TW459267B - Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device - Google Patents

Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device Download PDF

Info

Publication number
TW459267B
TW459267B TW088104655A TW88104655A TW459267B TW 459267 B TW459267 B TW 459267B TW 088104655 A TW088104655 A TW 088104655A TW 88104655 A TW88104655 A TW 88104655A TW 459267 B TW459267 B TW 459267B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display device
circuit
inverters
thin film
patent application
Prior art date
Application number
TW088104655A
Other languages
English (en)
Inventor
Jun Koyama
Shunpei Yamazaki
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Application granted granted Critical
Publication of TW459267B publication Critical patent/TW459267B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/027—Details of drivers for data electrodes, the drivers handling digital grey scale data, e.g. use of D/A converters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

f ^ 45926 7 A7 ______B7 ____ 五、發明說明（1 ) 發明背景： 1 .發明領域： 本發明係關於一種主動矩陣型式半導體顯示裝置之驅 動電路。本發明亦關於具有驅動電路之半導體顯示裝置。 2 .相關技藝之敘述： 近年來，已快速地發展一種技術，用於製造具有形成 在便宜的玻璃基體上之半導體薄膜的半導體裝置，例如薄 膜電晶體（TFT) >原因是對於主動矩陣型式半導體顯 示裝置（特別是主動矩陣型式液晶顯示裝置）之需求增加 〇 在主動矩陣型式液晶顯示裝置中，對於擺設在矩陣中 之數十至百萬個圖像設置一 TFT，且藉著TFT之開關 功能而控制電荷進出各圖像電極。 特別是，隨著顯示裝置在解析度及圖像品質的改良， 已注意到主動矩陣型式液晶顯示裝置，具有可以處理數位 視頻資料之數位驅動電路。在包括數位驅動電路之半導體 顯示裝置的源信號線側驅動電路中，從外側供給之數位視 頻資料依序地被一閂鎖電路保留一段短的時間，根據來自 移位暫存器之時間信號。且在資料被轉換成類比信號（階 、 度電壓）之後，信號被供給至對應的圖像TFT 〇當使用 數位驅動電路時，可以實現所謂直線順序驅動，其中同時 驅動一直線之圖像TFT。 在數位驅動電路中，根據來自移位暫存器之時間信號 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <锦先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
-lull — — « I I II 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7 459267 五、發明說明（2 ) {諳先閲讀背面之生意事項再填寫本頁) ，決定邏輯電路、D/A轉換電路之操作時間。各具有大 的負載容量之許多電路與元件被連接至一信號線，時間信 號從移位暫存器供給至此信號線。於是，會發生一情形， 來自移位暫存器之時間信號會在路上產生“鈍化”。對此 的其中一個對策，嚐試使來自移位暫存器之時間信號通過 一緩衝器電路以消除•鈍化”。 如果緩衝器電路之電流容量很小，緩衝作用是無意義 的。所以，需要具有大到某一程度的電流容量之緩衝器。 在使用薄膜電晶體形成具有大的電流容量之緩衝器的情形 中，需要具有大的電流容量亦即大的通道寬度之T F T。 然而，在具有大的通道寬度之TF T中，零件中會發生結 晶的起伏，結果，對於各TF T發生臨界電壓的起伏。於 是，無可避免地在由許多T F T構件的緩衝器之特性中亦 會發生起伏。於是，存在具有對於各信號線之特性起伏0¾ 緩衝器，且此特性起伏會導致施加至圖像矩陣電路之電壓 ______.··.·.+ - 的起伏》如此會引起顯示裝置整體的禪示模糊（顯示不均 勻）。 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 此外，如果TFT之尺寸（通道寬度）太大，只有 TF T之中央部份作用爲一通道，且其尾端並不會作用爲 通道。在此情形中，加速TFT的變差。 此外，當TFT的尺寸很大時，TFT之自動加熱產 生會變大，其有時會導致臨界電壓的改變或變差° 同樣在閘信號線側驅動電路中，根據來自移位暫存器 之時間信號，一掃描信號被依序地供給至一閘信號線（掃 本紙張疋度.通用中囡國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公* ) 459267 A7 B7 ___ 五、發明說明（3 ) 描線）。在執行直線依序驅動的數位驅動電路中，必須驅 動對於連接至一掃描線的一直線之全部圖像T F T，且連 接至一掃描線之負載容量很大。於是，在閘信號線側驅動 電路中，需要藉著使來自移位暫存器之時間信號通過一緩 衝器電路等等而消除“鈍化”。而且在此情形中，由於需 要具有大的電流容量之緩衝器，會發生上述問題。特別是 ，閘信號線之緩衝器必須驅動圖像矩陣電路中一直線的全 部連接T F T，所以緩衝器之特性起伏會造成明顯的圖像 不均勻。這是當需要具有高的精細度/高的解析度之顯示 裝置時的其中一個最嚴重的問題。 發明節要： 做成本發明以克服前述問題，且本發明之目的在於提 供一種半導體顯示裝置•其可消除圖像模糊（顯示不均勻 )，且可得到具有高的精細度/高的解析度之良好圖像。 依據執行本發明的一個模式，在半導體顯示裝置之驅 動電路中，作爲構成設於移位暫存器電路與源信號線側驅 動電路的閂鎖電路之間的緩衝器電路之T F T，並沒有使 用具有大的尺寸（.通道寬度）的TFT，而是使用許多 T、F T ·各具有小的尺寸且彼此並聯地連接》此外，作爲 、 構成設於移位暫存器電路與閘信號線側驅動電路的閘信號 之間的緩衝器電路之T F Τ，並沒有使用具有大的尺寸（ 通道寬度）的TF Τ，而是使用許多TF Τ，各具有小的 尺寸且彼此並聯地連接。在此兩種情形中，許多緩衝器電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公荣） <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ό 裝 --------訂-------- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 5926 7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明（4) 路被並聯地連接，以構件驅動電路中的緩衝器電路部份。 藉著如此做，可以減小緩衝器電路之特性起伏，而確保其 電流容量。 以下將敘述本發明之構造。 依據本發明的一個觀點，提供一種半導體顯示裝置之 驅動電路，包含：一源信號線側驅動電路；及一閘信號線 側驅動電路，其中閘信號線側驅動電路包括一緩衝器電路 ，此緩衝器電路緩衝來自一移位暫存器電路之時間信號， 且包括許多反相器電路，各反相器電路是由彼此並聯地連 接的許多反相器構成。藉此可達到上述目的。 依據本發明的另一個觀點，提供一種半導體顯示裝置 之驅動電路，包含：一源信號線側驅動電路；及一閘信號 線側驅動電路，其中源信號線側驅動電路包括一緩衝器電 路，此緩衝器電路緩衝來自一移位暫存器電路之時間信號 ，且包括許多反相器電路，各反祖器電路是由彼此並聯地 連接的許多反相器構成。藉此可達到上述目的。 依據本發明的更另外一個觀點，提供一種半導體顯示 裝置之驅動電路，包含：一源信號線側驅動電路；及一閘 信號線側驅動電路•其中源信號線側驅動電路包括一緩衝 器電路，此緩衝器電路緩衝來自一移位暫存器電路之時間 信號，且包括許多反相器電路，各反相器電路是由彼此並 聯地連接的許多反相器構成，且其中閘信號線側驅動電路 包括一緩衝器電路，此緩衝器電路緩衝來自一移位暫存器 電路之時間信號，且包括許多反相器電路，各反相器電路 <靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 n n n n^SJ· n n
ϋ I 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） . A7t 4 5 9 2 6 7 B7 經濟部智慧財.產局MB：工消f合作社印製 五、發明說明（5) 是由彼此並聯地連接的許多反相器構成。藉此可達到上述 目的。 依據本發明的另外一個觀點，提供一種半導體顯示裝、 置，包含：依據前述各觀點之半導體顯示裝置之驅動電路. :及一圖素矩陣電路。藉此可達到上述目的》 圖形之簡要敘述： 在附圖中： 圖1爲依據本發明的實施例之包括驅動電路的主動矩 陣型式液晶顯示裝置之電路圖； 圖2爲一電路圖，指出本發明之驩動電路所使用的數 位視頻資料驅動電路之實施例； 圖3爲一電路圖，指出本發明之驅動電路所使用的一 部份源信號線側移位暫存器電路及一部份的緩衝器電路之 實施例； 圖4爲一電路圖，指出本發明之緩衝器電路所使用的 反相器之實施例： 圖5爲一電路圖，指出本發明之驅動電路所使用的一 部份閘信號線側移位暫存器電路及一部份的緩衝器電路之 實施例； 、 圖6爲一電路圖·指出本發明之緩衝器電路所使用的 反相器之實施例； 圖7爲一電路圖，指出本發明之緩衝器電路所使用的 反相器之實施例； <請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 裝 t— Baal ϋ ϋ 一-WJf n n n tn i n f 5, 本紙張尺庋適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） 45926 7 附件la.第88104655號專利申請案4 中文說明書修正弟7民國89年10月修ji巧卻 五、發明說明（6) 圖8爲一電路圖，指出本發明之驅動電路所使用的反 相器之實施例； 圖9 A至9 D爲圖形，指出包括本發明之驅動電路的 主動矩陣型式液晶顯示裝置之製造步驟； 圖1 0A至1 0D爲圖形》指出包括本發明之驅動電 路的主動矩陣型式液晶顯示裝置之製造步驟； 圖1 1 A至1 1_C爲圖形，指出包括本發明之驅動電 路的主動矩陣型式液晶顯示裝置之製造步驟； y 圖1 2爲一圖形，指出包括本發明之驅動電'路的主動 矩陣型式液晶顯示裝置； 圖1 3爲一圖形，指出包括本發明之驅動電路的主動 矩陣型式液晶顯示裝置之外觀： 圖1 4爲一圖形，指出CG S的TEM照片： 圖1 5爲一圖形，指出習知高溫多晶矽的T EM照片 ， 圖1 6 A與1 6 B爲圖形，指出CG S之電子束繞射 圖案及習知的高溫多晶矽： 圖1 7A與1 7B爲圖形，指出CGS之TEM照片 及習知的高溫多晶矽；及 圖1 8 A至1 8 F爲圖形，指出包括具有本發明之驅 動電路的半導體顯示裝置之半導體裝置》 元件符號說明：
1 0 1 :源信號線側驅動電路A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 · 1 --*-裝-----訂----------線" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-'\ 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 經濟部智慧財產局WK工消费合作社印製 -7 A7 I y Λ 5 9 2 6 ^_b7______ 五、發明說明（7 ) 1 Ο 2 :移位暫存器電路 102’：正反器電路 103，103’ ：緩衝器電路 1 0 4 :閂鎖電路（1 ) 1 0 5 :閂鎖電路（2 ) 1 0 6 :選定電路（1 ) 107:位準移位電路 108:D/A轉換電路 1 0 9 :選定電路（2 )
110:數位視頻資料驅動電路 1 1 1 :源信號線側驅動電路B 112:閘信號線側驅動電路A 1 1 3 :移位暫存器 113’ ：正反器電路 114:緩衝器電路
1 1 5 :閘信號線側驅動電路B 11Θ:圖素矩陣電路 2 0 1 :词步計數器 、 2 0 2 : D正反器 301，302，303，304:反相器 3 0 5 :反及電路 ,306，307，308，309，310，501 ，502，503 *504:反相器 5 0 5 :反及電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -1U - <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂1 ο 45926 7 a? B7
