TW200839724A

TW200839724A - Semiconductor device and shift register circuit

Info

Publication number: TW200839724A
Application number: TW096151413A
Authority: TW
Inventors: Takashi Miyayama; Tobita Youichi; Hiroyuki Murai; Seiichiro Mori
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2007-02-07
Filing date: 2007-12-31
Publication date: 2008-10-01
Also published as: CN101894589A; JP2008193545A; JP5090008B2; CN101242178A; KR20080074026A; CN101242178B; US20080187089A1; US20110122988A1; US8023610B2

Description

200839724 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係闕於防止位起的誤動作的技術，特別 °氣特性惡化所引曰曰體及有機電晶體等的，厂；可以抑制非晶矽薄膜電他界電屢的負位移的半導體裝置。【先前技術】液晶顯示裝置等的影像信號的1框芊期門勃> 、^ ，可以使用在顯示用以掃二; 1位移動作的位移暫存器，作為田”、'、不面板的閘極線驅 /、、' 路）。上述位移暫存界m " 動電止為了減少顯示裝置的f i庄讲和山的步驟數，最好只以同_導電心π ^“過各中以非晶石夕薄膜電曰體Γ 電晶體構成。線艇動電路的位移暫存器的顯示褒成且生產性高，例如廣為積化顯示裝置等。Ά木用於^己型PC的晝面及大晝面偏壓時，且二二广1電晶體在閘極電極繼續(直流）又，^ 電晶體具有進行性的惡化。誤動；電日日體的臨界電壓的位移（vth位移）為電决動作的原因，提出為電路專例文。已头t _取對策的位移暫存器（例如 ^ 此vth位移的問題，不僅a-Sl電曰# 有機電晶體中也同樣產生。電曰曰體’ [專利文件1]特開20 0 6-1 07692號公報 21〇8—935〇-pf 5 200839724 故[非專利文件1]R B Wehrsp〇hn等，、—石夕鍵和矽一風鍵對於非晶㈣膜電晶體穩定性的相關重要性物理期刊87卷U4-154頁應【發明内容】 [發明所欲解決的課題] 心電晶體的臨界電麼，閘極比汲極與源極兩低電位狀態時’隨著時間經過往負方向位移電晶體 ^臨界電齡負方向位移時，降低閘# .源極間電位^曰斷 W非導通狀態）上述a —Sl電晶體也不會成為完全斷開狀 :。即，a-Si電晶體不會完全遮斷電流，因此產生電路的决動作。述的電位狀悲（電晶體的閘極電位斜 Μ电很對於及極電位及源極電位兩方在低狀態），產生臨界電壓丨电&你貝万向位移而引起誤動作的問題。位移暫存器包括··輸出上拉電晶體（第j圖的電晶體 ⑴’供給時脈信號至輪出端子以上拉上述輪出端子的電位；以及充電電晶體（同圖的電晶體Q3)，用以充電上述輸出上拉電晶體的閘極節點(同圖的節點N1)。之後詳述位移暫存器的通常動作中，充電電晶體在一定的期間，由於上本發明係用以解決以上的課題，目的在提供可以抑制臨界電壓的負方向位移（負位移)的位移暫存器，並防止具有值移暫存器的半導體裝置的誤動作。 [用以解決課題的手段] 2108-9350-PF 6 200839724 根據本發明的半導體裝節點與第2節點之間串聯連接，且_^在既定的第1 私兩θ _ ?工制電極互相連接的满點，曰"、，、^述複數電晶體間的各連接節點作為第3 r '、而上述弟1〜第3節點以及上述控制電極分別p ,:第:體的"界電厂堅高"(高)準位狀態，當上述第位變化成:’:、Γ“準位，而上述控制電極的電位從w 以^界電塵低的L(低）準位時，點的準位隨著也下拉至L準位。 K弟3即器電it發：的位移暫存器電路的第-形態，位移暫存端子，·第！電^入^子、輸出端子、第1時脈端子及復位時脈疒，至曰曰體’供給輸入至上述第1時脈端子的第1 子·充二^上述輸出端子；第2電晶體，放電上述輸出端 =，充m根據輸人至域輸人端子的輸W號電上述弟1電晶體的控制電極連接的第！節點；以及ϋ 電路，根據輸入至上述復电 1節點；上、十、“ Η而子的復位^虎，放電上述第述充電電路包括在上述第丨節點與電間串聯連接、且控制電極共同連接子、；第3電晶體。 4铷入鳊子的禝數 [發明效果] 上述Ϊ::ΓΓΓΓ形態的半導體裝置，串聯連接的各電極為U㈣源極及汲極兩方為Η準位、控制往… 電位狀態，防止了上述電晶體的臨界電塵負方向位移。藉此，控制電實斷開(遮斷嶋各電晶體，防止τ半;體二可:： 2ΐ〇8~9350~ρρ 7 200839724 * 作。電曰體的=明的位移暫存器電路的第—形態，構成第1 =的控制電極的充電電路的各電晶體中，由於防止源極及 >及極兩方為Η準位、栌制雷工制電極為L準位的電位狀態，了上迭電晶體的臨界電麼往負方向位移。藉此，充電适路的控制電極為L準位時，ά7 歲由於可以確實斷開（遮斷狀电路’可以防止帛1電晶體的不必要導通，防止了位移暫存器電路的誤動作。【實施方式】又’為了避當功能的元以下，參考圖面，免重後5兄明而變得冗手件係附以同一符號。 [第一實施例] 說明本發明的實施例。，各圖中具有相同或相說明習知的位移暫存移暫存電路級聯連接本說明書中，構成多路分別稱作「單位位首先，為了易於說明本發明，器。通常，位移暫存器具有複數位 (CASCADE連接）而形成的多段構造。段的位移暫存器的各段位移暫存器電移暫存器」。如上所述，位移暫存動電路。使用位移暫存器作=顯示裝置的閑極線驅的具體結構範例福* 開極線驅動電路的顯示裝置 to、口稱乾例揭露於 2〇06-277860 ^^^ 電Μ的低電位側電源電位(vss)為以電：的基準木况明，但貫際的顯

2108-9350-PF 200839724 Z衣置中’以寫入晝素内的資料的電壓為基準設定基準電 =例如設^低電位側電源電位（vss)為—m、高電位侧電源電位（VDD)為17V等。第1圖係顯示習知的單位位移暫存器的結構的電路 β。又’第2圖係多段的位移暫存器的結構的顯示圖。第圖的位移暫存器’由級聯連接的η個單位位移暫存器肌、 =肌...SRn、以及在最後段的單位位移暫存器说的更 ^ 所設置的虛設單位位移暫存器·所形成Μ下單位

為第」）°習知的位移暫存器中’各單位位移暫存器SR 马第1圖的電路。以：/第2圖所示的時脈產生器3“系供給互為反相的暫化^不重疊）2相的時脈信號CUA、clkb至單位位移 =SR。開極線驅動電路中，控制這些時脈信號⑽、以顯不裝置的掃描周期时料序依序活化。於^弟1圖及第2圖所示，各單位位移暫存器SR具有 ^入知子IN1/輸出端子〇υτ、時脈端子⑴及復位端子子S1^各早位位移暫存器㈣，分別經由第1電源端子以“低電位側電源電位vss(，)，而經由第女而子S2供給高電位側電源電位_(第2圖内未圖示）。 2/圖，單位位移暫存器抑的輸出段由輸出端子 : = 之間連接的電晶體Q1、以及輸出端子 ^ %、4子S1之間連接的電晶體Q2所構成。即，

U曰㈣係供給輸入至時脈端子CK1的時脈信號⑽至 2108-9350-PF 9 200839724 輪出端子OUT的電晶體(第上述輪出端子_的電晶體（第2曰曰體曰），電晶HQ2係放電則的閘極（控制電極）、阳體）。以下，電晶體及電晶體Q2的閑極（控制義為即點M」，以 N2」。連接的卽點定義為「節點電晶體Q1的閘極·源極間之間）設置電容元件π。此電容^ Νί與輸出端子OUT 與節點"之間電容-合’並=輪二山係在輪出端子_ 升而升星節點的元件(啟動電:位上 ?的間極.通道間電容夠大時可以置二由：= 容，此時可以省略電容元件C1。通道間電節點N1與第2電源端子S2之入端子IN1的電曰曰體的7〜連接閘極連接至輸，鬥击曰體Q3。又，郎點町與第1電源端子S1 連接閘極連接至復位端子嶋電晶體Q4。即，電 IN1 N1 充電電路，而電晶體Q4構成根據復位端子m内輸入的信號放電節黑占N1的放電電路。此習知範例中，電晶體 Q2的閘極（節點N2)也連接至復位端子rst。如第2圖，各單位位移暫存器SR的輸入端子m連接至础段的單位位移暫存器SR的輸出端子〇υτ。但是，第 1段的單位位移暫存器SR1的輸入端子ini内輸入既定的 I始脈衝ST。又’各單位位移暫存器sr的時脈端子[κ 1 内輸入時脈信號CLKA、CLKB其中之一，以輸入相位互異的時脈信號至前後鄰接的單位位移暫存器SR。 2108-9350-PF 10 200839724 ，早位位移暫存器紐的復位端子RST連接至本二早位位移暫存器仰的輸出端子_。但是，在最· 的早位位移暫存器SRn的又哭°又罝的虛设早位位移暫存 7 、设位端子RST内輸入既定的結束脈衝ΕΝ。又，門亟線驅動電路中，起始脈衝ST及έ士束财输Fw八甲影像^束脈衝ΕΝ分別以對應像相各框架_的先頭及末尾料序輸入。 SR的動i 1明如弟1圖所示的習知的各單位位移暫存器二動作。由於基本上各段的單位位移暫存器抑全部動 :目二在此代表性地說明多段的位移暫存器靖，段的早位位移暫存器SRk 的時脈端子Γη向私俶叹上述早位位移暫存器子CK1内輸入時脈信號CLKA(例如，第2圖中的早^立移暫存器队、见等相當於單位位移暫存器叫彻設時脈信號⑽、CL_H準位的電位為 du電位側電源電位），L準位的電位為似（低雷位側電源電位）。又，構成單位位移暫存器體的砟W φ两、士 v〜合电日日體Qx 的gtra界電壓表示為Vth(Qx)。第3圖係顯示習知& g a & # ^ + 動作的時序圖^位移暫存器SRk(第1圖）的單位…：郎點"…準位的狀態作為夕暫存益SRk的初期狀態(以下，節點N1在LiMi 的狀態稱作「復位狀能 +位的輸出"Λ 又，假設輸入端子1ni(前段 β4 rf rF 位缟子RST(次段的輸出信號G…）、

守脈立而子CK1(時脈信號π κ匕H 晶體W、Q2都是斷門於+ 此時’由於電 1疋斷開，輸出端子OUT成為高動狀態），但上述初期n ^ q丨且抗狀悲（子怨中輸出端子OUT(輸出信號Gk)

