第３絶縁層１６とが密着不良の状態になることを防止できる。

又、凹部１５ｘの底面は、第３配線層１５と第３絶縁層１６との界面とは同一平面になく一段下がった位置にある。そのため、所謂ＬＧＡ用ソケットのピンから、第３配線層１５と第３絶縁層１６との界面に直接力が加わり難いため、界面が剥離する虞を低減できる。

なお、図５に示す凹部１５ｗの底面も、第３配線層１５と第３絶縁層１６との界面とは同一平面になく一段下がった位置にある。しかし、図５では、ハローイングに起因する密着不良が発生しているため、凹部１５ｘのように界面が剥離する虞を低減するという効果は得られない。

このように、本実施の形態では、開口部側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、配線層の開口部内に露出する部分には凹部が形成されている。そのため、開口部へのピンの挿入不良や接触不良、開口部近傍における配線層とそれを覆う絶縁層との密着不良が生じ難い。その結果、配線基板を実装基板や電子部品等と接続する際の接続信頼性を向上できる。

［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図６〜図１４は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。

始めに、図６に示す工程では、支持体２１を準備する。支持体２１としては、シリコン板、ガラス板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体２１として銅箔を用いる。後述する図８に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図１４に示す工程の後に容易にエッチングで除去可能だからである。支持体２１の厚さは、例えば３５〜１００μｍ程度とすることができる。

次いで、図７に示す工程では、支持体２１の一方の面に、第１配線層１１に対応する開口部２２ｘを有するレジスト層２２を形成する。具体的には、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、支持体２１の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光、現像することで開口部２２ｘを形成する。これにより、開口部２２ｘを有するレジスト層２２が形成される。なお、予め開口部２２ｘを形成したフィルム状のレジストを支持体２１の一方の面にラミネートしても構わない。

開口部２２ｘは、後述の図８に示す工程で形成される第１配線層１１に対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。開口部２２ｘの平面形状は、例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。

次いで、図８に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面の開口部２２ｘ内に、第１層１１ａ及び第２層１１ｂから構成される第１配線層１１を形成する。

第１層１１ａは、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜をこの順番で順次積層した構造を有する。よって、第１配線層１１を形成するには、先ず、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を順にめっきして第１層１１ａを形成し、続いて、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、第１層１１ａ上に銅（Ｃｕ）等からなる第２層１１ｂを形成すれば良い。

次いで、図９に示す工程では、図８に示すレジスト層２２を除去した後、第１配線層１１を覆うように支持体２１の一方の面に第１絶縁層１２を形成する。第１絶縁層１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いることができる。第１絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有している。フィラーの含有量や含有する目的は、前述の通りである。

第１絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いた場合には、第１配線層１１を覆うように支持体２１の一方の面にフィルム状の第１絶縁層１２をラミネートする。そして、ラミネートした第１絶縁層１２を押圧しつつ、第１絶縁層１２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。なお、第１絶縁層１２を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。

第１絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を用いた場合には、第１配線層１１を覆うように支持体２１の一方の面に液状又はペースト状の第１絶縁層１２を例えばスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した第１絶縁層１２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。

次いで、図１０に示す工程では、第１絶縁層１２に、第１絶縁層１２を貫通し第１配線層１１の上面を露出させる第１ビアホール１２ｘを形成する。第１ビアホール１２ｘは、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。第１ビアホール１２ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、第１ビアホール１２ｘ内に露出する第１配線層１１の上面に付着した第１絶縁層１２の樹脂残渣を除去する。

次いで、図１１に示す工程では、第１絶縁層１２上に第２配線層１３を形成する。第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される。第２配線層１３は、第１ビアホール１２ｘ内に露出した第１配線層１１と電気的に接続される。第２配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

第２配線層１３は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できるが、一例としてセミアディティブ法を用いて第２配線層１３を形成する方法を以下に示す。

始めに、無電解めっき法又はスパッタ法により、第１ビアホール１２ｘ内に露出した第１配線層１１の上面、及び第１ビアホール１２ｘの側壁を含む第１絶縁層１２上に銅（Ｃｕ）等からなるシード層（図示せず）を形成する。更に、シード層上に第２配線層１３に対応する開口部を備えたレジスト層（図示せず）を形成する。そして、シード層を給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に銅（Ｃｕ）等からなる配線層（図示せず）を形成する。続いて、レジスト層を除去した後に、配線層をマスクにして、配線層に覆われていない部分のシード層をエッチングにより除去する。これにより、第１絶縁層１２上に第１ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び第１絶縁層１２上に形成された配線パターンを含んで構成される第２配線層１３が形成される。

