TWI671162B - 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統 - Google Patents

拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI671162B
TWI671162B TW104133737A TW104133737A TWI671162B TW I671162 B TWI671162 B TW I671162B TW 104133737 A TW104133737 A TW 104133737A TW 104133737 A TW104133737 A TW 104133737A TW I671162 B TWI671162 B TW I671162B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polishing
polymer material
features
micro
polymer
Prior art date
Application number
TW104133737A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201622894A (zh
Inventor
帕逖邦德拉納格Ｂ
克利許南卡錫拉曼
瑞特法德丹尼爾
巴札拉吉菲
派瑞羅素艾德華
敏克葛利格瑞Ｅ
瑞德可佛瑞德Ｃ
奧利拉馬韓卓Ｃ
馮傑森Ｇ
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201622894A publication Critical patent/TW201622894A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI671162B publication Critical patent/TWI671162B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10—Processes of additive manufacturing
    • B29C64/106—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material
    • B29C64/112—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using individual droplets, e.g. from jetting heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/001—Manufacture of flexible abrasive materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y30/00—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y70/00—Materials specially adapted for additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/06—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts
    • B29K2105/16—Fillers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0037—Other properties
    • B29K2995/007—Hardness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/736—Grinding or polishing equipment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

拋光物製造系統包含進料段以及捲取段以及列印段與固化段，捲取段包含供應輥而用於化學機械拋光處理，拋光物設置於供應輥上，列印段包含複數個列印頭，該等列印頭設置於進料段與捲取段之間，且固化段設置於進料段與捲取段之間，固化段包含熱固化元件以及電磁固化元件之一者或兩者。

Description

拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統
所揭露的內容之實施例一般而言係關於用於基板或晶圓的化學機械拋光之裝置與方法，更具體地，係關於拋光物製造系統以及關於用於化學機械拋光的拋光物或拋光墊之製造方法。
在基板上之積體電路以及其他電子元件的製造中，導體、半導體，以及介電材料的多層被沉積於基板上或從基板的特徵側移除。將這些材料連續沉積在基板上與從基板移除可能使特徵側成為非平面而需要平坦化處理(一般稱之為拋光)，其中先前所沉積之材料會從基板的特徵側移除以形成一般地均勻、平坦或水平的表面。這種處理對移除不期望的表面形貌與表面缺陷(例如粗糙表面、附聚材料、晶格損壞和劃傷)是有用的。拋光處理對藉由移除用以填平特徵的過量的沉積材料而在基板上形成特徵亦是有用的，且藉以提供用於後續沉積與處理的均勻或水平表面。
一種拋光處理被稱之為化學機械拋光(CMP)，其中基板被置於在基板支架組件中且可控地推 壓安裝於移動式壓盤組件的拋光介質。拋光介質通常為拋光物或拋光墊。支架組件提供相對於移動式壓盤的旋轉運動且材料的移除係藉由基板的特徵側與拋光介質之間的化學活性、機械研磨或化學活性與機械研磨之組合而完成。
然而，拋光處理導致拋光介質的拋光表面會被「打光」或平滑化，其將減少薄膜移除速率。拋光介質的表面接著被「粗糙化」或經調節成恢復拋光表面，其強化局部流體輸送且改良移除率。傳統上在將兩個晶圓拋光之間或在將晶圓拋光的同時，會以塗覆有磨料(例如微米級的工業用鑽石)的調節圓盤來執行調節作用。調節圓盤旋轉並按壓介質表面且機械地切割拋光介質的表面。然而，當施加於調節圓盤的旋轉與/或向下力受控制時，該切割的動作相對地沒有章法，且磨料可能未均勻地切割拋光表面，這會產生橫跨於拋光介質的拋光表面的表面粗糙度的梯度。當調節圓盤的切割動作未適當地控制時，介質的壽命可能縮短。再者，調節圓盤的切割動作有時會在拋光表面產生大的凹凸，以及墊碎片。縱使這些凹凸有益於拋光處理(在拋光期間凹凸會脫離)，其卻會產生會在基板上產生缺陷的(伴隨來自於切割動作的)碎片。
執行於拋光物的拋光表面上的許多其他的方法與系統已被執行以試圖提供拋光表面的均勻的調節。然而，元件與系統的控制(例如切割、向下力或其他指標)仍不盡如人意且可能因拋光介質本身的性質而受挫。舉例 而言，例如墊介質的硬度與/或密度等性質可能為非均勻的，其將導致對拋光表面的一些部分相對於其他部分的更積極的調節。
因此，需要具有促進均勻拋光與調節的性質的拋光物。
所揭露的內容之實施例一般而言係關於用於基板或晶圓的化學機械拋光之裝置與方法，更具體地，係關於拋光物製造系統以及關於用於化學機械拋光的拋光物或拋光墊之製造方法。
在一個實施例中，拋光物製造系統包括：一進料段與一捲取段，該捲取段包含一供應輥，該供應輥具有一拋光物而用於化學機械拋光處理，該拋光物設置於該供應輥上；一列印段；該列印段包含複數個列印頭，該等列印頭設置於該進料段與該捲取段之間；及一固化段，該固化段設置於該進料段與該捲取段之間，該固化段包含一熱固化元件和一電磁固化元件的一者或兩者。
在另一個實施例中，提供一種拋光物且該拋光物包括：一複合墊體，該複合墊體包含：複數個拋光特徵，該等拋光特徵形成一拋光表面以及一或更多個基特徵，其中該等複數個拋光特徵由一第一材料形成；該等基特徵由一第二材料形成，其中該等一或更多個基特徵包圍該等複數個拋光特徵以形成一單一主體且該第一材料具有一硬度，該硬度大於該第二材料的一硬度。
在另一個實施例中，提供一種用於化學機械拋光處理的替換的供應輥，該供應輥包括：一桿件，該桿件具有一拋光物，該拋光物纏繞於該桿件上。該拋光物包含：一複合墊體，該複合墊體包含：複數個拋光特徵，該等特徵形成一拋光表面，其中該等複數個拋光特徵由一第一材料形成；以及一或更多個基特徵，該等基特徵由一第二材料形成，其中該等一或更多個基特徵包圍該等複數個拋光特徵以形成一單一主體且該第一材料具有一硬度，該硬度大於該第二材料的一硬度。
102‧‧‧工廠接口
104‧‧‧裝載機器人
106‧‧‧拋光模組
108‧‧‧控制器
110‧‧‧中央處理單元(CPU)
112‧‧‧記憶體
114‧‧‧基板/支援電路
121‧‧‧基板
122‧‧‧基板
123‧‧‧拋光物
132‧‧‧壓盤組件
134‧‧‧旋轉料架
136‧‧‧轉移站
140‧‧‧基座
142‧‧‧輸入緩衝器
144‧‧‧輸出緩衝器
146‧‧‧轉移機器人/支援電路
148‧‧‧裝載杯組件
150‧‧‧手臂
152‧‧‧承載頭
154‧‧‧流體噴嘴
204‧‧‧上部引導部件
205‧‧‧下部引導部件
206‧‧‧供應組件
208‧‧‧捲取組件
212‧‧‧能量源
214‧‧‧上部引導部件
215‧‧‧電磁能量
216‧‧‧下部引導部件
218‧‧‧側壁
220‧‧‧光學感測元件
221‧‧‧上部表面
222‧‧‧馬達
224‧‧‧馬達
226‧‧‧背襯襯墊組件
228‧‧‧致動器
230‧‧‧壓盤
232‧‧‧真空系統
234‧‧‧通道
236‧‧‧盤件
238‧‧‧子襯墊
240‧‧‧子板件
242‧‧‧開孔
244‧‧‧真空源
251‧‧‧圖案化表面
252‧‧‧捲取輥
254‧‧‧供應輥
255‧‧‧桿件
260‧‧‧頂表面
300A‧‧‧墊製造系統
300B‧‧‧墊製造系統
302‧‧‧進料段
304‧‧‧列印段
306‧‧‧固化段
308‧‧‧墊捲繞段
310‧‧‧輸送帶
311‧‧‧控制器
312‧‧‧網件
314‧‧‧輥件
315‧‧‧驅動馬達
316‧‧‧供應輥
317‧‧‧背襯材料
318‧‧‧進料輥
319‧‧‧黏著劑
320‧‧‧控制元件
322‧‧‧預處理元件
324‧‧‧列印站
325‧‧‧材料源
326‧‧‧噴嘴
327‧‧‧列印頭
328‧‧‧圖案化表面
330‧‧‧可移動平台
332‧‧‧運動控制元件
333‧‧‧固化元件
334‧‧‧外殼
336‧‧‧雷射源
338‧‧‧電子束發射器
340‧‧‧捲取輥
342‧‧‧運動控制元件
344‧‧‧預處理段
346‧‧‧插槽/晶粒塗佈機
348‧‧‧固化站
350‧‧‧固化站
352‧‧‧熱固化元件
400‧‧‧支撐座
405‧‧‧拋光層
410‧‧‧滴液
415‧‧‧滴液噴射列印器
420A‧‧‧膜層
420B‧‧‧膜層
422‧‧‧膜層
425‧‧‧固化材料
430A‧‧‧列印頭
430B‧‧‧列印頭
430‧‧‧子層
432‧‧‧磚片
435‧‧‧噴嘴
445‧‧‧磨料顆粒/顆粒
450‧‧‧結構
455‧‧‧溝槽
500‧‧‧拋光物
505‧‧‧拋光表面
515‧‧‧第一材料
519‧‧‧黏著劑
520‧‧‧第二材料
522‧‧‧背襯材料
530‧‧‧溝槽
532‧‧‧磚片
536‧‧‧透明部分
570‧‧‧拋光材料
600‧‧‧拋光物
602‧‧‧複合墊主體
604‧‧‧硬質特徵
605‧‧‧拋光表面
606‧‧‧彈性特徵
630‧‧‧溝槽
632‧‧‧磚片
635‧‧‧橫向溝槽/溝槽
636‧‧‧透明部分
670‧‧‧拋光材料
700‧‧‧拋光物
705‧‧‧拋光表面
710‧‧‧第一材料
712‧‧‧第二材料
732‧‧‧孔隙
736‧‧‧側部
800‧‧‧拋光物
802‧‧‧複合墊主體/基材層
804‧‧‧硬質特徵
805‧‧‧軟材料
806‧‧‧凸起特徵
808‧‧‧上表面/外表面
818‧‧‧溝槽
900‧‧‧拋光墊
902‧‧‧複合墊主體
904‧‧‧硬質特徵
906‧‧‧彈性特徵
910‧‧‧觀察窗
1000‧‧‧拋光墊
1002‧‧‧表面特徵
1004‧‧‧基底材料層
1006‧‧‧背襯層
1100‧‧‧拋光物
1102‧‧‧複合墊體
1104‧‧‧背襯層
1106‧‧‧外緣區/邊緣區域
1108‧‧‧內緣區/邊緣區域
1110‧‧‧中央區域
1202‧‧‧表面特徵
1204‧‧‧表面特徵
1206‧‧‧基底材料層
1208‧‧‧基底材料層
1210‧‧‧鎖定層
藉由參照所附圖式中繪示之本發明的一些例示實施例，可瞭解簡短總結於上文且在下文更詳細論述之本發明的實施例。但是，應注意到，所附圖式只例示本發明之一般實施例且因此不視為限制本發明之範圍，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖是範例性化學機械拋光模組的平面視圖。
第2圖是第1圖的模組的範例性處理站的剖面視圖。
第3A圖是卷對卷墊製造系統的一個實施例的示意性等角視圖。
第3B圖是卷對卷墊製造系統的其他的實施例的示意性側視圖。
第4A圖是被用於第3A圖的墊製造系統或第3B圖的墊製造系統的3D列印站的一個實施例的示意性剖面視圖。
第4B圖是被用於第3A圖的墊製造系統或第3B圖的墊製造系統的3D列印站的一個實施例的示意性剖面視圖。
第5A圖是拋光物組件的一個實施例的俯視圖。
第5B圖是第5A圖所示之拋光物組件之一部分的放大等角視圖。
第6A圖是拋光物組件的其他的實施例的俯視圖。
第6B圖是第6A圖所示之拋光物組件之一部分的放大等角視圖。
第7A圖是拋光物組件的其他的實施例的俯視圖。
第7B圖是第6A圖所示之拋光物組件之一部分的放大等角視圖。
第8圖是根據本揭露內容的其他的實施例的拋光物的示意性透視剖面視圖。
第9圖是具有觀察窗的拋光物的其他的實施例的示意性透視剖面視圖。
第10圖是包含背襯層的拋光物的其他的實施例的示意性剖面視圖。
第11圖是具有多個區域的拋光物的其他的實施例的示意性剖面視圖。
第12圖是第11圖的拋光物的局部的放大剖面視圖。
為了促進瞭解，已經在任何可能的地方使用相同的參考數字來表示圖式中共用的相同元件。可瞭解到，一實施例的元件與特徵可有利地併入在其他實施例中，而不用另外詳述。
第1圖繪示出拋光模組106的平面視圖，拋光模組106是位於美國加州聖克拉拉市的應用材料公司所製造的化學機械拋光機-REFLEXION®-之一部分。在此所述的實施例可用於這個拋光系統。然而，所屬技術領域之技術人員可有利地適當修改在此所教示與所述的實施例以將其應用於由其他製造者所製之使用拋光材料(且特別是使用卷形式的拋光材料)的其他化學機械拋光機。
拋光模組106一般包含裝載機器人104、控制器108、轉移站136、複數個處理或拋光站(例如支撐複數個拋光或承載頭152(僅一個示於第1圖中)的壓盤組件132、基座140以及旋轉料架134)。一般而言，裝載機器人104設置成鄰近於拋光模組106與工廠接口102(未示)以促進基板122在其間之轉移。
轉移站136一般包含轉移機器人146、輸入緩衝器142、輸出緩衝器144以及裝載杯組件148。輸入緩 衝器站142從裝載機器人104接收基板122。轉移機器人146將基板122從輸入緩衝器站142移動且移動至裝載杯組件148，在裝載杯組件148中基板122被轉移至承載頭152。
如上所述為促進拋光模組106的控制，控制器108包含中央處理單元(CPU)110、支援電路114與記憶體112。CPU 110可被用於工業設定，工業設定係用來控制不同拋光器、驅動器、機器人以及子處理器的任何型式的電腦處理器之一者。記憶體112耦接於CPU 110。記憶體112(或電腦可讀媒體)可為容易取得的記憶體(諸如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟，或任何其他形式的(區域性或遠程性)數位儲存)之一或更多者。支援電路114耦接於CPU 110以用於以習知方式支援處理器。這些電路包含快取、電源、時序電路、輸入/輸出電路、子系統等。
一般而言，旋轉料架134具有複數個手臂150，該等手臂150每一者支撐承載頭152之一者。手臂150之兩者繪示於第1圖中且以虛線示出，使得設置於壓盤組件132一者上的轉移站與平坦化或拋光物123可被看見。旋轉料架134可轉位使得承載頭152在壓盤組件132與轉移站136之間移動。
典型地，藉由將保留在承載頭152的基板122相對於受支撐在壓盤組件132上的拋光物123移動，化學機械拋光處理會在每一個壓盤組件132處執行。拋光物 123可具有平緩表面、織紋表面、含磨料的表面，或它們的組合。再者，拋光物123可前進而橫跨或相對地固定至拋光表面。典型地，拋光物123藉由真空、機械夾具或藉由其他固定方法而被可釋放地固定至壓盤組件132。
拋光物123的實施例可包含根據在此所述的實施例而由三維(3D)列印處理所產生的聚合材料。拋光物123可包含奈米尺寸的特徵(例如具有約10奈米至約200奈米大小的聚合物基質內的粒子與/或離散區或域)。拋光處理可利用包含磨料顆粒且被流體噴嘴154傳送至墊表面的漿料來輔助拋光基板122。流體噴嘴154可在所示的方向上旋轉而如所示旋轉至不與壓盤組件132接觸的位置，或至壓盤組件132之每一者上方的位置。
在此所述的3D列印包含(但不限於)PolyJet的沉積、噴墨印刷、熔融沉積建模、粘結劑噴射、粉末床融合、選擇性雷射燒結、立體微影術、光聚合固化技術數位光處理、片材層疊、定向能量沉積，以及上述外其他的3D沉積或印刷處理。
第2圖繪示出壓盤組件132與範例性供應組件206與捲取組件208的側視圖，其繪示出橫跨壓盤230的拋光物123的位置。一般地，供應組件206包含設置於壓盤組件132的側壁218之間的供應輥254、上部引導部件204與下部引導部件205。拋光物123可繞著桿件255纏繞，其中桿件255可為管狀構件或銷釘。一般地，捲取組件208包含設置於側壁218之間的捲取輥252、上部引導 部件214以及下部引導部件216之所有者。捲取輥252一般包含拋光物123的經使用的部分且被配置以便一旦捲取輥252由經使用的拋光物123所填滿，其可容易地以空的捲取輥加以替換。上部引導部件214經定位用以將拋光物123從壓盤230引導至下部引導部件216。下部引導部件216將拋光物123引導至捲取輥252上。壓盤組件132亦可包含光學感測元件220(例如雷射)，光學感測元件220適於接收與傳送光學信號以在基板上的平坦化或拋光處理中以端點偵測。
供應輥254一般包含拋光物123的未使用部分且被配置以便一旦設置於供應輥254上的拋光物123已由拋光或平坦化處理消耗，供應輥254可容易地以其他包含新拋光物123的供應輥254加以替換。在一些實施例中，能量源212可經定位以將電磁能量215朝向設置於供應輥254與捲取輥252之間的拋光物123的上部表面221供應。電磁能量215可為光束或能量流的形式且可被用以與拋光物123的上部表面221的離散區域選擇性地交互作用(即消融和/或熱)。電磁能量215可為電子束或一些電子束、雷射光束或一些雷射光束，以及其組合。電磁能量215可被用以在拋光處理之前、過程中或之後調節拋光物123的上部表面221。在一些實施例中，電磁能量215被用以在拋光期間調節拋光物123的上部表面221以調整拋光處理。
拋光物123的上部表面221一般被配置成可控地促進拋光物123以X方向橫跨背襯襯墊組件226。拋光物123一般藉由平衡馬達222(耦接至供應組件206)及馬達224(耦接至捲取組件208)之間的力而相對於壓盤230移動。棘輪機制和/或煞車系統(未示)可耦接至供應組件206與捲取組件208的之一者或兩者以將拋光物123相對於背襯襯墊組件226而固定。壓盤230可被可操作地耦接至旋轉致動器228，旋轉致動器228將壓盤組件132繞一旋轉軸旋轉，該旋轉軸一般垂直於X與/或Y方向。真空系統232可耦接於致動器228與背襯襯墊組件226之間。真空系統232可被用以將拋光物123之位置固定至壓盤230上。真空系統232可包含形成在盤件236內的通道234，盤件236設置於背襯襯墊組件226下方。背襯襯墊組件226可包含子襯墊238與子板件240，其中之每一者具有開孔242，開孔242被形成通過子襯墊238與子板件240且與通道234與真空源244流體相通。子襯墊238一般為塑膠(例如聚碳酸酯或發泡聚氨酯)。一般而言，子襯墊238的硬度或硬度計可被選擇以產生特別的拋光結果。子襯墊238一般將拋光物123的上部表面221保持在與基板平面(未示)平行的平面以提升基板的全區域的平坦化程度。子板件240位於子襯墊238上且位於壓盤230的上方使得子襯墊238的上部表面一般而言被保持與壓盤230的頂表面260平行。
第3A圖為用於準備可用於第2圖之壓盤組件132的拋光物123的墊製造系統300A的一個實施例的示意性等角視圖。在一個實施例中，墊製造系統300A一般包含進料段302、列印段304、固化段306以及墊捲繞段308。墊製造系統300A亦包含輸送帶310，輸送帶310包含設置於至少兩個輥件314之間的網件312。輥件314之一者或兩者可耦接至驅動馬達315，驅動馬達315將輥件314與/或網件312以指示為A的箭頭所繪示的方向旋轉。進料段302、列印段304、固化段306以及墊捲繞段308可被可操作地耦接至控制器311。輸送帶310可被可操作地由控制器311連續地移動或間歇性地移動。
進料段302可包含供應輥316，供應輥316可操作地耦接至輸送帶310。供應輥316可為背襯材料317(例如聚合物材料，例如，雙軸取向的聚對苯二甲酸乙酯(BOPET)材料)。供應輥316可被設置於進料輥318上，進料輥318受馬達控制元件320所驅動或控制。馬達控制元件320可為馬達與/或包含煞車系統，煞車系統將預定的張力提供於供應輥316上，使得供應輥316的退繞速度由驅動馬達315與/或網件312所驅動。進料段302亦可包含預處理元件322。於列印段304進行列印之前，預處理元件322可配置成將塗層噴灑於或另提供於背襯材料317上。在一些實施例中，於列印段304進行列印之前，預處理元件322可被利用以將背襯材料317加熱。
列印段304包含設置於進料段302下游的3D列印站324。列印段304利用一或更多個列印頭327以將圖案化表面328提供於背襯材料317上。列印段304可包含耦接至運動控制元件332的可移動平台330，運動控制元件332可被利用以將列印頭327相對於背襯材料317與網件312而移動。
列印頭327可耦接至具有列印材料的材料源325，列印材料可被用以形成圖案化表面328。列印材料可包含聚合物材料如聚氨酯、聚碳酸酯、含氟聚合物、聚四氟乙烯(PTFE)、PTFA、聚苯硫醚(PPS)，或它們的組合。範例還包括聚乙烯醇、果膠、聚乙烯吡咯烷酮、羥乙基纖維素、甲基纖維素、羥丙甲纖維素(hydropropylmethylcellulose)、羧甲基纖維素、羥丙基纖維素、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚乙二醇、聚羥基醚丙烯酸酯(polyhydroxyetheracrylites)、澱粉、馬來酸共聚物、聚環氧乙烷、聚氨酯以及它們的組合。
在一個實施例中，聚合材料可被當作基材料而沉積在背襯材料317上。所形成的聚合材料可包含一個開細孔或閉合細孔的聚氨酯材料，並且可以包括散佈於其中的奈米級的顆粒。粒子可包含有機奈米粒子。在一個實施例中，奈米粒子可包含分子或元素環和/或奈米結構。範例包含碳(C)同素異形體，如碳奈米管和其它結構，分子碳環具有五鍵(五邊形)、六鍵(六邊形)，或超過六鍵。其它實例包括富勒烯狀超分子。在另一個實施方案 中，奈米尺度顆粒可以是一種陶瓷材料、氧化鋁、玻璃(例如，二氧化矽(SiO2))，以及它們的組合或衍生物。在另一個實施方案中，奈米尺度顆粒可以包括金屬氧化物(如鈦(IV)氧化物或二氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(IV)、氧化或二氧化鋯(ZrO2)，它們的組合及它們的衍生物在內的其它氧化物)。
由列印頭327所形成的圖案化表面328可包含複合基材，例如聚合物基質，其可以從氨基甲酸乙酯、蜜胺、聚酯、聚碸、聚醋酸乙烯酯、氟代烴，和類似物，以及它們的混合物、共聚物和它們的移植物形成。在一個實施例中，聚合物基質包含聚氨酯聚合物，聚氨酯聚合物可從一個聚醚基液體聚氨酯形成。液體聚氨酯可以與多官能胺、二胺、三胺或多官能羥基化合物或混合的功能的化合物(如氨基甲酸酯/脲的交聯組合物的羥基/胺，其在固化時形成脲鏈接和一個交聯的聚合物網絡)加以反應。
