CN103179784A

CN103179784A - 具有一体化法拉第屏蔽的多层电子结构

Info

Publication number: CN103179784A
Application number: CN2013100678513A
Authority: CN
Inventors: 卓尔·赫尔维茨
Original assignee: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd
Current assignee: Zhuhai Yueya Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2012-05-30
Filing date: 2013-03-04
Publication date: 2013-06-26
Anticipated expiration: 2033-03-04
Also published as: KR20130135000A; US20160081201A1; TW201409650A; KR20140134243A; US20130322029A1; JP2013251520A; CN103179784B

Abstract

一种多层电子支撑结构，其包括包封在介电材料中的至少一个金属组件，并且还包括至少一个法拉第栅，用于屏蔽所述至少一个金属组件以免受外部电磁场干扰和防止所述金属组件的电磁发射。

Description

具有一体化法拉第屏蔽的多层电子结构

技术领域

本发明涉及包括一体化法拉第栅和法拉第网（Faraday barriers andcages）的多层电子支撑结构例如互连及其制造方法。

背景技术

在对于越来越复杂的电子元件的小型化需求越来越大的带动下，诸如计算机和电信设备等消费电子产品的集成度越来越高。这已经导致要求支撑结构如IC基板和IC插件具有通过介电材料彼此电绝缘的高密度的多个导电层和通孔。

这种支撑结构的总体要求是可靠性和适当的电气性能、薄度、刚度、平坦度、散热性好和有竞争力的单价。

在实现这些要求的各种途径中，一种广泛实施的创建层间互连通孔的制造技术是采用激光钻孔，所钻出的孔穿透后续布置的介电基板直到最后的金属层，后续填充金属，通常是铜，该金属通过镀覆技术沉积在其中。这种成孔方法有时也被称为“钻填”，由此产生的通孔可称为“钻填通孔”。

但是，钻填孔方法存在大量缺点：

因为每个通孔需要单独钻孔，所以生产率受限，并且制造复杂的多通孔IC基板和插件的成本变得高昂。

在大型阵列中，通过钻填方法难以生产出高密度和高品质、具有不同的尺寸和形状且彼此紧密相邻的通孔。

此外，激光钻出的通孔具有穿过介电材料厚度的粗糙侧壁和内向锥度。该锥度减小了通孔的有效直径。特别是在超小通孔直径的情况下，也可能对于在先的导电金属层的电接触产生不利影响，由此导致可靠性问题。

在被钻的电介质是包括聚合物基体中的玻璃或陶瓷纤维的复合材料时，侧壁特别粗糙，并且这种粗糙可能会产生附加的杂散电感。

钻出的通孔洞的填充过程通常是通过铜电镀来完成的。金属沉积技术会导致凹痕，其中在通孔顶部出现小坑。或者，当通孔通道被填充超过其容纳量的铜时，可能造成溢出，从而产生突出超过周围材料的半球形上表面。凹痕和溢出往往在如制造高密度基板和插件时所需的后续上下堆叠通孔时造成困难。

大的通孔通道难以均匀填充，特别是在其位于插件或IC基板设计的同一互连层内的更小的通孔附近时。

激光钻孔是制造圆形通孔通道的最好方法。虽然可以通过激光铣削制造狭缝形状的通孔通道，然而，可通过“钻填”制造的几何形状范围比较有限。通过钻填工艺制造通孔是昂贵的，并且难以利用相对具有成本效益的电镀工艺用铜来均匀和一致地填充由此形成的通孔通道。

虽然可接受的尺寸和可靠性正在随着时间的推移而改善，但是上文所述的缺点是钻填技术的内在缺陷，并且预计会限制可能的通孔尺寸范围。

克服钻填方法的许多缺点的可选解决方案是利用又称为“图案镀覆”的技术，通过将铜或其它金属沉积到在光刻胶中形成的图案内来制造。

在图案镀覆中，首先沉积种子层。然后在所述种子层上沉积光刻胶层，随后曝光以形成图案，并且选择性移除所述光刻胶层以留下暴露出种子层的沟槽。通过将铜沉积到光刻胶沟槽中来形成通孔柱。然后移除剩余的光刻胶，蚀刻掉种子层，并在其上及其周围层压通常为聚合物浸渍玻璃纤维毡的介电材料，以包围所述通孔柱。然后，可以使用各种技术和工艺，例如研磨、抛光和化学机械抛光，来减薄和平坦化形成的表面，移除所述介电材料的一部分并暴露出通孔柱的顶部，以允许形成下一金属层。可在其上通过重复该过程来沉积后续的金属导体层和通孔柱，以形成所需的多层结构。

在一个替代但紧密关联的技术即下文所称的“面板镀覆”中，将连续的金属或合金层沉积到基板上。在连续层的顶部施加光刻胶层，并在其中显影出图案。剥除被显影光刻胶的图案，选择性地暴露出其下的金属，该金属可随后被蚀刻掉。未显影的光刻胶保护其下方的金属不被蚀刻掉，并留下直立的特征结构和通孔的图案。

在剥除未显影的光刻胶后，可以在直立的铜特征结构和/或通孔柱上或周围层压介电材料，如聚合物浸渍玻璃纤维毡。

通过上述图案镀覆或面板镀覆方法创建的通孔层通常被称为通孔柱层和特征层。铜是上述两种层的优选金属。

将会认识到，微电子演化的一般推动力涉及制造更小、更薄、更轻和更大功率的高可靠性产品。使用厚且有芯的互连不能得到超轻薄的产品。为了在互连IC基板或“插件”中形成更高密度的结构，需要具有甚至更小连接的更多层。事实上，有时希望在彼此的顶部上堆叠元件。

如果在铜或其它合适的牺牲基板上沉积镀覆层压结构，则可以蚀刻掉基板，留下独立的无芯层压结构。可以在预先附着至牺牲基板的侧面上沉积其它层，由此能够形成双面积层，从而最大限度地减少翘曲并有助于实现平坦化。

一种制造高密度互连的灵活技术是构建由在电介质基体中的金属通孔或特征结构构成的图案或面板镀覆多层结构。金属可以是铜，电介质可以是纤维增强聚合物，通常是具有高玻璃化转变温度（T_g）的聚合物，如聚酰亚胺。这些互连可以是有芯的或无芯的，并可包括用于堆叠元件的空腔。它们可具有奇数或偶数层。实现技术描述在授予Amitec-Advanced MultilayerInterconnect Technologies Ltd.的现有专利中。

例如，赫尔维茨（Hurwitz）等人的题为“高级多层无芯支撑结构及其制造方法（Advanced multilayer coreless support structures and method for theirfabrication）”的美国专利US7,682,972描述了一种制造包括在电介质中的通孔阵列的独立膜的方法，所述膜用作构建优异的电子支撑结构的前体，该方法包括以下步骤：在包围牺牲载体的电介质中制造导电通孔膜，和将所述膜与牺牲载体分离以形成独立的层压阵列。基于该独立膜的电子基板可通过将所述层压阵列减薄和平坦化，随后终止通孔来形成。该公报通过引用全面并入本文。

赫尔维茨（Hurwitz）等人的题为“用于芯片封装的无芯空腔基板及其制造方法（Coreless cavity substrates for chip packaging and their fabrication）”的美国专利US7,669,320描述了一种制造IC支撑体的方法，所述IC支撑体用于支撑与第二IC芯片串联的第一IC芯片；所述IC支撑体包括在绝缘周围材料中的铜特征结构和通孔的交替层的堆叠，所述第一IC芯片可粘合至所述IC支撑体，所述第二IC芯片可粘合在所述IC支撑体内部的空腔中，其中所述空腔是通过蚀刻掉铜基座和选择性蚀刻掉累积的铜而形成的。该公报通过引用全部并入本文。

赫尔维茨（Hurwitz）等人的题为“集成电路支撑结构及其制造方法（integrated circuit support structures and their fabrication）”的美国专利US7,635,641描述了一种制造电子基板的方法，包括以下步骤：(A)选择第一基础层；(B)将蚀刻阻挡层沉积到所述第一基础层上；(C)形成交替的导电层和绝缘层的第一半堆叠体，所述导电层通过贯穿绝缘层的通孔而互连；(D)将第二基础层涂覆到所述第一半堆叠体上；(E)将光刻胶保护涂层涂覆到第二基础层上；(F)蚀刻掉所述第一基础层；(G)移除所述光刻胶保护涂层；(H)移除所述第一蚀刻阻挡层；(I)形成交替的导电层和绝缘层的第二半堆叠体，导电层通过贯穿绝缘层的通孔而互连；其中所述第二半堆叠体具有与第一半堆叠体基本对称的构造；(J)将绝缘层涂覆到交替的导电层和绝缘层的所述第二半堆叠体上；(K)移除所述第二基础层，以及，(L)通过将通孔末端暴露在所述堆叠体的外表面上并对其涂覆终止物来终止基板。该公报通过引用全部并入本文。

发明内容

本发明的第一方面涉及提供一种多层电子支撑结构，其包括包封在介电材料内的至少一个功能金属组件，并且还包括在所述介电材料内的至少一个法拉第栅，用于屏蔽所述至少一个功能金属组件以免受外部电磁场干扰和防止所述金属组件的电磁发射。

