JP5873152B1 - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】狭ピッチで配置された端子間の短絡を防止しつつ、フリップチップ接続された電子部品に対する電源供給効率を向上する。【解決手段】配線基板１０は、最外層の導体層２４の一部にフリップチップ接続用の複数の端子６１〜６３を有する。最外層の樹脂絶縁層２３の電子部品搭載領域５４内に、第１開口部４１と第２開口部４２とが形成される。第１開口部４１は電源用端子６２またはグランド用端子６３を１つのみ露出させる。第２開口部４２は信号用端子６１を複数露出させる。樹脂絶縁層２３の一部をなす補強部６４が、第２開口部４２の内底面Ｓ２を形成する。第１開口部４１内にて露出する端子６２，６３のうち第１開口部４１の内底面Ｓ１から突出する部分の高さｈ１が、第２開口部４２内にて露出する端子６１のうち第２開口部４２の内底面Ｓ２から突出する部分の高さｈ２よりも大きい。【選択図】図２

Description

本発明は、ＩＣチップ等の電子部品をフリップチップ接続するための複数の端子を備えた配線基板に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、一般的に多数の外部接続用の端子を底面に備えている。特に、チップ底面の外周に沿って多数の信号用端子が配置されたものは、ペリフェラル型のＩＣチップと称されている。一方、ＩＣチップが搭載される配線基板の主面には、ＩＣチップ側の端子をフリップチップの形態で接続するための端子が多数形成される。近年、ますますＩＣチップ側の端子の高密度化が進んでおり、これに伴い配線基板側の端子の数が増加し、端子間のピッチも狭くなってきている。

ペリフェラル型のＩＣチップをフリップチップ接続するための配線基板の具体例としては、例えば特許文献１に開示されたもの等が従来知られている。この配線基板では、ＩＣチップの外形に相当する矩形状のチップ搭載領域が基板主面にて設定され、そのチップ搭載領域の外周に沿うようにして複数の信号用端子が配列されている。複数の信号用端子は帯状の配線導体の一部に設けられている。配線導体自体は、最表層の樹脂絶縁層として基板主面上に設けられたソルダーレジスト層により被覆され、その殆どの部分が非露出の状態とされている。一方、複数の信号用端子は、ソルダーレジスト層に設けられた同一の開口部を介して外部に露出している。つまり、これら信号用端子には、ＮＳＭＤ（ノン・ソルダー・マスク・ディファインド）構造が採用されている。そして、外部に露出した各端子とＩＣチップ側の端子（例えば銅ピラー構造の端子など）とは対向配置され、互いにはんだバンプ等を介して電気的に接続されるようになっている。

ところで、複数の信号用端子を狭ピッチでソルダーレジスト層に設けられた同一開口部内に配置した場合、はんだが隣接する端子側に流出し、端子間が短絡するおそれがある。また、ファインな信号用端子の下面のみが下地の樹脂絶縁層に接着した状態では、十分な接着強度を得ることができない場合がある。そこで、開口部内における信号用端子間に絶縁性の補強部を設けることが従来提案されている（例えば、特許文献２参照）。この配線基板では、開口部の内底面を形成する補強部によって信号用端子の下面及び側面の一部が支持された構造となる。よって、この構造を採用することにより、端子間の短絡が防止され、端子の接着強度が向上し、かつＩＣチップと配線基板との間に充填されるアンダーフィルにボイドが形成されることも抑制されるようになっている。

