TWI576247B - A gas barrier film laminate, an electronic device element, and an electronic device - Google Patents

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Description

阻氣膜層積體、電子裝置用元件以及電子裝置
本發明係關於阻氣性及耐折彎性優良的阻氣膜層積體、由上述阻氣膜層積體構成之電子裝置用元件、以及上述電子裝置用元件的電子裝置。
先前，作為太陽電池或液晶顯示器、電致發光(EL)顯示器等的電子元件用的基板，為實現薄型化、輕量化、軟性化及耐衝擊性等，研究使用透明塑膠膜取代玻璃板。但是，塑膠膜，相較於玻璃板容易使水蒸氣及氧等穿透，有容易引起電子元件內部的部件惡化的問題。
為解決此問題，於專利文獻1，揭示有：於透明塑膠膜層積金屬氧化物所組成之透明阻氣層之軟性顯示器基板。
於專利文獻2，揭示有：於塑膠膜，與該塑膠膜之至少一方的面，層積以聚有機倍半氧矽烷為主要成分之樹脂層而成之阻氣性層積體。
此外，於專利文獻3，揭示有：於第1透明塑膠膜基材上形成透明阻氣層，於上述透明阻氣層上經由透明黏著劑層，配置第2透明塑膠膜基材之透明膜。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-338901號公報
[專利文獻2]日本特開2006-123307號公報
[專利文獻3]日本特開2006-327098號公報
本案申請人，先前，提案，具有由包含氧原子、碳原子及矽原子之材料所形成而成之阻氣層之層積體(WO2010/021326號公報、WO2010/107018號公報等)。記載於該等文獻之層積體，係阻氣性優良者。
本發明者們，進一步為得阻氣性更優良的層積體而研究，提出至少將2片阻氣膜，經由黏著劑層層積之層積體。
但是，經由黏著劑層將阻氣膜相互黏合的層積體，當折彎時阻氣膜的厚度差大時，顯著地在阻氣膜與黏著劑層的界面發生剝離，而有發生浮起之情形。此可認為係起因於阻氣膜的厚度差大，而彎曲應力集中在阻氣膜與黏著劑層的界面所發生者。
本發明，係有鑑如此之實際情況而完成者，以提供具有很高的阻氣性，耐折彎性優良(折彎時，不容易發生浮起)之阻氣膜層積體、由上述阻氣膜層積體構成之電子裝置用元件、以及包括上述電子裝置用元件之電子裝置目標。
本發明者們為解決上述課題專心研究的結果，發現藉由代替經由上述黏著劑層將阻氣膜相互黏合之層積體之該黏著劑層，在由23℃之拉張彈性模數為3000~10000MPa之 合成樹脂所組成之基材膜的兩面，設置分別鄰接層積黏著劑層之接合層，可得耐折彎性優良的阻氣膜層積體，而完成本發明。
根據本發明，可提供如下(1)~(11)之阻氣膜層積體、(12)之電子裝置用元件及(13)之電子裝置。
(1)一種阻氣膜層積體，至少將2片阻氣膜，經由接合層層積，其特徵在於：上述接合層係由在23℃之拉張彈性模數為3000~10000MPa之合成樹脂所組成之基材膜A的兩面，分別鄰接層積黏著劑層。
(2)根據(1)之阻氣膜層積體，其中上述基材膜A的厚度為0.5~25μm。
(3)根據(1)或(2)之阻氣膜層積體，其中上述基材膜A的兩面的黏著劑層的厚度，分別為0.5~25μm。
(4)根據(1)~(3)中任一項之阻氣膜層積體，其中上述黏著劑層對上述阻氣膜之180°拉剝黏著力為2.0N/25mm以上。
(5)根據(1)~(4)中任一項之阻氣膜層積體，其中上述接合層的厚度為75μm以下。
(6)根據(1)~(5)中任一項之阻氣膜層積體，其中層積於上述接合層之一方的面的阻氣膜，厚度較層積於該接合層之另一方的面之阻氣膜小。
(7)根據(1)之阻氣膜層積體，其中(上述接合層之一方的面的阻氣膜的厚度)/(上述接合層之另一方的面的阻氣膜的厚度)之值為0.05~1.0。
(8)根據(1)~(7)中任一項之阻氣膜層積體，其中上述阻氣膜的至少1片，係具有基材膜B，及設於該基材膜B上之至少1層 阻氣層者。
(9)根據(8)之阻氣膜層積體，其中上述阻氣層係於高分子矽化合物所組成之層植入離子所形成之層。
(10)根據(8)或(9)之阻氣膜層積體，其中上述阻氣膜，係該阻氣層與上述接合層鄰接層積而成。
(11)根據(1)~(10)中任一項之阻氣膜層積體，其中厚度為100μm以下。
(12)一種電子裝置用元件，由上述(1)~(11)中任一項之阻氣膜層積體所構成。
(13)一種電子裝置，包括上述(12)之電子裝置用元件。
本發明之阻氣膜層積體，係藉由使用具有上述特性的接合層，於折彎層積體時，緩和因厚膜側之阻氣膜與接合層之界面的歪曲之應力集中，而解決於厚膜側之阻氣膜與黏著劑層的界面發生剝離，而發生浮起之問題。
本發明之阻氣膜層積體，可適用於太陽電池、液晶顯示器、電致發光(EL)顯示器等的電子元件用。
本發明之電子裝置用元件，由於係由阻氣性及耐折彎性優良的本發明之阻氣膜層積體所構成者，故可良好地使用於觸控面板、電子紙、有機．無機EL的軟性顯示器、太陽電池等的電子裝置等。
1、1a、1b‧‧‧基材膜B
2、2a、2b‧‧‧阻氣層
3‧‧‧基材膜A
4、4a、4b‧‧‧黏著劑層
5、5a、5b‧‧‧剝離膜
10、10a、10b‧‧‧附有黏著劑層之剝離膜
20‧‧‧接合層
20'‧‧‧接合層形成用層積體
30、30a、30b‧‧‧阻氣膜
100A、100B‧‧‧阻氣膜層積體
第1圖係本發明之阻氣膜層積體之一例之層構成剖面圖。
第2圖係製造本發明之阻氣膜層積體之步驟剖面圖。
以下，將本發明，分項為1)阻氣膜層積體、以及2)電子裝置用元件及電子裝置，詳細地說明。
1)阻氣膜層積體
本發明之阻氣膜層積體，其特徵在於：其係至少將2片阻氣膜，經由接合層層積之阻氣膜層積體，上述接合層，係由在23℃之拉張彈性模數為3000~10000MPa之合成樹脂所組成之基材膜的兩面，分別鄰接層積黏著劑層。
(接合層)
用於本發明之接合層，在23℃之拉張彈性模數為3000~10000MPa之合成樹脂所組成之基材膜(以下，將用於接合層之基材膜，稱為「基材膜A」)的兩面，分別鄰接層積黏著劑層。
上述基材膜A，只要是由在23℃之拉張彈性模數為3000~10000MPa之合成樹脂所組成，可擔持黏著劑層者，可無特別限制地使用。
構成基材膜A的合成樹脂，在23℃的拉張彈性模數為3000~10000MPa，以3000~5000MPa為佳，上述拉張彈性模數未滿3000MPa時，折彎阻氣膜層積體時，容易發生浮起。另一方面，上述拉張彈性模數，超過10000MPa，則會降低阻氣膜層積體的饒曲性。
再者，在23℃之拉張彈性模數，係遵照JIS K7127測定。
構成基材膜A之合成樹脂，可舉例如聚醯亞胺、 聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等。
該等之中，由透明性優良，有泛用性，以聚酯或環烯烴系聚合物為佳。
聚酯，可舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。