在一些实施方案中，所述至少一个功能金属组件包括信号载体。

在一些实施方案中，所述至少一个功能金属组件包括铜。

在一些实施方案中，所述至少一个功能金属组件位于通孔层中，所述通孔层还包括连接上方和下方的相邻特征层的连接通孔。

在一些实施方案中，所述至少一个功能金属组件还包括下层，所述下层选自溅射种子层、电镀金属层和沉积在溅射或化学镀种子层上的电镀金属层。

在一些实施方案中，所述至少一个功能金属组件还包括上层，所述上层选自溅射种子层、电镀金属层和沉积在溅射或化学镀种子层上的电镀金属层。

在一些实施方案中，所述至少一个功能金属组件包括电路。

在一些实施方案中，所述至少一个法拉第栅包括：在所述至少一个金属组件上方的上金属层和在所述至少一个金属组件下方的下金属层。

在一些实施方案中，所述至少一个法拉第栅还包括：在所述至少一个金属组件的每一侧上的元件，其通过通孔柱列连接至上金属层和下金属层以提供法拉第笼。

在一些实施方案中，所述通孔柱列是连续的。

在一些实施方案中，所述通孔柱列是不连续的。

在一些实施方案中，所述至少一个法拉第栅包括铜。

通常，所述介电材料包括聚合物。

在一些实施方案中，所述介电材料还包括陶瓷或玻璃。

在一些实施方案中，所述聚合物包括聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪及其共混物。

在一些实施方案中，所述介电材料还包括玻璃纤维。

在一些实施方案中，所述介电材料还包括陶瓷颗粒填料。

第二方面涉及一种制造如权利要求1所述的多层电子结构的方法，包括以下步骤：

a)获得包括上层的基板，所述上层包含连续金属接地面；

b)在所述连续金属接地面上施加第一光刻胶层；

c)显影所述第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有包括下金属通孔列对的图案；

d)将所述下金属通孔列对图案镀覆进入所述第一光刻胶层中；

e)剥除所述第一光刻胶层；

f)在所述下金属通孔列对上层压第一介电材料层；

g)减薄所述第一介电材料层以暴露出所述下金属通孔列对的端部；

h)在所述第一介电材料层上沉积第一金属种子层；

i)在所述第一金属种子层上施加第二光刻胶层；

j)曝光并显影包括在所述第二光刻胶层两侧上的金属元件和相邻的法拉第栅的图案；

k)通过图案镀覆共同制造所述金属元件和相邻的法拉第栅；

l)剥除所述第二光刻胶层；

m)施加第三光刻胶层；

n)曝光并显影第三图案，所述第三图案包括在所述第三光刻胶层中的上通孔柱列；

o)将所述上通孔柱列图案镀覆到被曝光和显影的图案中；

p)剥除所述第三光刻胶层；

q)移除所述种子层；

r)在所述上通孔柱列上层压介电材料层；

s)减薄所述介电材料暴露出所述上通孔柱列的端部；和

t)在被暴露出的端部上沉积上金属层。

在一些实施方案中，所述上金属层包括金属种子层。

在一些实施方案中，所述上金属层还包括电镀沉积的金属层。

在一些实施方案中，重复步骤h)-s)以构建更复杂的屏蔽结构。

术语微米或μm是指微米或10^-6m。

附图说明

为了更好地理解本发明并示出本发明的实施方式，现作出参考介绍，纯粹以举例的方式参照附图。

具体参照附图时，必须强调的是特定的图示是示例性的并且目的仅在于说明性讨论本发明的优选实施方案，并且基于提供被认为是对于本发明的原理和概念方面的描述最有用和最易于理解的图示的原因而被呈现。就此而言，没有试图将本发明的结构细节以超出对本发明基本理解所必需的详细程度来图示；参照附图的说明使本领域技术人员明显认识到本发明的几种形式可如何实际体现出来。在附图中：

图1是现有技术的多层电子支撑结构的简化截面图；

图2是法拉第笼保护的第一组件的横截面的示意图；

图3是法拉第笼保护的三层电路的横截面的示意图；

图4是法拉第笼保护的三层导电特征结构的横截面的示意图；

图5是示出一种制造图2结构的制造技术的流程图；以及

图6是示出第二制造技术的流程图。

在不同的附图中，相同的参考数字和附图标记指示相同的要素。

具体实施方式

在以下说明中，支撑结构是由在介电基体中的金属通孔构成的，特别是在聚合物基体中的铜通孔柱，所述聚合物基体是例如聚酰亚胺、环氧树脂或BT（双马来酰亚胺/三嗪）或它们的共混物，可考虑为玻璃纤维增强的。

参照图1，示出现有技术的多层电子支撑结构的简化截面图。现有技术的多层电子支撑结构100包括被绝缘各层的介电层110、112、114、116隔离的组件或特征结构108的功能层102、104、106。穿过介电层的通孔118提供在相邻的功能层或特征层之间的电连接。因此，特征层102、104、106包括在X-Y平面内通常敷设在所述层内的特征结构108，以及跨介电层110、112、114、116导通电流的通孔118。通孔118设计为具有最小的电感并得到充分的隔离以在其间具有最小的电容。

通常，在互连中或其它基板中的通孔和特征结构被电介质隔离以防止干扰。然而，将会认识到，有时如前文所述的在互连中或其它基板中的通孔和其它导电或功能结构可能对射频（RF）干扰或其它电磁干扰（RFI/EMI）敏感，这些干扰会导致电信号衰减和/或噪声。

如已经确立的那样，电磁屏蔽可以通过利用导电栅屏蔽物通常称为法拉第栅保护这样的导体、通孔和结构来实现。法拉第笼是由法拉第栅构建的三维结构，其提供免受封闭在其内的组件或导管的电感电流和电感的影响的保护。

参照图2，具有包封在基板介电材料202内的中心导体201的结构被下导电板203、上导电板205、与中心导体201在同一层上的左右侧垫板207、208以及将垫板207、208连接至上下导电板203、205的导电通孔204、206、209、210所电磁屏蔽。

如本领域技术人员所理解的，围绕导体201建立的法拉第笼200不需要完全包围所有侧面，并且周围的通孔导体204、206、209、210不需要为完全连续结构，而可以是彼此分隔开的分离通孔柱，但通过垫板207和208电连接。因此，通孔导体204、206、209、210可利用通孔柱方法制造，如赫尔维茨（Hurwitz）等人的美国专利号为US7,682,972、US7,669,320和US7,635,641的美国专利中所描述并且通过引用并入本文。作为替代方案，利用电镀连续伸长通孔的可能性，通孔导体204、206、209、210可以是连续线性通孔，示出其横截面。

参照图3，示出类似于图2的结构。在该基板结构中，各导体301、302、303、304、305、306、307、308形成3层子电路，其通过均嵌入在介电材料302内的通孔结构310、311、312互连，并且形成可以是在基板的给定区域内的一个或多个电路的电路系统350，该电路系统350可以被通孔导体307B、307D、308B、308D及其相关的垫板307A、307C、307E、308A、308C、308E以及底部和顶部金属面板303、305所包围以形成包围的法拉第笼300，以为所包围的电路350提供RFI/EMI保护。

本领域技术人员将会认识到，图2和3的实施方案是仅通过举例提供的示意性简化实施方案，并且被法拉第笼RFI/EMI保护的电路系统不限于特定数目的层或位于基板内的特定电路系统。

由导体通孔及其相关的垫板以及由顶部和底部金属面板提供的法拉第屏蔽可用于使基板内的特定部分与其它部分分隔，例如用以分隔模拟与数字部分，RF电路与数字电路，以防止噪声或使整个基板免受辐射。

被屏蔽的金属组件可包括例如信号载体。

参照图4，底部导体线411和顶部导体线413可通过通孔导体412互连以生成导通嵌入在介电材料418内的特征结构410并且被法拉第笼450包围的RFI/EMI屏蔽，法拉第笼450通过用于顶部和底部RFI/EMI保护的顶部和底部金属面板403和405以及在侧面上通过用于进一步RFI/EMI侧面保护的通孔导体407B及其互连垫板407A、407C、通孔导体408B及其互连垫板408A、408C表现出来。

图4所示的“通孔导体”412提供较图2所示的特征结构201的显著改进，因为与图2的金属导体201相比，互连的底部和顶部垫板411、413的RFI/EMI保护特征结构410具有显著更低的DC电阻，由此为在集成电路（IC）内操作敏感驱动器时进行必要的屏蔽电流的分配和传输的电设计者提供额外的灵活性。

可注意到的是，底部导体垫板407A、411、408A可以是非常薄的导电层，例如厚度至多1微米并且通过溅射或化学镀沉积的种子层。底部导体垫板407A、411、408A仅用于使通孔导体407B、412、408B与同一层中的其它导体和通孔柱（未示出）一起图案电镀，但是在基板的其它位置处，如在赫尔维茨（Hurwitz）等人的美国专利号为US7,682,972、US7,669,320和US7,635,641的美国专利的图案镀覆通孔柱流程中所述。

可进一步注意到的是，顶部互连导体垫板407C、413、408C的厚度只需要足以用作种子层以允许在同一层或后续层中基板的其它位置处构建其它导体或通孔（未示出）即可，例如利用赫尔维茨（Hurwitz）等人的美国专利号为US7,682,972、US7,669,320和US7,635,641的美国专利中所描述的图案镀覆工艺。因此，顶部互连导体垫板407C、413、408C可具有至多1微米的厚度并且可通过溅射或化学镀进行沉积。

还可以注意到的是，所有的垫板对407A/407C、408A/408C和412可具有尽可能接近对应的“通孔导体”407B、408B和412的尺寸。

在各种实施方案中，上下列的通孔柱可以是彼此被电介质隔离的不连续通孔柱并且可以是类似于通过钻填技术可制造的通孔那样的基本圆柱形的。利用图案或面板镀覆，通孔柱不需要是圆形的并且可以是例如方形或矩形的，并且可以是平行于数据线延伸的连续带。

