TWI568711B - Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent elements using the same - Google Patents

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TWI568711B
TWI568711B TW105115875A TW105115875A TWI568711B TW I568711 B TWI568711 B TW I568711B TW 105115875 A TW105115875 A TW 105115875A TW 105115875 A TW105115875 A TW 105115875A TW I568711 B TWI568711 B TW I568711B
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Takayasu Sado
Takahiro Fujiyama
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Idemitsu Kosan Co
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Description

芳香族胺衍生物及使用其之有機電致發光元件
本發明係關於一種芳香族胺衍生物及使用其之有機電致發光元件。例如係關於一種具有經取代或未經取代之9,9-二苯基茀骨架之芳香族胺衍生物及使用其之有機電致發光元件。
通常，有機電致發光(EL，Electroluminescence)元件包含陽極、陰極、及由陽極與陰極夾持之1層以上之有機薄膜層。若對兩電極間施加電壓，則自陰極側向發光區域注入電子，自陽極側向發光區域注入電洞，所注入之電子與電洞於發光區域內再結合而產生激發狀態，並於激發狀態恢復至基底狀態時放出光。因此，效率良好地將電子或電洞傳輸至發光區域，使電子與電洞之再結合變容易的化合物之開發於獲得高效率有機EL元件方面較重要。
通常，若於高溫環境下驅動或保管有機EL元件，則產生發光色之變化、發光效率之降低、驅動電壓之上升、發光壽命之短時間化等問題。為了防止此種問題，作為電洞傳輸材料，專利文獻1揭示有具有N-咔唑基直接鍵結於9,9-二苯基茀骨架之結構之芳香族胺衍生物，專利文獻2揭示有具有3-咔唑基直接鍵結於9,9-二甲基茀骨架之結構之芳香族胺衍生物，專利文獻3揭示有具有N-咔唑基苯基經由氮原子鍵結於9,9-二苯基茀骨架之結構之芳香族胺衍生物，專利文獻4揭示有具有3-咔唑基經由氮原子鍵結於9,9-二苯基茀骨架之結構之芳香族胺衍生物。
然而，專利文獻1~4所揭示之芳香族胺衍生物不可謂對於驅動電壓之降低及長壽命化之改善充分，業界謀求進一步之改善。
專利文獻5提出具有選自茀骨架、咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架中之骨架之芳香族胺衍生物，且記載有將該芳香族胺衍生物用作有機EL元件用材料、尤其是電洞傳輸材料之有機EL元件可以低電壓驅動且為長壽命。於專利文獻5中揭示有二芳基胺基鍵結於9,9-二苯基茀骨架之2位之化合物。於該二芳基胺基之一個芳基之末端必需存在咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、或二苯并噻吩骨架。於專利文獻5所記載之全部具有9,9-二苯基茀骨架之例示化合物中，於該等之末端基與氮原子之間介存伸聯苯基。然而，此種具有介存伸聯苯基之2-二芳基胺基-9,9-二苯基茀化合物於低電壓驅動時之發光效率不充分，壽命亦不充分(參照本說明書之實施例1-1~1-4及比較例1-1~1-2)。因此，業界謀求可容易地合成、且可實現即便進行低電壓驅動亦為高效率且長壽命之有機EL元件的有機EL元件用材料、尤其是電洞傳輸材料之開發。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第07/148660號說明書
專利文獻2：國際公開第08/062636號說明書
專利文獻3：美國專利公開2007-0215889號公報
專利文獻4：日本專利特開2005-290000號公報
專利文獻5：國際公開第2011/021520號說明書
本發明係為了解決上述課題而完成者，其目的在於提供一種能夠低電壓驅動、長壽命且高效率之有機EL元件及可實現其之有機EL 元件用材料、例如電洞傳輸材料。
本發明者等人為了達成上述目的而進行了潛心研究，結果發現，雙取代胺基直接或間接地鍵結於9,9-二苯基茀骨架之2位、且該雙取代胺基之至少一個基直接或經由伸苯基鍵結於氮原子的化合物之電洞注入性及電洞傳輸性良好，從而實現能夠低電壓驅動、長壽命且高效率之有機EL元件。
即，本發明提供一種芳香族胺衍生物，其係以下述式(1)所表示，
(於式(1)中，Ar1表示選自下述式(2)~(4)中之基；
Ar2表示選自下述式(6)~(15)中之基；
於式(1)~(4)及(10)~(14)中，L表示單鍵或下述式(16)所表示之 二價基，於式(1)之芳香族胺衍生物具有複數個L之情形時，該複數個L相互可相同亦可不同；
於式(1)~(4)及(6)~(16)中，R1表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、或氰基，於存在複數個R1之情形時，該複數個R1可相同亦可不同；於式(1)中，R2及R3可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳氧基、或氰基，又，於存在複數個R2之情形時，該複數個R2可相同亦可不同，於存在複數個R3之情形時，該複數個R3可相同亦可不同；於式(4)及(14)中，2個R4可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、經取代或未經取代之環原子數3~50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧 基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳氧基、或氰基，於式(1)之芳香族胺衍生物具有式(4)所表示之基及/或式(14)所表示之基之情形時，R2、R3及R4可相同亦可不同；k為1~5之整數；m為1~4之整數；n為1~3之整數)。
進而，本發明提供一種有機電致發光元件，其特徵在於：其係具有陽極、陰極及於該陽極與陰極之間之1層以上之有機薄膜層，且該1層以上之有機薄膜層包含發光層者，並且該有機薄膜層之至少1層含有上述式(1)所表示之芳香族胺衍生物。
藉由使用本發明之芳香族胺衍生物，可獲得能夠低電壓驅動之長壽命、高效率有機EL元件。
於本發明中，「經取代或未經取代之碳數a~b之X基」之表述中之「碳數a~b」表示X基為未經取代之情形時之碳數，不含X基為經取代之情形時之取代基之碳數。
又，所謂「氫原子」，包含中子數不同之同位素，即氕(protium)、氘(deuterium)及氚(tritium)。
進而，「經取代或未經取代」時之任意之取代基係選自由如下所組成之群：碳數1~50(較佳為1~10、更佳為1~5)之烷基；環碳數3~50(較佳為3~6、更佳為5或6)之環烷基；環碳數6~50(較佳為6~24、更佳為6~12)之芳基；具有環碳數6~50(較佳為6~24、更佳為6~12)之芳基之碳數1~50(較佳為1~10、更佳為1~5)之芳烷基；胺基；具 有碳數1~50(較佳為1~10、更佳為1~5)之烷基之單烷基胺基或二烷基胺基；具有環碳數6~50(較佳為6~24、更佳為6~12)之芳基之單芳基胺基或二芳基胺基；具有碳數1~50(較佳為1~10、更佳為1~5)之烷基之烷氧基；具有環碳數6~50(較佳為6~24、更佳為6~12)之芳基之芳氧基；具有選自碳數1~50(較佳為1~10、更佳為1~5)之烷基及環碳數6~50(較佳為6~24、更佳為6~12)之芳基中之基之單取代矽烷基、雙取代矽烷基或三取代矽烷基；環原子數5~50(較佳為5~24、更佳為5~12)且包含1~5個(較佳為1~3個、更佳為1~2個)雜原子(氮原子、氧原子、硫原子)之雜芳基；鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)；氰基；硝基。
