KR102351409B1 - 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들 - Google Patents

연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들 Download PDF

Info

Publication number
KR102351409B1
KR102351409B1 KR1020177013107A KR20177013107A KR102351409B1 KR 102351409 B1 KR102351409 B1 KR 102351409B1 KR 1020177013107 A KR1020177013107 A KR 1020177013107A KR 20177013107 A KR20177013107 A KR 20177013107A KR 102351409 B1 KR102351409 B1 KR 102351409B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
abrasive
features
section
abrasive article
trace elements
Prior art date
Application number
KR1020177013107A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170072261A (ko
Inventor
나그 비. 파티반들라
카시라만 크리쉬난
다니엘 레드필드
라지브 바자즈
러셀 에드워드 페리
그레고리 이. 멘크
프레드 씨. 레데커
마헨드라 씨. 오릴랄
제이슨 지. 펑
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority to KR1020227000942A priority Critical patent/KR102456039B1/ko
Publication of KR20170072261A publication Critical patent/KR20170072261A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102351409B1 publication Critical patent/KR102351409B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10—Processes of additive manufacturing
    • B29C64/106—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material
    • B29C64/112—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using individual droplets, e.g. from jetting heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/20—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/001—Manufacture of flexible abrasive materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y30/00—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y40/00—Auxiliary operations or equipment, e.g. for material handling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y70/00—Materials specially adapted for additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/06—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts
    • B29K2105/16—Fillers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0037—Other properties
    • B29K2995/007—Hardness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/736—Grinding or polishing equipment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

연마 제품 제조 시스템은 피드 섹션 및 테이크업 섹션- 테이크업 섹션은 화학적 기계적 연마 프로세스를 위해 그 위에 배치된 연마 제품을 갖는 공급 롤을 포함함 - ; 피드 섹션과 테이크업 섹션 사이에 배치된 복수의 프린트헤드를 포함하는 프린트 섹션; 및 피드 섹션과 테이크업 섹션 사이에 배치된 경화 섹션 - 경화 섹션은 열 경화 디바이스 및 전자기 경화 디바이스 중 하나 또는 둘 다를 포함함 - 을 포함한다.

Description

연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들{POLISHING ARTICLES AND INTEGRATED SYSTEM AND METHODS FOR MANUFACTURING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING ARTICLES}
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판들 또는 웨이퍼들의 화학적 기계적 연마를 위한 장치 및 방법에 관한 것이고, 더 구체적으로는, 화학적 기계적 연마를 위한 연마 패드 또는 연마 제품(article)의 제조의 방법, 및 연마 제품 제조 시스템에 관한 것이다.
기판들 상에 집적 회로들 및 다른 전자 디바이스들을 제조할 때, 전도체, 반도체 또는 유전체 재료의 복수의 층이 기판의 피쳐 면 상에 퇴적되거나 기판의 피쳐 면으로부터 제거된다. 기판 상에서의 이러한 재료들의 순차적인 퇴적 및 제거는 피쳐 면이 평면이 아니게 할 수 있고, 일반적으로 연마라고 지칭되는 평탄화 프로세스를 필요로 할 수 있으며, 그러한 평탄화 프로세스에서는 이전에 퇴적된 재료가 기판의 피쳐 면으로부터 제거되어 대체로 균일하거나 평면이거나 평평한 표면을 형성한다. 프로세스는 원하지 않는 표면 토포그래피 및 표면 결함들, 예컨대 거친 표면들, 응집된 재료들(agglomerated materials), 결정 격자 손상, 및 스크래치들을 제거하는 데에 유용하다. 연마 프로세스는 후속하는 퇴적 및 처리를 위해 피쳐들을 채우고 균일하거나 평평한 표면을 제공하기 위해 이용되는 과잉 퇴적된 재료를 제거함으로써 기판 상에 피쳐들을 형성하는 데에도 유용하다.
하나의 연마 프로세스는 화학적 기계적 연마(CMP)로서 알려져 있으며, 거기에서 기판은 기판 캐리어 어셈블리 내에 배치되고, 이동하는 플래튼 어셈블리에 장착된 연마 매체에 대해 제어가능하게 압박된다(urged). 연마 매체는 전형적으로 연마 제품 또는 연마 패드이다. 캐리어 어셈블리는 이동 플래튼에 대한 회전 이동을 제공하고, 재료 제거는 기판의 피쳐 면과 연마 매체 사이의 화학 작용, 기계적 박리, 또는 화학 작용 및 기계적 박리의 조합에 의해 달성된다.
그러나, 연마 프로세스는 연마 매체의 연마 표면의 "글레이징(glazing)" 또는 평활화(smoothening)를 야기하고, 이는 필름 제거율을 감소시킨다. 다음으로, 연마 매체의 표면은 연마 표면을 복구하기 위해 "조면화"되거나 컨디셔닝되며, 이는 국지적 유체 이송을 증대시키고 제거율을 향상시킨다. 통상적으로, 컨디셔닝은 마이크로미터 크기의 공업용 다이아몬드와 같은 연마재로 코팅된 컨디셔닝 디스크를 이용하여, 2개의 웨이퍼를 연마하는 사이에, 또는 웨이퍼를 연마하는 것과 병렬로 수행된다. 컨디셔닝 디스크는 매체의 표면에 대하여 회전되고 밀어 붙여지며, 연마 매체의 표면을 기계적으로 컷(cut)한다. 그러나, 컨디셔닝 디스크에 가해지는 회전 및/또는 하향력은 제어되는 반면, 컷팅 동작은 비교적 무차별적(indiscriminate)이고, 연마재들은 연마 표면에 고르게 침투하지 않을 수 있으며, 이는 연마 매체의 연마 표면에 걸쳐 표면 조도(surface roughness)의 차이를 생성한다. 컨디셔닝 디스크의 컷팅 동작은 쉽게 제어되지 않으므로, 매체 수명이 단축될 수 있다. 또한, 컨디셔닝 디스크의 컷팅 동작은 때로는 패드 잔해와 함께, 연마 표면 내에 큰 애스퍼리티(asperities)를 생성한다. 연마 프로세스에서는 애스퍼리티가 유익하지만, 애스퍼리티는 연마 동안 떨어져 나올 수 있고, 이는 컷팅 동작으로부터 발생하는 패드 잔해와 함께 기판 결함의 원인이 되는 잔해를 생성한다.
연마 표면의 균일한 컨디셔닝을 제공하려는 시도에서, 연마 제품의 연마 표면에 작용하는 다수의 다른 방법 및 시스템이 수행되어 왔다. 그러나, 디바이스 및 시스템의 제어(예를 들어, 다른 척도 중에서도 특히 컷팅 동작, 하향력)는 만족스럽지 않은 채로 남아있고, 연마 매체 자체의 속성들에 의해 방해를 받을 수 있다. 예를 들어, 패드 매체의 경도 및/또는 밀도와 같은 속성들은 불균일할 수 있고, 이는 연마 표면의 일부 부분들에서 다른 부분들에 비해 더 공격적인 컨디셔닝을 야기한다.
그러므로, 균일한 연마 및 컨디셔닝을 용이하게 하는 속성들을 갖는 연마 제품이 필요하다.
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판들 또는 웨이퍼들의 화학적 기계적 연마를 위한 장치 및 방법에 관한 것이고, 더 구체적으로는, 화학적 기계적 연마를 위한 연마 제품, 연마 제품 제조 시스템, 및 연마 제품의 제조의 방법에 관한 것이다.
일 실시예에서, 연마 제품 제조 시스템은 피드 섹션(feed section) 및 테이크업 섹션(take-up section) - 테이크업 섹션은 화학적 기계적 연마 프로세스를 위해 그 위에 배치된 연마 제품을 갖는 공급 롤(supply roll)을 포함함 - ; 피드 섹션과 테이크업 섹션 사이에 배치된 복수의 프린트헤드를 포함하는 프린트 섹션; 및 피드 섹션과 테이크업 섹션 사이에 배치된 경화 섹션(curing section) - 경화 섹션은 열 경화 디바이스(thermal curing device) 및 전자기 경화 디바이스(electromagnetic curing device) 중 하나 또는 둘 다를 포함함 - 을 포함한다.
다른 실시예에서, 연마 제품이 제공되고, 복합 패드 바디(composite pad body)를 포함한다. 복합 패드 바디는, 연마 표면을 형성하는 복수의 연마 피쳐 - 복수의 연마 피쳐는 제1 재료로 형성됨 - ; 및 제2 재료로 형성된 하나 이상의 베이스 피쳐 - 하나 이상의 베이스 피쳐는 단일체 바디를 형성하기 위해 복수의 연마 피쳐를 둘러싸고, 제1 재료는 제2 재료의 경도(hardness)보다 큰 경도를 가짐 - 를 포함한다.
다른 실시예에서, 화학적 기계적 연마 프로세스를 위한 교체용 공급 롤(replacement supply roll)이 제공되고, 그 위에 연마 제품이 감겨진 로드(rod)를 포함한다. 연마 제품은 복합 패드 바디를 포함하고, 복합 패드 바디는, 연마 표면을 형성하는 복수의 연마 피쳐 - 복수의 연마 피쳐는 제1 재료로 형성됨 - ; 및 제2 재료로 형성된 하나 이상의 베이스 피쳐 - 하나 이상의 베이스 피쳐는 단일체 바디를 형성하기 위해 복수의 연마 피쳐를 둘러싸고, 제1 재료는 제2 재료의 경도(hardness)보다 큰 경도를 가짐 - 를 포함한다.
위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 개시내용은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 개시내용의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 예시적인 화학적 기계적 연마 모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1의 모듈의 예시적인 처리 스테이션의 단면도이다.
도 3a는 롤-투-롤 패드 제조 시스템의 일 실시예의 개략적 등축도이다.
도 3b는 롤-투-롤 패드 제조 시스템의 다른 실시예의 개략적 측면도이다.
도 4a는 도 3a의 패드 제조 시스템 또는 도 3b의 패드 제조 시스템 내에서 이용될 수 있는 3D 프린팅 스테이션의 일 실시예의 개략적 단면도이다.
도 4b는 도 3a의 패드 제조 시스템 또는 도 3b의 패드 제조 시스템 내에서 이용될 수 있는 3D 프린팅 스테이션의 일 실시예의 개략적 단면도이다
도 5a는 연마 제품 어셈블리의 일 실시예의 상부도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 연마 제품 어셈블리의 일부분의 확대 등축도이다.
도 6a는 연마 제품 어셈블리의 다른 실시예의 상부도이다.
도 6b는 도 6a의 연마 제품 어셈블리의 일부분의 확대 등축도이다.
도 7a는 연마 제품 어셈블리의 다른 실시예의 상부도이다.
도 7b는 도 6a에 도시된 연마 제품 어셈블리의 일부분의 확대 등축도이다.
도 8은 본 개시내용의 다른 실시예에 따른 연마 제품의 개략적 사시 단면도이다.
도 9는 관측 윈도우를 갖는 연마 제품의 다른 실시예의 개략적 사시 단면도이다.
도 10은 백킹 층을 포함하는 연마 제품의 다른 실시예의 개략적 단면도이다.
도 11은 복수의 구역을 갖는 연마 제품의 다른 실시예의 개략적 단면도이다.
도 12는 도 11의 연마 제품의 부분 확대 단면도이다.
이해를 쉽게 하기 위해, 가능한 경우에는 도면들에 공통인 동일한 구성요소를 지칭하는 데에 공통의 단어들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 구성요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
도 1은 캘리포니아 주 산타클라라에 위치된 Applied Materials, Inc.에 의해 제조되는 REFLEXION® 화학적 기계적 연마기의 일부분인 연마 모듈(106)의 평면도를 도시한다. 본 명세서에 설명되는 실시예들이 이 연마 시스템 상에서 이용될 수 있다. 그러나, 본 기술분야의 통상의 기술자는 본 명세서에 교시되고 설명된 실시예들을 연마 재료, 특히 롤 형태의 연마 재료를 이용하는 다른 제조사들에 의해 제조된 다른 화학적 기계적 연마기들 상에서 이용되도록 유리하게 적응시킬 수 있다.
연마 모듈(106)은 로딩 로봇(104), 제어기(108), 이송 스테이션(136), 플래튼 어셈블리들(132)과 같은 복수의 처리 또는 연마 스테이션, 베이스(140), 및 복수의 연마 또는 캐리어 헤드(152)(도 1에는 1개만이 도시되어 있음)를 지지하는 캐러셀(134)을 일반적으로 포함한다. 일반적으로, 로딩 로봇(104)은 팩토리 인터페이스(102)(도시되지 않음)와 연마 모듈(106)에 근접하게 배치되어, 팩토리 인터페이스와 연마 모듈 사이에서의 기판(122)의 이송을 용이하게 한다.
이송 스테이션(136)은 이송 로봇(146), 입력 버퍼(142), 출력 버퍼(144), 및 로드 컵 어셈블리(148)를 일반적으로 포함한다. 입력 버퍼 스테이션(142)은 로딩 로봇(104)으로부터 기판(122)을 수용한다. 이송 로봇(146)은 기판(122)을 입력 버퍼 스테이션(142)으로부터, 그리고 로드 컵 어셈블리(148)에 이동시키고, 거기에서 기판은 캐리어 헤드(152)에 이송될 수 있다.
위에서 설명된 바와 같은 연마 모듈(106)의 제어를 용이하게 하기 위해, 제어기(108)는 중앙 처리 유닛(CPU)(110), 지원 회로들(114), 및 메모리(112)를 포함한다. CPU(110)는 다양한 연마기들, 드라이브들, 로봇들, 및 서브-프로세서들을 제어하기 위해 산업용 세팅에서 이용될 수 있는 임의의 형태의 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. 메모리(112)는 CPU(110)에 결합된다. 메모리(112) 또는 컴퓨터 판독가능한 매체는 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 로컬 또는 원격 디지털 저장소와 같은 쉽게 이용가능한 메모리 중 하나 이상일 수 있다. 지원 회로들(114)은 종래의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(110)에 결합된다. 이러한 회로들은 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입/출력 회로, 서브시스템 등을 포함한다.
일반적으로, 캐러셀(134)은 캐리어 헤드들(152) 중 하나를 각각 지지하는 복수의 암(150)을 갖는다. 도 1에 도시된 암들(150) 중 2개는 플래튼 어셈블리들(132) 중 하나에 배치된 평탄화 또는 연마 제품(123) 및 이송 스테이션이 보일 수 있도록 팬텀으로 보여져 있다. 캐러셀(134)은 캐리어 헤드들(152)이 플래튼 어셈블리들(132)과 이송 스테이션(136) 사이에서 이동될 수 있도록 인덱스화가능하다(indexable).
전형적으로, 화학적 기계적 연마 프로세스는 캐리어 헤드(152) 내에 보유된 기판(122)을 플래튼 어셈블리(132) 상에 지지된 연마 제품(123)에 대하여 이동시킴으로써, 각각의 플래튼 어셈블리(132)에서 수행될 수 있다. 연마 제품(123)은 평활한 표면(smooth surface), 텍스쳐화된 표면(textured surface), 연마재(abrasives)를 함유하는 표면, 또는 그들의 조합을 가질 수 있다. 추가로, 연마 제품(123)은 연마 표면에 걸쳐서 전진되거나(advanced) 연마 표면에 방출가능하게 고정된다(releasably fixed). 전형적으로, 연마 제품(123)은 진공에 의해, 기계적 클램프들에 의해, 또는 다른 유지 방법들에 의해, 플래튼 어셈블리(132)에 방출가능하게 고정된다.
연마 제품(123)의 실시예들은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 3차원(3D) 프린팅 프로세스에 의해 생성된 폴리머 재료를 포함할 수 있다. 연마 제품(123)은 나노 사이즈 피쳐들(예를 들어, 약 10 나노미터 내지 약 200 나노미터의 크기를 갖는 폴리머 매트릭스 내의 입자들 및/또는 불연속 영역들 또는 도메인들)을 포함할 수 있다. 연마 프로세스는 기판(122)을 연마하는 데에 도움을 주기 위해 유체 노즐들(154)에 의해 패드 표면에 전달되는 연마재 입자들을 포함하는 슬러리를 이용할 수 있다. 유체 노즐들(154)은 도시된 바와 같이 플래튼 어셈블리들(132)이 없는 위치에 도시된 방향으로, 플래튼 어셈블리들(132) 각각의 위의 위치까지 회전될 수 있다.
본 명세서에 설명된 것과 같은 3D 프린팅은 다른 3D 퇴적 또는 인쇄 프린팅 프로세스들 중에서도, 폴리젯 퇴적(polyjet deposition), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 퓨즈드 퇴적 모델링(fused deposition modeling), 바인더 젯팅(binder jetting), 파우더 베드 퓨전(powder bed fusion), 선택적 레이저 소결(selective laser sintering), 스테레오리소그래피(stereolithography), 배트 포토폴리머화 디지털 광 처리(vat photopolymerization digital light processing), 시트 라미네이션(sheet lamination), 지향성 에너지 퇴적(directed energy deposition)을 포함하지만, 그에 한정되지는 않는다.
도 2는 플래튼(230)에 걸친 연마 제품(123)의 위치를 도시하는, 플래튼 어셈블리(132), 및 예시적인 공급 어셈블리(206) 및 테이크업 어셈블리(208)의 측면도를 도시한다. 일반적으로, 공급 어셈블리(206)는 플래튼 어셈블리(132)의 측벽(218) 사이에 배치된 공급 롤(254), 상부 가이드 부재(204), 및 하부 가이드 부재(205)를 포함한다. 연마 제품(123)은 튜브형 부재(tubular member) 또는 다월(dowel)일 수 있는 로드(rod)(255) 주위에 감겨질 수 있다. 일반적으로, 테이크업 어셈블리(208)는 측벽들(218) 사이에 모두 배치된 테이크업 롤(252), 상부 가이드 부재(214), 및 하부 가이드 부재(216)를 포함한다. 테이크업 롤(252)은 연마 제품(123)의 사용된 부분을 일반적으로 포함하고, 테이크업 롤(252)이 사용된 연마 제품(123)으로 채워지고 나면 빈 테이크업 롤로 쉽게 교체될 수 있도록 구성된다. 상부 가이드 부재(214)는 연마 제품(123)을 플래튼(230)으로부터 하부 가이드 부재(216)로 안내하도록 위치된다. 하부 가이드 부재(216)는 연마 제품(123)을 테이크업 롤(252) 상으로 안내한다. 플래튼 어셈블리(132)는 또한 기판에 대해 수행된 평탄화 또는 연마 프로세스에 대한 종료점을 검출하기 위한 광학 신호들을 전송 및 수신하도록 적응된 광학 감지 디바이스(220), 예컨대 레이저를 포함할 수 있다.
