TW200834660A - Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions - Google Patents

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200834660 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之具體實施例一般係關 版係關於一種半導體裝 …更明確言之，本發明係關於用以減少半導體二 臨界尺寸（CD)的方法與具有縮減臨界尺寸 :: 導體裝置。 1切疋成的半 【先前技術】 積體電路("ic”)設計者需要藉由減少個別特徵之大， 及藉由減少半導體基板上相鄰特徵間的分離距離，以= -内積體化之程度或特徵的密度。特徵大小之持續心 用以形成特徵之技術(如微影蝕刻)方面造成甚至更大的兩 要。此等特徵典型係藉由在一材料（如絕緣體或導體）中之 開口定義’且藉由該材料彼此隔開。相鄰特徵中之相同點 間的距離在此產業中係稱為，·間距"。例如，該間距並型係 測量為該等特徵間之中心至中心距離。因此，間距係約等 於一特徵之寬度以及分離該特徵與一相鄰特徵之空間的寬 度之和。該特徵之寬度亦稱線之CD或最小特徵大小 ("F")。CD典型地係最小幾何特徵，例如一互連線、接點 或溝渠之寬度，其在製造1(：期間使用一例如微影蝕刻之給 定技術形成。因為與特徵相鄰之空間的寬度典型係等於該 特徵之寬度，故該特徵之間距典型地係該特徵大小之兩倍 (2F)。 σ 習知248 nm微影蝕刻致能形成從1〇〇 ^茁至2〇〇 nm之最小 線寬度。然而’由於減少特徵大小以及間距之壓力，已發 127055.doc 200834660 展出間距加倍技術。美國專利第5,32M1〇號揭示一種使用 間隔件或陰極金屬心之間距加倍的方法，以在半導體基板 中形成均勻隔開之溝渠。該等溝渠具有相等深度。一消耗 層係形成在半導體基板上且經圖案化，形成具有寬度F之 條。該等條經蝕刻以產生具有F/2之縮減寬度的陰極金屬 ^條。一部份消耗之縱材層係保形地沈積在陰極金屬心條 上以及經蝕刻以在該陰極金屬心條之側壁上形成具有 厚度之縱材條。該等陰極金屬心條被蝕刻，而縱材條 呆迢在半‘體基板上。該等縱材條功能為在半導體基板中 蝕刻具有F/2寬度之溝渠的遮罩。儘管以上所述專利中之 間距係實際上減半，間距中之此—縮減在產業中係稱作 "間距加倍，，或，，間距倍增，，。換句話說，間距之”倍增"某一 d歩及減少該間距該倍數。在此保留此習知術語。 美國專利第6,239，GG8號揭示-種間距加倍方法。一光阻 係在半導體材料層上圖案化…光阻結構以及—相鄰空間 2尺寸係定義為X。該等光阻結構被修整成％ χ。結構間之 空間增加至3/4 X。半導體材料層之曝露部分被㈣以在半 導體材料層中形成結構。光阻結構被移除。—毯覆層係沈 積在半導體材料層結構上1毯覆層被㈣以在半4體材 =n之側壁上形成間隔件…第二毯覆層係沈積在半 導：材料層結構、間隔件以及空間上’在空間中形成第二 、-且、、'。構。第二毯覆層係—與製成半導體材料層結構之材料 類似或相同的材料。半導體材料層結構、間隔件以及第二 組結構被平坦化。間隔件被移除。半導體材料層結構以及 127055.doc 200834660 第二組結構以及其間之空間具有κ χ的尺寸。 美國專利第6,638,441號揭示一種三倍間距的方法。_光 阻層係在一基板上圖案化。一層係在該圖案上形成。第一 層被蝕刻以曝露基板。一第二層係形成在圖案上。該第二 層被蝕刻以曝露基板。該圖案化光阻被移除。