特開２０１１−１４６４４号公報 特開２０１３−２３９６０３号公報

ところで、上記従来の配線基板では、チップ搭載領域の外周部に複数の信号用端子が配列される一方で、中央部に電源用端子やグランド用端子が配置されたものが一般的である。しかしながら、上記の補強部をこれら全ての端子について一律に適用してしまうと、配線基板側の端子とＩＣチップ側の端子とをはんだを介して接続する際に不都合が生じる。即ち、電源用端子やグランド用端子の全表面のうち、はんだと接続される接続面積が限定されたものとなり、はんだが配線基板側の端子の側面に十分に回り込むことができなくなる。このため、電源用端子やグランド用端子とはんだとの接続面積が十分に確保できず、ＩＣチップへの電源供給効率が低下するおそれがある。それゆえ、ＩＣチップの性能を十分に引き出せない可能性がある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、狭ピッチで配置された端子間の短絡を防止しつつ、フリップチップ接続された電子部品に対する電源供給効率を向上させることができる配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層がそれぞれ交互に積層された積層体を有し、複数の導体層のうち最外層の導体層の一部に、電子部品をフリップチップ接続するための複数の端子を有し、複数の樹脂絶縁層のうち最外層の樹脂絶縁層から複数の端子が露出している配線基板であって、複数の端子として、電源用端子、グランド用端子及び信号用端子を含み、電子部品搭載領域内における最外層の樹脂絶縁層に、前記電源用端子及び前記グランド用端子から選択されるいずれかの前記端子を１つのみ露出させる第１開口部と、少なくとも前記信号用端子を含む前記端子を複数露出させる第２開口部とが形成され、前記最外層の樹脂絶縁層の一部をなすとともに前記端子と高さが同じまたは前記端子よりも高さが低い補強部が、前記第２開口部の内底面を形成するとともに前記第２開口部内において露出する複数の前記端子が有する側面を覆い、前記第１開口部は、前記最外層の樹脂絶縁層または前記最外層の樹脂絶縁層よりも内層側の前記樹脂絶縁層の表面により内底面が形成され、前記第１開口部内において露出している前記端子のうち第１開口部の内底面から突出する部分の高さが、前記第２開口部内において露出している前記端子のうち前記第２開口部の内底面から突出する部分の高さよりも大きいことを特徴とする配線基板がある。

従って、手段１に記載の発明によると、第１開口部内において露出している端子（即ち電源用端子またはグランド用端子）と、第２開口部内において露出している端子とを比較した場合、内底面から突出する部分の高さは、前者の端子のほうが大きい。ゆえに、第１開口部内において露出している電源用端子またはグランド用端子のほうが第２開口部内において露出している端子よりも相対的に露出面積が大きく、はんだが電源用端子またはグランド用端子の側面に十分に回り込むことができるようになる。このため、電源用端子やグランド用端子とはんだとの接続面積が増加し、フリップチップ接続された電子部品に対する電源供給効率を向上させることができる。また、第２開口部内において露出している後者の端子は、補強部によってその側面が覆われて、第１開口部内において露出している電源用端子またはグランド用端子よりも相対的に露出面積が小さいことから、狭ピッチで配置されていたとしても端子間の短絡を防止することができる。

ここで、第１開口部内に位置する端子は、当該端子の全表面のうち最外層の樹脂絶縁層よりも内層側の樹脂絶縁層と接触する下面以外が第１開口部内において露出していることが好ましい。この構成によると、第１開口部内に位置する端子（即ち電源用端子またはグランド用端子）については、上面及び側面の全体が露出した状態となる。ゆえに、はんだが当該端子側面全体に十分に回り込むことができるようになり、電源用端子やグランド用端子とはんだとの接続面積がよりいっそう増加する。その結果、電源供給効率を確実に向上させることができる。

上記手段１の配線基板は、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層がそれぞれ交互に積層された積層体を有する、いわゆるオーガニック配線基板である。オーガニック配線基板の利点は、例えばセラミック配線基板などに比較して配線の高密度化が達成しやすいことである。

積層体を構成する樹脂絶縁層としては、例えば熱硬化性樹脂を主体とするビルドアップ材を用いて形成されてもよい。樹脂絶縁層を形成する材料の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。また、積層体における最外層の樹脂絶縁層は、例えば感光性を有する樹脂絶縁材料により形成され、具体的にはソルダーレジスト材などにより形成されてもよい。

積層体を構成する導体層は、銅、銅合金、銀、金、白金、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等といった各種の導電金属を用いて形成可能であるが、オーガニック配線基板における導体層としては、銅を主体として構成されたものであることが好ましい。導体層を形成する手法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法が採用される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。

電子部品としては、配線基板上にフリップチップ接続可能なものであればよく、例えば、チップの底面の外周に沿って多数の接続端子を配置したペリフェラル型のＩＣチップや、チップの底面の全域に多数の接続端子を配置したエリア型のＩＣチップなどが例示される。また、ＩＣチップとしては、コンピュータのマイクロプロセッサとして使用されるＩＣチップ、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などのＩＣチップを挙げることができる。なお、チップ底面に複数の端子を有するものであれば、ＩＣチップ以外の電子部品を使用することも可能である。

