JP2015018979A - プリント配線板 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品を内蔵し反りの小さいプリント配線板を提供する。
【解決手段】電子部品90L、電子部品93の下側に、第2樹脂絶縁層50A、第3樹脂絶縁層50B、50Cよりも熱膨張係数の低い第1樹脂絶縁層30が設けられる。第1樹脂絶縁層30は、熱膨張係数が低いため、第1樹脂絶縁層30の外縁側が下がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第2樹脂絶縁層50A及び第3樹脂絶縁層50B、50Cでの外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板10の反りを小さくすることができる。
【選択図】図1
【解決手段】電子部品90L、電子部品93の下側に、第2樹脂絶縁層50A、第3樹脂絶縁層50B、50Cよりも熱膨張係数の低い第1樹脂絶縁層30が設けられる。第1樹脂絶縁層30は、熱膨張係数が低いため、第1樹脂絶縁層30の外縁側が下がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第2樹脂絶縁層50A及び第3樹脂絶縁層50B、50Cでの外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板10の反りを小さくすることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子部品を内蔵しているプリント配線板に関する。
特許文献1は、薄型化のためコア基板を用いず、電子部品を絶縁層に埋め込むことを開示している。該特許文献1は、支持板上に電子部品を搭載することと、支持板上で電子部品を絶縁層に埋め込むことと、支持板を除去することとを含む半導体装置の製造方法を開示している。
樹脂絶縁層に電子部品を埋め込むと、シリコンからなり剛性の高い電子部品の外縁部の樹脂絶縁層に反りが生じ易く、プリント配線板の外縁部が上がる形状に反り成り易く、該プリント配線板上に電子部品又は第2のプリント配線板の実装する際の接続信頼性が低下すると考えられる。
本発明の目的は、電子部品を内蔵し反りの小さいプリント配線板を提供することである。
本発明に係るプリント配線板は、主面と該主面とは反対側の副面とを有する第1樹脂絶縁層と、前記第1樹脂絶縁層の主面上に配置された電子部品と、前記第1樹脂絶縁層の主面に積層され、前記電子部品を埋める第2樹脂絶縁層と、前記第2樹脂絶縁層上に積層される第3樹脂絶縁層と、前記第1樹脂絶縁層、前記第2樹脂絶縁層、前記第3樹脂絶縁層上に形成される導体層と、前記第1樹脂絶縁層、前記第2樹脂絶縁層、前記第3樹脂絶縁層に形成されるビア導体と、前記電子部品の電極と前記第2樹脂絶縁層上の導体層とを接続する接続ビア導体と、前記第1樹脂絶縁層の副面側に形成されるパッドと、を有する。そして、前記第1樹脂絶縁層の熱膨張係数が、前記第2樹脂絶縁層、及び、前記第3樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも低い。
本発明のプリント配線板は、電子部品の下側に、電子部品を埋設する第2樹脂絶縁層、該第2樹脂絶縁層上に形成される第3樹脂絶縁層よりも熱膨張係数の低い第1樹脂絶縁層が設けられる。第1樹脂絶縁層は、熱膨張係数が低いため、第1樹脂絶縁層の外縁側が下がる方向への反りが生じ、第2樹脂絶縁層及び第3樹脂絶縁層での外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板の反りを小さくすることができる。これにより、プリント配線板上への電子部品、第2プリント配線板の実装の信頼性を高めることが可能となる。
[第1実施形態]
図1、図2を参照して本発明の第1実施形態に係るプリント配線板が以下に説明されている。
図1は第1実施形態に係るプリント配線板10の断面を示している。図2は、第1実施形態のプリント配線板の用途を示している。図2では、図1のプリント配線板に第3のICチップ290が実装され、さらに、別のPKG基板110が第1実施形態のプリント配線板に搭載されている。
図1、図2を参照して本発明の第1実施形態に係るプリント配線板が以下に説明されている。
図1は第1実施形態に係るプリント配線板10の断面を示している。図2は、第1実施形態のプリント配線板の用途を示している。図2では、図1のプリント配線板に第3のICチップ290が実装され、さらに、別のPKG基板110が第1実施形態のプリント配線板に搭載されている。