一第三層係 形成在第一以及第二層以及基板上。該第三層被钱刻以曝 露該基板。一第四層形成在第一、第二以及第三層以及基 板上。該第四層之材料係與第一層材料相同。該第四層被 餘刻以曝露第一、第二以及第三層。第二以及第三層被移 除。弟一以及弟四層形成一具有已成三倍之間距的圖案。 193 nm微影蝕刻係能形成比248 nm微影蝕刻更小之特 欲。然而，與248 nm光阻材料相比，193 nm光阻材料已增 加線邊緣粗度（LER)。此外，248 nm光阻材料係比193 nm 光阻材料更強。 因此，此項技術存在一需要，其係能利用248 nm光阻減 ^'特被之CD的間距縮減程序。 【發明内容】 本發明之具體實施例一般係關於完成半導體裝置。尤其 係本發明之具體實施例更關於減少一特徵之CD的方法與 具有此等縮減之部份完成的積體電路裝置。 在一具體實施例中，一種減少半導體裝置特徵之CD的 方法包括形成一目標層，該目標層具有之特徵具有縮減的 CD 中間層係形成在該目標層上。一圖案係形成在一 覆盍中間層之光阻層中，具有CD之圖案係可藉由習知微 127055.doc 200834660

影技術印刷。圖牵之CD可1 JIL 茶之 了精由最終欲在目標層中形成的 特徵之大小決定。筐一„π从 丁❿攻的 弟間隔件材料垂直區（第一間隔件）係 形成與光阻層之剩餘部分相鄰。在第-間隔件以及中間層 垂直區間曝路的目標層係藉由中間層之剩餘部分形成。第 二間隔件材料垂直區(第二間隔件)被形成緊接中間層垂直 區。中間層垂直區被移除。形成在目標層上之特徵的CD 係該第-間隔件以及第二間隔件之厚度的函數。 在此描述之方法以及部份完成的積體電路裝置未形成一 用於製造積體電路的完全程序流。程序流之剩餘部分對於 此貝技#人士而§係已知。因此’在此僅描述理解本發明 之具體實施例所需的方法以及部份完成的積體電路裝置。 本文“述之材料層可藉由任何適合沈積技術形成，包括 (仁不限於）紅塗、毯覆式塗布、化學汽相沈積（"CVD")、 原1子層沈積（"ALD”）、電襞増強ALD或物理汽相沈積

C (PVD )。取決於欲使用之材料，該沈積技術可由熟習此 項技術的人士選擇。 【實施方式】 現將參考圖式，其中全部圖式中之類似數字指類似部 分。該等圖式並未按比例繪製。 在本發明之一具體實施例中，具有縮減CD以及（結果縮 減間距）的特徵可在目標層上形成。該等特徵之CD可為一 比在一覆蓋層（如光阻層）上形成之初始圖案的CD少三倍之 倍數。一三倍間距縮減方法之具體實施例係在圖1至10中 說明。 127055.doc 200834660 如圖1中6兒明，一部份完成的積體電路裝置1〇〇可包括一 目標層11G。具有縮減CD之特徵可最終在目標層ιι〇中形 成。該等特徵之CD可相對於一形成在一覆蓋光阻層14〇之 圖案的CD來減少。因為減少該等特徵之CD，亦減少該等 特徵的間距。目標層110可自一係與半導體裝置製造相容 的材料形成。例如，目標層11〇可為一半導體基板，例如 白头矽基板或具有半導體材料之一層的其他主體基板。 如本文使用，術語"主體基板"不僅包括矽晶圓，且亦包括 絕緣物上矽（"S0I”）基板、矽藍寶石（"s〇s")基板、基底半 導體基礎上矽之磊晶層以及其他半導體、光電子元件或生 物技術材肖’例如㈣、鍺、碎化鎵、氮化鎵或磷化姻。 一中間層m可在目標層110上形成。當在目標層ιι〇上形 成該等特料，中間層12G可作為一犧牲遮罩。中間層 之厚度可取決於該犧牲遮罩之所需高度。中間層12〇可自 一可相對於在部份完成的積體電路裝置100上形成之間隔 件選擇性姓刻之材料形成。