經濟部智慧財產局貝工消费合作社印S 五、發明說明（8) 506，507，5 0 8:反相器 較佳實施例之詳細敘述： 依據以下的實施例，以下將詳細敘述依據本發明之半. 導體顯示裝置及半導體顯示裝置之驅動電路。然而，以下 的實施例只是本發明的某些賓施例，依據本發明之半導體 裝置及半導體顯示裝置之驅動電路並不只限於此。 〔實施例1〕 在此實施例中，作爲使用本發明之半導體顯示裝置的 驅動電路之例子，將敘述一主動矩陣型式液晶顯示裝置， 其中圖素之數目在水平與垂直爲1920x1080。 參見圖1，圖1是此實施例的主動矩陣型式液晶顯示 裝置之主要部份的方塊圖。此實施例的主動矩陣型式液晶 顯示裝置包括一源信號線側驅動電路A 1 Ο 1，一源信號 線側驅動電路B 1 1 1，一閘信號線側驅動電路A 1 1 2 ，一閘信號線側驅動電路B 1 1 5，一圖素矩陣電路 1 1 6及一數位視頻資料驅動電路1 1 0。 源信號線側驅動電路A 1 0 1包括一移位暫存器電路 1、02，一緩衝器電路103，一閂鎖電路（1) 104 \ ，一閂鎖電路（2) 105，一選定電路（1) 106， —位準移位電路10 7，一 D/A轉換電路1 〇 8，及一 選定電路（2) 109。源信號線側驅動電路A101供 給一圖像信號（階度電壓信號）至奇數的源信號線。 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，'裝 • / I n ----訂i — 本紙張尺度辑用中國國家標準iCNS>A4規格（210 X 297公笼） 45926 7_ζ 五、發明說明（9 ) (精先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下將敘述源信號線側驅動電路A1〇1之操作。一 啓動脈衝及一時鐘信號被輸入至移位暫存器電路1 0 2。 根據啓動脈衝及時鐘信號，移位暫存器電路1 0 2依序地、 將一時間信號供給至緩衝器電路1 0 3。雖然將敘述於後 ，移位暫存器電路1 0 2是由許多反相器構成。 .來自移位暫存器電路1 0 2之時間信號被緩衝器電路 1 0 3緩衝。許多電路或零件被連接於連接至圖素矩陣電 路1 1 6的源信號線與移位暫存器電路1 0 2之間，所以 負載容量很大。欲避免由於負載容量很大所產生的時間信 號之"鈍化”，提供緩衝器電路1 〇 3。 被緩衝器電路1 0 3緩衝的時間信號被供給至閂鎖電 路（1) 10 4。閂鎖電路（1)104包括各處理4位 元資料的9 6 0個閂鎖電路。當時間信號被輸入於閂鎖電 路（1) 104中，從數位視頻資料驅動電路110供給 的數位信號被依序地取出並被閂鎖電路保留。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 至數位信號寫入閂鎖電路（1 ) 1 0 4的全部閂鎖電 路結束的時間稱爲‘‘單線周期”。亦即，單線周期爲一時 間間隔，從閂鎖電路（1 ) 1 〇 4的最左邊閂鎖電路開始 寫入來自數位視頻資料驅動電路之數位視頻資料的時間點 ，、至最右邊的閂鎖電路（1 )結束數位視頻資料的寫入之 時間點。· 在問鎖電路（1 )結束數位視頻資料的寫入之後，當 一閂鎖脈衝流經連接至閂鎖電路（2 ) 1 0 5的閂鎖脈衝 線時，與移位暫存器電路1 〇 2的操作時間同步，寫入於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -1Z-
.459267 M __B7___ 五、發明說明（10 ) 閂鎖電路（1)1 04中的數位信號同時被傳送至閂鎖電 路（2 ) 1 0 5並被寫入。 在完成將數位視頻資料傳送至閂鎖電路（2 ) 1 0 5 的閂鎖電路（1 ) 1 0 4中，藉著來自移位暫存器電路 1 0 2的時間信號，再度依序地執行從數位視頻資料驅動 電路供給的數位視頻資料之寫入。 於此第二單線周期期間，與第二單線周期之開始同步 被傳送至閂鎖電路（2 )的數位視頻資料，被選定電路（ 1)106依序地選定。選定電路之細節揭示於本案受讓 人之1 9 9 7年十月一日所申請的日本專利第He.i 9 —2 8 6 0 9 8號中，其可作爲參考》包括說明書、申請 專利範圍、圖彤與節要之日本專利第He i 9 — 2 8 6 0 9 8號的整體揭示在這裡作爲參考。 四位元數位視頻資料從選定電路所選定的閂鎖電路被 供給至位準移位電路1 0 7。由位準移位電路1 0 7來升 高數位視頻資料之電壓位準，且資料被供給至D/A轉換 電路1 0 8。可參考揭示本案受讓人於1 9 9 7年十一月 27曰所申請的日本專利第He i 9 — 344351號 及1997年十二.月19日所申請的日本專利第He i 9、一 3 6 5 0 5 4號所揭示的D/A轉換電路之細節。在 \ 這裡係整體地參考包括說明書、申請專利範圍、圖形與節 要的上述日本專利申請案。 D/A轉換電路1 0 8將四位元的數位視頻資料轉換 成一類比信號（階度電壓），其依序地被供給至由選定電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公« ) (诗先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 !1 訂 *1! 經濟部智慧財產局具工消f合作社印製 -To 五、發明說明（11) 路（2 ) 1 0 9所選定的源信號線。供給至源信號線之類 比信號被供給至連接到源信號線之圖素矩陣電路1 1 6的 圖素TFT之源區。 在閘信號線側驅動電路A 1 1 2中，來自移位暫存器. 1 1 3之時間信號被供給至一緩衝器電路1 1 4，且被供 給至一對應的閘信號線（掃描線）》—線的圖素TFT之 閘電極被連接至閘信號線，且一線之全部圖素T F T必須 同時被打開，所以使用具有大的電流容量之緩衝器電路 114。 以此方式，藉著來自閘信號線側移位暫存器之掃描信 號，而執行對應的T F T之開關，且來自源信號線側驅動 電路之類比信號（階度電壓）被供給至圖素T F T，使得 驅動液晶分子。 參考數字1 1 1代表源信號線側驅動電路B，且其構 造是與源信號線側驅動電路A 1 0 1相同。源信號線側驅 動電路B 1 1 1將一圖像信號供給至偶數的源信號線。 參考數字1 1 0代表數位視頻資料驅動電路。數位視 頻資料驅動電路1 1 0是一電路，用於減小從外側輸入的 數位視頻資料之頻率，約1 /m的比例。藉著分割數位視 頻資料，驅動電路之操作所需的信號之頻率亦可被減小爲 約 1 / m。 這裡，主要參見圖2，將敘述此實施例之數位視頻資 料驅動電路1 1 0。附帶一提，由本案受讓人於1 9 9 7 年十二月8日所申請的日本專利第He i 9 — 本紙張尺度，適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公S ) ('if先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
· I ! I I 訂· I I ---- 經濟部智慧財產局異工消费合作社印製 A7 B7 4-5926 7 五、發明說明（12 ) t 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 % 本 頁 3 5 6 2 3 8號，揭示數位視頻資料驅動電路被集積地形 成在相同基體上作爲圖素矩陣電路及其它的驅動電路。上 述專利揭示數位視頻資料驅動電路之操作的細節，可被參 考以瞭解此實施例之數位視頻資料驅動電路的操作。包括 說明書、申請專利範圍、圖形與節要之日本專利第H e i 9 一 3 5 6 2 3 8號的整個揭示在這作爲參考^ 在圖2中，參考數字2 0 1代表一同步計數器，且輸 入一時鐘信號（c k)及一重置脈衝（重置）。在此實施 例中，從外側供給的8 ΟΜΗ z之數位視頻資料被分成8 段，所以產生1 ΟΜΗζ的數位視頻資料。於是，十六個 D正反器2 0 2被連接成如圖2所示。由數位視頻資料驅 動電路110所產生的1ΟΜΗζ之數位視頻資料被供給 至閂鎖電路（1 ) 1 0 4，如上所述。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 再度參見圖1，將敘述閘信號線側驅動電路之操作。 參考數字1 1 2代表閘信號線側驅動電路Α。閘信號線側 驅動電路A 1 1 2包括移位暫存器電路1 1 3及緩衝器電 路1 1 4。移位暫存器電路1 1 3將一時間信號供給至緩 衝器電路1 1 4。緩衝器電路1 1 4緩衝來自移位暫存器 電路1 1 3之時間信號，並將它供給至閘信號線（掃描線 參考數字1 1 5代表閘信號線側驅動電路B，且具有 與閘信號線側驅動電路A 1 1 2相同的構造。在此實施例 中，以此方式將閘信號線側驅動電路設在圖素矩陣電路 1 .1 6的兩側，且操作此兩個閘信號線側驅動電路，使得 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱） A7 B7 45926 7 五、發明說明（13 ) 此實施例即使在其中一個沒有操作之情形亦能操作。 圖素矩陣電路1 1 6具有此一構造，圖素TFT擺設 成矩陣，在水平與垂直上的數目爲1 9 2 Ο X 1 0 8 0。 一銀幕（一圖框）是藉著以掃描線之數目來重覆前述. 操作而形成。在此實施例的主動矩陣型式液晶顯示裝置中 ，執行每秒6 0個圖框之圖像更新。 這裡，此實施例的一部份（上方部份）移位暫存器電 路1 0 2與緩衝器電路1 0 3的電路圖將表示於圖3中。 圖3指出構成移位暫存器電路1 0 2之正反器（F F )電 路102’及構成緩衝器電路103的一部份緩衝器電路 10 3'。 在此實施例中，由240個正反器電路1021來構 成移位暫存器電路1 0 2。正反器電路1 0 2’包括反相 器30 1至304 »參考字元ck代表一時鐘信號。參考 字元L R代表一掃描方向改變信號。當信號L R爲高時， 一啓始脈衝（S Ρ )被供給至移位暫存器電路1 0 2的最 左邊正反器電路102’ ，且正反器電路102’從左至 右轉移信號。當信號LR爲低時，一啓始脈衝（S.P )被 供給至最右邊正反器電路（未示），且正反器電路 1、0 2 ’從右至左轉移信號。 以下將說明信號L R爲高時之情形作爲例子’亦即從 左萆右操作移位暫存器電路1 0 2之正反器電路。 —啓動脈衝（S Ρ )被輸入反相器3 0 1中。當啓動 脈衝被輸入反相器3 0 1中時，反相器3 0 1與時鐘信號 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I-------------裝 -----—訂- ------ (骑先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 45926 7 A7 B7___ 五、發明說明（14) (错先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (c k)及反相時鐘信號（反相c k)同步地操作，且輸 出輸入信號之反相信號》由於信號LR (高）被輸入於反 相器3 0 2中*反相器3 0 2接收來自反相器3 0 1之信 號，並輸出其反相信號》反相器3 0 4接收來自反相器 302之信號，並輸出其反相信號。由於信號LR (高） 被輸入於反相器3 0 3中，它不會操作。以此方式，正反 器電路102’將一時間信號輸出至NAND電路305 〇 來自移位暫存器電路102(正反器電路102’ ) 之時間信號通過NAND電路3 0 5，並被輸入至一部份 的緩衝器電路10 3’ 。在此實施例中，一部份的緩衝器 電路1 0 3 ’包括五，個反相器306至3 10。雖然在此 實施例中一部份的緩衝器電路103’包括五個反相器， 在本發明中反相器的數目並不限於此，但可包括小於五或 大於五之數目的反相器。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 此五個反相器3 0 6至3 1 0分別由具有不同尺寸（ 通道寬度）的TFT構成。在此實施例中，由各具有30 之通道寬度的TFT構成反相器3 0 6，3 0 7與 308。由各具有100#m之通道寬度的TFT構成反 相、器3 0 9與3 1 0 *對於構成這些反相器之TFT的尺 寸，可經由模擬而使用最佳尺寸*此外，可依據半導體顯 示裝置之圖素數目等等來決定T F T之最佳尺寸。 這裡，將使用反相器3 0 7作爲例子來說明。圖4是 反相器3 0 7的電路圖。反相器3 0 7是由六個P通道 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) · If · ! 45926 7 A7 B7 五、發明說明（15) TFT及六個N通道TFT所構成。各TFT之通道寬度 爲3 0 。附帶一提，這些TFT之通道寬度被做成 I 0 0 //m或更小（最好是9 0 或更小）是合適的。 如圖4所示，反相器3 0 7具有一構造，兩個反相器 電路彼.此並聯地連接，各反相器電路是由兩個電路構成， 其中一個電路三個Ρ通道TFT彼此串聯地連接（在電路 中使用三閘TFT)，另一個電路三個N通道TFT彼此 串聯地連接（在電路中使用三閘TFT)。與此類似，當 組合各具有小的通道寬度（此實施例中爲3 0 #m)之許 多線的T F T時，與由各具有大的通道寬度之T F T所構 成的反相器之情形相比，可消除TF T中的起伏。此外， 可避免由於大的通道寬度所引起的熱產生及變差。 接著，將參見圖5。圖5是一電路圖*指出此實施例 之閘信號線側驅動電路A 1 1 2的緩衝器電路1 1 4及一 部份（上方部份）的移位暫存器電路1 1 3，且指出構成 移位暫存器電路1 1 3的正反器電路1 1, 3’及構成緩衝 器電路114的一部份緩衝器電路114’ 。 在此實施例中，移位暫存器電路1 1 3是由1080 個正反器電路11. 3’所構成。正反器電路11 3’包括 反、相器50 1至504。參考字元ck代表一時鐘信號》 參考字元L R代表一掃描方向改變信號，且當信號L R爲 高時，一啓動脈衝（S P )被供給至移位暫存器電路 II 3之最左邊的正反器電路11 3’ .，且當信號LR爲 低時，一啓動脈衝（S P )被供給至最右邊的正反器電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 * 297公爱> (诗先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) N 裝--------訂--------.AUI. 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 459267 A7 B7 五、發明說明（16 ) (未示）β (骑先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S於移位暫存器電路113的操作是與源信號線側驅 動電路之移位暫存器電路102相同，所以省略其說明。’ 籴自移位暫存器電路1. 1 3 (正反器電路1 1 3’ ） 之時間信號通過NAND電路5 0 5，且被供給至一部份 的緩衝器電路114，。此部份的緩衝器電路114’包 括三個反相器5 0 6至5 0 8。在此實施例中，雖然一部 份的緩器電路114·包括三個反相器，在本發明中反 相器的數目並不限於此，亦可包括數目小於三或大於三之 反相器。 此三個反相器5 0 6至5 0 8是由各具有9 0 的 通道寬，度之T FT構成f對於構成這些反相器的T F T之 尺寸，可經由模擬而選定最佳尺寸》此外，可依據半導體 顯示裝置之圖素數目等等來決定TF T之最隹尺寸》 圖6是反相器5 0 8的電路圖。反相器5 0 8是由八 個P通道TFT及八個N通道TFT構成•各TFT之通 道寬度爲9 0 。這些TF T之通道寬度被做成1 〇 0 或更小（最好是9 0 或更小）是合適的。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 如圖6所示，.