공급 롤(254)은 연마 제품(123)의 사용되지 않은 부분을 일반적으로 포함하고, 공급 롤(254) 상에 배치된 연마 제품(123)이 연마 또는 평탄화 프로세스에 의해 소비되고 나면, 새로운 연마 제품(123)을 포함하는 다른 공급 롤(254)로 쉽게 교체될 수 있도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 에너지 소스(212)는 공급 롤(254)과 테이크업 롤(252) 사이에 배치된 연마 제품(123)의 상부 표면(221)을 향해 전자기 에너지(215)를 인가하도록 위치될 수 있다. 전자기 에너지(215)는 에너지의 빔 또는 플러드(flood)의 형태일 수 있고, 연마 제품(123)의 상부 표면(221)의 불연속 영역들과 선택적으로 상호작용(즉, 절제 및/또는 가열)하기 위해 이용될 수 있다. 전자기 에너지(215)는 전자 빔 또는 빔들, 레이저 빔 또는 빔들, 및 그들의 조합일 수 있다. 전자기 에너지(215)는 연마 프로세스 전에, 연마 프로세스 동안, 또는 연마 프로세스 후에, 연마 제품(123)의 상부 표면(221)을 컨디셔닝하기 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자기 에너지(215)는 연마 프로세스를 조정하기 위하여 연마 동안 연마 제품(123)의 상부 표면(221)을 컨디셔닝하기 위해 이용된다.
일반적으로, 연마 제품(123)의 상부 표면(221)은 연마 제품(123)을 백킹 패드 어셈블리(backing pad assembly)(226)에 걸쳐 X 방향으로 제어가능하게 전진시키도록 구성된다. 일반적으로, 연마 제품(123)은 공급 어셈블리(206)에 결합된 모터(222)와 테이크업 어셈블리(208)에 결합된 모터(224) 사이에서 힘들의 균형을 맞춤으로써 플래튼(230)에 관련하여 이동된다. 연마 제품(123)을 백킹 패드 어셈블리(226)에 대해 고정하기 위해, 래칫 메커니즘들(ratchet mechanisms) 및/또는 브레이킹 시스템들(도시되지 않음)이 공급 어셈블리(206) 및 테이크업 어셈블리(208) 중 하나 또는 둘 다에 결합될 수 있다. 플래튼(230)은 X 및/또는 Y 방향에 대체로 직교하는 회전 축에 대하여 플래튼 어셈블리(132)를 회전시키는 회전자 액츄에이터(228)에 동작가능하게 결합될 수 있다(operably coupled). 진공 시스템(232)은 액츄에이터(228)와 백킹 패드 어셈블리(226) 사이에 결합될 수 있다. 진공 시스템(232)은 연마 제품(123)의 위치를 플래튼(230) 상에 고정시키기 위해 이용될 수 있다. 진공 시스템(232)은 백킹 패드 어셈블리(226) 아래에 배치된 플레이트(236) 내에 형성된 채널들(234)을 포함할 수 있다. 백킹 패드 어셈블리(226)는 서브패드(238) 및 서브플레이트(240)를 포함할 수 있고, 그러한 서브패드 및 서브플레이트 각각을 관통하여, 채널들(234) 및 진공 소스(244)와 유체 소통하는 개구들(242)이 형성된다. 서브패드(238)는 전형적으로 플라스틱, 예컨대 폴리카보네이트 또는 기포 폴리우레탄(foamed polyurethane)이다. 일반적으로, 서브패드(238)의 경도(hardness) 또는 듀로미터(durometer)는 특정한 연마 결과를 생성하도록 선택될 수 있다. 일반적으로, 서브패드(238)는 기판의 전역적 평탄화를 촉진하기 위해, 연마 제품(123)의 상부 표면(221)을 기판(도시되지 않음)의 평면에 평행한 평면으로 유지한다. 서브패드(238)의 상부 표면이 플래튼(230)의 최상부면(260)에 대체로 평행하게 유지되도록, 서브플레이트(240)는 서브패드(238)와 플래튼(230)의 최하부면 사이에 위치된다.
도 3a는 도 2의 플래튼 어셈블리(132) 상에서 이용될 수 있는 연마 제품(123)을 준비하기 위한 패드 제조 시스템(300A)의 일 실시예의 개략적 등축도이다. 일 실시예에서, 패드 제조 시스템(300A)은 피드 섹션(302), 프린트 섹션(304), 경화 섹션(306), 및 패드 와인드업 섹션(308)을 일반적으로 포함한다. 패드 제조 시스템(300A)은 또한 적어도 2개의 롤러(314) 사이에 배치된 웹(312)을 포함하는 컨베이어(310)를 포함한다. 롤러들(314) 중 하나 또는 둘 다는 롤러들(314) 및/또는 웹(312)을 A로 표시된 화살표에 의해 도시된 방향으로 회전시키는 드라이브 모터(315)에 결합될 수 있다. 피드 섹션(302), 프린트 섹션(304), 경화 섹션(306), 및 패드 와인드업 섹션(308)은 제어기(311)에 동작가능하게 결합될 수 있다. 컨베이어(310)는 제어기(311)에 의해 연속적으로 또는 단속적으로(intermittently) 이동하도록 작동될 수 있다.
피드 섹션(302)은 컨베이어(310)에 동작가능하게 결합된 공급 롤(316)을 포함할 수 있다. 공급 롤(316)은 백킹 재료(317), 예컨대 폴리머 재료, 예를 들어 BoPET(biaxially-oriented polyethylene terephthalate) 재료일 수 있다. 공급 롤(316)은 모션 제어 디바이스(320)에 의해 구동 또는 제어되는 피드 롤러(318) 상에 배치될 수 있다. 모션 제어 디바이스(320)는 공급 롤(316)의 언와인딩 속도(unwinding speed)가 드라이브 모터(315) 및/또는 웹(312)에 의해 구동되도록 공급 롤(316) 상에 미리 결정된 장력을 제공하는 브레이크 시스템을 포함하고/하거나 모터일 수 있다. 피드 섹션(302)은 또한 사전처리 디바이스(pretreatment device)(322)를 포함할 수 있다. 사전처리 디바이스(322)는 프린트 섹션(304)에서의 프린팅 이전에 백킹 재료(317) 상에 코팅을 스프레이하거나 다르게 제공하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 사전처리 디바이스(322)는 프린트 섹션(304)에서의 프린팅 이전에 백킹 재료(317)를 가열하기 위해 이용될 수 있다.
프린트 섹션(304)은 피드 섹션(302)의 다운스트림에 배치된 3D 프린팅 스테이션(324)을 포함한다. 프린트 섹션(304)은 백킹 재료(317) 상에 패터닝된 표면(328)을 제공하기 위해 하나 이상의 프린트 헤드(327)를 이용한다. 프린트 섹션(304)은 백킹 재료(317) 및 웹(312)에 대해 프린트 헤드들(327)을 이동시키기 위해 이용될 수 있는 모션 제어 디바이스(332)에 결합되는 이동가능한 플랫폼(330)을 포함할 수 있다.
프린트 헤드들(327)은 패터닝된 표면(328)을 형성하기 위해 이용될 수 있는 프린트 재료들을 갖는 재료 소스(325)에 결합될 수 있다. 프린트 재료들은 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 플루오로폴리머, PTFE, PTFA, 폴리페닐린 설파이드(PPS: polyphenylene sulfide), 또는 그들의 조합과 같은 폴리머 재료들을 포함할 수 있다. 예들은 또한 폴리비닐 알코올, 펙틴, 폴리비닐 피롤리돈, 하이드록시에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 하이드로프로필메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 하이드록시프로필셀룰로오스, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리하이드록시에테르아크릴라이트, 녹말, 말레산 코폴리머, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리우레탄, 및 그들의 조합을 포함한다.
일 실시예에서, 폴리머 재료는 백킹 재료(317) 상에 베이스 재료로서 퇴적될 수 있다. 형성되는 폴리머 재료는 개방 기공(open-pored) 또는 폐쇄 기공(closed-pored) 폴리우레탄 재료를 포함할 수 있고, 그 사이에 산재된 나노스케일 입자들을 포함할 수 있다. 입자들은 유기 나노입자들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 나노입자들은 분자 또는 원소 링들 및/또는 나노구조물들을 포함할 수 있다. 예시들은 카본 나노튜브 및 다른 구조물들, 5 결합(오각형), 6 결합(육각형), 또는 6 초과 결합을 갖는 분자 탄소 링들과 같은 탄소(C)의 동소체들(allotropes)을 포함한다. 다른 예들은 풀러린 유사 초분자들(fullerene-like supramolecules)을 포함한다. 다른 실시예에서, 나노스케일 입자들은 세라믹 재료, 알루미나, 유리[예를 들어, 실리콘 이산화물(SiO2)], 및 그들의 조합들 또는 유도체들일 수 있다. 다른 실시예에서, 나노스케일 입자들은 다른 산화물들 중에서도, 티타늄(IV) 산화물 또는 티타늄 이산화물(TiO2), 지르코늄(IV) 산화물 또는 지르코늄 이산화물(ZrO2), 그들의 조합들 및 그들의 유도체들과 같은 금속 산화물들을 포함할 수 있다.
프린트 헤드들(327)에 의해 형성되는 패터닝된 표면(328)은 우레탄, 멜라민, 폴리에스테르, 폴리설폰, 폴리비닐 아세테이트, 불화계 탄화수소 및 그와 유사한 것, 및 이들의 혼합물들, 코폴리머들 및 그래프트들(grafts)로 형성될 수 있는 폴리머 매트릭스와 같은 복합 베이스 재료(composite base material)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 폴리머 매트릭스는 폴리에테르계 액체 우레탄으로부터 형성될 수 이는 우레탄 폴리머를 포함한다. 액체 우레탄은, 경화될 때 요소 결합들(urea links) 및 교차결합된 폴리머 네트워크를 형성하는 우레탄/요소 교차결합 합성물들 내의 하이드록실/아민과 같은, 다가(polyfunctional) 아민, 디아민, 트리아민 또는 다가 하이드록실 혼합물 또는 혼합된 작용성 혼합물들과 반응할 수 있다.
경화 섹션(306)은 하우징(334) 내에 또는 하우징 상에 배치될 수 있는 경화 디바이스(333)를 포함한다. 하우징(334)은 웹(312) 위에 배치되고, 그에 의해, 백킹 재료(317) 상의 웹(312) 및 패터닝된 표면(328)은 그 아래를 지나갈 수 있게 된다. 경화 디바이스(333)는 열 오븐(thermal oven), 자외선(UV) 발광기, 또는 그들의 조합들일 수 있다. 일 실시예에서, 경화 디바이스(333)는 패터닝된 표면(328)을 형성하는 프린트 헤드들(327)에 의해 퇴적된 재료를 경화하기 위해 이용될 수 있는 레이저 소스(336) 및 전자 빔 방출기(338) 중 하나 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 빔 방출기가 이용될 때, 패드 제조 시스템(300A)은 압력이 제어될 수 있는 인클로저 내에 위치될 수 있다. 레이저 소스(336) 및 전자 빔 방출기(338)는 열 또는 UV 에너지와 함께, 또는 단독으로 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 레이저 소스(336) 및 전자 빔 방출기(338)는 패터닝된 표면(328)의 특정 부분들이 타겟팅되는 스폿 경화 프로세스에서 이용될 수 있다. 레이저 소스(336) 또는 전자 빔 방출기(338)에 의한 스폿 타겟팅은 패터닝된 표면(328)의 불연속 영역들(discrete regions)을 가열하여, 주변 부분들보다 더 단단하거나 덜 압축가능할 수 있는 불연속 영역들의 표면을 생성할 수 있다. 또한, 레이저 소스(336)는 패터닝된 표면(328)의 부분들을 절제하여 그 위에 고운 텍스쳐(fine texture)를 생성하기 위해 이용될 수 있다.
패드 와인드업 섹션(pad wind-up section)(308)은 연마 제품(123)이 감겨질 수 있는 테이크업 롤(340)을 포함한다. 테이크업 롤(340)은 패드 제조 시스템(300A)으로부터 제거되어 도 2의 플래튼 어셈블리(132) 내에서 공급 롤(254)로서 이용될 수 있다. 제조 동안, 테이크업 롤(340)은 모션 제어 디바이스(342)에 결합될 수 있다. 모션 제어 디바이스(342)는 테이크업 롤(340)의 와인딩 속도(winding speed)를 제어하는 브레이크 시스템을 포함하고/하거나 모터일 수 있다.
도 3b는 패드 제조 시스템(300B)의 다른 실시예의 개략적 측면도이다. 패드 제조 시스템(300B)은 도 3a의 패드 제조 시스템(300A)과 유사할 수 있는 피드 섹션(302), 프린트 섹션(304), 경화 섹션(306), 및 패드 와인드업 섹션(308)을 갖는 컨베이어(310)를 포함한다. 그러나, 패드 제조 시스템(300B)은 컨베이어(310)에 걸쳐 테이크업 롤(340)까지 이동하는 웹(312)을 제어가능하게 언와인딩하는 공급 롤(316)을 포함한다. 웹(312)은 도 3a에 설명된 백킹 재료(317)와 유사한 백킹 재료일 수 있다. 컨베이어(310) 및 테이크업 롤(340)뿐만 아니라, 웹(312)의 모션은 도 3a에 설명된 패드 제조 시스템(300A)과 유사한 모션 제어 디바이스들 및 제어기에 의해 제어될 수 있고, 간략함을 위하여 도 3b에서는 그 설명이 생략된다.
패드 제조 시스템(300B)은 피드 섹션(302)과 프린트 섹션(304) 사이에 위치된 선택적인 사전처리 섹션(344)을 포함한다. 사전처리 섹션(344)은 웹(312) 상에 접착(adhesive) 또는 방출(release) 층을 형성하기 위해 이용될 수 있다. 대안적으로, 접착 또는 방출 층은 3D 프린팅 스테이션(324)을 이용하여 프린트 섹션(304)에서 형성될 수 있다. 사전처리 섹션(344)이 이용될 때, 웹(312) 상에 층 또는 층들을 퇴적하기 위해, 슬롯/다이 코팅기(slot/die coater)(346)가 이용될 수 있다. 추가로, UV 광 또는 가열 요소들을 이용하는 경화 스테이션(348)은 슬롯/다이 코팅기(346)에 의해 퇴적된 재료를 경화하기 위해 이용될 수 있다.
본 실시예에서, 3D 프린팅 스테이션(324)은 프린트 헤드들(327)의 어레이를 포함한다. 프린트 헤드들(327)은 웹(312) 상에 패터닝된 표면(328)을 형성할 뿐만 아니라, 웹(312) 상에 접착 또는 방출 층을 선택적으로 형성하기 위해 이용될 수 있다. 일례에서, 프린트 헤드들(327)의 복수의 행 및 열은 컨베이어(310)의 폭 및 컨베이어(310)의 길이의 일부분에 걸쳐 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 프린트 헤드들(327) 중 하나 이상은 컨베이어(310)에 대해 이동가능할 수 있다. 프린트 헤드들(327)은 도 3a에 설명된 바와 같이 재료 소스(325)에 결합될 것이다.
경화 섹션(306)은 선택적인 전자기 에너지 소스(350) 및 열 경화 디바이스(352) 중 하나 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 전자기 에너지 소스(350)는 도 3a에 설명된 것과 같은 레이저 소스 또는 전자 빔 방출기 중 하나 또는 그들의 조합일 수 있다. 열 경화 디바이스(352)는 오븐 또는 UV 광 어레이일 수 있다.
패드 와인드업 섹션(308)은 연마 제품(123)이 감겨질 수 있는 테이크업 롤(340)을 포함한다. 테이크업 롤(340)은 패드 제조 시스템(300A)으로부터 제거되어 도 2의 플래튼 어셈블리(132) 내에서 공급 롤(254)로서 이용될 수 있다.
도 4a는 도 3a의 패드 제조 시스템(300A) 또는 도 3b의 패드 제조 시스템(300B) 내에서 이용될 수 있는 3D 프린팅 스테이션(324)의 일 실시예의 개략적 단면도이다. 도 4a는 3D 프린팅 프로세스를 이용하여 제조되는 연마 제품(123)의 일 실시예의 일부분을 도시한다. 3D 프린팅은 연마 층 내의 특정 위치들에 매립된 연마재들을 갖는 연마 제품들을 생성하기 위한 편리하고 고도로 제어가능한 프로세스를 제공한다. 연마 제품(123)은 지지체(400) 상에 프린팅될 수 있고, 지지체는 도 3a의 백킹 재료(317) 또는 도 3b의 웹(312)일 수 있다.
도 4a를 참조하면, 적어도, 연마 제품(123)의 연마 층(405)은 3D 프린팅 프로세스를 이용하여 제조된다. 제조 프로세스에서, 지지체가 A에 의해 나타난 화살표를 따라(X 방향으로) 이동되는 동안, 얇은 재료 층들이 지지체(400) 상에 점진적으로 퇴적 및 용융된다. 예를 들어, [도 3a의 재료 소스(325)로부터의] 패드 프리커서 재료의 액적들(droplets)(410)이 액적 방출 프린터(415)의 노즐(326)로부터 방출되어 복수의 층(420A, 420B 및 422)을 형성할 수 있다. 층들은 다른 층들의 순차적 퇴적을 가능하게 하는 패드 프리커서 재료를 포함하는 고체화된 재료(425)를 형성할 수 있다. 액적 방출 프린터(415)는 잉크젯 프린터와 유사할 수 있지만, 잉크가 아닌 패드 프리커서 재료를 이용한다. 제조 동안 지지체(400)가 X 방향으로 연속적으로 또는 단속적으로 이동되는 동안, 노즐(326)은 X 및 Y 방향 중 하나 또는 둘 다로 병진될 수 있다.
일례에서, 제1 층(420A)은 지지체(400) 상으로 액적들(410)을 방출함으로써 퇴적될 수 있다. 층들(420B 및 422)(간단히 하기 위해, 그들 사이의 다른 층들은 호명되지 않음)과 같은 후속 층들은 고체화 후에 제1 층(420A) 상에 퇴적될 수 있다. 각각의 층이 고체화된 후, 다음으로, 완전한 3차원 연마 층(405)이 제조될 때까지, 새로운 층이 이전에 퇴적된 층 위에 퇴적된다. 고체화는 폴리머화에 의해 달성될 수 있다. 예를 들어, 패드 프리커서 재료의 층들은 모노머일 수 있고, 모노머는 UV 경화에 의해 또는 열적으로 인-시튜 폴리머화될 수 있다. 패드 프리커서 재료는 실질적으로 퇴적 직후에 경화될 수 있고, 또는 패드 프리커서 재료의 전체 층이 퇴적될 수 있고, 다음으로 그 층이 동시에 경화될 수 있다.
각각의 층은 제어기(311) 상에 제공된 3D 드로잉 컴퓨터 프로그램에 저장된 패턴으로 노즐(326)에 의해 도포될 수 있다. 각각의 층(420A, 420B, 및 422)은 연마 층(405)의 전체 두께보다 작거나 50%보다 작을 수 있다. 일례에서, 각각의 층(420A, 420B 및 422)은 연마 층(405)의 전체 두께의 10% 미만, 예를 들어 5% 미만, 예컨대 연마 층(405)의 전체 두께의 약 1% 미만일 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 층의 두께는 약 30 마이크로미터 내지 약 60 마이크로미터 이하, 예컨대 약 몇 나노미터 정도(예를 들어, 1 내지 100 나노미터)의 두께, 심지어는 피코스케일 치수들[예를 들어, 피코스케일(10-12 미터)]의 두께를 포함할 수 있다.