如本文使用，當一材:展= 曝露於相同蝕刻化學成分中之另一材料大至少約2倍之蝕 刻速率時，該材料係，，可選擇性地蝕刻"。理想中，此一材 MUM露於相_刻化學成分中之另 率大至少約一刻速率。僅為了舉例，中間層12= 從透明碳（TC)、非晶性碳（AC)或一旋塗式材料形成。中間 層120可藉由習知技術，例如藉由CVD或藉由旋塗形成。 一抗反射層130可在中間層12〇上形成。抗反射材料係此 員技衍中為人已知且可包括(但不限於)例如係一介電抗反 127055.doc 200834660 射塗層（DARC)之二氧化矽或氮氧化矽的無機材料，或有 機材料’例如含矽、旋塗式硬遮罩。抗反射層13〇可藉由 習知技術形成。 光阻層140可在抗反射層13〇頂部上形成。光阻層14〇可 自一 248 nm光阻材料形成，例如深紫外線（DUV)248 光 阻248 nm光阻材料係此項技術中為人熟知，且因此不在 此洋述。其他光阻材料（例如193 光阻）可用來形成光阻 層140。額外㈣可用以於沈積第—間隔件層i5Q前使光阻 層140之側壁平滑。光阻材料可藉由習知技術(例如藉由旋 塗）沈積’且藉由習知微影餘刻技術圖案化。光阻以及微 影姓刻技術係此項技術中為人熟知，而因此選擇、沈積以 及圖案化光阻材料不方卜μ #垂 ' 河竹不在此评盡討論。如圖2中說明，一圖 案可藉由顯影以及蝕刻該光阻材料而在光阻層⑽中形 成：光阻層140,之剩餘部分可藉由開口 145分離。光阻層 4〇可…有可使用選擇性圖案化或微影韻刻技^ Ο 刷r。或者係，光阻層-可進行額外二 乂、至所而CD。光阻層14〇中之圖案可結合第一 間隔件用來形成目標層110中的特徵。此 ：- 不限於電氣裝置之線、溝渠或其他組件。、但 =:及:刻該光阻材料後剩餘之光阻 係在圖2中顯不。綠層14()1的側壁可具有—^ 廓。因為248 nm光阻㈣具有良好咖^上垂直輪 壁亦可相對較平滑。因此，當在側壁上形成第:，之側 (如以下描述）時，可维拄杳# ^ 風弟一間隔件 了維持實質上垂直輪廓。光阻層14〇，可 127055.doc 200834660 具有一約X之寬度或CD，其中x係一可藉由習知微影技術 印刷的尺寸。因此，X係用以圖案化光阻層14〇之微影蝕刻 技術的函數。光阻層140’相鄰部分間之空間（其在圖2中指 不為B)可具有一約X的寬度。如以下描述，B可比寬度X更 寬或更窄。 如圖3中說明，一第一間隔件層15〇可形成在抗反射層 130頂部上以及在光阻層14〇,側壁以及頂部表面上。第一間 隔件層150可保形地沈積，如藉由ALD。然而，可使用其 他沈積技術，只要第一間隔件層i5〇係依所需厚度實質上 保形地沈積。第一間隔件層i 5 〇可自一係與其後製造動作 相容以及係可相對於抗反射層13〇、中間層12〇，以及目標 層110選擇性蝕刻之材料形成。僅為了舉例，第一間隔件 層150可由氧化物（如氧化矽）或氮化物（如氮化矽）形成。因 為使用之光阻材料係一 248 nm光阻，光阻層140,之侧壁可 展現可將第一間隔件層150直接施加至光阻層14〇，之足夠低 LER。然而，可用額外蝕刻來在沈積第一間隔件層15〇前 使光阻層140,之側壁平滑。第一間隔件層15〇之厚度可約等 於最終欲形成在目標層丨丨〇上的特徵之CD。例如，若目標 層110上之特徵係欲具有一約〜3的CD，則第一間隔件層 150可用等於約x/3的厚度來沈積。 如圖4中說明，可移除光阻層14〇，以及抗反射層13〇之實 質上水平表面上的第一間隔件層150之部分，而第一間隔 件層15G可保留在光阻層⑽，之實f上垂直表面上。因此， 可曝露光阻層14G’之頂部表面以及抗反射層13()的部分。此 127055.doc -12- 200834660 可精由各向異性巍女丨楚 蝕刻弟一間隔件層150、形成毗連光阻層 140丨側壁之第一間隔 1 ^ 來達成。蝕刻劑可取決於在第 一間隔件層150中使用的材料來選擇。例如，若第一間隔 件層15G係由氧切形成，可㈣氟碳化學成分以實㈣ 刻。僅為了舉例，篦一 „ μ p 一〆 弟間隔件層15〇可使用四氟甲烷

