JPH08120186A - 新規フタロシアニン化合物、その製法およびそれらを用いた光記録媒体 - Google Patents

新規フタロシアニン化合物、その製法およびそれらを用いた光記録媒体

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JPH08120186A
JPH08120186A JP6262928A JP26292894A JPH08120186A JP H08120186 A JPH08120186 A JP H08120186A JP 6262928 A JP6262928 A JP 6262928A JP 26292894 A JP26292894 A JP 26292894A JP H08120186 A JPH08120186 A JP H08120186A
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JP
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compound
carboxylic acid
phthalocyanine
acid ester
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JP6262928A
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English (en)
Inventor
Masaji Ito
正自 伊藤
Koji Yoshitoshi
孝司 吉年
Osamu Kaieda
修 海江田
Yoshio Onozaki
美穂 小野崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Shokubai Co Ltd
Original Assignee
Nippon Shokubai Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規フタロシアニン化合物およびその製造方
法、ならびに近赤外域に吸収を持つ近赤外吸収材料、特
に光記録媒体に関するものである。本発明にかかる新規
フタロシアニン化合物は、600〜1000nmの近赤
外域に吸収を有し、用途に応じた溶媒、例えばアルコー
ル系溶媒等に対して溶解性に優れ、かつ耐熱性、耐光性
の高い新規なフタロシアニン化合物を提供することにあ
る。 【構成】 一般式(1) 【化1】 [ただし、式中、AおよびBは酸素原子または硫黄原子
を表し(AとBが同一原子になることはない)、Wは置
換基を有してもよいアルキル基または置換基を有しても
よいアリール基を表し、Xはカルボン酸エステル基を表
し、Yはアルキル基、アルコキシ基またはカルボン酸エ
ステル基を表し、またMは金属、酸化金属あるいはハロ
ゲン化金属を表す。]で示される新規フタロシアニン化
合物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規フタロシアニン化
合物およびその製造方法、ならびに近赤外域に吸収を持
つ近赤外吸収材料、特に光記録媒体に関するものであ
る。本発明にかかる新規フタロシアニン化合物は、60
0〜1000nmの近赤外域に吸収を有し溶解性に優れ
ているので、半導体レーザーを使う光記録媒体、液晶表
示装置、光学文字読取機等における書き込みあるいは読
み取りのための近赤外吸収色素、近赤外増感剤、感熱転
写、感熱紙・感熱孔版などの光熱変換剤、近赤外線吸収
フィルター、眼性疲労防止剤、光導電材料などとして用
いる近赤外線吸収材料として、あるいは、撮像管に用い
る色分解フィルター、液晶表示素子、カラーブラウン管
選択吸収フィルター、カラートナー、インクジェット用
インク、改ざん偽造防止用バーコード用インク、更に微
生物不活性化剤、腫瘍治療用感光性色素等に用いる際に
優れた効果を発揮する。特にコンパクトディスク対応の
追記型光記録媒体に用いるための近赤外吸収色素として
非常に優れた効果を発揮するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体レーザーを光源として用い
るコンパクトディスク、レーザーディスク、光メモリー
ディスク、光カード等の光記録媒体の開発が活発であ
る。特にCD、PHOTO−CDあるいはCD−ROM
は、大容量、高速アクセスのデジタル記録媒体として音
声、画像、コードデータ等の保存再生に、大量に利用さ
れている。これらのシステムはいずれも半導体レーザー
に感受するいわゆる近赤外吸収色素を必要とし、それら
の色素に関して特性の良好なものが求められている。
【0003】なかでも光、熱、温度等に対して安定であ
り堅牢性に優れているフタロシアニン系化合物について
は、数多く検討されている。
【0004】コンパクトディスク対応の追記型光記録媒