兩個電路彼此並聯地連接’各電路是由 兩個P通道TFT彼此串聯地連接而構成（實際上使用雙 、 閘丁FT)。此外’兩個電路彼此並聯地連接’各電路是 由兩個N通道T F T彼此串聯地連接而構成（實際上使用 雙間TFT)。反相器5 0 8是由這些電路構成β與此類 似，當組合各具有小的通道寬度之許多線的T F 丁時，與 -iy - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公^ ) 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 d 5926 7 · a? __ __ B7____ 五、發明說明（17) 由各具有大的通道寬度之T F T所構成的反相器之情形相 比，可消除TFT中的起伏，並確保電流容量。此外，可 避免由於大的通道寬度所引起的熱產生及變差。 圖7爲圖4所示的反相器3 0 7之電路圖。在圖7中 ，參考數字7 0 1與7 0 2代表加入Ν型雜質的半導體活 性層。參考數字7 0 3與7 0 4代表加入Ρ型雜質的半導 體活性層》參考數字7 0 5代表一閘電極電線，且在此實 施例中使用包括2重量百分比的Sc (銃）之A 1 (鋁） 。參考數字7 0 8至7 1 1代表第二電線且在此實施例 中使用鋁。參考數字7 1 2代表存在於與閘電極電線相同 層中的電線。典型地由7 1 3所代表的虛線部份爲閘電極 被連接至第二電線的部份，或半導體活性層被連接至第二 電線的部份* 參考數字706代表GND，707代表VddH ( 電源），712代表OUT (輸出），且714代表IN (輸入）。 圖形中，假設具有相同圖案的電線存在於相同的電線 層中。由圖形中之虛線所表示的部份指出由上電線所隱藏 的下方電線之形狀。 、 在圖7所示的反相器307中，雖然在相同的半導體 層上形成三個P通道TFT及三個N通道TFT，亦可以 採用一構造，三個獨立的P通道TF T與三個獨立的N通 道T F T形成在獨立的半導體層上，且被金屬電線或經由 接點而彼此連接。然而，由於反相器3 0 7的面積可被做 本紙張尺度译用中國國家標準（CNS)A4規格<210 297公釐） — —裝 - ------訂·---1 {锖先閱讀背面之注意事項再填莴本頁) d5926 7 五、發明說明（18) 得更小，此實施例的構造是較佳的》 接著，將參見圖8。圖8爲圖6所示的反相器5 0 8 之電路圖案。圖8中，除了反相器5 0 8外，總共指出四 個反相器。 在圖8中，參考數字8 0 1至8 0 8代表加入P型雜 質的半導體活性層》參考數字8 0 9至8 1 6代表加入N 型雜質的半導體活性層。參考數字81 7至8 2 4代表閘 電極電線，且在此實施例中使用包括2重量百分比的S c (銃）之A 1 (鋁）。參考數字8 2 5至8 2 8代表存在 於與閘電極電線相同層中的電線。參考數字8 2 9至 8 3 5代表第二電線，且在此i施例中使用鋁。典型地由 8 3 6所代表的虛線部份爲閘電極被連接至第二電線的部 份，或半導體活性層被連接至第二電線的部份。 參考數字829代表VddH(高壓電源），832 代表GND，且833代表VddL (低壓電源）。附帶 一提，各參考字元I N1至I N4代表輸入，且各 OUT1至OUT4代表輸出》 圖形中，具有相同圖案的電線是由相同的材料製成， 且存在於相同的電線層中。由圖形中之虛線所表示的部份 指出由上電線所隱藏的下方電線之形狀》 這裡，將敘述包括此實施例之驅動電路的主動矩陣型 式液晶顯示裝置之製造方法•附帶一提，以下所敘述的製 造方法是一種實現本發明之製造方法，藉由其它的製造方 法亦可以實現本發明之主動矩陣型式液晶顯示裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ί'ΐί先閱讀背面之注意事項再填莴本頁} ''裝-----—訂 —----^lw_. 經濟部嘴慧財產局貝工消f合作社印製 45926 7 A7 45926 7 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 B7 五、發明說明（19 ) 這裡，參見圖9至1 2將敘述一例子，其中許多 T F T形成在一具有絕緣表面之基體上，且單石地形成圖 素矩陣電路、驅動電路、邏輯電路等等。在此實施例中， 將指出一狀態，其中同時形成圖素矩陣電路的一圖素承 CMO S電路作爲其它電路（驅動電路、邏輯電路等等） 的基本電路。在此實施例中，雖然將敘述對於各Ρ通道 TFT與Ν通道TFT各包括一閘極之情形的製造步驟， 以相同的方式亦可以製造各具有許多閘電極例如雙閘型或 三閘型TFT之TFT的CMOS電路。 以下將參見圖9 A至9 D。首先，製備一石英基體作 爲具有絕緣表面之.基體。不使用石英基體，亦可使用其上 形成熱氧化膜之矽基體。此外，可採用一方法，非晶矽被 暫時地形成在一石英基體上，且膜被完全熱氧化以形成一 絕緣膜。此外，亦可使用一石英基體或一陶瓷基體，各具 有作爲絕緣膜之矽氮化物膜。 非晶矽膜9 0 2藉由低壓CVD方法、電漿CVD方 法或濺射方法而形成在基體9 0 1上。做成調整使得非晶 矽膜9 0 2的最終厚度（考慮熱氧化後的膜減小之後所決 定的膜厚度）成爲10至lOOnm(最好是30至60 nm)。在膜形成中，整體地管理膜中之雜質濃度是重要 的。 .在此實施例中，雖然在基體901上形成非晶矽膜. 9 0 2，亦可使用非晶矽膜以外的另—半導體薄膜。例如 ，亦可以使用矽與鍺的化合物S ixGei-* (〇<χ<1 本纸張尺度適用中囷國家標準（CNS>A4規格（210 χ 297公釐） -——I —II I Λ) - I I I I II I ^ !1 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁> ------ 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 45926 7 A7 -—__ B7 五、發明說明（20) )0 在此實施例的例子中，做成管理使得各c (碳）與N C氮）之濃度成爲小於5 X 1 〇18原子/cm3 (典型地 爲5 X 1 017原子/cm3或更小，最好是2x 1 〇17原 子/ c m 3或更小）’ c (碳）與N (氮）爲阻止非晶矽膜 9 0 2結晶之雜質’ 0 (氧.）之濃度成爲1 . 5 X 1 01β 原子/cm3 (典型地爲1 X 1 〇ls原子/cm3或更小， 最好是5 X 1 0 17原子/c m3或更小）。這是因爲如果 其中一個雜質的濃度超過上述値，雜質對於隨後的結晶會 有很壞的影響。在本說明書中，膜中之雜質元素的前述濃 度被界定爲S I MS (次離子質量分析）之測量結果。 欲得到上述構造，最好週期地執行使用於此實施例中 的低壓熱C V D爐之乾淸潔，使得淸潔膜成長室。藉著將 100至300 s c cm之C 1 F3 (氟化氯）氣體流入加 熱至約2 0 0〜4 0 0°C之爐，且藉著使用熱解所產生的 氟，而執行膜成長室之乾淸潔是恰當的。 據發明人所知，在爐中之溫度爲3 0 0 °C且C 1 F3 ( 氟化氯）氣體之流速爲3 0 0 s c cm之情形中，可在四 小時內完全移除厚度約2 之外皮（包含矽作爲其主要 成分）。 \ 非晶矽膜9 0 2中之氫的濃度亦爲一重要的參數，氫 含量越低，則得到越佳的結晶。於是，最好藉由低壓 CVD方法來形成非晶矽膜9 0 2。如果膜形成條件被最 佳化，亦可使用電漿C V D方法。 衣紙張尺度.適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — ——-----11— ^- — — — — 1 — I —^)wl (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 d5926 7 五、發明說明（21 ) 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 % 本 頁 加入雜質元素（族1 3中的元素典型地爲硼，或族 1 5中的元素典型地爲磷）以控制在非晶矽膜9 0 2之膜 形成的TFT之臨界電壓（Vth)是有效的。需要決定在 .沒有加入用於控制Vth的上述雜質之情形中有鑑於V 11(所 加入的.量。 .接著，結晶非晶矽膜902。使用揭示於在1995 年五月1 9曰公告（申請於1 9 9 3年十月2 9日）之日 本專利未審査公告第He i 7 — 130652之技術作 爲結晶之手段。雖然可使用在此公告中之實施例1與實施 例2的兩種方式|最好使用公告之實施例2中所提出的技 術內容（揭示於在1 9 9 6年三月2 2日公告且申請於 1994年九月5日之日本專利未審査公告第He i 8 一78329)。在這裡參考包括說明書、申請專利範圔 、圖形與節要之日本專利未審査公告第He i 7 — 130652號與第He i 8-78329號所揭示的 整體內容。 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 依據日本專利未審査公告第He i 8 - 7 8 3 2 9 號所揭示之技術，首先形成一罩絕緣膜9 0 3，用於選定 製造非晶矽的結晶之元素的加入區域》罩絕緣膜9 0 3具 有許多開口，用於加入製造非晶矽膜之結晶的元素。藉著 ' 開口的位置可決定結晶區域的位置。 包括鎳（N i )作爲製造非晶矽之結晶的元素之溶液 藉著旋轉塗覆方法被塗覆，以形成含鎳層9 0 4。可使用 鎳以外的鈷（Co)、鐵（Fe)、鈀（P d)、鍺（ - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5 6926 7 a? B7 五、發明說明（22 )
Ge)、鉑（Pt)、銅（Cu)、金（Au)等等作爲 元素- 亦可使用利用光阻罩之離子植入方法或電漿摻雜方法 ，作爲加入用於製造非晶矽之結晶的元素之前述步驟。在 此情形中，由於容易減小加入區域的佔據面積及容易控制 側向成長區域之成長距離，當形成微小電路時此方法是有 效的技術。 接著，在結束加入元素的步驟之後，在5 0 0 t執行 脫氫作用2小時，然後在惰性氣體氣氛、氫氣氛、或氧氣 氛中於500至700 t (典型地爲550至650 °C， 最好爲5 7 0 °C)的溫度下執行加熱處理4至2 4小時， 以結晶非晶矽。在此實施例中，於氮氣氛中在5 7 0°C下 執行加熱處理1 4小時。 在此時，首先從加入鎳的區域9 0 5與9 0 6中所產 生的原子核進行非晶矽9 0 2的結晶’且形成幾乎與基體 9 0 1的表面平行地成長的結晶區9 0 7與9 0 8。結晶 區9 0 7與9 0 8分別稱爲側向成長區。由於在側向成長 區中的各別結晶係集合成非常均勻的狀態，側向成長區具 有總結晶度較佳的優點（圖9 B )。 、附帶一提，即使是在使用上述日本專利未審査公告第
V
He i 7 - 1 30652之實施例1所提出的技術之情 形中，單石地形成一可稱爲側向成長區之區域。然而’由 於原子核的產生在表面上是不規則的’很難控制結晶晶粒 邊界。 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公；t ) 1 閲 讀 背 項 再 填 寫 本 頁 經濟部智慧財產局霣工消费合作社印製 45926 7 A7 _ B7 五、發明說明（23> 在結束結晶之加熱處理之後，罩絕緣膜9 0 3被移除 ，且執行做成圖案，使得形成由側向成長區9 0 7與 908做成的島狀半導體層（活性層）909、9 10與 9 1 1 (圖 9 C )。 這裡，參考數字9 0 9代表構成CMO S電路的N通 道TFT之活性層，9 10代表構成CMOS電路的P通 道TFT之活性層，且9 1 1代表構成圖素矩陣電路的N 通道TFT (圖素TFT)之活性層》 在形成活性層909、9 10與9 1 1之後*在其上 形成由包括矽之絕緣膜做成的閘絕緣膜（圖9 C)。 接著，如圖9 D所示，對於用於製造非晶矽膜之結晶 的元素執行一加熱處理（吸氣處理），以移除或減少用於 製造非晶矽膜（鎳）的結晶之元素。在此實施例中，鹵素 包含於處理氣氛中，且使用對於金屬元素有吸氣作用的鹵 素。 欲充分地得到鹵素之吸氣作用，最好在超過7 0 0 °C 的溫度下執行上述加熱處理。如果溫度不高於7 0 0 °C， 則很難分解處理氣氛中的氫化合物，所以恐性無法得到吸 氣效果。 、於是，在此實施例中，在超過700 eC，最好是 、 800至1000 °C (典型地爲950 °C)下執行加熱處 理，且處理時間爲0 . 1至6小時，典型地爲0 · 5至1 小時。 在此實施例中，指出一例子，其中在包括0 . 5至 本紙張尺度，適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐\ <請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) - — — — — In · _ — — — — — — · 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 气5926 7 五、發明說明（24 > 1 . 0體積百分比的氯化氫（HC 1 )之氧氣氛中於 95 0 °C下執行加熱處理3 0分鐘。如果HC i之濃度高 於上述濃度’在活性層9 0 9、9 1 0與9 1 1中會形成 可與膜厚度相比的粗糙度。.於是，此種高濃度裏不隹的。 雖然已敘述一例子，其中使用H C 1氣體作爲包括鹵 素的化合物，亦可使用H C i氣體以外的氣體，如選自包 含鹵素的化合物的一種或許多種之氣體，例如典型地爲 HF'NFs'HBr 'C12' C1F3'BC12'F2 與 B r 2。 在此步驟中，可想到移除鎳，其方式使得活性層 909、9 10與9 1 1中的鎳因氯的作用而被吸收，且 轉換成揮發性的氯化鎳而釋放至空氣中。藉由此步驟，活 性層909、9 10與9 1 1中的鎳濃度被降低至 5Χ1017原子/cm3或更小。 附帶一提，5X101 7原子/cm3之値是S IMS (次離子質量分析）所偵測的最低下限。由發明人實驗所 得分析TFT之結果，當濃度不高於1 X 1 018原子/ cm3(最好爲5X1017原子/cm3或更小），無法確 定鎳對於TF T特性之影響。然而，在本說明書中雜質的 濃度被界定爲S IMS (次離子質量分析）之測量結果的 \ 最小値β 藉著上述加熱處理’熱氧化反應在閘絕緣膜9 1 2與 活性層9 0 9、9 1 0及9 1 1之間的介面進行’使得阐 絕緣膜9 1 2的厚度減小熱氧化膜的厚度。當以此方式形 本紙張尺度適用中园國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蜚） 、請 先 閲 讀 背 面 之 注 項 再 填 本 頁 經濟部智慧財產局WKX消费合作社印製 A7 B7 Λ59267 五、發明說明（25 ) 成熱氧化膜時，可得到半導體/絕緣膜的介面，以避免在 活性層尾端的熱氧化膜之不良成形（邊緣薄化）。 在罩絕緣9 0 3被移除之後及在活性層被做成圖案之 前，可執行製造非晶矽膜之結晶的元素之吸氣處理。而且 在活性層被做成圖案之後，可執行用於製造非晶矽之元素 的吸氣處理。此外•可結合任何吸氣處理= 附帶一提*亦可藉使用P (磷）而執行用於製造非晶 矽之元素的吸氣處理。此外，可結合任何吸氣處理。磷之 吸氣處理亦可結合前述吸氣處理*可只使用磷之吸氣處理 此外，在上述鹵素氣氛中執行加熱處理之後，在氮氛 氛中於9 5 0 °C.下的加熱處理亦可有效地改善閘絕緣膜 9 1 2之膜品質。 附帶一提，由S IMS分析亦確定使用於吸氣處理的 豳素具有1 X 1 〇15至1 X 1 〇2°原子/ cm3之濃度， 餘留於活性層909、9 10與911中。此外*由 S I MS亦可確定在此時具有高濃度之鹵素分布於加熱處 理所形成的熱氧化膜與活性層9 0 9、9 1 0及9 1 1之 間。. 、 對於其它元素之SIMS分析的結果，確定作爲典型 、 的雜質之C (碳）、N (氮）、0(氧）與S (硫）之濃 度小於5X1018原子/cm3 (典型地爲1X1018原 子/ c m 3或更小）。 所得到的活性層之側向成長區具有平坦桿狀結晶或桿 '請 先 閱 讀 背 面 注
