JP2707158B2 - カラーテレビ受像機 - Google Patents
カラーテレビ受像機Info
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Description
星テレビ局またはケーブルテレビ局または個別に設けら
れたテレビ映像の録画装置(ビデオデッキ、レーザーデ
ィスク、光磁気ディスク等)より送られる映像信号を具
体的に表示する装置を提案する。
たはケーブルテレビ局または個別に設けられたテレビ映
像の録画装置(ビデオデッキ、レーザーディスク、光磁
気ディスク等)より送られる映像信号を具体的に表示す
る装置としては、ブラウン管、CRTと呼ばれる真空管
中で電子線を飛ばして、対象物となる蛍光面を発光させ
る方式が取られていた。
く普及していたが、近年世の中の要求によって、20イ
ンチはおろか30インチをゆうに超える大きさのものま
で出現するに至っている。
30インチほどあり、またそれを形成するガラスの厚み
も強度を保つために1センチを超えるようになった。ま
た、他の装置として、輝度の高いブラウン管を光学系で
拡大表示してスクリーンに映し出す方式も提案され、表
示面積の大きな物に利用されている。その構成の概略を
図5に示す。
テレビ受像機の場合、表示面が30インチを越えると全
体の重量は100kgを優に越えることになった。一般
の家庭において100kgを越えた重量物を置くには、
よっぽど場所を限定しなければ難しいものがある。ま
た、その重量はレイアウト変更等が生じた場合に、人力
で移動させることは難しくなり、一般家庭への普及の障
害となっていた。
ョン型のテレビ受像機が提案されているが、元になる高
輝度ブラウン管の輝度向上にも限界があり、拡大画面に
おける輝度自体は非常に低いものとなっていた。そのた
め、画面が暗いばかりではなく、光学系で拡大している
ために、正面でのコントラスト比は高いものの、斜め方
向からのコントラスト比はブラウン管方式に比べて非常
に劣っていた。しかしながら、本方式は重量の点におい
ては、ブラウン管方式の50%程度ですむため、問題解
決の一つとなった。図5のプロジェクションテレビ20
1は、ブラウン管または液晶表示装置204、チューナ
ー205、光学系203、反射板202、画面206よ
りなる。
スシリコンを使った薄膜トランジスタ方式の液晶パネル
をその元となる表示体として使用した実施例がよく提案
されている。重量はブラウン管方式に比べて、30%程
度ですむために一般家庭への普及を助ける要因の一つと
なった。しかし、ブラウン管方式に比べて、表示輝度が
まだまだ低く、光源の強度を上げる方向で検討が進めら
れているが、光源強度をあげた場合、液晶パネルの温度
上昇と光照射に伴う薄膜トランジスタのOFF時におけ
る抵抗値の低下で、満足する表示ができないのが現実で
ある。
提案された強誘電性液晶を用いたディスプレイがある。
図3にその概念図を示す。強誘電性液晶は自発分極を有
するために、螺旋がほどけるまで液晶層の厚みを薄くし
た場合、界面安定状態(SSFLC)が出来、一度電界
を加えたあとは、その電界を取り去っても透過または非
透過の状態が継続するメモリー効果を得ることが出来
た。このメモリー状態を利用することによって、TFT
のアクティブマトリックスLCDと同じような、スタテ
ィック的な駆動が可能になっている。
非透過の2つの安定状態しかとらないために、情報の多
様化にともなう階調表示を苦手としていた。特にこれら
の液晶電気光学装置を映像目的に使用する場合、階調表
示は不可欠なものであった。これを解決する方法とし
て、単位画素を面積的に多分割して複数のドットで構成
することにより、階調を表示することがなされている。
例えば、単位画素を面積比で1:2:4に分割し、それ
らのON/OFFの組み合わせで8階調を得る等が考案
されている。図4(a)、(b)に2階調表示の時の電
極構造と、8階調表示の時の電極構造を示す。
ー信号を加えなければならないため、外部回路が非常に
複雑になってきてしまい、コストの上昇および外部回路
接続時の歩留りの低下が生じてしまった。またさらに、
分割のために電極間の絶縁領域を必要とするため、開口
率の低下が起きてしまっている。例えば、250μmピ
ッチ、25μmギャップの単位画素を考えた場合、分割
をしない場合の開口率は81%であるのに対して、同一
ギャップで分割した場合、63%まで低下してしまうこ
とが判る。またさらに、分割のために一番細い電極(1
03)の幅は、前記ピッチ、ギャップの場合、25μm
となってしまう。液晶表示装置として1000×100
0画素のものをITOのシート抵抗が5Ω以下のものを
使い作製した場合でも、データー方向の電極は端から端
まで約50kΩの抵抗を有することになる。これでは、
電極の両端における液晶にかかる電界強度が異なり、均