지지체(400)는 강체 베이스(rigid base), 또는 가요성 필름, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE: polytetrafluoroethylene)의 층일 수 있다. 지지체(400)가 필름인 경우, 지지체(400)는 연마 제품(123)의 일부분을 형성할 수 있다. 예를 들어, 지지체(400)는 백킹 재료(317), 또는 백킹 재료(317)와 연마 층(405) 사이의 층일 수 있다. 대안적으로, 연마 층(405)은 지지체(400)로부터 제거될 수 있고, 층들(420A 및 420B)이 백킹 층 재료를 형성할 수 있다.
일부 실시예들에서, 연마재 입자들은 패드 프리커서 재료의 액적들(410) 내에 분산될 수 있다. 연마재 입자들은 층들 각각의 형성 동안 연마 층(405) 내에 국소적으로 디스펜스될 수 있다. 연마재 입자들의 국소적 디스펜스는 응집(agglomeration)의 최소화에 도움을 줄 수 있다. 일부 실시예들에서, 연마재 입자들은 액체 서모셋 폴리머 프리커서와 미리 혼합될 수 있다. 서모셋 폴리머 프리커서와 연마재 입자들의 혼합물의 연속적인 교반(agitation)은 잉크 젯 프린터들에서 이용되는 잉크 피그먼트들을 균질화하기 위해 이용되는 장치와 마찬가지로, 입자들의 응집을 방지한다. 추가로, 혼합물의 연속적인 교반은 프리커서 재료 내에서의 연마재 입자들의 상당히 균일한 분포를 보장한다. 이것은 연마 층을 통한 입자들의 더 균일한 분포를 야기할 수 있고, 이것은 개선된 연마 균일성을 유발할 수 있고, 또한 응집의 방지를 도울 수 있다.
미리 혼합된 혼합물은 특정 패턴에 따라 단일 노즐[예를 들어, 노즐(326)]로부터 디스펜스될 수 있다. 예를 들어, 미리 혼합된 혼합물은 연마 층(405)의 두께 전체에서 매립된 연마재 입자들의 균일한 분포를 갖는 균질한 연마 층(405)을 만들어내기 위해 균일하게 디스펜스될 수 있다.
도 4b는 도 3a의 패드 제조 시스템(300A) 또는 도 3b의 패드 제조 시스템(300B) 내에서 이용될 수 있는 3D 프린팅 스테이션(324)의 일 실시예의 개략적 단면도이다. 도 4b에는, 3D 프린팅 프로세스를 이용하여 제조되는 연마 제품(123)의 다른 실시예의 일부분의 단면도가 도시되어 있다. 연마 제품(123)은 CAD 프로그램으로부터의 명령어들에 기초하여 홈들(455)에 의해 분리되는 복수의 구조물(450)을 포함하도록 액적 방출 프린터(415)에 의해 형성된다. 구조물들(450) 및 홈들(455)은 연마 층(405)을 형성할 수 있다. 또한, 서브 층(430)은 액적 방출 프린터(415)에 의해 연마 제품(123)과 함께 형성될 수 있다. 서브 층(430)은 백킹 재료(317)(도 3a에 도시됨)일 수 있다. 예를 들어, 서브 층(430) 및 연마 층(405)은 액적 방출 프린터(415)에 의해, 중단없는 동작으로 제조될 수 있다. 서브 층(430)은 상이한 프리커서 및/또는 상이한 양의 경화, 예를 들어 상이한 강도 또는 지속시간의 UV 복사를 이용하여, 연마 층(405)과는 다른 경도를 제공받을 수 있다. 다른 실시예들에서, 서브 층(430)은 종래의 프로세스에 의해 제조되고, 다음으로 연마 층(405)에 고정된다. 예를 들어, 연마 층(405)은 압력 감지 접착제(pressure sensitive adhesive)와 같은 얇은 접착 층에 의해 서브 층(430)에 고정될 수 있다.
도 4b에서, 노즐(435)을 갖는 프린트헤드(430A)는 순수한 액체 써모셋 폴리머 프리커서를 디스펜스하기 위해 이용될 수 있는 한편, 노즐(435)을 갖는 프린트헤드(430B)는 액체 써모셋 폴리머 프리커서, 또는 연마재 입자들(445)이 함유된 용융된 열가소성 수지를 위해 이용될 수 있다. 연마재 입자들(445)은 연마 제품(123) 상의 선택된 위치들에만 디스펜스될 수 있다. 이러한 선택된 위치들은 연마재 입자들의 원하는 프린팅 패턴을 집합적으로 형성하고, 다음으로 액적 방출 프린터(415)를 제어하는 전자적 제어기[예를 들어, 제어기(311)]에 의해 판독되는 CAD 호환가능한 파일로서 저장될 수 있다. 다음으로, 전자 제어 신호들은 노즐(435)이 CAD 호환가능한 파일에 의해 규정되는 위치로 병진될 때만 미리 혼합된 혼합물을 디스펜스하도록 액적 방출 프린터(415)에 송신된다. 입자들(445)의 예는 포로젠들(porogens), 예컨대 폴리에틸렌 글리콜(PEG), 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 속이 빈 입자들/미세 구체(hollow particles/microspheres)(약 5nm 내지 약 50㎛ 크기), 예를 들어 젤라틴, 키토산, Si3N4, 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate : PMMA), 다공성 나노입자(mesoporous nanoparticles), 카르복실 메틸 셀룰로오스(CMC), 거대기공성 하이드로젤(macroporous hydrogels) 및 에멀젼 미세 구체(emulsion microspheres)를 포함할 수 있다. 대안적으로, 리칭 기술(leeching technique)은 코-포로젠(co-porogens)으로서의 소금 미립자(NaCl) 및 PEG의 조합에 의해 이용될 수 있다.
대안적으로, 액체 써모셋 폴리머 프리커서를 이용하는 것을 대신하여, 연마재 입자들(445)이 용융된 열가소성 수지와 미리 혼합될 수 있다. 본 실시예에서, 연마재 입자들(445)과의 혼합물은 또한 디스펜스되기 전에 연속적으로 교반된다. 혼합물이 원하는 프린팅 패턴에 따라 액적 방출 프린터(415)로부터 디스펜스된 후에, 혼합물의 용융된 부분이 냉각되고 고체화되며, 연마재 입자들(445)은 제자리에 록킹된다. 혼합물의 연속적인 교반은 프리커서 재료 내에서의 연마재 입자들(445)의 상당히 균일한 분포를 보장한다. 이것은 연마 층을 통한 입자들(445)의 더 균일한 분포를 야기할 수 있고, 이것은 개선된 연마 균일성을 유발할 수 있고, 또한 응집을 최소화할 수 있다.
액정 서모셋 폴리머 프리커서가 이용될 때의 경우와 마찬가지로, 전체 연마 층(405)에 걸쳐 연마재 입자들(445)의 균일한 분포를 만들어내기 위해, 열가소성 혼합물이 균일하게 디스펜스될 수 있다. 대안적으로, 연마재 입자들을 함유하는 열가소성 혼합물은 연마재 입자들(445)의 원하는 프린팅 패턴에 따라 연마 층(405)의 선택된 위치들에만 디스펜스될 수 있고, 그러한 프린팅 패턴은 CAD 호환가능한 파일로서 저장되고 액적 방출 프린터(415)를 구동하기 위해 이용되는 전자 제어기에 의해 판독된다.
프린트헤드(430B)에 결합된 노즐(435)로부터 현탁액(suspension) 내의 연마재 입자들을 디스펜스하기 보다는, 연마재 입자들은 프린트헤드(430B)의 노즐(435)로부터 파우더 형태로 직접 디스펜스될 수 있는 한편, 프린트헤드(430A)의 노즐(435)은 패드 폴리머 프리커서를 디스펜스하기 위해 이용된다. 일 실시예에서, 연마재 입자들(445)이 퇴적된 폴리머 재료 내에 디스펜스되기 전에 폴리머 프리커서가 디스펜스되고, 다음으로 그 혼합물이 경화된다.
3D 프린팅은 종래의 방식으로 구성된 연마 제품들 내에 존재할 때 응집하기 쉬운 연마재 입자들(445), 예를 들어 알루미나, 세리아 등을 이용하여 연마 제품들(123)을 구성하는 데에 특히 유용하지만, 3D 프린팅은 다른 연마 제품들을 디스펜스하여 연마 제품들(123)과 통합하는 데에도 이용될 수 있다. 따라서, 연마 제품들(123) 내에 통합되는 연마재 입자들은 실리카, 세라믹 산화물들, 금속들, 및 경성 폴리머들(hard polymers)을 포함할 수 있다.
액적 방출 프린터(415)는 고체인 입자들(445), 또는 속이 빈 코어(hollow core)를 갖는 입자들(445) 중 어느 하나를 퇴적할 수 있다. 액적 방출 프린터(415)는 또한 상이한 유형들의 입자들을 디스펜스할 수 있고, 그러한 입자들 중 일부는 연마 중인 기판과의 화학 반응들뿐만 아니라, CMP 처리 동안 연마 제품(123)의 층 또는 층들 상에서의 원하는 변화를 만들어내기 위한 화학 반응들을 거칠 수 있다. CMP 처리에서 이용되는 화학 반응들의 예들은 수산화 칼륨, 수산화 암모늄 중 하나 이상을 수반하는 10-14의 염기성 pH 범위 내에서 발생하는 화학 프로세스들, 및 슬러리의 제조사들에 의해 이용되는 다른 독점적인 화학 프로세스들을 포함한다. 아세트산, 구연산과 같은 유기산들을 수반하는 2-5의 산성 pH 범위 내에서 발생하는 화학 프로세스들도 CMP 처리에서 이용된다. 과산화수소를 수반하는 산화 반응들도 CMP 처리에서 이용되는 화학 반응들의 예이다. 연마재 입자들(445)은 또한 기계적 연마 기능을 제공하기 위해 이용될 수 있다. 입자들(445)은 1 밀리미터 이하, 예컨대 10 마이크로미터 이하, 예를 들어 1 마이크로미터 이하까지의 크기를 가질 수 있다. 입자들(445)은 상이한 형태학(morphology)을 가질 수 있고, 예를 들어, 입자들(445)은 원형이거나, 길쭉하거나, 패시트형(faceted)일 수 있다.
3D 프린팅 접근법은 레이어-바이-레이어 프린팅 접근법으로 인해, 연마 층(405)의 패턴들 내에서 엄격한 허용오차들(tight tolerances)을 허용하고, 연마 층(405) 내에 매립되는 연마재 입자들(445)의 분포에서 높은 허용오차들을 허용한다.
연마 제품들
도 5a 및 도 5b는 도 2의 플래튼 어셈블리(132) 상에서 이용될 수 있는 연마 제품(500)의 일 실시예를 도시한다. 연마 제품(500)의 연마 표면(505)은 도 3a 및 도 3b의 패터닝된 표면(328)을 형성하는 복수의 스트립 또는 타일(532)을 포함한다. 타일들(532)은 연마 재료(570) 내에, 또는 연마 재료를 통해 형성된 홈들(530)에 의해 분리된다. 연마 재료(570)는 백킹 재료(522)와 같은 캐리어 필름에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 적어도 연마 표면(505)은 도 3a 내지 도 4b에 설명된 것과 같은 3D 프린팅 프로세스에 의해 제조될 수 있다. 연마 표면(505)은 CMP 프로세스들에서 이용되는 화학적 및 물리적 요소들에 대한 저항성을 갖도록 선택되는 적절한 접착제(319)에 의해 백킹 재료(522)에 바인딩될 수 있다. 일부 실시예들에서, 백킹 재료(522) 및 접착제(319) 중 하나 또는 둘 다는 도 3a - 도 4b에 설명된 것과 같은 3D 프린팅 프로세스에 의해 제조될 수 있다.
복수의 타일(532) 각각은 연마 재료(570) 내의 홈들(530)을 연마 재료(570)의 두께보다 작은 깊이까지 형성함으로써 다른 타일(532)에 연결될 수 있다. 홈들(530)의 깊이는 연마 재료(570) 내의 무결성(integrity)을 유지하면서 연마 재료의 가요성을 허용하도록 선택될 수 있다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 실시예에서, 홈들(530) 및 타일들(532)은 머신 횡단 방향(cross-machine direction)에 실질적으로 평행하고, 즉 공급 및 테이크업 롤 방향을 가로지른다. 홈들(530)은 슬러리 보유 및 기판 표면에의 전달을 증강시킬 수 있는 채널들을 형성한다. 또한, 홈들(530)은 연마 재료(570)의 표면 장력을 파괴하기 위해 이용될 수 있고, 이것은 연마 제품(500)을 공급 롤로부터 풀어내고 테이크업 롤에 감는 것을 용이하게 하는 유연성을 추가할 수 있다.
도 5a에 도시된 실시예에서, 타일들(532)은 실질적으로 직사각형이고, 실질적으로 백킹 재료(522)의 머신 횡단 폭의 길이이다. 2개의 실질적으로 직사각형인 타일(532)이 백킹 재료(522)의 머신 횡단 폭의 실질적으로 절반인 길이로 형성되는 것과 같은 다른 실시예들이 예상된다. 일 실시예에서, 타일들(532)은 연마 제품(500)이 광 또는 전자기 복사 투과성 부분(536)을 갖고서 제조되도록 형성될 수 있다. 투과성 부분(536)은 연마 제품(500)의 (머신 방향으로의) 길이를 따라 형성될 수 있다. 종료점 검출을 용이하게 하기 위해, 광학 감지 디바이스(220)(도 2에 도시됨)에 의해 방출되는 광 또는 전자기 복사에 대해 또한 투과성인 백킹 재료(522)가 이용될 수 있다. 타일들(532)의 폭, 즉 길이에 실질적으로 수직한 치수는 임의의 치수로 형성될 수 있다. 일례로서, 타일들(532)은 약 1 인치 이하의 폭을 가질 수 있다.
일부 실시예들에서, 연마 재료(570)는 제2 재료(520) 내에 배치된 제1 재료(515)와 같은 복합 재료(composite material)를 포함한다. 일 실시예에서, 제2 재료(520)는 폴리머 매트릭스일 수 있고, 제1 재료(515)는 제1 재료(515) 내에 혼합된 미량원소들(microelements)일 수 있다. 미량원소들은 폴리머 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 그들의 조합일 수 있다. 미량원소들의 적어도 일부의 평균 직경은 약 10 나노미터일 수 있지만, 10 나노미터보다 크거나 작은 직경이 이용될 수 있다. 미량원소들의 평균 직경은 실질적으로 동일하거나, 상이한 크기들 또는 상이한 크기들의 혼합물을 갖도록 변경될 수 있고, 원하는 대로 폴리머 매트릭스 내에 함침될(impregnated) 수 있다. 미량원소들 각각은 약 0.1 마이크로미터 내지 약 100 마이크로미터의 평균 거리로 이격될 수 있다. 미량원소들은 폴리머 베이스 재료 전반에 실질적으로 균일하게 분포될 수 있다.
제1 재료(515)는 제2 재료(520)와 비교할 때, 에너지 소스(212)(도 2에 도시됨)로부터의 에너지의 빔 또는 빔들과 같은 전자기 에너지와의 상이한 반응성을 가질 수 있다. 상이한 반응성은 연마 표면(505) 상에 마이크로 텍스쳐를 형성하기 위해 이용될 수 있다. 제1 재료(515)와 제2 재료(520) 사이의 상이한 반응성은 제1 재료(515)가 제2 재료(520)보다 더 큰 속도로 절제되거나 그 반대로 되게 할 수 있다. 폴리머 미량원소들은 연마 제품(500)의 연마 표면(505) 내에서 마이크로미터 크기 또는 나노 크기 도메인들을 형성하는 마이크로미터 크기 또는 나노 크기 재료들일 수 있다. 미량원소들 각각은 약 150 마이크로미터 내지 약 10 마이크로미터이거나 그보다 작은 평균 직경을 포함할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 도 2의 플래튼 어셈블리(132) 상에서 이용될 수 있는 연마 제품(600)의 다른 실시예를 도시한다. 연마 제품(600)은 도 3a 및 도 3b의 패터닝된 표면(328)을 형성하는 연마 표면(605)을 갖는다. 연마 표면(605)은 연마 재료(670) 내에 또는 연마 재료를 통해 형성되고 백킹 재료(522)에 부착되는 인접 횡단 홈들(transverse grooves)(630)에 의해 분리되는 복수의 스트립 또는 타일(632)을 포함한다. 본 실시예에서, 연마 재료(570)는 도 4b에 설명된 바와 같이 내부에 혼입된 복수의 입자(445)를 포함한다. 복수의 스트립 또는 타일(632) 각각은 연마 재료(670) 내의 홈들(630) 각각을 연마 재료(670)의 두께보다 작은 깊이까지 형성함으로써 서로 연결될 수 있다. 홈들(630)의 깊이는 연마 재료(670)의 무결성을 유지하면서 연마 재료 내의 가요성을 허용하도록 선택될 수 있다. 대안적으로, 백킹 재료(522)를 필요없게 하는 롤 형식으로의 이동을 용이하게 하기 위해, 연마 재료(670)는 탄성 계수(modulus of elasticity) 또는 다른 기계적 속성들을 나타낼 수 있다. 본 실시예에서, 복수의 타일(632)은 복수의 홈에 의해 형성될 수 있고, 접착제(319) 및 백킹 재료(522) 없이 롤 형태로 이용될 수 있다. 다른 대안으로서, 연마 재료(570)는 홈들(630)이 분리되거나 불연속적이며 적절한 접착제(519)에 의해 백킹 재료(522)에 바인딩되는 타일(632)을 형성하도록 형성될 수 있다. 도시된 실시예에서, 연마 제품(600)은 대응하는 횡방향 홈들(635)을 갖고, 그러한 횡방향 홈들은 슬러리 보유 및 기판에의 전달에 도움이 되고 연마 제품(600)의 가요성을 증강시키기 위해 추가된다.
타일들(632)은 효율적인 연마를 용이하게 하는 임의의 형상 및 치수일 수 있다. 일 실시예에서, 타일들(632)은 연마 제품(600)이 광 또는 전자기 복사 투과성 부분(636)을 갖고서 제조되도록 형성될 수 있다. 투과성 부분(636)은 연마 제품(600)의 (머신 방향으로의) 길이를 따라 형성될 수 있다. 종료점 검출을 용이하게 하기 위해, 광학 감지 디바이스(220)(도 2)에 의해 방출되는 광 또는 전자기 복사에 대해 또한 투과성인 백킹 재료(522)가 이용될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 도 2의 플래튼 어셈블리(132) 상에서 이용될 수 있는 연마 제품(700)의 다른 실시예를 도시한다. 연마 제품(700)은 도 3a 및 도 3b의 패터닝된 표면(328)을 형성하는 연마 표면(705)을 갖는다. 연마 표면(705)은 연마 재료(570) 내에 형성된 복수의 공극(732)을 포함한다. 연마 재료(570)는 CMP 프로세스들에서 이용되는 화학적 및 물리적 요소들에 대한 저항성을 갖도록 선택되는 적절한 접착제(519)에 의해 백킹 재료(522)에 바인딩될 수 있다. 연마 제품(700) 내의 공극들(732)은 실질적으로 원 또는 타원 형상이지만, 원뿔, 또는 속이 빈 원뿔대, 즉 실질적으로 평행한 평면들 사이의 원뿔과 같은 다른 환형 기하형상들을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서와 같이, 횡방향 부분(736)은 광학 감지 디바이스(220)(도 2)에 의한 기판의 모니터링을 허용하도록 투과성일 수 있다.