項 填.) «裝 頁 I 訂 經濟部智慧財產局具工消t合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -κο- 459267 ： 五、發明說明（26) 狀的集合體所做成的獨特結晶構造。此獨特的結晶構造之 特徵將敘述於後。 接著，將參見圖1 0A至10D β首先，形成包括鋁 作爲其主要成分之未示金屬膜，且藉著做成圖案而形成隨 後的閘電極之原形9 1 3、9 1 4與9 1 5。在此實施例 中，使用包括2重量百分比的銃之鋁膜（圖l〇A) » 附帶一提，對於閘電極亦可使用加入雜質的多晶矽膜 ，而不使用包括2重量百分比的鋁膜。 接著，藉著掲示於在1 9 9 5年五月2 3日公告（申 請於1 9 9 3年十一月5日）之日本專利未審査公告第 He i 7 — 135318之技術，形成多孔陽極氧化膜 916、917與918及無孔陽極氧化膜922、 923與924 (圖10B)。在這裡參考包括說明書、 申請專利範圍、圖形與節要之曰本專利未審査公告第 Hei 7 — 135318號所揭示的整體內容。 在以此方式得到圖1 Ο B所示的狀態之後，接著藉著 使用閘電極922、923與924及多孔陽極氧化膜 916、917與918作爲罩而蝕刻閘絕緣膜912 〇 然後移除多孔陽極氧化膜9 1 6、9 1 7與9 1 8以得到 圖、10 C所示的狀態。附帶一提，圖1 〇 C中的參考數字 、 9 2 5、9 2 6與9 2 7代表在處理之後的閘絕緣膜。 接著，執行給予導電性之雜質元素的加入步驟•對於 Ν通道型可使用Ρ(磷）或As (砷）作爲雜質•對於Ρ 通道型可使用B(硼）或Ga (鎵）。 本纸張尺度通用中國西家標準（CNS)A4規格<210 * 297公釐） -2«- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · — ！！— 訂.---— It— t^)T . 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 d 59 26 Ί A7 B7 五、發明說明（27) 在此實施例中，形成N通道TFT之雜質的各加入步 驟被分爲兩個步驟並被執行。 首先，執行形成N通道T F T之雜質的加入。在約 8 0 k V的高加速電壓執行第一雜質加入（在此實施例中 使用P (磷））以形成η —區》做成調整使得η —區中的P 離子之濃度成爲1 X 1 〇18原子/cm3至1 X 1 〇19原 子/ c m 3。 此外，在約1 0 kV的低加速電壓執行第二雜質加入 以形成η +區。由於在此時之加速電壓很低，閘絕緣膜作用 爲一罩》做成調整使得η+區中的片電阻成爲5 Ο Ο Ω或更 小（最好爲300〇或更小）。 經由上述步驟，形成構成CMO S電路之Ν通道 TFT的源區928、汲區929、低濃度雜質區930 及通道形成區9 3 1。此外，界定構成圖素TF T之N通 道TFT的源區9 3 2、汲區9 3 3、低濃度雜質區 934及通道形成區935。 在圖1 0D所示的狀態中，構成CMOS電路之P通 道T F T的活性層具有與N通道T F T的活性層相同的構 造。
,接著，如圖11A所示，提供一光阻罩936覆蓋N 、 通道TFT，且加入雜質離子以給予P型導通（在此實施 例中使用硼）。 雖然此步驟亦被分割並執行雨次，如同前述的雜質加 入步驟，由於N通道型必須被轉換成P通道型’加入濃度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） *30 (請先閱讀背面之itt事項再填寫本頁) '裝！ II 訂.！ · 短濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ 5 9 2 6 7 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（28) 爲前述P離子之加入濃度數倍的B(硼）離子。 以此方式，形成構成CMO S電路的P通道TF T之 源區937、汲區938、低濃度雜質區939及通道形 成區940(圖11A)» 在以上述方式完成活性層之後，藉著結合爐退火、雷 射退火、燈退火等等而做成雜質離子的活性化。同時’可 修理在加入步驟中所引起的活性層之損壞* 接著，形成矽氮化物膜及矽氧化物膜的疊合膜作爲中 間層絕緣膜9 4 1。接著，在中間層絕緣膜中形成接觸孔 之後，形成源極942、943與944及汲極945與 9 4 6以得到圖1 1 B所示的狀態*可使用有機樹脂膜作 爲中間層絕緣膜9 4 1。 在得·到圖1 1 B所示的狀態之後，形成由有機樹脂膜 做成且具有0.5至厚度之第一中間層絕緣膜 9 4 7。對於有機樹脂膜可使用聚亞醯胺、丙烯、聚醯胺 等等。使用有機樹脂膜之優點如下：膜形成方法簡單：膜 厚度可容易地減小；由於其相對的介電常數很低，所以可 減小寄生電容；且平坦度極佳。亦可使用上述以外的有機 樹脂膜。 、接著，在第一中間層絕緣膜9 4 7上形成具有1 0 0 nm厚度及陰影特性的膜做成黑矩陣9 4 8 »雖然在此實 施例中使用鈦膜作爲黑矩陣9 4 8，亦可使用包括黑色素 之樹脂膜。 在使用鈦膜作爲黑矩陣9 4 8的情形中，可由鈦做成 (请先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁)
-裝—---訂I
K t— n I 5, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） A7 45926 7 ____B7 _____ 五、發明說明（29 ) 驅動電路或其它周邊電路的部份電線。與黑矩陣9 4 8的 形成同時形成鈦製成的電線。 <請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 在形成黑矩陣9 4 8之後，形成由矽氧化物膜、矽氮 化物膜及有機樹脂膜的其中之一或其叠合膜製成且具有 0 . 1至0 . 3#m厚度的第二中間層絕緣膜949。在 中間層絕緣膜9 4 7及中間層絕緣膜9 4 9中形成接觸孔 ，且形成具有厚度120nm之圖素電極950。依據此 實施例之構造，在黑矩陣9 4 8與圖素電極9 5 0重疊的 區域形成輔助電容（圖1 1 C)。由於此實施例係關於一 種透射型主動矩陣液晶顯示裝置，使用I TO製成的透明 導電膜作爲形成圖素電極950的導電膜》 接著，在氫氣氛中於3 5 0°C下將整個基體加熱1至 2小時以使整個裝置氫化作用，使得膜（特別是活性層） 中之懸垂鍵（未修復鍵）被補償《經由上述步驟，可在相 同的基體上製造CMO S電路及圖素矩陣電路。 接著，參見圖2，將敘述根據經.由上述步驟製造的主 動矩陣基體來製造主動矩陣型式液晶顯示裝置。 經濟部智慧財A局B工消费合作社印製 —朝向膜9 5 1以圖1 1 C之狀態被形成在主動矩陣 基體上。在此實施例中，對於朝向膜9 5 1使用聚亞醯胺 。、接著，製備一相對的基體。相對的基體是由一玻璃基體 、 952、透明的導電膜953及朝向膜954構成。 在此實施例中，使用液晶分子被朝向成平行於基體之 聚亞醯胺膜作爲朝向膜。附帶一提，在形成朝向膜之後， 執行一摩擦處理，使得液晶分子被平行地朝向成具有一固 -dZ- 本紙張尺度，適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 4 5 9 267 A7 ___ * B7 五、發明說明（30) 定的預傾斜角度。 接著’經由上述步驟所得到的主動矩陣基體與相對基 體，經由一密封材料、間隔物等等（未示）藉著習知的單 元組件處理而彼此結合在一起。隨後，液晶材料9 5 5被 注射於雨個基體之間，且以一密封劑（未示）而被完全密 封。於是，完成如圖1 2所示的穿透型主動矩陣液晶顯示 裝置· 可使用許多已知的液晶材料例如扭轉向列液晶、聚合 物分散液晶、鐵電液晶、抗鐵電液晶、或鐵電液晶與抗鐵 電液晶的混合物作爲此例子的液晶顯示。 在此實碑例中，設計液晶面板而以TN (扭轉向列） 模式顯示。於是，設置一對的極化板（未示），使得液晶 面板被保持於正交尼科耳稜晶（crossedNicols )狀態（一 對極化板的極化軸彼此以直角正交的狀態）中的極化板之 間。 於是，瞭解在此實施例中，以正常白模式來做成顯示 ，其中液晶顯示裝置成爲電壓沒有被施加的白顯示狀態。 在此實施例中的液晶面板中，主動矩陣基體只在附著 F P C的尾端表面被暴露，且主動矩陣基體的其它三尾端 表面是與相對基體齊平》 ' 應瞭解經由上述製造方法，在此實施例的主動矩陣型 式液晶顯示裝置中，驅動電路、其它的周邊裝置及圖素可 被集積地形成在例如石英基體或玻璃基體的絕緣基體上。 圖1 3指出由前雄製造方法所製造的主動矩陣型式液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱） (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 致 —丨—I 訂·1 —丨！！ 經濟部智慧財產局I*工消费合作社印製 Λ5926 7 五、發明說明（31) 晶顯示裝置。圖1 3指出當顯示檢査圖案時之主動矩陣型 式液晶顯示裝置的外觀。 · 雖然圖13所示的主動矩陣型式液晶顯示裝置顯示一 黑與白檢査圖案，當使用三個此種主動矩陣型式液晶顯示 裝置時，可實現全彩投影型液晶顯示裝置。 這裡，將敘述經由此實施例的製造方法所得到的半導 體層之側向成長區的結晶構造之特徵》 .依據前述製造方法所形成的側向成長區具有一結晶構 造，其中許多桿狀（或平坦的桿狀）結晶被擺設成幾乎彼 此平行，且對特定方向具有規則性。此可藉由以TEM ( 傳輸電子顯微鏡）觀察而確定。 發明人藉由HR—TEM(高解析度的傳輸電子顯微 鏡）詳細觀察經由前述製造方法所得到的半導體薄膜之結 晶晶粒邊界（圖1 4 )。在本說明書中，除非有特別地指 出，結晶晶粒邊界被界定爲形成在介面的晶粒邊界，不同 的桿狀結晶彼此接觸。於是，結晶晶粒邊界被視爲與例如 撞擊各別的側向成長區所形成的晶粒邊界不同。 前述的HR—TEM(高解析度的傳輸電子顯微鏡） 是一種方法，其中以電子束垂直地照射樣品，且使用傳輸 電子或彈性地散布的電子之干擾而估計原子與分子之擺設 、 。藉著使用此方法，可觀察到結晶晶格之擺設的狀態作爲 晶格條紋。於是’藉著觀察結晶晶粒邊界，可以推知在結 晶晶粒邊界的原子之結合狀態。 在發明人所得到的ΤΕΜ照片（圖1 4 )中*可淸楚 <背先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · II ! I 訂·！ — - · 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇> -J4- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印裂 459267 五、發明說明（32) 地觀察到一狀態，兩個不同的結晶晶粒（桿狀結晶晶粒） 在結晶晶粒邊界彼此接觸。在此時，雖然在結晶軸中包含 了某些偏移，可藉由電子束繞射而確定兩個結晶晶粒幾乎、 是在{ 1 1 0 }朝向。 在如上述藉由TEM照片來觀察晶格條紋，在{ 1 1 0}平面中觀察到對應{ 1 1 1丨平面的晶格條紋。 附帶一提，對應{ 1 1 1 }平面的晶格條·紋代表一晶格條 紋，當結晶晶粒沿著晶格條紋被切割時，{ 1 1 1丨會出 現在剖面中。經由晶格條紋之間的距離可簡單地確定晶格 條紋對應至何平面。 在此時，發明人詳細觀察經由前述製造方法所得到的 半導體薄膜之T.EM照片，結果得到非常有趣的發現。在 照片所看到的兩個不同結晶晶粒中，看到對應丨1 1 1 } 平面之晶格條紋》且觀察到晶格條紋很明顯地是彼此平行 〇 此外，不管結晶晶粒邊界是否出現，不同的結晶晶粒 之晶格條紋被彼此連接以越過結晶晶粒邊界。亦即確定幾 乎所觀察到的越過結晶晶粒邊界之全部晶格條紋被線性地 連續，不論它們是不同的晶粒邊界之晶格條紋。具有任意 結晶晶粒邊界之情形亦是如此。 此一結晶構造（精確地說結晶晶粒邊界之構造）表示 兩個不同的結晶晶粒彼此接觸，在結晶晶粒邊界中具有良 好的順和度》亦即，結晶晶格被連續地彼此連接於結晶晶 粒邊界中，使得形成此一構造由結晶缺陷所引起的陷阱位 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (猜先閲讀背面之注$項再填寫本頁> ή -----訂---- 45926 7 A7 ___ B7 五、發明說明（33) 準不會容易地形成。換句話說，結晶晶格是在結晶晶粒邊 界中連續。 《部先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 在圖1 5中，爲了參考，對於習知的多晶矽膜（所謂 的高溫多晶矽膜），發明人亦執行電子束繞射與HR— T E M.觀察之分析。結果，發現在不同的結晶晶粒中晶格 條紋是隨機的，且在具有良好的順和度之結晶晶粒邊界中 幾乎不存在連續的連接。亦即，發現有許多部份在結晶晶 粒邊界中被切割，且有許多結晶缺陷。 發明人將結晶晶格以良好的順和度彼此對應之情形中 的原子之結合狀態，如同由本實施例的方法所製造的半導 體薄膜，稱爲“成對的結合”，且將此時的鍵稱爲"成對 的鍵”。相反地，發明人將晶格條紋沒有以良好的順和度 彼此對應之情形中的原子之結合狀態·，經常見於習知的多 晶矽膜中者，稱爲“未成對的結合”，且將在此時之鍵稱 爲“未成對的鍵”（或懸垂鍵）。 