固化段306包含可設置於外殼334內或上的固化元件333。外殼334設置於網件312上方使得在背襯材料317上的網件312與圖案化表面328可在外殼334下方通過。固化元件333可為熱烤箱、紫外(UV)光發射器，或其組合。在一個實施例中，固化元件333可包含雷射源336與電子束發射器338之一或兩者，雷射源336與電子束發射器338可被用以將由列印頭327所沉積的材料加以固化而形成圖案化表面328。在一些實施例中，當使用電子束發射器時，墊製造系統300A可位於外殼中，其中 在外殼中壓力可被控制。雷射源336與電子束發射器338可單獨或與熱或UV能量結合而被使用。在一些實施例中，雷射源336與電子束發射器338可被用於圓點固化處理中，在圓點固化處理中圖案化表面328之特定部分被瞄準。藉由雷射源336或電子束發射器338之圓點瞄準可將圖案化表面328的離散區域加熱以產生離散區域的表面，其可比周圍部分較硬或可壓縮性較小。雷射源336亦可被用以將圖案化表面328之部分加以燒蝕以在該部分產生細緻的紋理。
墊捲繞段308包含捲取輥340，在捲取輥340中拋光物123可被纏繞。捲取輥340可從墊製造系統300A移除以在第2圖的壓盤組件132中被使用作為供應輥254。在製造期間，捲取輥340可耦接於運動控制元件342。運動控制元件342可為馬達與/或包含控制捲取輥340的纏繞速度的煞車系統。
第3B圖為墊製造系統300B的其他的實施例的示意性側視圖。墊製造系統300B包含具有進料段302的輸送帶310、列印段304、固化段306及墊捲繞段308，墊製造系統300B可相似於第3A圖的墊製造系統300A。然而，墊製造系統300B包含供應輥316，供應輥316可控地鬆綁網件312，網件312將輸送帶310移動至捲取輥340。網件312可為相似於第3A圖所述之背襯材料317的背襯材料。網件312的運動與輸送帶310以及捲取輥340可由運動控制元件與控制器所控制，運動控制 元件與控制器相似於第3A圖所述的墊製造系統300A且為求簡潔第3B圖中省略相關描述。
墊製造系統300B包含可選的預處理段344，預處理段344位於進料段302與列印段304之間。預處理段344可被用以在網件312上形成黏著層或釋放層。可替換地，黏著或釋放層可使用3D列印站324而被形成於列印段304上。當使用預處理段344時，插槽/晶粒塗佈機346可被用以將一層或多層沉積於網件312上。額外地，固化站348(使用UV光或加熱元件)可被用以將由插槽/晶粒塗佈機346所沉積的材料加以固化。
在這個實施例中，3D列印站324包含一陣列的列印頭327。列印頭327可被用以可選地在網件312上形成黏著或釋放層並且用以在網件312上形成圖案化表面328。在一個範例中，列印頭327的多個列與欄可橫跨輸送帶310的寬度以及輸送帶310長度的之一部分。在一些實施例中，一或更多個列印頭327可相對於輸送帶310移動。列印頭327會耦接於第3A圖所述之材料源325。
固化段306可包含可選的電磁能量源350與熱固化元件352之一者或兩者。電磁能量源350可為第3A圖所述的雷射源或電子束發射器之一或其組合。熱固化元件352可為烤箱或UV光陣列。
墊捲繞段308包含捲取輥340，在捲取輥340中拋光物123可被纏繞。捲取輥340可從墊製造系統 300A中移除以在第2圖之壓盤組件132中被用以作為供應輥254。
第4A圖為可被用於第3A圖的墊製造系統300A或第3B圖的墊製造系統300B的3D列印站324的一個實施例的示意性剖面視圖。第4A圖示出使用3D列印處理所製造的拋光物123的一個實施例的一部分。3D列印提供用於產生拋光物的方便且高度可控的處理，其中磨料嵌埋於拋光物的拋光層內的特定區域內。拋光物123可被列印於支撐座400上，支撐座400可為第3A圖之背襯材料317或第3B圖之網件312。
提到第4A圖，至少拋光物123的拋光層405係使用3D列印處理製造。在製造處理中，當支撐座被沿著A所指的箭頭(沿X方向)移動時，材料的薄層逐步沉積且逐步融合於支撐座400上。例如，墊前驅物材料(來自於第3A圖的材料源325)的滴液410可被從滴液噴射列印器415的噴嘴326噴射出以形成複數個膜層420A、420B以及422。膜層可形成固化材料425，固化材料425包含能將其他層連續沉積於其上的墊前驅物材料。滴液噴射列印器415可相似於噴墨列印器，但滴液噴射列印器415使用墊前驅物材料而非墨水。在製造期間，當支撐座400連續地或斷斷續續地在X方向上移動時，噴嘴326可在X或Y方向之一者或兩者中改變。
在一個範例中，第一個膜層420A可藉由將滴液410噴射於支撐座400上而被沉積。在固化之後，隨後 的膜層(例如膜層420B與422(介於其之間的其他層為求簡潔而未示))可被沉積於第一個膜層420A上。在每一層固化後，新的膜層接著被沉積於前一個沉積的膜層上直到製造出全三維拋光層405為止。可藉由聚合作用來完成固化作用。例如，墊前驅物材料的膜層可為單體，且單體可藉由UV固化或藉由加熱來進行原位(in-situ)聚合。墊前驅物材料可被有效地且隨著沉積立即地固化，或墊前驅物材料的整層可被沉積且接著該層可同時被固化。
每一層可由噴嘴326以一圖案方式供應，該圖案存於3D圖式電腦程式中，3D圖式電腦程式被提供於控制器311上。420A、420B與422之每一層的厚度可少於拋光層405的50%或全部。在一個實施例中，420A、420B與422之每一層的厚度可少於拋光層405整體厚度的10%(例如少於5%(例如約少於拋光層405整體厚度的1%))。在一個實施例中，每一層的厚度可包含約30微米至約60微米或更少的厚度(例如為奈米級數(例如1至100奈米))，以及甚至至微微尺寸(picoscale)維度(例如微微(10-12)米)。
支撐座400可為剛性的基座，或者一個可撓性薄膜(例如一層聚四氟乙烯(PTFE))。倘若支撐座400為薄膜，則支撐座400可形成拋光物123之一部分。例如，支撐座400可為背襯材料317或為背襯材料317與拋光層405之間的一層。可替換地，拋光層405可從支撐座400移除且膜層420A與420B可形成背襯層材料。
在一些實施例中，磨料顆粒可分散在墊前驅物材料的滴液410中。在膜層形成期間，磨料顆粒可局部地分散進入拋光層405。磨料顆粒的局部分散有助於將結塊最小化。在一些實施例中，磨料顆粒可與液體熱固性聚合物前驅物預先混合。熱固性聚合物前驅物和磨料顆粒的混合物的連續攪拌可防止顆粒的結塊，類似於用於將在噴墨列印器中使用的墨水顏料均勻化的相似的裝置。此外，混合物的連續攪拌確保了前驅物材料中的磨料顆粒的相當均勻的分佈。這樣可導致通過拋光層的顆粒的更均勻的分佈，如此可改善拋光的均勻性且亦可助於防止結塊。
預先混合的混合物可從單一噴嘴(例如，噴嘴326)根據特定的圖案的方式加以分配。例如，預先混合混合物可以被均勻地分配以產生一種均勻的拋光層405，其中嵌埋於拋光層405中的磨料顆粒均勻地分佈於整個拋光層405的厚度。
第4B圖是可用於第3A圖的墊製造系統300A或第3B圖的墊製造系統300B的一個三維列印站324的一個實施的一個示意性的剖面視圖。在第4B圖中圖示了使用3D列印處理之拋光物123的其他的實施例的一部分的剖面視圖。基於來自CAD程式的指令，拋光物123由滴液噴射列印器415形成而包含由溝槽455分開的複數個結構450。結構450與溝槽455可形成拋光層405。子層430亦可隨拋光物123而由滴液噴射列印器415形成。子層430可為背襯材料317(示於第3A圖中)。例 如，子層430與拋光層405可由滴液噴射列印器415的不中斷的操作所製造。藉由使用不同前驅物與/或不同數量的固化作用(例如不同強度或照射時間的UV輻射)而提供相較於拋光層405具有不同硬度的子層430。在其他實施例中，子層430由習知處理所製造且接著固定於拋光層405。例如，拋光層405可藉由薄黏著層(例如壓力感測黏著劑)固定至子層430。
在第4B圖中，具有噴嘴435的列印頭430A可被用以分配純液體熱固性聚合物的前驅物，而具有噴嘴435的列印頭430B可被用於具有磨料顆粒445包含在其中的液體熱固性聚合物前驅物或熔融熱塑性塑膠。磨料顆粒445可以僅分配在選定的拋光物123上的位置。這些選定的位置共同地形成所需的磨料顆粒的印刷圖案，並且可以被存儲為CAD兼容的文件，CAD兼容的文件接著由電子控制器讀取(如，控制器311)，電子控制器會控制滴液噴射列印器415。電子控制信號接著發送給滴液噴射列印器415以在僅當噴嘴435被移動至由CAD兼容文件所指定的位置時，分配預先混合的混合物。顆粒445的例子可以包括成孔劑，例如聚乙二醇(PEG)、聚環氧乙烷(PEO)、中空粒子/微球((在約5奈米至約50微米的尺寸)，例如，明膠、脫乙酰殼多醣、氮化矽、聚甲基丙烯酸甲酯)；中孔奈米顆粒、羧甲基纖維素(CMC)、大孔的水凝膠和乳液的微球。可替換地，榨取技術可以由作為共致孔劑的鹽微粒(NaCl)和PEG的組合所使用。
可替換地，磨料顆粒445可以與熔融的熱塑性塑膠預混合而非使用液體熱固性聚合物的前驅物。在本實施例中，與磨料顆粒445混合的混合物在被攪拌之前亦連續地被分配。當根據所需的列印圖案而將混合物從液滴噴射列印器415分配出後，該混合物的熔融部分冷卻並凝固，且磨料顆粒445被鎖定在適當位置。混合物的連續攪動確保前驅物材料中的磨料顆粒445能相當均勻的分佈。這可導致顆粒445的更均勻的分佈通過拋光層，這可改善拋光的均勻性，也可以盡量減少結塊。
類似於使用液體熱固性聚合物前驅物的例子，熱塑性混合物可以被均勻地分配以產生橫跨整個拋光層405的磨料顆粒445的均勻分佈。可替換地，含有研磨顆粒的熱塑性混合物可以根據所需的磨料顆粒445的印刷圖案(該圖案存儲為一個CAD兼容的文件且由用於驅動液滴噴射列印器415的電子控制器所讀取)而僅分配於拋光層405的選定的位置。
研磨顆粒可直接以粉末形式從列印頭430B的噴嘴435分配而不是從耦接至列印頭430B的噴嘴435以懸浮液分注磨料顆粒，而列印頭430A的噴嘴435被用來分配墊聚合物前驅物。在一個實施例中，聚合物前驅物是在磨料顆粒445被分配到所沉積的聚合物材料之前分配，且隨後將該混合物固化。
雖然使用研磨顆粒445(例如，氧化鋁、二氧化鈰，以及其他成分)的3D列印來建構拋光物123是特 別有用的(研磨顆粒445當處在以往建構的拋光物時容易集聚)，3D列印也可以用於分配和摻入其它拋光顆粒與拋光物123。因此，併入拋光物123中的磨料顆粒可以包括二氧化矽、陶瓷的氧化物、金屬和硬聚合物。
液滴噴射列印器415可以沉積顆粒445，顆粒445是實心或具有中空芯的顆粒445。液滴噴射列印器415也可以分配不同類型的顆粒，其中的一些可以在CMP處理期間就歷經化學反應以在拋光物123的一膜層或多個膜層上產生所需的變化並與正被拋光的基板產生化學反應。使用於CMP處理的化學反應的範例包含的發生於pH值為10~14的鹼性pH範圍內的化學處理，其涉及製造漿料所使用的氫氧化鉀、氫氧化銨和其它專有化學處理之一或更多者。發生於pH值為2~5的酸性pH範圍內的化學處理涉及有機酸(如乙酸)，檸檬酸也可用於CMP處理。涉及過氧化氫的氧化反應亦可是使用於CMP處理的化學反應的範例。磨料顆粒445也可以被用來提供機械研磨功能。顆粒445可具有1毫米或更小(例如10微米或更小(例如1微米或更小))的尺寸。顆粒445可具有不同的形態，例如，顆粒445可以是圓形的、細長的或有刻面的。
該3D列印方法使實現於拋光層405的圖案具嚴密的容差且使因逐層列印方法而嵌埋於拋光層405內的磨料顆粒445的分佈具高容差。
拋光物
第5A和5B圖描繪了可使用於第2圖的壓盤組件132上的拋光物500的一個實施例。拋光物500的拋光表面505包括複數個條帶或磚片532，條帶或磚片532形成第3A和3B圖中的圖案化表面328。磚片532由形成在或通過拋光材料570的溝槽530所分開。拋光材料570可被黏著到載體膜(例如背襯材料522)。在一個實施例中，至少拋光表面505可由第3A~4B圖中所述之3D列印處理所製造。拋光表面505可藉由合適的黏著劑319而被結合到背襯材料522，黏著劑319係被選擇為耐CMP處理中使用的化學和物理成分。在一些實施例中，背襯材料522和黏著劑319之一者或兩者可藉由如第3A~4B圖所描述的3D列印處理而被製造。
藉由在拋光材料570中形成深度小於拋光材料570的厚度的溝槽530，複數個磚片532之每一者可連接到另一磚片532。溝槽530的深度為可選的以使拋光材料570具可撓性且同時保持拋光材料570的完整性。在第5A和5B圖所描繪的實施例中，溝槽530和磚片532大致平行於橫跨機器的方向，即橫向於供給和捲取輥的方向。溝槽530形成通道，通道可加強漿料保持且強化漿料輸送到基板表面。溝槽530亦被用來打破拋光材料570的表面張力，可增加拋光材料570的柔韌性以促進拋光物500從供應輥卸下且附上捲取輥。
在第5A圖所示的實施例中，磚片532基本上是矩形並且基本上為背襯材料522的橫跨機器寬度的方 向的長度。其它實施例亦可被理解，例如兩個大致呈矩形的磚片532，其所形成的長度基本上為背襯材料522的橫跨機器的寬度的一半。在一個實施例中，磚片532可被形成為使得拋光物500被製造而具有對光或電磁輻射呈透明的透明部分536。透明部分536可沿著拋光物500(在機器方向上)的長度而被形成。背襯材料522(其亦對光學感測元件220(第2圖所示)所發射的光或電磁輻射呈透明)可被使用以促進端點偵測。磚片532的寬度(即，基本上垂直於長度的維度)可以被形成為任何尺寸。作為一個例子，磚片532可具有約1英寸或者更小的寬度。
在一些實施例中，拋光材料570包括複合材料，諸如設置於第二材料520內的第一材料515。在一個實施例中，第二材料520可以是聚合物基體且第一材料515可以是混合在第二材料520中的微元素。微元素可以是聚合物材料、金屬材料、陶瓷材料，或它們的組合。微元素的至少之一部分的平均直徑為可以是約10奈米(縱使可使用大於或小於10奈米的直徑)。微元素的平均直徑可以基本相同或可以改變(具有不同尺寸或混合不同尺寸)，並且可以根據需求而浸漬在聚合物基質中。微元素之每一者可以約0.1微米至約100微米的平均距離間隔開。微元素可基本上在整個聚合物基體材料均勻地分佈。
當與第二材料520相比時，第一材料515可以對電磁能量(如來自能量源212的一或多個能量束(在第2圖所示))具有不同的反應性。不同反應性可以被使 用以在拋光表面505上形成微紋理。第一材料515與第二材料520之間的不同反應性可提供：第一材料515將以比第二材料520更大的速率來燒蝕，或反之亦然。聚合物微元素可以是微米尺寸或奈米尺寸的材料，該材料在拋光物500的拋光表面505內形成微米尺寸或奈米尺寸維度。微元素之每一者可包含少於約150微米至10微米或更少的平均直徑。
圖6A和6B描繪了可使用在第2圖的壓盤組件132的拋光物600的其他的實施例。拋光物600具有拋光表面605，拋光表面605形成第3A和3B圖中的圖案化表面328。拋光表面605包括複數個條帶或磚片632，複數個條帶或磚片632由相鄰的橫向的溝槽630所分離，溝槽630形成於或通過拋光材料670且黏著到背襯材料522。在本實施例中，拋光材料570包含複數個顆粒445(如第4B圖所述)混合在其中。藉由將溝槽630之每一者形成在拋光材料670內而使溝槽630深度為小於拋光材料670的厚度之深度，所述多個條帶或磚片632之每一者可以彼此連接。溝槽630的深度可被選擇以使拋光材料670具可撓性同時保持完整性。可替代地，拋光材料670可以表現出彈性或其它機械屬性的係數，以促進滾動形式的運動，輥形式的運動避免了對背襯材料522的需求。在這個實施例中，複數個磚片432可能由多個溝槽所形成且以無黏著劑319和背襯材料522的輥形式加以使用。作為另一替代方案，可形成拋光材料570使得溝槽630形成分 開的或離散的磚片632，且拋光材料570藉由合適的黏著劑519結合至背襯材料522。在所示的實施例中，拋光物600具有相應的橫向溝槽635，藉增加溝槽635以輔助漿料的保持以及輔助漿料輸送至基板，並提高拋光物600的可撓性。
磚片632可以是任何形狀和尺寸，以促進有效地拋光。在一個實施例中，可形成磚片632使得拋光物600經製造而具有光或電磁輻射透明部分636。透明部分636可以沿著(在機器方向的)長度形成拋光物600。背襯材料522(其亦對光學感測元件220(第2圖所示)所發射的光或電磁輻射呈透明)可被使用以促進端點偵測。
第7A和7B圖描繪了可使用於第2圖的壓盤組件132上的拋光物700的其他的實施例。拋光物700具有拋光表面705，拋光表面705形成第3A和3B圖中的圖案化表面328。拋光表面705包括形成於拋光材料570內的複數個孔隙732。拋光材料570可藉由合適的黏著劑519而被結合到背襯材料522，其中黏著劑519係被選擇為耐CMP處理中使用的化學和物理成分。在拋光物123內的孔隙732是大致圓形或橢圓形的形狀，但可以包括其它的環形幾何形狀(例如圓錐或中空截錐體(即介於基本上平行的平面之間的圓錐體))。正如在其他實施例中，側部736可以是透明的以允許藉由光學感測元件220(第2圖)監測基板。
在一個實施例中，孔隙732可以是中空的(即，空的空間)其經尺寸調整和/或間隔開以增強拋光物700的漿料保留以及輔助拋光物700的滾動。在一個實施例中，孔隙732可以至少部分地被第一材料710填充，第一材料710不同於拋光材料570(第二材料712)。相較於第二材料712，第一材料710可對固化方法有不同的反應性的聚合物材料。例如，第二材料712可以是對UV能量可固化的，而第一材料710並不受UV能量顯著影響。然而，在一個實施例中，第一材料710可以被熱固化。在一個實施例中，所述拋光物700可以使用第一材料710和第二材料712而差異性地固化。在一個差異性固化的範例中，拋光物700的第一材料710和第二材料712可以不固化第一材料710的UV能量進行固化。這可能使第二材料712比第一材料710更硬，這可以增加拋光物700的可壓縮性和/或可撓性因為第一材料710比第二材料712更黏稠。
在一個實施例中，第一材料710經熱固化以使具有第一材料710在其中的孔隙732更硬，但比第二材料712更軟且更有可壓縮性。在另一個實施例中，在第一在孔隙732中的第一材料710由在基板拋光處理期間的摩擦所產生的熱加以熱固化。在這個實施例中，第一材料710可以被固化成比所述第二材料712更硬因此在拋光表面705上形成比周圍的第二材料712更硬的區域。
在其它實施例中，當與第二材料712相比時，第一材料710可以對電磁能量(如來自能量源212的一或多個能量束(在第2圖所示))具有不同的反應性。不同反應性可以被使用以在拋光表面705上形成微紋理。第一材料710與第二材料712之間的不同反應性可提供：第一材料710將以比第二材料712更大的速率來燒蝕，或反之亦然。孔隙732可以是微米尺寸或奈米尺寸的材料，該材料在拋光物700的拋光表面705內形成微米尺寸或奈米尺寸維度。在一個實施例中，孔隙732可包含少於約150微米至10微米或更少的平均直徑。
在拋光物123、500、600或700的上述實施例中，背襯材料317或522是塑料材料(如聚酯薄膜)，例如雙軸取向的聚對苯二甲酸乙酯或聚對苯二甲酸乙酯物料，其可由3D列印處理或作為在3D列印處理的基體材料來形成。可以提供厚度約為0.002英寸(50.8微米)到大約0.012英寸(304.8微米)(例如約0.004英寸(101.6微米))的背襯材料317或522。圖案化表面328和拋光材料570、670或770可以是硬度在約20~80(肖氏D標度)的硬度範圍內的聚合物材料。在一個實施方案中，拋光物123的厚度介於約0.019英寸(482.6微米)至約0.060英寸(1524微米)之間。
第8圖是可被當作第2圖的壓盤組件132上的拋光物123來使用的拋光物800的示意性透視剖面視圖。拋光物800包含一種複合墊主體802，複合墊主體 802可以是從與硬質特徵804相互混合的軟材料所形成的基材層。複合墊主體802可由3D列印來形成。複數個凸起特徵806可以包括軟材料805的一或更多層，其至少局部地圍繞硬質特徵804。在一個實施例中，硬質特徵804可具有約40(肖氏D標度)至約90(肖氏D標度)的硬度。軟材料805以及複合墊主體802的其餘部分可具有約26(肖氏A尺度)至約95(肖氏A尺度)之間的硬度量值。
所述的複合墊主體802包含多個層，每一層包含可以由3D列印器所沉積的用於軟材料805的第一材料的區域和用於硬質特徵804的第二材料的區域。所述多個層可接著被固化，例如藉由UV光，由熱源，或電磁能量加以固化並達到期望的硬度。在沉積和固化之後，硬質特徵804和軟材料805被接合在一起以形成一個整體的複合墊主體802。
軟材料805可從具有較低的硬度值和具有較低的楊氏係數的值的第一材料來形成，而硬質特徵804可以從具有較高的硬度值和較高的楊氏係數的值的第二材料來形成。
硬質特徵804可以由聚合物材料來形成，例如，聚氨酯、丙烯酸酯、環氧、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚醚酰亞胺、聚酰胺、三聚氰胺、聚酯、聚砜、聚醋酸乙烯酯、氟代烴，和類似物及其混合物、共聚物和移植物。在一個實施例中，硬質特徵可以從一個模 擬塑料3D列印材料來形成，例如聚醚酮(PEEK)、聚苯砜(PPS)、聚甲醛(POM)，和類似物。硬質特徵也可以由前驅物材料和/或聚氨酯來提供，且可被改造成為多個硬質特徵。在一個實施例中，磨料顆粒可以被嵌埋於硬質特徵604中以提高拋光。磨料顆粒可以是金屬氧化物，如氧化鈰、氧化鋁、二氧化矽，或它們的組合、聚合物、介金屬或陶瓷。
軟材料805可以由彈性體材料形成，例如，彈性體聚氨酯。在一個實施例中，軟材料805可以由橡膠狀3D列印材料形成，例如聚丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯、EPDM，和類似物。彈性特徵，也可以由前驅物材料和/或聚氨酯來提供，且可以被改造為橡膠狀以提供彈性的特性。
在一個實施例中，凸起特徵806可以線性圖案、為同心環的矩形圖案，或以線圖案呈現。溝槽818形成於凸起特徵806之間。在拋光期間，凸起特徵806的上表面808形成接觸基板的圖案化表面251，而溝槽818則保有拋光液。
在一個實施例中，凸起特徵806的寬度可以是約250微米至約2毫米。凸起特徵806之間的間距可為約0.5毫米到約5毫米。每個凸起特徵806可具有約250微米至約2毫米的寬度，並且可包括相同的間距，或者寬度和/或可以隨橫跨拋光物800的半徑的方式加以變化以提供不同硬度的區域的一種間距。
與其他拋光物相比，本揭露內容的複合拋光物800具有幾個優勢。傳統拋光物一般而言包括拋光層，拋光層具有具紋理的拋光表面和/或研磨材料，研磨材料由從軟質材料(諸如泡沫)所形成的子墊加以支撐，以獲得所需的拋光基板的硬度或楊氏係數。藉由選擇各種不同楊氏係數的材料、藉由調整特徵的尺寸，或藉由以使用3D列印來改變不同特徵的配置，可在複合墊主體802中實現所希望的硬度或楊氏係數而無需使用子墊。因此，拋光物800藉由消除子墊而減少擁有的子墊的成本。此外，拋光物800的硬度和磨損可藉由混合具有不同硬度和耐磨性的特徵來調整，因而改善拋光性能。
根據本揭露內容，藉由圖案變化和/或特徵尺寸的變化，複合拋光物可具有橫跨整個表面特徵(如硬質特徵604，和基底材料(如軟材料805))的可變的楊氏係數。橫跨整個拋光墊的楊氏係數可以是對稱的或是非對稱的、均勻的或不均勻的，以實現所需的性能。凸起特徵806的圖案根據實現所需性質可以是徑向的、同心的、矩形的，或隨機的。
凸起特徵806的外表面808由聚合物材料所形成，聚合物材料比硬特性804更軟或更具彈性。在一個實施例中，凸起特徵806的外表面808可以由與基材層802相同的材料所形成。在一些實施例中，凸起特徵806包括嵌入其中的硬質特徵804。嵌埋的硬質特徵804提供拋光所需的硬度和剛性。外表面808的軟聚合物層可以減 少正被拋光的基板上的缺陷和提高正被拋光的基板上的平坦化。或者，軟聚合物材料可被列印在本揭露內容的其它拋光墊的表面上以提供同樣的好處。
第9圖是具有一個類似於第5A圖中描述的電磁輻射透明部分536的觀察窗910的拋光墊900的一個示意性透視剖面視圖。所述拋光墊900可被用作第2圖的壓盤組件132上的拋光物1223以及用作此所述的拋光墊的其他實施例。一種複合墊主體902包含一個或多個硬質特徵904和一個或多個彈性特徵906。硬質特徵604和彈性特徵606為在邊界連接在一起的離散特徵，用以形成複合墊主體602且可包含與軟材料805和硬質特徵804相關之上述材料。
將拋光墊900可以包括從彈性特徵906延伸的一個或多個彈性特徵906和複數個硬質特徵904。在一個實施例中，硬質特徵904可以具有約40肖氏D標度至約90肖氏D標度之硬度。彈性功能906可能有在大約26肖氏A標度與約95肖氏A之間的硬度值。根據本揭露內容，硬質特徵904可被佈置在任何合適的圖案。