次いで、図１２に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、第１絶縁層１２上に、第２絶縁層１４、第３配線層１５、及び最上層の絶縁層である第３絶縁層１６を積層する。すなわち、第１絶縁層１２上に第２配線層１３を被覆する第２絶縁層１４を形成した後に、第２配線層１３上の第２絶縁層１４の部分に第２ビアホール１４ｘを形成する。

更に、第２絶縁層１４上に、第２ビアホール１４ｘを介して第２配線層１３に接続される第３配線層１５を形成する。第３配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第３配線層１５は、例えばセミアディティブ法により形成される。

更に、第２絶縁層１４上に第３配線層１５を被覆する第３絶縁層１６を形成する。第２絶縁層１４及び第３絶縁層１６の材料としては、何れも第１絶縁層１２と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第２絶縁層１４及び第３絶縁層１６は、何れも第１絶縁層１２が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板１０に生ずる反りを低減するためである。第２絶縁層１４及び第３絶縁層１６の厚さは、何れも、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

このようにして、支持体２１の一方の面に所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、２層のビルドアップ配線層（第２配線層１３及び第３配線層１５）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。

次いで、図１３に示す工程では、第３絶縁層１６上に、開口部２３ｘを有するレジスト層２３を形成する。具体的には、第３絶縁層１６上に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、第３絶縁層１６上に、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光、現像することで開口部２３ｘを形成する。これにより、開口部２３ｘを有するレジスト層２３が形成される。なお、予め開口部２３ｘを形成したフィルム状のレジストを第３絶縁層１６上にラミネートしても構わない。

開口部２３ｘは、後述の図１４に示す工程で形成される開口部１６ｘに対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。開口部２３ｘの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２２０〜１１００μｍ程度とすることができる。

なお、レジスト層２３は、後述する図１４に示す工程におけるブラスト処理のマスクとして機能するが、レジスト層２３の表面の一部もブラスト処理により削れる。そこで、レジスト層２３は、表面の一部がブラスト処理により削れてもマスクとしての機能を維持できる程度の厚さに形成する必要がある。レジスト層２３の厚さは、例えば５０μｍ程度とすることができる。

次いで、図１４に示す工程では、レジスト層２３をマスクとして矢印方向からブラスト処理を行い、第３絶縁層１６に開口部１６ｘを形成し第３配線層１５の上面を露出させる。そして、更にブラスト処理を継続し第３配線層１５の開口部１６ｘ内に露出する部分に凹部１５ｘを形成する。このように、第３配線層１５の上面を露出させた後、更にブラスト処理を継続し凹部１５ｘを形成することにより、開口部１６ｘ内に第３絶縁層１６の材料の残渣が残存しないようにできる。

なお、開口部１６ｘを形成する部分の第３配線層１５に、開口部１６ｘの底部の直径よりも大径のパッド（開口部１６ｘの受けパッド）を形成しておくと、このパッドがブラスト処理で開口部１６ｘを形成する際に研磨剤を受け止めるため、第２絶縁層１４がブラスト処理により研磨されることを防止でき、好適である。

ブラスト処理により形成された開口部１６ｘ及び凹部１５ｘは、前述の図４で説明した形状となる。これにより、開口部１６ｘを有する第３絶縁層１６が形成され、開口部１６ｘ内に露出する第３配線層１５の凹部１５ｘは、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。

ここでブラスト処理とは、研磨剤を被処理物に高圧で吹きつけ、被処理物の表面粗度を機械的に調整する処理をいう。ブラスト処理には、エアーブラスト処理、ショットブラスト処理、ウェットブラスト処理等があるが、特に、アルミナ砥粒や球状シリカ砥粒等の研磨剤を水等の溶媒に分散させて被処理物の表面に衝突させ、微細領域の研磨を行うウェットブラスト処理を用いると好適である。

なぜならば、ウェットブラスト処理を用いると、エアーブラスト処理やショットブラスト処理に比べて極めて緻密で被処理物の損傷の少ない研磨が可能だからである。又、ウェットブラスト処理では、研磨剤を水等の溶媒に分散させているため、エアーブラスト処理やショットブラスト処理のように研磨剤が粉塵として空気中に飛散することがないからである。

ウェットブラスト処理に用いるアルミナ砥粒や球状シリカ砥粒等の研磨剤の粒径は、例えば５〜２０μｍ程度とすることができる。水等の溶媒に分散させたアルミナ砥粒や球状シリカ砥粒等の研磨剤の濃度は、例えば１４ｖｏｌ％程度とすることができる。又、水等の溶媒に分散させた研磨剤を被処理物の表面に噴射する際の噴射圧力は、例えば０．２５ＭＰａ程度とすることができる。