經濟部智慧財產局負工消f合作社印製 由於本實施例中所使用的半導體薄膜在結晶晶粒邊界 之順和度非常良好，所以前述的未順和鍵非常少。發明人 對於任意結晶晶粒邊界進行硏究的結果，.未順和鍵對總鍵 的比例爲1 0 %或更小（最好是5 %或更小，尤其特別是 3、％或更小）。亦即總鍵之9 0%或更多（最好是9 5% 、 或更多，尤其特別是9 7%或更多）是由順和鍵構成。 圖1 6 A指出依據前述步驟而形成的側向成長區之電 子束繞射之觀察結果。圖1 6 B指出用於比較所觀察之習 知的多晶矽膜（稱爲“高溫多晶矽膜”）之電子束繞射圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A7 B7 4 5926 五、發明說明（34 ) 案。 在圖1 6A與1 6 B所示的電子束繞射圖案中，電子 束的照射區域之直徑爲4 · 2 5 ，且收集夠寬的區域 之資訊*這裡所示的照片指出典型的繞射圖案作爲任意許 多部份之調査結果。 在圖1 6A的情形中，非常明顯地出現對應< 1 1〇 >入射的繞射點，且可以確定在電子束的照射區域中之幾 乎全部的結晶晶粒是在ί 1 1 0 }朝向。另一方面，在圖 1 6 Β所示的習知高溫多晶矽膜之情形中，在繞射點中無 法看到淸楚的規則性，且發現具有{ 1 1 0 }平面以外的 平面朝向之晶粒邊界被不規則地混合。 與此類似，使用於本發明中之半導體薄膜的特徵爲： 此膜表現出電子束繞射圖案，對於{ 1 1 0 }平面具有特 姝的規則性，雖然此膜爲具有結晶晶粒邊界之半導體薄膜 。當比較電子束繞射圖案時，很淸楚地看到與習知半導體 薄膜的差異。 如上所述，經由前述製造步驟所製造的半導體薄膜是 一種半導體薄膜，具有與習知半導體薄膜截然不同的結晶 構造（精確地說是結晶晶粒邊界之構造）。在1 9 9 7年 二、月24所申請的日本專利申請案第He i 9 -55633號、1997年六月6日所申請的He i 9 一 16 5 2 1 6以及1 9 9 7年七月2 3日所申請的 He i 9 — 2 1 2428中，發明人已說明對於本實施 例所使用的半導體薄膜作說明。此三件日本專利申請案包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公爱） (筇先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * I------訂------- 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 t 合 作 杜 印 製 ’ Λ5926 7 五、發明說明（35) 括說明書、申請專利範圍、圖形與節要的整體揭示在此作 爲參考。 由於如上所述本發明所使用的半導體薄膜之結晶晶粒 邊界的9 0%或以上是由順和鍵構成，它們幾乎沒有作爲 阻止載體移動之障壁的作用。亦即，可以說此實施例所使 用的半導體薄膜實質上不具有結晶晶粒邊界。 在習知半導體薄膜中*雖然結晶晶粒邊界作爲阻止載 體移動的障壁*由於此一結晶晶粒邊界實質上並不存在於 本發明所使用的半導體薄膜中，所以可實現高的載體移動 率》於是，藉著使用此實施例所使用的半導體薄膜所製造 的T F T之電子特性表現出非常良好的値。此將敘述如下 〔對於TFT之電特性的發現〕 由於此實施例中所使用的半導體薄膜可被實質地視爲 單晶（結晶晶粒邊界沒有實質地存在），使用半導體薄膜 作爲活性層之TFT表現出可與使用單晶矽的 MOSFET相比之電特性。從發明人所實驗地形成的 T F T得到以下所示之資料。 、（1 )作爲表示TFT之開關特性（開關操作的切換
X 快速性）的係數之次臨界係數，對於N通道TFT及P通 道 TFT 均小如 6 0 至 1 0 OmV / decade * (2)作爲表示TFT之操作速度的係數之場效移動 率對於N通道TFT爲大如2 0 0至6 5 0 cm2 本紙張尺度缚用中國囡家標準（CNS)A4規格（210 * 297公S > <锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝---丨！ II訂·！ t 經濟部智慧財.產局具工消t合作社印製 V 45926 7 五、發明說明（36) (請先閱讀背面之汶意事項再填寫本頁) /Vs (典型地爲250至300 cm2/Vs)，對於P 通道TFT爲100至300cm2/Vs (典型地爲 150至200cm2/Vs)。 (3 )作爲表示T F T.之驅動電壓的係數之臨界電壓. (Vth)對於N通道TFT爲小如一 〇 . 5至1 · 5v， 且對於P通道TFT爲一 1 . 5至0 . 5V。 如上所述，已確定可實現非常優良的開關特性及高速 操作特性。 附帶一提，在C G S的形成中，在結晶溫度以上的溫 度（700至1 1 00 °C)的前述退火步驟，對於降低結 晶晶粒中的缺陷扮演著非常重要的角色。此將敘述於後。 圖1 7 A爲當至前述退火步驟已結束時的結晶矽膜之 TEM照片，其被放大二十五萬倍。由箭頭所表示的鋸齒 缺陷在結晶晶粒中被確認（由於對比之差異而出現黑部份 與白部份）。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 雖然這些缺陷主要爲疊合缺陷，其中在矽結晶晶格平 面上的原子之疊合順序是彼此不同的，亦會有偏位之情形 。出現在圖1 7A，其指出具有與{ 1 1 1 }平面平行的 缺陷平面之疊合缺陷。此亦可從鋸齒缺陷被彎曲70°之 事、實來確認。
N 另一方面，如圖1 7 B所示，在本發明所使用的結晶 矽膜中。確認由疊合缺陷、偏位等等所引起的缺陷幾乎看 不到，且結晶度非常高。在整個膜表面中可看到此趨勢， 且雖然很難消除本環境中的缺陷，可以·將數目減小至大質 本‘張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210*297公笼) "- 459267 A7 _ B7 五、發明說明（37) 爲零。 亦即，在此實施例所使用的結晶矽膜中，結晶晶粒中 的缺陷被減小至一程度，可幾乎忽略缺陷，且結晶晶粒邊 界無法成爲阻止載體的移動之障壁，由於其高連續性，所 以膜可被視爲單晶或實質上爲單元。 與此類似，在圖1 7A與1 7B之照片所示的結晶矽 膜中，雖然結晶晶粒邊界均具有幾乎相等的連續性，在結 晶晶粒中的缺陷數目有大的差異。圖1 7 B所示之結晶矽 膜表現出高於圖1 7 A所示的結晶矽膜之電子特性的原因 ，主要在於缺陷數目的差異》 從以上，可瞭解用於製造非晶矽膜之結晶的元素之吸 氣處理是在C G S形成中不可或缺的步驟。發明人考慮由 此步驟所引起的現象之以下模型。 首先，在圖1 7A所示的狀態中，用於製造非晶矽膜 之元素（典型地爲鎳）在結晶晶粒中的缺陷（主要爲叠合 缺陷）被隔離。亦即，可想到有許多例如S i _ N i -S i之鍵。 然而，當藉著執行用於製造非晶矽膜的結晶之吸氣步 驟而移除存在於缺陷中的N i時，S i — N i鍵被切掉。 於是，矽的餘留鍵立即形成S i -S i鍵且變成穩定。以 \ 此方式，缺陷消失。 .當然，雖然已知藉著在高溫之熱退火會使結晶矽膜中 的缺陷消失，假設由於與鎳之鍵被切掉且製成許多未成對 的鍵，所以矽的平順地執行矽的再結合。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公蜚) r4tT= (靖先Μ讀背面之注意事項再填莴本頁》 裝！丨訂·11! 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 d 5 9 2 6 7 A7 B7 五、發明說明（38) 發明人亦考慮一種模式，其中結晶矽膜被結合至其下 層，藉著在結晶溫度以上的溫度（7 0 0至1 1 0 OeC) 之加熱處理，結晶矽膜被結合至其下層且附著性增加，所、 以缺陷消失》 所得到的結晶矽膜（圖1 7 B )具有特徵：結晶晶粒 中的缺陷之數目比只執行結晶之圖結晶矽膜（圖1 7 A ) 小很多。缺陷數目的差異造成電子自旋諧振（ESR)的 分析之旋轉密度的差異。在本環境中，本發明所使用的結 晶矽膜之旋轉密度最多爲1 X 1 018旋轉/cm3 (典型 地爲5X1 017旋轉/cm3或更小）。. 具有上述結晶構造及特徵且使用於本發明中的結晶矽 膜稱爲"連續晶粒矽：C G S ” 。 〔實施例2〕 在前面的實施例1中，已敘述本發明之數位驅動系統 驅動電路使用於主動矩陣型式液晶顯示裝置之情形。在此 情形中，作爲用於主動矩陣型式液晶顯示裝置之顯示方法 ，亦可使用利用向列液晶之T N模式、利用電場控制雙折 射之模式、液晶與高聚合物之混合層、所謂的聚合物分散 模式。 、 此外，在本發明之數位驅動系統驅動電路中’如上所 述執行圖素T F T之直線順序掃描，且圖素之數目對應將 來的ATV(先進的TV)。於是，如果驅動電路被使用 於利用具有高反應速度之液晶的主動矩陣型式液晶顯示裝 本紙張尺度逋用中园國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） (請先Μ讀背面之注t事項再填寫本頁) 裝 丨丨 II 訂---------^17,— 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7 459267 五、發明說明（39 ) 置，亦即所謂的非臨界抗鐵電液晶，可表現出更良好的特 性。 ，請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 本發明之驅動電路亦可使用於利用鐵電液晶之液晶顯 示裝置，其中以一特定朝向膜來控制鐵電液晶之朝向，且 階度顯.示被做成如同T N液晶模式。 .實施例1或2所示的本發明之驅動電路可被使用作爲 包括任何其它顯示媒體之顯示裝置的驅動電路，其中其光 特性可響應施加電壓而被調整。例如，軀動電路可被使用 作爲利用電照明元件之顯示裝置的驅動電路。 實施例1或2所示的本發明之驅動電路可被使用作爲 例如影像感測器之半導體裝置的驅動電路β在此情形中， 驅動電路亦可被應甩於一影像感測器，整體地形成影像感 測器之光接收部及在光接收部用於顯示被轉換成電子信號 之圖像的圖像顯示部份。本發明所應用的影像感測器可以 是一直線感測器或區域感測器。 〔實施例3〕 經濟部智慧財產局貝工消費合作松印製 在實施例1與2中，雖然已敘述了穿透型主動矩陣液 晶顯示裝置，不消說本發明之驅動電路亦可使用於反射型 主動矩陣液晶顯示裝置。 〔實施例4〕 實施例1之驅動電路及使用驅動電路之主動矩陣型式 半導體顯示裝置（實施例2與3)具有許多不同的應用。 -4Z- 本紙張尺度適用中國舀家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 r 1 d5926 7_b7_ 五、發明說明（40 ) 在此實施例中，將敘述包括此一半導體顯示裝置之半導體 裝置。 列出作爲此種半導體裝置：視頻照相機、靜止照相機 、投彰器、頭戴顯示器、汽車導航系統、個人電腦、可攜 式資訊終端（手提電腦、行動電話等等）。這些例子將表 示於圖1 8A至1 8F。 圖18A指出一行動電話，其是由主體1801、音 頻輸出部份1802、音頻輸入部份1803、半導體顯 示裝置1 804、操作開關1805及天線1806所構 成。 圖1 8 B指出一視頻照音機，其是由主體1 9 0 1、 半導體顯示裝置1902、音頻輸入部份1903、操作 開關1904、電池1905及影像接收部份1906所 構成。 圖18C指出一手提電腦，其是由主體2001、照 相機部份2002、影像接收部份2003、操作開關 2 0 0 4及半導體顯示裝置2 0 0 5所構成。 圖1 8D指出一頭戴顯示器，其是由主體2 1 0 1、 半導體顯示裝置2.1 0 2及帶部份2 1 0 3所構成。 、圖18E指出一後面型投影器，其是由主體2201 、 、光源2202、半導體顯示裝置2203、極化光束分 光器204、反射器2205與2206及銀幕2207 所構成。附帶一提，在後面型投影器中，最好銀幕的角度 可以改變•當依據視者可看到銀幕之位置而固定主體時。 ----— II------^ 裝.！ ！訂.！--I —^)wl . ί请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> -4^ - • 45926 7 A7 ___ B7 五、發明說明（41) 當使用三個此種半導體顯示裝置2 2 0 3 (各被做成對應 R、G，B光）*可以實現具有較高的解析度/較高的精 細度之後面型投影器》 圖1 8 F指出一前面型投影器，其是由主體2 3 0 1 、光源2302、半導體顯示裝置2303、光學系統 2 3 0 4及銀幕2 3 0 5所構成。當使用三個此種半導體 顯示裝置2^03(各被做成對應R、G、B光）’可以 實現具有較高的解析度/較高的精細度之前面型投影器° 如上所述，依據本發明，在半導體顯示裝置的驅動電 路中，當固定一緩衝器電路的電流容量時’可減小其特性 起伏》於是，可實現不會有顯示模糊（顯示不均句）之半 導體顯示裝置，且具有高的精細度/高的解析度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 裝-----I I 訂-1 I ! 經濟部智慧財·產局貝工消费合作社印製 本紙張尺度埤用中國0家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蜚）

Claims (1)

