JPH11289025A - ビルドアップ多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ビルドアップ絶縁層の層数を少なくすること
のできるビルドアップ多層配線基板を提供する。 【解決手段】 表面及び裏面１０１Ｂを有するビルドア
ップ多層配線基板１０１は、コア基板１０２と、コア基
板の表面側及び裏面側にそれぞれ同数積層されたビルド
アップ絶縁層１２１〜１２４、１５１〜１５４と、表面
側に形成された多数のＩＣチップ接続パッド１０３と、
ＩＣチップ接続パッド相互間の間隔Ｐｉｃよりも広い間
隔Ｐｔｍで、裏面側に形成された多数の接続端子１０４
とを備える。さらに、ＩＣチップ接続パッドから延びて
接続端子にそれぞれ接続する多数の配線であって、平面
視したときに、ＩＣチップ接続パッド形成領域Ｓの略中
央から周縁方向に向かってファンアウトする層間配線層
１７２，１７３、１８２，１８３を有する多数のファン
アウト配線Ｗの群を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の上下に
ビルドアップ絶縁層を積層し、表面にＩＣチップ接続パ
ッドを、裏面に接続端子を備えるビルドアップ多層配線
基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、コア基板を中心に、その上下
にビルドアップ絶縁層と層間配線層を交互に形成してな
るビルドアップ多層配線基板が知られている。例えば、
図２１に示すビルドアップ多層配線基板１は、平面視、
略正方板形状で、表面１Ａ側中央には、多数（３５行×
３５列）のＩＣチップ接続パッド（フリップチップパッ
ド、以下、単にパッドともいう）３（図２１では、個別
には図示しない）が、略正方形状の領域に形成されてい
る。また、裏面１Ｂ側には、ロ字状８列で格子状に接続
端子４（具体的には、ＬＧＡパッド）が多数形成されて
いる。

【０００３】このビルドアップ多層配線基板１は、図２
２の断面図に示すように、コア基板２の表裏面２ａ，ｂ
（図中上下）に、それぞれ６層（２１〜２６，５１〜５
６）のビルドアップ絶縁層（以下、単に絶縁層ともい
う）を備え、各層間には層間配線層７２〜７５等が形成
されている。また、各層を貫通するビア導体３１〜３
５，６１〜６５を備え、コア基板２にも、スルーホール
導体５を備える。即ち、ＩＣチップ接続パッド３と接続
端子４との間を結ぶ配線（ファンアウト配線）Ｗは、そ
れぞれ層間配線層７１〜７５、ビア導体３１〜３５，６
１〜６５、およびスルーホール導体５を備える。なお、
図２２では、ビア導体３１等は縦長棒状に略記したが、
実際には、例えば、図２３および図２４に示すように、
公知のフォトリソグラフィ技術およびメッキ技術によ
り、スタッガードビア導体を形成し、ビア導体３２〜３
５等の位置をずらしつつ、積層している。また同様に、
図２２では、スルーホール導体５も縦長棒状に記載した
が、実際には、例えば、図２３および図２４に示すよう
に、コア基板２に形成した貫通孔の内周に形成した略円
筒形状の導体である。

【０００４】ここで、通常、図２２に示すように、ＩＣ
チップ接続パッド３相互間の間隔Ｐｉｃよりも、接続端
子４相互間の間隔Ｐｔｍが、広くなるように形成され
る。例えば、本例では、Ｐｉｃ＝２４０μｍであり、Ｐ
ｔｍ＝１２７０μｍである。このため、ＩＣチップ接続
パッド３と接続端子４との間を結ぶ配線Ｗ同士の間隔
は、表面側から裏面側に向かうにしたがって中央（図２
２中左側）から外側（図中右側）に向けて間隔が拡がる
ように、層間配線層７２〜７５をファンアウトする配線
パターンにする必要がある。

【０００５】なお、本明細書において、「ファンアウト
する」とは、ＩＣチップ接続パッド形成領域に形成され
た相互間の間隔が狭いＩＣチップ接続パッドから延び
て、間隔の広い接続端子に接続する配線群のうち、ある
絶縁層間に形成され上記形成領域よりも外側に延びる層
間配線層群を見たとき、接続端子側の層間配線層同士の
間隔を上記パッド側のそれよりも広くすること、また
は、層間配線層の接続端子側につながるビア導体同士、
スルーホール導体同士、もしくは、接続端子同士の間隔
が、上記パッド側につながるビア導体同士、もしくはス
ルーホール導体同士の間隔より広くなるように層間配線
層を配線することを指す。ファンアウトした層間配線層
の典型的な例としては、後述する本従来例（図２７〜図
３０参照）に示す層間配線層７５〜７２のように、略放
射状（扇状）に拡げたものが挙げられる。しかし、その
他に、例えば、図２５（ａ）に示すように、パッド側の
ビア導体Ｖ１につながり途中まで狭い間隔を保ったまま
略平行に延びる平行部分７６ａと、途中から放射状に間
隔が拡がって接続端子側のビア導体Ｖ２につながる放射
状部分７６ｂと、からなる層間配線層７６を持つものが
挙げられる。また、図２５（ｂ）に示すように、ビア導
体Ｖ１につながり途中まで放射状に拡がる放射状部分７
７ａと、その後広い間隔を保ったまま略平行に延びて接
続端子側のビア導体Ｖ２につながる平行部分７７ｂとか
らなる層間配線層７７をもつものが挙げられる。さら
に、図２５（ｃ）に示すように、ビア導体Ｖ１につなが
り先端（図中右端）近くまで狭い間隔を保ったまま略平
行に延びる平行部分７８ａと、この先端近傍から略直角
方向（図中上下方向）に曲がって延び、さらに、その途
中から右方向に曲がって接続端子側のビア導体Ｖ２につ
ながるＬ字状部分７８ｂとからなる層間配線層７８を持
つものも挙げられる。このものでは、層間配線層７８
は、互いの間隔を略一定に保ちながらビア導体Ｖ２に向
かって進み、互いの間隔の広いビア導体Ｖ２に各々接続
するようにされている。さらに、階段状に折れ曲がりつ
つ徐々に互いの間隔を拡げるようにした層間配線層を持
つもの、あるいは、上記形態の組み合わせなど多様な形
態が挙げられる。

【０００６】ところが、このファンアウトは、一挙にす
べての配線について行うことはできないため、概略、外
側（周縁）に位置するＩＣチップ接続パッドに接続する
配線から、順に外側に向かう層間配線層を形成すること
でファンアウトさせる。このため、多数の配線のうち、
内側に位置するＩＣチップ接続パッドに接続する配線
は、それよりも外側に位置するＩＣチップ接続パッドに
接続している配線がファンアウトするまで、ビア導体に
よって、ほぼそのままの間隔を保ったまま裏面１Ｂ側
（図中下方側）に向かって延ばされる。

【０００７】本従来例に即し、図２６〜図３４に示す各
絶縁層上の１／４部分配線パターン図を用いて説明する
と以下のようになる。ただし、ビア導体をスタッガード
ビア導体で形成したことによる若干の位置変更は表示し
ない。まず、表面側第５絶縁層２５上（表面２５ａ上）
に形成された配線パターンとしては、図２６に示すよう
に、縦横格子状に配置されたＩＣチップ接続パッド３
（１８行×１８列。実際には、全体で３５行×３５列）
のみが形成される。但し、図２２から判るように、これ
らのパッド３のうち、破線で示した中央側の１０行×１
０列（全体では１９行×１９列）は、接続端子４に接続
しない。従って、パッド３のうち、接続端子４につなが
る配線Ｗが形成されるのは、外側８列のパッド３であ
る。

【０００８】これらのパッド３からビア導体３５によっ
て１段下層に配線Ｗを延ばすと、図２７に示すように、
表面側第４絶縁層２４上（表面２４ａ上）では、そのま
まビア導体３４によってさらに下層に延びる配線Ｗがあ
る。その他、外周側２列に位置するビア導体３５につな
がる配線Ｗは、層間配線層７５によって、それぞれ中央
（図中左下）から略放射状にファンアウトし、さらにビ
ア導体３４によって下層に延びる。このため、ビア導体
３５同士の間隔Ｐ（パッドの間隔Ｐｉｃに略等しい）に
比べ、ファンアウトした後のビア導体３４の間隔Ｐｆ
（本例では、接続端子の間隔Ｐｔｍに略等しい）が大き
くできる。なお、本例では外側８列のビア導体３５につ
ながった配線Ｗのうち、外側２列分の配線Ｗを、このフ
ァンアウトによって、配線基板１の外周側に移動させた
ため、中央部に残っている配線Ｗは外側６列分である。