開口部１６ｘの側壁の面粗度は、例えばＲａ１５０〜６００ｎｍ程度とすることができる。開口部１６ｘを除く第３絶縁層１６の上面の面粗度は、例えばＲａ１５０ｎｍ以下程度とすることができる。これは、ブラスト処理時に、第３絶縁層１６の上面はレジスト層２３でマスクされ、研磨剤がぶつからないためである。このように、ブラスト処理により、開口部１６ｘの側壁のみが粗化され、開口部１６ｘを除く第３絶縁層１６の上面は粗化されない。なお、開口部１６ｘをレーザ加工法により形成する場合には、デスミア処理により、開口部１６ｘの側壁及び第３絶縁層１６の上面はエッチングされ、何れもＲａ５００ｎｍ程度となる。

必要に応じ、開口部１６ｘ内に露出する第３配線層１５の凹部１５ｘ上に、例えば無電解めっき法等により金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。但し、この金属層等は、レジスト層２３を除去した後で形成しても良い。

なお、開口部１６ｘをレーザ加工法により形成しデスミア処理を行った場合のように、第３絶縁層１６の上面の面粗度が大きい（例えばＲａ５００ｎｍ程度）と、無電解めっきの際に、金属層が第３絶縁層１６の上面にも付着（異常析出）する問題が生じる。開口部１６ｘをブラスト処理により形成した場合にはデスミア処理が不要なため、第３絶縁層１６の上面の面粗度を小さく（例えばＲａ１５０ｎｍ以下程度）することが可能となり、このような問題を回避できる。

又、開口部１６ｘの側壁の面粗度は大きい（例えばＲａ１５０〜６００ｎｍ程度）ため、例えば開口部１６ｘ内に第３配線層１５と電気的に接続するはんだ（はんだボールやはんだバンプ等）を形成した場合に、開口部１６ｘの側壁とはんだとの密着性を高めることができる。

次いで、図１４に示す工程の後、図１４に示すレジスト層２３を除去し、更に図１４に示す支持体２１を除去することにより、図３及び図４に示す配線基板１０が完成する。銅箔から構成されている支持体２１は、例えば塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。この際、第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１の最表層は金（Ａｕ）膜等であるため、銅箔から構成されている支持体２１のみを選択的にエッチングできる。但し、第３配線層１５が銅（Ｃｕ）から構成されている場合には、支持体２１とともにエッチングされることを防止するため、第３配線層１５をマスクする必要がある。

なお、図６〜図１４では、支持体２１上に１個の配線基板１０を作製する例を示したが、支持体２１上に複数の配線基板１０となる部材を作製し、それを個片化して複数の配線基板１０を得るような工程としても構わない。又、支持体２１を除去した後に、凹部１５ｘに外部接続端子として、はんだボールやリードピン等を接続しても構わない。

このように、第１の実施の形態によれば、マザーボード等の実装基板や半導体チップ等の電子部品等との接続信頼性を向上可能な配線基板及びその製造方法を提供できる。すなわち、最上層の絶縁層の開口部をブラスト処理により形成するため、開口部は絶縁層に覆われる配線層側から開口端（絶縁層上面）に向って末広がりとなり、側壁の断面は凹型Ｒ形状となる。そのため、開口部内に露出する配線層上面の面積が等しければ、絶縁層上面における開口部の面積は、側壁の断面が直線的な形状である従来の配線基板の開口部の面積よりも広くなる。その結果、従来の配線基板と比べて、開口部に所謂ＬＧＡ用ソケットのピンを挿入し易くなり、挿入不良や接触不良の発生を低減できる。

又、絶縁層の開口部をブラスト処理により形成するため、デスミア処理が不要となりハローイングが発生しない。その結果、開口部近傍の配線層とそれを覆う絶縁層とが密着不良の状態になることを防止できる。

又、最上層の絶縁層の開口部内に露出する最上層の配線層に凹部をブラスト処理により形成するため、凹部の底面は開口部近傍の配線層とそれを覆う絶縁層との界面とは同一平面内になく一段下がった位置にある。そのため、所謂ＬＧＡ用ソケットのピンから、開口部近傍の配線層とそれを覆う絶縁層との界面に直接力が加わり難いため、界面が剥離する虞を低減できる。

又、配線基板を構成する全ての絶縁層の材料として同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用い、全ての絶縁層が同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することにより、全ての絶縁層の熱膨張係数を略同一値に調整することが可能となり、配線基板に生ずる反りを低減できる。更に、全ての絶縁層の熱膨張係数を、配線層の熱膨張係数に近づけることにより、配線基板に生ずる反りを一層低減可能となる。