一な表示が出来なくなってしまうことになり、現実性に
欠けていた。そこで、より現実的に階調が制御できる手
段が求められていた。
マトリックス液晶装置に階調表示をさせるのではなく駆
動パネルに入射する光の色、光の強度を時間的に変化さ
せることで階調表示を可能にしたものである。すなわ
ち、液晶装置を第一と第二の2種類を用意し、表示のた
めのマトリックス液晶装置に階調表示をさせるのではな
く駆動パネルに入射する光の色、光の強度を第二の液晶
装置をシャッターとして、時間的に変化させることで階
調表示を可能にしたものである。さらに、別の方法とし
て、第二の装置は透過率を変化させるものでは無く、反
射率を変化させるものであっても良い。
からなる光の強度および3色からなる光を用いて説明を
加える。図2に示す様に、基板上に電極およびリードを
有する第一の基板と、基板上に電極およびリードを有す
る第二の基板とによって、強誘電性を示す液晶組成物と
前記液晶組成物を少なくとも初期において配向する手段
とを挟持する第一の装置80に対し、基板上に電極およ
びリードを有する第一の基板と、基板上に電極およびリ
ードを有する第二の基板とによって、強誘電性を示す液
晶組成物と前記液晶組成物を少なくとも初期において配
向する手段とを挟持する第二の装置81によって、カラ
ーでかつ階調表示を行なうために、9枚の画面を一組と
して行なうものとする。
(緑色)B(青色)それぞれ8階調までの表示が可能に
なり、合計512色の表示が可能になる。スクリーン上
に構成された画素を図6に示す様に画素数が2×2のマ
トリクスを有するものとする。
GBそれぞれ、R0〜R7、G0〜G7、B0〜B7と
したとき、A1画素(106)のレベルを(R2、G
0、B5)、A2画素(107)のレベルを(R5、G
7、B0)、B1画素(108)のレベルを(R7、G
1、B3)、B2画素(109)のレベルを(R0、G
5、B2)と表示させる場合、図3に示す様なタイミン
グによって、第一の装置の対応画素をON/OFFさせ
て、且つ第二の装置の平均的透過率をやはり図7に示す
様に変化させることでカラー階調表示を得ることを特徴
としている。
ル数を3枚に増やすことで、図8、図9に示す様な構成
の装置を組むことができる。いずれにせよ、表示のため
のマトリックス液晶装置に階調表示をさせるのではなく
駆動パネルに入射する光の色、光の強度を時間的に変化
させることで階調表示を可能にしたものである。さら
に、別の方法として、第二の装置は透過率を変化させる
ものでは無く、反射率を変化させるものであっても良
い。
ランジスタを用いた、アクティブマトリクス液晶装置を
用いた。先ず、その製造手順から説明を加える。本実施
例では図10に示すような回路構成すなわちインバータ
型の回路構成を用いた液晶表示装置を用いて、強誘電液
晶(FLC)を用いた液晶表示装置の説明を行う。この
回路構成に対応する実際の電極等の配置構成を図11に
示している。これらは説明を簡単にする為2×2に相当
する部分のみ記載されている。また、実際の駆動信号波
形を図12に示す。これも説明を簡単にする為に4×4
のマトリクス構成とした場合の信号波形で説明を行う。
作製方法を図13および図14を使用して説明する。図
13(A)において、石英ガラス等の高価でない700
℃以下、例えば約600℃の熱処理に耐え得るガラス5
0上にマグネトロンRF(高周波)スパッタ法を用いて
ブロッキング層51としての酸化珪素膜を1000〜3
000Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素100
%雰囲気、成膜温度15℃、出力400〜800W、圧
力0.5Paとした。ターゲットに石英または単結晶シ
リコンを用いた成膜速度は30〜100Å/分であっ
た。
相)法、スパッタ法またはプラズマCVD法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも1
00〜200℃低い450〜550℃、例えば530℃
でジシラン(Si2H6)またはトリシラン(Si3H
8)をCVD装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は
30〜300Paとした。成膜速度は50〜250Å/
分であった。NTFTとPTFTとのスレッシュホール
ド電圧(Vth)に概略同一に制御するため、ホウ素を
ジボランを用いて1×1015〜1×1018cm−3
の濃度として成膜中に添加してもよい。
を1×10−5Pa以下とし、単結晶シリコンをターゲ
ットとして、アルゴンに水素を20〜80%混入した雰
囲気で行った。例えばアルゴン20%、水素80%とし
た。成膜温度は150℃、周波数は13.56MHz、
スパッタ出力は400〜800W、圧力は0.5Paで
あった。
場合、温度は例えば300℃とし、モノシラン(SiH
