JP2000164765A - 電源及び接地ラップを具備したクロスト―クノイズ低減形の高密度信号介挿体、並びに、介挿体の製造方法 - Google Patents
電源及び接地ラップを具備したクロスト―クノイズ低減形の高密度信号介挿体、並びに、介挿体の製造方法Info
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- H05K2201/055—Folded back on itself
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、集積回路チップと基板の間で電
源、接地及び信号を配線するクロストークの低減された
介挿体の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明の介挿体は、別々に製造、試験さ
れ、接合される信号コアと外部電源/接地配線ラップと
を含む。信号コアは2層の誘電性層の間に配置された導
電性電源/接地面から形成される。パターニングされた
金属層は各誘電性層に形成され、スルーバイアなどで相
互連結される。導電性電源/接地面は2層の金属層に形
成された信号線間のクロストークを減少させるよう機能
する。信号コアの上下に配置された電源/接地ラップの
上側及び下側基板は両側にパターニングされた金属層を
有する誘電性膜から形成され、金属層はスルーバイアな
どで接続される。電源/接地基板は信号コアに対して適
切な配置で保持される。
源、接地及び信号を配線するクロストークの低減された
介挿体の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明の介挿体は、別々に製造、試験さ
れ、接合される信号コアと外部電源/接地配線ラップと
を含む。信号コアは2層の誘電性層の間に配置された導
電性電源/接地面から形成される。パターニングされた
金属層は各誘電性層に形成され、スルーバイアなどで相
互連結される。導電性電源/接地面は2層の金属層に形
成された信号線間のクロストークを減少させるよう機能
する。信号コアの上下に配置された電源/接地ラップの
上側及び下側基板は両側にパターニングされた金属層を
有する誘電性膜から形成され、金属層はスルーバイアな
どで接続される。電源/接地基板は信号コアに対して適
切な配置で保持される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路装置のパッ
ケージングに係わり、特に、信号線間のクロストークを
減少させることができ、集積回路チップを印刷回路基板
又は他の基板に相互連結するため適している介挿基板に
関する。
ケージングに係わり、特に、信号線間のクロストークを
減少させることができ、集積回路チップを印刷回路基板
又は他の基板に相互連結するため適している介挿基板に
関する。
【0002】
【従来の技術】介挿体(又は、インターポーザー)は、
1個以上の集積回路チップ(IC)を印刷回路基板又は
他の基板に電気的に接続するため単一チップモジュール
(SCM)又はマルチチップモジュール(MCM)の製
造に使用される構造体である。この介挿体は、回路基板
や基板と集積回路チップとの間の電源配線及び接地配線
を提供する。また、介挿体は、集積回路チップと回路基
板や基板との間に信号路を設け、必要に応じて、介挿体
に実装された異なる集積回路チップ間の信号路を提供す
る。このように、介挿体は、基板、集積回路チップ、並
びに、最終的にはチップを収容するパッケージとの間に
信号線、電源線及び接地線を相互連結する手段を提供す
る。
1個以上の集積回路チップ(IC)を印刷回路基板又は
他の基板に電気的に接続するため単一チップモジュール
(SCM)又はマルチチップモジュール(MCM)の製
造に使用される構造体である。この介挿体は、回路基板
や基板と集積回路チップとの間の電源配線及び接地配線
を提供する。また、介挿体は、集積回路チップと回路基
板や基板との間に信号路を設け、必要に応じて、介挿体
に実装された異なる集積回路チップ間の信号路を提供す
る。このように、介挿体は、基板、集積回路チップ、並
びに、最終的にはチップを収容するパッケージとの間に
信号線、電源線及び接地線を相互連結する手段を提供す
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】電子装置内の部品点数
が増加し、個々の部品のサイズが小さくなると共に、個
々の集積回路チップと、チップが接続される基板との間
で必要な電源、接地、及び、信号の相互連結の数並びに
密度が増加する。すなわち、介挿体の一部として含まれ
るべき相互連結の密度も増加する。しかし、介挿体を製
造するときに、信号線を相互に、或いは、電源線と接近
させて配置することにより問題が生じる。これらの問題
の中には、共通層上の線間、或いは、異なる信号層上の
信号線間のカップリングから生じる干渉及びクロストー
ク、並びに、信号線にノイズを生成する線と基板の間の
容量性カップリングが含まれる。種々の線間の絶縁と組
み合わされて、基板材料の誘電率は上記のタイプの問題
を除去(若しくは生成)することに重要な役割を果た
す。
が増加し、個々の部品のサイズが小さくなると共に、個
々の集積回路チップと、チップが接続される基板との間
で必要な電源、接地、及び、信号の相互連結の数並びに
密度が増加する。すなわち、介挿体の一部として含まれ
るべき相互連結の密度も増加する。しかし、介挿体を製
造するときに、信号線を相互に、或いは、電源線と接近
させて配置することにより問題が生じる。これらの問題
の中には、共通層上の線間、或いは、異なる信号層上の
信号線間のカップリングから生じる干渉及びクロストー
ク、並びに、信号線にノイズを生成する線と基板の間の
容量性カップリングが含まれる。種々の線間の絶縁と組
み合わされて、基板材料の誘電率は上記のタイプの問題
を除去(若しくは生成)することに重要な役割を果た
す。
【0004】ICチップをマルチチップモジュールにパ
ッケージングする従来の方法の別の欠点は、電源をチッ
プに配給するために使用される方法から生ずる。この問
題は、電源線が典型的にチップとの間で信号を伝達する
ため利用される同じ基板を通して配線されるために生ず
る。電源フィードスルーは、信号入出力線と空間を奪い
合う。このため、稠密に詰め込まれた信号トレースによ
って生じる問題が増大する。別の重大な欠点は、従来の
マルチチップモジュールで使用される基板が薄いため
に、非常に高いインピーダンスを有するICチップへの
電源フィードが生じることである。その結果として、望
ましくないノイズ、電力損失、過剰な熱エネルギー生成
が起こる。これらの問題は、介挿基板の中を通る電源線
と信号線の両方の配線に関連する。
ッケージングする従来の方法の別の欠点は、電源をチッ
プに配給するために使用される方法から生ずる。この問
題は、電源線が典型的にチップとの間で信号を伝達する
ため利用される同じ基板を通して配線されるために生ず
る。電源フィードスルーは、信号入出力線と空間を奪い
合う。このため、稠密に詰め込まれた信号トレースによ
って生じる問題が増大する。別の重大な欠点は、従来の
マルチチップモジュールで使用される基板が薄いため
に、非常に高いインピーダンスを有するICチップへの
電源フィードが生じることである。その結果として、望
ましくないノイズ、電力損失、過剰な熱エネルギー生成
が起こる。これらの問題は、介挿基板の中を通る電源線
と信号線の両方の配線に関連する。
【0005】したがって、上記の従来の構造体の問題点
を取り扱う単一の集積回路チップを基板に相互連結する
介挿体、或いは、複数のチップを互いに相互連結し、複
数のチップを基板に相互連結する介挿体が必要である。
を取り扱う単一の集積回路チップを基板に相互連結する
介挿体、或いは、複数のチップを互いに相互連結し、複
数のチップを基板に相互連結する介挿体が必要である。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明により提供される集積回路チップと基板の間
で電源配線、接地配線及び信号配線を行う介挿体は、信
号コアと、外部電源/接地の接続ラップを含む。2個の
部品が別々に製造され、試験され、zコネクション法を
用いて一体的に接合される。信号コアは、2層の誘電性
層の間に配置された導電性電源/接地面から形成され
る。パターニングされた金属層は各誘電性層に形成され
る。二つの金属層はスルーバイア又はポストプロセスに
よって相互連結される。導電性電源/接地面は、2層の
パターニングされた金属層に形成された信号線の間のク
ロストークを減少させるよう機能する。
め、本発明により提供される集積回路チップと基板の間
で電源配線、接地配線及び信号配線を行う介挿体は、信
号コアと、外部電源/接地の接続ラップを含む。2個の