なお、従来のように、最上層の絶縁層に感光性の絶縁性樹脂を用いた場合には、このような効果は得られない。感光性の絶縁性樹脂に含有されるフィラーの量が多くなると露光が不可能となる。そのため、感光性の絶縁性樹脂に含有可能なフィラーの量には制限（上限）があり、所望の熱膨張係数が得られるようにフィラーの含有量を自由に調整できず、熱膨張係数を６０ｐｐｍ／℃程度以下にすることが困難である。そのため、全ての絶縁層の熱膨張係数を、配線層の熱膨張係数（例えば銅（Ｃｕ）の熱膨張係数である１７ｐｐｍ／℃程度）に近づけることができないからである。一方、非感光性の絶縁性樹脂は、感光性の絶縁性樹脂と比べてフィラーの量の調整の自由度が高く、熱膨張係数を２０〜７０ｐｐｍ／℃程度の範囲で調整可能であり、全ての絶縁層の熱膨張係数を、配線層の熱膨張係数（例えば銅（Ｃｕ）の熱膨張係数である１７ｐｐｍ／℃程度）に近づけることができる。

又、所定のマスクを介したブラスト処理により、開口部の側壁のみを粗化できるため、例えば開口部内にはんだ等（はんだボールやはんだバンプ等）を形成した場合に、アンカー効果により開口部の側壁とはんだ等との密着性を高めることができる。又、ブラスト処理時にマスクにより覆われる最上層の絶縁層は粗化されないため、例えば最上層の絶縁層の開口部内に露出する配線層上に、無電解めっきにより金属層等を形成する場合に、最上層の絶縁層の上面（開口部以外の部分）に金属層が付着（異常析出）することを防止できる。

〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態では、最上層の絶縁層の開口部内に露出する最上層の配線層の凹部がマザーボード等の実装基板と電気的に接続される電極パッドとして機能し、最下層の絶縁層から露出する最下層の配線層が半導体チップ等と電気的に接続される電極パッドとして機能する例を示した。

第１の実施の形態の変形例１では、最上層の絶縁層の開口部内に露出する最上層の配線層の凹部が半導体チップ等と電気的に接続される電極パッドとして機能し、最下層の絶縁層から露出する最下層の配線層がマザーボード等の実装基板と電気的に接続される電極パッドとして機能する例を示す。すなわち、最上層の絶縁層の開口部内に露出する最上層の配線層の凹部のピッチを、最下層の絶縁層から露出する最下層の配線層のピッチよりも狭くする例を示す。以下、第１の実施の形態と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

図１５は、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板を例示する断面図である。図１５を参照するに、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板１０Ａは、第１配線層１１が第１配線層１１Ａに、凹部１５ｘが凹部１５ｙに、開口部１６ｘが開口部１６ｙに置換されている点が、配線基板１０（図３参照）と相違する。

配線基板１０Ａにおいて、第１配線層１１Ａは、最下層に形成されている。第１配線層１１Ａは、第１層１１ｃ及び第２層１１ｄから構成されている。第１層１１ｃとしては、例えば金（Ａｕ）膜、パラジウム（Ｐｄ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜を、金（Ａｕ）膜が配線基板１０Ａの外部に露出するように、この順番で順次積層した導電層を用いることができる。第２層１１ｄとしては、例えば銅（Ｃｕ）層等を含む導電層を用いることができる。

第１配線層１１Ａの一部（第１層１１ｃ）は第１絶縁層１２から露出しており、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される電極パッドとして機能する。第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１Ａの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば２００〜１０００μｍ程度とすることができる。第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１Ａのピッチは、例えば５００〜１２００μｍ程度とすることができる。第１配線層１１Ａの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

第３絶縁層１６は開口部１６ｙを有する。開口部１６ｙは、第３配線層１５側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。開口部１６ｙの平面形状は、例えば円形であり、その直径（開口端の直径）は例えば５０〜１３０μｍ程度とすることができる。開口部１６ｙは、例えば半球状に形成することができる。

開口部１６ｙ内には第３配線層１５の凹部１５ｙが露出している。凹部１５ｙは、底面側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。凹部１５ｙの外縁部は第３絶縁層１６の下部に入り込むことはなく、凹部１５ｙの側壁の最外縁部は開口部１６ｙの側壁の最内縁部と一致している。凹部１５ｙの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば４０〜１２０μｍ程度とすることができる。凹部１５ｙのピッチは、例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。第３配線層１５の上面を基準とした凹部１５ｙの最深部の深さは、例えば０．５〜４μｍ程度とすることができる。

凹部１５ｙは、半導体チップ等（図示せず）と接続される電極パッドとして機能する。必要に応じ、凹部１５ｙ上に、金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。

更に、凹部１５ｙ上に（凹部１５ｙ上に金属層等が形成されている場合には、金属層等の上に）はんだボールやはんだバンプ等の外部接続端子を形成しても構わない。但し、外部接続端子は、必要なときに形成すれば良い。

