JPH04313732A

JPH04313732A - プロジェクター

Info

Publication number: JPH04313732A
Application number: JP2418662A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Akira Mase; 晃間瀬
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1990-12-29
Filing date: 1990-12-29
Publication date: 1992-11-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、地上テレビ局または衛
星テレビ局またはケーブルテレビ局または個別に設けら
れたテレビ映像の録画装置（ビデオデッキ、レーザーデ
ィスク、光磁気ディスク等）より送られる映像信号を具
体的に表示する装置を提案する。

【０００２】

【従来の技術】従来地上テレビ局または衛星テレビ局ま
たはケーブルテレビ局または個別に設けられたテレビ映
像の録画装置（ビデオデッキ、レーザーディスク、光磁
気ディスク等）より送られる映像信号を具体的に表示す
る装置としては、ブラウン管、ＣＲＴと呼ばれる真空管
中で電子線を飛ばして、対象物となる蛍光面を発光させ
る方式が取られていた。

【０００３】当初表示体の対角は１２〜１４インチがよ
く普及していたが、近年世の中の要求によって、２０イ
ンチはおろか３０インチをゆうに超える大きさのものま
で出現するに至っている。

【０００４】対角３０インチの場合、その奥行きもほぼ
３０インチほどあり、またそれを形成するガラスの厚み
も強度を保つために１センチを超えるようになった。ま
た、他の装置として、輝度の高いブラウン管を光学系で
拡大表示してスクリーンに映し出す方式も提案され、表
示面積の大きな物に利用されている。その構成の概略を
図１に示す。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ブラウン管を利用した
テレビ受像機の場合、表示面が３０インチを越えると全
体の重量は１００ｋｇを優に越えることになった。一般
の家庭において１００ｋｇを越えた重量物を置くには、
よっぽど場所を限定しなければ難しいものがある。また
、その重量はレイアウト変更等が生じた場合に、人力で
移動させることは難しくなり、一般家庭への普及の障害
となっていた。

【０００６】そこで、重量の解決のため、プロジェクシ
ョン型のテレビ受像機が提案されているが、元になる高
輝度ブラウン管の輝度向上にも限界があり、拡大画面に
おける輝度自体は非常に低いものとなっていた。そのた
め、画面が暗いばかりではなく、光学系で拡大している
ために、正面でのコントラスト比は高いものの、斜め方
向からのコントラスト比はブラウン管方式に比べて非常
に劣っていた。しかしながら、本方式は重量の点におい
ては、ブラウン管方式の５０％程度ですむため、問題解
決の一つとなった。図１のプロジェクションテレビ１は
、ブラウン管または液晶表示装置４、チューナー４、光
学系３、反射板２、画面６よりなる。本発明は、図１の
符号４で示される部分の液晶表示装置に関するものであ
る。

【０００７】近年、ブラウン管に代わって、アモルファ
スシリコンを使った薄膜トランジスタ方式の液晶パネル
をその元となる表示体として使用した実施例がよく提案
されている。重量はブラウン管方式に比べて、３０％程
度ですむために一般家庭への普及を助ける要因の一つと
なった。しかし、ブラウン管方式に比べて、表示輝度が
まだまだ低く、光源の強度を上げる方向で検討が進めら
れているが、光源強度をあげた場合、液晶パネルの温度
上昇と光照射に伴う薄膜トランジスタのＯＦＦ時におけ
る抵抗値の低下で、満足する表示ができないのが現実で
ある。図２に従来のアクティブ配列を示す。また、説明
を簡単にするために２×２のマトリクス配列で示してい
る。複数のゲイト線Ｇ１．Ｇ２と複数のデータ線Ｄ１．
Ｄ２とを直交して配置し、そのマトリクス状の交差部に
画素表示素子を設けている。この画素表示素子は液晶部
１０２とＴＦＴ部１０１で構成されている。それぞれの
画素に対して周辺回路１０６、１０７から信号を加えて
所定の画素を選択的にオンまたはオフして表示を行う。

【０００８】しかし、実際にこれらの液晶表示装置を作
製して表示をさせた場合、ＴＦＴの出力、即ち液晶にと
っての入力（液晶電位という）の電圧ＶＬＣは、しばし
ば“１”（Ｈｉｇｈ）となるべき時に“１”（Ｈｉｇｈ
）にならず、また、逆に“０”（Ｌｏｗ）となるべき時
に“０”（Ｌｏｗ）にならない。これは、画素に信号を
加えるスィッチング素子、つまりＴＦＴ１０１の特性に
対称性がないために発生する。すなわち、画素電極への
充電の様子と放電の様子に電気特性上のかたよりがある
ためである。そして、液晶１０２はその動作において本
来絶縁性であり、また、ＴＦＴ１０１がオフの時に液晶
電位（ＶＬＣ）は浮いた状態になる。この液晶１０２は
等価的にキャパシタであるため、そこに蓄積された電荷
によりＶＬＣが決められる。この電荷は液晶がＲＬＣで
比較的小さい抵抗となったり、ゴミやイオン性不純物の
存在によりリークしたり、またＴＦＴのゲイト絶縁膜の
ピンホールによりＲＧＳが生じた場合にはそこから電荷
がもれ、ＶＬＣは中途半端な状態になってしまう。この
ため１つのパネル中に２０万〜５００万個の画素を有す
る液晶表示装置においては、高い歩留まりを成就するこ
とができないという問題があった。