図1に示されるようにプリント配線板10は、主面(F)と該主面の反対側の副面(S)を備える最下層の第1樹脂絶縁層30と、該第1樹脂絶縁層30の副面側のパッド51SPと、該第1樹脂絶縁層の主面(F)上の第1導体層34と、第1樹脂絶縁層30上のロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93と、第1樹脂絶縁層の主面上に形成されロジックICチップ90L及び積層セラミックコンデンサ93を埋設する第2樹脂絶縁層50Aと、第2樹脂絶縁層50A上の第2導体層58Aと、第2樹脂絶縁層50A及び第2導体層58A上の第3樹脂絶縁層50Bと、第3樹脂絶縁層50B上の第3導体層58Bと、第3樹脂絶縁層50B及び第3導体層58B上の最外層の第3樹脂絶縁層50Cと、最外層の第3樹脂絶縁層50C上の最外層の第3導体層58Cとを有する。ロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93と第1樹脂絶縁層30との間には、接着剤26が配置されている。接着剤の代わりに銀ペースト等からなるダイアタッチを用いても良い。パッド51SPは、第1樹脂絶縁層30の副面から凹んだ位置に形成されている。パッド51SPと第1導体層34とは、第1樹脂絶縁層を貫通するビア導体36を介して接続されている。第1導体層34と第2導体層58Aとは、第2樹脂絶縁層を貫通するビア導体60Aを介して接続されている。ICチップの電極92と第2導体層58Aとは接続ビア導体60AAを介して接続されている。第2導体層58Aと第3導体層58Bとは第3樹脂絶縁層50Bを貫通するビア導体60Bを介して接続されている。第3導体層58Bと最外層の第3導体層58Cとは、最外層の第3樹脂絶縁層50Cを貫通するビア導体60Cを介して接続されている。最外層の第3樹脂絶縁層50C上にはソルダーレジスト層70が形成されている。ソルダーレジスト層70には、中心側に相対的に小径の開口71Iと、外周側に相対的に大径の開口71Oが形成され、小径の開口71Iには小径の半田バンプ76Iが、大形の開口71Oには大径の半田バンプ76Oが形成されている。ここで、小径の半田バンプ76I間ピッチは、大径の半田バンプ76O間ピッチよりも小さい。また、小径の半田バンプ76Iの高さよりも、大径の半田バンプ76Oの高さが高い。
図2に示されるようにプリント配線板10の中心側の小径の半田バンプ96Iを介して第3のICチップ290のパッド292が接続される。プリント配線板10の外周側の大径の半田バンプ96Oを介してメモリーチップ190を内蔵するPKG基板110のパッド112が接続される。メモリーチップ190は、封止樹脂114によって封止されている。最下層の第1樹脂絶縁層30のパッド51SPには、図示しない半田バンプが形成されてマザーボードに接続される。
第1実施形態のプリント配線板では、第1樹脂絶縁層30が厚さt1:50μmに形成され、第2樹脂絶縁層50Aが厚さt2:55μmに形成され、第3樹脂絶縁層50Bが厚さt3:30μmに形成され、最外層の第3樹脂絶縁層50Cが厚さt4:30μmに形成され、ソルダーレジスト層70が厚さt5:20μmに形成されている。ICチップを埋設する第2樹脂絶縁層の厚みが最も厚く形成されている。第2樹脂絶縁層50Aと第3樹脂絶縁層50Bと最外層の第3樹脂絶縁層50Cとは同一の組成であり、CTE(熱膨張係数)は大体30〜40ppmである。第1樹脂絶縁層30は、第2樹脂絶縁層50Aと第3樹脂絶縁層50Bと最外層の第3樹脂絶縁層50Cとは同一の樹脂成分から成るが無機フィラー量によりCTEが調整され、大体10〜20ppmと第2樹脂絶縁層、第3樹脂絶縁層、最外層の第3樹脂絶縁層の1/3〜2/3程度に調整されている。ソルダーレジスト層のCTEは、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層、第3樹脂絶縁層、最外層の第3樹脂絶縁層との中間値になるように調整されている。第1、第2、第3樹脂絶縁層は樹脂中に水酸化物等からなる無機粒子が含有されてなる。樹脂としてエポキシ樹脂、BT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂などが挙げられる。水酸化物からなる無機粒子として水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。第1、第2、第3樹脂絶縁層は、芯材を備えない。但し、第1樹脂絶縁層は、芯材(補強材)を備えることもできる。その補強材として例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスはTガラスであることが好ましい。
第1実施形態のプリント配線板は、ロジックICチップ90L、積層セラミックコンデンサ93の下側に、ロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93を埋設する第2樹脂絶縁層50A、該第2樹脂絶縁層上に形成される第3樹脂絶縁層50B、50Cよりも熱膨張係数の低い第1樹脂絶縁層30が設けられる。第1樹脂絶縁層は、熱膨張係数が低いため、第1樹脂絶縁層の外縁側が下がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第2樹脂絶縁層及び第3樹脂絶縁層での外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板の反りを小さくすることができる。これにより、プリント配線板上への第3のICチップ290、PKG基板110の実装の信頼性を高めることが可能となる。