開口部１６ｙ及び凹部１５ｙは、開口部１６ｘ及び凹部１５ｘと同様に、ブラスト処理により形成することができる。なお、配線基板１０Ａの製造工程は、配線基板１０の製造工程と同様であるため、その説明は省略する。

このように、第１の実施の形態の変形例１によれば、第１の実施の形態と同様な効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、最上層の絶縁層の開口部内に露出する凹部のピッチを、第１絶縁層から露出する第１配線層のピッチよりも狭くすることにより、凹部側に半導体チップ等を搭載できる。

〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態では、最上層の絶縁層に、ブラスト処理により開口部を形成する例を示した。第１の実施の形態の変形例２では、最上層の絶縁層に、ブラスト処理（１回目のブラスト処理）により開口部を形成した後、開口部近傍に２回目のブラスト処理を施す例を示す。以下、第１の実施の形態と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

図１６は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。図１６を参照するに、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板において、開口部１６ｘ及び凹部１５ｘの角部Ｃの断面は凸型Ｒ形状である。これは、図１４に示す工程（１回目のブラスト処理）の後、レジスト層２３を除去し、２回目のブラスト処理を施したからである。

２回目のブラスト処理は、極短い時間に極わずかな量を研磨するだけである。従って、マスクとなるレジスト層を介さずにブラスト処理しても、開口部１６ｘを除く第３絶縁層１６の上面の面粗度をＲａ１５０ｎｍ以下程度に保つことができる。但し、第３絶縁層１６上に、開口部１６ｘよりも大きな開口部を有するレジスト層を設け、凸型Ｒ形状にすべき角部Ｃを開口部から露出させたレジスト層を介してブラスト処理を行っても構わない。

図１７は、第１の実施の形態の変形例２に係る配線基板の開口部に導電性ボールを配置した状態を例示する断面図である。図１７に示すように、開口部１６ｘの角部Ｃの断面は凸型Ｒ形状であるため、はんだボール等の導電性ボール３１を振り込みにより配置し易くなる。なお、導電性ボール３１に代えて、リードピン等を配置する場合も同様である。

このように、第１の実施の形態の変形例２によれば、第１の実施の形態と同様な効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、開口部の角部の断面を凸型Ｒ形状とすることにより、導電性ボールやリードピン等の接続端子を配置し易くできる。

〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態では、最上層の絶縁層に、ブラスト処理により平面形状が略円形の開口部を形成する例を示した。第１の実施の形態の変形例３では、ブラスト処理により平面形状が略矩形の開口部を形成する例を示す。以下、第１の実施の形態と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

図１８は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板の開口部近傍を拡大して例示する平面図である。図１９は、第１の実施の形態の変形例３に係る配線基板にキャパシタ（チップキャパシタ）を実装した状態を例示する断面図である。図１８及び図１９を参照するに、開口部１６ｚの断面形状は、開口部１６ｘと同様に、第３配線層１５側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状である。開口部１６ｚの平面形状は、例えば角部をＲ状とした略矩形であり、その大きさは、例えば、６５０μｍ（Ｘ方向）×１４００μｍ（Ｙ方向）とすることができる。

又、開口部１６ｚ内に露出する凹部１５ｚの平面形状は、例えば角部をＲ状とした略矩形であり、その大きさは、例えば、５５０μｍ（Ｘ方向）×１３００μｍ（Ｙ方向）とすることができる。隣接する凹部１５ｚのピッチは、実装する部品のピッチに合わせて適宜決定される。第３配線層１５の上面を基準とした凹部１５ｚの最深部の深さは、例えば０．５〜４μｍ程度とすることができる。

隣接する凹部１５ｚには、はんだ４１を介してキャパシタ４２が実装されている。但し、実装する部品はキャパシタには限定されず、抵抗、インダクタ、トランジスタ等の各種電子部品を実装でき、開口部１６ｚ及び凹部１５ｚの大きさやピッチは実装する電子部品の大きさやピッチに合わせて適宜決定できる。

ブラスト処理を用いると、このような大きな開口部１６ｚも極めて短時間に形成することができる。一方、レーザ加工法により、このような大きな開口部１６ｚを形成するには、数ショットの照射が必要となり、加工時間が増加する。

なお、平面形状が略矩形の開口部１６ｚは、各種電子部品実装用の開口部であるから、平面形状が略円形の電極パッド用の開口部である開口部１６ｘとは、別に設けられる。つまり、平面形状が略円形の開口部１６ｘと平面形状が略矩形の開口部１６ｚの両方が、同一配線基板上に存在する。但し、電極パッド及び電極パッド用の開口部を略矩形にしても構わない。例えば、開口部に挿入するピン（ソケットのピン）の形状によっては、略矩形の電極パッドを設け、且つ、電極パッド用として略矩形の開口部を形成し、開口部の長手方向にピンの長手方向を対応させて挿入することにより、挿入時の作業性が向上する等の効果が得られる。