  1. 45926 7 頜 C8 D8 :、申請專利範圍 附件I a :第8 8 1 0 4 6 5 5號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 0年5月修正 1 . 一種半導體顯示裝置，包含： 一源信號線惻驅勖電路；及 一閘信號線側驅動電路1 ' 其中該閘信號線側驅動電路包括一緩衝器電路，此緩 衝器電路是以來自一移位暫存器電路的輸出線路而連接的 ，該緩衝器電路具有多個第一反相器^ 其中各個該第一反相器包含多個第二反相器， 其中各個該第二反相器包含至少一個N通道薄膜電晶 體及至少一個P通道薄膜電晶體。 2 .如申請專利範圍第1項之半導體顯示裝置，其中 該半導體顯示裝置被包括於一半導體裝置中\此半導體裝 置選自視頻照相機、靜止照相機、投影器、頭戴顯示器、 汽車導航系統、個人電腦、可攜式資訊終端及行勖電話所 構成的族群。 3 種半導體顯示裝置•包含： 一源信號線側驅動電路：及 一閘信號線側驅動電路， 其中該閘信號線側驅動電路包括一緩衝器電路，此緩 衝器電路是以來自一移位暫存器電路的輸出線路而連接的 •該緩衝器電路具有多個第一反相器， 本紙張尺度適同中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇χ 297公釐_) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 --------訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 4-5926 7 CS DS^ 六、申請專利範圍 其中各個該第一反相器包含多個第二反相器I 其中各個該第二反相器包含至少一個N通道薄膜電晶體及 至少一個P通道薄膜電晶體。 4 .如申請專利範圍第3項之半導體顯示裝置，其中 該半導體顯示裝置被包括於一半導體裝置中，此半導體裝 置選自視頻照相機、靜止照相機、投影器、頭戴顯示器、 汽車導航系統、個人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所 構成的族群。 5 . —種半導體顯示裝置，包含： 一源信號線側驅動電路；及 一閘信號線側驅動電路， 其中該源信號線側驅動電路包括一緩衝器電路，此緩 衝器電路是以來自一移位暫存器電路的輸出線路而連接的 ，該緩衝器電路具有多個第一反相器> 其中該閘信號線側驅動電路包括一緩衝器電路，此緩衝器 電路是以來自一移位暫存器電路的輸出線路而連接的1該 緩衝器電路具有多個第二反相器1 其中各個該第一及第二反相器包含多個第三反相器1 其中各個該第三反相器包含至少一個N通道薄膜電晶體及 至少一個P通道薄膜電晶體。 6 .如申請專利範園第5項之半導體顯示裝置，其中 該半導體顯示裝置被包括於一半導體裝置中|此半導體裝 置選自視頻照相機、靜止照相機、投影器、頭戴顯示器、 汽車導航系統 '個人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所 本紙張尺度適用子國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公Μ ) (請先閉筇背面之注意事項再填寫本頁) 4 J. J 裝--------tTi AS 45926 7 Bd ___D8 申請專利範園 構成的族群。 7.如申請專利範圍第1項之半導體顯示裝置，其中 該半導體裝置.具有一電致發光元件^ 8·如申請專利範圍第1項之半導體顯示裝置，其中 在該第一反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極。 9 _如申請專利範圍第3項之半導體顯示裝置，其中 該半導體裝置具有一電致發光元件。 1 ◦，如申請專利範圍第3項之半導體顯示裝置，其 中在該第二反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極 ύ 1 1 .如申請專利範圍第5項之半導體顯示裝置，其 中該半導體裝置具有一電致發光元件。 1 2 .如申請專利範圍第5項之半導體顯示裝置，其 中在該第三反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極 〇 1 3 —種顯示裝置，具有至少一個驅動電路，該驅 動電路包含： 一緩衝器電路，是以來自一移位暫存器的輸出線路而 連接，該緩衝器電路具有多個第一反相器， 其中各個該第一反相器包含多個彼此並聯的第二反相 器，且 其中各個該第二反相器包含至少一個Ν通道薄膜電晶 體及至少一個Ρ通道薄膜電晶體。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置’其中& 表紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > Α4规格（210X297公漦） ··裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 V: 經濟部智慧財產局員工消費合作社邱製 3- 厶 5 9 2 6 7 b8 C8 ____D8 ____ 六、申請專利範圍 該第二反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置1其中該 半導體裝置具有一電致發光元件。 1 6 .如申請專利範圍第1 3項之顯示裝置，其中該 顯示裝置被包括於一半導體裝置中，此半導體裝置選自視 頻照相機、靜止照相機 '投影器、頭戴顯示器、汽車導航 系統、個人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所構成的族 群。 1 7 . —種顯示裝置，具有至少一個驅動電路，該驅 動電路包含： 一緩衝器電路，是以來自一移位暫存器的輸出線路而 連接，該緩衝器電路具有多個第一反相器， 其中各個該第一反相器包含多個彼此並聯的第二反相 器，且. 其中在該第—反相器中的薄膜電晶體具有ΙΟΟμιη或更 小的通道寬度。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之顯示裝置，其中該 通道寬度是90μπι或更小。 1 9 _如申請專利範圍第1 7項之顯示裝置，其中各 個該第二反相器包含至少一個Ν通道薄膜電晶體及至少一 個Ρ通道薄膜電晶體。 20.如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其中該 半導體裝置具有一電致發光元件。 2 1 .如申請專利範圍第1 7項之顯示裝置，其中在 1紙張尺度逋用中國國家棣率（〇^>八4規格（210><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -6. Jk 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- A8 B8 C8 D8 45926 ^'中請專利範圍 該第二反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極。 2 2 _如申請專利範圍第1 7項之顯示裝置，其中該 顯示裝置被包括於一半導體裝置中，此半導體裝置選自視 頻照相機、靜止照相機、投影器、頭戴顯示器、汽車導航 系統、個人電腦、可摘式資訊終端及行動電話所構成的族 群。 2 3 —種顯示裝置，具有至少一個驅動電路，該驅 動電路包含： 〜緩衝器電路’是以來自一移位暫存器的輸出線路而 連接’該緩衝器電路具有多個第一反相器， 其中各個該第一反相器包含多個第二反相器，而第二 反相器具有多個薄膜電晶體，且 其中在一個該第一反相器中的薄膜電晶體之通道寬度 ’是不同於在另一個該第一反相器中的薄膜電晶體之通道 (請先閲讀背面之注意事，項再填寫本頁) .裝· 訂 寬度。 4 ·如申請專利範圍第2 3項之顯示裝置，其中各 / Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 個該第二反相器包含至少一個N通道薄膜電晶體及至少一 個P通道薄膜電晶體。 2 5 .如申請專利範圍第2 3項之顯示裝置，其中該 半導體裝置具有一電致發光元件。 2 6 .如申請專利範圍第2 3項之顯示裝置，其中在 該第二反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極。 2 7 .如申請專利範圍第2 3項之顯示裝置，其中該 顯示裝置被包括於一半導體裝置中，此半導體裝置選自視 MA張U逍用t國國家揉準（CNS ) ( 210X297公釐） -5- A8 B8 C8 D8 2 8 45926 7 τ、申請專利範圍 頻照相機 '靜止照相機 '投影器、頭戴顯示器、汽車導航 系統、個'人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所構成的族 群a 種顯示裝置，在一基底上具有至少一個驅動 電路及一圖素部，該驅動電路包含： 一緩衝器電路，是以來自一移位暫存器的輸出線路而 連接，該緩衝器電路具有多個第一反相器， 其中各個該第一反相器包含多個彼此並聯的第二反相 器，且 其中各個該第二反相器包含至少一個N通道薄膜電晶 體及至少一個P通道薄膜電晶體。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之顯示裝置，其中在 該第二反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極。 3 0 .如申請專利範圍第2 8項之顯示裝置，其中該 半導體裝置具有一電致發光元件。 3 1 .如申請專利範圍第2 8項之顯示裝置，其中該 顯示裝置被包括於一半導體裝置中，此半導體裝置選自視 頻照相機、靜止照相機、投影器、頭戴顯示器、汽車導航 系統、個人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所構成的族 群。 3 2 . —種顯示裝置，在一基底上具有至少一個驅動 電路_及一圖素部，該驅動電路包含： 一緩衝器電路，是以來自一移位暫存器的輸出線路而 連接，該緩衝器電路具有多個第一反相器’ --------\ 裝-----^-1訂------：w (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） 6- Α8 Β8 C8 D8 45926 π、申請專利範圍 其中各個該第一反相器包含多個第二反相器 > 且 其中在該第二反相器中的薄膜電晶體具有ΙΟΟμιη或更 小的通道寬度。 3 3 .如申請專利範圍第3 1項之顯示裝置，其中該 通道寬度是90μιη或更小。 3 4 .如申請專利範圍第3 1項之顯示裝置，其中各 個該第二反相器包含至少一個Ν通道薄膜電晶體及至少一 個Ρ通道薄膜電晶體。 3 5 .如申請專利範圍第3 1項之顯示裝置，其中該 半導體裝置具有一電致發光元件。 3 6 .如申請專利範圍第3 1項之顯示裝置，其中在 該第二反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極。 3 7 ·如申請專利範圍第3 1項之顯示裝置，其中該 顯示裝置被包括於一半導體裝置中，此半導體裝置選自視 頻照相機、靜止照相機、投影器、頭戴顯示器、汽車導航 系統、個人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所構成的族 群。 3 8 · —種顯示裝置，在一基底上具有至少一個驅動 電路及一圖素部，該驅動電路包含： 一緩衝器電路，是以來自一移位暫存器的輸出線路而 連接，該緩衝器電路具有多個第一反相器， .其中各個該第一反相器包含多個第二反相器，而第二 反相器具有多個薄膜電晶體'且 其中在一個該第一反相器中的薄膜電晶體之逋道寬度 本紙張又皮適用中國國家接準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 裝」 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 f 45926 7 戠 D8 一 I, _ __— ·.- 六、申請專利範園 ’是不同於在另一個該第一反相器中的薄膜電晶體之通道 寬度。 3 9 .如申請專利範圍第3 8項之顯示裝置’其中各 個該第二反相器包含至少一個N通道薄膜電晶體及至少一 個P通道薄膜電晶體。 4 0 ·如申請專利範圍第3 8項之顯示裝置’其中該 半導體裝置具有一電致發光元件。 4 1 .如申請專利範圍第3 8項之顯示裝置，其中在 該第二反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個閘電極。 4 2 ·如申請專利範圍第3 8項之顯示裝置，其中該 顯示裝置被包括於一半導體裝置中’此半導體裝置選自視 頻照相機、靜止照相機、投影器、頭戴顯不器、汽車導航 系統、個人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所構成的族 群。 4 3 種顯示裝置，在一基底上具有至少一個驅動 電路及一圖素部，該驅動電路包含： . 一緩衝器電路，是以來自一移位暫存器的輸出線路而 .連接，該緩衝器電路具有多個第一反相器， 其中各個該第一反相器包含多個第二反相器，且 其中各個該第二反相器包含至少·一個N通道薄膜電晶 體及至少一個P通道薄膜電晶體。 4 4 如申請專利範圍第4 3項之顯示裝置，其中在 該桌一反相器中的各個該薄膜電晶體具有多個聞電極。 4 5 .如申請專利範圍第4 3項之顯示裝置，其中該 \ .裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -8 - 45926 7 AS Β8 C8 D8 ▽、申請專利範圍 .半導體裝置具有一電致發光元件。 4 6 .如申請專利範圍第4 3項之顯示裝置，其中該 顯示裝置被包括於一半導體裝置中，此半導體裝置選自視 頻照相機 '靜止照相機、投影器、頭戴顯示器、汽車導航 系統、個人電腦、可攜式資訊終端及行動電話所構成的族 群。 (請先閎讀背面之注意事頃再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -9
TW088104655A 1998-03-27 1999-03-24 Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device TW459267B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10063898 1998-03-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW459267B true TW459267B (en) 2001-10-11

Family

ID=14279380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088104655A TW459267B (en) 1998-03-27 1999-03-24 Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device

Country Status (4)

Country Link
US (7) US6549184B1 (zh)
JP (10) JPH11338439A (zh)
DE (1) DE19913920A1 (zh)
TW (1) TW459267B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825068B2 (en) 2001-11-13 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
US10332610B2 (en) 2009-01-16 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3897826B2 (ja) * 1994-08-19 2007-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