体に用いる際に要求される特性としては、 (1)薄膜での極大吸収波長が700〜730nmに制
御されている。(会合によるピークが少なく、そのこと
により吸光度が高く、ピークがシャープである。) (2)スピンコート等の簡便でかつ生産性に優れた方法
で基板上に塗膜でき、かつ基板を侵さない溶媒に対して
の溶解性に優れていること。
【0005】(3)反射率が高い。
【0006】(4)耐熱性、耐光性が良好。
【0007】(5)感度が高い。
【0008】(6)製造方法などにおいて経済性に優れ
た化合物である。
【0009】等が挙げられる。
【0010】例えば、特開昭58−56892号には、
ペルフルオロフタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。しかしながら、これらの化合物は、有機溶
媒に対しての溶解性に乏しく、また満足できる吸収波長
に制御できない。
【0011】特開昭61−192780号、特開昭61
−246091号、特開昭63−37991号、特開昭
64−42283号、特開平2−276677号、特開
平2−91360号、特開平2−265788号、特開
平3−215466号、特開平4−226390号など
には、フタロシアニン骨格のベンゼン環に酸素を介して
置換基を導入したものが提案されている。しかしなが
ら、これらの化合物は、色素の置換基の種類、数および
位置によっては耐光性が悪かったり、反射率が小さかっ
たり、通常よく用いられているポリカーボネートなどの
基板に直接塗布できる溶剤に溶解しなかったり、あるい
は吸収波長の制御において難点があったりするなどの問
題点を有している。
【0012】それらの欠点が比較的解決されたものとし
て特開平5−1272号などにはフタロシアニンのα位
にアルコキシ基を4個導入し、残基にハロゲン化合物な
どを一部導入したものが提案されている。しかしなが
ら、α位に置換基を導入したものは、原料とするフタロ
ニトリルからの生産性が悪いなど、経済性の点で問題点
を有している。またこのようなフタロシアニン化合物
も、必ずしもすべての特性を満足すべきものでなく、よ
って更なる良好な特性が望まれている。
【0013】しかしながら、これまでに提案されている
フタロシアニン化合物は、上記特性をすべて満足するも
のではない。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
有する前記事情に考慮してなされれたものである。すな
わち、本発明の目的は600〜1000nmの吸収波長
域において目的に応じた吸収制御が可能であり、また用
途に応じた溶媒、例えばアルコール系溶媒等に対して溶
解性に優れ、かつ耐熱性、耐光性の高い新規なフタロシ
アニン化合物を提供することにある。
【0015】また、本発明の他の目的はフタロシアニン
化合物を、効率よく、しかも高純度で製造する方法を提
供することにある。
【0016】さらに本発明の他の目的は、光記録媒体、
特にコンパクトディスク対応の光記録媒体として用いる
にあたって、それらに必要な特性である溶解度、吸収波
長、感度、反射率、耐光性において優れた効果を発揮す
るフタロシアニン化合物を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、一般式
(1)で示される新規含フッ素フタロシアニン化合物が
前記目的を満足する化合物であることを見出して本発明
を完成させた。
【0018】上記諸目的は、一般式(1)
【0019】
【化3】
【0020】[ただし、式中、AおよびBは酸素原子ま
たは硫黄原子を表し(AとBが同一原子になることはな
い)、Wは置換基を有してもよいアルキル基または置換
基を有してもよいアリール基を表し、Xはカルボン酸エ
ステル基を表し、Yはアルキル基、アルコキシ基または
カルボン酸エステル基を表し、またMは金属、酸化金属
あるいはハロゲン化金属を表す。]で示される新規フタ
ロシアニン化合物により達成される。
【0021】本発明は、一般式(1)において、Aが酸
素原子、Bが硫黄原子であり、かつWが置換基を有して
もよいアリール基である前記フタロシアニン化合物であ
る。本発明はさらに、一般式(1)において、Xで示さ
れるカルボン酸エステル基のエステル部がヘテロ原子を
含むものである前記フタロシアニン化合物である。本発
明はまた、一般式(1)において、Xで示されるカルボ
ン酸エステル基のエステル部がエーテル結合を有するも
のである前記フタロシアニン化合物である。
【0022】上記諸目的は、一般式(2)
【0023】
【化4】
【0024】[ただし、式中、AおよびBは酸素原子ま
たは硫黄原子を表し(AとBが同一原子になることはな
い)、Wは置換基を有してもよいアルキル基または置換
基を有してもよいアリール基を表し、Xはカルボン酸エ
ステル基を表し、またYはアルキル基、アルコキシ基ま
たはカルボン酸エステル基を表す。]で示されるフタロ
ニトリル化合物と、金属化合物とを反応させるフタロシ
アニン化合物の製造方法によっても達成される。
【0025】上記諸目的は、一般式(1)
【0026】
【化5】
【0027】[ただし、式中、AおよびBは酸素原子ま
たは硫黄原子を表し(AとBが同一原子になることはな
い)、Wは置換基を有してもよいアルキル基または置換
基を有してもよいアリール基を表し、Xはカルボン酸エ
ステル残基を表し、Yはアルキル基、アルコキシ基また
はカルボン酸エステル残基を表し、またMは金属、酸化
金属あるいはハロゲン化金属を表す。]で示される新規
フタロシアニン化合物を基板上に設けられた記録層に含
有してなる光記録媒体によっても達成される。
【0028】本発明はまた、透明な樹脂性基板上に設け
られた記録層および金属の反射層を有するコンパクトデ
ィスク対応の追記型光記録媒体において、該記録層が前
記記録層である光記録媒体である。
【0029】
【作用】前記一般式(1)において、AおよびBは酸素
原子または硫黄原子を表し(AとBが同一原子になるこ
とはない)、特にAは酸素原子、Bは硫黄原子であるこ
とが収率が高いというフタロシアニン化合物の製造上の
点で好ましい。
【0030】前記一般式(1)において、Wは置換基を
有してもよい炭素原子数1〜20、好ましくは4〜8の
直鎖または分岐鎖のアルキル基または置換基を有しても
よい炭素原子数6〜20、好ましくは6〜10のアリー
ル基を表し、特にWがアリール基の場合、耐光性が良好
である点で好ましい。
【0031】このようなアルキル基としては、n−ブチ
ル、イソブチル、t−ブチル、直鎖または分岐したペン
チル、直鎖または分岐したヘキシル、直鎖または分岐し
たヘプチル、直鎖または分岐したオクチル等がある。
【0032】また、アリール基としては、フェニル、2
−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2−シアノフ
ェニル、2−メトキシカルボニルフェニル、4−エトキ
シカルボニルフェニル、3−クロロフェニル、2,6−
ジクロロフェニル、2−エトキシフェニル、1−ナフチ
ル、2−ナフチル等がある。
【0033】前記一般式(1)において、Mは金属、酸
化金属あるいはハロゲン化金属である。Mで示されるフ
タロシアニン化合物の中心金属の具体例としては鉄、マ
グネシウム、ニッケル、コバルト、銅、パラジウム、亜
鉛、塩化アルミニウム、塩化インジウム、塩化ゲルマニ
ウム、塩化錫、塩化珪素、チタニル、バナジル等が挙げ
られ、耐光性が良好である点で、コバルト、銅、亜鉛、
塩化錫もしくはバナジルが好ましく、特にコバルトが好
ましい。
【0034】本発明のフタロシアニン骨格に置換された
フェノキシ基もしくはフェニルチオ基は、2および6位
に置換基を導入したもので、反射率および記録感度の点
において、その一方がカルボン酸エステル基であり、も
う一方が、アルキル基、アルコキシ基およびカルボン酸
エステル基のいずれかであることが好ましい。
【0035】前記一般式(1)のXまたはYで表される
カルボン酸エステル基としては、エステル部分の炭素原
子数が1〜20、好ましくは3〜8のものがあり、一例
を挙げると、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、プロポキシカルボニル、イソ−プロポキシカ
ルボニル、n−ブトキシカルボニル、イソ−ブトキシカ
ルボニル、t−ブトキシカルボニル、直鎖あるいは分岐
したペンチルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐した
ヘキシルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したオク
チルオキシカルボニル、メトキシエトキシカルボニル、
エトキシエトキシカルボニル、3,6−オキサへプチル
オキシカルボニル、3,6−オキサオクチルオキシカル
ボニル、3,6,9−オキサデシルオキシカルボニル、
メトキシプロポキシカルボニル、エトキシプロポキシカ
ルボニル、4,6−オキサノニルオキシカルボニル、
4,8−オキサデシルオキシカルボニル、3−テトラヒ
ドロフランオキシカルボニル、4−テトラヒドロピラン
オキシカルボニル、2−ピロリジンオキシカルボニル、
2−テトラヒドロチオフェンオキシカルボニル、テトラ
ヒドロフルフリルオキシカルボニル、2−ピペラジルエ
トキシカルボニル、フェノキシカルボニル、p−エトキ
シフェノキシカルボニル、N,N−ジメチルアミノフェ
ノキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、o−エ
トキシカルボニルフェノキシカルボニル、m−t−ブチ
ルフェノキシカルボニル等が挙げられる。
【0036】光記録媒体における記録感度の点におい
て、カルボン酸エステル基のエステル部分がヘテロ原子
を含むものが好ましい。一例を挙げると、例えば、メト
キシエトキシカルボニル、エトキシエトキシカルボニ
ル、3,6−オキサへプチルオキシカルボニル、3,6
−オキサオクチルオキシカルボニル、3,6,9−オキ
サデシルオキシカルボニル、メトキシプロポキシカルボ
ニル、エトキシプロポキシカルボニル、4,6−オキサ
ノニルオキシカルボニル、4,8−オキサデシルオキシ
カルボニル、3−テトラヒドロフランオキシカルボニ
ル、4−テトラヒドロピランオキシカルボニル、2−ピ
ロリジンオキシカルボニル、2−テトラヒドロチオフェ
ンオキシカルボニル、テトラヒドロフルフリルオキシカ
ルボニル、2−ピペラジルエトキシカルボニル等が挙げ
られる。
【0037】特にカルボン酸エステル基のエステル部分
がエーテル結合を有するものとして、メトキシエトキシ
カルボニル、エトキシエトキシカルボニル、3,6−オ
キサへプチルオキシカルボニル、3,6−オキサオクチ
ルオキシカルボニル、3,6,9−オキサデシルオキシ
カルボニル、メトキシプロポキシカルボニル、エトキシ
プロポキシカルボニル、4,6−オキサノニルオキシカ
ルボニル、4,8−オキサデシルオキシカルボニル、3
−テトラヒドロフランオキシカルボニル、4−テトラヒ
ドロピランオキシカルボニル、テトラヒドロフルフリル
オキシカルボニル等が好ましい。
【0038】前記一般式(1)のYで表されるアルキル
基としては、炭素原子数1〜8、好ましくは1〜4もの
があり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、直鎖ある
いは分岐したペンチル、直鎖あるいは分岐したヘキシ
ル、直鎖あるいは分岐したヘプチル、直鎖あるいは分岐
したオクチル等が挙げられる。
【0039】前記一般式(1)のYで表されるアルコキ
シ基としては、炭素原子数1〜8、好ましくは1〜4も
のがあり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
2−プロポキシ、n−ブトキシ、2−ブトキシ、t−ブ
トキシ、直鎖あるいは分岐したペンチルオキシ、直鎖あ
るいは分岐したヘキシルオキシ、直鎖あるいは分岐した
ヘプチルオキシ、直鎖あるいは分岐したオクチルオキシ
等が挙げられる。
【0040】前記一般式(1)で示されるこれらの化合
物は、フタロシアニン骨格に4個の2および6位に置換
基を有するフェノキシ基と4個のチオアリール基もしく
はチオアルキル基を導入したもの、あるいは4個の2お
よび6位に置換基を有するフェニルチオ基と4個のアリ
ールオキシ基もしくはアルコキシ基を導入したものであ
るが、これらの置換基を導入することによって、耐光性
を維持しながら吸収波長の制御、薄膜における光学特性
および有機溶媒に対する溶解性において優れた物性が得
られ、さらに、フェノールの2および6位の置換基の少
なくとも一方がカルボン酸エステル基であることにより
熱分解温度を低くでき、該化合物をコンパクトディスク
対応の光記録媒体に使用した場合、優れた効果が発揮で
きる。
【0041】本発明に用いるフタロシアニン化合物とし
て、具体的に例えば下記の化合物が挙げられる。
【0042】(1)テトラキス(2−ブトキシカルボニ
ル−6−メトキシフェノキシ)テトラキス(2−エトキ
シフェニルチオ)オクタフルオロバナジルフタロシアニ
ン、(2)テトラキス(2−エトキシエトキシカルボニ
ル−6−メチルフェノキシ)テトラキス(2−メチルフ
ェニルチオ)オクタフルオロ亜鉛フタロシアニン、
(3)テトラキス(2−メトキシプロポキシカルボニル
−6−メトキシフェノキシ)テトラキス(2−シアノフ
ェニルチオ)オクタフルオロ亜鉛フタロシアニン、
(4)テトラキス(2−メトキシエトキシカルボニル−
6−エトキシフェノキシ)テトラキス(2−エトキシフ
ェニルチオ)オクタフルオロ銅フタロシアニン、(5)
テトラキス(2−(2−テトラヒドロフルフリルオキ
シ)カルボニル−6−メトキシフェノキシ)テトラキス
(2−エトキシフェニルチオ)オクタフルオロ銅フタロ
シアニン、(6)テトラキス(2−メトキシエトキシカ
ルボニル−6−メチルフェノキシ)テトラキス(2−メ
トキシカルボニルフェニルチオ)オクタフルオロコバル
トフタロシアニン、(7)テトラキス(2−メトキシエ
チルカルボニル−6−メチルフェノキシ)テトラキス
(2−エトキシフェニルチオ)オクタフルオロコバルト
フタロシアニン、(8)テトラキス(2−(2−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ)カルボニル−6−メトキシフ
ェノキシ)テトラオクチルチオ オクタフルオロ銅フタ
ロシアニン、(9)テトラキス(2−メトキシプロポキ
シカルボニル−6−エトキシフェノキシ)テトラキス
(2−メトキシカルボニルフェニルチオ)オクタフルオ
ロバナジルフタロシアニン、(10)テトラキス(2,
6−ジ(メトキシエトキシカルボニル)フェノキシ)テ
トラキス(2−エトキシフェニルチオ)オクタフルオロ
コバルトフタロシアニン、(11)テトラキス(2,6
−ジ(ブトキシカルボニル)フェノキシ)テトラフェニ
ルチオ オクタフルオロ銅フタロシアニン、(12)テ
トラキス(2,6−ジ(2−テトラヒドロフルフリルオ
キシカルボニル)フェノキシ)テトラキス(2−メトキ
シカルボニルフェニルチオ)オクタフルオロコバルトフ
タロシアニン、(13)テトラキス(2−(2−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ)カルボニル−6−エトキシフ
ェノキシ)テトラキス(2−メトキシカルボニルフェニ
ルチオ)オクタフルオロコバルトフタロシアニン、(1
4)テトラキス(2−(2−テトラヒドロフルフリルオ
キシ)カルボニル−6−メトキシフェノキシ)テトラキ
ス(2−メトキシフェニルチオ)オクタフルオロ(ジク
ロロ錫)フタロシアニン、(15)テトラキス(2−メ
トキシカルボニル−6−メチルフェニルチオ)テトラキ
ス(2−メトキシエトキシカルボニルフェノキシ)オク
タフルオロ亜鉛フタロシアニン。
【0043】本発明の前記一般式(1)で示される含フ
ッ素フタロシアニン化合物は、例えば、下記一般式
(2)
【0044】
【化6】
【0045】[ただし、式中、AおよびBは酸素原子ま
たは硫黄原子を表し(AとBが同一原子になることはな
い)、Wは置換基を有してもよいアルキル基または置換
基を有してもよいアリール基を表し、Xはカルボン酸エ
ステル基を表し、またYはアルキル基、アルコキシ基ま
たはカルボン酸エステル基を表す。]で示されるフタロ
ニトリル化合物と、金属化合物とを反応させることによ
り、製造することができる。
【0046】以下、本発明の製造方法について詳細に説
明する。上記フタロニトリル化合物と金属化合物との反
応は無溶媒中でも行えるが、有機溶媒を使用して行うの
が好ましい。すなわち、下記スキームのステップCに従
って上記一般式(2)で示されるフタロニトリル化合物
と、金属化合物との反応により上記一般式(1)で示さ
れるフタロシアニン化合物が得られる。
【0047】
【化7】
【0048】なお、上記スキームのステップCにおける
A、B、X、YおよびWは、前記一般式(2)における
ものと同一である。
【0049】有機溶媒は、出発原料と反応性のない不活
性な溶媒であればいずれでもよく、例えばベンゼン、ト
ルエン、キシレン、ニトロベンゼン、モノクロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、1−クロ
ロナフタレン、1−メチルナフタレン、エチレングリコ
ール、ベンゾニトリル等の不活性溶媒、あるいはピリジ
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2ー
ピロリジノン、N,N−ジメチルアセトフェノン、トリ
エチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、ジメチルスル
ホキシド、スルホラン等の非プロトン性極性溶媒等を用
いることができ、好ましくは、1−クロロナフタレン、
1−メチルナフタレン、ベンゾニトリル等である。
【0050】本発明では、有機溶媒100部(以下重量
部を表す)に対して前記一般式(2)で示されるフタロ
ニトリル化合物を2〜40部、好ましくは10〜35部
の範囲、金属化合物を該フタロニトリル化合物4モルに
対して1〜2モル、好ましくは1.1〜1.5モルの範
囲で仕込んで反応温度30〜250℃、好ましくは80
〜200℃の範囲で反応させる。
【0051】金属源となる金属化合物としては、金属酸
化物、金属塩化物、臭化物、ヨウ化物、フッ化物等のハ
ロゲン化物、酢酸塩等の有機酸塩、金属カルボニル化合
物、アセチルアセトネート等の有機金属錯体等がある。
【0052】本発明において、出発原料であるフタロニ
トリル化合物は、例えば下記スキームのステップAおよ
びステップBに従って合成できる。下記スキームにおけ
るA、B、X、YおよびWは、前記一般式(2)におけ
るA、B、X、Y、Wと同じものである。そして本発明
は、それらの原料を用いてステップCに従い目的物を得
ることができる。
【0053】
【化8】
【0054】
【化9】
【0055】例えば、特公平6−31239号、特開平
2−175763号および特開平2−282386号に
開示されているように、テトラフルオロフタロニトリル
を、必要によりハロゲン化アルカリの存在下に、有機溶
媒中で置換(チオ)フェノールまたは置換アルカリ(チ
オ)フェノラートと、−20〜200℃、好ましくは0
〜100℃の温度で反応させる。ついで得られる置換
(チオ)フェノキシトリフルオロフタロニトリルを、必
要によりハロゲン化アルカリの存在下に、有機溶媒中で
−20〜200℃、好ましくは0〜100℃の温度で、
一般式(3) WBH (ただし、WおよびBは前記のとおりである。)で示さ
れる化合物と反応させることにより得られる。
【0056】本発明の上記一般式(1)の化合物は、溶
解性が高く、反射率、感度、耐光性に優れているので、
特にそれらの特性を必要としている、透明な樹脂性基
板、該基板上に設けられた記録層と金属の反射層からな
るコンパクトディスク対応の追記型光記録媒体として、
例えばオーディオ等の音楽再生用のCD、写真保存用の
PHOTO−CDまたはコンピューター用のCD−RO
Mのプレーヤーに対して互換性、共用性を有する追記型
光記録媒体として効果を発揮できる。
【0057】この際に用いるディスク基板としては、信
号の記録、または読みだしを行なうための光が透過する
ものが好ましい。光の透過率としては85%以上であっ
てかつ光学異方性の小さいものが望ましい。例えば、ガ
ラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチ
レン樹脂、エポキシ樹脂などからなる基板が挙げられ
る。これらの中で光学特性成形のしやすさあるいは機械
的強度などからポリカーボネート樹脂が好ましい。
【0058】この基板上に前記した色素がまず形成され
て、その上に金属の反射膜層が形成される。反射膜層と
して使用する金属はアルミニウム、銀、金、銅、白金な
どが挙げられ、この反射膜層は通常、真空蒸着、スパッ
ター法などの方法により形成される。
【0059】本発明の光記録媒体において前記色素を含
む記録層を基板上に成膜させるためには、通常塗布法を
用いるのが良い。方法としてはスピンコート法、ディッ
プ法あるいはロールコート法によって可能であり、特に
スピンコート法が好ましい。その際使用する有機溶剤
は、基板を侵さないものを用いる。例えば、ヘキサン、
オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族、脂環式炭化水
素系の溶媒あるいはメチルアルコール、エチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、アリルアルコール、2−
メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール系の溶媒が好ましい。
本発明の前記色素はアルコール系溶媒に特に良く溶解す
るのでこれらの溶媒を用いるのが良い。
【0060】本発明の光記録媒体の1種であるCDは、
プレーヤーに対しての互換性の観点から基板を通しての
読み出しレーザー光に対する反射率は60%以上である
ことが必要とされている。
【0061】これらはそれぞれの色素に合わせて膜厚を
最適化することによって可能であり、通常50nm〜3
00nm、特に80nm〜200nmが良い。
【0062】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
【0063】実施例1 例示化合物(6)の合成 (ステップA) 4−((2−メトキシエトキシカルボニル)−6−メチ
ルフェノキシ)−3,5,6−トリフルオロフタロニト
リルの合成 テトラフルオロフタロニトリル(以下TFPN)44
g、2,3−クレソチン酸メトキシエチル50g、フッ
化カリウム25gをアセトニトリル300ml中で5時
間加熱還流し、冷却後不溶分を濾別し、溶媒を留去した
後1%水酸化ナトリウム水溶液300mlで1回さらに
300mlの水で2回洗浄することにより目的物の白色
ケーキ75gを得た。収率87%(対TFPN)。
【0064】 元素分析 C H N F 理論値 58.47% 3.36% 7.18% 14.60% 実測値 58.21% 3.48% 7.52% 14.43% (ステップB) 4−(6−メチル−2−(2−メトキシエトキシ)カル
ボニルフェノキシ)−5−(2−メトキシカルボニル)
フェニルチオ−3,6−ジフルオロフタロニトリルの合
成 4−((2−メトキシエトキシカルボニル)−6−メチ
ルフェノキシ)−3,5,6−トリフルオロフタロニト
リル6.3g、チオサリチル酸メチル3.0gおよびフ
ッ化カリウム2.3gをアセトニトリル30ml中で4
時間室温で攪拌後、不溶分を濾別し、溶媒を留去した
後、1%水酸化ナトリウム水溶液300mlで1回、さ
らに300mlの水で2回洗浄することにより目的物の
黄白色ケーキ5.7gを得た。収率65%(対フタロニ
トリル化合物)。
【0065】 元素分析 C H N F 理論値 60.22% 3.74% 5.20% 7.06% 実測値 60.33% 3.56% 5.52% 7.23% (ステップC) テトラキス(6−メチル−2−(2−メトキシエトキ
シ)カルボニルフェノキシ)テトラキス(2−メトキシ
カルボニルフェニルチオ)オクタフルオロコバルトフタ
ロシアニン(フタロシアニン化合物(6))の合成 4−(6−メチル−2−(2−メトキシエトキシ)カル
ボニルフェノキシ)−5−(2−メトキシカルボニル)
フェニルチオ−3,6−ジフルオロフタロニトリル3.
5gおよび塩化コバルト0.3gをベンゾニトリル15
ml中で170℃で5時間反応させ、ベンゾニトリルを
留去後、メチルアルコールで洗浄することにより例示フ
タロシアニン化合物(6)を2.2g得た。収率61%
(対フタロニトリル化合物)。その構造式は、式(3)
のとおりである。さらに、該フタロシアニン化合物
(6)の赤外線吸収スペクトルを図1に示す。
【0066】
【化10】
【0067】最大吸収波長 2−エトシキエタノール 中 702.5nm(ε=
1.07×105 ) 溶解度 2−エトシキエタノール 中 5.1重量% 元素分析 C H N F 理論値 58.62% 3.64% 5.06% 6.87% 実測値 58.87% 3.56% 5.12% 7.03% 実施例2〜15 (ステップA)実施例1の2,3−クレソチン酸メトキ
シエチル50gの代わりに表1のフェノールもしくはチ
オフェノールを用いた以外は、実施例1のステップAと
同様に操作を行った。その結果を表1に示す。
【0068】(ステップB)実施例1の4−((2−メ
トキシエトキシカルボニル)−6−メチルフェノキシ)
−3,5,6−トリフルオロフタロニトリル6.3gの
代わりに表2および表3のフタロニトリル化合物を用
い、チオサリチル酸メチル3.0gの代わりに表2およ
び表3のチオールもしくはフェノールを用いた以外は、
実施例1のステップBと同様に操作を行った。その結果
を表2および表3に示す。
【0069】(ステップC)実施例1の4−(6−メチ
ル−2−(2−メトキシエトキシ)カルボニルフェノキ
シ)−5−(2−メトキシカルボニル)フェニルチオ−
3,6−ジフルオロフタロニトリル3.5gの代わりに
表4および表5のフタロニトリル化合物を用い、実施例
1の塩化コバルト0.3gの代わりに表4および表5の
金属化合物を用いた以外は、実施例1のステップCと同
様に操作を行った。その結果を表4および表5に示す。
また、例示フタロシアニン化合物(1)(実施例2)の
構造式は、式(4)のとおりである。
【0070】
【化11】
【0071】実施例16〜30 光記録媒体として使用するのに必要な特性である吸収波
長、溶解度および耐光性を測定した。なお、耐光性の評
価は以下の方法により行った。
【0072】色素1gをメチルエチルケトン20gに溶
解し、ガラス基板上にスピンコート法により色素薄膜を
作成し試料とした。この試料をキセノンランプ耐光性試
験機(照射光量10万Lux)にセットし、経時で色素
の吸光度の減少を測定した。そして100時間経過後の
吸光度の残存率により次の3段階の評価を行った。
【0073】○ 100時間経過後の吸光度の残存率
75%以上 △ 100時間経過後の吸光度の残存率 25%〜75
% × 100時間経過後の吸光度の残存率 25%未満 2−メトシキエタノール中での溶解度を測定し、次の3
段階の評価を行った。
【0074】○ 5重量%以上の溶解度 △ 2重量%〜5重量%の溶解度 × 2重量%未満の溶解度 吸収波長は2−エトキシエタノール中で測定した。その
結果を表6に示す。
【0075】実施例31 光記録媒体の作成 深さ80nm、ピッチ1.6μmの螺旋状の案内溝を有
する厚さ1.2mm、外径120mm、内径15mmの
ポリカーボネート樹脂基板上に実施例1のフタロシアニ
ン化合物を2−メトキシエタノールに5重量%の濃度で
溶解した塗液をスピンコーターを用いて120nmに成
膜した。次に、このようにして得られた塗布膜の上に金
を膜厚75nmで真空蒸着により成膜した。さらに、こ
の上に紫外線硬化型の樹脂からなる保護コート膜を設け
て、光記録媒体を作成した。このようにして得られた光
記録媒体の反射率を測定したところ、770nm〜80
0nmの波長域で78%であり、安定した光学特性が得
られた。
【0076】この光記録媒体を用いて波長780nmの
半導体レーザーを使用し、6.8mWの出力で線速1.
5m/sでEMF信号を記録したところ、記録が可能で
あった。得られた信号を解析した結果市販のCDプレー
ヤーで再生できるレベルであった。
【0077】実施例32〜36 実施例31と同様に実施例2〜6のフタロシアニン化合
物をそれぞれ用いて光記録媒体を作成した。この光記録
媒体を用いて波長780nmの半導体レーザーを使用
し、6.4〜6.9mWの出力で線速1.4m/sでE
MF信号を記録したところ、記録が可能であった。得ら
れた信号を解析した結果市販のCDプレーヤーで再生で
きるレベルであった。
【0078】
【表1】
【0079】
【表2】
【0080】
【表3】
【0081】
【表4】
【0082】
【表5】
【0083】
【表6】
【0084】
【発明の効果】本発明の製造方法に拠れば、フタロシア
ニン骨格に位置選択的に置換基を導入することが可能で
ある。すなわち、本発明の製造方法によれば、用途に応
じた近赤外線の吸収波長域または溶解性を変えた化合物
の分子設計が可能となり、その際、複雑な製造工程を経
る必要もなく工業的に有利である。また、純度の良いエ
ーテル置換基を有しており、特開昭63−295578
号の如く、溶解性を悪くさせる塩素原子、臭気原子を含
有しておらず、本発明の新規フタロシアニン化合物中の
フッ素原子は、むしろ溶解性を高める効果を有してい
る。
【0085】以上述べたごとく、本発明の新規化合物
は、従来知られているフタロシアニン化合物に比べ吸収
特性、溶解性、耐光性および経済性に優れており、また
650〜900nmの近赤外域に吸収を有するので、近
赤外吸収色素として実用的に使用できる。特にCD、P
HOTO−CDまたはCD−ROMのプレーヤーにたい
して互換性、共有性を有する追記型光記録媒体記録媒体
に用いる際に優れた効果を発揮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明による化合物であるテトラキス(6
−メチル−2−(2−メトキシエトキシ)カルボニルフ
ェノキシ)テトラキス(2−メトキシカルボニルフェニ
ルチオ)オクタフルオロコバルトフタロシアニンの赤外
線吸収スペクトルを示すチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 7/24 516 7215−5D // B41M 5/26 (72)発明者 小野崎 美穂 茨城県つくば市観音台1丁目25番地12 株 式会社日本触媒筑波研究所内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 [ただし、式中、AおよびBは酸素原子または硫黄原子
    を表し(AとBが同一原子になることはない)、Wは置
    換基を有してもよいアルキル基または置換基を有しても
    よいアリール基を表し、Xはカルボン酸エステル基を表
    し、Yはアルキル基、アルコキシ基またはカルボン酸エ
    ステル基を表し、またMは金属、酸化金属あるいはハロ
    ゲン化金属を表す。]で示される新規フタロシアニン化
    合物。
  2. 【請求項2】 一般式(1)において、Aが酸素原子、
    Bが硫黄原子であり、かつWが置換基を有してもよいア
    リール基である請求項1に記載のフタロシアニン化合
    物。
  3. 【請求項3】 一般式(1)において、Xで示されるカ
    ルボン酸エステル基のエステル部がヘテロ原子を含むも
    のである請求項1または2に記載フタロシアニン化合
    物。
  4. 【請求項4】 一般式(1)において、Xで示されるカ
    ルボン酸エステル基のエステル部がエーテル結合を有す
    るものである請求項3に記載のフタロシアニン化合物。
  5. 【請求項5】 一般式(2) 【化2】 [ただし、式中、AおよびBは酸素原子または硫黄原子
    を表し(AとBが同一原子になることはない)、Wは置
    換基を有してもよいアルキル基または置換基を有しても
    よいアリール基を表し、Xはカルボン酸エステル基を表
    し、またYはアルキル基、アルコキシ基またはカルボン
    酸エステル基を表す。]で示されるフタロニトリル化合
    物と、金属化合物とを反応させることを特徴とする請求
    項1〜4のいずれか1項に記載のフタロシアニン化合物
    の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項1〜4に記載のフタロシアニン化
    合物を基板上に設けられた記録層に含有してなる光記録
    媒体。
  7. 【請求項7】 透明な樹脂性基板上に設けられた記録層
    および金属の反射層を有するコンパクトディスク対応の
    追記型光記録媒体において、該記録層が請求項6に記載
    の記録層である光記録媒体。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2014084288A1 (ja) 2012-11-30 2014-06-05 富士フイルム株式会社 硬化性樹脂組成物、これを用いたイメージセンサチップの製造方法及びイメージセンサチップ
WO2014084289A1 (ja) 2012-11-30 2014-06-05 富士フイルム株式会社 硬化性樹脂組成物、これを用いたイメージセンサチップの製造方法及びイメージセンサチップ
WO2014104137A1 (ja) 2012-12-28 2014-07-03 富士フイルム株式会社 硬化性樹脂組成物、赤外線カットフィルタ及びこれを用いた固体撮像素子
WO2014104136A1 (ja) 2012-12-28 2014-07-03 富士フイルム株式会社 赤外線反射膜形成用の硬化性樹脂組成物、赤外線反射膜及びその製造方法、並びに赤外線カットフィルタ及びこれを用いた固体撮像素子
US9966402B2 (en) 2014-12-04 2018-05-08 Jsr Corporation Solid-state imaging device
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