複数の導体層のうち最外層の導体層は、その一部に電子部品をフリップチップ接続するための複数の端子を有している。これら複数の端子には、電源用端子、グランド用端子及び信号用端子が含まれる。複数の端子は、平面視で例えば正方形状、長方形状、楕円形状、円形状となるように形成される。端子形状を長方形状とした場合には、複数の端子の長辺が互いに平行となるように配列してもよい。

電子部品搭載領域内における最外層の樹脂絶縁層には、複数の端子を露出させるための複数の開口部（第１開口部及び第２開口部）が形成されている。第１開口部は、電源用端子及びグランド用端子から選択されるいずれかの端子を１つのみ露出させている。一方、第２開口部は、少なくとも信号用端子を含む端子を複数露出させている。第２開口部内の端子は全て信号用端子であってもよく、その数は限定されないが、例えば数個から数十個程度に設定される。第１開口部及び第２開口部は電子部品搭載領域内の任意の位置に配置可能であるが、例えば、第２開口部は電子部品搭載領域の外周部に配置され、第１開口部は電子部品搭載領域の中央部に配置されてもよい。

第２開口部の内底面は、第２開口部内に位置する端子を補強するための補強部によって形成されている。補強部は、第２開口部内において露出する複数の端子の側面の一部または全部を覆っている。また、補強部は、最外層の樹脂絶縁層の一部をなすとともに、第２開口部内に位置する端子と高さが同じまたは当該端子よりも高さが低くなるように形成されている。

第１開口部の内底面は、最外層の樹脂絶縁層の表面により形成されていてもよく、あるいは最外層の樹脂絶縁層よりも内層側の樹脂絶縁層の表面により形成されていてもよい。

積層体の表面に露出する複数の端子の上面には、めっきやスパッタリング等といった最表面処理により被覆金属層が形成されていてもよい。例えば、複数の端子の主体をなす導電金属が銅または銅合金であるような場合、最表面処理により、銅または銅合金以外の金属からなる被覆金属層（ニッケル層、クロム層、パラジウム層、金層、スズ層、はんだ層など）が形成されてもよい。

ここで、第１開口部内に位置する端子の高さは、第２開口部内に位置する端子の高さと略等しくてもよいが、例えば、第２開口部内に位置する端子の高さよりも高くかつ第１開口部の開口縁の高さよりも低くてもよい。ちなみに「端子の高さ」とは、端子の主体をなす導電金属部分のみの高さを指し、被覆金属層の部分の厚さは含めないものとする。より具体的にいうと、「端子の高さ」とは、最外層の樹脂絶縁層よりも内層側の樹脂絶縁層の表面の高さを基準としたときの、端子の主体をなす導電金属部分の最上端までの高さのことを指す。

第１開口部内において露出している端子のうち第１開口部の内底面から突出する部分の高さを、以下、単に「第１開口部内の端子の突出高さ（ｈ１）」と呼ぶことにする。一方、第２開口部内において露出している端子のうち第２開口部の内底面から突出する部分の高さを、以下、単に「第２開口部内の端子の突出高さ（ｈ２）」と呼ぶことにする。そして手段１では、第１開口部内の端子の突出高さが、第２開口部内の端子の突出高さよりも高く（即ちｈ１＞ｈ２に）なっている。ゆえに、第２開口部内に位置する電源用端子またはグランド用端子のほうが第１開口部内に位置する端子よりも相対的に外部に露出する露出面積が大きくなり、はんだが当該端子側面に十分に回り込むことが可能な構造となっている。

なお、補強部のうち端子と接触する部分の厚みにばらつきがある場合、言い換えると端子と接触する部分の内底面の高さにばらつきがある場合には、上記ｈ１，ｈ２は、端子と接触する部分のうち最も内層側に位置している箇所の内底面の高さを基準としたときの、導電金属部分の最上端までの高さのことを指すものとする。