US6686623B2 (en) 1997-11-18 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and electronic apparatus
JP4090569B2 (ja) 1997-12-08 2008-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、液晶表示装置及びｅｌ表示装置
JPH11338439A (ja) * 1998-03-27 1999-12-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置
US6268842B1 (en) * 1998-04-13 2001-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor circuit and semiconductor display device using the same
JP2000012864A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US6271101B1 (en) 1998-07-29 2001-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
JP3846057B2 (ja) * 1998-09-03 2006-11-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
JP4476390B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3535067B2 (ja) 2000-03-16 2004-06-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6831299B2 (en) 2000-11-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7700295B2 (en) * 2000-12-28 2010-04-20 Mds Sciex Elemental analysis of tagged biologically active materials
JP3800401B2 (ja) * 2001-06-18 2006-07-26 株式会社日立製作所 画像表示装置及びその駆動方法
US7012597B2 (en) * 2001-08-02 2006-03-14 Seiko Epson Corporation Supply of a programming current to a pixel
EP1300826A3 (en) * 2001-10-03 2009-11-18 Nec Corporation Display device and semiconductor device
JP2003332578A (ja) 2002-05-09 2003-11-21 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置
JP4683833B2 (ja) * 2003-10-31 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 機能回路及びその設計方法
SG115733A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Thin film transistor, semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP4834853B2 (ja) * 2004-06-10 2011-12-14 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ回路、薄膜トランジスタ回路の設計方法、薄膜トランジスタ回路の設計プログラム、設計プログラム記録媒体、及び表示装置
EP1863090A1 (en) 2006-06-01 2007-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP4720654B2 (ja) * 2006-07-10 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
US8654045B2 (en) 2006-07-31 2014-02-18 Sony Corporation Display and method for manufacturing display
KR101277975B1 (ko) * 2006-09-07 2013-06-27 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 구비한 데이터 드라이버,액정표시장치
JP4976405B2 (ja) * 2006-09-26 2012-07-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
KR100882696B1 (ko) * 2006-12-21 2009-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 외광 감지센서 및 이를 이용한 액정 표시장치
JP4456129B2 (ja) 2007-01-31 2010-04-28 シャープ株式会社 半導体装置および液晶表示装置および電子機器
JP2008233536A (ja) 2007-03-20 2008-10-02 Sony Corp 表示装置
JP2009014796A (ja) 2007-06-30 2009-01-22 Sony Corp Ｅｌ表示パネル、電源線駆動装置及び電子機器
KR100998488B1 (ko) * 2008-06-25 2010-12-06 주식회사 하이닉스반도체 상이한 크기를 갖는 복수의 인버터를 포함하는 지연 회로구조
KR101623958B1 (ko) 2008-10-01 2016-05-25 삼성전자주식회사 인버터 및 그의 동작방법과 인버터를 포함하는 논리회로
TWI478356B (zh) 2008-10-31 2015-03-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TW201039307A (en) * 2009-04-24 2010-11-01 Princeton Technology Corp Liquid crystal display
JP5581261B2 (ja) * 2011-04-27 2014-08-27 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置、表示装置および電子機器
JP2013068964A (ja) * 2012-11-30 2013-04-18 Panasonic Corp Ｅｌ表示装置
JP5764185B2 (ja) * 2013-11-22 2015-08-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ Ｅｌ表示装置
CN103761952B (zh) * 2013-12-31 2016-01-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶面板的扫描驱动电路、液晶面板和一种驱动方法
CN104537995A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 栅极驱动电路以及移位寄存器
TWI563488B (en) * 2016-02-01 2016-12-21 Sitronix Technology Corp Gate driving circuit
CN205621414U (zh) * 2016-04-26 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 静电放电电路、阵列基板和显示装置
US10541375B2 (en) * 2016-07-21 2020-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI688812B (zh) * 2018-11-21 2020-03-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN110517628B (zh) * 2019-08-30 2021-03-05 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、栅极驱动电路、移位寄存电路及其驱动方法

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4178605A (en) 1978-01-30 1979-12-11 Rca Corp. Complementary MOS inverter structure
JPS5710533A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Nec Corp Logical circuit
JPS57132191A (en) * 1981-02-10 1982-08-16 Suwa Seikosha Kk Active matrix substrate
GB2081018B (en) 1980-07-31 1985-06-26 Suwa Seikosha Kk Active matrix assembly for display device
US4330363A (en) 1980-08-28 1982-05-18 Xerox Corporation Thermal gradient control for enhanced laser induced crystallization of predefined semiconductor areas
JPS58127318A (ja) 1982-01-25 1983-07-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁層上への単結晶膜形成方法
JPS58127318U (ja) 1982-02-24 1983-08-29 株式会社日立製作所 流量測定装置
JPS58176929A (ja) 1982-04-09 1983-10-17 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4466179A (en) 1982-10-19 1984-08-21 Harris Corporation Method for providing polysilicon thin films of improved uniformity
JPS59161014A (ja) 1983-03-03 1984-09-11 Seiko Instr & Electronics Ltd 半導体薄膜結晶化方法
JPS59161014U (ja) 1983-04-14 1984-10-29 宮田　磯之助 垂直検出器
JPH051893Y2 (zh) 1985-09-11 1993-01-19
JPH0628426B2 (ja) * 1986-05-20 1994-04-13 三洋電機株式会社 画像表示装置の駆動回路
JPH0628425B2 (ja) * 1986-05-20 1994-04-13 三洋電機株式会社 画像表示装置の駆動回路
CA1294075C (en) 1986-05-13 1992-01-07 Toshiaki Hayashida Driving circuit for image display apparatus
JPS62268161A (ja) 1986-05-16 1987-11-20 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ素子
JPH065752B2 (ja) * 1986-06-25 1994-01-19 株式会社東芝 電界効果トランジスタ
US4797629A (en) 1988-03-03 1989-01-10 National Semiconductor Corporation Wide range operational amplifier input stage
US4877980A (en) * 1988-03-10 1989-10-31 Advanced Micro Devices, Inc. Time variant drive circuit for high speed bus driver to limit oscillations or ringing on a bus
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
US5274279A (en) 1988-05-17 1993-12-28 Seiko Epson Corporation Thin film CMOS inverter
JPH0279091A (ja) 1988-09-16 1990-03-19 Hitachi Ltd 液晶表示パネル
JP2767858B2 (ja) 1989-02-09 1998-06-18 ソニー株式会社 液晶ディスプレイ装置
US4999529A (en) * 1989-06-30 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Programmable logic level input buffer
JPH0794744B2 (ja) 1989-08-07 1995-10-11 昭和コンクリート工業株式会社 被土圧部材に添設される発泡樹脂部材
JPH03141391A (ja) 1989-10-27 1991-06-17 Fuji Electric Co Ltd 多出力ドライバ集積回路
US5247375A (en) 1990-03-09 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Display device, manufacturing method thereof and display panel
DE69112698T2 (de) * 1990-05-07 1996-02-15 Fujitsu Ltd Anzeigeeinrichtung von höher Qualität mit aktiver Matrix.