【０００９】アクティブ型の液晶表示装置においては、
液晶電位を１フレームの間はたえず初期値と同じ値とし
て所定のレベルを保つことがきわめて重要である。しか
し実際は不良が多く、必ずしも成就しないのが実情であ
る。また、液晶等の駆動において、印加する信号により
、液晶に加わる電圧が＋または−の何れかに偏った場合
、電気分解等が発生して、液晶材料を分解、変性して表
示が十分に行えないことが発生するこの場合、印加する
信号を交流化して液晶材料に加わる電圧に偏りが発生し
ないようにするが、この交流化信号が非常に複雑であっ
た。

【００１０】本発明は上述のような問題を解決し、より
電流マージンを大とする、即ち応答速度を大とする。ま
た各ピクセルにおける画素の電位、即ち液晶電位ＶＬＣ
が“１”，“０”に充分安定して固定され、１フレーム
中にそのレベルがドリフトしないようにしたものである
。

【００１１】

【問題を解決するための手段】本発明は、画素に対して
ＮＴＦＴとＰＴＦＴとを相補構成として有し、前記ＰＴ
ＦＴのソース（ドレイン）部を一対の信号線のうちの第
１の信号線に接続し、前記ＮＴＦＴのソース（ドレイン
）部を一対の信号線のうちの第２の信号線に接続し、前
記ＮＴＦＴとＰＴＦＴのゲイト電極を共通に第３の信号
線に接続し、前記ＮＴＦＴおよびＰＴＦＴのドレイン（
ソース）部を画素電極と接続して設けられている、表示
装置の駆動方法であって、前記一対の第１および第２の
信号線に対して、信号波形が印加されている期間中に前
記第３の信号線に対して、信号波形を印加することによ
り、前記相補構成の薄膜トランジスタ（以下Ｃ／ＴＦＴ
という）を駆動し、画素の表示をオンまたはオフする表
示装置の駆動方法であります。

【００１２】本発明は、基板上にマトリックス構成を有
する信号線とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜
トランジスタとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相
補型に構成した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補
型薄膜トランジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ
、他の一方を前記マトリックス構成を有する一対の信号
線の第１の信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トラン
ジスタのゲートを前記マトリックス構成を有する信号線
の第２の信号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板
と、基板上に電極およびリードを設けた第２の基板によ
って、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少
なくとも、初期における配向を行わせる手段を少なくと
も挟持した液晶パネルとに、テレビ画像を表示すること
を特徴とするテレビ受像機。

【００１３】そして、基板上にマトリックス構成を有す
る信号線とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜ト
ランジスタとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補
型に構成した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型
薄膜トランジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、
他の一方を前記マトリックス構成を有する一対の信号線
の第１の信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジ
スタのゲートを前記マトリックス構成を有する信号線の
第２の信号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と
、基板上に電極およびリードを設けた第２の基板によっ
て、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少な
くとも、初期における配向を行わせる手段を少なくとも
挟持した液晶パネルの後方より光をあて、パネルを通過
した光を、光学系を介して前方のスクリーンもしくは、
それに代わる物体に対しテレビ画像を映し出す事を特徴
とするテレビ受像機。

【００１４】そして、基板上にマトリックス構成を有す
る信号線とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜ト
ランジスタとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補
型に構成した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型
薄膜トランジスタの入出力側の一方を前記画素電極ヘ、
他の一方を前記マトリックス構成を有する一対の信号線
の第１の信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジ
スタのゲートを前記マトリックス構成を有する信号線の
第２の信号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と
、基板上に電極およびリードを設けた第２の基板によっ
て、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少な
くとも、初期における配向を行わせる手段を少なくとも
挟持した３枚の液晶パネルの後方より赤、緑、青の光を
それぞれのパネルにあて、それぞれのパネルを通過した
光を、光学系を介して１つの画面に構成し、前方のスク
リーンもしくは、それに代わる物体に対しテレビ画像を
映し出す事を特徴とするテレビ受像機。

【００１５】そして、基板上にマトリックス構成を有す
る信号線とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜ト
ランジスタとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補
型に構成した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型
薄膜トランジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、
他の一方を前記マトリックス構成を有する一対の信号線
の第１の信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジ
スタのゲートを前記マトリックス構成を有する信号線の
第２の信号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と
、基板上に電極およびリードを設けた第２の基板によっ
て、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少な
くとも、初期における配向を行わせる手段を少なくとも
挟持した１枚の液晶パネルの後方より赤、緑、青の光を
パネルに交互にあて、パネルを通過した光を、光学系を
介して前方のスクリーンもしくは、それに代わる物体に
対しテレビ画像を映し出す事を特徴とするテレビ受像機
。そして、基板上にマトリックス構成を有する信号線と
それぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジスタ
とＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成し
た相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラン
ジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方を
前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の信
号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲー
トを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信号
線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上に
電極およびリードを設けた第２の基板によって、高分子
樹脂とネマティック液晶または高分子樹脂とコレスティ
ック液晶または高分子樹脂とスメクティック液晶または
高分子液晶とネマティック液晶または高分子液晶とコレ
スティック液晶または高分子液晶とスメクティック液晶
を少なくともひとつは挟持した液晶パネルに、テレビ画
像を表示することを特徴とするテレビ受像機。そして、
基板上にマトリックス構成を有する信号線とそれぞれの
画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジスタとＮチャン
ネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成した相補型薄
膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トランジスタの入
出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方を前記マトリ
ックス構成を有する一対の信号線の第１の信号線へ接続
し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲートを前記マ
トリックス構成を有する信号線の第２の信号線へ接続し
た電気回路を設けた第１の基板と、基板上に電極および
リードを設けた第２の基板によって、高分子樹脂とネマ
ティック液晶または高分子樹脂とコレスティック液晶ま
たは高分子樹脂とスメクティック液晶または高分子液晶
とネマティック液晶または高分子液晶とコレスティック
液晶または高分子液晶とスメクティック液晶を少なくと
もひとつは挟持した液晶パネルの後方より光をあて、パ
ネルを通過した光を、光学系を介して前方のスクリーン
もしくは、それに代わる物体に対しテレビ画像を映し出
す事を特徴とするテレビ受像機。