C (CF4)、三氟甲烷（咖3)或其他習知蝕刻劑來蝕刻，用於選 擇性㈣氧化石夕。第一間隔件15〇，可實質上具有與光阻層 140·之側壁相同的垂直輪廓。第一間隔件15〇，可具有一約 等於χ/3之寬度。第—間隔件15GI可作為—用於後續抗反射 層130以及中間層120之餘刻的遮罩。 如圖5中說明，光阻層14〇,可相對於第一間隔件15〇，選擇 性移除。換句話說，在蝕刻|，第一間隔件15〇，可保留在 抗反射層130的表面上。光阻層14〇，可從第一間隔件15〇，間 移除，曝露抗反射層130之下方部分。由移除光阻層14〇，產 生之空隙可具有一約等於X的寬度。光阻層14〇，可使用一具 有以氧為主電漿之乾式蝕刻程序來選擇性蝕刻。光阻層 140’之移除可為高度各向異性以維持第一間隔件15〇，的垂 直輪廓。 其次’如圖ό中說明’可移除抗反射層13 〇之曝露部分以 及中間層120的部分。可蝕刻抗反射層ι3〇之曝露部分，如 先前在光阻層140’下之該等部分。接著抗反射層13〇中之圖 案可轉移至中間層120。第一間隔件150,可作為一遮罩，其 保護抗反射層130，以及中間層120,之下方部分。抗反射層 13 0以及中間層120可使用一單一蝕刻化學成分餘刻或可分 127055.doc -13- 200834660 離地蝕刻。蝕刻抗反射層13〇以及中間層12〇可藉由習知技 術達成。例如，當抗反射層130係從氮氧化矽形成時，尤 其可使用電漿蝕刻，包括氟碳化學成分，例如CF4或二氟 甲烷（CHJ2);或酸，諸如氫溴酸（HBr)。當中間層12〇係由 透明碳形成時，可使用利用氮（N2)、氧（〇2)以及氫溴酸之 電漿蝕刻。其他可能之電漿化學成分包括〇2以及二氧化硫 (s〇2)。抗反射層130之蝕刻可減少第一間隔件15〇，的高 度。然而，中間層120蝕刻對於第一間隔件15〇，之高度可能 實質上沒有影響。 如圖7中說明，可移除第一間隔件15〇，以及抗反射層 130’，留下中間層12〇，在目標層11〇上。第一間隔件15〇, 以及抗反射層130,可藉由習知蝕刻劑移除。例如，第一間 隔件150’以及抗反射層13〇，可藉由一具有緩衝氫氟酸的溼 式蝕刻來蝕刻。或者係，第一間隔件15〇，以及抗反射層 13 0f可藉由用來蝕刻抗反射層13〇，之蝕刻化學成分來移 除。 如圖8中δ兒明，第二間隔件層16〇可在中間層上形 成。間隔件層160可從與用在第一間隔件層15〇之相同材料 形成。因此，第二間隔件層16〇可使用用於形成間隔件層 150之相同程序設備來形成。依此方法，可減少設備以及 伴隨維修的數量。此外’藉由使用相同材料，可節省顯影 以及沈積不同材料之成本。第二間隔件層丨6〇可在中間層 120上以於約χ/3之厚度保形地沈積。藉由保形地沈積 第二間隔件層160的材料’中間層12〇，鄰近部分間之間隙可 127055.doc -14· 200834660 從約X減少至約Χ/3。 如圖9中說明，可將第二間隔件層16〇的部分移除以形成 第二間隔件160’。第二間隔件層⑽之實質上水平部分可藉 由各向異性蝕刻移除，@第二間隔件層16〇的實質上垂直 部分可保留，形成第二間隔件16〇’。各向異性钱刻可曝露 中間層12〇,之一頂部表面。第二間隔件16〇,可具有-等於 約Χ/3的寬度。