2108-9350-PF 200839724 也假設為L準位。在此狀態開始的時刻tl，時脈信號CUA變化為L準位、時脈信號CLKB變化為H準位，且前段的輸出信號 (第1段的話，起始脈衝ST)成為η準位時，單位位移暫存器SRk的電晶體Q3成為導通，節點N1充電為Η準位（Ζ 下’節點Ν1在Η準位的狀態稱作「設定狀態」）。此時，節點Ν1的電位準位（以下，只稱作「準位」）上升至 VDD-Vth(Q3)。電晶體Q!隨著成為導通。於是，在時刻t2，時脈信號CL〇變化為L準位、日士脈信號CLKA變化為H準位，且前段的輪出信號Gh成為：準位。於是’電晶體q3為斷開，節點N1維持Η準位，成為浮動狀態。又’由於電晶體Q1為導通，輸出端子〇υτ 的準位隨著時脈信號CLKA上升。 —時脈端子CK1及輪出端子QUT的準位上升時，經由電容几件C1及電晶體Q1的閉極.通道間電容的耦合，節點 N1:準位如第3圖所示升壓。由於此時的升壓量大約相當於資請A的振幅(觸），節點N1升 VDD-Vth(Q3)。、極(二輸出亀為H準位的期間，電晶…間源極(輪出端子_間的電㈣荖…： ¥通電阻保持报低，輸出信號。隨者％脈信號CLKA高速上升5 η ·，隹& 在線开㈣一升至H準位。又’此時電晶體Q1 區域）中動作，輸出信號&的準位升壓至人日f脈“號CLKA的振幅相同的VD])。

2108-9350-PF 200839724 ㈣^在Λ1ΐ3,時脈信號CLKB變化為h準位、時脈準位時，電晶_的導通電阻保持很位。 #b Gk隨著時脈㈣⑽高速下降，回到L準〜又，此時刻七中，由於次段的輪出信號Gk4H準位’ :位位移暫存器犯的電晶體Q2，為導通。因此，輸出立而子OUT經由電晶體Q2充分放，又，節_由電晶_放電成位陶。移暫存器他回到復位狀態。4位°_，單位位 ^ Γ是’在1刻t4，次段的輸出信號Gk+i回到l準位後，維輪入前段的輸出信號GkH前’單位位移暫存器SRk 、准持设位狀態，輸出信號Gk保持在L準位。 :二的動作’因為單位位移暫存器不輸入信號(起始脈衝sp或前段的輸出信號二=狀態，電晶體I維持在斷開，所以輸出信號 Gk維持在L準位e )。於疋，輸入端子INI内輸入信號 :二位位移暫存器SRk切換為設定狀態。設定狀態中， CLKA)a7.Q1 CK1 :率位期間’輸出信號G,為H準位。之後，復位 ΒΓ 輸入信號（次段的輸出信號一或結束脈衝ΕΝ) 日守’回到原先的復位狀態。夕：^ 士上，動作的複數單位位移暫存器SR所形成的衝:暫存為’第1段的位移暫存器SRl内輸入起始脈才趁此輸出j吕號G以與時脈信號clka、同步

2108-9350-PF 13 200839724 # 的時序位移，同時如第4 版、sn··。間極線=專送至單位位移暫存器崎G用作顯示面板: ^ 八干（或垂直）掃描信號。，特定的單位移暫存器SR輸出間稱作此單位位移暫存哭 |出4唬G的期子口口 Μ的厂選擇期間」。又，虚設單位位移暫存器SR]) 單位移暫存…出輸出信號 :?，早位移暫存器SRn成為復位狀：^ 動電路中’最後段的單位移暫閉極線驅後，緊接著不在復位狀態的話出輸出信“之極線（掃描線），產生顯示故障。α 要地活化了閉虛δ又皁位位移暫存哭、

後的時序，祀攄 ^ ，以輪出輪出信號GD 動-敗衝ΕΝ成為復位狀態。如閘極緩π 動电路，反覆執行信號的位移動線驅月間的，始脈衝訂，取代結束脈衝㈣。的㈣：’如第2圖所示’使用2相時脈的驅動時移暫存器α由於分別根據本身動：，早位位復位狀態，次段的〜㈣“號G而成為後，執行如第暫存器SR必須至少動作一次常動作之前，所示的通常動作。因此，在通的虛設動作。或去使虛設信號從第1段傳送至最終段剛節點N2)=V各單位位移暫存P SR的復位端子 U與弟2電源端子S2(高電位側φ、店、設置復位用的電電位側電源）之間另外節點N2為H準_ U動作月ϋ強制執行復位動作使。但是’此時必需有另外復位用的信號 2108-9350, 200839724

Μ 甩日日體的臨界電壓的負方向位移的問題在此詳細說^ 由第3圖的時序圖可看出，點Ν1，在前段的輪出信妒夕存器SRk的節 °^口琥Gh為Η準位時，充回到…:時叫在浮動狀態中也維持在且’輸出仏唬G在η準位期間(選擇期間而節點N1升壓至2xVD"聊)的準位。…守刻即，各早位位移暫存哭^ nq λλ 臂存SR中，在其選擇期間電曰舻 ⑽的沒極(第2電源端子S2)為：：體 V__，閘極(輸入端子峨源極與汲極兩方為負偏屢 B閑極對 = 30V，如第5H所一狀心例如，假設似,、 … 所不’電晶體㈧的間極.沒極間電舞橋為間極.源極間電厂堅Vgs約…門4 移之二圖係表…電晶體的電位狀態與臨界電壓位 =關：的實驗結果的顯示圖。如同一圖中不a —Si電晶體的閘極對於斤時，其臨界電壓隨時間往•方=:極兩方為低電位狀態位移暫存写sp由* 、方向位私。因此，習知的單位往負方向=中’其選擇期間電晶體⑽内發生臨界電厂堅單位位移暫存哭ςρ φ 向位移時，輪入：：/，電晶體⑽的臨界電壓往負方體Q3，非、登遮而即使為L準位，電流也流入電晶、擇期間供給電荷至節點N1，節點N]的準位上 2108-9350-pp 200839724 升。於是，雖然在非選擇期間，單位位移暫存器sr的電晶體Q1導通’其輸出端子〇υτ輸出作為誤信號的輸出信號G ’產生誤動作而成為問題。相對地，a-Sl電晶體的間極對於没極即使為低電位狀恶，閘極與源極大約為同電位的狀態時，臨界電屢的位移 =輕。例如第6圖中的實線所示，閘極對於沒極即使為低電位，閑極.源極間的電屡〇v時，幾乎不的位移。电氨 r 以下，說明根據本發明的位移暫存器電路，可以解決 t述的_。第7圖係根據本發明的第—實施例的單位位私暫存裔SR的電路圖。上述單位位移暫存器sr，對於第圖的電路’置換電晶體Q3為雙閘極電晶體_。除此以結構與第1圖相同，因此省略詳細的說明。個電二本說明書中的「雙閑極電晶體」係串聯連接的2 :體，且兩者的閑極互相連接。即，雙閑極電晶體_ 係由在郎點N1盘第2雷、75妒工eo 03a nq, Ί 2電❾而子S2之間串聯連接的電晶體至於所構成’這些電晶體咖、咖的閘極共同連接在此’電晶體Q3a與電晶體Q3b之間的連接即點定義為「節點N3」。 ^圖係顯示第7圖的單位位移暫存器抑的動作的 s 此’也代表性說明第u的單位位移暫存器 =存」：設節點叫準位的復位狀態，作為單位位 _、：：端:初期狀態’又，時脈端子⑻(時脈信號设位化子m(次段的輸出信號Gk+i)、輪入端子 21〇8-935〇-pf 16 200839724 輸出端子OUT(輪出信號 IN1 (月ίι段的輸出信號Gk_i: 假設為L準位。在此狀態開始的時刻，時脈信號CLKA變化為L準位、時脈信號CLKB轡介致η進仞 ρ ^ ^ 文化為Η準位，且丽段的輪出信號 u弟I又日寸疋起始脈衝ST)成為Η準位時，構成單位位移暫存器SRk的雙閘極電晶體_的電晶體Q3a、Q3b皆為導通一即點Λ充電為H準位。即，單位位移暫存器SRk 在設定狀態。此時’節·點Nl、N3的準位皆上升至 VDD-Vth(Q3a)。電晶體Q1隨著成為導通。於是，在時刻t”時脈信號CUB變化為l準位、時脈信號⑽變化為H準位，且前段的輸出信號^成為[ 準位％電日日體Q3a、Q3b為斷開，節點N1在浮動狀能中維持HiM立。因此，電晶體以保持導通狀態，輸出:號 L隨著時脈信號CLKA成為”位。此時，節點ni的準位升壓至約 2xVDD-Vth(Q3a)。本實施例中’使用構成雙閘極電晶體_的電晶體 Q3a ' Q3b分別具有的大的閘極.源極重疊電容（電晶體 Q3a、Q3b的閘極·源極重疊電容增大的方法，在第九實^ 例中說明）。因此，第i輸入端+ m與節點Μ之間= 生電容很大’纟時刻七時脈信號⑽為l準位時，經由上述寄生電容的轉合，節點N3的準位下拉至L準位(即比電晶體Q3a、Q3b的臨界電壓低的準位）。輪入端子⑻鱼節點N3之間的電容成分夠…，在時刻^如第8圖；不，節點N3的準位下拉至約vss。 2108-9350-PF 17 200839724 又，根據此時的電位關係，電晶體Q3a中，第端子S2側為汲極、節電原 a M1 ，，沾側為源極，而電晶體Q3b中，即站N1側為汲極，節點N3側為源極。接者’在時刻t3，時脈信號CLKB變化為脈信號CLKA變化為L準位時 ^ 輸出L唬Gk回到l準位。 ::’由於次段的輸出信號G…為H準位，單位裔SRk的電晶體Q2、q4導暫存位狀態。 Q4V通’早位位移暫存器孤回到復 :疋’在時刻t4’次段的輪出信號G… 其次直到輸入前段的輪出信號‘前，單位位= 維持復位狀態，輸出信號㈣持^位。私暫存為肌的述，根據本實施例的單位位移暫存器抑的信號 :j作’大體上與習知的動作(第i圖)相㈤，以此：成的多段位移暫存器$ & 冓。j以執仃弟4圖說明的動作。节「本實施例中，如上述，在時刻t2,隨著前段的輸出作號‘下降節點Ν3下拉至L準位。因； U之間(選擇期間），電：Η… „ ,Ε ^ 双1马聞極（輸入端子IΝ】）及源極（卽點Ν3)在VSS,汲 Ν1)