部品が別々に製造され、試験され、zコネクション法を
用いて一体的に接合される。信号コアは、2層の誘電性
層の間に配置された導電性電源/接地面から形成され
る。パターニングされた金属層は各誘電性層に形成され
る。二つの金属層はスルーバイア又はポストプロセスに
よって相互連結される。導電性電源/接地面は、2層の
パターニングされた金属層に形成された信号線の間のク
ロストークを減少させるよう機能する。
【0007】電源/接地ラップは、信号コアの上に配置
された上側基板と、信号コアの下に配置された下側基板
とを含む。電源/接地ラップの上側基板及び下側基板
は、両側にパターニングされた金属層を有する誘電性膜
から形成され、パターニングされた層はスルーバイア又
はポストプロセスによって接続される。二つの電源/接
地ラップ基板は、別々に作製してもよく、或いは、望ま
しい形態(例えば、U字形)に曲げられた一つの基板か
ら作製してもよい。二つの電源/接地基板は、信号コア
に対して適切な配置で保持され、或いは、信号コアの中
間電源/接地面に接続されたエッジコネクタによって相
互に適切な配置で保持される。
された上側基板と、信号コアの下に配置された下側基板
とを含む。電源/接地ラップの上側基板及び下側基板
は、両側にパターニングされた金属層を有する誘電性膜
から形成され、パターニングされた層はスルーバイア又
はポストプロセスによって接続される。二つの電源/接
地ラップ基板は、別々に作製してもよく、或いは、望ま
しい形態(例えば、U字形)に曲げられた一つの基板か
ら作製してもよい。二つの電源/接地基板は、信号コア
に対して適切な配置で保持され、或いは、信号コアの中
間電源/接地面に接続されたエッジコネクタによって相
互に適切な配置で保持される。
【0008】上側電源/接地ラップ基板の上層と、下側
電源/接地ラップ基板の下層は、接地層として機能す
る。接地層は、介挿体が取り付けられたベース基板と、
介挿体の上に取り付けられたチップとの間で信号と電源
の相互連結を行う絶縁されたパッドを含む。電源/接地
ラップの上側基板の下層及び下側基板の上層は、電源層
として機能し、信号相互連結用の絶縁されたパッドを含
む。電源/接地ラップの上側基板の上層に接続された集
積回路チップと、ラップの下側基板の下層に接続された
印刷回路基板又は他の実装用基板とを用いて、本発明の
介挿体は、高密度かつ電気的に絶縁され、信号線間のク
ロストークが低減された信号、電源及び接地の相互連結
を提供する。
電源/接地ラップ基板の下層は、接地層として機能す
る。接地層は、介挿体が取り付けられたベース基板と、
介挿体の上に取り付けられたチップとの間で信号と電源
の相互連結を行う絶縁されたパッドを含む。電源/接地
ラップの上側基板の下層及び下側基板の上層は、電源層
として機能し、信号相互連結用の絶縁されたパッドを含
む。電源/接地ラップの上側基板の上層に接続された集
積回路チップと、ラップの下側基板の下層に接続された
印刷回路基板又は他の実装用基板とを用いて、本発明の
介挿体は、高密度かつ電気的に絶縁され、信号線間のク
ロストークが低減された信号、電源及び接地の相互連結
を提供する。
【0009】本発明による集積回路チップを実装用基板
に接続する介挿体は、上記集積回路チップが相互連結さ
れる第1の基板、及び、上記実装用基板が相互連結され
る第2の基板を有し、上記第1の基板及び上記第2の基
板には上記実装用基板と実装された集積回路チップとの
間に電源配線路及び接地配線路を設けるため複数の導電
性バイアが形成されている、電源線及び接地線配線用構
造体と、上記第1の基板と上記第2の基板との間に配置
され、誘電性層が第1の面及び第2の面に配置されてい
る導電性基板を含み、上記誘電性層にはパターニング処
理された金属層が設けられ、上記パターニング処理され
た金属層の間には上記第1の基板と上記第2の基板との
間の信号路のための複数の導電性バイアが形成されてい
る、信号線配線用構造体とを具備し、電源が上記信号配
線用構造体を通過することなく上記電源線及び接地線配
線用構造体を通じて配送されるように、上記電源及び接
地配線路が上記信号路から実質的に絶縁されていること
を特徴とする。
に接続する介挿体は、上記集積回路チップが相互連結さ
れる第1の基板、及び、上記実装用基板が相互連結され
る第2の基板を有し、上記第1の基板及び上記第2の基
板には上記実装用基板と実装された集積回路チップとの
間に電源配線路及び接地配線路を設けるため複数の導電
性バイアが形成されている、電源線及び接地線配線用構
造体と、上記第1の基板と上記第2の基板との間に配置
され、誘電性層が第1の面及び第2の面に配置されてい
る導電性基板を含み、上記誘電性層にはパターニング処
理された金属層が設けられ、上記パターニング処理され
た金属層の間には上記第1の基板と上記第2の基板との
間の信号路のための複数の導電性バイアが形成されてい
る、信号線配線用構造体とを具備し、電源が上記信号配
線用構造体を通過することなく上記電源線及び接地線配
線用構造体を通じて配送されるように、上記電源及び接
地配線路が上記信号路から実質的に絶縁されていること
を特徴とする。
【0010】上記電源線及び接地線配線用構造体は、上
記第1の基板の実質的に同一平面である第1の面及び第
2の面に配置され、上記導電性バイアによって電気的接
続がなされているパターニング処理された第1の導電性
層と、上記第2の基板の実質的に同一平面である第1の
面及び第2の面に配置され、上記導電性バイアによって
電気的接続がなされているパターニング処理された第2
の導電性層とを更に有する。
記第1の基板の実質的に同一平面である第1の面及び第
2の面に配置され、上記導電性バイアによって電気的接
続がなされているパターニング処理された第1の導電性
層と、上記第2の基板の実質的に同一平面である第1の
面及び第2の面に配置され、上記導電性バイアによって
電気的接続がなされているパターニング処理された第2
の導電性層とを更に有する。
【0011】また、上記電源線及び接地線配線用構造体
の上記第1の基板及び上記第2の基板を所定の間隔で保
持する支持部材を更に有する。上記支持部材は、上記信
号線配線用構造体の上記導電性基板を上記電源線及び接
地線配線用構造体の上記電源配線路に電気的に接続す
る。上記電源線及び接地線配線用構造体は、上記第1の
基板の上記第1の面と上記第2の基板の上記第2の面と
の間に接地配線路を更に有する。
の上記第1の基板及び上記第2の基板を所定の間隔で保
持する支持部材を更に有する。上記支持部材は、上記信
号線配線用構造体の上記導電性基板を上記電源線及び接
地線配線用構造体の上記電源配線路に電気的に接続す
る。上記電源線及び接地線配線用構造体は、上記第1の
基板の上記第1の面と上記第2の基板の上記第2の面と
の間に接地配線路を更に有する。
【0012】さらに、上記電源線及び接地線配線用構造
体は、上記第1の基板の上記第2の面と上記第2の基板
の上記第1の面との間に電源配線路を更に有する。本発
明による集積回路チップを実装用基板に接続する介挿体
の製造方法は、第1の基板、及び、実質的に同一平面を
備えた第2の基板を有する電源線及び接地線配線用構造
体を準備する段階と、上記第1の基板の第1の面を上記
第1の基板の第2の面に接続する複数の導電性バイアを
形成する段階と、上記第2の基板の第1の面を上記第2
の基板の第2の面に接続する複数の導電性バイアを形成
する段階と、上記第1の基板の上記第1の面と上記第2
の基板の上記第2の面との間に接地配線路を形成する段
階と、上記第1の基板の上記第2の面と上記第2の基板
の上記第1の面との間に電源配線路を形成する段階と、
両側に実質的に同一平面である第1の面及び第2の面が
形成されている導電性基板から、上記第1の面と上記第
2の面を接続する複数の導電性バイアを備えた信号線配
線用構造体を形成する段階と、上記電源線及び接地線配
線用構造体の上記第1の基板と上記第2の基板の間に上
記信号線配線用構造体を設置する段階と、信号線が上記
電源配線路及び上記接地配線路から実質的に絶縁される
ように、上記電源線及び接地線配線用構造体の上記第1
の基板と上記信号線配線用構造体との間に信号線を設
け、上記信号線配線用構造体と上記電源線及び接地線配
線用構造体の上記第2の基板との間に信号線を設けるべ
く電気的接続を形成する段階とを有することを特徴とす
る。
体は、上記第1の基板の上記第2の面と上記第2の基板
の上記第1の面との間に電源配線路を更に有する。本発
明による集積回路チップを実装用基板に接続する介挿体
の製造方法は、第1の基板、及び、実質的に同一平面を
備えた第2の基板を有する電源線及び接地線配線用構造
体を準備する段階と、上記第1の基板の第1の面を上記
第1の基板の第2の面に接続する複数の導電性バイアを
形成する段階と、上記第2の基板の第1の面を上記第2