第二間隔件層16〇之實質上水平部分可藉由 習知技術移除，如以上相關於交 相關於移除第一間隔件層150之部 分的討論。 如圖10中說明，中間層120，可藉由相對於第二間隔件 ⑽’以及目標層m選擇性姓刻此層來移除。中間層12〇，可 精由習知技術蝕刻，如藉由利 同㈣化學成分。第二間隔件16。―刻中間層120之相 币一間隔件160,之側壁可呈 垂直輪廓帛一間隔件16。，可具有_約的的寬度，且可彼 此分離一約χ/3之距離。圖1〇亦說明 ， X以及在光阻層14〇,鄰^ 胃14”㈣寬度 約光阻層U0,的三分之一寬度的第二 -有 層110上形成。約相等間…牛160,可在目標 到。藉由使用第可在相鄰第二間隔件160,間達 J精由使用弟—間隔件⑽,作為犧 圖案化’其形成的特徵具有 軍目仏層110可 CD。目標層11〇可藉由 曰140’之<：〇的1/3之 為了進-步減：在目：術圖案化，其未在此詳述。 乂 /¾夕在目標層 額外間隔件㈣程序。例如7之特徵的心可使用 -^ ^ ^ ^ ^ ^ ^120"4 ^ ^ )間隔件。額外間隔件 127055.doc •15- 200834660 可/、有、、、勺等於欲在目標層11〇上形成之特徵的⑶之厚 度。該等額外間隔件可以-對應於X之分數的厚度沈積。 例如動態隨機存取記憶 目標層110可用於半導體裝置 體（DRAM)、靜‘％隨機存取記憶體⑽鳩）、鐵電記憶體 ()NAND以及NOR快閃記憶體、微處理器（如具有場效 電曰曰體（FET))以及平板顯示器。例如，目標層ιι〇可為一

欲敍刻用於形成隔離_ NAND快閃裝置單元之淺溝渠隔離 (STI)結構的晶圓基板。目標層⑽亦可為一導電作用層， 如欲圖案化成為電晶體之閘極的多晶矽層。目標層ιι〇亦 可為例如、||、鈦或銅之金屬層，其係欲圖案化成連 接不同作用區的導電線。除了（或取代）姓刻目標層ιι〇，材 料可填充第二間隔件16〇|間的空隙而沈積在目標層11〇上。 任何以上所述動作可取決於用在不同層中之材料以及用 於形成以及移除該等材料之程序，而與其他動作結合。此 外’任何以上動作可利用多個程序以達成單一動作。在任 何動作後，亦可發生以上未描述的進—步處理。額外程序 的範例包括離子植入、擴散摻雜、額外層的沈積、渔式或 乾式蝕刻以及化學機械拋光。僅為了舉例，在任何動作 刻可用以窄化、平滑或改進—曝露層的輪廊。 处^由利用以上所述方法…與兩或多個間隔件餘刻程序 結合之248 ^^光阻材料，可用來在目標層11〇形成小特 徵二該等特徵可具有一係習知可用248 nm光阻達到之CD 的-分數之CD。248 nm微影蝕刻可用以依一在此技術極 限内之解析度來圖案化光阻層14〇。在此階段，《阻層⑽· 127055.doc -16- 200834660 之剩餘部分可具有比欲# # + H a， 人幵y成在目軚層1 1 〇中之特徵的CD更 大之CD藉由將第一以及第二間隔件用作犧牲遮罩，可 實施間隔件钱刻程序以形成具有該光阻層14〇,之部分的CD 之三分之-或四分之一的CD之特徵。因此，該等特徵之 CD可J於可使用更先進微影姓刻技術（例如丄μ⑽微影蝕 刻）達到之該等CD。 • 以上所述具體實施例可用以相對於光阻層140,的蝕刻部 刀之CD ’在目糕層丨丨〇上產生該等特徵的縮減或間距。 Γ 例如，當光阻層140,（如圖2中說明）係使用一 248 nm光阻形 成時，對於一約240 nm之總間距，x可為係約12〇 nm&B可 為約120 nm。在圖案化光阻層14〇以及實施間隔件蝕刻程 序後，對於一約80 nm的總間距，第二間隔件16〇,的寬度 (如圖10中說明）可為約40 nm且相鄰第二間隔件16〇，間的距 離亦可等於約40 nm。