일 실시예에서, 공극들(732)은 연마 제품(700)의 감기(rolling)에 도움을 주고 슬러리 보유를 증강시키기 위한 크기 및/또는 간격을 갖는 공동(hollow)(즉, 빈 공간)일 수 있다. 다른 실시예들에서, 공극들(732)은 연마 재료(570)[제2 재료(712)]와는 다른 제1 재료(710)로 적어도 부분적으로 채워질 수 있다. 제1 재료(710)는 제2 재료(712)에 비교하여, 경화 방법에 대해 다른 반응성을 갖는 폴리머 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 재료(712)는 UV 에너지로 경화가능할 수 있는 한편, 제1 재료(710)는 UV 에너지에 의해 크게 영향받지 않는다. 그러나, 일 실시예에서, 제1 재료(710)는 열 경화될 수 있다. 일 실시예에서, 연마 제품(700)은 제1 재료(710) 및 제2 재료(712)를 이용하여 차별적으로 경화될 수 있다. 차별적 경화의 일례에서, 연마 제품(700)의 제1 재료(710) 및 제2 재료(712)는 제1 재료(710)를 경화하지 않는 UV 에너지로 경화될 수 있다. 이에 의해, 제2 재료(712)는 제1 재료(710)보다 더 단단해질 수 있고, 이는 연마 제품(700)에 압축성(compressibility) 및/또는 가요성을 추가할 수 있는데, 왜냐하면 제1 재료(710)가 제2 재료(712)보다 더 큰 점성을 갖기 때문이다.
일 실시예에서, 내부에 제1 재료(710)를 갖는 공극들(732)을 더 경성으로 하면서도, 제2 재료(712)보다는 더 연성이고 더 압축가능하게 하도록, 제1 재료(710)가 열 경화된다. 다른 실시예에서, 공극들(732) 내의 제1 재료(710)는 기판 연마 프로세스 동안의 마찰에 의해 발생되는 열에 의해 열 경화된다. 본 실시예에서, 제1 재료(710)는 제2 재료(712)보다 더 경성이도록 경화될 수 있고, 그에 의해 주위의 제2 재료(712)보다 경성인 도메인들을 연마 표면(705) 상에 형성한다.
다른 실시예들에서, 제1 재료(710)는 제2 재료(712)와 비교할 때, 에너지 소스(212)(도 2에 도시됨)로부터의 에너지의 빔 또는 빔들과 같은 전자기 에너지와의 상이한 반응성을 가질 수 있다. 상이한 반응성은 연마 표면(705) 상에 마이크로 텍스쳐를 형성하기 위해 이용될 수 있다. 제1 재료(710)와 제2 재료(712) 사이의 상이한 반응성은 제1 재료(710)가 제2 재료(712)보다 더 큰 속도로 절제되거나 그 반대로 되게 할 수 있다. 공극들(732)은 연마 제품(700)의 연마 표면(705) 내에서 마이크로미터 크기 또는 나노 크기 도메인들을 형성하는 마이크로미터 크기 또는 나노 크기 재료들일 수 있다. 일 실시예에서, 공극들(732)은 약 150 마이크로미터 내지 약 10 마이크로미터 미만이거나 그보다 작은 평균 직경을 포함할 수 있다.
연마 제품들(123, 500, 600, 또는 700)의 상술한 실시예들에서, 백킹 재료(317 또는 522)는 3D 프린팅 프로세스에 의해 또는 3D 프린팅 프로세스에서 베이스 재료로서 형성될 수 있는 플라스틱 재료, 예컨대 폴리에스테르 필름, 예를 들어 2축 배향된(biaxially-oriented) 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 재료이다. 백킹 재료(317 또는 522)는 약 0.002 인치(50.8㎛) 내지 약 0.012 인치(304.8㎛), 예를 들어 약 0.004 인치(101.6㎛)의 두께로 제공될 수 있다. 패터닝된 표면(328) 및 연마 재료(570, 670 또는 770)는 쇼어 D 스케일에서 약 20-80 범위의 경도를 갖는 폴리머 재료일 수 있다. 일 실시예에서, 연마 제품(123)의 두께는 약 0.019 인치(482.6㎛) 내지 약 0.060 인치(1,524㎛)이다.
도 8은 도 2의 플래튼 어셈블리(132) 상에서 연마 제품(123)으로서 이용될 수 있는 연마 제품(800)의 개략적 사시 단면도이다. 연마 제품(800)은 경성 피쳐들(804)에 혼입된 연성 재료로 형성된 베이스 재료 층일 수 있는 복합 패드 바디(802)를 포함한다. 복합 패드 바디(802)는 3D 프린팅에 의해 형성될 수 있다. 복수의 상승된 피쳐(806)는 경성 피쳐들(804)을 적어도 부분적으로 둘러싸는 연성 재료(805)의 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 경성 피쳐들(804)은 약 40 쇼어 D 스케일 내지 약 90 쇼어 D 스케일의 경도를 가질 수 있다. 연성 재료(805)는 물론, 복합 패드 바디(802)의 나머지 부분은 약 26 쇼어 A 스케일 내지 약 95 쇼어 A 스케일의 경도 값을 가질 수 있다.
복합 패드 바디(802)는 복수의 층을 포함하고, 각각의 층은 3D 프린터에 의해 퇴적될 수 있는 연성 재료(805)를 위한 제1 재료의 영역들 및 경성 피쳐들(804)을 위한 제2 재료의 영역들을 포함한다. 다음으로, 복수의 층은 예를 들어 UV 광에 의해, 열원에 의해, 또는 전자기 에너지에 의해 경화되어, 고체화되고 원하는 경도를 달성할 수 있다. 퇴적 및 경화 후에, 경성 피쳐들(804) 및 연성 재료(805)는 함께 결합되어, 단일체의 복합 패드 바디(802)를 형성한다.
연성 재료(805)는 낮은 경도 값 및 낮은 영률 값을 갖는 제1 재료로 형성될 수 있는 한편, 경성 피쳐들(804)은 높은 경도 값 및 높은 영률 값을 갖는 제2 재료로 형성될 수 있다.
경성 피쳐들(804)은 폴리머 재료, 예를 들어, 폴리우레탄, 아크릴레이트, 에폭시, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS: acrylonitrile butadiene styrene), 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 멜라민, 폴리에스테르, 폴리설폰, 폴리비닐 아세테이트, 불화계 탄화수소 및 그와 유사한 것, 및 이들의 혼합물들, 코폴리머들 및 그래프트들(grafts)로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 경성 피쳐는 폴리에테르 케톤(PEEK), 폴리페닐설폰(PPS), 폴리옥시메틸렌(POM) 등과 같은 시뮬레이팅 플라스틱 3D 프린팅 재료로 형성될 수 있다. 경성 피쳐는 또한 프리커서 재료들에 의해 제공될 수 있고/거나, 우레탄들이 경성 피쳐들로 엔지니어링될 수 있다. 일 실시예에서, 연마재 입자들은 연마를 증강시키기 위해 경성 피쳐들(804) 내에 매립될 수 있다. 연마재 입자들은 금속 산화물, 예컨대 세리아, 알루미나, 실리카, 또는 폴리머, 합금(inter-metallic) 또는 세라믹인 그들의 조합일 수 있다.
연성 재료(805)는 엘라스토머 재료, 예를 들어 엘라스토머 폴리우레탄으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 연성 재료(805)는 고무 유사 3D 프린팅 재료, 예컨대 폴리부타디엔, 이소프렌, 클로로프렌, EPDM, 및 그와 유사한 것으로 형성될 수 있다. 또한, 탄성 피쳐가 프리커서 재료들에 의해 제공될 수 있고/거나, 우레탄들은 탄성 피쳐들을 제공하기 위해 고무같이 되도록 엔지니어링될 수 있다.
일 실시예에서, 상승된 피쳐들(806)은 선형 패턴, 동심 링 또는 라인 패턴으로 된 직사각형 패턴으로 되어 있을 수 있다. 상승된 피쳐들(806) 사이에 홈들(818)이 형성된다. 연마 동안, 상승된 피쳐들(806)의 상부 표면들(808)은 기판에 접촉하는 패터닝된 표면(251)을 형성하는 한편, 홈들(818)은 연마 유체를 보유한다.
일 실시예에서, 상승된 피쳐들(806)의 폭은 약 250 마이크로미터 내지 약 2 밀리미터일 수 있다. 상승된 피쳐들(806) 사이의 피치는 약 0.5 밀리미터 내지 약 5 밀리미터일 수 있다. 각각의 상승된 피쳐(806)는 약 250 마이크로미터 내지 약 2 밀리미터의 폭을 가질 수 있고, 동일한 피치를 포함할 수 있으며, 또는 다양한 경도의 구역들을 제공하기 위해, 연마 제품(800)의 반경에 걸쳐서 폭 및/또는 피치가 달라질 수 있다.
다른 연마 제품들과 비교하여, 본 개시내용의 복합 연마 제품(800)은 수 개의 이점을 갖는다. 전통적인 연마 제품들은 텍스쳐화된 연마 표면, 및 기판들을 연마하기 위한 원하는 경도 또는 영률을 획득하기 위해 연성 재료, 예컨대 기포로 형성된 서브 패드에 의해 지지되는 연마재 재료들을 갖는 연마 층을 일반적으로 포함한다. 다양한 영률들을 갖는 재료들을 선택하거나, 3D 프린팅의 이용에 의해 상이한 피쳐들의 배열들을 변경하거나 피쳐들의 치수들을 조절함으로써, 서브 패드를 이용하지 않고서도 복합 패드 바디(802) 내에 바람직한 경도 또는 영률이 달성될 수 있다. 그러므로, 연마 제품(800)은 서브 패드들을 제거함으로써 소유 비용을 감소시킨다. 추가로, 연마 제품(800)의 경도 및 연마도(abrasiveness)는 상이한 경도 및 연마도를 갖는 피쳐들을 혼합함으로써 조정될 수 있고, 그에 의해 연마 성능이 향상된다.
본 개시내용에 따른 복합 연마 제품들은 패턴 변동 및/또는 피쳐 크기 변동에 의해, 경성 피쳐들(804)과 같은 표면 피쳐들, 및 연성 재료(805)와 같은 베이스 재료에 걸쳐 가변적인 영률을 가질 수 있다. 원하는 속성들을 달성하기 위해, 연마 패드들에 걸친 영률은 대칭 또는 비대칭, 균일 또는 불균일할 수 있다. 상승된 피쳐들(806)의 패터닝은 원하는 속성을 달성하기 위해 방사형, 동심형, 직사각형, 또는 랜덤일 수 있다.
상승된 피쳐들(806)의 외측 표면들(808)은 경성 피쳐들(804)보다 더 연성이거나 더 탄성적인 폴리머 재료로 형성된다. 일 실시예에서, 상승된 피쳐들(806)의 외측 표면(808)은 베이스 재료 층(802)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상승된 피쳐들(806)은 내부에 매립된 경성 피쳐(804)를 포함한다. 매립된 경성 피쳐들(804)은 연마를 위해 요구되는 경도 및 강성을 제공한다. 외측 표면(808)의 연성 폴리머 층은 연마 중인 기판 상에서 결함들을 감소시키고 평탄화를 향상시킬 수 있다. 대안적으로, 연성 폴리머 재료는 본 개시내용의 다른 연마 패드들의 표면들 상에 프린팅되어 동일한 이점을 제공할 수 있다.
도 9는 도 5a에 도시된 전자기 복사 투과성 부분(536)과 유사한 관측 윈도우(910)를 갖는 연마 패드(900)의 개략적 사시 단면도이다. 연마 패드(900)는 도 2는 물론, 본 명세서에 설명된 연마 패드들의 다른 실시예들의 플래튼 어셈블리(132)에서 연마 제품(123)으로서 이용될 수 있다. 복합 패드 바디(902)는 하나 이상의 경성 피쳐(904) 및 하나 이상의 탄성 피쳐(906)를 포함한다. 경성 피쳐들(904) 및 탄성 피쳐들(906)은 복합 패드 바디(902)를 형성하기 위해 경계들에서 함께 결합되는 불연속 피쳐들이고, 연성 재료(805) 및 경성 피쳐들(804)과 함께 위에서 설명된 재료들을 포함할 수 있다.
연마 패드(900)는 하나 이상의 탄성 피쳐(906), 및 탄성 피쳐들(906)로부터 연장되는 복수의 경성 피쳐(904)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 경성 피쳐들(904)은 약 40 쇼어 D 스케일 내지 약 90 쇼어 D 스케일의 경도를 가질 수 있다. 탄성 피쳐들(906)은 약 26 쇼어 A 스케일 내지 약 95 쇼어 A 스케일의 경도 값을 가질 수 있다. 경성 피쳐들(904)은 본 개시내용에 따른 임의의 적절한 패턴들로 배열될 수 있다.
관측 윈도우(910)는 연마 중인 기판의 모니터링을 제공하기 위해 투과성인 재료로 형성될 수 있다. 관측 윈도우(910)는 탄성 피쳐(906) 또는 경성 피쳐들(904)을 통해 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 관측 윈도우(910)는 투과성인 3D 프린팅 포토폴리머로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 관측 윈도우(910)는 UV 투과가능한 폴리우레탄 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)로 형성될 수 있다.
도 10은 백킹 층(1006)을 포함하는 연마 제품(1000)의 개략적 단면도이다. 연마 패드(1000)는 도 2는 물론, 본 명세서에 설명된 연마 패드들의 다른 실시예들의 플래튼 어셈블리(132) 상에서 연마 제품(1223)으로서 이용될 수 있다. 연마 패드(1000)는 베이스 재료 층(1004), 및 베이스 재료 층(1004)으로부터 돌출되는 복수의 표면 피쳐(1002)를 포함한다. 연마 패드(1000)는 베이스 재료 층(1004)에 부착된 백킹 층(1006)을 갖는다는 점을 제외하고는 위에서 설명된 연마 제품들(500, 600, 700, 800 또는 900)과 유사할 수 있다. 백킹 층(1006)은 연마 제품(1000)에 압축성을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 백킹 층(1006)은 80 쇼어 A 스케일 미만의 경도 값을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 백킹 층(1006)은 압력 하에서 셀들이 붕괴되고 백킹 층(1006)이 압축되도록, 공극들을 갖는 폴리실리콘 또는 폴리우레탄과 같은 개방 셀 또는 폐쇄 셀 기포로 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 백킹 층(1006)은 천연 고무, EPDM(에틸렌 프로필렌 디엔 모노머) 고무, 니트릴, 또는 폴리클로로프렌(네오프렌)으로 형성될 수 있다.
도 11은 복수의 구역을 갖는 연마 제품(1100)의 개략적 단면도이다. 연마 제품(1100)은 연마 동안 기판(121)의 중심 영역에 접촉하는 영역들과, 기판(121)의 주변 부분들에 접촉하는 영역들에서 서로 다른 속성들을 갖도록 설계될 수 있다. 도 11은 기판(121)을 연마 제품(1100)에 대하여 위치시키는 캐리어 헤드(152)를 개략적으로 도시한다. 일 실시예에서, 연마 제품(1100)은 백킹 층(1104) 상에 배치된 복합 패드 바디(1102)를 포함할 수 있다. 복합 패드 바디(1102)는 3D 프린팅 프로세스에 의해 제조될 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 연마 패드(1100)는 연마 패드의 반경을 따르는 내측 에지 구역(1108), 외측 에지 구역(1106), 및 중심 구역(1110)으로 나누어질 수 있다. 외측 에지 구역(1106) 및 내측 에지 구역(1108)은 연마 동안 기판(121)의 에지 영역에 접촉하는 한편, 중심 구역(1110)은 연마 동안 기판(121)의 중심 영역에 접촉한다.
연마 패드(1100)는 에지 연마 품질을 향상시키기 위해, 에지 구역들(1106, 1108) 상에서 중심 구역(1110)과 비교하여 다른 탄성률(modulus)을 갖는다. 일 실시예에서, 에지 구역들(1106, 1108)은 중심 구역(1110)보다 낮은 영률을 가질 수 있다.
도 12는 도 11의 연마 제품(1100)의 부분 확대 단면도로서, 에지 구역(1106) 및 내측 에지 구역(1108)을 위한 예시적인 설계를 보여준다. 에지 구역(1106)은 베이스 재료 층(1206), 및 복수의 표면 피쳐(1204)를 포함한다. 표면 피쳐들(1204)은 베이스 재료 층(1206)보다 더 경성인 재료들로 형성될 수 있다. 내측 에지 구역(1108)은 베이스 재료 층(1208), 및 복수의 표면 피쳐(1202)를 포함한다. 표면 피쳐들(1202)은 베이스 재료 층(1208)보다 더 경성인 재료들로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 중심 구역(1108)은 베이스 재료 층(1208) 아래에 록킹 층(locking layer)(1210)을 포함할 수 있다. 록킹 층(1210)은 경성 재료로 형성될 수 있다. 안정성을 향상시키기 위해, 복수의 표면 피쳐(1202)가 록킹 층(1210) 상에 프린팅될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 내측 에지 구역(1108) 내의 표면 피쳐들(1202)은 크기에 있어서 외측 에지 구역(1106) 내의 표면 피쳐들(1204)보다 크다. 일 실시예에서, 에지 구역(1106) 내의 표면 피쳐들(1204)의 피치는 내측 에지 구역(1108) 내의 표면 피쳐들(1202)의 피치보다 작을 수 있다.
상술한 것은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 추가의 실시예들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 만들어질 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (29)

  1. 연마 제품으로서,
    복합 패드 바디(composite pad body)를 포함하고, 상기 복합 패드 바디는,
    연마 표면을 형성하는 복수의 연마 피쳐 - 상기 복수의 연마 피쳐는 제1 재료로 형성되고, 상기 복수의 연마 피쳐 각각은 홈에 의해 분리됨 -; 및
    제2 재료로 형성된 하나 이상의 베이스 피쳐 - 상기 하나 이상의 베이스 피쳐는 단일체 바디를 형성하기 위해 상기 복수의 연마 피쳐를 둘러싸고, 상기 제1 재료는 상기 제2 재료의 경도(hardness)보다 큰 경도를 가짐 - 를 포함하는, 연마 제품.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료는 상기 제2 재료와 비교할 때 전자기 에너지와의 상이한 반응성을 갖는, 연마 제품.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 재료는 폴리머 매트릭스이고, 상기 제1 재료는 상기 제1 재료 내에 분산된 복수의 미량원소(microelements)를 포함하는, 연마 제품.
  4. 제3항에 있어서, 상기 미량원소들은 폴리머 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 그들의 조합을 포함하는, 연마 제품.
  5. 제3항에 있어서, 상기 미량원소들 각각은 150 마이크로미터 내지 10 마이크로미터 이하의 평균 직경을 포함하는, 연마 제품.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료는 쇼어 D 스케일(Shore D scale)에서 40 내지 90의 경도를 포함하는, 연마 제품.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 재료는 쇼어 A 스케일에서 26 내지 95의 경도를 포함하는, 연마 제품.