【０００９】同様に、図２８に示す表面側第３絶縁層２
３上（表面２３ａ）でも、そのままビア導体３３によっ
てさらに下層に延びる配線Ｗがある他、外周側２列に位
置するビア導体３４につながる配線Ｗは、層間配線層７
４によって、中央（図中左下）から略放射状にファンア
ウトし、さらにビア導体３３によって下層に延びる。さ
らに同様に、図２９に示す表面側第２絶縁層２２上（表
面２２ａ）でも、層間配線層７３によって、中央（図中
左下）から略放射状にファンアウトさせ、さらに、図３
０に示す表面側第１絶縁層２１上（表面２１ａ）でも、
ビア導体３２につながる配線Ｗを、層間配線層７２によ
って、中央（図中左下）から略放射状にファンアウトさ
せる。これにより、外側８列のパッド３につながる配線
Ｗは、すべてファンアウトさせることが出来た。

【００１０】その後は、各配線Ｗは、コア基板２の表面
２ａ上で、図３１に示すように、８列の格子状に形成し
たスルーホール導体５に接続するため、層間配線層７１
によって位置を調整し、スルーホール導体５を通じて、
コア基板２の裏面２ｂに延出する（図３２参照）。さら
に、各配線Ｗは、図２２から判るように、各絶縁層５１
〜５５に８列の格子状に形成したビア導体６１〜６５に
よって、裏面１Ｂ側へ延び（図３３参照）、裏面側第５
絶縁層上に形成した接続端子４に接続する。なお、表面
側第６絶縁層２６、および裏面側第６絶縁層５６は、い
ずれも、表面１Ａまたは裏面１Ｂから見て、パッド３お
よび接続端子４の周縁を覆うように形成されており、ハ
ンダの拡がりをも防止するソルダーレジスト層である。
このような経路によって、ビルドアップ多層配線基板１
において、各配線Ｗは、パッド３と接続端子４との間を
結んでいる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２２
等から明らかなように、この多層配線基板１において
は、各配線Ｗがファンアウトするのは、コア基板２より
表面１Ａ側に限定されている。コア基板２に形成するス
ルーホール導体５の間隔Ｐｔｈ（本例では、Ｐｔｍに略
等しい）が、パッドの間隔Ｐｉｃよりも大きくされてい
るため、パッド３から延びる配線Ｗが、このスルーホー
ル導体５に接続するためには、コア基板２より表面１Ａ
側で、ファンアウトしておく必要があるからである。ま
た、上記したように、多数のパッドから延びる配線Ｗを
一挙にファンアウトさせることは出来ないため、図２７
〜図３０に示したように、各絶縁層毎に、外周及びその
近傍（本例では、外周２列分）の配線Ｗのみ、ファンア
ウトさせる。従って、表面側に、ファンアウトに必要な
層数のビルドアップ絶縁層および配線層を形成する必要
がある。従って、表面側に、ファンアウトに必要な層数
の絶縁層２１〜２４および層間配線層７２〜７５を形成
する必要がある。なお、スルーホール導体５の間隔Ｐｔ
ｈを、パッド３の間隔Ｐｉｃと接続端子４の間隔Ｐｔｍ
の中間の値（例えば、Ｐｔｈ＝８００μｍ）とする場合
もあるが、この場合でも、コア基板２よりも表面１Ａ側
で、いずれの配線Ｗについてもファンアウトさせておく
必要のあることには変わりが無く、表面１Ａ側に、多数
の絶縁層を形成する必要があった。

【００１２】一方、ビルドアップ多層配線基板１では、
反り等を防止するため、コア基板２の表面１Ａ側および
裏面１Ｂ側には、略同数の絶縁層（本例では、各々２１
〜２６，５１〜５６の６層ずつ）を形成する必要があ
る。このため、裏面側では、ファンアウトに寄与しない
絶縁層（本例では、５１〜５６）を形成することにな
る。ここで、ビルドアップ多層配線基板では、各絶縁層
は、下層の絶縁層（および層間配線層）を形成した後
に、次の絶縁層を形成するというように、順に形成する
ため、多数層のビルドアップ配線基板とすると、製造工
程が長くなる上、歩留まりも低下して、コストが掛かっ
ていた。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもの
であって、ビルドアップ絶縁層の層数を少なくすること
のできるビルドアップ多層配線基板を提供することを目
的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そして、
その第１の解決手段は、表面及び裏面を有するビルドア
ップ多層配線基板であって、コア基板と、上記コア基板
の上記表面側及び裏面側にそれぞれ略同数積層されたビ
ルドアップ絶縁層と、上記表面側に形成された多数のＩ
Ｃチップ接続パッドと、上記ＩＣチップ接続パッドの間
隔よりも広い間隔で、上記裏面側に形成された多数の接
続端子と、上記ＩＣチップ接続パッドから延びて上記接
続端子にそれぞれ接続する配線であって、上記コア基板
と上記ビルドアップ絶縁層との間、または各ビルドアッ
プ絶縁層間に形成された層間配線層と、上記ビルドアッ
プ絶縁層を貫通するビア導体と、上記コア基板を貫通す
るスルーホール導体と、を有する多数の配線と、を備え
るビルドアップ多層配線基板において、上記配線は、隣
接する上記ＩＣチップ接続パッド同士の間隔よりも、隣
接するスルーホール導体同士の間隔が、広くされた配線
群と、隣接する上記ＩＣチップ接続パッド同士の間隔
と、隣接するスルーホール導体同士の間隔とが、略等し
くされた配線群と、からなることを特徴とするビルドア
ップ多層配線基板である。

【００１４】上記構成を有する本発明のビルドアップ多
層配線基板では、ＩＣチップ接続パッドから延びて接続
端子にそれぞれ接続する配線は、隣接する上記ＩＣチッ
プ接続パッド同士の間隔よりも、隣接するスルーホール
導体同士の間隔が、広くされた配線群と、隣接する上記
ＩＣチップ接続パッド同士の間隔と、隣接するスルーホ
ール導体同士の間隔とが、略等しくされた配線群と、か
らなる。このため、配線のうち、間隔の広いスルーホー
ル導体をその一部とする配線群では、コア基板よりも表
面側でファンアウトさせる必要があるが、間隔がパッド
同士の間隔と略等しいスルーホール導体をその一部とす
る配線群では、コア基板よりも表面側でファンアウトさ
せる必要はなく、裏面側でファンアウトさせれば足り
る。従って、コア基板よりも表面側のみに層間で配線を
ファンアウトさせるビルドアップ絶縁層を形成する必要
が無く、裏面側に形成したビルドアップ絶縁層間でも配
線をファンアウトさせることが出来る。従って、裏面側
のビルドアップ絶縁層や配線層をもファンアウトのため
に有効に利用できるので、結果として、ビルドアップ絶
縁層の層数を減少させることができ、安価なビルドアッ
プ多層配線基板とすることができる。

【００１５】ここで、ＩＣチップ接続パッドやスルーホ
ール導体、接続端子等の「間隔」とは、隣り合うパッド
やスルーホール導体の中心と中心の間隔を指す。なお、
ＩＣチップ接続パッドや接続端子は、一定間隔で格子状
（千鳥状も含む）に配列されることが多いが、その間隔
が、場所によって異なっていても良い。また、ＩＣチッ
プ接続パッド群や接続端子群の形成領域の形状は、矩形
状あるいはロ字状とされることが多いが、その他の形状
であっても良い。また、ビア導体の形状は、ビルドアッ
プ絶縁層やビア導体の形成方法等によって適宜選択すれ
ばよく、スタッガードビアとしてもスタックドビアとし
ても良い。さらには、１層のビルドアップ絶縁層の上下
をつなぐ形式の他、複数層のビルドアップ絶縁層を一挙
に貫いてその上下をつなぐ形式のビア導体（例えばベリ
ードビア導体）を用いても良い。また、ビルドアップ絶
縁層の材質は、絶縁樹脂の他、アルミナ等のセラミッ
ク、ガラス、あるいは絶縁樹脂とセラミックの複合材料
等が挙げられる。ビルドアップ絶縁層の形成、加工の容
易さから、例えば、エポキシ，ポリイミド，ＢＴ，ＰＰ
Ｅ等の絶縁性樹脂を用いるのが好ましい。