【００１６】そして、基板上にマトリックス構成を有す
る信号線とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜ト
ランジスタとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補
型に構成した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型
薄膜トランジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、
他の一方を前記マトリックス構成を有する一対の信号線
の第１の信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジ
スタのゲートを前記マトリックス構成を有する信号線の
第２の信号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と
、基板上に電極およびリードを設けた第２の基板によっ
て、高分子樹脂とネマティック液晶または高分子樹脂と
コレスティック液晶または高分子樹脂とスメクティック
液晶または高分子液晶とネマティック液晶または高分子
液晶とコレスティック液晶または高分子液晶とスメクテ
ィック液晶を少なくともひとつは挟持した３枚の液晶パ
ネルの後方より赤、緑、青の光をそれぞれのパネルにあ
て、それぞれのパネルを通過した光を、光学系を介して
１つの画面に構成し、前方のスクリーンもしくは、それ
に代わる物体に対しテレビ画像を映し出す事を特徴とす
るテレビ受像機。

【００１７】そして、基板上にマトリックス構成を有す
る信号線とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜ト
ランジスタとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補
型に構成した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型
薄膜トランジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、
他の一方を前記マトリックス構成を有する一対の信号線
の第１の信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジ
スタのゲートを前記マトリックス構成を有する信号線の
第２の信号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と
、基板上に電極およびリードを設けた第２の基板によっ
て、高分子樹脂とネマティック液晶または高分子樹脂と
コレスティック液晶または高分子樹脂とスメクティック
液晶または高分子液晶とネマティック液晶または高分子
液晶とコレスティック液晶または高分子液晶とスメクテ
ィック液晶を少なくともひとつは挟持した１枚の液晶パ
ネルの後方より赤、緑、青の光をパネルに交互にあて、
パネルを通過した光を、光学系を介して前方のスクリー
ンもしくは、それに代わる物体に対しテレビ画像を映し
出す事を特徴とするテレビ受像機である。

【００１８】本発明における液晶パネルの構成を以下に
説明する。本発明のおける液晶表示装置の構成としては
、１つの画素に２つまたはそれ以上のＣ／ＴＦＴを連結
して１つのピクセルを構成せしめてもよい。さらに１つ
のピクセルを２つまたはそれ以上に分割し、それぞれに
Ｃ／ＴＦＴを１つまたは複数個連結してもよい。

【００１９】本発明の表示装置の構成の代表例を図３、
図４、図５に回路図として示す。また、実際のパターン
レイアウト（配置図）の例をそれぞれに対応して図６、
図７、図８に示す。説明を簡単にするため、ここでは２
×２のマトリクス構成を例として説明を行う。図３の２
×２のマトリクスの例においてＮＴＦＴとＰＴＦＴとの
ゲイトを互いに連結し、さらにＹ軸方向の第３の信号線
３または４に連結し、またＣ／ＴＦＴの共通出力端を液
晶１５に連結している。この形式の相補型薄膜トランジ
スタ（Ｃ／ＴＦＴ）をインバータ型といい強誘電液晶の
画素を駆動するのに適している。またこの場合において
、ＮＴＦＴとＰＴＦＴとの位置関係を入れ換えた形式を
バッファ型といい分散型液晶、例えば高分子樹脂とネマ
ティック液晶または高分子樹脂とコレスティック液晶ま
たは高分子樹脂とスメクティック液晶または高分子液晶
とネマティック液晶または高分子液晶とコレスティック
液晶または高分子液晶とスメクティック液晶からなる液
晶を用いた液晶表示装置の画素電極を駆動する素子に適
している。

【００２０】例えばインバータ型の場合、図３において
、ＰＴＦＴの入力端（１０側）をＸ軸方向の一対の信号
線のうちの第１の信号線５または６に連結し、ＮＴＦＴ
の入力端（２０側）をＸ軸方向の一対の信号線のうちの
第２の信号線８または７に連結させている。またバッフ
ァ型の場合は、図３において、ＰＴＦＴとＮＴＦＴの位
置関係を入れ換えればよいので、図３に記載されている
ＰとＮの符号を対称に入れ換えればよい。

【００２１】この様な構成（図３）において、図１０に
示されているように一対の第１の信号線５と第２の信号
線８間にオンの信号波形が印加されている期間に第３の
信号線３に対しオンの信号波形を印加した時、液晶電位
（ＶＬＣ）１４は第１の信号線に印加された電圧ＶＤＤ
となる。また一対の第１の信号線５と第２の信号線８間
にオフの信号波形が印加されている期間に第３の信号線
３もオフの信号波形が印加された時、液晶電位（ＶＬＣ
）１４は電位を持たない。さらにまた、一対の第１の信
号線５と第２の信号線８間にオフの信号波形が印加され
ている期間に第３の信号線３に対しオンの信号波形を印
加しない時、液晶電位（ＶＬＣ）１４は第２の信号線に
印加された電圧ＶＳＳとなる。かくの如く液晶電位（Ｖ
ＬＣ）１４はＶＤＤまたはＶＳＳに固定させ得るため、
フローティングとなることがない。