然而，光阻層14〇，之寬度可為在一 從約30 nm至約150 nm之範圍内的任何寬度。因此，具有 從約10 nm至約50 nm之寬度的特徵可在目標層11〇中 ϋ成。 藉由调整光阻層140’的寬度、光阻層14〇,相鄰部分間之 ‘ 間隔以及已沈積間隔件層的厚度，可達到CD或間距中之 額外細減。本發明之具體實施例亦包含一種以4之倍數減 少特徵的CD或最小間距的方法。一根據本發明之四倍間 距縮減方法之具體實施例係在圖11至19中說明。實質上類 似材料以及處理動作係相對於先前具體實施例用於此具體 實施例。在圖11至19中說明之具體實施例不同於在圖1至 127055.doc -17- 200834660 1 〇中說明的且辦杳Α 同， 居、1 ’尤其在於光阻層140,的寬度係不 先阻層14〇’之相鄰部分 件層之厚度亦不同。 仏。此外’沈積間隔 壯=實質上說明在圖2中說明之相同部份完成的半導體 表置100，哈了止π 口駐… “ 、 ^ 0之剩餘部分具有一約3χ/4的寬 又，且光阻層14〇·相鄰部分間之間隔係約5χ/4。光阻層140 :如此項技術令已知沈積以及圖案化，以產生此間隔。僅

二了舉例今’光阻層140可圖案化以致光阻層140,之部分具有 勺的見度，且光阻層14〇，相鄰部分間之間隔係約X。光 阻層140’的部分可逸_ jk . 刀J進步蝕刻或修整以具有一約3x/4的寬 度其將光阻層140,之相鄰部分間的間隔增加至約^/4。 圖12說明第一間隔件層150可形成在光阻層140,以及抗 反射層130’上。第—間隔件層⑼可以約χ/4之厚度保形地 ’尤積。如先可描述’第一間隔件層15〇之厚度可對應於欲 形成在目標層110上的特徵之CD。第一間隔件層15〇可藉 由ALD沈積。 圖13說明從光阻層14〇，以及抗反射層13〇的實質上水平 表面移除第一間隔件層15〇，如藉由各向異性蝕刻。第一 間隔件材料150可保留在光阻層14〇,的實質上垂直表面，形 成第一間隔件150’。第一間隔件150,可具有等於約χ/4的厚 度’且光阻層140,之相鄰部分間的間隔可減少至約3χ/4。 圖14說明可移除光阻層14〇，，在抗反射層13〇頂部上留下第 一間隔件150’。相鄰第一間隔件15〇，間的間隔可為約 3x/4。圖15說明抗反射層130以及中間層120的部分可使用 127055.doc -18- 200834660 第一間隔件150’作為遮罩來移除。因此，第一間隔件ι5〇 下面的抗反射層130,以及中間層12〇，之部分可在此蝕刻期 間受到保護。圖16說明可移除第一間隔件15〇，以及抗反射 層130’，在目標層11〇的表面上留下中間層12〇，。中間層 120’可具有一約χ/4之寬度，且中間層12〇，之相鄰部分間的 距離可為約3χ/4。 圖17說明第二間隔件層16〇可在中間層12〇，的部分上形 成。第二間隔件層160可以約χ/4之厚度保形地沈積（如藉由 ALD) 〇 圖18說明可移除第二間隔件層16〇之實質上水平部分， 曝露中間層120’之頂部表面以及目標層11〇的部分。第二間 隔件層160之剩餘部分可形成第二間隔件16〇|。可移除中間 層120’，如圖19中說明。第二間隔件16〇，可具有一約χ/4之 寬度且可與相鄰第二間隔件16〇，分離約χ/4之一距離。鄰近 第二間隔件160,間之間隔可致使特徵具有欲在目標層ιι〇上 形成之光阻層140’的CD的四分之一。使用第三間隔件16〇, 作為遮罩，可圖案化目標層m，形成具有所需間距中四 倍縮減之特徵。 