【００１６】この発明において、前記コア基板は、貫通
孔を有する金属基板の表裏面及び上記貫通孔内周面に絶
縁樹脂層を備え、上記貫通孔の略中央に前記スルーホー
ル導体を形成した樹脂被覆金属コア基板であることを特
徴とするビルドアップ多層配線基板とすると良い。

【００１７】従来から用いられているガラス−エポキシ
樹脂複合材料等のガラス繊維と樹脂の複合材料では、複
合材料に空けた貫通孔にスルーホール導体を形成する
際、ガラス繊維と樹脂との隙間からメッキ液等が複合材
料内に滲入するので、マイグレーションなどの不具合を
生じる。このため、狭い間隔、例えば８００μｍ以下の
間隔でスルーホール導体を設けたものを用いることがで
きなかった。また、スルーホール導体の形成に際し、コ
ア基板にドリルで孔あけすることが多く、小さな間隔で
多数の貫通孔を空けるのも困難である。これに対し、本
発明のように、コア基板に樹脂被覆金属コア基板を用い
た場合には、メッキ液等の侵入がなく、従って、マイグ
レーション等の問題を考慮する必要がなく、コア基板、
従って、ビルドアップ多層配線基板の信頼性を高く出来
る。また、金属基板に小さな間隔で貫通孔を空けるの
は、エッチングやレーザ孔空け、パンチング等の手法に
よって容易にできる。

【００１８】さらに、貫通孔の略中央にスルーホール導
体を形成するのも、貫通孔内に充填した樹脂をレーザ等
で孔開けし、メッキすることで容易に形成できる。従っ
て、小さな間隔、例えば、３００μｍ以下の間隔でも容
易にスルーホール導体を設けることができる。このた
め、中央部ＩＣチップ接続パッドの間隔Ｐｉｃが、例え
ば３００μｍ以下の小さな間隔となった場合にも、コア
基板に形成するスルーホール導体の間隔Ｐｔｈをこれに
対応させて小さくして、Ｐｉｃと略等しくできる。さら
に、金属基板であるので、コア基板、従って、ビルドア
ップ多層配線基板全体の剛性を高くすることができる。
ここで、樹脂被覆金属コア基板に用いる金属基板として
は、銅板が望ましい。導電性が高く、エッチング等の加
工が容易だからである。なお、金属基板は、グランドま
たは電源電位とされていると良い。このようにすると、
金属基板の上下を被覆している絶縁樹脂層を貫くビア導
体を形成し、あるいはスルーホール導体と金属基板の貫
通孔とを直接接続させることで、所望の位置からグラン
ドまたは電源電位を取り出すことができるからである。
ここで、金属基板をグランドまたは電源電位とするに
は、接続端子と金属基板とを結ぶグランド配線や電源配
線を形成するものが挙げられる。さらに、ＩＣチップ接
続パッドから延び接続端子に接続する配線のうち、グラ
ンドや電源につながる配線において、金属基板の上下を
被覆している絶縁樹脂層を貫くビア導体を付加したり、
配線のスルーホール導体と金属基板の貫通孔とが直接導
通するようにしても良い。

【００１９】さらに、このコア基板を用いたビルドアッ
プ多層配線基板において、コア基板の金属基板の貫通孔
は、エッチングによって形成されていることを特徴とす
るビルドアップ多層配線基板とすると良い。コア基板に
多数のスルーホール導体を形成する必要があるため、金
属基板に貫通孔を多数形成する必要がある。そこで、貫
通孔を形成するにあたり、エッチングで形成すると、多
くの貫通孔を一挙に形成できるので、金属基板、従っ
て、コア基板、ひいては、ビルドアップ多層配線基板を
安価に形成できる。また、エッチングで形成すれば、金
属基板の厚さによるが、例えば、貫通孔同士の間隔が３
００μｍ以下、貫通孔の径が１５０μｍ以下の微細な貫
通孔であっても、容易に形成することが出来る。

【００２０】さらに、上記樹脂被覆金属コア基板を用い
たビルドアップ多層配線基板は、前記スルーホール導体
同士の間隔の最小値が、３００μｍ以下であることを特
徴とするビルドアップ多層配線基板とすると良い。３０
０μｍ以下の狭間隔（狭ピッチ）でスルーホール導体を
形成すれば、パッド同士の間隔が３００μｍ以下の狭ピ
ッチとなっている現在のＩＣチップを搭載でき、しか
も、ビルドアップ絶縁層の少ない安価なビルドアップ多
層配線基板とすることができる。

【００２１】さらに、第２の解決手段は、表面及び裏面
を有するビルドアップ多層配線基板であって、コア基板
と、上記コア基板の上記表面側及び裏面側にそれぞれ略
同数積層されたビルドアップ絶縁層と、上記表面側に形
成された多数のＩＣチップ接続パッドと、上記ＩＣチッ
プ接続パッド相互間の間隔よりも広い間隔で、上記裏面
側に形成された多数の接続端子と、上記ＩＣチップ接続
パッドから延びて接続端子にそれぞれ接続する多数の配
線であって、ファンアウトした層間配線層を有する多数
のファンアウト配線群と、を備えるビルドアップ多層配
線基板において、上記ファンアウト配線群は、少なくと
も上記コア基板よりも表面側でファンアウトした表面側
ファンアウト配線群と、上記コア基板よりも裏面側での
みファンアウトした裏面側ファンアウト配線群と、を有
することを特徴とするビルドアップ多層配線基板であ
る。

【００２２】上記構成を有する本発明のビルドアップ多
層配線基板では、ファンアウト配線群は、少なくともコ
ア基板よりも表面側でファンアウトした表面側ファンア
ウト配線群と、コア基板よりも裏面側でのみファンアウ
トした裏面側ファンアウト配線群と、を有する。このた
め、表面側ばかりでなく裏面側でも、ビルドアップ絶縁
層や層間配線層を有効利用してファンアウト配線群をフ
ァンアウトさせることができる。従って、結果として、
ビルドアップ絶縁層の層数を減少させることができ、安
価なビルドアップ多層配線基板とすることができる。こ
こで、表面側ファンアウト配線群は、少なくとも表面側
でファンアウトしていれば良く、表面側の他、裏面側で
もファンアウトしたものも含まれる。例えば、表面側フ
ァンアウトのスルーホール導体同士の間隔Ｐｔｈａを、
ＩＣチップ接続パッドの間隔Ｐｉｃと接続端子の間隔Ｐ
ｔｍの中間の値とした場合などである。

【００２３】この発明において、前記表面側ファンアウ
ト配線群は、前記ＩＣチップ接続パッドの形成領域のう
ち、外周側及びその近傍に位置するＩＣチップ接続パッ
ドから延び、前記裏面側ファンアウト配線群は、上記Ｉ
Ｃチップ接続パッド形成領域のうち、上記外周側及びそ
の近傍よりも内周側に位置するＩＣチップ接続パッドか
ら延びることを特徴とするビルドアップ多層配線基板と
すると良い。

【００２４】すべてのファンアウト配線群について一挙
にファンアウトさせることは困難であるため、各絶縁層
上の層間配線層に割り振ってファンアウトさせることが
必要がある。ここで、外周側及びその近傍に位置するＩ
Ｃチップ接続パッドは、ファンアウトのための層間配線
層と接続させやすい。そして、外周側の配線がファンア
ウトすると、それより裏面側の絶縁層間では、内周側の
配線もファンアウトのための層間配線層と接続させやす
くなる。従って、本発明のように、まず表面側ファンア
ウト配線群に、外周側及びその近傍に位置するＩＣチッ
プ接続パッドから延びる配線を割り当てれば、層間配線
層との接続が容易であり、さらに、裏面側ファンアウト
配線群でも層間配線層との接続が容易となる。

【００２５】なおこの発明においても、前記コア基板
は、貫通孔を有する金属基板の表裏面及び上記貫通孔内
周面に絶縁樹脂層を備え、上記貫通孔の略中央に前記ス
ルーホール導体を形成した樹脂被覆金属コア基板である
ことを特徴とするビルドアップ多層配線基板とすると良
い。メッキ液等が内部に滲入しないので、マイグレーシ
ョン等の問題を考慮する必要がなく、コア基板、従っ
て、ビルドアップ多層配線基板の信頼性を高く出来る。
また、金属基板に小さな間隔で貫通孔を容易に空けら
れ、貫通孔の略中央にスルーホール導体を形成するの
も、レーザやメッキで容易に形成できる。さらに、金属
基板であるので、コア基板、従って、ビルドアップ多層
配線基板全体の剛性を高くすることができるからであ
る。

【００２６】さらに、このコア基板を用いたビルドアッ
プ多層配線基板において、コア基板の金属基板の貫通孔
は、エッチングによって形成されていることを特徴とす
るビルドアップ多層配線基板とすると良い。エッチング
で貫通孔を形成すると、多くの貫通孔を一挙に形成でき
るので、金属基板、ひいてはビルドアップ多層配線基板
を安価に形成できるからである。

【００２７】さらに、上記樹脂被覆金属コア基板を用い
たビルドアップ多層配線基板は、前記スルーホール導体
同士の間隔の最小値が、３００μｍ以下であることを特
徴とするビルドアップ多層配線基板とすると良い。３０
０μｍ以下の狭間隔（狭ピッチ）でスルーホール導体を
形成すれば、パッド同士の間隔が３００μｍ以下の狭ピ
ッチとなっている現在のＩＣチップを搭載でき、しか
も、ビルドアップ絶縁層の少ない安価なビルドアップ多
層配線基板とすることができるからである。

【００２８】

【発明の実施の形態】（実施形態１）ついで、本発明の
実施の形態を、図面と共に説明する。図１は、本実施形
態にかかるビルドアップ多層配線基板１０１の平面図、
側面図、及び底面図である。本実施形態のビルドアップ
多層配線基板１０１は、上記した従来例のビルドアップ
多層配線基板１と、略同一の形状であるが、コア基板の
材質や形状、およびビルドアップ絶縁層の層数や、配線
の引き回し方が異なる。図１に示すビルドアップ多層配
線基板１０１は、平面視、略正方板形状で、表面１０１
Ａ側中央には、多数（３５行×３５列）のＩＣチップ接
続パッド（フリップチップパッド、以下、単にパッドと
もいう）１０３（図１では、個別には図示しない）が、
略正方形状の領域Ｓに形成されている。また、裏面１０
１Ｂには、外周３５行×３５列、ロ字状８列で格子状に
接続端子１０４（具体的には、ＬＧＡパッド）が多数形
成されている。

【００２９】このビルドアップ多層配線基板１０１は、
図２の断面図に示すように、コア基板１０２の表裏面１
０２ａ，ｂ上（図中上下面）に、それぞれ４層（１２１
〜１２４，１５１〜１５４）のビルドアップ絶縁層を備
え、各層間には層間配線層１７２、１７３、１８２、１
８３、１８４等が形成されている。また、各層を貫通す
るビア導体１３１〜１３３，１６１〜１６３を備え、コ
ア基板１０２にも、スルーホール導体１０５を備える。
即ち、ＩＣチップ接続パッド１０３と接続端子１０４と
の間を結ぶ配線（ファンアウト配線）Ｗは、それぞれ層
間配線層１７２、１７３，１８２，１８３、１８４、ビ
ア導体１３１〜１３３，１６１〜１６３、および外側、
内側スルーホール導体１０５ｐ，ｃを備える。

【００３０】なお、図２では、ビア導体１３１等は縦長
棒状に略記したが、実際には、例えば、図３および図４
に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術およびメ
ッキ技術により、スタッガードビア導体を形成し、ビア
導体１３１〜１３３、１６１〜１６３等の位置を順次ず
らしつつ、積層している。また、図３および図４に示す
ように、コア基板１０２は、貫通孔１０２Ｔを各所に穿
孔した銅板の上下面に、絶縁樹脂層１０２Ａ，Ｂを形成
し、貫通孔１０２Ｔの内周壁にも絶縁樹脂層１０２Ｃを
形成したものである。従って、図２では、スルーホール
導体１０５ｐ，ｃも縦長棒状に記載したが、実際には、
例えば、コア基板１０２の絶縁樹脂層１０２Ｃ内周に形
成した略円筒形状の導体である。

【００３１】ここで、コア基板１０２は、厚さ０．２ｍ
ｍのエッチング等の加工が容易で、導電性の高い銅板か
らなる金属基板１０２Ｍを、ＢＴ（ビスマレイミド−ト
リアジン）樹脂からなる被覆絶縁層（上部・下部コア絶
縁層１０２Ａ、Ｂや貫通孔内絶縁層１０２Ｃ）で取り囲
んだ樹脂被覆金属コア基板である。このコア基板１０２
は、上記従来例のように、ガラスと樹脂の複合材料をコ
ア基板として用いていないため、メッキ液の滲入等によ
るマイグレーションを生じることがなく、例えば、３０
０μｍ以下の狭い間隔でスルーホール導体を形成するこ
とができる。また、銅板（金属板）を芯材としているた
め、コア基板１０２の剛性、ひいてはビルドアップ多層
配線基板１０１全体の剛性を高め、反り変形等を防止・
抑制することもできる。

【００３２】ここで、上記従来例と同様に、ＩＣチップ
接続パッド１０３相互間の間隔Ｐｉｃよりも、接続端子
４相互間の間隔Ｐｔｍが、広くされている。即ち、本実
施形態も、Ｐｉｃ＝２４０μｍ、Ｐｔｍ＝１２７０μｍ
である。このため、ＩＣチップ接続パッド１０３から延
びて接続端子１０４に接続する配線Ｗ同士の間隔は、表
面側から裏面側に向かうにしたがって中央（図２中左
側）から外側（図中右側）に拡がるように、層間配線層
１７２，１７３，１８２，１８３によって順次ファンア
ウトさせる。この場合、外側（周縁）に位置するＩＣチ
ップ接続パッドに接続する配線から、順に外側に向かう
層間配線層を形成することでファンアウトさせる。この
ため、多数の配線Ｗのうち、内側に位置するＩＣチップ
接続パッドに接続する配線は、それよりも外側に位置す
るＩＣチップ接続パッドに接続している配線がファンア
ウトするまで、ビア導体によって、ほぼそのままの間隔
を保ったまま裏面１０１Ｂ側に向かって延ばされる。こ
の点は、前記した従来例と同様である。

【００３３】但し、本実施形態では、断面図（図２）お
よびそのうちパッド１０３近傍の部分拡大断面図（図
３）に示すように、パッド１０３の形成領域Ｓ内に位置
する内側スルーホール導体１０５ｃ同士の間隔Ｐｔｈｂ
が、パッド１０３の間隔Ｐｉｃとほぼ同じ（即ち、Ｐｔ
ｈｂ＝２４０μｍ）にされている。従って、パッド１０
３から延びる配線Ｗのうち、外周及びその近傍より内周
側の内側ＩＣチップ接続パッド（以下、単に内側パッド
ともいう）１０３ｃから延びる裏面側ファンアウト配線
Ｗｂ、具体的に言えば、外周から５〜８列に位置する内
側パッド１０３ｃから延びる裏面側ファンアウト配線Ｗ
ｂでは、コア基板１０２よりも表面１０１Ａ側でファン
アウトしない。その代わり、ビア導体１３３，１３２，
１３１を通じて、領域Ｓ内（領域Ｓ直下）の内側スルー
ホール導体１０５ｃにつながり、さらに、コア基板１０
２の裏面１０２ｂ側に延出し、コア基板１０２よりも裏
面１０１Ｂ側で、層間絶縁層１８２，１８３によってフ
ァンアウトする。なお、外周及びその近傍の外側ＩＣチ
ップ接続パッド（以下、単に外側パッドともいう）１０
３ｐから延びる表面側ファンアウト配線Ｗａ、具体的に
言えば、外周から１〜４列に位置する外側パッド１０３
ｐから延びる表面側ファンアウト配線Ｗａは、前記従来
技術と同様に、コア基板１０２よりも表面１０１Ａ側
で、層間絶縁層１７２，１７３によってファンアウト
し、外側スルーホール導体１０５ｐの接続する。

【００３４】図５〜図１１に示す各絶縁層上の１／４部
分配線パターン図を用いて説明すると以下のようにな
る。ただし、ビア導体をスタッガードビアで形成したこ
とによる若干の位置変更については表示しない。まず、
表面側第３絶縁層１２３上（表面１２３ａ上）に形成さ
れた配線パターンとしては、図５に示すように、縦横格
子状に配置されたＩＣチップ接続パッド１０３（１８行
×１８列。実際には、全体で３５行×３５列）のみが形
成される。但し、図２から判るように、これらのパッド
１０３のうち、破線より中央（図中左下）側の１０行×
１０列（全体では１９行×１９列）は、接続端子１０４
に接続しない。従って、パッド１０３のうち、接続端子
１０４につながる配線Ｗが形成されるのは、破線より外
側８列の外側パッド１０３である。このうち、外周第１
〜４列が、表面側ファンアウト配線Ｗａが延びる内側パ
ッド１０３ｐであり、これより内側の第５〜８列が、裏
面側ファンアウト配線Ｗｂが延びるパッド１０３ｃであ
る。

【００３５】これらのパッド１０３から絶縁層１２３に
形成したビア導体１３３によって１段下層に配線Ｗを延
ばす。図６に表面側第２絶縁層１２２上（表面１２２ａ
上）の配線パターンを示す。ここでは、外側８列のう
ち、最外側２列を除き、配線Ｗ（Ｗａ，Ｗｂ）は、ファ
ンアウトせずに、そのままビア導体１３２によってさら
に下層に延びる。一方、外周側２列に位置するビア導体
１３３につながる表面側ファンアウト配線Ｗａは、層間
配線層１７３によって、それぞれ中央（図中左下）から
略放射状にファンアウトし、さらにビア導体１３２によ
って下層に延びる。このため、ビア導体３５同士の間隔
Ｐ（パッドの間隔Ｐｉｃに略等しい）に比べ、ファンア
ウトした後のビア導体３４の間隔Ｐｆ（本実施形態で
は、接続端子の間隔Ｐｔｍに略等しい場合が多い）が大
きくできる。なお、外側８列のビア導体１３３につなが
った配線Ｗのうち、外側２列分の表面側ファンアウト配
線Ｗａを、このファンアウトによって、配線基板１の外
周側に移動させたため、中央部に残っている配線Ｗは外
側６列分である。

【００３６】同様に、図７に示す表面側第１絶縁層１２
１上（表面１２１ａ）でも、６列のうち、内側４列の配
線Ｗ（裏側ファンアウト配線Ｗｂ）は、そのままビア導
体１３１によってさらに下方（裏面側）に延びる。一
方、外周側２列に位置するビア導体１３２につながる表
面側ファンアウト配線Ｗａは、層間配線層１７２によっ
て、それぞれ中央（図中左下）から略放射状にファンア
ウトし、さらにビア導体１３１によって下方に延びる。
これにより、外側４列分のパッド１０３ｐにつながった
表面側ファンアウト配線Ｗａは、ファンアウトさせるこ
とができたが、内側４列分のパッド１０３ｃから延びる
裏側ファンアウト配線Ｗｂは、配線同士の間隔として、
パッド１０３（１０３ｃ）間の間隔Ｐｉｃと略同一の間
隔を保ったまま、コア基板表面１０２ａで、スルーホー
ル導体１０５に接続する（図８参照）。

【００３７】ここで、スルーホール導体１０５同士の間
隔は、図８から判るように、中央近傍に形成されるもの
と、周縁近傍に形成されるものでは異なる。既に上記し
たように、中央近傍（図中左下）に位置し、裏側ファン
アウト配線Ｗｂの一部を構成する内側スルーホール導体
１０５ｃの間隔Ｐｔｈｂは、パッド１０３の間隔Ｐｉｃ
と略等しくされている。一方、周縁近傍（図中右または
上）に位置し、表側ファンアウト配線Ｗａの一部を構成
する外側スルーホール導体１０５ｐの間隔Ｐｔｈａは、
多くは接続端子１０４の間隔Ｐｔｍと略等しくされてい
る。なお、本実施形態では、配線引き回しの都合等で、
外側スルーホール導体１０５ｐの間隔Ｐｔｈａは、一部
に約１／２の間隔Ｐｔｈａｍとなる部分がある。なお、
スルーホール導体１０５のうち、最小間隔（Ｐｔｈｍ）
のものは、本実施形態では、スルーホール導体１０５ｃ
の間隔Ｐｔｈｂであり、具体的には、Ｐｔｈｂ＝Ｐｔｈ
ｍ＝２４０μｍとなっている。

【００３８】さらに、内側スルーホール導体１０５ｃに
よってコア基板裏面１０２ｂ側に延出した裏面側ファン
アウト配線Ｗｂは、ビア導体１６１によって、図９に示
すように、裏面側第１絶縁層１５１と第２絶縁層１５２
の界面（表面１５２ａ）まで延びる。この界面（表面１
５２ａ）で、配線Ｗｂのうち外側２列は、層間絶縁層１
８２によってファンアウトし、ビア導体１６２によっ
て、さらに下層に延びる。また、内側２列の配列Ｗｂ
は、ビア導体１６２によって、そのまま下方に延びる。
一方、表面側ファンアウト配線Ｗａは、ビア導体１６２
によってそのまま下方に延びる。さらに、図１０に示す
ように、裏面側ファンアウト配線Ｗｂのうち、残る２列
のファンアウトしていない配線を、裏面側第２絶縁層１
５２と第３絶縁層１５３の界面（表面１５３ａ）で、層
間絶縁層１８３によってファンアウトさせ、ビア導体１
６３によって下方に延ばす。これにより、外側８列のパ
ッド１０３につながる配線Ｗ（Ｗａ、Ｗｂ）は、すべて
ファンアウトさせることができた。

【００３９】さらに、図１１に示すように、裏面側第３
絶縁層１５３と第４絶縁層１５４の界面（表面１５４
ａ）において、各配線Ｗのビア導体１６３は、直接ある
いは層間配線層１８４を介して、ロ字状８列の格子状に
形成した接続端子（ＬＧＡパッド）１０４に接続する
（図１（ｃ）参照）。なお、表面側第４絶縁層１２４、
および裏面側第４絶縁層１５４は、いずれも、表面１０
１Ａまたは裏面１０１Ｂから見て、パッド１０３および
接続端子１０４の周縁を覆うように形成されており、ハ
ンダの拡がりをも防止するソルダーレジスト層である。

【００４０】以上から容易に理解できるように、本実施
形態では、配線Ｗを、スルーホール導体１０５（１０５
ｐ）の間隔Ｐｔｈ（Ｐｔｈａ）をパッド１０３の間隔Ｐ
ｉｃよりも広く、具体的には、接続端子１０４の間隔Ｐ
ｔｍと略等しくした表面側ファンアウト配線Ｗａの群
と、スルーホール導体１０５（１０５ｃ）の間隔Ｐｔｈ
（Ｐｔｈｂ）をパッド１０３の間隔Ｐｉｃと略等しくし
た裏面側ファンアウト配線Ｗｂの群とから構成した。あ
るいは、ファンアウト配線Ｗは、コア基板１０２よりも
表面側でファンアウトする表面側ファンアウト配線Ｗａ
の群と、コア基板１０２よりも裏面側でのみファンアウ
トする裏面側ファンアウト配線Ｗｂの群とから構成し
た。

【００４１】このようにしても、前記した従来例と、同
様に配線を引き回したビルドアップ多層配線基板１０１
とすることができ、しかも、形成したビルドアップ絶縁
層の層数は、前記従来例が片側６層（両側１２層）であ
ったのに対して、本実施形態では、片側４層（両側８
層）に削減できた。このため、前記従来例に比較して、
安価で歩留まり良くビルドアップ多層配線基板１０１を
形成することができる。なお、図２中左側において、破
線で示すように、金属基板１０２Ｍをグランド電位とす
べく、接続端子１０４からビア導体１６３，１６２，１
６１を通じ、さらに下部コア絶縁層１０２Ｂを貫通する
ビア導体を用いて金属基板１０２Ｍを接続する裏面側グ
ランド配線ＷＧｂを形成しておくと良い。金属基板１０
２Ｍ全体がグランド電位となるので、必要な位置からグ
ランド電位を取り出すことができ、しかも、金属基板１
０２Ｍは、比較的厚く面積も大きいので、低抵抗なグラ
ンドとすることができるからである。さらに、このグラ
ンド電位の取り出す構造としては、例えば、同じく図２
中左側において、破線で示すように、パッド１０３から
ビア導体１３３，１３２，１３１を通じ、さらに、上部
コア絶縁層１０２Ａを貫くビア導体を用いて金属基板１
０２Ｍに接続する表面側グランド配線ＷＧａが挙げられ
る。

【００４２】ついで、本実施形態にかかるビルドアップ
多層配線基板１０１の製造方法について、特に、この多
層配線基板１０１の製造方法のうち、絶縁層等形成の土
台となるコア基板１０２の製造方法について説明する。
なお、ビルドアップ絶縁層１２１〜１２４，１５１〜１
５４、層間配線層１７２，１７２，１８２，１８３、ビ
ア導体１３１〜１３４、１６１〜１６４の製造について
は、公知のフォトリソグラフィ技術及びメッキ技術によ
り形成すればよい。即ち、例えば、感光性樹脂を用いた
フォトビア形成やセミアディティブ法によるビア導体や
層間配線層の形成を行えば良いので、詳細な説明は省略
する。

【００４３】コア基板１０２は、例えば、以下のように
して製造する。即ち、図１２（ａ）（ｂ）に示すよう
に、まず、厚さ０．２ｍｍの銅板からなる金属基板１０
２Ｍを用意する。この金属基板１０２Ｍには、エッチン
グによって直径１５０μｍの貫通孔１０２Ｔが各所、具
体的には、外周（周縁）近傍においてロ字状に、間隔Ｐ
ｔｈａを空けて略格子状に４列、また、中央部にもロ字
状に、間隔Ｐｔｈｂを空けて格子状に４列形成されてい
る。この金属基板１０２Ｍを、２枚のＢＴ（ビスマレイ
ミド−トリアジン）樹脂からなるプリプレグで挟み、真
空熱プレスによって圧縮硬化させる。これにより、図１
２（ｃ）に示すように、貫通孔１０２Ｔ内もＢＴ樹脂で
埋められた状態となり、金属基板１０２Ｍの図中上面に
は、厚さ５０μｍの上部コア絶縁層１０２Ａが、同じく
図中下面にも厚さ５０μｍの下部コア絶縁層１０２Ｂが
形成される。さらに、ＹＡＧレーザを用いて、各貫通孔
１０２Ｔの中心を軸方向（図中上下方向）に貫通する直
径５０μｍφの貫通孔ＴＨを穿孔する。これにより、貫
通孔ＴＨと金属基板１０２Ｍの貫通孔１０２Ｔとの間
に、厚さ５０μｍの貫通孔内絶縁層１０２Ｃが形成さ
れ、コア基板１０２として、金属基板１０２Ｍを芯材と
し、その表面を絶縁層１０２Ａ，Ｂ，Ｃで取り囲んだ樹
脂被覆金属コア基板が完成する。

【００４４】ついで、このコア基板１０２に触媒核を付
与した後、無電解銅メッキを施し、図１３（ａ）に示す
ように、上部、下部コア絶縁層１０２Ａ，Ｂおよび貫通
孔１０２Ｔ内に、厚さ２μｍの無電解メッキ層ＰＬ１を
形成する。さらに、図１３（ｂ）に示すように、感光性
フィルムレジストを上下に貼り付けた後、所定パターン
に露光・現像し、無電解メッキ層ＰＬ１上の所望部分に
メッキレジストＲを形成する。その後、無電解メッキ層
ＰＬ１を共通電極として、レジストＲの形成されていな
い部分（開口部）に、厚さ２０μｍ程度の電解銅メッキ
を施して、銅メッキ層の厚さを増し、その後、レジスト
Ｒを溶解除去し、さらに、露出する無電解メッキ層ＰＬ
１を過硫酸系エッチング液によりソフトエッチングして
除去し、上部、下部コア絶縁層１０２Ａ，Ｂを露出させ
る。これにより、貫通孔ＴＨ内に、スルーホール導体１
０５（１０５ｐ，ｃ）が形成される。その後は、上述し
たように、公知のフォトリソグラフィ技術や、セミアデ
ィティブ法等を用いて、ビルドアップ絶縁層やビア導
体、層間配線層等を形成すればよい。また、セミアディ
ティブ法に代えて、フルアディティブ法やサブトラクテ
ィブ法によってビア導体やスルーホール導体、層間配線
層を形成しても良い。また、レーザ（ＹＡＧ、ＣＯ２
等）によってビルドアップ絶縁層に穿孔しても良い。さ
らには、片面に銅箔を有する半硬化樹脂層を積層するな
ど公知のいずれの手法によって形成しても良い。

【００４５】このように、本実施形態では、コア基板１
０２の芯材に金属基板１０２Ｍを用い、樹脂で被覆した
為、コア基板１０２に強度を持たせることができる。ま
た、前記従来例のようにガラス繊維と樹脂との間にメッ
キ液が浸透してマイグレーションを生じることがないの
で、スルーホール導体間の間隔Ｐｔｈ（特にＰｔｈｂ）
を狭く（本実施形態では、約２４０μｍ）できる。ま
た、貫通孔ＴＨをレーザで穿孔したので、細い径の貫通
孔（本例では、５０μｍφ）を容易に形成することがで
きる。

【００４６】（実施形態２）ついで、本発明の第２の実
施形態を説明する。本実施形態は、上記実施形態１とほ
ぼ同様であるが、コア基板の上下面にもファンアウト配
線を形成することにより、ビルドアップ絶縁層の層数を
さらに低減した点に特徴があるので、同様な部分の説明
は省略し、異なる部分を中心に説明する。図１４は、本
実施形態にかかるビルドアップ多層配線基板２０１の平
面図、側面図、及び底面図である。本実施形態のビルド
アップ多層配線基板２０１は、上記した実施形態１のビ
ルドアップ多層配線基板１０１と、ビルドアップ絶縁層
の層数や、配線の引き回し方が異なるが、略同一の形状
である。即ち、多数（３５行×３５列）のパッド２０３
が、表面２０１Ａ側中央の略正方形状の領域Ｓに、ま
た、多数の接続端子１０４（具体的には、ＬＧＡパッ
ド）が、裏面１０１Ｂにロ字状８列で格子状に形成され
ている。

【００４７】このビルドアップ多層配線基板２０１は、
図１５の断面図に示すように、実施形態１と同じコア基
板１０２を用い、その表裏面１０２ａ，ｂ上（図中上下
面）に、それぞれ３層（２２１〜２２３，２５１〜２５
３）のビルドアップ絶縁層を備え、各層間には層間配線
層２７１、２７２、２８１、２８２、２８３等が形成さ
れている。また、各層を貫通するビア導体２３１，２３
２，２６１，２６２を備え、コア基板１０２にも、スル
ーホール導体１０５（１０５ｐ，ｃ）を備える。即ち、
ＩＣチップ接続パッド２０３と接続端子２０４との間を
結ぶ配線（ファンアウト配線）Ｗは、それぞれ層間配線
層２７１，２７２，２８１，２８２，２８３、ビア導体
２３１，２３２，２６１，２６２、および外側、内側ス
ルーホール導体１０５ｐ，１０５ｃを備える。なお、図
１５では、ビア導体１３１等やスルーホール導体１０５
等は縦長棒状に略記したが、スタッガードビア導体およ
び略円筒形状の導体であることや、パッド２０３の形成
領域Ｓ内に位置する内側スルーホール導体１０５ｃ同士
の間隔Ｐｔｈｂが、パッド１０３の間隔Ｐｉｃとほぼ同
じにされていることは、実施形態１と同様である。

【００４８】但し、本実施形態では、断面図（図１５）
およびそのうち接続端子２０４近傍の部分拡大断面図
（図１７）に示すように、外側パッド２０３ｐから延び
る表面側ファンアウト配線Ｗａのうち、外周から３，４
列に位置する外側パッド２０３ｐから延びる配線Ｗａ
は、コア基板１０２の表面（上面）１０２ａ上に形成さ
れた層間配線層２７１によってファンアウトする。ま
た、パッド２０３近傍の部分拡大断面図（図１６）に示
すように、内側パッド２０３ｃから延びる裏面側ファン
アウト配線Ｗｂのうち、外周から５、６列に位置する内
側パッド２０３ｃから延びる配線Ｗｂは、コア基板１０
２の裏面１０２ｂと第１裏面側絶縁層２５１との界面に
形成された層間配線層２８１によってファンアウトす
る。つまり、コア基板１０２の表裏面１０２ａ，ｂ上に
ファンアウトのための層間配線層２７１，２８１を形成
した。このため、ビルドアップ絶縁層の層数を、表裏面
側各３層とすることができ、前記従来例はもとより、上
記実施形態１に比較しても、さらに、層数低減ができ
た。

【００４９】なお、容易に理解できるように、表面側第
２絶縁層２２２上（表面２２２ａ）に形成した配線パタ
ーンは、上記実施形態１の表面１２３ａのパターン（図
５参照）と同様であり、表面側第１絶縁層２２１上（表
面２２１ａ）に形成した配線パターンは、上記実施形態
１の表面１２２ａのパターン（図６参照）と同様であ
る。また、コア基板表面１０２ａ上に形成した配線パタ
ーンは、上記実施形態１の表面１２１ａのパターン（図
７参照）と同様であり、コア基板裏面１０２ｂと裏面側
第１絶縁層２５１との界面（表面２５１ａ上）に形成し
た配線パターンは、上記実施形態１の界面１５２ａのパ
ターン（図９参照）と同様である。さらに、裏面側第１
絶縁層２５１と裏面側第２絶縁層２５２との界面（表面
２５２ａ上）に形成した配線パターンは、上記実施形態
１の界面１５３ａのパターン（図１０参照）と同様であ
り、裏面側第２絶縁層２５２と裏面側第２絶縁層（ソル
ダーレジスト層）２５３との界面（表面２５３ａ上）に
形成した配線パターンは、上記実施形態１の界面１５４
ａのパターン（図１１参照）と同様である。従って、こ
れらの説明は省略する。

【００５０】（実施形態３）ついで、本発明の第３の実
施形態を説明する。上記実施形態１、２では、ビア導体
として、積み重ねる際にビア導体が互い違いに若干ずれ
るように形成するスタッガードビアタイプを用いたが、
本実施形態では、ビア導体をまっすぐ上下方向に積み重
ねるスタックドビアタイプを用いた点で異なる。また、
実施形態１，２では、スルーホール導体として、メッキ
によって形成した略円筒形状のものを用いたが、本実施
形態では、さらにその円筒内にメッキ可能樹脂を埋め込
み、その上下面をメッキ可能としたスルーホール導体を
用いた点で異なる。

【００５１】そこで、パッド３０３近傍の部分拡大断面
図（図１８）、および周縁近傍の部分拡大断面図（図１
９）を参照して説明する。本実施形態にかかるビルドア
ップ多層配線基板３０１は、実施形態２と同様に、コア
基板１０２の上下にそれぞれ３層の絶縁層３２１〜３２
３，３５１〜３５３を備えており、コア基板１０２には
略円筒形状のスルーホール導体３０５ｐｃ，３０５ｃｃ
を備える。但し、本実施形態では、このスルーホール導
体３０５ｐｃ，３０５ｃｃの内部に、ＢＴ樹脂に銅粉を
５０容量％の割合で混ぜたメッキ可能樹脂からなるプラ
グ３０５ｐｍ、３０５ｃｍを備える。このメッキ可能樹
脂は、混合した銅粉により、その表面に無電解メッキが
可能とされており、従って、上記実施形態１，２と異な
り、スルーホール導体３０５ｐ，ｃの直上に（つまり、
スルーホール導体の軸上に重ねて）、ビア導体を形成す
ることが可能となる。このため、図１８、図１９から判
るように、各スルーホール導体３０５ｐ，ｃの直上（ま
たは直下）にビア導体３３１，３６１が形成されてい
る。

【００５２】さらに、各絶縁層３２１等に積層して形成
されるビア導体は、下部ビア導体３３１ｅ、３３２ｅ、
３６１ｅ、３６２ｅと、その凹部内に充填され導電性樹
脂からなる上部ビア導体３３１ｆ、３３２ｆ、３６１
ｆ、３６２ｆからなる。この導電性樹脂は、例えば、エ
ポキシ樹脂に銅粉を６０容量％の割合で混ぜたもので、
導電性を有し、無電界メッキも可能な樹脂である。この
ように、ビア導体として、下部ビア導体の凹部内に導電
性樹脂を充填したものを用いたため、図１８、図１９か
ら判るように、上部ビア導体（例えば３３１ｆ）の直上
にメッキによって上層の下部ビア導体（例えば３３１
ｅ）を形成することにより、軸方向に積み重ねたスタッ
クドビアタイプのビア導体とすることができる。以上の
ようにした本実施形態のビルドアップ多層配線基板で
は、上下層のビア導体を積み重ねて形成すればよいの
で、実施形態１，２で示したスタッガードビアやスルー
ホール導体に比較して、各配線パターンをより簡単なも
のとすることができる。

【００５３】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、接続端子１０
４等は、ロ字状に並んだものを示したが、正方形状（矩
形状）に並んだものでも良い。また、パッド１０３のう
ち、外側８列のパッドから延びる配線Ｗのみ接続端子１
０４まで延びるものを示したが、これに限定されること
はなく、さらに内側のパッドから延びる配線が接続端子
に接続するようにしても良い。さらに、上記実施形態に
おいては、スルーホール導体１０５の間隔の間隔Ｐｔｈ
を接続端子１０４の間隔Ｐｔｍと略等しくしたため、表
面側ファンアウト配線Ｗａは、いずれもコア基板１０２
より表面（１０１Ａ）側のみファンアウトし、裏面（１
０１Ｂ等）側でファンアウトしない構造とした。しか
し、スルーホール導体１０５の間隔Ｐｔｈをパッド１０
３の間隔Ｐｉｃと接続端子の間隔Ｐｔｍの中間（例え
ば、Ｐｔｈ＝８００μｍ）の値とし、表面側ファンアウ
ト配線Ｗａを、コア基板１０２より表面側および裏面側
で、ファンアウトする構造としても良い。

【００５４】さらに、上記実施形態においては、各配線
Ｗ（Ｗａ，Ｗｂ）は、金属基板１０２Ｍと導通しない構
造としたが、図２０の各例に示すように、金属基板１０
２Ｍを接続するようにしても良い。即ち、図２０（ａ）
に示すものは、パッド１０３から、ビア１３３，１３
２，１３１、スルーホール導体１０５、ビア導体１６１
を通じて、層間配線層１８２により図中右側にファンア
ウトする裏面側ファンアウト配線Ｗｂにおいて、上側コ
ア絶縁層１０２Ａを貫通するビア導体１０５ＡＶで、金
属基板１０２Ｍと接続する例である。また、図２０
（ｂ）に示すものは、図示しないパッド１０３から延
び、層間配線層１７２によってファンアウトし、ビア１
３１、スルーホール導体１０５、ビア導体１６１、１６
２，１６３を経由して、接続端子１０４に接続する配線
１８２により図中右側にファンアウトする表面側ファン
アウト配線Ｗａを持つものである。このものは、金属基
板１０２Ｍの貫通孔１０２ＴＶを、通常の貫通孔１０２
Ｔより径小とし、貫通孔内絶縁層１０２Ｃを形成しない
で（図２０（ａ）参照）、金属基板１０２Ｍとスルーホ
ール導体１０５とが直接接続するようにしている。

【００５５】さらに、図２０（ｃ）に示すものは、コア
基板１０２及びその上下に形成された絶縁層１２１，１
２２，１５１，１５２を一挙に貫通し、その上下を導通
するベリードビア導体１９１を用いたものである。この
ものは、パッド１０３から、ビア１３３、ベリードビア
導体１９１を通じて、層間配線層１８３により図中右側
にファンアウトする裏面側ファンアウト配線Ｗｂにおい
て、通常の貫通孔１０２Ｔより径小の貫通孔１０２ＴＶ
を持ち、貫通孔内絶縁層１０２Ｃを形成しないで（図２
０（ａ）参照）、金属基板１０２Ｍとベリードビア導体
１９１とが直接接続するようにしている。これらの構造
を用いれば、接続端子１０４から配線Ｗ（Ｗａ，Ｗｂ）
を通じて金属基板１０２Ｍを容易にグランド電位や電源
電位にでき、あるいは、金属基板１０２Ｍからグランド
電位や電源電位を取り出すことができる。

【００５６】また、上記実施形態においては、ビルドア
ップ多層配線基板１０１の表面１０１Ａの略中央をＩＣ
チップ接続用パッド形成領域Ｓとして、ここにパッド１
０３を設けたが、これに限定されることはなく、このＩ
Ｃチップ接続用パッド形成領域Ｓは、配線基板中央の
他、周縁寄りに形成しても良い。また、複数のＩＣチッ
プを接続するいわゆるマルチチップ用多層配線基板に適
用しても良く、この場合には、ＩＣチップ接続用パッド
形成領域Ｓは、配線基板表面に複数形成されることにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかるビルドアップ多層配線基板
の平面図、側面図、および底面図である。

【図２】図１に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板の断面の様子を拡大して示す説明図である。

【図３】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板のうち、ＩＣチップ接続パッド近傍の部分拡大断面
図である。

【図４】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板のうち、周縁部近傍の部分拡大断面図である。

【図５】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板の表面側第３絶縁層上の配線パターンを示す説明図
である。

【図６】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板の表面側第２絶縁層上の配線パターンを示す説明図
である。

【図７】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板の表面側第１絶縁層上の配線パターンを示す説明図
である。

【図８】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板のコア基板表面上の配線パターンを示す説明図であ
る。