  8. 제1항에 있어서, 상기 복합 패드 바디는 베이스 필름 상에 배치되는, 연마 제품.
  9. 제8항에 있어서, 상기 베이스 필름은 전자기 에너지에 대해 투과성인, 연마 제품.
  10. 삭제
  11. 화학적 기계적 연마 프로세스를 위한 교체용 공급 롤(replacement supply roll)로서,
    그 위에 연마 제품이 감겨진 로드(rod)를 포함하고,
    상기 연마 제품은 복합 패드 바디를 포함하고, 상기 복합 패드 바디는,
    연마 표면을 형성하는 복수의 연마 피쳐 - 상기 복수의 연마 피쳐는 제1 폴리머 재료로 형성되고, 상기 복수의 연마 피쳐 각각은 홈에 의해 분리됨 - ; 및
    제2 폴리머 재료로 형성된 하나 이상의 베이스 피쳐 - 상기 하나 이상의 베이스 피쳐는 단일체 바디를 형성하기 위해 상기 복수의 연마 피쳐를 둘러싸고, 상기 제1 폴리머 재료는 상기 제2 폴리머 재료의 경도보다 큰 경도를 가짐 - 를 포함하는, 공급 롤.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 폴리머 재료는 상기 제2 폴리머 재료와 비교할 때 전자기 에너지와의 상이한 반응성을 갖는, 공급 롤.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제2 폴리머 재료는 폴리머 매트릭스이고, 상기 제1 폴리머 재료는 상기 제1 폴리머 재료 내에 분산된 복수의 미량원소를 포함하는, 공급 롤.
  14. 제13항에 있어서, 상기 미량원소들의 일부는 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 그들의 조합을 더 포함하는, 공급 롤.
  15. 제13항에 있어서, 상기 미량원소들 각각은 150 마이크로미터 내지 10 마이크로미터 이하의 평균 직경을 포함하는, 공급 롤.
  16. 제11항에 있어서, 상기 복합 패드 바디는 전자기 에너지에 대해 투과성인 베이스 필름 상에 배치되는, 공급 롤.
  17. 삭제
  18. 연마 제품으로서,
    복합 패드 바디를 포함하고, 상기 복합 패드 바디는,
    연마 표면을 형성하는 복수의 연마 피쳐 - 상기 복수의 연마 피쳐는 제1 폴리머 재료를 포함하고, 상기 복수의 연마 피쳐 각각은 홈에 의해 분리됨 -; 및
    제2 폴리머 재료를 포함하는 베이스 재료 층을 포함하고,
    상기 복수의 연마 피쳐는 상기 베이스 재료 층으로부터 연장되고, 상기 제1 폴리머 재료는 상기 베이스 재료 층의 경도 보다 큰 경도를 갖는, 연마 제품.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1 폴리머 재료는 상기 제2 폴리머 재료와 비교할 때 전자기 에너지와의 상이한 반응성을 갖는, 연마 제품.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제2 폴리머 재료는 폴리머 매트릭스이고, 상기 제1 폴리머 재료는 상기 제1 폴리머 재료 내에 분산된 복수의 미량원소를 포함하는, 연마 제품.
  21. 제20항에 있어서, 상기 미량원소들의 일부는 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 그들의 조합을 더 포함하는, 연마 제품.
  22. 제20항에 있어서, 상기 미량원소들 각각은 150 마이크로미터 내지 10 마이크로미터 이하의 평균 직경을 포함하는, 연마 제품.
  23. 제18항에 있어서, 상기 연마 피쳐들의 피치는 상기 복합 패드 바디의 반경에 걸쳐 변하는, 연마 제품.
  24. 연마 제품 제조 시스템으로서,
    피드 섹션(feed section) 및 패드 와인드업 섹션(pad wind-up section) - 상기 피드 섹션은 공급 롤(supply roll)을 포함하고, 상기 공급 롤은 그 위에 배치된 배킹 재료(backing material)를 가짐 -;
    상기 피드 섹션과 상기 패드 와인드업 섹션 사이에 배치된 복수의 프린트헤드를 포함하는 프린트 섹션; 및
    상기 피드 섹션과 상기 패드 와인드업 섹션 사이에 배치된 경화 섹션(curing section) - 상기 패드 와인드업 섹션은 상기 경화 섹션의 다운스트림에 있고, 상기 경화 섹션은 열 경화 디바이스(thermal curing device) 및 전자기 경화 디바이스(electromagnetic curing device) 중 하나 또는 둘 다를 포함함 -
    을 포함하고,
    상기 시스템은 상기 배킹 재료 상에 연마 제품을 생성하도록 구성되고, 상기 연마 제품은 연마 표면 및 하나 이상의 베이스 피쳐를 형성하는 복수의 연마 피쳐를 갖는 복합 패드 바디를 포함하고, 상기 복수의 연마 피처 각각은 홈에 의해 분리되는 연마 제품 제조 시스템.
  25. 제24항에 있어서, 상기 프린트헤드들 각각은 하나 이상의 노즐을 포함하고, 상기 노즐들은 제1 재료 및 제2 재료를 갖는 소스에 결합되는, 연마 제품 제조 시스템.
  26. 제25항에 있어서, 상기 제1 재료는 상기 제2 재료와 비교할 때 전자기 에너지와의 상이한 반응성을 갖는, 연마 제품 제조 시스템.
  27. 제25항에 있어서, 상기 제2 재료는 폴리머 매트릭스이고, 상기 제1 재료는 상기 제1 재료 내에 분산된 복수의 미량원소를 포함하는, 연마 제품 제조 시스템.
  28. 제27항에 있어서, 상기 미량원소들은 폴리머 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 그들의 조합을 포함하는, 연마 제품 제조 시스템.
  29. 제27항에 있어서, 상기 미량원소들 각각은 150 마이크로미터 내지 10 마이크로미터 이하의 평균 직경을 포함하는, 연마 제품 제조 시스템.
KR1020177013107A 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들 KR102351409B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227000942A KR102456039B1 (ko) 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462065533P 2014-10-17 2014-10-17
US62/065,533 2014-10-17
PCT/US2015/053465 WO2016060857A1 (en) 2014-10-17 2015-10-01 Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227000942A Division KR102456039B1 (ko) 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170072261A KR20170072261A (ko) 2017-06-26
KR102351409B1 true KR102351409B1 (ko) 2022-01-17

Family

ID=55747131

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227035681A KR102598725B1 (ko) 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들
KR1020177013107A KR102351409B1 (ko) 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들
KR1020227000942A KR102456039B1 (ko) 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227035681A KR102598725B1 (ko) 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227000942A KR102456039B1 (ko) 2014-10-17 2015-10-01 연마 제품들, 및 화학적 기계적 연마 제품들을 제조하기 위한 통합된 시스템 및 방법들

Country Status (8)

Country Link
US (3) US9776361B2 (ko)
EP (2) EP4276885A1 (ko)
JP (1) JP6760930B2 (ko)
KR (3) KR102598725B1 (ko)
CN (2) CN110238752B (ko)
SG (2) SG11201702959YA (ko)
TW (3) TWI788070B (ko)
WO (1) WO2016060857A1 (ko)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10066082B2 (en) 2014-10-16 2018-09-04 Ricoh Company, Ltd. Three-dimensional object producing method
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) * 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN106853610B (zh) * 2015-12-08 2019-11-01 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 抛光垫及其监测方法和监测系统
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
WO2017139766A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Impossible Objects, LLC Method and apparatus for automated composite-based additive manufacturing
SG11201906131WA (en) * 2017-01-20 2019-08-27 Applied Materials Inc A thin plastic polishing article for cmp applications
US20180304539A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Applied Materials, Inc. Energy delivery system with array of energy sources for an additive manufacturing apparatus
US11471999B2 (en) * 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) * 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
EP3691901A1 (en) 2017-10-02 2020-08-12 Basf Se Uv curable compositions with controlled mechanical and chemical properties, methods, and articles therefrom
WO2019152222A1 (en) 2018-02-05 2019-08-08 Applied Materials, Inc. Piezo-electric end-pointing for 3d printed cmp pads
DE102018109528A1 (de) * 2018-04-20 2019-10-24 Rhodius Schleifwerkzeuge Gmbh & Co. Kg Abrasive Scheibe für handgeführte Werkzeugmaschinen mit unterschiedlichen Arbeitsbereichen
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US20200230781A1 (en) * 2019-01-23 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto
CN109999687B (zh) * 2019-04-29 2024-06-28 南京融诚智汇科技服务有限公司 一种添加礌石粉的除臭石生产工装
WO2021034849A1 (en) 2019-08-21 2021-02-25 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing of polishing pads
KR102293781B1 (ko) * 2019-11-11 2021-08-25 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
TWI734309B (zh) * 2019-12-19 2021-07-21 水星生醫股份有限公司 滲透性噴塗製作藥錠裝置
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
CN111136593A (zh) * 2020-01-15 2020-05-12 河南科技学院 一种具有复杂流道结构的固结研抛垫制备装置及制备方法
CN115151380A (zh) * 2020-02-25 2022-10-04 3M创新有限公司 粘合磨料制品和制造方法
DE102020113324A1 (de) * 2020-05-15 2021-11-18 Atm Qness Gmbh Labor-Tellerschleifgerät, Verfahren, Ersatzschleifscheibe und Verwendung einer Schleifscheibe
US11738517B2 (en) 2020-06-18 2023-08-29 Applied Materials, Inc. Multi dispense head alignment using image processing
US11806829B2 (en) * 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
WO2021262602A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use on soft or 3d printed pads during cmp
DE102020209521A1 (de) * 2020-07-29 2022-02-03 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Schleifartikels sowie Schleifartikel
KR20230059798A (ko) 2020-09-03 2023-05-03 바스프 에스이 반응성 폴리우레탄 엘라스토머
US11878389B2 (en) * 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
US11951590B2 (en) 2021-06-14 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Polishing pads with interconnected pores
CN118369617A (zh) 2021-12-08 2024-07-19 巴斯夫欧洲公司 具有高热变形温度的可光固化树脂
CN115319603A (zh) * 2022-10-13 2022-11-11 南通优普塑料制品有限公司 一种便于复合塑料生产的塑料制品生产台

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100288410B1 (ko) * 1997-03-17 2001-06-01 포만 제프리 엘 반도체웨이퍼용연마패드및반도체웨이퍼의연마방법
US20040106367A1 (en) 1997-08-22 2004-06-03 Walker Michael A. Fixed abrasive polishing pad
KR100495404B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-14 한국포리올 주식회사 임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조방법
WO2013162856A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad

Family Cites Families (664)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2001911A (en) * 1932-04-21 1935-05-21 Carborundum Co Abrasive articles
US3357598A (en) 1965-09-21 1967-12-12 Dole Valve Co Adjustable liquid dispenser
US3741116A (en) 1970-06-25 1973-06-26 American Screen Process Equip Vacuum belt
US4459779A (en) 1982-09-16 1984-07-17 International Business Machines Corporation Fixed abrasive grinding media
US4575330A (en) 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
US4836832A (en) 1986-08-11 1989-06-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of preparing coated abrasive having radiation curable binder
US4841680A (en) 1987-08-25 1989-06-27 Rodel, Inc. Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing
US4942001A (en) 1988-03-02 1990-07-17 Inc. DeSoto Method of forming a three-dimensional object by stereolithography and composition therefore
DE3808951A1 (de) 1988-03-17 1989-10-05 Basf Ag Photopolymerisierbare, zur herstellung von druckformen geeignete druckplatte
US4844144A (en) 1988-08-08 1989-07-04 Desoto, Inc. Investment casting utilizing patterns produced by stereolithography
JPH07102724B2 (ja) 1988-08-31 1995-11-08 ジューキ株式会社 印字装置
US5121329A (en) 1989-10-30 1992-06-09 Stratasys, Inc. Apparatus and method for creating three-dimensional objects
US5387380A (en) 1989-12-08 1995-02-07 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional printing techniques
DE3942859A1 (de) 1989-12-23 1991-07-04 Basf Ag Verfahren zur herstellung von bauteilen
US5626919A (en) 1990-03-01 1997-05-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solid imaging apparatus and method with coating station
US5096530A (en) 1990-06-28 1992-03-17 3D Systems, Inc. Resin film recoating method and apparatus
JP2929779B2 (ja) 1991-02-15 1999-08-03 トヨタ自動車株式会社 炭素被膜付撥水ガラス
EP0520393B1 (en) 1991-06-25 1996-11-27 EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) Photographic element containing stress absorbing protective layer
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5193316A (en) 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
US5287663A (en) 1992-01-21 1994-02-22 National Semiconductor Corporation Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers
US5178646A (en) 1992-01-22 1993-01-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coatable thermally curable binder presursor solutions modified with a reactive diluent, abrasive articles incorporating same, and methods of making said abrasive articles
US6022264A (en) * 1997-02-10 2000-02-08 Rodel Inc. Polishing pad and methods relating thereto
US6099394A (en) 1998-02-10 2000-08-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6746225B1 (en) 1992-11-30 2004-06-08 Bechtel Bwtx Idaho, Llc Rapid solidification processing system for producing molds, dies and related tooling
BR9307667A (pt) 1992-12-17 1999-08-31 Minnesota Mining & Mfg Suspensão apropriada para uso na produção de artigos abrasivos, abrasivo revestido, e, processo para fabricar um abrasivo revestido
US5453151A (en) 1994-01-25 1995-09-26 Ciba-Geigy Corporation Resinated 2,9-dimethylquinacridone
JPH07297195A (ja) 1994-04-27 1995-11-10 Speedfam Co Ltd 半導体装置の平坦化方法及び平坦化装置
US5906863A (en) 1994-08-08 1999-05-25 Lombardi; John Methods for the preparation of reinforced three-dimensional bodies
JPH08132342A (ja) * 1994-11-08 1996-05-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造装置
KR100258802B1 (ko) 1995-02-15 2000-06-15 전주범 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
US6719818B1 (en) 1995-03-28 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5533923A (en) 1995-04-10 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity
US5645471A (en) * 1995-08-11 1997-07-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of texturing a substrate using an abrasive article having multiple abrasive natures
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
JPH0976353A (ja) 1995-09-12 1997-03-25 Toshiba Corp 光造形装置
JP3324643B2 (ja) * 1995-10-25 2002-09-17 日本電気株式会社 研磨パッド
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5905099A (en) 1995-11-06 1999-05-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Heat-activatable adhesive composition
US5609517A (en) * 1995-11-20 1997-03-11 International Business Machines Corporation Composite polishing pad
JP3566430B2 (ja) 1995-12-20 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6095084A (en) 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5778481A (en) 1996-02-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Silicon wafer cleaning and polishing pads
US5690540A (en) 1996-02-23 1997-11-25 Micron Technology, Inc. Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH09286971A (ja) 1996-04-19 1997-11-04 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーン系ダイボンディング剤、半導体装置の製造方法および半導体装置
US6090475A (en) 1996-05-24 2000-07-18 Micron Technology Inc. Polishing pad, methods of manufacturing and use
JP3498881B2 (ja) 1996-05-27 2004-02-23 セントラル硝子株式会社 撥水性ガラスの製法
US5976000A (en) * 1996-05-28 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Polishing pad with incompressible, highly soluble particles for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5748434A (en) 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
GB2316414B (en) 1996-07-31 2000-10-11 Tosoh Corp Abrasive shaped article, abrasive disc and polishing method
US5795218A (en) 1996-09-30 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Polishing pad with elongated microcolumns
US6244575B1 (en) 1996-10-02 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same
US5876490A (en) 1996-12-09 1999-03-02 International Business Machines Corporatin Polish process and slurry for planarization
KR100210840B1 (ko) 1996-12-24 1999-07-15 구본준 기계 화학적 연마 방법 및 그 장치
US5876268A (en) 1997-01-03 1999-03-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and article for the production of optical quality surfaces on glass
WO1998030356A1 (en) 1997-01-13 1998-07-16 Rodel, Inc. Polymeric polishing pad having photolithographically induced surface pattern(s) and methods relating thereto
US5965460A (en) 1997-01-29 1999-10-12 Mac Dermid, Incorporated Polyurethane composition with (meth)acrylate end groups useful in the manufacture of polishing pads
US5910471A (en) 1997-03-07 1999-06-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
EP0964772A1 (en) 1997-03-07 1999-12-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
US6231629B1 (en) 1997-03-07 2001-05-15 3M Innovative Properties Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
US6648733B2 (en) 1997-04-04 2003-11-18 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6062958A (en) 1997-04-04 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization
US6682402B1 (en) 1997-04-04 2004-01-27 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US5940674A (en) 1997-04-09 1999-08-17 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional product manufacture using masks
US6126532A (en) 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
WO1998047662A1 (en) 1997-04-18 1998-10-29 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US5945058A (en) 1997-05-13 1999-08-31 3D Systems, Inc. Method and apparatus for identifying surface features associated with selected lamina of a three-dimensional object being stereolithographically formed
US6273806B1 (en) 1997-05-15 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6692338B1 (en) 1997-07-23 2004-02-17 Lsi Logic Corporation Through-pad drainage of slurry during chemical mechanical polishing
US6736714B2 (en) 1997-07-30 2004-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing silicon wafers
US6121143A (en) * 1997-09-19 2000-09-19 3M Innovative Properties Company Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification
US5888121A (en) 1997-09-23 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow
US5932040A (en) 1997-10-01 1999-08-03 Bibielle S.P.A. Method for producing a ring of abrasive elements from which to form a rotary brush
US6950193B1 (en) 1997-10-28 2005-09-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. System for monitoring substrate conditions
US6039836A (en) 1997-12-19 2000-03-21 Lam Research Corporation Focus rings
US6231942B1 (en) 1998-01-21 2001-05-15 Trexel, Inc. Method and apparatus for microcellular polypropylene extrusion, and polypropylene articles produced thereby
JPH11254542A (ja) 1998-03-11 1999-09-21 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置のモニタリングシステム
US6228133B1 (en) 1998-05-01 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Abrasive articles having abrasive layer bond system derived from solid, dry-coated binder precursor particles having a fusible, radiation curable component
JPH11347761A (ja) 1998-06-12 1999-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd レーザによる３次元造形装置
US6122564A (en) 1998-06-30 2000-09-19 Koch; Justin Apparatus and methods for monitoring and controlling multi-layer laser cladding
US6322728B1 (en) 1998-07-10 2001-11-27 Jeneric/Pentron, Inc. Mass production of dental restorations by solid free-form fabrication methods
US6117000A (en) 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
DE19834559A1 (de) 1998-07-31 2000-02-03 Friedrich Schiller Uni Jena Bu Verfahren zur Herstellung von Werkzeugen für die Bearbeitung von Oberflächen
JP2000061817A (ja) 1998-08-24 2000-02-29 Nikon Corp 研磨パッド
US6095902A (en) 1998-09-23 2000-08-01 Rodel Holdings, Inc. Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods
US6602380B1 (en) 1998-10-28 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine
US6325706B1 (en) 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6176992B1 (en) 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6390890B1 (en) * 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
JP3641956B2 (ja) 1998-11-30 2005-04-27 三菱住友シリコン株式会社 研磨スラリーの再生システム
US6206759B1 (en) 1998-11-30 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines
US7425250B2 (en) 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
KR100585480B1 (ko) 1999-01-21 2006-06-02 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 개선된 연마 패드 및 기판의 연마 방법
US6994607B2 (en) 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6179709B1 (en) 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
US6641463B1 (en) * 1999-02-06 2003-11-04 Beaver Creek Concepts Inc Finishing components and elements
US6612824B2 (en) * 1999-03-29 2003-09-02 Minolta Co., Ltd. Three-dimensional object molding apparatus
CN1345264A (zh) * 1999-03-30 2002-04-17 株式会社尼康 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法
US6217426B1 (en) 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
JP2000301450A (ja) 1999-04-19 2000-10-31 Rohm Co Ltd Ｃｍｐ研磨パッドおよびそれを用いたｃｍｐ処理装置
US6213845B1 (en) * 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6328634B1 (en) 1999-05-11 2001-12-11 Rodel Holdings Inc. Method of polishing
US6196899B1 (en) * 1999-06-21 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus
JP2001018163A (ja) 1999-07-06 2001-01-23 Speedfam Co Ltd 研磨用パッド
US6319108B1 (en) 1999-07-09 2001-11-20 3M Innovative Properties Company Metal bond abrasive article comprising porous ceramic abrasive composites and method of using same to abrade a workpiece
JP2001105329A (ja) 1999-08-02 2001-04-17 Ebara Corp 研磨用砥石
US6232236B1 (en) 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
US6328632B1 (en) 1999-08-31 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6257973B1 (en) 1999-11-04 2001-07-10 Norton Company Coated abrasive discs
US6201208B1 (en) 1999-11-04 2001-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates
US6399501B2 (en) 1999-12-13 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring
KR20020072548A (ko) 1999-12-14 2002-09-16 로델 홀딩스 인코포레이티드 중합체 연마 패드 또는 중합체 복합재 연마 패드의 제조방법
US6368184B1 (en) 2000-01-06 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for determining metal CMP endpoint using integrated polishing pad electrodes
US6241596B1 (en) 2000-01-14 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad
US6506097B1 (en) 2000-01-18 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Optical monitoring in a two-step chemical mechanical polishing process
WO2001053040A1 (en) 2000-01-19 2001-07-26 Rodel Holdings, Inc. Printing of polishing pads
US7071041B2 (en) 2000-01-20 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6746311B1 (en) 2000-01-24 2004-06-08 3M Innovative Properties Company Polishing pad with release layer
US6309276B1 (en) 2000-02-01 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Endpoint monitoring with polishing rate change
US6991528B2 (en) 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
WO2001064396A1 (en) 2000-02-28 2001-09-07 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad surface texture formed by solid phase droplets
KR100502268B1 (ko) 2000-03-01 2005-07-22 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 방법
US6797623B2 (en) 2000-03-09 2004-09-28 Sony Corporation Methods of producing and polishing semiconductor device and polishing apparatus
US20030207959A1 (en) 2000-03-13 2003-11-06 Eduardo Napadensky Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US8481241B2 (en) 2000-03-13 2013-07-09 Stratasys Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US7300619B2 (en) 2000-03-13 2007-11-27 Objet Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US6569373B2 (en) 2000-03-13 2003-05-27 Object Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
WO2001068322A1 (en) 2000-03-15 2001-09-20 Rodel Holdings, Inc. Window portion with an adjusted rate of wear
ES2230086T3 (es) 2000-03-24 2005-05-01 Voxeljet Technology Gmbh Metodo y aparato para fabricar una pieza estructural mediante la tecnica de deposicion multi-capa y moldeo macho fabricado con el metodo.