觀察窗910可以由透明材料形成以對待拋光的基板進行監測。該觀察窗910可透過彈性部件906或硬質特徵904來形成。在一個實施例中，觀察窗910可以由透明3D列印光聚合物來形成。在一個實施例中，觀察窗910可以由紫外線可透過的聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸 酯、聚醚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)來形成。
第10圖是包含背襯層1006的拋光物600的一個示意性剖面視圖。拋光墊1000可以被用作第2圖的壓盤組件132上的拋光物1223以及被用作在此所述的其他實施例的拋光墊。所述拋光墊1000包含從基底材料層1004突出的一個基底材料層1004和複數個表面特徵1002。拋光墊1000可以是類似於如上所述之拋光物500、600、700、800或900，除具有附連到基材層1004的背襯層1006。背襯層1006可以提供對拋光物1000的可壓縮性。在一個實施例中背襯層1006可具有小於80肖氏A標度的硬度值。
在一個實施例中，所述背襯層1006可以由開孔泡沫或閉孔泡沫(如聚氨酯或帶有空隙聚矽酮)來形成，從而在壓力下，孔隙會坍塌且背襯層1006會壓縮。在另一個實施方案中，背襯層1006可以由天然橡膠、乙烯丙烯二烯單體(EPDM)橡膠、腈，或者聚氯丁二烯(氯丁橡膠)來形成。
第11圖是具有多個區域的拋光物1100的示意性剖面視圖。在拋光期間，拋光物1100可被設計為在接觸基板121的中心區域的區域中具有(相較於與基板121的周邊部分接觸的區域的屬性)不同的屬性。第11圖示意性示出相對於所述拋光物1100而將基板121加以定位的承載頭152。在一個實施例中，拋光物1100可以 包括設置在背襯層1104上的複合墊體1102。複合墊體1102可由3D列印處理加以製造。如第11圖所示，拋光墊1100可以被劃分成一個外緣區1106，沿其半徑的內緣區1108，和一個中央區域1110。在拋光期間，外緣區1106和內緣區1108接觸基板114的邊緣區域，而在拋光期間，中央區域1110接觸基板114的中央區域。
將拋光墊1100具有在邊緣區域1106、1108的(與中心區域1110相比)不同的係數以提升邊緣拋光品質。在一個實施例中，邊緣區域1106、1108可以具有(相較於中央區域1110)較低的楊氏係數。
第12圖是第11圖的拋光物1100的部放大剖面視圖，示出用於邊緣區域1106和內緣區1108的範例性設計。邊緣區域1106包含一個基底材料層1206和複數個表面特徵1202。表面特徵1204可由比基底材料層1206更硬的材料來形成。內緣區1108包含基底材料層1208和複數個表面特徵1204。所述表面特徵1202可以由比基底材料層1208更硬的材料來形成。在一個實施例中，中心區域1108可以包括基底材料層1208下的鎖定層1210。鎖定層1210可由硬材料來形成。複數個表面特徵1204可以被列印在鎖定層1210上以提高穩定性。如第12圖所示，內緣區1108內的表面特徵1202在尺寸上大於在外緣區1106內的表面特徵1204。在一個實施例中，在邊緣區域1106內的表面特徵1204的間距可以小於內緣區1108內的表面特徵1202的間距。
雖然前述揭露關於本發明之範例性實施例，應理解在不脫離本發明如下述申請專利範圍所定義出之基本範圍的情況下，亦可設計其他及進一步實施例。

Claims (25)

  1. 一種拋光物製造系統，包括：一進料段與一墊捲繞段，該進料段包含一供應輥，該供應輥具有設置於其上的一背襯材料；一列印段；該列印段包含複數個列印頭，該等列印頭設置於該進料段與該墊捲繞段之間；及一固化段，該固化段設置於該列印段下游的該進料段與該墊捲繞段之間，該固化段包含一熱固化元件和一電磁固化元件的一者或兩者，其中該系統在該背襯材料上製造一拋光物，該拋光物包含一複合墊體，該複合墊體包含複數個拋光特徵與一或更多個聚合物基特徵，該等複數個拋光特徵由一溝槽分開且由一第一聚合物材料所形成，且該等一或更多個聚合物基特徵由一第二聚合物材料所形成。
  2. 如請求項1所述之系統，其中該等列印頭之每一者包含一或更多個噴嘴。
  3. 如請求項1所述之系統，其中該第一聚合物材料與該第二聚合物材料相比具有對電磁能量的一不同的反應性。
  4. 如請求項1所述之系統，其中該第二聚合物材料是一聚合物基質且該第一聚合物材料包括複數個微元素，該等微元素分散在該第一聚合物材料中。
  5. 如請求項4所述之系統，其中該等微元素之一部分更包括一金屬材料、一陶瓷材料，或它們的組合。
  6. 如請求項4所述之系統，其中該等微元素之每一者包括一平均直徑，該平均直徑為150微米至10微米，或更小。
  7. 一種拋光物，包括：一複合墊體，包含：複數個拋光特徵，該等拋光特徵形成一拋光表面，其中該等複數個拋光特徵由一第一聚合物材料所形成且該等複數個拋光特徵之每一者由一溝槽分開；以及一或更多個基特徵，該等基特徵由一第二聚合物材料所形成，其中該等一或更多個基特徵包圍該等複數個拋光特徵以形成一單一主體且該第一聚合物材料具有一硬度，該硬度大於該第二聚合物材料的一硬度。
  8. 如請求項7所述之拋光物，其中該第一聚合物材料與該第二聚合物材料相比具有對電磁能量的一不同的反應性。
  9. 如請求項7所述之拋光物，其中該第二聚合物材料是一聚合物基質且該第一聚合物材料包括複數個微元素，該等微元素分散在該第一聚合物材料中。
  10. 如請求項9所述之拋光物，其中該等微元素之一部分更包括一金屬材料、一陶瓷材料，或它們的組合。
  11. 如請求項9所述之拋光物，其中該等微元素之每一者包括一平均直徑，該平均直徑為150微米至10微米，或更小。
  12. 如請求項7所述之拋光物，其中該複合墊體設置在一基薄膜上。
  13. 如請求項12所述之拋光物，其中該基薄膜對電磁能量是呈透明的。
  14. 一種用於一化學機械拋光處理的替換的供應輥，包括：一桿件，該桿件具有一拋光物，該拋光物纏繞於該桿件上，該拋光物包含：一複合墊體，該複合墊體包含：複數個拋光特徵，該等拋光特徵形成一拋光表面，其中該等複數個拋光特徵由一第一聚合物材料所形成且該等複數個拋光特徵之每一者由一溝槽分開；以及一或更多個基特徵，該等基特徵由一第二聚合物材料形成，其中該等一或更多個基特徵包圍該等複數個拋光特徵以形成一單一主體且該第一聚合物材料具有一硬度，該硬度大於該第二聚合物材料的一硬度。
  15. 如請求項14所述之供應輥，其中該第一聚合物材料與該第二聚合物材料相比具有對電磁能量的一不同的反應性。
  16. 如請求項14所述之供應輥，其中該第二聚合物材料是一聚合物基質且該第一聚合物材料包括複數個微元素，該等微元素分散在該第一聚合物材料中。
  17. 如請求項16所述之供應輥，其中該等微元素之一部分更包括一金屬材料、一陶瓷材料，或它們的組合。
  18. 如請求項16所述之供應輥，其中該等微元素之每一者包括一平均直徑，該平均直徑為150微米至10微米，或更小。
  19. 如請求項14所述之供應輥，其中該複合墊體設置在一基薄膜上，該基薄膜對電磁能量是呈透明的。
  20. 一種拋光物，該拋光物包含：一複合墊體，該複合墊體包含：一基底材料層；以及複數個拋光特徵，該等複數個拋光特徵從該基底材料層延伸且形成一拋光表面，其中該等複數個拋光特徵包含一第一聚合物材料，該第一聚合物材料具有一硬度，該硬度大於包含一第二聚合物材料的該基底材料層的一硬度，且該等複數個拋光特徵之每一者由一溝槽分開。
  21. 如請求項20所述之拋光物，其中該第一聚合物材料與該第二聚合物材料相比具有對電磁能量的一不同的反應性。
  22. 如請求項20所述之拋光物，其中該第二聚合物材料是一聚合物基質且該第一聚合物材料包括複數個微元素，該等微元素分散在該第一聚合物材料中。
  23. 如請求項22所述之拋光物，其中該等微元素之一部分更包括一金屬材料、一陶瓷材料，或它們的組合。
  24. 如請求項22所述之拋光物，其中該等微元素之每一者包括一平均直徑，該平均直徑為150微米至10微米，或更小。
  25. 如請求項20所述之拋光物，其中該等拋光特徵的一間距隨橫跨該複合墊體的一半徑的方式加以變化。
TW104133737A 2014-10-17 2015-10-14 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統 TWI671162B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462065533P 2014-10-17 2014-10-17
US62/065,533 2014-10-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201622894A TW201622894A (zh) 2016-07-01
TWI671162B true TWI671162B (zh) 2019-09-11

Family

ID=55747131

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110140000A TWI788070B (zh) 2014-10-17 2015-10-14 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統
TW104133737A TWI671162B (zh) 2014-10-17 2015-10-14 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統
TW108128180A TWI748222B (zh) 2014-10-17 2015-10-14 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110140000A TWI788070B (zh) 2014-10-17 2015-10-14 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108128180A TWI748222B (zh) 2014-10-17 2015-10-14 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統

Country Status (8)

Country Link
US (3) US9776361B2 (zh)
EP (2) EP4276885A1 (zh)
JP (1) JP6760930B2 (zh)
KR (3) KR102598725B1 (zh)
CN (2) CN110238752B (zh)
SG (2) SG11201702959YA (zh)
TW (3) TWI788070B (zh)
WO (1) WO2016060857A1 (zh)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10066082B2 (en) 2014-10-16 2018-09-04 Ricoh Company, Ltd. Three-dimensional object producing method
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) * 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN106853610B (zh) * 2015-12-08 2019-11-01 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 抛光垫及其监测方法和监测系统
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
WO2017139766A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Impossible Objects, LLC Method and apparatus for automated composite-based additive manufacturing
SG11201906131WA (en) * 2017-01-20 2019-08-27 Applied Materials Inc A thin plastic polishing article for cmp applications
US20180304539A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus
US11471999B2 (en) * 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) * 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
EP3691901A1 (en) 2017-10-02 2020-08-12 Basf Se Uv curable compositions with controlled mechanical and chemical properties, methods, and articles therefrom
WO2019152222A1 (en) 2018-02-05 2019-08-08 Applied Materials, Inc. Piezo-electric end-pointing for 3d printed cmp pads
DE102018109528A1 (de) * 2018-04-20 2019-10-24 Rhodius Schleifwerkzeuge Gmbh & Co. Kg Abrasive Scheibe für handgeführte Werkzeugmaschinen mit unterschiedlichen Arbeitsbereichen
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US20200230781A1 (en) * 2019-01-23 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto
CN109999687B (zh) * 2019-04-29 2024-06-28 南京融诚智汇科技服务有限公司 一种添加礌石粉的除臭石生产工装
WO2021034849A1 (en) 2019-08-21 2021-02-25 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing of polishing pads
KR102293781B1 (ko) * 2019-11-11 2021-08-25 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
TWI734309B (zh) * 2019-12-19 2021-07-21 水星生醫股份有限公司 滲透性噴塗製作藥錠裝置
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
CN111136593A (zh) * 2020-01-15 2020-05-12 河南科技学院 一种具有复杂流道结构的固结研抛垫制备装置及制备方法
CN115151380A (zh) * 2020-02-25 2022-10-04 3M创新有限公司 粘合磨料制品和制造方法
DE102020113324A1 (de) * 2020-05-15 2021-11-18 Atm Qness Gmbh Labor-Tellerschleifgerät, Verfahren, Ersatzschleifscheibe und Verwendung einer Schleifscheibe
US11738517B2 (en) 2020-06-18 2023-08-29 Applied Materials, Inc. Multi dispense head alignment using image processing
US11806829B2 (en) * 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
WO2021262602A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use on soft or 3d printed pads during cmp
DE102020209521A1 (de) * 2020-07-29 2022-02-03 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Schleifartikels sowie Schleifartikel
KR20230059798A (ko) 2020-09-03 2023-05-03 바스프 에스이 반응성 폴리우레탄 엘라스토머
US11878389B2 (en) * 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
US11951590B2 (en) 2021-06-14 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Polishing pads with interconnected pores
CN118369617A (zh) 2021-12-08 2024-07-19 巴斯夫欧洲公司 具有高热变形温度的可光固化树脂
CN115319603A (zh) * 2022-10-13 2022-11-11 南通优普塑料制品有限公司 一种便于复合塑料生产的塑料制品生产台

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6213845B1 (en) * 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
KR20080038607A (ko) * 2006-10-30 2008-05-07 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｐ 장비의 폴리싱패드와 이의 제조장치
US20130283700A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Rajeev Bajaj Printed Chemical Mechanical Polishing Pad

Family Cites Families (665)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2001911A (en) * 1932-04-21 1935-05-21 Carborundum Co Abrasive articles
US3357598A (en) 1965-09-21 1967-12-12 Dole Valve Co Adjustable liquid dispenser
US3741116A (en) 1970-06-25 1973-06-26 American Screen Process Equip Vacuum belt
US4459779A (en) 1982-09-16 1984-07-17 International Business Machines Corporation Fixed abrasive grinding media
US4575330A (en) 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
US4836832A (en) 1986-08-11 1989-06-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of preparing coated abrasive having radiation curable binder
US4841680A (en) 1987-08-25 1989-06-27 Rodel, Inc. Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing
US4942001A (en) 1988-03-02 1990-07-17 Inc. DeSoto Method of forming a three-dimensional object by stereolithography and composition therefore
DE3808951A1 (de) 1988-03-17 1989-10-05 Basf Ag Photopolymerisierbare, zur herstellung von druckformen geeignete druckplatte
US4844144A (en) 1988-08-08 1989-07-04 Desoto, Inc. Investment casting utilizing patterns produced by stereolithography
JPH07102724B2 (ja) 1988-08-31 1995-11-08 ジューキ株式会社 印字装置
US5121329A (en) 1989-10-30 1992-06-09 Stratasys, Inc. Apparatus and method for creating three-dimensional objects
US5387380A (en) 1989-12-08 1995-02-07 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional printing techniques
DE3942859A1 (de) 1989-12-23 1991-07-04 Basf Ag Verfahren zur herstellung von bauteilen
US5626919A (en) 1990-03-01 1997-05-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solid imaging apparatus and method with coating station
US5096530A (en) 1990-06-28 1992-03-17 3D Systems, Inc. Resin film recoating method and apparatus
JP2929779B2 (ja) 1991-02-15 1999-08-03 トヨタ自動車株式会社 炭素被膜付撥水ガラス
EP0520393B1 (en) 1991-06-25 1996-11-27 EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) Photographic element containing stress absorbing protective layer
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5193316A (en) 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
US5287663A (en) 1992-01-21 1994-02-22 National Semiconductor Corporation Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers
US5178646A (en) 1992-01-22 1993-01-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coatable thermally curable binder presursor solutions modified with a reactive diluent, abrasive articles incorporating same, and methods of making said abrasive articles
US6022264A (en) * 1997-02-10 2000-02-08 Rodel Inc. Polishing pad and methods relating thereto
US6099394A (en) 1998-02-10 2000-08-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6746225B1 (en) 1992-11-30 2004-06-08 Bechtel Bwtx Idaho, Llc Rapid solidification processing system for producing molds, dies and related tooling
BR9307667A (pt) 1992-12-17 1999-08-31 Minnesota Mining & Mfg Suspensão apropriada para uso na produção de artigos abrasivos, abrasivo revestido, e, processo para fabricar um abrasivo revestido
US5453151A (en) 1994-01-25 1995-09-26 Ciba-Geigy Corporation Resinated 2,9-dimethylquinacridone
JPH07297195A (ja) 1994-04-27 1995-11-10 Speedfam Co Ltd 半導体装置の平坦化方法及び平坦化装置
US5906863A (en) 1994-08-08 1999-05-25 Lombardi; John Methods for the preparation of reinforced three-dimensional bodies
JPH08132342A (ja) * 1994-11-08 1996-05-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造装置
KR100258802B1 (ko) 1995-02-15 2000-06-15 전주범 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
US6719818B1 (en) 1995-03-28 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5533923A (en) 1995-04-10 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity
US5645471A (en) * 1995-08-11 1997-07-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of texturing a substrate using an abrasive article having multiple abrasive natures
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
JPH0976353A (ja) 1995-09-12 1997-03-25 Toshiba Corp 光造形装置
JP3324643B2 (ja) * 1995-10-25 2002-09-17 日本電気株式会社 研磨パッド
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5905099A (en) 1995-11-06 1999-05-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Heat-activatable adhesive composition
US5609517A (en) * 1995-11-20 1997-03-11 International Business Machines Corporation Composite polishing pad
JP3566430B2 (ja) 1995-12-20 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6095084A (en) 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5778481A (en) 1996-02-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Silicon wafer cleaning and polishing pads
US5690540A (en) 1996-02-23 1997-11-25 Micron Technology, Inc. Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH09286971A (ja) 1996-04-19 1997-11-04 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーン系ダイボンディング剤、半導体装置の製造方法および半導体装置
US6090475A (en) 1996-05-24 2000-07-18 Micron Technology Inc. Polishing pad, methods of manufacturing and use
JP3498881B2 (ja) 1996-05-27 2004-02-23 セントラル硝子株式会社 撥水性ガラスの製法
US5976000A (en) * 1996-05-28 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Polishing pad with incompressible, highly soluble particles for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5748434A (en) 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
GB2316414B (en) 1996-07-31 2000-10-11 Tosoh Corp Abrasive shaped article, abrasive disc and polishing method
US5795218A (en) 1996-09-30 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Polishing pad with elongated microcolumns
US6244575B1 (en) 1996-10-02 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same
US5876490A (en) 1996-12-09 1999-03-02 International Business Machines Corporatin Polish process and slurry for planarization
KR100210840B1 (ko) 1996-12-24 1999-07-15 구본준 기계 화학적 연마 방법 및 그 장치
US5876268A (en) 1997-01-03 1999-03-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and article for the production of optical quality surfaces on glass
WO1998030356A1 (en) 1997-01-13 1998-07-16 Rodel, Inc. Polymeric polishing pad having photolithographically induced surface pattern(s) and methods relating thereto
US5965460A (en) 1997-01-29 1999-10-12 Mac Dermid, Incorporated Polyurethane composition with (meth)acrylate end groups useful in the manufacture of polishing pads
US5910471A (en) 1997-03-07 1999-06-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
EP0964772A1 (en) 1997-03-07 1999-12-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
US6231629B1 (en) 1997-03-07 2001-05-15 3M Innovative Properties Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
US5944583A (en) * 1997-03-17 1999-08-31 International Business Machines Corporation Composite polish pad for CMP
US6648733B2 (en) 1997-04-04 2003-11-18 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6062958A (en) 1997-04-04 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization
US6682402B1 (en) 1997-04-04 2004-01-27 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US5940674A (en) 1997-04-09 1999-08-17 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional product manufacture using masks
US6126532A (en) 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
WO1998047662A1 (en) 1997-04-18 1998-10-29 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US5945058A (en) 1997-05-13 1999-08-31 3D Systems, Inc. Method and apparatus for identifying surface features associated with selected lamina of a three-dimensional object being stereolithographically formed
US6273806B1 (en) 1997-05-15 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6692338B1 (en) 1997-07-23 2004-02-17 Lsi Logic Corporation Through-pad drainage of slurry during chemical mechanical polishing
US6736714B2 (en) 1997-07-30 2004-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing silicon wafers
US5919082A (en) 1997-08-22 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive polishing pad
US6121143A (en) * 1997-09-19 2000-09-19 3M Innovative Properties Company Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification
US5888121A (en) 1997-09-23 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow
US5932040A (en) 1997-10-01 1999-08-03 Bibielle S.P.A. Method for producing a ring of abrasive elements from which to form a rotary brush
US6950193B1 (en) 1997-10-28 2005-09-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. System for monitoring substrate conditions
US6039836A (en) 1997-12-19 2000-03-21 Lam Research Corporation Focus rings
US6231942B1 (en) 1998-01-21 2001-05-15 Trexel, Inc. Method and apparatus for microcellular polypropylene extrusion, and polypropylene articles produced thereby
JPH11254542A (ja) 1998-03-11 1999-09-21 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置のモニタリングシステム
US6228133B1 (en) 1998-05-01 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Abrasive articles having abrasive layer bond system derived from solid, dry-coated binder precursor particles having a fusible, radiation curable component
JPH11347761A (ja) 1998-06-12 1999-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd レーザによる３次元造形装置
US6122564A (en) 1998-06-30 2000-09-19 Koch; Justin Apparatus and methods for monitoring and controlling multi-layer laser cladding
US6322728B1 (en) 1998-07-10 2001-11-27 Jeneric/Pentron, Inc. Mass production of dental restorations by solid free-form fabrication methods
US6117000A (en) 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
DE19834559A1 (de) 1998-07-31 2000-02-03 Friedrich Schiller Uni Jena Bu Verfahren zur Herstellung von Werkzeugen für die Bearbeitung von Oberflächen
JP2000061817A (ja) 1998-08-24 2000-02-29 Nikon Corp 研磨パッド
US6095902A (en) 1998-09-23 2000-08-01 Rodel Holdings, Inc. Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods
US6602380B1 (en) 1998-10-28 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine
US6325706B1 (en) 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6176992B1 (en) 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6390890B1 (en) * 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
JP3641956B2 (ja) 1998-11-30 2005-04-27 三菱住友シリコン株式会社 研磨スラリーの再生システム
US6206759B1 (en) 1998-11-30 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines
US7425250B2 (en) 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
KR100585480B1 (ko) 1999-01-21 2006-06-02 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 개선된 연마 패드 및 기판의 연마 방법
US6994607B2 (en) 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6179709B1 (en) 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
US6641463B1 (en) * 1999-02-06 2003-11-04 Beaver Creek Concepts Inc Finishing components and elements
US6612824B2 (en) * 1999-03-29 2003-09-02 Minolta Co., Ltd. Three-dimensional object molding apparatus
CN1345264A (zh) * 1999-03-30 2002-04-17 株式会社尼康 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法
US6217426B1 (en) 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
JP2000301450A (ja) 1999-04-19 2000-10-31 Rohm Co Ltd Ｃｍｐ研磨パッドおよびそれを用いたｃｍｐ処理装置
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6328634B1 (en) 1999-05-11 2001-12-11 Rodel Holdings Inc. Method of polishing
US6196899B1 (en) * 1999-06-21 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus
JP2001018163A (ja) 1999-07-06 2001-01-23 Speedfam Co Ltd 研磨用パッド
US6319108B1 (en) 1999-07-09 2001-11-20 3M Innovative Properties Company Metal bond abrasive article comprising porous ceramic abrasive composites and method of using same to abrade a workpiece
JP2001105329A (ja) 1999-08-02 2001-04-17 Ebara Corp 研磨用砥石
US6232236B1 (en) 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
US6328632B1 (en) 1999-08-31 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6257973B1 (en) 1999-11-04 2001-07-10 Norton Company Coated abrasive discs
US6201208B1 (en) 1999-11-04 2001-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates
US6399501B2 (en) 1999-12-13 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring
KR20020072548A (ko) 1999-12-14 2002-09-16 로델 홀딩스 인코포레이티드 중합체 연마 패드 또는 중합체 복합재 연마 패드의 제조방법
US6368184B1 (en) 2000-01-06 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for determining metal CMP endpoint using integrated polishing pad electrodes
US6241596B1 (en) 2000-01-14 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad
US6506097B1 (en) 2000-01-18 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Optical monitoring in a two-step chemical mechanical polishing process
WO2001053040A1 (en) 2000-01-19 2001-07-26 Rodel Holdings, Inc. Printing of polishing pads
US7071041B2 (en) 2000-01-20 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6746311B1 (en) 2000-01-24 2004-06-08 3M Innovative Properties Company Polishing pad with release layer
US6309276B1 (en) 2000-02-01 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Endpoint monitoring with polishing rate change
US6991528B2 (en) 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
WO2001064396A1 (en) 2000-02-28 2001-09-07 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad surface texture formed by solid phase droplets
KR100502268B1 (ko) 2000-03-01 2005-07-22 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 방법
US6797623B2 (en) 2000-03-09 2004-09-28 Sony Corporation Methods of producing and polishing semiconductor device and polishing apparatus
US20030207959A1 (en) 2000-03-13 2003-11-06 Eduardo Napadensky Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US8481241B2 (en) 2000-03-13 2013-07-09 Stratasys Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US7300619B2 (en) 2000-03-13 2007-11-27 Objet Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US6569373B2 (en) 2000-03-13 2003-05-27 Object Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
WO2001068322A1 (en) 2000-03-15 2001-09-20 Rodel Holdings, Inc. Window portion with an adjusted rate of wear
ES2230086T3 (es) 2000-03-24 2005-05-01 Voxeljet Technology Gmbh Metodo y aparato para fabricar una pieza estructural mediante la tecnica de deposicion multi-capa y moldeo macho fabricado con el metodo.
KR20010093677A (ko) 2000-03-29 2001-10-29 추후기재 향상된 슬러리 분배를 위하여 특수 설계된 연마 패드
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US20020058468A1 (en) 2000-05-03 2002-05-16 Eppert Stanley E. Semiconductor polishing pad
US6387289B1 (en) * 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US8485862B2 (en) 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
US6267641B1 (en) 2000-05-19 2001-07-31 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor
US6749485B1 (en) 2000-05-27 2004-06-15 Rodel Holdings, Inc. Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6860802B1 (en) 2000-05-27 2005-03-01 Rohm And Haas Electric Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6454634B1 (en) 2000-05-27 2002-09-24 Rodel Holdings Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
JP3925041B2 (ja) 2000-05-31 2007-06-06 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
DE60131080T2 (de) 2000-05-31 2008-07-31 Jsr Corp. Schleifmaterial
US6478914B1 (en) 2000-06-09 2002-11-12 Micron Technology, Inc. Method for attaching web-based polishing materials together on a polishing tool
US6656019B1 (en) 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
JP2002028849A (ja) 2000-07-17 2002-01-29 Jsr Corp 研磨パッド
US20020016139A1 (en) * 2000-07-25 2002-02-07 Kazuto Hirokawa Polishing tool and manufacturing method therefor
US6520834B1 (en) * 2000-08-09 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6776699B2 (en) * 2000-08-14 2004-08-17 3M Innovative Properties Company Abrasive pad for CMP
JP2002067171A (ja) 2000-08-25 2002-03-05 Canon Inc 目的物生成装置、目的物生成方法、及び記憶媒体
US6736869B1 (en) 2000-08-28 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates
US6592443B1 (en) 2000-08-30 2003-07-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6638831B1 (en) 2000-08-31 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Use of a reference fiducial on a semiconductor package to monitor and control a singulation method
JP3886712B2 (ja) 2000-09-08 2007-02-28 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6477926B1 (en) 2000-09-15 2002-11-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad
US6641471B1 (en) 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
WO2002026445A1 (en) 2000-09-29 2002-04-04 Strasbaugh, Inc. Polishing pad with built-in optical sensor
AU2002230607B2 (en) 2000-11-09 2006-06-29 3M Innovative Properties Company Weather resistant, ink jettable, radiation curable, fluid compositions particularly suitable for outdoor applications
JP2002151447A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Asahi Kasei Corp 研磨パッド
CN1484566A (zh) 2000-11-29 2004-03-24 皮斯洛奎斯特公司 用于化学－机械打磨的交联聚乙烯打磨垫、打磨装置和打磨方法
US6684704B1 (en) 2002-09-12 2004-02-03 Psiloquest, Inc. Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance
CN100496896C (zh) * 2000-12-01 2009-06-10 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫
JP2002200555A (ja) 2000-12-28 2002-07-16 Ebara Corp 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置
US6407669B1 (en) 2001-02-02 2002-06-18 3M Innovative Properties Company RFID tag device and method of manufacturing
GB0103754D0 (en) 2001-02-15 2001-04-04 Vantico Ltd Three-dimensional structured printing
US20020112632A1 (en) 2001-02-21 2002-08-22 Creo Ltd Method for supporting sensitive workpieces during processing
US6840843B2 (en) 2001-03-01 2005-01-11 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing a polishing pad having a compressed translucent region
US6811680B2 (en) 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7955693B2 (en) 2001-04-20 2011-06-07 Tolland Development Company, Llc Foam composition roller brush with embedded mandrel
JP2004531885A (ja) 2001-04-24 2004-10-14 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 電気化学的機械的研磨のための導電性研磨物品
US6847014B1 (en) 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US6811937B2 (en) 2001-06-21 2004-11-02 Dsm Desotech, Inc. Radiation-curable resin composition and rapid prototyping process using the same
US6544373B2 (en) * 2001-07-26 2003-04-08 United Microelectronics Corp. Polishing pad for a chemical mechanical polishing process
US6586494B2 (en) 2001-08-08 2003-07-01 Spectra Group Limited, Inc. Radiation curable inkjet composition
KR100646702B1 (ko) 2001-08-16 2006-11-17 에스케이씨 주식회사 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드
KR20030020658A (ko) 2001-09-04 2003-03-10 삼성전자주식회사 화학적물리적 연마장치의 연마패드 콘디셔닝 디스크
US6866807B2 (en) 2001-09-21 2005-03-15 Stratasys, Inc. High-precision modeling filament
KR100877389B1 (ko) * 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
JP4077192B2 (ja) 2001-11-30 2008-04-16 株式会社東芝 化学機械研磨方法および半導体装置の製造方法
US6599765B1 (en) 2001-12-12 2003-07-29 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection
US6838149B2 (en) 2001-12-13 2005-01-04 3M Innovative Properties Company Abrasive article for the deposition and polishing of a conductive material
JP2003188124A (ja) 2001-12-14 2003-07-04 Rodel Nitta Co 研磨布
EP1326273B1 (en) 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20030134581A1 (en) 2002-01-11 2003-07-17 Wang Hsing Maw Device for chemical mechanical polishing
KR100442873B1 (ko) 2002-02-28 2004-08-02 삼성전자주식회사 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법
JP2003303793A (ja) 2002-04-12 2003-10-24 Hitachi Ltd 研磨装置および半導体装置の製造方法
US6773474B2 (en) 2002-04-19 2004-08-10 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article
JP4693024B2 (ja) 2002-04-26 2011-06-01 東洋ゴム工業株式会社 研磨材
US20050194681A1 (en) 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US6815570B1 (en) 2002-05-07 2004-11-09 Uop Llc Shaped catalysts for transalkylation of aromatics for enhanced xylenes production
US6913517B2 (en) 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US20050276967A1 (en) 2002-05-23 2005-12-15 Cabot Microelectronics Corporation Surface textured microporous polishing pads
TWI250572B (en) 2002-06-03 2006-03-01 Jsr Corp Polishing pad and multi-layer polishing pad
DE10224981B4 (de) 2002-06-05 2004-08-19 Generis Gmbh Verfahren zum schichtweisen Aufbau von Modellen
JP3801100B2 (ja) 2002-06-07 2006-07-26 Ｊｓｒ株式会社 光硬化造形装置、光硬化造形方法及び光硬化造形システム
US8602851B2 (en) 2003-06-09 2013-12-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled penetration subpad
WO2003103959A1 (en) 2002-06-07 2003-12-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Controlled penetration subpad
EP1375617A1 (en) 2002-06-19 2004-01-02 3M Innovative Properties Company Radiation-curable, solvent-free and printable precursor of a pressure-sensitive adhesive
US7169014B2 (en) 2002-07-18 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces
KR101016081B1 (ko) 2002-07-26 2011-02-17 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법
TWI228768B (en) 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
KR100495404B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-14 한국포리올 주식회사 임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조방법
US7579071B2 (en) 2002-09-17 2009-08-25 Korea Polyol Co., Ltd. Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same
KR100465649B1 (ko) 2002-09-17 2005-01-13 한국포리올 주식회사 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법
US6896765B2 (en) 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US20040058623A1 (en) * 2002-09-20 2004-03-25 Lam Research Corporation Polishing media for chemical mechanical planarization (CMP)
US7311862B2 (en) 2002-10-28 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size
US7435165B2 (en) 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7267607B2 (en) 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
WO2004039531A2 (en) 2002-10-31 2004-05-13 Ehsan Toyserkani System and method for closed-loop control of laser cladding by powder injection
JP2004153193A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
DE10253445A1 (de) 2002-11-16 2004-06-03 Adam Opel Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abdichten und Aufpumpen von Reifen bei Pannen sowie Dichtmittelbehälter als auch Adapter hierfür
KR101047933B1 (ko) 2002-11-27 2011-07-11 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2004235446A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Toyobo Co Ltd 研磨パッド
JP4659338B2 (ja) * 2003-02-12 2011-03-30 Ｈｏｙａ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド
WO2004077511A2 (en) 2003-02-24 2004-09-10 The Regents Of The University Of Colorado (meth)acrylic and (meth)acrylamide monomers, polymerizable compositions, and polymers obtained
US7104773B2 (en) 2003-03-07 2006-09-12 Ricoh Printing Systems, Ltd. Three-dimensional laminating molding device
DE10310385B4 (de) 2003-03-07 2006-09-21 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Körpern mittels pulverbasierter schichtaufbauender Verfahren
JP2004281685A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の研磨用パッドおよび半導体基板の研磨方法
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US7377840B2 (en) 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
US20060189269A1 (en) 2005-02-18 2006-08-24 Roy Pradip K Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
AU2004225931A1 (en) 2003-03-25 2004-10-14 Neopad Technologies Corporation Chip customized polish pads for chemical mechanical planarization (CMP)
DE10314075B4 (de) 2003-03-28 2007-11-22 Takata-Petri (Sachsen) Gmbh Reifenfülleinrichtung und Pannenset mit einer solchen
US7044836B2 (en) 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
KR100661444B1 (ko) 2003-04-25 2006-12-27 제이에스알 가부시끼가이샤 연마 패드 및 화학 기계 연마 방법
US6783436B1 (en) 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
WO2004100242A1 (ja) 2003-05-09 2004-11-18 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Cmpプロセス用研磨液及び研磨方法
ES2376237T3 (es) 2003-05-21 2012-03-12 Z Corporation Sistema de material en polvo termopl�?stico para modelos de apariencia a partir de sistemas de impresión en 3d.