本発明を具体化した実施形態のオーガニック配線基板を示す概略平面図。 図１の配線基板のＡ−Ａ線における概略断面図。 ＩＣチップがフリップチップ接続された上記配線基板を示す要部拡大断面図。 上記配線基板の製造方法において、孔あけ加工後の状態を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、スルーホール導体及び導体層を形成した状態を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、ビア穴形成後の状態を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、内層の導体層のパターニング後の状態を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、最外層の導体層のパターニング後の状態を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、樹脂絶縁材料層を形成した状態を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、１回目の露光工程の様子を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、１回目の現像工程後の様子を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、２回目の露光工程の様子を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、２回目の現像工程後の様子を示す要部概略断面図。 上記配線基板の製造方法において、２回目の現像工程後の様子を示す要部概略平面図。 別の実施形態のオーガニック配線基板を示す要部拡大断面図。 別の実施形態のオーガニック配線基板を示す要部拡大断面図。 別の実施形態のオーガニック配線基板を示す要部拡大断面図。

以下、本発明を配線基板としてのオーガニック配線基板に具体化した一実施形態を図１〜図１４に基づき詳細に説明する。

図１〜図３等に示されるように、本実施形態のオーガニック配線基板１０は、ペリフェラル構造を有する配線基板であって、ＩＣチップ搭載面となる基板主面１１と、その反対側に位置する基板裏面１２とを有している。このオーガニック配線基板１０は、矩形板状のコア基板１３と、コア基板１３のコア主面１４（図２では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１と、コア基板１３のコア裏面１５（図２では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２とを備えている。

本実施形態のコア基板１３は、例えば補強材としてのガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる樹脂絶縁材（ガラスエポキシ材）により構成されている。コア基板１３には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１４及びコア裏面１５を貫通するように形成されている。スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。また、コア基板１３のコア主面１４及びコア裏面１５の上には、銅からなる導体層１９がパターン形成されている。これらの導体層１９はスルーホール導体１６に電気的に接続されている。

コア基板１３のコア主面１４上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる複数の樹脂絶縁層２１，２２，２３と、銅からなる複数の導体層２４とを積層した構造を有する積層体である。樹脂絶縁層２１，２２は、熱硬化性を有する樹脂絶縁材料（例えばエポキシ樹脂）からなる。第１ビルドアップ層３１において、最外層の導体層２４は、電子部品としてのＩＣチップ５１をフリップチップ接続するための複数の端子（具体的には、信号用端子６１、電源用端子６２及びグランド用端子６３）をチップ搭載領域（電子部品搭載領域）５４内の所定箇所に有している。本実施形態では、第１ビルドアップ層３１における最外層の樹脂絶縁層２３が、感光性を有する樹脂絶縁材料からなるソルダーレジスト層２３となっている。複数の端子６１〜６３は、ソルダーレジスト層２３の直下に位置する樹脂絶縁層２２の上面に設けられている。また、樹脂絶縁層２１，２２には、それぞれビア穴３３及びフィルドビア導体３４が形成されている。各ビア導体３４は、各導体層１９，２４、複数の端子６１〜６３に電気的に接続される。

図１、図１４等に示されるように、ソルダーレジスト層２３には、矩形状のＩＣチップ５１の外形に対応して、矩形状のチップ搭載領域５４が設定されている。チップ搭載領域５４の外周縁のすぐ内側の位置には、チップ搭載領域５４の各辺に沿って延びる細長い矩形状の第２開口部４２がそれぞれ形成されている。また、これらの第２開口部４２よりもチップ搭載領域５４の中心寄りの位置には、複数の矩形状の第１開口部４１が形成されている。つまり、本実施形態では、第２開口部４２がチップ搭載領域５４の外周部に配置され、第１開口部４１がチップ搭載領域５４の中央部に配置されている。

図１４等に示されるように、第２開口部４２は、等間隔に配置された複数の信号用端子６１を露出させている。これらの信号用端子６１は、平面視で長方形状をなすとともに、最外層の導体層２４における配線導体部の先端に設けられている。複数ある第１開口部４１のうち、約半数のものは電源用端子６２を１つのみ露出させており、残りのものはグランド用端子６３を１つのみ露出させている。従って、第１開口部４１の１つ分の開口面積は、第２開口部４２の１つ分の開口面積よりも相当小さくなっている。また、隣接する２つの第１開口部４１内に位置する端子６２，６３のピッチは、第２開口部４２内にて隣接する２つの信号用端子６１のピッチよりも大きくなっている。なお、ソルダーレジスト層２３の直下かつ第１開口部４１の周囲には、広面積導体部６５が配置されている。この広面積導体部６５はグランド用端子６３に電気的に接続されている。

図１〜図３、図１４等に示されるように、第２開口部４２は補強部６４により内底面Ｓ２が形成されている。本実施形態の補強部６４は、ソルダーレジスト層２３の一部をなしており、第２開口部４２内に位置する信号用端子６１よりも高さが若干低くなるように形成されている。各補強部６４は平面視で長方形状をなすとともに、隣接する信号用端子６１間のスペースに配置されている。また、これら補強部６４により、各信号用端子６１が有する側面の大部分が覆われている。一方、第１開口部４１には、上記のような補強部６４は特に設けられていない。それゆえ、第１開口部４１内においてソルダーレジスト層２３よりも内層側の樹脂絶縁層２２の表面が露出することで、内底面Ｓ１が形成されている。

図３では、第１開口部４１内において露出している電源用端子６２またはグランド用端子６３の突出高さをｈ１で示し、第２開口部４２内において露出している信号用端子６１の突出高さをｈ２で示している。そして本実施形態の場合、第１開口部４１内の端子６２，６３の突出高さｈ１が、第２開口部４２内の端子６１の突出高さｈ２よりも明らかに高く（即ちｈ１＞ｈ２に）なっている。ちなみに、本実施形態では複数の端子６１〜６３の高さはそれぞれ等しくなっている。突出高さｈ１は電源用端子６２またはグランド用端子６３の高さの１倍になっており、突出高さｈ２は信号用端子６１の高さの０．１倍〜０．３倍程度になっている。つまり、電源用端子６２またはグランド用端子６３は、当該端子６２，６３の全表面のうち内層側の樹脂絶縁層２２と接触する下面以外が、第１開口部４１内において露出した状態となっている。ゆえに、電源用端子６２及びグランド用端子６３は、ＮＳＭＤ構造を有したものと把握することができる。

図３に示されるように、本実施形態の配線基板１０上に搭載されるＩＣチップ５１としては、例えばＣｕピラー構造の接続端子５２を有するものが用いられる。なお、Ｃｕピラー構造以外に、Ａｕめっきバンプ構造やＡｕスタッド構造の接続端子５２を有するＩＣチップ５１をフリップチップ接続してもよい。ＩＣチップ５１側の接続端子５２は、はんだ５３を介して配線基板１０側の複数の端子６１〜６３に接続されている。

コア基板１３のコア裏面１５上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、樹脂絶縁層２６，２７，２８と、導体層２４とを積層した構造を有している。第２ビルドアップ層３２において、最外層の導体層２４として、マザーボード（図示略）に接続するための複数の外部接続端子４５が形成されている。また、樹脂絶縁層２６，２７にもビア穴３３及びビア導体３４が形成されている。各ビア導体３４は、導体層１９，２４、外部接続端子４５に電気的に接続されている。さらに、第２ビルドアップ層３２における最外層の樹脂絶縁層２８はソルダーレジスト層２８となっている。ソルダーレジスト層２８の所定箇所には、外部接続端子４５を露出させるための開口部４７が設けられている。また、外部接続端子４５において、開口部４７内にて露出する下面は、図示しないめっき層（例えばニッケル−金めっき層）で覆われている。その外部接続端子４５の下面には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、オーガニック配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

次に、本実施形態のオーガニック配線基板１０の製造方法を図４〜図１４に基づいて説明する。

まず、ガラスエポキシからなる基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。そして、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板７１の表裏面を貫通する貫通孔７２（図４参照）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、銅張積層板７１の貫通孔７２の内面に対する無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、貫通孔７２内にスルーホール導体１６を形成する。

その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めしかつ硬化させて、閉塞体１７を形成する。さらに、銅張積層板７１の銅箔とその銅箔上に形成された銅めっき層とを、例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。この結果、図５に示されるように、導体層１９及びスルーホール導体１６が形成されたコア基板１３を得る。