KR20010093677A (ko) 2000-03-29 2001-10-29 추후기재 향상된 슬러리 분배를 위하여 특수 설계된 연마 패드
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US20020058468A1 (en) 2000-05-03 2002-05-16 Eppert Stanley E. Semiconductor polishing pad
US6387289B1 (en) * 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US8485862B2 (en) 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
US6267641B1 (en) 2000-05-19 2001-07-31 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor
US6749485B1 (en) 2000-05-27 2004-06-15 Rodel Holdings, Inc. Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6860802B1 (en) 2000-05-27 2005-03-01 Rohm And Haas Electric Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6454634B1 (en) 2000-05-27 2002-09-24 Rodel Holdings Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
JP3925041B2 (ja) 2000-05-31 2007-06-06 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
DE60131080T2 (de) 2000-05-31 2008-07-31 Jsr Corp. Schleifmaterial
US6478914B1 (en) 2000-06-09 2002-11-12 Micron Technology, Inc. Method for attaching web-based polishing materials together on a polishing tool
US6656019B1 (en) 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
JP2002028849A (ja) 2000-07-17 2002-01-29 Jsr Corp 研磨パッド
US20020016139A1 (en) * 2000-07-25 2002-02-07 Kazuto Hirokawa Polishing tool and manufacturing method therefor
US6520834B1 (en) * 2000-08-09 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6776699B2 (en) * 2000-08-14 2004-08-17 3M Innovative Properties Company Abrasive pad for CMP
JP2002067171A (ja) 2000-08-25 2002-03-05 Canon Inc 目的物生成装置、目的物生成方法、及び記憶媒体
US6736869B1 (en) 2000-08-28 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates
US6592443B1 (en) 2000-08-30 2003-07-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6638831B1 (en) 2000-08-31 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Use of a reference fiducial on a semiconductor package to monitor and control a singulation method
JP3886712B2 (ja) 2000-09-08 2007-02-28 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6477926B1 (en) 2000-09-15 2002-11-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad
US6641471B1 (en) 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
WO2002026445A1 (en) 2000-09-29 2002-04-04 Strasbaugh, Inc. Polishing pad with built-in optical sensor
AU2002230607B2 (en) 2000-11-09 2006-06-29 3M Innovative Properties Company Weather resistant, ink jettable, radiation curable, fluid compositions particularly suitable for outdoor applications
JP2002151447A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Asahi Kasei Corp 研磨パッド
CN1484566A (zh) 2000-11-29 2004-03-24 皮斯洛奎斯特公司 用于化学－机械打磨的交联聚乙烯打磨垫、打磨装置和打磨方法
US6684704B1 (en) 2002-09-12 2004-02-03 Psiloquest, Inc. Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance
CN100496896C (zh) * 2000-12-01 2009-06-10 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫
JP2002200555A (ja) 2000-12-28 2002-07-16 Ebara Corp 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置
US6407669B1 (en) 2001-02-02 2002-06-18 3M Innovative Properties Company RFID tag device and method of manufacturing
GB0103754D0 (en) 2001-02-15 2001-04-04 Vantico Ltd Three-dimensional structured printing
US20020112632A1 (en) 2001-02-21 2002-08-22 Creo Ltd Method for supporting sensitive workpieces during processing
US6840843B2 (en) 2001-03-01 2005-01-11 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing a polishing pad having a compressed translucent region
US6811680B2 (en) 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7955693B2 (en) 2001-04-20 2011-06-07 Tolland Development Company, Llc Foam composition roller brush with embedded mandrel
JP2004531885A (ja) 2001-04-24 2004-10-14 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 電気化学的機械的研磨のための導電性研磨物品
US6847014B1 (en) 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US6811937B2 (en) 2001-06-21 2004-11-02 Dsm Desotech, Inc. Radiation-curable resin composition and rapid prototyping process using the same
US6544373B2 (en) * 2001-07-26 2003-04-08 United Microelectronics Corp. Polishing pad for a chemical mechanical polishing process
US6586494B2 (en) 2001-08-08 2003-07-01 Spectra Group Limited, Inc. Radiation curable inkjet composition
KR100646702B1 (ko) 2001-08-16 2006-11-17 에스케이씨 주식회사 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드
KR20030020658A (ko) 2001-09-04 2003-03-10 삼성전자주식회사 화학적물리적 연마장치의 연마패드 콘디셔닝 디스크
US6866807B2 (en) 2001-09-21 2005-03-15 Stratasys, Inc. High-precision modeling filament
KR100877389B1 (ko) * 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
JP4077192B2 (ja) 2001-11-30 2008-04-16 株式会社東芝 化学機械研磨方法および半導体装置の製造方法
US6599765B1 (en) 2001-12-12 2003-07-29 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection
US6838149B2 (en) 2001-12-13 2005-01-04 3M Innovative Properties Company Abrasive article for the deposition and polishing of a conductive material
JP2003188124A (ja) 2001-12-14 2003-07-04 Rodel Nitta Co 研磨布
EP1326273B1 (en) 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20030134581A1 (en) 2002-01-11 2003-07-17 Wang Hsing Maw Device for chemical mechanical polishing
KR100442873B1 (ko) 2002-02-28 2004-08-02 삼성전자주식회사 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법
JP2003303793A (ja) 2002-04-12 2003-10-24 Hitachi Ltd 研磨装置および半導体装置の製造方法
US6773474B2 (en) 2002-04-19 2004-08-10 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article
JP4693024B2 (ja) 2002-04-26 2011-06-01 東洋ゴム工業株式会社 研磨材
US20050194681A1 (en) 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US6815570B1 (en) 2002-05-07 2004-11-09 Uop Llc Shaped catalysts for transalkylation of aromatics for enhanced xylenes production
US6913517B2 (en) 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US20050276967A1 (en) 2002-05-23 2005-12-15 Cabot Microelectronics Corporation Surface textured microporous polishing pads
TWI250572B (en) 2002-06-03 2006-03-01 Jsr Corp Polishing pad and multi-layer polishing pad
DE10224981B4 (de) 2002-06-05 2004-08-19 Generis Gmbh Verfahren zum schichtweisen Aufbau von Modellen
JP3801100B2 (ja) 2002-06-07 2006-07-26 Ｊｓｒ株式会社 光硬化造形装置、光硬化造形方法及び光硬化造形システム
US8602851B2 (en) 2003-06-09 2013-12-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled penetration subpad
WO2003103959A1 (en) 2002-06-07 2003-12-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Controlled penetration subpad
EP1375617A1 (en) 2002-06-19 2004-01-02 3M Innovative Properties Company Radiation-curable, solvent-free and printable precursor of a pressure-sensitive adhesive
US7169014B2 (en) 2002-07-18 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces
KR101016081B1 (ko) 2002-07-26 2011-02-17 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법
TWI228768B (en) 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
US7579071B2 (en) 2002-09-17 2009-08-25 Korea Polyol Co., Ltd. Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same
KR100465649B1 (ko) 2002-09-17 2005-01-13 한국포리올 주식회사 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법
US6896765B2 (en) 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US20040058623A1 (en) * 2002-09-20 2004-03-25 Lam Research Corporation Polishing media for chemical mechanical planarization (CMP)
US7311862B2 (en) 2002-10-28 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size
US7435165B2 (en) 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7267607B2 (en) 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
WO2004039531A2 (en) 2002-10-31 2004-05-13 Ehsan Toyserkani System and method for closed-loop control of laser cladding by powder injection
JP2004153193A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
DE10253445A1 (de) 2002-11-16 2004-06-03 Adam Opel Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abdichten und Aufpumpen von Reifen bei Pannen sowie Dichtmittelbehälter als auch Adapter hierfür
KR101047933B1 (ko) 2002-11-27 2011-07-11 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2004235446A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Toyobo Co Ltd 研磨パッド
JP4659338B2 (ja) * 2003-02-12 2011-03-30 Ｈｏｙａ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド
WO2004077511A2 (en) 2003-02-24 2004-09-10 The Regents Of The University Of Colorado (meth)acrylic and (meth)acrylamide monomers, polymerizable compositions, and polymers obtained
US7104773B2 (en) 2003-03-07 2006-09-12 Ricoh Printing Systems, Ltd. Three-dimensional laminating molding device
DE10310385B4 (de) 2003-03-07 2006-09-21 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Körpern mittels pulverbasierter schichtaufbauender Verfahren
JP2004281685A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の研磨用パッドおよび半導体基板の研磨方法
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US7377840B2 (en) 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
US20060189269A1 (en) 2005-02-18 2006-08-24 Roy Pradip K Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
AU2004225931A1 (en) 2003-03-25 2004-10-14 Neopad Technologies Corporation Chip customized polish pads for chemical mechanical planarization (CMP)
DE10314075B4 (de) 2003-03-28 2007-11-22 Takata-Petri (Sachsen) Gmbh Reifenfülleinrichtung und Pannenset mit einer solchen
US7044836B2 (en) 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
KR100661444B1 (ko) 2003-04-25 2006-12-27 제이에스알 가부시끼가이샤 연마 패드 및 화학 기계 연마 방법
US6783436B1 (en) 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
WO2004100242A1 (ja) 2003-05-09 2004-11-18 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Cmpプロセス用研磨液及び研磨方法
ES2376237T3 (es) 2003-05-21 2012-03-12 Z Corporation Sistema de material en polvo termopl�?stico para modelos de apariencia a partir de sistemas de impresión en 3d.
IL156094A0 (en) 2003-05-25 2003-12-23 J G Systems Inc Fixed abrasive cmp pad with built-in additives
CN1829587A (zh) 2003-06-06 2006-09-06 应用材料公司 用于电化学机械抛光的导电抛光物件
US6998166B2 (en) 2003-06-17 2006-02-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with oriented pore structure
US7435161B2 (en) 2003-06-17 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
JP4130614B2 (ja) 2003-06-18 2008-08-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7018560B2 (en) 2003-08-05 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Composition for polishing semiconductor layers
CN1802237A (zh) 2003-08-07 2006-07-12 Ppg工业俄亥俄公司 具有边缘表面处理的抛光垫片
US20050032464A1 (en) 2003-08-07 2005-02-10 Swisher Robert G. Polishing pad having edge surface treatment
CN1863645B (zh) 2003-08-08 2011-11-30 安格斯公司 用于制作浇注在可旋转基体上的整体式多孔垫的方法和材料
US7120512B2 (en) 2003-08-25 2006-10-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and a system for solid freeform fabricating using non-reactive powder
EP1661690A4 (en) 2003-08-27 2009-08-12 Fujifilm Corp METHOD FOR PRODUCING A THREE-DIMENSIONAL MODEL
KR100590202B1 (ko) 2003-08-29 2006-06-15 삼성전자주식회사 연마 패드 및 그 형성방법
JP2005074614A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Nitta Haas Inc 研磨パッドの製造方法および研磨パッド
JP2005085917A (ja) 2003-09-08 2005-03-31 Sharp Corp プラズマプロセス装置
JP2005093785A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Toshiba Corp Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
KR100640998B1 (ko) 2003-09-19 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 브라켓 구조
GB0323462D0 (en) 2003-10-07 2003-11-05 Fujifilm Electronic Imaging Providing a surface layer or structure on a substrate
US6855588B1 (en) 2003-10-07 2005-02-15 United Microelectronics Corp. Method of fabricating a double gate MOSFET device
US20050109371A1 (en) 2003-10-27 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
JP2005131732A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Ebara Corp 研磨装置
WO2005043132A1 (en) 2003-10-31 2005-05-12 Applied Materials, Inc. Polishing endpoint detection system and method using friction sensor
US20050101228A1 (en) 2003-11-10 2005-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising biodegradable polymer
US7264641B2 (en) * 2003-11-10 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising biodegradable polymer
JP2005150235A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US7125318B2 (en) 2003-11-13 2006-10-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption
JP4555559B2 (ja) 2003-11-25 2010-10-06 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布及び研磨布の製造方法
US6984163B2 (en) 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
KR100576465B1 (ko) 2003-12-01 2006-05-08 주식회사 하이닉스반도체 연마입자 함침 조성물을 이용한 연마 패드
US7186164B2 (en) 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US6843711B1 (en) 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration
US20050153634A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Cabot Microelectronics Corporation Negative poisson's ratio material-containing CMP polishing pad
US20050171224A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
US7132033B2 (en) 2004-02-27 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a layered polishing pad
US7731568B2 (en) 2004-03-11 2010-06-08 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and semiconductor device manufacturing method
US20050208234A1 (en) 2004-03-19 2005-09-22 Agfa-Gevaert Ink-jet recording material
US7195544B2 (en) 2004-03-23 2007-03-27 Cabot Microelectronics Corporation CMP porous pad with component-filled pores
US7204742B2 (en) 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
US6955588B1 (en) 2004-03-31 2005-10-18 Lam Research Corporation Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization
JP2005294661A (ja) 2004-04-02 2005-10-20 Hitachi Chem Co Ltd 研磨パッド及びそれを用いる研磨方法
JP2004243518A (ja) 2004-04-08 2004-09-02 Toshiba Corp 研摩装置
US20050227590A1 (en) 2004-04-09 2005-10-13 Chien-Min Sung Fixed abrasive tools and associated methods
TWI293266B (en) 2004-05-05 2008-02-11 Iv Technologies Co Ltd A single-layer polishing pad and a method of producing the same
US20070009606A1 (en) 2004-05-12 2007-01-11 Serdy James G Manufacturing process, such as three dimensional printing, including binding of water-soluble material followed by softening and flowing and forming films of organic-solvent-soluble material
US20050260939A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Brazed diamond dressing tool
EP1747878A4 (en) 2004-05-20 2010-10-13 Bridgestone Corp SHUTTERING DEVICE OF SEALING AGENT, METHOD FOR POURING A SEALING AGENT AND APPARATUS FOR PUMPING SEALING AGENT
US20050261150A1 (en) 2004-05-21 2005-11-24 Battelle Memorial Institute, A Part Interest Reactive fluid systems for removing deposition materials and methods for using same
US7438795B2 (en) 2004-06-10 2008-10-21 Cabot Microelectronics Corp. Electrochemical-mechanical polishing system
US7582127B2 (en) 2004-06-16 2009-09-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for a tungsten-containing substrate
US7252871B2 (en) 2004-06-16 2007-08-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a pressure relief channel
WO2005123335A1 (en) 2004-06-21 2005-12-29 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
JP4133945B2 (ja) 2004-06-28 2008-08-13 住友ゴム工業株式会社 タイヤのパンクシーリング剤送給、抜取り装置
WO2006003697A1 (ja) 2004-06-30 2006-01-12 Toho Engineering Kabushiki Kaisha 研磨パッドおよびその製造方法
US20060014475A1 (en) 2004-07-15 2006-01-19 Disco Corporation Grindstone tool
US7709053B2 (en) 2004-07-29 2010-05-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing of polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
WO2006020685A2 (en) 2004-08-11 2006-02-23 Cornell Research Foundation, Inc. Modular fabrication systems and methods
US7153191B2 (en) 2004-08-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods
US8075372B2 (en) 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
DE102004042911A1 (de) 2004-09-02 2006-03-09 Michael Stehle Vorrichtung zum Ausbringen von Luft- und/oder Reifendichtmittel
US20060079159A1 (en) 2004-10-08 2006-04-13 Markus Naujok Chemical mechanical polish with multi-zone abrasive-containing matrix
US20060096179A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing surface-modified abrasive particles
US7815778B2 (en) 2005-11-23 2010-10-19 Semiquest Inc. Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
WO2006057713A2 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US7846008B2 (en) 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
WO2006057720A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
CN102554766B (zh) 2004-12-10 2014-11-05 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及研磨垫的制造方法
US7059950B1 (en) 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad having grooves arranged to improve polishing medium utilization
US7059949B1 (en) 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement
US7182677B2 (en) 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
KR101616535B1 (ko) 2005-02-18 2016-04-29 넥스플래너 코퍼레이션 화학적 기계적인 평탄화를 위해 적합화된 연마 패드와 그 연마 패드의 제조 및 사용 방법
TWI385050B (zh) 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US7524345B2 (en) 2005-02-22 2009-04-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7875091B2 (en) 2005-02-22 2011-01-25 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
JP2006231464A (ja) 2005-02-24 2006-09-07 Nitta Haas Inc 研磨パッド
US7829000B2 (en) * 2005-02-25 2010-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Core-shell solid freeform fabrication
TWI410314B (zh) 2005-04-06 2013-10-01 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 藉由反應-射出成形製造多孔化學機械研磨墊之裝置
US7427340B2 (en) 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
EP1710324B1 (en) 2005-04-08 2008-12-03 STMicroelectronics S.r.l. PVD process and chamber for the pulsed deposition of a chalcogenide material layer of a phase change memory device
US7435364B2 (en) 2005-04-11 2008-10-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for forming a porous polishing pad
JP2006305650A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Inoac Corp 研磨用吸着パッド及びその製造方法
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
KR100949560B1 (ko) 2005-05-17 2010-03-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
KR100721196B1 (ko) 2005-05-24 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 연마패드 및 이를 이용한 화학적기계적연마장치
JP2007005612A (ja) 2005-06-24 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法及び基板の研磨方法
CN1897226A (zh) 2005-07-11 2007-01-17 上海华虹Nec电子有限公司 一种化学机械抛光机
JP4512529B2 (ja) 2005-07-15 2010-07-28 住友精密工業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US8557351B2 (en) 2005-07-22 2013-10-15 Molecular Imprints, Inc. Method for adhering materials together
KR100727485B1 (ko) 2005-08-09 2007-06-13 삼성전자주식회사 연마 패드 및 이를 제조하는 방법, 그리고 화학적 기계적 연마 장치 및 방법
US20070117393A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 Alexander Tregub Hardened porous polymer chemical mechanical polishing (CMP) pad
JP4868840B2 (ja) 2005-11-30 2012-02-01 Ｊｓｒ株式会社 半導体装置の製造方法
CN1851896A (zh) 2005-12-05 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种静电卡盘
US20070128991A1 (en) 2005-12-07 2007-06-07 Yoon Il-Young Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same
US7357703B2 (en) 2005-12-28 2008-04-15 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
US20070149094A1 (en) 2005-12-28 2007-06-28 Choi Jae Y Monitoring Device of Chemical Mechanical Polishing Apparatus
KR20080087012A (ko) 2006-01-25 2008-09-29 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마 패드 및 그의 제조 방법
US7935276B2 (en) 2006-02-09 2011-05-03 Headwaters Technology Innovation Llc Polymeric materials incorporating carbon nanostructures
JP2009527914A (ja) 2006-02-23 2009-07-30 ピコデオン エルティーディー オイ 太陽電池ならびに太陽電池を生産する装置および方法
JP2007235001A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Mitsui Chemicals Inc 研磨用スラリー
US20070204420A1 (en) 2006-03-06 2007-09-06 Hornby David M Polishing pad and method of making
US7517488B2 (en) 2006-03-08 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
US20070212979A1 (en) 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
WO2007111996A2 (en) 2006-03-24 2007-10-04 Clemson University Conducting polymer ink
US20070235133A1 (en) 2006-03-29 2007-10-11 Strasbaugh Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing
US20070235904A1 (en) 2006-04-06 2007-10-11 Saikin Alan H Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
JP2006192315A (ja) 2006-04-21 2006-07-27 Toshiba Corp ドラム式洗濯機
FR2900411B1 (fr) 2006-04-27 2008-08-29 Coatex Sas Procede de traitement de matieres minerales par des polymeres amphoteres,matieres minerales obtenues,leur utilisation comme agent reducteur de la quantite de colloides dans la fabrication de papier.