の基板の第2の面に接続する複数の導電性バイアを形成
する段階と、上記第1の基板の上記第1の面と上記第2
の基板の上記第2の面との間に接地配線路を形成する段
階と、上記第1の基板の上記第2の面と上記第2の基板
の上記第1の面との間に電源配線路を形成する段階と、
両側に実質的に同一平面である第1の面及び第2の面が
形成されている導電性基板から、上記第1の面と上記第
2の面を接続する複数の導電性バイアを備えた信号線配
線用構造体を形成する段階と、上記電源線及び接地線配
線用構造体の上記第1の基板と上記第2の基板の間に上
記信号線配線用構造体を設置する段階と、信号線が上記
電源配線路及び上記接地配線路から実質的に絶縁される
ように、上記電源線及び接地線配線用構造体の上記第1
の基板と上記信号線配線用構造体との間に信号線を設
け、上記信号線配線用構造体と上記電源線及び接地線配
線用構造体の上記第2の基板との間に信号線を設けるべ
く電気的接続を形成する段階とを有することを特徴とす
る。
【0013】上記信号線配線用構造体を形成する段階
は、上記導電性基板に貫通するアパーチャを形成する段
階と、上記導電性基板の実質的に同一平面である第1の
面及び第2の面に誘電性層を配置する段階と、上記誘電
性層及び上記アパーチャを通るバイアを形成する段階
と、上記バイア内に導電材料を充填する段階と、上記誘
電性層の各層の上に導電性層を形成する段階と、信号線
及び信号パッドを形成するため上記導電性層をパターニ
ングする段階とを有する。
は、上記導電性基板に貫通するアパーチャを形成する段
階と、上記導電性基板の実質的に同一平面である第1の
面及び第2の面に誘電性層を配置する段階と、上記誘電
性層及び上記アパーチャを通るバイアを形成する段階
と、上記バイア内に導電材料を充填する段階と、上記誘
電性層の各層の上に導電性層を形成する段階と、信号線
及び信号パッドを形成するため上記導電性層をパターニ
ングする段階とを有する。
【0014】また、上記信号線配線用構造体を形成する
段階は、上記導電性基板に貫通するアパーチャを形成す
る段階と、上記導電性基板の第1の面に誘電性層を配置
する段階と、誘電性層と積層された導電性層とを有する
構造体を、上記誘電性層が上記導電性基板の第2の面と
接触するように、上記導電性基板の第1の面と実質的に
同一平面上にある上記第2の面に配置する段階と、上記
誘電性層及びアパーチャを通過するバイアを形成する段
階と、上記バイアに導電性材料を充填する段階と、上記
導電性基板の上記第1の面に形成された上記誘電性層の
上に導電性層を形成する段階と、信号線及び信号パッド
を形成するため上記導電性層をパターニングする段階と
を有する。
段階は、上記導電性基板に貫通するアパーチャを形成す
る段階と、上記導電性基板の第1の面に誘電性層を配置
する段階と、誘電性層と積層された導電性層とを有する
構造体を、上記誘電性層が上記導電性基板の第2の面と
接触するように、上記導電性基板の第1の面と実質的に
同一平面上にある上記第2の面に配置する段階と、上記
誘電性層及びアパーチャを通過するバイアを形成する段
階と、上記バイアに導電性材料を充填する段階と、上記
導電性基板の上記第1の面に形成された上記誘電性層の
上に導電性層を形成する段階と、信号線及び信号パッド
を形成するため上記導電性層をパターニングする段階と
を有する。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明は、集積回路チップと、下
側にある印刷回路基板又は基板との間で信号、電源及び
接地の接続を行うように構成された介挿体を取り扱う。
図1は、本発明の一実施例によるクロストーク信号が低
減された介挿体(又は、インターポーザー)100の略
断面図であり、介挿体100は、印刷回路基板102と
集積回路チップ104の間に配置されている。同図中の
使用記号の説明文は、完全な構造体の一部の部品を示し
ている。同図に示される如く、介挿体100は、信号コ
ア106及び電源/接地ラップ108の2個の主要部品
を含む。これらの2個の主要部品は、別々に製造、試験
され、例えば、半田バンプ、異方導電性ポリマー、或い
は、その他の適当な方法のようなzコネクション法を用
いて一体的に接合される。これにより、構造体の製造及
び試験のサイクルタイムが短縮され、最終的な構造体の
種々の部品を形成するため使用されるプロセス技術の種
類が増加する。
側にある印刷回路基板又は基板との間で信号、電源及び
接地の接続を行うように構成された介挿体を取り扱う。
図1は、本発明の一実施例によるクロストーク信号が低
減された介挿体(又は、インターポーザー)100の略
断面図であり、介挿体100は、印刷回路基板102と
集積回路チップ104の間に配置されている。同図中の
使用記号の説明文は、完全な構造体の一部の部品を示し
ている。同図に示される如く、介挿体100は、信号コ
ア106及び電源/接地ラップ108の2個の主要部品
を含む。これらの2個の主要部品は、別々に製造、試験
され、例えば、半田バンプ、異方導電性ポリマー、或い
は、その他の適当な方法のようなzコネクション法を用
いて一体的に接合される。これにより、構造体の製造及
び試験のサイクルタイムが短縮され、最終的な構造体の
種々の部品を形成するため使用されるプロセス技術の種
類が増加する。
【0016】図1に示されるように、本発明によれば、
電源相互連結及び接地相互連結は、信号コア106を通
過することなく、実装用基板102とチップ104の間
に配線される。一方で、信号線は、信号コアだけを経由
して実装用基板102とチップ104の間に配線され
る。このアーキテクチャによって、電源相互連結と、接
地相互連結と、信号相互連結との間に電気的絶縁がなさ
れ、線間の容量性カップリングによって生ずるノイズ及
びその他の問題が除去されると共に、基板とチップの間
で接続され得る信号線の密度が増加する。信号コア10
6は、基板の一方側にある信号層の間に配置され、一体
的に信号コアのベースを形成する電源/接地層109を
含む。電源/接地層109は、信号コア106の同一信
号層又は異なる信号層上の信号線間のクロストークを低
減するよう作用する。
電源相互連結及び接地相互連結は、信号コア106を通
過することなく、実装用基板102とチップ104の間
に配線される。一方で、信号線は、信号コアだけを経由
して実装用基板102とチップ104の間に配線され
る。このアーキテクチャによって、電源相互連結と、接
地相互連結と、信号相互連結との間に電気的絶縁がなさ
れ、線間の容量性カップリングによって生ずるノイズ及
びその他の問題が除去されると共に、基板とチップの間
で接続され得る信号線の密度が増加する。信号コア10
6は、基板の一方側にある信号層の間に配置され、一体
的に信号コアのベースを形成する電源/接地層109を
含む。電源/接地層109は、信号コア106の同一信
号層又は異なる信号層上の信号線間のクロストークを低
減するよう作用する。
【0017】同図に示されるように、エッジコネクタ5
00は、異なる接地層(例えば、下側電源/接地基板の
下面から上側電源/接地基板の上面まで)、異なる電源
層(例えば、下側電源/接地基板の上面から上側電源/
接地基板の下面まで)、或いは、信号コアの電源/接地
層から介挿体の他の電源/接地層までを電気的に接続す
るため使用される。同図には、1組のエッジコネクタ5
00しか示されていないが、上側電源/接地基板と下側
電源/接地基板が(U字形に曲げられた柔軟性基板から
形成されるのではなく)別々に製造された場合、1組の
コネクタ500は二つの電源/接地基板の両方の端で使
用される。
00は、異なる接地層(例えば、下側電源/接地基板の
下面から上側電源/接地基板の上面まで)、異なる電源
層(例えば、下側電源/接地基板の上面から上側電源/
接地基板の下面まで)、或いは、信号コアの電源/接地
層から介挿体の他の電源/接地層までを電気的に接続す
るため使用される。同図には、1組のエッジコネクタ5
00しか示されていないが、上側電源/接地基板と下側
電源/接地基板が(U字形に曲げられた柔軟性基板から
形成されるのではなく)別々に製造された場合、1組の
コネクタ500は二つの電源/接地基板の両方の端で使
用される。
【0018】図2は、本発明の一実施例による介挿体の
一部の信号コア106の略断面図である。信号コア10
6は、貫通する孔又はアパーチャが形成された導電性コ
ア又は基板111から構成される。導線性コア111
は、典型的に、適当な金属により形成され、介挿体用の
電源/接地層、並びに、信号コア106の信号層用の補
強構造体として作用する。誘電性膜110(例えば、ポ
リイミド、BTなど)は、導電性コア111の両側に配
置される。信号線113は、2層の各誘電性膜層に形成
されパターニングされた金属層上に画成される。2層の
パターニングされた金属層は、必要に応じてバイア又は