【００２２】また、対抗電極１６はオフセット電圧ＶＯ
ＦＦＳＥＴが印加されており、実際に液晶１５に加わる
電圧はＶＤＤ＋ＶＯＦＦＳＥＴ、ＶＯＦＦＳＥＴあるい
はＶＳＳ＋ＶＯＦＦＳＥＴの３値となる。本発明の駆動
方法では対抗電極に加えるオフセット電圧ＶＯＦＦＳＥ
Ｔを可変して、液晶駆動のオンとオフを任意に変更する
ことができる。また、液晶を実際に駆動する際のしきい
値が液晶材料よって異なっているため、その液晶の持つ
値に合わせる為にこのオフセット電圧ＶＯＦＦＳＥＴを
可変するだけで、任意のしきい値合わせることができる
。

【００２３】また、液晶の駆動において、印加する信号
により、液晶に加わる電圧が＋または−の何れかに偏っ
た場合、電気分解等が発生して、液晶材料を分解、変性
して表示が十分に行えないことが発生するこの場合、印
加する信号を交流化して液晶材料に加わる電圧に偏りが
発生しないようにするが、本発明の駆動方法によると対
抗電極に印加するオフセット電圧ＶＯＦＦＳＥＴの極性
とデータ信号線に加える選択信号の論理を反転するのみ
で、非常に容易に交流化信号を発生させることができる
特徴をもつ。

【００２４】図４の例において、第１のＣ／ＴＦＴを構
成するＰＴＦＴ１３、ＮＴＦＴ２２と第２のＣ／ＴＦＴ
を構成するＰＴＦＴ２４、ＮＴＦＴ２５の４つのゲイト
電極を共通してＹ方向の第３の信号線３に連結せしめ、
ＰＴＦＴ１３とＰＴＦＴ２４入力端を共通化してＸ方向
の第１の信号線５にＮＴＦＴ２２とＮＴＦＴ２５入力端
を共通化してＸ方向の第２の信号線８に接続させた。ま
たその２つのＣ／ＴＦＴの出力を共通にして１つの液晶
１５の一方の電極である画素電極１７に連結させている
。かくすると、２つのＮＴＦＴまたは２つのＰＴＦＴの
いずれか一方が多少リークしても同相であるためその画
素を駆動させることができる。

【００２５】図５は１つのピクセル２３において、２つ
の画素電極１７、２６とそのそれぞれに対応してＣ／Ｔ
ＦＴを２つ設けたものである。２つのＣ／ＴＦＴのゲイ
ト電極を共通とせしめ、第１の入力を行う。またそれぞ
れのＣ／ＴＦＴのそれぞれのＮＴＦＴおよびそれぞれの
ＰＴＦＴの入力を第１の信号線５および第２の信号線８
に連結したものである。かくすることにより、１つのピ
クセルの２つの画素のうち一方がＴＦＴのリーク等の不
良により非動作とならない。また、遅れた動作となって
も、他方が正常動作するため、マトリクス構成動作にお
いて不良が目立ちにくいという特長を有する。図４、図
５に示すＰＴＦＴは全てインバータ型であるが、バッフ
ァ型であってもよいことはいうまでもない。

【００２６】

【実施例１】本実施例では図３に示すような回路構成す
なわちバッファ型の回路構成を用いた液晶表示装置を用
いて、強誘電液晶（ＦＬＣ）を用いた液晶表示装置の説
明を行う。この回路構成に対応する実際の電極等の配置
構成を図６に示している。これらは説明を簡単にする為
２×２に相当する部分のみ記載されている。また、実際
の駆動信号波形を図１０に示す。これも説明を簡単にす
る為に４×４のマトリクス構成とした場合の信号波形で
説明を行う。

【００２７】まず、本実施例で使用する液晶表示装置の
作製方法を図１３を使用して説明する。図１３（Ａ）に
おいて、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例え
ば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上にマグネ
トロンＲＦ（高周波）スパッタ法を用いてブロッキング
層５１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚
さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成
膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａ
とした。ターゲットに石英または単結晶シリコンを用い
た成膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００２８】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）またはトリシラン（Ｓｉ３Ｈ
８）をＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は
３０〜３００Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å／
分であった。ＮＴＦＴとＰＴＦＴとのスレッシュホール
ド電圧（Ｖｔｈ）に概略同一に制御するため、ホウ素を
ジボランを用いて１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３
の濃度として成膜中に添加してもよい。

【００２９】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×１０−５Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをターゲ
ットとして、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰
囲気で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とし
た。成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、
スパッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａで
あった。

【００３０】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン（ＳｉＨ
４）またはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を用いた。これらを
ＰＣＶＤ装置内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を加えて成膜した。

【００３１】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×１０２１ｃｍ−３以下であることが好ましい
。この酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニー
ル温度を高くまたは熱アニール時間を長くしなければな
らない。また少なすぎると、バックライトによりオフ状
態のリーク電流が増加してしまう。そのため４×１０１
９〜４×１０２１ｃｍ−３の範囲とした。水素は４×１
０２０ｃｍ−３であり、珪素４×１０２２ｃｍ−３とし
て比較すると１原子％であった。また、ソース、ドレイ
ンに対してより結晶化を助長させるため、酸素濃度を７
×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１９ｃｍ
−３以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形成
領域のみに酸素をイオン注入法により５×１０２０〜５
×１０２１ｃｍ−３となるように添加してもよい。その
時周辺回路を構成するＴＦＴには光照射がなされないた
め、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャリ
ア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるため
る有効である。