本發明之芳香族胺衍生物係以下述式(1)所表示。
於式(1)中，Ar1表示選自下述式(2)~(4)中之基。
於式(1)中，Ar2表示選自下述式(6)~(15)中之基。
於式(1)~(4)及(10)~(14)中，L表示單鍵或下述式(16)所表示之 二價基。
式(1)之L較佳為表示單鍵或伸苯基，更佳為表示單鍵。式(2)~(4)及(10)~(14)之L較佳為表示單鍵或伸苯基，更佳為表示伸苯基，且較佳為鍵結於二苯并呋喃骨架及二苯并噻吩骨架之2位或4位、茀骨架之2位。於式(1)之芳香族胺衍生物具有複數個L之情形時，該複數個L可相同亦可不同。
於式(1)~(4)及(6)~(16)中，R1表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50、較佳為6~24、更佳為6~12之芳基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之氟烷氧基、或氰基。於式(1)之芳香族胺衍生物具有複數個R1之情形時，該複數個R1可相同亦可不同。
作為上述碳數1~20烷基，例如可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基(包含異構物)、己基(包含異構物)、庚基(包含異構物)、辛基(包含異構物)、壬基(包含異構物)、癸基(包含異構物)、十一烷基(包含異構物)、及十二烷基(包含異構物)等，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、及戊基(包含異構物)，更佳為甲基、乙 基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、及第三丁基，尤佳為甲基及第三丁基。
作為上述環碳數6~50之芳基，例如可列舉苯基、萘基苯基、聯苯基、聯三苯基、伸聯苯基、萘基、苯基萘基、苊基、蒽基、苯并蒽基、乙烯合蒽基、菲基、苯并菲基、丙烯合萘基、茀基、9,9-二甲基茀基、7-苯基-9,9-二甲基茀基、稠五苯基、苉基、五苯基、芘基、基、苯并基、對稱二環戊二烯并苯基、不對稱二環戊二烯并苯基、丙二烯合茀基、及苝基等，較佳為苯基、萘基苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、9,9-二甲基茀基，更佳為苯基、聯苯基、萘基、9,9-二甲基茀基，尤佳為苯基。
上述鹵素原子為氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，尤佳為氟原子。
作為上述碳數1~20之氟烷基，例如可列舉以氟原子取代上述碳數1~20之烷基之至少1個氫原子、較佳為1~7個氫原子所獲得之基，較佳為七氟丙基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、三氟甲基，更佳為五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、三氟甲基，尤佳為三氟甲基。
上述碳數1~20之烷氧基係以-OR10所表示，R10表示上述碳數1~20之烷基。作為該烷氧基，較佳為第三丁氧基、丙氧基、乙氧基、甲氧基，更佳為乙氧基、甲氧基，尤佳為甲氧基。
上述碳數1~20氟烷氧基係以-OR11所表示，R11表示上述碳數1~20之氟烷基。作為該氟烷氧基，較佳為七氟丙氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、三氟甲氧基，更佳為五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、三氟甲氧基，尤佳為三氟甲氧基。
於本發明之較佳之態樣中，作為式(1)之鍵結於茀骨架之R1，較佳為氫原子、上述鹵素原子(氟原子)、上述烷基(甲基、第三丁基)、上述芳基(苯基)，又，較佳為鍵結於茀骨架之7位。R1尤佳為氫原 子。
於本發明之較佳之態樣中，式(2)、(3)、(12)及(13)之R1較佳為氫原子、上述烷基(甲基)、上述芳基(苯基)，又，較佳為鍵結於二苯并呋喃骨架及二苯并噻吩骨架之6位或8位。R1尤佳為氫原子。
於本發明之較佳之態樣中，式(4)、(14)及(15)之R1較佳為氫原子、甲基、第三丁基、苯基，又，較佳為鍵結於茀骨架之7位、咔唑骨架之3位或6位。R1尤佳為氫原子。
於本發明之較佳之態樣中，式(6)~(9)之R1較佳為選自氫原子、上述烷基(甲基、第三丁基)、上述鹵素原子(氟原子)、上述氟烷基(三氟甲基)、上述烷氧基(甲氧基)、上述氟烷氧基(三氟甲氧基)、及氰基中之基。又，R1較佳為鍵結於末端苯基之鄰位及/或對位、伸苯基之鄰位及/或間位。R1尤佳為氫原子。
於本發明之較佳之態樣中，式(10)及(11)之R1較佳為氫原子、甲基、第三丁基、苯基，R1較佳為鍵結於萘骨架之6位或7位。R1尤佳為氫原子。
於式(1)中，R2及R3可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之烷基、經取代或未經取代之碳數6~50、較佳為6~24、更佳為6~12之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~50、較佳為3~24、更佳為3~12之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之氟烷氧基、經取代或未經取代之碳數6~50、較佳為6~24、更佳為6~12之芳氧基、或氰基。於式(1)之芳香族胺衍生物具有複數個R2之情形時，該複數個R2可相同亦可不同，於具有複數個R3之情形時，該複數個R3可相同亦可不同。
R2及R3所表示之碳數1~20之烷基、環碳數6~50之芳基、鹵素原子、碳數1~20之氟烷基、碳數1~20之烷氧基、碳數1~20之氟烷氧基係與關於R1所記載之各基相同。
環原子數3~50之雜環基包含至少1個、較佳為1~3個雜原子，例如氮原子、硫原子及氧原子。作為該雜環基，例如可列舉吡咯基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、嗒基、嘧啶基、吡基、三基、咪唑基、唑基、噻唑基、吡唑基、異唑基、異噻唑基、二唑基、噻 二唑基、三唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、喹基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、呔基、喹唑啉基、喹啉基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、吲唑基、苯并異唑基、苯并異噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡基、啡噻基、啡 基、及基等，較佳為呋喃基、噻吩基、吡啶基、嗒基、嘧啶基、吡基、三基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，更佳為苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
環碳數6~50之芳氧基係以-OR12所表示，R12表示關於R1所記載之環碳數6~50之芳基。作為該芳氧基，R12較佳為聯三苯基、聯苯基、苯基，更佳為聯苯基、苯基，尤佳為苯基。