導電性ポスト構造体112によって相互連結される。バ
イア又は導電性ポストを用いることは、信号コアを介挿
体構造の他の層、又は、実装用基板若しくは集積回路チ
ップに相互連結するために適当である。
一部の信号コア106の略断面図である。信号コア10
6は、貫通する孔又はアパーチャが形成された導電性コ
ア又は基板111から構成される。導線性コア111
は、典型的に、適当な金属により形成され、介挿体用の
電源/接地層、並びに、信号コア106の信号層用の補
強構造体として作用する。誘電性膜110(例えば、ポ
リイミド、BTなど)は、導電性コア111の両側に配
置される。信号線113は、2層の各誘電性膜層に形成
されパターニングされた金属層上に画成される。2層の
パターニングされた金属層は、必要に応じてバイア又は
導電性ポスト構造体112によって相互連結される。バ
イア又は導電性ポストを用いることは、信号コアを介挿
体構造の他の層、又は、実装用基板若しくは集積回路チ
ップに相互連結するために適当である。
【0019】各誘電性層110は、典型的に、25乃至
50μmの厚さである。上記の通り、パターニングされ
た金属層は、信号線113と、バイア/信号パッド11
2を含む。信号線113は、典型的に、幅が20μmで
あり、ピッチが20μmである。サイズ/ピッチは、必
要に応じて、幅5μm、ピッチ7.5μmまで縮小させ
得る。信号パッド112は、実装用基板と介挿体とチッ
プの全体的な構造体の層間の信号を相互連結するため使
用される。信号パッド112は、典型的に、幅が100
μmであり、ピッチが350μmである。
50μmの厚さである。上記の通り、パターニングされ
た金属層は、信号線113と、バイア/信号パッド11
2を含む。信号線113は、典型的に、幅が20μmで
あり、ピッチが20μmである。サイズ/ピッチは、必
要に応じて、幅5μm、ピッチ7.5μmまで縮小させ
得る。信号パッド112は、実装用基板と介挿体とチッ
プの全体的な構造体の層間の信号を相互連結するため使
用される。信号パッド112は、典型的に、幅が100
μmであり、ピッチが350μmである。
【0020】図3の(a)乃至(g)には、本発明の第
1の実施例によるクロストークが低減された介挿体の一
部である信号コアを製造する第1の方法の工程フローの
説明図である。図3に示された工程フローにおいて、コ
ア基板の両側にある金属層は、スルーバイアによって相
互連結される。同図の(a)に示されるように、工程フ
ローは、適当な金属202から形成された導電性層から
始まる。同図の(b)に示されるように、孔又はアパー
チャが層202に形成され、その孔又はアパーチャの位
置には、後でスルーバイア又は導電性ポストが形成され
る。次に、同図の(c)に示されるように、誘電性層2
04が導電性層202の両面に形成される。誘電性層2
04は、同図の(c)及び(d)に示されるように層2
02の各面の上に積層してもよい。同図の(e)に示さ
れるように、バイア206が導電性層202内の予め画
成されたアパーチャに対応した場所で誘電性層204の
中を通して形成される。バイア206は、レーザドリル
又はプラズマエッチプロセスを用いて形成してもよい。
バイア206は、次に、同図の(f)に示されるように
メタライゼーション処理され、シード層208が無電解
めっき法、直接めっき法、スパッタリング法、或いは、
その他の適当なプロセスを用いて各誘電性層204の表
面に堆積される。シード層208は、次に、同図の
(g)に示されるように、望み通りに信号線210及び
信号パッド211を形成するようパターニングされる所
望の厚さの金属層を形成するために積層される。金属信
号線層は、追加的なプロセス(例えば、電解めっき)又
は除去的なプロセスのいずれかを用いてパターニングさ
れる。
1の実施例によるクロストークが低減された介挿体の一
部である信号コアを製造する第1の方法の工程フローの
説明図である。図3に示された工程フローにおいて、コ
ア基板の両側にある金属層は、スルーバイアによって相
互連結される。同図の(a)に示されるように、工程フ
ローは、適当な金属202から形成された導電性層から
始まる。同図の(b)に示されるように、孔又はアパー
チャが層202に形成され、その孔又はアパーチャの位
置には、後でスルーバイア又は導電性ポストが形成され
る。次に、同図の(c)に示されるように、誘電性層2
04が導電性層202の両面に形成される。誘電性層2
04は、同図の(c)及び(d)に示されるように層2
02の各面の上に積層してもよい。同図の(e)に示さ
れるように、バイア206が導電性層202内の予め画
成されたアパーチャに対応した場所で誘電性層204の
中を通して形成される。バイア206は、レーザドリル
又はプラズマエッチプロセスを用いて形成してもよい。
バイア206は、次に、同図の(f)に示されるように
メタライゼーション処理され、シード層208が無電解
めっき法、直接めっき法、スパッタリング法、或いは、
その他の適当なプロセスを用いて各誘電性層204の表
面に堆積される。シード層208は、次に、同図の
(g)に示されるように、望み通りに信号線210及び
信号パッド211を形成するようパターニングされる所
望の厚さの金属層を形成するために積層される。金属信
号線層は、追加的なプロセス(例えば、電解めっき)又
は除去的なプロセスのいずれかを用いてパターニングさ
れる。
【0021】一部のステップでは、5乃至10μmの幅
と5乃至10μmのピッチとを有する金属パターンを得
るために追加的なプロセスの方が好ましいことに注意す
る必要がある。線の幅又はピッチがさらに大きくなり得
る場合には、除去的なプロセスを使用してもよい。図4
の(a)乃至(g)は、本発明の一実施例によるクロス
トークが低減された介挿体の一部である信号コアを製造
する第2の方法の工程フロー図である。図4に示された
工程フローにおいて、同図の(a)及び(b)を参照す
るに、導電性層202は、所望の場所で貫通する孔又は
アパーチャが形成される。誘電性層204は、導電性層
202の一方の面に形成(例えば、積層)される。次
に、同図の(c)及び(d)に示されるように、メタラ
イゼーション処理された面又は層が予め形成された誘電
体205が導電性層202のもう一方の面に積層され
る。同図の(e)に示されるように、バイア206は、
導電性層202内の予め画成されたアパーチャに対応し
た場所で誘電性層204の中を通して形成される。バイ
ア206は、レーザドリル又はプラズマエッチプロセス
を用いて形成してもよい。誘電体と金属層の組合せ構造
体205のメタライゼーション処理された層207は、
同図の(f)に示されるように、バイア206をめっき
し、導電性層209を誘電性層204の上に形成するた
めの電気的接続を行うため使用される。このステップを
実行する方法は、1999年3月24日に出願され、本
願の出願人によって譲受され、参考のため内容が引用さ
れ、発明の名称が“Method ofFabrication of Substrat
e with Via Connection”である米国特許出願S.N.
09/275,543号に開示されている。
と5乃至10μmのピッチとを有する金属パターンを得
るために追加的なプロセスの方が好ましいことに注意す
る必要がある。線の幅又はピッチがさらに大きくなり得
る場合には、除去的なプロセスを使用してもよい。図4
の(a)乃至(g)は、本発明の一実施例によるクロス
トークが低減された介挿体の一部である信号コアを製造
する第2の方法の工程フロー図である。図4に示された
工程フローにおいて、同図の(a)及び(b)を参照す
るに、導電性層202は、所望の場所で貫通する孔又は
アパーチャが形成される。誘電性層204は、導電性層
202の一方の面に形成(例えば、積層)される。次
に、同図の(c)及び(d)に示されるように、メタラ
イゼーション処理された面又は層が予め形成された誘電
体205が導電性層202のもう一方の面に積層され
る。同図の(e)に示されるように、バイア206は、
導電性層202内の予め画成されたアパーチャに対応し
た場所で誘電性層204の中を通して形成される。バイ
ア206は、レーザドリル又はプラズマエッチプロセス
を用いて形成してもよい。誘電体と金属層の組合せ構造
体205のメタライゼーション処理された層207は、
同図の(f)に示されるように、バイア206をめっき
し、導電性層209を誘電性層204の上に形成するた
めの電気的接続を行うため使用される。このステップを
実行する方法は、1999年3月24日に出願され、本
願の出願人によって譲受され、参考のため内容が引用さ
れ、発明の名称が“Method ofFabrication of Substrat
e with Via Connection”である米国特許出願S.N.