【００３２】次に、アモルファス状態の珪素膜を５００
〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４
５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニールさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。

【００３３】アニールにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レーザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピーク５２２
ｃｍ−１より低周波側にシフトしたピークが観察される
。それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０
〜５００Åとマイクロクリスタルのようになっているが
、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構
造を有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アン
カリング）がされたセミアモルファス構造の被膜を形成
させることができた。

【００３４】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるＧＢ
の明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度
となる。即ちホール移動度（μｈ）＝１０〜２００ｃｍ
２／ＶＳｅｃ、電子移動度（μｅ）＝１５〜３００ｃｍ
２／ＶＳｅｃが得られる。

【００３５】他方、上記の如き中温でのアニールではな
く、９００〜１２００℃の高温アニールにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上の移動度
がなかなか得られないのが実情である。即ち、本実施例
ではかくの如き理由により、セミアモルファスまたはセ
ミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いている
。

【００３６】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として
５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成した
。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と同
一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナトリ
ウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００３７】この後、この上側にリンが１〜５×１０２
１ｃｍ−３の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコ
ン膜とその上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ
），ＭｏＳｉ２またはＷＳｉ２との多層膜を形成した。これを第２のフォトマスク■にてパターニングして図１
３（Ｂ）を得た。ＰＴＦＴ用のゲイト電極９、ＮＴＦＴ
用のゲイト電極１９を形成した。例えばチャネル長１０
μｍ、ゲイト電極としてリンドープ珪素を０．２μｍ、
その上にモリブデンを０．３μｍの厚さに形成した。　
　図１３（Ｃ）において、フォトレジスト５７をフォト
マスク■を用いて形成し、ＰＴＦＴ用のソース１０、ド
レイン１２に対し、ホウ素を１〜５×１０１５ｃｍ−２
のドーズ量でイオン注入法により添加した。　　次に図
１３（Ｄ）の如く、ＮＴＦＴをフォトマスク■を用いて
形成した。ＮＴＦＴ用のソース２０、ドレイン１８とし
てリンを１〜５×１０１５ｃｍ−２のドーズ量でイオン
注入法により添加した。

【００３８】これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行った
。しかし図１３（Ｂ）において、ゲイト電極５５、５６
をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。

【００３９】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニールを行った。ＰＴＦＴのソース１０、ドレイン
１２、ＮＴＦＴのソース２０、ドレイン１８を不純物を
活性化してＰ＋、Ｎ＋として作製した。またゲイト電極
９、１９下にはチャネル形成領域２１、１１がセミアモ
ルファス半導体として形成されている。

【００４０】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＣ／ＴＦＴを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよく
、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプロ
セスである。

【００４１】本実施例では熱アニールは図１３（Ａ）、
（Ｄ）で２回行った。しかし図１３（Ａ）のアニールは
求める特性により省略し、双方を図１３（Ｄ）のアニー
ルにより兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図１３（
Ｅ）において、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法に
より酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の
形成はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用い
てもよい。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、
その後、フォトマスク■を用いて電極用の窓６６を形成
した。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法
により形成し、リード７１、７２およびコンタクト６７
、６８をフォトマスク■を用いて作製した後、表面を平
坦化用有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布
形成し、再度の電極穴あけをフォトマスク■にて行った
。

【００４２】図１３（Ｆ）に示す如く２つのＴＦＴを相
補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素
の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ
法によりＩＴＯ（インジューム・スズ酸化膜）を形成し
た。それをフォトマスク■によりエッチングし、画素電
極１７を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成
膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニール
により成就した。

【００４３】かくの如くにしてＰＴＦＴ２２とＮＴＦＴ
１３と画素電極である透明導電膜の電極７０とを同一ガ
ラス基板５０上に作製した。得られたＴＦＴの特性はＰ
ＴＦＴで移動度は２０（ｃｍ２／Ｖｓ）、Ｖｔｈは−５
．９（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は４０（ｃｍ２／Ｖｓ
）、Ｖｔｈは５．０（Ｖ）であった。

【００４４】上記の作製法は、バッファ型であってもイ
ンバータ型であっても全く同じであることは、いうまで
もない。

【００４５】上記の様な方法に従って作製された液晶装
置用の一方の基板とガラス基板上に全面に透明電極を設
けた他方の基板を貼り合わせ、液晶セルを形成した。そ
の中に強誘電性液晶組成物を封入した。図６において、
ＰＴＦＴ１３を第ｌの走査線５とデータ線３との交差部
に設け、第１の走査線５とデータ線４との交差部にも他
の画素用のＰＴＦＴが同様に設けられている。一方ＮＴ
ＦＴは第２の走査線８とデータ線３との交差部に設けら
れている。また、隣接した他の第１の走査線６とデータ
線３との交差部には、他の画素用のＮＴＦＴが設けられ
ている。このようなＣ／ＴＦＴを用いたマトリクス構成
（この場合はインバータ型）を有せしめた。ＰＴＦＴ１
３は、ドレイン１０の入力端のコンタクト６９を介し第
１の走査線５に連結され、ゲイト９は多層配線形成がな
されたデータ線３に連結されている。ソース１２の出力
端はコンタクト６７を介して画素の電極１７に連結して
いる。