第1実施形態では、第1樹脂絶縁層の凹部51Sにパッド51SPが設けられているため、半田バンプを形成する際の短絡防止用のソルダーレジスト層が不要である。このため、第1樹脂絶縁層の露出面側に熱膨張係数の低いソルダーレジスト層を設けることが無いため、第1樹脂絶縁層による反り低減の役割をソルダーレジスト層が阻害することが無い。
図1〜図7を参照して第1実施形態のプリント配線板の製造方法が以下に説明されている。
銅箔22が樹脂基板20に積層された両面銅張積層板20Aと、厚さ3〜20μmの銅箔24が準備される(図3(A))。銅張積層板の銅箔22に銅箔24が接着剤又は超音波接続により接合され、銅張積層板の外周と銅箔の外周が所定の幅で接合される。
銅箔22が樹脂基板20に積層された両面銅張積層板20Aと、厚さ3〜20μmの銅箔24が準備される(図3(A))。銅張積層板の銅箔22に銅箔24が接着剤又は超音波接続により接合され、銅張積層板の外周と銅箔の外周が所定の幅で接合される。
銅箔24上に開口を備えるめっきレジスト(図示せず)が形成され、開口内に電解めっきにより銅層25c、ニッケル層25b、銅層25aが順次形成され、めっきレジストが剥離される(図3(B))。
銅箔24上に層間樹脂絶縁層形成用の樹脂フィルムが積層され、第1樹脂絶縁層30が形成される(図3(C))。
レーザにより第1樹脂絶縁層30に、銅層25aに至る開口30Oが形成される(図3(D))。
無電解めっき処理により、第1樹脂絶縁層30の表面及び開口30O内に無電解銅めき膜31が形成される(図4(A))。
無電解銅めき膜31上に所定パターンのめっきレジスト35が形成される(図4(B))。
電解めっき処理により、めっきレジスト35非形成部に電解めっき膜33が形成される(図4(C))。この際に、開口30O内が電解めっき膜で充填されビア導体36が形成される。
めっきレジストが剥離され、電解めっき膜非形成部の無電解銅めき膜31が除去され、無電解めっき膜31と電解めっき膜とから成る第1導体層34が形成される(図5(A))。
第1樹脂絶縁層30の所定位置に、接着剤26を介して、再配線層91の形成されたロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93が搭載される(図5(B))。
第1樹脂絶縁層30上に、図3(C)〜図5(B)を参照して上述されたと同様な工程により、第2樹脂絶縁層50A、及び、第2導体層58Aが形成される。第1導体層34と第2導体層58Aはビア導体60Aを介して接続され、ICチップの電極92と第2導体層58Aは接続ビア導体60AAを介して接続される(図5(C))。
第2樹脂絶縁層50A上に、図3(C)〜図5(B)を参照して上述されたと同様な工程により、第3樹脂絶縁層50B、及び、第3導体層58Bが形成される。第2導体層58Aと第3導体層58Bはビア導体60Bを介して接続される。第3樹脂絶縁層50B上に、図3(C)〜図5(B)を参照して上述されたと同様な工程により、最外層の第3樹脂絶縁層50C、及び、最外層の第3導体層58Cが形成される。第3導体層58Bと最外層の第3導体層58Cはビア導体60Cを介して接続される(図6(A))。
最外層の第3樹脂絶縁層50C上に中心側に小径の開口71Iを、外周側に大径の開口71Oを備えるソルダーレジスト層70が形成される(図6(B))。積層基板1000が完成する。
積層基板は銅箔24と両面銅張積層板20Aの接合箇所より内側のK−Kで切断され、両面銅張積層板20Aが除去される(図7(A))。
積層基板1000から銅箔24及び銅層25cが選択的にエッチングにより除去される。エッチング液としてメック社製のSF−5420を使用することができる。銅層25aの下部のニッケル層25bが選択的にエッチングで除去され、銅層25aが露出され、該銅層がパッド51SPを構成する(図7(B))。第1樹脂絶縁層の凹部51Sは、銅層25c及びニッケル層25bの除去により形成され、該凹部51Sにパッド51SPが形成されている。
ソルダーレジスト層70の開口71I、71Oにより露出される最外層の第3導体層58Cや、パッド51SP上に、Ni膜72、Au膜74が形成される(図7(C))。Ni/Au膜の代わりに、Ni/Pd/Au膜、Sn膜等の金属膜を形成することができる。金属膜の代わりに、図8に示す第1改変例のようパッド51SP上にOSP(耐熱型水溶性プレフレックス等の有機被膜)73を形成することもできる。OSPはめっきによる金属膜よりも簡易に形成できる。
ソルダーレジスト層70の中心側の小径の開口71Iに小径の半田バンプ76I、ソルダーレジスト層の外周側の大径の開口71Oに大径の半田バンプ76Oが形成される(図1)。
プリント配線板10の中心側の小径の半田バンプ96Iを介して第3のICチップ290のパッド292が接続される。プリント配線板10の外周側の大径の半田バンプ96Oを介してメモリーチップ190を内蔵するPKG基板110のパッド112が接続される(図2)。