09/275,543号に開示されている。
【0022】導電性層207及び209は、次に、同図
の(g)に示されるように、望み通りに信号線210及
び信号パッド211を形成するためパターニング処理さ
れる。シード層は、追加的なプロセス(例えば、電解め
っき)又は除去的なプロセスのいずれかを用いてパター
ニングしてもよい。一部のステップでは、5乃至10μ
mの幅と5乃至10μmのピッチとを有する金属パター
ンを得るために追加的なプロセスの方が好ましいことに
注意する必要がある。線の幅又はピッチがさらに大きく
なり得る場合には、除去的なプロセスを使用してもよ
い。
の(g)に示されるように、望み通りに信号線210及
び信号パッド211を形成するためパターニング処理さ
れる。シード層は、追加的なプロセス(例えば、電解め
っき)又は除去的なプロセスのいずれかを用いてパター
ニングしてもよい。一部のステップでは、5乃至10μ
mの幅と5乃至10μmのピッチとを有する金属パター
ンを得るために追加的なプロセスの方が好ましいことに
注意する必要がある。線の幅又はピッチがさらに大きく
なり得る場合には、除去的なプロセスを使用してもよ
い。
【0023】図5の(a)乃至(e)は、本発明の一実
施例による介挿体の一部分である電源/接地ラップ10
8を製造する方法の工程フロー図である。同図の(a)
に示されるように、この製造プロセスは、例えば、ポリ
イミドのような誘電性膜である誘電性基板400から始
まる。同図の(b)に示されるように、スルーバイア4
02が基板400の望ましい場所に形成される。バイア
は、レーザドリル、プラズマエッチング、或いは、他の
適当な方法を用いて形成される。バイアは、次に、同図
の(c)に示されるように、導電性材料によって充填さ
れ、導電性層404が基板400の上側面及び下側面に
形成される。電源/接地ラップの上側/外側の導電性表
面430は、ICチップと介挿体と基板との間の信号相
互連結及び電源相互連結のための電気的に隔離されたパ
ッドと共に電源/接地ラップの接地層を形成するためパ
ターニング処理される。電源/接地ラップの下側/内側
の導電性表面432は、ICチップと介挿体と基板との
間の信号相互連結及び電源相互連結のための電気的に隔
離されたパッドと共に電源/接地ラップの電源層を形成
するためパターニング処理される。
施例による介挿体の一部分である電源/接地ラップ10
8を製造する方法の工程フロー図である。同図の(a)
に示されるように、この製造プロセスは、例えば、ポリ
イミドのような誘電性膜である誘電性基板400から始
まる。同図の(b)に示されるように、スルーバイア4
02が基板400の望ましい場所に形成される。バイア
は、レーザドリル、プラズマエッチング、或いは、他の
適当な方法を用いて形成される。バイアは、次に、同図
の(c)に示されるように、導電性材料によって充填さ
れ、導電性層404が基板400の上側面及び下側面に
形成される。電源/接地ラップの上側/外側の導電性表
面430は、ICチップと介挿体と基板との間の信号相
互連結及び電源相互連結のための電気的に隔離されたパ
ッドと共に電源/接地ラップの接地層を形成するためパ
ターニング処理される。電源/接地ラップの下側/内側
の導電性表面432は、ICチップと介挿体と基板との
間の信号相互連結及び電源相互連結のための電気的に隔
離されたパッドと共に電源/接地ラップの電源層を形成
するためパターニング処理される。
【0024】誘電性層400は、典型的に25乃至50
μmの厚さがある。接地層430は、例えば、5乃至2
0μmの厚さの銅層から形成された連続的な接地面を作
る。接地層430は、電源線及び信号線が層の中に導か
れるように絶縁リングを有する。接地層430に形成さ
れた信号パッド440及び電源パッド442は、典型的
に、100μmの幅と250μmのピッチをもつ。接地
接続用バイアが不要であるため、サイズ或いはピッチは
望み通りに変更されることに注意する必要がある。
μmの厚さがある。接地層430は、例えば、5乃至2
0μmの厚さの銅層から形成された連続的な接地面を作
る。接地層430は、電源線及び信号線が層の中に導か
れるように絶縁リングを有する。接地層430に形成さ
れた信号パッド440及び電源パッド442は、典型的
に、100μmの幅と250μmのピッチをもつ。接地
接続用バイアが不要であるため、サイズ或いはピッチは
望み通りに変更されることに注意する必要がある。
【0025】電源層432は、例えば、5乃至20μm
の厚さの銅層から形成された連続的な面を作り、信号線
が層の中を通ることができるように絶縁リングを含む。
電源層432に形成された信号パッド444は、典型的
に、100μmの幅と350μmのピッチとを有する。
バイアを充填し、導電性層を形成するため使用される導
電性材料は、無電解めっき及び/又は電解めっきプロセ
スによって与えられる。金属化学気相成長法(MCV
D)又は他の適当なプロセスを使用してもよい。
の厚さの銅層から形成された連続的な面を作り、信号線
が層の中を通ることができるように絶縁リングを含む。
電源層432に形成された信号パッド444は、典型的
に、100μmの幅と350μmのピッチとを有する。
バイアを充填し、導電性層を形成するため使用される導
電性材料は、無電解めっき及び/又は電解めっきプロセ
スによって与えられる。金属化学気相成長法(MCV
D)又は他の適当なプロセスを使用してもよい。
【0026】基板の上面及び下面に形成された導電性層
は、次に、図5の(d)に示されるように、所望の電源
配線、接地配線及び信号配線406を形成するためパタ
ーニングされる。パターニング処理された層を形成する
ため、除去的なプロセスを使用しても構わない。基板4
00は薄膜であるため、同図の(d)に示された構造体
から同図の(e)に示されるようなU字形(又は、他の
望ましい形状)の構造体を形成するため、基板400を
曲げてもよい。上記の通り、電源/接地ラップ108の
上面は接地層を形成し、絶縁された信号相互連結用パッ
ド440及び電源相互連結用パッド442を含む。電源
/接地ラップ108の下面432は電源層を形成し、絶
縁された信号相互連結用パッド444を含む。
は、次に、図5の(d)に示されるように、所望の電源
配線、接地配線及び信号配線406を形成するためパタ
ーニングされる。パターニング処理された層を形成する
ため、除去的なプロセスを使用しても構わない。基板4
00は薄膜であるため、同図の(d)に示された構造体
から同図の(e)に示されるようなU字形(又は、他の
望ましい形状)の構造体を形成するため、基板400を
曲げてもよい。上記の通り、電源/接地ラップ108の
上面は接地層を形成し、絶縁された信号相互連結用パッ
ド440及び電源相互連結用パッド442を含む。電源
/接地ラップ108の下面432は電源層を形成し、絶
縁された信号相互連結用パッド444を含む。
【0027】図2に示された信号コアが電源/接地ラッ
プの上側基板と下側基板の間に挿入されている場合、信
号配線が、ベース基板(図1の印刷回路基板102)
と、信号コアと、ベース基板とチップの間の電源配線及
び接地配線から絶縁された集積回路チップとの間に作成
される。これにより、信号線密度が増加し、信号路長が
最小に抑えられ、異なる種別の線の間に高程度の電気的
絶縁が得られる。同図に示された電源/接地ラップ10
8の設計において、接地配線はラップの外側の面に配置
され、電源配線は内側の面に配置されることに注意する
必要がある。このため、電源配線と接地配線は、互いに
絶縁されると共に、信号コアの中を通過する信号配線か
らも絶縁される。
プの上側基板と下側基板の間に挿入されている場合、信
号配線が、ベース基板(図1の印刷回路基板102)
と、信号コアと、ベース基板とチップの間の電源配線及
び接地配線から絶縁された集積回路チップとの間に作成
される。これにより、信号線密度が増加し、信号路長が
最小に抑えられ、異なる種別の線の間に高程度の電気的
絶縁が得られる。同図に示された電源/接地ラップ10
8の設計において、接地配線はラップの外側の面に配置
され、電源配線は内側の面に配置されることに注意する
必要がある。このため、電源配線と接地配線は、互いに
絶縁されると共に、信号コアの中を通過する信号配線か
らも絶縁される。
【0028】図6は、本発明の他の実施例によるクロス
トーク信号が低減された介挿体の略断面図であり、介挿
体は、印刷回路基板と集積回路チップの間に配置されて
いる。同図中の使用記号の説明文は、完全な構造体の一
部の部品を示している。本例の場合、電源/接地ラップ
の上面、下面、及び、側面と、(図5を参照して説明し
た方法で与えられた)信号コアとの間の精密な整列配置
の必要性は緩和される。その代わりに、電源/接地層の
上側基板及び下側基板は、(単一の柔軟性基板を曲げる
ことにより形成されるのではなく)別々の基板として製
造され、信号コアに別々に組み付けられる。エッジコネ