【００４６】他方、ＮＴＦＴ２２はドレイン２０の入力
端がコンタクトを介して第２の走査線８に連結され、ゲ
イト２１はデータ線３に、ドレイン１８の出力端はコン
タクト６８を介してＰＴＦＴと同様に画素電極１７に連
結している。かくして一対の走査線５、８に挟まれた間
（内側）に、透明導電膜よりなる画素１７とＰＴＦＴ１
３とＮＴＦＴ２２からなるＣ／ＴＦＴとにより１つのピ
クセルを構成した。かかる構造を左右、上下に繰り返す
ことにより、２×２のマトリクスをそれを拡大した６４
０×４８０、１２８０×９６０といった大画素の液晶表
示装置とすることができる。

【００４７】ここでの特長は、１つの画素に２つのＴＦ
Ｔが相補構成をして設けられていることにより、画素電
極１７は３つの値の液晶電位ＶＬＣに固定されることで
ある。

【００４８】本実施例の場合、図１０におけるＸ１ａＸ
１ｂ、Ｘ２ａＸ２ｂ、Ｘ３ａＸ３ｂ、Ｘ４ａＸ４ｂはＸ
方向の各々一対の走査信号線として機能する。また、Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４はＹ方向のデータ線として機能し
ている。また、図１４中のＡＡ、ＡＢ・・・ＤＤは対応
する位置の画素のアドレスを意味している。なお図１０
においては、図中にＰ、ＮとＰＴＦＴとＮＴＦＴが示さ
れているようにインバータ型の構成をとっているが、Ｐ
ＴＦＴとＮＴＦＴを入れ換えればバッファ型になること
はいうまでもない。

【００４９】この様な４×４構成の表示において、図９
に示すアドレスＡＡ、ＡＢ、ＢＡ、ＢＢの４つの画素に
対応する、信号波形と液晶電位と実際に液晶に印加され
る電位差のタイミングチャートを図１０に示す。図１０
において、横軸は時間を示している。１フレームを時間
Ｔ１からＴ２の間としてこの間を４つに分割して、一対
の走査線４対を順次走査して走査信号を印加している。図ではＸ１ａ、Ｘ２ａ、Ｘ３ａ、Ｘ４ａのみを記載して
いるが実際にはＸ１ｂ、Ｘ２ｂ、Ｘ３ｂ、Ｘ４ｂにはＸ
１ａ、Ｘ２ａ、Ｘ３ａ、Ｘ４ａと極性の異なる同じ波形
が印加されている。また、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４線に
は図１０のようなデータ信号が印加されており、時間Ｔ
１からＴ２の間はＡＡの画素のみ選択されてオンまたは
オフされる。即ち、Ｔ１からｔ１の間にデータ線Ｙ１に
対してデータ信号を印加して、この時間内にＡＡの画素
の液晶にはしきい値をこえる電圧が印加され液晶が駆動
される。この時、液晶表示装置の対抗電極にオフセット
電圧が印加されている。図１０では次の時間Ｔ２からＴ
３にも全く同じ信号波形を印加し、ＡＡの表示を行って
いる。

【００５０】次に時間Ｔ３からＴ４及びＴ４からＴ５で
は４つの画素を全く選択しない信号が印加されている。さらに時間Ｔ５からＴ６では再びＡＡの画素を選択して
いる信号が印加されている。

【００５１】次に時間Ｔ６からＴ８はデータ線に印加す
る信号の論理を反転させた信号が印加され、また対抗電
極には時間Ｔ１からＴ６の間に印加されていた信号とは
極性の異なるオフセット電圧が印加されて、交流化信号
が液晶に加えられている。この交流化信号により、時間
Ｔ１からＴ６の間に正に偏っていた電荷をキャンセルす
ることができる。すなわち、時間Ｔ２からＴ４に加えら
れていた信号のうち、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４線の論理
を反転し、すなわち選択信号と非選択信号を入れ換え、
対抗電極のオフセット電圧の正負を入れ換えることによ
り、時間Ｔ２からＴ４の前半の１フレームではＡＡの画
素を選択し、後半の１フレームでは４つの画素を選択し
ない交流化信号を印加でき液晶を駆動することが可能と
なった。これにより、容易に画素に残っている電荷をキ
ャンセルすることができる。

【００５２】このように、本発明の駆動によると非常に
簡単な、パルス信号をデータ線および一対の走査線に加
えるだけで、液晶表示を行える。

【００５３】本実施例において、１つの表示画面に対し
て、複数フレームの駆動信号を液晶に印加することによ
り１画面を表示する場合は特定の画素に加える選択信号
回数を全フレーム数より減らすことにより、容易に階調
表示を行うことができる。

【００５４】本発明には配向膜は有機膜を用い、スイッ
チング速度を大とするため、動作電圧は±２０〜±２５
Ｖとし、セル間隔は１〜３μｍと薄くした。

【００５５】本実施例において示した液晶表示装置を用
いれば、従来のものより高性能な液晶を用いたテレビ受
像機、液晶表示パネルに後方から光を当てることによっ
て、パネルを透過した光を光学系を介して前方のスクリ
ーン等に映す液晶プロジェクター等を得ることができる
。また、本実施例で使用したＴＦＴの半導体は本実施例
で使用した材料以外をも使用できる。

