CN102159395A - 成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及成型制品，其制备方法、含有该成型制品的电子设备构件、以及具备该电子设备构件的电子设备。所述成型制品具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层，其特征在于：自该阻气层表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。本发明提供具有优异的阻气性和透明性的成型制品、其制备方法、含有该成型制品的电子设备构件、以及具备该电子设备构件的电子设备。

Description

成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备
技术领域
本发明涉及具有优异的阻气性和透明性的成型制品、其制备方法、含有该成型制品的电子设备构件、以及具备该电子设备构件的电子设备。
背景技术
近年来，为了实现液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器的薄型化、轻量化、柔性化等，人们探讨使用透明塑料薄膜代替玻璃板来作为基板。但是，与玻璃板相比，塑料薄膜容易透过水蒸气或氧等，有容易引起显示器内部元件劣化的问题。
为解决该问题，专利文献1中提出了在透明塑料薄膜上层叠由金属氧化物构成的透明阻气层的柔性显示器基板。
但是，由于该文献记载的柔性显示器基板是通过蒸镀法、离子喷镀法、溅射法等在透明塑料薄膜表面层叠由金属氧化物构成的透明阻气层而成的，因此，若将该基板卷曲或弯折，则有阻气层产生裂缝、阻气性降低的问题。
专利文献2中公开了一种阻气性叠层体，其由塑料薄膜和在该塑料薄膜的至少一个面上层叠以聚有机倍半硅氧烷为主成分的树脂层得到。
但是，为了获得对氧、水蒸气等的阻气性，必须进一步层叠无机化合物层，因此有工序繁杂、成本提高，还有使用有毒气体的危险性等问题。
专利文献1：日本特开2000-338901号公报
专利文献2：日本特开2006-123307号公报
发明内容
本发明针对上述的现有技术而设，其课题在于提供具有优异的阻气性和透明性的成型制品、其制备方法、含有该成型制品的电子设备构件、以及具备该电子设备构件的电子设备。
本发明人为解决上述课题进行了深入的研究，结果发现：具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的、自表面向深度方向氧原子的存在比例逐渐减少、碳原子的存在比例逐渐增加的层(阻气层)的成型制品具有优异的阻气性、透明性和耐弯折性。进一步发现，通过对表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的成型物的、上述含聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部分注入离子，可以简便且高效地制备上述具有阻气层的成型制品，从而完成了本发明。
即，本发明的第1方面提供下述(1)-(10)的成型制品。
(1)成型制品，该成型制品具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层，其特征在于：自该阻气层表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。
(2)(1)的成型制品，其特征在于：在上述阻气层的表层部分，相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为10-70％，碳原子的存在比例为10-70％，硅原子的存在比例为5-35％。
(3)(1)或(2)的成型制品，其特征在于：在上述阻气层的表层部分的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置是102-104eV。
(4)(1)-(3)中任一项的成型制品，其特征在于：上述成型制品含有聚有机硅氧烷系化合物。
(5)(4)的成型制品，其特征在于：上述聚有机硅氧烷系化合物是下式(a)或(b)所示的聚有机硅氧烷：
Figure BPA00001314566700031
(式中，Rx、Ry各自独立，表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的链烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基团。需说明的是，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry分别相同或不同，上述式(a)的2个Rx不均为氢原子)。
(6)(1)-(5)中任一项的成型制品，其特征在于：上述阻气层在厚度为30nm-200μm、含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部分形成，该阻气层的深度为5nm-100nm。
(7)(1)-(6)中任一项的成型制品，其特征在于：上述阻气层是向含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子得到的层。
(8)(7)的成型制品，其特征在于：上述注入了离子的部分是上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表层部分。
(9)(7)的成型制品，其特征在于：上述离子是将选自氢、氮、氧、稀有气体和氟碳的至少一种气体离子化所得。
(10)(7)的成型制品，其特征在于：上述离子的注入是通过等离子体离子注入进行的。
本发明的第2方面提供下述(11)-(16)的成型制品的制备方法。
(11)(1)-(10)中任一项的成型制品的制备方法，该方法具有以下步骤：对表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的成型物的、上述含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子。
(12)(11)的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是将选自氢、氮、氧、稀有气体和氟碳的至少一种气体离子化后注入的步骤。
(13)(11)或(12)的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是注入等离子体离子的步骤。
(14)(11)-(13)中任一项的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是将表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的长成型物沿一定方向传送，同时对上述含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子的步骤。