クタ500及び502は、2枚の電源/接地基板と、信
号コアの電源/接地層との間で、必要に応じて電源/接
地層を相互連結するため使用される。図1に示されたラ
ップ形構造体の場合に、基板の一方の端にある1組のエ
ッジコネクタ500が、電源/接地層と、信号コアの電
源/接地層との間に所望の相互連結を実現するため使用
されることに注意する必要がある。
トーク信号が低減された介挿体の略断面図であり、介挿
体は、印刷回路基板と集積回路チップの間に配置されて
いる。同図中の使用記号の説明文は、完全な構造体の一
部の部品を示している。本例の場合、電源/接地ラップ
の上面、下面、及び、側面と、(図5を参照して説明し
た方法で与えられた)信号コアとの間の精密な整列配置
の必要性は緩和される。その代わりに、電源/接地層の
上側基板及び下側基板は、(単一の柔軟性基板を曲げる
ことにより形成されるのではなく)別々の基板として製
造され、信号コアに別々に組み付けられる。エッジコネ
クタ500及び502は、2枚の電源/接地基板と、信
号コアの電源/接地層との間で、必要に応じて電源/接
地層を相互連結するため使用される。図1に示されたラ
ップ形構造体の場合に、基板の一方の端にある1組のエ
ッジコネクタ500が、電源/接地層と、信号コアの電
源/接地層との間に所望の相互連結を実現するため使用
されることに注意する必要がある。
【0029】本発明によるクロストーク信号が低減され
た介挿体構造物を製造する場合に、上側の電源/接地基
板又は表面と、信号コアと、下側の電源/接地基板又は
表面は、適当なzコネクション法を用いて必要に応じて
相互連結され、次に、電源/接地基板を相互連結するた
めエッジコネクタが取り付けられる。本発明の介挿体を
製作するために好適なzコネクション法は、1998年
11月13日に出願され、本願の出願人によって譲受さ
れ、参考のため内容が引用され、発明の名称が“Multil
ayer Laminated Substrates With High Density Interc
onnects and Methods of Making the Same”である米国
特許出願S.N.09/275,543号に開示されて
いる。
た介挿体構造物を製造する場合に、上側の電源/接地基
板又は表面と、信号コアと、下側の電源/接地基板又は
表面は、適当なzコネクション法を用いて必要に応じて
相互連結され、次に、電源/接地基板を相互連結するた
めエッジコネクタが取り付けられる。本発明の介挿体を
製作するために好適なzコネクション法は、1998年
11月13日に出願され、本願の出願人によって譲受さ
れ、参考のため内容が引用され、発明の名称が“Multil
ayer Laminated Substrates With High Density Interc
onnects and Methods of Making the Same”である米国
特許出願S.N.09/275,543号に開示されて
いる。
【0030】集積回路チップは、フリップチップ、TA
B(テープ・オートメーティッド・ボンディング)、フ
リップTAB、ワイヤボンディング、或いは、他の適当
な方法を用いて本発明の介挿体に装着される。殆どのア
プリケーションの場合、好ましい相互連結方法は、フリ
ップチップ・エリア・アレイ・プロセスである。介挿体
は、ボールグリッドアレイ(BGA)を用いて印刷回路
基板若しくはその他の基板に接続され得る。
B(テープ・オートメーティッド・ボンディング)、フ
リップTAB、ワイヤボンディング、或いは、他の適当
な方法を用いて本発明の介挿体に装着される。殆どのア
プリケーションの場合、好ましい相互連結方法は、フリ
ップチップ・エリア・アレイ・プロセスである。介挿体
は、ボールグリッドアレイ(BGA)を用いて印刷回路
基板若しくはその他の基板に接続され得る。
【0031】本発明による介挿体構造物は、従来の介挿
体に対し幾つかの重要な利点がある。第1に、電源線及
び接地線の相互連結が信号コアの中を通過しないので、
信号配線密度を従来の介挿体よりも大きくすることがで
きる。その理由は、本発明の構造物において、信号線を
形成することができるバイア間の間隔は、チップ上の信
号線と電源線と接地線の間の間隔よりも約√2倍だけ増
加されるからである。例えば、介挿体上の信号バイア間
の間隔は、チップ上のバイアピッチが250μmである
アプリケーションの場合に約350μmになる。すなわ
ち、介挿体上の信号線の配線密度は、重大なクロストー
クなどを誘発することなく、チップに対する配線密度よ
りも増加させることができる。すなわち、介挿体上のピ
ッチ250μmの信号線は、すべての信号線、電源線及
び接地線がチップ上に製作された場合に、チップ上のよ
り小さい実現不可能なピッチに対応する。
体に対し幾つかの重要な利点がある。第1に、電源線及
び接地線の相互連結が信号コアの中を通過しないので、
信号配線密度を従来の介挿体よりも大きくすることがで
きる。その理由は、本発明の構造物において、信号線を
形成することができるバイア間の間隔は、チップ上の信
号線と電源線と接地線の間の間隔よりも約√2倍だけ増
加されるからである。例えば、介挿体上の信号バイア間
の間隔は、チップ上のバイアピッチが250μmである
アプリケーションの場合に約350μmになる。すなわ
ち、介挿体上の信号線の配線密度は、重大なクロストー
クなどを誘発することなく、チップに対する配線密度よ
りも増加させることができる。すなわち、介挿体上のピ
ッチ250μmの信号線は、すべての信号線、電源線及
び接地線がチップ上に製作された場合に、チップ上のよ
り小さい実現不可能なピッチに対応する。
【0032】このような本発明による利点は、信号線間
の間隔を例示する図7を参照することにより理解され
る。同図の(a)はチップ上の線間の間隔を示し、
(b)は本発明の介挿体における信号コア線間の間隔を
示す図である。記号Sは信号線、Vは電源線、Gは接地
線を表わす。同図の(a)において、線と線の間の間
隔、すなわち、ピッチは、典型的な値の250μmであ
る。一方、本発明の介挿体によれば、信号コア線は、同
図の(b)にSで示される。この場合、信号線間の間隔
は約350μmである。したがって、線は250μm以
上離間していなければならないという制限がある場合、
信号コアを通る信号線の密度は、チップ上の信号線の密
度よりも増加させることができる。信号線は電源/接地
層を通過するので、信号線が電源線及び接地線の周りを
通らなければならない場合よりも信号線の長さが短くな
る。
の間隔を例示する図7を参照することにより理解され
る。同図の(a)はチップ上の線間の間隔を示し、
(b)は本発明の介挿体における信号コア線間の間隔を
示す図である。記号Sは信号線、Vは電源線、Gは接地
線を表わす。同図の(a)において、線と線の間の間
隔、すなわち、ピッチは、典型的な値の250μmであ
る。一方、本発明の介挿体によれば、信号コア線は、同
図の(b)にSで示される。この場合、信号線間の間隔
は約350μmである。したがって、線は250μm以
上離間していなければならないという制限がある場合、
信号コアを通る信号線の密度は、チップ上の信号線の密
度よりも増加させることができる。信号線は電源/接地
層を通過するので、信号線が電源線及び接地線の周りを
通らなければならない場合よりも信号線の長さが短くな
る。
【0033】本発明により得られる別の利点は、信号コ
アと電源/接地ラップの2種の構造体が順次的なプロセ
スフローの一部としてではなく、並行に製造され得るの
で、2種の構造体を別々に製造、試験し得ることであ
る。このため、プロセス全体のサイクルタイプが縮小
し、歩留まりが改善される。また、2種の構造体に対
し、異なる技術及びプロセスを使用することが可能にな
り、構造体毎にプロセスフローが最適化され、付随的に
処理コストが削減される。さらに、典型的に使用される
大半の電源バイア及び接地バイアは、エッジコネクタに
よって置換され得るので、形成されるバイアの数が低減
され、製造コストが削減される。
アと電源/接地ラップの2種の構造体が順次的なプロセ
スフローの一部としてではなく、並行に製造され得るの
で、2種の構造体を別々に製造、試験し得ることであ
る。このため、プロセス全体のサイクルタイプが縮小
し、歩留まりが改善される。また、2種の構造体に対
し、異なる技術及びプロセスを使用することが可能にな
り、構造体毎にプロセスフローが最適化され、付随的に
処理コストが削減される。さらに、典型的に使用される
大半の電源バイア及び接地バイアは、エッジコネクタに
よって置換され得るので、形成されるバイアの数が低減
され、製造コストが削減される。
【0034】上記の通り例示的な材料及びプロセスを参
照して本発明を説明したが、本発明は、本発明の概念の
別の実施形態並びに変形例を用いて実現してもよい。例
えば、信号コア、及び、電源/接地層は、可撓性膜又は
(低コスト、低性能システム用として)印刷回路基板か
