TWI455824B - 成形體、其製造方法、電子裝置元件以及電子裝置 - Google Patents

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Claims (15)

  1. 一種成形體，具有由至少包含氧原子、碳原子和矽原子之材料而構成之氣體障蔽層的成形體，其特徵在於：由該氣體障蔽層之表面開始朝向至深度方向，逐漸地減少層中之氧原子之存在比例，逐漸地增加碳原子之存在比例；以及前述之氣體障蔽層係形成在厚度成為由30nm開始至200μm且包含有機聚矽氧烷系化合物之層之表面部，該氣體障蔽層之深度係由5nm開始至100nm。
  2. 如申請專利範圍第1項之成形體，其中，前述氣體障蔽層之表層部之氧原子相對於氧原子、碳原子和矽原子之整體存在量之存在比例係10~70%，碳原子之存在比例係10~70%，矽原子之存在比例係5~35%。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成形體，其中，前述之氣體障蔽層係在該氣體障蔽層之表層部之X射線光電子分光(XPS)之測定，矽原子之2p電子軌道之鍵能之波峰位置為102~104eV。
  4. 如申請專利範圍第1項之成形體，其中，前述之有機聚矽氧烷系化合物係藉由下列顯示之化學式(a)或(b)所表示之有機聚矽氧烷： 其中，Rx、Ry係分別獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基之烷基、無取代或具有取代基之鏈烯基、無取代或具有取代基之芳基等之非水解性基，此外，化學式(a)之複數個Rx和化學式(b)之複數個Ry係可以分別相同或不同，但是，前述化學式(a)之Rx係並無2個皆為氫原子。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之成形體，其中，包含前述有機聚矽氧烷系化合物之層是形成於基材。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之成形體，其中，前述之氣體障蔽層係在包含有機聚矽氧烷系化合物之層來注入離子而得到之層。
  7. 如申請專利範圍第6項之成形體，其中，前述之注入離子之部分係前述之包含有機聚矽氧烷系化合物之層之表層部。
  8. 如申請專利範圍第6項之成形體，其中，前述之離 子係由氫、氮、氧、稀有氣體和氟碳所組成之群組來選出之至少一種氣體而進行離子化者。
  9. 如申請專利範圍第6項之成形體，其中，前述之離子注入係藉由電漿離子注入。
  10. 一種成形體之製造方法，製造申請專利範圍第1或2項所述之成形體，其特徵在於：具有在表面部具有包含有機聚矽氧烷系化合物之層之成形物，在前述之包含有機聚矽氧烷系化合物之層，注入離子之製程。
  11. 如申請專利範圍第10項之成形體之製造方法，其中，前述之注入離子之製程係由氫、氮、氧、稀有氣體和氟碳所組成之群組來選出之至少一種氣體進行離子化而注入之製程。
  12. 如申請專利範圍第10項之成形體之製造方法，其中，前述之注入離子之製程係進行電漿離子注入之製程。
  13. 如申請專利範圍第10項之成形體之製造方法，其中，前述之注入離子之製程係沿著一定方向，來搬送在表面部具有包含有機聚矽氧烷系化合物之層之長尺狀成形物，同時，在前述之包含有機聚矽氧烷系化合物之層，注入離子之製程。
  14. 一種電子裝置元件，其特徵在於：由申請專利範圍第1或2項所述之成形體而組成。
  15. 一種電子裝置，其特徵在於：包括申請專利範圍第 14項所述之電子裝置元件。
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