このように、第１の実施の形態の変形例３によれば、第１の実施の形態と同様な効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、ブラスト処理を用いれば、平面形状が略円形の開口部のみならず、平面形状が略矩形等の各種形状の開口部も、レーザ加工法と比べて短い加工時間で形成することができる。その結果、キャパシタ等の各種電子部品を実装するための比較的大きな開口部も容易に形成することができる。

〈第２の実施の形態〉
第１の実施の形態では、非感光性の絶縁性樹脂を用いて最上層の絶縁層を形成する例を示した。第２の実施の形態では、ガラスクロスに非感光性の絶縁性樹脂を含浸させた材料を用いて最上層の絶縁層を形成する例を示す。以下、第１の実施の形態と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

図２０は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図２１は、図２０の開口部近傍を拡大して例示する断面図である。図２０及び図２１を参照するに、第２の実施の形態に係る配線基板５０は、第３絶縁層１６が第３絶縁層５６に置換されている点が、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図３参照）と相違する。

配線基板５０において、第３絶縁層５６は、ガラスクロス５１に例えばエポキシ系樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂等を含浸させたものである。第３絶縁層５６の材料は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４と同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用いることが好ましい。又、第３絶縁層５６は、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１４が含有するフィラーと同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することが好ましい。配線基板５０に生ずる反りを低減するためである。第３絶縁層５６の厚さは、例えば２５〜７５μｍ程度とすることができる。

ガラスクロス５１は、図２２に示すように、Ｘ方向に並設されたガラス繊維束５１ａと、Ｙ方向に並設されたガラス繊維束５１ｂとが格子状に平織りされた形態を有する。ガラスクロス５１は、本発明に係る繊維束を格子状に織り込んだ補強部材の代表的な一例である。ガラス繊維束５１ａ及び５１ｂは、１本が例えば数μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねて例えば数１００μｍ程度の幅にしたものである。ガラス繊維束５１ａ及び５１ｂの厚さは、それぞれ１０〜１５μｍ程度とすることができる。

なお、ガラスクロス５１等の補強部材を構成する繊維束は、ガラス繊維束には限定されず、炭素繊維束、ポリエステル繊維束、テトロン繊維束、ナイロン繊維束、アラミド繊維束等を用いても構わない。又、繊維束の織り方は平織りには限定されず、朱子織り、綾織り等であっても構わない。又、織布以外に不織布を用いても良い。

配線基板５０を構成する全ての絶縁層の材料として同一組成の非感光性の絶縁性樹脂を用い、全ての絶縁層が同一組成のフィラーを略同一量だけ含有することにより、配線基板５０に生ずる反りを低減可能となる。しかしながら、一般的に、電極パッドとして用いられる配線層（本実施の形態では、第３配線層１５）は、他の配線層に比較し残銅率が低い。よって、残銅率の差により配線基板に反りが生じやすい。そこで、第３配線層１５に隣接する第３絶縁層５６内にガラスクロス５１を設けることにより、第３配線層１５の残銅率を高くした場合と同等の効果が得られ、配線基板５０に生ずる反りを一層低減可能となる。

ところで、ガラスクロス５１が設けられた第３絶縁層５６に、レーザ加工法により開口部５６ｘを形成すると、図２３に示すように、レーザにより切断されたガラスクロス５１の端部が開口部５６ｘの側壁から突出する。ガラスクロス５１の端部が開口部５６ｘの側壁から突出すると、例えば無電解めっき法により第３配線層１５上にＡｕ層等の金属層を形成する場合に、突出部の下部の金属層のめっき厚が薄くなるという問題を生じる。又、開口部５６ｘに、接続用のピンを挿入し難い、又は挿入できないという問題を生じる。又、開口部５６ｘに、外部接続端子としてのはんだボールやリードピン等を配置し難いという問題が生じる。

一方、本実施の形態では、ブラスト処理により開口部５６ｘを形成するため、図２１に示すように、ガラスクロス５１の端部も研磨剤により研磨され、開口部５６ｘの側壁から突出しない。その結果、このような問題が生じない。

このように、第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、最上層の絶縁層にガラスクロスを含浸した絶縁性樹脂を用いることにより、最上層の絶縁層の熱膨張係数を更に銅に近づけることができるため、配線基板の反りをより低減できる。又、ガラスクロス等の補強部材により、配線基板の強度を高くできる。

又、ブラスト処理を用いることにより、ガラスクロスの端部が開口部の側壁から突出しないため、開口部内に露出する配線層上に容易にめっきを施すことができ、又、開口部に容易に接続用のピンやはんだボール、リードピン等を配置できる。