4)またはジシラン(Si2H6)を用いた。これらを
PCVD装置内に導入し、13.56MHzの高周波電
力を加えて成膜した。
酸素が5×1021cm−3以下であることが好まし
い。この酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ
ール温度を高くまたは熱アニール時間を長くしなければ
ならない。また少なすぎると、バックライトによりオフ
状態のリーク電流が増加してしまう。そのため4×10
19〜4×1021cm−3の範囲とした。水素は4×
1020cm−3であり、珪素4×1022cm−3と
して比較すると1原子%であった。また、ソース、ドレ
インに対してより結晶化を助長させるため、酸素濃度を
7×1019cm−3以下、好ましくは1×1019c
m−3以下とし、ピクセル構成するTFTのチャネル形
成領域のみに酸素をイオン注入法により5×1020〜
5×1021cm−3となるように添加してもよい。そ
の時周辺回路を構成するTFTには光照射がなされない
ため、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャ
リア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるた
める有効である。
〜5000Å、例えば1500Åの厚さに作製の後、4
50〜700℃の温度にて12〜70時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて600
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニールさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レーザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピーク522
cm−1より低周波側にシフトしたピークが観察され
る。それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、5
0〜500Åとマイクロクリスタルのようになっている
が、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ
構造を有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合(ア
ンカリング)がされたセミアモルファス構造の被膜を形
成させることができた。
ンダリ(以下GBという)がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGB
の明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度
となる。即ちホール移動度(μh)=10〜200cm
2/VSec、電子移動度(μe)=15〜300cm
2/VSecが得られる。
く、900〜1200℃の高温アニールにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、GBには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、GBでのバリ
ア(障壁)を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として10cm2/Vsec以上の移動度
がなかなか得られないのが実情である。即ち、本実施例
ではかくの如き理由により、セミアモルファスまたはセ
ミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いてい
る。
500〜2000Å例えば1000Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。
21cm−3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリ
コン膜とその上にモリブデン(Mo)、タングステン
(W),MoSi2またはWSi2との多層膜を形成し
た。これを第2のフォトマスクにてパターニングして
図13(B)を得た。PTFT用のゲイト電極9、NT
FT用のゲイト電極19を形成した。例えばチャネル長
10μm、ゲイト電極としてリンドープ珪素を0.2μ
m、その上にモリブデンを0.3μmの厚さに形成し
た。図13(C)において、フォトレジスト57をフォ
トマスクを用いて形成し、PTFT用のソース10、
ドレイン12に対し、ホウ素を1〜5×1015cm
−2のドーズ量でイオン注入法により添加した。次に図
13(D)の如く、NTFTをフォトマスクを用いて
形成した。NTFT用のソース20、ドレイン18とし
てリンを1〜5×1015cm−2のドーズ量でイオン
注入法により添加した。
た。しかし図13(B)において、ゲイト電極9、19
をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。
熱アニールを行った。PTFTのソース10、ドレイン
12、NTFTのソース20、ドレイン18を不純物を
活性化してP+、N+として作製した。またゲイト電極
9、19下にはチャネル形成領域21、11がセミアモ
ルファス半導体として形成されている。
がらも、700℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくC/TFTを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。
(D)で2回行った。しかし図13(A)のアニールは
求める特性により省略し、双方を図13(D)のアニー
ルにより兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図14
(A)において、層間絶縁物65を前記したスパッタ法
により酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜
の形成はLPCVD法、光CVD法、常圧CVD法を用
いてもよい。例えば0.2〜0.6μmの厚さに形成
し、その後、フォトマスクを用いて電極用の窓66を
形成した。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッ
タ法により形成し、リード71、72およびコンタクト
67、68をフォトマスクを用いて作製した後、表面
を平坦化用有機樹脂69例えば透光性ポリイミド樹脂を
塗布形成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行
った。
補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素
の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ
法によりITO(インジューム・スズ酸化膜)を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチンングし、画素
電極17を構成させた。このITOは室温〜150℃で
成膜し、200〜400℃の酸素または大気中のアニー
ルにより成就した。
22と画素電極である透明導電膜の電極17とを同一ガ
ラス基板50上に作製した。得られたTFTの特性はP
TFTで移動度は20(cm2/Vs)、Vthは−
5.9(V)で、NTFTで移動度は40(cm2/V
s)、Vthは5.0(V)であった。
ンバータ型であっても全く同じであることは、いうまで
もない。上記の様な方法に従って作製し第一の基板を得
た。
透明電極上にオフセット方によってNMP(Nメチル2
ピロリドン)で希釈したポリイミド溶液を印刷し、その
後50℃で仮焼成、280℃窒素中で1時間焼成をした
後、ラビングを行い、液晶組成物の初期配向の手段と
し、第二の基板とした。
電性を示す液晶組成物と、酸化珪素よりなる2.5μm
径を有する粒子を1mm2あたり200個の割合で分散
させて挟持させ、周囲をエポキシ樹脂で固定して第一の
装置を作製した。
の表面にスパッタ法により1000Åの酸化珪素膜を形
成した1.1mm厚のソーダライムガラス基板上に、D
Cスパッタ法によって、ITO(インジューム酸化錫)
を1100Å形成した。その後、フォトリソ法を用いて
100本の並行電極とリードを形成して第一の基板とし
た。さらに、その表面にスパッタ法により1000Åの
酸化珪素膜を形成した1.1mm厚のソーダライムガラ
ス基板上に、DCスパッタ法によって、ITO(インジ
ューム酸化錫)を1100Å形成した。その後、フォト
リソ法を用いて1本の並行電極とリードを形成した後、
オフセット方によってNMP(Nメチル2ピロリドン)
で希釈したポリイミド溶液を印刷し、その後50℃で仮
焼成、280℃窒素中で1時間焼成をした後、ラビング
を行い、液晶組成物の初期配向の手段とした第二の基板
とした。
電性を示す液晶組成物と、酸化珪素よりなる2.5μm
径を有する粒子を1mm2あたり200個の割合で分散
させて挟持させ、周囲をエポキシ樹脂で固定して第二の
装置を作製した。
0)および第二の装置(81)、光源(82)、スクリ
ーン(83)、ミラー(84)、光学系(85)、チュ
ーナー(86)を設置してテレビ受像機を得た。
る。
は、横640×縦480個を有しており、走査方向48
0本のリードには、11.58μ秒間書込みのための信
号が加えられる。従って、1画面では5.56m秒を有
し、9画面1組を1画像として、1画像の表示時間が3
3.33m秒となっている。
内、第一の期間には全体の1/4である25本をONに
して、透過光強度を最高時の1/4とした。第二の期間
には全体の2/4をONにして、透過光強度を最高時の
2/4とした。第三の期間には全てをONにして、透過
光強度を最高とした。その後、第四から第九の期間には
全てをOFFし、透過光強度を零とした。
内、第一から第三の期間には全てをOFFし、透過光強
度を零とし、第四の期間には全体の1/4である25本
をONにして、透過光強度を最高時の1/4とした。第
五の期間には全体の2/4をONにして、透過光強度を
最高時の2/4とした。第六の期間には全てをONにし
て、透過光強度を最高とした。その後、第七から第九の
期間には全てをOFFし、透過光強度を零とした。
内、第一から第六の期間には全てをOFFし、透過光強
度を零とし、第七の期間には全体の1/4である25本
をONにして、透過光強度を最高時の1/4とした。第
八の期間には全体の2/4をONにして、透過光強度を
最高時の2/4とした。第九の期間には全てをONにし
て、透過光強度を最高とした。
り、512色の表示を可能にした。
タイプの液晶装置として、反射系の光学系を組み、同様
の表示を実現している。その際には、前記の装置では第
二の装置の外側両面に透過型の偏光板を貼っていたのに
対して、一方の偏光板のうしろがわに反射板を設けた、
反射タイプとした。
す3枚の第一の装置と、実施例1と同様の第二の装置を
1枚用いた。以下、図16を用いて本実施例に用いた液
晶表示装置の作製法を最初に示す。まず1.1mmのソ
ーダライムガラス(1)に、DCスパッタ法によって、
ITOを1000Å成膜し、その後、フォトリソ法を用
いて、表示画素電極の一方の辺と、概略同一寸法とする
幅のストライプ状に、パターニングをして、第一の電極
(2)とした。
い、SiXCYOZ(X+Y+Z=1)膜(303)を
500Å成膜した。成膜条件は、ガス混合比C2H4が
2SCCM、NF3が1SCCM、H2が10SCCM
であり、反応圧力が50Pa、RFパワーが100Wで
ある。
膜(303)の導電率を変化させ、非線型特性を制御す
るためであり、30体積%以下の割合で添加すると効果
がある。この非線型性を制御する方法としては、熱アニ
ールを加える方法がある。これは、MIM型素子のI
(insulator)部分に相当する薄膜(303)
の脱水素化を計ることによって膜中の水素含有量をコン
トロールし、MIM型素子の非線型性を制御するもので
ある。この熱アニールの処理条件は、温度が380℃、
圧力が100Pa、処理雰囲気がAr、処理時間が1時
間でる。また、本発明においてはこのSiXCYO
Z(X+Y+Z=1)で示される組成物を含む薄膜(3
03)の厚さを2000Å以下、好ましくは500Å以
下にすることによって、その光透過性を高めることがで
きた。図17にSiXCYOZ(X+Y+Z=1)で示
される組成物を含む薄膜の500Å時の分光透過率を示
す。
部分に炭素を組成物として含む炭素膜例えばTaO5
(5酸化タンタル)膜を用いようとする場合、その光透
過性が問題となるので、なるべくその面積を小さくする
等の工程上の制約があった。その後,再びDCスパッタ
法によって、膜(303)上にITOを1000Å成膜
し、フォトリソ法を用いて、第2の電極(4)を得た。
この場合、マグネトロン型RFスパッタ法を用いてもよ
い。
は、一辺が250μmの正方形とし、画素間のギャップ
は、25μmとした。この第2の電極(304)は表示
の際、単位画素となる大きさを有するものであり、薄膜
(303)に加わる電界が各画素において均一になるよ
うに作用するものである。この様にして、第1の基板
(310)を得た。
mのソーダライムガラス(309)に、DCスパッタ法
によって、ITOを1000Å成膜した。その後、フォ
トリソ法を用いて、表示画素電極の一方の辺と、概略同
一寸法とする幅のストライプ状に、パターニングをし
て、第3の電極(308)とした構造となっている。
よりポリイミド薄膜を200Å成膜し、その後,ラビン
グ法によって、液晶分子をある一定方向に並べる手段と
して配向膜(305)を設けた。
1)の間に、強誘電性液晶(307)、および樹脂から
なる基板間の間隔を保持するためのスペーサー(30
6)を入れ、その周囲をエポキシ系の接着剤で固定し
た。
極(304)につながるリードに、COG法を用いて液
晶駆動用LSIを接続し、液晶表示装置を得た。
は光透過性を有しており500Åの厚さであれば光学的
になんら問題はなかった。図18、図19に本実施例の
非線形素子の電流電圧特性を示す。
る。
は、3個とも横640×縦480個を有しており、走査
方向480本のリードには、17.36μ秒間書込みの
ための信号が加えられる。従って、1画面では8.33
m秒を有し、4画面1組として33.33m秒となって
いる。