【００５６】

【実施例２】この実施例は図４および図７に対応した液
晶表示装置の構成を有するものを使用して、インバータ
型の回路を構成した例である。本実施例においても、基
本的構成であるＰＴＦＴ、ＮＴＦＴからなるＣ／ＴＦＴ
の構成、作製法は、実施例１と全く同様である。また図
４、図７中の符号は、実施例１において図３、図６を用
いて説明した符号と同一である。

【００５７】図７より明らかな如く、Ｙ線の走査線３を
中央に配設し、一対のデータ線の第１のデータ線５と第
２のデータ線８に挟まれた部分を１つのピクセル２３と
している。１つのピクセルは１つの透明導電膜の画素１
７および２つのＰＴＦＴ１３、２４と、２つのＮＴＦＴ
２２、２５よりなる２つのＣ／ＴＦＴに連結させている
。ゲイト電極はすべて走査線３に連結され、２つのＰＴ
ＦＴは第１のデータ線３に、また２つのＮＴＦＴは第２
のデータ線８に連結されている。これら２つのＣ／ＴＦ
Ｔの一方が、ゲイト電極とチャネル形成領域との間にリ
ークがあり不良であった場合でも、ビクセルとしての動
作をさせることができる。本実施例を駆動する際のタイ
ミングチャートの一例を図１１に示す。

【００５８】ここでの特長は１つの画素に２つのＣ／Ｔ
ＦＴが設けられていることにより、画素電極１７は３つ
の値の液晶電位ＶＬＣに固定されることである。

【００５９】本実施例の場合、光硬化型のエポキシ変成
アクリル樹脂とネマチック液晶の混合物を印刷法によっ
て、第一の基板に１０μｍの厚さで形成後、第二の基板
を減圧中で重合わせて、２ｋｇ／ｃｍ２で加圧しながら
下方より紫外線を照射してセルを形成した。その断面構
造を図１５に示す。図１５は、ガラス基板１５０、液晶
相１５４、画素電極１７、対抗電極である上側電極１５
５、例えば図４における信号線８に相当する信号線１５
２、例えば図４における信号線６に相当する信号線１５
１、そして図４に示す回路構成を有する下側基板１５３
よりなるものである。この図１５に示す液晶表示装置を
図１のプロジェクションテレビの４の部分に用いること
により高性能なプロジェクションテレビの構成を得るこ
とができる。

【００６０】

【実施例３】この実施例は第４図および第８図に対応す
るものである。１つのピクセルが２つのＣ／ＴＦＴと２
つの画素よりなっている。即ちＰＴＦＴ１３、ＮＴＦＴ
２２よりなるＣ／ＴＦＴの出力と連結した液晶の画素電
極１７と、他のＰＴＦＴ２４とＮＴＦＴ２５よりなるＣ
／ＴＦＴの出力に連結した液晶の画素電極８１とが１つ
のピクセル２３を構成している。画素１７と８１とが１
つのピクセルを構成する合わせた画素２３に対応する。

【００６１】この構成をとると、たとえ一方の画素が動
作しなくなっても、他方の画素が動作をし、カラー化を
した時、非動作のピクセルが発生する確率を下げること
ができた。その他、ここに記載されていないことは実施
例１、２に記されたことと同様である。また、本実施例
を駆動する際のタイミングチャートの一例を図１２とし
て示す。

【００６２】本明細書中における表示媒体としては、透
過型の液晶表示装置または反射型の液晶表示装置として
用い得る。また使用可能な液晶材料としては前術のＴＮ
液晶、ＦＬＣ液晶、分散型液晶、ポリマ型液晶を用い得
る。　　またゲストホスト型、誘電異方性型のネマチッ
ク液晶にイオン性ドーパントを添加して電界を印加する
ことによってネマチック液晶としコレステリック液晶と
の混合体に電界を印加して、ネマチック相とコレステリ
ック相との間で相変化を生じさせ、透明ないし白濁の表
示を実現する相転移液晶を用いることもできる。また液
晶以外では、例えば染料で着色した有機溶媒中にこれと
色の異なる顔料粒子を分散させたいわゆる電気泳動表示
用分散系を用いることもできることを付記する。またこ
の場合にはＣ／ＴＦＴをバッファ型の回路構成にした方
がよいことも前述した通りである。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように本発明の構成によっ
て、従来ブラウン管を利用したテレビ受像機に比べて、
７０％程度の重量の削減ができた。また本発明の構成に
より、液晶電位をフローティングとしないため、安定し
た表示を行うことができる。また、アクティブ素子とし
てのＣ／ＴＦＴの駆動能力が高いため、動作マージンを
拡大でき、さらに周辺の駆動回路をより簡単にすること
が可能で表示装置の小型化、製造コストの低減に効果が
ある。また、３本の信号線と対抗電極に非常に単純な信
号で高い駆動能力を発揮することができる。

【００６４】また、不良ＴＦＴが一部にあっても同相出
力であるためその補償をある程度行うことができる。

【００６５】さらに、液晶材料を電気分解させないため
に液晶の駆動としては必須の交流化信号駆動をＣ／ＴＦ
Ｔのゲイト信号線に加える信号の論理を反転させ、対抗
電極に印加するオフセット電圧の極性を反転するという
簡単なことで達成できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のプロジェクション型テレビ受像機を示す
。