IL156094A0 (en) 2003-05-25 2003-12-23 J G Systems Inc Fixed abrasive cmp pad with built-in additives
CN1829587A (zh) 2003-06-06 2006-09-06 应用材料公司 用于电化学机械抛光的导电抛光物件
US6998166B2 (en) 2003-06-17 2006-02-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with oriented pore structure
US7435161B2 (en) 2003-06-17 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
JP4130614B2 (ja) 2003-06-18 2008-08-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7018560B2 (en) 2003-08-05 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Composition for polishing semiconductor layers
CN1802237A (zh) 2003-08-07 2006-07-12 Ppg工业俄亥俄公司 具有边缘表面处理的抛光垫片
US20050032464A1 (en) 2003-08-07 2005-02-10 Swisher Robert G. Polishing pad having edge surface treatment
CN1863645B (zh) 2003-08-08 2011-11-30 安格斯公司 用于制作浇注在可旋转基体上的整体式多孔垫的方法和材料
US7120512B2 (en) 2003-08-25 2006-10-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and a system for solid freeform fabricating using non-reactive powder
EP1661690A4 (en) 2003-08-27 2009-08-12 Fujifilm Corp METHOD FOR PRODUCING A THREE-DIMENSIONAL MODEL
KR100590202B1 (ko) 2003-08-29 2006-06-15 삼성전자주식회사 연마 패드 및 그 형성방법
JP2005074614A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Nitta Haas Inc 研磨パッドの製造方法および研磨パッド
JP2005085917A (ja) 2003-09-08 2005-03-31 Sharp Corp プラズマプロセス装置
JP2005093785A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Toshiba Corp Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
KR100640998B1 (ko) 2003-09-19 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 브라켓 구조
GB0323462D0 (en) 2003-10-07 2003-11-05 Fujifilm Electronic Imaging Providing a surface layer or structure on a substrate
US6855588B1 (en) 2003-10-07 2005-02-15 United Microelectronics Corp. Method of fabricating a double gate MOSFET device
US20050109371A1 (en) 2003-10-27 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
JP2005131732A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Ebara Corp 研磨装置
WO2005043132A1 (en) 2003-10-31 2005-05-12 Applied Materials, Inc. Polishing endpoint detection system and method using friction sensor
US20050101228A1 (en) 2003-11-10 2005-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising biodegradable polymer
US7264641B2 (en) * 2003-11-10 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising biodegradable polymer
JP2005150235A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US7125318B2 (en) 2003-11-13 2006-10-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption
JP4555559B2 (ja) 2003-11-25 2010-10-06 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布及び研磨布の製造方法
US6984163B2 (en) 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
KR100576465B1 (ko) 2003-12-01 2006-05-08 주식회사 하이닉스반도체 연마입자 함침 조성물을 이용한 연마 패드
US7186164B2 (en) 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US6843711B1 (en) 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration
US20050153634A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Cabot Microelectronics Corporation Negative poisson's ratio material-containing CMP polishing pad
US20050171224A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
US7132033B2 (en) 2004-02-27 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a layered polishing pad
US7731568B2 (en) 2004-03-11 2010-06-08 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and semiconductor device manufacturing method
US20050208234A1 (en) 2004-03-19 2005-09-22 Agfa-Gevaert Ink-jet recording material
US7195544B2 (en) 2004-03-23 2007-03-27 Cabot Microelectronics Corporation CMP porous pad with component-filled pores
US7204742B2 (en) 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
US6955588B1 (en) 2004-03-31 2005-10-18 Lam Research Corporation Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization
JP2005294661A (ja) 2004-04-02 2005-10-20 Hitachi Chem Co Ltd 研磨パッド及びそれを用いる研磨方法
JP2004243518A (ja) 2004-04-08 2004-09-02 Toshiba Corp 研摩装置
US20050227590A1 (en) 2004-04-09 2005-10-13 Chien-Min Sung Fixed abrasive tools and associated methods
TWI293266B (en) 2004-05-05 2008-02-11 Iv Technologies Co Ltd A single-layer polishing pad and a method of producing the same
US20070009606A1 (en) 2004-05-12 2007-01-11 Serdy James G Manufacturing process, such as three dimensional printing, including binding of water-soluble material followed by softening and flowing and forming films of organic-solvent-soluble material
US20050260939A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Brazed diamond dressing tool
EP1747878A4 (en) 2004-05-20 2010-10-13 Bridgestone Corp SHUTTERING DEVICE OF SEALING AGENT, METHOD FOR POURING A SEALING AGENT AND APPARATUS FOR PUMPING SEALING AGENT
US20050261150A1 (en) 2004-05-21 2005-11-24 Battelle Memorial Institute, A Part Interest Reactive fluid systems for removing deposition materials and methods for using same
US7438795B2 (en) 2004-06-10 2008-10-21 Cabot Microelectronics Corp. Electrochemical-mechanical polishing system
US7582127B2 (en) 2004-06-16 2009-09-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for a tungsten-containing substrate
US7252871B2 (en) 2004-06-16 2007-08-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a pressure relief channel
WO2005123335A1 (en) 2004-06-21 2005-12-29 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP4133945B2 (ja) 2004-06-28 2008-08-13 住友ゴム工業株式会社 タイヤのパンクシーリング剤送給、抜取り装置
WO2006003697A1 (ja) 2004-06-30 2006-01-12 Toho Engineering Kabushiki Kaisha 研磨パッドおよびその製造方法
US20060014475A1 (en) 2004-07-15 2006-01-19 Disco Corporation Grindstone tool
US7709053B2 (en) 2004-07-29 2010-05-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing of polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
WO2006020685A2 (en) 2004-08-11 2006-02-23 Cornell Research Foundation, Inc. Modular fabrication systems and methods
US7153191B2 (en) 2004-08-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods
US8075372B2 (en) 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
DE102004042911A1 (de) 2004-09-02 2006-03-09 Michael Stehle Vorrichtung zum Ausbringen von Luft- und/oder Reifendichtmittel
US20060079159A1 (en) 2004-10-08 2006-04-13 Markus Naujok Chemical mechanical polish with multi-zone abrasive-containing matrix
US20060096179A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing surface-modified abrasive particles
US7815778B2 (en) 2005-11-23 2010-10-19 Semiquest Inc. Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
WO2006057713A2 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US7846008B2 (en) 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
WO2006057720A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
CN102554766B (zh) 2004-12-10 2014-11-05 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及研磨垫的制造方法
US7059950B1 (en) 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad having grooves arranged to improve polishing medium utilization
US7059949B1 (en) 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement
US7182677B2 (en) 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
KR101616535B1 (ko) 2005-02-18 2016-04-29 넥스플래너 코퍼레이션 화학적 기계적인 평탄화를 위해 적합화된 연마 패드와 그 연마 패드의 제조 및 사용 방법
TWI385050B (zh) 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US7524345B2 (en) 2005-02-22 2009-04-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7875091B2 (en) 2005-02-22 2011-01-25 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
JP2006231464A (ja) 2005-02-24 2006-09-07 Nitta Haas Inc 研磨パッド
US7829000B2 (en) * 2005-02-25 2010-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Core-shell solid freeform fabrication
TWI410314B (zh) 2005-04-06 2013-10-01 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 藉由反應-射出成形製造多孔化學機械研磨墊之裝置
US7427340B2 (en) 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
EP1710324B1 (en) 2005-04-08 2008-12-03 STMicroelectronics S.r.l. PVD process and chamber for the pulsed deposition of a chalcogenide material layer of a phase change memory device
US7435364B2 (en) 2005-04-11 2008-10-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for forming a porous polishing pad
JP2006305650A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Inoac Corp 研磨用吸着パッド及びその製造方法
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
KR100949560B1 (ko) 2005-05-17 2010-03-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
KR100721196B1 (ko) 2005-05-24 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 연마패드 및 이를 이용한 화학적기계적연마장치
JP2007005612A (ja) 2005-06-24 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法及び基板の研磨方法
CN1897226A (zh) 2005-07-11 2007-01-17 上海华虹Nec电子有限公司 一种化学机械抛光机
JP4512529B2 (ja) 2005-07-15 2010-07-28 住友精密工業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US8557351B2 (en) 2005-07-22 2013-10-15 Molecular Imprints, Inc. Method for adhering materials together
KR100727485B1 (ko) 2005-08-09 2007-06-13 삼성전자주식회사 연마 패드 및 이를 제조하는 방법, 그리고 화학적 기계적 연마 장치 및 방법
US20070117393A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 Alexander Tregub Hardened porous polymer chemical mechanical polishing (CMP) pad
JP4868840B2 (ja) 2005-11-30 2012-02-01 Ｊｓｒ株式会社 半導体装置の製造方法
CN1851896A (zh) 2005-12-05 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种静电卡盘
US20070128991A1 (en) 2005-12-07 2007-06-07 Yoon Il-Young Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same
US7357703B2 (en) 2005-12-28 2008-04-15 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
US20070149094A1 (en) 2005-12-28 2007-06-28 Choi Jae Y Monitoring Device of Chemical Mechanical Polishing Apparatus
KR20080087012A (ko) 2006-01-25 2008-09-29 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마 패드 및 그의 제조 방법
US7935276B2 (en) 2006-02-09 2011-05-03 Headwaters Technology Innovation Llc Polymeric materials incorporating carbon nanostructures
JP2009527914A (ja) 2006-02-23 2009-07-30 ピコデオン エルティーディー オイ 太陽電池ならびに太陽電池を生産する装置および方法
JP2007235001A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Mitsui Chemicals Inc 研磨用スラリー
US20070204420A1 (en) 2006-03-06 2007-09-06 Hornby David M Polishing pad and method of making
US7517488B2 (en) 2006-03-08 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
US20070212979A1 (en) 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
WO2007111996A2 (en) 2006-03-24 2007-10-04 Clemson University Conducting polymer ink
US20070235133A1 (en) 2006-03-29 2007-10-11 Strasbaugh Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing
US20070235904A1 (en) 2006-04-06 2007-10-11 Saikin Alan H Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
JP2006192315A (ja) 2006-04-21 2006-07-27 Toshiba Corp ドラム式洗濯機
FR2900411B1 (fr) 2006-04-27 2008-08-29 Coatex Sas Procede de traitement de matieres minerales par des polymeres amphoteres,matieres minerales obtenues,leur utilisation comme agent reducteur de la quantite de colloides dans la fabrication de papier.