於本發明之較佳之態樣中，作為R2及R3，較佳為氫原子、上述烷基(甲基、第三丁基)、上述芳基(苯基)、或氰基，又，較佳為R2及R3分別鍵結於苯基之對位。尤佳為R2及R3為氫原子。
於式(4)及(14)中，2個R4可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之烷基、經取代或未經取代之碳數6~50、較佳為6~24、更佳為6~12之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~50、較佳為3~24、更佳為3~12之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20、較佳為1~5、更佳為1~4之氟烷氧基、經取代或未經取代之碳數6~50、較佳為6~24、更佳為6~12之芳氧基、或氰基。於式(1)之芳香族胺衍生物具有式(4)所表示之基及/或式(14)所表示之基之情形時，R2、R3及R4可相同亦可不同。
2個R4所表示之基係與R2及R3表示之基同樣地定義。於本發明之較佳之態樣中，尤佳為2個R4分別選自上述烷基(甲基)及上述芳基(苯基)。
k為1~5之整數，較佳為1~3之整數，更佳為1。
m為1~4之整數，較佳為1~3之整數，更佳為1。
n為1~3之整數，較佳為1~2之整數，更佳為1。
式(1)之芳香族胺衍生物較佳為以下述式(20)所表示。
(式中，Ar1、Ar2、R1~R3、k、m、及n分別為如式(1)中所定義)如式(20)所示，若茀骨架直接鍵結於氮原子，則芳香族胺衍生物之游離電位(ionization potential)變小。因此，與陽極、或電洞注入層之能量障壁減少，容易向發光層注入電子，其結果，可降低有機EL元件之驅動電壓。
Ar1較佳為選自下述式(21)~(25)中之基。
(式中，L、R1、R4、及m分別為如式(2)~(4)中所定義)
Ar1更佳為選自下述式(26)~(30)中之基。
(式中，R1、R4、及m分別為如式(2)~(4)中所定義)
於上述式(21)~(30)中，若L或伸苯基為二苯并呋喃骨架之氧原子或二苯并噻吩骨架之硫原子之鄰位定向，則可期待長壽命化，若為對位定向，則可期待高效率化，若鍵結於茀骨架之2位，則可期待低電壓化。
又，上述式(26)~(30)所表示之基部分地包含對聯苯結構。直接鍵結於中心氮原子之苯環之對位為電子密度較高且電化學性地脆弱之部位，但藉由對聯苯結構而成為並非未經取代而受苯基保護之形態，因此化合物之穩定性提高，抑制材料之劣化，結果有機EL元件長壽命化。
Ar2所表示之式(7)、(8)及(9)分別較佳為以下述式(7-1)、(7-2)、(8-1)、及(9-1)所表示。
(式中，R1、k、m、及n分別為如式(7)、(8)及(9)中所定義)
Ar2所表示之式(12)、(13)及(14)分別較佳為以下述式(31)~(35)所表示，
(式(31)~(35)中，R1、R4、L及m分別為如式(12)~(14)中所定義)
更佳為以下述式(36)~(40)所表示，
(式(36)~(40)中，R1、R4及m分別為如式(2)~(4)中所定義)
以下表示式(1)所表示之本發明之芳香族胺衍生物之具體例，但並不限定於下述化合物。
本發明之式(1)所表示之芳香族胺衍生物可用作有機EL元件用材料、尤其是電洞注入層材料或電洞傳輸層材料。本發明之芳香族胺衍生物之製造方法並無特別限制，只要為業者便可一面參照本說明書之 實施例，一面利用及變更公知之合成反應而容易地製造。
以下，對本發明之有機EL元件構成進行說明。
作為本發明之有機EL元件之代表性之元件構成，可列舉以下(1)~(13)，但並不特別限定於該等。再者，可較佳地使用(8)之元件構成。
(1)陽極/發光層/陰極
(2)陽極/電洞注入層/發光層/陰極
(3)陽極/發光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導體層/發光層/陰極
(6)陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極
(7)陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極
(8)陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/(電子傳輸層/)電子注入層/陰極
(9)陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極
(10)陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極
(11)陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極
(12)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/絕緣層/陰極
(13)陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/(電子傳輸層/)電子注入層/陰極
又，於本發明之有機EL元件中，本發明之芳香族胺衍生物不易結晶，可用於上述任一有機薄膜層，但就更低電壓下之驅動之觀點而言，較佳為含於電洞注入層或電洞傳輸層，更佳為含於電洞傳輸層。使用本發明之芳香族胺衍生物之有機EL元件不僅能夠低電壓驅動，而且發光效率較高，壽命較長。
使有機薄膜層、較佳為電洞注入層或電洞傳輸層含有本發明之 芳香族胺衍生物之量相對於該有機薄膜層之總成分，較佳為30~100莫耳%，更佳為50~100莫耳%，進而較佳為80~100莫耳%，尤佳為實質為100莫耳%。
以下，作為較佳之形態，對使電洞傳輸層含有本發明之上述芳香族胺衍生物之構成之有機EL元件之各層進行說明。
基板
有機EL元件通常製作於透光性基板上。該透光性基板為支持有機EL元件之基板，較佳為波長400~700nm之可見光範圍之光之透過率為50%以上者，進而較佳為使用平滑之基板。
作為此種透光性基板，例如可列舉玻璃板、合成樹脂板等。作為玻璃板，可列舉：由鈉鈣玻璃、含鋇鍶之玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等成形之板。又，作為合成樹脂板，可列舉：聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚醚硫醚樹脂、聚碸樹脂等之板。
陽極
陽極係擔負將電洞注入至電洞傳輸層或發光層之作用者，且較有效的是具有4eV以上(較佳為4.5eV以上)之功函數。作為陽極材料之具體例，可列舉：碳、鋁、釩、鐵、鈷、鎳、鎢、銀、金、鉑、鈀等及該等之合金；用於ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)基板、NESA(奈塞)基板之氧化錫、氧化銦等金屬氧化物；聚噻吩或聚吡咯等有機導電性樹脂。
陽極可藉由利用蒸鍍法或濺鍍法等方法使該等陽極材料形成薄膜而獲得。
於自陽極提取來自發光層之發光之情形時，陽極對發光之透過率較佳為大於10%。又，陽極之薄片電阻較佳為數百Ω/□以下。陽極之膜厚亦視材料不同而有所不同，通常為10nm~1μm，較佳為10nm ~200nm。
陰極
作為陰極，使用有以功函數較小(未達4eV)之金屬、合金、導電性化合物及該等之混合物作為電極物質者。作為此種電極物質之具體例，使用有鎂、鈣、錫、鉛、鈦、釔、鋰、釕、錳、鋁、氟化鋰等及該等之合金，但並不特別限定於該等。作為該合金，可列舉鎂/銀、鎂/銦、鋰/鋁等為代表例，但並不特別限定於該等。合金之比率係由蒸鍍源之溫度、氛圍、真空度等所控制，可選擇為適當之比率。若有需要，則陽極及陰極亦可由二層以上之層構成所形成。
該陰極可藉由利用蒸鍍或濺鍍等方法使該等電極物質形成薄膜而獲得。