本发明的第3方面提供下述(15)的电子设备构件。
(15)含有上述(1)-(10)中任一项的成型制品的电子设备构件。
本发明的第4方面提供下述(16)的电子设备。
(16)具备上述(15)的电子设备构件的电子设备。
本发明的成型制品具有优异的阻气性能，耐弯折性优异、透明性良好。
根据本发明的制备方法，可以安全且简便地制备具有优异阻气性的本发明的成型制品。另外，与无机膜成膜相比，可以以低成本容易地实现大面积化。
本发明的电子设备构件具有优异的阻气性和透明性。
附图简述
图1表示本发明中使用的等离子体离子注入装置的示意构成。
图2表示本发明中使用的等离子体离子注入装置的示意构成。
图3表示实施例1的成型制品1的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图4表示实施例2的成型制品2的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图5表示实施例3的成型制品3的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图6表示实施例4的成型制品4的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图7表示实施例5的成型制品5的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图8表示实施例6的成型制品6的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图9表示实施例7的成型制品7的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图10表示实施例8的成型制品8的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图11表示实施例9的成型制品9的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图12表示实施例10的成型制品10的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图13表示比较例1的成型制品19的阻气层中氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(％)。
图14表示实施例2的成型制品2的阻气层的XPS分析中，硅原子的2p电子轨道的结合能量分布。
符号说明
1a、1c…薄膜状的成型物、
1b、1d…薄膜状的成型制品、
2a、2b…旋转罐、
3a、3b…展开辊、
4…等离子体放电用电极、
5a、5b…卷绕辊、
6a、6b…输出辊、
7a、7b…脉冲电源、
9a、9b…高电压脉冲、
10a、10b…气体导入口、
11a、11b…腔室、
13…中心轴、
15…高电压导入端子、
20a、20b…油扩散泵
实施发明的最佳方式
以下，将本发明分成1)成型制品、2)成型制品的制备方法、以及3)电子设备构件和电子设备三个项目进行详细说明。
1)成型制品
本发明的成型制品的特征在于：具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层，自该阻气层的表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。
上述至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料只要是至少含有氧原子、碳原子和硅原子的高分子即可，没有特别限定，从发挥更加优异的阻气性考虑，相对于上述阻气层的表层部分中氧原子、碳原子和硅原子的总存在量(即，以氧原子、碳原子和硅原子的总存在量为100％时)，优选氧原子的存在比例为10-70％、碳原子的存在比例为10-70％、硅原子的存在比例为5-35％，更优选氧原子的存在比例为15-65％、碳原子的存在比例为15-65％、硅原子的存在比例为10-30％。氧原子、碳原子和硅原子的存在比例的测定按照实施例中说明的方法进行。
自表面向深度方向，氧原子的存在比例逐渐减少、碳原子的存在比例逐渐增加的区域是相当于阻气层的区域，厚度通常为5-100nm，优选10-50nm。作为上述阻气层，可举出例如如后所述向含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子得到的层(以下有时称为“注入层”)、对含有聚有机硅氧烷系化合物的层实施等离子体处理得到的层。
上述阻气层优选在阻气层的表层部分的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置为102-104eV。
例如，聚二甲基硅氧烷的层在X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置为约101.5eV，而向该聚二甲基硅氧烷层离子注入氩得到的离子注入层(阻气层)在表层部分的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置约为103eV。该值与玻璃、二氧化硅膜等以往公知的具有阻气性的含硅高分子中所含硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置为大致相同程度(X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置对于玻璃是约102.5eV，对于二氧化硅膜是约103eV)。由此可知，阻气层的表层部分的硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置为102-104eV的本发明的成型制品具有与玻璃或二氧化硅膜相同或类似的结构，因此推测其阻气性能优异。需说明的是，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置的测定按照实施例中说明的方法进行。
本发明的成型制品优选含有聚有机硅氧烷系化合物。上述阻气层在厚度为30nm-200μm的、含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部分形成，该阻气层的深度优选5nm-100nm，更优选30nm-50nm。
本发明的成型制品中，更优选上述阻气层是向含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子而得到的层。