【図２】従来の単一チャネル薄膜トランジスタを用いた
液晶電気光学装置の回路図を示す

【図３】本発明による相補型薄膜トランジスタを用いた
液晶電気光学装置の回路図を示す

【図４】本発明による相補型薄膜トランジスタを用いた
液晶電気光学装置の回路図を示す

【図５】本発明による相補型薄膜トランジスタを用いた
液晶電気光学装置の回路図を示す

【図６】本発明による相補型薄膜トランジスタを用いた
液晶電気光学装置の構成図を示す

【図７】本発明による相補型薄膜トランジスタを用いた
液晶電気光学装置の構成図を示す

【図８】本発明による相補型薄膜トランジスタを用いた
液晶電気光学装置の構成図を示す

【図９】本発明による駆動チャートを示す。

【図１０】本発明による駆動チャートを示す。

【図１１】本発明による駆動チャートを示す。

【図１２】本発明による相補型薄膜トランジスタの工程
を示す。

【図１３】本発明による回路図を示す。

【図１４】本発明による相補型薄膜トランジスタを用い
た液晶電気光学装置の構成図を示す

【符号の説明】

１０　　Ｐチャネル型ＴＦＴのソース１１　　Ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル１２　　Ｐチャ
ネル型ＴＦＴのドレイン１３　　Ｐチャネル型ＴＦＴ１８　　Ｎチャネル型ＴＦＴのドレイン２１　　Ｎチャ
ネル型ＴＦＴのチャネル２０　　Ｎチャネル型ＴＦＴの
ソース９　　Ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極１９　　Ｎチャ
ネル型ＴＦＴのゲート電極１７　　画素電極１５　　液晶

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、強誘
電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少なくとも、
初期における配向を行わせる手段を少なくとも挟持した
液晶パネルとに、テレビ画像を表示することを特徴とす
るテレビ受像機。
【請求項２】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、強誘
電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少なくとも、
初期における配向を行わせる手段を少なくとも挟持した
液晶パネルの後方より光をあて、パネルを通過した光を
、光学系を介して前方のスクリーンもしくは、それに代
わる物体に対しテレビ画像を映し出す事を特徴とするテ
レビ受像機。
【請求項３】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、強誘
電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少なくとも、
初期における配向を行わせる手段を少なくとも挟持した
３枚の液晶パネルの後方より赤、緑、青の光をそれぞれ
のパネルにあて、それぞれのパネルを通過した光を、光
学系を介して１つの画面に構成し、前方のスクリーンも
しくは、それに代わる物体に対しテレビ画像を映し出す
事を特徴とするテレビ受像機。
【請求項４】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、強誘
電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少なくとも、
初期における配向を行わせる手段を少なくとも挟持した
１枚の液晶パネルの後方より赤、緑、青の光をパネルに
交互にあて、パネルを通過した光を、光学系を介して前
方のスクリーンもしくは、それに代わる物体に対しテレ
ビ画像を映し出す事を特徴とするテレビ受像機。
【請求項５】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、高分
子樹脂とネマティック液晶または高分子樹脂とコレステ
ィック液晶または高分子樹脂とスメクティック液晶また
は高分子液晶とネマティック液晶または高分子液晶とコ
レスティック液晶または高分子液晶とスメクティック液
晶を少なくともひとつは挟持した液晶パネルに、テレビ
画像を表示することを特徴とするテレビ受像機。
【請求項６】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、高分
子樹脂とネマティック液晶または高分子樹脂とコレステ
ィック液晶または高分子樹脂とスメクティック液晶また
は高分子液晶とネマティック液晶または高分子液晶とコ
レスティック液晶または高分子液晶とスメクティック液
晶を少なくともひとつは挟持した液晶パネルの後方より
光をあて、パネルを通過した光を、光学系を介して前方
のスクリーンもしくは、それに代わる物体に対しテレビ
画像を映し出す事を特徴とするテレビ受像機。
【請求項７】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、高分
子樹脂とネマティック液晶または高分子樹脂とコレステ
ィック液晶または高分子樹脂とスメクティック液晶また
は高分子液晶とネマティック液晶または高分子液晶とコ
レステイック液晶または高分子液晶とスメクティック液
晶を少なくともひとつは挟持した３枚の液晶パネルの後
方より赤、緑、青の光をそれぞれのパネルにあて、それ
ぞれのパネルを通過した光を、光学系を介して１つの画
面に構成し、前方のスクリーンもしくは、それに代わる
物体に対しテレビ画像を映し出す事を特徴とするテレビ
受像機。
【請求項８】基板上にマトリックス構成を有する信号線
とそれぞれの画素電極にＰチャンネル型薄膜トランジス
タとＮチャンネル型薄膜トランジスタとを相補型に構成
した相補型薄膜トランジスタを設け、該相補型薄膜トラ
ンジスタの入出力側の一方を前記画素電極へ、他の一方
を前記マトリックス構成を有する一対の信号線の第１の
信号線へ接続し、かつ前記相補型薄膜トランジスタのゲ
ートを前記マトリックス構成を有する信号線の第２の信
号線へ接続した電気回路を設けた第１の基板と、基板上
に電極およびリードを設けた第２の基板によって、高分
子樹脂とネマティック液晶または高分子樹脂とコレステ
ィック液晶または高分子樹脂とスメクティック液晶また
は高分子液晶とネマティック液晶または高分子液晶とコ
レスティック液晶または高分子液晶とスメクティック液
晶を少なくともひとつは挟持した１枚の液晶パネルの後
方より赤、緑、青の光をパネルに交互にあて、パネルを
通過した光を、光学系を介して前方のスクリーンもしく
は、それに代わる物体に対しテレビ画像を映し出す事を
特徴とするテレビ受像機。