US7445847B2 (en) 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7169030B1 (en) 2006-05-25 2007-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
EP2032345B1 (en) 2006-06-20 2010-05-05 Katholieke Universiteit Leuven Procedure and apparatus for in-situ monitoring and feedback control of selective laser powder processing
US7840305B2 (en) 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method
US20080220702A1 (en) 2006-07-03 2008-09-11 Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad having surface texture
JP5186738B2 (ja) 2006-07-10 2013-04-24 富士通セミコンダクター株式会社 研磨パッドの製造方法及び被研磨体の研磨方法
TWI409136B (zh) 2006-07-19 2013-09-21 Innopad Inc 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊
KR100804275B1 (ko) 2006-07-24 2008-02-18 에스케이씨 주식회사 고분자 쉘로 둘러싸인 액상 유기물 코어를 포함하는 ｃｍｐ연마패드 및 그 제조방법
US7300340B1 (en) 2006-08-30 2007-11-27 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. CMP pad having overlaid constant area spiral grooves
US7267610B1 (en) 2006-08-30 2007-09-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having unevenly spaced grooves
DE112007002066B4 (de) 2006-09-06 2019-10-17 Nitta Haas Inc. Polierkissen
JP2008084504A (ja) 2006-09-29 2008-04-10 Hitachi Ltd 光ディスク装置および光ディスクの再生方法
US7382959B1 (en) 2006-10-13 2008-06-03 Hrl Laboratories, Llc Optically oriented three-dimensional polymer microstructures
KR100842486B1 (ko) * 2006-10-30 2008-07-01 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｐ 장비의 폴리싱패드와 이의 제조장치
US7234224B1 (en) 2006-11-03 2007-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Curved grooving of polishing pads
US7648645B2 (en) 2006-11-08 2010-01-19 3M Innovative Properties Company Pre-polymer formulations for liquid crystal displays
CN101199994A (zh) 2006-12-15 2008-06-18 湖南大学 智能化激光熔覆成型金属零件
EP2097247B1 (en) 2006-12-21 2016-03-09 Agfa Graphics NV 3d-inkjet printing methods
US7371160B1 (en) 2006-12-21 2008-05-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad
US7438636B2 (en) 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7497885B2 (en) 2006-12-22 2009-03-03 3M Innovative Properties Company Abrasive articles with nanoparticulate fillers and method for making and using them
US8083820B2 (en) 2006-12-22 2011-12-27 3M Innovative Properties Company Structured fixed abrasive articles including surface treated nano-ceria filler, and method for making and using the same
US7311590B1 (en) 2007-01-31 2007-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with grooves to retain slurry on the pad texture
US7520798B2 (en) 2007-01-31 2009-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption
WO2008093850A1 (ja) 2007-02-01 2008-08-07 Kuraray Co., Ltd. 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
EP2654089A3 (en) 2007-02-16 2015-08-12 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
JP5021669B2 (ja) 2007-03-20 2012-09-12 株式会社クラレ 研磨パッド用クッションおよびそれを用いた研磨パッド
JP4798713B2 (ja) * 2007-03-26 2011-10-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 研磨パッドの製造方法
JP4954762B2 (ja) * 2007-03-27 2012-06-20 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法
US9536711B2 (en) 2007-03-30 2017-01-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode
US8784723B2 (en) 2007-04-01 2014-07-22 Stratasys Ltd. Method and system for three-dimensional fabrication
US20090011679A1 (en) * 2007-04-06 2009-01-08 Rajeev Bajaj Method of removal profile modulation in cmp pads
FR2915016B1 (fr) 2007-04-10 2009-06-05 Siemens Vdo Automotive Sas Systeme de creation automatisee d'une interface logicielle
US8067814B2 (en) 2007-06-01 2011-11-29 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8562389B2 (en) 2007-06-08 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Thin polishing pad with window and molding process
US7455571B1 (en) 2007-06-20 2008-11-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Window polishing pad
US20080314878A1 (en) 2007-06-22 2008-12-25 General Electric Company Apparatus and method for controlling a machining system
US8563619B2 (en) 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US7758764B2 (en) 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
US7862320B2 (en) 2007-07-17 2011-01-04 Seiko Epson Corporation Three-dimensional object forming apparatus and method for forming three dimensional object
US8047899B2 (en) 2007-07-26 2011-11-01 Macronix International Co., Ltd. Pad and method for chemical mechanical polishing
US7635290B2 (en) 2007-08-15 2009-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interpenetrating network for chemical mechanical polishing
US7517277B2 (en) 2007-08-16 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing
US7828634B2 (en) 2007-08-16 2010-11-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interconnected-multi-element-lattice polishing pad
CN101376234B (zh) 2007-08-28 2013-05-29 侯家祥 一种研磨工具磨料颗粒有序排列的方法
WO2009032768A2 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Semiquest, Inc. Polishing pad
KR101232442B1 (ko) 2007-09-21 2013-02-12 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 아미노실란으로 처리된 연마제 입자를 이용한 연마 조성물 및 방법
US8142869B2 (en) 2007-09-27 2012-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Coated base fabric for airbags
JP5078527B2 (ja) * 2007-09-28 2012-11-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
FR2921667B1 (fr) 2007-10-01 2012-11-09 Saint Gobain Abrasives Inc Composition resinique liquide pour articles abrasifs
JP2009117815A (ja) * 2007-10-18 2009-05-28 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
JP5143528B2 (ja) 2007-10-25 2013-02-13 株式会社クラレ 研磨パッド
US8491360B2 (en) 2007-10-26 2013-07-23 Innopad, Inc. Three-dimensional network in CMP pad
US20090133716A1 (en) 2007-10-29 2009-05-28 Wai Mun Lee Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
US8388410B2 (en) 2007-11-05 2013-03-05 P.R. Hoffman Machine Products, Inc. RFID-containing carriers used for silicon wafer quality
JP2009129970A (ja) 2007-11-20 2009-06-11 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
US8377623B2 (en) 2007-11-27 2013-02-19 3D Systems, Inc. Photocurable resin composition for producing three dimensional articles having high clarity
DE102007056984A1 (de) 2007-11-27 2009-05-28 Eos Gmbh Electro Optical Systems Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts mittels Lasersintern
JP2011508462A (ja) 2007-12-31 2011-03-10 イノパッド，インコーポレイテッド 化学的機械的平坦化パッド
CN101925441B (zh) 2007-12-31 2013-08-14 3M创新有限公司 经等离子处理的磨料制品及其制造方法
JP5248152B2 (ja) 2008-03-12 2013-07-31 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
EP2261011A4 (en) 2008-03-25 2014-04-30 Sumitomo Rubber Ind REPAIR TIRE FOR TIRE TENSIONS
JP5226359B2 (ja) 2008-04-02 2013-07-03 株式会社クラレ 研磨パッド用クッションおよびそれを用いた研磨パッド
US8292592B2 (en) 2008-04-02 2012-10-23 United Technologies Corporation Nosecone bolt access and aerodynamic leakage baffle
JP2011517111A (ja) 2008-04-11 2011-05-26 イノパッド，インコーポレイテッド ボイドネットワークを有する化学機械的平坦化パッド
KR101618273B1 (ko) * 2008-04-29 2016-05-04 세미퀘스트, 인코포레이티드 연마 패드 조성물, 및 이의 제조 방법 및 용도
WO2009145069A1 (ja) 2008-05-26 2009-12-03 ソニー株式会社 造形装置および造形方法
TW201005825A (en) 2008-05-30 2010-02-01 Panasonic Corp Plasma processing apparatus and method
US20090308739A1 (en) 2008-06-17 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
TWM347669U (en) 2008-06-19 2008-12-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
CN101612722A (zh) 2008-06-25 2009-12-30 三芳化学工业股份有限公司 抛光垫及其制造方法
WO2009158665A1 (en) 2008-06-26 2009-12-30 3M Innovative Properties Company Polishing pad with porous elements and method of making and using the same
US8282866B2 (en) 2008-06-30 2012-10-09 Seiko Epson Corporation Method and device for forming three-dimensional model, sheet material processing method, and sheet material processing device
US20100011672A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Kincaid Don H Coated abrasive article and method of making and using the same
CN102159361B (zh) * 2008-07-18 2014-11-05 3M创新有限公司 具有浮动单元的抛光垫以及制造和使用该抛光垫的方法
US20140069584A1 (en) 2008-07-23 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven ceiling electrode
US20100018648A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
US20140034239A1 (en) 2008-07-23 2014-02-06 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven workpiece support electrode
US8734664B2 (en) 2008-07-23 2014-05-27 Applied Materials, Inc. Method of differential counter electrode tuning in an RF plasma reactor
CN101642898B (zh) 2008-08-06 2011-09-14 财团法人工业技术研究院 抛光垫及其形成方法以及抛光方法
US20110171890A1 (en) 2008-08-08 2011-07-14 Kuraray Co., Ltd. Polishing pad and method for manufacturing the polishing pad
KR20100028294A (ko) 2008-09-04 2010-03-12 주식회사 코오롱 연마패드 및 그의 제조방법
EP2329519B1 (en) 2008-09-26 2013-10-23 Rhodia Opérations Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
US8118641B2 (en) 2009-03-04 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature
TW201016387A (en) 2008-10-22 2010-05-01 jian-min Song CMP Pad Dressers with Hybridized abrasive surface and related methods
US20100112919A1 (en) 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Monolithic linear polishing sheet
JP2010120249A (ja) 2008-11-19 2010-06-03 Canon Inc 記録装置
US8292692B2 (en) 2008-11-26 2012-10-23 Semiquest, Inc. Polishing pad with endpoint window and systems and method using the same
DE102008060046A1 (de) 2008-12-02 2010-06-10 Eos Gmbh Electro Optical Systems Verfahren zum Bereitstellen einer identifizierbaren Pulvermenge und Verfahren zur Herstellung eines Objekts
US20100140850A1 (en) 2008-12-04 2010-06-10 Objet Geometries Ltd. Compositions for 3D printing
DE102008061311A1 (de) 2008-12-11 2010-06-24 Doukas Ag Vorrichtung zum Fördern eines Gases
CN101428404A (zh) 2008-12-22 2009-05-13 南京航空航天大学 固结磨料研磨抛光垫及其制备方法
US8057282B2 (en) 2008-12-23 2011-11-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate polishing method
US8062103B2 (en) 2008-12-23 2011-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate groove pattern
EP2382651A4 (en) * 2009-01-27 2013-01-16 Innopad Inc CHEMICAL PLANARIZATION BUFFER COMPRISING PATTERNED STRUCTURAL DOMAINS
US8053487B2 (en) 2009-01-30 2011-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multifunctional acrylates used as cross-linkers in dental and biomedical self-etching bonding adhesives
WO2010123744A2 (en) 2009-04-23 2010-10-28 Cabot Microelectronics Corporation Cmp porous pad with particles in a polymeric matrix
CN201483382U (zh) 2009-05-14 2010-05-26 贝达先进材料股份有限公司 研磨垫以及研磨装置
CN102448669B (zh) * 2009-05-27 2014-12-10 罗杰斯公司 抛光垫、其聚氨酯层及抛光硅晶片的方法
JP5357639B2 (ja) 2009-06-24 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR101750775B1 (ko) 2009-06-29 2017-06-26 디아이씨 가부시끼가이샤 연마 패드용 2액형 우레탄 수지 조성물, 폴리우레탄 연마 패드, 및 폴리우레탄 연마 패드의 제조 방법
JP2012533888A (ja) 2009-07-16 2012-12-27 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 溝付きｃｍｐ研磨ｐａｄ
TWI535527B (zh) 2009-07-20 2016-06-01 智勝科技股份有限公司 研磨方法、研磨墊與研磨系統
US8712571B2 (en) 2009-08-07 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for wireless transmission of diagnostic information
US8676537B2 (en) 2009-08-07 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Portable wireless sensor
US8889232B2 (en) 2009-08-20 2014-11-18 Electronics For Imaging, Inc. Radiation curable ink compositions
TWI410299B (zh) 2009-08-24 2013-10-01 Bestac Advanced Material Co Ltd 研磨墊與其應用及其製造方法
EP3479933A1 (en) 2009-09-17 2019-05-08 Sciaky Inc. Electron beam layer manufacturing apparatus
EP2489699B1 (en) 2009-10-16 2014-07-16 Posco Radiation curable resin composition, and fingerprint-resistant resin composition containing same
EP2498935B1 (en) 2009-11-13 2015-04-15 Sciaky Inc. Process for layer manufacturing a three-dimensional work piece using scanning electron monitored with closed loop control
JP5496630B2 (ja) 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
US20130012108A1 (en) 2009-12-22 2013-01-10 Naichao Li Polishing pad and method of making the same
US8853082B2 (en) 2009-12-28 2014-10-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing liquid for CMP and polishing method using the same
WO2011082156A2 (en) 2009-12-30 2011-07-07 3M Innovative Properties Company Organic particulate loaded polishing pads and method of making and using the same
SG181678A1 (en) 2009-12-30 2012-07-30 3M Innovative Properties Co Polishing pads including phase-separated polymer blend and method of making and using the same
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US9089943B2 (en) 2010-01-29 2015-07-28 Ronald Lipson Composite pads for buffing and polishing painted vehicle body surfaces and other applications
DE102010007401A1 (de) 2010-02-03 2011-08-04 Kärcher Futuretech GmbH, 71364 Vorrichtung und Verfahren zum automatisierten Formen und Abfüllen von Behältern
SG183419A1 (en) 2010-02-22 2012-09-27 Entegris Inc Post-cmp cleaning brush
KR20110100080A (ko) 2010-03-03 2011-09-09 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비
DE102010011059A1 (de) 2010-03-11 2011-09-15 Global Beam Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Bauteils
JP5551479B2 (ja) 2010-03-19 2014-07-16 ニッタ・ハース株式会社 研磨装置、研磨パッドおよび研磨情報管理システム
JP5620141B2 (ja) 2010-04-15 2014-11-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5697889B2 (ja) 2010-04-19 2015-04-08 帝人コードレ株式会社 平滑加工用シート
US20130059506A1 (en) 2010-05-11 2013-03-07 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive pad with surfactant for chemical mechanical planarization
US20120000887A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
PT2588275T (pt) 2010-07-02 2018-03-13 3M Innovative Properties Co Artigos abrasivos revestidos
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
JP5635957B2 (ja) 2010-09-09 2014-12-03 日本碍子株式会社 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
US20130172509A1 (en) 2010-09-22 2013-07-04 Interfacial Solutions Ip, Llc Methods of Producing Microfabricated Particles for Composite Materials
US8257545B2 (en) 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
US8702479B2 (en) 2010-10-15 2014-04-22 Nexplanar Corporation Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters
WO2012100297A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Zydex Pty Ltd A device for making an object
US9211628B2 (en) 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
JP5893479B2 (ja) 2011-04-21 2016-03-23 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
CN103492504B (zh) 2011-04-27 2017-06-23 汉高知识产权控股有限责任公司 具有低温密封能力的可固化的弹性体组合物
US8968058B2 (en) 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
JP5851124B2 (ja) 2011-06-13 2016-02-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨用構造体
ES2441170T3 (es) 2011-06-21 2014-02-03 Agfa Graphics N.V. Líquido eyectable curable para fabricar una matriz de impresión flexográfica
JP2013018056A (ja) 2011-07-07 2013-01-31 Toray Ind Inc 研磨パッド
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US8801949B2 (en) 2011-09-22 2014-08-12 Dow Global Technologies Llc Method of forming open-network polishing pads
US9108291B2 (en) 2011-09-22 2015-08-18 Dow Global Technologies Llc Method of forming structured-open-network polishing pads
US8894799B2 (en) 2011-09-22 2014-11-25 Dow Global Technologies Llc Method of forming layered-open-network polishing pads
KR20140069043A (ko) 2011-09-26 2014-06-09 인티그리스, 인코포레이티드 포스트-cmp 세정 장치 및 방법
US20130107415A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck
JP2013107254A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Fujifilm Corp 親水性部材及び親水性部材の製造方法
TWI462797B (zh) 2011-11-24 2014-12-01 Univ Nat Taiwan Science Tech Electric field assisted chemical mechanical polishing system and its method
US9067297B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
US9067298B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
EP2785797B1 (en) 2011-11-30 2018-03-21 Merck Patent GmbH Particles for electrophoretic displays
US10825708B2 (en) 2011-12-15 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
KR20130084932A (ko) 2012-01-18 2013-07-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US8486798B1 (en) 2012-02-05 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating a semiconductor junction and methods of manufacturing and using thereof
US8721833B2 (en) 2012-02-05 2014-05-13 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating ferroelectric materials and methods of manufacturing and using thereof
KR20130095430A (ko) 2012-02-20 2013-08-28 케이피엑스케미칼 주식회사 연마패드 및 그 제조방법
US10005236B2 (en) 2012-03-01 2018-06-26 Stratasys Ltd. Cationic polymerizable compositions and methods of use thereof
DE102012203639A1 (de) 2012-03-08 2013-09-12 Evonik Industries Ag Additiv zur Einstellung der Glasübergangstemperatur von viskoelastischen Polyurethanweichschaumstoffen
US8709114B2 (en) 2012-03-22 2014-04-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers
US8986585B2 (en) 2012-03-22 2015-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window
DE102012007791A1 (de) 2012-04-20 2013-10-24 Universität Duisburg-Essen Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Bauteilen in einer Strahlschmelzanlage
US9412579B2 (en) 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
US9993873B2 (en) 2012-05-22 2018-06-12 General Electric Company System and method for three-dimensional printing
US9481134B2 (en) 2012-06-08 2016-11-01 Makerbot Industries, Llc Build platform leveling with tactile feedback
KR102136432B1 (ko) 2012-06-11 2020-07-21 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 몰리브덴을 연마하기 위한 조성물 및 방법
JP5994183B2 (ja) 2012-06-29 2016-09-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US8778211B2 (en) 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries
US9174388B2 (en) 2012-08-16 2015-11-03 Stratasys, Inc. Draw control for extrusion-based additive manufacturing systems
US8888480B2 (en) 2012-09-05 2014-11-18 Aprecia Pharmaceuticals Company Three-dimensional printing system and equipment assembly
KR101835288B1 (ko) 2012-09-05 2018-03-06 아프레시아 파마슈티칼스 컴퍼니 3차원 인쇄 시스템 및 장비 어셈블리
JP6196858B2 (ja) 2012-09-24 2017-09-13 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
US9718975B2 (en) 2012-09-25 2017-08-01 3M Innovative Properties Company Radiation curable ink composition
CN202825512U (zh) 2012-10-11 2013-03-27 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 研磨垫及化学机械研磨机台
WO2014058887A1 (en) 2012-10-11 2014-04-17 Dow Corning Corporation Aqueous silicone polyether microemulsions
US9233504B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Makerbot Industries, Llc Tagged build material for three-dimensional printing
CN109937387B (zh) 2012-11-08 2022-08-23 Ddm系统有限责任公司 金属部件的增材制造及维修
US9718129B2 (en) 2012-12-17 2017-08-01 Arcam Ab Additive manufacturing method and apparatus
US10357435B2 (en) 2012-12-18 2019-07-23 Dentca, Inc. Photo-curable resin compositions and method of using the same in three-dimensional printing for manufacturing artificial teeth and denture base
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
CA2936015C (en) 2013-01-17 2021-05-25 Ehsan Toyserkani Systems and methods for additive manufacturing of heterogeneous porous structures and structures made therefrom
US9649742B2 (en) 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
JP2016513146A (ja) 2013-02-06 2016-05-12 サン・ケミカル・コーポレーション デジタル印刷インク
TWI655498B (zh) 2013-02-12 2019-04-01 美商Ｅｉｐｉ系統公司 用於３ｄ製造的方法與裝置
JP6348520B2 (ja) 2013-03-14 2018-06-27 ストラタシス リミテッド ポリマーベースの型とその製造方法
US9152340B2 (en) 2013-05-28 2015-10-06 Netapp, Inc. System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems
JP5955275B2 (ja) 2013-06-12 2016-07-20 富士フイルム株式会社 画像形成方法、加飾シートの製造方法、成形加工方法、加飾シート成形物の製造方法、インモールド成形品の製造方法
US20140370788A1 (en) 2013-06-13 2014-12-18 Cabot Microelectronics Corporation Low surface roughness polishing pad
US10183329B2 (en) 2013-07-19 2019-01-22 The Boeing Company Quality control of additive manufactured parts
US20150038066A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
GB201313841D0 (en) 2013-08-02 2013-09-18 Rolls Royce Plc Method of Manufacturing a Component
JP6441927B2 (ja) 2013-08-06 2018-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 局部的に加熱されるマルチゾーン式の基板支持体
US9855698B2 (en) 2013-08-07 2018-01-02 Massachusetts Institute Of Technology Automatic process control of additive manufacturing device
JP5992375B2 (ja) 2013-08-08 2016-09-14 株式会社東芝 静電チャック、載置プレート支持台及び静電チャックの製造方法
KR102207743B1 (ko) 2013-08-10 2021-01-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 제어된 컨디셔닝을 용이하게 하는 재료 조성을 갖는 ｃｍｐ 패드들
SG11201601175WA (en) 2013-08-22 2016-03-30 Cabot Microelectronics Corp Polishing pad with porous interface and solid core, and related apparatus and methods
US20150056895A1 (en) 2013-08-22 2015-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure
DE102013217422A1 (de) 2013-09-02 2015-03-05 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Koordinatenmessgerät und Verfahren zur Vermessung und mindestens teilweisen Erzeugung eines Werkstücks
CN103465155B (zh) 2013-09-06 2016-05-11 蓝思科技股份有限公司 一种环氧树脂型金刚石研磨垫及其制备方法
US9425121B2 (en) 2013-09-11 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated fan-out structure with guiding trenches in buffer layer
KR101405333B1 (ko) 2013-09-12 2014-06-11 유비머트리얼즈주식회사 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9308620B2 (en) 2013-09-18 2016-04-12 Texas Instruments Incorporated Permeated grooving in CMP polishing pads
US9053908B2 (en) 2013-09-19 2015-06-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling substrate DC-bias and ion energy and angular distribution during substrate etching
GB201316815D0 (en) 2013-09-23 2013-11-06 Renishaw Plc Additive manufacturing apparatus and method
KR102252673B1 (ko) 2013-09-25 2021-05-18 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 다층화된 폴리싱 패드
RU2643004C2 (ru) 2013-09-30 2018-01-29 Сен-Гобен Серэмикс Энд Пластикс, Инк. Формованные абразивные частицы и способы их получения
WO2015055550A1 (en) 2013-10-17 2015-04-23 Luxexcel Holding B.V. Device for printing a three-dimensional structure
CN203542340U (zh) 2013-10-21 2014-04-16 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种化学机械研磨垫
US9831074B2 (en) 2013-10-24 2017-11-28 Applied Materials, Inc. Bipolar collimator utilized in a physical vapor deposition chamber
US8980749B1 (en) 2013-10-24 2015-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing silicon wafers
EP3063591B1 (en) 2013-10-30 2018-04-04 Anocoil Corporation Lithographic printing plate precursors and coating
US9421666B2 (en) 2013-11-04 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein
US9481069B2 (en) 2013-11-06 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
US9352443B2 (en) 2013-11-13 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Platen assembly, chemical-mechanical polisher, and method for polishing substrate
US9850402B2 (en) 2013-12-09 2017-12-26 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions and methods for selective removal of silicon nitride
US9993907B2 (en) 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
CN104742007B (zh) 2013-12-30 2017-08-25 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 化学机械研磨装置和化学机械研磨方法
EP3096936B1 (en) 2014-01-23 2019-10-09 Ricoh Company, Ltd. Method for forming a three-dimensional object
EP3105040B1 (en) 2014-02-10 2023-10-18 Stratasys Ltd. Composition and method for additive manufacturing of an object
WO2015120429A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 President And Fellows Of Harvard College Three-dimensional (3d) printed composite structure and 3d printable composite ink formulation
WO2015120430A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 President And Fellows Of Harvard College 3d-printed polishing pad for chemical-mechanical planarization (cmp)
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
JP2015174272A (ja) 2014-03-14 2015-10-05 セイコーエプソン株式会社 三次元造形物の製造方法、三次元造形物製造装置および三次元造形物
US9259820B2 (en) 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
CN106163740B (zh) 2014-04-03 2019-07-09 3M创新有限公司 抛光垫和系统以及制造和使用该抛光垫和系统的方法
WO2015161210A1 (en) 2014-04-17 2015-10-22 Cabot Microelectronics Corporation Cmp polishing pad with columnar structure and methods related thereto
US9314897B2 (en) 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9333620B2 (en) 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
CN104400998B (zh) 2014-05-31 2016-10-05 福州大学 一种基于红外光谱分析的3d打印检测方法
US9259821B2 (en) 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
US20150375361A1 (en) 2014-06-25 2015-12-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
JP2016023209A (ja) 2014-07-17 2016-02-08 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
US9731398B2 (en) 2014-08-22 2017-08-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. Polyurethane polishing pad
US9826630B2 (en) 2014-09-04 2017-11-21 Nxp Usa, Inc. Fan-out wafer level packages having preformed embedded ground plane connections and methods for the fabrication thereof
KR20170054447A (ko) 2014-09-05 2017-05-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판들의 열적 프로세싱을 위한 서셉터 및 예열 링
CN104210108B (zh) 2014-09-15 2017-11-28 宁波高新区乐轩锐蓝智能科技有限公司 3d打印机的打印缺陷弥补方法和系统
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
CN106716604A (zh) 2014-10-09 2017-05-24 应用材料公司 具有内部通道的化学机械研磨垫
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) * 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
TWI689406B (zh) 2014-10-17 2020-04-01 美商應用材料股份有限公司 研磨墊及製造其之方法
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US10399201B2 (en) * 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
CN104385595B (zh) 2014-10-20 2017-05-03 合肥斯科尔智能科技有限公司 一种三维打印次品修复系统
JP6422325B2 (ja) 2014-12-15 2018-11-14 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US10086500B2 (en) 2014-12-18 2018-10-02 Applied Materials, Inc. Method of manufacturing a UV curable CMP polishing pad
JP6452449B2 (ja) 2015-01-06 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
CN104607639B (zh) 2015-01-12 2016-11-02 常州先进制造技术研究所 一种用于金属3d打印的表面修复塑形装置
US20170263478A1 (en) 2015-01-16 2017-09-14 Lam Research Corporation Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring
US10946495B2 (en) 2015-01-30 2021-03-16 Cmc Materials, Inc. Low density polishing pad
US9505952B2 (en) 2015-03-05 2016-11-29 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria abrasive
US9475168B2 (en) 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
WO2016173668A1 (en) 2015-04-30 2016-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Misalignment detection for a 3d printing device
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
CN106206409B (zh) 2015-05-08 2019-05-07 华邦电子股份有限公司 堆叠电子装置及其制造方法
US9969049B2 (en) 2015-06-29 2018-05-15 Iv Technologies Co., Ltd. Polishing layer of polishing pad and method of forming the same and polishing method
US10163610B2 (en) 2015-07-13 2018-12-25 Lam Research Corporation Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation
US9761459B2 (en) 2015-08-05 2017-09-12 Lam Research Corporation Systems and methods for reverse pulsing
US9620376B2 (en) 2015-08-19 2017-04-11 Lam Research Corporation Self limiting lateral atomic layer etch
US10406801B2 (en) 2015-08-21 2019-09-10 Voxel8, Inc. Calibration and alignment of 3D printing deposition heads
US9984858B2 (en) 2015-09-04 2018-05-29 Lam Research Corporation ALE smoothness: in and outside semiconductor industry
WO2017049155A1 (en) 2015-09-16 2017-03-23 Applied Materials, Inc. Selectively openable support platen for additive manufacturing
JP6584895B2 (ja) 2015-09-30 2019-10-02 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US9881820B2 (en) 2015-10-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Front opening ring pod
US20170115657A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
US10062599B2 (en) 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US10124492B2 (en) 2015-10-22 2018-11-13 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
GB201519187D0 (en) 2015-10-30 2015-12-16 Knauf Insulation Ltd Improved binder compositions and uses thereof
US10450474B2 (en) 2015-10-30 2019-10-22 Konica Minolta, Inc. Active light ray-curable inkjet ink composition and inkjet recording method
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10229769B2 (en) 2015-11-20 2019-03-12 Xerox Corporation Three phase immiscible polymer-metal blends for high conductivty composites
US10189143B2 (en) 2015-11-30 2019-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method
US9601319B1 (en) 2016-01-07 2017-03-21 Lam Research Corporation Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
KR102629800B1 (ko) 2016-01-19 2024-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다공성 화학적 기계적 연마 패드들
US10685862B2 (en) 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
US9956314B2 (en) 2016-01-26 2018-05-01 Modern Ideas LLC Adhesive for use with bone and bone-like structures
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US9966231B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Lam Research Corporation Direct current pulsing plasma systems
SG11201806820UA (en) 2016-03-09 2018-09-27 Applied Materials Inc Correction of fabricated shapes in additive manufacturing
KR102302564B1 (ko) 2016-03-09 2021-09-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 패드 구조 및 제조 방법들
KR102363829B1 (ko) 2016-03-24 2022-02-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 기계적 연마를 위한 조직화된 소형 패드
US10269566B2 (en) 2016-04-29 2019-04-23 Lam Research Corporation Etching substrates using ale and selective deposition
KR20170127724A (ko) 2016-05-12 2017-11-22 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US10340171B2 (en) 2016-05-18 2019-07-02 Lam Research Corporation Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds
US9852889B1 (en) 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
US10283330B2 (en) 2016-07-25 2019-05-07 Lam Research Corporation Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge RF generators
JP6791680B2 (ja) 2016-08-09 2020-11-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物およびこれを用いた洗浄方法
US20180100074A1 (en) 2016-10-11 2018-04-12 Xerox Corporation Ink composition for use in 3d printing
US10259956B2 (en) 2016-10-11 2019-04-16 Xerox Corporation Curable ink composition
US20180100073A1 (en) 2016-10-11 2018-04-12 Xerox Corporation Ink composition for use in 3d printing
US10930535B2 (en) 2016-12-02 2021-02-23 Applied Materials, Inc. RFID part authentication and tracking of processing components
KR102683416B1 (ko) 2017-02-15 2024-07-23 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마 장치
US20180323042A1 (en) 2017-05-02 2018-11-08 Applied Materials, Inc. Method to modulate the wafer edge sheath in a plasma processing chamber
US10967482B2 (en) 2017-05-25 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold
US10882160B2 (en) 2017-05-25 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using sacrificial material
JP6826955B2 (ja) 2017-06-14 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN213006569U (zh) 2017-06-21 2021-04-20 卡本有限公司 用于增材制造的系统和对分配用于增材制造的树脂有用的分配系统
US10763081B2 (en) 2017-07-10 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manipulating radio frequency power at an edge ring in plasma process device
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP7102724B2 (ja) 2017-12-19 2022-07-20 株式会社リコー 電極、非水系蓄電素子、塗布液及び電極の製造方法
JP7033907B2 (ja) 2017-12-21 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP2020532884A (ja) 2018-01-22 2020-11-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 給電型エッジリングを用いた処理
WO2019152222A1 (en) 2018-02-05 2019-08-08 Applied Materials, Inc. Piezo-electric end-pointing for 3d printed cmp pads
WO2019190676A1 (en) 2018-03-30 2019-10-03 Applied Materials, Inc. Integrating 3d printing into multi-process fabrication schemes
US11826876B2 (en) 2018-05-07 2023-11-28 Applied Materials, Inc. Hydrophilic and zeta potential tunable chemical mechanical polishing pads
US10600623B2 (en) 2018-05-28 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US10347500B1 (en) 2018-06-04 2019-07-09 Applied Materials, Inc. Device fabrication via pulsed plasma
US10847347B2 (en) 2018-08-23 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Edge ring assembly for a substrate support in a plasma processing chamber
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
CN112913140B (zh) 2018-11-09 2024-09-03 应用材料公司 用于处理腔室的射频滤波器系统
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US20200230781A1 (en) 2019-01-23 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto
WO2020190441A1 (en) 2019-03-19 2020-09-24 Applied Materials, Inc. Hydrophobic and icephobic coating
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100288410B1 (ko) * 1997-03-17 2001-06-01 포만 제프리 엘 반도체웨이퍼용연마패드및반도체웨이퍼의연마방법
US20040106367A1 (en) 1997-08-22 2004-06-03 Walker Michael A. Fixed abrasive polishing pad
KR100495404B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-14 한국포리올 주식회사 임베디드 액상 미소요소를 함유하는 연마 패드 및 그 제조방법
WO2013162856A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016060857A1 (en) 2016-04-21
EP3207559A1 (en) 2017-08-23
SG10202110980SA (en) 2021-11-29
US9776361B2 (en) 2017-10-03
EP3207559B1 (en) 2023-07-12
CN107073679B (zh) 2019-06-28
KR20220011210A (ko) 2022-01-27
SG11201702959YA (en) 2017-05-30
KR102456039B1 (ko) 2022-10-19
EP3207559A4 (en) 2018-06-13
US20200101657A1 (en) 2020-04-02
KR20220142548A (ko) 2022-10-21
TW202208113A (zh) 2022-03-01
KR102598725B1 (ko) 2023-11-07
CN107073679A (zh) 2017-08-18
CN110238752A (zh) 2019-09-17
JP2017533105A (ja) 2017-11-09
EP4276885A1 (en) 2023-11-15
TWI671162B (zh) 2019-09-11
TW201945129A (zh) 2019-12-01
US20180043613A1 (en) 2018-02-15
CN110238752B (zh) 2021-12-10
TWI748222B (zh) 2021-12-01
KR20170072261A (ko) 2017-06-26
TW201622894A (zh) 2016-07-01
TWI788070B (zh) 2022-12-21
US10493691B2 (en) 2019-12-03
US20160107381A1 (en) 2016-04-21
US12023853B2 (en) 2024-07-02
JP6760930B2 (ja) 2020-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12023853B2 (en) Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US11958162B2 (en) CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
CN107078048B (zh) 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant