TW201622126A - 固體攝像裝置 - Google Patents

固體攝像裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201622126A
TW201622126A TW104140424A TW104140424A TW201622126A TW 201622126 A TW201622126 A TW 201622126A TW 104140424 A TW104140424 A TW 104140424A TW 104140424 A TW104140424 A TW 104140424A TW 201622126 A TW201622126 A TW 201622126A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
compound
optical layer
wavelength
light
solid
Prior art date
Application number
TW104140424A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI657572B (zh
Inventor
Katsuya Nagaya
Takashi Tsubouchi
Mibuko Shimada
Koji Hatakeyama
Original Assignee
Jsr Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jsr Corp filed Critical Jsr Corp
Publication of TW201622126A publication Critical patent/TW201622126A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI657572B publication Critical patent/TWI657572B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/22Absorbing filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/20Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only
    • H04N23/21Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only from near infrared [NIR] radiation
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/30Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/33Transforming infrared radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/208Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645Colour imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

本發明的課題在於抑制製造成本並提供一種檢測精度高的固體攝像裝置。固體攝像裝置包括:第1光學層,使可見光及近紅外光的至少一部分透過;第2光學層,吸收近紅外光的至少一部分;以及畫素陣列,包含檢測透過所述第1光學層及所述第2光學層的所述可見光的第1光接收元件、及檢測透過所述第1光學層的所述近紅外光的第2光接收元件;所述第2光學層於對應於所述第2光接收元件的部分具有開口部,所述第1光學層含有於波長750 nm~900 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(A),所述第2光學層含有於波長755 nm~1050 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(B),所述化合物(B)的最長的波長側的最大吸收波長大於所述化合物(A)的最長的波長側的最大吸收波長,且兩者的差為5 nm~150 nm。

Description

固體攝像裝置
本發明是有關於一種固體攝像裝置。尤其是有關於一種使用雙頻帶通濾波器(Dual Band Pass Filter)與近紅外光截止濾波器(Near Infrated Ray Cut Filter)的固體攝像裝置。
先前,作為光電轉換裝置,已知有相機等攝像機器中所使用的固體攝像裝置。固體攝像裝置是於各畫素中具備檢測可見光的光接收元件(可見光檢測用感測器),對應於自外界入射的可見光而產生電信號,並對該電信號進行處理而形成攝像圖像者。作為光接收元件,廣為人知的是利用半導體製程所形成的互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)影像感測器或電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)影像感測器等。
於所述固體攝像裝置中,為了準確地檢測入射至光接收元件中的可見光的強度,亦對成為雜訊成分的可見光以外的光進行遮蔽。例如,有於入射光到達光接收元件之前,使用紅外線截止濾波器遮蔽紅外光成分的技術。於此情況下,大致上僅可見光區域的光到達光接收元件,因此可進行雜訊成分比較少的感測動作。
另一方面,近年來,對固體攝像裝置賦予利用近紅外光的動作捕捉或距離識別(空間識別)等感測功能的要求提高。作為針對該要求的技術,正進行將採用飛行時間(Time of Flight,TOF)方式的距離圖像感測器組裝至固體攝像裝置中的研究。
所謂TOF方式,是指藉由測定自光源輸出的光由攝像對象物反射,至返回為止的時間來測定自光源至攝像對象物為止的距離的技術。於時間的測定中使用光的相位差。即,因於對應於至攝像對象物為止的距離而返回的光中產生相位差,故於TOF方式中,將該相位差轉換成時間差,並根據該時間差與光的速度,對於各畫素測量至攝像對象物為止的距離。
使用此種TOF方式的固體攝像裝置必須對於各畫素檢測可見光的強度與近紅外光的強度,因此必須於各畫素中具備可見光檢測用的光接收元件與近紅外光檢測用的光接收元件。例如,作為將可見光檢測用的光接收元件與近紅外光檢測用的光接收元件設置於各畫素中的例子,已知有專利文獻1中所記載的技術。
於專利文獻1中記載有一種將包含雙頻帶通濾波器與紅外線通過濾波器的濾光器陣列、及包含RGB畫素陣列與TOF畫素陣列的畫素陣列組合而成的影像感測裝置。於專利文獻1中所記載的技術中,藉由雙頻帶通濾波器而選擇性地使可見光與紅外線通過,並僅於TOF畫素陣列上設置紅外線通過濾波器來使紅外線通過。藉此,可見光及紅外線入射至RGB畫素陣列中,紅外線入射至TOF畫素陣列中,因此可於各個畫素陣列中檢測所需的光線。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-103657號公報
[發明所欲解決之課題]
但是,當使用專利文獻1中所記載的技術時,不僅可見光入射至RGB畫素陣列中,紅外線亦入射至RGB畫素陣列中,因此存在紅外線成為雜訊,無法僅準確地檢測可見光這一問題。另外,於專利文獻1中亦揭示有於RGB畫素陣列上設置可見光通過濾波器的構成,但於此情況下,必須配置可見光通過濾波器與紅外線通過濾波器兩者,而存在製造成本增加的問題。
本發明是鑒於所述問題而成者,其課題在於抑制製造成本並提供一種檢測精度高的固體攝像裝置。 [解決課題之手段]
本發明的一實施形態的固體攝像裝置包括:第1光學層,使可見光及近紅外光的至少一部分透過;第2光學層,吸收近紅外光的至少一部分;以及畫素陣列,包含檢測透過所述第1光學層及所述第2光學層的所述可見光的第1光接收元件、及檢測透過所述第1光學層的所述近紅外光的第2光接收元件;其特徵在於:所述第2光學層於對應於所述第2光接收元件的部分具有開口部,所述第1光學層含有於波長600 nm~900 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(A),所述第2光學層含有於波長755 nm~1050 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(B),所述化合物(B)的最長的波長側的最大吸收波長大於所述化合物(A)的最長的波長側的最大吸收波長,且兩者的差為5 nm~150 nm。
第1光學層與第2光學層的配置順序(上下關係)可為任一者在上,但較佳為將第1光學層配置於第2光學層上(入射光最初照射之側),並以第2光學層吸收透過第1光學層的近紅外光的至少一部分的方式配置。
所述第1光學層可含有包含所述化合物(A)的透光性樹脂組成物。化合物(A)可含有吸收近紅外光的一部分的色素。例如,化合物(A)可使用選自由方酸內鎓鹽系化合物、酞青系化合物、萘酞青系化合物、克酮鎓(croconium)系化合物、六元卟啉(hexaphyrin)系化合物及花青系化合物所組成的群組中的至少一種化合物,較佳為使用方酸內鎓鹽系化合物。化合物(A)的最大吸收波長為600 nm~900 nm,較佳為750 nm~900 nm,更佳為620 nm~870 nm,進而更佳為640 nm~850 nm,特佳為660 nm~830 nm。若化合物(A)的最大吸收波長為此種範圍,則可達成作為雙頻帶通濾波器所要求的選擇性的近紅外光吸收·透過特性。
所述第2光學層可含有包含所述化合物(B)的硬化性樹脂組成物。化合物(B)可於波長820 nm~880 nm中具有最大吸收。例如,化合物(B)可含有選自由二亞胺(diiminium)系化合物、方酸內鎓鹽系化合物、花青系化合物、酞青系化合物、萘酞青系化合物、誇特銳烯(quaterrylene)系化合物、銨系化合物、亞胺系化合物、偶氮系化合物、蒽醌系化合物、卟啉系化合物、吡咯并吡咯系化合物、氧雜菁系化合物、克酮鎓系化合物、六元卟啉系化合物、金屬二硫醇系化合物、銅化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
此處,以下更詳細地例示可用作所述化合物(B)的化合物。
作為所述二亞胺(二亞銨(diimmonium))系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開平01-113482號公報、日本專利特開平10-180922號公報、國際公開WO2003-5076號、國際公開WO2004-48480號公報、國際公開WO2005-44782號、國際公開WO2006-120888號公報、日本專利特開2007-246464號公報、國際公開WO2007-148595號公報、日本專利特開2011-038007號公報、國際公開WO2011-118171號公報的段落0118等中所記載的化合物。作為市售品,例如可列舉:依普萊特(EPOLIGHT)1178等EPOLIGHT系列(依普林(Epolin)公司製造),CIR-1085等CIR-108X系列及CIR-96X系列(日本卡利德(Japan Carlit)公司製造),IRG022、IRG023、PDC-220(日本化藥公司製造)等。
作為所述花青系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開2007-271745號公報的段落0041~段落0042、日本專利特開2007-334325號公報的段落0016~段落0018、日本專利特開2009-108267號公報、日本專利特開2009-185161號公報、日本專利特開2009-191213號公報、日本專利特開2012-215806號公報的段落0160、日本專利特開2013-155353號公報的段落0047~段落0049等中所記載的化合物。作為市售品,例如可列舉:Daito chmix 1371F(大東化工(Daito Chemix)公司製造),NK-3212、NK‐5060等NK系列(林原生物化學研究所製造)等。
作為所述酞青系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開昭60-224589號公報、日本專利特表2005-537319號公報、日本專利特開平4-23868號公報、日本專利特開平4-39361號公報、日本專利特開平5-78364號公報、日本專利特開平5-222047號公報、日本專利特開平5-222301號公報、日本專利特開平5-222302號公報、日本專利特開平5-345861號公報、日本專利特開平6-25548號公報、日本專利特開平6-107663號公報、日本專利特開平6-192584號公報、日本專利特開平6-228533號公報、日本專利特開平7-118551號公報、日本專利特開平7-118552號公報、日本專利特開平8-120186號公報、日本專利特開平8-225751號公報、日本專利特開平9-202860號公報、日本專利特開平10-120927號公報、日本專利特開平10-182995號公報、日本專利特開平11-35838號公報、日本專利特開2000-26748號公報、日本專利特開2000-63691號公報、日本專利特開2001-106689號公報、日本專利特開2004-18561號公報、日本專利特開2005-220060號公報、日本專利特開2007-169343號公報、日本專利特開2013-195480號公報的段落0026~段落0027等中所記載的化合物。作為市售品,例如可列舉:FB-22、FB-24等FB系列(山田化學工業公司製造),愛克斯彩色(Excolor)系列、Excolor TX-EX 720、Excolor TX-EX 708K(日本觸媒製造),路瑪近(Lumogen)IR788(巴斯夫(BASF)製造),ABS643、ABS654、ABS667、ABS670T、IRA693N、IRA735(艾克森頓(Exciton)製造),SDA3598、SDA6075、SDA8030、SDA8303、SDA8470、SDA3039、SDA3040、SDA3922、SDA7257(H.W. 山德斯(SANDS)製造),TAP-15、IR-706(山田化學工業製造)等。
作為所述萘酞青系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開平11-152413號公報、日本專利特開平11-152414號公報、日本專利特開平11-152415號公報、日本專利特開2009-215542號公報的段落0046~段落0049等中所記載的化合物。
作為所述誇特銳烯系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開2008-009206號公報的段落0021等中所記載的化合物。作為市售品,例如可列舉:路瑪近(Lumogen)IR765(巴斯夫公司製造)等。
作為所述銨系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開平08-027371號公報的段落0018、日本專利特開2007-039343號公報等中所記載的化合物。作為市售品,例如可列舉:IRG002、IRG003(日本化藥公司製造)等。
作為所述亞胺系化合物的具體例,可列舉:國際公開WO2011-118171號公報的段落0116等中所記載的化合物。
作為所述偶氮系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開2012-215806號公報的段落0114~段落0117等中所記載的化合物。
作為所述蒽醌系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開2012-215806號公報的段落0128、段落0129等中所記載的化合物。
作為所述吡咯并吡咯系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開2011-068731號公報、日本專利特開2014-130343號公報的段落0014~段落0027等中所記載的化合物。
作為所述氧雜菁系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開2007-271745號公報的段落0046等中所記載的化合物。
作為所述克酮鎓系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開2007-271745號公報的段落0049、日本專利特開2007-31644號公報、日本專利特開2007-169315號公報等中所記載的化合物。
作為所述金屬二硫醇系化合物的具體例,可列舉:日本專利特開平01-114801號公報、日本專利特開昭64-74272號公報、日本專利特開昭62-39682號公報、日本專利特開昭61-80106號公報、日本專利特開昭61-42585號公報、日本專利特開昭61-32003號公報等中所記載的化合物。
作為所述銅化合物,較佳為銅錯合物,作為具體例,可列舉:日本專利特開2013-253224號公報、日本專利特開2014-032380號公報、日本專利特開2014-026070號公報、日本專利特開2014-026178號公報、日本專利特開2014-139616號公報、日本專利特開2014-139617號公報等中所記載的化合物。
再者,當所述化合物為有機化合物時,亦可用作色澱色素。用以製造色澱色素的方法可採用公知的方法,例如可參考日本專利特開2007-271745號公報等。 [發明的效果]
根據本發明,可抑制製造成本並實現一種檢測精度高的固體攝像裝置。
以下,一面參照圖式,一面對本發明的一實施形態的固體攝像裝置進行詳細說明。以下所示的實施形態為本發明的實施形態的一例,本發明並不限定於此處所說明的實施形態。
再者,於本實施形態中所參照的圖式中,對同一部分或具有同樣的功能的部分標註同一種符號或類似的符號(於數字後僅標註A、B等的符號),有時省略其重複的說明。另外,有時圖式的尺寸比率為便於說明而與實際的比率不同、或自圖式中省略構成的一部分。
另外,於本說明書中的結構上的表達中,「上」或「上方」這一記載是指以支撐基板的主面(配置固體攝像元件的面)為基準的相對的方向,且是指自支撐基板的主面遠離的方向。相反地,「下」或「下方」這一記載是指靠近支撐基板的主面的方向。
圖1是本發明的一實施形態的固體攝像裝置的應用例。具體而言,表示將本實施形態的固體攝像裝置應用於TOF方式的攝像裝置(例如距離圖像相機)的例子。再者,此處所說明的攝像裝置始終是概念圖,並不妨礙追加或刪除其他要素。
於圖1中,攝像機器(相機)10具備光源11、固體攝像裝置(影像感測器)12、信號處理部13、主控制部14作為基本的構成要素。主控制部14與光源11、固體攝像裝置12及信號處理部13連接,發揮控制各自的動作的作用。固體攝像裝置12進而亦與信號處理部13連接,將固體攝像裝置12中所生成的電信號輸送至信號處理部13。
作為光源11,可使用輸出近紅外光的公知的發光二極體(Light Emitting Diode,LED)。自光源11輸出的近紅外光照射至攝像對象物15上並被反射,其反射光入射至固體攝像裝置12中。此時,自光源11輸出的近紅外光與自攝像對象物15返回的近紅外光之間產生對應於攝像對象物15的立體形狀的相位差。
作為固體攝像裝置12,可使用CMOS影像感測器或CCD影像感測器。作為CMOS影像感測器,可使用表面照射型與背面照射型的任一種類型,但於本實施形態中,使用高感度的背面照射型CMOS影像感測器。
由攝像對象物15所反射的外界的可見光與自光源11輸出的近紅外光入射至固體攝像裝置12內的固體攝像元件(亦稱為光電轉換元件或感測器元件)中,並轉換成對應於光量的電信號。經轉換的電信號藉由設置於固體攝像裝置12內的模擬數位(Analog Digital,AD)轉換電路而數位化,並作為數位信號而朝信號處理部13輸出。固體攝像裝置12的具體的結構將後述。
信號處理部13接收自固體攝像裝置12輸出的數位信號並進行信號處理,而形成基於攝像對象物15的圖像。此時,基於可見光的數位信號可用作再現攝像對象物15的色彩或形狀的資訊,基於近紅外光的數位信號可用作用以識別至攝像對象物15為止的距離的資訊。藉由該些數位信號而可立體地掌握攝像對象物15。
主控制部14是以中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)為中心的運算處理部,其控制光源11、固體攝像裝置12及信號處理部13,並且根據自信號處理部13所獲得的資訊,亦控制未圖示的其他處理部。
圖2是用以說明固體攝像裝置12的概略的平面圖。於封裝體16中配置畫素部17及端子部18。在畫素部17與端子部18之間可設置AD轉換電路。放大部19表示將畫素部17的一部分放大的樣子。如放大部19所示,於畫素部17中呈矩陣狀地配置有多個畫素20。
於圖2中,如畫素部17與端子部18般僅表示簡單的結構,但本實施形態的固體攝像裝置並不限定於此。例如,針對圖2中所示的固體攝像裝置12,亦可內置作為圖1中所示的信號處理部13的功能。進而,可亦內置與圖1中所示的主控制部14同等的運算處理能力,而作為以單晶片具備攝像功能與運算功能的系統積體電路(Integrated Circuit,IC)。
(固體攝像裝置的結構) 圖3是以III-III'切斷圖2中所示的畫素20的剖面圖。於圖3中,自外來光入射之側起,圖示有第1光學層21、第1間隙22、微透鏡陣列23、第2間隙24、第2光學層25、第3間隙26、可見光通過濾波器(彩色抗蝕劑)27a~可見光通過濾波器27c、近紅外光通過濾波器27d、絕緣體28、光二極體29a~光二極體29d、以及支撐基板30。第1間隙22、第2間隙24及第3間隙26可作為由空氣或惰性氣體填充的空間來確保,亦可作為包含有機絕緣膜或無機絕緣膜的絕緣體來確保。
於本說明書中,將包含可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c及對應於該些而配置的光二極體29a~光二極體29c的畫素稱為「可見光檢測用畫素」,將包含近紅外光通過濾波器27d及光二極體29d的畫素稱為「近紅外光檢測用畫素」。
此處,第1光學層21是使可見光及近紅外光的至少一部分透過的光學層,例如使波長400 nm~700 nm的可見光與波長750 nm~2500 nm(典型的是750 nm~950 nm)的近紅外光透過。當然,所透過的波長區域並不限於此處所述的範圍,只要可使對應於R(紅)、G(緑)及B(藍)的光的可見光,及可由後述的近紅外光檢測用畫素進行檢測的波長區域的近紅外光透過即可。如所述般具備使不同的2個波長區域透過的光學特性的濾波器一般被稱為雙頻帶通濾波器。
再者,於本實施形態中,作為第1光學層21,使用在具有透明樹脂(具有透光性的樹脂)層的基材(膜)上設置介電體多層膜而成的光學層,所述透明樹脂(具有透光性的樹脂)包含具有特定的光學特性的化合物。作為具有特定的光學特性的化合物,例如可列舉吸收近紅外光的一部分的化合物。具體而言,作為化合物(A),可使用於波長750 nm~900 nm中具有至少一個最大吸收的化合物。作為此種化合物,例如可使用選自由方酸內鎓鹽系色素、酞青系化合物、萘酞青系化合物、克酮鎓系化合物、六元卟啉系化合物及花青系化合物所組成的群組中的至少一種,較佳為使用方酸內鎓鹽系化合物。
如此,藉由在具有包含吸收近紅外光的一部分的化合物的透明樹脂層的基材上設置介電體多層膜,可作為使可見光與近紅外光的至少一部分透過的雙頻帶通濾波器。此時,基材可為單層,亦可為多層。若為單層,則可作為包含透明樹脂層的可撓性的基材。於多層的情況下,例如可使用:於玻璃基板或樹脂基板等透明基板上積層包含化合物(A)及硬化性樹脂的透明樹脂層而成的基材、或於包含化合物(A)的透明基板上積層包含硬化性樹脂的外塗層等樹脂層而成的基材。
如上所述,當由樹脂製的基材構成第1光學層21時,比一般的玻璃製雙頻帶通濾波器更使輕薄性與不易破損性並存,例如可設為膜狀。即,當設為於具有包含所述化合物(A)的透明樹脂層的基材上積層有介電體多層膜的結構時,第1光學層21的厚度例如可設為200 μm以下,較佳為設為180 μm以下,更佳為設為150 μm以下,特佳為設為120 μm以下。
微透鏡陣列23的各個微透鏡的位置對應於各畫素的位置,由各微透鏡所聚集的入射光分別被對應的各畫素(具體而言,各光二極體)接收。微透鏡陣列23可使用樹脂材料來形成,因此亦可藉由晶載(on chip)來形成。例如,可使用絕緣體作為第2間隙24,並對塗佈於其上的樹脂材料進行加工來形成微透鏡陣列23。另外,亦可使用包含樹脂的基材(膜)作為第2間隙24,並對塗佈於其上的樹脂材料進行加工來形成微透鏡陣列23後,以貼附該基材的形態組裝至固體攝像元件12中。
第2光學層25是吸收近紅外光的至少一部分的光學層,例如包含於波長755 nm~1050 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(以下稱為「化合物(B)」)。作為化合物(B),例如可含有選自由二亞胺系化合物、方酸內鎓鹽系化合物、花青系化合物、酞青系化合物、萘酞青系化合物、誇特銳烯系化合物、銨系化合物、亞胺系化合物、偶氮系化合物、蒽醌系化合物、卟啉系化合物、吡咯并吡咯系化合物、氧雜菁系化合物、克酮鎓系化合物、六元卟啉系化合物、金屬二硫醇系化合物、銅化合物、鎢化合物、金屬硼化物所組成的群組中的至少一種化合物。第2光學層25作為對應於化合物(B)的光學特性吸收近紅外光的一部分的近紅外光截止濾波器發揮功能。
第2光學層25在對應於近紅外光檢測用畫素(具體而言,光二極體29d)的部分具有開口部。即,以近紅外光直接到達光二極體29d的方式,於光二極體29d的上方設置開口部,而變成不妨礙近紅外光的入射的結構。換言之,第2光學層25中的「對應於光二極體29d的部分」是指光二極體29d的上方,即朝向光二極體29d的近紅外光的光路與第2光學層25交叉的部分。
如此,第2光學層25以覆蓋近紅外光檢測用畫素以外的部分(即可見光檢測用畫素)的上方的方式配置。藉此,可極力抑制近紅外光到達可見光檢測用畫素。其結果,於可見光檢測用畫素中可減少雜訊成分,而可提昇可見光的檢測精度。
於第2光學層25的下方配置包含所述可見光檢測用畫素與近紅外光檢測用畫素的畫素群。如上所述,於本實施形態中,各光二極體29a~光二極體29c與可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c分別對應來構成可見光檢測用畫素。另外,光二極體29d與近紅外光通過濾波器27d對應來構成近紅外光檢測用畫素。於本說明書中,將光二極體29a~光二極體29c稱為「第1光接收元件」,將光二極體29d稱為「第2光接收元件」。
再者,實際上可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c分別包含使不同的波長的可見光透過的通過濾波器。例如,可見光通過濾波器可包含使綠色光透過的通過濾波器27a、使紅色光透過的通過濾波器27b、及使藍色光透過的通過濾波器27c。因此,可將該些對應於個別的顏色的畫素分別稱為綠色光檢測用畫素、紅色光檢測用畫素、藍色光檢測用畫素。
另外,可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c及近紅外光通過濾波器27d可使用含有於特定波長中具有吸收的色素(顏料或染料)的樹脂材料。例如,近紅外光通過濾波器27d可使用含有於可見光的波長區域中具有吸收的色素與硬化性成分的硬化性組成物來形成。於可見光的波長區域中具有吸收的色素只要含有一種以上即可,但亦可將多種色素加以組合。
所述光二極體29a~光二極體29d可使用矽基板作為支撐基板30,並利用公知的半導體製程來形成於矽基板的表面。當然,亦可使用玻璃、陶瓷、樹脂等基板作為支撐基板30,並利用公知的薄膜形成技術來形成光二極體29a~光二極體29d。
於本實施形態中,將光二極體29a用作用以接收波長520 nm~560 nm的綠色光的光接收元件,將光二極體29b用作用以接收波長580 nm~620 nm的紅色光的光接收元件,將光二極體29c用作用以接收波長430 nm~470 nm的藍色光的光接收元件。如此,於本實施形態的固體攝像裝置12中,使用該些光二極體29a~光二極體29c來檢測自外部入射的可見光。
另一方面,光二極體29d作為用以接收波長750 nm~2500 nm(典型的是波長750 nm~950 nm)的近紅外光的光接收元件發揮功能,藉由光二極體29d來檢測自外部入射的近紅外光。
(固體攝像裝置的製造方法) 使用圖3對固體攝像裝置20的製造方法的一例進行說明。首先,準備矽基板作為支撐基板30,利用公知的半導體製程來形成光二極體29a~光二極體29d。例如,對矽基板添加磷等n型雜質來形成n型區域,並向其中添加硼等p型雜質來形成p型區域,藉此獲得pn接合。而且,能夠以可自該些n型區域及p型區域中取出電流的方式形成配線來形成光二極體29a~光二極體29d。
若形成光二極體29a~光二極體29d,則藉由化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)等來形成絕緣體28而覆蓋光二極體29a~光二極體29d。作為絕緣體28,可使用含有氧化矽等的無機絕緣層、或使用含有樹脂的有機絕緣層。此時,較佳為設為可使由光二極體29a~光二極體29d所引起的起伏平坦化的程度的膜厚。
於形成絕緣體28後,形成可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c。可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c例如可藉由如下方式來獲得:使用印刷法於所期望的位置上形成包含硬化性組成物的結構體,所述硬化性組成物包含含有吸收特定波長的光的色素的硬化性成分。
繼而,於可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27d上形成具有透光性的絕緣層作為間隙26。例如,可形成氧化矽層或有機樹脂層作為具有透光性的絕緣層。再者,當使用具有透光性的絕緣層作為間隙26時,可使由可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27d所引起的起伏平坦化。因此,可使形成於間隙26上的第2光學層25變得平坦,而可提昇第2光學層25的光學特性的均勻性。
於形成氧化矽層作為間隙26後,形成第2光學層25。作為第2光學層25,使用含有所述化合物(B)的硬化性樹脂組成物。例如,藉由旋塗來塗佈含有化合物(B)的硬化性樹脂組成物而形成第2光學層25。再者,只要利用公知的光微影在對應於近紅外光通過濾波器27d的部分形成開口部即可。
繼而,於第2光學層25上再次形成具有透光性的絕緣層作為間隙24。於此情況下,例如亦可形成氧化矽層或有機樹脂層作為具有透光性的絕緣層。另外,當使用具有透光性的絕緣層作為間隙24時,可使由設置於第2光學層25中的開口部所引起的起伏平坦化。
若形成具有透光性的絕緣層作為間隙24,則對應於各光二極體29a~光二極體29d來形成微透鏡陣列23。微透鏡陣列23亦可黏著現有的微透鏡陣列,但亦可對樹脂層進行加工來形成。例如,可藉由旋塗等來塗佈樹脂層並使其硬化後,將所期望的區域設為遮罩並藉由乾式蝕刻等來進行加工,而形成多個透鏡形狀的結構體。
若形成微透鏡陣列23,則形成樹脂層作為間隙22,並於其上黏著第1光學層21。例如,藉由旋塗等來塗佈樹脂材料,並於其上配置已形成的第1光學層21,於該狀態下使樹脂材料硬化。藉此,可使用作為間隙22所形成的樹脂層來黏著第1光學層21。當然,亦可於使樹脂層硬化後,使用黏著劑來黏著第1光學層21。
可藉由如以上般的程序來形成圖3中所示的固體攝像裝置20。再者,此處所說明的製造方法僅為一例,所使用的材料或膜的形成方法只要使用適當的代替技術即可。
此處,將本實施形態的固體攝像裝置12中所使用的第1光學層21、第2光學層25及近紅外光通過濾波器27d的光學特性示於圖4~圖6中。
圖4是表示本實施形態的固體攝像裝置12中所使用的第1光學層(雙頻帶通濾波器)21的透過光譜的圖。於圖4中,橫軸表示入射光的波長,縱軸以百分率表示自相對於第1光學層21垂直的方向進行測定時的透過率。如圖4所示,本實施形態中所使用的第1光學層21具有使波長400 nm~700 nm的可見光與波長750 nm~950 nm的近紅外光透過的光學特性。當然,圖4中所示的光學特性為一例,作為本實施形態中所使用的第1光學層21,只要是具有使可見光及近紅外光的至少一部分透過的光學特性者,則即便是使其他波長區域透過的雙頻帶通濾波器,亦可使用。
圖5是表示本實施形態的固體攝像裝置12中所使用的第2光學層(近紅外光截止濾波器)25的透過光譜的圖。於圖5中,橫軸表示入射光的波長,縱軸以百分率表示自相對於第2光學層25垂直的方向進行測定時的透過率。再者,於圖5中表示第2光學層(A)與第2光學層(B)兩種,但兩者的透過光譜的差異由所含有的化合物(B)的不同造成。
如圖5所示,本實施形態中所使用的近紅外光截止濾波器25具有截止大概波長600 nm~950 nm的入射光的功能。當然,圖5中所示的光學特性為一例,作為本實施形態中所使用的第2光學層25,只要使用含有於波長755 nm~1050 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(B)的光學層即可。
圖6是表示本實施形態的固體攝像裝置12中所使用的近紅外光通過濾波器27d的透過光譜的圖。於圖6中,橫軸表示入射光的波長,縱軸以百分率表示自相對於近紅外光通過濾波器27d垂直的方向進行測定時的透過率。如圖6所示,本實施形態中所使用的近紅外光通過濾波器27d顯示出使比波長750 nm附近更長的波長側的光透過的特性。當然,可用於本實施形態的近紅外光通過濾波器27d並不限於具有圖6中所示的透過光譜特性者,產生光的吸收的波長可位於更長的波長側或更短的波長側。
本實施形態中的固體攝像裝置12首先藉由具有圖4中所示的光學特性的第1光學層21來對外來光進行過濾,使波長400 nm~700 nm的可見光與波長750 nm~2500 nm的近紅外光的至少一部分(具體而言,波長750 nm~950 nm的近紅外光)透過。然後,透過第1光學層21的可見光與近紅外光的一部分入射至第2光學層25中。
此時,因光二極體29d的上方的第2光學層25中設置有開口部,故透過第1光學層21的可見光與近紅外光的一部分直接朝近紅外光通過濾波器27d入射。於近紅外光通過濾波器27d中,如圖6所示,大概波長750 nm以下的可見光被吸收(截止),波長750 nm~950 nm的近紅外光入射至光二極體29d中。藉此,可不受由可見光所引起的雜訊等的影響,高精度地掌握至攝像對象物15為止的距離。
另一方面,因於光二極體29a~光二極體29c的上方(可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c的上方)設置有第2光學層25,故透過第1光學層21的可見光與近紅外光的一部分朝第2光學層25入射。於第2光學層25中,如圖5所示,大概波長600 nm~950 nm的近紅外光被吸收(截止),含有RGB的各成分光的可見光經由可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c而入射至光二極體29a~光二極體29c中。藉此,可大幅度地減少入射至光二極體29a~光二極體29c中的近紅外光的光量,因此可不受由紅外光所引起的雜訊等的影響,高精度地掌握攝像物15的色度或形狀。
如此,本實施形態中的固體攝像裝置12的特徵點在於:藉由適當地調整第1光學層21與第2光學層25的光學特性,而抑制最終入射至可見光檢測用畫素中的近紅外光。
相對於此,於僅設置有第1光學層21的情況下,透過第1光學層21的近紅外光直接入射至可見光檢測用畫素中,因此存在無法高精度地檢測可見光之虞。
另外,於僅設置有第2光學層25的情況下,因不需要的近紅外光入射至可見光檢測用畫素中,故亦存在無法高精度地檢測可見光之虞。例如,通常紅色用的彩色抗蝕劑具有使波長600 nm以上的光透過的光學特性,因此近紅外光入射至紅色光檢測用畫素中。另外,通常綠色用的彩色抗蝕劑或藍色用的彩色抗蝕劑具有自波長750 nm附近起透過率緩慢地增加的光學特性,因此近紅外光仍然入射至綠色光檢測用畫素或藍色光檢測用畫素中。
圖7是用以說明第1光學層21與第2光學層25之間的光學特性的關係的圖。於圖7中揭示表示第1光學層21的光學特性(垂直方向的入射光中的透過光譜)的曲線701與表示第2光學層25的光學特性(垂直方向的入射光中的透過光譜)的曲線702。此處,曲線701對應於圖4中所示的透過光譜。另外,曲線702對應於圖5中所示的第2光學層(A)的透過光譜。
如所述般,於第1光學層21中含有於波長750 nm~900 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(A)。因此,於圖7中,在由曲線701所表示的透過光譜中,自波長600 nm至波長850 nm可看見吸收。化合物(A)並不限於一種,可使用多種。因此,當含有多種化合物作為化合物(A)時,根據各自的光學特性(吸收特性)來決定曲線701的形狀。於本說明書中,將藉由至少一種化合物所產生的最大吸收中的最長的波長側的最大吸收的波長,即化合物(A)的最長的波長側的最大吸收波長設為A1。
另外,於第2光學層25中含有於波長755 nm~1050 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(B)。因此,於圖7中,在由曲線702所表示的透過光譜中,自波長600 nm至波長950 nm可看見吸收。與化合物(A)同樣地,化合物(B)亦可使用多種。因此,於本說明書中,將藉由至少一種化合物所產生的最大吸收中的最長的波長側的最大吸收的波長,即化合物(B)的最長的波長側的最大吸收波長設為A2。
此時,本實施形態中的固體攝像裝置12是以化合物(B)的最長的波長側的最大吸收波長(A2)大於化合物(A)的最長的波長側的最大吸收波長(A1),且兩者的差變成5 nm~150 nm(較佳為10 nm~120 nm)的方式,調整第1光學層21與第2光學層25的光學特性。若兩者的差未滿5 nm,則存在如下的傾向而不佳:於到達可見光通過濾波器27a~可見光通過濾波器27c之前無法充分遮蔽相當於第1光學層的近紅外光的透過帶中的長波長側的光,不需要的漏光入射至可見光檢測用畫素中且色彩再現性下降。另外,若兩者的差超過150 nm,則存在如下的傾向而不佳:於到達可見光通過濾波器可見27a~可見光通過濾波器27c之前無法充分遮蔽相當於第1光學層的近紅外光的透過帶中的短波長側的光,同樣地不需要的漏光入射至可見光檢測用畫素中且色彩再現性下降。
若如所述般設計第1光學層21的光學特性與第2光學層25的光學特性,則可將最終到達光二極體29a~光二極體29c的近紅外光的光量抑制至所入射的近紅外光的70%以下(較佳為50%以下,更佳為30%以下)為止。具體而言,如圖8所示,當自垂直方向測定波長750 nm~950 nm的近紅外光的透過率時,將透過率變成30%以上的最短的波長設為X1,將該透過率變成30%以下的最長的波長設為X2。而且,當將自波長X1至波長X2為止的波長帶(波長範圍)設為X時,該波長帶(X)中的近紅外光的自垂直方向進行測定時的第1光學層21的平均透過率(例如當X1為810 nm、X2為900 nm時,810 nm~900 nm的各波長中的透過率的平均值)、與相同的波長帶(X)中的近紅外光的自垂直方向進行測定時的第2光學層25的平均透過率的積變成70%以下(較佳為50%以下,更佳為30%以下)。再者,於圖8中,曲線801表示第1光學層21的光學特性(垂直方向的入射光中的透過光譜),曲線802表示第2光學層25的光學特性(垂直方向的入射光中的透過光譜)。
當然,此種效果於使用圖5中所示的第2光學層(B)作為第2光學層25的情況下亦相同。
圖9是表示自垂直方向測定近紅外光時,計算第1光學層的平均透過率與第2光學層的平均透過率的積的結果的圖。具體而言,表示使圖7中由曲線701所表示的透過光譜的各透過率與由曲線702所表示的透過光譜的各透過率相乘的計算結果。
如根據圖9而明確般,可知於波長800 nm~950 nm的範圍內透過率變成約20%以下。其意味著當將第1光學層21及第2光學層25看作1個光學層時,相對於入射光,出射光被截止約80%以上。即,表示透過第1光學層21的近紅外光由第2光學層25充分地截止,而極力減少朝向可見光檢測用畫素的近紅外光的入射。如此,藉由併用第1光學層21與第2光學層25、且以滿足所述條件的方式調整兩者的光學特性,可分別使可見光與近紅外光選擇性地入射至可見光檢測用畫素與近紅外光檢測用畫素中。而且,作為其結果,可實現兼具距離感測功能與優異的色彩再現性的固體攝像裝置。
另外,如先前例般,無須於可見光檢測用畫素或紅外光檢測用畫素的上方另外配置可見光通過濾波器與紅外線通過濾波器兩者,可抑制製造成本並實現檢測精度高的固體攝像裝置。 [實施例]
以下,根據實施例對所述實施形態中所示的第1光學層及第2光學層進行更具體的說明,但所述實施形態並不受該些實施例任何限定。再者,只要事先無特別說明,則「份」表示「重量份」。另外,各物性值的測定方法及物性的評價方法如下所示。
<分子量> 樹脂的分子量考慮到各樹脂對於溶劑的溶解性等,藉由下述的方法來進行測定。
使用沃特斯(WATERS)公司製造的凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography,GPC)裝置(150C型,管柱:東曹(股份)製造的H型管柱,展開溶劑:鄰二氯苯),測定標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)。
<玻璃轉移溫度(Tg)> 使用精工電子奈米科技(SII Nanotechnology)(股份)製造的示差掃描熱量計(DSC6200),以昇溫速度:20℃/min,於氮氣氣流下進行測定。
<分光透過率> 第1光學層的(X1)及(X2)、以及第1光學層的各波長區域中的透過率是使用日立先端科技(Hitachi High-Technologies)(股份)製造的分光光度計(U-4100)來測定。
此處,第1光學層及第2光學層的自垂直方向進行測定時的透過率如圖10(A)般,測定相對於濾波器垂直地透過的光。另外,自相對於濾光器的垂直方向為30°的角度進行測定時的透過率如圖10(B)般,測定以相對於濾波器的垂直方向為30°的角度透過的光。
[合成例] 所述實施形態中所使用的化合物(A)可藉由通常為人所知的方法來合成,例如可參照日本專利第3366697號、日本專利第2846091號、日本專利第2864475號、日本專利第3094037號、日本專利第3703869號、日本專利特開昭60-228448號公報、日本專利特開平1-146846號公報、日本專利特開平1-228960號公報、日本專利第4081149號、日本專利特開昭63-124054號公報、「酞青-化學與功能-」(IPC、1997年)、日本專利特開2007-169315號公報、日本專利特開2009-108267號公報、日本專利特開2010-241873號公報、日本專利第3699464號、日本專利第4740631號等中所記載的方法來合成。
<與化合物(A)相關的樹脂合成例1> 將由下述式(a)所表示的8-甲基-8-甲氧基羰基四環[4.4.0.12,5 .17,10 ]十二-3-烯100份、1-己烯(分子量調節劑)18份及甲苯(開環聚合反應用溶媒)300份加入至經氮氣置換的反應容器中,並將該溶液加熱至80℃。繼而,向反應容器內的溶液中添加作為聚合觸媒的三乙基鋁的甲苯溶液(濃度為0.6 mol/l)0.2份、及甲醇改質的六氯化鎢的甲苯溶液(濃度為0.025 mol/l)0.9份,於80℃下對所獲得的溶液進行3小時加熱攪拌,藉此進行開環聚合反應而獲得開環聚合體溶液。該聚合反應中的聚合轉化率為97%。
[化1]
將以所述方式獲得的開環聚合體溶液1,000份加入至高壓釜中,向該開環聚合體溶液中添加RuHCl(CO)[P(C6 H5 )3 ]3 0.12份,於氫氣壓為100 kg/cm2 、反應溫度為165℃的條件下加熱攪拌3小時來進行氫化反應。將所獲得的反應溶液(氫化聚合體溶液)加以冷卻後,對氫氣進行放壓。將該反應溶液注入至大量的甲醇中並分離回收凝固物,然後對其進行乾燥,而獲得氫化聚合體(以下亦稱為「樹脂A」)。所獲得的樹脂A的數量平均分子量(Mn)為32,000,重量平均分子量(Mw)為137,000,玻璃轉移溫度(Tg)為165℃。
<第1光學層的製作> 於本實施例中,製作含有包含於兩面具有樹脂層的透明樹脂製基板的基材,並於波長810 nm~900 nm附近具有近紅外線選擇透過帶的濾光器作為第1光學層。向容器中添加樹脂合成例1中所獲得的樹脂A 100份、作為化合物(A)的下述結構的化合物(a-1:於二氯甲烷中的最大吸收波長為698 nm)0.03份、(a-2:於二氯甲烷中的最大吸收波長為738 nm)0.05份、(a-3:於二氯甲烷中的最大吸收波長為770 nm)0.03份、以及二氯甲烷,而獲得樹脂濃度為20 wt%(重量百分比)的溶液。繼而,將所獲得的溶液澆鑄至平滑的玻璃板上,於20℃下乾燥8小時後,自玻璃板上剝離。進而於減壓下、且於100℃下對經剝離的塗膜進行8小時乾燥,而獲得厚0.1 mm、長60 mm、寬60 mm的包含透明樹脂製基板的基材。
[化2](a-1)(a-2)(a-3)
利用棒式塗佈機將下述組成的樹脂組成物(1)塗佈於所獲得的透明樹脂製基板的一面上,並於烘箱中以70℃加熱2分鐘,而將溶劑揮發去除。此時,以乾燥後的厚度變成2 μm的方式,調整棒式塗佈機的塗佈條件。繼而,使用輸送機式曝光機進行曝光(曝光量為500 mJ/cm2 、200 mW),使樹脂組成物(1)硬化,而於透明樹脂製基板上形成樹脂層。同樣地,於透明樹脂製基板的另一面上亦形成包含樹脂組成物(1)的樹脂層,而獲得於包含化合物(A)的透明樹脂製基板的兩面上具有樹脂層的基材。
樹脂組成物(1):三環癸烷二甲醇丙烯酸酯60重量份、二季戊四醇六丙烯酸酯40重量份、1-羥基環己基苯基酮5重量份、甲基乙基酮(溶劑,固體成分濃度(TSC):30%)
繼而,於所獲得的基材的一面上形成介電體多層膜(I),進而於基材的另一面上形成介電體多層膜(II),而獲得厚度約為0.109 mm的濾光器。 介電體多層膜(I)是於蒸鍍溫度100℃下使二氧化矽(SiO2 )層與二氧化鈦(TiO2 )層交替地積層而形成(合計26層)。介電體多層膜(II)是於蒸鍍溫度100℃下使二氧化矽(SiO2 )層與二氧化鈦(TiO2 )層交替地積層而形成(合計20層)。於介電體多層膜(I)及介電體多層膜(II)的任一者中,二氧化矽層及二氧化鈦層均自基材側起以二氧化鈦層、二氧化矽層、二氧化鈦層、···二氧化矽層、二氧化鈦層、二氧化矽層的順序交替地積層,並將濾光器的最外層設為二氧化矽層。
介電體多層膜(I)及介電體多層膜(II)的設計以如下方式進行。關於各層的厚度與層數,以可達成可見區域的抗反射效果與近紅外區域的選擇性的透過·反射性能的方式,結合基材折射率的波長依存特性或所使用的化合物(A)的吸收特性,使用光學薄膜設計軟體(Essential Macleod,薄膜中心(Thin Film Center)公司製造)進行最佳化。當進行最佳化時,於本實施例中將針對軟體的輸入參數(目標(Target)值)設為如下述表1般。 [表1]
膜構成最佳化的結果,於本實施例中,介電體多層膜(I)變成膜厚為19 nm~387 nm的二氧化矽層與膜厚為8 nm~99 nm的二氧化鈦層交替地積層而成的積層數為26的多層蒸鍍膜,介電體多層膜(II)變成膜厚為31 nm~191 nm的二氧化矽層與膜厚為19 nm~126 nm的二氧化鈦層交替地積層而成的積層數為20的多層蒸鍍膜。將進行最佳化的膜構成的一例示於表2中。
[表2] *λ=550 nm
測定該濾光器的分光透過率及反射率,並評價各波長區域中的光學特性。評價的結果,於本實施例中,(X1)變成812 nm,(X2)變成904 nm,波長帶(X)的中心波長(由(X1+X2)/2的式子所規定的波長)變成858 nm,波長帶(X)中的自垂直方向進行測定時的平均透過率變成73%,波長帶(X)中的自傾斜30度的方向進行測定時的平均透過率變成45%,波長430 nm~620 nm中的自垂直方向進行測定時的平均透過率變成85%,波長430 nm~470 nm中的自垂直方向進行測定時的平均透過率變成82%,波長520 nm~560 nm中的自垂直方向進行測定時的平均透過率變成88%,波長580 nm~620 nm中的自垂直方向進行測定時的平均透過率變成79%,確認於可見區域與一部分的近紅外波長帶中具有優異的透過特性。將藉由測定所獲得的光譜示於圖11中。
<與化合物(B)相關的樹脂合成例2> 於反應容器中,使甲基丙烯酸苄酯14 g、N-苯基順丁烯二醯亞胺12 g、甲基丙烯酸2-羥基乙酯15 g、苯乙烯10 g及甲基丙烯酸20 g溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯200 g中,進而投入2,2'-偶氮異丁腈3 g及α-甲基苯乙烯二聚體5 g。對反應容器內進行氮氣沖洗後,一面進行攪拌及氮氣起泡一面於80℃下進行5時間加熱,而獲得含有黏合劑樹脂的溶液(以下黏合劑樹脂溶液(P),固體成分濃度為35質量%)。針對所獲得的黏合劑樹脂,使用昭和電工公司的凝膠滲透層析(GPC)裝置(GPC-104型,管柱:將3根昭和電工公司製造的LF-604與KF-602結合而成者,展開溶劑:四氫呋喃),測定聚苯乙烯換算的分子量,結果重量平均分子量(Mw)為9700,數量平均分子量(Mn)為5700,Mw/Mn為1.70。
<硬化性樹脂組成物A的製備> 將林原製造的作為花青染料的NK-5060(甲基乙基酮中的最大吸收波長為864 nm)6.6份、環己酮507份、所述黏合劑樹脂溶液(P)100份、群榮化學工業公司製造的立西拓普(Resitop)C-357丙二醇單甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate,PGMEA)(將下述結構的化合物作為主成分的固體成分濃度為20質量%的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液)175份、艾迪科(ADEKA)製造的雙-(4-第三丁基苯基)錪九氟丁烷磺酸鹽2.23份、尼歐斯(Neos)股份有限公司製造的FTX‐218D 0.14份混合,製備硬化性組成物A。
[化3]
<第2光學層的製作> 藉由旋塗法來將所述硬化性樹脂組成物A塗佈於玻璃基板上後,於100℃下加熱120秒,繼而於140℃下加熱300秒,藉此於玻璃基板上製作厚度為0.50 μm的第2光學層。再者,膜厚是利用觸針式輪廓儀(大和科學(Yamato Scientific)(股份)製造,Alpha-Step IQ)進行測定。
<分光透過率> 於所述玻璃基板上所製作的第2光學層的各波長區域中的透過率是使用分光光度計(日本分光(股份)製造,V-7300),以玻璃基板對比進行測定。將藉由測定所獲得的光譜示於圖12中。
於本實施例中,波長帶(X)中的所述近紅外光的自垂直方向進行測定時的所述第1光學層的平均透過率、與波長帶(X)中的所述近紅外光的自垂直方向進行測定時的所述第2光學層的平均透過率的積變成20%,波長帶(X)中的所述近紅外光的自傾斜30度的方向進行測定時的所述第1光學層的平均透過率、與波長帶(X)中的所述近紅外光的自傾斜30度的方向進行測定時的所述第2光學層的平均透過率的積變成14%,波長430 nm~620 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第1光學層的平均透過率、與所述波長430 nm~620 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第2光學層的平均透過率的積變成79%,波長430 nm~470 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第1光學層的平均透過率、與所述波長430 nm~470 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第2光學層的平均透過率的積變成73%,波長520 nm~560 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第1光學層的平均透過率、與所述波長520 nm~560 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第2光學層的平均透過率的積變成83%,波長580 nm~620 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第1光學層的平均透過率、與所述波長580 nm~620 nm中的透過光的自垂直方向進行測定時的所述第2光學層的平均透過率的積變成76%。
1‧‧‧光
2‧‧‧分光光度計
3‧‧‧濾光器
10‧‧‧攝像機器(相機)
11‧‧‧光源
12‧‧‧固體攝像裝置(影像感測器)
13‧‧‧信號處理部
14‧‧‧主控制部
15‧‧‧攝像對象物
16‧‧‧封裝體
17‧‧‧畫素部
18‧‧‧端子部
19‧‧‧放大部
20‧‧‧畫素
21‧‧‧第1光學層(雙頻帶通濾波器)
22‧‧‧第1間隙
23‧‧‧微透鏡陣列
24‧‧‧第2間隙
25‧‧‧第2光學層(近紅外光截止濾波器)
26‧‧‧第3間隙
27a~27c‧‧‧可見光通過濾波器
27d‧‧‧近紅外光通過濾波器
28‧‧‧絕緣體
29a~29d‧‧‧光二極體
30‧‧‧支撐基板
701、702‧‧‧曲線
801、802‧‧‧曲線
A1‧‧‧化合物(A)的最長的波長側的最大吸收波長
A2‧‧‧化合物(B)的最長的波長側的最大吸收波長
X‧‧‧波長帶
X1‧‧‧透過率變成30%以上的最短的波長
X2‧‧‧透過率變成30%以下的最長的波長
圖1是表示本發明的一實施形態的固體攝像裝置的應用例的概念圖。 圖2是本發明的一實施形態的固體攝像裝置的平面圖。 圖3是表示本發明的一實施形態的固體攝像裝置的概略的剖面圖。 圖4是表示本發明的一實施形態的固體攝像裝置中所使用的第1光學層的透過光譜的圖。 圖5是表示本發明的一實施形態的固體攝像裝置中所使用的第2光學層的透過光譜的圖。 圖6是表示本發明的一實施形態的固體攝像裝置中所使用的近紅外光通過濾波器的透過光譜的圖。 圖7是用以說明第1光學層與第2光學層之間的光學特性的關係的圖。 圖8是用以說明第1光學層與第2光學層之間的光學特性的關係的圖。 圖9是表示自垂直方向測定近紅外光時,計算第1光學層的平均透過率與第2光學層的平均透過率的積的結果的圖。 圖10(A)與圖10(B)是表示自垂直方向及相對於垂直方向為30度的方向測定透過光譜的構成的圖。 圖11是表示本發明的一實施形態的固體攝像裝置中所使用的第1光學層的透過光譜的圖。 圖12是表示本發明的一實施形態的固體攝像裝置中所使用的第2光學層的透過光譜的圖。
10‧‧‧攝像機器(相機)
11‧‧‧光源
12‧‧‧固體攝像裝置(影像感測器)
13‧‧‧信號處理部
14‧‧‧主控制部
15‧‧‧攝像對象物

Claims (8)

  1. 一種固體攝像裝置,其包括: 第1光學層,使可見光及近紅外光的至少一部分透過; 第2光學層,吸收近紅外光的至少一部分;以及 畫素陣列,包含檢測透過所述第1光學層及所述第2光學層的所述可見光的第1光接收元件、及檢測透過所述第1光學層的所述近紅外光的第2光接收元件;其特徵在於: 所述第2光學層於對應於所述第2光接收元件的部分具有開口部, 所述第1光學層含有於波長600 nm~900 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(A), 所述第2光學層含有於波長755 nm~1050 nm中具有至少一個最大吸收的化合物(B), 所述化合物(B)的最長的波長側的最大吸收波長大於所述化合物(A)的最長的波長側的最大吸收波長,且兩者的差為5 nm~150 nm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的固體攝像裝置,其中所述第2光學層吸收透過所述第1光學層的所述近紅外光的至少一部分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的固體攝像裝置,其中所述第1光學層含有包含所述化合物(A)的透光性樹脂組成物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的固體攝像裝置,其中所述第2光學層含有包含所述化合物(B)的硬化性樹脂組成物。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的固體攝像裝置,其中所述化合物(A)含有吸收近紅外光的一部分的色素。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的固體攝像裝置,其中所述化合物(B)於波長820 nm~880 nm中具有最大吸收。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的固體攝像裝置,其中所述化合物(A)含有選自由方酸內鎓鹽系化合物、酞青系化合物、萘酞青系化合物、克酮鎓系化合物、六元卟啉系化合物及花青系化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的固體攝像裝置,其中所述化合物(B)含有選自由二亞胺系化合物、方酸內鎓鹽系化合物、花青系化合物、酞青系化合物、萘酞青系化合物、誇特銳烯系化合物、銨系化合物、亞胺系化合物、偶氮系化合物、蒽醌系化合物、卟啉系化合物、吡咯并吡咯系化合物、氧雜菁系化合物、克酮鎓系化合物、六元卟啉系化合物、金屬二硫醇系化合物、銅化合物所組成的群組中的至少一種化合物。
TW104140424A 2014-12-04 2015-12-03 固體攝像裝置 TWI657572B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-245887 2014-12-04
JP2014245887 2014-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201622126A true TW201622126A (zh) 2016-06-16
TWI657572B TWI657572B (zh) 2019-04-21

Family

ID=56091591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104140424A TWI657572B (zh) 2014-12-04 2015-12-03 固體攝像裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9966402B2 (zh)
JP (1) JP6536589B2 (zh)
CN (1) CN107004683B (zh)
TW (1) TWI657572B (zh)
WO (1) WO2016088645A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI596939B (zh) * 2016-07-07 2017-08-21 采鈺科技股份有限公司 攝影模組

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201628179A (zh) * 2015-01-21 2016-08-01 Jsr 股份有限公司 固體攝像裝置及紅外線吸收性組成物
TWI675907B (zh) * 2015-01-21 2019-11-01 日商Jsr股份有限公司 固體攝像裝置
JP6676040B2 (ja) * 2015-04-08 2020-04-08 マクセル株式会社 車両搭載カメラ
WO2017130825A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 富士フイルム株式会社 組成物、膜、近赤外線カットフィルタ、積層体、パターン形成方法、固体撮像素子、画像表示装置、赤外線センサおよびカラーフィルタ
CN113727000A (zh) * 2016-05-27 2021-11-30 松下知识产权经营株式会社 摄像系统
WO2018163766A1 (ja) * 2017-03-09 2018-09-13 富士フイルム株式会社 構造体、キットおよび光センサ
US20180295336A1 (en) * 2017-04-11 2018-10-11 Himax Imaging Limited IMAGING SYSTEM FOR SENSING 3D image
US20180315791A1 (en) * 2017-04-30 2018-11-01 Himax Technologies Limited Image sensor structure
JP6946443B2 (ja) 2017-09-15 2021-10-06 富士フイルム株式会社 組成物、膜、積層体、赤外線透過フィルタ、固体撮像素子および赤外線センサ
US10295482B1 (en) * 2017-12-22 2019-05-21 Visera Technologies Company Limited Spectrum-inspection device and method for forming the same
US10635374B2 (en) * 2018-08-28 2020-04-28 Innolux Corporation Electronic device
WO2020059509A1 (ja) 2018-09-20 2020-03-26 富士フイルム株式会社 硬化性組成物、硬化膜、赤外線透過フィルタ、積層体、固体撮像素子、センサ、及び、パターン形成方法
WO2021039205A1 (ja) 2019-08-29 2021-03-04 富士フイルム株式会社 組成物、膜、近赤外線カットフィルタ、パターン形成方法、積層体、固体撮像素子、赤外線センサ、画像表示装置、カメラモジュール、及び、化合物
KR20220035458A (ko) 2019-08-30 2022-03-22 후지필름 가부시키가이샤 조성물, 막, 광학 필터 및 그 제조 방법, 고체 촬상 소자, 적외선 센서, 및, 센서 모듈
WO2022059706A1 (ja) 2020-09-18 2022-03-24 富士フイルム株式会社 組成物、磁性粒子含有膜、及び、電子部品
JPWO2022065183A1 (zh) 2020-09-24 2022-03-31
CN114335032A (zh) * 2020-09-29 2022-04-12 群创光电股份有限公司 电子装置
EP4266094A1 (en) 2020-12-16 2023-10-25 FUJIFILM Corporation Composition, membrane, optical filter, solid image pickup element, image display apparatus, and infrared ray sensor
EP4266093A1 (en) 2020-12-17 2023-10-25 FUJIFILM Corporation Composition, film, optical filter, solid-state imaging element, image display device, and infrared sensor
EP4317294A1 (en) 2021-03-22 2024-02-07 FUJIFILM Corporation Composition, magnetic particle-containing cured product, magnetic particle-introduced substrate, and electronic material
EP4318057A1 (en) 2021-03-29 2024-02-07 FUJIFILM Corporation Black photosensitive composition, manufacturing method of black photosensitive composition, cured film, color filter, light-shielding film, optical element, solid-state image capturing element, and headlight unit
WO2023054565A1 (ja) 2021-09-30 2023-04-06 富士フイルム株式会社 磁性粒子含有組成物の製造方法、磁性粒子含有組成物、磁性粒子含有硬化物、磁性粒子導入基板、電子材料

Family Cites Families (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8408259D0 (en) 1984-03-30 1984-05-10 Ici Plc Printing apparatus
JPS60228448A (ja) 1984-04-27 1985-11-13 Mitsubishi Chem Ind Ltd スクアリリウム化合物
JPS6132003A (ja) 1984-07-24 1986-02-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光学フイルタ−材
JPS6142585A (ja) 1984-08-04 1986-03-01 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
US4767571A (en) 1984-06-27 1988-08-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Infrared absorbent
JPS6180106A (ja) 1984-09-27 1986-04-23 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JPS6239682A (ja) 1985-08-13 1987-02-20 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JPH0654394B2 (ja) 1986-11-14 1994-07-20 富士写真フイルム株式会社 光導電性組成物
JPS6474272A (en) 1987-09-14 1989-03-20 Fuji Photo Film Co Ltd Stabilization of organic base substance against light
JPH0796335B2 (ja) 1987-10-27 1995-10-18 キヤノン株式会社 光記録媒体
JPH01114801A (ja) 1987-10-28 1989-05-08 Fuji Photo Film Co Ltd 赤外線吸収性組成物
JPH07107030B2 (ja) 1987-12-04 1995-11-15 富士ゼロックス株式会社 新規なスクアリリウム化合物及びその製造方法
JPH01228960A (ja) 1988-03-09 1989-09-12 Konica Corp スクアリリウムの化合物
JP2864475B2 (ja) 1989-04-14 1999-03-03 ケミプロ化成株式会社 2―フェニルベンゾトリアゾール類の製造法
JPH0423868A (ja) 1990-05-17 1992-01-28 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料
JPH0439361A (ja) 1990-06-04 1992-02-10 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物,その製造方法及びそれらを用いてなる近赤外線吸収材料
JP2846091B2 (ja) 1990-09-25 1999-01-13 オリヱント化学工業株式会社 インドール系化合物およびその用途
DE69111595T2 (de) 1990-11-21 1996-01-18 Polaroid Corp Squarylium- und crokonyliumfarbstoffe.
US5405976A (en) 1990-11-21 1995-04-11 Polaroid Corporation Benzpyrylium squarylium and croconylium dyes, and processes for their preparation and use
JP2907624B2 (ja) 1991-02-28 1999-06-21 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、およびそれらを含んでなる近赤外線吸収材料
DE69230121T2 (de) 1991-07-15 2000-04-20 Nippon Catalytic Chem Ind Neue Phthalocyaninverbindungen, deren Herstellungsverfahren und im nahen Infrarot absorbierende Materialien die sie enthalten
JP3278451B2 (ja) 1992-02-10 2002-04-30 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物およびその製造方法
JP3238183B2 (ja) 1992-02-10 2001-12-10 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物およびその製造方法
JPH05222047A (ja) 1992-02-14 1993-08-31 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物およびその製造方法
JP2812624B2 (ja) 1992-04-14 1998-10-22 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、およびそれを含んでなる近赤外線吸収材料
JPH05347399A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Japan Energy Corp 赤外線検出装置
JP2746293B2 (ja) 1992-07-08 1998-05-06 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを含んでなる近赤外線吸収材料
JP3014221B2 (ja) 1992-09-30 2000-02-28 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、およびそれを含んでなる近赤外線吸収材料
JP3576182B2 (ja) 1993-02-04 2004-10-13 株式会社日本触媒 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、それを含む近赤外線吸収材料およびそれらを含む光記録媒体
JP3366697B2 (ja) 1993-08-27 2003-01-14 オリヱント化学工業株式会社 長波長紫外線吸収剤およびその製造方法
JPH06192584A (ja) 1993-09-01 1994-07-12 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを含んでなる近赤外線吸収材料
JPH07118551A (ja) 1993-10-22 1995-05-09 Nippon Shokubai Co Ltd 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、それを含む近赤外線吸収材料、およびそれらを含む光記録媒体
TW254936B (zh) 1993-10-22 1995-08-21 Ciba Geigy
JPH07118552A (ja) 1993-10-22 1995-05-09 Nippon Shokubai Co Ltd 新規含フッ素フタロシアニン化合物、その製造方法、それを含む近赤外線吸収材料、およびそれらを含む光記録媒体
JPH0827371A (ja) 1994-05-09 1996-01-30 Japan Carlit Co Ltd:The 紫外線及び赤外線吸収樹脂組成物
JPH08120186A (ja) 1994-10-26 1996-05-14 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物、その製法およびそれらを用いた光記録媒体
JPH08225751A (ja) 1994-10-26 1996-09-03 Nippon Shokubai Co Ltd 新規フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒体
JPH08139982A (ja) * 1994-11-11 1996-05-31 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像装置
JP3444734B2 (ja) 1995-11-20 2003-09-08 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒体
JP4081149B2 (ja) 1996-01-12 2008-04-23 山本化成株式会社 フタロシアニン化合物を用いる湿式太陽電池
US5998609A (en) 1996-10-14 1999-12-07 Nippon Shokubai Co., Ltd. Phthalocyanine compounds, process for preparing the same, and optical recording medium made using the same
JP3963509B2 (ja) 1996-10-14 2007-08-22 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれを用いた光記録媒体
JP3963524B2 (ja) 1997-05-20 2007-08-22 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒体
JPH10180922A (ja) 1996-12-25 1998-07-07 Nippon Kayaku Co Ltd 赤外線吸収体
JP3959143B2 (ja) 1996-12-26 2007-08-15 株式会社日本触媒 新規フタロシアニン化合物、その製造方法および近赤外吸収材料
JP4132176B2 (ja) 1997-09-18 2008-08-13 三井化学株式会社 ナフタロシアニン化合物及びその用途
JPH11152413A (ja) 1997-09-18 1999-06-08 Mitsui Chem Inc ニトロナフタロシアニン化合物及びその用途
JPH11152414A (ja) 1997-09-18 1999-06-08 Mitsui Chem Inc ナフタロシアニン化合物及びその用途
EP0934985B1 (en) 1998-02-03 2003-07-09 Nippon Shokubai Co., Ltd. Phthalocyanine compound, method for production thereof and use thereof
JP3226504B2 (ja) 1998-02-03 2001-11-05 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物、その製造方法およびその用途
JP2000063691A (ja) 1998-08-19 2000-02-29 Nippon Shokubai Co Ltd フタロシアニン化合物およびこれを用いてなる近赤外吸収色素
US6217796B1 (en) * 1998-11-17 2001-04-17 Nisshinbo Industries, Inc. Near infrared absorption composition
JP3530789B2 (ja) * 1998-11-17 2004-05-24 日清紡績株式会社 プラズマディスプレイパネルのフィルター用近赤外吸収組成物
US6323340B1 (en) 1999-07-30 2001-11-27 Nippon Shobukai Co., Ltd. Phthalocyanine compound, method for production thereof, and near infrared absorption dye using the compound
JP3721298B2 (ja) 1999-07-30 2005-11-30 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物およびその製造方法ならびにこれを用いてなる近赤外吸収色素
JP3699464B2 (ja) 2001-07-04 2005-09-28 日本化薬株式会社 ジイモニウム塩化合物、それを用いる近赤外線吸収フィルター及び光情報記録媒体
JP2003324751A (ja) * 2002-05-07 2003-11-14 Toshiba Corp 情報入力装置
US7238801B2 (en) 2002-06-12 2007-07-03 Nippon Shokubai Co., Ltd. Phthalocyanine compound, method for production thereof, and near infrared absorbing dye and near infrared absorbing filter using same
JP4278923B2 (ja) 2002-06-12 2009-06-17 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物ならびにその製造方法および用途
GB0219938D0 (en) 2002-08-28 2002-10-02 Avecia Ltd Compound
WO2004048480A1 (ja) 2002-11-22 2004-06-10 Japan Carlit Co., Ltd. 近赤外線吸収色素及び近赤外線遮断フィルター
EP1683784A4 (en) 2003-11-10 2007-08-22 Nippon Kayaku Kk DIIMONIUM SALT CONNECTION AND ITS USE
TWI388876B (zh) * 2003-12-26 2013-03-11 Fujifilm Corp 抗反射膜、偏光板,其製造方法,液晶顯示元件,液晶顯示裝置,及影像顯示裝置
JP4648637B2 (ja) 2004-02-04 2011-03-09 株式会社日本触媒 カルボキシル基および/またはスルホン酸基を有するフタロシアニン化合物ならびにその製造方法
JP4740631B2 (ja) 2005-04-18 2011-08-03 日本カーリット株式会社 ジイモニウム塩化合物並びにこれを利用する近赤外線吸収色素および近赤外線遮断フィルター
WO2006120888A1 (ja) 2005-05-13 2006-11-16 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha ジイモニウム化合物及びその用途
JP4919629B2 (ja) 2005-07-29 2012-04-18 富士フイルム株式会社 クロコニウム色素
JP4895549B2 (ja) 2005-08-01 2012-03-14 日本化薬株式会社 アミニウム化合物及びその用途
WO2007015420A1 (ja) * 2005-08-03 2007-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置
JP5046515B2 (ja) 2005-12-19 2012-10-10 株式会社日本触媒 フタロシアニン化合物並びにその製造方法及び用途
JP5140923B2 (ja) 2005-12-19 2013-02-13 コニカミノルタホールディングス株式会社 クロコニウム化合物
JP4901248B2 (ja) 2006-03-17 2012-03-21 日本化薬株式会社 ジイモニウム化合物及びその用途
JP4958461B2 (ja) 2006-03-30 2012-06-20 富士フイルム株式会社 近赤外吸収色素含有硬化性組成物
JP2007334325A (ja) 2006-05-18 2007-12-27 Fujifilm Corp 近赤外線吸収フィルター及びその製造方法
WO2007148595A1 (ja) 2006-06-20 2007-12-27 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha ジイモニウム化合物及びその用途
JP2008009206A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Fujifilm Corp 近赤外吸収フィルター
JP5087304B2 (ja) * 2007-03-30 2012-12-05 富士フイルム株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2009049278A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Fujifilm Corp 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子
JP4852497B2 (ja) * 2007-08-27 2012-01-11 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
JP2009108267A (ja) 2007-10-31 2009-05-21 Fujifilm Corp シアニン化合物およびそれを含んでなる近赤外線吸収組成物
JP5243056B2 (ja) 2008-02-05 2013-07-24 富士フイルム株式会社 少なくとも2種のシアニン化合物を含む近赤外吸収組成物
JP2009215542A (ja) 2008-02-13 2009-09-24 Fujifilm Corp 赤外色素組成物及びそれを用いた赤外線吸収インク及び電子写真用トナー
JP2009191213A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Fujifilm Corp 環状アミド基を有するシアニン化合物及びそれを含む近赤外吸収組成物
JP5173493B2 (ja) * 2008-02-29 2013-04-03 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5554106B2 (ja) * 2009-03-31 2014-07-23 富士フイルム株式会社 着色硬化性組成物、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、固体撮像素子、および液晶表示装置
JP5431001B2 (ja) 2009-04-01 2014-03-05 株式会社Adeka シアニン化合物及び該シアニン化合物を含有する光学フィルター
US8724054B2 (en) * 2009-05-27 2014-05-13 Gary Wayne Jones High efficiency and long life optical spectrum conversion device and process
JP2011038007A (ja) 2009-08-12 2011-02-24 Fujifilm Corp ジインモニウム化合物および当該化合物を含む近赤外線吸収組成物
JP5490475B2 (ja) 2009-09-24 2014-05-14 富士フイルム株式会社 近赤外吸収性色素を含有する硬化性組成物、インク用組成物および近赤外線吸収フィルタの製造方法
KR101648201B1 (ko) * 2009-11-04 2016-08-12 삼성전자주식회사 영상 센서 및 이의 제조 방법.
WO2011118171A1 (ja) 2010-03-26 2011-09-29 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物及び受光装置
CN103052897B (zh) * 2010-08-03 2015-01-28 Jsr株式会社 光学滤波器及含有它的摄像装置
JP5383755B2 (ja) * 2010-12-17 2014-01-08 株式会社日本触媒 光選択透過フィルター、樹脂シート及び固体撮像素子
JP2014514733A (ja) * 2011-03-10 2014-06-19 サイオニクス、インク. 3次元センサ、システム、および関連する方法
JP5377595B2 (ja) 2011-03-25 2013-12-25 富士フイルム株式会社 着色感放射線性組成物、カラーフィルタ、着色パターンの製造方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び液晶表示装置
WO2013008395A1 (ja) * 2011-07-08 2013-01-17 パナソニック株式会社 固体撮像素子および撮像装置
JP2013155353A (ja) 2012-01-31 2013-08-15 Fujifilm Corp 赤外線吸収性液状組成物、これを用いた赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP5988630B2 (ja) 2012-03-16 2016-09-07 富士フイルム株式会社 赤外線吸収性組成物および赤外線カットフィルタ
JP5829641B2 (ja) 2012-05-08 2015-12-09 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収性液状組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP5941424B2 (ja) 2012-07-09 2016-06-29 富士フイルム株式会社 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP2014026070A (ja) 2012-07-26 2014-02-06 Fujifilm Corp 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
JP2014026178A (ja) 2012-07-27 2014-02-06 Fujifilm Corp 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタ及びその製造方法、並びに、カメラモジュール及びその製造方法
TW201423965A (zh) * 2012-08-03 2014-06-16 Univ Shizuoka Nat Univ Corp 半導體元件及固體攝像裝置
US9348019B2 (en) * 2012-11-20 2016-05-24 Visera Technologies Company Limited Hybrid image-sensing apparatus having filters permitting incident light in infrared region to be passed to time-of-flight pixel
EP2927716A4 (en) 2012-11-30 2015-12-30 Fujifilm Corp HARDENABLE RESIN COMPOSITION AND IMAGE SENSOR PREPARATION METHOD AND PICTOR SENSOR THEREWITH
JP2014139616A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Fujifilm Corp リン酸ジエステル銅錯体、近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法
JP2014139617A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Fujifilm Corp 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法
JP2014175623A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
WO2015056734A1 (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 Jsr株式会社 光学フィルター、固体撮像装置およびカメラモジュール
KR102338897B1 (ko) * 2014-10-22 2021-12-13 삼성전자주식회사 색분리 소자를 포함하는 적층형 이미지 센서 및 상기 이미지 센서를 포함하는 촬상 장치
KR102310586B1 (ko) * 2015-04-21 2021-10-13 에스케이하이닉스 주식회사 비가시용 ir 픽셀에서의 가시용 컬러 노이즈 저감 기능을 갖는 4-컬러 픽셀 이미지 센서
KR20170070685A (ko) * 2015-12-14 2017-06-22 삼성전자주식회사 하이브리드 컬러필터를 포함한 이미지 센서

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI596939B (zh) * 2016-07-07 2017-08-21 采鈺科技股份有限公司 攝影模組
US10063763B2 (en) * 2016-07-07 2018-08-28 Tdk Taiwan Corp. Camera module

Also Published As

Publication number Publication date
CN107004683B (zh) 2020-10-16
US9966402B2 (en) 2018-05-08
US20170345860A1 (en) 2017-11-30
JPWO2016088645A1 (ja) 2017-11-02
CN107004683A (zh) 2017-08-01
WO2016088645A1 (ja) 2016-06-09
JP6536589B2 (ja) 2019-07-03
TWI657572B (zh) 2019-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI657572B (zh) 固體攝像裝置
JP6631243B2 (ja) 固体撮像装置及び光学フィルタ
JP2016162946A (ja) 固体撮像装置
JP6669079B2 (ja) 固体撮像装置
KR101852804B1 (ko) 적외선 센서, 근적외선 흡수 조성물, 감광성 수지 조성물, 화합물, 근적외선 흡수 필터 및 촬상 장치
CN100440518C (zh) 固体摄像元件及其制造方法
US20170317131A1 (en) Solid-state imaging device and infrared-absorbing composition
JP2017139286A (ja) 撮像素子、及び、カメラシステム
WO2014061188A1 (ja) 撮像素子及び撮像装置
US20210072589A1 (en) Light-shielding resin composition, cured film, color filter, light-shielding film, solid-state imaging element, and image display device
TWI701304B (zh) 紅外線遮蔽性組成物、硬化膜及固態攝影裝置
TW201912724A (zh) 樹脂組成物、膜、近紅外線截止濾波器、紅外線透過濾波器、 固體攝像元件、圖像顯示裝置、紅外線感測器及相機模組
KR102660236B1 (ko) 차광막, 차광막의 제조 방법, 광학 소자, 고체 촬상 소자, 헤드라이트 유닛
TWI763628B (zh) 固態攝影裝置、感放射線性組成物、著色劑分散液及彩色濾光片
TW201825603A (zh) 近組成物、膜、濾光器、圖案形成方法、固體成像元件、圖像顯示裝置及紅外線感測器
JP7392412B2 (ja) 光学フィルタ、並びにこれを用いた光学装置及び指紋検出装置
CN112180487A (zh) 照相机模块及电子设备
TWI751296B (zh) 濾波器、光感測器、固體攝像元件及圖像顯示裝置
CN110741288A (zh) 固体摄像装置
CN114585693A (zh) 分散液、组合物、固化膜、滤色器、光学元件、固体成像元件及前照灯单元
JP2017092302A (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
WO2020145218A1 (ja) 構造体、固体撮像素子および画像表示装置
CN114521246A (zh) 分散液、组合物、固化膜、滤色器、固体摄像元件及图像显示装置
KR20210027928A (ko) 복합 구조체, 광학 필터, 이미지 센서, 카메라 모듈 및 전자 장치
TW202422228A (zh) 遮光膜、遮光膜之製造方法、光學元件、固體攝像元件、頭燈單元