JP2973492B2 (ja) 1990-08-22 1999-11-08 ソニー株式会社 半導体薄膜の結晶化方法
JPH04313732A (ja) * 1990-12-29 1992-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プロジェクター
JPH04282869A (ja) 1991-03-11 1992-10-07 G T C:Kk 薄膜半導体装置の製造方法及びこれを実施するための装置
JP2587546B2 (ja) 1991-03-22 1997-03-05 株式会社ジーティシー 走査回路
US5365875A (en) 1991-03-25 1994-11-22 Fuji Xerox Co., Ltd. Semiconductor element manufacturing method
JP2927051B2 (ja) 1991-06-25 1999-07-28 株式会社デンソー 熱交換器
GB9114018D0 (en) 1991-06-28 1991-08-14 Philips Electronic Associated Thin-film transistor manufacture
JPH0591447A (ja) 1991-09-25 1993-04-09 Toshiba Corp 透過形液晶表示装置
KR100269350B1 (ko) 1991-11-26 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터의제조방법
JPH0726573Y2 (ja) 1991-12-16 1995-06-14 正一 山口 シールナット
JPH05175235A (ja) 1991-12-25 1993-07-13 Sharp Corp 多結晶半導体薄膜の製造方法
US5227679A (en) 1992-01-02 1993-07-13 Advanced Micro Devices, Inc. Cmos digital-controlled delay gate
US5256916A (en) 1992-02-18 1993-10-26 National Semiconductor Corporation TTL to CMOS translating input buffer circuit with dual thresholds for high dynamic current and low static current
US5372836A (en) 1992-03-27 1994-12-13 Tokyo Electron Limited Method of forming polycrystalling silicon film in process of manufacturing LCD
GB9207527D0 (en) 1992-04-07 1992-05-20 Philips Electronics Uk Ltd Multi-standard video matrix display apparatus and its method of operation
US5250852A (en) * 1992-04-16 1993-10-05 Texas Instruments Incorporated Circuitry and method for latching a logic state
JP3240681B2 (ja) 1992-04-24 2001-12-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネルの駆動回路及びアクティブマトリクスパネル
US5627557A (en) * 1992-08-20 1997-05-06 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus
JP2697507B2 (ja) 1992-08-28 1998-01-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPH06123896A (ja) 1992-10-13 1994-05-06 Toshiba Corp 液晶表示装置
MY109592A (en) 1992-11-16 1997-03-31 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for manufacturing a liquid crystal display substrate, and apparatus and method for evaluating semiconductor crystals.
US5403762A (en) 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
US5459337A (en) * 1993-02-19 1995-10-17 Sony Corporation Semiconductor display device with red, green and blue emission
US5471225A (en) * 1993-04-28 1995-11-28 Dell Usa, L.P. Liquid crystal display with integrated frame buffer
US5594569A (en) 1993-07-22 1997-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same
US5610414A (en) 1993-07-28 1997-03-11 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US5589406A (en) 1993-07-30 1996-12-31 Ag Technology Co., Ltd. Method of making TFT display
US5477073A (en) 1993-08-20 1995-12-19 Casio Computer Co., Ltd. Thin film semiconductor device including a driver and a matrix circuit
US5566080A (en) 1993-09-07 1996-10-15 Fujitsu Limited Method and apparatus for designing semiconductor device
US5801672A (en) 1993-09-09 1998-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and its driving method
JPH0794744A (ja) 1993-09-20 1995-04-07 Hitachi Ltd Ｍｉｓトランジスタ
JP3431033B2 (ja) 1993-10-29 2003-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
US5923962A (en) 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
TW264575B (zh) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP2759415B2 (ja) 1993-11-05 1998-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW299897U (en) 1993-11-05 1997-03-01 Semiconductor Energy Lab A semiconductor integrated circuit
JPH07147411A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Sony Corp 表示素子基板用半導体装置
JP3277056B2 (ja) 1993-12-09 2002-04-22 シャープ株式会社 信号増幅回路及びこれを用いた画像表示装置
US5734366A (en) 1993-12-09 1998-03-31 Sharp Kabushiki Kaisha Signal amplifier, signal amplifier circuit, signal line drive circuit and image display device
TW255032B (zh) * 1993-12-20 1995-08-21 Sharp Kk
TW277129B (zh) 1993-12-24 1996-06-01 Sharp Kk
JPH07181927A (ja) 1993-12-24 1995-07-21 Sharp Corp 画像表示装置
JP3442449B2 (ja) 1993-12-25 2003-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその駆動回路
US5616935A (en) * 1994-02-08 1997-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit having N-channel and P-channel transistors
TW280037B (en) 1994-04-22 1996-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk Drive circuit of active matrix type display device and manufacturing method
JPH07294961A (ja) 1994-04-22 1995-11-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路および設計方法
JP3101178B2 (ja) 1994-04-22 2000-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及びその製造方法
JP3407975B2 (ja) * 1994-05-20 2003-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体集積回路
CN1136529C (zh) 1994-05-31 2004-01-28 夏普株式会社 信号放大器和图像显示装置
JPH07327185A (ja) 1994-05-31 1995-12-12 Sharp Corp サンプリング回路およびそれを用いた画像表示装置
JP3897826B2 (ja) 1994-08-19 2007-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
JP3464287B2 (ja) 1994-09-05 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3382026B2 (ja) * 1994-09-13 2003-03-04 株式会社東芝 クロック信号分配回路及びバッファ回路ならびにそれらの設計方法
JP2815311B2 (ja) 1994-09-28 1998-10-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置の駆動装置及び方法
JPH08125027A (ja) 1994-10-24 1996-05-17 Yozan:Kk Ｍｏｓインバータ回路の形成方法
EP1045446A3 (en) 1994-09-30 2000-11-15 Yozan Inc. MOS invertor having a constricted channel width
DE19540146B4 (de) 1994-10-27 2012-06-21 Nec Corp. Flüssigkristallanzeige vom aktiven Matrixtyp mit Treibern für Multimedia-Anwendungen und Ansteuerverfahren dafür
JPH08146918A (ja) 1994-11-18 1996-06-07 Sony Corp スイッチング装置及びスイッチング方法
CN1099608C (zh) 1994-11-21 2003-01-22 精工爱普生株式会社 液晶驱动装置及液晶驱动方法
JP3469337B2 (ja) 1994-12-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH08264802A (ja) 1995-03-28 1996-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体作製方法、薄膜トランジスタ作製方法および薄膜トランジスタ
US5956581A (en) 1995-04-20 1999-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP3234131B2 (ja) 1995-06-23 2001-12-04 株式会社東芝 液晶表示装置
JPH098314A (ja) * 1995-06-26 1997-01-10 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
JP3286152B2 (ja) * 1995-06-29 2002-05-27 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ回路および画像表示装置
JPH0936730A (ja) 1995-07-19 1997-02-07 Yozan:Kk インバータ回路
JP3514002B2 (ja) 1995-09-04 2004-03-31 カシオ計算機株式会社 表示駆動装置
JP3256110B2 (ja) * 1995-09-28 2002-02-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100205259B1 (ko) 1996-03-04 1999-07-01 구자홍 액티브매트릭스 액정디스플레이의 구동회로
JPH09260962A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Sharp Corp インバータ回路及び増幅器
JP3338281B2 (ja) 1996-03-19 2002-10-28 株式会社東芝 液晶表示パネル
JPH09330059A (ja) * 1996-06-13 1997-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置
CN1196832A (zh) 1996-06-28 1998-10-21 精工爱普生株式会社 薄膜晶体管及其制造方法和使用该薄膜晶体管的电路和液晶显示装置
US6429120B1 (en) 2000-01-18 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for making integrated-circuit wiring from copper, silver, gold, and other metals
US7195960B2 (en) 1996-06-28 2007-03-27 Seiko Epson Corporation Thin film transistor, manufacturing method thereof, and circuit and liquid crystal display device using the thin film transistor
JP4307574B2 (ja) 1996-09-03 2009-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置
US5945970A (en) 1996-09-06 1999-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display devices having improved screen clearing capability and methods of operating same
JP3795606B2 (ja) 1996-12-30 2006-07-12 株式会社半導体エネルギー研究所 回路およびそれを用いた液晶表示装置
JP3915194B2 (ja) 1997-10-09 2007-05-16 石川島播磨重工業株式会社 ダイクッション上昇方法及び装置
JPH11214700A (ja) 1998-01-23 1999-08-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置
JPH11338439A (ja) 1998-03-27 1999-12-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置
US6268842B1 (en) 1998-04-13 2001-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor circuit and semiconductor display device using the same
JP3844613B2 (ja) * 1998-04-28 2006-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ回路およびそれを用いた表示装置
US6831299B2 (en) * 2000-11-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JPWO2005041301A1 (ja) 2003-10-23 2007-04-26 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5042518B2 (ja) 2006-04-12 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825068B2 (en) 2001-11-13 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
TWI608468B (zh) * 2001-11-13 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及發光裝置
US10128280B2 (en) 2001-11-13 2018-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
US11037964B2 (en) 2001-11-13 2021-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
US10332610B2 (en) 2009-01-16 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US10741138B2 (en) 2009-01-16 2020-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US11151953B2 (en) 2009-01-16 2021-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US11468857B2 (en) 2009-01-16 2022-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US11735133B2 (en) 2009-01-16 2023-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
US12027133B2 (en) 2009-01-16 2024-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003308052A (ja) 2003-10-31
US8054270B2 (en) 2011-11-08
JPH11338439A (ja) 1999-12-10
US20130147691A1 (en) 2013-06-13
JP4823494B2 (ja) 2011-11-24
JP4198477B2 (ja) 2008-12-17
US20040196240A1 (en) 2004-10-07
JP2003308038A (ja) 2003-10-31
US8373631B2 (en) 2013-02-12
US9262978B2 (en) 2016-02-16
JP2012014183A (ja) 2012-01-19
JP2015146420A (ja) 2015-08-13
JP5933776B2 (ja) 2016-06-15
US20030137480A1 (en) 2003-07-24
JP2016213863A (ja) 2016-12-15
US7315296B2 (en) 2008-01-01
JP2015111726A (ja) 2015-06-18
US20140191934A1 (en) 2014-07-10
US8629823B2 (en) 2014-01-14
JP2009025822A (ja) 2009-02-05
US20120140136A1 (en) 2012-06-07
US20080122773A1 (en) 2008-05-29
JP2014002396A (ja) 2014-01-09
US6549184B1 (en) 2003-04-15
US7304625B2 (en) 2007-12-04
JP2004363625A (ja) 2004-12-24
DE19913920A1 (de) 1999-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW459267B (en) Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device
KR102252563B1 (ko) 반도체장치
TW384503B (en) Semiconductor display device correcting system and correcting method of semiconductor display device
KR100548799B1 (ko) 표시장치 및 그의 구동방법
CN104103321B (zh) 脉冲发生电路及半导体装置
TWI753988B (zh) 顯示裝置
CN102763332A (zh) 显示装置、半导体装置以及它们的驱动方法
KR100676091B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법
JP6995782B2 (ja) 表示装置およびその作製方法
JP4104754B2 (ja) Ｄ／ａ変換回路、半導体装置及び電子機器
TW406281B (en) Semiconductor device and semiconductor display device
JPH11127060A (ja) 短期間記憶回路並びに半導体装置の駆動回路及びその駆動方法
JP2009093188A (ja) 半導体表示装置
JP2010212702A (ja) 半導体表示装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent