JP6995782B2 - 表示装置およびその作製方法 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、表示装置およびその作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、および電子機器は半導体装置を有している場合がある。

近年、高解像度の表示装置が求められている。例えば家庭用のテレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）では、解像度がフルハイビジョン（画素数１９２０×１０８０）であるものが主流となっているが、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）や、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）のように、高解像度な表示装置の開発が進められている。

また、表示装置の一つに、液晶表示装置が知られている。透過型の液晶表示装置は、液晶の光学変調作用を利用してバックライトからの光の透過量を制御することでコントラストを表現し、画像表示を行うものである。

また、電界効果トランジスタの一種として、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体膜を用いてチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタが知られている。特許文献１には、薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いられる半導体膜に、非晶質シリコンを用いる技術が開示されている。例えば液晶表示装置の場合、薄膜トランジスタは各画素のスイッチングトランジスタとして用いられる。

特開２００１－０５３２８３号公報

テレビジョン装置やモニタ装置等の表示装置の場合、解像度が高いほど、または画面サイズが大きいほど、当該表示装置が有するトランジスタ等の負荷の増大が顕著となる。これにより、特にトランジスタの電界効果移動度が低い場合は、高い駆動周波数で動作させることが難しくなる場合がある。

本発明の一態様は、高解像度な表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。または、大型化に適した表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。または、低価格の表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。または、生産性の高い表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。または、非晶質シリコン等を用いた表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。または、金属酸化物等を用いた表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の配線、第２の配線、および第３の配線と、第１のトランジスタと、第１の導電層、第２の導電層、および第３の導電層と、第１の画素電極と、を有する表示装置であって、第１の配線は、第１の方向に延在し、かつ、第２の配線および第３の配線と交差し、第２の配線および第３の配線は、それぞれ第１の方向と交差する第２の方向に延在し、第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第１の導電層、第２の導電層、および第３の導電層を介して第２の配線と電気的に接続され、第２の導電層は、第３の配線と重なる領域を有し、第１の導電層、第３の導電層、および第１の画素電極は、同一の材料を含み、第１の配線、および第２の導電層は、同一の材料を含み、第１の配線は、選択信号が供給され、第２の配線および第３の配線は、それぞれ異なる信号が供給される表示装置である。

または、上記態様において、第２の配線および第３の配線は、第１のソースドライバ、および第２のソースドライバと電気的に接続されていてもよい。

または、上記態様において、第４の配線、第５の配線、および第６の配線と、第２のトランジスタと、第４の導電層、第５の導電層、および第６の導電層と、第２の画素電極と、を有し、第４の配線は、第１の方向に延在し、かつ、第２の配線、第３の配線、第５の配線、および第６の配線と交差し、第５の配線および第６の配線は、それぞれ第１の方向と交差する第２の方向に延在し、第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第４の導電層、第５の導電層、および第６の導電層を介して第５の配線と電気的に接続され、第５の導電層は、第６の配線と重なる領域を有し、第４の導電層、第６の導電層、および第２の画素電極は、同一の材料を含み、第４の配線、および第５の導電層は、同一の材料を含み、第４の配線は、第１の配線と同一の選択信号が供給され、第２の配線、第３の配線、第５の配線、および第６の配線は、それぞれ異なる信号が供給されていてもよい。

または、上記態様において、第５の配線および第６の配線は、第１のソースドライバ、および第２のソースドライバと電気的に接続されていてもよい。

または、上記態様において、第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、第１の半導体層と、第２の半導体層とは、それぞれ第３の配線と第６の配線の間に位置する部分を有していてもよい。

または、上記態様において、第１の半導体層および第２の半導体層は、それぞれ非晶質シリコンを含んでいてもよい。

または、上記態様において、第１の半導体層および第２の半導体層は、それぞれ微結晶シリコン、または多結晶シリコンを含んでいてもよい。

または、上記態様において、第１の半導体層および第２の半導体層は、それぞれ金属酸化物を含んでいてもよい。

または、上記態様において、金属酸化物は、インジウム、亜鉛、およびＭ（Ｍはアルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム、またはハフニウム）を含んでいてもよい。

または、本発明の一態様は、表示装置の作製方法であって、作製方法は、ゲート線および第１の導電層を形成する工程と、第１の絶縁層を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、第１のソース線および第２のソース線と、半導体層と接する領域を有する第２の導電層および第３の導電層と、を形成する工程と、第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層に、第２の導電層に達する第１の開口部、第３の導電層に達する第２の開口部、および第２のソース線に達する第３の開口部を形成し、第１の絶縁層および第２の絶縁層に、第１の導電層に達する第４の開口部および第５の開口部を、第１のソース線を挟むように形成する工程と、第１の開口部を介して第２の導電層と電気的に接続されるように画素電極を形成し、第２の開口部を介して第３の導電層と電気的に接続され、第４の開口部を介して第１の導電層と電気的に接続されるように第４の導電層を形成し、第３の開口部を介して第２のソース線と電気的に接続され、第５の開口部を介して第１の導電層と電気的に接続されるように第５の導電層を形成する工程と、を有する表示装置の作製方法である。

本発明の一態様により、高解像度な表示装置およびその作製方法を提供することができる。または、大型化に適した表示装置およびその作製方法を提供することができる。または、低価格の表示装置およびその作製方法を提供することができる。または、生産性の高い表示装置およびその作製方法を提供することができる。または、信頼性の高い表示装置およびその作製方法を提供することができる。または、非晶質シリコン等を用いた表示装置およびその作製方法を提供することができる。または、金属酸化物等を用いた表示装置およびその作製方法を提供することができる。または、新規な表示装置およびその作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。

表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の構成例。 表示装置の作製方法の一例。 表示装置の作製方法の一例。 表示装置の作製方法の一例。 表示装置の作製方法の一例。 表示装置の作製方法の一例。 表示装置の作製方法の一例。 表示装置の構成例。 トランジスタの構成例。 トランジスタの構成例。 トランジスタの構成例。 トランジスタの構成例。 トランジスタの構成例。 トランジスタの構成例。 レーザ照射方法およびレーザ結晶化装置の一例。 レーザ照射方法の一例。 表示パネルの構成例。 電子機器の構成例。 実施例１のディスプレイモジュールを示すブロック図、および実施例１の画素を示す回路図。 実施例１の画素レイアウトを示す上面図。 実施例１のデータ書き込み時間の概算結果。 実施例１のデータ書き込み時間の概算結果。 実施例１のディスプレイモジュールを示すブロック図、および実施例１の画素を示す回路図。 実施例１の画素レイアウトを示す上面図。 実施例１のデータ書き込み時間の概算結果。 実施例１のデータ書き込み時間の概算結果。 実施例１のデータ書き込み時間の概算結果。 実施例１のデータ書き込み時間の概算結果。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作等を実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。

また、「ソース」や「ドレイン」の機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合等には入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、「ソース」、「ドレイン」、「ゲート」という用語は、それぞれ「ソース電極」、「ドレイン電極」、「ゲート電極」と言い換えることができる場合がある。

また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタ等のスイッチング素子、抵抗素子、コイル、容量素子、その他の各種機能を有する素子等が含まれる。

本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネル等と呼ぶ場合がある。

また、本明細書等において、タッチセンサは指やスタイラス等の被検知体が触れる、押圧する、または近づくこと等を検出する機能を有するものである。またその位置情報を検知する機能を有していてもよい。したがってタッチセンサは入力装置の一態様である。例えばタッチセンサは１以上のセンサ素子を有する構成とすることができる。

また、本明細書等では、タッチセンサを有する基板を、タッチセンサパネル、または単にタッチセンサ等と呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰ等のコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセンサモジュール、センサモジュール、または単にタッチセンサ等と呼ぶ場合がある。

なお、本明細書等において、表示装置の一態様であるタッチパネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能と、表示面に指やスタイラス等の被検知体が触れる、押圧する、または近づくこと等を検出するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネルは入出力装置の一態様である。

タッチパネルは、例えばタッチセンサ付き表示パネル（または表示装置）、タッチセンサ機能つき表示パネル（または表示装置）とも呼ぶことができる。

タッチパネルは、表示パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる。または、表示パネルの内部または表面にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる。

また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰ等のコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチパネルモジュール、表示モジュール、または単にタッチパネル等と呼ぶ場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列した表示部を有する表示装置である。表示部には、選択信号が供給される配線（ゲート線、または走査線ともいう）と、画素に書き込む信号（ビデオ信号等ともいう）が供給される配線（ソース線、信号線、データ線等ともいう）が、それぞれ複数設けられる。ここで、ゲート線同士、およびソース線同士は、それぞれ互いに平行に設けられ、ゲート線とソース線とは互いに交差する。

１つの画素は、少なくとも１つのトランジスタと、１つの表示素子と、を有する。表示素子は画素電極としての機能を有する導電層を有し、当該導電層は、トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続する。また、トランジスタは、ゲートがゲート線と電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方がソース線と電気的に接続する。

ここで、ゲート線の延伸方向を行方向または第１の方向とし、ソース線の延伸方向を列方向または第２の方向と呼ぶこととする。

ここで、隣接する３本以上のゲート線には、同じ選択信号が供給されることが好ましい。すなわち、これらゲート線の選択期間が同一となることが好ましい。特に４本のゲート線を一組とすると、駆動回路の構成を簡略化できるため好ましい。

４本のゲート線に同じ選択信号が供給される場合、列方向に隣接する４つの画素が同時に選択される。そのため、これら４つの画素には、それぞれ異なるソース線を接続する構成とする。すなわち、列ごとに４本のソース線が配列した構成とする。

列ごとに４本のソース線が配列した構成とすることで、一水平期間を従来よりも長くすることができる。例えば４本のゲート線に同じ選択信号が供給される場合では、一水平期間の長さを４倍にすることができる。さらに、ソース線間の寄生容量を低減できるため、ソース線の負荷を低減することができる。これにより、解像度が４Ｋや８Ｋ等といった極めて高解像度の表示装置であっても、電界効果移動度の低いトランジスタを用いて動作させることが可能となる。もちろん、８Ｋを超える解像度（例えば、１０Ｋ、１２Ｋまたは１６Ｋ等）の表示装置であっても、本発明の一態様の構成とすることで、動作させることが可能となる。また、画面サイズが対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上の大型の表示装置にも上述した構成を適用することが可能となる。

列ごとに４本のソース線が配列した構成とする場合、画素の左側に２本のソース線を配列し、画素の右側に２本のソース線を配列することができる。つまり、画素の左外側、左内側、右内側、右外側にそれぞれソース線を配列することができる。当該構成では、画素の左外側のソース線と電気的に接続されるトランジスタのソースが、画素の左内側のソース線と交差する。また、当該構成では、画素の右外側のソース線と電気的に接続されるトランジスタのソースが、画素の右内側のソース線と交差する。本発明の一態様では、画素電極と同一の工程で形成することができる導電層と、トランジスタのゲートと同一の工程で形成することができる導電層と、を用いて、画素の左外側のソース線と電気的に接続されるトランジスタのソースと、画素の左内側のソース線と、を短絡することを抑制する。また、本発明の一態様では、画素電極と同一の工程で形成することができる導電層と、トランジスタのゲートと同一の工程で形成することができる導電層と、を用いて、画素の右外側のソース線と電気的に接続されるトランジスタのソースと、画素の右内側のソース線と、を短絡することを抑制する。これにより、列ごとに４本のソース線が配列した構成とした場合であっても、列ごとに１本または２本のソース線が配列した構成とした場合と比較して工程数、具体的にはフォトリソグラフィ工程の工程数が増加することを抑制することができる。つまり、フォトマスクの数が増加することを抑制することができる。これにより、表示装置の作製コストの増加を抑制することができる。

以下では、表示装置のより具体的な例について、図面を参照して説明する。

［表示装置の構成例］
図１に、本発明の一態様の表示装置１０のブロック図を示している。表示装置１０は、表示部１７と、ゲートドライバ１２ａと、ゲートドライバ１２ｂと、ソースドライバ１３ａと、ソースドライバ１３ｂと、を有する。表示部１７には、画素１１がマトリクス状に設けられる。なお、本明細書等において、ｉ行ｊ列目の画素１１を画素１１（ｉ，ｊ）と記載する。

図１では、ゲートドライバ１２ａと、ゲートドライバ１２ｂと、が表示部１７を挟んで対向する位置に設けられる例を示している。ゲートドライバ１２ａおよびゲートドライバ１２ｂには、複数の配線ＧＬ_０が接続される。図１では、配線ＧＬ_０（ｉ）を示している。配線ＧＬ_０（ｉ）は、４本の配線（配線ＧＬ（ｉ）、配線ＧＬ（ｉ＋１）、配線ＧＬ（ｉ＋２）、配線ＧＬ（ｉ＋３））と電気的に接続されている。したがって、これら４本の配線には同じ選択信号が与えられる。なお、配線ＧＬ_０および配線ＧＬは、ゲート線としての機能を有する。

ゲートドライバ１２ａおよびゲートドライバ１２ｂは、同一の配線ＧＬ_０に同一の選択信号を供給する機能を有する。これにより、表示装置１０がゲートドライバを１個だけ有する場合より、配線ＧＬ_０の充放電時間を短くすることができる。これにより、解像度が４Ｋや８Ｋ等といった極めて高解像度の表示装置であっても、電界効果移動度の低いトランジスタを用いて動作させることが可能となる。また、画面サイズが対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上の大型の表示装置にも本発明の一態様の表示装置を適用することが可能となる。

図１では、ソースドライバ１３ａと、ソースドライバ１３ｂと、が表示部１７を挟んで設けられる例を示している。ソースドライバ１３ａおよびソースドライバ１３ｂには、複数の配線が接続される。配線は１つの画素列に対して４本設けられる。図１では、ｊ番目の画素列に対応する４本の配線（配線ＳＬ_１（ｊ）、配線ＳＬ_２（ｊ）、配線ＳＬ_３（ｊ）、配線ＳＬ_４（ｊ））と、ｊ＋１番目の画素列に対応する４本の配線（配線ＳＬ_１（ｊ＋１）、配線ＳＬ_２（ｊ＋１）、配線ＳＬ_３（ｊ＋１）、配線ＳＬ_４（ｊ＋１））を示している。異なる配線には、それぞれ異なる信号を供給することができる。例えば、配線ＳＬ_１（ｊ）、配線ＳＬ_２（ｊ）、配線ＳＬ_３（ｊ）、および配線ＳＬ_４（ｊ）には、それぞれ異なる信号を供給することができる。なお、配線ＳＬ（配線ＳＬ_１、配線ＳＬ_２、配線ＳＬ_３、配線ＳＬ_４）は、ソース線としての機能を有する。

ソースドライバ１３ａおよびソースドライバ１３ｂは、同一の配線ＳＬに同一の信号を供給する機能を有する。これにより、表示装置１０がソースドライバを１個だけ有する場合より、配線ＳＬの充放電時間を短くすることができる。これにより、解像度が４Ｋや８Ｋ等といった極めて高解像度の表示装置であっても、電界効果移動度の低いトランジスタを用いて動作させることが可能となる。また、画面サイズが対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上の大型の表示装置にも本発明の一態様の表示装置を適用することが可能となる。

１つの画素１１は１つの色に対応する画素である。したがって、複数の画素が呈する光の混色を利用してカラー表示を行う場合には、画素１１を副画素とも呼ぶことができる。

また、列方向に一列に配列する複数の画素は、それぞれ同じ色を呈する画素であることが好ましい。表示素子として液晶素子を用いる場合には、列方向に一列に配列する画素には、液晶素子と重ねて同じ色の光を透過する着色層を設ける構成とする。

ここで、電界効果移動度の低いトランジスタを適用する際、表示装置の表示部を複数の表示領域に分割して駆動することができる。しかし上記方法の場合、駆動回路の特性ばらつき等により、分割された表示領域の境界部が視認されてしまい、視認性が低下してしまう場合がある。また、入力される画像データをあらかじめ分割するための画像処理等が必要となり、高速かつ大規模な画像処理装置が必要になる。

一方、本発明の一態様の表示装置は、電界効果移動度が比較的低いトランジスタを用いた場合であっても、表示部を複数の表示領域に分割することなく駆動することが可能となる。

表示装置１０には、保護回路を設けてもよい。図２は、図１に示す構成の表示装置１０に、保護回路１８ａ、保護回路１８ｂ、保護回路１９ａ、および保護回路１９ｂを設けた場合の表示装置１０のブロック図を示す。保護回路１８ａおよび保護回路１８ｂは、配線ＧＬ_０と電気的に接続されている。保護回路１９ａおよび保護回路１９ｂは、配線ＳＬ_１、配線ＳＬ_２、配線ＳＬ_３、および配線ＳＬ_４と電気的に接続されている。

保護回路１８ａは、ゲートドライバ１２ａの側に設けることができ、保護回路１８ｂは、ゲートドライバ１２ｂの側に設けることができる。つまり、保護回路１８ａと、保護回路１８ｂは、表示部１７を挟んで対向する位置に設けることができる。また、保護回路１９ａは、ソースドライバ１３ａの側に設けることができ、保護回路１９ｂは、ソースドライバ１３ｂの側に設けることができる。つまり、保護回路１９ａと、保護回路１９ｂは、表示部１７を挟んで対向する位置に設けることができる。

表示装置１０に保護回路を設けることにより、ノイズ、サージまたは静電気放電等から画素１１を保護することができる。これにより、表示装置１０の信頼性を高めることができる。

図１では、１つの画素列あたりソース線を４本設けたが、本発明の一態様はこれに限らない。図３では、１つの画素列あたりソース線を３本（配線ＳＬ_１、配線ＳＬ_２、配線ＳＬ_３）設ける構成を示す。当該構成の表示装置１０において、配線ＧＬ_０（ｉ）は、３本の配線（配線ＧＬ（ｉ）、配線ＧＬ（ｉ＋１）、配線ＧＬ（ｉ＋２））と電気的に接続され、これら３本の配線には同じ選択信号が与えられる。なお、本発明の一態様において、１つの画素列あたりソース線を５本以上設けてもよい。

図１では、ゲートドライバとソースドライバをそれぞれ２個ずつ配置した例を示したが、ゲートドライバとソースドライバの一方または両方を１個だけ配置する構成としてもよい。

図４では、ソースドライバ１３ａとソースドライバ１３ｂを、それぞれ１つの画素列あたり１個ずつ配置した例を示している。つまり、画素列と同数のソースドライバ１３ａが、矩形の表示部１７の一辺に沿って設けられ、ソースドライバ１３ａと表示部１７を挟んで対向した位置に、画素列と同数のソースドライバ１３ｂが設けられる。また、図４では、ゲートドライバ１２ａとゲートドライバ１２ｂを、それぞれ１本の配線ＧＬ_０あたり１個ずつ配置した例を示している。つまり、画素行を４で割った数のゲートドライバ１２ａが、矩形の表示部１７の一辺に沿って設けられ、ゲートドライバ１２ａと表示部１７を挟んで対向した位置に、画素行を４で割った数のゲートドライバ１２ｂが設けられる。このような構成とすることで、大型の表示装置であっても配線抵抗に起因した電位降下に伴う表示ムラを軽減することができる。

表示装置１０には、基準電圧生成回路を設けることができる。基準電圧生成回路は、ソースドライバが供給する信号の基準電圧を生成する機能を有する。基準電圧生成回路として、例えばガンマリファレンス生成回路とすることができる。図５は、図４に示す構成の表示装置１０に、ソースドライバ１３ａに基準電圧を供給する機能を有する基準電圧生成回路１６ａと、ソースドライバ１３ｂに基準電圧を供給する機能を有する基準電圧生成回路１６ｂと、が設けられた場合を示している。表示装置１０を図５に示す構成とすることにより、各ソースドライバ１３ａから生成される信号の電圧の精度、および各ソースドライバ１３ｂから生成される信号の電圧の精度を高めることができる。

図６は、図４に示す構成の表示装置１０に、ソースドライバ１３ａおよびソースドライバ１３ｂに基準電圧を供給する機能を有する基準電圧生成回路１６が設けられた場合を示している。表示装置１０を図６に示す構成とした場合であっても、各ソースドライバ１３ａから生成される信号の電圧の精度、および各ソースドライバ１３ｂから生成される信号の電圧の精度を高めることができる。

［画素の構成例］
以下では、表示装置１０の表示部１７に配置される画素の構成例について説明する。

図７には、列方向に一列に配列する４つの画素である画素１１（ｉ，ｊ）、画素１１（ｉ＋１，ｊ）、画素１１（ｉ＋２，ｊ）、および画素１１（ｉ＋３，ｊ）を含む回路図を示している。

１つの画素１１は、トランジスタ３０と、液晶素子２０と、容量素子６０と、を有する。

配線Ｓ１乃至配線Ｓ４は、それぞれソース線に対応し、配線Ｇ１乃至配線Ｇ４は、それぞれゲート線に対応する。例えば、図７に示す場合では、配線Ｓ１は配線ＳＬ_１（ｊ）に対応し、配線Ｓ２は配線ＳＬ_２（ｊ）に対応し、配線Ｓ３は配線ＳＬ_３（ｊ）に対応し、配線Ｓ４は配線ＳＬ_４（ｊ）に対応する。また、図７に示す場合では、配線Ｇ１は配線ＧＬ（ｉ）に対応し、配線Ｇ２は配線ＧＬ（ｉ＋１）に対応し、配線Ｇ３は配線ＧＬ（ｉ＋２）に対応し、配線Ｇ４は配線ＧＬ（ｉ＋３）に対応する。

画素１１（ｉ，ｊ）が有するトランジスタ３０のソースまたはドレインの一方には、配線Ｓ１が電気的に接続され、画素１１（ｉ，ｊ）が有するトランジスタ３０のゲートには、配線Ｇ１が電気的に接続される。画素１１（ｉ＋１，ｊ）が有するトランジスタ３０のソースまたはドレインの一方には、配線Ｓ２が電気的に接続され、画素１１（ｉ＋１，ｊ）が有するトランジスタ３０のゲートには、配線Ｇ２が電気的に接続される。画素１１（ｉ＋２，ｊ）が有するトランジスタ３０のソースまたはドレインの一方には、配線Ｓ３が電気的に接続され、画素１１（ｉ＋２，ｊ）が有するトランジスタ３０のゲートには、配線Ｇ３が電気的に接続される。画素１１（ｉ＋３，ｊ）が有するトランジスタ３０のソースまたはドレインの一方には、配線Ｓ４が電気的に接続され、画素１１（ｉ＋３，ｊ）が有するトランジスタ３０のゲートには、配線Ｇ４が電気的に接続される。

また、トランジスタ３０のソースまたはドレインの他方は、容量素子６０の一方の電極、および液晶素子２０の一方の電極（画素電極）と電気的に接続される。容量素子６０の他方の電極には、配線ＣＳが電気的に接続され、配線ＣＳには共通電位が供給される。

トランジスタ３０は、オン状態とオフ状態とを切り替えることにより、ソース線から供給された信号の画素１１への書き込みを制御する機能を有する。具体的には、トランジスタ３０をオン状態とすることにより、ソース線から供給された信号に対応する電荷を、当該トランジスタ３０と電気的に接続された容量素子６０に書き込むことができる。また、トランジスタ３０をオフ状態とすることにより、容量素子６０に書き込まれた電荷を保持することができる。

ここで、トランジスタ３０は、アモルファスシリコンを用いたトランジスタとすることができる。アモルファスシリコンを用いたトランジスタは電界効果移動度を高めることが困難であるが、本発明の一態様の表示装置は、このようなトランジスタを用いた場合であっても、４Ｋや８Ｋ等といった極めて高解像度とすることができる。また、画面サイズが対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上の大型の表示装置とすることができる。

または、トランジスタ３０として、チャネル形成領域に金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）を含むトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタともいう）を用いることができる。金属酸化物は、シリコン等の半導体よりもエネルギーギャップが大きく、ＯＳトランジスタは少数キャリア密度を低くすることができる。そのため、ＯＳトランジスタがオフ状態であるときに、ＯＳトランジスタのソースとドレイン間を流れる電流（以下、オフ電流ともいう）は極めて小さい。よって、トランジスタ３０としてＯＳトランジスタを用いることにより、容量素子６０に長期間電荷を保持することができる。これにより、容量素子６０への電荷の書き込みの頻度、つまりリフレッシュ動作の頻度を減らすことができ、表示装置１０の消費電力を低減することができる。

本明細書等において、金属酸化物とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）等に分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、およびスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ ＦＥＴは、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタを指す。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）、およびＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、および絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、および高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

図８（Ａ）には、画素１１（ｉ＋２，ｊ）および画素１１（ｉ＋３，ｊ）のレイアウトの例を示している。

図８（Ａ）等において、同一のレイヤーに設けられた構成要素には、同一のハッチングを付している。なお、以降の図でも、同一のレイヤーに設けられた構成要素には、同一のハッチングを付す場合がある。

図８（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に配線Ｇ３、配線Ｇ４、および配線ＣＳが延在し、列方向（縦方向）に配線Ｓ１乃至配線Ｓ４が延在している。

画素１１（ｉ＋２，ｊ）の構成例について説明する。画素１１（ｉ＋２，ｊ）が有するトランジスタ３０において、配線Ｇ３上に半導体層３２が設けられ、配線Ｇ３の一部がゲートとしての機能を有する。また、配線Ｓ３の一部がソースまたはドレインの一方としての機能を有する。半導体層３２は、配線Ｓ２と配線Ｓ３の間に位置する領域を有する。

また、トランジスタ３０のソースまたはドレインの他方、および容量素子６０の一方の電極としての機能を有する導電層３３ａが、半導体層３２と電気的に接続されるように設けられる。また、画素電極としての機能を有する導電層２１が設けられ、開口部３８を介して導電層３３ａと導電層２１が電気的に接続されている。

画素１１（ｉ＋３，ｊ）の構成例について説明する。画素１１（ｉ＋３，ｊ）が有するトランジスタ３０において、配線Ｇ４上に半導体層３２が設けられ、配線Ｇ４の一部がゲートとしての機能を有する。半導体層３２は、配線Ｓ２と配線Ｓ３の間に位置する領域を有する。

また、トランジスタ３０のソースまたはドレインの他方、および容量素子６０の一方の電極としての機能を有する導電層３３ａが、半導体層３２と電気的に接続されるように設けられる。また、画素電極としての機能を有する導電層２１が設けられ、開口部３８を介して導電層３３ａと導電層２１が電気的に接続されている。

また、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方としての機能を有する導電層５１が、半導体層３２と電気的に接続されるように設けられる。導電層５１は、導電層２１と同一のレイヤーに形成される導電層５２と、開口部７１を介して電気的に接続されている。導電層５２は、配線Ｇ４と同一のレイヤーに形成される導電層５３と、開口部７２を介して電気的に接続されている。導電層５３は、導電層２１と同一のレイヤーに形成される導電層５４と、開口部７３を介して電気的に接続されている。導電層５４は、配線Ｓ４と、開口部７４を介して電気的に接続されている。

つまり、画素１１（ｉ＋３，ｊ）において、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方としての機能を有する導電層５１は、導電層５２、導電層５３、および導電層５４を介して配線Ｓ４と電気的に接続されている。画素１１（ｉ＋３，ｊ）を図８（Ａ）に示す構成とする場合、導電層５１、配線Ｓ３、および配線Ｓ４は同一のレイヤーに設けられ、導電層５３は配線Ｓ３と重なる領域を有するが、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方が配線Ｓ３と短絡することを抑制することができる。また、導電層５２および導電層５４は、画素電極としての機能を有する導電層２１と同一の工程で形成することができ、導電層５３は、配線Ｇ４と同一の工程で形成することができる。これにより、列ごとに４本のソース線が配列した構成とした場合であっても、列ごとに１本または２本のソース線が配列した構成とした場合と比較して工程数、具体的にはフォトリソグラフィ工程の工程数が増加することを抑制することができる。つまり、フォトマスクの数が増加することを抑制することができる。これにより、表示装置の作製コストの増加を抑制することができる。

図８（Ｂ）には、画素１１（ｉ，ｊ）および画素１１（ｉ＋１，ｊ）のレイアウトの例を示している。図８（Ｂ）に示すように、配線Ｇ１および配線Ｇ２が行方向に延在している。

画素１１（ｉ，ｊ）において、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方としての機能を有する導電層５１は、導電層５２、導電層５３、および導電層５４を介して配線Ｓ１と電気的に接続されている。それ以外の点は、画素１１（ｉ，ｊ）の構成と画素１１（ｉ＋３，ｊ）の構成は同様である。

画素１１（ｉ＋１，ｊ）において、配線Ｓ２の一部が、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方としての機能を有する。それ以外の点は、画素１１（ｉ＋１，ｊ）の構成と画素１１（ｉ＋２，ｊ）の構成は同様である。

以上が画素の構成例についての説明である。

［断面構成例］
以下では、表示装置の断面構成の一例について説明する。

〔断面構成例１〕
図９に、図８（Ａ）中の切断線Ａ１－Ａ２に対応する断面の一例を示す。ここでは、表示素子として透過型の液晶素子２０を適用した場合の例を示している。図９において、基板１５側が表示面側となる。

表示装置１０は、基板１４と基板１５との間に液晶２２が挟持された構成を有している。液晶素子２０は、基板１４側に設けられた導電層２１と、基板１５側に設けられた導電層２３と、これらに挟持された液晶２２と、を有する。また、液晶２２と導電層２１との間に配向膜２４ａが設けられ、液晶２２と導電層２３との間に配向膜２４ｂが設けられている。

導電層２１は、画素電極としての機能を有する。また導電層２３は、共通電極等としての機能を有する。また導電層２１と導電層２３は、いずれも可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子２０は、透過型の液晶素子である。

基板１５の基板１４側の面には、着色層４１と、遮光層４２が設けられている。着色層４１と遮光層４２を覆って絶縁層２６が設けられ、絶縁層２６を覆って導電層２３が設けられている。また着色層４１は、導電層２１と重なる領域に設けられている。遮光層４２は、トランジスタ３０および開口部３８等を覆って設けられている。

基板１４よりも外側には偏光板３９ａが配置され、基板１５よりも外側には偏光板３９ｂが配置されている。さらに、偏光板３９ａよりも外側に、バックライトユニット９０が設けられている。

基板１４上にトランジスタ３０、容量素子６０等が設けられている。トランジスタ３０は、画素１１の選択トランジスタとしての機能を有する。トランジスタ３０は、開口部３８を介して液晶素子２０と電気的に接続されている。

図９に示すトランジスタ３０は、いわゆるボトムゲート・チャネルエッチ構造のトランジスタである。トランジスタ３０は、ゲートとしての機能を有する導電層３１と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層３４と、半導体層３２と、ソース領域およびドレイン領域としての機能を有する一対の不純物半導体層３５と、ソースおよびドレインとしての機能を有する一対の導電層３３ａおよび導電層３３ｂと、を有する。半導体層３２の、導電層３１と重畳する部分は、チャネル形成領域としての機能を有する。不純物半導体層３５は半導体層３２と接して設けられ、導電層３３ａおよび導電層３３ｂは不純物半導体層３５と接して設けられる。

本明細書等において、不純物半導体層を単に半導体層と呼ぶ場合がある。

なお、導電層３１は、図８（Ａ）における配線Ｇ３の一部に対応し、導電層３３ｂは、配線Ｓ３の一部に対応する。また、後述する導電層３１ａ、導電層３３ｃはそれぞれ、配線ＣＳの一部、配線Ｓ４の一部に対応する。

半導体層３２には、シリコンを含む半導体を用いることが好ましい。例えば、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、または多結晶シリコン等を用いることができる。特に、アモルファスシリコンを用いると、大型の基板上に歩留り良く形成できるため好ましい。本発明の一態様の表示装置は、電界効果移動度が比較的低いアモルファスシリコンが適用されたトランジスタを用いた場合であっても、良好な表示が可能である。

不純物半導体層３５は、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体により形成する。トランジスタがｎ型である場合には、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体として、例えば、ＰまたはＡｓを添加したシリコンが挙げられる。または、トランジスタがｐ型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えばＢを添加することも可能であるが、トランジスタはｎ型とすることが好ましい。なお、不純物半導体層３５は、非晶質半導体により形成してもよいし、微結晶半導体などの結晶性半導体により形成してもよい。

容量素子６０は、導電層３１ａと、絶縁層３４と、導電層３３ａにより構成されている。また、導電層３１上には、絶縁層３４を介して導電層３３ｃが設けられている。

また、トランジスタ３０等を覆って、絶縁層８２と絶縁層８１が積層して設けられている。画素電極としての機能を有する導電層２１は絶縁層８１上に設けられている。また、絶縁層８１および絶縁層８２に設けられた開口部３８を介して、導電層２１と導電層３３ａが電気的に接続されている。絶縁層８１は、平坦化層としての機能を有することが好ましい。また絶縁層８２は、トランジスタ３０等へ不純物等が拡散することを抑制する保護膜としての機能を有することが好ましい。例えば、絶縁層８２に無機絶縁材料を用い、絶縁層８１に有機絶縁材料を用いることができる。

本明細書等において、絶縁層８２および絶縁層８１をまとめて１つの絶縁層とみなす場合がある。

〔断面構成例２〕
図１０に、図８（Ａ）中の切断線Ｂ１－Ｂ２に対応する断面の一例を示す。図１０に示すトランジスタ３０は、ゲートとしての機能を有する導電層３１と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層３４と、半導体層３２と、ソース領域およびドレイン領域としての機能を有する一対の不純物半導体層３５と、ソースおよびドレインとしての機能を有する一対の導電層３３ａおよび導電層５１と、を有する。半導体層３２の、導電層３１と重畳する部分は、チャネル形成領域としての機能を有する。不純物半導体層３５は半導体層３２と接して設けられ、導電層３３ａおよび導電層５１は不純物半導体層３５と接して設けられる。

なお、導電層３１は、図８（Ａ）における配線Ｇ４の一部に対応する。また、図９に示す場合と同様に、導電層３１ａ、導電層３３ｂ、導電層３３ｃはそれぞれ、配線ＣＳの一部、配線Ｓ３の一部、および配線Ｓ４の一部に対応する。また、導電層３３ｂは、絶縁層３４を介して導電層５３と重なる領域を有するように設けられている。

また、前述のように、絶縁層８１および絶縁層８２に設けられた開口部７１を介して、導電層５１と導電層５２が電気的に接続されている。絶縁層８１、絶縁層８２、および絶縁層３４に設けられた開口部７２を介して、導電層５２と導電層５３が電気的に接続されている。絶縁層８１、絶縁層８２、および絶縁層３４に設けられた開口部７３を介して、導電層５３と導電層５４が電気的に接続されている。絶縁層８１および絶縁層８２に設けられた開口部７４を介して、導電層５４と導電層３３ｃが電気的に接続されている。つまり、前述のように、導電層５２、導電層５３、および導電層５４を介して、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方としての機能を有する導電層５１と、配線Ｓ４の一部に対応する導電層３３ｃと、が電気的に接続されている。また、開口部７２と開口部７３は、導電層３３ｂを挟んで形成されている。以上により、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方としての機能を有する導電層５１が、配線Ｓ３の一部に対応する導電層３３ｂと短絡することが抑制されている。なお、図１０に示すように、導電層５２および導電層５４は、導電層２１と同一のレイヤーに形成されており、導電層５３は、導電層３１および導電層３１ａと同一のレイヤーに形成されている。

なお、同一のレイヤーに形成された構成要素は、同一の材料を有することができる。つまり、例えば導電層２１、導電層５２、および導電層５４は、それぞれ同一の材料を有することができる。また、例えば導電層３１、導電層３１ａ、および導電層５３は、それぞれ同一の材料を有することができる。

〔断面構成例３〕
図１１に、図１０に示す構成の変形例を示す。図１１では、着色層４１を基板１４側に設けた場合の例を示している。これにより、基板１５側の構成を簡略化することができる。

なお、着色層４１を平坦化膜として用いる場合には、絶縁層８１を設けない構成としてもよい。これにより、表示装置１０の作製工程数を低減することができ、表示装置１０の作製コストを低減することができる。

〔断面構成例４〕
図１２に、図１０に示す構成の変形例を示す。図１２では、導電層５２、導電層５３、導電層５４、開口部７２、および開口部７３を省略した場合の例を示している。この場合、導電層５１と導電層３３ｃは、導電層２１と同一のレイヤーに形成された導電層５５を介して電気的に接続されている。具体的には、開口部７１を介して導電層５１と導電層５５が電気的に接続され、開口部７４を介して導電層３３ｃと導電層５５が電気的に接続されている。図１２に示す構成を用いる場合にも、導電層５１と導電層３３ｂが短絡することを抑制することができる。

〔断面構成例５〕
図１３に、図９に示す構成の変形例を、図１４に、図１０に示す構成の変形例を、図１５に、図１１に示す構成の変形例を、図１６に、図１２に示す構成の変形例をそれぞれ示す。図１３乃至図１６に示す構成は、不純物半導体層３５を有しない点が、図９乃至図１２に示す構成と異なる。

図１３乃至図１６に示す構成では、半導体層３２には、金属酸化物を含む半導体を用いることが好ましい。半導体層３２に金属酸化物を含む半導体を用いる、つまりトランジスタ３０をＯＳトランジスタとすることで、前述のように、ソース線から供給された信号に対応する電荷を、容量素子６０に長期間保持することができる。これにより、容量素子６０への電荷の書き込みの頻度、つまりリフレッシュ動作の頻度を減らすことができ、表示装置１０の消費電力を低減することができる。

以上が断面構成例についての説明である。

［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。

〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂等の材料を用いることができる。

厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。または、可撓性を有する程度に薄いガラス等を基板に用いることもできる。または、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。

〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲートとしての機能を有する導電層と、半導体層と、ソースとしての機能を有する導電層と、ドレインとしての機能を有する導電層と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層と、を有する。

なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲートが設けられていてもよい。

〔半導体層〕
トランジスタに用いる半導体層の結晶性は特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層には、例えば、第１４族の元素（シリコン、ゲルマニウム等）を用いることができる。トランジスタの半導体層としてシリコンを用いる場合、シリコンとして、特にアモルファスシリコンを用いることが好ましい。アモルファスシリコンを用いることで、大型の基板上に歩留り良くトランジスタを形成できるため、本発明の一態様の表示装置の量産性を高めることができる。

また、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン等の結晶性を有するシリコンを用いることもできる。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、かつアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。

本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板等を好適に用いることができる。一方、トップゲート型のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつき等を低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコン等を用いる場合に適している場合がある。

トランジスタの半導体層には、金属酸化物を用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む金属酸化物等を適用できる。

特にシリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

シリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示部に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。

半導体層は、例えば少なくともインジウム、亜鉛およびＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたはハフニウム等の金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。また、該半導体層を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、上記Ｍで記載の金属を含め、例えば、ガリウム、スズ、ハフニウム、アルミニウム、またはジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。

半導体層を構成する金属酸化物として、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの原子数比は問わない。例えば、原子数比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１としてもよいし、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１としてもよいし、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２としてもよいし、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３としてもよいし、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６としてもよいし、これらの値の近傍としてもよい。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

また、半導体層と導電層は、上記酸化物のうち同一の金属元素を有していてもよい。半導体層と導電層を同一の金属元素とすることで、製造コストを低減させることができる。例えば、同一の金属組成の金属酸化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また半導体層と導電層を加工する際のエッチングガスまたはエッチング液を共通して用いることができる。ただし、半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異なる場合がある。例えば、トランジスタおよび容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱離し、異なる金属組成となる場合がある。

半導体層を構成する金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であることが好ましい。このように、エネルギーギャップの広い金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

半導体層を構成する金属酸化物がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が好ましい。なお、成膜される半導体層に含まれる金属元素の原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

半導体層を構成する金属酸化物は、後述するＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅであることが好ましい。これにより、トランジスタの電界効果移動度を高めることができる。

半導体層には、キャリア密度の低い金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、半導体層は、キャリア密度が１×１０^１７／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１５／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１３／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１１／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１０／ｃｍ^３未満であり、１×１０^－９／ｃｍ^３以上の金属酸化物を用いることができる。このような半導体層は、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため、安定な特性を有する。なお、半導体層が金属酸化物である場合、不純物として、例えば水または水素等が挙げられる。

本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い金属酸化物を、高純度真性な金属酸化物、または実質的に高純度真性な金属酸化物と呼ぶ場合がある。

高純度真性または実質的に高純度真性な金属酸化物は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、該金属酸化物を有するトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性である金属酸化物は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度真性または実質的に高純度真性である金属酸化物を有するトランジスタは、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅Ｗが１×１０^６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソースとドレイン間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０^－１３Ａ以下という特性を得ることができる。

なお、本発明の一態様に適用可能な半導体層は上記に限られず、必要とするトランジスタの半導体特性および電気特性（電界効果移動度、しきい値電圧等）に応じて適切な組成の材料を用いればよい。また、必要とするトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切な値とすることが好ましい。

半導体層を構成する金属酸化物において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、ｎ型化してしまう場合がある。このため、半導体層におけるシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とすることが好ましい。

また、アルカリ金属およびアルカリ土類金属は、金属酸化物と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にすることが好ましい。

また、半導体層は、例えば非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、例えば、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高い。

非晶質構造の金属酸化物は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さない。

なお、半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積層構造を有する場合がある。

〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極等の導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金等が挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

また、トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極等の導電層に用いることのできる、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等の導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタン等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料または合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜等を用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線および電極等の導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極としての機能を有する導電層）にも用いることができる。

〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシ等の樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることもできる。

また、半導体層が金属酸化物を含む場合、当該半導体層と接する領域を有する絶縁層は、化学量論的組成よりも過剰に酸素を含有する領域（過剰酸素領域）を有することが好ましい。例えば、半導体層３２と接する領域を有する絶縁層３４および絶縁層８２は、過剰酸素領域を有することが好ましい。これにより、絶縁層３４および絶縁層８２から半導体層３２に酸素を供給することができる。半導体層３２が金属酸化物を含む場合、当該金属酸化物中に酸素欠損が形成されると、当該酸素欠損に水素等の不純物が入ることにより、キャリアである電子が生成される場合がある。これにより、トランジスタの電気特性が劣化する場合がある。半導体層と接する領域を有する絶縁層が過剰酸素領域を有する場合、絶縁層から半導体層へ酸素を供給することができ、酸素欠損を補填することができる。これにより、トランジスタの電気特性の劣化を抑制することができる。なお、絶縁層に過剰酸素領域を設けるには、例えば、酸素雰囲気下で絶縁層を形成すればよい。または、成膜後の絶縁層を酸素雰囲気下で熱処理すればよい。

〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モード等を用いることができる。

また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードのほかに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ゲストホストモード等が適用された液晶素子を用いることができる。

なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。

また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。

また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、または半透過型の液晶素子等がある。

本発明の一態様では、特に透過型の液晶素子を好適に用いることができる。

透過型または半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、２つの偏光板を設ける。また偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を有する直下型のバックライトを用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジュールの厚さを低減できるため好ましい。

なお、エッジライト型のバックライトをオフ状態とすることで、シースルー表示を行うことができる。

〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料等が挙げられる。

〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属等の無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層とを同じ材料で形成することで、同じ装置を用いることができるほか工程を簡略化できるため好ましい。

以上が各構成要素についての説明である。

［画素等の作製方法の一例］
以下では、表示装置１０の作製方法例について説明する。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、それぞれ、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法の例として、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法および熱ＣＶＤ法等が挙げられる。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法が挙げられる。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、それぞれ、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット印刷、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷等の方法、またはドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートにより形成することができる。

表示装置を構成する薄膜は、リソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、もしくはリフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。

フォトリソグラフィ法を用いて加工する場合、露光に用いる光としては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、およびこれらを混合させた光が挙げられる。そのほか、紫外光、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。露光に用いる光としては、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ）およびＸ線等が挙げられる。また、露光には、光ではなく電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。

〔作製方法の一例１〕
図１０に示す構成の、画素１１（ｉ＋３，ｊ）等の作製方法の一例を図１７乃至図１９に示す。表示装置１０の作製の際は、まず、基板１４上に導電層を成膜する。次に、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行い、エッチング法等により当該導電層を加工することにより、導電層３１、導電層３１ａ、および導電層５３を形成する（図１７（Ａ））。前述のように、導電層３１は配線Ｇ３の一部に対応し、導電層３１ａは配線ＣＳの一部に対応する。

次に、絶縁層３４を形成する。前述の通り、絶縁層３４は、表示装置１０に設けられたトランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する。

その後、絶縁層３４上に半導体層を成膜する。半導体層として例えばアモルファスシリコンを用いる場合、モノシラン等を原料としてＣＶＤ法等により成膜することができる。これにより、半導体層に含まれるシリコンの未結合手（ダングリングボンド）を水素により終端させ、熱力学的に安定化することができる。このように、水素を含んだアモルファスシリコンを水素化アモルファスシリコンと呼ぶ。

次に、上記半導体層上に、不純物を含んだ半導体層である不純物半導体層を成膜する。不純物半導体層として例えば水素化アモルファスシリコンを用いる場合、トランジスタをｎ型とする際は、モノシラン等の原料中にホスフィンまたはアルシン等を添加して、ＣＶＤ法等により成膜することができる。また、トランジスタをｐ型とする際は、モノシラン等の原料中にジボラン等を添加して、ＣＶＤ法等により不純物半導体層を成膜することができる。

その後、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行い、成膜した半導体層をエッチング法等により加工することにより、半導体層３２および不純物半導体層３５を形成する（図１７（Ｂ））。

次に、絶縁層３４上および不純物半導体層３５上に導電層を成膜する。その後、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行い、エッチング法等により当該導電層を加工することにより、導電層５１、導電層３３ａ、導電層３３ｂ、および導電層３３ｃを形成する（図１７（Ｃ））。前述のように、導電層５１はトランジスタ３０のソースまたはドレインの一方として機能し、導電層３３ａはトランジスタ３０のソースまたはドレインの他方、および容量素子６０の一方の電極としての機能を有する。また、導電層３３ｂは配線Ｓ３の一部に対応し、導電層３３ｃは配線Ｓ４の一部に対応する。また、導電層３３ｂは、導電層５３と重なる領域を有するように形成される。

次に、絶縁層８２を成膜し、その後、絶縁層８１を成膜する。絶縁層８１の成膜後、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｍｅｎｔ）法等により、絶縁層８１に対して平坦化処理を行う。

次に、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行う。その後、エッチング法等により絶縁層８１および絶縁層８２を加工することにより、導電層５１に達する開口部７１、導電層３３ａに達する開口部３８、および導電層３３ｃに達する開口部７４を形成する。また、エッチング法等により絶縁層８１、絶縁層８２、および絶縁層３４を加工することにより、導電層５３に達する開口部７２および開口部７３を、導電層３３ｂを挟むように形成する（図１８（Ａ））。以上により、開口部３８、および開口部７１乃至開口部７４が形成される。

次に、絶縁層８１上、開口部３８、および開口部７１乃至開口部７４に導電層を成膜する。その後、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行い、エッチング法等により当該導電層を加工することにより、導電層２１、導電層５２、および導電層５４を形成する（図１８（Ｂ））。導電層２１は、開口部３８を介して導電層３３ａと電気的に接続される。導電層５２は、開口部７１を介して導電層５１と電気的に接続され、開口部７２を介して導電層５３と電気的に接続される。導電層５４は、開口部７３を介して導電層５３と電気的に接続され、開口部７４を介して導電層３３ｃと電気的に接続される。前述のように、導電層２１は、表示装置１０に設けられた液晶素子の画素電極としての機能を有する。また、トランジスタ３０のソースまたはドレインの一方としての機能を有する導電層５１は、配線Ｓ４の一部に対応する導電層３３ｃと、導電層５２、導電層５３、および導電層５４を介して電気的に接続されている。

次に、配向膜２４ａを形成する（図１９（Ａ））。その後、基板１５上に、遮光層４２、着色層４１、絶縁層２６、導電層２３、および配向膜２４ｂを形成する（図１９（Ｂ））。着色層４１は、フォトリソグラフィ法、印刷法、またはインクジェット法を用いて形成することができる。例えばインクジェット法を用いることにより、着色層４１を室温で形成、低真空度で形成、または大型基板上に形成することができる。これにより、解像度が４Ｋや８Ｋ等といった極めて高解像度の表示装置にも、着色層４１を形成することができる。また、画面サイズが対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上の大型の表示装置にも着色層４１を形成することができる。また、レジストマスクを用いなくても着色層４１を形成することができるため、表示装置１０の作製工程数を低減することができ、作製コストを低減することができる。

次に、図１９（Ａ）に示す基板１４と、図１９（Ｂ）に示す基板１５との間に、接着層（図示せず）を用いて液晶２２を封止する。その後、偏光板３９ａ、偏光板３９ｂ、およびバックライトユニット９０を形成する。以上により、図１０に示す構成の表示装置１０を作製することができる。

ここで、表示装置を作製する際、作製工程におけるフォトリソグラフィ工程が少ないほど、すなわちフォトマスクのマスク枚数が少ないほど、作製コストを低くすることができる。

例えば、図１７および図１８に示す工程（基板１４側の工程）のうち、導電層３１等の形成工程（図１７（（Ａ））、半導体層３２等の形成工程（図１７（Ｂ））、導電層３３ａ等の形成工程（図１７（Ｃ））、開口部３８等の形成工程（図１８（Ａ））、および導電層２１等の形成工程（図１８（Ｂ））の、計５つのフォトリソグラフィ工程を経ることで表示装置１０を作製できる。すなわち、５枚のフォトマスクにより、バックプレーン基板を作製することができる。

表示装置を、１つの画素列あたりソース線を１本または２本設ける構成とする場合、図１０に示す構成の画素１１を設けなくてもよく、例えばすべての画素１１の構成を図９に示す構成とすることができる。この場合であっても、バックプレーン基板を作製する際には、計５つのフォトリソグラフィ工程を経る必要がある。つまり、フォトマスクは５枚必要となる。以上より、１つの画素列あたりソース線を４本設ける構成とする場合であっても、１つの画素列あたりソース線を１本または２本設ける場合と同じ枚数のフォトマスクで表示装置を作製することができる。これにより、１つの画素列あたりソース線を４本設ける構成の表示装置の作製コストが、１つの画素列あたりソース線を１本または２本設ける構成の表示装置の作製コストより増加することを抑制することができる。

〔作製方法の一例２〕
図１４に示す構成の、画素１１（ｉ＋３，ｊ）等の作製方法の一例を図２０乃至図２２に示す。図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２１（Ａ）、（Ｂ）、および図２２（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ図１７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１８（Ａ）、（Ｂ）、および図１９（Ａ）、（Ｂ）に対応する。図２０乃至図２２に示す作製方法は、図２０（Ｂ）に示す工程において不純物半導体層３５を形成しない点が、先述の作製方法と異なる。

図２０乃至図２２に示す作製方法では、絶縁層３４上に成膜する半導体層として、例えば金属酸化物を用いることができる。この場合、当該半導体層は、スパッタリング法により成膜することができる。半導体層として例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いる場合、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物をターゲットに用いたスパッタリング法により半導体層を成膜することができる。その他の工程は、図１７乃至図１９に示す作製方法と同様に行うことができる。

以上が画素等の作製方法の一例についての説明である。

〔導電層の形状について〕
ゲート線やソース線等の配線に用いることのできる導電層は、金属や合金等の低抵抗な材料を用いると、配線抵抗を低減することができるため好ましい。また、大画面の表示装置を作製する場合には、配線の幅を大きくすることも有効である。しかしながら、このような導電層は可視光を透過しないため、透過型の液晶表示装置においては、配線自体の幅が大きくなることや、配線数の増加に伴い、開口率の低下を招く場合がある。

そこで、導電層の端部の形状を工夫することで、バックライトユニットからの光を効率的に取り出すことができる。

図２３（Ａ）には、ソース線等を構成する導電層３３とその近傍の断面図を示している。導電層３３は、その端部が逆テーパ形状を有している。導電層３３は、例えば導電層３３ａ、導電層３３ｂ、導電層３３ｃとみなすことができる。または、導電層３３は、例えば導電層５１とみなすことができる。

ここで、テーパ角とは薄膜の端部における、その底面（被形成面と接する面）と、その側面との角度を言う。テーパ角は、０度より大きく、１８０度未満である。また、テーパ角が９０度よりも小さい場合を順テーパ、９０度よりも大きい場合を逆テーパと呼ぶ。

図２３（Ａ）に示すように、導電層３３が逆テーパ形状を有することで、バックライトユニットから入射される光５０の一部は、導電層３３の側面で反射し、液晶２２に到達する。その結果、導電層３３の側面が垂直である場合、および順テーパ形状である場合に比べて、光取り出し効率を高めることができる。

ここで、導電層３３のテーパ角は、９０度より大きく１３５度未満、好ましくは９１度以上１２０度以下、より好ましくは９５度以上１１０度以下とすることが好ましい。

また、図２３（Ｂ）では、ゲート線等を構成する導電層３１が、逆テーパ形状を有する場合の例を示している。導電層３３に加えて導電層３１も逆テーパ形状とすることで、より効果的に光取り出し効率を高めることができる。

以上が導電層の形状についての説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置等に用いることができるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。

〔トランジスタの構成例１〕
以下では、図９乃至図１２等に示したトランジスタの変形例について説明する。

図２４（Ａ）に示すトランジスタは、半導体層３２と不純物半導体層３５の間に、半導体層３７を有する。

半導体層３７は、半導体層３２と同様の半導体膜により形成されていてもよい。半導体層３７は、不純物半導体層３５のエッチングの際に、半導体層３２がエッチングにより消失することを防ぐためのエッチングストッパとしての機能を有する。なお、図２４（Ａ）において、半導体層３７が左右に分離している例を示しているが、半導体層３７の一部が半導体層３２のチャネル形成領域を覆っていてもよい。

また、半導体層３７は、不純物半導体層３５よりも低濃度の不純物が含まれていてもよい。これにより、半導体層３７をＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域として機能させることができ、トランジスタを駆動させたときのホットチャネル効果を抑制することができる。

図２４（Ｂ）に示すトランジスタは、半導体層３２のチャネル形成領域上に、絶縁層８４が設けられている。絶縁層８４は、不純物半導体層３５のエッチングの際のエッチングストッパとしての機能を有する。

図２４（Ｃ）に示すトランジスタは、半導体層３２に代えて、半導体層３２ｐを有する。半導体層３２ｐは、結晶性の高い半導体膜を含む。例えば半導体層３２ｐは、多結晶半導体または単結晶半導体を含む。これにより、電界効果移動度の高いトランジスタとすることができる。

図２４（Ｄ）に示すトランジスタは、半導体層３２のチャネル形成領域に半導体層３２ｐを有する。例えば図２４（Ｄ）に示すトランジスタは、半導体層３２となる半導体膜に対してレーザ光などを照射することにより、局所的に結晶化することにより形成することができる。これにより、電界効果移動度の高いトランジスタを実現できる。

図２４（Ｅ）に示すトランジスタは、図２４（Ａ）で示したトランジスタの半導体層３２のチャネル形成領域に、結晶性の半導体層３２ｐを有する。

図２４（Ｆ）に示すトランジスタは、図２４（Ｂ）で示したトランジスタの半導体層３２のチャネル形成領域に、結晶性の半導体層３２ｐを有する。

〔トランジスタの構成例２〕
以下では、図１３乃至図１６等に示したトランジスタの変形例について説明する。

トランジスタの構造の一例として、トランジスタ２００ａについて、図２５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。図２５（Ａ）はトランジスタ２００ａの上面図である。図２５（Ｂ）は、図２５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図２５（Ｃ）は、図２５（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。なお、図２５（Ａ）において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ２００ａの構成要素の一部（ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層等）を省略して図示している。なお、以下において、一点鎖線Ｘ１－Ｘ２方向をチャネル長方向、一点鎖線Ｙ１－Ｙ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図２５（Ａ）と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。

トランジスタ２００ａは、絶縁層２２４上の導電層２２１と、絶縁層２２４上および導電層２２１上の絶縁層２１１と、絶縁層２１１上の半導体層２３１と、半導体層２３１上および絶縁層２１１上の導電層２２２ａと、半導体層２３１上および絶縁層２１１上の導電層２２２ｂと、半導体層２３１上、導電層２２２ａ上、および導電層２２２ｂ上の絶縁層２１２と、絶縁層２１２上の導電層２２３と、を有する。

なお、絶縁層２２４は、絶縁層ではなく基板とすることができる。絶縁層２２４を基板とする場合、当該基板は実施の形態１に示した基板１４と同様の材料を含む基板とすることができる。

また、導電層２２１および導電層２２３は、例えば実施の形態１に示した導電層３１と同様の材料を含むことができる。絶縁層２１１は、例えば実施の形態１に示した絶縁層３４と同様の材料を含むことができる。導電層２２２ａおよび導電層２２２ｂは、例えば実施の形態１に示した導電層３３および導電層５１と同様の材料を含むことができる。絶縁層２１２は、実施の形態１に示した絶縁層８２と同様の材料を含むことができる。

また、半導体層２３１として、実施の形態１に示した半導体層３２と同様に、金属酸化物を含む半導体層を用いることができる。本実施の形態では、半導体層２３１が金属酸化物を含む半導体層であるとして説明を行う。

絶縁層２１１および絶縁層２１２は、開口部２３５を有する。導電層２２３は、開口部２３５を介して、導電層２２１と電気的に接続される。

ここで、絶縁層２１１は、トランジスタ２００ａの第１のゲート絶縁層としての機能を有し、絶縁層２１２は、トランジスタ２００ａの第２のゲート絶縁層としての機能を有する。また、トランジスタ２００ａにおいて、導電層２２１は、第１のゲートとしての機能を有し、導電層２２２ａは、ソースまたはドレインの一方としての機能を有し、導電層２２２ｂは、ソースまたはドレインの他方としての機能を有する。また、トランジスタ２００ａにおいて、導電層２２３は、第２のゲートとしての機能を有する。

なお、トランジスタ２００ａは、いわゆるチャネルエッチ型のトランジスタであり、デュアルゲート構造を有する。

また、トランジスタ２００ａは、導電層２２３を設けない構成にすることもできる。この場合、トランジスタ２００ａは、いわゆるチャネルエッチ型のトランジスタであり、ボトムゲート構造を有する。

図２５（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、半導体層２３１は、導電層２２１、および導電層２２３と対向するように位置し、２つのゲートの機能を有する導電層に挟まれている。導電層２２３のチャネル長方向の長さ、および導電層２２３のチャネル幅方向の長さは、半導体層２３１のチャネル長方向の長さ、および半導体層２３１のチャネル幅方向の長さよりもそれぞれ長く、半導体層２３１の全体は、絶縁層２１２を介して導電層２２３に覆われている。

別言すると、導電層２２１および導電層２２３は、絶縁層２１１および絶縁層２１２に設けられる開口部２３５において接続され、かつ半導体層２３１の側端部よりも外側に位置する領域を有する。

このような構成を有することで、トランジスタ２００ａに含まれる半導体層２３１を、導電層２２１および導電層２２３の電界によって電気的に囲むことができる。トランジスタ２００ａのように、第１のゲートおよび第２のゲートの電界によって、チャネル形成領域が形成される半導体層を、電気的に囲むトランジスタのデバイス構造をｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。

トランジスタ２００ａは、ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、第１のゲートの機能を有する導電層２２１によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に半導体層２３１に印加することができるため、トランジスタ２００ａの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ２００ａを微細化することが可能となる。また、トランジスタ２００ａは、半導体層２３１が、第１のゲートの機能を有する導電層２２１および第２のゲートの機能を有する導電層２２３によって囲まれた構造を有するため、トランジスタ２００ａの機械的強度を高めることができる。

ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造であるトランジスタ２００ａは電界効果移動度が高く、かつ駆動能力が高いので、トランジスタ２００ａを駆動回路、代表的にはゲートドライバに用いることで、額縁幅の狭い（狭額縁ともいう）表示装置を提供することができる。

次に、トランジスタの構造の一例として、トランジスタ２００ｂについて、図２６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。図２６（Ａ）はトランジスタ２００ｂの上面図である。図２６（Ｂ）は、図２６（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図２６（Ｃ）は、図２６（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。

トランジスタ２００ｂは、半導体層２３１、導電層２２２ａ、導電層２２２ｂ、および絶縁層２１２が積層構造である点において、トランジスタ２００ａと異なる。

絶縁層２１２は、半導体層２３１上、導電層２２２ａ上、および導電層２２２ｂ上の絶縁層２１２ａと、絶縁層２１２ａ上の絶縁層２１２ｂを有する。絶縁層２１２は、半導体層２３１に酸素を供給する機能を有する。すなわち、絶縁層２１２は、酸素を有する。また、絶縁層２１２ａは、酸素を透過することのできる絶縁層である。なお、絶縁層２１２ａは、後に形成する絶縁層２１２ｂを形成する際の、半導体層２３１へのダメージ緩和膜としても機能する。

絶縁層２１２ａとしては、厚さが５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることができる。

また、絶縁層２１２ａは、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が３×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。これは、絶縁層２１２ａに含まれる欠陥の密度が多いと、該欠陥に酸素が結合してしまい、絶縁層２１２ａにおける酸素の透過性が減少してしまうためである。

なお、絶縁層２１２ａにおいては、外部から絶縁層２１２ａに入った酸素が全て絶縁層２１２ａの外部に移動せずに、酸素が絶縁層２１２ａにとどまる場合もある。また、絶縁層２１２ａに酸素が入ると共に、絶縁層２１２ａに含まれる酸素が絶縁層２１２ａの外部へ移動することで、絶縁層２１２ａにおいて酸素の移動が生じる場合もある。絶縁層２１２ａとして酸素を透過することができる酸化物絶縁層を形成すると、絶縁層２１２ａ上に設けられる、絶縁層２１２ｂから脱離する酸素を、絶縁層２１２ａを介して半導体層２３１に移動させることができる。

また、絶縁層２１２ａとしては、窒素酸化物に起因する準位密度が低い酸化物絶縁層を用いることができる。なお、当該窒素酸化物に起因する準位密度は、金属酸化物の価電子帯の上端のエネルギーと金属酸化物の伝導帯の下端のエネルギーの間に形成され得る場合がある。上記酸化物絶縁層として、窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化シリコン膜、または窒素酸化物の放出量が少ない酸化窒化アルミニウム膜等を用いることができる。

なお、窒素酸化物の放出量の少ない酸化窒化シリコン膜は、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）において、窒素酸化物の放出量よりアンモニアの放出量が多い膜であり、代表的にはアンモニアの放出量が１×１０^１８／ｃｍ^３以上５×１０^１９／ｃｍ^３以下である。なお、アンモニアの放出量は、膜の表面温度が５０℃以上６５０℃以下、好ましくは５０℃以上５５０℃以下の加熱処理による放出量とする。

窒素酸化物（ＮＯ_ｘ、ｘは０よりも大きく２以下、好ましくは１以上２以下）、代表的にはＮＯ_２またはＮＯは、絶縁層２１２ａ等に準位を形成する。当該準位は、半導体層２３１のエネルギーギャップ内に位置する。そのため、窒素酸化物が、絶縁層２１２ａおよび半導体層２３１の界面に拡散すると、当該準位が絶縁層２１２ａ側において電子をトラップする場合がある。この結果、トラップされた電子が、絶縁層２１２ａおよび半導体層２３１界面近傍に留まるため、トランジスタのしきい値電圧をプラス方向にシフトさせてしまう。

また、窒素酸化物は、加熱処理においてアンモニアおよび酸素と反応する。絶縁層２１２ａに含まれる窒素酸化物は、加熱処理において、絶縁層２１２ｂに含まれるアンモニアと反応するため、絶縁層２１２ａに含まれる窒素酸化物が低減される。このため、絶縁層２１２ａおよび半導体層２３１の界面において、電子がトラップされにくい。

絶縁層２１２ａとして、上記酸化物絶縁層を用いることで、トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減することが可能であり、トランジスタの電気特性の変動を低減することができる。

また、上記酸化物絶縁層は、ＳＩＭＳで測定される窒素濃度が６×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。

基板温度が２２０℃以上３５０℃以下であり、シランおよび一酸化二窒素を用いたＰＥＣＶＤ法を用いて、上記酸化物絶縁層を形成することで、緻密であり、かつ硬度の高い膜を形成することができる。

絶縁層２１２ｂは、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁層である。上記の酸化物絶縁層は、加熱により酸素の一部が脱離する。なお、ＴＤＳにおいて、上記の酸化物絶縁層は、酸素の放出量が１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは３．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の領域を有する。また、上記の酸素の放出量は、ＴＤＳにおける加熱処理の温度が５０℃以上６５０℃以下、または５０℃以上５５０℃以下の範囲での総量である。また、上記の酸素の放出量は、ＴＤＳにおける酸素原子に換算しての総量である。

絶縁層２１２ｂとしては、厚さが３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることができる。

また、絶縁層２１２ｂは、欠陥量が少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するｇ＝２．００１に現れる信号のスピン密度が１．５×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３未満、さらには１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。なお、絶縁層２１２ｂは、絶縁層２１２ａと比較して半導体層２３１から離れているため、絶縁層２１２ａより、欠陥密度が多くともよい。

また、絶縁層２１２ａと絶縁層２１２ｂは、同種の材料の絶縁層を用いることができるため、絶縁層２１２ａと絶縁層２１２ｂの界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁層２１２ａと絶縁層２１２ｂの界面は、破線で図示している。なお、本実施の形態においては、絶縁層２１２ａと絶縁層２１２ｂの２層構造について説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁層２１２ａの単層構造、あるいは３層以上の積層構造としてもよい。

トランジスタ２００ｂにおいて、半導体層２３１は、絶縁層２１１上の半導体層２３１＿１と、半導体層２３１＿１上の半導体層２３１＿２と、を有する。なお、半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２は、それぞれ同じ元素を有する。例えば、半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２は、上述の半導体層２３１が有する元素を有することが好ましい。

また、半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２は、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が大きい領域を有すると好ましい。一例としては、半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２のＩｎ、Ｍ、およびＺｎの原子数の比を、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍とすると好ましい。ここで、近傍とは、Ｉｎが４の場合、Ｍが１．５以上２．５以下であり、かつＺｎが２以上４以下であることを意味する。または、半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２のＩｎ、Ｍ、およびＺｎの原子数の比を、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍とすると好ましい。このように、半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２を概略同じ組成とすることで、同じスパッタリングターゲットを用いて形成できるため、製造コストを抑制することが可能である。また、同じスパッタリングターゲットを用いる場合、同一チャンバーにて真空中で連続して半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２を成膜することができるため、半導体層２３１＿１と半導体層２３１＿２との界面に不純物が取り込まれるのを抑制することができる。

ここで、半導体層２３１＿１は、半導体層２３１＿２よりも結晶性が低い領域を有していてもよい。なお、半導体層２３１＿１および半導体層２３１＿２の結晶性は、例えば、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）を用いて分析する、あるいは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて分析することで解析できる。

半導体層２３１＿１の結晶性が低い領域が過剰酸素の拡散経路となり、半導体層２３１＿１よりも結晶性の高い半導体層２３１＿２にも過剰酸素を拡散させることができる。このように、結晶構造が異なる半導体層の積層構造とし、結晶性の低い領域を過剰酸素の拡散経路とすることで、信頼性の高いトランジスタを提供することができる。

また、半導体層２３１＿２が、半導体層２３１＿１より結晶性が高い領域を有することにより、半導体層２３１に混入しうる不純物を抑制することができる。特に、半導体層２３１＿２の結晶性を高めることで、導電層２２２ａおよび導電層２２２ｂを形成する際のダメージを抑制することができる。半導体層２３１の表面、すなわち半導体層２３１＿２の表面は、導電層２２２ａおよび導電層２２２ｂを形成する際のエッチャントまたはエッチングガスに曝される。しかしながら、半導体層２３１＿２は、結晶性が高い領域を有する場合、結晶性が低い半導体層２３１＿１と比較してエッチング耐性に優れる。したがって、半導体層２３１＿２は、エッチングストッパとしての機能を有する。

また、半導体層２３１＿１は、半導体層２３１＿２よりも結晶性が低い領域を有することで、キャリア密度が高くなる場合がある。

また、半導体層２３１＿１のキャリア密度が高くなると、半導体層２３１＿１の伝導帯に対してフェルミ準位が相対的に高くなる場合がある。これにより、半導体層２３１＿１の伝導帯の下端が低くなり、半導体層２３１＿１の伝導帯下端と、ゲート絶縁層（ここでは、絶縁層２１１）中に形成されうるトラップ準位とのエネルギー差が大きくなる場合がある。該エネルギー差が大きくなることにより、ゲート絶縁層中にトラップされる電荷が少なくなり、トランジスタのしきい値電圧の変動を小さくできる場合がある。また、半導体層２３１＿１のキャリア密度が高くなると、半導体層２３１の電界効果移動度を高めることができる。

なお、トランジスタ２００ｂにおいては、半導体層２３１を２層の積層構造にする例を示したが、これに限定されず、３層以上積層する構成にしてもよい。

トランジスタ２００ｂが有する導電層２２２ａは、導電層２２２ａ＿１と、導電層２２２ａ＿１上の導電層２２２ａ＿２と、導電層２２２ａ＿２上の導電層２２２ａ＿３と、を有する。また、トランジスタ２００ｂが有する導電層２２２ｂは、導電層２２２ｂ＿１と、導電層２２２ｂ＿１上の導電層２２２ｂ＿２と、導電層２２２ｂ＿２上の導電層２２２ｂ＿３と、を有する。

例えば、導電層２２２ａ＿１、導電層２２２ｂ＿１、導電層２２２ａ＿３、および導電層２２２ｂ＿３としては、チタン、タングステン、タンタル、モリブデン、インジウム、ガリウム、錫、および亜鉛の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有することが好ましい。また、導電層２２２ａ＿２および導電層２２２ｂ＿２としては、銅、アルミニウム、および銀の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有することが好ましい。

より具体的には、導電層２２２ａ＿１、導電層２２２ｂ＿１、導電層２２２ａ＿３、および導電層２２２ｂ＿３にＩｎ－Ｓｎ酸化物またはＩｎ－Ｚｎ酸化物を用い、導電層２２２ａ＿２および導電層２２２ｂ＿２に銅を用いることができる。

また、導電層２２２ａ＿１の端部は、導電層２２２ａ＿２の端部よりも外側に位置する領域を有し、導電層２２２ａ＿３は、導電層２２２ａ＿２の上面および側面を覆い、かつ導電層２２２ａ＿１と接する領域を有する。また、導電層２２２ｂ＿１の端部は、導電層２２２ｂ＿２の端部よりも外側に位置する領域を有し、導電層２２２ｂ＿３は、導電層２２２ｂ＿２の上面および側面を覆い、かつ導電層２２２ｂ＿１と接する領域を有する。

上記構成とすることで、導電層２２２ａおよび導電層２２２ｂの配線抵抗を低くし、かつ半導体層２３１への銅の拡散を抑制できるため好ましい。

次に、トランジスタの構造の一例として、トランジスタ２００ｃについて、図２７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。図２７（Ａ）はトランジスタ２００ｃの上面図である。図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図２７（Ｃ）は、図２７（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。

トランジスタ２００ｃは、絶縁層２２４上の導電層２２１と、導電層２２１上および絶縁層２２４上の絶縁層２１１と、絶縁層２１１上の半導体層２３１と、半導体層２３１上および絶縁層２１１上の絶縁層２１６と、半導体層２３１上および絶縁層２１６上の導電層２２２ａと、半導体層２３１上および絶縁層２１６上の導電層２２２ｂと、絶縁層２１６、導電層２２２ａ、および導電層２２２ｂ上の絶縁層２１２と、絶縁層２１２上の導電層２２３と、を有する。

絶縁層２１１、絶縁層２１６、および絶縁層２１２は、開口部２３５を有する。トランジスタ２００ｃの第１のゲートとしての機能を有する導電層２２１は、開口部２３５を介して、トランジスタ２００ｃの第２のゲートとしての機能を有する導電層２２３と電気的に接続される。また、絶縁層２１６は、開口部２３８ａおよび開口部２３８ｂを有する。トランジスタ２００ｃのソースまたはドレインの一方としての機能を有する導電層２２２ａは、開口部２３８ａを介して、半導体層２３１と電気的に接続される。トランジスタ２００ｃのソースまたはドレインの他方としての機能を有する導電層２２２ｂは、開口部２３８ｂを介して、半導体層２３１と電気的に接続される。

絶縁層２１６は、トランジスタ２００ｃのチャネル保護層としての機能を有する。絶縁層２１６を有しない場合、エッチング法等により導電層２２２ａおよび導電層２２２ｂを形成する際に、半導体層２３１のチャネル形成領域にダメージが与えられる場合がある。これにより、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。絶縁層２１６を形成し、開口部２３８ａおよび開口部２３８ｂを設けた後に導電層を成膜し、当該導電層をエッチング法等により加工して導電層２２２ａおよび導電層２２２ｂを形成することにより、半導体層２３１のチャネル形成領域へのダメージを抑制することができる。これにより、トランジスタの電気特性を安定化させ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。

絶縁層２１６は、例えば絶縁層２１２と同様の材料を含むことができる。

絶縁層２１６は、過剰酸素領域を有することが好ましい、絶縁層２１６が過剰酸素領域を有することで、半導体層２３１のチャネル形成領域に酸素を供給することができる。よって、当該チャネル形成領域に形成される酸素欠損を過剰酸素により補填することができるため、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

また、開口部２３８ａおよび開口部２３８ｂの形成後、半導体層２３１に不純物元素を添加することが好ましい。具体的には、酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素を添加すると好ましい。これにより、詳細は後述するが、半導体層２３１の、導電層２２２ａと重なる領域（ソース領域またはドレイン領域の一方）、および導電層２２２ｂと重なる領域（ソース領域またはドレイン領域の他方）の導電性を高くすることができる。これにより、トランジスタ２００ｃの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。

なお、トランジスタ２００ｃは、いわゆるチャネル保護型のトランジスタであり、デュアルゲート構造を有する。

トランジスタ２００ｃは、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂと同様にｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造をとる。このような構成を有することで、トランジスタ２００ｃに含まれる半導体層２３１を、導電層２２１および導電層２２３の電界によって電気的に取り囲むことができる。

トランジスタ２００ｃは、ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、導電層２２１または導電層２２３によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に半導体層２３１に印加することができる。これにより、トランジスタ２００ｃの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ２００ｃを微細化することが可能となる。また、トランジスタ２００ｃは、半導体層２３１が、導電層２２１、および導電層２２３によって取り囲まれた構造を有するため、トランジスタ２００ｃの機械的強度を高めることができる。

なお、トランジスタ２００ｃは、導電層２２３を設けない構成にすることもできる。この場合、トランジスタ２００ｃは、いわゆるチャネル保護型のトランジスタであり、ボトムゲート構造を有する。

次に、トランジスタの構造の一例について、図２８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）を用いて説明する。

図２８（Ａ）、（Ｂ）はトランジスタ２００ｄの断面図であり、図２８（Ｃ）、（Ｄ）はトランジスタ２００ｅの断面図である。なお、トランジスタ２００ｄは、先に示すトランジスタ２００ｂの変形例であり、トランジスタ２００ｅは、先に示すトランジスタ２００ｃの変形例である。したがって、図２８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）において、トランジスタ２００ｂおよびトランジスタ２００ｃと同様の機能を有する部分については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。

なお、図２８（Ａ）はトランジスタ２００ｄのチャネル長方向の断面図であり、図２８（Ｂ）はトランジスタ２００ｄのチャネル幅方向の断面図である。また、図２８（Ｃ）はトランジスタ２００ｅのチャネル長方向の断面図であり、図２８（Ｄ）はトランジスタ２００ｅのチャネル幅方向の断面図である。

図２８（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ２００ｄは、トランジスタ２００ｂと比較し、導電層２２３、および開口部２３５が設けられない。また、トランジスタ２００ｄは、トランジスタ２００ｂと比較し、絶縁層２１２、導電層２２２ａ、および導電層２２２ｂの構成が異なる。

トランジスタ２００ｄにおいて、絶縁層２１２は、絶縁層２１２ｃと、絶縁層２１２ｃ上の絶縁層２１２ｄとを有する。絶縁層２１２ｃとしては、半導体層２３１に酸素を供給する機能と、不純物（代表的には、水、水素等）の入り込みを抑制する機能と、を有する。絶縁層２１２ｃとしては、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜を用いることができる。特に、絶縁層２１２ｃとしては、反応性スパッタリング法によって形成される酸化アルミニウム膜であることが好ましい。なお、反応性スパッタリング法で酸化アルミニウム膜を形成する方法の一例としては、以下に示す方法が挙げられる。

まず、スパッタリングチャンバー内に、不活性ガス（代表的にはＡｒガス）と、酸素ガスと、を混合したガスを導入する。続けて、スパッタリングチャンバーに配置されたアルミニウムターゲットに電圧を印加することで、酸化アルミニウム膜を成膜することができる。なお、アルミニウムターゲットに電圧を印加する電源としては、ＤＣ電源、ＡＣ電源、またはＲＦ電源が挙げられる。特に、ＤＣ電源を用いると生産性が向上するため好ましい。

絶縁層２１２ｄは、不純物（代表的には水、水素等）の入り込みを抑制する機能を有する。絶縁層２１２ｄとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜を用いることができる。特に、絶縁層２１２ｄとして、ＰＥＣＶＤ法によって形成される窒化シリコン膜を用いることが好ましい。ＰＥＣＶＤ法によって形成される窒化シリコン膜は、高い膜密度を得られやすいため好ましい。なお、ＰＥＣＶＤ法によって形成される窒化シリコン膜は、膜中の水素濃度が高い場合がある。

トランジスタ２００ｄにおいては、絶縁層２１２ｄの下層には絶縁層２１２ｃが配置されているため、絶縁層２１２ｄに含まれる水素は、半導体層２３１側に拡散しない、または拡散し難い。

なお、トランジスタ２００ｄは、トランジスタ２００ｂとは異なり、シングルゲート構造を有するトランジスタである。シングルゲート構造を有するトランジスタとすることで、マスク枚数を低減できるため、生産性を高めることができる。

図２８（Ｃ）、（Ｄ）に示すトランジスタ２００ｅは、トランジスタ２００ｃと比較し、絶縁層２１６、および絶縁層２１２の構成が異なる。具体的には、トランジスタ２００ｅは、絶縁層２１６の代わりに絶縁層２１６ａを有し、絶縁層２１２の代わりに絶縁層２１２ｄを有する。また、トランジスタ２００ｅにおいて、半導体層２３１は、半導体層２３１＿１と半導体層２３１＿２を有する。

絶縁層２１６ａは、絶縁層２１２ｃと同様の機能を有する。

トランジスタ２００ｄ、およびトランジスタ２００ｅの構造とすることで、大きな設備投資を行わずに、既存の生産ラインを用いて製造することができる。例えば、水素化アモルファスシリコンの生産ラインを、酸化物半導体の生産ラインに簡易的に置き換えることが可能となる。

次に、トランジスタの構造の一例として、トランジスタ２００ｆについて、図２９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。図２９（Ａ）はトランジスタ２００ｆの上面図である。図２９（Ｂ）は、図２９（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間における切断面の断面図に相当し、図２９（Ｃ）は、図２９（Ａ）に示す一点鎖線Ｙ１－Ｙ２間における切断面の断面図に相当する。

図２９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すトランジスタ２００ｆは、絶縁層２２４上の導電層２２１と、導電層２２１上および絶縁層２２４上の絶縁層２１１と、絶縁層２１１上の半導体層２３１と、半導体層２３１上の絶縁層２１２と、絶縁層２１２上の導電層２２３と、絶縁層２１１上、半導体層２３１上、および導電層２２３上の絶縁層２１５を有する。なお、半導体層２３１は、導電層２２３と重なるチャネル形成領域２３１ｉと、絶縁層２１５と接するソース領域２３１ｓと、絶縁層２１５と接するドレイン領域２３１ｄと、を有する。

また、絶縁層２１５は、窒素または水素を有する。絶縁層２１５と、ソース領域２３１ｓおよびドレイン領域２３１ｄと、が接することで、絶縁層２１５中の窒素または水素がソース領域２３１ｓおよびドレイン領域２３１ｄ中に添加される。ソース領域２３１ｓおよびドレイン領域２３１ｄは、窒素または水素が添加されることで、キャリア密度が高くなる。

また、トランジスタ２００ｆは、絶縁層２１５に設けられた開口部２３６ａを介してソース領域２３１ｓに電気的に接続される導電層２２２ａを有してもよい。また、トランジスタ２００ｆは、絶縁層２１５に設けられた開口部２３６ｂを介してドレイン領域２３１ｄに電気的に接続される導電層２２２ｂを有してもよい。

絶縁層２１１は、第１のゲート絶縁層としての機能を有し、絶縁層２１２は、第２のゲート絶縁層としての機能を有する。また、絶縁層２１５は保護絶縁層としての機能を有する。

また、絶縁層２１２は、過剰酸素領域を有する。絶縁層２１２が過剰酸素領域を有することで、半導体層２３１が有するチャネル形成領域２３１ｉ中に過剰酸素を供給することができる。よって、チャネル形成領域２３１ｉに形成されうる酸素欠損を過剰酸素により補填することができるため、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

なお、半導体層２３１中に過剰酸素を供給させるためには、半導体層２３１の下方に形成される絶縁層２１１に過剰酸素を供給してもよい。この場合、絶縁層２１１中に含まれる過剰酸素は、半導体層２３１が有するソース領域２３１ｓ、およびドレイン領域２３１ｄにも供給されうる。ソース領域２３１ｓ、およびドレイン領域２３１ｄ中に過剰酸素が供給されると、ソース領域２３１ｓ、およびドレイン領域２３１ｄの抵抗が高くなる場合がある。

一方で、半導体層２３１の上方に形成される絶縁層２１２に過剰酸素を有する構成とすることで、チャネル形成領域２３１ｉにのみ選択的に過剰酸素を供給させることが可能となる。あるいは、チャネル形成領域２３１ｉ、ソース領域２３１ｓ、およびドレイン領域２３１ｄに過剰酸素を供給させたのち、ソース領域２３１ｓおよびドレイン領域２３１ｄのキャリア密度を選択的に高めることで、ソース領域２３１ｓ、およびドレイン領域２３１ｄの抵抗が高くなることを抑制することができる。

また、半導体層２３１が有するソース領域２３１ｓおよびドレイン領域２３１ｄは、それぞれ、酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素を有すると好ましい。当該酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素としては、代表的には水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、希ガス元素等が挙げられる。また、希ガス元素の代表例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、およびキセノン等がある。上記酸素欠損を形成する元素、または酸素欠損と結合する元素が、絶縁層２１５中に１つまたは複数含まれる場合、絶縁層２１５からソース領域２３１ｓ、およびドレイン領域２３１ｄに拡散する、および／または不純物添加処理によりソース領域２３１ｓ、およびドレイン領域２３１ｄ中に添加される。

不純物元素が金属酸化物に添加されると、金属酸化物中の金属元素と酸素の結合が切断され、酸素欠損が形成される。または、不純物元素が金属酸化物に添加されると、金属酸化物中の金属元素と結合していた酸素が不純物元素と結合し、金属元素から酸素が脱離され、酸素欠損が形成される。これらの結果、金属酸化物においてキャリア密度が増加し、導電性が高くなる。

また、導電層２２１は、第１のゲートとしての機能を有し、導電層２２３は、第２のゲートとしての機能を有し、導電層２２２ａは、ソースとしての機能を有し、導電層２２２ｂは、ドレインとしての機能を有する。

また、図２９（Ｃ）に示すように、絶縁層２１１および絶縁層２１２には開口部２３７が設けられる。また、導電層２２１は、開口部２３７を介して、導電層２２３と電気的に接続される。よって、導電層２２１と導電層２２３には、同じ電位が与えられる。なお、開口部２３７を設けずに、導電層２２１と、導電層２２３と、に異なる電位を与えてもよい。または、開口部２３７を設けずに、導電層２２１を遮光膜として用いてもよい。例えば、導電層２２１を遮光性の材料により形成することで、チャネル形成領域２３１ｉに照射される下方からの光を抑制することができる。

また、図２９（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、半導体層２３１は、第１のゲートとしての機能を有する導電層２２１と、第２のゲートとしての機能を有する導電層２２３のそれぞれと対向するように位置し、２つのゲートとしての機能を有する導電層に挟まれている。

また、トランジスタ２００ｆもトランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、およびトランジスタ２００ｃと同様にｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造をとる。このような構成を有することで、トランジスタ２００ｆに含まれる半導体層２３１を、第１のゲートとしての機能を有する導電層２２１および第２のゲートとしての機能を有する導電層２２３の電界によって電気的に取り囲むことができる。

トランジスタ２００ｆは、ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、導電層２２１または導電層２２３によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に半導体層２３１に印加することができる。これにより、トランジスタ２００ｆの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタ２００ｆを微細化することが可能となる。また、トランジスタ２００ｆは、半導体層２３１が、導電層２２１、および導電層２２３によって取り囲まれた構造を有するため、トランジスタ２００ｆの機械的強度を高めることができる。

なお、トランジスタ２００ｆを、導電層２２３の半導体層２３１に対する位置、または導電層２２３の形成方法から、ＴＧＳＡ（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ）型のＦＥＴと呼称してもよい。

なお、トランジスタ２００ｆにおいても、トランジスタ２００ｂと同様に半導体層２３１を２層以上積層する構成にしてもよい。

また、トランジスタ２００ｆにおいて、絶縁層２１２が導電層２２３と重なる部分にのみ設けられているが、これに限られることなく、絶縁層２１２が半導体層２３１を覆う構成にすることもできる。また、導電層２２１を設けない構成にすることもできる。

本実施の形態は、他の実施の形態等に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、トランジスタの半導体層に用いることのできる多結晶シリコンの結晶化方法およびレーザ結晶化装置の一例について説明する。

結晶性の良好な多結晶シリコン層を形成するには、基板上に非晶質シリコン層を設け、当該非晶質シリコン層にレーザ光を照射して結晶化することが好ましい。例えば、レーザ光を線状ビームとし、当該線状ビームを非晶質シリコン層に照射しながら基板を移動させることで、基板上の所望の領域に多結晶シリコン層を形成することができる。

線状ビームを用いた方法は、スループットが比較的良好である。一方で、ある領域に対してレーザ光が相対的に移動しながら複数回照射される方法であるため、レーザ光の出力変動およびそれに起因するビームプロファイルの変化による結晶性のばらつきが生じやすい。例えば、当該方法で結晶化させた半導体層を表示装置の画素が有するトランジスタに用いると、結晶性のばらつきに起因したランダムな縞模様が画像を表示する際に見えることがある。

また、線状ビームの長さは基板の一辺の長さ以上であることが理想的であるが、線状ビームの長さは、レーザ発振器の出力と光学系の構成によって制限される。したがって、大型基板の処理では基板面内を折り返してレーザ照射することが現実的である。そのため、レーザ光をオーバーラップして照射する領域が生じる。当該領域の結晶性は、他の領域の結晶性と異なりやすいため、当該領域では表示ムラが生じることがある。

上記のような問題を抑えるために、基板上に形成した非晶質シリコン層に局所的にレーザ照射を行って結晶化させてもよい。局所的なレーザ照射では、結晶性のばらつきの少ない多結晶シリコン層を形成しやすい。

図３０（Ａ）は、基板上に形成した非晶質シリコン層に局所的にレーザ照射を行う方法を説明する図である。

光学系ユニット８２１から射出されるレーザ光８２６は、ミラー８２２で反射されてマイクロレンズアレイ８２３に入射する。マイクロレンズアレイ８２３は、レーザ光８２６を集光して複数のレーザビーム８２７を形成する。

ステージ８１５には、非晶質シリコン層８４０を形成した基板８３０が固定される。非晶質シリコン層８４０に複数のレーザビーム８２７を照射することで、複数の多結晶シリコン層８４１を同時に形成することができる。

マイクロレンズアレイ８２３が有する個々のマイクロレンズは、表示装置の画素ピッチに合わせて設けることが好ましい。または、画素ピッチの整数倍の間隔で設けてもよい。いずれの場合においても、レーザ照射とステージ８１５のＸ方向またはＹ方向の移動を繰り返すことで、全ての画素に対応した領域に多結晶シリコン層を形成することができる。

例えば、マイクロレンズアレイ８２３が画素ピッチでＭ行Ｎ列（Ｍ、Ｎは自然数）のマイクロレンズを有するとき、まず所定の開始位置でレーザ光を照射し、Ｍ行Ｎ列の多結晶シリコン層８４１を形成することができる。そして、行方向にＮ列分の距離だけ移動させてレーザ光を照射し、さらにＭ行Ｎ列の多結晶シリコン層８４１を形成することで、Ｍ行２Ｎ列の多結晶シリコン層８４１を形成することができる。当該工程を繰り返し行うことで所望の領域に複数の多結晶シリコン層８４１を形成することができる。また、折り返してレーザ照射工程を行う場合は、行方向にＮ列分の距離だけ移動させてレーザ照射を行い、さらに列方向にＭ行分の距離の移動とレーザ光の照射を繰り返せばよい。

なお、レーザ光の発振周波数とステージ８１５の移動速度を適切に調整すれば、ステージ８１５を一方向に移動させながらレーザ照射を行う方法でも、画素ピッチで多結晶シリコン層を形成することができる。

レーザビーム８２７のサイズは、例えば、一つのトランジスタの半導体層全体が含まれる程度の面積とすることができる。または、一つのトランジスタのチャネル形成領域全体が含まれる程度の面積とすることができる。または、一つのトランジスタのチャネル形成領域の一部が含まれる程度の面積とすることができる。これらは、必要とするトランジスタの電気特性に応じて使い分ければよい。

なお、一つの画素に複数のトランジスタを有する表示装置を対象とした場合、レーザビーム８２７のサイズは、一つの画素内の各トランジスタの半導体層全体が含まれる程度の面積とすることができる。また、レーザビーム８２７のサイズは、複数の画素が有するトランジスタの半導体層全体が含まれる程度の面積としてもよい。

また、図３１（Ａ）に示すように、ミラー８２２とマイクロレンズアレイ８２３との間にマスク８２４を設けてもよい。マスク８２４には、各マイクロレンズに対応した複数の開口部が設けられる。当該開口部の形状はレーザビーム８２７の形状に反映させることができ、図３１（Ａ）のようにマスク８２４が円形の開口部を有する場合は、円形のレーザビーム８２７を得ることができる。また、マスク８２４が矩形の開口部を有する場合は、矩形のレーザビーム８２７を得ることができる。マスク８２４は、例えば、トランジスタのチャネル形成領域のみを結晶化させたい場合などに有効である。なお、マスク８２４は、図３１（Ｂ）に示すように光学系ユニット８２１とミラー８２２との間に設けてもよい。

図３０（Ｂ）は、上記に示した局所的なレーザ照射の工程に用いることのできるレーザ結晶化装置の主要な構成を説明する斜視図である。レーザ結晶化装置は、Ｘ－Ｙステージの構成要素である移動機構８１２、移動機構８１３およびステージ８１５を有する。また、レーザビーム８２７を成形するためのレーザ発振器８２０、光学系ユニット８２１、ミラー８２２、マイクロレンズアレイ８２３を有する。

移動機構８１２および移動機構８１３は、水平方向に往復直線運動をする機能を備える。移動機構８１２および移動機構８１３に動力を与える機構としては、例えば、モータで駆動するボールネジ機構８１６などを用いることができる。移動機構８１２および移動機構８１３のそれぞれの移動方向は垂直に交わるため、移動機構８１３に固定されるステージ８１５はＸ方向およびＹ方向に自在に移動させることができる。

ステージ８１５は真空吸着機構などの固定機構を有し、基板８３０などを固定することができる。また、ステージ８１５は、必要に応じて加熱機構を有していてもよい。なお、図示はしていないが、ステージ８１５はプッシャーピンおよびその上下機構を有し、基板８３０などを搬出入する際は、基板８３０などを上下に移動させることができる。

レーザ発振器８２０は、処理の目的に適した波長および強度の光が出力できればよく、パルスレーザが好ましいがＣＷレーザであってもよい。代表的には、波長３５１ｎｍ－３５３ｎｍ（ＸｅＦ）、３０８ｎｍ（ＸｅＣｌ）などの紫外光を照射できるエキシマレーザを用いることができる。または、固体レーザ（ＹＡＧレーザ、ファイバーレーザなど）の二倍波（５１５ｎｍ、５３２ｎｍなど）または三倍波（３４３ｎｍ、３５５ｎｍなど）を用いてもよい。また、レーザ発振器８２０は複数であってもよい。

光学系ユニット８２１は、例えば、ミラー、ビームエクスパンダ、ビームホモジナイザ等を有し、レーザ発振器８２０から出力されるレーザ光８２５のエネルギーの面内分布を均一化させつつ伸張させることができる。

ミラー８２２には、例えば、誘電体多層膜ミラーを用いることができ、レーザ光の入射角が略４５°となるように設置する。マイクロレンズアレイ８２３には、例えば、石英板の上面または上下面に複数の凸レンズが設けられたような形状とすることができる。

以上のレーザ結晶化装置を用いることにより、結晶性のばらつきの少ない多結晶シリコン層を形成することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ－ＯＳの構成について説明する。

ＣＡＣ－ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

なお、金属酸化物は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム等から選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳ（ＣＡＣ－ＯＳの中でもＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ－ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）等と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）等と、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１－ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（－１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ－ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ－ＯＳは、金属酸化物の材料構成に関する。ＣＡＣ－ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ－ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム等から選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ－ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、および窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ－ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ－ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ－ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ－ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ－ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３等に起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ－ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ－ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した表示装置の他の構成例について説明する。

図３２に、表示装置１０の構成例を示す。表示装置１０は、基板１４上に設けられた表示部１７を有する。表示部１７は、配線ＧＬおよび配線ＳＬと接続された複数の画素１１を有する。

また、表示装置１０には、複数のＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ１２１ａおよび複数のＴＡＢテープ１２１ｂが設けられている。ＴＡＢテープ１２１ａとＴＡＢテープ１２１ｂは、表示部１７を挟んで対向する位置に設けられている。ＴＡＢテープ１２１ａには、ゲートドライバ１２ａ等が形成された集積回路が実装されており、ＴＡＢテープ１２１ｂには、ゲートドライバ１２ｂ等が形成された集積回路が実装されている。ゲートドライバ１２ａおよびゲートドライバ１２ｂは複数の配線ＧＬと接続されており、配線ＧＬに選択信号を供給する機能を有する。

また、表示装置１０には、複数のプリント基板１３１ａおよび複数のＴＡＢテープ１３２ａが設けられており、複数のプリント基板１３１ｂおよび複数のＴＡＢテープ１３２ｂが設けられている。プリント基板１３１ａおよびＴＡＢテープ１３２ａと、プリント基板１３１ｂおよびＴＡＢテープ１３２ｂとは、表示部１７を挟んで対向する位置に設けられている。

プリント基板１３１ａはそれぞれ複数のＴＡＢテープ１３２ａと接続され、外部から入力された信号をＴＡＢテープ１３２ａに分配する機能を有する。プリント基板１３１ｂはそれぞれ複数のＴＡＢテープ１３２ｂと接続され、外部から入力された信号をＴＡＢテープ１３２ｂに分配する機能を有する。また、ＴＡＢテープ１３２ａには、ソースドライバ１３ａ等が形成された集積回路が実装されており、ＴＡＢテープ１３２ｂには、ソースドライバ１３ｂ等が形成された集積回路が実装されている。ソースドライバ１３ａおよびソースドライバ１３ｂは複数の配線ＳＬと接続されており、配線ＳＬに信号を供給する機能を有する。

２Ｋ、４Ｋ、８Ｋ放送等に対応可能な大画面の表示パネルを作製する場合は、図３２に示すように複数のプリント基板１３１ａおよび複数のプリント基板１３１ｂを設けることが好ましい。これにより、表示装置１０への画像データの入力を容易に行うことができる。

なお、ゲートドライバ１２ａ、ゲートドライバ１２ｂ、ソースドライバ１３ａ、およびソースドライバ１３ｂは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１４上に設けることもできる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図面を参照して説明する。

以下で例示する電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有するものである。したがって、高い解像度が実現された電子機器である。また高い解像度と、大きな画面が両立された電子機器とすることができる。

本発明の一態様の電子機器の表示部には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。また、表示部の画面サイズとしては、対角２０インチ以上、または対角３０インチ以上、または対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上とすることもできる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を有する電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。

本発明の一態様の電子機器または照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナおよび二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

図３３（Ａ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。これにより、テレビジョン装置７１００は、高解像度の画像を表示することができる。また、テレビジョン装置７１００は、高解像度の画像を大画面で表示することができる。

図３３（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が有する操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が有する操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネルおよび音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機およびモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士等）の情報通信を行うことも可能である。

図３３（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータ７２００を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。これにより、ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、高解像度の画像を表示することができる。また、ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、高解像度の画像を大画面で表示することができる。

図３３（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。

図３３（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、およびスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

また、図３３（Ｄ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図３３（Ｃ）、（Ｄ）において、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。これにより、デジタルサイネージ７３００およびデジタルサイネージ７４００は、高解像度の画像を表示することができる。また、デジタルサイネージ７３００およびデジタルサイネージ７４００は、高解像度の画像を大画面で表示することができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図３３（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

本実施例では、対角６５インチの画素領域（Ｐｉｘｅｌ Ａｒｅａ）を有する８Ｋ４Ｋ液晶ディスプレイモジュールのデータ書き込み時間に関し、概算を行った結果について説明する。

特に、本実施例では、トランジスタの半導体層に水素化アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ：Ｈ）を用いた、大型且つ高解像度のディスプレイを、本発明の一態様を適用することで動作させることができるかどうかについて確認した。

なお、８Ｋ４Ｋディスプレイの解像度は水平解像度が７６８０、垂直解像度が４３２０と、極めて高解像度である。また、８Ｋ４Ｋディスプレイに関する国際規格として、Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＩＴＵ－Ｒ ＢＴ．２０２０－２がある。この規格において、駆動方法はプログレッシブ方式であり、フレーム周波数は最大１２０Ｈｚとされている。

高解像度で大型のディスプレイモジュールに、電界効果移動度の低いトランジスタを用いる場合、フレーム期間中に画像の書き換え動作が間に合わず、駆動できないことがある。このとき、画素領域を複数（例えば４つ）に分断し、それぞれに走査線駆動回路（ゲートドライバともいう）および信号線駆動回路（ソースドライバともいう）を配置する構成を適用することができる。このような構成は、複数の画素領域で同時に画像を書き換えることで、電界効果移動度の低いトランジスタを適用した場合であっても、フレーム期間中の画像の書き換えを実現するものである。

しかしながら、画素領域を分割する構成では、ソースドライバやゲートドライバなどのＩＣおよびそれに付随する部材の増大に伴うコストの増大、配線数の増大に伴う開口率の低下、ＩＣを実装することによる額縁面積の増大、分割された画素領域間を同期させる回路が別途必要であること、分割された画素領域の境界部が視認されてしまうことによる視認性の低下などが懸念される。また、入力される画像データを分割するための画像処理などが必要となり、高速且つ大規模な画像処理回路が必要となることが懸念される。

そこで、本実施例では、ゲート線１本ずつに選択信号を供給し、画素が１つずつ選択される構成に加えて、２本または４本のゲート線に同時に選択信号を供給し、列方向に隣接する２つまたは４つの画素が同時に選択される構成を検討した。同時に選択される２つまたは４つの画素は、それぞれ異なるソース線と接続される。すなわち列ごとに２本または４本のソース線が配列される。本実施例では、これらの構成における画素レイアウトを用いて、データ書き込み時間の概算を行った。

また、本実施例では、トランジスタの半導体層に、水素化アモルファスシリコンを用いる場合と、金属酸化物を用いる場合について検討した。

水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合については、微結晶シリコンを用いて作製したトランジスタの実測値から、設計パラメータである電界効果移動度を変化させた疑似パラメータを用いてデータ書き込み時間を見積もった。

金属酸化物を用いた半導体層については、以下の２種類の構成を検討した。金属酸化物としては、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を用いた。１種類目は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍である金属酸化物を単層で半導体層に用いる場合である。２種類目は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍である金属酸化物を積層で半導体層に用いる場合である。具体的には、第１の金属酸化物層に、ＣＡＣ－ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜を用い、第２の金属酸化物層に、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜を用いる場合を想定した。

本実施例で用いた各層のパラメータを表１に示す。これらは金属酸化物を半導体層に用いたトランジスタを想定したパラメータであるが、本実施例では、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合にも同様のパラメータを用いた。

＜画素が１つずつ選択される場合＞
図３４（Ａ）は、本実施例で用いたディスプレイモジュールの構成を示すブロック図である。当該構成では、ゲート線１本ずつに選択信号が供給され、画素が１つずつ選択される。ゲートドライバおよびソースドライバはともに外付けである。ゲート線には、２つのゲートドライバＩＣ（Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ（Ｅｘｔｅｒｎａｌ））から同じ信号が供給される。ソース線には、１つのソースドライバＩＣ（Ｓｏｕｒｃｅ Ｄｒｉｖｅｒ ＩＣ（Ｅｘｔｅｒｎａｌ））から信号が供給される。画素領域は分割されていない。画素領域のサイズは対角６５インチであり、有効画素数は７６８０×ＲＧＢ（Ｈ）×４３２０（Ｖ）である。

図３４（Ｂ）に、画素ＰＩＸ（ｉ，ｊ）の回路図を示す。画素ＰＩＸ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭ１、容量素子Ｃ１、および液晶素子ＬＣを有する。トランジスタＭ１のゲートは、ゲート線ＧＬ（ｉ）と接続されている。トランジスタＭ１のソースおよびドレインのうち一方は、ソース線ＳＬ（ｊ）と接続され、他方は、容量素子Ｃ１の一方の電極、および液晶素子ＬＣの一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１の他方の電極は、配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子ＬＣの他方の電極は、配線ＴＣＯＭと接続されている。

図３５（Ａ）、（Ｂ）に、画素が１つずつ選択される場合のディスプレイモジュールの画素レイアウトを示す。図３５（Ａ）は、ゲート線ＧＬ（ｉ）から画素電極までの積層構造を、画素電極側から見た上面図である。図３５（Ｂ）は、図３５（Ａ）から画素電極（Ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を除いた上面図である。

画素サイズは６２．５μｍ×１８７．５μｍである。トランジスタＭ１は、ボトムゲートトップコンタクト構造のチャネルエッチ型のトランジスタである。トランジスタＭ１のチャネル長Ｌは４μｍ、チャネル幅Ｗは８μｍ、ゲートと重なるＬＤＤ領域（以下、オーバーラップＬＤＤ領域Ｌ_ｏｖ）は２μｍである。ゲート線ＧＬ（ｉ）の幅は１０μｍ、配線ＣＳＣＯＭの幅は３．５μｍである。ソース線ＳＬ（ｊ）の幅は、１０μｍであるが、他の配線（ゲート線ＧＬ（ｉ）や配線ＣＳＣＯＭ）とのクロス部では、４μｍである。開口率は、４５．６％である。

まず、図３６を用いて、金属酸化物を半導体層に用いる場合のデータ書き込み時間の概算について説明する。

図３５（Ａ）の画素レイアウトから寄生抵抗と寄生容量を抽出し、トランジスタの電界効果移動度のパラメータのみを変化させることで、画素のゲート線の充電時間とソース線および画素の充電時間を概算した。本実施例において、データ書き込み時間とは、ゲート線の充電時間、並びに、ソース線および画素の充電時間の合計に相当する。また、本実施例において、ゲート線の充電時間は、ゲート線の電位が入力電圧の最大値の７５％に達するまでの時間であり、ソース線および画素の充電時間は、ソース線の電位が入力電圧の最大値の９９％に達するまでの時間である。

また、ここでは、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍である金属酸化物を積層で半導体層に用いた場合の電界効果移動度を１として規格化した値（規格化移動度）を用いた。トランジスタのサイズは変えていない。画素領域全体の負荷については以下の通りである。ゲート線の寄生抵抗Ｒｇｌは３．６０ｋΩ、ゲート線の寄生容量Ｃｇｌは２５５ｐＦ、ソース線の寄生抵抗Ｒｓｌは５．８０ｋΩ、ソース線の寄生容量Ｃｓｌは１４７ｐＦ、画素の寄生容量Ｃｐｉｘは２１６．６ｆＦである。なお、本実施例において、画素の寄生容量Ｃｐｉｘは、容量素子の保持容量、液晶素子の容量、およびノードＡの寄生容量を含む。なお、本実施例において、ノードＡとは、各画素における、トランジスタのソースまたはドレイン、容量素子の一方の電極、および液晶素子の一方の電極が接続されるノードである。

図３６において、規格化移動度が１の結果は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍である金属酸化物を積層で半導体層に用いた場合に相当する（図３６では「ＣＡＣ＼ＣＡＡＣ」と記す）。このとき、データ書き込み時間は３．５５μｓであり、６０Ｈｚ駆動時の１水平期間３．８５μｓよりも短く、６０Ｈｚ駆動で動作可能であることが見積もられた。また、当該データ書き込み時間は、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間１．９３μｓより長く、１２０Ｈｚ駆動での動作が難しいことが見積もられた。

図３６において、規格化移動度が０．５の結果は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍である金属酸化物を単層で半導体層に用いた場合に相当する（図３６では「ＩＧＺＯ（１１１）」と記す）。このとき、データ書き込み時間は４．１７μｓであり、６０Ｈｚ駆動時の１水平期間３．８５μｓよりも長く、１２０Ｈｚ駆動だけでなく６０Ｈｚ駆動での動作も難しいことが見積もられた。

次に、図３７を用いて、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合のデータ書き込み時間の概算について説明する。

図３５（Ａ）の画素レイアウトから寄生抵抗と寄生容量を抽出し、微結晶シリコンを用いて作製したトランジスタの実測値から、設計パラメータである電界効果移動度を変化させることで、画素のゲート線の充電時間とソース線および画素の充電時間を概算した。トランジスタのサイズおよび保持容量の大きさは変えていない。実際に水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合には、より大きなトランジスタサイズおよび保持容量が必要となるため、データ書き込み時間は本実施例の結果よりも長くする必要がある。画素領域全体の負荷については以下の通りである。ゲート線の寄生抵抗Ｒｇｌは３．６０ｋΩ、ゲート線の寄生容量Ｃｇｌは２５５ｐＦ、ソース線の寄生抵抗Ｒｓｌは５．８０ｋΩ、ソース線の寄生容量Ｃｓｌは１４７ｐＦ、画素の寄生容量Ｃｐｉｘは２１６．６ｆＦである。

図３７において、電界効果移動度が０．６、０．７、０．８［ｃｍ^２／Ｖｓ］の結果は、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いた場合に相当する。このとき、データ書き込み時間はそれぞれ、１９．６６μｓ、１６．１９μｓ、１３．８１μｓであり、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間１．９３μｓおよび６０Ｈｚ駆動時の１水平期間３．８５μｓより長く、１２０Ｈｚ駆動だけでなく、６０Ｈｚ駆動での動作も難しいことが見積もられた。

＜画素が２つ同時に選択される場合＞
図３８（Ａ）は、本実施例で用いたディスプレイモジュールの構成を示すブロック図である。当該構成では、２本のゲート線に同時に選択信号が供給され、列方向に隣接する画素が２つ同時に選択される。ゲートドライバおよびソースドライバはともに外付けである。ゲート線には、２つのゲートドライバＩＣから同じ信号が供給される。ゲート線ＧＬ_０（ｉ）は、ゲート線ＧＬ（ｉ）およびゲート線ＧＬ（ｉ＋１）と電気的に接続されており、ｉ行目と（ｉ＋１）行目の２行の画素は同時に駆動する。ソース線には、１つのソースドライバＩＣから信号が供給される。画素領域は分割されていない。画素領域のサイズは対角６５インチであり、有効画素数は７６８０×ＲＧＢ（Ｈ）×４３２０（Ｖ）である。

図３８（Ｂ）に、画素ＰＩＸ（ｉ，ｊ）および画素ＰＩＸ（ｉ＋１，ｊ）の回路図を示す。

まず、画素ＰＩＸ（ｉ，ｊ）の構成について説明する。画素ＰＩＸ（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭ１、容量素子Ｃ１、および液晶素子ＬＣを有する。トランジスタＭ１のゲートは、ゲート線ＧＬ（ｉ）と接続されている。トランジスタＭ１のソースおよびドレインのうち一方は、ソース線ＳＬ_１（ｊ）と接続され、他方は、容量素子Ｃ１の一方の電極、および液晶素子ＬＣの一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１の他方の電極は、配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子ＬＣの他方の電極は、配線ＴＣＯＭと接続されている。

次に、画素ＰＩＸ（ｉ＋１，ｊ）の構成について説明する。画素ＰＩＸ（ｉ＋１，ｊ）は、トランジスタＭ２、容量素子Ｃ２、および液晶素子ＬＣを有する。トランジスタＭ２のゲートは、ゲート線ＧＬ（ｉ＋１）と接続されている。トランジスタＭ２のソースおよびドレインのうち一方は、ソース線ＳＬ_２（ｊ）と接続され、他方は、容量素子Ｃ２の一方の電極、および液晶素子ＬＣの一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ２の他方の電極は、配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子ＬＣの他方の電極は、配線ＴＣＯＭと接続されている。

図３９（Ａ）、（Ｂ）に、画素が２つ同時に選択される場合のディスプレイモジュールの画素レイアウトを示す。図３９（Ａ）は、ゲート線ＧＬ（ｉ）から画素電極までの積層構造を、画素電極側から見た上面図である。図３９（Ｂ）は、図３９（Ａ）から画素電極を除いた上面図である。

画素サイズは６２．５μｍ×１８７．５μｍである。トランジスタＭ１は、ボトムゲートトップコンタクト構造のチャネルエッチ型のトランジスタである。トランジスタＭ１のチャネル長Ｌは４μｍ、チャネル幅Ｗは８μｍ、オーバーラップＬＤＤ領域Ｌ_ｏｖは２μｍである。ゲート線ＧＬ（ｉ）の幅は１０μｍ、配線ＣＳＣＯＭの幅は３．５μｍである。ソース線ＳＬ_１（ｊ）およびソース線ＳＬ_２（ｊ）の幅は、どちらも１０μｍであるが、ゲート線とのクロス部では、どちらも４μｍである。開口率は、３７．３％である。

まず、図４０を用いて、金属酸化物を半導体層に用いる場合のデータ書き込み時間の概算について説明する。

図３９（Ａ）の画素レイアウトから寄生抵抗と寄生容量を抽出し、トランジスタの電界効果移動度のパラメータのみを変化させることで、画素のゲート線の充電時間とソース線および画素の充電時間を概算した。ここでは、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍である金属酸化物を積層で半導体層に用いた場合の電界効果移動度を１として規格化した値（規格化移動度）を用いた。トランジスタのサイズは変えていない。画素領域全体の負荷については以下の通りである。ゲート線の寄生抵抗Ｒｇｌは３．６０ｋΩ、ゲート線の寄生容量Ｃｇｌは３６４ｐＦ、ソース線の寄生抵抗Ｒｓｌは４．８３ｋΩ、ソース線の寄生容量Ｃｓｌは１８２ｐＦ、画素の寄生容量Ｃｐｉｘは１９１ｆＦである。

図４０において、規格化移動度が１の結果は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍である金属酸化物を積層で半導体層に用いた場合に相当する（図４０では「ＣＡＣ＼ＣＡＡＣ」と記す）。このとき、データ書き込み時間は３．４９μｓであり、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間３．８３μｓよりも短く、１２０Ｈｚ駆動で動作可能であることが見積もられた。

図４０において、規格化移動度が０．５の結果は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍である金属酸化物を単層で半導体層に用いた場合に相当する（図４０では「ＩＧＺＯ（１１１）」と記す）。このとき、データ書き込み時間は４．０２μｓであり、６０Ｈｚ駆動時の１水平期間７．６６μｓよりも短く、６０Ｈｚ駆動で動作可能であることが見積もられた。また、当該データ書き込み時間は、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間３．８３μｓより長く、１２０Ｈｚ駆動での動作が難しいことが見積もられた。

図４０では、２本のゲート線に同じ選択信号が供給されるため、１水平期間の長さを、図３６に比べて２倍にすることができる。そのため、電界効果移動度の低いトランジスタを用いて、高解像度の表示装置を動作させることが容易となる。

図３６および図４０の結果から、ＣＡＣ＼ＣＡＡＣを半導体層に用いる場合、画素１つずつに書き込みを行う構成では難しかった１２０Ｈｚ駆動での動作が、２つの画素に同時に書き込む構成にすることで実現できると示された。

また、図３６および図４０の結果から、ＩＧＺＯ（１１１）を半導体層に用いる場合、画素１つずつに書き込みを行う構成では難しかった６０Ｈｚ駆動での動作が、２つの画素に同時に書き込む構成にすることで実現できると示された。

次に、図４１を用いて、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合のデータ書き込み時間の概算について説明する。

図３９（Ａ）の画素レイアウトから寄生抵抗と寄生容量を抽出し、微結晶シリコンを用いて作製したトランジスタの実測値から、設計パラメータである電界効果移動度を変化させることで、画素のゲート線の充電時間とソース線および画素の充電時間を概算した。トランジスタのサイズおよび保持容量の大きさは変えていない。画素領域全体の負荷については以下の通りである。ゲート線の寄生抵抗Ｒｇｌは３．６０ｋΩ、ゲート線の寄生容量Ｃｇｌは３６４ｐＦ、ソース線の寄生抵抗Ｒｓｌは４．８３ｋΩ、ソース線の寄生容量Ｃｓｌは１８２ｐＦ、画素の寄生容量Ｃｐｉｘは１９１ｆＦである。

図４１において、電界効果移動度が０．６、０．７、０．８［ｃｍ^２／Ｖｓ］の結果は、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いた場合に相当する。このとき、データ書き込み時間はそれぞれ、１７．９８μｓ、１４．８９μｓ、１２．７８μｓであり、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間３．８３μｓおよび６０Ｈｚ駆動時の１水平期間７．６６μｓより長く、１２０Ｈｚ駆動だけでなく、６０Ｈｚ駆動での動作も難しいことが見積もられた。

図４１の結果から、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合は、金属酸化物を半導体層に用いる場合（図４０の結果参照）とは異なり、２つの画素を同時に書き込む構成にしても、６０Ｈｚ駆動での動作が難しいことが見積もられた。

＜画素が４つ同時に選択される場合＞
本実施例で用いたディスプレイモジュールの構成を示すブロック図は、ソースドライバ１３が１個のみ設けられる構成とした他は図１と同様である。画素領域のサイズは対角６５インチであり、有効画素数は７６８０×ＲＧＢ（Ｈ）×４３２０（Ｖ）である。また、画素領域に設けられた画素の回路図は図７と同様であり、画素レイアウトは図８（Ａ）、（Ｂ）と同様である。

画素サイズは６２．５μｍ×１８７．５μｍである。画素に設けられたトランジスタは、それぞれ、ボトムゲートトップコンタクト構造のチャネルエッチ型のトランジスタであり、サイズは同様である。具体的には、画素に設けられた各トランジスタのチャネル長Ｌはいずれも４μｍ、チャネル幅Ｗは８μｍ、オーバーラップＬＤＤ領域Ｌ_ｏｖは３μｍである。各ゲート線の幅は１０μｍ、各配線ＣＳの幅は５μｍである。各ソース線の幅は４μｍである。開口率は、２９％である。

まず、図４２を用いて、金属酸化物を半導体層に用いる場合のデータ書き込み時間の概算について説明する。

図８の画素レイアウトから寄生抵抗と寄生容量を抽出し、移動度のパラメータのみを変化させることで、画素のゲート線の充電時間とソース線および画素の充電時間を概算した。ここでは、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍である金属酸化物を積層で半導体層に用いた場合の電界効果移動度を１として規格化した値（規格化移動度）を用いた。トランジスタのサイズは変えていない。画素領域全体の負荷については以下の通りである。ゲート線の寄生抵抗Ｒｇｌは３．５３ｋΩ、ゲート線の寄生容量Ｃｇｌは５１８ｐＦ、ソース線の寄生抵抗Ｒｓｌは１０．２８ｋΩ、ソース線の寄生容量Ｃｓｌは１７０ｐＦ、画素の寄生容量Ｃｐｉｘは９９．７ｆＦである。

図４２において、規格化移動度が１の結果は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍である金属酸化物を積層で半導体層に用いた場合に相当する（図４２では「ＣＡＣ＼ＣＡＡＣ」と記す）。このとき、データ書き込み時間は５．０５μｓであり、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間７．６１μｓよりも短く、１２０Ｈｚ駆動で動作可能であることが見積もられた。

図４２において、規格化移動度が０．５の結果は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍である金属酸化物を単層で半導体層に用いた場合に相当する（図４２では「ＩＧＺＯ（１１１）」と記す）。このとき、データ書き込み時間は５．２２μｓであり、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間７．６１μｓよりも短く、１２０Ｈｚ駆動で動作可能であることが見積もられた。

図４２では、４本のゲート線に同じ選択信号が供給されるため、１水平期間の長さを、図３６に比べて４倍にすることができる。そのため、電界効果移動度の低いトランジスタを用いて、高解像度の表示装置を動作させることが容易となる。

図４２の結果から、４つの画素を同時に書き込む構成にすることで、ＣＡＣ＼ＣＡＡＣよりも移動度が小さいＩＧＺＯ（１１１）を半導体層に用いる場合であっても、１２０Ｈｚ駆動での動作が実現できると示された。

次に、図４３を用いて、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合のデータ書き込み時間の概算を説明する。

図８の画素レイアウトから寄生抵抗と寄生容量を抽出し、微結晶シリコンを用いて作製したトランジスタの実測値から、設計パラメータである電界効果移動度を変化させることで、画素のゲート線の充電時間とソース線および画素の充電時間を概算した。トランジスタのサイズおよび保持容量の大きさは変えていない。画素領域全体の負荷については以下の通りである。ゲート線の寄生抵抗Ｒｇｌは３．５３ｋΩ、ゲート線の寄生容量Ｃｇｌは５１８ｐＦ、ソース線の寄生抵抗Ｒｓｌは１０．２８ｋΩ、ソース線の寄生容量Ｃｓｌは１７０ｐＦ、画素の寄生容量Ｃｐｉｘは９９．７ｆＦである。

図４３において、電界効果移動度が０．６、０．７、０．８［ｃｍ^２／Ｖｓ］の結果は、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いた場合に相当する。このとき、データ書き込み時間はそれぞれ、１１．６６μｓ、１０．０６μｓ、９．０１μｓであり、６０Ｈｚ駆動時の１水平期間１５．３μｓよりも短く、６０Ｈｚ駆動で動作可能であることが見積もられた。また、当該データ書き込み時間は、１２０Ｈｚ駆動時の１水平期間７．６１μｓより長く、１２０Ｈｚ駆動での動作が難しいことが見積もられた。

図３７、図４１、および図４３の結果から、水素化アモルファスシリコンを半導体層に用いる場合、４つの画素を同時に書き込む構成を適用することで、６０Ｈｚ駆動での動作が実現できると示された。

以上のように、本発明の一態様を適用することで、トランジスタの半導体層に水素化アモルファスシリコンを用いる場合であっても、対角６５インチかつ解像度８Ｋ４Ｋといった、大型で高解像度のディスプレイを動作させることができると見積もられた。

１０ 表示装置
１１ 画素
１２ａ ゲートドライバ
１２ｂ ゲートドライバ
１３ ソースドライバ
１３ａ ソースドライバ
１３ｂ ソースドライバ
１４ 基板
１５ 基板
１６ 基準電圧生成回路
１６ａ 基準電圧生成回路
１６ｂ 基準電圧生成回路
１７ 表示部
１８ａ 保護回路
１８ｂ 保護回路
１９ａ 保護回路
１９ｂ 保護回路
２０ 液晶素子
２１ 導電層
２２ 液晶
２３ 導電層
２４ａ 配向膜
２４ｂ 配向膜
２６ 絶縁層
３０ トランジスタ
３１ 導電層
３１ａ 導電層
３２ 半導体層
３２ｐ 半導体層
３３ 導電層
３３ａ 導電層
３３ｂ 導電層
３３ｃ 導電層
３４ 絶縁層
３５ 不純物半導体層
３７ 半導体層
３８ 開口部
３９ａ 偏光板
３９ｂ 偏光板
４１ 着色層
４２ 遮光層
５０ 光
５１ 導電層
５２ 導電層
５３ 導電層
５４ 導電層
５５ 導電層
６０ 容量素子
７１ 開口部
７２ 開口部
７３ 開口部
７４ 開口部
８１ 絶縁層
８２ 絶縁層
８４ 絶縁層
９０ バックライトユニット
１２１ａ ＴＡＢテープ
１２１ｂ ＴＡＢテープ
１３１ａ プリント基板
１３１ｂ プリント基板
１３２ａ ＴＡＢテープ
１３２ｂ ＴＡＢテープ
２００ａ トランジスタ
２００ｂ トランジスタ
２００ｃ トランジスタ
２００ｄ トランジスタ
２００ｅ トランジスタ
２００ｆ トランジスタ
２１１ 絶縁層
２１２ 絶縁層
２１２ａ 絶縁層
２１２ｂ 絶縁層
２１２ｃ 絶縁層
２１２ｄ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２１６ 絶縁層
２１６ａ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ａ＿１ 導電層
２２２ａ＿２ 導電層
２２２ａ＿３ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２２ｂ＿１ 導電層
２２２ｂ＿２ 導電層
２２２ｂ＿３ 導電層
２２３ 導電層
２２４ 絶縁層
２３１ 半導体層
２３１＿１ 半導体層
２３１＿２ 半導体層
２３１ｄ ドレイン領域
２３１ｉ チャネル形成領域
２３１ｓ ソース領域
２３５ 開口部
２３６ａ 開口部
２３６ｂ 開口部
２３７ 開口部
２３８ａ 開口部
２３８ｂ 開口部
８１２ 移動機構
８１３ 移動機構
８１５ ステージ
８１６ ボールネジ機構
８２０ レーザ発振器
８２１ 光学系ユニット
８２２ ミラー
８２３ マイクロレンズアレイ
８２４ マスク
８２５ レーザ光
８２６ レーザ光
８２７ レーザビーム
８３０ 基板
８４０ 非晶質シリコン層
８４１ 多結晶シリコン層
７０００ 表示部
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ スタンド
７１１１ リモコン操作機
７２００ ノート型パーソナルコンピュータ
７２１１ 筐体
７２１２ キーボード
７２１３ ポインティングデバイス
７２１４ 外部接続ポート
７３００ デジタルサイネージ
７３０１ 筐体
７３０３ スピーカ
７３１１ 情報端末機
７４００ デジタルサイネージ
７４０１ 柱
７４１１ 情報端末機

Claims (10)

1. 第１の配線、第２の配線、および第３の配線と、第１のトランジスタと、第１の導電層、第２の導電層、および第３の導電層と、第１の画素電極と、を有する表示装置であって、
   前記第１の配線は、第１の方向に延在し、かつ、前記第２の配線および前記第３の配線と交差し、
   前記第２の配線および前記第３の配線は、それぞれ前記第１の方向と交差する第２の方向に延在し、
   前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の導電層、前記第２の導電層、および前記第３の導電層を介して前記第２の配線と電気的に接続され、
   前記第２の導電層は、前記第３の配線と重なる領域を有し、
   前記第１の導電層、前記第３の導電層、および前記第１の画素電極は、同一の材料を含み、
   前記第１の配線、および前記第２の導電層は、同一の材料を含み、
   前記第１の配線は、選択信号が供給され、
   前記第２の配線および前記第３の配線は、それぞれ異なる信号が供給されることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の配線および前記第３の配線は、第１のソースドライバ、および第２のソースドライバと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１において、
   第４の配線、第５の配線、および第６の配線と、第２のトランジスタと、第４の導電層、第５の導電層、および第６の導電層と、第２の画素電極と、を有し、
   前記第４の配線は、前記第１の方向に延在し、かつ、前記第２の配線、前記第３の配線、前記第５の配線、および前記第６の配線と交差し、
   前記第５の配線および前記第６の配線は、それぞれ前記第１の方向と交差する前記第２の方向に延在し、
   前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第４の導電層、前記第５の導電層、および前記第６の導電層を介して前記第５の配線と電気的に接続され、
   前記第５の導電層は、前記第６の配線と重なる領域を有し、
   前記第４の導電層、前記第６の導電層、および前記第２の画素電極は、同一の材料を含み、
   前記第４の配線、および前記第５の導電層は、同一の材料を含み、
   前記第４の配線は、前記第１の配線と同一の選択信号が供給され、
   前記第２の配線、前記第３の配線、前記第５の配線、および前記第６の配線は、それぞれ異なる信号が供給されることを特徴とする表示装置。
4. 請求項３において、
   前記第５の配線および前記第６の配線は、第１のソースドライバ、および第２のソースドライバと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
5. 請求項３において、
   前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
   前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とは、それぞれ前記第３の配線と前記第６の配線の間に位置する部分を有することを特徴とする表示装置。
6. 請求項５において、
   前記第１の半導体層および前記第２の半導体層は、それぞれ非晶質シリコンを含むことを特徴とする表示装置。
7. 請求項５において、
   前記第１の半導体層および前記第２の半導体層は、それぞれ微結晶シリコン、または多結晶シリコンを含むことを特徴とする表示装置。
8. 請求項５において、
   前記第１の半導体層および前記第２の半導体層は、それぞれ金属酸化物を含むことを特徴とする表示装置。
9. 請求項８において、
   前記金属酸化物は、インジウム、亜鉛、およびＭ（Ｍはアルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム、またはハフニウム）を含むことを特徴とする表示装置。
10. 表示装置の作製方法であって、
    前記作製方法は、
    ゲート線および第１の導電層を形成する工程と、
    第１の絶縁層を形成する工程と、
    半導体層を形成する工程と、
    第１のソース線および第２のソース線と、前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層および第３の導電層と、を形成する工程と、
    第２の絶縁層を形成する工程と、
    前記第２の絶縁層に、前記第２の導電層に達する第１の開口部、前記第３の導電層に達する第２の開口部、および前記第２のソース線に達する第３の開口部を形成し、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層に、前記第１の導電層に達する第４の開口部および第５の開口部を、前記第１のソース線を挟むように形成する工程と、
    前記第１の開口部を介して前記第２の導電層と電気的に接続されるように画素電極を形成し、前記第２の開口部を介して前記第３の導電層と電気的に接続され、前記第４の開口部を介して前記第１の導電層と電気的に接続されるように第４の導電層を形成し、前記第３の開口部を介して前記第２のソース線と電気的に接続され、前記第５の開口部を介して前記第１の導電層と電気的に接続されるように第５の導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする表示装置の作製方法。

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