環烯烴系聚合物，可舉降冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯烴系聚合物、乙烯基脂環烴聚合物及該等的氫化物。
基材膜A的厚度，通常為0.5~25μm，以1~10μm為佳，以1~6μm的範圍更佳。藉由基材膜A的厚度有0.5μm以上，於製造阻氣膜層積體時的工作性優良。另一方面，藉由基材膜A的厚度在25μm以下，折彎阻氣膜層積體時，不容易發生浮起。
上述黏著劑層，為保持層積構造，分別鄰接設於基材膜A的兩面，黏著劑層，只要是不會使阻氣膜與基材膜A剝離，而具有充分的黏著力者，可無特別限制地使用。
2個黏著劑層的種類或厚度，可以相同，亦可不同。
黏著劑層的厚度，通常為0.5~25μm，以1~10μm為佳，以1~6μm的範圍更佳。藉由黏著劑層的厚度，在於0.5μm以上，可形成具有充分的黏著力的黏著劑層，折彎阻氣膜層積體時，不容易發生浮起。另一方面，藉由黏著劑層厚度在於25μm以下，於生產性的面較有利。
上述黏著劑層對上述阻氣膜之180°拉剝黏著力以2.0N/25mm以上為佳。藉由使拉剝黏著力在2.0N/25mm以上，對阻氣膜具有充分的黏著力，故阻氣膜層積體折彎時，更不容易發生浮起。
再者，在於本發明，「上述黏著劑層的上述阻氣膜的180°拉剝黏著力」，係如實施例所說明，於黏著劑層的一方的面以聚酯膠片裱褙，作為黏著力試驗用黏著膜，遵照JIS Z0237(2000)測定該黏著力試驗用黏著膜對阻氣膜之180°拉剝黏著力。
黏著劑的種類，並無特別限制。在於本發明，可使用丙烯酸系、橡膠系、聚酯系、尿烷系、矽酮系等的習知的黏著劑。其中，由可得優良的黏著力，以丙烯酸系黏著劑為佳。
丙烯酸系黏著劑，係以丙烯酸系共聚物作為主要成分之黏著劑。
所謂丙烯酸系共聚物，係具有來自(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯之反覆單位的共聚物。所謂「(甲基)丙烯酸」，係指丙烯酸與甲基丙烯酸的雙方的意思，所謂「(甲基)丙烯酸酯」，係指丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯的雙方的意思。
此外，丙烯酸系共聚物，只要不阻礙本發明之效果，亦可具有上述以外之反覆單位。
丙烯酸系共聚物，以具有可形成羧基、羥基、胺基、醯胺基等的架橋構造之官能基反複單位，及不具有官能基之反覆單位的雙方為佳。
用於製造丙烯酸系共聚物的單體，可舉具有官能基之丙烯酸系單體、不具有官能基之丙烯酸系單體、及可與該等單體共聚 合之其他單體。
具有官能基之丙烯酸系單體，可舉(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等的具有羧基之丙烯酸系單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等的具有羥基之丙烯酸系單體等。
該等之中，以(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等的具有羧基之丙烯酸系單體為佳，以(甲基)丙烯酸更佳。
該等單體，可以一種單獨，或組合2種以上使用。
不具有官能基的丙烯酸系單體，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等的直鏈烷基之丙烯酸系單體；(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯等的分枝烷基之丙烯酸系單體；(甲基)丙烯酸環己酯等的環烷基之丙烯酸系單體等。
該等之中，由可形成黏著性優良的黏著劑層的觀點來看，以具有碳數4~10之烴基之單體為佳，以(甲基)丙烯酸丁酯更佳。
該等單體，可以一種單獨，或組合兩種以上使用。
其他的單體，可舉巴豆酸、馬來酸、富馬酸、依康酸、檸康酸等的具有羧基之單體；(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等的具有醯胺基之 單體；丙烯腈；苯乙烯；醋酸乙烯酯；乙烯基吡咯烷酮等。
用於聚合反應之起始劑，並無特別限制，過氧化苯、過氧化月桂醯、過氧化甲乙酮等的過氧化物系起始劑、偶氮二異丁腈、偶氮雙氰基戊酸、偶氮雙氰基戊烷等的偶氮系起始劑等。
用於聚合反應之溶媒，並無特別限制，可舉甲苯、己烷、庚烷、醋酸乙酯、丙酮、甲乙酮、甲苯。
聚合反應之溫度及反應時間等的反應條件，可使用習知的條件。
於丙烯酸系黏著劑，可添加架橋劑。架橋劑，係與上述官能基反應形成架橋化合物。使用架橋劑時，於使用之架橋劑，並無特別限制，可舉異氰酸鹽系架橋劑、環氧系架橋劑等。其中，以異氰酸鹽系架橋劑為佳。
異氰酸酯系架橋劑，並無特別限定，可使用於分子中具有2個以上的異氰酸酯基之化合物。如此之異氰酸酯系架橋劑，可舉二異氰酸甲苯酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二異氰酸二甲苯酯等的芳香族聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族聚異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯、加氫二苯甲烷二異氰酸酯等的脂環式聚異氰酸酯；及該等的之雙縮脲體、異氰尿酸體，進一步，乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等的含有低分子活性氫之化合物之反應物之加成物等。
環氧系架橋劑，使用於分子中具有2個以上的環氧基之化合物，例如，山梨醇四縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、四縮水甘油基-1,3-二胺基甲基環己烷、四縮水甘油基鄰二甲苯二胺、三縮水甘油基對胺基酚等。
架橋劑，可以一種單獨或組合二種以上使用。
架橋劑的使用量，雖依架橋劑的種類，對丙烯酸系共聚物100質量部，通常為0.01~10質量部，以0.05~5質量部為佳。
丙烯酸系黏著劑，可良好地使用於作為溶劑型黏著劑。使用之溶劑，並無特別限制，可使用習知者。
丙烯酸系共聚物之重量平均分子量，通常為100,000~2,000,000，以300,000~900,000為佳。
重量平均分子量，可藉由聚合起始劑之量或添加鏈移動劑調節。
再者，上述重量平均分子量，係以凝膠滲透層析(GPC)法測定之聚苯乙烯換算值。
調製丙烯酸系黏著劑時之丙烯酸系共聚物，可以一種單獨，或組合二種以上使用。
製造丙烯酸系共聚物的方法，並無特別限制，可使用溶液聚合法、乳化聚合法、懸濁聚合法、塊狀聚合法等先前習知之方法。其中，由容易聚合的點，以溶液聚合為佳。
黏著劑，亦可含有黏著付與劑、填充劑、顏料、紫外線吸收劑等先前習知之添加劑。其中，可形成充分黏著力之黏著劑層，得到耐折彎性優良的阻氣膜層積體，使用之黏著劑含有黏著付與劑為佳。黏著付與劑，可舉松香系樹脂、萜烯系樹脂等的天然樹脂、C5系、C9系、二環茂二烯系等的石油樹脂、香豆酮-茚樹脂、二甲苯樹脂等的合成樹脂等。
形成黏著劑層的方法，並無特別限制，可利用先前習知的方法。例如，將黏著劑成分，溶解於甲苯、醋酸乙酯、 甲乙酮等的有機溶劑調製黏著劑層形成用組成物，將該組成物，藉由旋轉塗佈法、噴霧塗層法、棒塗層法、刀片塗層法、輥塗法、刮刀塗層法、模具塗層法、凹版塗層法等的習知的塗佈方法，塗於剝離膜上之後，由所得塗膜，將溶劑乾燥去除，根據所期望加熱形成。此時，可得附有剝離膜之黏著劑層。此外，黏著劑層，亦可藉由於基材膜A上，直接塗黏著劑層形成用組成物，將所得塗膜乾燥形成。於有效地製造接合層，以前者的方法為佳。
剝離板片，可使用先前習知者。例如，可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚丙烯等的樹脂膜；將該等樹脂膜表面以矽酮系剝離劑等剝離處理者等。
接合層，係於上述基材膜A的兩面，分別鄰接層積上述黏著劑層而成者。
接合層，其厚度通常為75μm以下，以1.5~20μm為佳，以2.0~15μm的範圍為佳。藉由接合層的厚度，在於75μm以下，可得薄，且耐折彎性優良的阻氣膜層積體。
接合層，係例如，於上述基材膜A的一面，使基材膜A的表面，與附有剝離膜黏著劑層之黏著劑層，相對地黏合之後，於上述基材膜A的其他面側，使基材膜A的另一面的面，與附有剝離膜黏著劑層之黏著劑層，相對地黏合而得。此時，可得附有剝離膜接合層。此外，接合層，亦可藉由將黏著劑層形成用組成物，直接塗於基材膜A上，將所得塗膜乾燥，於基材膜A的一方的面，形成黏著劑層之後，將黏著劑層形成用組成物，直接於基材膜A的另一方的面上，將所得塗膜 乾燥，於基材膜A的另一方的面上，形成黏著劑層。由可有效地製造接合層的觀點，以前者的方法為佳。
(阻氣膜)
用於本發明之阻氣膜，係具有抑制氧或水蒸氣穿透的特性(以下，稱為「阻氣性」)之膜。
使用之阻氣膜，水蒸氣透過率，於40℃，相對濕度90%的氣氛下，以1.0g/m2/day以下者為佳，以0.5g/m2/day以下者更佳。藉由使用具有如此之性能的阻氣膜，可得阻氣性高的阻氣膜層積體。
用於本發明之阻氣膜的厚度，通常為0.5μm~100μm，以1μm~50μm為佳，以5μm~30μm更佳。
此外，於本發明之阻氣膜層積體，至少2片的阻氣膜，厚度雖可相同，層積於接合層之一方的面之阻氣膜的厚度，較層積於接合層之另一方的面之阻氣膜更小時，折彎性的效果可顯著地顯現。
因此，(層積於接合層的一方的面的阻氣膜的厚度(薄膜側))/(層積於接合層的另一方的面的阻氣膜的厚度(厚膜側))之值，以0.05~1.0為佳，以0.1~0.5更佳，進一步以0.2~0.3為佳。
阻氣膜，可舉由合成樹脂所構成之單層膜，或由合成樹脂所構成之基材膜(以下有稱為「基材膜B」之情形。)上，直接或經由其他的層，形成阻氣層而成之層積膜。
構成上述單層膜之合成樹脂，可舉聚乙烯醇、聚對苯二甲酸乙二醇酯、超低密度聚乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙 烯、氟系樹脂、聚醯胺系樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物、聚苯硫醚、聚丙烯腈等的單獨或2種以上的合成樹脂。
其中，由阻氣性優良的觀點來看，阻氣膜之至少1片，以具有基材膜B，及設於該基材膜B上之至少1層阻氣層者為佳。
基材膜B的材質，可舉先前例示作為基材膜A之材質。
其中，由透明性優良，有泛用性，以聚酯、聚醯胺或環烯烴系聚合物為佳，以聚酯或環烯烴系聚合物更佳。
聚酯，可舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯化合物等。
聚醯胺，可舉全芳香族聚醯胺、尼龍6、尼龍66、尼龍共聚物等。
環烯烴系聚合物，可舉降冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯烴系聚合物、乙烯脂環烴聚合物、及該等的氫化物。
基材膜B，其厚度，通常為0.5~80μm，以1~40μm為佳，以1~30μm的範圍更佳。
在於上述阻氣膜之阻氣層，係具有阻氣性之層。
阻氣層可形成於基材膜B之一面，亦可形成於基材膜B之兩面。此外，阻氣層可為單層，亦可層積複數層。
阻氣層的材料，只要是可阻止氧及水蒸氣穿透者，並無特別限制，以透明性佳，阻氣性良好者為佳。
阻氣層的材料，可舉例如，鋁、鎂、鋅、錫等的 金屬；二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等的無機氧化物；氮化矽等的無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；該等複合體之無機氮化物；無機氧碳化物；無機氮碳化物；無機氧氮碳化物；高分子化合物等。
形成阻氣層之方法，並無特別限定，可舉例如，將上述材料，以蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等，形成於基材膜B的方法；或將溶解或分散上述材料之溶液，藉由習知的塗佈方法塗佈於基材膜B上，將所得塗膜適度地乾燥形成之方法；藉由對高分子化合物所構成的高分子層，施以電漿處理或離子植入處理形成之方法等。
阻氣層的厚度，並無特別限定，通常為20nm~50μm，以30nm~1μm為佳，以40~500nm更佳。
阻氣層，由可容易地形成目的之阻氣層，對高分子化合物所構成之高分子層，離子植入處理形成者為佳。由高分子化合物構成之高分子層，可藉由施以離子植入處理改質，提升阻氣性。
離子植入處理的方法，可使用習知的方法。即，阻氣層，以對高分子化合物所構成之高分子層，植入離子所形成者為佳。藉由如此地形成阻氣層，可得優良的阻氣性。
再者，此時，所謂「阻氣層」，並非僅指離子植入所改質的部分的意思，而係指，「具有藉由離子植入改質之部分之高分子層」的意思。
構成高分子層之高分子化合物，可舉例如矽系高 分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚丙烯酸酯、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物及該等高分子的二種以上的組合等。
該等之中，由可容易地形成阻氣性優良的阻氣層，以矽系高分子化合物、聚酯或丙烯酸系樹脂為佳，以矽系高分子化合物更佳。
矽系高分子化合物，只要是含矽的高分子，則可為有機化合物，亦可為無機化合物。可舉例如，聚有機矽氧烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、聚矽氮烷系化合物等。
聚有機矽氧烷系化合物，係將具有水解性官能基之矽烷化合物聚縮合而得之化合物。
於聚有機矽氧烷系統化合物的主鏈構造，並無特別限制，可為直鏈狀、階梯狀、籠狀均可。
例如，上述直鏈狀的主鏈構造可舉下式(a)所示之構造，梯形狀的主鏈構造可舉下式(b)所示構造，籠狀的主鏈構造可舉例如下式(c)所示構造。
式中，Rx、Ry、Rz，係分別獨立地表示，氫原子、無取代或具有取代基之烷基、無取代或具有取代基之烯基、無取代或具有取代基之芳基等的分水解性基。再者，式(a)之複數Rx，式(b)之複數Ry、式(c)之複數Rz，可分別相同亦可相異。惟，上述式(a)之Rx並不會2個都是氫原子。
無取代或具有取代基之烷基之烷基，可舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等的碳數1~10之烷基。
烯基，可舉例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等的碳數2~10的烯基。
上述烷基及烯基的取代基，可舉氟原子、氯原子、 溴原子、碘原子等的鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；縮水甘油基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的無取代或具有取代基的芳基等。
無取代或具有取代基的芳基的芳基，可舉例如，苯基、1-萘基、2-萘基等的碳數6~10的芳基。
上述芳基的取代基，可舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；甲基、乙基等的碳數1~6的烷基；甲氧基、乙氧基等的碳數1~6的烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；縮水甘油基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的無取代或具有取代基的芳基等。
該等之中，Rx、Ry、Rz，以氫原子、碳數1~6的烷基或苯基為佳，以碳數1~6的烷基特別佳。
聚有機矽氧烷系化合物，以上述式(a)表示之直鏈狀化合物為佳，由取得容易性及可得優良的阻氣性之層的觀點，以在於上述式(a)，二個Rx均為甲基之化合物之聚二甲基矽氧烷更佳。
聚有機矽氧烷系化合物，可藉由例如，將具有水解性官能基的矽烷化合物聚縮合之習知之製造方法而得。
聚碳矽烷系化合物，係於分子內的主鏈，具有(-Si-C-)鍵結之高分子化合物。其中，用於本發明之聚碳矽烷系化合物，以含有下式(d)所示之反覆單位者為佳。
式中，Rw、Rv，係分別獨立地表示，氫原子、羥基、烷基、芳基、烯基或1價雜環基。複數Rw、Rv，可分別相同亦可不同。
Rw、Rv的烷基、芳基、烯基，可舉與例示作為上述Rx之相同者。
該等基，可於任意位置，具有烷基、芳基、烷氧基、芳氧基等的取代基。
R，係表示亞烷基、亞芳基或2價雜環基。
R之亞烷基，可舉亞甲基、亞乙基、亞丙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、八亞甲基等的碳數1~10的亞烷基。
亞芳基，可舉亞苯基、1,4-亞萘基、2,5-亞萘基等的碳數6~20之亞芳基。
2價雜環基，只要是由碳原子之外至少包含1個氧原子、氮原子、硫原子等的雜原子的3~10員雜環化合物所衍生的2價基，並無特別限制。
再者，R之亞烷基、亞芳基、2價雜環基，可於任意位置，具有烷基、芳基、烷氧基、鹵素原子等的取代基。
該等之中，以包含在於式(d)，Rw、Rv係分別獨立地表示，氫原子、烷基或芳基、R係亞烷基或亞芳基之反覆 單位者為佳，以包含Rw、Rv係分別獨立地表示氫原子或烷基，R係亞烷基之反覆單位者更佳。
具有以式(d)表示之反覆單位的聚碳矽烷系化合物的重量平均分子量，通常為400~12,000。
聚碳矽烷系化合物的製造方法，並無特別限定，可採用習知的方法。
聚矽烷系化合物，係於分子內，具有(-Si-Si-)鍵結之高分子化合物。該聚矽烷系化合物，可舉選自由下式(e)所示之構造單位之至少一種反覆單位之化合物。
式(e)中，Rq及Rr係表示可相同或不同的氫原子、烯基、環烷基、環烯基、芳基、羥基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳烷氧基基、可具有取代基之胺基、矽基或鹵素原子。
Rq及Rr的烷基、烯基、芳基，可舉與例示作為上述Rx等相同者。
環烷基，可舉環戊基、環己基、甲基環己基等的碳數3~10的環烯基。
環烯基，可舉環戊烯基、環己烯基等的碳數4~10之環烯基。
烷氧基，可舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、戊氧基等的碳數1~10的烷氧基。
環烷氧基，可舉環戊氧基、環己氧基等的碳數3~10之環烷氧基。
芳氧基，可舉苯氧基、萘氧基等的碳數6~20的芳氧基。
芳烷氧基，可舉苄氧基、苯乙氧基、苯基丙氧基等的碳數7~20的芳烷氧基。
可具有取代基之胺基，可舉胺基；以烷基、環烷基、芳基、芳烷基、醯基等取代的N-單或N,N-二取代胺基等。
矽基，可舉矽基、乙矽烷基、丙矽烷基等的Si1~10矽烷基(以Si1~6矽烷基為佳)，取代矽基(例如烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基等取代之取代矽基)等。
鹵素原子，可舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
上述環烷基、環烯基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳烷氧基、矽基，亦可具有鹵素原子、烷基、芳基、烷氧基等的取代基。
該等之中，由可得本發明之更優良的效果，以包含上述式(e)所示之反覆單位之化合物為佳，以包含在於式(e)，Rq、Rr係分別獨立地為氫原子、羥基、烷基、芳基、烷氧基、胺基、或矽基之反覆單位之化合物更佳，進一步以包含在於式(e)，Rq、Rr係分別獨立地為氫原子、烷基或芳基之反覆單位之化合物為佳。
聚矽烷系化合物之形態，並無特別限制，可為非環狀聚矽烷(直鏈狀聚矽烷、分枝鏈狀聚矽烷、網狀聚矽烷等)，或環狀聚矽烷等的單獨聚合物，亦可為隨機共聚物、嵌段共聚 物、交替共聚物、梳狀共聚物。
聚矽烷化合物為非環狀聚矽烷時，聚矽烷系化合物的末端基(末端取代基)，可為氫原子、鹵素原子(氯原子等)、烷基、羥基、烷氧基、矽基等。
聚矽烷系化合物的具體例，可舉聚二甲基矽烷、聚(甲基丙基矽烷)、聚(甲基丁基矽烷)、聚(甲基戊基矽烷)、聚(二丁基矽烷)、聚(二己基矽烷)等的聚二烷基矽烷、聚(二苯基矽烷)等的聚二芳基矽烷、聚(甲基苯基矽烷)等的(烷基芳基矽烷)等的均聚物；二甲基矽烷-甲基己基矽烷共聚物等的烷基矽烷與其他的烷基矽烷的共聚物、苯基矽烷-甲基苯基矽烷共聚物等的芳基矽烷與烷基芳基矽烷共聚物、二甲基矽烷-甲基苯基矽烷共聚物、二甲基矽烷-苯基己基矽烷共聚物、二甲基矽烷-甲基萘基矽烷共聚物、甲基丙基矽烷-甲基苯基矽烷共聚物等的烷基矽烷-烷基芳基矽烷共聚物等。
聚矽烷系化合物的平均聚合度(例如，數目平均聚合度)通常為5~400，以10~350為佳，以20~300左右更佳。
此外，聚矽烷系化合物的重量平均分子為300~100,000，以400~50,000為佳，以500~30,000左右更佳。
聚矽烷系化合物的多數係習知的物質，可使用習知的方法製造。
聚矽氮烷系化合物，係於分子內，具有(-Si-N-)鍵結之高分子化合物。該聚矽氮烷系化合物，以具有式(f)所示反覆單位之化合物為佳：
此外，使用之聚矽氮烷系化合物之數目平均分子量，並無特別限定，以100~50,000為佳。
式(f)中，n係表示任意的自然數。
Rm、Rp、Rt係分別獨立地表示，氫原子、烷基、環烷基、烯基、芳基或烷基矽基等的非水解性基。
上述烷基、烯基、芳基，可舉與於上述Rx等之例示相同者。
環烷基，可舉與於上述Rq等之例示相同者。
烷基矽基，可舉三甲基矽基、三乙基矽基、三異丙基矽基、三第三丁基矽基、甲基二乙基矽基、二甲基矽基、二乙基矽基、甲基矽基、乙基矽基等。
該等之中，以Rm、Rp、Rt為氫原子、碳數1~6之烷基或苯基為佳，以氫原子特別佳。
具有以上述式(f)所示之反覆單位之聚矽氮烷系化合物，以Rm、Rp、Rt全部均為氫原子之無機聚矽氮烷，Rm、Rp、Rt之至少1個不是氫原子之有機聚矽氮烷之任一均可。
無機聚矽氮烷，可舉具有下式所示反覆單位之直鏈狀構造，具有690~2000的分子量，於一分子中具有3~10個SiH3的全氫聚矽氮烷(日本特公昭63-16325號公報)：
具有式(A)所示反覆單位之具有直鏈狀構造與分枝狀構造之全氫聚矽氮烷：
式中b、c係表示任意的自然數，Y1係氫原子或式(B)所示之基：
式中d係表示任意的自然數，*係表示鍵結位置，Y2係表示氫原子或上述(B)所示之基；具有式(C)所示之全氫聚矽氮烷構造，於分子內，具有直鏈狀構造、分枝狀構造及環狀構造之全氫聚矽氮烷：
等。
有機聚矽氮烷，可舉
(i)具有以-(Rm'SiHNH)-作為反覆單位，主要以聚合度為3~5之環狀構造者：Rm'係與Rm同樣的烷基、環烷基、烯基、芳基或烷基矽基。以下的Rm'亦相同。
(ii)具有以-(Rm'SiHNRt')-作為反覆單位，主要以聚合度為3~5之環狀構造者：Rt'係與Rt同樣的烷基、環烷基、烯基、芳基或烷矽基。
(iii)具有以-(Rm'Rp'SiNH)-作為反覆單位，主要以聚合度為3~5之環狀構造者：Rp'係與Rp同樣的烷基、環烷基、烯基、芳基或烷基矽基。
(iv)於分子內具有下式所示之構造之聚有機(氫)矽氮烷：
(V)具有以下式所示之反覆構造之聚矽氮烷：
Rm'、Rp'係表示與上述相同意思，e、f係表示任意的自然數，Y3係氫原子或下式(D)所示之基：
式中g係表示任意的自然數，*係表示鍵結位置，Y4係表示氫原子或上述(D)所示之基等。
上述有機聚矽氮烷，可藉由先前習知的方法製造。例如對具有下式所示之無取代或可具有取代基之鹵化矽烷化合物與2級胺的反應生成物，使氨或1級胺反應而得：R1 4-mSiXm
式中，m係表示2或3，X係表示鹵素原子，R1係上述之Rm、Rp、Rt、Rm'、Rp'、Rt'任意一個取代基。
使用之2級胺、氨及1級胺，只要按照目的之聚矽氮烷系化合物的構造，適宜選擇即可。
此外，在於本發明，亦可使用聚矽氮烷變性物作 為聚矽氮烷系化合物。聚矽氮烷變性物，可舉例如，包含金屬原子(該金屬原子亦可架橋。)之聚金屬化矽氮烷；反複單位以[(SiH2)j(NH)h)]及[(SiH2)iO](式中，j、h、i係分別獨立地為1、2或3。)表示之聚矽氮烷(日本特開昭62-195024號公報)；使聚矽氮烷與硼化合物反應而製造之聚硼矽氮烷(日本特開平2-84437號公報)；使聚矽氮烷與金屬烷氧基金屬反應而製造之聚金屬化矽氮烷(日本特開昭63-81122號公報等)；無機矽氮烷高聚合物或改質聚矽氮烷(日本特開平1-138108號公報等)；對聚矽氮烷導入有機成分的共聚合矽氮烷(日本特開平2-175726號公報等)；對聚矽氮烷加成或添加用於促進陶瓷化之觸媒性化合物之低溫陶瓷化聚矽氮烷(日本特開平5-238827號公報等)；矽烷氧化物加成聚矽氮烷(日本特開平5-238827號公報)；縮水甘油加成聚矽氮烷(日本特開平6-122852號公報)；乙醯丙酮錯合物加成聚矽氮烷(日本特開平6-306329號公報)；金屬羧酸加成聚矽氮烷(日本特開平6-299118號公報等)；上述聚矽氮烷或其變性物，添加胺類及/或酸類而成之聚矽氮烷組成物(日本特開平9-31333號公報)；對全氫聚矽氮烷將甲醇等的醇或六甲基二矽氮烷附加於末端N原子而得之變性聚矽氮烷(日本特開平5-345826號公報、日本特開平4-63833號公報)等。
該等之中，在於本發明，使用之聚矽氮烷系化合物，以Rm、Rp、Rt全部均為氫原子之無機聚矽氮烷、以Rm、Rp、Rt之至少1個不是氫原子之有機聚矽氮烷為佳，由取得 容易性及可得具有優良的阻氣性的植入層的觀點，以無機聚矽氮烷更佳。
再者，聚矽氮烷系化合物，亦可直接使用市售作為玻璃塗層材之市售品。
形成阻氣層之上述高分子層，於上述高分子化合物之外，不阻礙本發明之目的的範圍，亦可含有其他的成分。其他的成分，可舉硬化劑、別的高分子、老化防止劑、光安定劑、難燃劑等。
在於高分子層之高分子化合物的含量，由可形成具有優良的阻氣性之阻氣層的觀點，以50質量%以上為佳，以70質量%以上更佳。
作為形成高分子層之方法，並無特別限制，可舉例如，將含有高分子化合物之至少一種，根據所期望之其他成分，及溶劑等，藉由習知的塗佈方法，塗佈於基材或根據所期望於基材上形成之底漆層上，將所得塗膜適當地乾燥形成之方法。
塗層裝置，可使用旋轉塗佈機、刮刀塗佈機、凹版塗佈機等的習知的裝置。
將所得塗膜乾燥，為提升膜的阻氣性，將塗膜加熱為佳。加熱、乾燥的方法，可採用熱風乾燥，熱輥輪乾燥，紅外線照射等，先前習知之乾燥方法。加熱溫度，通常為80~150℃，加熱時間，通常為數十秒至數分鐘。
形成之高分子層的厚度，並無特別限制，通常為20nm~1000nm，以30~500nm為佳，以40~200nm更佳。
在於本發明，即使高分子層的厚度為奈米等級，藉由後述之離子植入可得具有充分阻氣性能之膜。
植入高分子層之離子的植入量，只要配合形成之膜之使用目的(必要的阻氣性、透明性等)等適宜決定即可。
植入的離子，氬、氦、氖、氪、氙等的稀有氣體的離子；氟化碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等的烷系氣體類的離子；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等的烯系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等的二烯系氣體類的離子；乙炔、甲基乙炔等的炔系氣體類的離子；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等的芳香烴系氣體類的離子；環丙烷、環己烷等的環烷系氣體類的離子；環戊烯、環己烯等的環烯系氣體類的離子；金、銀、銅、鉑、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈮、鉭、鎢、鋁等的導電性金屬的離子；矽烷(SiH4)或四甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、六甲基二矽氧烷等的有機矽化合物的離子。
該離子，可以一種單獨，或組合二種以上使用。
其中，由可更簡便地植入，可得具有特別優良的阻氣性之阻氣層，以選自由氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙及氪所組成之群之至少一種離子為佳。
植入離子的方法，並無特別限定，可舉照射藉由電場加速之離子(離子束)的方法，植入電漿中的離子的方法。其中，在於本發明，由可更簡便地得到阻氣性的膜，以後者之植入電漿離子的方法為佳。
電漿離子植入法，係(A)將存在於使用外部電場所 產生的電漿中的離子，植入高分子層的表面部的方法，或(B)將存在於不使用外部電場，僅以施加於上述層之負的高電壓脈衝之電場所產生之電漿中的離子，植入高分子層的表面部的方法為佳。
在於上述(A)的方法，使植入離子時的壓力(電漿離子植入時之壓力)為0.01~1Pa為佳。電漿離子植入時之壓力在於如此之範圍時，由可簡便且有效而均勻地植入離子，可有效地形成阻氣層。
上述(B)的方法，不需要使減壓度高，處理操作簡便，可大幅縮短處理時間。此外，可橫跨上述層全體均勻地處理，於施加負面的高電壓脈衝時，可將電漿中的離子以高能量連續地植入植入層的表面部。再者，無須radio frequency(高頻波，以下略稱為「RF」。)，或微波等的高頻波電源等的特別的其他手段，僅對層施加負的高電壓脈衝，可於層的表面部均勻地形成優質的離子植入層。
在於上述(A)及(B)的任一方法，施加負的高電壓脈衝時，即植入離子時的脈衝寬度以1~15μsec為佳，脈衝寬度在於如此的範圍時，可更簡便而有效地，將離子均勻地植入。
此外，產生電漿時的施加電壓，以-1~-50kV為佳，以-1~-30kV更佳，以-5~-20kV特別佳。施加電壓以較-1kv大的值進行離子植入，則離子植入量(劑量)變得不充分，無法得到所期望的性能，另一方面，使用較-50kV小的值，進行離子植入，則離子植入時膜帶電，此外對膜產生膜著色等的不適而不佳。
植入電漿離子之離子種，可舉例示作為上述植入離子之相同者。
於層的表面部植入電漿中的離子時，使用電漿離子植入裝置。電漿離子植入裝置，具體是(α)對於對高分子層(以下．有稱「植入離子的層」。)施加負的高電壓脈衝之饋通，使高頻波電力重疊，將植入離子之層的周圍均等地以電漿包圍，將電漿中的離子誘導、植入、撞擊、沉積之裝置(日本特開2001-26887號公報)；(β)於腔體內設置天線，提供高頻波電力產生電漿，電漿到達植入離子之層的周圍後，藉由對植入離子的層交替施加正與負面的脈衝，以正的脈衝誘導電漿中的電子衝撞，將植入離子的層加熱，控制脈衝係數進行溫度控制，施加負的脈衝將電漿中的離子誘導、植入之裝置(日本特開2001-156013號公報)；(γ)使用微波等的高頻波電力源等的外部電場產生電漿，施加高電壓脈衝將電漿中的離子誘導、植入之電漿離子植入裝置；(δ)不使用外部電場，將僅藉由施加高電壓脈衝所產生的電場所產生的電漿中的離子植入之電漿離子植入裝置等。
該等之中，由處理操作簡便，可大幅縮短處理時間，適於連續使用，使用(γ)或(δ)之電漿離子植入裝置為佳。
關於使用上述(γ)及(δ)之電漿離子植入裝置的方法，可舉國際公開WO2010/021326號公報所記載者。
於上述(γ)及(δ)之電漿離子植入裝置，由於將產生電漿的電漿產生手段以高電壓脈衝電源兼用，故無須RF或微波等的高頻波電源等的特別的別的手段，僅以施加負的高電壓 脈衝，產生電漿，對高分子層的表面部連續地植入電漿中的離子，可量產於表面部具有藉由離子植入改質之部分之高分子層，即形成有阻氣層之阻氣膜。
植入離子的部分的厚度，可藉由離子的種類或施加電壓、處理時間等的植入條件控制，只要按照高分子層的厚度、阻氣膜的使用目的等決定即可，通常為10~1000nm。
離子有被植入，係使用X射線光電子能譜分析(XPS)由高分子層的表面進行10nm附近的元素分析測定而確認。
(阻氣膜層積體)
本發明之阻氣膜層積體，係至少2片阻氣膜，經由上述接合層層積而成者。
本發明之阻氣膜層積體的形狀，並無特別限制。可舉例如，板片狀等。
此外，在於本發明之阻氣膜層積體，層積之阻氣膜的片數只要是2以上，並無特別限定。阻氣膜的層積片數通常為2~5。
於本發明之阻氣膜層積體，黏貼阻氣膜與接合層的方法，並無特別限定，使用層壓機等的裝置使用習知的方法黏合。
在於本發明之阻氣膜層積體，只要是至少2片阻氣膜，經由上述接合層層積者，層積構成並無特別限定。
本發明之阻氣膜層積體，其厚度通常為100μm以下，以1~50μm的範圍為佳。藉由阻氣膜積體之厚度在於100μm以 下，可達成使用其之電子元件之輕量化等。
將本發明之阻氣膜層積體之一例示於第1圖(a)、(b)。
第1圖(a)所示阻氣膜層積體100A，具有2片阻氣膜30a、30b的阻氣層2a及阻氣層2b與接合層20鄰接(更詳言之，與接合層20之黏著劑層4a、4b鄰接)層積之層構成(基材膜B 1a/阻氣層2a/黏著劑層4a/基材膜A 3/黏著劑層4b/阻氣層2b/基材膜B 1b)。
第1圖(b)所示之阻氣膜層積體100B，具有阻氣膜30a的基材層1a、鄰接於接合層20(更詳言之，與接合層20之黏著劑層4a鄰接)層積，阻氣膜30b之阻氣層2b，鄰接於接合層20(更詳言之，與接合層20之黏著劑層4b鄰接)層積之層構成(阻氣層2a/基材膜B 1a/黏著劑層4a/基材膜A 3/黏著劑層4b/阻氣層2b/基材膜B 1b)。
如第1圖(a)、(b)所示，阻氣膜之至少1片，以其阻氣膜之阻氣層與接合層鄰接層積者為佳，其中如圖(a)所示，以2片阻氣膜之各個阻氣層與接合層鄰接層積者更佳。
如此地，藉由阻氣層與接合層鄰接，於其阻氣層不容易發生缺陷，可得水蒸氣阻隔性不容易降低之阻氣膜層積體。
將上述至少2片阻氣膜相互，經由接合層層積之方法，並無特別限定，可舉習知的方法。
例如，具有第1圖(a)所示之層構成(基材膜B 1a/阻氣層2a/黏著劑層4a/基材膜A 3/黏著劑層4b/阻氣層2b/基材膜B 1b)之阻氣膜層積體100A，可如下製造。
首先，如第2圖(a)所示，於剝離膜5上形成黏著劑層4，製作2片(10a、10b)附有黏著劑層之剝離膜10。
接著，將第2圖(b)所示附有黏著劑層之剝離膜10a之黏著劑層4a與基材膜A 3黏合之後，如第2圖(c)所示，藉由將另1片附有黏著劑層之剝離膜10b之黏著劑層4b與基材膜A 3黏合，得到接合層形成用層積體20’。黏合的方法，並無特別限定，可舉例如，使用習知之層壓機之方法。
另一方面，如第2圖(d)所示，準備2片(30a、30b)阻氣膜30，其具有基材膜B 1及設於該基材膜上之阻氣層2。
接著，如第2圖(e)所示，將以上述方法所得之接合層形成用層積體20’之剝離膜5a剝離，於露出之黏著劑層4a面，將阻氣膜30a以阻氣層2a黏合之後，如第2圖(f)所示，將剝離膜5b剝離，於露出之黏著劑層4b面，將另1片阻氣膜30b以阻氣層2b黏合，可得阻氣膜層積體100A。
本發明之阻氣膜層積體，根據所期望，亦可層積保護層、導電體層、底漆層等的其他的層。再者，層積其他層的位置，並無特別限定。其他的層，可為1種或亦可為同種或異種的2層以上。
(保護層)
保護層，係以透明性佳，耐擦傷性良好為要件，由外部受到衝擊時，可擔任保護阻氣膜層積體的作用。
層積保護層之位置，並無特別限定，層積於阻氣膜層積體之最外層為佳。
構成保護層之材料，並無特別限定，可使用習知 者。例如，含矽化合物；由光聚合性單體及/或光聚合性預聚合物所組成之光聚合性化合物，及包含至少用以可見光區域的光產生自由基之聚合起始劑之聚合性組成物；聚酯系樹脂、聚氨酯系樹脂(特別是聚丙烯酸酯多元醇、聚酯多元醇、聚醚多醇等與異氰酸酯化合物之2液硬化型樹脂)、丙烯酸酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛系樹脂、硝化纖維系樹脂等的樹脂類；烷基鈦酸酯；乙烯醯亞胺等。該等的材料可以1種單獨，或組合2種以上使用。
保護層，可藉由將構成上述保護層之材料，以適當的溶劑溶解或分散而成之保護層形成用溶液，藉由習知的方法塗層於層積之層上，將所得塗膜乾燥，根據所期望加熱形成。
塗佈保護層形成用溶液的方法，可使用通常的濕式塗層法。例如，浸漬法、輥塗、凹版塗佈、刀片塗佈、氣刀塗佈、輥刀塗佈、模具塗佈、網版印刷法、噴塗、凹版轉印法等。
乾燥保護層形成用溶液之塗膜的方法，可採用熱風乾燥，熱輥子乾燥，紅外線照射等，先前習知的乾燥方法。保護層的厚度，可按照阻氣膜層積體的目的適宜選擇，以0.05~50μm為佳，以0.1~10μm更佳，進一步0.2~5μm為佳。
保護層的厚度，較0.05μm薄時，耐擦傷性並不充分而不佳。另一方面，較50μm厚時，容易因硬化時之扭曲而發生捲曲而不佳。
(導電體層)
構成導電體層之材料，可舉金屬、合金，全屬氧化物，導電 性化合物、該等的混合物等。具體而言，可舉摻雜銻之氧化錫(ATO)；摻雜氟之氧化錫(FTO)；氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等的導電性金屬氧化物；金、銀、鉻、鎳等的金屬；該等金屬與導電性金屬氧化物之混合物；碘化銅、硫化銅等的無機導電性物質；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等的有機導電性材料等。
該等之中，由透明性之點，以導電性金屬氧化物為佳，以ITO特別佳。導電體層，亦可由該等材料組成之層層積複數層而得。
導電體層的形成方法，可舉例如，蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等。該等之中，由可簡便地形成導電體層，以濺鍍法為佳。
濺鍍法，係於真空腔內導入放電氣體(氬等)，於靶材與基板之間，施加高頻波電壓或直流電壓使放電氣體電漿化，藉由使該電漿衝撞使靶材材料濺飛，附著於基板得到薄膜的方法。靶材，可使用由形成上述導電體層之材料所組成者。
導電體層的厚度，只要按照其用途等適宜選擇即可。通常為10nm~50μm，以20nm~20μm為佳。所得導電體層之表面電阻率，通常為1000Ω/□以下。
形成之導電體層，亦可按照必要進行圖案化。圖案化的方法，可舉以微影蝕刻等的化學性蝕刻；使用雷射等的物理蝕刻等；使用掩模之真空蒸鍍法或濺鍍法、舉離法、印刷法等。
(底漆層)
底漆層，係發揮提高基材膜B與阻氣層，或與其他層之層間密著性之作用。藉由設置底漆層，可提升層間密著性及表面平滑性。
構成底漆層之材料，並無特別限定，可使用習知者。例如，含矽化合物；光聚合性單體及/或由光聚合性預聚合物組成之光聚合性化合物、及包含至少可以可見光區域的光產生自由基的聚合起始劑之聚合性組成物；聚酯系樹脂、聚氨酯系樹脂(特別是聚丙烯酸酯多元醇、聚酯多元醇、聚醚多醇等與異氰酸酯化合物之2液硬化型樹脂)、丙烯酸酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛系樹脂、硝化纖維系樹脂等的樹脂類；烷基鈦酸酯；乙烯醯亞胺等。該等的材料可以1種單獨，或組合2種以上使用。
底漆層，係將構成上述底漆層之材料以適當的溶劑溶解或分散之底漆層形成用溶液，塗佈於基材層或其他的層的一面或兩面，使所得塗膜乾燥，根據所期望加熱形成。
將底漆層形成用溶液塗佈於基材膜B或其他的層的方法，可使用通常的濕式塗層方法。可舉例如浸漬法、輥輪塗佈、凹版塗佈、刀片塗佈、氣刀塗佈、輥刀塗佈、模具塗佈、網版印刷法、噴塗、照凹版轉印法等。
使底漆層形成用溶液之塗膜乾燥的方法，可使用熱風乾燥，熱輥輪乾燥，紅外線照射等先前習之乾燥方法。底漆層的厚度，通常為10~1000nm，以20~4000nm為佳。
本發明之阻氣膜層積體，藉由使用上述特性之接合層，於折彎層積體時，可緩和厚膜側之阻氣膜與接合層的界 面因歪曲的應力集中，解決於厚膜側的阻氣膜與黏著劑層之界面發生剝離，而發生浮起之問題。
2)電子裝置用元件及電子裝置
本發明之電子裝置用元件，其特徵在於：由本發明之阻氣膜層積體構成。因此，本發明之電子裝置用元件，由於具有優良的阻氣性，故可預防因水蒸氣等的氣體之部件惡化。此外，由於光穿透性高，耐熱性優良，可適於觸控面板、液晶顯示器、EL顯示器等的顯示器元件；太陽電池用背板等的電子裝置用的元件。
本發明之電子裝置，包括本發明之電子裝置用元件。具體例，可舉觸控面板、液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽電池等。
[實施例]
以下，舉實施例更詳細地說明本發明。惟，本發明不應有任何限定於以下的實施例。
(1)黏著劑組成物的調製
將使用丙烯酸丁酯(BA)及丙烯酸(AA)而得之丙烯酸系共聚物[質量比(BA：AA)=90：10、重量平均分子量550,000]100質量部，與異氰酸酯系架橋劑(東洋墨水公司製，BHS-8515，厚度37.5質量%)0.22質量部混合，以甲乙酮稀釋，得到不揮發分濃度30質量%的黏著劑組成物。
(2)阻氣膜的製作
作為基材膜B，於聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)(三菱樹脂公司製，PET25T-100，厚度25μm)，藉由旋轉塗佈法塗佈聚 矽氮烷化合物[以全氫聚矽氮烷為主成分之塗層材(Clariant Japan公司製，Aquamica NL110-20)]，以120℃加熱1分鐘，於PET膜上形成，厚度150nm之層之包含全氫聚矽氮烷之聚矽氮烷層。
接著，對所得聚矽氮烷層之表面，使用電漿離子植入裝置，以下述條件，將氬(Ar)電漿離子植入，形成阻氣層，而製作阻氣膜A。
用於形成阻氣層之電漿離子植入裝置及離子植入條件，表示如下。
(電漿離子植入裝置)
RF電源：日本電子公司製，型號「RF」56000
高電壓脈衝電源：栗田製作所公司製，「PV-3-HSHV-0835」
(電漿離子植入條件)
電漿生成氣體：Ar
氣體流量：100sccm
Duty比：0.5%
施加電壓：-6kV
RF電源：頻率13.56MHz，施加電力1000W
腔體內壓：0.2Pa
脈衝寬：5μsec
處理時間(離子植入時間)：200秒
作為基材膜B，使用聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)(三菱樹脂公司製，Diafoil K205-6E，厚度6μm)之外，以與上述同樣地，製作阻氣膜B。
再者，(阻氣膜B的厚度)/(阻氣膜A的厚度)之值為0.24。
(3)接合層之基材膜A之拉張彈性模數
將使用於接合層的基材膜A之樹脂膜及其拉張彈性模數表示如下。
樹脂膜1：PET膜(三菱樹脂公司製，商品名：Diafoil K100-2.0W，厚度2μm，23℃之拉張彈性模數，3300MPa)
樹脂膜2：環烯烴系樹脂膜(JSR公司製，商品名：Arton，厚度5μm，23℃之拉張彈性模數，4300MPa)
樹脂膜3：聚碸系樹脂膜(BASF公司製，商品名：ULTRASON S3030，厚度2μm，23℃之拉張彈性模數，2400MPa)
樹脂膜4；聚碸系樹脂膜(BASF公司製，商品名：ULTRASON S3030，厚度5μm，23℃之拉張彈性模數，2400MPa)
再者，於23℃之拉張彈性模數，係使用拉張試驗機(Orientec公司製，TENSILON RTA-100)遵照JIS K7127測定。
(實施例1)
於厚度38μm的PET膜的一面，設矽酮剝離層而成之剝離膜(Lintec公司製，SP-PET381031)之剝離層表面，藉由缺角輪直接塗層法塗佈黏著劑組成物A，將所得塗膜以100℃乾燥1分鐘，得到具有厚度2μm之黏著劑層之附有黏著劑層之剝離膜A。
將附有黏著劑層之剝離膜A之黏著劑層面與樹脂膜1黏合，接著，使另1片附有黏著劑層之剝離膜A之黏著劑層面黏合，得到接合層形成用層積體A。
將接合層形成用層積體A的1片剝離膜剝離，使露出之黏著 劑層面與以上述方法製作之阻氣膜A的阻氣層面黏合，接著，將另一片剝離膜剝離，使露出之黏著劑層與阻氣膜B的阻氣層面黏合，製作阻氣膜層積體A。
(實施例2)
在於實施例1，取代樹脂膜1而使用樹脂膜2作為接合層的基材膜之外，以與實施例1同樣地製作阻氣膜層積體B。
(比較例1)
於上述剝離膜(Lintec公司製，SP-PET381031)之剝離層表面，藉由缺角輪直接塗層法塗佈黏著劑組成物A，將所得塗膜以100℃乾燥1分鐘，得到具有厚度6μm之黏著劑層之附有黏著劑層之剝離膜B。
接著，將阻氣膜A之阻氣層面與附有黏著劑層之剝離膜B的黏著劑層面黏合之後，將剝離膜剝離。
其次，使露出的黏著劑層面，與阻氣膜B之阻氣層面黏合，製作不具有基材膜A之阻氣膜層積體C。
(比較例2)
在於比較例1，將黏著劑層的厚度變更為10μm得到附有黏著劑層之剝離膜C，使用此之外，以與比較例1同樣地，製作不具有基材膜A之阻氣膜層積體D。
(比較例3)
在於實施例1，取代樹脂膜1使用樹脂膜3作為接合層的基材膜之外，以與實施例1同樣地製作阻氣膜層積體E。
(比較例4)
在於實施例1，取代樹脂膜1使用樹脂膜4作為接合層的基 材膜之外，以與實施例1同樣地製作阻氣膜層積體F。
(黏著力試驗)
對使用於實施例及比較例之附有黏著劑層之剝離膜A~C，使黏著劑層面與聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(三菱樹脂公司製，PET25T-100，厚度25μm)黏合，將此，裁切成寬度25mm長度250mm的大小，得到試驗用黏著膜。
由上述方法所得之試驗用黏著膜，將剝離膜剝離，使露出之黏著劑層面與阻氣膜A之阻氣層面黏合，以2kg的輥輪來回1次，得到試驗片。由黏貼24小時之後，遵照JIS Z0237，以剝離速度300mm/min，測定180°之黏著力(N/25mm)。
將測定結果示於第1表。
(耐折彎性試驗)
將實施例1、2及比較例1~4所得之阻氣膜層積體A~F，使阻氣膜A成為外側地將中央部分折彎，將層壓裝置(Fujipla公司製，「LAMIPACKER LPC1502」)之2支輥輪間，以層壓速度5m/min、壓力0.18MPa、溫度23℃的條件通過之後，藉由目視觀察阻氣膜層積體。評估標準，表示如下。
○：於阻氣膜層積體沒有看到浮起。
×：阻氣膜層積體上可看到浮起。
將評估結果示於第1表。
[第1表]
由第1表，可知如下。
以實施例1、2所得之阻氣膜層積體A、B，耐折彎性優良。
另一方面，如比較例1、2所示，僅使用黏著劑層作為接合層時，無關其厚度，耐折彎性差。
此外，以比較例3、4所示，使用於23℃之張彈性模數未滿3000MPa的合成樹脂所組成之基材膜時，耐折彎性差。
1、1a、1b‧‧‧基材膜B
2、2a、2b‧‧‧阻氣層
3‧‧‧基材膜A
4、4a、4b‧‧‧黏著劑層
5、5a、5b‧‧‧剝離膜
10、10a、10b‧‧‧附有黏著劑之剝離膜
20‧‧‧接合層
20'‧‧‧接合層形成用層積體
30、30a、30b‧‧‧阻氣膜
100A、100B‧‧‧阻氣膜層積體

Claims (12)

  1. 一種阻氣膜層積體，至少將2片阻氣膜，經由接合層層積，其特徵在於：上述接合層，係由在23℃之引張彈性模數為3000~10000MPa之合成樹脂所組成之基材膜A的兩面，分別鄰接層積黏著劑層，其中層積於上述接合層之一方的面的阻氣膜，厚度較層積於該接合層之另一方的面之阻氣膜小。
  2. 根據申請專利範圍第1項之阻氣膜層積體，其中上述基材膜A的厚度為0.5~25μm。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之阻氣膜層積體，其中上述基材膜A的兩面的黏著劑層的厚度，分別為0.5~25μm。
  4. 根據申請專利範圍第1項之阻氣膜層積體，其中上述黏著劑層對上述阻氣膜之180°拉剝黏著力．遵照JIS Z0237(2000)測定，為2.0N/25mm以上。
  5. 根據申請專利範圍第1項之阻氣膜層積體，其中上述接合層的厚度為75μm以下。
  6. 根據申請專利範圍第1項之阻氣膜層積體，其中(層積於上述接合層之一方的面的阻氣膜的厚度)/(層積於上述接合層之另一方的面的阻氣膜的厚度)之值為0.05~1.0。
  7. 根據申請專利範圍第1項之阻氣膜層積體，其中上述阻氣膜的至少1片，係具有基材膜B，及設於該基材膜B上之至少1層阻氣層者。
  8. 根據申請專利範圍第7項之阻氣膜層積體，其中上述阻氣 層係於高分子矽化合物所組成之層注入離子所形成之層。
  9. 根據申請專利範圍第7項之阻氣膜層積體，其中上述阻氣膜，係該阻氣層與上述接合層鄰接層積而成。
  10. 根據申請專利範圍第1項之阻氣膜層積體，其中厚度為100μm以下。
  11. 一種電子裝置用元件，由上述申請專利範圍第1項之阻氣膜層積體所構成。
  12. 一種電子裝置，包括上述申請專利範圍第11項之電子裝置用元件。
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