なお、第２の実施の形態を、第１の実施の形態の変形例１〜３と同様に変形することが可能である。

〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態に係る配線基板１０（図３参照）に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を示す。以下、第１の実施の形態と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

図２４は、第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図２４を参照するに、半導体パッケージ７０は、図３に示す配線基板１０と、半導体チップ７１と、バンプ７４と、アンダーフィル樹脂７５とを有する。なお、図２４において、配線基板１０は、図３とは上下を反転して描かれている。

半導体チップ７１は、本体７２と、電極パッド７３とを有する。本体７２は、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。本体７２には、電極パッド７３が形成されている。電極パッド７３は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド７３の材料としては、例えばＡｕ等を用いることができる。

バンプ７４は、半導体チップ７１の電極パッド７３と、配線基板１０の第１絶縁層１２から露出する第１配線層１１（第１層１１ａ）とを電気的に接続している。バンプ７４は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。アンダーフィル樹脂７５は、半導体チップ７１と配線基板１０の一方の面との間に充填されている。

このように、第１の実施の形態に係る配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを実現できる。

〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板１０Ａ（図１５参照）に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を示す。以下、第１の実施の形態の変形例１と同一構成部分の説明は極力省略し、第１の実施の形態の変形例１と異なる部分を中心に説明する。

図２５は、第４の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図２５を参照するに、半導体パッケージ８０は、図１５に示す配線基板１０Ａと、半導体チップ８１と、バンプ８４と、アンダーフィル樹脂８５とを有する。

半導体チップ８１は、本体８２と、電極パッド８３とを有する。本体８２は、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。本体８２には、電極パッド８３が形成されている。電極パッド８３は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド８３の材料としては、例えばＡｕ等を用いることができる。

バンプ８４は、半導体チップ８１の電極パッド８３と、配線基板１０Ａの第３絶縁層１６の開口部１６ｙから露出する第３配線層１５の凹部１５ｙとを電気的に接続している。バンプ８４は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。アンダーフィル樹脂８５は、半導体チップ８１と配線基板１０Ａの一方の面との間に充填されている。

このように、第１の実施の形態の変形例１に係る配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージを実現できる。

〈実施例１及び比較例１〉
図２６は、実施例１に係る配線基板の開口部近傍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）である。実施例１に係る配線基板は、図６〜図１４に示す方法により製造したものである。第３配線層１５は、銅（Ｃｕ）により形成した。又、第３絶縁層１６は、非感光性のエポキシ系樹脂により形成した。開口部１６ｘ及び凹部１５ｘは、研磨剤の粒径を５〜２０μｍ程度とし、研磨剤の濃度を１４ｖｏｌ％程度とし、噴射圧力を０．２５ＭＰａ程度としたウェットブラスト処理により形成した。

図２６に示すように、ウェットブラスト処理により形成した開口部１６ｘは、第３配線層１５側から開口端に向って末広がりとなっており、側壁の断面は凹型Ｒ形状（一点鎖線部）であることが確認できる。又、開口部１６ｘ内に凹部１５ｘ（破線部）が形成されていることが確認できる。なお、実線は、第３配線層１５の上面を示している。

図２７は、比較例１に係る配線基板の開口部近傍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）である。比較例１に係る配線基板では、配線層１２０は銅（Ｃｕ）により形成した。又、第２絶縁層１３０は感光性のエポキシ系樹脂により形成し、開口部１３０ｘはフォトリソグラフィ法により形成した。図２７に示すように、フォトリソグラフィ法により形成した開口部１３０ｘの側壁の断面は直線的な形状（一点鎖線部）であり、又、開口部１３０ｘ内に凹部が形成されていないことが確認できる。なお、実線は、配線層１２０の上面を示している。

このように、ブラスト処理により形成した開口部は、フォトリソグラフィ法により形成した開口部とは異なり、側壁の断面が凹型Ｒ形状となり、かつ、開口部内に露出する最上層の配線層には凹部が形成されていることが確認された。

なお、以上の各実施の形態及びその変形例並びに実施例の説明において、『最上層の絶縁層』及び『最上層の配線層』を、それぞれ『最外層の絶縁層』及び『最外層の配線層』と言い換えても良い。すなわち、配線基板の少なくとも一方の最外層の配線層を被覆する最外層の絶縁層に、本発明に係る開口部が形成される。

以上、好ましい実施の形態及びその変形例並びに実施例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例並びに実施例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例並びに実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、各実施の形態及びその変形例では、本発明をビルドアップ工法により製造されたコアレスの配線基板に適用する例を示した。しかしながら、本発明はこれに限定されることなく、様々な配線基板に適用できる。具体的には、例えば、ビルドアップ工法により製造されたコアありの配線基板、スルービアで各配線層を接続する貫通多層配線基板、ＩＶＨ（Interstitial Via Hole）で特定の配線層を接続するＩＶＨ多層配線基板等に適用できる。