此處，於自陰極提取來自發光層之發光之情形時，陰極對發光之透過率較佳為大於10%。又，陰極之薄片電阻較佳為數百Ω/□以下，進而，陰極之膜厚通常為10nm~1μm，較佳為50nm~200nm。
絕緣層
由於對超薄膜施加電場，故而有機EL元件容易產生因漏電或短路所致之像素缺陷。為了防止此種狀況，亦可於一對電極間插入包含絕緣性之薄膜層之絕緣層。
作為絕緣層所使用之材料，例如可列舉：氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化矽、氧化鍺、氮化矽、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。再者，亦可使用該等之混合物或積層物。
發光層
有機EL元件之發光層兼具下述(1)~(3)之功能。
(1)注入功能：於施加電場時可自陽極或電洞注入層注入電洞， 可自陰極或電子注入層注入電子之功能。
(2)傳輸功能：以電場力使注入之電荷(電子與電洞)遷移之功能。
(3)發光功能：提供電子與電洞之再結合之場所，並使其引起發光之功能。
向發光層注入電洞之容易性與注入電子之容易性亦可存在不同，又，由電洞遷移率與電子遷移率所表示之發光層之電洞傳輸能力及電子傳輸能力亦可不同，較佳為使任一電荷遷移。
可用於發光層之主體材料或摻雜材料並無特別限制。例如係選自萘、菲、紅螢烯、蒽、稠四苯、芘、苝、、十環烯、蔻、四苯基環戊二烯、五苯基環戊二烯、茀、螺茀、9,10-二苯基蒽、9,10-雙(苯基乙炔基)蒽、1,4-雙(9'-乙炔基蒽基)苯等縮合多聚芳香族化合物及該等之衍生物，三(8-羥基喹啉)合鋁、雙-(2-甲基-8-羥基喹啉合)-4-(苯基苯酚合)鋁等有機金屬錯合物，芳基胺衍生物、苯乙烯胺衍生物、茋衍生物、香豆素衍生物、吡喃衍生物、酮衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并唑衍生物、苯并咪唑衍生物、吡衍生物、肉桂酸酯衍生物、二酮基吡咯并吡咯衍生物、吖啶酮衍生物、喹吖啶酮衍生物等。於該等中，較佳為芳基胺衍生物、苯乙烯胺衍生物，更佳為苯乙烯胺衍生物。
電洞注入層/電洞傳輸層
電洞注入層/電洞傳輸層係幫助電洞向發光層之注入，並將電洞傳輸至發光區域之層，電洞遷移率較大，離子化能通常較小為5.7eV以下。作為此種電洞注入層/電洞傳輸層，較佳為以更低之電場強度將電洞傳輸至發光層之材料，進而，例如於施加104~106V/cm之電場時，電洞之遷移率較佳為10-4cm2/V．秒以上。
如上所述，本發明之芳香族胺衍生物可較佳地用作電洞注入層材料、尤其是電洞傳輸層材料。電洞傳輸層可單獨由本發明之芳香族 胺衍生物形成，亦可由與其他材料之混合物形成。作為與本發明之芳香族胺衍生物混合而形成電洞傳輸層之其他材料，只要為具有上述較佳之性質者則並無特別限制，可自先前於光傳導材料中作為電洞傳輸材料所慣用者、或用於有機EL元件之電洞傳輸層之公知者之中選擇任意者使用。於本發明中，將具有電洞傳輸能力，可用於電洞傳輸帶域之材料稱為電洞傳輸材料。
作為除本發明之芳香族胺衍生物以外之電洞傳輸層用之其他材料之具體例，可列舉酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、卟啉衍生物、唑、二唑、三唑、咪唑、咪唑酮、咪唑硫酮、吡唑啉、吡唑啉酮、四氫咪唑、唑、二唑、腙、醯腙、聚芳烷、茋、丁二烯、聯苯胺型三苯胺、苯乙烯胺型三苯胺、二胺型三苯胺等、上述化合物之衍生物，及聚乙烯咔唑、聚矽烷、導電性高分子等高分子材料，但並不特別限定於該等。
作為電洞注入層用之材料，只要為具有上述較佳之性質者則並無特別限制，可自先前於光傳導材料中作為電洞注入材料所慣用者、或用於有機EL元件之電洞傳輸層之公知者中選擇任意者使用。於本發明中，將具有電洞注入能力，可用於電洞注入帶域之材料稱為電洞注入材料。亦可藉由於電洞注入材料中添加電子接受物質而增感。
於本發明之有機EL元件中，較佳為使用下述式(A)所表示之六氮聯三伸苯化合物作為電洞注入材料。
上述式(A)中，R111~R116分別獨立地表示氰基、-CONH2、羧基、或-COOR117(R117為碳數1~20之烷基)，或者R111及R112、R113及R114、或R115及R116合在一起表示-CO-O-CO-所表示之基。
再者，較佳為R111~R116相同，表示氰基、-CONH2、羧基、或-COOR117。又，較佳為R111及R112、R113及R114、以及R115及R116均合在一起表示-CO-O-CO-所表示之基。
作為於本發明之有機EL元件中可使用之其他電洞注入材料，例如可列舉：芳香族三級胺衍生物及酞菁衍生物。
作為芳香族三級胺衍生物，例如為三苯胺、三甲苯胺、甲苯基二苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯基-4,4'-二胺、N,N,N',N'-(4-甲基苯基)-1,1'-苯基-4,4'-二胺、N,N,N',N'-(4-甲基苯基)-1,1'-聯苯基-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二萘基-1,1'-聯苯基-4,4'-二胺、N,N'-(甲基苯基)-N,N'-(4-正丁基苯基)-菲-9,10-二胺、N,N-雙(4-二-4-甲苯基胺基苯基)-4-苯基-環己烷等、或具有源自該等芳香族三級胺之構成單元之低聚物或聚合物，但並不特別限定於該等。
作為酞菁(Pc)衍生物，例如有H2Pc、CuPc、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-O-GaPc等酞菁衍生物及萘酞菁衍生物，但並不限定於該等。又，本發明之有機EL元件較佳為於發光層與陽極之間具有含有該等芳香族三級胺衍生物及/或酞菁衍生物之層、例如上述電洞傳輸層或電洞注入層。
亦可藉由於電洞注入材料中添加電子接受物質而增感。
電子注入層/電子傳輸層
電子注入層/電子傳輸層係幫助電子向發光層之注入，並將電子 傳輸至發光區域之層，電子遷移率較大。附著改善層係包含與陰極之附著特別良好之材料之電子注入層。
已知由於發出之光由電極(該情形時為陰極)反射，故而直接自陽極提取之發光與經由利用電極之反射自陽極提取之發光進行干涉。為了有效率地利用該干涉效果，電子傳輸層可於數nm~數μm之膜厚內適當選擇，但於膜厚尤其較厚時，為了避免電壓上升，而較佳為於施加104~106V/cm之電場時電子遷移率至少為10-5cm2/Vs以上。
作為電子注入層所使用之材料，具體而言，可列舉茀酮、蒽醌二甲烷、聯苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亞茀基甲烷、蒽醌二甲烷、蒽酮等及該等之衍生物，但並不特別限定於該等。又，亦可藉由於電子注入材料中添加電子供應性物質而增感。
其他有效之電子注入材料為金屬錯合物化合物及含氮五員環衍生物。
作為上述金屬錯合物化合物，例如可列舉8-羥基喹啉合鋰、三(8-羥基喹啉)合鋁、雙(2-甲基-8-喹啉合)(1-萘酚合)鋁等，但並不特別限定於該等。
作為上述含氮五員環衍生物，例如較佳為唑、噻唑、二唑、噻二唑、三唑衍生物。
尤其是於本發明中，作為上述含氮五員環衍生物，較佳為下述式(1)~(3)之任一者所表示之苯并咪唑衍生物。
[化37]
上述式(1)~(3)中，Z1、Z2及Z3分別獨立地為氮原子或碳原子。
R11及R12分別獨立地為經取代或未經取代之環碳數6~60之芳基、經取代或未經取代之環碳數3~60之雜芳基、碳數1~20之烷基、碳數1~20之鹵烷基或碳數1~20之烷氧基。
m為0~5之整數，於m為2以上之整數時，複數個R11相互可相同亦可不同。又，鄰接之2個R11彼此亦可相互鍵結而形成經取代或未經取代之芳香族烴環。作為該經取代或未經取代之芳香族烴環，例如可列舉苯環、萘環、蒽環等。
Ar1為經取代或未經取代之環碳數6~60之芳基或經取代或未經取代之環碳數3~60之雜芳基。