そして、ビルドアップ工程を行うことで、コア基板１３のコア主面１４の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア基板１３のコア裏面１５の上にも第２ビルドアップ層３２を形成する。

詳しくは、コア基板１３のコア主面１４及びコア裏面１５の上に、エポキシ樹脂からなるシート状の樹脂絶縁層２１，２６を配置し、樹脂絶縁層２１，２６を貼り付ける。そして、例えばエキシマレーザーやＵＶレーザーやＣＯ_２レーザーなどを用いてレーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層２１，２６の所定の位置にビア穴３３を形成する（図６参照）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴３３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ_２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。

デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴３３内にビア導体３４を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２１，２６上に導体層２４をパターン形成する（図７参照）。

他の樹脂絶縁層２２，２７及び導体層２４についても、上述した樹脂絶縁層２１，２６及び導体層２４と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１，２６上に積層していく。なおここで、樹脂絶縁層２２上の導体層２４が形成される（図８参照）。また、樹脂絶縁層２７上の導体層２４として、複数の外部接続端子４５が形成される。

次に、樹脂絶縁層２２上に後にソルダーレジスト層２３となる感光性樹脂絶縁材料を塗布して、一部に端子６１〜６３が形成された導体層２４を全体的に被覆する樹脂絶縁材料層６６を形成する（図９参照）。ここでは、感光性樹脂絶縁材料として、例えば感光性エポキシ樹脂を主体とするソルダーレジスト材料が選択される。この場合、ソルダーレジスト材料は塗布可能な液状物であってもよく、貼着可能なフィルム状物であってもよい。フィルム状のソルダーレジスト材を使用する場合、表面の平坦性を確保すべく、貼着後のソルダーレジスト材をその厚さ方向にプレスした後で露光及び現像を行うことが好ましい。

次に、樹脂絶縁材料層６６上に、ガラス基板の所定箇所に光通過部８２が形成された第１のフォトマスク８１を配置する。この状態で第１のフォトマスク８１を介して紫外線８３を従来の通常の条件にて照射することにより、樹脂絶縁材料層６６に対する部分的な露光を行う（図１０参照）。このような第１回目の露光工程により、第１のフォトマスク８１の光通過部８２の直下となる領域に紫外線８３が当たり、樹脂絶縁材料層６６における当該領域が選択的に感光する。

この後、未露光部分について３μｍ〜１２μｍ程度の厚さ分を残すような条件を設定し、専用の現像液を用いて樹脂絶縁材料層６６を現像する（図１１参照）。この第１回目の現像工程により、最外層の樹脂絶縁層であるソルダーレジスト層２３を形成するとともに、ソルダーレジスト層２３の一部をなす補強部６４を一体的に形成する。その結果、補強部６４が内底面Ｓ２をなす第２開口部４２がソルダーレジスト層２３に形成される。ただしこの時点では、まだソルダーレジスト層２３は不完全硬化状態にある。また、第１開口部４１も、補強部６４と同じ高さの樹脂部分６８（ソルダーレジスト層２３の一部）により内底面Ｓ１が形成されている。

次に、ソルダーレジスト層２３上に、ガラス基板における所定箇所（即ち第２開口部４２に対応した箇所）に光通過部８２が形成された第２のフォトマスク８４を配置する。この状態で第２のフォトマスク８４を介して紫外線８３を従来の通常の条件にて照射することにより、部分的な露光を行う（図１２参照）。このような第２回目の露光工程により、第２のフォトマスク８４の光通過部８２の直下となる領域に紫外線８３が当たり、ソルダーレジスト層２３における当該領域が選択的に感光する。

この後、上記専用の現像液を用いて第２回目の現像を行うことにより、ソルダーレジスト層２３の樹脂部分６８を完全に除去してソルダーレジスト層２３よりも内層側の樹脂絶縁層２２の上面を露出させ、最外層の樹脂絶縁層であるソルダーレジスト層２３を完成させる（図１３、図１４参照）。そして、さらに熱や紫外線にてソルダーレジスト層２３をキュアした後、必要に応じて端子６１〜６３の表面上にニッケル−金めっき等の最表面処理を行う。以上のような工程を経ることで、第２開口内４２に補強部６４を有する一方で、第１開口部４１内に補強部６４を有しないオーガニック配線基板１０が完成する。