第1実施形態のプリント配線板において、パッド51SPは、第1樹脂絶縁層30の副面Sより凹んでいる。このため、隣接するパッド上の半田バンプが短絡し難い。
図9は、第1実施形態の第2改変例に係るプリント配線板を示す。
第1実施形態の改変例のプリント配線板では、ロジックICチップ90L、積層セラミックコンデンサ93直下にパッドが設けられていない。第1実施形態の第2改変例では、第1樹脂絶縁層による反り抑制の効果を更に高めることができる。
第1実施形態の改変例のプリント配線板では、ロジックICチップ90L、積層セラミックコンデンサ93直下にパッドが設けられていない。第1実施形態の第2改変例では、第1樹脂絶縁層による反り抑制の効果を更に高めることができる。
図10は、第1実施形態の第3改変例に係るプリント配線板を示す。
第1実施形態の第3改変例のプリント配線板では、ロジックICチップ90Lと共に、メモリーICチップ90Mが内蔵されている。
第1実施形態の第3改変例のプリント配線板では、ロジックICチップ90Lと共に、メモリーICチップ90Mが内蔵されている。
図11は、第1実施形態の第4改変例に係るプリント配線板を示す。
第1実施形態の第3改変例のプリント配線板では、ロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93とが接続線58ASを介して直接接続されている。
第1実施形態の第3改変例のプリント配線板では、ロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93とが接続線58ASを介して直接接続されている。
[第2実施形態]
図12は、第2実施形態に係るプリント配線板を示す。
第2実施形態では、熱膨張係数の低い第1樹脂絶縁層30にロジックICチップ90L、積層セラミックコンデンサ93を埋設させてある。プリント配線板10は、該第1樹脂絶縁層30上の第1導体層34と、第1樹脂絶縁層30及び第1導体層34上の第3樹脂絶縁層50Bと、第3樹脂絶縁層50B上の第3導体層58Bと、第3樹脂絶縁層50B及び第3導体層58B上の最外層の第3樹脂絶縁層50Cと、最外層の第3樹脂絶縁層50C上の最外層の第3導体層58Cとを有する。ロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93と第1樹脂絶縁層30の背面には、銀ペースト等からなる接着層(ダイアタッチ)27が形成され、該接着層が露出されている。パッド51SPは、第1樹脂絶縁層30の副面から凹んだ位置に形成されている。パッド51SPと第1導体層34とは、第1樹脂絶縁層を貫通するビア導体36を介して接続されている。ICチップの電極92と第1導体層34とは接続ビア導体36AAを介して接続されている。第1導体層34と第3導体層58Bとは、第3樹脂絶縁層を貫通するビア導体60Bを介して接続されている。第3導体層58Bと最外層の第3導体層58Cとは、最外層の第3樹脂絶縁層50Cを貫通するビア導体60Cを介して接続されている。最外層の第3樹脂絶縁層50C上にはソルダーレジスト層70が形成されている。ソルダーレジスト層70には、中心側に相対的に小径の開口71Iと、外周側に相対的に大径の開口71Oが形成され、小径の開口71Iには小径の半田バンプ76Iが、大形の開口71Oには大径の半田バンプ76Oが形成されている。
図12は、第2実施形態に係るプリント配線板を示す。
第2実施形態では、熱膨張係数の低い第1樹脂絶縁層30にロジックICチップ90L、積層セラミックコンデンサ93を埋設させてある。プリント配線板10は、該第1樹脂絶縁層30上の第1導体層34と、第1樹脂絶縁層30及び第1導体層34上の第3樹脂絶縁層50Bと、第3樹脂絶縁層50B上の第3導体層58Bと、第3樹脂絶縁層50B及び第3導体層58B上の最外層の第3樹脂絶縁層50Cと、最外層の第3樹脂絶縁層50C上の最外層の第3導体層58Cとを有する。ロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93と第1樹脂絶縁層30の背面には、銀ペースト等からなる接着層(ダイアタッチ)27が形成され、該接着層が露出されている。パッド51SPは、第1樹脂絶縁層30の副面から凹んだ位置に形成されている。パッド51SPと第1導体層34とは、第1樹脂絶縁層を貫通するビア導体36を介して接続されている。ICチップの電極92と第1導体層34とは接続ビア導体36AAを介して接続されている。第1導体層34と第3導体層58Bとは、第3樹脂絶縁層を貫通するビア導体60Bを介して接続されている。第3導体層58Bと最外層の第3導体層58Cとは、最外層の第3樹脂絶縁層50Cを貫通するビア導体60Cを介して接続されている。最外層の第3樹脂絶縁層50C上にはソルダーレジスト層70が形成されている。ソルダーレジスト層70には、中心側に相対的に小径の開口71Iと、外周側に相対的に大径の開口71Oが形成され、小径の開口71Iには小径の半田バンプ76Iが、大形の開口71Oには大径の半田バンプ76Oが形成されている。
第2実施形態では、第3樹脂絶縁層50Bと最外層の第3樹脂絶縁層50Cとは同一の組成であり、CTE(熱膨張係数)は大体30〜40ppmである。第1樹脂絶縁層30は、第3樹脂絶縁層50Bと最外層の第3樹脂絶縁層50Cとは同一の樹脂成分から成るが無機フィラー量によりCTEが調整され、大体10〜20ppmと、第3樹脂絶縁層、最外層の第3樹脂絶縁層の1/3〜2/3程度に調整されている。ソルダーレジスト層のCTEは、第1樹脂絶縁層と第3樹脂絶縁層、最外層の第3樹脂絶縁層との中間値になるように調整されている。
第2実施形態のプリント配線板は、熱膨張係数の低い第1樹脂絶縁層30上に熱膨張係数の高い第3樹脂絶縁層50B、50Cが設けられる。第1樹脂絶縁層は、熱膨張係数が低いため、第1樹脂絶縁層の外縁側が下がる方向への反りが生じ、熱膨張係数の大きな第3樹脂絶縁層での外縁部が上がる方向への反りを打ち消し、プリント配線板の反りを小さくすることができる。
第2実施形態のプリント配線板は、ロジックICチップ90Lと積層セラミックコンデンサ93と第1樹脂絶縁層30の背面が露出しているので、ヒートシンク等を直接取り付けることができ、放熱性に優れる。
上述した実施形態では、ICチップを2個内蔵するプリント配線板を例示したが、1個のみ内蔵することもできる。また、ICチップの代わりに、チップコンデンサ等の受動部品を内蔵することも可能である。
10 プリント配線板
30 第1樹脂絶縁層
34 第1導体層
50A 第2樹脂絶縁層
50B 第3樹脂絶縁層
58A 第2導体層
58B 第3導体層
60A ビア導体
60AA 接続ビア導体
60B ビア導体
90L ロジックICチップ
90M メモリーICチップ
30 第1樹脂絶縁層
34 第1導体層
50A 第2樹脂絶縁層
50B 第3樹脂絶縁層
58A 第2導体層
58B 第3導体層
60A ビア導体
60AA 接続ビア導体
60B ビア導体
90L ロジックICチップ
90M メモリーICチップ
Claims (14)
- 主面と該主面とは反対側の副面とを有する第1樹脂絶縁層と、
前記第1樹脂絶縁層の主面上に配置された電子部品と、
前記第1樹脂絶縁層の主面に積層され、前記電子部品を埋める第2樹脂絶縁層と、
前記第2樹脂絶縁層上に積層される第3樹脂絶縁層と、
前記第1樹脂絶縁層、前記第2樹脂絶縁層、前記第3樹脂絶縁層上に形成される導体層と、
前記第1樹脂絶縁層、前記第2樹脂絶縁層、前記第3樹脂絶縁層に形成されるビア導体と、
前記電子部品の電極と前記第2樹脂絶縁層上の導体層とを接続する接続ビア導体と、
前記第1樹脂絶縁層の副面側に形成されるパッドと、を有するプリント配線板において:
前記第1樹脂絶縁層の熱膨張係数が、前記第2樹脂絶縁層、及び、前記第3樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも低い。 - 請求項1のプリント配線板であって:
前記パッドは、前記第1樹脂絶縁層の副面の表面よりも凹んだ位置に設けられている。 - 請求項1のプリント配線板であって、
前記第2樹脂絶縁層の厚みは、前記第1樹脂絶縁層の厚みよりも厚い。 - 請求項1のプリント配線板であって、
前記第1樹脂絶縁層、前記第2樹脂絶縁層、前記第3樹脂絶縁層は芯材を有さない。 - 請求項1のプリント配線板であって、
前記第2樹脂絶縁層の熱膨張係数と、前記第3樹脂絶縁層の熱膨張係数とは等しい。 - 請求項1のプリント配線板であって:
前記パッドの表面に有機被膜が形成されている。 - 請求項1のプリント配線板であって:
前記電子部品には再配線層が形成されている。 - 請求項1のプリント配線板であって:
前記電子部品は、前記第1樹脂絶縁層に接着剤を介して固定されている。 - 請求項1のプリント配線板であって:
最外層の樹脂絶縁層上にソルダーレジスト層が形成され、
前記ソルダーレジスト層の中央側に第2の電子部品を接続するための第1半田バンプが形成され、
前記ソルダーレジスト層の外周側に第2のプリント配線板を接続するための第2半田バンプが形成されている。 - 請求項9のプリント配線板であって:
前記第1半田バンプ間のピッチは、前記第2半田バンプ間のピッチよりも狭く、
前記第1半田バンプの高さよりも、前記第2半田バンプの高さが高い。 - 請求項9のプリント配線板であって:
前記ソルダーレジスト層の熱膨張係数が、前記第2樹脂絶縁層、及び、前記第3樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも低い。 - 請求項1のプリント配線板であって:
前記第1樹脂絶縁層の主面上に、少なくとも2つ電子部品が配置され、そのうち1つの電子部品は受動電子部品である。 - 請求項12のプリント配線板であって:
前記2つの電子部品が電気接続されている。 - 請求項12のプリント配線板であって:
前記受動電子部品は積層セラミックコンデンサである。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170004882A (ko) * | 2015-07-03 | 2017-01-11 | 가부시키가이샤 제이디바이스 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
WO2023095402A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | Tdk株式会社 | 電子部品内蔵基板 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015211194A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | イビデン株式会社 | プリント配線板および半導体パッケージ、ならびにプリント配線板の製造方法 |
JP2016035987A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | イビデン株式会社 | 電子部品内蔵配線板及びその製造方法 |
JP5873152B1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-03-01 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
KR102262906B1 (ko) * | 2014-11-13 | 2021-06-09 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 |
TWI573231B (zh) * | 2015-07-17 | 2017-03-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝基板及其製法 |
JP2017123459A (ja) * | 2016-01-08 | 2017-07-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | プリント回路基板 |
JP2018022823A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
JP2018032659A (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | イビデン株式会社 | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |
KR102055593B1 (ko) * | 2017-02-03 | 2019-12-13 | 삼성전자주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
JP2018152508A (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
TWI648834B (zh) * | 2017-07-07 | 2019-01-21 | 欣興電子股份有限公司 | 半導體封裝結構及其製作方法 |
JP2019062092A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
JP7046639B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2022-04-04 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP7289620B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2023-06-12 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、積層型配線基板、半導体装置 |
KR102597994B1 (ko) | 2018-12-06 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP7371882B2 (ja) * | 2019-04-12 | 2023-10-31 | 株式会社ライジングテクノロジーズ | 電子回路装置および電子回路装置の製造方法 |
CN111834354A (zh) * | 2019-04-18 | 2020-10-27 | 三星电子株式会社 | 半导体封装件 |
WO2020230442A1 (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | 株式会社ライジングテクノロジーズ | 電子回路装置および電子回路装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101084525B1 (ko) * | 1999-09-02 | 2011-11-18 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 그 제조방법 |
JP3729487B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2005-12-21 | 三菱電機株式会社 | Bgaパッケージ実装基板 |
TW511405B (en) * | 2000-12-27 | 2002-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device built-in module and manufacturing method thereof |
US6855892B2 (en) * | 2001-09-27 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Insulation sheet, multi-layer wiring substrate and production processes thereof |
JP2006059992A (ja) | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
JP2006100752A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP4736451B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | 多層配線基板とその製造方法、および多層配線基板を用いた半導体パッケージと電子機器 |
JP2006222164A (ja) | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7843302B2 (en) * | 2006-05-08 | 2010-11-30 | Ibiden Co., Ltd. | Inductor and electric power supply using it |
JP4518113B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2010-08-04 | Tdk株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
CN101843181B (zh) * | 2007-11-01 | 2014-05-28 | 大日本印刷株式会社 | 内置元件电路板 |
JP2010114434A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 部品内蔵配線基板及びその製造方法 |
US8745860B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-06-10 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
KR101939236B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2019-01-16 | 삼성전자 주식회사 | 기판 및 이를 포함하는 전자 장치 |
-
2013
- 2013-07-12 JP JP2013145986A patent/JP2015018979A/ja active Pending
-
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170004882A (ko) * | 2015-07-03 | 2017-01-11 | 가부시키가이샤 제이디바이스 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
JP2017017238A (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置及びその製造方法 |
US10256196B2 (en) | 2015-07-03 | 2019-04-09 | J-Devices Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
KR102593380B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2023-10-24 | 가부시키가이샤 앰코테크놀로지재팬 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
WO2023095402A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | Tdk株式会社 | 電子部品内蔵基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN104284511A (zh) | 2015-01-14 |
CN104284511B (zh) | 2018-03-09 |
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