的雪仞肿r 中電源^子S2)在VDD (節點二二:'物極(輪入端子1N1)及源極位狀態。’汲極(節點N1)在2x觸，馳)的電即’根據本實施例的單位位移暫存器s" Q3a、Q3b兩方的閘極·源日日體 …例如，假，m。/ 在選擇期間大約為假叹m眷跡繼時，如第9圖所示，電

2108-9350-PF 18 200839724 日日體Q 3 a的間極·、、芬扣； /極間電壓vgd約為—3〇v、 · 間電壓Vgs約為〇v，又 "、本 ¥約為-57V、間極.、、原/ _的間極.沒極間電麼 — ° ，原極間電壓Vgs約為〇v。如第6圖中膏綠％ - 盔、、、、不，a — Sl電晶體的閘極對汲極即使為低電位，間極盘'/5 ^ ^ -r Γ-» 士〃、源極成乎同電位（閘極.源極間電麼約〇Ό的狀悲％，幾乎不產展王e〇°界電壓的位移。因此，太每施例的單位位移暫存器SR 只 r 罨日日體Q3a、Q3b即雙閘極電晶體Q3D的臨界電麼不產 +產生負方向位移。因此，可以止非選擇期間雙閘極雷曰、、又闸禋電日日體内流入電流而節點N1的準位上升，藉此防止誤動作的發生。在此，單位位移暫存器SR的選擇期間，說明電晶體 Q3a、Q3b的閘極.源極間的電壓在〇v以下的條件（即，節點N3下拉至VSS以下的條件）。在此也假設vss_。即，各單位位移暫存器SR的輪出信號G的振幅(H準位與" 位之間的差（Vd))係VDD。此時，假設輸入端子IN1與節點N3之間的電容成分 (Π)為Cgs’不包括在此Cgs内而附隨節點N3的寄生電容 (C2)為Cstr，在第8圖的時刻h，前段的輸出信號從準位（VDD)變化為L準位（vss=〇v)時期，單位位移暫存器SRk的節點N3的準位變化量以VDDxCgs/(Cgs + Cs^) 表示。因為緊接時刻U之前節點N3的準位為 VDD-Vth(Q3a)，要下拉節點N3至vss以下，只要滿足以下的式（1)。丨 2108-9350-PF 19 200839724 [數1] xVDD^VDD-Vth

Cgs

Cgs+Cstr •••Cgs —

Cstrx{VDD-Vth(Q3a)} Vth(Q3a) …式（1)

本實施例的單位位移暫存器SR中，電容成分Cgs係輸入端子IN1與節點N3之間的寄生電容，大部分是電晶體Q3a、Q3b的閘極·源極重疊電容。因此，如第10圖所示，假設電晶體Q3a、Q3b的閘極·源極重疊電容分別為 Cgs〇（Q3a)、Cgs〇（Q3b)時，Cgs4Cgs〇（Q3a)+Cgso(Q3b) 成立，上述式（1)可以變形為以下的式（2)。 [數2] xVDD^VDD-Vth(Q3a)

Cgs〇(Q3a)+ Cgso(Q3b) Cgso(Q3a)+ Cgso(Q3b)+Cstr

Cgso(Q3a)+ Cgso(Q3b)^

Cstrx{VDD-Vth(Q3a)}

Vth(Q3a) …式⑵

又’假設電晶體Q 3 a、Q 3 b各別的閘極·源極重豐電容相等，且閘極·源極重疊電容值為Cgso時，由於Cgs 与2xCg so，於是上述式（1)可以變形為以下的式（3)。 [數3] xVDD^VDD-Vth(Q3a) 2xCgso 2xCgso +Cstr .·· Cgso^

Cstrx{VDD-Vth(Q3a)} 2xVth(Q3a) …式⑶ 電源端子又，本實施例中雖然顯示在節點N1與第

2108-9350-PF 20 200839724 2之間閘極連接至第1輸入端子丨N丨的2個電晶體串聯、妾彳也可以疋3個電晶體串聯連接。此時，在這些電晶體間的各連接節點中如果滿足式⑴的條件，非選擇期間各連接節點在vss以下，可以防止各電晶體的臨界電壓在負方向仗移。

又本貝施例中，雖然顯示根據本實施例的雙閘極電晶體應用於位移電晶體，但也可以廣為應用於對源極及汲 =兩方負偏壓閘極的電晶體。又’本發明不只適用於^以电日日體還有對於有機電晶體等，具有臨界電壓往負方向移位的問題的各種電晶體也可以適用。 [第二實施例] 電晶體的位移暫存器電路的具體範例一弟11圖係根據第二實施例的單位位移暫存器SR的電路圖。上述單位位㈣存器SR，相對於第7圖的電路，設置以節點Nl(電晶體Q1的閘極）為輸人端、以節點N2(電晶體Q2的閘極)為輸出端的反相器。即，不同於第7圖，電晶體Q2的閘極（節點N2)不連接於復位端子、上述反相器由節點N2與第2電源端子S2之間二極體連接的電晶體Q5、以及在節點N2與第i電源端子si之間連接且閘極連接至節點N1的電晶體 W所構成。電晶體Q6 的V通電阻設定得比起電晶體Q5夠小。節點N1為L準位時，由於電晶體Q6為斷開，節點N2 成為Η準位（VDD-Vth(Q5))。相反地，節點Niw準位時， 2108-9350-PF 21 200839724 口為電晶體Q5、Q6皆為道、g ^ 的導it f* w μ '、、，卽點Ν2由電晶體Q5、Q6 H通電阻比而決定的電位⑷準位。即，上述反相為係所謂「比例型反相器」。第^的單位位移暫存器SRk中，由於只有在次段的為"位時(即次段的選擇期間)，節點N2 ' 、日體Q2只有在此期間為低阻抗的L準位。p ^ | 、使輸出鈿子順為斷門φ :疋，*外的非選擇期間，電晶體⑽ 為辦開，輸出端子OUT成為高阻抗( 因此，輸出信號Gk容易受到雜易不安定。〃 Λ或漏電流的影響，動作容 :對地’第u圖的單位位移在L準位期間，由於電曰心中即點Ν1 點Ν 2維持在η準、Q 6所形成的反相器的節狀態。即，由於㈣電晶體Q2保持導通為低阻抗且維持在L準位t:、子0ϋΤ(輸出信號G) 當然，本實施例中，也^二疋了動作。此，可以防止非選擇期、方向位移的效果。因止誤動作的產生。·即點N1的準位上升，而可以防 [第三實施例] 第12圖係根據第三實路圖。上述單位位移暫存々早位位移暫存器SR的電設置在節關與第，電源端子3:目對於第圖的電路，至節點N2的電晶體〇7。間連接，且閘極連接。即，電晶體Q7具有連接至節點

2108-9350-PF 200839724 N2的閘極電極，且放電節點N1。第π圖的單位位移暫 + ½ U # 态SRk中，次段的輸出作 G…成為H準位時（次段的印乜被雷r朴mi 擇期間），電晶體Q4導通並放電即點N1，此外的非選擇、卫放而成為L準位。因此，：選=點N1為高阻抗(浮動狀態: 則電荷時，節點N1準位上升购訊或漏電流供給節點、上升。於是，產生電晶體01 @ 通，並產生輸出輸出信號G v 作為誤信號的誤動作。相對地，第12圖的單位办#

Λ y ^ 0早位位移暫存器SR中，節點N

為L準位時，電晶體Q5 1U

u 、隹叭所形成的反相器使節點N2 A ίί準位，由於電晶體Q7隨 2為為低阻τ、. 郎點N1在非選擇期間 ' 、準位。因此，抑制非選擇期間節畔N1 的準位上升，防止上述誤動作的^。 *·" N1 又，為了雙閑極電晶體⑽可以升高節點電晶體Q7的導通電阻比起雙閘極電晶體_應夠大本實施例中’也得到抑制構成雙極電晶體體咖、_的臨界電餘負方向位移的效果電曰曰使非選擇期間雙極電晶雜内流入電流且= 锜至筇點N1，電荷也由電晶體Q7放出至第i電山 " 因此不易產生誤動作。不過，此電流引起單位位移而= S1。。’ SR的消耗電力增大、或高電位側電源電位伽的下严夂子器此，對於防止雙極電晶體q3d的臨界電壓往* 口在本實施例中非常有效。、方向位移， [第四實施例] 如第二、三實施例中的說明，第u 口及弟12圖的單 2108-9350-PF 23 200839724 位位移暫存器心，非選擇期間的電晶體⑽ 點1V2)續繼為H準位，藉此才（即抗的L準位。不過，a-Slf曰體編端子。心為低阻 ::，臨界繼正方向位移。電晶體㈣，臨= 正方向位移時，產生上述電晶體Q2 輸出端子_的阻抗不夠低的問題。 “’ 圖的單位位移暫存器，中，由於電的間極也在非選擇期間繼續為Η準位，上述電晶體…的 _壓也往正方向位移，也產生節點N1的輸出端子_ 的阻抗不夠低的問題。第13圖係根據第四實施例的單位位移暫存器邡的電路圖’施行對上述問題的對策。帛13圖的單位位移暫存器SR並聯設置2個（電晶體_、⑽）放電輸出端子_ 晶體(相當於第11圖及第12圖的電晶體Q2)。在此，迅曰曰體Q2A、Q2B的閘極連接的節點分別定義為「節點 N2A」、「節點N2B」。 · 又，上述單位位移暫存器SR中，相當於第12圖的電晶體Q7的元件（電晶體Q7A、Q7B)’分別設置於節點N2A、 N2B。即’電晶體㈣具有連接至節點n2a的閘極電極，並放電節點N1’而電晶體⑽具有連接至節點N2B的閘極電極，並放電節點N1。根據本實施例的單位位移暫存器SR具有輸入既定的控制信號VFRA的第1控制端子TA、以及輸入控制信號vfrb 的第2控制端子TB。控制信號VFRA、VFRB為互補的信號， 210 8 -935 0-PF 24 200839724 由位移暫存器外部的控 u衣罝〔禾圖不）產生。批制^ VFRA、VFRB在一定的周如）座生控制心唬 φ θ D，内切換準位。閘極線驅動電路中，取好控制在顯示影切电峪 _ 和像的框架之間的空白期間内切換又’例如控制在顯示影像的每"匡架内切換準位: Q8A,而第t」：：知子ΤΑ與節點Ν2Α之間連接電晶體 Q Α而弟2技制端子丁β鱼電晶體_的閑極連接至間連接電晶體帳。 …μ 連接至即點且電晶體Q8B的閘極連接至節點Ν2Α。即，電曰辦nQA η 冤曰曰體Q8A及電晶體Q8B中一方的主電極（在此為汲極）連接互相斜父又的控制電極（閘極），構成所謂的正反器電路。又’上述早位位移暫存哭仔1^ SR包括··電晶體Q9A，在電晶體Q5、Q6形成的反相芎的鈐邳态的輸出端與節點N2A之間連接· 以及電晶體Q9B，在上述及如突相时、的輸出端與節點N2B之間連接。電晶體_的閉極連接至第！控制端子TA，電晶體 Q9B的閘極連接至第2控制端子丁b。控制信號VFRA為Η準位而控制信號聰為l準位的期間’由於電晶體_導通’而電晶體_斷開，電晶體 Q5、Q6形成的反相器的輸出端連接至節點n2a。又，電晶體Q8B導通’且節點N2“ L準位。即，在此期間，驅動電晶體Q2A，而電晶體Q2B成為休止狀態。相反地’控制信號刪為L準位而控龍號vm為 Η準位的期間’由於電晶體㈣斷開，而電晶體_導通，電晶體Q5、Q6形成的反相器的輸出端連接至節點㈣。又，此時電晶體_導通，且節點N2BgL準位。即，在 2108-9350-PF 25 200839724 此期：’驅動電晶體Q2B，而電晶體Q2A成為休止狀態。猎此’電晶體Q9A ' Q9B作為切換電路的功能，根據控制信號vm、VFRB，交互連接電晶體Q5、⑽形成的反相器的輸出端至節點N2A、N2B。本實施例中，由於每次反轉控制信號舰、跡— 組電晶體Q2A、Q5A盥一组雷曰舻nol) 狀能“ Q β、_交互成為休止心’口此可以防止這些閘極繼續偏漫。因此，可爾晶體因臨界值往正方向位移引起作的可靠性。々仆徒同動本實施財，也得到抑制構成雙極電晶體咖體Q3a、Q3b的臨界電壓拄刍古電日日介电&在負方向位移的效以防止單位位移暫存器SR產猎此丌及電源電壓下降。纟“㈣、消耗電力增大以 [第五實施例] 上述各實施例中，雔鬥枚+ n 又甲]極電日日體q3d在器SR的節點Μ充電之際，以源極追隨位私暫存隨著節點N1充電的進行，由於電晶體Q3b:閘極：即，子IND.源極（節點Nl)間電壓變小而。（輸入端的能力）下降，需要某—程度的時間以充電^(電流流過的準位。此時，變得妨礙即，·、、占N1至夠咼文仔妨礙位移暫存器的第14圖係根據第五實施達到鬲速。路圖，施行對上述問題的、早立位移暫存器SR的電在級聯連接時，如第n闰& 议私暫存器SR，團所示，徒用士脈CLKA、CLKB、CLKC來驅動。相位相異的3相時

2108-9350-PF 26 200839724 又，各單位位移暫存器SR具有作為2個輸入端子的第1輸入立而子IN1及第2輸入端子呢，第丄輸入端子m 連接至前前段（2段前）的輸出端子隨，第2輸入端子⑽ 連接至前段（1段前）的輸出端子衝。又，第丨段的單位位私暫存杰SR1的第1輸人端子m、第卩輸人端子⑽ 内刀別輸入起始脈衝ST1、ST2。起始脈衝ST1、ST2活化（成為Η準位)的時序不同，起始脈衝阳在起始脈衝m之後活化。本實施例的單位位移暫存器SR包括雙閘極電晶體 Q3D、充電雙閘極電晶冑Q3D #閘極節點(定義為「節點财」的電晶體Q10、升壓節點N4的電容元件c2、以及放電節點N4的電晶HQ4’作為充電節點N1的裝置。如第“圖所示在節點N4與第2電源端子以之間連接，閘極連接至第1輸入端早f w彳 + - 铷而于iN1。電谷兀件C2在節點N4與第2輸入端子1N2之間連接。電晶體Q4在節點N4與第i 電源端子S1之間連接，閘極連接至復位端子RST。上述單位位移暫存器邡具有節點N4作為輸入端的反相器（電晶體Q5、Q6)’且分別放電輸出端子〇υτ及節點 Ν1的電晶體Q2、Q7的閘極（節點Ν2)共同連接至上述反相器的輸出端。又，節點Ν4與第】電源端子幻之間，電晶體Q11與電晶體Q4並聯連接，且電晶體Q1 i的閘極連接至節點N2。第14圖的單位位移暫存器SR的基本動作理論與第一實施例中說明的大體上相同，但特徵在於充電節點1的

2108-9350-PF 27 200839724 雙閘極電晶體Q3D的閘極使用分別前段及前前段的輪出俨號的2個信號來充電.升壓。即，單位位移暫存器SRk中，雙閘極電晶體Q3J)的閘極（節點N4)，首先在前前段的輸出信號匕2為η準位時，由電晶體Q10預充電至VDD_Vth(Q1〇)的準位。其次，前段的輸出信號Gh為Η準位時，節點N4由電容元件C2升堡至約2x彻-Vth(Q10)的準位。即，雙間極電晶體_的閑極電位比第1圖時高約彻，上述雙閘極電晶體_以非源極追隨器模式而在非飽和區域的動作充電節點Μ。因此/於節點W高速充電成為H準位（_)，解決了上述問題。 :本““列中’選擇期間中，由於雙閘極電晶體_

的閘極（節點N4)為滚叙壯〜 L 的帝曰，Q4 、、恶，一人段的輸出信號Gk+1所控制的电日日體Q 4用於放電上诚銪 4(这點不同於第7圖的電日日體Q4)。電晶體q4使筋〇6 M ”、N4為L準位時，電晶體q5、 Q6構成的反相器使節點N2 、g ^ ^ 马H旱位’卩思者電晶體Q7導通，放電郎點Ν1。即，本每

内輸人^ 本見細例中，根據復位端子KST 内輸入的仏虎，放電節點 μ的角色）由電晶體叩擔任。卩弟7圖中的電晶體 011 在即點N2為H準位期間(非選擇期間），電晶體 Q11動作以維持節點N4 電曰曰體單位位移暫存器SR的誤動作。几，藉此防止上述晶體Q3a、Q::的：：：抑制構成雙閘極電晶體_的電 _㈣界電虔往負方向位移的效果。藉此，

2108-9350-PF 200839724 可以防止單位位移暫存器以及電源電虔下降。生誤動作、消耗電力增大第14圖的單位位移暫存器s 電節點N4後，前前段的輸電曰曰體_充 ^ ^ ^ 處Gk'2成為L準位時，電晶體㈣的閘極成為比源極及玉 010 t ^ - ^ ^ 不低的電位。因此，電晶體甲也可旎產生與第1圖的 ^ ^ ^ ^ ^ M體Q3同樣的臨界電壓往負方向位移的問題。 g i1 於是，為了避免此問題，對於山-Γ丨、，、吞m丄才、弟14圖的電晶體Q10，也可以適用本發明的雙閘極電 ,,R ^ 电日日體即，上述電晶體Q10, 回不，可以置換成電晶體Q1()a、q⑽所形成的雙閑極電晶體咖。雙問極電晶體咖，與上述雙間極電晶體Q3D相同’增大其閘極與節點N6之間的寄生電容，其閑極電極從Η準位變化至L準位時，使電晶體㈣血電晶體QlOb之間連接的節點（定義為「節點㈣」）下拉至L準位。根據此結構’得到抑制構成雙閘極電晶體q⑽即電晶體QlOa、Ql〇b的臨界電壓往負方向位移的效果，可以防止根據本實施例的單位位移暫存器SR產生誤動作、消耗電力增大以及電源電壓下降。 [第六實施例] 第四實施例中，對於非選擇期間分別用以使輸出端子 OUT及節點N1成為低阻抗的L準位的電晶體Q2 ^ ^ I Sro 界電壓往正方向位移的問題，說明解決的大 J々/¾:之一。本實施例也指示解決此問題的方法。 2108-9350-PF 29 200839724 弟1 7圖係根據繁丄每弟，、貝施例的單位位移暫存器SR的電。-早位位移暫存器SR具有2個時脈端有電晶體Q1的％扠$ & ，、 /和連接的第1時脈端子CK1、以及I輸人至第1時脈端子CK1 ζ 叹”輪入端子cK2。 1不同相位的時脈信號輸入的第2時脈 r. =:點N1與輸出端子⑽T之間，設置間極連接至 t w子CK1的電晶體Q12，以及電晶體成的反相器的輸出端f宕墓炎「M yb所开y S1之門一番Γ 節點N5」）與第1電源端子又二s又置閘極連接至第1時脈端子⑻的電晶體Q13。又，本貫施例中，輸出端子ουτ與第i電源料S1之間連接的電晶體Q2的閘極連接至第2時脈端子⑽。電晶體Q5、_ 同樣地以節點N1為輪入#彳4 '、二'施例為輸入^，但相異點為電晶體及汲極連接至第2時脈端子⑽。即，輸入二閉極子CK2的時脈信號為上述反相器的電源。日才脈端 —第17圖的單位位移暫存器抑的基本動作理論貫施例中所說明的大體上相同，但特徵在於電晶體;5、Q6

===Γ第2時脈端子⑽的時脈信號供 2編化，又反相器的輸出由電晶體㈣強制變成L 在此，也代表性地說明第k段的單位位為了簡單’假設上述第k段的單位位移暫存器SRk中第。 1時脈紐η内輸入時脈信號CLKA，而第2時内輸入時脈信號CLKB。 2108-9350-PF 30 200839724 作。在非選擇期間，由於節點期間的動卯所形成的反相器由時 ’電晶體卯、 pm 、、 LO活化時，節點恥成為又’上述反相器為非活化時，由於二時脈信號CLKA莫捅，#社r 电日日體Q1 3由期間，_的準位“準位。即，在非選擇址，雷曰幾乎與時脈信號⑽相同。因

^日日體Q7以時脈信號CUB為H 成為低阻抗的L準位。的時序使郎點N1 在時脈信號準位時由於在此期間時脈作F fT)^ .t W為断開，但雷日-導通電日日日體㈣，節點W的 “日日丑Q2放出至輪出端子〇υτ。由於電容極線驅動電路時，係顯、载（閘端子，此時藉由放出==通常連接至輪出端请不能成為Η準位子。_電荷量，輪出以此方式’在單位位移暫存器s 晶體Q7與電晶i# 01 9 & π k擇期間，電節…準：:升:Γ作以放電節點N1，藉此防止抑制了這些臨界電壓往正方向位移。

又’電晶體Q2在時脈信號CL 輸出端子_為低阻抗的L準位。即，由於電^通= 閘極不繼續正偏懕^ 田於罨日日體Q2的存器肌的選擇…為Η準位時’在單位位移暫晶體Η::::1成為Η準位。在此期^^ /成的反相器由時脈信號clkB活化時，由

2108-9350-PF 31 200839724 ::點 '也為L準位，電晶體叩斷開而維持節點N1在H ,立、。於疋，時脈信號CLKA為fi準位時，電晶體Q1 準位’但由於同時輸出端子ουτ(輸出信號⑷也 ’電晶體⑽不導通’節點N1在浮持Η準位(由時脈信號CLKA升幻。因此，單位位移2 益可以正常輪出輸出信號匕。、如上述，本實施例的單位位移暫存器邡中， =位也與m例同樣地變化。即’上述單位位移暫二定t非严擇期間動作維持復位狀態，而在選擇期間 ::動:狀"此，可以執行與第-實施例同樣的信號又，上述的說明中，電晶體Q2的源極 r:S1’但也可以連接至第1時脈端子⑶。在：情：，电晶體Q2的開極内輸入的時脈信號⑽為L準位而 =晶體Q2斷開時，由於源極内輸入的時脈信號CLKA : 位’成為電晶體Q2的間極對源極負偏壓的等效狀 rr，由於往正方向位移的臨界電厂堅回到負方向而恢了電晶體Q2的驅動能力下降，得到延長電路動作哥命的效果。，細例中，也付到抑制構成雙極電晶體Q3D的電晶以\Q3b的臨界電塵往負方向位移的效果。藉此，可及雷、、,=位移暫存器仰產生誤動作、消耗電力增大以及電源電壓下降。 [第七實施例]

2108-9350-PF 32 200839724 第七““列中’對於非選 out及節點N1成 “]用以使輸“子界電壓往正方向位二的1準位的電晶體㈣中臨第1… 題’也指示了解決的方法。路圖。上述七實施例的單位位移暫存器SR的電連接電晶體二，SR也包括:第1時脈端子CK1， 1時脈端子⑴ ^ π輸入的相位不同的時脈信號。點在二·8圖的電路’具有與第12圖類似的結構，但不同 1 晶體Q1的閘極節點（節點Ν1)作為輸入端、電晶 ^ 極節點（節點_為輸出端的反相器係電容負 ,、反相°。即，上述反相器以負載電容C3為負載元二：上述反相器以輸入至第1時脈端子CK1的時脈信 = ’”、電源’這點不同於通常的反相器。即，負載電容㈡在上述反相器的輸出端的節點N2與第i時脈端子⑴之，。負載電容C3不但是上述反相器的負载元件，同時逛作'第1時脈端子CKi與節點N2之間的耦合電容。 …又第18圖中，電晶體Q14並聯連接閘極連接至上述反相器的輪出端的電晶體Q2。此電晶體卩】4的間極連接至苐2時脈端子CK2。第1 8圖的單位位移暫存器的基本動作理論與第一實施例中所說明的大體上相同，但特徵在於負载電容C3 與電晶體Q6所形成的反相器由輸人至第1時脈端子Cin 的時脈信號供給電力而活化。在此也代表性地說明第k段的單位位移暫存器SRk的 2108-9350-PF 33 200839724 動作。為了簡單，上述單位位移暫時脈端子⑻内輸入時脈信親KA，第;:二設第工内輪入時脈信號CLKB。弟2日守脈端子CK2 狀百先，說明單位位移暫存器在非選擇期間的叙。在非選擇期間，由於節點N1為、盍雷B娜Μ V 平位負载電容C3 =曰曰體Q6所形成的反相器由時脈信號cua活化時，節由备準位。又’上述反相器為非活化時，由於麵犯成載:广準，隨著時脈信號⑽的下降，節： 1手4脈信號α K A相同。於是，電晶體q 7以時脈㈣成為Η準位的時序使節點N1為低阻抗的L準位。又，：晶體Q2也與電晶體Q7相同，以與時脈信號⑽ 準:料序㈣，且藉此使輸出端子_成為低阻抗的L ::。：脈信號CLK“L準位時’雖然電晶體Q2為斷開， :日守電晶體QU由時脈信號CLKB導通，使輸出端子〇υτ 為低阻抗的L準位。如上述’在單位位移暫存器SRk的非選擇期間，電晶體以與時脈信號CUA同步的時序動作以放電節點二赭此防止節點N1的準位上升。又，藉由電晶體Q2盘電晶 =QU之間交互放電輸出端子〇υτ，肖止產生作為誤传號的輸出信號Gk。由於這些電晶體Q2、Q7、qu的閑極電極不繼_正偏壓’抑制了這些電晶體的臨界電壓往正方向位移。又刖&的輸出信號Gh為Η準位，成為單位位移暫

2108-9350-PF 34 200839724 存器SRk的選擇期間時，雔門杌φ b祕、上述早位位移暫存器SRk的雙間極電晶體_導通，節，的截雷交rq❿命n 取馬Η準位。此時，負 3 /、電日日體Q6所形成的反相 # 、為L準位。於η卩士為為非活化’即點Ν2 於疋，蚪脈信號cLKA為反相器活化，由於電曰，〇"巧H丰位雖然上述 ^ θ 日日體Q6導通，節點Ν2維持L準位。於疋，選擇期間電晶體Q7 — 皁位中伴持H h a * 维持断開’郎點N1在浮動狀態丁你苻Η準位（由時脈作暫存考Μ π 虎CLKA升壓）。因此，單位位移暫存^孤可以正常輸出“信號Gk。一與^本員知例的單位位移暫存器、SR巾，也盥第貝轭例相同，節點N ^ 哭ςρ叙从各的丰位餐化。即，單位位移暫存口口 SR動作以在非選成為1定#〜π 功間、准持设位狀態，並在選擇期間风马叹疋I恕。因此，位移動作。執订與弟一實施例同樣的信號本貫施例中，可以Ρ 曰^ π nQ f到抑制構成雙閘電晶體Q3D的電日日體Q3a、Q3b的臨界雷电可α Μ p 電&彺負方向位移的效果。藉此，了以防止早位位移暫在為SR的誤動作產生、消耗電力的气穴及電源電壓降低。 [第八實施例] 弟八貫施例中，顯― Μ 〇〇D A ^ ”、、不的乾例係根據本發明的雙閘電晶體Q3D應用於可以切換向位移暫存器）。、D旒的位移方向的位移暫存器（雙第19圖係根據第告路圖。ρ、+、加貫施例的單位位移暫存器SR的電吟圃上述早位位移暫左w 。單位位移暫存器SR的電:SR係雙向位移暫存器。上述、電路結構本身大體上與第11圖相

2108-9350-PP 200839724 同，但置換電晶體Q4 Λ粝媸士 ^ 馮根據本發明的雙閘極電 Q4D(電晶體Q4a、Q4b)。|上诚雔η " ”上述雙閘極電晶體Q3D相雙閘極電晶體Q4D也增大发間托# Α其閑極與郎.點Ν6之間的寄生雷谷，其閘極電極從H準位冑彳卜5 I、、# 文化至L準位時，使電晶體與電晶體Q4b之間的連接節點（下拉至L準位。義為即點N6」)也隨著只執方向位移的單位位移暫存器，基本上輸入端子内輸入彳§號時成為設定狀能生此& 狀恶设位端子内輸入信號時成為设位狀恶，但雙方向位移暫在私皙存為中，因為輸入端子盥位端子根據信號的位移方向功一刀月b f生地替換，沒有區了谷易說明，雙閘極電晶體 Q D的閘極連接的端子稱作「 1輸入端子IN1」，而雙鬧搞常 ,電晶體⑽的閘極連接的端子稱作苐1輸入端子IN2」。又’雙方向位移暫在哭从夕瞀存為的早位位移暫存器SR内，輪

入、疋“虎位移方向的控制信號的第1電壓信號㈣及第2 電壓信號VR。雙閘極電晶體Q 的第i電壓信號端子動節里"广電㈣VN輸入种_ P 。即點N1之間連接，雙閘極電晶體Q4D在弟2電壓信號VR輸節點Nk間連接。第信號端子_

1乜號VN與第2電壓j古號vp 為互補的信號。电土疏VR 例如，弟1電壓信號VN為H準位mD) 號VR為L準位（VSS)時，端子TN為VDD，而第2電芦：弟19圖中的第1電壓信號電曰俨請P 仏號端子以為VSS，雙閘極電日日體Q3D為郎點N1的

兄電電路，而雙閘極電晶體Q4D

2108-9350-PF 36 200839724 為節點m的放電n即’此狀態中，第i輸人端子m 作為第11圖的輸入端+ IN1的功能，第2輸入端子in2 作為第11圖的復位端子RST的功能。相反地，第1電壓信號VN為L準位（vss)、第2電壓信號VR為Η準位（VDD)時，雙閘極電晶體_為節點ni 的放電電路，而雙問極電晶體_為節點N1的充電電路。 P此狀悲中’第1輸入端子IN1作為第】（圖的復位端子RST 1的功能，第2輸入端子IN2作為第n圖的輸入端子IN1的功能。即，如第2圖級聯連接單位位移暫存器SR而形成的多㈣位移暫存器中’帛1電壓信號VN為Η準位、第2 電壓k遽VR為L準位時，依輸出信號。、G2、㈡…的順序活化(順方向位移）。相反地’第i電壓信號則L準 )立、弟2電塵信號VR為H準位時，依輪出信號&、 k-2···的順序活化（逆方向位移）。於是，本實施例中，順方向位移動作之際，構成雙間 !厂=_的電晶體Q3a、咖中，可以得到抑制臨界 …主負方向位移的效果…逆方向位移動作之際，構成雙閘極電晶體Q4D的電晶體Q4a、㈣中，制fe界電壓往負方向位移的效于I7 防止罝办A u此本貫施例也可以電：;:暫存…生誤動作、消耗電力增大以及位移圖中，對於以第二實施例(第11圖)的單位存為SR的結構為基礎的雙方向位移 $仔為'，顯示 2l〇8-9350~pp 37 200839724 電晶體Q3D、Q4D的範例，但本益的應用並不限於此。以下顯示應用根據本發明的雙閘極發明對於雙方向位移暫存本實施例的變形例。例如，弟20圖係顯示對於以第三實施例（第12圖）的早位位移暫存H SR為基礎的雙方向位移暫存器，應用雙閑極電晶體咖、Q4D的範例。即，對於第19圖的電路， :置在非選擇期間放電節點N!的電晶體Q7。又，例如， ^ 22圖係對於分別以第七實施例（第！ 8圖）及第四 =細例^第13圖）的單位位移暫存器sr為基礎的雙方向位和暫存杰，應用雙閘極電晶冑的範例。這些變形例中也得到與上述同樣的效果。 [第九實施例] 如上述’雙閘極電晶體Q3”，電晶體咖、咖的㈣（單位位移暫存器SR的輸入端子INI)從Η準位（VDD) 欠化為L準位(ySS = 〇v)期間，假設輸入端⑻與節點ns 之間的電容成分為CgS ’不包括在上述Cgs内而附隨於節點N3的寄生電容為Cstr時，電晶體咖、咖之間的節點N3的準位變化量以VDDxCgs/(Cgs + Cs⑴表示。即，可以下拉即點N3至更低的準位，使輸入端子⑻與節點⑽ ]的電奋成分Cgs比寄生電容Cstr大（即，附隨節點N3 的王寄生電容中電容成分Cgs佔的比例增加），於是’本實施例中’說明用以增大雙閘極電晶體_ 中的輸入端子IN1與節點N3之間的電容成分的方法。一般，場效型電晶體具有作為寄生電容的閘極與源極/没極

2108-9350-PF 38 200839724 之間的重疊電容。因此，如第23圖所示，雙閘極電晶體 Q3D具有電晶體Q3a的閘極·汲極重疊電容Cgdo(Q3a)及閘極·源極重蟹電谷C g s 〇 (Q 3 a )、以及電晶體Q 3 b的閘極· 汲極重疊電容Cgdo(Q3b)及閘極·源極重疊電容Cgso(Q3b) 作為寄生電容。其中對於輸入端子IN1與節點N3之間的電容成分 (C g s)有幫助的係電晶體Q 3 a、Q 3 b的閘極·源極重疊電容 Cgso(Q3a)、Cgso(Q3b)，本發明的這些的電容值最好夠大。

第24(a)、（b)圖係顯示根據本發明實施例的雙閘極電晶體Q3D的結構圖。第24(a)圖係雙閘極電晶體Q3D的剖面圖，而第24(b)圖係雙閘極電晶體Q3D的俯視圖。又，第24(a)圖對應沿著第24(b)圖所示的A-A線的剖面。上述雙閘極電晶體Q3D在閘極電極上設置源極/汲極區域，係所謂的「底部閘極型電晶體」。即，雙閘極電晶體Q3D由在玻璃基板丨〇上形成的閘極電極i丨、閘極電極上形成的閘極絕緣膜丨2、閘極絕緣膜丨2上形成的活化區域13(本質矽）、活化區域13上形成的接觸窗層ι4(ν+ 矽）所構成。接觸窗層14成為電晶體Q3a、Q3b的源極/汲極，其上分別形成電晶體Q3a的汲極配線15、電晶體Q3b 以及電晶體Q3a、Q3b的源極配線1 7。的汲極配線1 6、 :如第7圖的單位位移暫存器SR中，閘極電極}工連，至早位位移暫存器SR的輸入端子⑻，電晶體⑽&的沒配線1 5連接至第2電源端子S2，電晶體Q3b的；:及極配、16連接至節點N1。於是，電晶體Q3a、Q3b的源極配線

2108-9350-PF 39 200839724 17成為節點N3。如第24⑻圖所示，本實施例中，成為節點N3的配線 17的圖案變得比其他的配線15、16大（寬度變寬）。於是，閘極電極η與配線17對向的面積變大，可以增大重疊電容cgS0(Q3a)、CgS0(Q3b)。即，可以增大輸入端子與節點N3之間的電容成分(c㈣gs〇(Q3a) + Cgs〇(Q3b))。結果，雙閘極電晶體Q3D的閘極從Η準位變化至L準位％，可以下拉電晶體Q3a、Q3b間的節點Ν3的準位至足夠低的準位，而提高本發明抑制臨界電壓往負方向位移的效果。

此時，電晶體Q3a的汲極配線15及電晶體Q3b的沒極配線1 6的圖案也可以增大，得到上述的效果。但是，由於雙閘極電晶體Q3D的形成面積明顯增大，如第24(b) 圖所不，最好只有成為節點N3的源極配線i 7的圖案增大。即，第23圖中，維持Cgd〇(Q3a)、Cgd〇(Q3b)的值的同時，最好只有增加CgS0(Q3a)、CgS0(Q3b)的值。結果，

CgS〇(Q3a)>Cgd〇(Q3a)及 CgS0(Q3b)> Cgd〇(Q3b)的關係成立。如本實施例增加成為節點N3的配線丨7的寬度時，不疋電谷成刀Cgs，5忍為不包含在上述Cgs内的節點N3 的寄生電容Cstr也變大，但寄生電容Cstr幾乎不隨著增加。寄生電容Cstr配線係配線1 7的「邊緣電容」，如配線1 7中的接地電容，以及例如液晶顯示裝置中，破璃基 2108-9350-PF 40 200839724 板1〇的上方配設的對向電極（共同電極）與配'線17之間的寄生電容等。由於接地電極及共同電極離配線17的距離遠，即使配線17的官许扑料 t . 妁見度改紇，上述邊緣電容的值幾乎不改變。就是因為如此，太墙1说/丨山此本貝施例中的配線1 7的寬度即使增大形成，寄生電容Cstr也不隨著增加。源極重疊電容 CgS0(Q3a)、Cgs〇(Q3b) 相對地，閘極· 11對向形成的平行平板型 1 7 的寬度，Cgso(Q3a)、可以看作是配線1 7與閘極電極的電谷器。因此，如果增大配線 Cgso(Q3b)的值約依此比例增大因此，根據本實施例，保持寄生電容Cst；r的值的同時’可以增大電容成分Cgs的值。換句話說，可以增加附隨節點N3的寄生電容中電容成分如所佔的比例。結果，電晶體_、⑽的閘極（單位位移暫存器別的輸入端子 IN1) Η準位變化至l準位時’下拉節點N 3至更低的準位’而可以付到上述的效果。又，上述的說明中，雖然顯示底部閘極型電晶體的範例，本實施對於例如活化區域13上配設閘極電極u的「上部閘極型電晶體」也可以適用。第25(a)、25⑸圖顯示雙閘極電晶體Q3D為上部閘極型電晶體時的範例。如果是上部閘極型電晶體時，如第25(a)圖所示，閘極電極11在活化區域13上以橫切的線狀圖案形成。由於電晶體Q3a的汲極區域151、電晶體Q3b的汲極區域ΐ6ι 以及電晶體Q3a、Q3b的源極區域171在閘極電極u的下方的活化區域13内形成，這些的上方形成用以連接上層 2108-9350—PF 41 200839724 的配線的接觸窗18。第2 5 (b)圖顯示配線的圖案。此時’成為節點N3的配線1 7的圖案變得比其他的配線15、16大。因此，閘極電極丨丨與配線丨7的對向的面積增大，可以增加重疊電容Cgs〇(Q3a)、Cgs〇(Q3b)，而可以得到與上述同樣的效果。又’本實施例可以適用於第一〜八實施例中的全部的雙閘極電晶體_。又，以上雖然只說明雙閘極電晶體 Q3D，但明顯地也可以適用於第16圖所示的第五實施例的變形例中的雙閘極電晶體Q1〇D以及第八實施例的變形例中的雙閘極電晶體Q4D。 [弟十實施例] 以上的貫施例中，下拉雙閘極電晶體Q3D的節點N3 準位的裝置係其閘極（輸入端子IN1)與節點N3之間的寄生電容（電晶體Q3a、Q3b的閘極.源極重疊電容）。如上述，為了下拉節點N3的準位至更低的準位，可以增大上述閘極與節點N31間的電容成分。於是本實施例中’如第26圖所示，雙閘極電晶冑_的閘極盥節點 N3之間，連接電容元件C4。藉此，即使不使用第九實施例的方法’也可以增大閘極與節點N3之間的電容成分，可以更確實地下拉節點N3i L準位。即，可以更確實防止雙問極電晶體Q3D的臨界電壓往負方向位移。又’本實施例可以應用於第一〜八實施例中全部的雔閉極電晶體_。X，對於第八實施例中的雙閉極電晶體 Q4D也可以適用。此時，如坌门才如弟26(b)圖所示，雙閘極電晶 2108-9350-PF 42 200839724 體Q4D的間極與節點N6之間可以連接電容元件C5。又，也可以應用於第1 6圖所示的第五實施例的變形例閉極電晶體_，此時如第26(c)圖所示，雙間極電^ Q1〇D的閑極與節點N1〇之間可以連接電容元件⑶。日日 [第Η—實施例] 以上的實施例中’下拉雙閘極電晶體Q3D的節點Ν3 的準位的裝置係雙間極電晶體_的閘極（輸入端與節：Ν3之間的電容成分，但也可以使用二極體。第27(a)圖係顯示根據本實施例的雙閘極電曰體 _。如同-圖所示’雙間極電晶體_的間極與節；Ν3 之間’連接二極體D1’使閘極側為陰極、節點⑽為陽極。此時，雙閘極電晶體Q3D的閘極從Η準位變化至l準位時，節點Ν3也隨著下拉至L準位。因此，藉由第27⑷圖的雙閘極電晶體_，也可以得到與第一實施例同樣的抑制臨界電壓往負方向位移的效果。又，上述的各實施例中，節點们的準位下拉時，上述“N3在浮動狀悲中成為L準位。因此，電晶體㈧&、 Q3b中產生漏電流時，節點N3的準位上升，產生降低本發明效果的問題。相對地，第27(a)圖的雙閘極電晶體Q3D中，即使因漏電流節點節點N3的準位上升，其電荷經由二極體M放電即，即使產生漏電流時，由於節點N3的準位沒有超 ^極體D1的界電壓，得到可以解決上述問題的效果。又本貫施例可以適用於第一〜八實施例中的全部的 2108-9350~pp 43 200839724

單錄移暫存器別的雙閘極電晶體_。又，也可以適用於弟八貫施例中的單位位移暫存器SR Q4D。此時，如第27(b)圖所-德日日电曰日篮弟27(b)圖所不，雙閘極電晶體Q4])的閘極與節關之間，連接二極體D2，使閑極側為陰極、節點N6為陽極。又，也可以應用於第16圖所示的第五實施例的變形例中的雙閘極電晶體Q1〇D。此時，如第27(c)K圖所不’雙閘極電晶體Q1GD的閘極與節點ni ◦之間，可以連接二極體D3,使閘極側為陰極、節點ni〇側為陽極。 [第十二實施例] 本實施例中，使用電晶體作為下拉雙間極電晶體_ 的節點N3的準位的裝置。第28(a)圖係顯示根據本實施例的雙閑極電晶體 _。如同-圖所示’雙閘極電晶體_的開極與節關之間連接上述閘極内輸入信號（前段的輪出信f虎Gk_0從Η 準位變化至L準位時導诵的雷s _ η。 +祖才V通的電日日體Q3c。如第29圖係應用第28⑷的雙間極電晶體_於第_的單位 SRk的範例。 ^ 單位位移暫存器SR級聯連接時，由於第^的單位位移暫存器sRk的輸入端子IN1内輸入其前段的輸出信號 Gh雙開極電晶體⑽的閘極内輸入的信號（前段的輸出信號Gh)從η準位變化至L準位時，為了使電晶體攸導通’電晶體抓㈣極可以連接至時脈端子⑴。例如，以單位位移暫存器SRk來說，假設時脈端子εκι 内輸入時脈信號CLKA時’前段的輪出信號Gk )在時脈信號

2108-9350-PF 44 200839724 CLKB的上升時庠φ + Η準位時，電曰體=前段的輪出信號k成為千,丁电日日體Q3a、Q3b導诵，雜叫M1 位。此時，由於時脈端子：、N3成為4 準位，電晶體I為斷^輪入的日爾號CLK“l 之後’前段的輸出信號k變成L準位 Q:B、：b為斷開。此時，由於時脈信號⑽為Η準: =3:為導通。結果’節點Ν3由電晶體，下拉至L準位，即，防止電晶體咖、咖中間極成為比源極及汲極兩方低的電位。因此，雙間極電晶體可以得到與第一實施例同樣地抑制臨界電壓往負方向位移的效果。 ^位本實施例可以適用於第-〜人實施例中的全部的單位位移暫存器抑的雙閘極電晶體_。又，也可以適用於弟八貫施例中的單位位移暫存器SR的雙間極電晶體此時’如第28⑻圖所示，雙開極電晶體_的間極人m6之間’連接閘極連接至時脈端子⑻的電晶體 Q4c 〇又對於第1 6圖所示的第五實施例的變形例中的雙閘極電晶MQ10I)也可以適用。此時，如第28(。)圖所示，雙閘極電晶體Q10D的閘極與節點N1〇之間連接電晶體 Q10C。但是，雙閘極電晶體Q10D的閘極内輸入前前段的輸出k唬Gk-2，當輸出信號Gw從η準位變成l準位時，必須‘通電晶體Ql〇c。因此，如第28(c)圖所示，電晶體 QlOc的閘極連接至時脈端子CK2，時脈端子CK2内輸入與 2108-9350-PF 45 200839724 輸入至時脈端子CK1的相位不同的時脈信號。圖0 圖式簡單說明】 [第1圖]係顯示習知的單位位移暫存器結構的電路圖。 [第2圖]係顯示多段的位移暫存卞态結構圖。 [第3圖]係顯示習知的單位位移暫存器動作的時序 [弟4圖]係顯示多段的單位移暫存 [弟5圖]係用以說明習知的單器的動作圖圖位位移暫存器問題的 [第6圖]録示a_Sl電晶體的電位狀態㈣界電麼位移之間關係的實驗結果的顯示圖。 [弟？圖]係根據第一實施例的單位移暫存器的電路 [弟8圖]係顧+ 4日#斤 "、…、根據弟一貫施例的單位移暫存5| 作時序圖。 1什為[苐9圖]係用斤、乂既明第一實施例的效果圖。 ^ 圖]係用以說明第一實施例的效果圖。 [第11圖]係根據第二的動路圖施例的單位位移暫存器的電路圖。 [弟1 2圖1 系4曰上上 ’、根據第三實施例的單位位移暫存器的電 [第1 3圖]係卸 “很據第四實施例的單位位移暫存器的電

2108-9350-PF 46 200839724 路圖。

路圖。的單位位移暫存器的電 [第15圖]係根據第五實施例的單成的多段的移位暫存器的結構顯示圖。 [第1 6圖]係第五實施例的變形例的 [第16 的電路圖。位位移暫存器所形早位位移暫存器路圖。 [第17圖]係根據第六實施例的單位位移暫存器的電路圖。 [第18圖]係根據第七實施例的單位位移暫存器的電路圖。 [弟固]係根據弟八實施例的單位位移暫存器的電

[第20圖]係第八實施例的變形例的單位位移的電路圖。 W

[第21圖]係第八實施例的變形例的單位位移暫存器的電路圖。 ° [苐2 2圖]係苐八實施例的變形例的單位位移的電路圖。 ° [第23圖]係顯示雙閘極電晶體中重疊電容的分布圖。 [第24(a)、（b)圖]係顯示根據第九實施例的雙閘極電晶體的結構圖。

[第25(a)、（b)圖]係顯示根據第九實施例的雙閘極電晶體的結構圖。 2108-9350-PF 200839724 [第 26(a)〜（c)圖]你 1 & J1糸顯不根據第十實施例的雙閘極電晶體的結構圖。 [第27(a)〜（c)圖]係顯示根據第十一實施例的雙閘極電晶體的結構圖。 [第28(a)〜（c)圖]係顯示根據第十二實施例的雙閘極電晶體的結構圖。 [第29圖]係根據第十二實施例的單位位移暫存器的電路圖。【主要元件符號說明】 10〜玻璃基板； 11〜閘極電極； 12〜閘極絕緣膜； 13〜活化區域； 14〜接觸窗層； 15〜汲極配線； 151， -沒極區域； 16〜 >及極配線； 16卜 -汲極區域； 17〜源極配線； 171- 〜源極區域； 18〜接觸窗； 31〜時脈產生器； C1〜電容元件；

2108-9350-PF 48 200839724 C2〜電容元件； C3〜負載電容； Cgdo 〜閘極·汲極重疊電 Cgs〜電容成分； Cgso 〜閘極·源極重疊電 CK1- 1時脈端子； CLKA 〜時脈信號； CLKA 〜時脈信號； C L K B〜時脈信號； Cs t r 〜寄生電容； D1〜二極體； ΕΝ〜結束脈衝； GD〜輸出信號； Gk〜i 險出信號； Gk + l 〜 /次段的輸出信號； Gh〜前段的輸出信號； Gk-2 〜 /前前段的輸出信號； IN1〜第1輸入端子； N1〜節點； N2〜節點； N2A、 /r/\ rCTL · ^郎點， N2B- v節點； N3〜節點； OUT〜輸出端子； 2108-9350-PF 49 200839724 OUT〜輸出端子； Q1〜電晶體； Q1〜電晶體； Q10〜電晶體；

QlOa、QlOb〜電晶體； Q10D〜雙閘極電晶體； Q12〜電晶體； Q2〜電晶體； C Q2A、Q2B〜電晶體； Q3〜電晶體； Q3a、Q3b〜電晶體， Q 3 c〜電晶體， Q3D〜雙閘極電晶體； Q4〜電晶體； Q4a、Q4b〜電晶體； Q4D〜雙閘極電晶體； ( Q8A、Q8B〜電晶體； Q9A〜電晶體； Q9B〜電晶體；

Qx〜電晶體， RST〜復位端子； S1〜第1電源端子； S2〜第2電源端子； SP〜起始脈衝；

2108-9350-PF 50 200839724 SR〜單位位移暫存器； SR!、SR2、SR3…SRn〜單位位移暫存器； SRD〜虛設單位位移暫存器； SRk〜單位位移暫存器； S T〜起始脈衝； ST1、ST2〜起始脈衝； TA〜第1控制端子； TB〜第2控制端子； TN〜第1電壓信號端子； TR〜第2電壓信號端子； VDD〜高電位侧電源電位； V D D〜南電位侧電源電位， VFRA〜控制信號； VFRB〜控制信號；

Vgd〜閘極·汲極間電壓；

Vgs〜閘極·源極間電壓； VN〜第1電壓信號； VR〜第2電壓信號； VSS〜低電位侧電源電位；

Vth〜臨界電壓。 2108-9350-PF 51

Claims

200839724 十、申請專利範圍·· # ι一種半導體裝置，包括複數第-電晶體，在既定的第1節點與第2節點之間串聯連接，且控制電極互相連接; 其特徵在於：上述，數第—電晶體間的各連接節點作為第3節點；、—一述第1第3節點以及上述控制電極分別為比上述，數第：電晶體的臨界電壓高的Η(高)準位狀態，當上述 f # 1及第2節點維持Hij"位’而上述控制電極的電位變化 ' 電壓低的L(低)準位時，上述第3節點的準位^者也下拉至L準位。 2. 如申請專利範圍第丨項所述的半導體裝置， ::::::::準位的裝置係上述控制電極與上述第3 即點之間的寄生電容。 3. 如巾請專利範圍第2項所述的半導體裝置，盆為上述弟3節點的電極的寬度比成為上述第 ( 的電極寬度寬。弟2郎點 4. 如申請專利範圍第〗項所述的半導體 2容元件，在上述控制電極與上述第3節點之間連1 為下拉上述第3節點準位㈣連接作 5.如申請專利範圍第2至4項中任— 裝置，其甲上述第3節點中，、a的半導體刀別假設上述控制電極與上豸帛分為C1，不包含在卜汁Γϊ ★ 之間的電容成 … 内而隨附上述第3節點“η 電合為C2，上述控制電極中的，.》的寄生 4位與L準位間的差為 2108-9350-PF 52 200839724 Vd ’以及上述第1電晶體的臨界電壓為Vth時，滿足下關係：式 Cl - C2x(Vd-Vth)/Vth。 6·如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，更包括二極體，在上述控制電極與上述第3節點之間連接，以述控制電極側為陰極，以上述第3節點側為陽極，作為上拉上述第3節點準位的裝置。

7·如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，更包括第2電晶體，在上述第丨電晶體的上述控制電極與上述第節；之間連接，作為下拉上述第3節點準位的裝置。； 8·如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其中上述複數第1電晶體係非晶矽薄膜電晶體。 ’、 9 ·如申凊專利範圍第1項所述的半導體裝置，其中上述複數第1電晶體係有機電晶體。 10· —種位移暫存器電路，包括：輸入端子、輸出端子、第i時脈端子及復位端子；第1電曰曰體，供給輸入至上述第J時脈端子的第工時脈信號至上述輸出端子；第2電晶體，放電上述輸出端子；充，電路，根據輸入至上述輸入端子的輸入信號，充一上述第1電晶體的控制電極連接的第1節點；以及放電電路，根據輸入至上述復位端子的復電上述第1節點； I 其特徵在於.· 2108-9350-PF 53 200839724 第3電晶體，在上述第1節點且控制電極共同連接至上述輸上述充電電路包括複數與電源端子之間串聯連接，入端子。 11·如申請專利範圍第1〇項所述的位移暫存器電路，其中上述充電電路的結構係：上述輸入信號成為比第3電晶體的臨界電壓高的η準位時，精由上述複數第3電晶體導通，上述第1節點充電，之後上述輸入信號變成比上述臨界電壓低的L準位時，上述複數第3電晶體間的各連接節點下拉至L準位。 12 ·如申明專利範圍第10項所述的位移暫存器電路，其中上述第2電晶體的控制電極連接至上述復位端子。 13·如申請專利範圍第1〇項所述的位移暫存器電路，更包括反相器，以上述第1節點為輸入端，並以連接至上述第2電晶體的控制電極的第2節點為輸出端。 14·如申請專利範圍第丨3項所述的位移暫存器電路，更包括第4電晶體，具有連接至第2節點的控制電極，並放電上述第1節點。 15 ·如申凊專利範圍第10項所述的位移暫存器電路，其中具有2個上述第2電晶體；上述2個第2電晶體的各控制電極連接的節點分別為苐2及第3節點；以及 ' 上述2個第2電晶體根據既定的控制信號交互驅動。 16 ·如申請專利範圍第15項所述的位移暫存器電路，其中上述控制信號由互補的第1及第2控制信號所構成· 2108-9350-PF 54 200839724 以及上述位移暫存器電路，更包括：第1及第2控制端子，八s丨丨认信號； ’〇而+力別輸入上述第1及第2控制第4電晶體，在上述第1抑 k乐1 L制糕子與上述第2節間連接；以及 Ρ ^ < 弟5電晶體，在上述第2批在“山2 (弟2控制鳊子與上述第3節點之間遷接， / 、其中，上述第4及第5電晶體各一方的主電極，連接至彼此的控制電極。如申請專利範圍第15項所述的位移暫存器電路，其中父互驅動上述2個第2電晶體的裝置，包括· 反相器，以上述第丨節點為輸入端；以及切換電路，根據上述控制信號，交互連接上述反相哭的輸出端至上述第2及第3節點。 18.如申請專利範圍第15項所述的位移暫存器電路，更包括： u ’ 第6電晶體，具有連接至上述第2節點的控制電極，放電上述第1節點；以及第7電晶體，具有連接至上述第3節點放電上述第1節點。 1 9·如申請專利範圍第1 〇項所述的位移㈢ <子為'電路，更包括第4電晶體，具有連接至上述第1時 τ撒鳊子的控制電極，並在上述第1節點與上述輸出端子之間連接 2108-9350-PF 55 200839724 20·如申請專利範圍第19項所述的位移暫存器電路，更包括：第2時脈端子，輸入與上述第1時脈相位相異的第2 時脈信號；反相Is ’以上述第1節點為輸入端，並由上述第2時脈信號活化；第5電晶體，具有連接至上述第1時脈端子的控制電極’並放電上述反相器的輸出端；以及

第6電晶體，具有連接至上述反相器的上述輸出端的控制電極，並放電上述第丨節點。 21.如申請專利範圍第2 〇項所述的位移暫存器電路，其中上述第2電晶體的控制電極連接至上述第2時脈端 22·如申請專利範圍第21項所述的位移暫存器電路，其中上述第2電晶體在上述輸出端子與上述第i時脈之間連接。 @ 23·如申請專利範圍第1〇項所述的位移暫存器電路，反相器，以上述第節點為輸入端，信號活化；以& 上述弟1時脈第4電晶體，具有連接至上述反相器的輪電極，並放電上述第1節點；、上制電容其中，上述反相器具有在上述反相器的上述上述第1時脈端子之間連接作為負載元件的第而與 2108-9350-PF 56 200839724 件ο 24.如申請專利範圍第23項所述的位移暫存器電路，其中上述第2電晶體的控制電極連接至上述反相器的上述輸出端。 25·如申請專利範圍第24項所述的位移暫存器電路，更包括：乐ζ吋胍端子，輸入與上述第丨時脈相位相異的第2 時脈信號；以及 Γ' 第5電晶體，具有連接至上述第2時脈端子的控制電極，並放電上述輸出端子。亂如申請專利範圍第1〇至25項中任—項所述的位移暫存器電路’更包括第2電容元件，在上述複晶體間的各連接節點與上述輸移暫rr請專利範圍第…項中二所述的位子益電路，更包括二極體，在上述複數第3電曰體門的各連接節點與上述輸入端子之間連接，以上述侧為陰極’並以上述連接節點側為陽極。而 28.如申請專利範圍第1〇至25項令任移暫存器電路，更包括第6 、所逑的位體間的各連接節點與上述輸入二之:上=第3電晶至上述第1時脈端子。工制電極連接 29· 一種位移暫存器電路，包括：位端子；及弟2輸入端子、輸出端子、第1時脈端子及復 2108-9350-pp 57 200839724 弟1電日日體，供給輸入至上 > 脱产咕 , 上迷弟1時脈端子的第1日卑脈#號至上述輸出端子；守端子； 1電晶體的控制電極連接第2電晶體，放電上述輸出第1充電電路，充電上述第的第1節點；以及端子的復位信第1放電電路，根據輸入至上述復位號，放電上述第1節點；其特徵在於：上述第1充電電路包括·· 複數第3電晶體，名4 μ μ 在上述弟1郎點與電源端子之間串聯連，，且控制電極共同連接至既定的第2節點；弟2充電電路’根據輸入至上述第1輸入端子的第! 輸入信號，充電上述第2節點；升壓電路，根據輸入至上述第2輸入端子的第2輸入信號，升壓上述第2節點；以及第2放電電路，根據上述復位信號，放電上述第2節 30.如申請專利範圍第29項所述的位移暫存器電路，其中上述第1充電電路的結構係·· 上述第2節點成為比上述第3電晶體的臨界電壓高的 Η(南）準位時，藉由上述複數第3電晶體的導通，充電上述第1節點，之後上述第2節點變化成比上述臨界電壓低的L(低）準位時，上述複數第3電晶體間的各連接節點下拉至L準位。 2108-9350-PF 58 200839724 31·如申請專利範圍第29項所述的位移暫存器電路，更包括反相器，以上述第2節點為輸入端；其中，上述第1放電電路係第4電晶體，具有連接至上述反相杰的輸出端的控制電極，並放電上述第1節點。 32.如申請專利範圍第31項所述的位移暫存器電路， =第、5!晶體，具有連接至上述反相器的輪：端的控制電極，亚放電上述第2節點。说如^請專利範圍第31項所述的位移暫存器電路，輪出：述第2電晶體的控制電極連接至上述反相器的上述移暫Γ哭如雷申請專利範圍第29至33項中任一項所述的位 :二路’更包括電容元件，在上述複數第3電晶體間的各連接節點與上述第2節點之間連接。體 wJ5·如巾請專利範圍第29至33項中任—項所述的位移暫存器電路，更包括- W 的已括一極體，在上述複數第3電晶體間、 $點與上述第2節點之間連接，以上述第2節侧為陰極，祐u、々土 k弟z即點並以上述連接節點側為陽極。 36.如申請專利範圍第μ 移暫存器電路，更包括第、 J、所述的位 , 晶體，在上述複數第3電晶體間的各連接節點與上述第至上述第丨時脈端子。即點之間，且控制電極連接路，复中上：第'專利耗圍# 29項所述的位移暫存器電 /、甲上述弟2充電電路包括·· 複數第7電晶體，在上述第2節點與電源端子之間串 2108-9350-pp 59 200839724 ^連接’且控制電極共同連接至上述第1輸入端子。 38·如申請專利範圍第37項所述的位移暫存器電路，其中上述第2充電電路的結構係： ^ 上述第1輸入端子成為比上述第7電晶體的臨界電壓同的Η(咼）準位時，藉由上述複數第7電晶體的導通，充包上述第2節點，之後上述第1輸入端子變化成比上述臨界電壓低的L(低）準位時，上述複數第7電晶體間的各連接節點下拉至L準位。 ^ 39·如申請專利範圍第37或38項所述的位移暫存器包：’更包括電容元件，在上述複數第7電晶體間的各連接節點與上述第1輸入端子之間連接。 40.如申請專利範圍第37或38項所述的位移暫存器 =路，更包括二極體，在上述複數第7電晶體間的各連接即:占14上述第1輸入端子之間連接，以上述第ι輪入端子侧為陰極，並以上述連接節點側為陽極。 D 、 41·如申請專利範圍第37或38項所述的位移暫存器電路，更包括第8電晶體，在上述複數第7電晶體間的各連接節點與上述第i輸入端子之間，控制電極連接至輸入與上述帛1時脈信號相位相異的帛2時脈信號的第2時脈端子。 42· —種位移暫存器電路，包括：第1及第2輸入端子、輸出端子、時脈端子；第1及第2電壓信號端子，分別輸入互補的第i及第 2電壓信號； 2l〇8~9350-PF 60 200839724 弟】電晶體，供A於輸出端子； '上述時脈端子的時脈信號至第2電晶體’放電上述輪出端子；第“區動電路，根據輸輸入信號，供給上述第…过弟1輸入端子的第〗體的控制電極的第i節點；。狁、接至上述第1電晶第2驅動電路’根據輪入至上述輸入信號，供給上述第2電刖、弟2 β .. 七遽至上述第1節點；以及 ” 以上述第1節點為輸入端，並以上述第2電的控制電極連接的第2節點為輪出端；％其特徵在於：上述第1驅動電路包括·· 複數第3包曰曰體，在上述第i節點與上述第1電壓传號端子串聯連接，且控制電極共同連接至上述第！輸入; 子；以及上述第2驅動電路，包括·· 複數第4電晶體，在上述第1節點與上述第2電壓信號端子之間串聯連接，且控制電極共同連接至上述第2輸入端子。 43.如申請專利範圍第42項所述的位移暫存器電路，其中上述第1驅動電路中，上述第1電壓信號為比上述第3及第4電晶體的臨界電壓咼的Η(南）準位’且上述第2電壓信號比上述第3及 2108-9350-PF 61 200839724 第4電晶體的臨界電壓 T . ^ 1他的L(低）準位的情況下，上述第1輸入信號為Η準付味，益山L上曰_々11 +位犄，猎由上述複數第3電仆…電上述弟1郎點，之後上述第1輸入信號變 H上述複數第3電晶體間的各連接節點拉至L準位；以及上述第2驅動電路中，電壓信號為上述第1 f壓信號為L準位，且上述第 Η準位的情況下，輸人信號成為”料，藉由上述複數第4 m 4 述弟1郎點’之後上述第2輸入信號雙化成L準位時，上述游|楚述稷數弟4電晶體間的各連接節點下拉至L準位。 44.如申請專利範圍第電路，更包括： 4 2或4 3項所述的位移暫存器弟1電容元件，在上述複數第3電晶體間的各連接點與上述第〗輸入端子之間連接；以及第2電容元件，在上述複數第4電晶體間的各連接點與上述第2輸入端子之間連接。丧即。45.如申請專利範圍帛42< 43工員所述的位移暫存器 3電晶體間的各連接節點以上述第1輸入端子側為間的連接節點側.為陽極； 4電晶體間的各連接節點第1二極體，在上述複數第與上述第1輸入端子之間連接，陰極，並以上述複數第3電晶體第2二極體，在上述複數第 2108-9350-PF 62 200839724 =述：2輸入端子之間連接，以上述第2輸入端子側為 1上述複數第4電晶體間的連接節點側為陽極。電路 U利粑圍第42或43項所述的位移暫存器寬路’更包括： s弟5電晶體，在上述複數第3電晶體間的各連接節點舁上述第1輸入端子之間，且控制電極連接至上述時脈端子；以及第6電晶體，在上述複數第4電晶體間的各連接節點與上述第2輸入端子之間，且控制電極連接至上述時脈端〇 2108-9350-PF 63