又、各実施の形態及びその変形例では、ビルドアップ工法により支持体の片側に（一方の面に）配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持体を除去してコアレスの配線基板を製造する例を示した。しかし、ビルドアップ工法により支持体の両側に（一方の面及び他方の面に）配線層及び絶縁層を積層し、最後に支持体を除去してコアレスの配線基板を製造しても構わない。

１０、１０Ａ、５０ 配線基板
１１、１１Ａ 第１配線層
１１ａ、１１ｃ 第１層
１１ｂ、１１ｄ 第２層
１２ 第１絶縁層
１２ｘ 第１ビアホール
１３ 第２配線層
１４ 第２絶縁層
１４ｘ 第２ビアホール
１５ 第３配線層
１５ｗ、１５ｘ、１５ｙ、１５ｚ 凹部
１６、５６ 第３絶縁層
１６ｗ、１６ｘ、１６ｙ、１６ｚ、２２ｘ、２３ｘ、５６ｘ 開口部
２１ 支持体
２２、２３ レジスト層
３１ 導電性ボール
４１ はんだ
４２ キャパシタ
５１ ガラスクロス
５１ａ、５１ｂ ガラス繊維束
７０、８０ 半導体パッケージ
７１、８１ 半導体チップ
７２、８２ 本体
７３、８３ 電極パッド
７４、８４ バンプ
７５、８５ アンダーフィル樹脂
Ｂ 領域
Ｃ 角部

Claims (12)

1. 複数の配線層と、絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とが交互に積層され、
   最上層の配線層を被覆する最上層の絶縁層には、前記最上層の配線層の一部を露出する開口部が形成され、
   前記開口部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
   前記開口部内に露出する前記最上層の配線層には凹部が形成され、
   各絶縁層は、同一組成の非感光性の絶縁性樹脂からなり、同一組成のフィラーを含有している配線基板。
2. 前記開口部及び前記凹部の角部の断面は凸型Ｒ形状である請求項１記載の配線基板。
3. 前記凹部の側壁の断面は凹型Ｒ形状であり、
   前記凹部の側壁の最外縁部は、前記開口部の側壁の最内縁部と一致している請求項１又は２記載の配線基板。
4. 前記開口部の側壁の面粗度は、前記最上層の絶縁層の上面の面粗度よりも大きい請求項１乃至３の何れ一項記載の配線基板。
5. 前記最上層の絶縁層は、補強部材と絶縁性樹脂から構成されている請求項１乃至４の何れ一項記載の配線基板。
6. 複数の配線層と、絶縁性樹脂から構成された複数の絶縁層とを交互に積層する第１工程と、
   最上層の配線層を被覆する最上層の絶縁層に、ブラスト処理により側壁の断面が凹型Ｒ形状の開口部を形成し、前記開口部内に前記最上層の配線層の一部を露出させる第２工程と、
   前記第２工程に引き続き、前記開口部内に露出する前記最上層の配線層に、ブラスト処理により凹部を形成する第３工程と、を有する配線基板の製造方法。
7. 各絶縁層は、同一組成の非感光性の絶縁性樹脂からなり、同一組成のフィラーを含有している請求項６記載の配線基板の製造方法。
8. 前記第１工程では、支持体上に前記複数の配線層と前記複数の絶縁層とを交互に積層し、
   前記第３工程よりも後に、前記第１工程で前記支持体上に積層された前記複数の配線層と前記複数の絶縁層から前記支持体を除去して配線基板を得る請求項６又は７記載の配線基板の製造方法。
9. 前記第２工程よりも前に、前記最上層の絶縁層の上面に、前記開口部が形成される部分のみを露出するマスクを配置する工程を有し、
   前記第２工程では、前記マスクを介して前記最上層の絶縁層の上面に前記ブラスト処理を行い、前記開口部を形成する請求項６乃至８の何れ一項記載の配線基板の製造方法。
10. 前記第３工程よりも後に、前記開口部及び前記凹部をブラスト処理し、前記開口部及び前記凹部の角部の断面を凸型Ｒ形状にする請求項６乃至９の何れ一項記載の配線基板の製造方法。
11. 前記最上層の絶縁層は、補強部材と絶縁性樹脂から構成され、
    前記第２工程では、前記開口部内に前記補強部材の端部が突出しないように前記ブラスト処理を行う請求項６乃至１０の何れ一項記載の配線基板の製造方法。
12. 前記ブラスト処理は、ウェットブラスト処理である請求項６乃至１１の何れ一項記載の配線基板の製造方法。