US7445847B2 (en) 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7169030B1 (en) 2006-05-25 2007-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
EP2032345B1 (en) 2006-06-20 2010-05-05 Katholieke Universiteit Leuven Procedure and apparatus for in-situ monitoring and feedback control of selective laser powder processing
US7840305B2 (en) 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method
US20080220702A1 (en) 2006-07-03 2008-09-11 Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad having surface texture
JP5186738B2 (ja) 2006-07-10 2013-04-24 富士通セミコンダクター株式会社 研磨パッドの製造方法及び被研磨体の研磨方法
TWI409136B (zh) 2006-07-19 2013-09-21 Innopad Inc 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊
KR100804275B1 (ko) 2006-07-24 2008-02-18 에스케이씨 주식회사 고분자 쉘로 둘러싸인 액상 유기물 코어를 포함하는 ｃｍｐ연마패드 및 그 제조방법
US7300340B1 (en) 2006-08-30 2007-11-27 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. CMP pad having overlaid constant area spiral grooves
US7267610B1 (en) 2006-08-30 2007-09-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having unevenly spaced grooves
DE112007002066B4 (de) 2006-09-06 2019-10-17 Nitta Haas Inc. Polierkissen
JP2008084504A (ja) 2006-09-29 2008-04-10 Hitachi Ltd 光ディスク装置および光ディスクの再生方法
US7382959B1 (en) 2006-10-13 2008-06-03 Hrl Laboratories, Llc Optically oriented three-dimensional polymer microstructures
US7234224B1 (en) 2006-11-03 2007-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Curved grooving of polishing pads
US7648645B2 (en) 2006-11-08 2010-01-19 3M Innovative Properties Company Pre-polymer formulations for liquid crystal displays
CN101199994A (zh) 2006-12-15 2008-06-18 湖南大学 智能化激光熔覆成型金属零件
EP2097247B1 (en) 2006-12-21 2016-03-09 Agfa Graphics NV 3d-inkjet printing methods
US7371160B1 (en) 2006-12-21 2008-05-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad
US7438636B2 (en) 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7497885B2 (en) 2006-12-22 2009-03-03 3M Innovative Properties Company Abrasive articles with nanoparticulate fillers and method for making and using them
US8083820B2 (en) 2006-12-22 2011-12-27 3M Innovative Properties Company Structured fixed abrasive articles including surface treated nano-ceria filler, and method for making and using the same
US7311590B1 (en) 2007-01-31 2007-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with grooves to retain slurry on the pad texture
US7520798B2 (en) 2007-01-31 2009-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption
WO2008093850A1 (ja) 2007-02-01 2008-08-07 Kuraray Co., Ltd. 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
EP2654089A3 (en) 2007-02-16 2015-08-12 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
JP5021669B2 (ja) 2007-03-20 2012-09-12 株式会社クラレ 研磨パッド用クッションおよびそれを用いた研磨パッド
JP4798713B2 (ja) * 2007-03-26 2011-10-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 研磨パッドの製造方法
JP4954762B2 (ja) * 2007-03-27 2012-06-20 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法
US9536711B2 (en) 2007-03-30 2017-01-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode
US8784723B2 (en) 2007-04-01 2014-07-22 Stratasys Ltd. Method and system for three-dimensional fabrication
US20090011679A1 (en) * 2007-04-06 2009-01-08 Rajeev Bajaj Method of removal profile modulation in cmp pads
FR2915016B1 (fr) 2007-04-10 2009-06-05 Siemens Vdo Automotive Sas Systeme de creation automatisee d'une interface logicielle
US8067814B2 (en) 2007-06-01 2011-11-29 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8562389B2 (en) 2007-06-08 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Thin polishing pad with window and molding process
US7455571B1 (en) 2007-06-20 2008-11-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Window polishing pad
US20080314878A1 (en) 2007-06-22 2008-12-25 General Electric Company Apparatus and method for controlling a machining system
US8563619B2 (en) 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US7758764B2 (en) 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
US7862320B2 (en) 2007-07-17 2011-01-04 Seiko Epson Corporation Three-dimensional object forming apparatus and method for forming three dimensional object
US8047899B2 (en) 2007-07-26 2011-11-01 Macronix International Co., Ltd. Pad and method for chemical mechanical polishing
US7635290B2 (en) 2007-08-15 2009-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interpenetrating network for chemical mechanical polishing
US7517277B2 (en) 2007-08-16 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing
US7828634B2 (en) 2007-08-16 2010-11-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interconnected-multi-element-lattice polishing pad
CN101376234B (zh) 2007-08-28 2013-05-29 侯家祥 一种研磨工具磨料颗粒有序排列的方法
WO2009032768A2 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Semiquest, Inc. Polishing pad
KR101232442B1 (ko) 2007-09-21 2013-02-12 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 아미노실란으로 처리된 연마제 입자를 이용한 연마 조성물 및 방법
US8142869B2 (en) 2007-09-27 2012-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Coated base fabric for airbags
JP5078527B2 (ja) * 2007-09-28 2012-11-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
FR2921667B1 (fr) 2007-10-01 2012-11-09 Saint Gobain Abrasives Inc Composition resinique liquide pour articles abrasifs
JP2009117815A (ja) * 2007-10-18 2009-05-28 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
JP5143528B2 (ja) 2007-10-25 2013-02-13 株式会社クラレ 研磨パッド
US8491360B2 (en) 2007-10-26 2013-07-23 Innopad, Inc. Three-dimensional network in CMP pad
US20090133716A1 (en) 2007-10-29 2009-05-28 Wai Mun Lee Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
US8388410B2 (en) 2007-11-05 2013-03-05 P.R. Hoffman Machine Products, Inc. RFID-containing carriers used for silicon wafer quality
JP2009129970A (ja) 2007-11-20 2009-06-11 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
US8377623B2 (en) 2007-11-27 2013-02-19 3D Systems, Inc. Photocurable resin composition for producing three dimensional articles having high clarity
DE102007056984A1 (de) 2007-11-27 2009-05-28 Eos Gmbh Electro Optical Systems Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts mittels Lasersintern
JP2011508462A (ja) 2007-12-31 2011-03-10 イノパッド，インコーポレイテッド 化学的機械的平坦化パッド
CN101925441B (zh) 2007-12-31 2013-08-14 3M创新有限公司 经等离子处理的磨料制品及其制造方法
JP5248152B2 (ja) 2008-03-12 2013-07-31 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
EP2261011A4 (en) 2008-03-25 2014-04-30 Sumitomo Rubber Ind REPAIR TIRE FOR TIRE TENSIONS
JP5226359B2 (ja) 2008-04-02 2013-07-03 株式会社クラレ 研磨パッド用クッションおよびそれを用いた研磨パッド
US8292592B2 (en) 2008-04-02 2012-10-23 United Technologies Corporation Nosecone bolt access and aerodynamic leakage baffle
JP2011517111A (ja) 2008-04-11 2011-05-26 イノパッド，インコーポレイテッド ボイドネットワークを有する化学機械的平坦化パッド
KR101618273B1 (ko) * 2008-04-29 2016-05-04 세미퀘스트, 인코포레이티드 연마 패드 조성물, 및 이의 제조 방법 및 용도
WO2009145069A1 (ja) 2008-05-26 2009-12-03 ソニー株式会社 造形装置および造形方法
TW201005825A (en) 2008-05-30 2010-02-01 Panasonic Corp Plasma processing apparatus and method
US20090308739A1 (en) 2008-06-17 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
TWM347669U (en) 2008-06-19 2008-12-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
CN101612722A (zh) 2008-06-25 2009-12-30 三芳化学工业股份有限公司 抛光垫及其制造方法
WO2009158665A1 (en) 2008-06-26 2009-12-30 3M Innovative Properties Company Polishing pad with porous elements and method of making and using the same
US8282866B2 (en) 2008-06-30 2012-10-09 Seiko Epson Corporation Method and device for forming three-dimensional model, sheet material processing method, and sheet material processing device
US20100011672A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Kincaid Don H Coated abrasive article and method of making and using the same
CN102159361B (zh) * 2008-07-18 2014-11-05 3M创新有限公司 具有浮动单元的抛光垫以及制造和使用该抛光垫的方法
US20140069584A1 (en) 2008-07-23 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven ceiling electrode
US20100018648A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
US20140034239A1 (en) 2008-07-23 2014-02-06 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven workpiece support electrode
US8734664B2 (en) 2008-07-23 2014-05-27 Applied Materials, Inc. Method of differential counter electrode tuning in an RF plasma reactor
CN101642898B (zh) 2008-08-06 2011-09-14 财团法人工业技术研究院 抛光垫及其形成方法以及抛光方法
US20110171890A1 (en) 2008-08-08 2011-07-14 Kuraray Co., Ltd. Polishing pad and method for manufacturing the polishing pad
KR20100028294A (ko) 2008-09-04 2010-03-12 주식회사 코오롱 연마패드 및 그의 제조방법
EP2329519B1 (en) 2008-09-26 2013-10-23 Rhodia Opérations Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
US8118641B2 (en) 2009-03-04 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature
TW201016387A (en) 2008-10-22 2010-05-01 jian-min Song CMP Pad Dressers with Hybridized abrasive surface and related methods
US20100112919A1 (en) 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Monolithic linear polishing sheet
JP2010120249A (ja) 2008-11-19 2010-06-03 Canon Inc 記録装置
US8292692B2 (en) 2008-11-26 2012-10-23 Semiquest, Inc. Polishing pad with endpoint window and systems and method using the same
DE102008060046A1 (de) 2008-12-02 2010-06-10 Eos Gmbh Electro Optical Systems Verfahren zum Bereitstellen einer identifizierbaren Pulvermenge und Verfahren zur Herstellung eines Objekts
US20100140850A1 (en) 2008-12-04 2010-06-10 Objet Geometries Ltd. Compositions for 3D printing
DE102008061311A1 (de) 2008-12-11 2010-06-24 Doukas Ag Vorrichtung zum Fördern eines Gases
CN101428404A (zh) 2008-12-22 2009-05-13 南京航空航天大学 固结磨料研磨抛光垫及其制备方法
US8057282B2 (en) 2008-12-23 2011-11-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate polishing method
US8062103B2 (en) 2008-12-23 2011-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate groove pattern
EP2382651A4 (en) * 2009-01-27 2013-01-16 Innopad Inc CHEMICAL PLANARIZATION BUFFER COMPRISING PATTERNED STRUCTURAL DOMAINS
US8053487B2 (en) 2009-01-30 2011-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multifunctional acrylates used as cross-linkers in dental and biomedical self-etching bonding adhesives
WO2010123744A2 (en) 2009-04-23 2010-10-28 Cabot Microelectronics Corporation Cmp porous pad with particles in a polymeric matrix
CN201483382U (zh) 2009-05-14 2010-05-26 贝达先进材料股份有限公司 研磨垫以及研磨装置
CN102448669B (zh) * 2009-05-27 2014-12-10 罗杰斯公司 抛光垫、其聚氨酯层及抛光硅晶片的方法
JP5357639B2 (ja) 2009-06-24 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR101750775B1 (ko) 2009-06-29 2017-06-26 디아이씨 가부시끼가이샤 연마 패드용 2액형 우레탄 수지 조성물, 폴리우레탄 연마 패드, 및 폴리우레탄 연마 패드의 제조 방법
JP2012533888A (ja) 2009-07-16 2012-12-27 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 溝付きｃｍｐ研磨ｐａｄ
TWI535527B (zh) 2009-07-20 2016-06-01 智勝科技股份有限公司 研磨方法、研磨墊與研磨系統
US8712571B2 (en) 2009-08-07 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for wireless transmission of diagnostic information
US8676537B2 (en) 2009-08-07 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Portable wireless sensor
US8889232B2 (en) 2009-08-20 2014-11-18 Electronics For Imaging, Inc. Radiation curable ink compositions
TWI410299B (zh) 2009-08-24 2013-10-01 Bestac Advanced Material Co Ltd 研磨墊與其應用及其製造方法
EP3479933A1 (en) 2009-09-17 2019-05-08 Sciaky Inc. Electron beam layer manufacturing apparatus
EP2489699B1 (en) 2009-10-16 2014-07-16 Posco Radiation curable resin composition, and fingerprint-resistant resin composition containing same
EP2498935B1 (en) 2009-11-13 2015-04-15 Sciaky Inc. Process for layer manufacturing a three-dimensional work piece using scanning electron monitored with closed loop control
JP5496630B2 (ja) 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
US20130012108A1 (en) 2009-12-22 2013-01-10 Naichao Li Polishing pad and method of making the same
US8853082B2 (en) 2009-12-28 2014-10-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing liquid for CMP and polishing method using the same
WO2011082156A2 (en) 2009-12-30 2011-07-07 3M Innovative Properties Company Organic particulate loaded polishing pads and method of making and using the same
SG181678A1 (en) 2009-12-30 2012-07-30 3M Innovative Properties Co Polishing pads including phase-separated polymer blend and method of making and using the same
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US9089943B2 (en) 2010-01-29 2015-07-28 Ronald Lipson Composite pads for buffing and polishing painted vehicle body surfaces and other applications
DE102010007401A1 (de) 2010-02-03 2011-08-04 Kärcher Futuretech GmbH, 71364 Vorrichtung und Verfahren zum automatisierten Formen und Abfüllen von Behältern
SG183419A1 (en) 2010-02-22 2012-09-27 Entegris Inc Post-cmp cleaning brush
KR20110100080A (ko) 2010-03-03 2011-09-09 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비
DE102010011059A1 (de) 2010-03-11 2011-09-15 Global Beam Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Bauteils
JP5551479B2 (ja) 2010-03-19 2014-07-16 ニッタ・ハース株式会社 研磨装置、研磨パッドおよび研磨情報管理システム
JP5620141B2 (ja) 2010-04-15 2014-11-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5697889B2 (ja) 2010-04-19 2015-04-08 帝人コードレ株式会社 平滑加工用シート
US20130059506A1 (en) 2010-05-11 2013-03-07 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive pad with surfactant for chemical mechanical planarization
US20120000887A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
PT2588275T (pt) 2010-07-02 2018-03-13 3M Innovative Properties Co Artigos abrasivos revestidos
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
JP5635957B2 (ja) 2010-09-09 2014-12-03 日本碍子株式会社 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
US20130172509A1 (en) 2010-09-22 2013-07-04 Interfacial Solutions Ip, Llc Methods of Producing Microfabricated Particles for Composite Materials
US8257545B2 (en) 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
US8702479B2 (en) 2010-10-15 2014-04-22 Nexplanar Corporation Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters
WO2012100297A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Zydex Pty Ltd A device for making an object
US9211628B2 (en) 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
JP5893479B2 (ja) 2011-04-21 2016-03-23 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
CN103492504B (zh) 2011-04-27 2017-06-23 汉高知识产权控股有限责任公司 具有低温密封能力的可固化的弹性体组合物
US8968058B2 (en) 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
JP5851124B2 (ja) 2011-06-13 2016-02-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨用構造体
ES2441170T3 (es) 2011-06-21 2014-02-03 Agfa Graphics N.V. Líquido eyectable curable para fabricar una matriz de impresión flexográfica
JP2013018056A (ja) 2011-07-07 2013-01-31 Toray Ind Inc 研磨パッド
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US8801949B2 (en) 2011-09-22 2014-08-12 Dow Global Technologies Llc Method of forming open-network polishing pads
US9108291B2 (en) 2011-09-22 2015-08-18 Dow Global Technologies Llc Method of forming structured-open-network polishing pads
US8894799B2 (en) 2011-09-22 2014-11-25 Dow Global Technologies Llc Method of forming layered-open-network polishing pads
KR20140069043A (ko) 2011-09-26 2014-06-09 인티그리스, 인코포레이티드 포스트-cmp 세정 장치 및 방법
US20130107415A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck
JP2013107254A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Fujifilm Corp 親水性部材及び親水性部材の製造方法
TWI462797B (zh) 2011-11-24 2014-12-01 Univ Nat Taiwan Science Tech Electric field assisted chemical mechanical polishing system and its method
US9067297B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US9067298B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
EP2785797B1 (en) 2011-11-30 2018-03-21 Merck Patent GmbH Particles for electrophoretic displays
US10825708B2 (en) 2011-12-15 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
KR20130084932A (ko) 2012-01-18 2013-07-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US8486798B1 (en) 2012-02-05 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating a semiconductor junction and methods of manufacturing and using thereof
US8721833B2 (en) 2012-02-05 2014-05-13 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating ferroelectric materials and methods of manufacturing and using thereof
KR20130095430A (ko) 2012-02-20 2013-08-28 케이피엑스케미칼 주식회사 연마패드 및 그 제조방법
US10005236B2 (en) 2012-03-01 2018-06-26 Stratasys Ltd. Cationic polymerizable compositions and methods of use thereof
DE102012203639A1 (de) 2012-03-08 2013-09-12 Evonik Industries Ag Additiv zur Einstellung der Glasübergangstemperatur von viskoelastischen Polyurethanweichschaumstoffen
US8709114B2 (en) 2012-03-22 2014-04-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers
US8986585B2 (en) 2012-03-22 2015-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window
DE102012007791A1 (de) 2012-04-20 2013-10-24 Universität Duisburg-Essen Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Bauteilen in einer Strahlschmelzanlage
US9412579B2 (en) 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