Ar2為氫原子、碳數1~20之烷基、碳數1~20之鹵烷基、碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之環碳數6~60之芳基或經取代或未經取代之環碳數3~60之雜芳基。
Ar3為經取代或未經取代之環碳數6~60之伸芳基或經取代或未經取代之環碳數3~60之伸雜芳基。
L1、L2及L3分別獨立地為單鍵、經取代或未經取代之環碳數6~ 60之伸芳基、經取代或未經取代之環原子數9~60之雜縮合環基或經取代或未經取代之伸茀基。
於本發明之有機EL元件中，亦可於含有本發明之芳香族胺衍生物之層中含有發光材料、摻雜材料、電洞注入材料或電子注入材料。
於含有發明之芳香族胺衍生物之層中，亦可視需要使用公知之發光材料、摻雜材料、電洞注入材料、電子注入材料，或者亦可使用本發明之芳香族胺衍生物作為摻雜材料。
有機EL元件可藉由形成複數層有機薄膜層而防止因淬滅(quenching)所導致之亮度或壽命之降低。若有需要則可將發光材料、摻雜材料、電洞注入材料、電子注入材料組合使用。又，亦可藉由摻雜材料而提高發光亮度或發光效率，使發光色變化。
本發明之有機EL元件之電洞傳輸層亦可設為第1電洞傳輸層(陽極側)與第2電洞傳輸層(陰極側)之2層結構。於該情形時，本發明之芳香族胺衍生物可含於第1電洞傳輸層與第2電洞傳輸層之任一者。
又，就提高藉由本發明而獲得之有機EL元件對溫度、濕度、氛圍等之穩定性之觀點而言，亦可於元件之表面設置保護層，或利用矽油、樹脂等保護元件整體。
於形成本發明之有機EL元件之各層時，可使用真空蒸鍍、濺鍍、電漿、離子鍍著等乾式成膜法，或旋轉塗佈、浸漬、流塗等濕式成膜法中之任一種方法。
於濕式成膜法之情形時，使用使形成各層之材料溶解或分散於乙醇、氯仿、四氫呋喃、二烷等適當之溶劑而成之溶液或分散液形成薄膜。又，該溶液或分散液亦可包含樹脂或添加劑以提高成膜性、防止膜之針孔等。作為該樹脂，可列舉：聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、聚醯胺、聚胺基甲酸酯、聚碸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯、纖維素等絕緣性樹脂及該等之共聚物，聚-N-乙烯基咔 唑、聚矽烷等光導電性樹脂，聚噻吩、聚吡咯等導電性樹脂。又，作為添加劑，可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、塑化劑等。
各層之膜厚並無特別限定，設為可獲得良好之元件性能之膜厚即可。若膜厚過厚，則為了獲得一定之光輸出，必需較大之施加電壓，效率變差。若膜厚過薄，則產生針孔等，即便施加電場亦無法獲得充分之發光亮度。通常之膜厚適合為5nm~10μm之範圍，更佳為10nm~0.2μm之範圍。
實施例
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明並不受該等任何限定。
中間物合成例1-1(中間物1-1之合成)
於氬氣氛圍下，於4-碘溴苯28.3g(100.0mmol)、二苯并呋喃-4-硼酸22.3g(105.0mmol)、Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)中添加甲苯150ml、二甲氧基乙烷150ml、2M之Na2CO3水溶液150ml(300.0mmol)，並加熱回流攪拌10小時。
於反應結束後，冷卻至室溫，將試樣移至分液漏斗並以二氯甲烷萃取。於以MgSO4乾燥有機層後，進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析法純化濃縮殘渣，獲得26.2g之白色固體。藉由FD-MS分析(Field Desorption Mass Spectrometry，場解吸質譜分析)，鑑定為下述中間物1-1。(產率81%)
中間物合成例1-2(中間物1-2之合成)
於氬氣氛圍下，於4'-溴乙醯苯胺24.0g(112.0mmol)、二苯并呋喃-4-硼酸28.6g(135.0mmol)、Pd[PPh3]4 2.6g(2.24mmol)中添加甲苯450ml、二甲氧基乙烷100ml、2M之Na2CO3水溶液110ml(220.0mmol)，並加熱回流攪拌10小時。
於反應結束後，冷卻至室溫，過濾析出之晶體。使所獲得之晶體溶解於四氫呋喃，通過矽藻土/矽膠進行過濾，並於減壓下濃縮濾液。以甲醇/己烷洗淨所獲得之殘渣並加以乾燥，獲得18.0g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-2。(產率53%)
中間物合成例1-3(中間物1-3之合成)
於中間物1-2 18.0g(59.7mmol)中添加二甲苯120ml、水1200ml、乙醇60ml並進行攪拌。添加氫氧化鉀20.0g(360.0mmol)，並加熱回流攪拌10小時。
於反應結束後，冷卻至室溫，將試樣移至分液漏斗並以甲苯萃取。於以MgSO4乾燥有機層後，進行過濾、濃縮。以二甲苯使所獲得之殘渣再結晶，將其過濾取出後進行乾燥，獲得14.7g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-3。(產率95%)
[化40]
中間物合成例1-4(中間物1-4之合成)
於氮氣氛圍下，於二苯并呋喃150g(0.89mol)中添加乙酸1000ml並使之加熱溶解。進而，於滴加添加溴188g(1.18mol)後，於室溫下攪拌20小時。過濾取出析出之晶體，並依序以乙酸、水洗淨。利用甲醇使粗產物重複數次再結晶，獲得66.8g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-4。(產率30%)
中間物合成例1-5(中間物1-5之合成)
於氬氣氛圍下，於中間物1-4 24.7g(100.0mmol)中添加脫水四氫呋喃400ml，並冷卻至-40℃。進而，緩緩添加1.6M濃度之正丁基鋰之己烷溶液63ml(100.0mmol)。於將反應溶液一面加溫至0℃一面攪拌1小時後，再次將反應溶液冷卻至-78℃，並滴加添加硼酸三甲酯26.0g(250.0mmol)之50ml脫水四氫呋喃溶液。於滴加後，將反應溶液於室溫下攪拌5小時。於添加1N鹽酸200ml並攪拌1小時後，去除水層。以MgSO4乾燥有機層，並於減壓下蒸餾去除溶劑。以甲苯洗淨所獲得之固體，獲得15.2g之白色晶體。(產率72%)
[化42]
中間物合成例1-6(中間物1-6之合成)
於氬氣氛圍下，於4-碘溴苯28.3g(100.0mmol)、中間物1-5 22.3g(105.0mmol)、Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)中添加甲苯150ml、二甲氧基乙烷150ml、2M之Na2CO3水溶液150ml(300.0mmol)，並加熱回流攪拌10小時。
於反應結束後，將試樣移至分液漏斗並以二氯甲烷萃取。於以MgSO4乾燥有機層後，進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析法純化濃縮殘渣，獲得24.2g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-6。(產率75%)
中間物合成例1-7(中間物1-7之合成)
於中間物合成例1-2中，使用中間物1-5 28.6g來代替二苯并呋喃-4-硼酸，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得19.1g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-7。(產率56%)
[化44]
中間物合成例1-8(中間物1-8之合成)
於中間物合成例1-3中，使用中間物1-7 18.0g來代替中間物1-2，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得14.5g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-8。(產率93%)
中間物合成例1-9(中間物1-9之合成)
於氬氣氛圍下，於4-碘溴苯28.3g(100.0mmol)、二苯并噻吩-4-硼酸23.9g(105.0mmol)、Pd[PPh3]4 2.31g(2.00mmol)中添加甲苯150ml、二甲氧基乙烷150ml、2M之Na2CO3水溶液150ml(300.0mmol)，並加熱回流攪拌10小時。
於反應結束後，冷卻至室溫，將試樣移至分液漏斗並以二氯甲烷萃取。於以MgSO4乾燥有機層後，進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析法純化濃縮殘渣，獲得27.1g之白色固體。藉由FD-MS分析(場解吸質譜分析)，鑑定為下述中間物1-9。(產率80%)
[化46]
中間物合成例1-10(中間物1-10之合成)
於氬氣氛圍下，於4'-溴乙醯苯胺24.0g(112.0mmol)、二苯并噻吩-4-硼酸30.8g(135.0mmol)、Pd[PPh3]4 2.6g(2.24mmol)中添加甲苯450ml、二甲氧基乙烷100ml、2M之Na2CO3水溶液110ml(220.0mmol)，並加熱回流攪拌10小時。
於反應結束後，冷卻至室溫，過濾析出之晶體。使所獲得之晶體溶解於四氫呋喃，通過矽藻土/矽膠進行過濾，並於減壓下濃縮濾液。以甲醇/己烷洗淨所獲得之殘渣並加以乾燥，獲得17.8g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-10。(產率50%)
中間物合成例1-11(中間物1-11之合成)
於中間物1-10 18.0g(56.1mmol)中添加二甲苯120ml、水1200ml、乙醇60ml並進行攪拌。添加氫氧化鉀20.0g(360.0mmol)，並加熱回流攪拌10小時。
於反應結束後，冷卻至室溫，將試樣移至分液漏斗並以甲苯萃取。於以MgSO4乾燥有機層後，進行過濾、濃縮。以二甲苯使所獲得之殘渣再結晶，將其過濾取出後進行乾燥，獲得14.7g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-11。(產率95%)
中間物合成例1-12(中間物1-12之合成)
於中間物合成例1-5中，使用2-溴二苯并噻吩26.3g來代替中間物1-4，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得15.0g之白色固體。(產率66%)
中間物合成例1-13(中間物1-13之合成)
於中間物合成例1-6中，使用中間物1-12 23.9g來代替中間物1-5，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得25.4g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-13。(產率75%)
中間物合成例1-14(中間物1-14之合成)
於中間物合成例1-2中，使用中間物1-12 30.8g來代替二苯并呋喃-4-硼酸，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得18.1g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-14。(產率51%)
中間物合成例1-15(中間物1-15之合成)
於中間物合成例1-3中，使用中間物1-14 18.0g來代替中間物1-2，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得13.9g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物1-15。(產率90%)
中間物合成例2-1(中間物2-1之合成)
於氬氣氛圍下，於2-溴-9,9-二苯基茀19.9g(50.0mmol)、中間物1-3 13.0g(50.0mmol)、第三丁醇鈉9.6g(100.0mmol)中添加脫水甲苯250ml並進行攪拌。添加乙酸鈀225mg(1.0mmol)、三-第三丁基膦 202mg(1.0mmol)，於80℃下反應8小時。
於冷卻後，將反應混合物通過矽藻土/矽膠進行過濾，並於減壓下濃縮濾液。以甲苯使所獲得之殘渣再結晶，將其過濾取出後進行乾燥，獲得23.0g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物2-1。 (產率80%)
中間物合成例2-2(中間物2-2之合成)
於中間物合成例2-1中，使用中間物1-8 13.0g來代替中間物1-3，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得23.2g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物2-2。(產率81%)
中間物合成例2-3(中間物2-3之合成)
於中間物合成例2-1中，使用2-胺基-9,9-二甲基茀10.5g來代替中間物1-3，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得19.7g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物2-3。(產率75%)
中間物合成例2-4(中間物2-4之合成)
於中間物合成例2-1中，使用中間物1-11 13.8g來代替中間物1-3，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得23.7g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物2-4。(產率80%)
中間物合成例2-5(中間物2-5之合成)
於中間物合成例2-1中，使用中間物1-15 13.8g來代替中間物1-3，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得22.2g之白色固體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述中間物2-5。(產率75%)
[化57]
合成實施例1(芳香族胺衍生物(H1)之製造)
於氬氣氛圍下，於中間物1-1 3.2g(10.0mmol)、中間物2-1 5.8g(10.0mmol)、Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol)、P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol)、第三丁醇鈉1.9g(20.0mmol)中添加無水二甲苯50ml，並加熱回流8小時。
於反應結束後，將反應液冷卻至50℃，通過矽藻土/矽膠進行過濾，並濃縮濾液。利用矽膠管柱層析法純化所獲得之濃縮殘渣，獲得白色固體。以甲苯使粗產物再結晶，獲得3.7g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述芳香族胺衍生物(H1)。(產率45%)
合成實施例2(芳香族胺衍生物(H2)之製造)
於合成實施例1中，使用中間物1-6 3.2g來代替中間物1-1，使用中間物2-2 5.8g來代替中間物2-1，除此以外，同樣地進行反應，結果 獲得5.2g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述芳香族胺衍生物(H2)。(產率63%)
合成實施例3(芳香族胺衍生物(H3)之製造)
於合成實施例1中，使用中間物1-6 3.2g來代替中間物1-1，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得4.5g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述芳香族胺衍生物(H3)。(產率55%)
合成實施例4(芳香族胺衍生物(H4)之製造)
於合成實施例1中，使用4-溴聯苯2.3g來代替中間物1-1，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得3.6g之白色晶體。藉由FD-MS之分 析，鑑定為下述芳香族胺衍生物(H4)。(產率50%)
合成實施例5(芳香族胺衍生物(H5)之製造)
於氬氣氛圍下，於2-溴聯苯2.3g(10.0mmol)、中間物2-3 5.3g(10.0mmol)、Pd2(dba)3 0.14g(0.15mmol)、P(tBu)3HBF4 0.087g(0.3mmol)、第三丁醇鈉1.9g(20.0mmol)中添加無水二甲苯50ml，並加熱回流8小時。
於反應結束後，將反應液冷卻至50℃，通過矽藻土/矽膠進行過濾，並濃縮濾液。利用矽膠管柱層析法純化所獲得之濃縮殘渣，獲得白色固體。以甲苯使粗產物再結晶，獲得3.1g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述芳香族胺衍生物(H5)。(產率45%)
合成實施例6(芳香族胺衍生物(H6)之製造)
於合成實施例5中，使用4-溴聯苯2.3g來代替2-溴聯苯，除此以 外，同樣地進行反應，結果獲得2.7g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述芳香族胺衍生物(H6)。(產率40%)
合成實施例7(芳香族胺衍生物(H7)之製造)
於合成實施例1中，使用中間物1-9 3.4g來代替中間物1-1，使用中間物2-4 5.9g來代替中間物2-1，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得4.7g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述芳香族胺衍生物(H7)。(產率55%)
合成實施例8(芳香族胺衍生物(H8)之製造)
於合成實施例1中，使用中間物1-13 3.4g來代替中間物1-1，使用中間物2-5 5.9g來代替中間物2-1，除此以外，同樣地進行反應，結果獲得5.1g之白色晶體。藉由FD-MS之分析，鑑定為下述芳香族胺衍 生物(H8)。(產率55%)
實施例
實施例1-1
有機EL元件之製作
將25mm×75mm×1.1mm之附有ITO透明電極線之玻璃基板(Geomatec公司製造)於異丙醇中進行超音波洗淨5分鐘，進而，進行UV(Ultraviolet，紫外線)臭氧洗淨30分鐘。
將洗淨後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板座，首先，以於形成透明電極線之面上覆蓋上述透明電極之方式蒸鍍下述電子接受性化合物(A)，成膜膜厚5nm之膜A。
於該膜A上蒸鍍下述芳香族胺衍生物(X1)作為第1電洞傳輸材料，成膜膜厚160nm之第1電洞傳輸層。繼第1電洞傳輸層之成膜後，蒸鍍下述芳香族胺衍生物(H1)作為第2電洞傳輸材料，成膜膜厚10nm之第2電洞傳輸層。
於該電洞傳輸層上，以厚度25nm共蒸鍍主體化合物(BH)與摻雜物化合物(BD)，成膜發光層。摻雜物化合物(BD)之濃度為4質量%。
接著，於該發光層上，以厚度20nm共蒸鍍下述化合物(ET1)，接 著以厚度10nm共蒸鍍下述化合物(ET2)，及以厚度25nm共蒸鍍Li，成膜電子傳輸/注入層。Li之濃度為4質量%。
進而，將金屬Al積層為厚度80nm而形成陰極，製造有機EL元件。
實施例1-2~1-6
使用表1中記載之下述芳香族胺衍生物作為第2電洞傳輸材料，除此以外，以與實施例1-1相同之方式製作實施例1-2~1-6之各有機EL元件。
比較例1-1及1-2
使用表1中記載之下述芳香族胺衍生物作為第2電洞傳輸材料，除此以外，以與實施例1-1相同之方式製作比較例1-1及1-2之各有機EL元件。
有機EL元件之發光性能評價
利用直流電流驅動使以上述方式製作之有機EL元件發光，測定 亮度(L)、電流密度，並根據測定結果求出電流密度10mA/cm2下之電流效率(L/J)、驅動電壓(V)。進而求出電流密度50mA/cm2下之元件壽命。此處，所謂80%壽命係指於定電流驅動時，亮度衰減至初始亮度之80%之時間。將結果示於表1。
由表1之結果可知，藉由使用本發明之芳香族胺衍生物，可獲得即便以低電壓驅動亦為高效率且長壽命之有機EL元件。
實施例2-1
有機EL元件之製作
將25mm×75mm×1.1mm之附有ITO透明電極線之玻璃基板(Geomatec公司製造)於異丙醇中進行超音波洗淨5分鐘，進而，進行UV(Ultraviolet)臭氧洗淨30分鐘。
將洗淨後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板座，首先，以於形成透明電極線之面上覆蓋上述透明電極之方式蒸鍍下述電子接受性化合物(A)，成膜膜厚5nm之膜A。
於該膜A上蒸鍍下述芳香族胺衍生物(H5)作為第1電洞傳輸材料，成膜膜厚160nm之第1電洞傳輸層。繼第1電洞傳輸層之成膜後，蒸鍍下述芳香族胺衍生物(Y1)作為第2電洞傳輸材料，成膜膜厚10nm之第2電洞傳輸層。
於該電洞傳輸層上，以厚度25nm共蒸鍍主體化合物(BH)與摻雜物化合物(BD)，成膜發光層。摻雜物化合物(BD)之濃度為4質量%。
接著，於該發光層上，以厚度20nm共蒸鍍下述化合物(ET1)，接著以厚度10nm共蒸鍍下述化合物(ET2)、及以厚度25nm共蒸鍍Li，成膜電子傳輸/注入層。Li之濃度為4質量%。
進而，以厚度80nm積層金屬Al而形成陰極，製造有機EL元件。
實施例2-2~2-4
使用表2中記載之下述芳香族胺衍生物作為第1電洞傳輸材料及第2電洞傳輸材料，除此以外，以與實施例2-1同樣之方式製作實施例2-2~2-4之各有機EL元件。
比較例2-1及2-2
使用NPD(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine，N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-聯苯-4,4'-二胺)作為第1電洞傳輸材料，除此以外，分別以與實施例2-1及2-2相同之方式製作比較例2-1及2-2之各有機EL元件。
有機EL元件之發光性能評價
利用直流電流驅動使以上述方式製作之有機EL元件發光，測定亮度(L)、電流密度，並根據測定結果求出電流密度10mA/cm2下之電流效率(L/J)、驅動電壓(V)。進而求出電流密度50mA/cm2下之元件壽命。此處，所謂80%壽命係指於定電流驅動時，亮度衰減至初始亮度之80%之時間。將結果示於表2。
由表2之結果可知，藉由使用本發明之芳香族胺衍生物，可獲得即便以低電壓驅動亦為高效率且長壽命之有機EL元件。

Claims (9)