【図９】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配線
基板の裏面側第１絶縁層と第２絶縁層の界面の配線パタ
ーンを示す説明図である。

【図１０】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配
線基板の裏面側第２絶縁層と第３絶縁層の界面の配線パ
ターンを示す説明図である。

【図１１】図２に示す実施形態１のビルドアップ多層配
線基板の裏面側第３絶縁層と第４絶縁層の界面の配線パ
ターンを示す説明図である。

【図１２】コア基板の製造方法を説明する説明図であ
り、（ａ）は金属基板の断面図、（ｂ）はその部分拡大
断面図、（ｃ）は上下に絶縁層を設けた状態の部分拡大
断面図、（ｄ）は貫通孔を形成した状態を示す部分拡大
断面図である。

【図１３】コア基板の表裏面および貫通孔内にメッキに
よりスルーホール導体を形成する様子を示し、（ａ）は
無電解メッキ層を形成した状態、（ｂ）はメッキレジス
トを所望部分に形成した状態、（ｃ）は電界メッキ、レ
ジスト除去及びエッチングを行ってスルーホール導体を
形成した状態を示す部分拡大断面図である。

【図１４】実施形態２にかかるビルドアップ多層配線基
板の平面図、側面図、および底面図である。

【図１５】図１４に示す実施形態２のビルドアップ多層
配線基板の断面の様子を拡大して示す説明図である。

【図１６】図１５に示す実施形態２のビルドアップ多層
配線基板のうち、ＩＣチップ接続パッド近傍の部分拡大
断面図である。

【図１７】図１５に示す実施形態２のビルドアップ多層
配線基板のうち、周縁部近傍の部分拡大断面図である。

【図１８】実施形態３のビルドアップ多層配線基板のう
ち、ＩＣチップ接続パッド近傍の部分拡大断面図であ
る。

【図１９】実施形態３のビルドアップ多層配線基板のう
ち、周縁部近傍の部分拡大断面図である。

【図２０】金属基板と配線とを接続する場合の例を示す
部分拡大断面図であり、（ａ）は上側コア絶縁層に形成
したビア導体で接続する例、（ｂ）は貫通孔内絶縁層と
無くしてスルーホール導体と金属基板とを直接接続した
例、（ｃ）は上下各２層のビルドアップ絶縁層とコア基
板を貫通するベリードビア導体に金属基板を直接接続し
た例である。

【図２１】従来のビルドアップ多層配線基板の平面図、
側面図、および底面図である。

【図２２】図２１に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の断面の様子を拡大して示す説明図である。

【図２３】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板のうちコア基板より表面側で、（ａ）はＩＣチップ接
続パッド近傍の、（ｂ）は周縁近傍の、部分拡大断面図
である。

【図２４】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板のうち裏面側で、周縁近傍の部分拡大断面図である。

【図２５】層間配線層のファンアウトの形状例を示す説
明図である。

【図２６】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の表面側第５絶縁層上の配線パターンを示す説明図で
ある。

【図２７】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の表面側第４絶縁層上の配線パターンを示す説明図で
ある。

【図２８】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の表面側第３絶縁層上の配線パターンを示す説明図で
ある。

【図２９】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の表面側第２絶縁層上の配線パターンを示す説明図で
ある。

【図３０】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の表面側第１絶縁層上の配線パターンを示す説明図で
ある。

【図３１】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板のコア基板表面上の配線パターンを示す説明図であ
る。

【図３２】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板のコア基板裏面上の配線パターンを示す説明図であ
る。

【図３３】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の裏面側第１〜４絶縁層上の配線パターンを示す説明
図である。

【図３４】図２２に示す従来のビルドアップ多層配線基
板の裏面側第５絶縁層上の配線パターンを示す説明図で
ある。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１ ビルドアップ多層配
線基板 １０１Ａ，２０１Ａ，３０１Ａ 表面 １０１Ｂ，２０１Ｂ，３０１Ｂ 裏面 １０２ コア基板 １０２Ｍ 金属基板 １０２Ａ 上部コア絶縁層 １０２Ｂ 下部コア絶縁層 １０２Ｃ 貫通孔内絶縁層 １０３，２０３，３０３ ＩＣチップ接続用パ
ッド（パッド） １０３ｐ、２０３ｐ、３０３ｐ 外側ＩＣチップ接続
用パッド １０３ｃ，２０３ｃ，３０３ｃ 内側ＩＣチップ接続
用パッド １０４，２０４，３０４ 接続端子（ＬＧＡパ
ッド） １０５ スルーホール導体 １０５ｐ 外側スルーホール導
体 １０５ｃ 内側スルーホール導
体 １２１〜１２４，１５１〜１５４ ビルドアップ絶縁層 １３１〜１３３，１６１〜１６３ ビア導体 １７２，１７３，１８２，１８３ 層間配線層 Ｗ ファンアウト配線 Ｗａ 表面側ファンアウト
配線 Ｗｂ 裏面側ファンアウト
配線 Ｐｉｃ パッド間隔 Ｐｔｈ スルーホール間隔 Ｐｔｍ 接続端子間隔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒田 正雄 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 松浦 徹 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面及び裏面を有するビルドアップ多層
   配線基板であって、 コア基板と、 上記コア基板の上記表面側及び裏面側にそれぞれ略同数
   積層されたビルドアップ絶縁層と、 上記表面側に形成された多数のＩＣチップ接続パッド
   と、 上記ＩＣチップ接続パッドの間隔よりも広い間隔で、上
   記裏面側に形成された多数の接続端子と、 上記ＩＣチップ接続パッドから延びて上記接続端子にそ
   れぞれ接続する配線であって、 上記コア基板と上記ビルドアップ絶縁層との間、または
   各ビルドアップ絶縁層間に形成された層間配線層と、 上記ビルドアップ絶縁層を貫通するビア導体と、 上記コア基板を貫通するスルーホール導体と、 を有する多数の配線と、を備えるビルドアップ多層配線
   基板において、 上記配線は、 隣接する上記ＩＣチップ接続パッド同士の間隔よりも、
   隣接するスルーホール導体同士の間隔が、広くされた配
   線群と、 隣接する上記ＩＣチップ接続パッド同士の間隔と、隣接
   するスルーホール導体同士の間隔とが、略等しくされた
   配線群と、 からなることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のビルドアップ多層配線
   基板であって、 前記コア基板は、貫通孔を有する金属基板の表裏面及び
   上記貫通孔内周面に絶縁樹脂層を備え、上記貫通孔の略
   中央に前記スルーホール導体を形成した樹脂被覆金属コ
   ア基板であることを特徴とするビルドアップ多層配線基
   板。
3. 【請求項３】 請求項２に記載のビルドアップ多層配線
   基板であって、 前記コア基板の金属基板の貫通孔は、エッチングによっ
   て形成されていることを特徴とするビルドアップ多層配
   線基板。
4. 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載のビルド
   アップ多層配線基板であって、 前記スルーホール導体同士の間隔Ｐｔｈの最小値Ｐｔｈ
   ｍが、３００μｍ以下であることを特徴とするビルドア
   ップ多層配線基板。
5. 【請求項５】 表面及び裏面を有するビルドアップ多層
   配線基板であって、 コア基板と、 上記コア基板の上記表面側及び裏面側にそれぞれ略同数
   積層されたビルドアップ絶縁層と、 上記表面側に形成された多数のＩＣチップ接続パッド
   と、 上記ＩＣチップ接続パッド相互間の間隔よりも広い間隔
   で、上記裏面側に形成された多数の接続端子と、 上記ＩＣチップ接続パッドから延びて接続端子にそれぞ
   れ接続する多数の配線であって、ファンアウトした層間
   配線層を有する多数のファンアウト配線群と、を備える
   ビルドアップ多層配線基板において、 上記ファンアウト配線群は、 少なくとも上記コア基板よりも表面側でファンアウトし
   た表面側ファンアウト配線群と、 上記コア基板よりも裏面側でのみファンアウトした裏面
   側ファンアウト配線群と、を有することを特徴とするビ
   ルドアップ多層配線基板。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のビルドアップ多層配線
   基板であって、 前記表面側ファンアウト配線群は、前記ＩＣチップ接続
   パッドの形成領域のうち、外周側及びその近傍に位置す
   るＩＣチップ接続パッドから延び、 前記裏面側ファンアウト配線群は、上記ＩＣチップ接続
   パッド形成領域のうち、上記外周側及びその近傍よりも
   内周側に位置するＩＣチップ接続パッドから延びること
   を特徴とするビルドアップ多層配線基板。