本发明的成型制品中使用的聚有机硅氧烷系化合物的主链结构没有限定，可以是直链状、梯形、笼形的任一形状。
例如，上述直链状的主链结构可举出下式(a)所示的结构，梯形的主链结构可举出下式(b)所示的结构，笼形的主链结构可举出下式(c)所示的结构。
式中，Rx、Ry、Rz各自独立，表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的链烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基团。需说明的是，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry以及式(c)的多个Rz分别相同或不同。上式(a)的2个Rx不均为氢原子。
作为无取代或具有取代基的烷基中的烷基，例如可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数1-10的烷基。
作为链烯基，例如可举出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳原子数2-10的链烯基。
作为上述烷基和链烯基的取代基，可举出：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；羟基；硫醇基；环氧基；缩水甘油氧基；(甲基)丙烯酰氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。
作为无取代或具有取代基的芳基中的芳基，例如可举出苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子数6-10的芳基。
作为上述芳基的取代基，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；甲基、乙基等碳原子数1-6的烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子数1-6的烷氧基；硝基；氰基；羟基；硫醇基；环氧基；缩水甘油氧基；(甲基)丙烯酰氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。
其中，优选Rx、Ry、Rz各自独立，为无取代或具有取代基的、碳原子数1-6的烷基、或者苯基，特别优选甲基、乙基、丙基、3-缩水甘油氧基丙基、或者苯基。
需说明的是，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry、以及式(c)的多个Rz分别相同或不同。
本发明中，作为聚有机硅氧烷系化合物，优选上式(a)所示的直链状化合物、或上式(b)所示的梯形化合物，从容易获得性、以及可形成具有优异的阻气性的注入层的角度考虑，特别优选上式(a)中2个Rx为甲基或苯基的直链状化合物、上式(b)中2个Ry为甲基、丙基、3-缩水甘油氧基丙基或苯基的梯形化合物。
聚有机硅氧烷系化合物可通过使具有水解性官能团的硅烷化合物缩聚的公知的制备方法获得。
所使用的硅烷化合物可以根据目标聚有机硅氧烷系化合物的结构适当选择。优选的具体例子可举出：二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷等双官能硅烷化合物；甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丁基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基二乙氧基甲氧基硅烷等三官能硅烷化合物；四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷、甲氧基三乙氧基硅烷、二甲氧基二乙氧基硅烷、三甲氧基乙氧基硅烷等四官能硅烷化合物等。
聚有机硅氧烷系化合物也可以直接使用作为剥离剂、粘合剂、密封剂、涂料等销售的市售商品。
含有聚有机硅氧烷系化合物的层除了聚有机硅氧烷系化合物之外，在不阻碍本发明目的的范围内可以含有其它成分。其它成分可举出固化剂、其它高分子、抗老化剂、光稳定剂、阻燃剂等。
需说明的是，含有聚有机硅氧烷系化合物的层中，聚有机硅氧烷系化合物的含量从可形成具有优异阻气性的注入层考虑，优选为50重量％以上，更优选70重量％以上，特别优选90重量％以上。
形成含有聚有机硅氧烷系化合物的层的方法没有特别限定，可以举出例如将含有聚有机硅氧烷系化合物的至少一种、根据需要的其它成分、以及溶剂等的用于形成层的溶液涂布在适当的基材上，将所得涂膜干燥，根据需要加热等来形成的方法。
所形成的含有聚有机硅氧烷系化合物的层的厚度没有特别限定，通常为30nm-200μm，优选50nm-100μm。
上述注入层是将离子注入到含有聚有机硅氧烷系化合物的层中所形成的层。
离子的注入量可结合要形成的成型制品的使用目的(必要的阻气性、透明性等)等适当确定。
注入的离子可举出：氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体；氟碳、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子；金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等导电性金属的离子等。
其中，从可更简便地注入、特别是可得到具有优异阻气性和透明性的注入层考虑，优选选自氢、氧、氮、稀有气体和氟碳的至少一种的离子，特别优选氮、氧、氩或氦的离子。
注入离子的方法没有特别限定，可举出例如在形成含有聚有机硅氧烷系化合物的层之后，向该含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子的方法等。
离子注入法可举出：照射通过电场加速的离子(离子束)的方法；注入等离子体中的离子的方法等。其中，本发明中，从可简便地得到阻气性成型制品考虑，优选后者的等离子体离子注入方法。
等离子体离子注入例如可如下进行：在含有稀有气体等生成等离子体的气体的气氛下，产生等离子体，对含有聚有机硅氧烷系化合物的层施加负的高电压脉冲，由此将该等离子体中的离子(阳离子)注入到含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部分。
离子的注入可使用X射线光电子能谱(XPS)分析，通过进行阻气层表层部分的元素分析测定来确认。
本发明的成型制品的形状没有特别限定，例如可举出薄膜状、片状、长方体、多角棱柱体、筒状等。用作后述的电子设备构件时，优选为薄膜状、片状。该薄膜的厚度可根据目标电子设备的用途适当确定。