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）上述したように本実施形態のオーガニック配線基板１０では、第１開口部４１内の端子６２，６３の突出高さｈ１が、第２開口部４２内の端子６１の突出高さｈ２よりも明らかに高く（即ちｈ１＞ｈ２に）なっている。ゆえに、電源用端子６２またはグランド用端子６３のほうが、信号用端子６１に比べて相対的に露出面積が大きくなっている。よって、ＩＣチップ５１のフリップチップ接続時には、はんだ５３が当該端子６２，６３の側面全体に十分に回り込むことができるようになる。このため、電源用端子６２やグランド用端子６３とはんだ５３との接続面積が増加し、フリップチップ接続されたＩＣチップ５１に対する電源供給効率を確実に向上させることができる。また、第２開口部４２内において露出している信号用端子６１については、補強部６４を配置したことにより、相対的に露出面積が小さくなっている。その結果、信号用端子６１が狭ピッチで配置されていたとしても、それら端子６１間の短絡を防止することができる。

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態では、第２開口部内４２に補強部６４を有する一方で、第１開口部４１内に補強部６４を有しない構成を採用した。そのため、第１開口部４１の内底面Ｓ１は、ソルダーレジスト層２３よりも内層側の樹脂絶縁層２２の表面により形成されていた。また、第１開口部４１内に位置する電源用端子６２またはグランド用端子６３は、下面以外（即ち上面全体及び側面全体）が露出していた。これに対し、例えば図１５に示す別の実施形態のオーガニック配線基板１０Ａのような構成としてもよい。即ち、このオーガニック配線基板１０Ａの場合、第１開口部４１内にはソルダーレジスト層２３の一部が樹脂部分６８として残っている。このため、第１開口部４１の内底面Ｓ１は、ソルダーレジスト層２３の表面により形成されている。なお、第１開口部４１内の電源用端子６２またはグランド用端子６３の突出高さｈ１については、上記実施形態と同様に、第２開口部４２内の信号用端子６１の突出高さｈ２よりも高くなっている。

・上述した図１５の実施形態では、第２開口内４２における補強部６４の厚さ及び第１開口部４１内における樹脂部分６８の厚さがそれぞれ均一になるように形成したが、例えば図１６に示す別の実施形態のオーガニック配線基板１０Ｂのような構成としてもよい。即ち、このオーガニック配線基板１０Ｂでは、補強部６４の厚さに若干ばらつきがあり、内底面Ｓ２には高低差がある。よって、内底面Ｓ２については、図１６でＰ２を付した箇所が最も内層側に位置しており、当該箇所を基準としてｈ２を付している。樹脂部分６８の厚さにも若干ばらつきがあり、内底面Ｓ１には高低差がある。よって、内底面Ｓ１については、図１６でＰ１を付した箇所が最も内層側に位置しており、当該箇所を基準としてｈ１を付している。

・上記実施形態では、第１開口部４１内に位置する電源用端子６２またはグランド用端子６３の高さは、第２開口部４２内に位置する信号用端子６１の高さと同じであった。これに対し、例えば図１７に示す別の実施形態のオーガニック配線基板１０Ｃのように、第１開口部４１内に位置する電源用端子６２及びグランド用端子６３の高さを、第２開口部４２内に位置する信号用端子６１の高さよりも高く形成してもよい。このオーガニック配線基板１０Ｃでは、電源用端子６２及びグランド用端子６３に銅めっきを施すことで、元来のものよりも高さを増すようにしている。ただし、電源用端子６２及びグランド用端子６３の上面は、第１開口部４１の開口縁の高さよりも低くなるように形成されている。

・上記実施形態では、樹脂絶縁層２２の表面に感光性を有する樹脂絶縁材料を設けた後、部分的な露光及び現像を２回行うことで、補強部６４を有するソルダーレジスト層２３を形成していた。しかしながら、最外層の樹脂絶縁層としてのソルダーレジスト層２３の形成方法は、適宜変更することができる。例えば、樹脂絶縁層２２の表面に熱硬化性の樹脂絶縁材料を塗布して熱硬化させた後、各端子６１〜６３の表面が露出するまで機械的に研磨するという手法を採用してもよい。この場合、機械的な研磨に代えて、サンドブラスト処理などの砥粒加工を採用してもよいほか、ドライエッチング処理を採用してもよい。さらに、レーザー露光機を用いたダイレクト露光法を採用してもよい。