使用四倍縮減之此具體實施例，當如圖11中說明之光阻 s 140 /、有約90 nm(3x/4=90 nm)的寬度以及約15〇 nm(5x/4=15〇 nm)的寬度B(如以⑽㈣光阻形成）時第二 間隔件16G的產生寬度可為約3() ，且相鄰第二間隔件 16〇|間的距離亦可為等於約30 nm。因此，使用四倍縮減 之此具體實施例’可形成具有光阻層140,之CD的約四分之 127055.doc -19- 200834660 一的CD的特徵。 f ί 因此’可利用本發明之具體實施例以在目標層11 〇中產 生特徵’其具有光阻層14〇,寬度之CD的約三分之一或四分 之一之CD。因此，可在目標層n〇中形成具有少於約5〇 nm 的CD之特徵。對於使用本發明之具體實施例形成的特徵 之最後CD，以及最後間距並無下限。例如，因為第一以 及第二間隔件層150、160之厚度可藉由ALD精確控制，在 目標層11 0中形成之特徵的CD可精確地控制。 雖然此發明已相關於特定具體實施例描述，但本發明不 限於此等已描述之具體實施例。而是，本發明僅受限於隨 附申明專利範圍，在其範圍内包括所有根據如所述本發明 之原理操作的所有等效方法、程序、裝置以及系統。 【圖式簡單說明】 儘官本說明書以特別指出之申請專利範圍來推斷且清楚 地聲稱其係視為本發明，但此發明之具體實施例可在併同 附圖閱讀時，自本發明的以上說明中更易於確定，其中·· 圖1說明在-部份完成的積體電路裝置之目標層上的一 中間層，-抗反射層以及一光阻層之具體實施例； 圖2說明《 —以》—所靈园安VL i η 圖案化之圖1的光阻層之具體實 施例； 、 圖3說明一形成在圖2之牿料 特敛上的一弟一間隔件層之具體 實施例； 圖4說明一從圖3之第一間 1隔件層形成的第一間隔件之具 體實施例； 127055.doc -20- 200834660 圖5說明圖4之部份完成的積體電路裝置在圖2之 移除後的一具體實施例； 、$已 圖6說明圖5之部份完成的積體電路裝置在已移除中間層 以及抗反射層之部分後的具體實施例； 圖7說明圖6之部份完成的積體電路裝置在已移除 一 隔件以及抗反射層後的一具體實施例； ’ 目8說明-第二間隔件層形成在圖7之部份完成的積體電 路裝置上的具體實施例； ( 圖9說明圖8之部份完成的積體電路裝置在移除第二間隔 件層之部分以形成第二間隔件的一具體實施例； 圖10說明圖9之部份完成的積體電路裝置在中間層的剩 餘部分已移除後之一具體實施例； 圖11說明圖2之特徵在該等特徵已被修整後的一具體實 施例； ' 圖12說明一形成在圖11之該等特徵上之第一間隔件層的 一具體實施例； C 圖13說明一從圖12之第一間隔件層形成之第一間隔件的 具體實施例； ♦ 圖14說明圖13之部份完成的積體電路裝置在圖11的特徵 已被移除後之一具體實施例； 圖15說明圖14之部份完成的積體電路裝置在中間層以及 抗反射層之部分已被移除後的一具體實施例· 圖16說明圖15之部份完成的積體電路裝置在已移除第一 間隔件以及抗反射層後的一具體實施例； 127055.doc -21 · 200834660 圖17說明一形成在圖16之部份完成 一第二間隔件層之具體實施例； 的積體電路裝置上的

圖18說明圖17之部份完成的積體電路裝置在移除第二間 隔件層的部分以形成第二間隔件的一具體實施例；以及 圖19說明圖1 8之部份完成的積體電路裝置在已移除中間 層的剩餘部分後之一具體實施例。 【主要元件符號說明】 部份完成的積體電路裝置 目標層 中間層 中間層 100 110 120120, 130 130, 140 抗反射層 抗反射層 光阻層 140, 光阻層 145 開口 150 150, 160 160, 第一間隔件層 第一間隔件 第二間隔件層 第二間隔件 127055.doc -22-