本发明的成型制品可以只含有注入层，还可以进一步含有其它层。其它层可以是单层，也可以是2层以上相同或不同的层。其它层例如可举出由聚有机硅氧烷系化合物以外的材料构成的基材。
上述其它层的材料只要满足成型制品的目的即可，没有特别限定，例如可举出：聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫、聚芳酯、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳族聚合物等。
其中，从透明性优异、具有广泛应用性考虑，优选聚酯、聚酰胺或环烯烃系聚合物，更优选聚酯或环烯烃系聚合物。
聚酯可举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。
聚酰胺可举出全芳族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚合物等。
环烯烃系聚合物可举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物、乙烯基脂环式烃聚合物、以及它们的氢化物。其具体例子可举出：Apel(三井化学制备的乙烯-环烯烃共聚合物)、Arton(JSR制备的降冰片烯系聚合物)、Zeonor(日本Zeon制备的降冰片烯系聚合物)等。
本发明的成型制品为含有其它层的叠层体时，注入层的配置位置没有特别限定，基于可高效制备等的理由，优选表面具有注入层。本发明的成型制品在表面具有注入层时，注入层可以只在其它层的一个面上形成，也可以在其它层的两面形成。
本发明的成型制品优选具有优异的阻气性和透明性，在其形状为薄膜状或片状(以下称为“薄膜状”)时，即使进行弯折等也保持阻气性。
本发明的成型制品即使进行弯折等也保持阻气性，这可通过将薄膜状的成型制品弯折成两半后施加压力、再打开时弯折的部分未劣化来确认。与同厚度的无机膜比较，本发明的薄膜状成型制品在保持阻气性方面优异。
本发明的成型制品具有优异的阻气性，这可由本发明的成型制品的水蒸气等气体的透过率小来确认。例如水蒸气透过率优选5g/m2/天以下，更优选3g/m2/天以下。需说明的是，成型制品的水蒸气等的透过率可使用公知的气体透过率测定装置测定。
本发明的成型制品具有优异的透明性，这可由本发明的成型制品的可见光透射率高来确认。可见光透射率优选总透光率为80％以上，更优选85％以上。需说明的是，成型制品的可见光透射率可使用公知的可见光透射率测定装置测定。
2)成型制品的制备方法
本发明的成型制品的制备方法的特征在于：该方法具有以下步骤：对表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的成型物的、上述含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子。
本发明的成型制品的制备方法中，优选将表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的长成型物沿一定方向传送，同时对含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子来制备成型制品。
通过该制备方法，例如可以将长成型物从展开辊上展开，将其沿一定方向传送，同时注入离子，再用卷绕辊卷绕，因此，可以连续地制备注入离子得到的成型制品。
长成型物的形状是薄膜状，可以只是含有聚有机硅氧烷系化合物的层，也可以含有其它的层。其它的层可举出由聚有机硅氧烷系化合物以外的材料构成的基材，可以使用与上述其它的层同样的层。
从展开、卷绕和传送的操作性考虑，成型物的厚度优选1μm-500μm，更优选5μm-300μm。
向含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子的方法没有特别限定。其中特别优选通过等离子体离子注入法在上述层的表层部分形成离子注入层的方法。
等离子体离子注入法如下：对暴露于等离子体中的、表面具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的成型物施加负的高电压脉冲，由此向上述层的表层部分注入等离子体中的离子，形成离子注入层。
作为等离子体离子注入法，优选(A)将使用外部电场产生的等离子体中存在的离子注入上述层的表层部分的方法；或(B)不使用外部电场、将仅通过施加于上述层的负的高电压脉冲引起的电场产生的等离子体中存在的离子注入上述层的表层部分的方法。
上述(A)的方法中，优选使离子注入时的压力(等离子体离子注入时的压力)为0.01-1Pa。等离子体离子注入时的压力在该范围时，可以简便且高效地形成均匀的注入层，可以高效地形成兼具透明性、阻气性的注入层。
上述(B)的方法中，无需提高减压度，处理操作简便，处理时间也可大幅缩短。另外，可对整个上述层进行均匀地处理，可在施加负的高电压脉冲时以高能量将等离子体中的离子连续地注入层的表面部分。并且，无需射频(高频，以下简称“RF”)或微波等高频电源等特别的其它手段，只在层上施加负的高电压脉冲即可在层的表层部分均匀地形成注入层。
上述(A)和(B)的方法中，施加负的高电压脉冲时、即离子注入时的脉冲宽度优选为1-15μ秒。脉冲宽度在上述范围时，可以更简便且高效地形成透明、均匀的注入层。
另外，产生等离子体时施加的电压优选-1kV至-50kV，更优选-1kV至-30kV，特别优选-5kV至-20kV。施加电压以大于-1kV的值进行离子注入，则离子注入量(剂量)不足，得不到所期望的性能。而以小于-50kV的值进行离子注入，则出现离子注入时成型制品带电、成型制品着色等不希望的情况，不优选。
作为进行离子注入的离子种类，可举出：氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体；氟碳、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子；金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等导电性金属的离子等。其中，从可更简便地进行离子注入、可高效地制备透明且具有优异的阻气性的成型制品考虑，优选氢、氧、氮、稀有气体、氟碳，更优选氮、氧、氩、氦。
向层的表层部分注入等离子体中的离子时，使用等离子体离子注入装置。
作为等离子体离子注入装置，具体可举出：(α)在对含有聚有机硅氧烷系化合物的层(以下有时称作“进行离子注入的层”)施加负的高电压脉冲的馈通上叠加高频功率，使进行离子注入的层的周围被等离子体均匀包围，以使等离子体中的离子被诱导、注入、碰撞、堆积的装置(日本特开2001-26887号公报)；(β)在腔室内设置天线，施加高频功率，产生等离子体，在等离子体到达进行离子注入的层周围后，交互向进行离子注入的层施加正和负的脉冲，由此用正脉冲来诱导碰撞等离子体中的电子，加热进行离子注入的层，控制脉冲常数，进行温度控制，同时施加负脉冲来诱导、注入等离子体中的离子的装置(日本特开2001-156013号公报)；(γ)使用微波等高频功率源等外部电场产生等离子体，施加高电压脉冲来诱导、注入等离子体中的离子的等离子体离子注入装置；(δ)不使用外部电场、将仅通过施加高电压脉冲产生的电场产生的等离子体中的离子注入的等离子体离子注入装置等。