ら製作することができる。信号コアのために印刷回路基
板が使用される場合、少ない配線密度に起因して、1層
以上の信号コアが基板又は他の信号コアに積層され得
る。
照して本発明を説明したが、本発明は、本発明の概念の
別の実施形態並びに変形例を用いて実現してもよい。例
えば、信号コア、及び、電源/接地層は、可撓性膜又は
(低コスト、低性能システム用として)印刷回路基板か
ら製作することができる。信号コアのために印刷回路基
板が使用される場合、少ない配線密度に起因して、1層
以上の信号コアが基板又は他の信号コアに積層され得
る。
【0035】減結合コンデンサが必要である場合、薄膜
コンデンサは、外部から一方の方向(x方向)でのエッ
ジコネクタまでの配線を用いて電源/接地層に接続する
ことができる。終端抵抗が必要である場合、薄膜抵抗
は、外部から別の方向(y方向)に沿って信号層のエッ
ジに接続することができる。本発明による構造体は、信
号コア内に電源/接地層が存在するので、信号コアの異
なる層内の信号線間のクロストークが低減される。これ
により、クロストークノイズの影響が緩和されるので、
信号線の配線により大きな柔軟性が得られ、例えば、
(xとyの両方向を含む)混合された信号層を各信号コ
ア層に配線することができるようになる。これは、高性
能アプリケーションの場合に実質的な利点になり得る。
コンデンサは、外部から一方の方向(x方向)でのエッ
ジコネクタまでの配線を用いて電源/接地層に接続する
ことができる。終端抵抗が必要である場合、薄膜抵抗
は、外部から別の方向(y方向)に沿って信号層のエッ
ジに接続することができる。本発明による構造体は、信
号コア内に電源/接地層が存在するので、信号コアの異
なる層内の信号線間のクロストークが低減される。これ
により、クロストークノイズの影響が緩和されるので、
信号線の配線により大きな柔軟性が得られ、例えば、
(xとyの両方向を含む)混合された信号層を各信号コ
ア層に配線することができるようになる。これは、高性
能アプリケーションの場合に実質的な利点になり得る。
【0036】信号線クロストークの低減に加えて、信号
コアの電源/接地層は、可撓性信号コア基板の剛性を高
め、信号コア基板の位置的な安定性を改良する。これに
より、信号コア内を通過する信号バイアの場所の不確実
さが減少し、より小さい信号パッドが利用できるように
なる。このため、所定のバイアピッチに対し信号線を配
線し得る空間が更に拡大される。
コアの電源/接地層は、可撓性信号コア基板の剛性を高
め、信号コア基板の位置的な安定性を改良する。これに
より、信号コア内を通過する信号バイアの場所の不確実
さが減少し、より小さい信号パッドが利用できるように
なる。このため、所定のバイアピッチに対し信号線を配
線し得る空間が更に拡大される。
【0037】上記の電源/接地ラップの実施例は2層を
含んでいるが、電源/接地層の全体の層の数は3層以上
でも構わない。各層はエッジコネクタを介して接続され
得る。柔軟性のあるエッジ挿入物が電源/接地層内に作
製され得ることに注意する必要がある。柔軟性のあるエ
ッジ挿入物は、エッジコネクタが平面的ではない場合に
生ずる問題を解決するためエッジコネクタに挿入され
る。
含んでいるが、電源/接地層の全体の層の数は3層以上
でも構わない。各層はエッジコネクタを介して接続され
得る。柔軟性のあるエッジ挿入物が電源/接地層内に作
製され得ることに注意する必要がある。柔軟性のあるエ
ッジ挿入物は、エッジコネクタが平面的ではない場合に
生ずる問題を解決するためエッジコネクタに挿入され
る。
【0038】信号コアは、信号線密度が増加するならば
製造コストが増加しても構わない場合に、積層プロセス
を用いて製造することができる。信号コア層と電源/接
地層の中の少なくとも一方は、可撓性膜又は(低コスト
かつ低性能システムの場合には)印刷回路基板から形成
することができる。印刷回路基板が信号コアのために使
用される場合、多数の信号コアを一体的に層状化させて
もよい。薄膜コンデンサ(TFC)は減結合コンデンサ
として使用される。薄膜抵抗(TFR)は終端抵抗とし
て使用される。付加的な信号層が電源/接地面によって
相互に、或いは、他の層と電気的に絶縁されるならば、
付加的な信号層を基板に形成してもよい。
製造コストが増加しても構わない場合に、積層プロセス
を用いて製造することができる。信号コア層と電源/接
地層の中の少なくとも一方は、可撓性膜又は(低コスト
かつ低性能システムの場合には)印刷回路基板から形成
することができる。印刷回路基板が信号コアのために使
用される場合、多数の信号コアを一体的に層状化させて
もよい。薄膜コンデンサ(TFC)は減結合コンデンサ
として使用される。薄膜抵抗(TFR)は終端抵抗とし
て使用される。付加的な信号層が電源/接地面によって
相互に、或いは、他の層と電気的に絶縁されるならば、
付加的な信号層を基板に形成してもよい。
【0039】上記の用語及び表現は、本発明を説明する
ために使用されたものであり、本発明を制限するもので
はなく、これらの用語及び表現は上記の本発明の特徴的
な面又はその一部と等価的な事項を除外するため使用さ
れたものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく、
種々の変形をなし得ることが認められよう。
ために使用されたものであり、本発明を制限するもので
はなく、これらの用語及び表現は上記の本発明の特徴的
な面又はその一部と等価的な事項を除外するため使用さ
れたものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく、
種々の変形をなし得ることが認められよう。
【0040】
【発明の効果】本発明の介挿体によって得られる従来技
術の介挿体の構造に対する利点は以下の通りである。 (1)介挿体の信号配線の密度は、信号コアを通過する
電源線及び接地線の配線が無いため、従来技術の介挿体
の密度よりも高くすることができる。この点に関して、
信号線を接続するバイアの間のギャップは、チップ上の
線密度に対し約√2(2の平方根)倍だけ増加される。
すなわち、介挿体上の信号線密度は、電源線及び接地線
を含むチップ上の信号線密度よりも増大される。 (2)信号コアと、電源/接地ラップを製造するため異
なる技術及びプロセスを使用することができる。電源/
接地ラップのパターン寸法は大きくなるので、より低コ
ストのプロセス(例えば、除去的なプロセス)を使用す
ることが可能である。 (3)信号コアと電源/接地ラップは、別々に製造し、
試験することができる。これは、並行プロセスのサイク
ルタイプ及び歩留まりが順次プロセスの場合よりも改良
される点で有利である。 (4)信号コアの一方側の信号層の間に配置された信号
層電源/接地面は、2層の上の信号線間のクロストーク
を低減させるよう作用する。 (5)電源/接地バイアの大多数はエッジ接続によって
置換することができる。バイアを穿孔するためレーザが
使用される場合に、必要なバイアの数が減少することに
より、製造の局面でコストが低減される。 (6)減結合コンデンサ又は終端抵抗が必要とされる場
合に、減結合コンデンサ又は終端抵抗を、一方側の電源
/接地層のエッジコネクタと他方側の信号層のエッジと
を介して外部から接続することが可能である。これによ
り、3次元パッケージが行われる。
術の介挿体の構造に対する利点は以下の通りである。 (1)介挿体の信号配線の密度は、信号コアを通過する
電源線及び接地線の配線が無いため、従来技術の介挿体
の密度よりも高くすることができる。この点に関して、
信号線を接続するバイアの間のギャップは、チップ上の
線密度に対し約√2(2の平方根)倍だけ増加される。
すなわち、介挿体上の信号線密度は、電源線及び接地線
を含むチップ上の信号線密度よりも増大される。 (2)信号コアと、電源/接地ラップを製造するため異
なる技術及びプロセスを使用することができる。電源/
接地ラップのパターン寸法は大きくなるので、より低コ
ストのプロセス(例えば、除去的なプロセス)を使用す
ることが可能である。 (3)信号コアと電源/接地ラップは、別々に製造し、
試験することができる。これは、並行プロセスのサイク
ルタイプ及び歩留まりが順次プロセスの場合よりも改良
される点で有利である。 (4)信号コアの一方側の信号層の間に配置された信号
層電源/接地面は、2層の上の信号線間のクロストーク
を低減させるよう作用する。 (5)電源/接地バイアの大多数はエッジ接続によって
置換することができる。バイアを穿孔するためレーザが
使用される場合に、必要なバイアの数が減少することに
より、製造の局面でコストが低減される。 (6)減結合コンデンサ又は終端抵抗が必要とされる場
合に、減結合コンデンサ又は終端抵抗を、一方側の電源
/接地層のエッジコネクタと他方側の信号層のエッジと
を介して外部から接続することが可能である。これによ
り、3次元パッケージが行われる。
【0041】集積回路チップを基板に接続するため必要