Claims (1)

1. 200834660 十、申請專利範圍： 1· 一種在一目標層上形成特徵之方法，其包含： 在一目標層上形成一中間層； 在位於4中間層上之光阻層中形成開口； 在=光阻層之部分的側壁上形成一第一組間隔件； 曝路為目標層除了藉由該第一組間隔件遮蔽之部分以 外的部分； 曝露該中間層的部分；

   在a中間層之該等部分上形成一第二組間隔件； 移除该中間層的該等部分；以及 在該目標層之曝露部分中形彳It。 2. 如請求項1夕士、、+ ^ . ^ 、 法，其中在該目標層之曝露部分中形成 特二包t形成具有—小於該光阻層中之該等開口的臨界 尺寸之臨界尺寸的該等特徵。 3 · 如請求項1之方、、土 法，其中在一光阻層中形成開 及產生具有X之一臨 成具有X之一臨界尺寸的該等 界尺寸的該光阻層之部分。 4 · 如睛求項3之太、、土 . 特徵包含妒成且右、該目標層之曝露部分中形成 二，成具有_等於約x/3之臨界尺寸的特徵。 5·如峋求項1之方法，豆中在一氺卩日M + 成且右$ M 〃在先阻層中形成開口包含形 ，、有5χ/4之一臨界尺寸的 -臨尺％亥專開口且產生具有3x/4之 界尺寸的垓光阻層之部分。 6_如請求項1之方法，其中在該目標層之… 特徵包含形成且古 +路邛分中形成 有—#於約x/4之臨界尺寸的特徵。 127055.doc 200834660 如明求項1之方法，其中形成一 私 r y ^弟—組間隔件包含以幼 、奴在該目標層上形成之特徵的—臨 、、、、 積一間隔件材料。 ，寸之厚度沈 8·如請求項〗之方法，其中形成一 一 ^ - Λ 組間隔件或形成一 弟一 Μ隔件^從氧切錢 件或該第二組間隔件。 彡…弟-組間隔 9. Γ求項1之方法，其中形成-第-组間隔件包含在該 光阻層之剩餘部分上伴形地沈藉ρ ^ 1Λ f , 刀丄侏办地沈積一間隔件材料。 .如靖求項1之方法，1中暖 /、中曝路该目標層除了由該第一組 曰 件遮蔽之區以外的部分 間之兮丄 卜的^刀包“虫刻在該第-組間隔件 二光阻層的剩餘部分，以及姓刻該中間層之下方部 人銘=員1之方去’其中曝露該至少-中間層之部分包 3移除該第一組間隔件。 匕 12.如請求項〗之方法，复 .B /、進步包含在该光阻層以及該至 C 少―中間層間形成一抗反射層。 至 U·如請求項丨之方法， 朵阳Μ 八中形成一弟一組間隔件包含在該 先阻層之剩餘部分的該等側 件。 土丄貝貝上形成垂直間隔 14 ·如請求項1 方 等部八」 進一步包含在曝露該目標層之該 #°卩分前移除該目標層之剩餘部分。 15·如請求項丨之方法，1 八^ ν包3在曝露該目標層之％ 刀則移除該第一組間隔件。 丁 θ之^ 16·如請求項工之方法，复 一中形成一弟二組間隔件包含從與 127055.doc 200834660 °亥第組間隔件相同的材料形成 如請求項1之方法，其中在弟-組間隔件。 特徵包含形成具有一約等::;…曝露部分中形成 臨界尺寸的該等特徵。—組間隔件之厚度的- 1 8.如請求項1之方 ψ n M '，、形成—第二組間隔件包含在, 中間層之剩餘部分的側壁上形 广… 19. 一種部份完成的積體電路裝置，其包含件。 一目標層； 3 S標層」層::質上垂直區段，其係位於以及形成在該 最Si之=形成在該目標層上，該等間隔件具有- 與相鄰間隔心離= :寬度’該等間隔件 該等間隔件之― 隔件之該寬度的距離， 以及該等實•^分與相鄰間隔件分離該中間層之空隙 件分離該中2垂直區段’該等剩餘間隔件與相鄰間隔 曰运之该等實質上垂直區段。 127055.doc