其中，从处理操作简便、处理时间也可大幅缩短、适合连续使用的角度考虑，优选使用(γ)或(δ)的等离子体离子注入装置。
以下参照附图，对使用上述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置的方法进行详细说明。
图1示意性表示具备上述(γ)的等离子体离子注入装置的连续的等离子体离子注入装置。
图1(a)中，1a是表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的长的薄膜状成型物(以下称为“薄膜”)，2a是施加高电压的旋转罐，3a是将离子注入前的薄膜1a输出的展开辊，4是等离子体放电用电极(外部电场)，5a是将进行了离子注入的薄膜(成型制品)1b卷绕成辊状的卷绕辊，6a是输出辊，7a是高电压脉冲电源，10a是气体导入口，11a是腔室，20a是油扩散泵。图1(b)是上述施加高电压的旋转罐2a的斜视图，13是中心轴，15是高电压导入端子(馈通)。
本实施方案中使用的表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的长的薄膜1a是在基材(其它的层)上形成了含有聚有机硅氧烷系化合物的层的薄膜。
图1所示的连续的等离子体离子注入装置中，薄膜1a在腔室11a内由展开辊3a向图1中箭头X方向传送，经过施加高电压的旋转罐2a，卷绕在卷绕辊5a上。薄膜1a的卷绕方法或传送薄膜1a的方法等没有特别限定，在本实施方案中，通过使施加高电压的旋转罐2a以一定速度旋转来进行薄膜1a的传送。另外，施加高电压的旋转罐2a的旋转是通过电动机使高电压导入端子15的中心轴13旋转来进行的。
高电压导入端子15、以及薄膜1a所接触的多个输出辊6a等由绝缘体构成，例如是将氧化铝的表面用聚四氟乙烯等树脂被覆来形成。施加高电压的旋转罐2a由导体构成，例如可由不锈钢等形成。
薄膜1a的传送速度可适当设定。该速度只要可确保在薄膜1a由展开辊3a传送、至卷绕在卷绕辊5a上的期间向薄膜1a的表面部分(含有聚有机硅氧烷系化合物的层)注入离子、形成所需的注入层的时间即可，没有特别限制。薄膜的卷绕速度(生产线速度)根据施加电压、装置规模等而不同，通常为0.1-3m/分钟，优选0.2-2.5m/分钟。
首先，通过与旋转泵连接的油扩散泵20a将腔室11a内排气，减压。减压度通常为1×10-2Pa以下，优选1×10-3Pa以下。
接着，由气体导入口10a向腔室11a内导入离子注入用的气体(以下有时称为“离子注入用气体”)，使腔室11a内形成减压的离子注入用气体气氛。
接着，通过等离子体放电用电极4(外部电场)产生等离子体。产生等离子体的方法可举出通过微波或RF等高频功率源等的公知的方法。
另一方面，通过经由高电压导入端子15与施加高电压的旋转罐2a连接的高电压脉冲电源7a，施加负的高电压脉冲9a。对施加高电压的旋转罐2a施加负的高电压脉冲，则等离子体中的离子被诱导，注入到施加高电压的旋转罐2a周围的薄膜表面(图1(a)中的箭头Y)，得到具有阻气层的成型制品1b。
如上所述，离子注入时的压力(腔室11a内等离子体气体的压力)优选为0.01-1Pa，离子注入时的脉冲宽度优选1-15μ秒，对施加高电压的旋转罐2a施加负的高电压时，施加电压优选-1kV至-50kV。
接着，使用图2所示的连续的等离子体离子注入装置，对表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的薄膜的、上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层进行离子注入的方法予以说明。
图2所示的装置具备上述(δ)的等离子体离子注入装置。该等离子体离子注入装置不使用外部电场(即，图1的等离子体放电用电极4)，仅通过施加的高电压脉冲产生的电场来产生等离子体。
图2所示的连续的等离子体离子注入装置中，与上述图1的装置同样，通过使施加高电压的旋转罐2b旋转，薄膜(薄膜状的成型物)1c由展开辊3b沿图2中箭头X方向传送，经过多个输出辊6b卷绕在卷绕辊5b上。
图2所示的连续的等离子体离子注入装置中，对上述薄膜的含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部分进行离子注入是如下进行的。
首先，与图1所示的等离子体离子注入装置同样，在腔室11b内设置薄膜1c，通过与旋转泵连接的油扩散泵20b使腔室11b内排气，减压。
由气体导入口10b向腔室11b内导入离子注入用气体，使腔室11b内形成减压的离子注入用气体气氛。
离子注入时的压力(腔室11b内的等离子体气体的压力)为10Pa以下，优选0.01-5Pa，更优选0.01-1Pa。
接着，将薄膜1b沿图2中X的方向传送，同时由与施加高电压的旋转罐2b连接的高电压脉冲电源7b施加高电压脉冲9b。
对施加高电压的旋转罐2b施加负的高电压，则沿着施加高电压的旋转罐2b周围的薄膜1c产生等离子体，该等离子体中的离子被诱导，注入到施加高电压的旋转罐2b周围的成型制品薄膜1c的表面(图2中的箭头Y)。离子被注入到薄膜1b的含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表层部分，则在薄膜表层部分形成注入层，得到具有阻气层的成型制品1d。
对施加高电压的旋转罐2b施加负的高电压时，施加电压和脉冲宽度与图1所示的连续的等离子体离子注入装置的情形同样。
图2所示的等离子体离子注入装置中，高电压脉冲电源兼用作产生等离子体的等离子体发生装置，因此无需RF或微波等高频功率源等其它特别的装置，只需通过施加负的高电压脉冲，即可产生等离子体，向薄膜的含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表层部分注入等离子体中的离子，连续形成注入层，可批量生产在薄膜的表层部分形成注入层的成型制品。
本发明的成型制品的其它制备方法可举出对含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面实施等离子体处理的方法。等离子体处理例如可使用氢、氧、氮、氦、氩、氖等稀有气体等作为生成等离子体的气体，通过使含有聚有机硅氧烷系化合物的层暴露于由外部电场产生的等离子体中来进行。等离子体处理通常使生成等离子体的气体的流量为1-100ml/分钟、处理压力为0.1-50Pa、处理温度为20-50℃、处理时间为1分钟-20分钟来进行。