とされる全ての接続(電源、接地、信号、抵抗、コンデ
ンサなど)が、必ずしも中間介挿体を通され、或いは、
その基板上に配分されなくてもよい。その結果として、
信号トレースは密度が増加し、製造コストは本発明の構
造体を使用することによって削減され得る。
とされる全ての接続(電源、接地、信号、抵抗、コンデ
ンサなど)が、必ずしも中間介挿体を通され、或いは、
その基板上に配分されなくてもよい。その結果として、
信号トレースは密度が増加し、製造コストは本発明の構
造体を使用することによって削減され得る。
【図1】印刷回路基板と集積回路チップの間に配置され
た本発明の一実施例によるクロストーク信号が低減され
た介挿体の略断面図である。
た本発明の一実施例によるクロストーク信号が低減され
た介挿体の略断面図である。
【図2】本発明の介挿体の一部分である信号コアの略断
面図である。
面図である。
【図3】(a)乃至(g)は、本発明の介挿体の一部分
である信号コアを製造する第1の方法の工程フロー図で
ある。
である信号コアを製造する第1の方法の工程フロー図で
ある。
【図4】(a)乃至(g)は、本発明の介挿体の一部分
である信号コアを製造する第2の方法の工程フロー図で
ある。
である信号コアを製造する第2の方法の工程フロー図で
ある。
【図5】(a)乃至(e)は、本発明の介挿体の一部分
である電源/接地ラップを製造する方法の工程フロー図
である。
である電源/接地ラップを製造する方法の工程フロー図
である。
【図6】印刷回路基板と集積回路チップの間に配置され
た本発明の他の実施例によるクロストーク信号が低減さ
れた介挿体の略断面図である。
た本発明の他の実施例によるクロストーク信号が低減さ
れた介挿体の略断面図である。
【図7】(a)はチップ上の線間の間隔を示し、(b)
は本発明の介挿体における信号コア線間の間隔を示す図
である。
は本発明の介挿体における信号コア線間の間隔を示す図
である。
100 介挿体 102 印刷回路基板 104 集積回路チップ 106 信号コア 108 電源/接地ラップ 109 電源/接地層 110 誘電性膜 111 導電性コア 112 導電性ポスト構造体 113 信号線 202,207,209,404 導電性層 204 誘電性層 205 誘電体 206,402 バイア 208 シード層 210 信号線 211,440,444 信号パッド 400 誘電性基板 406 信号配線 430 接地パッド 432 導電性表面 442 電源パッド 500 エッジコネクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウェン・チョウ ヴィンセント ワン アメリカ合衆国,カリフォルニア 95014, クパティーノ,エドミントン・ドライヴ 18457番 (72)発明者 高橋 康仁 アメリカ合衆国,カリフォルニア 95129, サンノゼ,イングルウッド・ドライヴ 5234番 (72)発明者 ウィリアム チョウ アメリカ合衆国,カリフォルニア 95014, クパティーノ,レイク・スプリング 11551番 (72)発明者 マイケル ジー リー アメリカ合衆国,カリフォルニア 95120, サンノゼ,セイジ・オーク・ウェイ 6064 番 (72)発明者 ソロモン ベイリン アメリカ合衆国,カリフォルニア 94070, サンカルロス,クラブ・ドライヴ 83番
Claims (9)
- 【請求項1】 集積回路チップを実装用基板に接続する
介挿体であって、上記集積回路チップが相互連結される
第1の基板、及び、上記実装用基板が相互連結される第
2の基板を有し、上記第1の基板及び上記第2の基板に
は上記実装用基板と実装された集積回路チップとの間に
電源配線路及び接地配線路を設けるため複数の導電性バ
イアが形成されている、電源線及び接地線配線用構造体
と、 上記第1の基板と上記第2の基板との間に配置され、誘
電性層が第1の面及び第2の面に配置されている導電性
基板を含み、上記誘電性層にはパターニング処理された
金属層が設けられ、上記パターニング処理された金属層
の間には上記第1の基板と上記第2の基板との間の信号
路のための複数の導電性バイアが形成されている、信号
線配線用構造体とを具備し、 電源が上記信号配線用構造体を通過することなく上記電
源線及び接地線配線用構造体を通じて配送されるよう
に、上記電源及び接地配線路が上記信号路から実質的に
絶縁されていることを特徴とする介挿体。 - 【請求項2】 上記電源線及び接地線配線用構造体は、 上記第1の基板の実質的に同一平面である第1の面及び
第2の面に配置され、上記導電性バイアによって電気的
接続がなされているパターニング処理された第1の導電
性層と、 上記第2の基板の実質的に同一平面である第1の面及び
第2の面に配置され、上記導電性バイアによって電気的
接続がなされているパターニング処理された第2の導電
性層とを更に有する請求項1記載の介挿体。 - 【請求項3】 上記電源線及び接地線配線用構造体の上
記第1の基板及び上記第2の基板を所定の間隔で保持す
る支持部材を更に有する請求項1記載の介挿体。 - 【請求項4】 上記支持部材は、上記信号線配線用構造
体の上記導電性基板を上記電源線及び接地線配線用構造
体の上記電源配線路に電気的に接続する、請求項3記載
の介挿体。 - 【請求項5】 上記電源線及び接地線配線用構造体は、
上記第1の基板の上記第1の面と上記第2の基板の上記
第2の面との間に接地配線路を更に有する、請求項2記
載の介挿体。 - 【請求項6】 上記電源線及び接地線配線用構造体は、
上記第1の基板の上記第2の面と上記第2の基板の上記
第1の面との間に電源配線路を更に有する、請求項2又
は5記載の介挿体。 - 【請求項7】 集積回路チップを実装用基板に接続する
介挿体の製造方法であって、 第1の基板、及び、実質的に同一平面を備えた第2の基
板を有する電源線及び接地線配線用構造体を準備する段
階と、 上記第1の基板の第1の面を上記第1の基板の第2の面
に接続する複数の導電性バイアを形成する段階と、 上記第2の基板の第1の面を上記第2の基板の第2の面
に接続する複数の導電性バイアを形成する段階と、 上記第1の基板の上記第1の面と上記第2の基板の上記
第2の面との間に接地配線路を形成する段階と、 上記第1の基板の上記第2の面と上記第2の基板の上記
第1の面との間に電源配線路を形成する段階と、 両側に実質的に同一平面である第1の面及び第2の面が
形成されている導電性基板から、上記第1の面と上記第
2の面を接続する複数の導電性バイアを備えた信号線配
線用構造体を形成する段階と、 上記電源線及び接地線配線用構造体の上記第1の基板と
上記第2の基板の間に上記信号線配線用構造体を設置す
る段階と、 信号線が上記電源配線路及び上記接地配線路から実質的
に絶縁されるように、上記電源線及び接地線配線用構造
体の上記第1の基板と上記信号線配線用構造体との間に
信号線を設け、上記信号線配線用構造体と上記電源線及
び接地線配線用構造体の上記第2の基板との間に信号線
を設けるべく電気的接続を形成する段階とを有すること
を特徴とする製造方法。 - 【請求項8】 上記信号線配線用構造体を形成する段階
は、 上記導電性基板に貫通するアパーチャを形成する段階
と、 上記導電性基板の実質的に同一平面である第1の面及び
第2の面に誘電性層を配置する段階と、 上記誘電性層及び上記アパーチャを通るバイアを形成す
る段階と、 上記バイア内に導電材料を充填する段階と、 上記誘電性層の各層の上に導電性層を形成する段階と、 信号線及び信号パッドを形成するため上記導電性層をパ
ターニングする段階とを有する、請求項7記載の製造方
法。 - 【請求項9】 上記信号線配線用構造体を形成する段階
は、 上記導電性基板に貫通するアパーチャを形成する段階
と、 上記導電性基板の第1の面に誘電性層を配置する段階
と、 誘電性層と積層された導電性層とを有する構造体を、上
記誘電性層が上記導電性基板の第2の面と接触するよう
に、上記導電性基板の第1の面と実質的に同一平面上に
ある上記第2の面に配置する段階と、 上記誘電性層及びアパーチャを通過するバイアを形成す
る段階と、 上記バイアに導電性材料を充填する段階と、 上記導電性基板の上記第1の面に形成された上記誘電性
層の上に導電性層を形成する段階と、信号線及び信号パ
ッドを形成するため上記導電性層をパターニングする段
階とを有する、請求項7記載の製造方法。
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US09/315,785 US6239485B1 (en) | 1998-11-13 | 1999-05-20 | Reduced cross-talk noise high density signal interposer with power and ground wrap |
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