在一些实施方案中，金属组件和周围的法拉第笼可以由铜制造。

介电材料可以是聚合物，例如聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪及其共混物。

通常，介电材料还包括陶瓷或玻璃，例如玻璃增强纤维和陶瓷颗粒填料。

介电材料可以是由例如浸渍有树脂的织造纤维毡构成的预型体。

参照图5，一种制造如图2所示的包括法拉第笼的多层电子结构的方法，包括以下步骤：获得具有包括连续金属接地面的上表面的基板—步骤a)。在连续接地面上涂覆第一光刻胶层—步骤b)，接着将该第一光刻胶层显影为具有包括下铜通孔列对的图案—步骤c)。随后将下金属通孔列图案镀覆进入第一光刻胶层内—步骤d)。剥除光刻胶—步骤e)，接着通常通过施加预型体并固化来层压第一介电材料层—步骤f)。将第一介电材料层减薄以暴露出下金属通孔列的端部—步骤g)。可以使用各种技术和工艺用于减薄，例如研磨、抛光和化学机械抛光，以移除部分介电材料并暴露出通孔柱的顶部，从而允许构建下一金属层。然后在电介质上沉积第一金属种子层—步骤h)。这通常是铜并且通常具有0.5微米-1.5微米的厚度，并且可以例如通过化学镀或通过溅射进行沉积。为了提高其粘附性，可以先同样通过溅射沉积钛或钽的粘附层。粘附层通常具有0.04微米-0.1微米的厚度。在第一金属种子层上涂覆第二光刻胶层—步骤i)，然后在第二光刻胶层中曝光并显影出图案，包括两侧上的金属元件和相邻的法拉第栅，其中相邻的法拉第栅与金属通孔列连接—步骤j)。金属元件和相邻的法拉第栅通过图案镀覆至被曝光显影的光刻胶中而共同制造—步骤k)。剥除第二光刻胶层—步骤l)，涂覆第三光刻胶层—步骤m)，接着在第三光刻胶层中曝光并显影出包括上通孔柱列的第三图案—步骤n)。将上通孔柱列图案电镀至被曝光显影的图案中—步骤（o)。剥除第三光刻胶层—步骤p)。移除种子层—步骤q)，任选地，利用例如氢氧化铵或氯化铜的湿蚀刻剂将其蚀刻掉，接着在上通孔柱列上层压介电材料层—步骤s)。减薄该介电材料以暴露出上通孔柱列的端部—步骤t)。可以使用机械抛光或研磨、化学抛光或化学机械抛光（CMP），在电介质上沉积上金属层，连接至被暴露的端部—步骤t)。上层可以是种子层，通常为铜，通过溅射或化学镀进行沉积。在一些实施方案中，上金属层还包括通过电镀沉积的较厚金属层。

来自将要被保护的组件的单个通孔和特征层以及周围的法拉第笼通常是基板中的结构和通孔的更大布图（未示出）的一部分。每个特征结构或垫板与后续的通孔层的双层通常通过重复步骤h)-t)来沉积。

通常，种子层和镀层可由铜制成。种子层可具有0.5-1.5微米的厚度。为了进一步帮助种子层粘附至下方的电介质，可以先涂覆非常薄的一层，通常为0.04微米-0.1微米的粘附金属，例如钛、钽、钨、铬或其混合物。

上下通孔柱列可以是连续的，由金属延伸带构成，或者可由单个通孔柱构成。

可以重复步骤h)-s)以构建更复杂的屏蔽结构，例如图3和4中所示的。

参照图6，现在描述第二种方法。获得具有包括连续金属接地面的上表面的基板—步骤(i)。在连续的金属接地面上施加蚀刻阻挡层—步骤(ii)。该蚀刻阻挡层可由钽、钨、铬、钛、钛-钨组合、钛-钽组合、镍、金、镍层及后续金层、金层及后续镍层、锡、铅、锡层及后续铅层、锡-铅合金以及锡-银合金制成，并且可通过物理气相沉积工艺涂覆。通常，该蚀刻阻挡层为金属，例如钛Ti、铬Cr、钽Ta、钨W及其组合。

在蚀刻阻挡层上沉积种子层—步骤（iii)。种子层可以是通过例如溅射铜或化学镀铜而形成。接着，在其上面板电镀厚金属层—步骤(iv)。在金属层上涂覆第一光刻胶层—步骤(v)，并且显影为具有包括成对的下通孔柱列的图案—步骤(vi)并且在层中的其它位置处包括其它特征结构。现在蚀刻掉金属面板—步骤(vii)，留下下金属通孔柱列和其它特征结构。可以使用诸如氢氧化铵或氯化铜的蚀刻剂。

剥除光刻胶—步骤(viii)并且在下金属通孔柱列和其它特征结构上层压第一介电材料层—步骤(ix)。将第一介电材料层减薄以暴露出下金属通孔柱列的端部—步骤(x)。可以使用各种技术和工艺用于减薄，例如研磨、抛光和化学机械抛光以移除部分介电材料并且暴露出通孔柱的顶部，从而允许构建下一金属层。

在电介质上沉积第一金属种子层—步骤(xi)。其通常为铜并且可例如通过化学镀或溅射进行沉积。种子层可具有0.5-1.5微米的厚度。在种子层之上，可以图案或面板镀覆厚金属层，通常为铜。为了进一步帮助种子层粘附至下方的电介质，可以先涂覆非常薄的一层，通常为0.04微米-0.1微米的粘附金属，例如钛、钽、钨、铬或其混合物。

后续层可通过图案镀覆或通过面板镀覆进行沉积，并且可以构建被法拉第栅保护的包括电路和组件的更复杂结构，例如图3和4中所示的。

然后利用不腐蚀铜的特定蚀刻剂移除蚀刻阻挡层。例如，可以利用包括CF₄/O₂或CF₄/Ar的等离子体蚀刻剂来移除Ti、W、Ta而选择性地保留铜。作为替代方案，1-3%的HF溶液对于移除Ti保留铜非常有效。如果阻挡层是镍，则可以使用公知的选择性镍剥除剂。

因此，本领域技术人员将会认识到，本发明不限于上文中具体图示和描述的内容。而且，本发明的范围由所附权利要求限定，包括上文所述的各个技术特征的组合和子组合以及其变化和改进，本领域技术人员在阅读前述说明后将会预见到这样的组合、变化和改进。

在权利要求书中，术语“包括”及其变体例如“包含”、“含有”等是指所列举的组件被包括在内，但一般不排除其他组件。

Claims

1.一种多层电子支撑结构，其包括包封在介电材料中的至少一个功能金属组件，并且还包括在所述介电材料内的至少一个法拉第栅，用于屏蔽所述至少一个功能金属组件以免受外部电磁场干扰和防止所述金属组件的电磁发射。

2.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件包括信号载体。

3.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件包括铜。

4.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件位于通孔层中，所述通孔层还包括连接上方和下方的相邻特征层的连接通孔。

5.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件还包括下层，所述下层选自溅射种子层、电镀金属层和沉积在溅射或化学镀种子层上的电镀金属层。

6.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件还包括上层，所述上层选自溅射种子层、电镀金属层和沉积在溅射或化学镀种子层上的电镀金属层。

7.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件包括电路。

8.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个法拉第栅包括：

在所述至少一个金属组件上方的上金属层，和

在所述至少一个金属组件下方的下金属层。

9.如权利要求8所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个法拉第栅还包括：

在所述至少一个金属组件的每一侧上的元件，其通过通孔柱列连接至上和下金属层以提供法拉第笼。

10.如权利要求8所述的多层电子支撑结构，其中所述通孔柱列是连续的。

11.如权利要求8所述的多层电子支撑结构，其中所述通孔柱列是不连续的。

12.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个法拉第栅包括铜。

13.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料包括聚合物。

14.如权利要求13所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括陶瓷或玻璃。

15.如权利要求13所述的多层电子支撑结构，其中所述聚合物包括聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪和及其共混物。

16.如权利要求14所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括玻璃纤维。

17.如权利要求14所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括陶瓷颗粒填料。

18.一种制造如权利要求1所述的多层电子支撑结构的方法，包括以下步骤：

a)获得包括上层的基板，所述上层包含连续金属接地面；

b)在所述连续金属接地面上涂覆第一光刻胶层；

d)在所述第一光刻胶层中图案镀覆所述下金属通孔列对；

e)剥除所述第一光刻胶层；

f)在所述下金属通孔列对上层压第一介电材料层；

h)在所述第一介电材料层上沉积第一金属种子层；

i)在所述第一金属种子层上涂覆第二光刻胶层；

k)通过图案镀覆共同制造所述金属元件和相邻的法拉第栅；

l)剥除所述第二光刻胶层；

m)涂覆第三光刻胶层；

o)将所述上通孔柱列图案镀覆到被曝光和显影的图案中；

p)剥除所述第三光刻胶层；

q)移除所述种子层；

r)在所述上通孔柱列上层压一层介电材料；

s)减薄所述介电材料以暴露出所述上通孔柱列的端部；和

t)在被暴露出的端部上沉积上金属层。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述上金属层包括金属种子层。

20.如权利要求18所述的方法，其中所述上金属层还包括电镀沉积的金属层。

21.如权利要求20所述的方法，其中重复步骤h)-s)以构建更复杂的屏蔽结构。