3)电子设备构件和电子设备
本发明的电子设备构件的特征在于：含有本发明的成型制品。因此，本发明的电子设备构件具有优异的阻气性和透明性，因此可防止水蒸气等气体带来的元件的劣化。另外，透光性高，因此适合作为液晶显示器、EL显示器等显示器构件；太阳能电池等中使用的太阳能电池背板等。
本发明的电子设备具备本发明的电子设备构件。具体例子可举出液晶显示器、有机EL显示器、无机EL显示器、电子书、太阳能电池等。
本发明的电子设备具备含有本发明的成型制品的电子设备构件，因此具有优异的阻气性和透明性。
实施例
以下给出实施例进一步详细说明本发明，但本发明并不受以下实施例的任何限定。
所使用的等离子体离子注入装置、X射线光电子能谱测定装置(XPS)和测定条件、水蒸气透过率测定装置和测定条件、可见光透过率测定装置和弯折试验的方法如下所示。需说明的是，所使用的等离子体离子注入装置是使用外部电场进行离子注入的装置。
(等离子体离子注入装置)
RF电源：型号“RF56000”，日本电子制造
高电压脉冲电源：“PV-3-HSHV-0835”，栗田制作所制造(X射线光电子能谱测定装置)
测定装置：“PHI Quantera SXM”，ULVAC-PHI制造
X射线束直径：100μm
功率值：25W
电压：15kV
取出角度：45°
以该测定条件进行下述(1)、(2)的测定。
(1)注入的离子的测定
确认由实施例1、2、5-15和18以及比较例2得到的成型制品的等离子体离子注入面中有无注入的离子。
(2)氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置的测定
测定实施例1-10得到的成型制品的等离子体离子注入面、实施例19得到的成型制品的等离子体处理面、以及比较例1的成型制品的含聚二甲基硅氧烷的层的表面的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置。然后，对各成型制品，自等离子体离子注入面(实施例1-10)、进行了等离子体处理的含聚二甲基硅氧烷的层的面(实施例19)、含聚二甲基硅氧烷的层表面(比较例1)向深度方向，使用氩气进行溅射，测定由于溅射而露出的表面的存在比例，将该操作反复进行，由此测定深度方向的原子存在比例以及硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置。
上述测定中，氩气溅射的施加电压为-4kV，每次的溅射时间为12秒，关于溅射速率，在实施例1-6、实施例19和比较例1中为100nm/分钟，在实施例7、8中为70nm/分钟，在实施例9-10中为30nm/分钟。
需说明的是，原子的存在比例是以测定得到的氧原子、碳原子和硅原子的峰面积的合计值为100％，由各原子的峰面积计算的值。
(水蒸气透过率测定装置)
透过率测定器：“L80-5000”，LYSSY制造
测定条件：相对湿度90％、40℃
(可见光透过率测定装置)
使用日本电色工业制造的“雾度计NDH2000”作为可见光透过率测定装置，测定总透光率。需说明的是，关于成型制品的光线入射面，在实施例1-18和比较例2的成型制品中是注入面、在实施例19的成型制品中是等离子体处理面、在比较例1的成型制品中是具有含聚二甲基硅氧烷的层的面、在比较例3的成型制品中是具有氮化硅膜的面。
(弯折试验)
分别以实施例1-18和比较例2得到的成型制品的注入面、实施例19得到的成型制品的等离子体处理面、比较例1的成型制品的具有含聚二甲基硅氧烷的层的面、比较例3的成型制品的具有氮化硅膜的面作为外侧，在中央部分弯折成两半，使其以层压速度5m/分钟、温度23℃的条件通过层压机(“LAMIPACKER LPC1502”，Fujipla制造)的2个辊之间，然后将弯折的部分用显微镜观察(100倍)，确认有无裂缝产生，测定成型制品的水蒸气透过率。
(实施例1)
使用迈耶棒涂机，在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(“PET38T-300”，东丽制备，厚度38μm)(以下称为“PET薄膜”)上涂布作为聚有机硅氧烷系化合物的以聚二甲基硅氧烷为主成分的有机硅树脂(A)(有机硅剥离剂“KS835”，信越化学工业制备)，在120℃下加热2分钟，形成厚度100nm的含有机硅剥离剂A的层，得到成型物。接着，使用图1所示的等离子体离子注入装置，在含聚二甲基硅氧烷的层的表面对氮进行等离子体离子注入，制作成型制品1。
等离子体离子注入的条件如下所示。
·生成等离子体的气体：N2
·负载比：0.5％
·重复频率：1000Hz
·施加电压：-10kV
·RF电源：频率13.56MHz，施加功率1000W
·腔室内压：0.2Pa
·脉冲宽度：5μ秒
·处理时间(离子注入时间)：5分钟
·传送速度：0.4m/分钟
(实施例2)
使用氩(Ar)作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例1同样，制作成型制品2。
(实施例3)
使用氦(He)作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例1同样，制作成型制品3。
(实施例4)
使用氧(O2)作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例1同样，制作成型制品4。
(实施例5)
使用迈耶棒涂机，在与实施例1中相同的PET薄膜上涂布具有聚二甲基硅氧烷的一部分甲基被苯基取代的结构的、以聚有机硅氧烷系化合物为主成分的有机硅树脂(B)(商品名“X62-9201B”，信越化学制备)，在120℃下加热2分钟，形成厚度100nm、含有具苯基的聚有机硅氧烷的层，得到成型物。接着，与实施例1同样，在含有有机硅树脂(B)的层的表面对氮进行等离子体离子注入，得到成型制品5。
(实施例6)
使用氩(Ar)作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例5同样，制作成型制品6。
(实施例7)
将3.29g(20mmol)正丙基三甲氧基硅烷(东京化成工业制备)、4.73g(20mmol)3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(东京化成工业制备)、20ml甲苯、10ml蒸馏水和0.10g(1mmol)磷酸(关东化学制备)混合，在室温下反应24小时。反应终止后，向反应混合物中加入饱和碳酸氢钠水溶液，向其中加入100ml乙酸乙酯，分液，分取有机层。将有机层用蒸馏水洗涤2次，然后用无水硫酸镁干燥，滤除硫酸镁。将得到的滤液滴加到大量的正己烷中，产生沉淀。将正己烷倾析分离，然后将沉淀物溶解于THF，回收。用旋转蒸发器减压馏去四氢呋喃(THF)，真空干燥，得到具有梯形结构的聚倍半硅氧烷(聚有机硅氧烷系化合物)。其重均分子量为2,000。接着，将所得聚倍半硅氧烷溶解于甲苯得到溶液(固形成分浓度2质量％)，使用迈耶棒涂机，在与实施例1中相同的PET薄膜上涂布上面得到的溶液，在125℃下加热6小时，使其固化，得到具有厚度100nm的聚倍半硅氧烷层的成型物。使用等离子体离子注入装置，与实施例1同样，在固化后的倍半硅氧烷层的表面对氮进行等离子体离子注入，制作成型制品7。需说明的是，重均分子量是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的、经聚苯乙烯换算的值。等离子体离子注入之前成型物的水蒸气透过率是12.1(g/m2/天)、总透光率为89.10％。
(实施例8)
使用氩(Ar)作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例7同样地制作成型制品13。
(实施例9)
将7.94g(40mmol)苯基三甲氧基硅烷(东京化成工业制备)、20ml甲苯、10ml蒸馏水和0.10g(1mmol)磷酸(关东化学制备)混合，在室温下反应24小时。反应终止后，向反应混合物中加入饱和碳酸氢钠水溶液，向其中加入100ml乙酸乙酯，分液，分取有机层。将有机层用蒸馏水洗涤2次，然后用无水硫酸镁干燥，滤除硫酸镁。将所得滤液滴加到大量的正己烷中，产生沉淀。倾析分离正己烷，然后将沉淀物溶解于THF，回收。用旋转蒸发器减压馏去THF，真空干燥，得到具有梯形结构的聚倍半硅氧烷(聚有机硅氧烷系化合物)。其重均分子量为1,600。接着，将所得聚倍半硅氧烷溶解于甲苯得到溶液(固形成分浓度2质量％)，使用迈耶棒涂机，在与实施例1中相同的PET薄膜上涂布上面得到的溶液，在125℃下加热6小时，使其固化，得到具有厚度100nm的聚倍半硅氧烷层的成型物。使用等离子体离子注入装置，与实施例1同样，在固化后的聚倍半硅氧烷层表面对氮进行等离子体离子注入，制作成型制品9。需说明的是，等离子体离子注入之前成型物的水蒸气透过率为11.7(g/m2/天)，总透光率为86.05％。
(实施例10)
使用氩(Ar)作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例9同样地制作成型制品10。
(实施例11)
使传送速度为0.2m/分钟，处理时间(离子注入时间)为10分钟，除此之外与实施例1同样地制作成型制品11。
(实施例12)
使用氩(Ar)作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例11同样地制作成型制品12。
(实施例13)
使施加电压为-5kV，除此之外与实施例2同样地制作成型制品13。
(实施例14)
使脉冲宽度为10μ秒，除此之外与实施例2同样地制作成型制品14。
(实施例15)
离子注入条件如下所示，除此之外与实施例1同样地制作成型制品15。
离子注入条件
·生成等离子体的气体：Ar
·负载比：1％
·重复频率：1000Hz
·施加电压：-15kV
·RF电源：频率13.56MHz，施加功率1000W
·腔室内压：0.2Pa
·脉冲宽度：10μ秒
·处理时间(离子注入时间)：1分钟
·传送速度：2m/分钟
(实施例16)
使用氦作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例11同样地得到成型制品16。
(实施例17)
使用氧作为生成等离子体的气体，除此之外与实施例11同样地得到成型制品17。
(实施例18)
将3.97g(20mmol)苯基三甲氧基硅烷(东京化成工业制备)、4.73g(20mmol)3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(东京化成工业制备)、20ml甲苯、10ml蒸馏水和0.10g(1mmol)磷酸(关东化学制备)混合，在室温下反应24小时。反应终止后，向反应混合物中加入饱和碳酸氢钠水溶液，向其中加入100ml乙酸乙酯，分液，分取有机层。将有机层用蒸馏水洗涤2次，然后用无水硫酸镁干燥，滤除硫酸镁。将所得滤液滴加到大量的正己烷中，产生沉淀。倾析分离正己烷，然后将沉淀物溶解于THF，回收。用旋转蒸发器减压馏去THF，真空干燥，由此得到具有梯形结构的聚倍半硅氧烷(聚有机硅氧烷系化合物)。其重均分子量为1,800。接着，将所得聚倍半硅氧烷溶解于甲苯得到溶液(固形成分浓度2质量％)，使用迈耶棒涂机，在与实施例1中相同的PET薄膜上涂布上面得到的溶液，在125℃下加热6小时，使其固化，得到具有厚度10μm的聚倍半硅氧烷层的成型物。使用等离子体离子注入装置，与实施例12同样，在固化后的聚倍半硅氧烷层表面对氩进行等离子体离子注入，制作成型制品18。
需说明的是，等离子体离子注入之前成型物的水蒸气透过率为12(g/m2/天)，总透光率为90.00％。
(实施例19)
按照以下所示的条件，在实施例1的成型物的含聚二甲基硅氧烷的层表面实施等离子体处理，以此代替进行等离子体离子注入，得到成型制品19。
等离子体处理装置：等离子体干洗机“型号PDC-210”，Yamato Material制造
高频功率：300W
高频振荡频率：13.56MHz
生成等离子体的气体：氩
气体流量：50ml/分钟
处理压力：30Pa
处理温度：40℃
处理时间：3分钟
(比较例1)
不进行离子注入，除此之外与实施例1同样地制作成型制品。即，在PET薄膜上形成含有聚二甲基硅氧烷的层，制成成型制品20。
(比较例2)
不在PET薄膜上涂布有机硅剥离剂A，除此之外与实施例1同样地制作成型制品。即，在PET薄膜的表面对氮进行等离子体离子注入，制成成型制品21。
(比较例3)
通过溅射法，在PET薄膜上设置厚度50nm的氮化硅(SiN)膜，制作成型制品22。
实施例1-10和比较例1中，通过XPS进行的元素分析测定得到的成型制品的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例的分析结果如图3-13所示。
图3-13中，纵轴表示以氧原子、碳原子和硅原子的总存在量为100时的原子存在比例(％)，横轴表示溅射的累积时间(溅射时间，分钟)。溅射的速度是恒定的，因此溅射的累积时间(溅射时间)与深度对应。图3-13中，a为碳原子的存在比例，b为氧原子的存在比例，c为硅原子的存在比例。
如图3-12所示，确认成型制品1-10中具有自表面向深度方向，氧原子的存在比例逐渐减少、碳原子的存在比例逐渐增加的区域(阻气层)。另外，确认成型制品19中也具有自表面向深度方向，氧原子的存在比例逐渐减少、碳原子的存在比例逐渐增加的区域(阻气层)。
而如图13所示，比较例1的成型制品20中不存在上述的区域。
测定实施例1-10和实施例19的成型制品中，阻气层(自表面向深度方向，层中氧原子的存在逐渐减少、碳原子的存在比例逐渐增加的区域)表层部分的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置，结果如表1所示。需说明的是，实施例1-10和实施例19的成型制品的阻气层中，等离子体离子注入面或等离子体处理面是表面，等离子体离子注入面或等离子体处理面的用上述方法得到的测定值是阻气层表层部分的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置。
[表1]
由表1可知，成型制品1-10和19的硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置是102.9eV-103.3eV。
对于实施例2中制备的成型制品2，通过XPS分析测定硅原子的2p电子轨道的结合能量，结果如图14所示。图14中，纵轴表示峰强度，横轴表示结合能量(eV)。由图14可知，成型制品2的硅原子的2p电子轨道的结合能量(B)的峰位置为103.3eV。该成型制品2的硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置在离子注入前(A，相当于比较例1)为101.5eV，离子注入后，确认为103.3eV，向高能量一侧迁移。
接着，分别使用水蒸气透过率测定装置和可见光透过率测定装置对实施例1-19和比较例1-3所得的成型制品1-22进行水蒸气透过率和总透光率测定。测定结果如下表2所示。
[表2]
Figure BPA00001314566700291
由表2可知，与比较例1、2的成型制品20、21相比，实施例1-19的成型制品1-19的水蒸气透过率小，具有良好的阻气性。成型制品1-19具有高的总透光率，与离子注入前相比，总透光率几乎未降低。
接着，对各成型制品进行弯折试验。
对于弯折试验后的成型制品1-22，目视观察确认有无裂缝产生。观察结果如表3所示。
对于弯折试验后的成型制品1-22，测定水蒸气透过率。结果如表3所示。
[表3]
Figure BPA00001314566700301
由表3可知，在弯折试验中，实施例1-19的成型制品未见有裂缝产生，与形成了无机膜的比较例3的成型制品相比，水蒸气透过率升高较小，耐弯折性优异。
产业实用性
本发明的成型制品可适合用作柔性的显示器构件、太阳能电池背板等的电子设备构件。
根据本发明的制备方法，可以安全简便地制备具有优异的阻气性的本发明的成型制品。
本发明的电子设备构件具有优异的阻气性和透明性，因此可适合用于显示器、太阳能电池等的电子设备。

Claims (16)

1.成型制品，该成型制品具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层，其特征在于：自该阻气层表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。
2.权利要求1的成型制品，其特征在于：在上述阻气层的表层部分，相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量，氧原子的存在比例为10-70％，碳原子的存在比例为10-70％，硅原子的存在比例为5-35％。
3.权利要求1或2的成型制品，其特征在于：在上述阻气层的表层部分的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能量的峰位置是102-104eV。
4.权利要求1-3中任一项的成型制品，其特征在于：上述成型制品含有聚有机硅氧烷系化合物。
5.权利要求4的成型制品，其特征在于：上述聚有机硅氧烷系化合物是下式(a)或(b)所示的聚有机硅氧烷：
Figure FPA00001314566600011
Figure FPA00001314566600021
式中，Rx、Ry各自独立，表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的链烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基团，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry分别相同或不同，上述式(a)的2个Rx不均为氢原子。
6.权利要求1-5中任一项的成型制品，其特征在于：上述阻气层在厚度为30nm-200μm、含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部分形成，该阻气层的深度为5nm-100nm。
7.权利要求1-6中任一项的成型制品，其特征在于：上述阻气层是向含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子得到的层。
8.权利要求7的成型制品，其特征在于：上述注入了离子的部分是上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表层部分。
9.权利要求7的成型制品，其特征在于：上述离子是将选自氢、氮、氧、稀有气体和氟碳的至少一种气体离子化所得。
10.权利要求7的成型制品，其特征在于：上述离子的注入是通过等离子体离子注入进行的。
11.权利要求1-10中任一项的成型制品的制备方法，该方法具有以下步骤：对表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的成型物的、上述含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子。
12.权利要求11的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是将选自氢、氮、氧、稀有气体和氟碳的至少一种气体离子化后注入的步骤。
13.权利要求11或12的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是注入等离子体离子的步骤。
14.权利要求11-13中任一项的成型制品的制备方法，其特征在于：上述注入离子的步骤是将表面部分具有含聚有机硅氧烷系化合物的层的长成型物沿一定方向传送，同时对上述含聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子的步骤。
15.含有权利要求1-10中任一项的成型制品的电子设备构件。
16.具备权利要求15的电子设备构件的电子设备。
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