・上記実施形態のオーガニック配線基板１０では、第２開口部４２内において露出する複数の端子が全て信号用端子６１であったが、これに限定されない。例えば、第２開口部４２内において露出する複数の端子のなかに、信号用端子６１以外のもの（即ち電源用端子６２やグランド用端子６３）が含まれていてもよい。

・上記実施形態のオーガニック配線基板１０は、コア基板１３を有する配線基板であったが、これに限定されるものではなく、コアを有さないコアレス配線基板に本発明を適用してもよい。

・上記実施の形態におけるオーガニック配線基板１０の形態は、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等の配線基板に本発明を適用してもよい。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）前記第２開口部は、前記電子部品搭載領域の外周部に配置され、前記第１開口部は、前記電子部品搭載領域の中央部に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
（２）前記第１開口部の周囲には、前記電源用端子または前記グランド用端子に電気的に接続される広面積導体部が配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
（３）前記第１開口部内において露出する前記端子は、ＮＳＭＤ構造を有することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
（４）前記第１開口部の開口面積は前記第２開口部の開口面積よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
（５）前記積層体はビルドアップ積層配線体であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
（６）隣接する２つの前記第１開口部内に位置する前記端子のピッチは、前記第２開口部内にて隣接する２つの前記端子のピッチよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
（７）前記第１開口部内に位置する前記端子の高さは、前記第２開口部内に位置する前記端子の高さと略等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
（８）前記第１開口部内に位置する前記端子の高さは、前記第２開口部内に位置する前記端子の高さよりも高くかつ前記第１開口部の開口縁の高さよりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…配線基板
２１，２２，２３，２６，２７，２８…樹脂絶縁層
２３…最外層の樹脂絶縁層としてのソルダーレジスト層
２４…（最外層の）導体層
３１…積層体としての第１ビルドアップ層
３２…積層体としての第２ビルドアップ層
４１…第１開口部
４２…第２開口部
５１…電子部品としてのＩＣチップ
５４…電子部品搭載領域としてのチップ搭載領域
６１…端子としての信号用端子
６２…端子としての電源用端子
６３…端子としてのグランド用端子
６４…補強部
ｈ１…（第１開口部の内底面から突出する部分の）高さ
ｈ２…（第２開口部の内底面から突出する部分の）高さ
Ｓ１…（第１開口部の）内底面
Ｓ２…（第２開口部の）内底面

Claims (2)

1. 複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層がそれぞれ交互に積層された積層体を有し、前記複数の導体層のうち最外層の導体層の一部に、電子部品をフリップチップ接続するための複数の端子を有し、前記複数の樹脂絶縁層のうち最外層の樹脂絶縁層から複数の前記端子が露出している配線基板であって、
   複数の前記端子として、電源用端子、グランド用端子及び信号用端子を含み、
   電子部品搭載領域内における最外層の樹脂絶縁層に、前記電源用端子及び前記グランド用端子から選択されるいずれかの前記端子を１つのみ露出させる第１開口部と、少なくとも前記信号用端子を含む前記端子を複数露出させる第２開口部とが形成され、
   前記最外層の樹脂絶縁層の一部をなすとともに前記端子と高さが同じまたは前記端子よりも高さが低い補強部が、前記第２開口部の内底面を形成するとともに前記第２開口部内において露出する複数の前記端子が有する側面を覆い、
   前記第１開口部は、前記最外層の樹脂絶縁層または前記最外層の樹脂絶縁層よりも内層側の前記樹脂絶縁層の表面により内底面が形成され、
   前記第１開口部内において露出している前記端子のうち第１開口部の内底面から突出する部分の高さが、前記第２開口部内において露出している前記端子のうち前記第２開口部の内底面から突出する部分の高さよりも大きい
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記第１開口部内に位置する前記端子は、当該端子の全表面のうち前記最外層の樹脂絶縁層よりも内層側の前記樹脂絶縁層と接触する下面以外が前記第１開口部内において露出していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

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