  1. 一種芳香族胺衍生物，其係以下述式(20)所表示： (於式(20)中，Ar1係下述式(4)所表示之基： Ar2表示選自下述式(7)~(11)及(14)~(15)中之基： 於式(4)、(10)、(11)及(14)中，L表示單鍵或下述式(16)所表示之二價基，於式(20)之芳香族胺衍生物具有複數個L之情形時，該複數個L相互可相同亦可不同： 式(4)、(14)及(20)之(R1)m所表示之R1表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之聯三苯基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取 代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、或氰基；式(7)~(11)及(15)~(16)之R1及式(20)之(R1)n所表示之R1表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、或氰基，於式(20)之芳香族胺衍生物具有複數個R1之情形時，該複數個R1相互可相同亦可不同；於式(20)中，R2及R3可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳氧基、或氰基，又，於存在複數個R2之情形時，該複數個R2可相同亦可不同，於存在複數個R3之情形時，該複數個R3可相同亦可不同；於式(4)及式(14)中，2個R4可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、經取代或未經取代之環原子數3~50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳氧基、或氰基，於式(20)之芳香族胺衍生物具有式(4)所表示之基及/或式(14)所表示之基之情形時，R2、R3及R4可相同亦可不 同；上述R1~R4中「經取代或未經取代」之取代基係選自由下列所組成之群的基：碳數1~50之烷基，環碳數3~50之環烷基，苯基，聯苯基，聯三苯基，具有環碳數6~50之芳基之碳數1~50之芳烷基，具有碳數1~50之烷基之烷氧基，具有環碳數6~50之芳基之芳氧基，具有選自碳數1~50之烷基及環碳數6~50之芳基中之基之單取代矽烷基、雙取代矽烷基或三取代矽烷基，鹵素原子，氰基，硝基；k為1~5之整數；m為1~4之整數；n為1~3之整數)。
  2. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中上述式(7)係以下述式(7-1)或式(7-2)所表示，上述式(8)以下述式(8-1)所表示，上述式(9)以下述式(9-1)所表示： (式中，R1、k、m及n分別為如式(7)、(8)及(9)中所定義)。
  3. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其係以下述式(20)所表示： (於式(20)中，Ar1係下述式(4)所表示之基： Ar2表示選自下述式(7)~(11)及(14)~(15)中之基： 於式(4)、(10)、(11)及(14)中，L表示單鍵或下述式(16)所表示之二價基，於式(20)之芳香族胺衍生物具有複數個L之情形時，該複數個L相互可相同亦可不同： 式(4)、(14)及(20)之(R1)m所表示之R1表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之聯三苯基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、或氰基；式(7)~(11)及(15)~(16)之R1及式(20)之(R1)n所表示之R1表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之聯三苯基、經取代或未經取代之伸聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之苯基萘基、經取代或未經取代之苊基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之苯并蒽基、經取代或未經取代之乙烯合蒽基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之苯并菲基、經取代或未經取代之丙烯合萘基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之9,9-二甲基茀基、經取代或未經取代之7-苯基-9,9-二甲基茀基、經取代或未經取代之稠五苯基、經取代或未經取代之苉基、經取代或未經取代之五苯基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之基、經取代或未經取代之苯并基、經取代或未經取代之對稱二環戊二烯并苯基、經取代或未經取代之不對稱二環戊二烯并苯基、經取代或未經取代之丙二烯合茀基、及經取 代或未經取代之苝基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、或氰基，於式(20)之芳香族胺衍生物具有複數個R1之情形時，該複數個R1相互可相同亦可不同；於式(20)中，R2及R3可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、經取代或未經取代之成環原子數3~50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳氧基、或氰基，又，於存在複數個R2之情形時，該複數個R2可相同亦可不同，於存在複數個R3之情形時，該複數個R3可相同亦可不同；於式(4)及式(14)中，2個R4可相同亦可不同，分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳基、經取代或未經取代之環原子數3~50之雜環基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、經取代或未經取代之環碳數6~50之芳氧基、或氰基，於式(20)之芳香族胺衍生物具有式(4)所表示之基及/或式(14)所表示之基之情形時，R2、R3及R4可相同亦可不同；上述R1~R4中「經取代或未經取代」之取代基係選自由下列所組成之群的基：碳數1~50之烷基，環碳數3~50之環烷基，苯基，聯苯基，聯三苯基，具有環碳數6~50之芳基之碳數1~ 50之芳烷基，具有碳數1~50之烷基之烷氧基，具有環碳數6~50之芳基之芳氧基，具有選自碳數1~50之烷基及環碳數6~50之芳基中之基之單取代矽烷基、雙取代矽烷基或三取代矽烷基，鹵素原子，氰基，硝基；k為1~5之整數；m為1~4之整數；n為1~3之整數)。
  4. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中Ar1係下述式(25)所表示之基： (式(25)中，R1、R4、L及m分別為如式(4)中所定義)。
  5. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中Ar1係下述式(30)所表示之基： (式(30)中，R1、R4及m分別為如式(4)中所定義)。
  6. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中式(4)、(14)及(20)之(R1)m所表示之R1表示氫原子或經取代或未經取代之苯基。
  7. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中式(4)、(14)及(20)之(R1)m所 表示之R1表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、鹵素原子、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之碳數1~20之氟烷氧基、或氰基。
  8. 一種有機電致發光元件，其特徵在於：其係具有陽極、陰極及於該陽極與陰極之間之1層以上之有機薄膜層，且該1層以上之有機薄膜層包含發光層者，並且該有機薄膜層之至少1層含有如請求項1至7中任一項之芳香族胺衍生物。
  9. 如請求項8之有機電致發光元件，其中上述有機薄膜層具有電洞注入層或電洞傳輸層，且該電洞注入層或電洞傳輸層含有上述芳香族胺衍生物。
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