期間には全体の1/8である25本をONにして、透過
光強度を最高時の1/8とした。第二の期間には全体の
2/8をONにして、透過光強度を最高時の1/4とし
た。第三の期間には全体の4/8をONにして、透過光
強度を最高時の1/2とした。第四の期間には全てをO
Nにして、透過光強度を最高とした。
まり、4096色の表示を可能にした。
タイプの液晶装置として、反射系の光学系を組み、同様
の表示を実現している。その際には、前記の装置では第
二の装置の外側両面に透過型の偏光板を貼っていたのに
対して、一方の偏光板のうしろがわに反射板を設けた、
反射タイプとした。
と同様の第一の装置を3枚と、第二の装置としてパター
ニングの際、1個の電極およびリードを有する装置とし
た。該装置を3枚用いた。
る。本実施例で作製した第一の装置の画素構成は、3個
とも横640×縦480個を有しており、走査方向48
0本のリードには、23.15μ秒間書込みのための信
号が加えられる。従って、1画面では11.11m秒を
有し、3画面1組として33.33m秒となっている。
Nにし、第二の期間には緑色用をONにし、第三の期間
には青色用をONにして、光の三原色に従い、時系列的
に第一の装置に供給する色を変化指せた。
まり、512色の表示を可能にした。
て、従来ブラウン管を利用したテレビ受像機に比べて、
70%程度の重量の削減ができた。 本発明を用いるこ
とによって、従来の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置
では困難とされていた階調表示が可能となった。これに
よって、情報量の増加が見込まれ、テレビ受像機として
も広範囲での使用が可能になった。
図をしめす。
Z=1)で示される組成物を含む薄膜の 500Å時の分光
透過率
性。
性。
Claims (5)
- 【請求項1】光源と、映像を出力するスクリーンとを有
し、 前記光源と前記スクリーン間の光路上に、1個以上の第
一の装置を有し、且つ、前記第一の装置と前記スクリー
ン間の光路上に、3個の第二の装置を有するテレビ受像
機において、 前記第一の装置は、画素 電極およびリードを有する第一
の装置の第一の基板と、電極およびリードを有する第一
の装置の第二の基板とによって、強誘電性を示す液晶組
成物を挟持する装置であり、 前記第二の装置は、並行 電極およびリードを有する第二
の装置の第一の基板と、並行電極およびリードを有する
第二の装置の第二の基板とによって、強誘電性を示す液
晶組成物を挟持する装置とで構成している事を特徴とす
るテレビ受像機。 - 【請求項2】光源と、映像を出力するスクリーンとを有
し、 前記光源と前記スクリーン間の光路上に、1個以上の第
一の装置を有し、且つ、前記第一の装置と前記スクリー
ン間の光路上に、3個の第二の装置を有するテレビ受像
機において、 前記第一の装置は、電気的非線型素子、画素電極及びリ
ードを有する第一の装置の第一の基板と、電極およびリ
ードを有する第一の装置の第二の基板とによって、強誘
電性を示す液晶組成物を挟持するマトリックス構成を有
する液晶装置であり、 前記第二の装置は、並行電極およびリードを有する第二
の装置の第一の基板と、並行電極およびリードを有する
第二の装置の第二の基板とによって、強誘電性を示す液
晶組成物を挟持する装置とで構成している事を特徴とす
るテレビ受像機。 - 【請求項3】光源と、映像を出力するスクリーンとを有
し、 前記光源と前記スクリーン間の光路上に、1個以上の第
一の装置を有し、且つ、前記第一の装置と前記スクリー
ン間の光路上に、3個の第二の装置を有するテレビ受像
機において、 前記第一の装置は、Pチャネル型薄膜トランジスタとN
チャネル型薄膜トラン ジスタとを相補型の構成をせしめ
て設けた画素及びリードを有する第一の装置の第一の基
板と、電極およびリードを有する第一の装置の第二の基
板とによって、強誘電性を示す液晶組成物を挟持するマ
トリックス構成を有する液晶装置であり、 前記第二の装置は、並行電極およびリードを有する第二
の装置の第一の基板と、並行電極およびリードを有する
第二の装置の第二の基板とによって、強誘電性を示す液
晶組成物を挟持する装置とで構成している事を特徴とす
るテレビ受像機。 - 【請求項4】請求項1乃至3に於て、前記光源からの光
が、前記第一の装置を透過し、さらに、前記第二の装置
を透過し、前記第二の装置を透過した光を前記スクリー
ンに照射して、階調表示した画像を得るテレビ受像機で
あり、 前記第一の装置は、対応画素をON/OFFさせる装置
であり、 前記第二の装置は、前記第一の装置の対応画素を透過し
た光の強度を時間を追って変化させる装置であり、 前記第二の装置を透過した光の強度は、時間を追ってそ
れぞれ 概略0対20対21対22対、・・、対2n(n
は任意の数)と変化し、 第二の装置を透過したそれぞれの強度を有する光は、前
記スクリーンに照射され、それぞれの画面を表示し、 前記それぞれの画面を1組とすることでスクリーンに階
調表示した画像を得る事を特徴とするテレビ受像機。 - 【請求項5】請求項1乃至3に於て、前記光源からの光
が、前記第一の装置を透過し、さらに、前記第二の装置
を反射し、前記第二の装置を反射した光を前記スクリー
ンに照射して、階調表示した画像を得るテレビ受像機で
あり、 前記第一の装置は、対応画素をON/OFFさせる装置
であり、 前記第二の装置は、前記第一の装置の対応画素を透過し
た光の強度を時間を追って変化させる装置であり、 前記第二の装置を反射した光の強度は、時間を追ってそ
れぞれ 概略0対20対21対22対、・・、対2n(n
は任意の数)と変化し、 第二の装置を反射したそれぞれの強度を有する光は、前
記スクリーンに照射さ れ、それぞれの画面を表示し、 前記それぞれの画面を1組とすることでスクリーンに階
調表示した画像を得る事を特徴とするテレビ受像機。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2421091A JP2707158B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | カラーテレビ受像機 |
TW081100016A TW228633B (ja) | 1991-01-17 | 1992-01-03 | |
KR1019920000368A KR960011732B1 (ko) | 1991-01-17 | 1992-01-14 | 전기 광학 장치 |
US07/821,573 US5337171A (en) | 1991-01-17 | 1992-01-16 | Electro-optical device |
US08/233,983 US5666173A (en) | 1991-01-17 | 1994-04-28 | Electro-optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2421091A JP2707158B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | カラーテレビ受像機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04338927A JPH04338927A (ja) | 1992-11-26 |
JP2707158B2 true JP2707158B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=12131941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2421091A Expired - Fee Related JP2707158B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | カラーテレビ受像機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2707158B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6097352A (en) * | 1994-03-23 | 2000-08-01 | Kopin Corporation | Color sequential display panels |
US5642129A (en) * | 1994-03-23 | 1997-06-24 | Kopin Corporation | Color sequential display panels |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4977537A (ja) * | 1972-11-27 | 1974-07-26 | ||
JPS6270815A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
JPH0273225A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fujitsu Ltd | 投写型液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP2421091A patent/JP2707158B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04338927A (ja) | 1992-11-26 |
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