US9993873B2 (en) 2012-05-22 2018-06-12 General Electric Company System and method for three-dimensional printing
US9481134B2 (en) 2012-06-08 2016-11-01 Makerbot Industries, Llc Build platform leveling with tactile feedback
KR102136432B1 (ko) 2012-06-11 2020-07-21 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 몰리브덴을 연마하기 위한 조성물 및 방법
JP5994183B2 (ja) 2012-06-29 2016-09-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US8778211B2 (en) 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries
US9174388B2 (en) 2012-08-16 2015-11-03 Stratasys, Inc. Draw control for extrusion-based additive manufacturing systems
US8888480B2 (en) 2012-09-05 2014-11-18 Aprecia Pharmaceuticals Company Three-dimensional printing system and equipment assembly
KR101835288B1 (ko) 2012-09-05 2018-03-06 아프레시아 파마슈티칼스 컴퍼니 3차원 인쇄 시스템 및 장비 어셈블리
JP6196858B2 (ja) 2012-09-24 2017-09-13 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
US9718975B2 (en) 2012-09-25 2017-08-01 3M Innovative Properties Company Radiation curable ink composition
CN202825512U (zh) 2012-10-11 2013-03-27 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 研磨垫及化学机械研磨机台
WO2014058887A1 (en) 2012-10-11 2014-04-17 Dow Corning Corporation Aqueous silicone polyether microemulsions
US9233504B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Makerbot Industries, Llc Tagged build material for three-dimensional printing
CN109937387B (zh) 2012-11-08 2022-08-23 Ddm系统有限责任公司 金属部件的增材制造及维修
US9718129B2 (en) 2012-12-17 2017-08-01 Arcam Ab Additive manufacturing method and apparatus
US10357435B2 (en) 2012-12-18 2019-07-23 Dentca, Inc. Photo-curable resin compositions and method of using the same in three-dimensional printing for manufacturing artificial teeth and denture base
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
CA2936015C (en) 2013-01-17 2021-05-25 Ehsan Toyserkani Systems and methods for additive manufacturing of heterogeneous porous structures and structures made therefrom
US9649742B2 (en) 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
JP2016513146A (ja) 2013-02-06 2016-05-12 サン・ケミカル・コーポレーション デジタル印刷インク
TWI655498B (zh) 2013-02-12 2019-04-01 美商Ｅｉｐｉ系統公司 用於３ｄ製造的方法與裝置
JP6348520B2 (ja) 2013-03-14 2018-06-27 ストラタシス リミテッド ポリマーベースの型とその製造方法
US9152340B2 (en) 2013-05-28 2015-10-06 Netapp, Inc. System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems
JP5955275B2 (ja) 2013-06-12 2016-07-20 富士フイルム株式会社 画像形成方法、加飾シートの製造方法、成形加工方法、加飾シート成形物の製造方法、インモールド成形品の製造方法
US20140370788A1 (en) 2013-06-13 2014-12-18 Cabot Microelectronics Corporation Low surface roughness polishing pad
US10183329B2 (en) 2013-07-19 2019-01-22 The Boeing Company Quality control of additive manufactured parts
US20150038066A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
GB201313841D0 (en) 2013-08-02 2013-09-18 Rolls Royce Plc Method of Manufacturing a Component
JP6441927B2 (ja) 2013-08-06 2018-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 局部的に加熱されるマルチゾーン式の基板支持体
US9855698B2 (en) 2013-08-07 2018-01-02 Massachusetts Institute Of Technology Automatic process control of additive manufacturing device
JP5992375B2 (ja) 2013-08-08 2016-09-14 株式会社東芝 静電チャック、載置プレート支持台及び静電チャックの製造方法
KR102207743B1 (ko) 2013-08-10 2021-01-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 제어된 컨디셔닝을 용이하게 하는 재료 조성을 갖는 ｃｍｐ 패드들
SG11201601175WA (en) 2013-08-22 2016-03-30 Cabot Microelectronics Corp Polishing pad with porous interface and solid core, and related apparatus and methods
US20150056895A1 (en) 2013-08-22 2015-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure
DE102013217422A1 (de) 2013-09-02 2015-03-05 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Koordinatenmessgerät und Verfahren zur Vermessung und mindestens teilweisen Erzeugung eines Werkstücks
CN103465155B (zh) 2013-09-06 2016-05-11 蓝思科技股份有限公司 一种环氧树脂型金刚石研磨垫及其制备方法
US9425121B2 (en) 2013-09-11 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated fan-out structure with guiding trenches in buffer layer
KR101405333B1 (ko) 2013-09-12 2014-06-11 유비머트리얼즈주식회사 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9308620B2 (en) 2013-09-18 2016-04-12 Texas Instruments Incorporated Permeated grooving in CMP polishing pads
US9053908B2 (en) 2013-09-19 2015-06-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling substrate DC-bias and ion energy and angular distribution during substrate etching
GB201316815D0 (en) 2013-09-23 2013-11-06 Renishaw Plc Additive manufacturing apparatus and method
KR102252673B1 (ko) 2013-09-25 2021-05-18 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 다층화된 폴리싱 패드
RU2643004C2 (ru) 2013-09-30 2018-01-29 Сен-Гобен Серэмикс Энд Пластикс, Инк. Формованные абразивные частицы и способы их получения
WO2015055550A1 (en) 2013-10-17 2015-04-23 Luxexcel Holding B.V. Device for printing a three-dimensional structure
CN203542340U (zh) 2013-10-21 2014-04-16 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种化学机械研磨垫
US9831074B2 (en) 2013-10-24 2017-11-28 Applied Materials, Inc. Bipolar collimator utilized in a physical vapor deposition chamber
US8980749B1 (en) 2013-10-24 2015-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing silicon wafers
EP3063591B1 (en) 2013-10-30 2018-04-04 Anocoil Corporation Lithographic printing plate precursors and coating
US9421666B2 (en) 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
US9481069B2 (en) 2013-11-06 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
US9352443B2 (en) 2013-11-13 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Platen assembly, chemical-mechanical polisher, and method for polishing substrate
US9850402B2 (en) 2013-12-09 2017-12-26 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions and methods for selective removal of silicon nitride
US9993907B2 (en) 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
CN104742007B (zh) 2013-12-30 2017-08-25 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 化学机械研磨装置和化学机械研磨方法
EP3096936B1 (en) 2014-01-23 2019-10-09 Ricoh Company, Ltd. Method for forming a three-dimensional object
EP3105040B1 (en) 2014-02-10 2023-10-18 Stratasys Ltd. Composition and method for additive manufacturing of an object
WO2015120429A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 President And Fellows Of Harvard College Three-dimensional (3d) printed composite structure and 3d printable composite ink formulation
WO2015120430A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 President And Fellows Of Harvard College 3d-printed polishing pad for chemical-mechanical planarization (cmp)
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
JP2015174272A (ja) 2014-03-14 2015-10-05 セイコーエプソン株式会社 三次元造形物の製造方法、三次元造形物製造装置および三次元造形物
US9259820B2 (en) 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
CN106163740B (zh) 2014-04-03 2019-07-09 3M创新有限公司 抛光垫和系统以及制造和使用该抛光垫和系统的方法
WO2015161210A1 (en) 2014-04-17 2015-10-22 Cabot Microelectronics Corporation Cmp polishing pad with columnar structure and methods related thereto
US9314897B2 (en) 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9333620B2 (en) 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
CN104400998B (zh) 2014-05-31 2016-10-05 福州大学 一种基于红外光谱分析的3d打印检测方法
US9259821B2 (en) 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
US20150375361A1 (en) 2014-06-25 2015-12-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
JP2016023209A (ja) 2014-07-17 2016-02-08 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
US9731398B2 (en) 2014-08-22 2017-08-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. Polyurethane polishing pad
US9826630B2 (en) 2014-09-04 2017-11-21 Nxp Usa, Inc. Fan-out wafer level packages having preformed embedded ground plane connections and methods for the fabrication thereof
KR20170054447A (ko) 2014-09-05 2017-05-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판들의 열적 프로세싱을 위한 서셉터 및 예열 링
CN104210108B (zh) 2014-09-15 2017-11-28 宁波高新区乐轩锐蓝智能科技有限公司 3d打印机的打印缺陷弥补方法和系统
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
CN106716604A (zh) 2014-10-09 2017-05-24 应用材料公司 具有内部通道的化学机械研磨垫
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) * 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
TWI689406B (zh) 2014-10-17 2020-04-01 美商應用材料股份有限公司 研磨墊及製造其之方法
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US10399201B2 (en) * 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
CN104385595B (zh) 2014-10-20 2017-05-03 合肥斯科尔智能科技有限公司 一种三维打印次品修复系统
JP6422325B2 (ja) 2014-12-15 2018-11-14 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US10086500B2 (en) 2014-12-18 2018-10-02 Applied Materials, Inc. Method of manufacturing a UV curable CMP polishing pad
JP6452449B2 (ja) 2015-01-06 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
CN104607639B (zh) 2015-01-12 2016-11-02 常州先进制造技术研究所 一种用于金属3d打印的表面修复塑形装置
US20170263478A1 (en) 2015-01-16 2017-09-14 Lam Research Corporation Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring
US10946495B2 (en) 2015-01-30 2021-03-16 Cmc Materials, Inc. Low density polishing pad
US9505952B2 (en) 2015-03-05 2016-11-29 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria abrasive
US9475168B2 (en) 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
WO2016173668A1 (en) 2015-04-30 2016-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Misalignment detection for a 3d printing device
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
CN106206409B (zh) 2015-05-08 2019-05-07 华邦电子股份有限公司 堆叠电子装置及其制造方法
US9969049B2 (en) 2015-06-29 2018-05-15 Iv Technologies Co., Ltd. Polishing layer of polishing pad and method of forming the same and polishing method
US10163610B2 (en) 2015-07-13 2018-12-25 Lam Research Corporation Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation
US9761459B2 (en) 2015-08-05 2017-09-12 Lam Research Corporation Systems and methods for reverse pulsing
US9620376B2 (en) 2015-08-19 2017-04-11 Lam Research Corporation Self limiting lateral atomic layer etch
US10406801B2 (en) 2015-08-21 2019-09-10 Voxel8, Inc. Calibration and alignment of 3D printing deposition heads
US9984858B2 (en) 2015-09-04 2018-05-29 Lam Research Corporation ALE smoothness: in and outside semiconductor industry
WO2017049155A1 (en) 2015-09-16 2017-03-23 Applied Materials, Inc. Selectively openable support platen for additive manufacturing
JP6584895B2 (ja) 2015-09-30 2019-10-02 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US9881820B2 (en) 2015-10-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Front opening ring pod
US20170115657A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
US10062599B2 (en) 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US10124492B2 (en) 2015-10-22 2018-11-13 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
GB201519187D0 (en) 2015-10-30 2015-12-16 Knauf Insulation Ltd Improved binder compositions and uses thereof
US10450474B2 (en) 2015-10-30 2019-10-22 Konica Minolta, Inc. Active light ray-curable inkjet ink composition and inkjet recording method
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10229769B2 (en) 2015-11-20 2019-03-12 Xerox Corporation Three phase immiscible polymer-metal blends for high conductivty composites
US10189143B2 (en) 2015-11-30 2019-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method
US9601319B1 (en) 2016-01-07 2017-03-21 Lam Research Corporation Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
KR102629800B1 (ko) 2016-01-19 2024-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다공성 화학적 기계적 연마 패드들
US10685862B2 (en) 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
US9956314B2 (en) 2016-01-26 2018-05-01 Modern Ideas LLC Adhesive for use with bone and bone-like structures
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US9966231B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Lam Research Corporation Direct current pulsing plasma systems
SG11201806820UA (en) 2016-03-09 2018-09-27 Applied Materials Inc Correction of fabricated shapes in additive manufacturing
KR102302564B1 (ko) 2016-03-09 2021-09-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 패드 구조 및 제조 방법들
KR102363829B1 (ko) 2016-03-24 2022-02-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 기계적 연마를 위한 조직화된 소형 패드
US10269566B2 (en) 2016-04-29 2019-04-23 Lam Research Corporation Etching substrates using ale and selective deposition
KR20170127724A (ko) 2016-05-12 2017-11-22 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US10340171B2 (en) 2016-05-18 2019-07-02 Lam Research Corporation Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds
US9852889B1 (en) 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
US10283330B2 (en) 2016-07-25 2019-05-07 Lam Research Corporation Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge RF generators
JP6791680B2 (ja) 2016-08-09 2020-11-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物およびこれを用いた洗浄方法
US20180100074A1 (en) 2016-10-11 2018-04-12 Xerox Corporation Ink composition for use in 3d printing
US10259956B2 (en) 2016-10-11 2019-04-16 Xerox Corporation Curable ink composition
US20180100073A1 (en) 2016-10-11 2018-04-12 Xerox Corporation Ink composition for use in 3d printing
US10930535B2 (en) 2016-12-02 2021-02-23 Applied Materials, Inc. RFID part authentication and tracking of processing components
KR102683416B1 (ko) 2017-02-15 2024-07-23 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마 장치
US20180323042A1 (en) 2017-05-02 2018-11-08 Applied Materials, Inc. Method to modulate the wafer edge sheath in a plasma processing chamber
US10967482B2 (en) 2017-05-25 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold
US10882160B2 (en) 2017-05-25 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using sacrificial material
JP6826955B2 (ja) 2017-06-14 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN213006569U (zh) 2017-06-21 2021-04-20 卡本有限公司 用于增材制造的系统和对分配用于增材制造的树脂有用的分配系统
US10763081B2 (en) 2017-07-10 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manipulating radio frequency power at an edge ring in plasma process device
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP7102724B2 (ja) 2017-12-19 2022-07-20 株式会社リコー 電極、非水系蓄電素子、塗布液及び電極の製造方法
JP7033907B2 (ja) 2017-12-21 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP2020532884A (ja) 2018-01-22 2020-11-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 給電型エッジリングを用いた処理
WO2019152222A1 (en) 2018-02-05 2019-08-08 Applied Materials, Inc. Piezo-electric end-pointing for 3d printed cmp pads
WO2019190676A1 (en) 2018-03-30 2019-10-03 Applied Materials, Inc. Integrating 3d printing into multi-process fabrication schemes
US11826876B2 (en) 2018-05-07 2023-11-28 Applied Materials, Inc. Hydrophilic and zeta potential tunable chemical mechanical polishing pads
US10600623B2 (en) 2018-05-28 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US10347500B1 (en) 2018-06-04 2019-07-09 Applied Materials, Inc. Device fabrication via pulsed plasma
US10847347B2 (en) 2018-08-23 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Edge ring assembly for a substrate support in a plasma processing chamber
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
CN112913140B (zh) 2018-11-09 2024-09-03 应用材料公司 用于处理腔室的射频滤波器系统
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US20200230781A1 (en) 2019-01-23 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto
WO2020190441A1 (en) 2019-03-19 2020-09-24 Applied Materials, Inc. Hydrophobic and icephobic coating
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6213845B1 (en) * 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
KR20080038607A (ko) * 2006-10-30 2008-05-07 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｐ 장비의 폴리싱패드와 이의 제조장치
US20130283700A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Rajeev Bajaj Printed Chemical Mechanical Polishing Pad

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016060857A1 (en) 2016-04-21
EP3207559A1 (en) 2017-08-23
SG10202110980SA (en) 2021-11-29
US9776361B2 (en) 2017-10-03
EP3207559B1 (en) 2023-07-12
CN107073679B (zh) 2019-06-28
KR20220011210A (ko) 2022-01-27
SG11201702959YA (en) 2017-05-30
KR102456039B1 (ko) 2022-10-19
EP3207559A4 (en) 2018-06-13
US20200101657A1 (en) 2020-04-02
KR20220142548A (ko) 2022-10-21
TW202208113A (zh) 2022-03-01
KR102598725B1 (ko) 2023-11-07
CN107073679A (zh) 2017-08-18
CN110238752A (zh) 2019-09-17
JP2017533105A (ja) 2017-11-09
EP4276885A1 (en) 2023-11-15
TW201945129A (zh) 2019-12-01
US20180043613A1 (en) 2018-02-15
CN110238752B (zh) 2021-12-10
TWI748222B (zh) 2021-12-01
KR20170072261A (ko) 2017-06-26
TW201622894A (zh) 2016-07-01
TWI788070B (zh) 2022-12-21
US10493691B2 (en) 2019-12-03
US20160107381A1 (en) 2016-04-21
US12023853B2 (en) 2024-07-02
KR102351409B1 (ko) 2022-01-17
JP6760930B2 (ja) 2020-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI671162B (zh) 拋光物和用於製造化學機械拋光物的整合系統
JP6849731B2 (ja) 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するｃｍｐパッド構造
US10537974B2 (en) CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
TWI731225B (zh) 製造研磨墊之研磨層的設備及用於形成化學機械研磨墊之研磨層之方法